JP2005191271A - Substrate, electro-optical device, electronic apparatus, transfer method, and manufacturing method of mounting substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜回路チップなどの薄膜層よりなる被転写体(薄膜要素)を剥離して、他の基板へ剥離転写する転写技術に関するものである。 The present invention relates to a transfer technique in which a transfer target (thin film element) made of a thin film layer such as a thin film circuit chip is peeled off and transferred to another substrate.
薄膜トランジスタ(TFT)又はEL素子等を用いたディスプレイを製造する際には、通常、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。薄膜トランジスタの形成工程は一般に高温下でなされるため、薄膜トランジスタが形成される基板には耐熱性が高いことが要求される。しかし、このような耐熱性の高い基板は高価であり、製品のコストが高くなるため、基板上に薄膜トランジスタを形成してから安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されている。 When manufacturing a display using a thin film transistor (TFT) or an EL element, a process of forming a thin film transistor on a substrate is usually performed. Since a thin film transistor is generally formed at a high temperature, the substrate on which the thin film transistor is formed is required to have high heat resistance. However, since such a substrate having high heat resistance is expensive and increases the cost of the product, a method of transferring a thin film transistor to an inexpensive substrate after forming the thin film transistor on the substrate has been developed.
例えば特開平10−125929号公報(特許文献1)に、このような薄膜トランジスタの転写方法が開示されている。当該公報に記載の方法では、薄膜トランジスタ等の被転写体の形成を石英ガラス等の耐熱性の高い基板上で行った後、耐熱性の低い安価な転写先基板にこの被転写体を転写するといった方法が開示されている。 For example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-125929 (Patent Document 1) discloses such a thin film transistor transfer method. In the method described in the publication, after a transfer object such as a thin film transistor is formed on a substrate having high heat resistance such as quartz glass, the transfer object is transferred to an inexpensive transfer destination substrate having low heat resistance. A method is disclosed.
このような方法によれば、高温下で行うプロセスを耐熱性の高い基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
このような転写方法においては、被転写体が形成された元の基板(転写元基板)と転写先基板を接合する際に接着剤を介して接合するが、流動性の高い接着剤を用いた場合には所望の領域以外の領域にまで接着剤が流出してしまう場合がある。被転写体の接合領域の周辺に他の部品との電気的接続領域がある場合には、接着剤がこの領域を覆うことにより接続不良等を起こす虞がある。また、一方で、転写元基板には通常複数の被転写体が形成されており、今回転写対象となる被転写体と今回転写対象とならない被転写体が隣接する場合に、今回転写対象とならない被転写体にまで接着剤が付着してしまうと次回に使用予定の被転写体が破損する虞があり、転写元基板の再利用ができなくなる場合がある。 In such a transfer method, the original substrate (transfer source substrate) on which the transfer target is formed and the transfer destination substrate are bonded via an adhesive, but an adhesive having high fluidity is used. In some cases, the adhesive may flow out to a region other than the desired region. In the case where there is an electrical connection area with other parts around the bonding area of the transfer object, the adhesive may cover this area and cause a connection failure or the like. On the other hand, the transfer source substrate usually has a plurality of transfer objects, and if the transfer object to be transferred this time is adjacent to the transfer object that is not to be transferred this time, it is not the transfer object this time. If the adhesive adheres to the transfer target, the transfer target to be used next time may be damaged, and the transfer source substrate may not be reused.
したがって、本発明はこのような問題を解決し、接着剤の広がりを防止し、不必要な箇所へ接着剤が広がることによる影響を防止し得る基板を提供することを目的としている。 Therefore, an object of the present invention is to solve such problems, and to provide a substrate capable of preventing the spread of the adhesive and preventing the influence of the spread of the adhesive on unnecessary portions.
上記課題を解決するために、本発明の第一の態様は、第1の基板と第2の基板とを対向して部分的に接着し、前記第1の基板に保持された複数の薄膜要素のうちの一部を剥離して前記第2の基板側に転写することにより形成される基板であって、前記薄膜要素又は前記第2の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第2の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板を提供するものである。 In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect of the present invention provides a plurality of thin film elements held on the first substrate, wherein the first substrate and the second substrate are opposed and partially bonded. A thin film on which either one of the thin film element or the second substrate is a target of transfer. The present invention provides a substrate comprising an adhesive spreading preventing means for confining an adhesive in a region corresponding to an element and defining a transfer target region assumed on a second substrate.
これによれば、接着剤の広がりを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。 According to this, it is possible to prevent the adhesive from spreading, and to define a transfer area to which the thin film element to be transferred is transferred. Therefore, the adhesive does not adhere to unnecessary portions, and the thin film element can be accurately transferred. Therefore, for example, even when there are electrical connection portions with other components around, it is possible to prevent connection failure.
前記複数の薄膜要素はエネルギ照射によって破壊する剥離層を介して前記第1の基板に保持され、前記被転写領域の略外縁に沿ってレーザ照射範囲が画定されることが好ましい。これによれば、所望の薄膜要素に確実にレーザを照射することが可能となる。 Preferably, the plurality of thin film elements are held on the first substrate via a release layer that is broken by energy irradiation, and a laser irradiation range is defined along a substantially outer edge of the transferred region. According to this, it becomes possible to reliably irradiate a desired thin film element with a laser.
前記薄膜要素又は第2の基板が備える接着剤広がり防止手段は、前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であってもよく、凹溝部であってもよい。 The adhesive spread preventing means included in the thin film element or the second substrate may be a protrusion formed along the outer edge of the transferred region or a groove.
前記薄膜要素及び第2の基板は共に前記接着剤広がり防止手段を備え、前記第1及び第2の基板のうち一方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であり、前記第1及び第2の基板のうち他方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部であることが好ましい。これによれば、突起部と凹溝部を組合わせているので、接着剤の広がりを突起部で防ぐとともに、過剰の接着剤を凹溝部に貯留することが可能となるので、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。 The thin film element and the second substrate are both provided with the adhesive spread preventing means, and the adhesive spread preventing means provided in one of the first and second substrates is formed along the outer edge of the transferred region. It is preferable that the adhesive spread preventing means provided on the other of the first and second substrates is a concave groove formed along the outer edge of the transferred region. According to this, since the protruding portion and the recessed groove portion are combined, it becomes possible to prevent the adhesive from spreading at the protruding portion and to store excess adhesive in the recessed groove portion, so that the adhesive can be more reliably applied. It is possible to prevent the spread to unnecessary parts.
前記突起部は前記凹溝部内に位置するように形成されることが好ましい。これによれば、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。また、前記突起部と前記凹溝部との間に隙間が存在するように形成されていてもよい。 It is preferable that the protrusion is formed so as to be positioned in the concave groove. According to this, it becomes possible to more reliably prevent the adhesive from spreading to unnecessary parts. In addition, a gap may be formed between the protrusion and the groove.
前記第1の基板は前記薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を保持する薄膜トランジスタ回路基板であり、前記第2の基板は前記薄膜回路を接続する配線を有する回路基板であることが好ましい。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。 Preferably, the first substrate is a thin film transistor circuit substrate holding a thin film transistor circuit as the thin film element, and the second substrate is a circuit substrate having wirings connecting the thin film circuit. According to this, it becomes possible to form a highly reliable mounting substrate.
本発明の第二の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電気光学装置を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an electro-optical device including any one of the substrates described above. According to this, it becomes possible to provide a highly reliable electro-optical device.
本発明の第三の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電子機器を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including any one of the substrates described above. According to this, it becomes possible to provide a highly reliable electronic device.
本発明の第四の態様は、薄膜要素を保持した第1の基板及び/又は前記薄膜要素の転写先である第2の基板上に、接着剤の広がりを防止し、被転写領域を画定する突起部又は凹溝部を形成する第一の工程と、前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、前記接着剤を介して前記第1の基板に保持された薄膜要素と前記第2の基板を接合する第三の工程と、前記第1の基板と前記第2の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第1の基板から前記第2の基板に転写する第四の工程と、を含むことを特徴とする転写方法を提供するものである。これによれば、接着剤の広がりを防止し、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。 According to a fourth aspect of the present invention, the spread of the adhesive is prevented and the transferred area is defined on the first substrate holding the thin film element and / or the second substrate to which the thin film element is transferred. A first step of forming a protrusion or a groove, a second step of supplying an adhesive to the transferred region, a thin film element held on the first substrate via the adhesive, and the first A third step of bonding two substrates, and a fourth step of transferring the thin film element from the first substrate to the second substrate by separating the first substrate and the second substrate. A transfer method comprising the steps of: According to this, it is possible to prevent the spread of the adhesive and to demarcate the transfer area to which the thin film element to be transferred is transferred. Therefore, the adhesive does not adhere to unnecessary portions, and the thin film element can be accurately transferred. Therefore, for example, even when there are electrical connection portions with other components around, it is possible to prevent connection failure.
本発明の第五の態様は、上記転写方法を用いて実装基板を形成する実装基板の形成方法を提供するものである。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a mounting substrate forming method for forming a mounting substrate using the above transfer method. According to this, it becomes possible to form a highly reliable mounting substrate.
以下、各図を参照して本発明の実施形態について説明する。
(第一の実施形態)
第一の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として突起部を形成したものについて説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
As the first embodiment, a description will be given of a case where a protrusion is formed as means for preventing the spread of the adhesive.
図1及び図2は、第2の基板200上に、第1の基板100に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示している。
<突起部形成工程>
図1(A)に示すように、第1の基板100に突起部114を形成する。
(i)第1の基板準備段階
まず、第1の基板(転写元基板)100を準備する。第1の基板100は、少なくとも、基礎となる基板110上に、剥離層112、配線層113、薄膜トランジスタ部102及び薄膜トランジスタ部102と後述する第2の基板に形成された配線との電気的接続を図るための電極パッド120が形成された構成を有する。同図中、130は転写単位を示し、転写単位130は、一の薄膜トランジスタ部102と複数の電極パッド120を含む。第1の基板100上には、このような転写単位130が縦横に複数形成されている。
FIGS. 1 and 2 show a process for transferring a thin film transistor circuit as a thin film element formed on the
<Protrusion formation process>
As shown in FIG. 1A, a
(I) First substrate preparation stage First, a first substrate (transfer source substrate) 100 is prepared. The
基板110としては、例えば耐熱性ガラスなどの透光性及び耐熱性を有する基板を用いることが好ましい。これにより、後の光照射工程において、照射された光を基板110を介して剥離層112に到達させることが可能となる。
As the
ここで、剥離層112は、照射される光を吸収し、その層内および/または界面において剥離(以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う)を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層112を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および/または界面剥離に至るものがよい。 Here, the peeling layer 112 has a property that absorbs irradiated light and causes peeling (hereinafter referred to as “in-layer peeling” or “interfacial peeling”) within the layer and / or at the interface. Yes, preferably, the irradiation force of light causes loss or reduction of the bonding force between the atoms or molecules of the substance constituting the peeling layer 112, that is, ablation occurs, leading to in-layer peeling and / or interfacial peeling. Is good.
さらに、光の照射により、剥離層112から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層112に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層112が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。 Furthermore, gas may be released from the release layer 112 by light irradiation, and a separation effect may be exhibited. That is, when the component contained in the release layer 112 is released as a gas, the release layer 112 absorbs light and becomes a gas for a moment, and its vapor is released, which may contribute to separation. .
このような剥離層112としては、例えば、アモルファスシリコン(a−Si)が挙げられる。また、剥離層112は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたAl等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス,金属,有機高分子材料などを用いることも可能である。 Examples of such a release layer 112 include amorphous silicon (a-Si). Further, the release layer 112 may be composed of a multilayer film. The multilayer film may be composed of, for example, an amorphous silicon film and a metal film such as Al formed thereon. In addition, ceramics, metals, organic polymer materials, etc. having the above properties can be used.
剥離層112の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、CVD、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの2以上を組み合わせて形成することもできる。 The formation method of the peeling layer 112 is not particularly limited, and is appropriately selected according to various conditions such as a film composition and a film thickness. For example, various vapor phase film forming methods such as CVD and sputtering, various plating methods, coating methods such as spin coating, various printing methods, transfer methods, ink jet coating methods, powder jet methods, etc., and two or more of these can be mentioned. Can also be formed.
なお、図1(A)には示されないが、基板110及び剥離層112の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板110と剥離層112の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行(マイグレーション)を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
Although not shown in FIG. 1A, an intermediate layer is provided between the
また、剥離層112及びは配線層113の間には、図示せぬ絶縁膜(例:酸化シリコン)が形成されている。これにより、配線層113の保護が図られると共に、外部との電気的絶縁を保っている。
(ii)突起部形成段階
このように準備された第1の基板100上に、突起部(土手部)114を形成する。突起部114は、第1の基板100上に形成された一の転写単位130と隣接する他の転写単位130との間に形成する。この突起部114は、第1の基板100上に後述する接着工程において、接着剤206の広がりを防ぐものである。また、この突起部114により、一の転写単位130が画定されるとともに、後述する第2の基板200上に想定される被転写領域116を画定するものでもある。このような突起部114は、例えば、第1の基板100上に、感光性樹脂を塗布し、フォトリソプロセスを用いてパターンニングし、露光・現像する等の方法で形成することが可能である。
Further, an insulating film (not shown) (for example, silicon oxide) is formed between the peeling layer 112 and the wiring layer 113. Thereby, the wiring layer 113 is protected, and electrical insulation from the outside is maintained.
(Ii) Projection Part Formation Stage A projection part (bank part) 114 is formed on the
突起部114の材質は、第1の基板100の表層に形成される膜(例:酸化シリコン等の保護膜)と同種の材料、好ましくは同一材料により形成することが好ましい。これによれば、第1の基板100と突起部114とが同じ強度により接着剤206を介して第2の基板と接合されるため、第1の基板100及び第2の基板200間の接合力がより強固なものとなる。また、製造工程の面でも上記したフォトリソプロセス等を利用することにより、突起部114を容易に形成し得ることになる。
The
突起部114の構造については、後に詳しく説明する。
<接着剤供与工程>
図1(B)に示すように、第1の基板100上に形成された突起部114により画定される被転写領域116内に接着剤206を供与する。
The structure of the
<Adhesive donation process>
As shown in FIG. 1B, an adhesive 206 is supplied into the transferred
接着剤206としては、導電粒子208を含む異方性導電ペースト(ACP)が好適に用いられる。但し、これに限らず、導電粒子208を含まない非導電性ペースト(NCP)を用いてもよい。
As the adhesive 206, an anisotropic conductive paste (ACP) containing
接着剤206の供与方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサ、スクリーン印刷又はインクジェット式液滴吐出装置等のいずれの方法を用いてもよい。 The method for supplying the adhesive 206 is not particularly limited. For example, any method such as a dispenser, screen printing, or an ink jet droplet discharge apparatus may be used.
また、接着剤206の供与量は、第1の基板100側の電極パッド120と第2の基板200側の電極パッド204とが接合し得る量があればよく、特に限定するものではない。但し、第1の基板及び第2の基板の被転写領域116内に形成された配線又は回路を保護(封止)し、また、両基板間の接着を強固にするという観点からは、第1の基板100と第2の基板200との間の被転写領域116に対応する空間内が満たされる量の接着剤を供与することが好ましい。
<位置合わせ工程>
図1(C)に示すように、第1の基板100と別途準備した第2の基板200とのアライメント(位置合わせ)を行う。
Further, the amount of the adhesive 206 supplied is not particularly limited as long as the
<Alignment process>
As shown in FIG. 1C, alignment (positioning) between the
第1の基板100上に形成された突起部114は、アライメントの際の指標ともなり得る。
The
第2の基板(回路基板又は転写先基板)200は、例えばガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板210上に、配線層212、第1の基板100側の電極パッド120と接続される電極パッド204及び配線層212を保護する保護膜214を含み構成されている。保護膜214は、例えば、酸化シリコン、樹脂等で構成され、配線層212と外部との電気的絶縁を図る役割も担う。
<接合工程>
図2(D)に示すように、第1の基板100上に形成された電極パッド120と第2の基板200上に形成された電極パッド204とを当接させて転写単位130の貼り合わせが行われる。この際、必要に応じて適度な押圧力が付与される。接着剤206は、第2の基板200上に形成された突起部202により堰き止められるため、不要な領域に接着剤が及ぶことがない。したがって、後に他の部品(例:有機EL基板等の他基板に形成される電極パッド等)との電気的接続に使用される隣接する接続部205等を接着剤が覆うことがないので、接続不良を低減することが可能となる。
<光照射工程>
その後、図2(E)に示すように、今回転写対象となる薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位130にのみ光Lが照射されるように、第1の基板100の背面側から光Lを照射する。この際、第1の基板100上に形成された突起部114により被転写領域116が画定されるので、当該範囲に光Lを照射することにより、確実に所望の転写単位130を第2の基板200側に転写することが可能となる。
The second substrate (circuit substrate or transfer destination substrate) 200 is connected to the
<Joint process>
As shown in FIG. 2 (D), the
<Light irradiation process>
Thereafter, as shown in FIG. 2E, the light L is irradiated from the back side of the
レーザ照射範囲は、例えばマスクを介して照射することにより調整し得る。照射されたレーザ光Lは、第1の基板100を透過して剥離層112で吸収されて剥離(層内剥離および/または界面剥離)が生じる。剥離層112の層内剥離および/または界面剥離が生じる原理は、剥離層112の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層112に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
The laser irradiation range can be adjusted by irradiating through a mask, for example. The irradiated laser beam L passes through the
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料(剥離層112の構成材料)が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層112の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散(気化)等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。 Here, the ablation means that the fixing material that absorbs the irradiation light (the constituent material of the peeling layer 112) is excited photochemically or thermally, and the surface or internal atom or molecule bond is cut and released. In general, all or part of the constituent material of the release layer 112 appears as a phenomenon that causes a phase change such as melting or transpiration (vaporization). In addition, the phase change may result in a fine foamed state, resulting in a decrease in bonding strength.
剥離層112が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層112の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の1つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 Whether the peeling layer 112 causes in-layer peeling, interfacial peeling, or both depends on the composition of the peeling layer 112 and various other factors, and one of the factors is irradiation. Conditions such as the type of light, wavelength, intensity, and reaching depth are included.
照射する光Lとしては、剥離層112に層内剥離および/または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、X線、紫外線、可視光、赤外線、エキシマレーザ、Nd−YAGレーザ、Arレーザ、CO2レーザ、He−Neレーザ等が挙げられる。
<転写工程>
上記工程によるレーザ照射後、第1の基板100を第2の基板200から離間させることにより、薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位130を第2の基板200側に転写することが可能となる。
The light L to be irradiated may be any as long as it causes the peeling layer 112 to undergo internal peeling and / or interfacial peeling. For example, X-ray, ultraviolet light, visible light, infrared light, excimer laser, Nd-YAG laser Ar laser, CO 2 laser, He—Ne laser and the like.
<Transfer process>
After the laser irradiation in the above process, the
このように形成された実装基板300に、さらに例えば有機ELチップを含む有機EL基板を貼り合せることで有機EL表示装置を製造することが可能である。 An organic EL display device can be manufactured by further bonding, for example, an organic EL substrate including an organic EL chip to the mounting substrate 300 formed as described above.
次に、突起部114の構造について説明する。
Next, the structure of the
図3は、突起部114の高さを説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the height of the
図3(a)に示すように、突起部114の高さは、第1の基板100と第2の基板200の圧着後の第1の基板100側に形成された電極パッド120の高さX3、第2の基板200側に形成された電極パッド204の高さX1、及び電極パッド120及び電極パッド204の間に介在する導電粒子208を含む接着剤206の層の高さX2の合計距離X1+X2+X3と略同一又は低いことを要する。この合計距離よりも高いと電極パッド間の電気的接続に不具合が生じる虞があるからである。
As shown in FIG. 3A, the height of the
また、図3(b)に示すように、第1の基板100及び第2の基板200の貼り合せ前において、接着剤206が断面略半円状又は外周部が他の部位よりも低くなるように供与される時に、突起部114の高さが、接着剤206層の最大高さX4よりも高いことが好ましい。これにより、突起部114を乗り越えて接着剤が近接する位置に形成された電極パッドに付着することにより、他の部品との接続不良が生じるという問題を回避することが可能となる。
Further, as shown in FIG. 3B, before the
突起部202の幅は、特に限定するものではないが、隣接する転写単位130の要部が形成されていない領域において、できるだけ広くとることが好ましい。本実施形態では、具体的には、薄膜トランジスタ部102の外周に形成された電極パッド120に触れない程度に形成される。
The width of the protruding portion 202 is not particularly limited, but it is preferable that the width of the protruding portion 202 be as wide as possible in a region where the main part of the
接着剤206は、表面張力によりその表面積をできるだけ小さくしようとする傾向にある。したがって、突起部202に幅をもたせることで、この表面張力による凝集力をできる限り利用することが可能となり、接着剤206が突起部202を越えて周囲に流出するのを防止することが可能となる。 The adhesive 206 tends to reduce its surface area as much as possible by surface tension. Therefore, by providing the protrusion 202 with a width, the cohesive force due to the surface tension can be used as much as possible, and the adhesive 206 can be prevented from flowing out beyond the protrusion 202. Become.
図4に、突起部114の形成パターンの例を示す。
FIG. 4 shows an example of the formation pattern of the
図4(a)に示すように、本実施形態では、転写単位130の周囲を囲うように、矩形状の連続した突起部202が形成される。この突起部114には、四隅に切れ目122が設けられている。このように、四隅に切れ目122が設けられていることにより、後の工程で接着剤を介して第1の基板100と第2の基板200を接合する際に、過剰の接着剤が突起部114を乗り越えて流出するよりも先にこの四隅の切れ目122から漏れることになる。したがって、隣接する領域に形成された転写単位130に接着剤206が付着することがないので、第1の基板100に形成された、今回転写対象とならなかった転写単位130についても、そのまま次回の転写に利用することが可能である。また、第2の基板200についても、周囲に形成された他部品との接続部(例:電極パッド)等に接着剤が付着することもないので、後の工程で接続する他部品との接続不良等を防止することが可能となる。
As shown in FIG. 4A, in the present embodiment, a continuous protrusion 202 having a rectangular shape is formed so as to surround the
なお、突起部202の形成パターンは上記に限らず、例えば、図4(b)に示すように、矩形状に設けられた突起部の一方の短辺の中央に切れ目122aを1つ設け、他方の短辺の両端に2つ切れ目122bを入れたパターンを繰り返してもよい。これによれば、中央部に設けた切れ目122aから漏れた接着剤を隣接する突起部の短辺で堰き止めることが可能となるので、隣接する領域に接着剤が流入することがない。 The formation pattern of the protrusions 202 is not limited to the above. For example, as shown in FIG. 4B, one cut 122a is provided at the center of one short side of the protrusions provided in a rectangular shape, and the other A pattern in which two cuts 122b are made at both ends of the short side may be repeated. According to this, since it is possible to dam the adhesive leaking from the cut 122a provided in the central portion at the short side of the adjacent protrusion, the adhesive does not flow into the adjacent region.
本実施形態によれば、突起部114が形成されていることで周囲の不要な部位にまで接着剤206が広がるのを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じるのを防止することが可能となる。また、転写単位130の周囲が突起部114により囲われていることで、強度が向上する。さらに、レーザ照射範囲を突起部114により画定されるので、確実に転写単位130を転写することが可能となる。したがって、本実施形態によれば、信頼性の高い実装基板を提供することが可能となる。
According to the present embodiment, since the
なお、本実施形態では、隣接する転写単位130間に共通する一重の突起部しか設けていないが、多重(複数)の突起部を形成していてもよい。
In the present embodiment, only a single protrusion common between
図5に示すように、一の転写単位130に対し、この転写単位を囲う一の突起部114を設けることで、今回転写対象となる転写単位130を転写した後にも、今回転写対象とならなかった転写単位130の周囲に突起部114が残るので、新たに突起部114を形成することなく、次の転写を行うことが可能となる。また、転写単位130ごとに突起部114を形成し、隣接する転写単位130の突起部114との間に間隔を設けることにより、レーザ照射範囲に余裕を持たせることが可能となる。
As shown in FIG. 5, by providing one
また、本実施形態では突起部114も転写単位130に含まれて、第2の基板200側に転写される態様について記載したが、突起部114が接着剤206と付着しないような材料で形成されている場合等には、必ずしも突起部114が転写されなくてもよい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、第1の基板100側に突起部114を設けたが、これに限定されない。
In this embodiment, the
図6に、突起部の変形例を示す。図6(a)に示すように、突起部114aを被転写体130が転写される先である第2の基板200側に形成してもよい。また、図6(b)に示すように、第1の基板100側及び第2の基板200側に、それぞれ対応する位置に突起部114b及び114cを形成してもよい。さらに、図6(c)に示すように、第1の基板100側及び第2の基板200側に互い違いになるように、それぞれ突起部114d及び114eを形成してもよい。
(第二の実施形態)
第二の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として凹溝部を形成したものについて説明する。
FIG. 6 shows a modification of the protrusion. As shown in FIG. 6A, the protrusion 114a may be formed on the
(Second embodiment)
As a second embodiment, a description will be given of a case where a concave groove is formed as means for preventing the spread of the adhesive.
図7は、第2の基板200上に凹溝部を形成した例を説明するための図である。図7(a)は、第1の基板100及び第2の基板200の接合時の断面図であり、図7(b)は、第2の基板200を上面から見た概略図を示す。なお、同図中、図1乃至図6と同じ構成要素については、同一符号を付し説明を省略する。
FIG. 7 is a diagram for explaining an example in which a concave groove is formed on the
同図(a)及び(b)に示すように、凹溝部215を第2の基板200上に形成された電極パッド120の周囲に設けることにより、第1の基板100と第2の基板200との接合時に接着剤206が流出することにより、周囲の望まない箇所である例えば、後の工程で接続される他の部品との接続部205等に付着するのを防止することが可能となる。
As shown in FIGS. 4A and 4B, by providing a
また、同図(b)に示すように、2×5個配置された電極パッド204の周囲の連続した凹溝部215の幅を、長手方向の幅aを長手方向に垂直な方向の幅bよりも広く構成することが好ましい。このように、a>bとすることにより、供与した接着剤206が接続時において、電極パッド204の配置の長手方向により広がることになるため、電極パッド204の全体に確実に接着剤206を付与することが可能となり、第1の基板100及び第2の基板200間の電気的接続の信頼性を高めることが可能となる。
Further, as shown in FIG. 5B, the width of the
凹溝部215の深さは、特に限定するものではなく、例えば基板211内部に配線層が形成されている場合においても、当該配線層に接するまで深く形成されていてもよい。また、凹溝部215の深さは、必ずしも全て同じでなくてもよく、例えば、基板211の凹溝部215を形成する下層に配線が形成されているか否かにより凹溝部215の深さを適宜変更してもよい。
The depth of the recessed
また、凹溝部215は、電極パッド204の周囲に連続的に形成されているが、電極パッド204の周囲に断続的に複数の凹溝部を配置させていてもよい。
In addition, although the recessed
また、凹溝部215は、電極パッド204の周囲に一重のみではなく、多重に形成されていてもよい。例えば、接着剤206がインクジェット式液滴吐出装置により供給される場合には、接着剤206が一箇所に複数滴供与されることがある。この場合には、複数回滴下すると滴下時の衝撃により、一重の凹溝部のみでは接着剤206の広がりを防止しきれない場合もある。しかし、多重に凹溝部215が形成されることで、このような場合にも確実に接着剤206の広がりを防止することが可能となる。
Further, the recessed
このような凹溝部215は、例えばエッチングにより形成することが可能である。
Such a
本実施形態によれば、凹溝部215を形成することで接着剤206が不必要な領域に流出するのを防止することが可能となる。したがって、隣接する位置にある他の部品との接続部(例:電極パッド)に接着剤206が付着することによる接続不良等を回避することが可能となる。また、今回転写対象とならなかった転写単位130に接着剤206が付着し破損する虞もなく、次回の転写に良好に使用することが可能となる。
According to the present embodiment, it is possible to prevent the adhesive 206 from flowing into an unnecessary area by forming the
また、凹溝部215により、被転写領域116を画定することができるので、レーザ照射領域をも画定することが可能となる。したがって、所望の転写単位130を確実に転写先基板に転写することが可能となる。
(第三の実施形態)
図8は、接着剤の広がり防止手段として、転写単位130の周囲に凹溝部と突起部を隣接して設けた例を示す。
Further, since the transferred
(Third embodiment)
FIG. 8 shows an example in which concave grooves and protrusions are provided adjacent to the periphery of the
同図(a)に示すように転写単位130の周囲に凹溝部215及び突起部217を隣接して設けることで、凹溝部から溢れ出た接着剤206が隣接領域に侵入するのを防止することが可能となる。
As shown in FIG. 5A, by providing the
また、同図(b)に示すように、突起部217を隣接する他部品(例えばEL基板上に形成されたEL素子との電気的接続に用いられる電極パッド)と接続するための接続部205(例:電極パッド)により構成してもよい。すなわち、他部品との接続部205を電極パッド204よりも高く形成することにより、被転写領域116に供与される接着剤206が接続部205の上面に付着するのを防止することが可能となる。特に、異方性導電ペーストを用いた場合には、接続部205との電気的絶縁性も担保できるので好ましい。
(第四の実施形態)
図9は、接着剤の広がり防止手段として、一方の基板に突起部を形成し他方の基板に凹溝部を形成した例を示す。なお、同図中、図1乃至図8と同じ構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
Further, as shown in FIG. 5B, a connecting
(Fourth embodiment)
FIG. 9 shows an example in which protrusions are formed on one substrate and concave grooves are formed on the other substrate as means for preventing the spread of the adhesive. In the figure, the same components as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
同図(a)に示すように、本実施形態では、第1の基板100側に突起部114を設け、第2の基板200側に凹溝部215を設けた例について説明する。
As shown in FIG. 5A, in the present embodiment, an example in which a
このように、突起部114と凹溝部215を組合わせることで、接着剤206の広がりを突起部114でまず堰き止め、さらに過剰の接着剤206を凹溝部215に溜めることができるので、周囲の不必要な領域に接着剤206が流出するのをより確実に防止することが可能となる。
In this way, by combining the
また、さらに、同図(b)に示すように、突起部114の高さを凹溝部215に嵌る高さとすることで、より確実に接着剤206の広がりを防止することが可能となる。
Furthermore, as shown in FIG. 5B, by setting the height of the protruding
なお、本実施形態においては、レーザ照射範囲は突起部114により画定されることが好ましい。突起部114の外周で定まる領域をレーザ照射範囲とすることで、確実に転写単位130を転写先基板側に転写することが可能となる。
(電気光学装置及び電子機器)
本実施形態に係る基板を、電気光学装置や電子機器を好適に利用することが可能である。このように、本実施形態の電気光学装置及び電子機器は、上記のような実装基板を使用するので信頼性が高い。
In the present embodiment, the laser irradiation range is preferably defined by the
(Electro-optical device and electronic equipment)
An electro-optical device or an electronic apparatus can be suitably used for the substrate according to the present embodiment. As described above, the electro-optical device and the electronic apparatus according to the present embodiment have high reliability because they use the mounting board as described above.
本発明に適用し得る電気光学装置及び電子機器の具体例を図10及び図11を参照しながら説明する。 Specific examples of electro-optical devices and electronic apparatuses that can be applied to the present invention will be described with reference to FIGS.
図10及び図11は、電気光学装置600(例:有機EL表示装置)を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。 10 and 11 are diagrams illustrating examples of various electronic apparatuses including the electro-optical device 600 (example: organic EL display device).
図10(A)は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話830はアンテナ部831、音声出力部832、音声入力部833、操作部834、および本発明の電気光学装置600を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図10(B)はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ840は受像部841、操作部842、音声入力部843、および本発明の電気光学装置600を備えている。図10(C)は携帯型パーソナルコンピュータ(いわゆるPDA)への適用例であり、当該コンピュータ850はカメラ部851、操作部852、および本発明の電気光学装置600を備えている。図10(D)はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ860はバンド861、光学系収納部862および本発明の電気光学装置600を備えている。
FIG. 10A shows an application example to a mobile phone. The
図11(A)はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン900は本発明に係る電気光学装置600を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明の電気光学装置600を適用し得る。図11(B)はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン910は本発明の電気光学装置600を備えている。
FIG. 11A shows an application example to a television, and the
なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機EL表示装置を挙げたが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子(例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など)を用いて構成される電気光学装置に対して適用することが可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。 In the above example, an organic EL display device is given as an example of an electro-optical device, but the scope of application of the present invention is not limited to this, and other various electro-optical elements (for example, plasma light-emitting elements, The present invention can be applied to an electro-optical device configured using an electrophoretic element, a liquid crystal element, or the like. The scope of application of the present invention is not limited to the electro-optical device and the manufacturing method thereof, and can be widely applied to various devices formed using a transfer technique.
また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。 The electro-optical device is not limited to the above-described example, and can be applied to various electronic devices such as a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, and an electronic notebook.
また、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器(例えば、ICカード等)に適用することが可能である。 The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the electro-optical device has been described as an application example of the circuit board according to the present invention. However, the present invention can be applied to various electronic devices (for example, IC cards). is there.
100・・・第1の基板、102・・・薄膜トランジスタ部、110・・・基板、112・・・剥離層、113・・・配線層、114・・・突起部、116・・・被転写領域、120・・・電極パッド、130・・・転写単位、200・・・第2の基板、202・・・突起部、204・・・電極パッド、205・・・接続部、206・・・接着剤、208・・・導電粒子、210・・・基板、212・・・配線層、214・・・保護膜、215・・・凹溝部、217・・・突起部、300・・・実装基板
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記薄膜要素又は前記第2の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第2の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板。 The first substrate and the second substrate are partially bonded to each other, and a part of the plurality of thin film elements held on the first substrate is peeled off and transferred to the second substrate side. A substrate formed by
Adhesion in which either one of the thin film element or the second substrate encloses an adhesive in an area corresponding to the thin film element to be transferred and defines an area to be transferred on the second substrate. A substrate characterized by comprising means for preventing the spread of the agent.
前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、
前記接着剤を介して前記第1の基板に保持された薄膜要素と前記第2の基板を接合する第三の工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第1の基板から前記第2の基板に転写する第四の工程と、
を含むことを特徴とする転写方法。 The first substrate holding the thin film element and / or the second substrate, which is the transfer destination of the thin film element, prevents the spread of the adhesive and forms a protrusion or a groove to define the transfer area. One process,
A second step of providing an adhesive to the transferred area;
A third step of joining the second substrate and the thin film element held on the first substrate via the adhesive;
A fourth step of transferring the thin film element from the first substrate to the second substrate by separating the first substrate and the second substrate;
A transfer method comprising:
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