JP2005183736A - Exposure method and apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば半導体デバイス又は液晶表示素子等のデバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程で、マスクパターンを基板上に転写する際に使用される露光技術に関し、更に詳しくは露光光源からの露光ビームを基板への露光が行われる部分に導くための送光技術を含む露光技術及びデバイス製造技術に関する。 The present invention relates to an exposure technique used when a mask pattern is transferred onto a substrate in a photolithography process for manufacturing a device such as a semiconductor device or a liquid crystal display element, and more particularly, an exposure beam from an exposure light source. The present invention relates to an exposure technique and a device manufacturing technique including a light transmission technique for guiding the light to a portion where exposure to a substrate is performed.
半導体デバイス等を製造するために使用されるステッパー等の一括露光型、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の露光装置においては、解像度を高めるために、露光ビームとしての露光光の波長が次第に短波長化して来ている。最近では、露光光としてKrFエキシマレーザ光(波長248nm)が主に使用されており、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)も使用されつつある。このように露光光源として大型のエキシマレーザ光源を用いる場合、その露光光源は露光装置の本体部(露光本体部)から分離して設置されるのが一般的である。このように露光光源と露光本体部とが分離して配置されている構成では、露光光の強度分布の中心(送光中の露光光の光軸)が振動等の影響によって次第に変動して、露光本体部で露光光の強度が低下する恐れがある。 In a batch exposure type exposure apparatus such as a stepper used for manufacturing a semiconductor device or the like, or a scanning exposure type exposure apparatus such as a scanning stepper, the wavelength of exposure light as an exposure beam is gradually shortened to increase the resolution. It is becoming. Recently, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) is mainly used as exposure light, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is also being used. When a large excimer laser light source is used as the exposure light source, the exposure light source is generally installed separately from the main body (exposure main body) of the exposure apparatus. In such a configuration in which the exposure light source and the exposure main body are separately arranged, the center of the exposure light intensity distribution (the optical axis of the exposure light being transmitted) gradually changes due to the influence of vibration, etc. There is a possibility that the intensity of exposure light may decrease in the exposure main body.
その光軸ずれの影響を軽減するための方法として、従来よりリレーレンズ系を用いて、露光光源の露光光の射出面と、露光本体部内のオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズの入射面とを共役にする方法が知られている。しかしながら、この方法は、リレーレンズ系の光学条件から露光光源と露光本体部との位置関係が決まってしまうため、レイアウト上で制約があった。そこで、その光軸ずれ自体を補正するために、露光本体部に入射する露光光の位置をモニタするモニタ装置と、露光光源と露光本体部との間に配置されて露光光の位置及び角度を制御する送光光学系とを備えた送光機構が提案されている。従来の送光光学系は、露光光の角度を制御するために反射面の角度を制御できる1枚のミラーと、内部を通過する露光光の位置を制御するためにそれぞれ傾斜角を制御できる2枚の平行平板ガラス(ハービング)とを含んで構成されていた(例えば、特許文献1参照)。
上記の如く従来の送光機構は、露光光源と露光本体部との間で露光光の位置及び角度を制御できるため、露光光源と露光本体部とのレイアウトの自由度は高くなっており、例えば露光本体部に対して露光光源を階下に設置することも可能である。
しかしながら、露光光のパワーを高めるために最近の露光光源は従来よりも大型化しているとともに、例えば半導体製造工場におけるレイアウトの変更等にも容易に対応できるようにするためには、露光光源と露光本体部とのレイアウトの自由度を更に高める必要がある。更に、エキシマレーザ光源は高価であるため、エキシマレーザ光を露光光として用いる場合には、露光光源から露光本体部までの光路における露光光の光量損失をできるだけ低く抑える必要がある。そのためには、送光光学系中で、露光光の光量損失を抑えて、露光光の位置及び角度をより高精度に制御する必要がある。
As described above, since the conventional light transmission mechanism can control the position and angle of the exposure light between the exposure light source and the exposure main body, the degree of freedom in the layout of the exposure light source and the exposure main body is high. It is also possible to install an exposure light source below the exposure main body.
However, in order to increase the exposure light power, recent exposure light sources have become larger than conventional ones. For example, in order to be able to easily cope with layout changes in a semiconductor manufacturing factory, the exposure light source and the exposure light source. It is necessary to further increase the degree of freedom in layout with the main body. Further, since the excimer laser light source is expensive, when excimer laser light is used as exposure light, it is necessary to suppress the loss of exposure light in the optical path from the exposure light source to the exposure main body as low as possible. For this purpose, it is necessary to control the position and angle of the exposure light with higher accuracy while suppressing the loss of the exposure light in the light transmission optical system.
また、特に走査露光型の露光装置においては、ウエハ上の各ショット領域への走査露光中に2つのステージが同期して駆動されるために、露光本体部で或る程度の振動が発生することがある。そこで、走査露光中にも露光本体部に入射する露光光の光量があまり変動しないようにするために、その送光光学系中の露光光の位置等の制御機構は必要に応じて応答速度を速くできることが望まれる。 In particular, in a scanning exposure type exposure apparatus, since the two stages are driven synchronously during scanning exposure to each shot area on the wafer, a certain amount of vibration is generated in the exposure main body. There is. Therefore, in order to prevent the amount of exposure light incident on the exposure main body from fluctuating even during scanning exposure, the control mechanism such as the position of exposure light in the light transmission optical system has a response speed as required. It is desirable to be able to do it quickly.
本発明は斯かる点に鑑み、露光本体部と露光光源とを離して設置できるとともに、露光光源から露光本体部に少ない光量損失で露光ビームを供給できる露光技術を提供することを第1の目的とする。
更に本発明は、露光本体部と露光光源とを離して設置できるとともに、露光中にも露光光源から露光本体部に少ない光量損失で露光ビームを供給するために、必要に応じてその露光光源から射出された露光ビームの位置等を高い応答速度で制御できる露光技術を提供することを第2の目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION A first object of the present invention is to provide an exposure technique that can install an exposure main body and an exposure light source apart from each other and can supply an exposure beam from the exposure light source to the exposure main body with a small amount of light loss. And
Furthermore, the present invention allows the exposure main body and the exposure light source to be set apart from each other, and also provides an exposure beam from the exposure light source to the exposure main body with little loss of light during exposure. It is a second object of the present invention to provide an exposure technique that can control the position of the emitted exposure beam at a high response speed.
また、本発明は、その露光技術を用いて、デバイス製造工場におけるレイアウトの自由度を高めることができるとともに、露光ビームの利用効率を高く維持できるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。 It is another object of the present invention to provide a device manufacturing technique that can increase the degree of freedom of layout in a device manufacturing factory and maintain the use efficiency of an exposure beam at a high level by using the exposure technique.
本発明による第1の露光装置は、露光ビームを発生する露光光源(33)と、その露光ビームで第1物体(R)を照明し、その露光ビームでその第1物体を介して第2物体(W)を露光する露光本体部(5)とを有する露光装置において、その露光光源で発生されたその露光ビームを順次反射させてその露光本体部に導くように配置された複数の反射部材(39,44)と、その露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求めるモニタ装置(20)と、そのモニタ装置で求められた情報に基づいてその複数の反射部材のそれぞれの反射面の姿勢を制御する駆動機構(41,43,46,48)とを有するものである。 The first exposure apparatus according to the present invention illuminates a first object (R) with an exposure light source (33) that generates an exposure beam and the exposure beam, and a second object through the first object with the exposure beam. In an exposure apparatus having an exposure main body (5) that exposes (W), a plurality of reflecting members arranged to sequentially reflect the exposure beam generated by the exposure light source and guide it to the exposure main body ( 39, 44), a monitor device (20) for obtaining at least one of the position and angle of the exposure beam, and the postures of the reflecting surfaces of the plurality of reflecting members based on the information obtained by the monitor device. And a drive mechanism (41, 43, 46, 48) for controlling the motor.
斯かる本発明によれば、露光光源で発生された露光ビームは、直列に配置された複数の反射部材を経て露光本体部に導かれている。従って、露光光源と露光本体部とは離して配置できるとともに、反射による光量損失は小さくできる。そして、モニタ装置の検出結果に応じて、それらの反射部材の反射面の姿勢を制御することで、光量損失をより少なくできる。 According to the present invention, the exposure beam generated by the exposure light source is guided to the exposure main body through the plurality of reflection members arranged in series. Therefore, the exposure light source and the exposure main body can be arranged apart from each other, and the light amount loss due to reflection can be reduced. And according to the detection result of a monitor apparatus, light quantity loss can be decreased by controlling the attitude | position of the reflective surface of those reflective members.
本発明において、その駆動機構は、一例としてその複数の反射部材のうちの第1の反射部材(39)の反射面の姿勢を低速にかつ大まかに制御する粗動機構(41)と、その複数の反射部材のうちの第2の反射部材(44)の反射面の姿勢を高速にかつ狭い範囲で制御する微動機構(48)とを有するものである。その粗動機構とその微動機構とを組み合わせることで、その露光ビームの位置等の補正レンジを広くすることと、その露光ビームの位置等を高い応答速度で制御することとを両立できる。 In the present invention, the drive mechanism includes, as an example, a coarse movement mechanism (41) that controls the posture of the reflection surface of the first reflection member (39) of the plurality of reflection members at a low speed and a plurality of the coarse movement mechanism (41). And a fine movement mechanism (48) for controlling the posture of the reflecting surface of the second reflecting member (44) at a high speed in a narrow range. By combining the coarse movement mechanism and the fine movement mechanism, it is possible to increase both the correction range of the exposure beam position and the like and to control the exposure beam position and the like at a high response speed.
また、その駆動機構は、別の例としてその複数の反射部材のそれぞれに備えられて、対応する反射面の姿勢を粗調整する複数の粗動機構(41,46)と、その反射面の姿勢を微調整する複数の微動機構(43,48)とを有するものである。この場合、複数の反射部材と露光本体部までの距離とは互いに異なるため、複数の反射部材の反射面の角度制御を行うだけで、その露光本体部に入射する露光ビームの角度及び位置の両方を制御することができる。更に、複数の反射部材がそれぞれ粗動機構と微動機構とを備えることで、その露光ビームの位置等を高い応答速度で制御できるとともに、その補正レンジを更に広くできるため、その露光光源とその露光本体部とを更に大きく離して配置できる。 As another example, the drive mechanism is provided in each of the plurality of reflecting members, and a plurality of coarse movement mechanisms (41, 46) for roughly adjusting the posture of the corresponding reflecting surface, and the posture of the reflecting surface And a plurality of fine movement mechanisms (43, 48) for finely adjusting the angle. In this case, since the distances between the plurality of reflecting members and the exposure main body are different from each other, both the angle and the position of the exposure beam incident on the exposure main body only by controlling the angle of the reflecting surface of the plurality of reflecting members. Can be controlled. Furthermore, since each of the plurality of reflecting members includes a coarse movement mechanism and a fine movement mechanism, the position of the exposure beam can be controlled at a high response speed, and the correction range can be further widened. The main body can be arranged farther away.
また、一例として、その粗動機構は、対応するその反射面の交差する2軸の周りの傾斜角を制御し、その微動機構は、対応するその反射面の法線方向の位置と、その反射面の交差する2軸の周りの傾斜角とを制御するものである。これによって、その露光ビームの位置と角度とを独立に制御できる。
また、その複数の反射部材のうちの2つの反射部材(39,44)の反射面は、光軸の周りの相対的な回転角が実質的に90°であってもよい。この場合、露光ビームの直交する2方向の角度を効率的に制御できるとともに、2つの反射部材の反射面をそれぞれ法線方向に移動することによって、露光ビームの位置を直交する2方向に独立に制御できる。
Also, as an example, the coarse movement mechanism controls the inclination angle around the two axes where the corresponding reflection surface intersects, and the fine movement mechanism determines the position of the corresponding reflection surface in the normal direction and its reflection. The angle of inclination around two axes intersecting the plane is controlled. Thereby, the position and angle of the exposure beam can be controlled independently.
Further, the reflection surfaces of the two reflection members (39, 44) of the plurality of reflection members may have a relative rotation angle of substantially 90 ° around the optical axis. In this case, the angle of the two orthogonal directions of the exposure beam can be controlled efficiently, and the position of the exposure beam can be independently set in the two orthogonal directions by moving the reflecting surfaces of the two reflecting members in the normal direction. Can be controlled.
次に、本発明による第2の露光装置は、露光ビームを発生する露光光源(33)と、その露光ビームで第1物体(R)を照明し、その露光ビームでその第1物体を介して第2物体(W)を露光する露光本体部(5)とを有する露光装置において、その露光光源で発生されたその露光ビームを反射して、その露光ビームをその露光本体部に導くように配置された反射部材(39)と、その露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求めるモニタ装置(20)と、その反射部材の反射面の姿勢を粗調整する粗動機構(41)と、その反射面の姿勢を微調整する微動機構(43)とを備え、そのモニタ装置で求められた情報に基づいて動作する駆動機構(41,43)と、を有するものである。 Next, a second exposure apparatus according to the present invention illuminates a first object (R) with an exposure light source (33) that generates an exposure beam, and the exposure beam through the first object. In an exposure apparatus having an exposure main body (5) for exposing a second object (W), the exposure beam generated by the exposure light source is reflected so that the exposure beam is guided to the exposure main body. A reflecting member (39), a monitor device (20) for obtaining at least one of the position and angle of the exposure beam, a coarse movement mechanism (41) for roughly adjusting the posture of the reflecting surface of the reflecting member, A fine movement mechanism (43) for finely adjusting the posture of the reflecting surface, and a drive mechanism (41, 43) that operates based on information obtained by the monitor device.
斯かる本発明によれば、露光光源で発生された露光ビームは、反射部材を経て露光本体部に導かれているため、露光光源と露光本体部とは離して配置できる。そして、モニタ装置の検出結果に応じて、その粗動機構とその微動機構とを組み合わせて駆動することで、その露光ビームの位置等の補正レンジを広くした上で、その露光ビームの位置等を高い応答速度で制御できる。従って、その露光ビームの光量損失を少なくできる。 According to the present invention, since the exposure beam generated by the exposure light source is guided to the exposure main body through the reflecting member, the exposure light source and the exposure main body can be arranged apart from each other. Then, according to the detection result of the monitor device, the coarse movement mechanism and the fine movement mechanism are driven in combination to widen the correction range of the position of the exposure beam and the position of the exposure beam. Control with high response speed. Therefore, the light amount loss of the exposure beam can be reduced.
本発明において、一例としてその粗動機構とその微動機構とは直列的に配置されている。これによって、その粗動機構を駆動することによって、制御対象の反射面の姿勢を容易に微動機構による補正レンジ内に追い込むことができる。
また、そのモニタ装置は、その露光本体部に入射するその露光ビームの光軸に垂直な面内の交差する2方向の位置、及びその露光ビームの交差する2軸の周りの傾斜角の情報を求めてもよい。これによって、その露光ビームの全自由度の位置ずれ情報を求めることができる。
In the present invention, as an example, the coarse movement mechanism and the fine movement mechanism are arranged in series. Thus, by driving the coarse movement mechanism, the posture of the reflection surface to be controlled can be easily driven into the correction range by the fine movement mechanism.
In addition, the monitor device obtains information on the positions of two intersecting directions in a plane perpendicular to the optical axis of the exposure beam incident on the exposure main body and the tilt angle around the two axes intersecting the exposure beam. You may ask for it. Thereby, it is possible to obtain positional deviation information of all the degrees of freedom of the exposure beam.
また、そのモニタ装置は、一例としてその露光ビームを交差する2方向で互いに独立に受光する第1の1対のラインセンサ(68A,68B)と、その露光ビームを集光する集光光学系(59,62,64,66)と、この集光光学系で集光されたその露光ビームを交差する2方向で互いに独立に受光する第2の1対のラインセンサ(69A,69B)とを有するものである。このようにラインセンサを用いることによって、露光ビームの位置及び角度を高い応答速度で検出できる。 In addition, as an example, the monitor device includes a first pair of line sensors (68A, 68B) that receive the exposure beam independently in two directions that intersect the exposure beam, and a condensing optical system that condenses the exposure beam ( 59, 62, 64, 66) and a second pair of line sensors (69A, 69B) that receive the exposure beams collected by the condensing optical system independently of each other in two directions intersecting each other. Is. By using the line sensor in this way, the position and angle of the exposure beam can be detected with a high response speed.
また、その露光光源とその露光本体部との間のその露光ビームは、実質的に平行ビームでもよい。このように平行ビームとすることで、その露光光源とその露光本体部とのレイアウトの自由度を高めることができる。更に、その露光光源とその露光本体部とは互いに異なる階の床上に設置されてもよい。
次に、本発明による露光方法は、露光光源(33)からの露光ビームを露光本体部(5)へ導き、この露光ビームで第1物体(R)を照明するとともに、その第1物体を介して第2物体(W)を露光する露光方法において、その第2物体の露光開始時に、その露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求め、この情報に基づき、その露光光源からの露光ビームをその露光本体部に導くために配置された第1反射部材(39)を駆動して、その露光本体部に入射するその露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を粗調整する第1工程(ステップ103,111)と、その第2物体の露光中に、その露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求め、この情報に基づき、第2反射部材(44)を駆動して、その露光本体部に入射するその露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を微調整する第2工程(ステップ122,124)とを有するものである。
The exposure beam between the exposure light source and the exposure main body may be a substantially parallel beam. By using a parallel beam in this way, the degree of freedom in layout between the exposure light source and the exposure main body can be increased. Further, the exposure light source and the exposure main body may be installed on different floors.
Next, the exposure method according to the present invention guides the exposure beam from the exposure light source (33) to the exposure main body (5), illuminates the first object (R) with the exposure beam, and passes through the first object. In the exposure method for exposing the second object (W), at the start of exposure of the second object, information on at least one of the position and angle of the exposure beam is obtained, and based on this information, the exposure beam from the exposure light source A first step (step) of driving the first reflecting member (39) arranged to guide the exposure main body to the exposure main body to roughly adjust at least one of the position and angle of the exposure beam incident on the exposure
本発明によれば、露光光源で発生された露光ビームは、反射部材を経て露光本体部に導かれているため、露光光源と露光本体部とは離して配置できる。そして、露光開始前にはその露光ビームの位置等を粗調整し、露光中にはその露光ビームの位置等を微調整することで、露光中には高い応答速度でその露光ビームの位置等を制御できるため、その露光ビームの光量損失を少なくできる。 According to the present invention, since the exposure beam generated by the exposure light source is guided to the exposure main body through the reflecting member, the exposure light source and the exposure main body can be arranged apart from each other. The exposure beam position and the like are roughly adjusted before the exposure is started, and the exposure beam position and the like are finely adjusted during the exposure, so that the exposure beam position and the like can be adjusted at a high response speed during the exposure. Since it can be controlled, the light loss of the exposure beam can be reduced.
本発明において、一例としてその第1反射部材を駆動する駆動機構は、その第1反射部材の反射面の姿勢を低速にかつ大まかに制御する粗動機構(41)を備え、その第2反射部材を駆動する駆動機構は、その第2反射部材の反射面の姿勢を、その粗動機構よりも高速にかつ高精度に制御する微動機構(48)を備え、その第1工程では、その粗動機構を駆動して、その露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方がその微動機構による調整可能範囲(補正レンジ)内に追い込まれ、その第2工程では、その粗動機構を使うことなしに、その微動機構によりその露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方が微調整される。これによって、露光中のその微動機構による調整範囲を広くすることができる。 In the present invention, as an example, the driving mechanism that drives the first reflecting member includes a coarse movement mechanism (41) that controls the posture of the reflecting surface of the first reflecting member at low speed and roughly, and the second reflecting member. Is provided with a fine movement mechanism (48) for controlling the posture of the reflecting surface of the second reflecting member at a higher speed and with higher accuracy than the coarse movement mechanism. In the first step, the coarse movement is performed. By driving the mechanism, at least one of the position and angle of the exposure beam is driven into an adjustable range (correction range) by the fine movement mechanism, and in the second step, the coarse movement mechanism is used without using the coarse movement mechanism. At least one of the position and angle of the exposure beam is finely adjusted by the fine movement mechanism. Thereby, the adjustment range by the fine movement mechanism during exposure can be widened.
また、その第1反射部材とその第2反射部材とは、同一の部材であってもよい。この場合、構成が簡素化される。
また、その第2工程では、その第2物体とその第1物体とをその露光ビームに対して同期して移動することによって、その第2物体を走査露光してもよい。これは、本発明を走査露光型の露光方法(露光装置)に適用したものである。本発明によって、走査露光中にも、露光本体部に入射する露光ビームの光量損失が少なく維持される。
Further, the first reflecting member and the second reflecting member may be the same member. In this case, the configuration is simplified.
In the second step, the second object may be scanned and exposed by moving the second object and the first object in synchronization with the exposure beam. This is an application of the present invention to a scanning exposure type exposure method (exposure apparatus). According to the present invention, the light amount loss of the exposure beam incident on the exposure main body is maintained even during the scanning exposure.
また、本発明によるデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、そのリソグラフィ工程で本発明のいずれかの露光装置を用いてパターン(R)を感光体(W)に転写するものである。本発明の適用によって、デバイス製造工場におけるレイアウトの自由度を高めることができるとともに、露光ビームの利用効率を高く維持することができる。 Moreover, the device manufacturing method according to the present invention is a device manufacturing method including a lithography process, in which the pattern (R) is transferred to the photoreceptor (W) using any of the exposure apparatuses of the present invention in the lithography process. It is. By applying the present invention, it is possible to increase the degree of freedom of layout in the device manufacturing factory, and to maintain the use efficiency of the exposure beam at a high level.
本発明において、露光光源と露光本体部との間にそれぞれ反射面の姿勢が制御できる複数の反射部材を配置したときには、露光本体部と露光光源とを離して設置できるとともに、露光光源から露光本体部に少ない光量損失で露光ビームを供給できる。
更に、それぞれ反射面の姿勢が制御できる2つの反射部材が直列に配置されている場合には、2つの反射部材の反射面の角度を制御するだけで、露光本体部に入射する露光ビームの角度及び位置の両方を制御することができる。
In the present invention, when a plurality of reflecting members capable of controlling the posture of the reflecting surface are arranged between the exposure light source and the exposure main body part, the exposure main body part and the exposure light source can be set apart from each other, and the exposure main body can be separated from the exposure light source. The exposure beam can be supplied to the part with a small amount of light loss.
Further, when two reflecting members that can control the posture of the reflecting surface are arranged in series, the angle of the exposure beam incident on the exposure main body can be simply controlled by controlling the angle of the reflecting surfaces of the two reflecting members. And both can be controlled.
また、本発明において、露光光源と露光本体部との間に反射面の姿勢の粗調整と微調整とを分けて行うことができる反射部材を配置したときには、露光本体部と露光光源とを離して設置できるとともに、必要に応じてその露光光源から射出された露光ビームの位置等を高い応答速度で制御できる。従って、露光中にも露光光源から露光本体部に少ない光量損失で露光ビームを供給できる。 In the present invention, when a reflecting member capable of performing coarse adjustment and fine adjustment of the posture of the reflecting surface is arranged between the exposure light source and the exposure main body, the exposure main body and the exposure light source are separated from each other. The position of the exposure beam emitted from the exposure light source can be controlled at a high response speed as required. Therefore, the exposure beam can be supplied from the exposure light source to the exposure main body with little light loss even during exposure.
以下、本発明の好ましい第1の実施の形態につき図1〜図8を参照して説明する。本例は、露光光源が露光本体部の床下に設置されている走査露光型の投影露光装置(露光装置)を用いて露光を行う場合に本発明を適用したものである。
図1は、本例の投影露光装置を示す断面図であり、この図1において、或る半導体デバイス製造工場の所定の階の床1上に、防振台等の防振部材3A,3Bを介して箱状のチャンバ4が設置され、チャンバ4内に露光本体部5が設置されている。また、チャンバ4の外部の床1上に装置全体の動作を統轄制御するコンピュータよりなる主制御系6が設置されている。主制御系6には、それぞれマイクロプロセッサを含むステージ制御系10、及び光軸ずれ制御系22が接続されている。そして、床1の階下の床2上のいわゆる機械室(ユーティリティスペース)に防振部材31A,31Bを介して箱状のカバー32が設置され、カバー32内に露光光源としてのエキシマレーザ光源33、及びこのレーザ光源33から射出される露光ビームとしての露光光ILの送光光学系(詳細後述)の一部が設置されている。
Hereinafter, a preferred first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this example, the present invention is applied when exposure is performed using a scanning exposure type projection exposure apparatus (exposure apparatus) in which an exposure light source is installed under the floor of the exposure main body.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the projection exposure apparatus of this example. In FIG. 1,
エキシマレーザ光源33は、例えばArFエキシマレーザ光源(波長193nm)であるが、その他にKrFエキシマレーザ光源(波長248nm)も使用できる。更に、露光光源として、F2 レーザ(波長157nm)、Kr2 レーザ(波長146nm)、YAGレーザの高調波発生装置、又は固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波発生装置等を使用する場合にも本発明を適用することができる。
The excimer
本例では、床1上の部屋はクリーンルームであり、このクリーンルーム内の空気は清浄化され、かつ恒温化されている。また、チャンバ4内には不図示の空調装置からその外部のクリーンルーム内の空気よりも更に厳密に防塵が行われ、かつ高精度に所定温度に制御された気体(空気等)が供給され、チャンバ4内を流れた気体がその空調装置に戻されている。一方、床2上の機械室内は、非クリーンルームであり、クリーンルーム程の温度管理等は行われていない。このように本例では、露光光源がクリーンルームの外部に設置されているため、建設コストの高いクリーンルーム内に多くのチャンバ4を設置でき、全体として設備費用が軽減されている。なお、エキシマレーザ光源33が設置される床2上の部屋もクリーンルームとしてもよい。
In this example, the room on the
次に、露光本体部5の構成につき説明する。本例では投影光学系PLが使用されているため、以下では、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本例ではほぼ水平面に合致する)内で図1の紙面に垂直にX軸を、図1の紙面に平行にY軸を取って説明する。本例では、X軸に平行な方向(X方向)が走査露光時のレチクル及びウエハの走査方向である。露光本体部5において、チャンバ4の底面上に定盤7が設置され、定盤7上にウエハステージ8(第2ステージ)が移動自在に配置され、ウエハステージ8上に不図示のウエハホルダを介して、基板(第2物体又は感光体)としてのフォトレジストが塗布されたウエハWが吸着保持されている。ウエハステージ8は、例えばリニアモータ方式でX方向にウエハWを連続移動し、X方向及びY方向にウエハWをステップ移動するとともに、ウエハWの表面をオートフォーカス方式で投影光学系PLの像面に合焦させるために、ウエハWのフォーカス位置(Z方向の位置)及び傾斜角を制御する。ウエハステージ8のXY平面内での位置及び回転角は、レーザ干渉計9によって計測され、計測値がステージ制御系10及び主制御系6に供給され、ステージ制御系10は、その計測値及び主制御系6からの露光開始コマンド等に応じてウエハステージ8の動作を制御する。
Next, the configuration of the exposure
また、定盤7上に4本の脚部を有するコラム11が設置され、コラム11の1段目の仕切り板に投影光学系PLが固定され、コラム11の2段目の仕切り板上にレチクルステージ13(第1ステージ)が移動自在に配置され、レチクルステージ13上に、マスク(第1物体)としての転写用パターンが形成されたレチクルRが吸着保持されている。レチクルステージ13は、例えばリニアモータ方式でX方向にレチクルRを連続移動し、X方向、Y方向、及び回転方向にレチクルRの位置を微調整する。レチクルステージ13のXY平面内での位置及び回転角はレーザ干渉計14によって計測され、計測値がステージ制御系10及び主制御系6に供給され、ステージ制御系10は、その計測値及び主制御系6からの露光開始コマンド等に応じてレチクルステージ13の動作を制御する。
A
また、コラム11の最上段の平板上に照明光学系15が設置され、照明光学系15は、前段のオプティカルインテグレータ・ユニット16Aと、後段のコンデンサーレンズ系16Bとから構成されている。また、定盤7上の+Y方向の端部にモニタ装置としての光軸モニタ系20(詳細後述)が固定され、光軸モニタ系20の露光光の入射面側に筒状の支持部材18Bが固定されている。支持部材18Bは、チャンバ4に設けられた開口を通して外部に突き出ており、支持部材18Bの先端部の上方(+Z方向)にエキシマレーザ光源33から射出された露光光が通過する位置に、透過率が大きく反射率の小さいビームスプリッタ19(分岐光学系)が固定されている。ビームスプリッタ19を透過した露光光IL1は上方に向かい、ビームスプリッタ19で分岐された小さい光量の露光光IL2は、光軸モニタ系20に入射する。光軸モニタ系20では、後述のように露光光IL2の位置(位置ずれ量)及び角度(傾斜角)に対応する検出信号を生成し、その検出信号を光軸ずれ制御系22に供給する。
An illumination
また、コラム11の最上段の+Y方向の端部に筒状の支持部材18Aが固定され、支持部材18Aは、チャンバ4に設けられた開口を通して外部に突き出ている。支持部材18Aの先端部の下方からの露光光IL1が通過する位置に、直角プリズムミラーよりなり全反射によって露光光IL1の光路を直角に折り曲げるミラー部材17が保持されている。ミラー部材17でほぼ−Y方向に反射された露光光IL1は、平行ビームの状態でオプティカルインテグレータ・ユニット16Aに入射する。なお、チャンバ4に設けられた複数の開口から内部に外部の気体が混入するのを防止するために、それらの開口と支持部材18A及び18Bの側面との隙間を密閉するように、可撓性を有し、かつ気体を通過させないガスバリヤ性にも優れたフィルム状カバー21A及び21Bが設けられている。
In addition, a
前段のオプティカルインテグレータ・ユニット16Aは、例えば基本的に1段目のフライアイレンズに対してリレーレンズ系を介して2段目のフライアイレンズを配置して構成され、2段目のフライアイレンズの射出面(照明光学系15の瞳面)に可変の開口絞りが配置されている。また、その開口絞りの射出面側に、反射率の低いビームスプリッタが配置され、このビームスプリッタで分岐された露光光の光量をモニタするための光電センサ(インテグレータセンサ)も設けられている。この光電センサによって、露光光IL1の光量をモニタすることができる。
The front-stage
1段目のフライアイレンズの断面形状は縦横比が例えば18:5程度の長方形であるため、オプティカルインテグレータ・ユニット16Aに入射する露光光IL1の断面形状も、縦横比がほぼ18:5で、かつその1段目のフライアイレンズの断面形状よりも僅かに大きくなるように設定されている。この場合、露光光IL1の横ずれ(位置ずれ)は、光量損失の要因となり、露光光IL1の角度のずれは、照明光学系15内の露光光IL1のテレセントリック性(テレセントリシティ)の変動となる。そこで、本例では、後述の送光機構によって、露光光IL1の強度分布の中心(送光中の露光光の光軸)がその1段目のフライアイレンズの中心(照明光学系15の光軸)に所定の許容範囲内で一致するとともに、その露光光IL1が所定の許容範囲内でその照明光学系15の光軸に平行にその1段目のフライアイレンズに入射するように制御される。なお、オプティカルインテグレータ(ユニフォマイザ又はホモジナイザ)としては、フライアイレンズの他に内面反射型インテグレータ(例えばロッドインテグレータ)なども使用できる。
Since the cross-sectional shape of the first-stage fly-eye lens is a rectangle having an aspect ratio of, for example, about 18: 5, the cross-sectional shape of the exposure light IL1 incident on the
一方、後段のコンデンサーレンズ系16Bは、リレーレンズ系、可変視野絞り、コンデンサーレンズ、及び光路を下方に折り曲げるためのミラー等から構成されている。露光時に、オプティカルインテグレータ・ユニット16Aから射出された露光光IL1は、コンデンサーレンズ系16Bを介してレチクルRのパターン面(下面)のY方向に細長いスリット状の照明領域を均一な照度分布で照明する。そして、露光光IL1のもとで、レチクルRの照明領域内のパターンの像が投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは例えば1/4,1/5等)で、ウエハW上の1つのショット領域のスリット状の露光領域に投影される。
On the other hand, the condenser lens system 16B in the subsequent stage includes a relay lens system, a variable field stop, a condenser lens, and a mirror for bending the optical path downward. At the time of exposure, the exposure light IL1 emitted from the
ウエハWへの露光時には、先ず不図示のアライメントセンサを用いて、ウエハWのアライメントが行われる。その後、ウエハW上の1つのショット領域を走査露光するために、レチクルR上の照明領域へ露光光IL1を照射した状態で、レチクルステージ13を介してレチクルRを+X方向(又は−X方向)に速度VRで移動するのに同期して、ウエハステージ8を介してウエハWが対応するX方向に速度β・VR(βは投影倍率)で移動する。そのショット領域への走査露光が終了すると、ウエハステージ8のX方向、Y方向へのステップ移動によって、次のショット領域が走査開始位置に移動する。以下、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の各ショット領域にレチクルRのパターン像が転写される。
When the wafer W is exposed, the wafer W is first aligned using an alignment sensor (not shown). Thereafter, in order to scan and expose one shot area on the wafer W, the reticle R is moved through the
次に、本例のエキシマレーザ光源33から露光本体部5のビームスプリッタ19まで露光光を伝える送光機構につき説明する。本例の送光機構は、光軸モニタ系20、光軸ずれ制御系22、以下で説明する送光光学系、及びその送光光学系の駆動機構より構成されている。その送光光学系は、エキシマレーザ光源33から露光本体部5まで露光光を平行ビームの状態で導いている。このため、光量損失を多くすることなく、エキシマレーザ光源33と露光本体部5との間隔等を含むレイアウトの自由度を高めることができる。先ず、図1において、床1に形成された貫通孔1a内に円筒状のダクト23の上端部が固定され、ダクト23の底面に光透過性の窓部材24が固定されている。このダクト23を通して、階下からの露光光が上方に導かれる。
Next, a light transmission mechanism that transmits exposure light from the excimer
階下の床2上のカバー32内において、露光時にエキシマレーザ光源33からほぼ水平面内の+Y方向に、断面形状がほぼ正方形の平行ビームよりなり、かつパルスレーザ光よりなる露光光IL(露光ビーム)が射出される。射出された露光光ILは、シリンドリカルレンズ34a及び34bよりなる第1のシリンドリカルレンズ系34によって断面形状がZ方向に拡大された後、シリンドリカルレンズ35a及び35bよりなる第2のシリンドリカルレンズ系35によって断面形状がX方向に拡大されて、可変減光フィルタ36に入射する。可変減光フィルタ36は、それぞれ円周方向に10%程度から100%程度までの互いに透過率の異なる複数(例えば6個程度)のNDフィルタ(neutral density filter)を配置した、2枚の回転可能な円板状の減光板37及び38を備えている。主制御系6からの制御情報に基づいて、駆動モータ37a及び38aを介して減光板37及び38の回転角を制御することによって、可変減光フィルタ36を通過する露光光ILに対する透過率を1%程度から100%程度までの間で複数段階(例えば36段階程度)に亘って切り換えることができる。可変減光フィルタ36における透過率は、露光本体部5内のウエハW上のフォトレジストの感度、ウエハW上のスリット状の露光領域の走査方向の幅、及びウエハWの走査速度等に基づいて、そのフォトレジストが適正露光量で露光されるように決定される。
In the
可変減光フィルタ36を+Y方向に通過した露光光ILは、反射部材としての直角プリズムミラーよりなる第1の可動ミラー39に入射し、その直角プリズムミラーの全反射によって光路がほぼ90°折り曲げられて上方(ほぼ+Z方向)に向かう。可動ミラー39の反射面は入射する露光光IL(Y軸)にほぼ45°で交差するとともに、その反射面はZY平面にほぼ垂直である。可動ミラー39でほぼ+Z方向に反射された露光光ILは、カバー32の開口部32a、窓部材24、及びダクト23の内部を通って床1上に配置された反射部材としての第2の可動ミラー44に入射する。この可動ミラー44も、可動ミラー39と同様に直角プリズムミラーよりなり、全反射によって入射する露光光ILの光路をほぼ90°折り曲げるものである。
The exposure light IL that has passed through the variable
図2(A)は、図1の投影露光装置の送光光学系を簡略化して示す斜視図であり、この図2(A)において、可動ミラー39,44は、実際には直角プリズムミラーであるが、通常のミラーのように図示されている。また、図2(A)において、可動ミラー44は床面の上方に配置されているが、その他にその床を2点鎖線で示すように床面F2及び底面F1よりなる中空の二重構造として、床面F2と底面F1との間の空間に可動ミラー44を含む送光光学系の一部を配置してもよい。
FIG. 2A is a simplified perspective view showing the light transmission optical system of the projection exposure apparatus in FIG. 1. In FIG. 2A, the
図2(A)において、可動ミラー44の反射面は、入射する露光光IL(Z軸)にほぼ45°で交差するとともに、ほぼXZ平面に垂直になるように支持されており、階下の可動ミラー39からほぼ+Z方向に反射されてきた露光光ILは、可動ミラー44によってほぼ+X方向に反射される。可動ミラー44で反射された露光光ILは、第3のシリンドリカルレンズ系49によって断面形状がZ方向に圧縮された後、例えば直角プリズムミラーよりなるミラー部材50での反射によって光路が90°折り曲げられて、ほぼ+Z方向にビームスプリッタ19に入射する。上述のようにその露光光ILのうちで、ビームスプリッタ19を透過した露光光IL1は露光本体部5に入射し、ビームスプリッタ19で反射されたモニタ用の露光光IL2は光軸モニタ系20に入射する。
In FIG. 2 (A), the reflecting surface of the
この場合、エキシマレーザ光源33から射出された直後の露光光ILの断面形状は、縦横比H1:V1がほぼ1:1の正方形であるが、第3のシリンドリカルレンズ系49から射出された後の露光光ILの断面形状は縦横比H2:V2がほぼ5:18程度の長方形である。図2(A)のシリンドリカルレンズ系34,35、可変減光フィルタ36、反射部材としての可動ミラー39,44、シリンドリカルレンズ系49、及びミラー部材50を含んで送光光学系が構成されている。この送光光学系中には、露光光ILの断面形状を露光本体部5で必要とされる形状に成形するためのビーム成形光学系(34,35,49)、及び露光光ILの光量を複数段階で制御するための可変減光フィルタ36も設置されている。
In this case, the cross-sectional shape of the exposure light IL immediately after being emitted from the excimer
なお、窓部材24、シリンドリカルレンズ系34,35,49、可変減光フィルタ36、並びに可動ミラー39,44及びミラー部材50としての直角プリズムミラーの光学材料は、露光光ILに対する透過率が良好な材料から形成されている。露光光ILがArFエキシマレーザである場合には、そのような光学材料としては合成石英等を使用できる。露光光ILがF2 レーザである場合には、そのような光学材料としては、所定の不純物を混入した石英、蛍石(CaF2 )、及びフッ化マグネシウム(MgF2 )等を使用できる。また、本例の可動ミラー39,44及びミラー部材50は、全反射を用いているため高い透過率が得られる。しかしながら、可動ミラー39,44及びミラー部材50として、ガラス基板の表面に反射膜を形成してなる通常のミラーを使用してもよい。
Note that the optical material of the
次に、送光光学系中の反射部材としての可動ミラー39,44の駆動機構につき説明する。図1において、本例の可動ミラー39には、その反射面(ここでは直角プリズムの全反射面)の姿勢としての、その反射面の法線方向の位置、及びその反射面に平行な面内の直交する2軸の周りでのその反射面の傾斜角を制御するための駆動機構が備えられている。その駆動機構は、低速ではあるが、その反射面の姿勢を広い補正レンジで大まかに制御する粗動機構41と、その反射面の姿勢を粗動機構41の補正レンジよりも狭い範囲ではあるが、より細かい分解能でかつ高速に制御する微動機構43とを含んでいる。その反射面の姿勢によって露光光ILの位置(光軸に垂直な平面内での位置)及び角度が変化するため、以下ではその反射面の姿勢の補正レンジ等を、露光光ILの位置及び角度の補正レンジに換算して表わすものとする。本例の粗動機構41及び微動機構43による露光光ILの角度の補正レンジ、補正分解能(補正精度)、及び応答速度は、一例として以下の表1の通りである。この場合、上述のように露光光ILの角度の変動は、照明光学系15におけるテレセントリシティの悪化の要因となる。そこで、その角度の補正分解能は、許容できるテレセントリシティの変動量よりも小さく設定されている。
Next, a drive mechanism for the
即ち、粗動機構41の補正レンジ及び補正分解能は、それぞれ微動機構43の10倍及び5倍程度であり、微動機構43の応答速度は粗動機構41よりも100倍程度速く設定されている。この構成において、その露光光ILの露光本体部5までの光路の長さをL、その露光光ILの角度の変化をΔθ(rad)とすると、その露光光ILの位置はほぼΔθ・Lだけ変化する。従って、その角度に対応するその露光光ILの位置の補正レンジ、補正分解能は、それぞれ表1の角度の補正レンジ、補正分解能にその光路の長さLを乗じた値となる。具体的に、光路の長さLを例えばほぼ最短値である2mとすると、粗動機構41による位置の補正レンジ及び補正分解能と、微動機構43による位置の補正レンジ及び補正分解能とはそれぞれ次の表2の通りとなる。
That is, the correction range and the correction resolution of the
なお、露光光ILの位置の変動は、上記のように露光本体部5に入射する露光光IL1の光量損失となるため、その位置の補正分解能は、その光量損失が許容範囲の上限となるときの位置ずれ量よりも十分に小さい値であればよい。実際には、その粗動機構41及び微動機構43による位置の補正分解能は、それぞれ±1mm及び±0.2mm程度でもよい。また、露光光ILの位置の粗動機構41による補正レンジは、実際には±10mm程度でもよい。
Note that the fluctuation in the position of the exposure light IL results in a light amount loss of the exposure light IL1 incident on the exposure
また、本例の可動ミラー39は、その反射面を法線方向に例えば100μm程度移動できるため、これによって露光光ILをY方向に70μm程度平行移動することができる。この動作では、露光光ILの角度に影響を与えることなく位置のみを移動できる。但し、本例では、後述のように2つの可動ミラーを用いているため、その2つの可動ミラーでそれぞれ直交する2方向の角度を制御するだけで、露光本体部5に入射する露光光の2方向の位置及び2方向の角度を制御することができる。従って、可動ミラー39の反射面を法線方向に移動する機構は、必ずしも設ける必要がない。
In addition, since the
ここで、粗動機構41及び微動機構43の構成例につき説明する。図1において、カバー32の底面上に水平面に対して45°で交差する斜面を持つ支持部材40が固定され、その支持部材40の斜面に粗動機構41を介して平板状の連結板42が支持され、連結板42上に微動機構43を介して可動ミラー39が支持されている。
図3(A)は図1中の可動ミラー39の駆動機構を示す側面図、図3(B)は図3(A)のBB線に沿う断面図、図3(C)は図3(A)のCC線に沿う断面図であり、図3(A)及び図3(B)に示すように、粗動機構41は、支持部材40と連結板42とを連結する支点としてのロッド41aと、それぞれ支持部材40と連結板42との間隔を変化させるステッピングモータ方式の直進型のアクチュエータ41x及び41yと、連結板42を支持部材40に対して引き付けて保持する引っ張りコイルばね41bとを備えている。アクチュエータ41x及び41yはそれぞれロッド41a(支点)に対してX方向及びY方向(正確にはY軸をX軸の周りに45°回転した軸の方向)に離れて配置されている。アクチュエータ41x及び41yをそれぞれ伸縮させることによって、可動ミラー39の反射面に平行な面内の直交する2軸の周りの方向で、支持部材40に対して連結板42(可動ミラー39の反射面)の傾斜角を制御できる。この場合、ロッド41a(支点)の位置を可動ミラー39において露光光ILが反射される位置の底面に配置することによって、露光光ILの位置を変えることなく、その角度だけを制御できる。一例として、アクチュエータ41x,41yとロッド41aとの間隔は50mm程度であり、アクチュエータ41x,41yの伸縮可能範囲は±500μm程度、その伸縮の分解能は12.5μm程度である。
Here, configuration examples of the
3A is a side view showing a drive mechanism of the
また、図3(A)及び図3(C)に示すように、微動機構43は、可動ミラー39を保持する平板状で全反射面に凹部が形成された支持板43aと、連結板42と支持板43aとの間でほぼ正方形の頂点の位置に配置されて、それぞれ所定範囲内で伸縮自在の応答速度の速い駆動素子(例えばピエゾ素子)よりなる4個のアクチュエータ43x1,43x2,43y1,43y2と、支持板43aを連結板42に対して引き付けて保持する2つの引っ張りコイルばね43bとを備えている。この場合、1対のアクチュエータ43x1,43x2、及び他の1対のアクチュエータ43y1,43y2はそれぞれX方向、及びY方向(正確にはY軸をX軸の周りに45°回転した軸の方向)に離れて配置されている。従って、アクチュエータ43x1,43x2の伸縮量の符号を逆にして、アクチュエータ43y1,43y2の伸縮量の符号を逆にすることによって、露光光ILの反射点の位置を変えることなく、可動ミラー39の反射面に平行な面内の直交する2軸の周りの方向で、連結板42に対して支持板43a(可動ミラー39の反射面)の傾斜角を制御できる。一例として、アクチュエータ43x1,43x及び43y1,43y2の間隔は30mm程度、アクチュエータ43x1,43x,43y1,43y2の伸縮可能範囲は±50μm程度で、その伸縮の分解能は1.5μm程度である。これによって、表1に示す露光光ILの角度の補正レンジ及び補正分解能がほぼ実現できる。
3A and 3C, the
更に、図3(A)に示すように、微動機構43の4つのアクチュエータ43x1,43x,43y1,43y2を並行に同じ量だけ伸縮させて、可動ミラー39を位置Aまで平行移動させることによって、可動ミラー39によって反射された後の露光光ILの光路BをY方向にδYだけ移動することができる。
図4(A)は、図3(A)と同様に可動ミラー39の駆動機構を示す側面図、図4(B)は図4(A)をB方向から見た図であり、図4(A)に示すように、粗動機構41のアクチュエータ41yを伸縮すること、微動機構43の1対のアクチュエータ43y1,43y2の伸縮量の符号を逆にすること、又はこれらを同時に行うことによって、可動ミラー39を位置P1まで傾斜させて、可動ミラー39によって反射された後の露光光ILの光路Q1をX軸の周りに角度ΔθY1だけ傾斜させることができる。同様に、図4(B)に示すように、粗動機構41のアクチュエータ41xを伸縮すること、微動機構43の1対のアクチュエータ43x1,43x2の伸縮量の符号を逆にすること、又はこれらを同時に行うことによって、可動ミラー39を位置P2まで傾斜させて、可動ミラー39によって反射された後の露光光ILの光路Q2をY軸の周りに角度ΔθX1だけ傾斜させることができる。なお、このように露光光ILの角度を制御する場合の、露光光ILの位置ずれは、実際には100μm程度の小さい値である。上述のように、粗動機構41のロッド41a(支点)を露光光ILの反射点の底面に設けることによって、その位置ずれは更に小さくできる。また、その角度制御の際の露光光ILの位置ずれを補正するために、上記の微動機構43による露光光IL(反射面)の平行移動を行ってもよい。
Further, as shown in FIG. 3A, the four actuators 43x1, 43x, 43y1, 43y2 of the
4A is a side view showing the drive mechanism of the
この場合、露光光ILの角度ΔθX1及びΔθY1を単位量だけ変化させるための粗動機構41及び微動機構43の駆動レートの情報は予め高精度に求められて、図1の光軸ずれ制御系22内の記憶部に記憶されている。
また、第1の可動ミラー39から第2の可動ミラー44までの光路の距離をL1とすると、可動ミラー39の段階で露光光ILの角度が角度ΔθX1,ΔθY1だけ変化したときに、可動ミラー44に入射する段階で露光光ILの位置はX方向及びY方向にほぼ次の量ΔX1及びΔY1だけ変化する。
In this case, information on the driving rates of the
If the distance of the optical path from the first
ΔX1=ΔθX1・L1 …(1A)
ΔY1=ΔθY1・L1 …(1B)
上述のように本例の可動ミラー39の粗動機構41及び微動機構43は、積み重ねるように直列に配置されているため、露光光ILの角度等の補正レンジは、粗動機構41の補正レンジと微動機構43の補正レンジとの加算となり、補正レンジが広くなっている。また、例えば露光開始前に予め粗動機構41を駆動して露光光ILの角度及び位置を微動機構43によって補正できる範囲内に追い込んでおくことで、走査露光時には高速の微動機構43のみを用いて露光光ILの角度及び位置を高精度に制御することができる。
ΔX1 = ΔθX1 · L1 (1A)
ΔY1 = ΔθY1 · L1 (1B)
As described above, since the
同様に、第2の可動ミラー44にもその反射面の法線方向の位置、及びその反射面に平行な面内の直交する2軸の周りでのその反射面の傾斜角を制御するための駆動機構が備えられている。その駆動機構は、低速ではあるが、その反射面の姿勢を広い補正レンジで大まかに制御する粗動機構46と、その反射面の姿勢を粗動機構46の補正レンジよりも狭い範囲ではあるが、より細かい分解能でかつ高速に制御する微動機構48とを直列に積み重ねて構成されている。粗動機構46及び微動機構48の構成は、図3(A)の可動ミラー39用の粗動機構41及び微動機構43と同様である。即ち、粗動機構46は、ロッド46a(支点)及び2軸のアクチュエータ46x,46yを含み、不図示の支持部材45に対する連結板47の姿勢を制御し、微動機構48は、不図示の連結板47に対して可動ミラー44の姿勢を制御する。これによって、可動ミラー44で反射される露光光ILの位置及び角度が制御される。粗動機構46及び微動機構48による露光光ILの角度及び位置の補正レンジ、補正分解能(補正精度)、及び応答速度は、一例として上記の表1及び表2の通りである。
Similarly, the second
図2(A)に示すように、粗動機構46のアクチュエータ46yを伸縮すること、微動機構48の対応する1対のアクチュエータの伸縮量の符号を逆にすること、又はこれらを同時に行うことによって、可動ミラー44によって反射された後の露光光ILの光路をZ軸の周りに角度ΔθY2だけ傾斜させることができる。同様に、粗動機構46のアクチュエータ46xを伸縮すること、微動機構48の対応する1対のアクチュエータの伸縮量の符号を逆にすること、又はこれらを同時に行うことによって、可動ミラー44によって反射された後の露光光ILの光路をY軸の周りに角度ΔθX2だけ傾斜させることができる。この場合も、露光光ILの角度ΔθX2及びΔθY2を単位量だけ変化させるための粗動機構46及び微動機構48のそれぞれの駆動レートの情報は予め高精度に求められて、図1の光軸ずれ制御系22内の記憶部に記憶されている。
As shown in FIG. 2 (A), by extending / contracting the
また、可動ミラー44の反射面はXZ平面にほぼ垂直であるため、微動機構48の4つのアクチュエータを並行に伸縮して可動ミラー44の反射面を平行移動することによって、反射後の露光光ILの位置をZ方向にδXだけ平行移動することができる。このように図1の粗動機構41、微動機構43、及び図2(A)の粗動機構46、微動機構48より、送光光学系中の反射部材の駆動機構が構成されている。
Further, since the reflecting surface of the
図2(A)において、本例の第1の可動ミラー39の反射面と、第2の可動ミラー44の反射面とは、露光光ILの光軸の周りの相対回転角がほぼ90°となっている。この結果、可動ミラー39及び44の反射面を法線方向に移動することによって、それぞれ露光光ILの位置をビームスプリッタ19の段階でY方向及びX方向に独立に平行移動することができる。即ち、露光光ILの角度を変えることなく、所定範囲で露光光ILの位置を2次元的に制御することができる。更に、この配置によれば、例えば第1の可動ミラー39をX軸に平行な軸の周りに傾斜させ、第2の可動ミラー44をY軸に平行な軸の周りに傾斜させることで、露光光ILの直交する2方向の角度を効率的に制御できる。
In FIG. 2A, the reflection surface of the first
なお、図2(A)に示すような2つの可動ミラー39,44の配置の他に、図5(A)又は図5(B)に示すような配置も可能である。図5(A)及び図5(B)の例では、エキシマレーザ光源33から射出された露光光ILは、それぞれ可動ミラー39,44及び複数のミラー部材(不図示)を経て露光光IL1として露光本体部5に入射している。この際に、エキシマレーザ光源33から射出された露光光ILが水平方向PDに直線偏光したレーザ光であるとすると、図5(A)の例では、露光光ILはP偏光として第1の可動ミラー39に入射し、続いてS偏光として第2の可動ミラー44に入射している。一方、図5(B)の例では、露光光ILはS偏光として第1の可動ミラー39に入射し、続いてP偏光として第2の可動ミラー44に入射している。また、図2(A)の場合も、エキシマレーザ光源33から射出された露光光ILが水平方向に直線偏光している場合には、露光光ILはS偏光として可動ミラー39に入射し、続いてP偏光として可動ミラー44に入射する。従って、露光光ILが直線偏光である場合に、可動ミラー39,44に入射する露光光ILの偏光状態が一方でS偏光で、他方でP偏光であるような配置は、可動ミラー39,44の反射面の露光光ILの光軸の周りの相対的な回転角が90°であることと実質的に等価である。従って、図5(A)及び図5(B)の構成でも、所定範囲で露光光ILの位置を直交する2方向に平行移動できるとともに、露光光ILの直交する2方向の角度を効率的に制御できる。
In addition to the arrangement of the two
次に、図2(A)において、本例では可動ミラー44に入射する露光光ILの角度は、可動ミラー39によってX軸及びY軸の周りにそれぞれ角度ΔθY1及びΔθX1だけ変化している。従って、可動ミラー44からビームスプリッタ19までの光路の距離をL2とすると、可動ミラー44の段階で露光光ILの角度が更に角度ΔθX2,ΔθY2だけ変化したときに、ビームスプリッタ19に入射する段階で露光光ILの位置はX方向及びY方向にほぼ次の量ΔX2及びΔY2だけ変化する。
Next, in FIG. 2A, in this example, the angle of the exposure light IL incident on the
ΔX2=(ΔθX1+ΔθX2)・L2 …(2A)
ΔY2=(ΔθY1+ΔθY2)・L2 …(2B)
そこで、図2(B)に示すように、ビームスプリッタ19を通過した露光光IL1のX方向及びY方向への位置ずれ量をΔX及びΔYとして、X軸及びY軸の周りの傾斜角をΔθY及びΔθXとすると、(1A)式、(1B)式、(2A)式、(2B)式を用いて次のようになる。なお、可動ミラー39及び44における露光光ILの位置の変化δY及びδXは無視している。
ΔX2 = (ΔθX1 + ΔθX2) · L2 (2A)
ΔY2 = (ΔθY1 + ΔθY2) · L2 (2B)
Therefore, as shown in FIG. 2B, the amount of positional deviation in the X and Y directions of the exposure light IL1 that has passed through the
ΔθX=ΔθX1+ΔθX2 …(3A)
ΔX=ΔX1+ΔX2
=(L1+L2)・ΔθX1+L2・ΔθX2 …(3B)
ΔθY=ΔθY1+ΔθY2 …(4A)
ΔY=ΔY1+ΔY2
=(L1+L2)・ΔθY1+L2・ΔθY2 …(4B)
即ち、本例においては、2つの直列に配置された可動ミラー39及び44の反射面の直交する2軸の周りの傾斜角を独立に制御することによって、ビームスプリッタ19に入射する段階での、即ち露光本体部5に入射する段階での露光光IL1の光軸の2方向の位置、及び2方向の角度を制御できることになる。なお、距離L1,L2の情報も、図1の光軸ずれ制御系22の記憶部に記憶されている。
ΔθX = ΔθX1 + ΔθX2 (3A)
ΔX = ΔX1 + ΔX2
= (L1 + L2) · ΔθX1 + L2 · ΔθX2 (3B)
ΔθY = ΔθY1 + ΔθY2 (4A)
ΔY = ΔY1 + ΔY2
= (L1 + L2) · ΔθY1 + L2 · ΔθY2 (4B)
That is, in this example, by independently controlling the inclination angles around the two orthogonal axes of the reflecting surfaces of the two
図2(B)において、ビームスプリッタ19を透過した露光光IL1と対称に、ビームスプリッタ19で反射された露光光IL2の位置及び角度もそれぞれΔX,ΔY及びΔθX,ΔθYだけずれている。図2(A)の光軸モニタ系20では、その露光光IL2の位置及び角度に対応する検出信号を生成して図1の光軸ずれ制御系22に供給する。光軸ずれ制御系22では、その検出信号を処理してその露光光IL2の位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYを求め、この位置ずれ量及び傾斜角の情報を主制御系6に供給する。この際に、光軸モニタ系20における位置ずれ量ΔX,ΔYの原点は、図1の照明光学系15の光軸(第1のフライアイレンズの中心)と送光中の露光光IL1の光軸とが合致する状態での露光光IL2の位置である。また、傾斜角ΔθX,ΔθYの原点は、図1のオプティカルインテグレータ・ユニット16Aに入射する露光光IL1のテレセントリシティ(傾斜角)が0となる状態での露光光IL2の角度であるように設定されている。従って、計測される位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYは、それぞれ照明光学系15の光軸に対する露光光IL1の位置ずれ量(光量損失)、及び露光光IL1のテレセントリシティのずれ量を表わす情報となる。
In FIG. 2B, the position and angle of the exposure light IL2 reflected by the
その露光光IL1の位置ずれ量及びテレセントリシティのずれ量をそれぞれ0にするために、光軸ずれ制御系22では、先ずその連立方程式(3A),(3B)を解くことによって、その位置ずれ量ΔX及び傾斜角ΔθXに対応する可動ミラー39,44における露光光ILの角度ΔθX1,ΔθX2を次のように求める。
ΔθX1=(ΔX−L2・ΔθX)/L1 …(5A)
ΔθX2={−ΔX+(L1+L2)・ΔθX)}/L1 …(5B)
同様に、光軸ずれ制御系22は、その連立方程式(4A),(4B)を解くことによって、可動ミラー39,44における露光光ILの角度ΔθY1,ΔθY2を次のように求める。このように算出された角度ΔθX1,ΔθY1,ΔθX2,ΔθY2の情報は主制御系6に供給される。
In order to make the positional deviation amount of the exposure light IL1 and the deviation amount of telecentricity zero, the optical axis
ΔθX1 = (ΔX−L2 · ΔθX) / L1 (5A)
ΔθX2 = {− ΔX + (L1 + L2) · ΔθX)} / L1 (5B)
Similarly, the optical axis
ΔθY1=(ΔY−L2・ΔθY)/L1 …(6A)
ΔθY2={−ΔY+(L1+L2)・ΔθY)}/L1 …(6B)
そして、主制御系6の制御のもとで光軸ずれ制御系22は、(5A)式及び(6A)式で求めた角度(ΔθX1,ΔθY1)の符号を反転した角度(−ΔθX1,−ΔθY1)だけ、図2(A)の粗動機構41及び微動機構43を介して可動ミラー39の反射面の角度を制御するとともに、(5B)式及び(6B)式で求めた角度(ΔθX2,ΔθY2)の符号を反転した角度(−ΔθX2,−ΔθY2)だけ、図2(A)の粗動機構46及び微動機構48を介して可動ミラー44の反射面の角度を制御する。また、このような光軸モニタ系20による露光光IL2の位置及び角度のずれの計測、及びこれらのずれを補正するための可動ミラー39,44の駆動は、粗動機構41,46及び微動機構43,48の応答周波数と同じ駆動レートで繰り返し行うことができる。これによって、露光光IL1の位置ずれ量(光量損失)、及び露光光IL1のテレセントリシティのずれ量はほぼ0に収束する。
ΔθY1 = (ΔY−L2 · ΔθY) / L1 (6A)
ΔθY2 = {− ΔY + (L1 + L2) · ΔθY)} / L1 (6B)
Then, under the control of the main control system 6, the optical axis
このように本例によれば、それぞれ2軸の周りの傾斜角を制御できる可動ミラー39及び44が直列に配置された送光光学系を用いて、エキシマレーザ光源33からの露光光を露光本体部5に導いている。従って、露光本体部5とエキシマレーザ光源33とを離して配置しても、更に振動等が存在しても、露光本体部5に対して光量損失が少なく、かつテレセントリシティのずれが少ない状態で、常に露光光を供給することができる。
As described above, according to the present example, the exposure light from the excimer
なお、実際には、可動ミラー39及び44の反射面を直交する2軸の周りに傾斜させる駆動機構の駆動軸の交差角が90°から僅かにずれている場合もあり得る。この場合には、(5A)式〜(6B)式から求められる角度ΔθX1,ΔθY1,ΔθX2,ΔθY2の符号を反転した角度だけ可動ミラー39,44を駆動しても、計測される露光光IL2の位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYが0に収束するまでの時間が長くなる恐れがある。このような場合には、その駆動軸の交差角を実際の交差角として、(3A)式〜(4B)式を修正した式を用いてもよい。又は、露光光IL2の位置ずれ量ΔX,ΔYに関して残存する誤差については、図2(A)に示すように、可動ミラー44及び39の反射面を法線方向に平行移動して、それぞれ露光光ILの位置をδX及びδYだけ移動することで補正してもよい。これによって、露光本体部5に供給される露光光の位置の制御精度が向上する。
Actually, there may be a case where the intersection angle of the drive axes of the drive mechanism for tilting the reflecting surfaces of the
次に、光軸モニタ系20の構成例につき図6を参照して説明する。
図6は、図2(A)中の光軸モニタ系20の構成例を示し、この図6において、シリンドリカルレンズ系49から射出された直後の平行ビームよりなる露光光ILの断面形状A1は、縦横比H2:V2が5:18程度の長方形である。従って、ビームスプリッタ19を透過する露光光IL1の断面形状A2及びビームスプリッタ19で反射された露光光IL2の断面形状A3もそれぞれY方向及びZ方向に細長い長方形である。
Next, a configuration example of the optical
FIG. 6 shows a configuration example of the optical
ビームスプリッタ19で反射された平行ビームよりなる露光光IL2は、光軸モニタ系20中のハーフミラー52に入射する。この構成において、必要に応じて露光光IL2の光量を減衰させるために、ビームスプリッタ19とハーフミラー52との間に、挿脱自在に所定透過率のNDフィルタよりなる減光フィルタ51が配置されている。本例では、減光フィルタ51の挿脱と光軸モニタ系20内の光電センサ(本例ではラインセンサ)のゲイン調整とによって、その光電センサの検出信号のレベルを適正範囲に合わせている。ハーフミラー52を透過した露光光はハーフミラー53に入射し、ハーフミラー53を透過した露光光は、シリンドリカルレンズ系54によってX方向の幅がほぼ1/2に圧縮された断面形状A4の光束として、X方向の光量分布を計測できるラインセンサを含むX軸の位置モニタ68Aに入射する。一方、ハーフミラー53で反射された露光光は、シリンドリカルレンズ系55によってX方向の幅がほぼ4倍に伸張されて、ミラー56で反射された後、シリンドリカルレンズ系57によってZ方向の幅がほぼ1/7に圧縮される。シリンドリカルレンズ系57から射出された露光光は、更に回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element) 58によってZ方向の幅が圧縮された断面形状A5の光束として、Z方向の光量分布を計測できるラインセンサを含むY軸の位置モニタ68Bに入射する。なお、光軸モニタ系20内でのZ方向は、ビームスプリッタ19を透過した露光光IL1ではY方向に対応するため、露光光のZ方向の分布を計測する位置モニタ68Bを「Y軸」用と呼んでいる(以下同様)。
The exposure light IL <b> 2 composed of parallel beams reflected by the
また、ハーフミラー52で反射された露光光は、第1光学系59、ミラー60を経てハーフミラー61に入射し、ハーフミラー61を透過した露光光は、第2光学系62及び回折光学素子63を経て断面形状A6の光束として、X方向の光量分布を計測できるラインセンサを含むX軸の角度モニタ69Aに入射する。この場合、光学系59及び62が、全体として焦点距離fの集光光学系を構成しており、この集光光学系で集光された露光光の断面形状は、回折光学素子63によってX方向の幅が狭くなるように成形される。一方、ハーフミラー61で反射された露光光は、第3光学系64、ミラー65、第4光学系66、及び回折光学素子67を経て断面形状A7の光束として、Z方向の光量分布を計測できるラインセンサを含むY軸の角度モニタ69Bに入射する。この場合、光学系59,64,66が、全体として焦点距離fの集光光学系を構成しており、この集光光学系で集光された露光光の断面形状は、回折光学素子67によってZ方向の幅が狭くなるように成形される。図6の減光フィルタ51、及びハーフミラー51から位置モニタ68A,68B,角度モニタ69A,69Bまでの部材から光軸モニタ系20が構成されている。位置モニタ68A,68B及び角度モニタ69A,69B内のラインセンサの検出信号(1次元の撮像信号)は、図1の光軸ずれ制御系22に供給されており、光軸ずれ制御系22では供給された検出信号を用いて、対応する位置モニタ68A,68B及び角度モニタ69A,69Bに入射する露光光の位置(光量分布の中心)を求める。
The exposure light reflected by the
この構成において、図2(B)のビームスプリッタ19で反射された露光光IL2のX方向の位置ずれ量ΔXに応じて、図6のX軸の位置モニタ68Aに入射する露光光のX方向の位置が変化し、露光光IL2のZ方向の位置ずれ量ΔYに応じて、Y軸の位置モニタ68Bに入射する露光光のZ方向の位置が変化する。従って、光軸ずれ制御系22では、その2つの露光光の位置から、図2(B)の露光光IL2(ひいては露光光IL1)の位置ずれ量ΔX,ΔYを求めることができる。
In this configuration, the X-direction exposure light incident on the X-axis position monitor 68A in FIG. 6 corresponds to the X-direction positional deviation amount ΔX of the exposure light IL2 reflected by the
また、図2(B)のビームスプリッタ19で反射された露光光IL2のX方向の傾斜角ΔθXに応じて、図6のX軸の角度モニタ69Aに入射する露光光のX方向の位置が変化し、露光光IL2のZ方向の傾斜角ΔθYに応じて、Y軸の角度モニタ69Bに入射する露光光のZ方向の位置が変化する。上記の集光光学系の焦点距離はfであるため、その位置の変化量は、f・ΔθX及びf・ΔθYとなる。従って、光軸ずれ制御系22では、その2つの露光光の位置から、図2(B)の露光光IL2(ひいては露光光IL1)の傾斜角ΔθX,ΔθYを求めることができる。
Further, the position in the X direction of the exposure light incident on the X-axis angle monitor 69A in FIG. 6 changes according to the X-direction tilt angle ΔθX of the exposure light IL2 reflected by the
本例の光軸モニタ系20は、露光光の光量分布を検出する光電センサとしてラインセンサ(位置モニタ68A,68B、及び角度モニタ69A,69B)を用いているため、露光光IL2(露光光IL1)の位置ずれ量及び傾斜角を極めて高い計測レートで計測することができる。なお、その計測レートは、図2(A)の可動ミラー39,44を駆動するための微動機構43,48の応答周波数(数100Hz程度)より速い程度であればよい。但し、今後応答速度の速い2次元撮像素子が開発されたような場合には、位置モニタ68A,68Bを一つの2次元撮像素子より構成し、角度モニタ69A,69Bを一つの2次元撮像素子より構成してもよい。
Since the optical
また、図6の光軸モニタ系20では、露光光の断面形状を成形するために回折光学素子58,63,67を用いているため、成形後の露光光の断面形状の歪みを小さくした上で、全体の光学系をコンパクトに構成することができる。
次に、本例の投影露光装置において、露光工程中にエキシマレーザ光源33から露光本体部5に供給される露光光IL1の光軸を制御する動作の一例につき、図7及び図8のフローチャートを参照して説明する。本例の動作は、露光開始前に露光本体部5に入射する露光光IL1の光軸を調整する動作である「光軸キャリブレーション」(第1工程)と、ウエハへの走査露光中に連続的に露光本体部5に入射する露光光IL1の光軸を調整する動作である「光軸のトラッキング」(第2工程)とに大きく分けることができる。
Further, in the optical
Next, in the projection exposure apparatus of this example, flowcharts of FIGS. 7 and 8 are shown for an example of an operation for controlling the optical axis of the exposure light IL1 supplied from the excimer
先ず、光軸キャリブレーションを行うために、図7のステップ101において、図1の主制御系6は、露光本体部5で露光されるウエハWが1ロットの先頭ウエハであるかどうかを確かめる。そして、ウエハWが先頭ウエハでない場合には、動作は図8のステップ120以降の光軸のトラッキング動作に移行する。また、ウエハWが先頭ウエハである場合には、ステップ102に移行して、主制御系6は、可変減光フィルタ36の透過率を所定の基準値に設定した状態で、エキシマレーザ光源33に所定時間だけ露光光ILを発光させて、オプティカルインテグレータ・ユニット16A内の光電センサを介して露光本体部5に入射する露光光IL1の光量をモニタする。これと並行して、光軸ずれ制御系22は、光軸モニタ系20の検出信号を処理して、露光本体部5に入射する露光光IL1の位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYを求め、この結果を主制御系6に供給する。
First, in order to perform optical axis calibration, in step 101 of FIG. 7, the main control system 6 of FIG. 1 confirms whether or not the wafer W to be exposed by the exposure
次のステップ103において、主制御系6は、計測された露光光の位置ずれ量及び傾斜角が許容範囲内かどうかを判定する。それらが許容範囲である場合には、動作はステップ104に移行して、主制御系6は光軸ずれ制御系22を介して、可動ミラー39及び44の微動機構43,48の駆動量がそれぞれの補正レンジ(駆動ストローク)の80%以内かどうかを判定する。それらの駆動量がともに補正レンジ内である場合には、動作はステップ120以下の光軸のトラッキング動作に移行する。一方、ステップ104において、それらの駆動量の少なくとも一方が補正レンジの80%を超えている場合には、動作は後述のステップ108に移行する。また、ステップ103において、位置ずれ量及び傾斜角の少なくとも一方が許容範囲内でない場合には、動作はステップ105に移行して、主制御系6は光軸ずれ制御系22に可動ミラー39及び44を駆動するように制御コマンドを出力する。これに応じて主に光軸ずれ制御系22は、以下の動作を実行する。即ち、上記の連立方程式(3A),(3B)及び(4A),(4B)を解くことによって、その位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYに対応する可動ミラー39の反射面の角度(ΔθX1,ΔθY1)及び可動ミラー44の反射面の角度(ΔθX2,ΔθY2)が求められる。これらの角度の符号を反転した角度が、可動ミラー39及び44の駆動機構による駆動量となる。但し、この段階では、このように計算された駆動量は、微動機構43,48による駆動量であるとみなす。
In the
次のステップ106において、光軸ずれ制御系22は、ステップ105で計算された駆動量だけ微動機構43,48を駆動して、可動ミラー39,44の反射面の姿勢を制御する。次のステップ107において、主制御系22は、駆動後の微動機構43,48の駆動量がそれぞれの補正レンジの80%以下であるかどうかを判定する。その駆動量の少なくとも一方がその補正レンジの80%を超えると判定されたときには、動作はステップ108に移行して、主制御系6は、2つの可動ミラー39,44の粗動機構41,46の駆動(キャリブレーション)を行うかどうかを判定する。例えば、ステップ107における微動機構43,48の駆動量が、その補正レンジの80〜100%であっても、露光工程によって露光光の光量が少なくてもよいか、又は露光光のテレセントリシィの許容範囲が広いような条件下では、そのままウエハWの走査露光に移行してもよいと判定できる場合がある。更に、今回の露光を中止するか、又はオペレータの判断を求めることも考えられる。このような場合には、ステップ113に移行して、所定処理として露光中止、オペレータコール、又はそのまま図8のステップ120以下の光軸のトラッキング動作に移行するなどの処理を行う。
In the
また、ステップ108で、粗動機構41,46の駆動を行うと判定された場合には、ステップ109に移行して、主制御系6は光軸ずれ制御系22を介して2つの可動ミラー39,44の微動機構43,48の駆動量をそれぞれの補正レンジ(駆動ストローク)のほぼ中央に設定する。更に、再び露光光の位置ずれ量及び傾斜角を計測した後、ステップ105と同様に、主に光軸ずれ制御系22は、上記の連立方程式(3A),(3B)及び(4A),(4B)を解くことによって、露光光の位置ずれ量及び傾斜角に対応する可動ミラー39の反射面の角度及び可動ミラー44の反射面の角度を求める。これらの角度の符号を反転した角度が、可動ミラー39及び44の駆動機構による駆動量となる。但し、今回計算された駆動量は、粗動機構41,46による駆動量であるとみなす。次に、ステップ110に移行して、ステップ109で計算された粗動機構41,46の駆動量は、それぞれの補正レンジ(駆動ストローク)内かどうかが判定される。そして、その駆動量が粗動機構41,46の補正レンジを超える場合には、ステップ112に移行してオペレータコールが行われ、必要に応じて可動ミラー39,44の調整等が行われる。
If it is determined in
また、ステップ110で、駆動量が粗動機構41,46の補正レンジ内である場合には、ステップ111に移行して、光軸ずれ制御系22は、ステップ109で計算された駆動量だけ粗動機構41,46を駆動して、可動ミラー39,44の反射面の姿勢を制御する。その後、動作はステップ102に戻り、光量チェック、並びに光軸モニタ系20を用いた露光光の位置ずれ量及び傾斜角の計測が行われ、それに続くステップ103でそれらの位置ずれ量及び傾斜角が許容範囲である場合には、動作はステップ104に移行する。また、ステップ107で、ステップ106で駆動された微動機構43,48の駆動量がそれぞれの補正レンジの80%以下であると判定されたときには、動作はステップ102を経てステップ103に移行し、計測された露光光の位置ずれ量及び傾斜角が許容範囲である場合には、動作はステップ104に移行し、更にはステップ120以下の光軸のトラッキングに移行する。
If the drive amount is within the correction range of the
このように本例では、露光開始前の段階では、原則として可動ミラー39,44の微動機構43,48の駆動量が補正レンジの80%以内に収まるように粗動機構41,46を駆動しているため、走査露光時には微動機構43,48のみを用いて高速に可動ミラー39,44を制御して、露光本体部5に入射する露光光IL1の位置及び角度を所望の状態に制御できる。なお、ステップ111での粗動機構41,46の駆動の代わりに、制御を容易にするために、例えば第1の可動ミラー39(第1の反射部材)の粗動機構41のみを駆動してもよい。
Thus, in this example, before the start of exposure, as a general rule, the
次に、図8のステップ120の光軸トラッキング動作に移行したときには、図1の主制御系6の制御のもとで、可変減光フィルタ36の透過率が所定値に設定される。次のステップ121において、エキシマレーザ光源33の発光が開始され、露光本体部5においてレチクルステージ13及びウエハステージ8を同期して駆動することによってウエハWに対する走査露光が開始される。次のステップ122において、光軸ずれ制御系22は、光軸モニタ系20の検出信号を処理して、露光本体部5に入射する露光光IL1の位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYを求める。次のステップ123において、光軸ずれ制御系22は、ステップ105と同様にその位置ずれ量ΔX,ΔY及び傾斜角ΔθX,ΔθYに対応する可動ミラー39,44の反射面の角度(ΔθX1,ΔθY1)及び(ΔθX2,ΔθY2)を求める。これらの角度の符号を反転した角度が、可動ミラー39,44の駆動機構による駆動量となる。次のステップ124において、その計算された駆動量だけ、微動機構43,48を介して可動ミラー39,44の角度が制御される。
Next, when shifting to the optical axis tracking operation of step 120 in FIG. 8, the transmittance of the variable
この際に、本例では、原則としてステップ121の段階では、微動機構43,48の駆動量は補正レンジの80%以内に収まっているため、ステップ124における駆動量は、通常は微動機構43,48の補正レンジ内に収まっている。なお、ステップ123で計算された駆動量が、微動機構43,48の補正レンジから外れる場合には、ステップ124における微動機構43,48の駆動量は、補正レンジの上限又は下限でその駆動量に近い値とすればよい。
At this time, in this example, as a general rule, the driving amount of the
次のステップ125において、ウエハWへの走査露光が終了したかどうかを判定し、走査露光が終了していないときには、動作はステップ122に戻り、上記の露光光の位置ずれ量及び傾斜角の計測、駆動機構の駆動量の計算(ステップ123)、及び微動機構43,48の駆動(ステップ124)が繰り返される。このステップ122〜124の動作は、ほぼ微動機構43,48の応答周波数である数100Hz程度で、走査露光中に継続して実行される。
In the next step 125, it is determined whether or not the scanning exposure on the wafer W has been completed. If the scanning exposure has not been completed, the operation returns to step 122 to measure the above-described exposure light positional deviation and tilt angle. The calculation of the driving amount of the driving mechanism (step 123) and the driving of the
ステップ125において、ウエハWに対する走査露光が終了したときには、ステップ126で1ロットのウエハへの露光が終了したかどうかが判定され、終了していないときにはステップ127でウエハステージ8上のウエハの交換を行った後、ステップ121に移行して、微動機構43,48による光軸のトラッキングを行った状態でウエハへの走査露光が行われる。そして、ステップ126で全部のウエハへの露光が終了した時点でこの露光工程が終了する。
In step 125, when the scanning exposure for the wafer W is completed, it is determined in
このように本例では、粗動機構41,46を用いる光軸のキャリブレーションは1ロットの先頭ウエハに対して行うだけであるため、スループットは高く維持されている。そして、ウエハへの走査露光中には、応答速度の速い微動機構43,48を介して可動ミラー39,44の角度を制御しているため、仮に露光本体部5が僅かに振動しても、それに追従して露光本体部5に入射する露光光IL1の位置及び角度を制御できる。従って、露光光の光量変動が殆ど無い状態で、かつテレセントリシティを劣化させることなく走査露光が行われるため、レチクルRのパターン像を高精度にウエハ上に転写することができ、結果として高精度に半導体デバイスを製造できる。なお、本例において、ステップ124では、第2の可動ミラー44(第2の反射部材)の微動機構48のみを駆動してもよい。これによって、制御が容易になる。
As described above, in this example, the optical axis calibration using the
次に、本発明の第2の実施形態につき図9を参照して説明する。本例は、露光光源と露光本体部とが同じ床上に配置されている投影露光装置に本発明を適用したものである。以下、図9において、図2に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図9は、本例の投影露光装置の概略構成を示す斜視図であり、この図9において、或る半導体デバイス製造工場の所定の階の床上に、並列にエキシマレーザ光源33(露光光源)と露光本体部5とが配置されている。エキシマレーザ光源33と露光本体部5とは互いに異なる防振台上に設置されていてもよい。そして、エキシマレーザ光源33から射出された露光光IL(露光ビーム)は、シリンドリカルレンズ系34,35、可変減光フィルタ36を経てミラー部材70によって−Z方向に反射される。その露光光ILは、反射部材としての第1の可動ミラー39によって+X方向に反射されて反射部材としての第2の可動ミラー44に入射する。そして、可動ミラー44で−Y方向に反射された露光光ILは、シリンドリカルレンズ系49を経てミラー部材50によって+Z方向に反射された後、ビームスプリッタ19に入射する。ビームスプリッタ19を透過した露光光IL1は不図示のミラー部材を介して露光本体部5に供給され、ビームスプリッタ19で反射された露光光IL2は光軸モニタ系20に入射して、その位置ずれ量及び傾斜角が計測される。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, the present invention is applied to a projection exposure apparatus in which an exposure light source and an exposure main body are arranged on the same floor. Hereinafter, in FIG. 9, portions corresponding to those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
FIG. 9 is a perspective view showing a schematic configuration of the projection exposure apparatus of this example. In FIG. 9, an excimer laser light source 33 (exposure light source) and an excimer
本例においても、第1の可動ミラー39の反射面の直交する2軸の周りの角度及びその反射面の法線方向の位置を制御するために粗動機構41及び微動機構43が直列に設けられている。更に、第2の可動ミラー44の反射面の直交する2軸の周りの角度及びその反射面の法線方向の位置を制御するために粗動機構46及び微動機構48が直列に設けられている。そして、粗動機構41,46及び微動機構43,48を介して可動ミラー39及び44の反射面の角度を制御することによって、エキシマレーザ光源33で射出されて露光本体部5に入射する露光光IL1の位置及び角度を所定の状態に制御できる。これによって、露光本体部5に入射する露光光IL1の光量損失を少なくできるとともに、テレセントリシティを許容範囲内に維持することができる。また、必要に応じて、可動ミラー39,44の反射面を法線方向に移動することによって、露光光IL1の位置及び角度の制御精度を向上できる。
Also in this example, the
本例においても、2つの可動ミラー39及び44の反射面は、露光光ILの光軸の周りに相対的に90°回転しているため、露光光ILの位置を直交する2方向に平行移動できるとともに、直交する2方向への角度制御も効率的に行うことができる。
なお、上記の実施形態では、図2(A)及び図9に示すように、反射部材としての2つの可動ミラー39,44にそれぞれ粗動機構41,46と微動機構43,48とが備えられている。しかしながら、第1の可動ミラー39に粗動機構41のみを設け、第2の可動ミラー44に微動機構48のみを設けるようにしてもよい。
Also in this example, since the reflecting surfaces of the two
In the above-described embodiment, as shown in FIGS. 2A and 9, the two
また、上記の実施形態では、可動ミラー39,44に備えられている駆動機構は、粗動機構41,46と微動機構43,48とから構成されているが、例えば微動機構43,48の補正レンジを広くできる場合には、可動ミラー39,44にそれぞれ微動機構43,48のみを設けるだけでもよい。
また、上記の実施形態では、エキシマレーザ光源33(露光光源)と露光本体部5との間に反射部材としての2つの可動ミラー39,44が配置されているが、エキシマレーザ光源33と露光本体部5との間に3個以上の可動ミラー(駆動機構が設けられた反射部材)を配置してもよい。これによって、露光光源と露光本体部5とのレイアウトの自由度を更に高めることができる。
In the above embodiment, the drive mechanism provided in the
In the above embodiment, the two
逆に、例えばエキシマレーザ光源33(露光光源)と露光本体部5との間の光路が短いような場合には、エキシマレーザ光源33と露光本体部5との間に可動ミラー39又は44の一方(粗動機構及び微動機構の設けられた反射部材)のみを配置してもよい。
また、上記の実施形態では、モニタ装置としての光軸モニタ系20は、入射する露光光IL2の位置及び角度の両方を計測しているが、光軸モニタ系20は、入射する露光光IL2の位置及び角度の少なくとも一方を計測するだけでもよい。
On the other hand, for example, when the optical path between the excimer laser light source 33 (exposure light source) and the exposure
In the above-described embodiment, the optical
なお、上記の実施の形態は、本発明を走査露光型の投影露光装置に適用したものであるが、本発明は一括露光型の投影露光装置(ステッパー)で露光本体部と露光光源とが分離して配置されているような場合、又はプロキシミティ方式の露光装置で露光本体部(露光ビームで第1物体(レチクル)を介して第2物体(ウエハ)を露光する部分)と露光光源とが分離して配置されているような場合にも適用することができる。 In the above embodiment, the present invention is applied to a scanning exposure type projection exposure apparatus. However, the present invention is a batch exposure type projection exposure apparatus (stepper) in which an exposure main body and an exposure light source are separated. Or a proximity type exposure apparatus, the exposure main body (the portion that exposes the second object (wafer) through the first object (reticle) with the exposure beam) and the exposure light source The present invention can also be applied to a case where they are arranged separately.
また、上記の実施の形態の投影露光装置は、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 Further, the projection exposure apparatus of the above-described embodiment includes an illumination optical system composed of a plurality of lenses, a projection optical system incorporated in the exposure apparatus main body, optical adjustment, and a reticle stage and wafer stage made up of a large number of mechanical parts. Is attached to the exposure apparatus main body, wiring and piping are connected, and further comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.) is performed. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
更に、上記の実施の形態の投影露光装置を用いてウエハ上に半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいたレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、上記の実施の形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、及び検査ステップ等を経て製造される。 Further, when a semiconductor device is manufactured on a wafer using the projection exposure apparatus of the above-described embodiment, the semiconductor device includes a step of designing a function / performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on this step, A step of manufacturing a wafer from a silicon material, a step of performing alignment with the projection exposure apparatus of the above-described embodiment and exposing a pattern of a reticle onto the wafer, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process), and Manufactured through inspection steps.
なお、本発明の露光装置の用途としては半導体デバイス製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。 Note that the use of the exposure apparatus of the present invention is not limited to the exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices. For example, the exposure for a display apparatus such as a liquid crystal display element formed on a square glass plate or a plasma display. The present invention can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing various devices such as an apparatus, an image sensor (CCD, etc.), a micromachine, a thin film magnetic head, and a DNA chip. Furthermore, the present invention can also be applied to an exposure process (exposure apparatus) when manufacturing a mask (photomask, reticle, etc.) on which mask patterns of various devices are formed using a photolithography process.
更に、本発明は露光ビームとして、紫外光のみならず、X線や荷電粒子線等を使用する露光装置にも適用できるのは明きらかである。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。 Further, it is apparent that the present invention can be applied not only to ultraviolet light but also to an exposure apparatus that uses an X-ray, a charged particle beam or the like as an exposure beam. Thus, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.
本発明のデバイス製造方法によれば、デバイス製造工場におけるレイアウトの自由度を高めることができるとともに、露光ビームの利用効率を高く維持することができ、デバイスの製造コストを低減できる。 According to the device manufacturing method of the present invention, the degree of freedom of layout in the device manufacturing factory can be increased, the use efficiency of the exposure beam can be maintained high, and the device manufacturing cost can be reduced.
1,2…床、5…露光本体部、6…主制御系、8…ウエハステージ、W…ウエハ、R…レチクル、PL…投影光学系、13…レチクルステージ、15…照明光学系、20…光軸モニタ系、22…光軸ずれ制御系、33…エキシマレーザ光源、34,35,49…シリンドリカルレンズ系、36…可変減光フィルタ、39,44…可動ミラー、41,46…粗動機構、43,48…微動機構、68A,68B…位置モニタ、69A,69B…角度モニタ
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記露光光源で発生された前記露光ビームを順次反射させて前記露光本体部に導くように配置された複数の反射部材と、
前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求めるモニタ装置と、
前記モニタ装置で求められた情報に基づいて前記複数の反射部材のそれぞれの反射面の姿勢を制御する駆動機構とを有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus comprising: an exposure light source that generates an exposure beam; and an exposure main body that illuminates a first object with the exposure beam and exposes a second object through the first object with the exposure beam.
A plurality of reflecting members arranged to sequentially reflect the exposure beam generated by the exposure light source and guide the exposure beam to the exposure main body;
A monitor device for obtaining information on at least one of the position and angle of the exposure beam;
An exposure apparatus comprising: a drive mechanism that controls the postures of the reflecting surfaces of the plurality of reflecting members based on information obtained by the monitor device.
前記微動機構は、対応する前記反射面の法線方向の位置と、前記反射面の交差する2軸の周りの傾斜角とを制御することを特徴とする請求項2又は3に記載の露光装置。 The coarse movement mechanism controls an inclination angle around two intersecting axes of the corresponding reflecting surfaces,
4. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the fine movement mechanism controls a position in a normal direction of the corresponding reflecting surface and an inclination angle about two axes intersecting the reflecting surface. 5. .
前記露光光源で発生された前記露光ビームを反射して、前記露光ビームを前記露光本体部に導くように配置された反射部材と、
前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求めるモニタ装置と、
前記反射部材の反射面の姿勢を粗調整する粗動機構と、前記反射面の姿勢を微調整する微動機構とを備え、前記モニタ装置で求められた情報に基づいて動作する駆動機構と、
を有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus comprising: an exposure light source that generates an exposure beam; and an exposure main body that illuminates a first object with the exposure beam and exposes a second object through the first object with the exposure beam.
A reflecting member arranged to reflect the exposure beam generated by the exposure light source and guide the exposure beam to the exposure main body;
A monitor device for obtaining information on at least one of the position and angle of the exposure beam;
A drive mechanism that operates based on information obtained by the monitor device, comprising a coarse movement mechanism that coarsely adjusts the posture of the reflection surface of the reflection member, and a fine movement mechanism that finely adjusts the posture of the reflection surface;
An exposure apparatus comprising:
前記第2物体の露光開始時に、前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求め、該情報に基づき、前記露光光源からの前記露光ビームを前記露光本体部に導くために配置された第1反射部材を駆動して、前記露光本体部に入射する前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を粗調整する第1工程と、
前記第2物体の露光中に、前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方の情報を求め、該情報に基づき、第2反射部材を駆動して、前記露光本体部に入射する前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を微調整する第2工程と、
を有することを特徴とする露光方法。 In an exposure method for guiding an exposure beam from an exposure light source to an exposure main body, illuminating a first object with the exposure beam, and exposing a second object through the first object,
At the start of exposure of the second object, information on at least one of the position and angle of the exposure beam is obtained, and based on the information, a first beam arranged to guide the exposure beam from the exposure light source to the exposure main body section. A first step of driving one reflecting member to roughly adjust at least one of the position and angle of the exposure beam incident on the exposure main body;
During exposure of the second object, information on at least one of the position and angle of the exposure beam is obtained, and the position of the exposure beam incident on the exposure main body by driving the second reflecting member based on the information. And a second step of finely adjusting at least one of the angles;
An exposure method comprising:
前記第2反射部材を駆動する駆動機構は、前記第2反射部材の反射面の姿勢を、前記粗動機構よりも高速にかつ高精度に制御する微動機構を備え、
前記第1工程では、前記粗動機構を駆動して、前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を前記微動機構による調整可能範囲内に追い込み、
前記第2工程では、前記粗動機構を使うことなしに、前記微動機構により前記露光ビームの位置及び角度の少なくとも一方を微調整することを特徴とする請求項12に記載の露光方法。 The drive mechanism that drives the first reflecting member includes a coarse movement mechanism that controls the posture of the reflecting surface of the first reflecting member at a low speed and roughly,
The driving mechanism for driving the second reflecting member includes a fine movement mechanism that controls the posture of the reflecting surface of the second reflecting member at a higher speed and with higher accuracy than the coarse movement mechanism,
In the first step, the coarse movement mechanism is driven to drive at least one of the position and angle of the exposure beam into an adjustable range by the fine movement mechanism,
13. The exposure method according to claim 12, wherein in the second step, at least one of a position and an angle of the exposure beam is finely adjusted by the fine movement mechanism without using the coarse movement mechanism.
前記リソグラフィ工程で請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置を用いてパターンを感光体に転写することを特徴とするデバイス製造方法。 A device manufacturing method including a lithography process,
A device manufacturing method, wherein a pattern is transferred to a photoreceptor using the exposure apparatus according to claim 1 in the lithography process.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007085607A (en) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hitachi Plant Technologies Ltd | Precision temperature control device |
JP2007201342A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nikon Corp | Optical member holding apparatus, optical unit and exposure device |
JP2009123888A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nikon Corp | Lighting optical device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2010192868A (en) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Nikon Corp | Unit for uniformization, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012123128A (en) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and manufacturing method for display panel substrate |
JP2014511574A (en) * | 2011-02-28 | 2014-05-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Illumination system of microlithographic projection exposure apparatus |
JP2018165793A (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Proximity exposure method and proximity exposure device |
-
2003
- 2003-12-19 JP JP2003423719A patent/JP2005183736A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007085607A (en) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hitachi Plant Technologies Ltd | Precision temperature control device |
JP4492504B2 (en) * | 2005-09-21 | 2010-06-30 | 株式会社日立プラントテクノロジー | Precision temperature control device |
JP2007201342A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nikon Corp | Optical member holding apparatus, optical unit and exposure device |
JP2009123888A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nikon Corp | Lighting optical device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2010192868A (en) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Nikon Corp | Unit for uniformization, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012123128A (en) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and manufacturing method for display panel substrate |
JP2014511574A (en) * | 2011-02-28 | 2014-05-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Illumination system of microlithographic projection exposure apparatus |
US9280055B2 (en) | 2011-02-28 | 2016-03-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2018165793A (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Proximity exposure method and proximity exposure device |
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