JP2005183031A - Substrate joint body, manufacturing method of substrate joint body, electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Substrate joint body, manufacturing method of substrate joint body, electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate joint body capable of securing space between an electro-optical substrate and a driving circuit substrate, and of securing conductive connection between a luminescent function element and a drive element by restraining separation, breakage and the like of a conductive member even when warpage or the like of the substrate occurs. <P>SOLUTION: This substrate joint body 2 is composed by sticking a first substrate 3 with a first function element 13 formed to a second substrate 4 with a second function element 21 formed. A joint part 50 for conductively connecting the first function element 13 to the second function element 21 is formed with a resin core part 51 and a conduction part 52 partially or entirely covering the resin core part 51. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及電子機器に関し、特に、電子素子の転写に用いられる接合材の配置技術に関する。   The present invention relates to a substrate bonded body, a method for manufacturing a substrate bonded body, an electro-optical device, and an electronic apparatus, and more particularly to a technique for arranging a bonding material used for transferring an electronic element.

近年、異なる２種類の基板を貼り合わせる基板接合体の製造方法においては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）素子等の発光機能素子が形成された電気光学基板と、当該発光機能素子を発光させる駆動素子が形成された駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法が提案されている（特許文献１参照）。   In recent years, in a method for manufacturing a substrate assembly in which two different types of substrates are bonded together, for example, an electro-optical substrate on which a light-emitting functional element such as an organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element is formed, and the light-emitting function. There has been proposed a method of manufacturing an electro-optical device by bonding a drive circuit substrate on which a drive element that emits light is formed (see Patent Document 1).

このような基板接合体の製造方法においては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々に製造しておき、両者を貼り合わせて電気光学装置を製造するため、駆動回路基板に関しては、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）等の駆動素子を形成もしくは転写した後の必要な工程が極僅かで済むため、製造工程によって駆動素子が損傷される可能性を大幅に低減される。また、電気光学基板と駆動回路基板とを別工程で製造するため、歩留まりが向上する。場合によっては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々の工場或いは異なった企業においてそれぞれ製造し、最終的に両者を張り合わせるといった製造方法も可能であるから、製造コストの低減を図る上でも極めて有利な方法となる。また、比較的低額の設備投資によって大画面の電気光学装置を製造することが可能となる。
特開２００２−０８２６３３号公報 In such a method for manufacturing a substrate assembly, an electro-optical substrate and a drive circuit substrate are manufactured separately, and an electro-optical device is manufactured by bonding them together. The number of necessary steps after forming or transferring a drive element such as TFT is reduced, and the possibility of damage to the drive element during the manufacturing process is greatly reduced. Further, since the electro-optic substrate and the drive circuit substrate are manufactured in separate processes, the yield is improved. In some cases, it is possible to manufacture the electro-optic board and the drive circuit board in different factories or different companies, and finally combine them together, which is extremely effective in reducing the manufacturing cost. This is an advantageous method. In addition, a large screen electro-optical device can be manufactured with a relatively low capital investment.
JP 2002-082633 A

ところで、上記製造方法においては、銀ペースト等の導電性部材を介して発光機能素子と駆動素子とを導通接続し、電気光学基板と駆動回路基板と間に封止樹脂を外周から充填していた。
しかしながら、この方法では、両基板間に銀ペースト等からなる導電性部材を立設させることにより、両基板間に所定の隙間を確保しているが、銀ペーストは構造体としての強度が低いので、この隙間を確保することが困難であるという問題がある。
また、両基板に外力が加わったり、反りが発生したりした場合には、銀ペーストに応力が集中して、剥がれや破損が生じることにより、電気光学基板と駆動回路基板との導通接続を確保することができないという問題がある。 By the way, in the above manufacturing method, the light emitting functional element and the driving element are conductively connected via a conductive member such as silver paste, and the sealing resin is filled from the outer periphery between the electro-optic board and the driving circuit board. .
However, in this method, a predetermined gap is secured between the two substrates by erecting a conductive member made of silver paste or the like between the two substrates, but silver paste has low strength as a structure. There is a problem that it is difficult to secure this gap.
Also, when external force is applied to both boards or warping occurs, stress concentrates on the silver paste, causing peeling and damage, ensuring a conductive connection between the electro-optic board and the drive circuit board. There is a problem that you can not.

本発明は、上述の課題に鑑みて創案されたものであって、電気光学基板と駆動回路基板と間の隙間を確保すると共に、基板の反り等が発生した場合であっても、導電性部材の剥がれや破壊等を抑えて、発光機能素子と駆動素子との導通接続を確保することができる基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been devised in view of the above-described problems, and ensures a gap between the electro-optic substrate and the drive circuit substrate, and even when the substrate is warped, the conductive member is provided. An object of the present invention is to provide a substrate bonded body, a method for manufacturing the substrate bonded body, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can secure a conductive connection between the light emitting functional element and the driving element while suppressing peeling and destruction of the substrate. To do.

本発明に係る基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、第１機能素子が形成された第１基板と第２機能素子が形成された第２基板とを貼り合わせた基板接合体において、第１機能素子と第２機能素子とを導通接続する接合部が、樹脂コア部と、該樹脂コア部の一部或いは全面を覆う導通部とから形成されるようにした。この発明によれば、両基板間に樹脂材料により形成された樹脂コア部が配置されるので、両基板間に所定の隙間を形成することができる。また、樹脂コア部が接合部に加わった衝撃を緩和するので、導通部の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。 In order to solve the above-described problems, the following methods are employed in the method for manufacturing a substrate assembly, the substrate assembly, the method for manufacturing an electro-optical device, the electro-optical device, and the electronic apparatus according to the present invention.
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate joined body in which a first substrate on which a first functional element is formed and a second substrate on which a second functional element is bonded, and the first functional element and the second functional element are combined. The joint part to be conductively connected is formed from a resin core part and a conductive part that covers a part or the entire surface of the resin core part. According to this invention, since the resin core part formed with the resin material is disposed between the two substrates, a predetermined gap can be formed between the two substrates. Moreover, since the impact which the resin core part added to the junction part is relieved, damage to a conduction | electrical_connection part can be avoided and conduction | electrical_connection connection can be maintained.

また、樹脂コア部には、貫通孔が設けられると共に、該貫通孔に導通部が配置されるものでは、第１機能素子と導通部との導通接続を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部は、第１機能素子に接続する端子部上に、該端子部の一部を露出させるように形成されるものでは、露出する端子部上に銀ペーストを配置することにより、第１機能素子に接続する端子部と導通部との導通接続を確保することができる。 In addition, when the resin core portion is provided with a through hole and the conductive portion is disposed in the through hole, the conductive connection between the first functional element and the conductive portion can be reliably obtained.
In addition, the resin core part is formed on the terminal part connected to the first functional element so as to expose a part of the terminal part.By disposing silver paste on the exposed terminal part, A conductive connection between the terminal portion connected to the first functional element and the conductive portion can be ensured.

第２の発明は、第１基板上に形成された第１機能素子を第２基板上に形成された第２機能素子上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法において、第１基板上或いは第２基板上の少なくとも一方に対して樹脂コア部を形成する工程と、樹脂コア部の一部或いは全面に第１機能素子と第２機能素子とを導通接続する導通部を配置する工程とを有するようにした。この発明によれば、両基板間に樹脂材料により形成された樹脂コア部が配置されるので、両基板間に所定の隙間を形成することができる。また、樹脂コア部が接合部に加わった衝撃を緩和するので、接合部（特に導通部）の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a substrate assembly including a step of transferring and arranging a first functional element formed on a first substrate on a second functional element formed on a second substrate. Forming a resin core portion on at least one of the upper substrate and the second substrate; and disposing a conductive portion for electrically connecting the first functional element and the second functional element on a part or the entire surface of the resin core portion. And to have. According to this invention, since the resin core part formed with the resin material is disposed between the two substrates, a predetermined gap can be formed between the two substrates. Moreover, since the impact which the resin core part added to the junction part is relieved, damage to a junction part (especially conduction | electrical_connection part) can be avoided and conduction | electrical_connection connection can be maintained.

また、樹脂コア部は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた後の間隔よりも高く形成されるものでは、両基板を貼り合わせることにより、樹脂コア部が押し潰され、その反力により樹脂コア部の表面に配置した導通部が第１基板或いは第２基板に押し付けられ、第１機能素子或いは第２機能素子との導通接続を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部に、第１基板及び／叉は第２基板に垂直な方向に略平行な貫通孔を形成する工程を有するものでは、第１機能素子或いは第２機能素子と導通部との導通を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部上に導通部を配置するに先立って、樹脂コア部の表面をプラズマ処理するものでは、樹脂コア部の表面に導通部を確実に付着させることができる。
そして、樹脂コア部形成工程は、液滴吐出法、転写法、或いはリソグラフ法のいずれかにより行うことができる。また、導通部配置工程は、印刷法、転写法、或いは液滴吐出法のいずれかにより行うことができる。 Further, in the case where the resin core portion is formed higher than the interval after the first substrate and the second substrate are bonded together, the resin core portion is crushed by bonding both substrates, and the reaction force As a result, the conductive portion disposed on the surface of the resin core portion is pressed against the first substrate or the second substrate, and a conductive connection with the first functional element or the second functional element can be obtained with certainty.
In the case where the resin core has a step of forming a through hole substantially parallel to a direction perpendicular to the first substrate and / or the second substrate, the first functional element or the second functional element and the conduction portion Conductivity can be reliably obtained.
In addition, in the case where the surface of the resin core part is subjected to plasma treatment prior to disposing the conductive part on the resin core part, the conductive part can be reliably attached to the surface of the resin core part.
The resin core portion forming step can be performed by any one of a droplet discharge method, a transfer method, and a lithographic method. In addition, the conductive portion arranging step can be performed by any one of a printing method, a transfer method, and a droplet discharge method.

第３の発明は、電気光学装置が第１の発明の基板接合体或いは第２の発明の製造方法により製造された基板接合体を備えるようにした。
第４の発明は、電子機器が第３の発明の電気光学装置を備えるようにした。
第３、第４の発明の電気光学装置、電子機器によれば、接合部により第１基板に形成された電子素子と第２基板に形成された配線との導通接続が確実に確保されるので、品質の向上が図られる。 In a third aspect of the invention, the electro-optical device includes the substrate bonded body manufactured by the substrate bonded body of the first invention or the manufacturing method of the second invention.
In a fourth aspect of the invention, the electronic apparatus includes the electro-optical device of the third aspect of the invention.
According to the electro-optical device and the electronic apparatus of the third and fourth inventions, the conductive connection between the electronic element formed on the first substrate and the wiring formed on the second substrate is reliably ensured by the joint portion. The quality is improved.

以下、本発明の基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
ここで、図１は有機ＥＬ装置の第１実施形態の要部構成を示す断面図、図２は樹脂コア部の第１実施形態を示す斜視図、図３から図９は有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, embodiments of a substrate bonded body, a method for manufacturing a substrate bonded body, an electro-optical device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
Here, FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the main part of the first embodiment of the organic EL device, FIG. 2 is a perspective view showing the first embodiment of the resin core portion, and FIGS. It is explanatory drawing for demonstrating a process.
In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

（有機ＥＬ装置）
図１に示すように、有機ＥＬ装置（電気光学装置）１は、少なくとも基板接合体２を具備した構成となっている。当該基板接合体２は、配線基板（第１基板、駆動回路基板）３と、有機ＥＬ基板（第２基板、電気光学基板）４とを、後述の接合部５０を介して貼り合わせて接合された構成となっている。 (Organic EL device)
As shown in FIG. 1, the organic EL device (electro-optical device) 1 has a configuration including at least a substrate assembly 2. The substrate assembly 2 is bonded by bonding a wiring substrate (first substrate, drive circuit substrate) 3 and an organic EL substrate (second substrate, electro-optic substrate) 4 via a bonding portion 50 described later. It becomes the composition.

配線基板３は、基板１０と、基板１０上に形成された所定形状の配線パターン１１と、有機ＥＬ素子２１を駆動させるＴＦＴ（第１機能素子、駆動素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを接合するＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ素子２１と配線パターン１１とを接合する有機ＥＬ接続部（端子部）１５と、層間絶縁膜１６とによって構成されている。
ここで、ＴＦＴ接続部１４は、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペースト１７は、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。 The wiring substrate 3 includes a substrate 10, a wiring pattern 11 having a predetermined shape formed on the substrate 10, a TFT (first functional element, driving element) 13 for driving the organic EL element 21, a TFT 13, and the wiring pattern 11. The TFT connecting portion 14 for bonding the organic EL element 21, the organic EL connecting portion (terminal portion) 15 for bonding the organic EL element 21 and the wiring pattern 11, and the interlayer insulating film 16.
Here, the TFT connection portion 14 is formed according to the terminal pattern of the TFT, and includes a bump formed by an electroless plating process and a conductive paste applied and formed on the bump. The conductive paste 17 contains anisotropic conductive particles (ACP).

有機ＥＬ基板４は、発光光が透過する透明基板２０と、有機ＥＬ素子（第２機能素子、発光機能素子）２１と、絶縁膜２２と、陰極（発光機能素子、カソード）２５とによって構成されている。
ここで、有機ＥＬ素子２１は、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極と、正孔注入／輸送層と、有機ＥＬ素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機ＥＬ素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子２１と陰極２５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。 The organic EL substrate 4 includes a transparent substrate 20 through which emitted light is transmitted, an organic EL element (second functional element, light emitting functional element) 21, an insulating film 22, and a cathode (light emitting functional element, cathode) 25. ing.
Here, the organic EL element 21 has an anode made of a transparent metal such as ITO, a hole injection / transport layer, and an organic EL element, and holes generated at the anode and electrons generated at the cathode are generated. By combining with an organic EL element, light is emitted. In addition, a well-known technique is employ | adopted for the detailed structure of such an organic EL element. Further, an electron injection / transport layer may be formed between the organic EL element 21 and the cathode 25.

更に、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間には、本発明の特徴である樹脂コア部５１と導通材５２とから構成され、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５と導通接続すると共に配線基板３と有機ＥＬ基板４とを支持する接合部５０と、当該両基板３，４の外周を封止する封止部３２とが設けられ、そして、当該両基板３，４間の空間には不活性ガス３１が充填されている。   Further, the wiring board 3 and the organic EL substrate 4 are composed of a resin core portion 51 and a conductive material 52, which are features of the present invention, and are electrically connected to the organic EL connection portion 15 and the cathode 25, and are also connected to the wiring substrate. 3 and the organic EL substrate 4 and a sealing portion 32 for sealing the outer peripheries of the substrates 3 and 4 are provided. The active gas 31 is filled.

（樹脂コア部の第１実施形態）
本発明の第１実施形態として示す樹脂コア部５１は、図２に示しように、有機ＥＬ接続部１５上に柱状に形成される。そして、有機ＥＬ接続部１５も小さく形成される。すなわち、樹脂コア部５１は、有機ＥＬ接続部１５の一部を覆い、有機ＥＬ接続部１５の残りの部分が露出するように形成される。これは、樹脂コア部５１が絶縁性（非導通性）であるため、樹脂コア部５１上に配置される導通材５２を露出した有機ＥＬ接続部１５に接触させて、電気的接続（導通）を確保する必要があるからである。
なお、図２（ａ）は樹脂コア部５１の全面に導通材５２を配置した場合、図２（ｂ）は樹脂コア部５１の一部に導通材５２を配置した場合、図２（ｃ）は、樹脂コア部５１の一部を有機ＥＬ接続部１５上に配置した場合を示す。
有機ＥＬ装置１に形成される全ての樹脂コア部５１の高さは略同一に形成される。なお、樹脂コア部５１の形成高さは、貼り合わせ後の配線基板３と有機ＥＬ基板４との間隔よりも高く形成される。すなわち、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせることにより、樹脂コア部５１が押し潰されるようになっている。このように、樹脂コア部５１を押し潰すことにより、その反力により、樹脂コア部５１上に配置される導通材５２が有機ＥＬ基板４の陰極２５に押し付けられ、導通材５２と有機ＥＬ基板４の陰極２５との電気的接続（導通）を確保することができる。
樹脂コア部形成材料としては、ポリイミド、ポリカーボネイト、アクリル、ポリメチルメタクリレート等の樹脂材料が用いられる。樹脂コア部５１の形成方法として、リソグラフ法を用いる場合には、感光性を備える樹脂材料が用いられる。 (First embodiment of resin core part)
The resin core part 51 shown as 1st Embodiment of this invention is formed in column shape on the organic electroluminescent connection part 15, as shown in FIG. And the organic EL connection part 15 is also formed small. That is, the resin core part 51 is formed so as to cover a part of the organic EL connection part 15 and to expose the remaining part of the organic EL connection part 15. This is because the resin core portion 51 is insulative (non-conductive), so that the conductive material 52 disposed on the resin core portion 51 is brought into contact with the exposed organic EL connection portion 15 to be electrically connected (conductive). This is because it is necessary to secure this.
2A shows a case where the conductive material 52 is arranged on the entire surface of the resin core portion 51, and FIG. 2B shows a case where the conductive material 52 is arranged on a part of the resin core portion 51. FIG. These show the case where a part of resin core part 51 is arrange | positioned on the organic EL connection part 15. FIG.
All the resin core parts 51 formed in the organic EL device 1 are formed with substantially the same height. In addition, the formation height of the resin core part 51 is formed higher than the space | interval of the wiring board 3 and the organic electroluminescent board | substrate 4 after bonding. That is, the resin core portion 51 is crushed by bonding the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 together. Thus, by crushing the resin core portion 51, the conductive material 52 disposed on the resin core portion 51 is pressed against the cathode 25 of the organic EL substrate 4 by the reaction force, and the conductive material 52 and the organic EL substrate are pressed. Thus, electrical connection (conduction) with the four cathodes 25 can be ensured.
As the resin core portion forming material, a resin material such as polyimide, polycarbonate, acrylic, polymethyl methacrylate, or the like is used. When the lithographic method is used as a method for forming the resin core portion 51, a resin material having photosensitivity is used.

導通材５２は、銀ペーストであって、後述するように配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせることによって潰れて変形するものである。なお、銀材料に導電性かつ可塑性の材料であれば、必ずしもペースト状である必要はなく、導電性材料も好適なものが採用される。
導通材５２は、図２に示すように、樹脂コア部２１の上面を含む全面或いは一部を覆う。更に、有機ＥＬ接続部１５の一部も覆う。上述したように、有機ＥＬ接続部１５の一部を覆うことにより、配線基板３の導通材５２と有機ＥＬ接続部１５との電気的接続（導通）を確保するためである。また、樹脂コア部２１の上面を覆うのは、上述したように、導通材５２と有機ＥＬ基板４の陰極２５との電気的接続（導通）を確保するためである。 The conductive material 52 is a silver paste, and is crushed and deformed by bonding the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 together as will be described later. If the silver material is a conductive and plastic material, it is not necessarily a paste, and a suitable conductive material is also used.
As shown in FIG. 2, the conductive material 52 covers the entire surface or part of the resin core portion 21 including the upper surface. Furthermore, a part of the organic EL connection portion 15 is also covered. As described above, this is to ensure electrical connection (conduction) between the conductive material 52 of the wiring board 3 and the organic EL connection portion 15 by covering a part of the organic EL connection portion 15. Moreover, the reason why the upper surface of the resin core portion 21 is covered is to ensure electrical connection (conduction) between the conductive material 52 and the cathode 25 of the organic EL substrate 4 as described above.

不活性ガス３１は、公知のガスが採用され、本実施形態では窒素（Ｎ２）ガスを採用する。他のガスとしてはＡｒ等の希ガスが好ましく、また、不活性の性質を有していれば、混合ガスであってもよい。この不活性ガス３１は、後述する配線基板３と有機ＥＬ基板４との貼り合わせ工程の前後において封入されるものである。
なお、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に充填する物質として、必ずしも気体を限定する必要はなく、不活性な液体を用いてもよい。 As the inert gas 31, a known gas is employed, and in this embodiment, nitrogen (N 2 ) gas is employed. The other gas is preferably a rare gas such as Ar, and may be a mixed gas as long as it has an inert property. The inert gas 31 is sealed before and after the bonding process between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 described later.
Note that the material to be filled between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 is not necessarily limited to a gas, and an inert liquid may be used.

封止部３２は、所謂缶封止によって構成された部位であり、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の周辺に設けられたものである。なお、缶封止に限定することなく、封止樹脂を用いてもよく、いずれにしても、有機ＥＬ素子２１の劣化を招く物質が侵入しないような構成であれば、好適に採用される。
また、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に、有機ＥＬ素子２１を劣化させる水分を吸収する吸湿剤を設けてもよい。 The sealing portion 32 is a portion configured by so-called can sealing, and is provided around the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4. It should be noted that a sealing resin may be used without being limited to can sealing, and in any case, any structure that does not invade a substance that causes deterioration of the organic EL element 21 is suitably employed.
Further, a moisture absorbent that absorbs moisture that degrades the organic EL element 21 may be provided between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4.

なお、本実施形態においては、電気光学基板として有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤやＦＥＤ等の固体発光機能素子、また、発光能を備えるポーラス状のシリコン素子を有する電気光学基板を採用してもよい。   In the present embodiment, a case where an organic EL substrate having an organic EL element is employed as an electro-optical substrate will be described. An electro-optical substrate having a porous silicon element including the above may be adopted.

（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１の製造方法について図３から図９を参照して説明する。 (Method for manufacturing organic EL device)
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

（基礎基板の製造方法）
まず、図３を参照し、ＴＦＴ１３を配線基板３に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。 (Basic substrate manufacturing method)
First, with reference to FIG. 3, a process of forming TFTs on the base substrate 40 will be described as a pre-process for bonding and transferring the TFTs 13 to the wiring board 3.
In addition, since the well-known technique including a high temperature process is employ | adopted for the manufacturing method of TFT13, description is abbreviate | omitted and the base substrate 40 and the peeling layer 41 are explained in full detail.
The base substrate 40 is not a component of the organic EL device 1 but a member used only for the TFT manufacturing process, the bonding and transfer process. Specifically, a translucent heat-resistant substrate such as quartz glass that can withstand about 1000 ° C. is preferable. In addition to quartz glass, heat-resistant glass such as soda glass, Corning 7059, and Nippon Electric Glass OA-2 can be used.
The thickness of the base substrate is not greatly limited, but is preferably about 0.1 mm to 0.5 mm, more preferably about 0.5 mm to 1.5 mm. This is because if the thickness of the base substrate is too thin, the strength is reduced, and if it is too thick, the irradiation light is attenuated when the transmittance of the base is low. However, when the transmittance of the irradiation light of the base is high, the thickness can be increased beyond the upper limit.

剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。   The peeling layer 41 is made of a material that causes peeling (also referred to as “in-layer peeling” or “interface peeling”) in the layer or at the interface by irradiation light such as laser light. That is, by irradiating with a certain intensity of light, the bonding force between atoms or molecules in the atoms or molecules constituting the constituent material disappears or decreases, causing ablation or the like and causing separation. is there. In addition, when the component contained in the release layer 41 is released as a gas due to irradiation with irradiation light, the separation layer 41 absorbs light and becomes a gas, and the vapor is released to separate. May lead to.

剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。   As a composition of the peeling layer 41, for example, amorphous silicon (a-Si) is adopted, and hydrogen (H) may be contained in the amorphous silicon. It is preferable that hydrogen is contained because the release of hydrogen by light irradiation generates an internal pressure in the peeling layer 42, which promotes peeling. In this case, the hydrogen content is preferably about 2 at% or more, more preferably 2 to 20% at%. The hydrogen content should be set appropriately for film formation conditions, such as the gas composition, gas pressure, gas atmosphere, gas flow rate, gas temperature, substrate temperature, and power to be applied when using the CVD method. Adjust by. Other release layer materials include silicon oxide or silicate compounds, nitride ceramics such as silicon nitride, aluminum nitride, and titanium nitride, organic polymer materials (those whose interatomic bonds are broken by light irradiation), A metal, for example, Al, Li, Ti, Mn, In, Sn, Y, La, Ce, Nd, Pr, Gd, or Sm, or an alloy containing at least one of them can be given.

剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。   The thickness of the release layer 41 is preferably about 1 nm to 20 μm, more preferably about 10 nm to 2 μm, and further preferably about 20 nm to 1 μm. This is because if the thickness of the release layer 41 is too thin, the uniformity of the formed film thickness is lost and unevenness occurs in the release. If the thickness of the release layer 41 is too thick, the irradiation light necessary for the release is removed. It is necessary to increase the power (light quantity), and it takes time to remove the residue of the release layer 41 remaining after the release.

剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。   The formation method of the peeling layer 41 should just be a method which can form the peeling layer 41 by uniform thickness, and can be suitably selected according to various conditions, such as a composition and thickness of the peeling layer 41. FIG. For example, various vapor deposition methods such as CVD (including MOCCVD, low pressure CVD, ECR-CVD), vapor deposition, molecular beam vapor deposition (MB), sputtering, ion doping, PVD, electroplating, immersion plating (dipping) ), Various plating methods such as electroless plating method, Langmuir Projet (LB) method, spin coating method, spray coating method, roll coating method and other coating methods, various printing methods, transfer methods, ink jet methods, powder jet methods Applicable to etc. Of these, two or more methods may be combined.

特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。   In particular, when the composition of the release layer 41 is amorphous silicon (a-Si), it is preferable to form the film by a CVD method, particularly by low pressure CVD or plasma CVD. Further, when the release layer 41 is formed by using a ceramic by a sol-gel method or is made of an organic polymer material, it is preferably formed by a coating method, particularly by spin coating.

（配線基板の製造方法）
次に、図３に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図４に示す配線基板３の製造工程が行われる。
図４に示すように、基板１０上に配線パターン１１と、層間絶縁膜１６と、ＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ接続部１５とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて基板１０上に形成してもよい。このような配線パターン１１を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
なお、基板１０の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２等を形成してもよい。また、図４では、配線パターンが１層のみ形成された構造について説明しているが、２層や３層構造であってもよい。また、配線材料は、ＡｌやＡｌ合金のみに限定することなく、Ａｌ等の低抵抗金属をＴｉやＴｉ化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Ａｌ配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。 (Method for manufacturing a wiring board)
Next, in parallel with the manufacturing process of the base substrate 40 shown in FIG. 3, the manufacturing process of the wiring board 3 shown in FIG. 4 is performed.
As shown in FIG. 4, the wiring pattern 11, the interlayer insulating film 16, the TFT connection portion 14, and the organic EL connection portion 15 are sequentially formed on the substrate 10. As a method for forming the wiring pattern, a known technique such as a photolithography method is employed. Alternatively, a dispersion liquid in which metal fine particles are dispersed in a solvent may be formed on the substrate 10 by a droplet discharge method (inkjet method). As a material constituting such a wiring pattern 11, it is preferable to employ a low resistance material, and it is preferable to use Al or an Al alloy (Al · Cu alloy or the like).
Note that a silicon oxide film (SiO 2 or the like may be formed on the surface of the substrate 10 as a base insulating film. Further, FIG. 4 illustrates a structure in which only one wiring pattern is formed. The wiring material is not limited to Al or Al alloy, but may be a sandwich structure in which a low resistance metal such as Al is laminated with Ti or a Ti compound. By doing so, the barrier property and hillock resistance against the Al wiring can be improved.

次に、配線パターン１１上に層間絶縁膜１６を形成する。当該層間絶縁膜１６は、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、スピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜１６を形成することができる。更に、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜１６にＴＦＴ接続部１４及び有機ＥＬ接続部１５を形成するための開口部を形成する。   Next, an interlayer insulating film 16 is formed on the wiring pattern 11. The interlayer insulating film 16 is preferably formed of an acrylic resin, and the interlayer insulating film 16 with high precision flatness can be formed by using a liquid phase method such as a spin coating method. Furthermore, an opening for forming the TFT connection portion 14 and the organic EL connection portion 15 is formed in the interlayer insulating film 16 by exposure through a mask or photolithography.

次に、無電解メッキ法を用いてＴＦＴ接続部１４を形成する。当該ＴＦＴ接続部１４は、所謂バンプである。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をＺｎに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。 Next, the TFT connection portion 14 is formed using an electroless plating method. The TFT connection portion 14 is a so-called bump.
First, in order to improve the wettability of the pad surface for plating growth and to remove the residue, it is impregnated in an aqueous solution containing hydrofluoric acid and sulfuric acid. Thereafter, the substrate is immersed in a heated alkaline aqueous solution containing sodium hydroxide to remove the oxide film on the surface. Thereafter, the surface of the pad is replaced with Zn by immersing in a zincate solution containing ZnO. Thereafter, it is immersed in a nitric acid aqueous solution, the Zn is peeled off, and again immersed in a zincate bath to deposit dense Zn particles on the Al surface. Then, it is immersed in an electroless Ni plating bath to form Ni plating. The plating height is about 2 μm to 10 μm. Here, since the plating bath is a bath using hypophosphorous acid as a reducing agent, phosphorus (P) is co-deposited. Finally, it is immersed in a displacement Au plating bath to change the Ni surface to Au. Au is formed to have a thickness of about 0.05 μm to 0.3 μm. The Au bath is immersed using a cyan free type.

このようにしてパッド上にＮｉ−Ａｕバンプ（ＴＦＴ接続部１４）が形成される。また、Ｎｉ−Ａｕメッキバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。 In this way, Ni—Au bumps (TFT connection portions 14) are formed on the pads. Further, solder or Pb-free solder, for example, Sn-Ag-Cu-based solder may be formed on the Ni-Au plated bumps by screen printing, dipping, or the like to form bumps.
In addition, a water washing process is performed between each chemical process. The washing tank has an overflow structure or a QDR mechanism, and performs N2 bubbling from the bottom surface. As for the bubbling method, a hole is made in a Teflon (registered trademark) tube or the like and N2 is discharged, or N2 is discharged through a sintered body or the like. By the above steps, a sufficiently effective rinsing can be performed in a short time.

次に、有機ＥＬ接続部１５を形成する。ここでは、公知の成膜方法が用いられる。例えば、気相法を用いる場合には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種種の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて有機ＥＬ接続部１５を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板３の製造工程が終了となる。 Next, the organic EL connection part 15 is formed. Here, a known film forming method is used. For example, when a vapor phase method is used, various methods used in a semiconductor manufacturing process such as a CVD method, a sputtering method, a vapor deposition method, and an ion plating method can be used.
Moreover, you may form the organic EL connection part 15 using a liquid phase method. In this case, a dispersion liquid in which metal fine particles and a solvent are mixed is adopted as the material liquid. Specific examples of the liquid phase method include a spin coating method, a slit coating method, a dip coating method, a spray method, a roll coating method, a curtain coating method, a printing method, and a droplet discharge method.
After such a series of steps, the manufacturing process of the wiring board 3 is completed.

（ＴＦＴの転写工程）
次に、図５から図７を参照して、上記の配線基板３と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１３を配線基板３に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation/Annealing：登録商標）を用いて行われる。 (TFT transfer process)
Next, a method for transferring the TFT 13 to the wiring substrate 3 by bonding the wiring substrate 3 and the base substrate 40 together will be described with reference to FIGS.
Here, a known technique is adopted as the transfer process. In this embodiment, SUFTLA (Surface Free Technology by Laser Ablation / Annealing: registered trademark) is used.

図５に示すように、基礎基板４０を反転し、また、ＴＦＴ１３とＴＦＴ接続部１４との間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペースト１７を塗布し、基礎基板４０と配線基板３とを貼り合わせる。   As shown in FIG. 5, the base substrate 40 is inverted, and a conductive paste 17 containing anisotropic conductive particles (ACP) is applied between the TFT 13 and the TFT connection portion 14, so that the base substrate 40 and the wiring are connected. The substrate 3 is bonded.

次に、図６に示すように、導電性ペースト１７が塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。すると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴを容易に取り外すことが可能となる。   Next, as shown in FIG. 6, the laser beam LA is irradiated only on a portion where the conductive paste 17 is applied locally and from the back surface side (TFT non-formation surface) of the base substrate 40. Then, the bonds of atoms and molecules in the peeling layer 41 are weakened, and the hydrogen in the peeling layer 41 is molecularized and separated from the crystal bonds, that is, the bonding force between the TFT 13 and the base substrate 40 is completely eliminated, and the laser It becomes possible to easily remove the TFT of the portion irradiated with the light LA.

次に、図７に示すように、基礎基板４０と配線基板３とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴが除去されると共に、当該ＴＦＴ１３が配線基板３に転写される。なお、ＴＦＴ１３の端子は、上記のＴＦＴ接続部１４及び導電性ペースト１７を介して、配線パターン１１に接続されている。   Next, as shown in FIG. 7, the basic substrate 40 and the wiring substrate 3 are separated to remove the TFT from the basic substrate 40 and the TFT 13 is transferred to the wiring substrate 3. The terminal of the TFT 13 is connected to the wiring pattern 11 via the TFT connection portion 14 and the conductive paste 17 described above.

（接合部（樹脂コア部、導通材）の形成工程）
次に、図８を参照して接合部５０の形成方法について説明する。
まず、接合部５０の構成要素である樹脂コア部５１の形成方法としては種種の方法が挙げられる。 (Formation process of joint part (resin core part, conductive material))
Next, a method for forming the joint portion 50 will be described with reference to FIG.
First, various methods may be used as a method for forming the resin core portion 51 that is a constituent element of the joint portion 50.

（樹脂コア部形成方法の第１実施形態）
転写技術を用いることにより、有機ＥＬ接続部１５上に樹脂コア部５１を形成する方法が挙げられる。
この場合には、基礎基板上に剥離層を介して金属薄膜をスパッタ法等で成膜した後に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて当該金属薄膜の樹脂コア部５１が形成される部分以外の金属薄膜を除去することで基礎基板上に樹脂コア部５１を形成する。更に、樹脂コア部５１上面に接着剤を塗布した後に、基礎基板を反転させて、配線基板３と基礎基板とを貼り合わせ、レーザ光の全面照射により剥離層と樹脂コア部５１とを分離させる。これによって、配線基板３上に接着剤を介して樹脂コア部５１と形成することができる。 (First embodiment of resin core portion forming method)
A method of forming the resin core part 51 on the organic EL connection part 15 by using a transfer technique is exemplified.
In this case, after a metal thin film is formed on the base substrate through a release layer by sputtering or the like, a metal other than the portion where the resin core portion 51 of the metal thin film is formed using a known photolithography technique. The resin core portion 51 is formed on the base substrate by removing the thin film. Further, after applying an adhesive on the upper surface of the resin core portion 51, the base substrate is inverted, the wiring substrate 3 and the base substrate are bonded, and the release layer and the resin core portion 51 are separated by irradiation with the entire surface of the laser beam. . As a result, the resin core portion 51 can be formed on the wiring board 3 via the adhesive.

なお、レーザ光による剥離方法以外にも、水溶性の剥離層を用いることにより、配線基板３と基礎基板とを貼り合わせた状態で水に漬けることで、基礎基板と樹脂コア部５１との剥離を行うことも可能である。
また、転写及び剥離工程の詳細は、特開２００３−０３１７７８号公報に記載の技術を採用することが好ましい。 In addition to the peeling method using laser light, by using a water-soluble peeling layer, the wiring board 3 and the base board are dipped in water so that the base board and the resin core part 51 are peeled off. It is also possible to perform.
For details of the transfer and peeling process, it is preferable to employ the technique described in JP-A-2003-031778.

（樹脂コア部形成方法の第２実施形態）
液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、配線基板３上に樹脂コア部５１を形成する方法が挙げられる。
この液滴吐出法は、所謂インクジェットプリンタでよく知られている印刷技術であり、各種樹脂材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから基板上に吐出し、定着させるものである。インクジェット法によれば微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィ技術を行うことなく、所望の吐出位置に直接材料インクを定着させることができる。従って、材料の無駄も発生せず、製造コストの低減も図れ、非常に合理的な方法となる。
このようなインクジェット法を用いて樹脂コア部５１を配線基板３上に形成する場合には、樹脂コア部５１を形成するための樹脂材料を溶剤等に分散させた分散液を材料インクとして採用される。 (Second embodiment of resin core forming method)
A method of forming the resin core portion 51 on the wiring substrate 3 by using a droplet discharge method (inkjet method) can be mentioned.
This droplet discharge method is a printing technique well known for so-called inkjet printers, and discharges droplets of material inks obtained by liquefying various resin materials from an inkjet head onto a substrate and fixes them. . According to the ink jet method, since the droplets of the material ink can be accurately ejected to a fine region, the material ink can be directly fixed at a desired ejection position without performing a photolithography technique. Accordingly, no material is wasted and the manufacturing cost can be reduced, which is a very rational method.
When the resin core portion 51 is formed on the wiring board 3 using such an ink jet method, a dispersion liquid in which a resin material for forming the resin core portion 51 is dispersed in a solvent or the like is used as the material ink. The

（樹脂コア部形成方法の第３実施形態）
この方法においては、樹脂コア部５１の材料として樹脂等からなるドライフィルムが用いられる。
この場合、配線基板３上にドライフィルムを貼り、更にフォトリソグラフィ技術によって樹脂コア部５１が形成される部分以外のドライフィルムを除去することで配線基板３上に樹脂コア部５１を形成する。
なお、ドライフィルムとしては、樹脂材料に限定されることなく、金属材料であってもよい。 (3rd Embodiment of the resin core part formation method)
In this method, a dry film made of a resin or the like is used as a material for the resin core portion 51.
In this case, the resin core part 51 is formed on the wiring board 3 by attaching a dry film on the wiring board 3 and further removing the dry film other than the part where the resin core part 51 is formed by a photolithography technique.
Note that the dry film is not limited to the resin material, and may be a metal material.

（樹脂コア部形成方法の第３実施形態の変形例）
この方法においては、ドライフィルムの代わりに、感光性樹脂を用いる。即ち、配線基板３上にアクリル樹脂等の感光性樹脂を塗布形成し、フォトリソグラフィによって樹脂コア部５１を所定のパターンで形成する。 (Modification of the third embodiment of the resin core portion forming method)
In this method, a photosensitive resin is used instead of the dry film. That is, a photosensitive resin such as an acrylic resin is applied and formed on the wiring substrate 3, and the resin core portion 51 is formed in a predetermined pattern by photolithography.

次に、上記の樹脂コア部形成方法により樹脂コア部５１を形成した後に導通材５２を配置する。導通材５２は樹脂コア部５１及び有機ＥＬ接続部１５上に形成される銀ペーストであり、銀ペーストの形成方法は、印刷法、転写法、液滴吐出法等の方法が用いられる。そして、樹脂コア部５１及び有機ＥＬ接続部１５上における上述した範囲に銀ペーストを配置する。   Next, the conductive material 52 is disposed after the resin core portion 51 is formed by the resin core portion forming method. The conductive material 52 is a silver paste formed on the resin core part 51 and the organic EL connection part 15, and a method such as a printing method, a transfer method, or a droplet discharge method is used as a method for forming the silver paste. And a silver paste is arrange | positioned in the range mentioned above on the resin core part 51 and the organic EL connection part 15. FIG.

（配線基板と有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図９を参照し、上述の配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせて、最終的に図１に示す有機ＥＬ装置１を形成する工程について説明する。
図９に示す有機ＥＬ基板４は、透明基板２０上に、有機ＥＬ素子２１と、絶縁膜２２と、陰極２５とが順に形成された後に、上下反転させたものである。 (Bonding process of wiring board and organic EL board)
Next, with reference to FIG. 9, the process of bonding the above-mentioned wiring board 3 and the organic EL substrate 4 and finally forming the organic EL device 1 shown in FIG. 1 will be described.
The organic EL substrate 4 shown in FIG. 9 is obtained by turning the organic EL element 21, the insulating film 22, and the cathode 25 in order on the transparent substrate 20 and then turning the substrate upside down.

そして、有機ＥＬ基板４に対向する位置に上述の配線基板３を配置し、当該両基板３，４を貼り合わせて押圧する。すると、導通材５２の上面が陰極２５と接触し、導通材５２、すなわち銀ペーストが陰極２５に押し潰され、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５とが導通材５２を介して導通接触される。このようにして、有機ＥＬ素子２１とＴＦＴ１３とが導通接続される。
この際、樹脂コア部５１も押し潰され、その反力により陰極２５を押し付け、導通材５２と陰極２５との導通接触が確実に得られる。 And the above-mentioned wiring board 3 is arrange | positioned in the position facing the organic electroluminescent board | substrate 4, and the said board | substrates 3 and 4 are bonded together and pressed. Then, the upper surface of the conductive material 52 comes into contact with the cathode 25, the conductive material 52, that is, the silver paste is crushed by the cathode 25, and the organic EL connection portion 15 and the cathode 25 are brought into conductive contact through the conductive material 52. In this way, the organic EL element 21 and the TFT 13 are conductively connected.
At this time, the resin core portion 51 is also crushed, and the cathode 25 is pressed by the reaction force, so that the conduction contact between the conducting material 52 and the cathode 25 is reliably obtained.

この状態で、不活性ガス３１を配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に封入し、図１の如く両基板３，４の周囲を封止することで有機ＥＬ装置１が完成となる。
なお、不活性ガス３１の封入方法及び基板の封止方法としては、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せた後に不活性ガス３１を封入し、封止する方法と、不活性ガス雰囲気のチャンバ内において配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せて、封止する方法とがある。 In this state, an inert gas 31 is sealed between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4, and the periphery of both the substrates 3 and 4 is sealed as shown in FIG. 1 to complete the organic EL device 1.
In addition, as a sealing method of the inert gas 31 and a sealing method of the substrate, a method of sealing and sealing the inert gas 31 after bonding the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4, and an inert gas atmosphere There is a method in which the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 are bonded and sealed in the chamber.

上記の製造方法によって製造された図１に示す有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板４における配線基板３側から、順に陰極２５、有機ＥＬ素子、正孔注入／輸送層、陽極が配置された、透明基板２０側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。   The organic EL device 1 shown in FIG. 1 manufactured by the above manufacturing method has a cathode 25, an organic EL element, a hole injection / transport layer, and an anode arranged in this order from the wiring substrate 3 side in the organic EL substrate 4. This is a top emission type organic EL device that extracts emitted light from the transparent substrate 20 side.

上述したように、有機ＥＬ装置１においては、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に、樹脂コア部５１と導通材５２とから構成される接合部５０を配置した構成となっているので、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に所定の隙間を確実に形成することができる。また、樹脂コア部５１が接合部５０に加わった外力を緩和するので、接合部５０（特に導通材５２）の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。   As described above, the organic EL device 1 has a configuration in which the bonding portion 50 including the resin core portion 51 and the conductive material 52 is disposed between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4. A predetermined gap can be reliably formed between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4. Moreover, since the resin core part 51 relieve | moderates the external force added to the junction part 50, damage to the junction part 50 (especially conduction | electrical_connection material 52) can be avoided and conduction | electrical_connection connection can be maintained.

なお、本実施形態においては、配線基板３側に接合部５０を設けた構成としたが、有機ＥＬ４側に接合部５０を形成した構成を採用してもよい。   In addition, in this embodiment, although it was set as the structure which provided the junction part 50 in the wiring board 3 side, you may employ | adopt the structure which formed the junction part 50 in the organic EL4 side.

（樹脂コア部の第２実施形態）
次に、樹脂コア部５１の第２実施形態について、図１０を参照して説明する。
本実施形態においては、樹脂コア部５１に貫通孔５１ａが形成される。他の構成については上記実施形態と同様であるので、同一の符号を付し、説明を省略する。
樹脂コア部５１には、配線基板３に垂直な方向に略平行な貫通孔（貫通部）５１ａが形成されており、この貫通孔５１ａには導通材５２、すなわち銀ペーストが充填されている。このように、樹脂コア部５１に貫通孔５１ａを形成し、更にその貫通孔５１ａに導通材５２を配置することにより、例えば、
樹脂コア部５１が有機ＥＬ接続部１５上の全面を覆ってしまった場合であっても、有機ＥＬ接続部１５と導通材５２との電気的接続（導通）を確保することができる。言い換えれば、樹脂コア部５１を有機ＥＬ接続部１５の全面を覆うように大きく形成できるので、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間の間隔を自在に調整することが可能となる。 (Second Embodiment of Resin Core Part)
Next, 2nd Embodiment of the resin core part 51 is described with reference to FIG.
In the present embodiment, a through hole 51 a is formed in the resin core part 51. Since other configurations are the same as those in the above embodiment, the same reference numerals are given and description thereof is omitted.
The resin core portion 51 is formed with a through hole (penetrating portion) 51a substantially parallel to the direction perpendicular to the wiring substrate 3. The through hole 51a is filled with a conductive material 52, that is, a silver paste. In this way, by forming the through hole 51a in the resin core part 51 and further arranging the conductive material 52 in the through hole 51a, for example,
Even when the resin core portion 51 covers the entire surface of the organic EL connection portion 15, electrical connection (conduction) between the organic EL connection portion 15 and the conductive material 52 can be ensured. In other words, since the resin core portion 51 can be formed large so as to cover the entire surface of the organic EL connection portion 15, the interval between the wiring substrate 3 and the organic EL substrate 4 can be freely adjusted.

次に、本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えたものであるので、電子素子の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は有機ＥＬ装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。 Next, an example in which the electro-optical device of the invention is applied to an electronic apparatus will be described.
FIG. 11A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 11A, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 601 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment.
FIG. 11B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 11B, reference numeral 700 denotes an information processing device, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing body, and 702 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment.
FIG. 11C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 11C, reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a display unit including the organic EL device of the above embodiment.
Since the electronic devices shown in FIGS. 11A to 11C are provided with the organic EL device of the above-described embodiment, there are few mounting defects of the electronic elements and high quality is achieved.
In addition, although the electronic device of this embodiment shall be provided with the organic EL apparatus, it can also be set as the electronic device provided with other electro-optical devices, such as a liquid crystal device and a plasma type display apparatus.

また、上記例では、電子素子としてＴＦＴを配線基板に転写する構成としたが、本発明における電子素子としては、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ，メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。 In the above example, the TFT is transferred to the wiring board as an electronic element. However, as the electronic element in the present invention, in addition to the TFT element, a thin film diode, other thin film semiconductor devices, electrodes (for example, ITO, Transparent electrodes such as mesa films), photoelectric conversion elements used in solar cells and image sensors, switching elements, memories, actuators such as piezoelectric elements, micromirrors (piezo thin film ceramics), magnetic recording media, magneto-optical recording media, Recording media such as optical recording media, magnetic recording thin film heads, coils, inductors, thin film highly magnetically permeable materials and combinations thereof, micro magnetic devices, filters, reflective films, dichroic mirrors, polarizing elements and other optical thin films, semiconductor thin films, super Conductive thin film (eg YBCO thin film), magnetic thin film, metal multilayer thin film, metal ceramic Layer thin film, a metal thin semiconductor multi-layer film, ceramic semiconductor multilayer film, a multilayer thin film of the organic thin film and other materials.
Among these, it is particularly useful because it is highly useful when applied to a thin film device, a micro magnetic device, a configuration of a micro three-dimensional structure, an actuator, a micro mirror, and the like.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

電気光学装置の要部構成を示す断面図Sectional drawing which shows the principal part structure of an electro-optical device 樹脂コア部の第１実施形態を示す斜視図The perspective view which shows 1st Embodiment of the resin core part. 電気光学装置の製造工程の説明図Explanatory drawing of manufacturing process of electro-optical device 図３に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process following FIG. 図４に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process following FIG. 図５に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process following FIG. 図６に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process following FIG. 図７に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of manufacturing process following FIG. 図８に続く製造工程の説明図Explanatory drawing of the manufacturing process following FIG. 樹脂コア部の第２実施形態を示す断面図Sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the resin core part 電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図The figure which shows the example which applied the electro-optical apparatus to the electronic device

符号の説明Explanation of symbols

１…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、 ２…基板接合体、 ３…配線基板（第１基板）、 ４…有機ＥＬ基板（第２基板）、 １５…有機ＥＬ接続部（端子部）、 ２１…有機ＥＬ素子（第２機能素子）、 ２５…陰極（端子部）、 ５０…接合部、 ５１…樹脂コア部、 ５１ａ…貫通孔、 ５２…導通材（導通部）、 ６００…携帯電話本体（電子機器）、 ６０１，７０２，８０１…表示部（電気光学装置）、 ７００…情報処理装置（電子機器）、 ８００…時計本体（電子機器）


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL apparatus (electro-optical apparatus), 2 ... Board | substrate assembly, 3 ... Wiring board (1st board | substrate), 4 ... Organic EL board | substrate (2nd board | substrate), 15 ... Organic EL connection part (terminal part), 21 ... Organic EL element (second functional element) 25 ... Cathode (terminal part) 50 ... Joint part 51 ... Resin core part 51a ... Through hole 52 ... Conducting material (conducting part) 600 ... Mobile phone body ( Electronic device), 601, 702, 801 ... Display unit (electro-optical device), 700 ... Information processing device (electronic device), 800 ... Watch body (electronic device)


Claims (11)

第１機能素子が形成された第１基板と第２機能素子が形成された第２基板とを貼り合わせた基板接合体において、
前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通接続する接合部が、樹脂コア部と、該樹脂コア部の一部或いは全面を覆う導通部とから形成されることを特徴とする基板接合体。 In the substrate joined body in which the first substrate on which the first functional element is formed and the second substrate on which the second functional element is formed are bonded together,
A substrate bonding characterized in that a bonding portion for conductively connecting the first functional element and the second functional element is formed of a resin core portion and a conductive portion covering a part or the entire surface of the resin core portion. body. 前記樹脂コア部には、貫通孔が設けられると共に、該貫通孔に前記導通部が配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板接合体。   The substrate bonded body according to claim 1, wherein the resin core portion is provided with a through hole, and the conductive portion is disposed in the through hole. 前記樹脂コア部は、前記第１機能素子に接続する端子部上に、該端子部の一部を露出させるように形成されることを特徴とする請求項１叉は請求項２に記載の基板接合体。   3. The substrate according to claim 1, wherein the resin core part is formed on a terminal part connected to the first functional element so as to expose a part of the terminal part. 4. Joined body. 第１基板上に形成された第１機能素子を第２基板上に形成された第２機能素子上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法において、
前記第１基板上或いは前記第２基板上の少なくとも一方に対して樹脂コア部を形成する工程と、
前記樹脂コア部の一部或いは全面に前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通接続する導通部を配置する工程と、を有することを特徴とする基板接合体の製造方法。 In a method for manufacturing a substrate assembly, including a step of transferring and arranging a first functional element formed on a first substrate on a second functional element formed on a second substrate,
Forming a resin core portion on at least one of the first substrate and the second substrate;
And a step of disposing a conductive portion for conductively connecting the first functional element and the second functional element to a part or the entire surface of the resin core portion. 前記樹脂コア部は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後の間隔よりも高く形成されることを特徴とする請求項４に記載の基板接合体の製造方法。   5. The method of manufacturing a substrate bonded body according to claim 4, wherein the resin core portion is formed higher than an interval after the first substrate and the second substrate are bonded to each other. 前記樹脂コア部に、前記第１基板及び／叉は前記第２基板に垂直な方向に略平行な貫通孔を形成する工程を有することを特徴とする請求項４叉は請求項５に記載の基板接合体の製造方法。   6. The method according to claim 4, further comprising a step of forming a through hole in the resin core portion substantially parallel to a direction perpendicular to the first substrate and / or the second substrate. Manufacturing method of substrate assembly. 前記樹脂コア部上に前記導通部を配置するに先立って、前記樹脂コア部の表面をプラズマ処理することを特徴とする請求項４から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。   The substrate bonded body according to any one of claims 4 to 6, wherein a surface of the resin core part is subjected to plasma treatment prior to disposing the conductive part on the resin core part. Manufacturing method. 前記樹脂コア部形成工程は、液滴吐出法、転写法、或いはリソグラフ法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項４から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。   8. The substrate bonded body according to claim 4, wherein the resin core portion forming step is performed by any one of a droplet discharge method, a transfer method, and a lithographic method. Production method. 前記導通部配置工程は、印刷法、転写法、或いは液滴吐出法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項４から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。   9. The manufacturing of a bonded substrate assembly according to claim 4, wherein the conductive portion arranging step is performed by any one of a printing method, a transfer method, and a droplet discharge method. Method. 請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の基板接合体、或いは請求項４から請求項９のうちいずれか一項に記載の製造方法により製造された基板接合体を備えることを特徴とする電気光学装置。   A substrate bonded body according to any one of claims 1 to 3, or a substrate bonded body manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 4 to 9. Electro-optical device characterized. 請求項１０に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。


An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 10.


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