JP2005184033A - Ledランプ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、先端部に設けられたカップの底面上に発光素子1を積載したファースト・リード2と、発光素子1と電気的に接続されたセカンド・リード3によって構成されたリード電極2,3を備え、少なくとも発光素子1及び各リードの先端部分2,3がモールド部材4により封止されてなるLEDランプであって、リード電極2,3は、少なくともバリ部分12が平坦化されており、且つリード電極2,3の表面全体に同一材料からなる無光沢メッキが施されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
D=log(1/R)
(但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反射光量/入射光量))
このように構成することにより、発光素子の横方向から発光される光をファースト・リード2のカップ内表面で拡散させることができ、無指向に近い発光パターンを形成することができる。また、バリ部分12を平坦に潰すことで、無光沢メッキを施したリード電極2,3にモールド部材4を設ける際に見られるリード電極の半田付け領域方向へのモールド樹脂の這い上がりを最小限に抑制することができる。
(A)リード電極素材の平板を打ち抜き加工によりファースト・リード2とセカンド・リード3がタイバー7で接続されたリード電極2,3を形成する工程。
(B)前記打ち抜き加工により打ち抜き側と反対方向であるリード電極2,3の底面側に生じる突起部分12を少なくとも底面側から上方に向かってプレス加工する工程。
(C)リード電極表面全体を無光沢にメッキする工程。
D=log(1/R)
(但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反射光量/入射光量))
この製造方法により、リード電極の表面全体に同一材料よりなる無光沢メッキを一度に施しても、プレス加工されて平坦化されたバリ部分が後に形成されるモールド樹脂の這い上がりを抑制するストッパーとなり、主に発光を担う領域(第1の領域)と、主に実装時の取り扱いの容易性を担う領域(第2の領域)とのそれぞれの場所での用途をなしえる構成を有するLEDランプとすることができ、少ない工数で生産性良く製造することが可能である。
本発明に用いる光沢度Dとは、次式に示されるものであり、測定にはGAM社製のDensitmeter Model 144の光度計を用いてその値を検出するものである。実施例についても同様である。但し、微少領域(面積)、例えば反射部(カップ)の底部などについては、日本電色工業株式会社製の微小面積色差計VSR 300Aを用いて、測定される。
D=log(1/R)
(但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反射光量/入射光量))
ここで、その測定器の原理について簡単に説明すると、図5に示すように、測定物10を所定の位置に置き、この測定物10の表面に光源8から光を当てて、光源8から45度方向にある検出器9でもって、測定物10表面で反射した光を検出する。この時、表面が光沢を有する場合には、D値が大きく、比較的光沢の無い場合には、D値が小さくなる。
リード電極2,3は、金属板を所望の形状に打ち抜くことによって形成される。本発明で用いるリード電極2,3は、肉厚が0.5mm、縦35mm、横150mmの鉄入り銅板を打ち抜き形成する。打ち抜かれたリード電極2,3は、図4に示すようにタイバー7により複数のリード電極が連なった形状を有する。リード電極は、発光素子が載置されるファースト・リード2と発光素子の電極とワイヤー等で電気的導通をとるセカンド・リード3からなる。ファースト・リード2は先端上から部分的に圧力を加えることによってLEDチップを配置するべき底面が平坦なカップ等の凹部を形成させることができる。
発光素子1としては、液相成長法やMOCVD法等により基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体の構造として形成したものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。
モールド部材4は、各発光素子1及び導電性ワイヤー5などを外部から保護するために設けることが好ましく、一般的には樹脂を用いて形成される。また、樹脂モールドを所望の形状にすることによって発光素子1からの発光を収束させたり拡散させたりするレンズ効果を持たせることができる。本発明においてモールド樹脂の形態は、発光観測面側から見て円形状でも楕円形状でも良い。さらに、樹脂モールド自体に着色させて所望外の波長をカットするフィルターの役目を果たすこともできる。上記樹脂モールドの材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂が好適に用いられる。
これに対し、実施例1と比較するために、リード電極2,3を打ち抜く際に生じるリード電極底面側のバリ部分6を平坦化せずそのまま使用することを除いては実施例1と同様にしてLEDランプを形成し電流を供給すると、発光しないものがみられる。この発光しない不灯品を調べると、その全てにおいてモールド部材4の樹脂がリード電極2,3の半田付け領域にまで這い上がっており、実装面との半田付けが不十分である。
2・・・ファースト・リード
3・・・セカンド・リード
4・・・モールド樹脂
5・・・ワイヤー
6・・・平坦化されたバリ
7・・・タイバー
8・・・光源
9・・・検出器
10・・・測定物
11・・・金型
12・・・バリ
13・・・ダレ
14・・・一定形状化されたダレ
Claims (8)
- 先端部に設けられたカップの底面上に発光素子1を積載したファースト・リード2と、前記発光素子1と電気的に接続されたセカンド・リード3によって構成されたリード電極2,3を備え、少なくとも前記発光素子1及び各リードの先端部分2,3がモールド部材4により封止されてなるLEDランプであって、
前記リード電極2,3は少なくともバリ部分12が平坦化されており、且つリード電極2,3の表面全体に同一材料からなる無光沢メッキが施されていることを特徴とするLEDランプ。 - 前記無光沢とは次式で表される光沢度Dが0.05〜0.5の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ。
D=log(1/R)
(但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反射光量/入射光量)) - 前記リード電極2,3は、表面がモールド部材4で覆われた第1の領域と該モールド部材4の外側に露出した第2の領域とを有すると共に、前記第2の領域において少なくともバリ部分12が平坦化されていることを特徴とする請求項1乃至2に記載のLEDランプ。
- 前記第2の領域においてバリ部分12及びダレ部分13が平坦化されていることを特徴とする請求項1乃至3に記載のLEDランプ。
- 前記無光沢メッキの膜厚は2μm〜6μmであることを特徴とする請求項1乃至4に記載のLEDランプ。
- 前記モールド部材4は、LEDチップ上にレンズ面が形成された透光性封止樹脂であることを特徴とする請求項1乃至5に記載のLEDランプ。
- 先端部に設けられたカップの底面上に発光素子1を積載したファースト・リード2と、前記発光素子1と電気的に接続されたセカンド・リード3によって構成されたリード電極2,3を備え、少なくとも前記発光素子1及び各リードの先端部分がモールド部材4により封止されてなるLEDランプの製造方法において、少なくとも以下のLEDランプの製造工程(A)〜(C)を有することを特徴とするLEDランプの製造方法。
(A)リード電極素材の平板を打ち抜き加工によりファースト・リード2とセカンド・リード3がタイバー7で接続されたリード電極2,3を形成する工程。
(B)前記打ち抜き加工により打ち抜き側と反対方向であるリード電極2,3の底面側に生じる突起部分12を少なくとも前記底面側から上方に向かってプレス加工する工程。
(C)リード電極表面全体を無光沢にメッキする工程。 - 前記無光沢とは次式で表される光沢度Dが0.05〜0.5の範囲にあることを特徴とする請求項7に記載のLEDランプの製造方法。
D=log(1/R)
(但し、Rは、45度方向への反射率であり、R=(反射光量/入射光量))
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