JP2005191271A - Substrate, electro-optical device, electronic apparatus, transfer method, and manufacturing method of mounting substrate - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer method capable of applying press force substantially uniformly over the entire of a transfer origin substrate and a transfer destination substrate in bonding of both substrates; and to provide manufacturing methods of a circuit board, an electro-optical device, and an electronic apparatus, respectively. <P>SOLUTION: The substrate is one formed by partially bonding a first substrate 100 and a second substrate 200 in face to face with each other, and peeling off some of a plurality of thin film elements 130 held on the first substrate 100 and transferring them onto the side of the second substrate 200. Either the thin film element 130 or the second substrate includes spreading prevention means 114 of a bonding agent 206 for confining the bonding agent 206 in a region corresponding to the thin film element 130 as an object of the transfer to demarcate a region 116 to be transferred supposed on the second substrate 200. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、薄膜回路チップなどの薄膜層よりなる被転写体（薄膜要素）を剥離して、他の基板へ剥離転写する転写技術に関するものである。   The present invention relates to a transfer technique in which a transfer target (thin film element) made of a thin film layer such as a thin film circuit chip is peeled off and transferred to another substrate.

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はＥＬ素子等を用いたディスプレイを製造する際には、通常、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。薄膜トランジスタの形成工程は一般に高温下でなされるため、薄膜トランジスタが形成される基板には耐熱性が高いことが要求される。しかし、このような耐熱性の高い基板は高価であり、製品のコストが高くなるため、基板上に薄膜トランジスタを形成してから安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されている。   When manufacturing a display using a thin film transistor (TFT) or an EL element, a process of forming a thin film transistor on a substrate is usually performed. Since a thin film transistor is generally formed at a high temperature, the substrate on which the thin film transistor is formed is required to have high heat resistance. However, since such a substrate having high heat resistance is expensive and increases the cost of the product, a method of transferring a thin film transistor to an inexpensive substrate after forming the thin film transistor on the substrate has been developed.

例えば特開平１０−１２５９２９号公報（特許文献１）に、このような薄膜トランジスタの転写方法が開示されている。当該公報に記載の方法では、薄膜トランジスタ等の被転写体の形成を石英ガラス等の耐熱性の高い基板上で行った後、耐熱性の低い安価な転写先基板にこの被転写体を転写するといった方法が開示されている。   For example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-125929 (Patent Document 1) discloses such a thin film transistor transfer method. In the method described in the publication, after a transfer object such as a thin film transistor is formed on a substrate having high heat resistance such as quartz glass, the transfer object is transferred to an inexpensive transfer destination substrate having low heat resistance. A method is disclosed.

このような方法によれば、高温下で行うプロセスを耐熱性の高い基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
特開平１０−１２５９２９号公報 According to such a method, the transfer target can be transferred to a low-priced and easy-to-process substrate after performing a process at a high temperature on a highly heat-resistant substrate, so that a large and inexpensive liquid crystal display or the like can be easily obtained. Can be manufactured.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-125929

このような転写方法においては、被転写体が形成された元の基板（転写元基板）と転写先基板を接合する際に接着剤を介して接合するが、流動性の高い接着剤を用いた場合には所望の領域以外の領域にまで接着剤が流出してしまう場合がある。被転写体の接合領域の周辺に他の部品との電気的接続領域がある場合には、接着剤がこの領域を覆うことにより接続不良等を起こす虞がある。また、一方で、転写元基板には通常複数の被転写体が形成されており、今回転写対象となる被転写体と今回転写対象とならない被転写体が隣接する場合に、今回転写対象とならない被転写体にまで接着剤が付着してしまうと次回に使用予定の被転写体が破損する虞があり、転写元基板の再利用ができなくなる場合がある。   In such a transfer method, the original substrate (transfer source substrate) on which the transfer target is formed and the transfer destination substrate are bonded via an adhesive, but an adhesive having high fluidity is used. In some cases, the adhesive may flow out to a region other than the desired region. In the case where there is an electrical connection area with other parts around the bonding area of the transfer object, the adhesive may cover this area and cause a connection failure or the like. On the other hand, the transfer source substrate usually has a plurality of transfer objects, and if the transfer object to be transferred this time is adjacent to the transfer object that is not to be transferred this time, it is not the transfer object this time. If the adhesive adheres to the transfer target, the transfer target to be used next time may be damaged, and the transfer source substrate may not be reused.

したがって、本発明はこのような問題を解決し、接着剤の広がりを防止し、不必要な箇所へ接着剤が広がることによる影響を防止し得る基板を提供することを目的としている。   Therefore, an object of the present invention is to solve such problems, and to provide a substrate capable of preventing the spread of the adhesive and preventing the influence of the spread of the adhesive on unnecessary portions.

上記課題を解決するために、本発明の第一の態様は、第１の基板と第２の基板とを対向して部分的に接着し、前記第１の基板に保持された複数の薄膜要素のうちの一部を剥離して前記第２の基板側に転写することにより形成される基板であって、前記薄膜要素又は前記第２の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第２の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板を提供するものである。   In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect of the present invention provides a plurality of thin film elements held on the first substrate, wherein the first substrate and the second substrate are opposed and partially bonded. A thin film on which either one of the thin film element or the second substrate is a target of transfer. The present invention provides a substrate comprising an adhesive spreading preventing means for confining an adhesive in a region corresponding to an element and defining a transfer target region assumed on a second substrate.

これによれば、接着剤の広がりを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。   According to this, it is possible to prevent the adhesive from spreading, and to define a transfer area to which the thin film element to be transferred is transferred. Therefore, the adhesive does not adhere to unnecessary portions, and the thin film element can be accurately transferred. Therefore, for example, even when there are electrical connection portions with other components around, it is possible to prevent connection failure.

前記複数の薄膜要素はエネルギ照射によって破壊する剥離層を介して前記第１の基板に保持され、前記被転写領域の略外縁に沿ってレーザ照射範囲が画定されることが好ましい。これによれば、所望の薄膜要素に確実にレーザを照射することが可能となる。   Preferably, the plurality of thin film elements are held on the first substrate via a release layer that is broken by energy irradiation, and a laser irradiation range is defined along a substantially outer edge of the transferred region. According to this, it becomes possible to reliably irradiate a desired thin film element with a laser.

前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段は、前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であってもよく、凹溝部であってもよい。   The adhesive spread preventing means included in the thin film element or the second substrate may be a protrusion formed along the outer edge of the transferred region or a groove.

前記薄膜要素及び第２の基板は共に前記接着剤広がり防止手段を備え、前記第１及び第２の基板のうち一方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であり、前記第１及び第２の基板のうち他方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部であることが好ましい。これによれば、突起部と凹溝部を組合わせているので、接着剤の広がりを突起部で防ぐとともに、過剰の接着剤を凹溝部に貯留することが可能となるので、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。   The thin film element and the second substrate are both provided with the adhesive spread preventing means, and the adhesive spread preventing means provided in one of the first and second substrates is formed along the outer edge of the transferred region. It is preferable that the adhesive spread preventing means provided on the other of the first and second substrates is a concave groove formed along the outer edge of the transferred region. According to this, since the protruding portion and the recessed groove portion are combined, it becomes possible to prevent the adhesive from spreading at the protruding portion and to store excess adhesive in the recessed groove portion, so that the adhesive can be more reliably applied. It is possible to prevent the spread to unnecessary parts.

前記突起部は前記凹溝部内に位置するように形成されることが好ましい。これによれば、より確実に接着剤の不要な部位への広がりを防止することが可能となる。また、前記突起部と前記凹溝部との間に隙間が存在するように形成されていてもよい。   It is preferable that the protrusion is formed so as to be positioned in the concave groove. According to this, it becomes possible to more reliably prevent the adhesive from spreading to unnecessary parts. In addition, a gap may be formed between the protrusion and the groove.

前記第１の基板は前記薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を保持する薄膜トランジスタ回路基板であり、前記第２の基板は前記薄膜回路を接続する配線を有する回路基板であることが好ましい。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。   Preferably, the first substrate is a thin film transistor circuit substrate holding a thin film transistor circuit as the thin film element, and the second substrate is a circuit substrate having wirings connecting the thin film circuit. According to this, it becomes possible to form a highly reliable mounting substrate.

本発明の第二の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電気光学装置を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。   According to a second aspect of the present invention, there is provided an electro-optical device including any one of the substrates described above. According to this, it becomes possible to provide a highly reliable electro-optical device.

本発明の第三の態様は、上記いずれかに記載の基板を含む電子機器を提供するものである。これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including any one of the substrates described above. According to this, it becomes possible to provide a highly reliable electronic device.

本発明の第四の態様は、薄膜要素を保持した第１の基板及び／又は前記薄膜要素の転写先である第２の基板上に、接着剤の広がりを防止し、被転写領域を画定する突起部又は凹溝部を形成する第一の工程と、前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、前記接着剤を介して前記第１の基板に保持された薄膜要素と前記第２の基板を接合する第三の工程と、前記第１の基板と前記第２の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第１の基板から前記第２の基板に転写する第四の工程と、を含むことを特徴とする転写方法を提供するものである。これによれば、接着剤の広がりを防止し、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じするのを防止することが可能となる。   According to a fourth aspect of the present invention, the spread of the adhesive is prevented and the transferred area is defined on the first substrate holding the thin film element and / or the second substrate to which the thin film element is transferred. A first step of forming a protrusion or a groove, a second step of supplying an adhesive to the transferred region, a thin film element held on the first substrate via the adhesive, and the first A third step of bonding two substrates, and a fourth step of transferring the thin film element from the first substrate to the second substrate by separating the first substrate and the second substrate. A transfer method comprising the steps of: According to this, it is possible to prevent the spread of the adhesive and to demarcate the transfer area to which the thin film element to be transferred is transferred. Therefore, the adhesive does not adhere to unnecessary portions, and the thin film element can be accurately transferred. Therefore, for example, even when there are electrical connection portions with other components around, it is possible to prevent connection failure.

本発明の第五の態様は、上記転写方法を用いて実装基板を形成する実装基板の形成方法を提供するものである。これによれば、信頼性の高い実装基板を形成することが可能となる。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a mounting substrate forming method for forming a mounting substrate using the above transfer method. According to this, it becomes possible to form a highly reliable mounting substrate.

以下、各図を参照して本発明の実施形態について説明する。
（第一の実施形態）
第一の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として突起部を形成したものについて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
As the first embodiment, a description will be given of a case where a protrusion is formed as means for preventing the spread of the adhesive.

図１及び図２は、第２の基板２００上に、第１の基板１００に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示している。
＜突起部形成工程＞
図１（Ａ）に示すように、第１の基板１００に突起部１１４を形成する。
（ｉ）第１の基板準備段階
まず、第１の基板（転写元基板）１００を準備する。第１の基板１００は、少なくとも、基礎となる基板１１０上に、剥離層１１２、配線層１１３、薄膜トランジスタ部１０２及び薄膜トランジスタ部１０２と後述する第２の基板に形成された配線との電気的接続を図るための電極パッド１２０が形成された構成を有する。同図中、１３０は転写単位を示し、転写単位１３０は、一の薄膜トランジスタ部１０２と複数の電極パッド１２０を含む。第１の基板１００上には、このような転写単位１３０が縦横に複数形成されている。 FIGS. 1 and 2 show a process for transferring a thin film transistor circuit as a thin film element formed on the first substrate 100 onto the second substrate 200.
<Protrusion formation process>
As shown in FIG. 1A, a protrusion 114 is formed on the first substrate 100.
(I) First substrate preparation stage First, a first substrate (transfer source substrate) 100 is prepared. The first substrate 100 has at least an electrical connection between a peeling layer 112, a wiring layer 113, a thin film transistor portion 102, and a thin film transistor portion 102 on a base substrate 110 and a wiring formed on a second substrate described later. The electrode pad 120 for the purpose is formed. In the drawing, reference numeral 130 denotes a transfer unit, and the transfer unit 130 includes one thin film transistor portion 102 and a plurality of electrode pads 120. On the first substrate 100, a plurality of such transfer units 130 are formed vertically and horizontally.

基板１１０としては、例えば耐熱性ガラスなどの透光性及び耐熱性を有する基板を用いることが好ましい。これにより、後の光照射工程において、照射された光を基板１１０を介して剥離層１１２に到達させることが可能となる。   As the substrate 110, it is preferable to use a light-transmitting and heat-resistant substrate such as a heat-resistant glass. Accordingly, in the subsequent light irradiation process, the irradiated light can reach the peeling layer 112 through the substrate 110.

ここで、剥離層１１２は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層１１２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。   Here, the peeling layer 112 has a property that absorbs irradiated light and causes peeling (hereinafter referred to as “in-layer peeling” or “interfacial peeling”) within the layer and / or at the interface. Yes, preferably, the irradiation force of light causes loss or reduction of the bonding force between the atoms or molecules of the substance constituting the peeling layer 112, that is, ablation occurs, leading to in-layer peeling and / or interfacial peeling. Is good.

さらに、光の照射により、剥離層１１２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１１２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１１２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。   Furthermore, gas may be released from the release layer 112 by light irradiation, and a separation effect may be exhibited. That is, when the component contained in the release layer 112 is released as a gas, the release layer 112 absorbs light and becomes a gas for a moment, and its vapor is released, which may contribute to separation. .

このような剥離層１１２としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、剥離層１１２は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成されたＡｌ等の金属膜とからなるものとすることができる。その他、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などを用いることも可能である。   Examples of such a release layer 112 include amorphous silicon (a-Si). Further, the release layer 112 may be composed of a multilayer film. The multilayer film may be composed of, for example, an amorphous silicon film and a metal film such as Al formed thereon. In addition, ceramics, metals, organic polymer materials, etc. having the above properties can be used.

剥離層１１２の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。   The formation method of the peeling layer 112 is not particularly limited, and is appropriately selected according to various conditions such as a film composition and a film thickness. For example, various vapor phase film forming methods such as CVD and sputtering, various plating methods, coating methods such as spin coating, various printing methods, transfer methods, ink jet coating methods, powder jet methods, etc., and two or more of these can be mentioned. Can also be formed.

なお、図１（Ａ）には示されないが、基板１１０及び剥離層１１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１１０と剥離層１１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。   Although not shown in FIG. 1A, an intermediate layer is provided between the substrate 110 and the release layer 112 for the purpose of improving adhesion between the substrate 110 and the release layer 112, depending on the properties of the substrate 110 and the release layer 112. Also good. This intermediate layer prevents migration of components to or from the protective layer, insulating layer, transferred layer, or the like, which physically or chemically protect the transferred layer during manufacture or use, for example. It exhibits at least one of the functions as a barrier layer and a reflective layer.

また、剥離層１１２及びは配線層１１３の間には、図示せぬ絶縁膜（例：酸化シリコン）が形成されている。これにより、配線層１１３の保護が図られると共に、外部との電気的絶縁を保っている。
（ｉｉ）突起部形成段階
このように準備された第１の基板１００上に、突起部（土手部）１１４を形成する。突起部１１４は、第１の基板１００上に形成された一の転写単位１３０と隣接する他の転写単位１３０との間に形成する。この突起部１１４は、第１の基板１００上に後述する接着工程において、接着剤２０６の広がりを防ぐものである。また、この突起部１１４により、一の転写単位１３０が画定されるとともに、後述する第２の基板２００上に想定される被転写領域１１６を画定するものでもある。このような突起部１１４は、例えば、第１の基板１００上に、感光性樹脂を塗布し、フォトリソプロセスを用いてパターンニングし、露光・現像する等の方法で形成することが可能である。 Further, an insulating film (not shown) (for example, silicon oxide) is formed between the peeling layer 112 and the wiring layer 113. Thereby, the wiring layer 113 is protected, and electrical insulation from the outside is maintained.
(Ii) Projection Part Formation Stage A projection part (bank part) 114 is formed on the first substrate 100 thus prepared. The protrusion 114 is formed between one transfer unit 130 formed on the first substrate 100 and another adjacent transfer unit 130. The protrusion 114 prevents the adhesive 206 from spreading on the first substrate 100 in a bonding process described later. Further, the projection 114 defines one transfer unit 130 and also defines a transfer target region 116 assumed on the second substrate 200 described later. Such a protrusion 114 can be formed by, for example, applying a photosensitive resin on the first substrate 100, patterning using a photolithography process, exposing and developing, and the like.

突起部１１４の材質は、第１の基板１００の表層に形成される膜（例：酸化シリコン等の保護膜）と同種の材料、好ましくは同一材料により形成することが好ましい。これによれば、第１の基板１００と突起部１１４とが同じ強度により接着剤２０６を介して第２の基板と接合されるため、第１の基板１００及び第２の基板２００間の接合力がより強固なものとなる。また、製造工程の面でも上記したフォトリソプロセス等を利用することにより、突起部１１４を容易に形成し得ることになる。   The protrusion 114 is preferably formed of the same material as the film (eg, a protective film such as silicon oxide) formed on the surface layer of the first substrate 100, preferably the same material. According to this, since the first substrate 100 and the protrusion 114 are bonded to the second substrate via the adhesive 206 with the same strength, the bonding force between the first substrate 100 and the second substrate 200 is obtained. Will be stronger. Further, in the manufacturing process, the protrusion 114 can be easily formed by using the above-described photolithography process or the like.

突起部１１４の構造については、後に詳しく説明する。
＜接着剤供与工程＞
図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１００上に形成された突起部１１４により画定される被転写領域１１６内に接着剤２０６を供与する。 The structure of the protrusion 114 will be described in detail later.
<Adhesive donation process>
As shown in FIG. 1B, an adhesive 206 is supplied into the transferred region 116 defined by the protrusions 114 formed on the first substrate 100.

接着剤２０６としては、導電粒子２０８を含む異方性導電ペースト（ＡＣＰ）が好適に用いられる。但し、これに限らず、導電粒子２０８を含まない非導電性ペースト（ＮＣＰ）を用いてもよい。   As the adhesive 206, an anisotropic conductive paste (ACP) containing conductive particles 208 is preferably used. However, the present invention is not limited thereto, and a non-conductive paste (NCP) that does not include the conductive particles 208 may be used.

接着剤２０６の供与方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサ、スクリーン印刷又はインクジェット式液滴吐出装置等のいずれの方法を用いてもよい。   The method for supplying the adhesive 206 is not particularly limited. For example, any method such as a dispenser, screen printing, or an ink jet droplet discharge apparatus may be used.

また、接着剤２０６の供与量は、第１の基板１００側の電極パッド１２０と第２の基板２００側の電極パッド２０４とが接合し得る量があればよく、特に限定するものではない。但し、第１の基板及び第２の基板の被転写領域１１６内に形成された配線又は回路を保護（封止）し、また、両基板間の接着を強固にするという観点からは、第１の基板１００と第２の基板２００との間の被転写領域１１６に対応する空間内が満たされる量の接着剤を供与することが好ましい。
＜位置合わせ工程＞
図１（Ｃ）に示すように、第１の基板１００と別途準備した第２の基板２００とのアライメント（位置合わせ）を行う。 Further, the amount of the adhesive 206 supplied is not particularly limited as long as the electrode pad 120 on the first substrate 100 side and the electrode pad 204 on the second substrate 200 side can be joined. However, from the viewpoint of protecting (sealing) the wiring or circuit formed in the transferred region 116 of the first substrate and the second substrate, and strengthening the adhesion between the two substrates, the first It is preferable to supply an amount of adhesive that fills the space corresponding to the transferred region 116 between the substrate 100 and the second substrate 200.
<Alignment process>
As shown in FIG. 1C, alignment (positioning) between the first substrate 100 and the separately prepared second substrate 200 is performed.

第１の基板１００上に形成された突起部１１４は、アライメントの際の指標ともなり得る。   The protrusion 114 formed on the first substrate 100 can also serve as an index for alignment.

第２の基板（回路基板又は転写先基板）２００は、例えばガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に、配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４及び配線層２１２を保護する保護膜２１４を含み構成されている。保護膜２１４は、例えば、酸化シリコン、樹脂等で構成され、配線層２１２と外部との電気的絶縁を図る役割も担う。
＜接合工程＞
図２（Ｄ）に示すように、第１の基板１００上に形成された電極パッド１２０と第２の基板２００上に形成された電極パッド２０４とを当接させて転写単位１３０の貼り合わせが行われる。この際、必要に応じて適度な押圧力が付与される。接着剤２０６は、第２の基板２００上に形成された突起部２０２により堰き止められるため、不要な領域に接着剤が及ぶことがない。したがって、後に他の部品（例：有機ＥＬ基板等の他基板に形成される電極パッド等）との電気的接続に使用される隣接する接続部２０５等を接着剤が覆うことがないので、接続不良を低減することが可能となる。
＜光照射工程＞
その後、図２（Ｅ）に示すように、今回転写対象となる薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位１３０にのみ光Ｌが照射されるように、第１の基板１００の背面側から光Ｌを照射する。この際、第１の基板１００上に形成された突起部１１４により被転写領域１１６が画定されるので、当該範囲に光Ｌを照射することにより、確実に所望の転写単位１３０を第２の基板２００側に転写することが可能となる。 The second substrate (circuit substrate or transfer destination substrate) 200 is connected to the wiring layer 212 and the electrode pad 120 on the first substrate 100 side on the substrate 210 made of glass or resin and having an appropriate strength. A protective film 214 that protects the electrode pad 204 and the wiring layer 212 is included. The protective film 214 is made of, for example, silicon oxide, resin, or the like, and also plays a role of electrically insulating the wiring layer 212 from the outside.
<Joint process>
As shown in FIG. 2 (D), the electrode pad 120 formed on the first substrate 100 and the electrode pad 204 formed on the second substrate 200 are brought into contact with each other to bond the transfer unit 130 together. Done. At this time, an appropriate pressing force is applied as necessary. Since the adhesive 206 is dammed by the protrusions 202 formed on the second substrate 200, the adhesive does not reach unnecessary areas. Therefore, since the adhesive does not cover the adjacent connection portion 205 used for electrical connection with other components (eg, electrode pads formed on other substrates such as an organic EL substrate) later, the connection Defects can be reduced.
<Light irradiation process>
Thereafter, as shown in FIG. 2E, the light L is irradiated from the back side of the first substrate 100 so that only the transfer unit 130 including the thin film transistor circuit as the thin film element to be transferred this time is irradiated with the light L. Irradiate. At this time, since the transferred region 116 is defined by the protrusion 114 formed on the first substrate 100, the desired transfer unit 130 is surely attached to the second substrate by irradiating the range with the light L. It becomes possible to transfer to the 200 side.

レーザ照射範囲は、例えばマスクを介して照射することにより調整し得る。照射されたレーザ光Ｌは、第１の基板１００を透過して剥離層１１２で吸収されて剥離（層内剥離および／または界面剥離）が生じる。剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１１２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。   The laser irradiation range can be adjusted by irradiating through a mask, for example. The irradiated laser beam L passes through the first substrate 100 and is absorbed by the peeling layer 112, and peeling (in-layer peeling and / or interface peeling) occurs. The principle that peeling within the peeling layer 112 and / or interfacial peeling occurs is that the constituent material of the peeling layer 112 is ablated, the gas contained in the peeling layer 112 is released, and further, the melting occurs immediately after irradiation. This is due to phase change such as transpiration.

ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。   Here, the ablation means that the fixing material that absorbs the irradiation light (the constituent material of the peeling layer 112) is excited photochemically or thermally, and the surface or internal atom or molecule bond is cut and released. In general, all or part of the constituent material of the release layer 112 appears as a phenomenon that causes a phase change such as melting or transpiration (vaporization). In addition, the phase change may result in a fine foamed state, resulting in a decrease in bonding strength.

剥離層１１２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１１２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。   Whether the peeling layer 112 causes in-layer peeling, interfacial peeling, or both depends on the composition of the peeling layer 112 and various other factors, and one of the factors is irradiation. Conditions such as the type of light, wavelength, intensity, and reaching depth are included.

照射する光Ｌとしては、剥離層１１２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ₂レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
＜転写工程＞
上記工程によるレーザ照射後、第１の基板１００を第２の基板２００から離間させることにより、薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を含む転写単位１３０を第２の基板２００側に転写することが可能となる。 The light L to be irradiated may be any as long as it causes the peeling layer 112 to undergo internal peeling and / or interfacial peeling. For example, X-ray, ultraviolet light, visible light, infrared light, excimer laser, Nd-YAG laser Ar laser, CO ₂ laser, He—Ne laser and the like.
<Transfer process>
After the laser irradiation in the above process, the transfer unit 130 including a thin film transistor circuit as a thin film element can be transferred to the second substrate 200 side by separating the first substrate 100 from the second substrate 200. .

このように形成された実装基板３００に、さらに例えば有機ＥＬチップを含む有機ＥＬ基板を貼り合せることで有機ＥＬ表示装置を製造することが可能である。   An organic EL display device can be manufactured by further bonding, for example, an organic EL substrate including an organic EL chip to the mounting substrate 300 formed as described above.

次に、突起部１１４の構造について説明する。   Next, the structure of the protrusion 114 will be described.

図３は、突起部１１４の高さを説明するための図である。   FIG. 3 is a diagram for explaining the height of the protrusion 114.

図３（ａ）に示すように、突起部１１４の高さは、第１の基板１００と第２の基板２００の圧着後の第１の基板１００側に形成された電極パッド１２０の高さＸ３、第２の基板２００側に形成された電極パッド２０４の高さＸ１、及び電極パッド１２０及び電極パッド２０４の間に介在する導電粒子２０８を含む接着剤２０６の層の高さＸ２の合計距離Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３と略同一又は低いことを要する。この合計距離よりも高いと電極パッド間の電気的接続に不具合が生じる虞があるからである。   As shown in FIG. 3A, the height of the protrusion 114 is the height X3 of the electrode pad 120 formed on the first substrate 100 side after the first substrate 100 and the second substrate 200 are bonded. The total distance X1 + X2 + X3 of the height X1 of the electrode pad 204 formed on the second substrate 200 side and the height X2 of the layer of the adhesive 206 including the conductive particles 208 interposed between the electrode pad 120 and the electrode pad 204 It is necessary to be substantially the same or lower. This is because if the total distance is higher than this total distance, there may be a problem in electrical connection between the electrode pads.

また、図３（ｂ）に示すように、第１の基板１００及び第２の基板２００の貼り合せ前において、接着剤２０６が断面略半円状又は外周部が他の部位よりも低くなるように供与される時に、突起部１１４の高さが、接着剤２０６層の最大高さＸ４よりも高いことが好ましい。これにより、突起部１１４を乗り越えて接着剤が近接する位置に形成された電極パッドに付着することにより、他の部品との接続不良が生じるという問題を回避することが可能となる。   Further, as shown in FIG. 3B, before the first substrate 100 and the second substrate 200 are bonded together, the adhesive 206 is substantially semicircular in cross section or the outer peripheral portion is lower than other portions. The height of the protrusion 114 is preferably higher than the maximum height X4 of the adhesive 206 layer. As a result, it is possible to avoid the problem of poor connection with other components due to adhesion of the adhesive to the electrode pad formed at a position close to the protrusion 114.

突起部２０２の幅は、特に限定するものではないが、隣接する転写単位１３０の要部が形成されていない領域において、できるだけ広くとることが好ましい。本実施形態では、具体的には、薄膜トランジスタ部１０２の外周に形成された電極パッド１２０に触れない程度に形成される。   The width of the protruding portion 202 is not particularly limited, but it is preferable that the width of the protruding portion 202 be as wide as possible in a region where the main part of the adjacent transfer unit 130 is not formed. In the present embodiment, specifically, the electrode pad 120 formed on the outer periphery of the thin film transistor portion 102 is formed so as not to touch.

接着剤２０６は、表面張力によりその表面積をできるだけ小さくしようとする傾向にある。したがって、突起部２０２に幅をもたせることで、この表面張力による凝集力をできる限り利用することが可能となり、接着剤２０６が突起部２０２を越えて周囲に流出するのを防止することが可能となる。   The adhesive 206 tends to reduce its surface area as much as possible by surface tension. Therefore, by providing the protrusion 202 with a width, the cohesive force due to the surface tension can be used as much as possible, and the adhesive 206 can be prevented from flowing out beyond the protrusion 202. Become.

図４に、突起部１１４の形成パターンの例を示す。   FIG. 4 shows an example of the formation pattern of the protrusions 114.

図４（ａ）に示すように、本実施形態では、転写単位１３０の周囲を囲うように、矩形状の連続した突起部２０２が形成される。この突起部１１４には、四隅に切れ目１２２が設けられている。このように、四隅に切れ目１２２が設けられていることにより、後の工程で接着剤を介して第１の基板１００と第２の基板２００を接合する際に、過剰の接着剤が突起部１１４を乗り越えて流出するよりも先にこの四隅の切れ目１２２から漏れることになる。したがって、隣接する領域に形成された転写単位１３０に接着剤２０６が付着することがないので、第１の基板１００に形成された、今回転写対象とならなかった転写単位１３０についても、そのまま次回の転写に利用することが可能である。また、第２の基板２００についても、周囲に形成された他部品との接続部（例：電極パッド）等に接着剤が付着することもないので、後の工程で接続する他部品との接続不良等を防止することが可能となる。   As shown in FIG. 4A, in the present embodiment, a continuous protrusion 202 having a rectangular shape is formed so as to surround the transfer unit 130. This protrusion 114 is provided with cuts 122 at four corners. As described above, since the cuts 122 are provided at the four corners, when the first substrate 100 and the second substrate 200 are bonded to each other through the adhesive in a later step, an excessive adhesive is formed on the protrusion 114. It will leak from the cuts 122 at these four corners before it flows out after overcoming. Accordingly, since the adhesive 206 does not adhere to the transfer unit 130 formed in the adjacent region, the transfer unit 130 that is formed on the first substrate 100 and is not to be transferred this time is also used as it is next time. It can be used for transcription. In addition, since the adhesive does not adhere to the connection portion (eg, electrode pad) etc. with other components formed around the second substrate 200 as well, connection with other components to be connected in a later process is possible. It is possible to prevent defects and the like.

なお、突起部２０２の形成パターンは上記に限らず、例えば、図４（ｂ）に示すように、矩形状に設けられた突起部の一方の短辺の中央に切れ目１２２ａを１つ設け、他方の短辺の両端に２つ切れ目１２２ｂを入れたパターンを繰り返してもよい。これによれば、中央部に設けた切れ目１２２ａから漏れた接着剤を隣接する突起部の短辺で堰き止めることが可能となるので、隣接する領域に接着剤が流入することがない。   The formation pattern of the protrusions 202 is not limited to the above. For example, as shown in FIG. 4B, one cut 122a is provided at the center of one short side of the protrusions provided in a rectangular shape, and the other A pattern in which two cuts 122b are made at both ends of the short side may be repeated. According to this, since it is possible to dam the adhesive leaking from the cut 122a provided in the central portion at the short side of the adjacent protrusion, the adhesive does not flow into the adjacent region.

本実施形態によれば、突起部１１４が形成されていることで周囲の不要な部位にまで接着剤２０６が広がるのを防止し得るとともに、転写対象となる薄膜要素が転写される被転写領域を画定することが可能となる。したがって、不要な部位に接着剤が付着することがなく、正確に薄膜要素を転写することが可能となる。よって、例えば、周囲に他の部品との電気的接続部があるような場合においても、接続不良が生じるのを防止することが可能となる。また、転写単位１３０の周囲が突起部１１４により囲われていることで、強度が向上する。さらに、レーザ照射範囲を突起部１１４により画定されるので、確実に転写単位１３０を転写することが可能となる。したがって、本実施形態によれば、信頼性の高い実装基板を提供することが可能となる。   According to the present embodiment, since the protrusion 114 is formed, it is possible to prevent the adhesive 206 from spreading to unnecessary surrounding portions, and to transfer a transfer target region to which a thin film element to be transferred is transferred. It becomes possible to define. Therefore, the adhesive does not adhere to unnecessary portions, and the thin film element can be accurately transferred. Therefore, for example, even when there are electrical connection portions with other components around, it is possible to prevent a connection failure from occurring. Further, since the periphery of the transfer unit 130 is surrounded by the protrusion 114, the strength is improved. Furthermore, since the laser irradiation range is defined by the protrusion 114, the transfer unit 130 can be transferred reliably. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide a highly reliable mounting board.

なお、本実施形態では、隣接する転写単位１３０間に共通する一重の突起部しか設けていないが、多重（複数）の突起部を形成していてもよい。   In the present embodiment, only a single protrusion common between adjacent transfer units 130 is provided, but multiple (plural) protrusions may be formed.

図５に示すように、一の転写単位１３０に対し、この転写単位を囲う一の突起部１１４を設けることで、今回転写対象となる転写単位１３０を転写した後にも、今回転写対象とならなかった転写単位１３０の周囲に突起部１１４が残るので、新たに突起部１１４を形成することなく、次の転写を行うことが可能となる。また、転写単位１３０ごとに突起部１１４を形成し、隣接する転写単位１３０の突起部１１４との間に間隔を設けることにより、レーザ照射範囲に余裕を持たせることが可能となる。   As shown in FIG. 5, by providing one protrusion unit 114 surrounding one transfer unit 130 with respect to one transfer unit 130, the transfer unit 130 which is the current transfer target is not transferred this time. Since the protrusion 114 remains around the transfer unit 130, the next transfer can be performed without newly forming the protrusion 114. Further, by forming the protrusion 114 for each transfer unit 130 and providing a gap between the protrusions 114 of the adjacent transfer units 130, it is possible to give a margin to the laser irradiation range.

また、本実施形態では突起部１１４も転写単位１３０に含まれて、第２の基板２００側に転写される態様について記載したが、突起部１１４が接着剤２０６と付着しないような材料で形成されている場合等には、必ずしも突起部１１４が転写されなくてもよい。   In the present embodiment, the protrusion 114 is also included in the transfer unit 130 and transferred to the second substrate 200 side. However, the protrusion 114 is formed of a material that does not adhere to the adhesive 206. For example, the protrusion 114 does not necessarily have to be transferred.

また、本実施形態では、第１の基板１００側に突起部１１４を設けたが、これに限定されない。   In this embodiment, the protrusion 114 is provided on the first substrate 100 side, but the present invention is not limited to this.

図６に、突起部の変形例を示す。図６（ａ）に示すように、突起部１１４ａを被転写体１３０が転写される先である第２の基板２００側に形成してもよい。また、図６（ｂ）に示すように、第１の基板１００側及び第２の基板２００側に、それぞれ対応する位置に突起部１１４ｂ及び１１４ｃを形成してもよい。さらに、図６（ｃ）に示すように、第１の基板１００側及び第２の基板２００側に互い違いになるように、それぞれ突起部１１４ｄ及び１１４ｅを形成してもよい。
（第二の実施形態）
第二の実施形態としては、接着剤の広がり防止手段として凹溝部を形成したものについて説明する。 FIG. 6 shows a modification of the protrusion. As shown in FIG. 6A, the protrusion 114a may be formed on the second substrate 200 side to which the transfer target 130 is transferred. Further, as shown in FIG. 6B, protrusions 114b and 114c may be formed at corresponding positions on the first substrate 100 side and the second substrate 200 side, respectively. Further, as shown in FIG. 6C, the protrusions 114d and 114e may be formed so as to be alternately arranged on the first substrate 100 side and the second substrate 200 side, respectively.
(Second embodiment)
As a second embodiment, a description will be given of a case where a concave groove is formed as means for preventing the spread of the adhesive.

図７は、第２の基板２００上に凹溝部を形成した例を説明するための図である。図７（ａ）は、第１の基板１００及び第２の基板２００の接合時の断面図であり、図７（ｂ）は、第２の基板２００を上面から見た概略図を示す。なお、同図中、図１乃至図６と同じ構成要素については、同一符号を付し説明を省略する。   FIG. 7 is a diagram for explaining an example in which a concave groove is formed on the second substrate 200. FIG. 7A is a cross-sectional view when the first substrate 100 and the second substrate 200 are joined, and FIG. 7B is a schematic view of the second substrate 200 as viewed from above. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 1 to 6 are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

同図（ａ）及び（ｂ）に示すように、凹溝部２１５を第２の基板２００上に形成された電極パッド１２０の周囲に設けることにより、第１の基板１００と第２の基板２００との接合時に接着剤２０６が流出することにより、周囲の望まない箇所である例えば、後の工程で接続される他の部品との接続部２０５等に付着するのを防止することが可能となる。   As shown in FIGS. 4A and 4B, by providing a groove 215 around the electrode pad 120 formed on the second substrate 200, the first substrate 100 and the second substrate 200 are provided. When the adhesive 206 flows out at the time of joining, it is possible to prevent the adhesive 206 from adhering to an undesired part of the surroundings, for example, a connection part 205 with other parts to be connected in a later process.

また、同図（ｂ）に示すように、２×５個配置された電極パッド２０４の周囲の連続した凹溝部２１５の幅を、長手方向の幅ａを長手方向に垂直な方向の幅ｂよりも広く構成することが好ましい。このように、ａ＞ｂとすることにより、供与した接着剤２０６が接続時において、電極パッド２０４の配置の長手方向により広がることになるため、電極パッド２０４の全体に確実に接着剤２０６を付与することが可能となり、第１の基板１００及び第２の基板２００間の電気的接続の信頼性を高めることが可能となる。   Further, as shown in FIG. 5B, the width of the continuous groove 215 around the electrode pad 204 arranged 2 × 5 is set to be longer than the width b in the direction perpendicular to the longitudinal direction. Further, it is preferable that the configuration is wide. Thus, by setting a> b, the supplied adhesive 206 spreads in the longitudinal direction of the arrangement of the electrode pad 204 at the time of connection, so that the adhesive 206 is surely applied to the entire electrode pad 204. Thus, the reliability of electrical connection between the first substrate 100 and the second substrate 200 can be improved.

凹溝部２１５の深さは、特に限定するものではなく、例えば基板２１１内部に配線層が形成されている場合においても、当該配線層に接するまで深く形成されていてもよい。また、凹溝部２１５の深さは、必ずしも全て同じでなくてもよく、例えば、基板２１１の凹溝部２１５を形成する下層に配線が形成されているか否かにより凹溝部２１５の深さを適宜変更してもよい。   The depth of the recessed groove portion 215 is not particularly limited. For example, even when a wiring layer is formed inside the substrate 211, the depth may be deep until it comes into contact with the wiring layer. In addition, the depth of the groove portion 215 is not necessarily the same. For example, the depth of the groove portion 215 is appropriately changed depending on whether or not a wiring is formed in the lower layer forming the groove portion 215 of the substrate 211. May be.

また、凹溝部２１５は、電極パッド２０４の周囲に連続的に形成されているが、電極パッド２０４の周囲に断続的に複数の凹溝部を配置させていてもよい。   In addition, although the recessed groove portion 215 is continuously formed around the electrode pad 204, a plurality of recessed groove portions may be intermittently disposed around the electrode pad 204.

また、凹溝部２１５は、電極パッド２０４の周囲に一重のみではなく、多重に形成されていてもよい。例えば、接着剤２０６がインクジェット式液滴吐出装置により供給される場合には、接着剤２０６が一箇所に複数滴供与されることがある。この場合には、複数回滴下すると滴下時の衝撃により、一重の凹溝部のみでは接着剤２０６の広がりを防止しきれない場合もある。しかし、多重に凹溝部２１５が形成されることで、このような場合にも確実に接着剤２０６の広がりを防止することが可能となる。   Further, the recessed groove portion 215 may be formed not only in a single layer but in multiples around the electrode pad 204. For example, when the adhesive 206 is supplied by an ink jet type droplet discharge device, a plurality of drops of the adhesive 206 may be supplied to one place. In this case, when the ink is dropped a plurality of times, the spread of the adhesive 206 may not be prevented with only a single concave groove due to an impact at the time of dropping. However, by forming the multiple recessed groove portions 215, it is possible to reliably prevent the adhesive 206 from spreading even in such a case.

このような凹溝部２１５は、例えばエッチングにより形成することが可能である。   Such a concave groove 215 can be formed by etching, for example.

本実施形態によれば、凹溝部２１５を形成することで接着剤２０６が不必要な領域に流出するのを防止することが可能となる。したがって、隣接する位置にある他の部品との接続部（例：電極パッド）に接着剤２０６が付着することによる接続不良等を回避することが可能となる。また、今回転写対象とならなかった転写単位１３０に接着剤２０６が付着し破損する虞もなく、次回の転写に良好に使用することが可能となる。   According to the present embodiment, it is possible to prevent the adhesive 206 from flowing into an unnecessary area by forming the concave groove 215. Therefore, it is possible to avoid a connection failure or the like due to the adhesive 206 adhering to a connection portion (for example, an electrode pad) with another component at an adjacent position. In addition, there is no fear that the adhesive 206 adheres to the transfer unit 130 that is not the current transfer target and breaks, and can be used well for the next transfer.

また、凹溝部２１５により、被転写領域１１６を画定することができるので、レーザ照射領域をも画定することが可能となる。したがって、所望の転写単位１３０を確実に転写先基板に転写することが可能となる。
（第三の実施形態）
図８は、接着剤の広がり防止手段として、転写単位１３０の周囲に凹溝部と突起部を隣接して設けた例を示す。 Further, since the transferred region 116 can be defined by the concave groove portion 215, a laser irradiation region can also be defined. Therefore, the desired transfer unit 130 can be reliably transferred to the transfer destination substrate.
(Third embodiment)
FIG. 8 shows an example in which concave grooves and protrusions are provided adjacent to the periphery of the transfer unit 130 as means for preventing the spread of the adhesive.

同図（ａ）に示すように転写単位１３０の周囲に凹溝部２１５及び突起部２１７を隣接して設けることで、凹溝部から溢れ出た接着剤２０６が隣接領域に侵入するのを防止することが可能となる。   As shown in FIG. 5A, by providing the groove 215 and the protrusion 217 adjacent to each other around the transfer unit 130, it is possible to prevent the adhesive 206 overflowing from the groove from entering the adjacent region. Is possible.

また、同図（ｂ）に示すように、突起部２１７を隣接する他部品（例えばＥＬ基板上に形成されたＥＬ素子との電気的接続に用いられる電極パッド）と接続するための接続部２０５（例：電極パッド）により構成してもよい。すなわち、他部品との接続部２０５を電極パッド２０４よりも高く形成することにより、被転写領域１１６に供与される接着剤２０６が接続部２０５の上面に付着するのを防止することが可能となる。特に、異方性導電ペーストを用いた場合には、接続部２０５との電気的絶縁性も担保できるので好ましい。
（第四の実施形態）
図９は、接着剤の広がり防止手段として、一方の基板に突起部を形成し他方の基板に凹溝部を形成した例を示す。なお、同図中、図１乃至図８と同じ構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。 Further, as shown in FIG. 5B, a connecting portion 205 for connecting the protruding portion 217 to an adjacent other component (for example, an electrode pad used for electrical connection with an EL element formed on the EL substrate). (Example: electrode pad) may be used. That is, by forming the connection portion 205 with other parts higher than the electrode pad 204, it is possible to prevent the adhesive 206 supplied to the transfer region 116 from adhering to the upper surface of the connection portion 205. . In particular, when an anisotropic conductive paste is used, it is preferable because electrical insulation with the connection portion 205 can be secured.
(Fourth embodiment)
FIG. 9 shows an example in which protrusions are formed on one substrate and concave grooves are formed on the other substrate as means for preventing the spread of the adhesive. In the figure, the same components as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

同図（ａ）に示すように、本実施形態では、第１の基板１００側に突起部１１４を設け、第２の基板２００側に凹溝部２１５を設けた例について説明する。   As shown in FIG. 5A, in the present embodiment, an example in which a protrusion 114 is provided on the first substrate 100 side and a groove 215 is provided on the second substrate 200 side will be described.

このように、突起部１１４と凹溝部２１５を組合わせることで、接着剤２０６の広がりを突起部１１４でまず堰き止め、さらに過剰の接着剤２０６を凹溝部２１５に溜めることができるので、周囲の不必要な領域に接着剤２０６が流出するのをより確実に防止することが可能となる。   In this way, by combining the protrusion 114 and the groove 215, the spread of the adhesive 206 can first be blocked by the protrusion 114, and excess adhesive 206 can be accumulated in the groove 215. It is possible to more reliably prevent the adhesive 206 from flowing into unnecessary areas.

また、さらに、同図（ｂ）に示すように、突起部１１４の高さを凹溝部２１５に嵌る高さとすることで、より確実に接着剤２０６の広がりを防止することが可能となる。   Furthermore, as shown in FIG. 5B, by setting the height of the protruding portion 114 to be the height that fits into the recessed groove portion 215, it is possible to more reliably prevent the adhesive 206 from spreading.

なお、本実施形態においては、レーザ照射範囲は突起部１１４により画定されることが好ましい。突起部１１４の外周で定まる領域をレーザ照射範囲とすることで、確実に転写単位１３０を転写先基板側に転写することが可能となる。
（電気光学装置及び電子機器）
本実施形態に係る基板を、電気光学装置や電子機器を好適に利用することが可能である。このように、本実施形態の電気光学装置及び電子機器は、上記のような実装基板を使用するので信頼性が高い。 In the present embodiment, the laser irradiation range is preferably defined by the protrusion 114. By setting the region determined by the outer periphery of the protrusion 114 as the laser irradiation range, the transfer unit 130 can be reliably transferred to the transfer destination substrate side.
(Electro-optical device and electronic equipment)
An electro-optical device or an electronic apparatus can be suitably used for the substrate according to the present embodiment. As described above, the electro-optical device and the electronic apparatus according to the present embodiment have high reliability because they use the mounting board as described above.

本発明に適用し得る電気光学装置及び電子機器の具体例を図１０及び図１１を参照しながら説明する。   Specific examples of electro-optical devices and electronic apparatuses that can be applied to the present invention will be described with reference to FIGS.

図１０及び図１１は、電気光学装置６００（例：有機ＥＬ表示装置）を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。   10 and 11 are diagrams illustrating examples of various electronic apparatuses including the electro-optical device 600 (example: organic EL display device).

図１０（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置６００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図１０（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および本発明の電気光学装置６００を備えている。図１０（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および本発明の電気光学装置６００を備えている。   FIG. 10A shows an application example to a mobile phone. The mobile phone 830 includes an antenna portion 831, an audio output portion 832, an audio input portion 833, an operation portion 834, and the electro-optical device 600 of the present invention. . As described above, the electro-optical device according to the invention can be used as a display unit. FIG. 10B shows an application example to a video camera. The video camera 840 includes an image receiving unit 841, an operation unit 842, an audio input unit 843, and the electro-optical device 600 of the present invention. FIG. 10C shows an application example to a portable personal computer (so-called PDA). The computer 850 includes a camera unit 851, an operation unit 852, and the electro-optical device 600 of the present invention. FIG. 10D shows an application example to a head-mounted display. The head-mounted display 860 includes a band 861, an optical system storage portion 862, and the electro-optical device 600 of the present invention.

図１１（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は本発明に係る電気光学装置６００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明の電気光学装置６００を適用し得る。図１１（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は本発明の電気光学装置６００を備えている。   FIG. 11A shows an application example to a television, and the television 900 includes an electro-optical device 600 according to the present invention. The electro-optical device 600 of the present invention can be similarly applied to a monitor device used for a personal computer or the like. FIG. 11B shows an application example to a roll-up television, and the roll-up television 910 includes the electro-optical device 600 of the present invention.

なお、上記例では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置を挙げたが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置に対して適用することが可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。   In the above example, an organic EL display device is given as an example of an electro-optical device, but the scope of application of the present invention is not limited to this, and other various electro-optical elements (for example, plasma light-emitting elements, The present invention can be applied to an electro-optical device configured using an electrophoretic element, a liquid crystal element, or the like. The scope of application of the present invention is not limited to the electro-optical device and the manufacturing method thereof, and can be widely applied to various devices formed using a transfer technique.

また、電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。   The electro-optical device is not limited to the above-described example, and can be applied to various electronic devices such as a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable TV, and an electronic notebook.

また、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器（例えば、ＩＣカード等）に適用することが可能である。   The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the electro-optical device has been described as an application example of the circuit board according to the present invention. However, the present invention can be applied to various electronic devices (for example, IC cards). is there.

図１は、第２の基板上に、第１の基板に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a process for transferring a thin film transistor circuit as a thin film element formed on a first substrate onto a second substrate. 図２は、第２の基板上に、第１の基板に形成された薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を転写するための工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a process for transferring a thin film transistor circuit as a thin film element formed on the first substrate onto the second substrate. 図３は、突起部１１４の高さを説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the height of the protrusion 114. 図４は、突起部の形成パターンの例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the formation pattern of the protrusions. 図５は、複数の突起部を設けた例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example in which a plurality of protrusions are provided. 図６は、突起部の変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a modification of the protrusion. 図７は、第２の基板上に凹溝部を形成した例を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining an example in which a concave groove is formed on the second substrate. 図８は、転写単位の周囲に凹溝部と突起部を隣接して設けた例を示す。FIG. 8 shows an example in which a groove and a protrusion are provided adjacent to each other around the transfer unit. 図９は、一方の基板に突起部を形成し他方の基板に凹溝部を形成した例を示す。FIG. 9 shows an example in which a protrusion is formed on one substrate and a groove is formed on the other substrate. 図１０は、電気光学装置を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating examples of various electronic apparatuses including an electro-optical device. 図１１は、電気光学装置を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating examples of various electronic apparatuses including the electro-optical device.

符号の説明Explanation of symbols

１００・・・第１の基板、１０２・・・薄膜トランジスタ部、１１０・・・基板、１１２・・・剥離層、１１３・・・配線層、１１４・・・突起部、１１６・・・被転写領域、１２０・・・電極パッド、１３０・・・転写単位、２００・・・第２の基板、２０２・・・突起部、２０４・・・電極パッド、２０５・・・接続部、２０６・・・接着剤、２０８・・・導電粒子、２１０・・・基板、２１２・・・配線層、２１４・・・保護膜、２１５・・・凹溝部、２１７・・・突起部、３００・・・実装基板

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... 1st board | substrate, 102 ... Thin-film transistor part, 110 ... Board | substrate, 112 ... Release layer, 113 ... Wiring layer, 114 ... Projection part, 116 ... Transfer area 120 ... Electrode pad, 130 ... Transfer unit, 200 ... Second substrate, 202 ... Projection, 204 ... Electrode pad, 205 ... Connection, 206 ... Adhesion 208, conductive particles, 210 ... substrate, 212 ... wiring layer, 214 ... protective film, 215 ... concave groove, 217 ... projection, 300 ... mounting substrate

Claims (12)

第１の基板と第２の基板とを対向して部分的に接着し、前記第１の基板に保持された複数の薄膜要素のうちの一部を剥離して前記第２の基板側に転写することにより形成される基板であって、
前記薄膜要素又は前記第２の基板のうちいずれか一方が前記転写の対象となる薄膜要素に対応する領域内に接着剤を閉じ込めると共に第２の基板上に想定される被転写領域を画定する接着剤の広がり防止手段を備えたことを特徴とする基板。 The first substrate and the second substrate are partially bonded to each other, and a part of the plurality of thin film elements held on the first substrate is peeled off and transferred to the second substrate side. A substrate formed by
Adhesion in which either one of the thin film element or the second substrate encloses an adhesive in an area corresponding to the thin film element to be transferred and defines an area to be transferred on the second substrate. A substrate characterized by comprising means for preventing the spread of the agent. 前記複数の薄膜要素はエネルギ照射によって破壊する剥離層を介して前記第１の基板に保持され、前記被転写領域の略外縁に沿ってレーザ照射範囲が画定される請求項１に記載の基板。   2. The substrate according to claim 1, wherein the plurality of thin film elements are held on the first substrate via a release layer that is broken by energy irradiation, and a laser irradiation range is defined along a substantially outer edge of the transferred region. 前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部である請求項１又は請求項２に記載の基板。   The substrate according to claim 1 or 2, wherein the adhesive spread preventing means provided in the thin film element or the second substrate is a protrusion formed along an outer edge of the transferred region. 前記薄膜要素又は第２の基板が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部である請求項１又は請求項２に記載の基板。   The substrate according to claim 1 or 2, wherein the adhesive spreading preventing means provided in the thin film element or the second substrate is a concave groove formed along an outer edge of the transferred region. 前記薄膜要素及び第２の基板は共に前記接着剤広がり防止手段を備え、前記第１及び第２の基板のうち一方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された突起部であり、前記第１及び第２の基板のうち他方が備える接着剤広がり防止手段が前記被転写領域の外縁に沿って形成された凹溝部である請求項１又は請求項２に記載の基板。   The thin film element and the second substrate are both provided with the adhesive spread preventing means, and the adhesive spread preventing means provided in one of the first and second substrates is formed along the outer edge of the transferred region. The adhesive spread prevention means provided on the other of the first and second substrates, which is a protrusion, is a concave groove formed along the outer edge of the transferred region. substrate. 前記突起部が前記凹溝部内に位置するように形成される請求項５に記載の基板。   The board | substrate of Claim 5 formed so that the said projection part may be located in the said ditch | groove part. 前記突起部と前記凹溝部との間に隙間が存在するように形成される請求項６に記載の基板。   The board | substrate of Claim 6 formed so that a clearance gap may exist between the said projection part and the said groove part. 前記第１の基板は前記薄膜要素としての薄膜トランジスタ回路を保持する薄膜トランジスタ回路基板であり、前記第２の基板は前記薄膜回路を接続する配線を有する回路基板である請求項１乃至７のいずれかに記載の基板。   The first substrate is a thin film transistor circuit substrate holding a thin film transistor circuit as the thin film element, and the second substrate is a circuit substrate having wirings for connecting the thin film circuit. The substrate described. 請求項８に記載の基板を含む電気光学装置。   An electro-optical device including the substrate according to claim 8. 請求項８に記載の基板を含む電子機器。   An electronic device comprising the substrate according to claim 8. 薄膜要素を保持した第１の基板及び／又は前記薄膜要素の転写先である第２の基板上に、接着剤の広がりを防止し、被転写領域を画定する突起部又は凹溝部を形成する第一の工程と、
前記被転写領域に接着剤を供与する第二の工程と、
前記接着剤を介して前記第１の基板に保持された薄膜要素と前記第２の基板を接合する第三の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を離間させることにより、前記薄膜要素を前記第１の基板から前記第２の基板に転写する第四の工程と、
を含むことを特徴とする転写方法。 The first substrate holding the thin film element and / or the second substrate, which is the transfer destination of the thin film element, prevents the spread of the adhesive and forms a protrusion or a groove to define the transfer area. One process,
A second step of providing an adhesive to the transferred area;
A third step of joining the second substrate and the thin film element held on the first substrate via the adhesive;
A fourth step of transferring the thin film element from the first substrate to the second substrate by separating the first substrate and the second substrate;
A transfer method comprising: 請求項１１に記載の転写方法を用いて実装基板を形成する実装基板の形成方法。   A method for forming a mounting substrate, wherein the mounting substrate is formed using the transfer method according to claim 11.

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