JP2005175171A - Qスイッチ光ファイバレーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】 希土類元素添加ファイバ自体やこれに接続されている光学素子が損傷を受けることがなく、安定して動作する高出力のQスイッチ光ファイバレーザを提供する。
【解決手段】 希土類元素が添加された石英ガラスからなる複数のコアを有する希土類元素添加ファイバ103と、希土類元素添加ファイバ103の両端部近傍にそれぞれ設けられたQスイッチ素子とを少なくとも備えたQスイッチ光ファイバレーザにおいて、希土類元素添加ファイバ103は各コアを導波する光がシングルモード動作するように各コアの屈折率が設定されており、第一の光ファイバグレーティング104および第二の光ファイバグレーティング105を、希土類元素添加ファイバ103の長手方向に沿って各コアに周期的に屈折率分布を形成してなり、かつ、各コア同士の屈折率分布が同期するように形成してなるものとし、第二の光ファイバグレーティング105には圧電素子106を付設する。
【選択図】 図1
【解決手段】 希土類元素が添加された石英ガラスからなる複数のコアを有する希土類元素添加ファイバ103と、希土類元素添加ファイバ103の両端部近傍にそれぞれ設けられたQスイッチ素子とを少なくとも備えたQスイッチ光ファイバレーザにおいて、希土類元素添加ファイバ103は各コアを導波する光がシングルモード動作するように各コアの屈折率が設定されており、第一の光ファイバグレーティング104および第二の光ファイバグレーティング105を、希土類元素添加ファイバ103の長手方向に沿って各コアに周期的に屈折率分布を形成してなり、かつ、各コア同士の屈折率分布が同期するように形成してなるものとし、第二の光ファイバグレーティング105には圧電素子106を付設する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、レーザ医療、レーザ加工の分野で利用されるQスイッチ光ファイバレーザに関するものである。
高ピークパルスを得る方法としては、連続波レーザとしてQスイッチを用いる方法が挙げられる。Qスイッチとは、レーザ共振器内に置かれた変調可能な素子により、レーザ発振のONとOFFを周期的に行う機構をいう。この機構は、レーザ発振がOFFの間は、ポンプ光源からレーザ媒質中に励起エネルギーを蓄えさせ、レーザ媒質中の反転分布が十分に大きくなったところでレーザ発振をONにすると、レーザ媒質の誘導放出が起こり、数十ナノ秒レベルの短いパルス幅で、高ピークのパルス発振を行うことができる。Qスイッチ素子としては、電気光学(EO)素子や音響光学(AO)素子を用いたもの、あるいは、機械式チョッパディスクを用いたものがある。
図4は、従来のQスイッチ光ファイバレーザの概略構成を示す模式図であり、例えば非特許文献1などに開示されている。
図4中、符号401は励起用レーザダイオード、402は第一の波長合波素子、403は第一の光ファイバグレーティング、404は圧電素子、405は希土類元素添加ファイバ、406は第二の光ファイバグレーティング、407は第二の波長合波素子を示している。
図4中、符号401は励起用レーザダイオード、402は第一の波長合波素子、403は第一の光ファイバグレーティング、404は圧電素子、405は希土類元素添加ファイバ、406は第二の光ファイバグレーティング、407は第二の波長合波素子を示している。
希土類元素添加ファイバ405は、励起用レーザダイオード401からの励起光により励起され、レーザ光を発する光ファイバである。
第一の光ファイバグレーティング403は、希土類元素添加ファイバ405の発したレーザ光を反射する素子(Qスイッチ素子)である。
第一の光ファイバグレーティング403は、希土類元素添加ファイバ405の発したレーザ光を反射する素子(Qスイッチ素子)である。
第一の波長合波素子402は、励起用レーザダイオード401からの励起光を希土類元素添加ファイバ405に導入し、希土類元素添加ファイバ405からのレーザ光を第一の光ファイバグレーティング403へ導入し、第一の光ファイバグレーティング403で反射したレーザ光を再び希土類元素添加ファイバ405に戻す機能を有する素子である。
圧電素子404は、電圧発生装置(図示略)からの電気信号を入力することにより第一の光ファイバグレーティング403を伸縮させ、反射波長を制御する素子である。
圧電素子404は、電圧発生装置(図示略)からの電気信号を入力することにより第一の光ファイバグレーティング403を伸縮させ、反射波長を制御する素子である。
第二の光ファイバグレーティング406は、希土類元素添加ファイバ405からのレーザ光の一部を反射し、一部を透過するように反射率が調整され、通常状態において、第一の光ファイバグレーティング403と反射波長が同一となっている素子である。
第二の波長合波素子407は、希土類元素添加ファイバ405を伝搬してきたレーザ光と、励起用レーザダイオード401からの励起光を分波する素子である。
第二の波長合波素子407は、希土類元素添加ファイバ405を伝搬してきたレーザ光と、励起用レーザダイオード401からの励起光を分波する素子である。
また、このような構成のQスイッチ光ファイバレーザでは、希土類元素添加ファイバ405、第一の光ファイバグレーティング403および第二の光ファイバグレーティング406は、レーザ共振器として機能する。
この構成のQスイッチ光ファイバレーザの動作を以下に示す。
まず、励起用レーザダイオード401からの励起光を希土類元素添加ファイバ405に導入し、圧電素子404によって、第一の光ファイバグレーティング403における反射波長を、第二の光ファイバグレーティング406における反射波長とは異なる波長とすることにより、第一の光ファイバグレーティング403と第二の光ファイバグレーティング406の間でレーザ発振が生じない状態を所定時間保つ。この間に、希土類元素添加ファイバ405を励起光により励起させて、希土類元素添加ファイバ405内に光エネルギーを蓄える。
まず、励起用レーザダイオード401からの励起光を希土類元素添加ファイバ405に導入し、圧電素子404によって、第一の光ファイバグレーティング403における反射波長を、第二の光ファイバグレーティング406における反射波長とは異なる波長とすることにより、第一の光ファイバグレーティング403と第二の光ファイバグレーティング406の間でレーザ発振が生じない状態を所定時間保つ。この間に、希土類元素添加ファイバ405を励起光により励起させて、希土類元素添加ファイバ405内に光エネルギーを蓄える。
希土類元素添加ファイバ405内に光エネルギーが蓄えられた後、圧電素子404によって、第一の光ファイバグレーティング403における反射波長を、第二の光ファイバグレーティング406における反射波長と同一とすることにより、レーザ発振が生じる。これにより、希土類元素添加ファイバ405からの誘導放出が起こり、レーザ光のパルス発振を行うことができる。
ところで、このような構成のQスイッチ光ファイバレーザは、シングルモード動作する必要がある。なぜならば、上述のように、レーザ共振器を構成するQスイッチ素子は、第一の光ファイバグレーティング403および第二の光ファイバグレーティング406であるから、光ファイバグレーティングが設けられている希土類元素添加ファイバがマルチモードであると、光ファイバグレーティングにおける反射波長が一意に決まらず、様々な波長の光が反射するため、安定したレーザ発振が得られないからである。
以上述べたように、光ファイバグレーティングを用いてQスイッチ光ファイバレーザを構成するためには、シングルモードの希土類元素添加ファイバに設けられた光ファイバグレーティングを用いる必要がある。
しかしながら、シングルモード動作するQスイッチ光ファイバレーザは、高出力化が難しいという欠点がある。Qスイッチ光ファイバレーザを、シングルモード動作させるためには、Qスイッチ光ファイバレーザを構成する希土類元素添加ファイバのコアの直径を小さくする必要がある。なぜならば、希土類元素添加ファイバのコアの直径が大きい場合、希土類元素添加ファイバを用いたQスイッチ光ファイバレーザはマルチモード動作をして、動作が不安定になるからである。さらに、直径の小さなコア内に高出力のレーザ光を閉じ込めると、光エネルギーの密度が高くなり過ぎて、希土類元素添加ファイバから発せられたレーザ光により、希土類元素添加ファイバ自体やこれに接続されている光学素子が損傷を受けるという問題がある。
N.A.Russo,R.Duchowicz,J.Mora,J.L.Cruz,M.V.Andres,High−efficiency Q−Switched erbium fiber laser using a Bragg grating−based modulator,Optics Communications、the Netherlands、Elsevier B.V.,2002.9.15,Vol.210,3−6,pp.361−366
N.A.Russo,R.Duchowicz,J.Mora,J.L.Cruz,M.V.Andres,High−efficiency Q−Switched erbium fiber laser using a Bragg grating−based modulator,Optics Communications、the Netherlands、Elsevier B.V.,2002.9.15,Vol.210,3−6,pp.361−366
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、希土類元素添加ファイバ自体やこれに接続されている光学素子が損傷を受けることがなく、安定して動作する高出力のQスイッチ光ファイバレーザを提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、希土類元素が添加された石英ガラスからなる複数のコアを有する希土類元素添加ファイバと、該希土類元素添加ファイバの両端部近傍にそれぞれ設けられた光ファイバグレーティングとを少なくとも備えたQスイッチ光ファイバレーザであって、前記希土類元素添加ファイバは各コアを導波する光がシングルモード動作するように各コアの屈折率が設定されており、前記光ファイバグレーティングは、前記希土類元素添加ファイバの長手方向に沿って各コアに周期的に屈折率分布が形成されてなり、かつ、各コア同士の屈折率分布が同期するように形成されてなり、一方の光ファイバグレーティングには複数のコアにおける反射波長を同時に制御する手段が設けられているQスイッチ光ファイバレーザを提供する。
本発明のQスイッチ光ファイバレーザは、1つの反射波長を制御する手段により、希土類元素添加ファイバの長手方向に沿って周期的に屈折率分布が形成され、かつ、複数のコアにおける屈折率分布が同期するように形成された光ファイバグレーティングにおける反射波長を同時に変化させることができるため、複数のコアから同時にレーザ光のパルス発振を行うことができる。したがって、大出力のレーザ光のパルス発振を行うことができる。
また、本発明のQスイッチ光ファイバレーザは、希土類元素添加ファイバが各コア内を導波する光がシングルモード動作するように形成されているため、安定してレーザ光のパルス発振を行うことができる。
以下、本発明を実施したQスイッチ光ファイバレーザについて、図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係るQスイッチ光ファイバレーザの一実施形態の概略構成を示す模式図である。
図1中、符号101は励起光源、102は光ファイバ、103は希土類元素添加ファイバ、104はQスイッチ素子の第一の光ファイバグレーティング、105はQスイッチ素子の第二の光ファイバグレーティング、106は圧電素子、107はレーザ光を示している。
図1中、符号101は励起光源、102は光ファイバ、103は希土類元素添加ファイバ、104はQスイッチ素子の第一の光ファイバグレーティング、105はQスイッチ素子の第二の光ファイバグレーティング、106は圧電素子、107はレーザ光を示している。
この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザは、励起光源101と、光ファイバ102と、希土類元素添加ファイバ103と、第一の光ファイバグレーティング104と、第二の光ファイバグレーティング105と、圧電素子106とから概略構成されている。
この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザにおいて、希土類元素添加ファイバ103の両端部近傍にはそれぞれ、第一の光ファイバグレーティング104、第二の光ファイバグレーティング105が設けられている。また、希土類元素添加ファイバ103の第一の光ファイバグレーティングが設けられている側の端部(以下、「一方の端部」と言う。)103aには、光ファイバ102を介して励起光源101が接続されている。さらに、第二の光ファイバグレーティグ105は圧電素子106の上に接着剤などを介して固定されている。
励起光源101としては、希土類元素添加ファイバ103において、基底準位吸収を生じさせて、基底状態の希土類元素をレーザ上準位に励起し、レーザ光107を発振できる波長帯域の励起光を出力できるものであればいかなるものでも用いることができる。例えば、希土類元素をイッテルビウム(Yb)とした場合、波長0.98μm〜1.10μmのレーザ光を発振させることのできる波長0.915μmのレーザダイオード、希土類元素をエルビウム(Er)とした場合、波長1.53μm〜1.61μmのレーザ光を発振させることのできる波長0.98μmのレーザダイオードなどが用いられる。
光ファイバ102としては、希土類元素添加ファイバの内側クラッド径以下のコア径を有するマルチモードファイバが用いられる。
希土類元素添加ファイバ103としては、希土類元素が添加された石英ガラスからなる複数のコアと、このコアの周囲に設けられ、コアよりも屈折率の低い材料からなるクラッドと、このクラッドの周囲に設けられ、内側クラッドよりも屈折率の低い材料からなる外側クラッドとから構成されるシングルモードファイバが用いられる。
希土類元素添加ファイバ103のコアの外径は、信号光がコア内をシングルモード伝搬するためには、2μm〜12μm程度であることが望ましい。
このコアは、希土類元素が1,000〜40,000ppm(質量比)程度添加された石英ガラスで形成されている。希土類元素としては、例えば、エルビウム、イットリウム、イッテルビウム、ネオジウム、ホルミウム、プラセオジムなどが用いられる。コアは、これらの希土類元素が添加されていることにより、希土類イオンが励起光を吸収して、高エネルギー状態となり、励起光とは別の波長の光を放出できるようになる。
このコアは、希土類元素が1,000〜40,000ppm(質量比)程度添加された石英ガラスで形成されている。希土類元素としては、例えば、エルビウム、イットリウム、イッテルビウム、ネオジウム、ホルミウム、プラセオジムなどが用いられる。コアは、これらの希土類元素が添加されていることにより、希土類イオンが励起光を吸収して、高エネルギー状態となり、励起光とは別の波長の光を放出できるようになる。
希土類元素添加ファイバ103の内側クラッドの外径は100μm〜600μm程度であり、内側クラッド内に設けられるコアの数に応じて、適宜設定される。
この内側クラッドは、コアをなす希土類元素が添加された石英ガラスよりも屈折率の低い材料で形成されている。内側クラッドをなす材料としては、例えば、フッ素添加石英ガラス、純粋石英ガラスなどが挙げられる。
この内側クラッドは、コアをなす希土類元素が添加された石英ガラスよりも屈折率の低い材料で形成されている。内側クラッドをなす材料としては、例えば、フッ素添加石英ガラス、純粋石英ガラスなどが挙げられる。
希土類元素添加ファイバ103の外側クラッドの外径は200μm〜1000μm程度であり、内側クラッド内に設けられるコアの数に応じて、適宜設定される。
この外側クラッドは、内側クラッドをなす材料よりも屈折率の低い材料で形成されている。外側クラッドをなす材料としては、例えば、フッ素系樹脂が挙げられる。
この外側クラッドは、内側クラッドをなす材料よりも屈折率の低い材料で形成されている。外側クラッドをなす材料としては、例えば、フッ素系樹脂が挙げられる。
このような構成の希土類元素添加ファイバとしては、例えば、図2に示すような構造のものが挙げられる。
図2は、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザに用いられる希土類添加ファイバの一例を示す概略断面図である。
図2は、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザに用いられる希土類添加ファイバの一例を示す概略断面図である。
この実施形態の希土類元素添加ファイバ200は、中心設けられた中心コア201と、この中心コア201の周囲に、中心コア201と中心軸を同じくして等間隔に配置された3個の外側コア202、202、202と、中心コア201および外側コア202、202、202の周囲、かつ、中心コア201と同心円状に設けられた内側クラッド203と、内側クラッド203の周囲に設けられた外側クラッド204とから概略構成されている。
ここで、例えば、中心コア201および外側コア202の屈折率をn1、波長1070nmにおけるn1を1.420、内側クラッド203の屈折率をn2、波長1070nmにおけるn2を1.455、外側クラッド204の屈折率をn3、波長1070nmにおけるn3を1.464とする。このようにすると、n1>n2>n3であるため、励起光源から希土類元素添加ファイバ200に入射した励起光は、内側クラッド203内を導波しながら中心コア201および外側コア202に添加された希土類元素を励起することができる。
なお、この実施形態では、内側クラッド203内に、中心コア201と、この中心コア201の周囲に、中心コア201と中心軸を同じくして等間隔に配置された3つの外側コア202、202、202とが設けられた希土類元素添加ファイバ200を示したが、本発明はこれに限定されず、希土類元素添加ファイバの中心にコアが配置されていなくてもよい。本発明で用いられる希土類元素添加ファイバは、内側クラッド内に、2つ以上のコアが任意の配置で設けられていればよい。
また、この実施形態では、希土類元素添加ファイバ200として、被覆層が設けられていない裸線ファイバを示したが、本発明はこれに限定されない。本発明で用いられる希土類元素添加ファイバは、外側クラッドの周囲に被覆層が設けられた光ファイバ素線または光ファイバ心線であってもよい。
第一の光ファイバグレーティング104は、希土類元素添加ファイバ103の一方の端部103aの近傍に、希土類元素添加ファイバ103の長手方向に沿って各コア(図示略)に周期的に屈折率分布が形成されてなり、かつ、コア同士の屈折率分布が同期するように形成されてなるものであり、通常の状態で、1070nm近傍の光を反射するようになっている。また、第一の光ファイバグレーティング104の反射帯域幅は0.5nmである。
第二の光ファイバグレーティング105は、希土類元素添加ファイバ103の他方の端部103bの近傍に、希土類元素添加ファイバ103の長手方向に沿って各コア(図示略)に周期的に屈折率分布が形成されてなり、かつ、コア同士の屈折率分布が同期するように形成されてなるものであり、第一の光ファイバグレーティング104と同様に、通常の状態で、1070nm近傍の光を反射するようになっている。また、第二の光ファイバグレーティング105の反射帯域幅は0.5nmである。
第一の光ファイバグレーティング104および第二の光ファイバグレーティング105は、同一の格子間隔を有する位相マスクを用いて、希土類元素添加ファイバ103の両端部近傍における複数のコア上に、同時に形成されてなるものである。したがって、同一のコア上に設けられている第一の光ファイバグレーティング104および第二の光ファイバグレーティング105は同一の波長を反射する。また、第一の光ファイバグレーティング104および第二の光ファイバグレーティング105は、信号光がシングルモード伝搬する外径のコアに形成されているから、特定の波長の光のみを反射するようになっている。
圧電素子106は、電圧発生装置(図示略)からの電気信号を入力することにより第二の光ファイバグレーティグ105を伸縮させ、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長を制御する素子である。
圧電素子106に電圧を加えると、第二の光ファイバグレーティグ105は、希土類元素添加ファイバ103の長手方向に引っ張られ、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長は長波長側にずれる。本発明にあっては、例えば、圧電素子106に所定の電圧を加えることにより、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長を1.0nm程度ずらすことができる。
次に、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザの動作について説明する。
まず、圧電素子106に所定の電圧を加え、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長を、第一の光ファイバグレーティング104における反射波長とは異なる波長とする。この状態で、励起光源101から出力した励起光を、光ファイバ102を介して一方の端部103aから希土類元素添加ファイバ103に導入する。この状態を所定時間保つことにより、希土類元素添加ファイバ103が励起光により励起されて、希土類元素添加ファイバ103内に光エネルギーが蓄えられる。
まず、圧電素子106に所定の電圧を加え、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長を、第一の光ファイバグレーティング104における反射波長とは異なる波長とする。この状態で、励起光源101から出力した励起光を、光ファイバ102を介して一方の端部103aから希土類元素添加ファイバ103に導入する。この状態を所定時間保つことにより、希土類元素添加ファイバ103が励起光により励起されて、希土類元素添加ファイバ103内に光エネルギーが蓄えられる。
希土類元素添加ファイバ103内に所定量の光エネルギーが蓄えられた後、圧電素子106に電圧を加えるのを止め、第二の光ファイバグレーティグ105における反射波長を、第一の光ファイバグレーティング104における反射波長と同一とすることにより、レーザ発振が生じる。これにより、希土類元素添加ファイバ103からの誘導放出が起こり、レーザ光107のパルス発振を行うことができる。
この際、希土類元素添加ファイバ103を構成する複数のコアからは、ほぼ同時にレーザ光のパルス発振を行うことができる。したがって、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザは、従来の1つのコアを有する希土類元素添加ファイバを用いたQスイッチ光ファイバレーザから発振可能なレーザ光よりも、光エネルギーの大きなレーザ光を発振することができる。例えば、希土類元素添加ファイバ103が、図2に示すような4つのコアを有するものである場合、従来の1つのコアを有する希土類元素添加ファイバを用いたQスイッチ光ファイバレーザから発振可能なレーザ光の4倍の光エネルギーを有するレーザ光を発振することができる。
なお、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザでは、第二の光ファイバグレーティング105における反射波長を、圧電素子106により変化させたが、本発明はこれに限定されない。本発明では、機械的に第二の光ファイバグレーティングにおける反射波長を変化させてもよい。
このように、機械的に第二の光ファイバグレーティングにおける反射波長を変化させる方法としては、例えば、図3に示すような方法が挙げられる。
図3は、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザに用いられる第二の光ファイバグレーティングにおける反射波長を機械的に変化させる方法の一例を示す概略平面図である。
図3は、この実施形態のQスイッチ光ファイバレーザに用いられる第二の光ファイバグレーティングにおける反射波長を機械的に変化させる方法の一例を示す概略平面図である。
図3中、符号301は光ファイバ固定用の第一の台座、302は光ファイバ固定用の第二の台座、303は希土類元素添加ファイバ、304は接着剤、305は希土類元素添加ファイバ303の一方の端部に設けられた光ファイバグレーティング、306は一対のローラ306a、306aからなるカムを示している。
この例において、第一の台座301と第二の台座302とは、これらの対向する一辺が平行となるように所定の間隔をおいて配置されている。また、希土類元素添加ファイバ303は、その長手方向が第一の台座301と第二の台座302の対向する一辺と垂直となるように、光ファイバグレーティング305の両端部近傍が、接着剤304を介して第一の台座301および第二の台座302に固定されている。また、第二の台座302は、希土類元素添加ファイバ303の長手方向に沿って移動可能となっている。さらに、第二の台座302には、カム306が一体に設けられている。
また、カム306を構成する一対のローラ306a、306aは、希土類元素添加ファイバ303の長手方向に沿って転動可能となっている。この例では、カム306を希土類元素添加ファイバ303の長手方向に沿って転動させることにより、第一の台座301と第二の台座302との間の距離を変動させることができる。したがって、カム306を希土類元素添加ファイバ303の長手方向に沿って転動させることにより、光ファイバグレーティング305を伸縮させ、光ファイバグレーティング305における反射波長を制御することができる。
例えば、カム306を回転させて、第二の台座302を第一の台座301に近付けて両者の間の距離を短くし、光ファイバグレーティング305における反射波長を、希土類元素添加ファイバ303の他方の端部に設けられた光ファイバグレーティング(図示略)における反射波長とは異なる波長とする。この状態で、希土類元素添加ファイバ303内に光エネルギーを蓄えた後、カム306を回転させて、第二の台座302を第一の台座301から遠ざけて両者の間の距離を長くし、光ファイバグレーティング305における反射波長を、希土類元素添加ファイバ303の他方の端部に設けられた光ファイバグレーティング(図示略)における反射波長と同一とする。これにより、希土類元素添加ファイバ303においてレーザ発振が生じ、希土類元素添加ファイバ303からの誘導放出が起こり、レーザ光のパルス発振を行うことができる。
本発明のQスイッチ光ファイバレーザは、医療分野においてレーザ治療、計測分野での短パルス光源としても適用可能である。
101・・・励起光源、102・・・光ファイバ、103,200,303・・・希土類元素添加ファイバ、104・・・第一の光ファイバグレーティング、105・・・第二の光ファイバグレーティング、106・・・圧電素子、107・・・レーザ光、201・・・中心コア、202・・・外側コア、203・・・内側クラッド、204・・・外側クラッド、301・・・第一の台座、302・・・第二の台座、304・・・接着剤、305・・・光ファイバグレーティング、306・・・カム、306a・・・ローラ。
Claims (1)
- 希土類元素が添加された石英ガラスからなる複数のコアを有する希土類元素添加ファイバと、該希土類元素添加ファイバの両端部近傍にそれぞれ設けられた光ファイバグレーティングとを少なくとも備えたQスイッチ光ファイバレーザであって、
前記希土類元素添加ファイバは各コアを導波する光がシングルモード動作するように各コアの屈折率が設定されており、前記光ファイバグレーティングは、前記希土類元素添加ファイバの長手方向に沿って各コアに周期的に屈折率分布が形成されてなり、かつ、各コア同士の屈折率分布が同期するように形成されてなり、一方の光ファイバグレーティングには複数のコアにおける反射波長を同時に制御する手段が設けられていることを特徴とするQスイッチ光ファイバレーザ。
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JP2003412442A Withdrawn JP2005175171A (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | Qスイッチ光ファイバレーザ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007139857A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Fujikura Ltd | シングルモード光ファイバ及びファイバレーザ |
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US9419072B2 (en) | 2009-10-19 | 2016-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
WO2021029251A1 (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ、及び、レーザ光の出力方法 |
-
2003
- 2003-12-10 JP JP2003412442A patent/JP2005175171A/ja not_active Withdrawn
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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