JP2005166445A - Manufacturing method of organic electroluminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence element.
有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板の表面に、透明陽電極層、有機発光材料層、そして陰電極層がこの順に積層された基本構成を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、その陽電極層から正孔を、そして陰電極層から電子を有機発光材料層の内部に注入し、有機発光材料層の内部にて正孔と電子とを再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出(蛍光、燐光)により発光する発光素子である。有機発光材料層にて発生した光は、透明基板の側から発光素子の外部に取り出される。 The organic electroluminescence element has a basic configuration in which a transparent positive electrode layer, an organic light emitting material layer, and a negative electrode layer are laminated in this order on the surface of a transparent substrate. An organic electroluminescence device injects holes from the positive electrode layer and electrons from the negative electrode layer into the organic light emitting material layer, and recombines the holes and electrons inside the organic light emitting material layer. This is a light emitting device that emits light by emitting light (fluorescence, phosphorescence) when excitons (excitons) are generated by the excitons. The light generated in the organic light emitting material layer is extracted from the transparent substrate side to the outside of the light emitting element.
有機発光材料層の内部にて再結合させる正孔と電子とを有機発光材料層の内部に効率良く注入して有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高くするために、有機発光材料層の陽電極層側の面に正孔輸送層を、そして陰電極層側の面に電子輸送層を付設することが知られている。正孔輸送層及び電子輸送層のそれぞれは、有機材料から形成されている。 The positive electrode layer of the organic light emitting material layer is used to efficiently inject holes and electrons to be recombined inside the organic light emitting material layer into the organic light emitting material layer to increase the light emitting efficiency of the organic electroluminescent element. It is known to provide a hole transport layer on the side surface and an electron transport layer on the negative electrode layer side surface. Each of the hole transport layer and the electron transport layer is formed of an organic material.
陽電極層は通常、ITO(錫ドープ酸化インジウム)などの透明導電性材料から形成される。陰電極層は通常、マグネシウムなどの金属材料から形成される。陽電極層は、スパッタ法などにより、透明基板の表面に形成される。上記の有機発光材料層を含む有機材料層は、真空蒸着法やスピンコート法などにより、前記陽電極層の表面に形成される。そして陰電極層は、真空蒸着法やスパッタ法などにより、前記有機材料層の表面に直接形成される。 The positive electrode layer is usually formed from a transparent conductive material such as ITO (tin-doped indium oxide). The negative electrode layer is usually formed from a metal material such as magnesium. The positive electrode layer is formed on the surface of the transparent substrate by sputtering or the like. The organic material layer including the organic light emitting material layer is formed on the surface of the positive electrode layer by a vacuum deposition method, a spin coating method, or the like. The negative electrode layer is directly formed on the surface of the organic material layer by vacuum vapor deposition or sputtering.
陰電極層を真空蒸着法やスパッタ法などにより有機材料層の表面に直接形成すると、陰電極層を形成する金属分子の有するエネルギーが高いために、有機材料層に損傷を与えてピンホールを発生させるなどして、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光品質を低下させる場合がある。 If the negative electrode layer is formed directly on the surface of the organic material layer by vacuum deposition or sputtering, the metal molecules that form the negative electrode layer have high energy, causing damage to the organic material layer and generating pinholes. For example, the emission quality of the organic electroluminescence element may be lowered.
特許文献1には、例えば、透明基板上に透明陽電極層及び正孔輸送層を付設し、また別の基板上に陰電極層及び有機発光材料層を付設し、これらの基板を有機発光材料層が軟化する温度下で圧着して互いに貼り合わせることにより有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法が記載されている。この製造方法によれば、陰電極層を真空蒸着法やスパッタ法などにより有機材料層の表面に直接形成する必要がないために、有機材料層にダメージを与えないとされている。 In Patent Document 1, for example, a transparent positive electrode layer and a hole transport layer are provided on a transparent substrate, and a negative electrode layer and an organic light emitting material layer are provided on another substrate. A method is described in which an organic electroluminescent element is produced by pressure bonding at a temperature at which the layers soften and bonding together. According to this manufacturing method, since it is not necessary to form the negative electrode layer directly on the surface of the organic material layer by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like, the organic material layer is not damaged.
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光は、有機発光材料層の陽電極層と陰電極層との間に挟まれた領域において生ずる。従って、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層及び陰電極層のそれぞれは、ディスプレイの画素を形成するために二以上の互いに平行な電極線群として構成されたり、あるいは陽電極層及び陰電極層の一方の電極層は、発光素子の表示情報(例、文字、数値など)に対応する二以上のセグメントから構成されたりする。
上記のように、有機エレクトロルミネッセンス素子を二枚の基板の貼り合わせにより作製する場合には、基板上の電極層が形成されていない領域に隙間が生じやすい。従って、外部からこのような隙間を通って発光素子の内部に空気中の水分が侵入すると、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度が低下したり、電極層から有機材料層が剥離して発光素子に非発光部が生成されるなどして発光素子の耐久性を低下させる場合がある。 As described above, when an organic electroluminescence element is manufactured by bonding two substrates, a gap is likely to be generated in a region where no electrode layer is formed on the substrate. Therefore, when moisture in the air enters the light emitting element from outside through such a gap, the light emission luminance of the organic electroluminescent element decreases, or the organic material layer peels off from the electrode layer and is not attached to the light emitting element. In some cases, the durability of the light emitting element is lowered due to generation of a light emitting portion.
本発明の目的は、発光素子の耐久性を向上し、そして有機材料層へのダメージを低減することのできる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of the organic electroluminescent element which can improve the durability of a light emitting element and can reduce the damage to an organic material layer.
本発明は、下記の工程からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にある。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、この電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び前記電極線群と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、及びこの基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差するように重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
This invention exists in the manufacturing method of the organic electroluminescent element which consists of the following process.
A first insulating substrate, two or more electrode wire groups attached to the substrate surface, an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups, and the electrode wire group and the insulating spacer layer; First electrode substrate made of organic light emitting material layer laminated on top, second insulating substrate, and second electrode substrate made up of two or more parallel electrode lines attached to the surface of the substrate The process of preparing.
A step of overlapping the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween so that the electrode line groups of the respective electrode substrates intersect.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を、第一の製造方法と記載する。第一の製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第二の電極基板の電極線群の間にも絶縁性スペーサ層が付設されている。
(2)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, the manufacturing method of such an organic electroluminescent element is described as a first manufacturing method. Preferred embodiments of the first production method are as follows.
(1) An insulating spacer layer is also provided between the electrode wire groups of the second electrode substrate.
(2) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
本発明はまた、第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な第一の電極線群、この電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層、前記電極線群と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層、この有機発光材料層の上に、第一の電極線群と交差して配置された二以上の互いに平行な第二の電極線群、及び第二の電極線群の上に積層された第二の絶縁性基板からなる有機エレクトロルミネッセンス素子にもある。 The present invention also provides a first insulating substrate, two or more parallel first electrode lines attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer attached between the electrode lines, the electrode wire An organic light emitting material layer laminated on the group and the insulating spacer layer, and two or more parallel second electrodes disposed on the organic light emitting material layer so as to intersect the first electrode line group There is also an organic electroluminescence element composed of a second insulating substrate laminated on the line group and the second electrode line group.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子を、第一の構成の有機エレクトロルミネッセンス素子と記載する。第一の構成の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第二の電極線群の間にも絶縁性スペーサ層が付設されている。
(2)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, such an organic electroluminescence element is referred to as an organic electroluminescence element having a first configuration. The preferable aspect of the organic electroluminescent element of a 1st structure is as follows.
(1) An insulating spacer layer is also provided between the second electrode wire groups.
(2) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
本発明はまた、下記の工程からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にもある。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及びこの電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及びこの電極線群の上に積層された有機発光材料層からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差するように重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
The present invention also resides in a method for producing an organic electroluminescence device comprising the following steps.
A first insulating substrate, a first electrode substrate comprising two or more parallel electrode wire groups attached to the surface of the substrate, and an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups; and a second Preparing a second electrode substrate comprising an insulating substrate, two or more parallel electrode wire groups attached to the surface of the substrate, and an organic light emitting material layer laminated on the electrode wire group.
A step of overlapping the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween so that the electrode line groups of the respective electrode substrates intersect.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を、第二の製造方法と記載する。第二の製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, the manufacturing method of such an organic electroluminescent element is described as a second manufacturing method. A preferred embodiment of the second production method is as follows.
(1) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
本発明はまた、下記の工程からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にもある。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、このセグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び前記電極と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、及びこの基板表面に付設された電極層からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを上記有機発光材料層を挟んで重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
The present invention also resides in a method for producing an organic electroluminescence device comprising the following steps.
On the first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer provided between the segment groups, and the electrode and the insulating spacer layer A step of preparing a first electrode substrate composed of a laminated organic light emitting material layer, a second insulating substrate, and a second electrode substrate composed of an electrode layer attached to the surface of the substrate.
A step of superposing the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を、第三の製造方法と記載する。第三の製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, the manufacturing method of such an organic electroluminescent element is described as a third manufacturing method. A preferred embodiment of the third production method is as follows.
(1) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
本発明はまた、第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、このセグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層、そして前記電極と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層、電極層、及び第二の絶縁性基板からなる有機エレクトロルミネッセンス素子にもある。 The present invention also provides a first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer provided between the segments, and the electrode and the insulating spacer. There is also an organic electroluminescence element including an organic light emitting material layer, an electrode layer, and a second insulating substrate laminated on the layer.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子を、第二の構成の有機エレクトロルミネッセンス素子と記載する。第二の構成の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, such an organic electroluminescence element is referred to as an organic electroluminescence element having a second configuration. The preferable aspect of the organic electroluminescent element of a 2nd structure is as follows.
(1) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
本発明はまた、下記の工程からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にもある。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、及びこのセグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、この基板表面に付設された電極層、及びこの電極層の上に積層された有機発光材料層からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを上記有機発光材料層を挟んで重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
The present invention also resides in a method for producing an organic electroluminescence device comprising the following steps.
A first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, a first electrode substrate consisting of an insulating spacer layer attached between the segments, and a second A step of preparing a second electrode substrate comprising an insulating substrate, an electrode layer attached to the surface of the substrate, and an organic light emitting material layer laminated on the electrode layer.
A step of superposing the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
以下、このような有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を、第四の製造方法と記載する。第四の製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
(1)第一の絶縁性基板及び第二の絶縁性基板の少なくとも一方が透明樹脂フィルムである。
Hereinafter, such a method for producing an organic electroluminescence element is referred to as a fourth production method. Preferred embodiments of the fourth production method are as follows.
(1) At least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
なお、本明細書において、「透明」とは、可視光の透過率が60%以上、好ましくは70%以上であることを意味する。 In the present specification, “transparent” means that the visible light transmittance is 60% or more, preferably 70% or more.
本発明においては、第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、この電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び前記電極線群と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板と、第二の絶縁性基板、及びこの基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群からなる第二の電極基板とを互いに接合することにより有機エレクトロルミネッセンス素子が作製される。前記の電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層は、絶縁性基板上の電極線群によって形成された段差を緩和する。従って、このような絶縁性スペーサ層を備えた第一の電極基板と第二の電極基板とを接合することにより、これらの電極基板間における隙間の発生が低減され、耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。また、各々の電極基板を作製する際に、有機材料層(例えば、有機発光材料層)の表面に直接電極線群を形成する必要がないため、本発明に従って製造された有機エレクトロルミネッセンス素子は、その有機材料層へのダメージが低減されている。 In the present invention, a first insulating substrate, two or more parallel electrode wire groups attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups, and the electrode wire group, A first electrode substrate composed of an organic light emitting material layer laminated on an insulating spacer layer, a second insulating substrate, and a group of two or more parallel electrode lines attached to the surface of the substrate An organic electroluminescent element is produced by bonding the second electrode substrate to each other. The insulating spacer layer provided between the electrode line groups relaxes the step formed by the electrode line groups on the insulating substrate. Therefore, by joining the first electrode substrate and the second electrode substrate having such an insulating spacer layer, the generation of gaps between these electrode substrates is reduced, and the organic electroluminescence having excellent durability is obtained. A luminescence element can be obtained. Moreover, since it is not necessary to form an electrode wire group directly on the surface of an organic material layer (for example, an organic light emitting material layer) when producing each electrode substrate, the organic electroluminescence element manufactured according to the present invention is Damage to the organic material layer is reduced.
先ず、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)の実施に用いる第一の電極基板及び第二の電極基板のそれぞれを、添付の図面を用いて説明する。通常、有機エレクトロルミネッセンス素子の一方の電極は、有機発光材料層にて発生した光を発光素子の外部に取り出すために透明とされる。以下、本発明の第一の製造方法を、第一の電極基板の電極(電極線群)が透明である場合を例として説明する。 First, each of the first electrode substrate and the second electrode substrate used for carrying out the method for manufacturing an organic electroluminescence element of the present invention (first manufacturing method) will be described with reference to the accompanying drawings. Usually, one electrode of the organic electroluminescence element is transparent in order to extract light generated in the organic light emitting material layer to the outside of the light emitting element. Hereinafter, the 1st manufacturing method of this invention is demonstrated by taking the case where the electrode (electrode wire group) of a 1st electrode substrate is transparent as an example.
図1は、第一の電極基板の一例の構成を示す斜視図である。第一の電極基板11は、第一の絶縁性基板12、この基板12の表面に付設された電極線群13、電極線群13の間に付設された絶縁性スペーサ層14、及び電極線群13と絶縁性スペーサ層14との上に積層された有機発光材料層15bなどから構成されている。電極線群13は、電極線13a、13b、13cから構成され、これらの電極線はそれぞれ互いに平行に配置されている。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an example of a first electrode substrate. The
第一の絶縁性基板12としては、電気的に絶縁性を示す基板、例えば、ガラス基板などのセラミック基板、あるいは樹脂基板(もしくは樹脂フィルム)が用いられる。図1の第一の電極基板11の有機発光材料層15bにて発生した光は、第一の絶縁性基板12の側から外部に取り出される。このような場合、第一の絶縁性基板12は、透明であることが好ましい。
As the first insulating
第一の絶縁性基板として樹脂基板を用いる場合には、作製される有機エレクトロルミネッセンス素子内部への樹脂基板(第一の絶縁性基板)の側からの水分の侵入を抑制するため、樹脂基板には防湿処理が施されていることが好ましい。防湿処理方法の代表例としては、樹脂基板の表面に低透湿膜を付設する方法が挙げられる。低透湿膜の例としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、および金属膜が挙げられる。金属膜を用いる場合には、有機発光材料層にて発生した光を発光素子の外部に取り出すために、その厚みを可視光を透過させる程度に薄い厚みとする必要がある。このことから、低透湿膜として用いる金属膜の厚みは、数10nm以下であることが好ましい。 When a resin substrate is used as the first insulating substrate, in order to suppress moisture from entering from the side of the resin substrate (first insulating substrate) into the produced organic electroluminescence element, Is preferably subjected to moisture-proofing treatment. A typical example of the moisture-proof treatment method is a method of providing a low moisture-permeable film on the surface of the resin substrate. Examples of the low moisture permeable film include a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride oxide film, and a metal film. In the case of using a metal film, in order to extract light generated in the organic light emitting material layer to the outside of the light emitting element, the thickness needs to be thin enough to transmit visible light. For this reason, the thickness of the metal film used as the low moisture permeable film is preferably several tens of nm or less.
図1の第一の電極基板11の場合、電極線群13は、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層とされる。電極線群13を形成する材料の代表例としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)が挙げられる。電極線群13の材料や厚みなどは、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層の場合と同様であり、後に詳しく記載する。
In the case of the
電極線群13を形成する方法の例としては、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、キャスト法、LB法、パイロゾル法、およびスプレー法などが挙げられる。電極線群13の形状を設定する方法の例としては、マスク法、およびフォトリソグラフィー法が挙げられる。
Examples of the method for forming the
図1に示すように、第一の電極基板11の電極線群13の間には、絶縁性スペーサ層14が付設される。この絶縁性スペーサ層14の付設により、第一の絶縁性基板12上の電極線群13によって形成された段差が緩和される。図1に示すように、絶縁性スペーサ層14を、電極線群13の外側にも付設することが好ましい。
As shown in FIG. 1, an insulating
絶縁性スペーサ層14の厚みは、電極線群13の厚みの0.5乃至1.5倍の範囲にあることが好ましく、0.8乃至1.2倍の範囲にあることがより好ましい。絶縁性スペーサ層14の厚みは、電極線群13の厚みと同一であることが特に好ましい。
The thickness of the insulating
絶縁性スペーサ層14の材料としては、公知の絶縁性材料を用いることができる。絶縁性材料の例としては、TiO2 、Al2 O3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 、SiO2 、Si3 N4 などの金属酸化物材料、および常温硬化性、熱硬化性、あるいは光硬化性(好ましくは紫外線硬化性)の樹脂材料が挙げられる。樹脂材料の代表例としては、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂が挙げられる。
As a material of the insulating
絶縁性スペーサ層14の形成方法の例としては、真空蒸着法やスパッタ法などの乾式成膜法、およびスクリーン印刷法、グラビア印刷法、あるいはインクジェット法などの湿式成膜法が挙げられる。
Examples of the method for forming the insulating
図1の電極基板11の電極線群13及び絶縁性スペーサ層14と、有機発光材料層15bとの間には、正孔輸送層15aが付設されている。このように、有機発光材料層15bの第一の絶縁性基板12の側の面(あるいはその逆側の面)には、正孔輸送層に限らず、作製される有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高めるために様々な層、例えば、電子輸送層、正孔注入層、あるいは電子注入層などを付設することができる。これらの層の詳細については、後に詳しく記載する。
A
図2は、第二の電極基板の一例の構成を示す斜視図である。第二の電極基板21は、第二の絶縁性基板22、及びこの基板22の表面に付設された電極線群23から構成されている。電極線群23は、電極線23a、23bから構成され、これらの電極線は互いに平行に配置されている。
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of an example of the second electrode substrate. The
第二の絶縁性基板としては、前記の第一の絶縁性基板の場合と同様に、例えば、ガラス基板などのセラミック基板、あるいは樹脂基板(もしくは樹脂フィルム)が用いられる。図2の第二の電極基板21の第二の絶縁性基板22は、樹脂フィルム22a上に、金属層22b、そして絶縁層22cがこの順に積層された構成を有している。金属層22bは、作製される有機エレクトロルミネッセンス素子内部への第二の電極基板の側からの水分の侵入を抑制する。絶縁層22cは、電極線23a及び電極線23bが、金属層22bを介して互いに電気的に接続されて短絡することを防止する。
As the second insulating substrate, for example, a ceramic substrate such as a glass substrate or a resin substrate (or a resin film) is used as in the case of the first insulating substrate. The second insulating
樹脂フィルム22aとしては、ポリエステルフイルム(例、ポリエチレンテレフタレートフイルム)、ポリカーボネートフイルム、ポリイミドフイルム、ポリエーテルスルフォンフイルム、ポリエーテルイミドフイルム、ポリフェニレンサルファイドフイルム、ポリスルホンフイルム、ポリエーテルエーテルケトンフイルム、ポリアミドフイルム、ポリメタクリル酸メチルフイルム、ポリエチレンナフタレートフイルム、ポリアリレートフイルム、もしくはシクロオレフィンポリマーフイルムなどを用いることができる。樹脂フィルム22aとしては、不透明な樹脂フィルム(例、顔料が添加された樹脂フィルムなど)を用いることもできる。
Examples of the
樹脂フィルム22aの厚みは、3乃至1000μmの範囲にあることが好ましく、10乃至500μmの範囲にあることがより好ましく、10乃至300μmの範囲にあることがさらに好ましい。
The thickness of the
金属層22bは、金属材料から形成され、透湿性は低い。従って、金属層22bは、作製される有機エレクトロルミネッセンス素子内部への第二の電極基板側からの水分の侵入を抑制する。
The
金属層22bの厚みは、有機エレクトロルミネッセンス素子内部への水分の侵入を抑制するために、5乃至500nmの範囲にあることがより好ましく、10乃至500nmの範囲にあることがさらに好ましい。
The thickness of the
金属層22bを形成する金属材料の例としては、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、パラジウム、白金、および前記金属材料のうちの少なくとも一種類を含む合金組成物が挙げられる。
Examples of the metal material forming the
樹脂フィルム22aの表面に金属層22bを形成する方法の代表例としては、真空蒸着法やスパッタ法などの乾式成膜法、およびグラビア印刷法やブレードコート法などの湿式成膜法が挙げられる。
Typical examples of the method for forming the
絶縁層22cは、電極線23a及び電極線23bが、金属層22bを介して互いに電気的に接続されて短絡することを防止する。
The insulating
絶縁層22cの厚みは、10乃至1000nmの範囲にあることが好ましく、10乃至180nmの範囲にあることがより好ましく、10乃至150nmの範囲にあることがさらに好ましい。
The thickness of the insulating
絶縁層22cを形成する材料としては、公知の絶縁性材料を用いることができる。絶縁性材料の例としては、TiO2 、Al2 O3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 、SiO2 、およびSi3 N4 などの金属酸化物材料が挙げられる。
A known insulating material can be used as a material for forming the insulating
金属層22bの表面に絶縁層22cを形成する方法の例としては、真空蒸着法やスパッタ法などの乾式成膜法、およびグラビア印刷法やブレードコート法などの湿式成膜法が挙げられる。
Examples of the method for forming the insulating
絶縁層22cは、ポリエステル樹脂(例、ポリエチレンテレフタレート樹脂)及びポリカーボネート樹脂などの樹脂材料から形成することもできる。絶縁層22cを樹脂材料から形成する場合には、絶縁層22cを、前記樹脂材料からなるフィルムを金属層22bの表面にラミネートして形成することもできる。
The insulating
また、樹脂フィルム22aと金属層22bとの密着性を向上させるために、これらの間に接着層を付設することもできる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化性のエポキシ樹脂を用いることができる。
Moreover, in order to improve the adhesiveness of the
図2の第二の電極基板21の場合、電極線群23は、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰電極層とされる。電極線群23を形成する材料の代表例としては、Mg−Ag合金が挙げられる。電極線群23を形成する材料や厚みなどは、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の陰電極層の場合と同様であり、後に詳しく記載する。
In the case of the
電極線群23を形成する方法の例としては、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、キャスト法、LB法、パイロゾル法、およびスプレー法などが挙げられる。電極線群23の形状を設定する方法の例としては、マスク法、およびフォトリソグラフィー法が挙げられる。
Examples of the method for forming the
図2に示すように、本発明の第一の製造方法においては、第二の電極基板21の電極線群23の間にも絶縁性スペーサ層24が付設されていることが好ましい。第一の電極基板の場合と同様に、絶縁性スペーサ層24を、電極線群23の外側にも付設することがさらに好ましい。絶縁性スペーサ層24の付設により、第二の絶縁性基板22上の電極線群23によって形成された段差が緩和される。第二の電極基板21に付設される絶縁性スペーサ層24の厚み、材料、および形成方法は、第一の電極基板に付設される絶縁性スペーサ層の場合と同様である。
As shown in FIG. 2, in the first manufacturing method of the present invention, it is preferable that an insulating
第二の電極基板の構成は、図2に示す構成に限定されない。例えば、下記の構成の第二の電極基板を用いることもできる。
(1)金属層/樹脂フィルム/電極線群
(2)金属層/樹脂フィルム/金属層/絶縁層/電極線群
(3)樹脂フィルム/金属層/絶縁層/金属層/絶縁層/電極線群
上記のように第二の電極基板の電極線群の間には、絶縁性スペーサ層を付設することが好ましい。また、上記のように、樹脂フィルムと金属層との密着性を向上させるために、これらの間に接着層を付設することもできる。
The configuration of the second electrode substrate is not limited to the configuration shown in FIG. For example, a second electrode substrate having the following configuration can also be used.
(1) Metal layer / resin film / electrode wire group (2) Metal layer / resin film / metal layer / insulating layer / electrode wire group (3) Resin film / metal layer / insulating layer / metal layer / insulating layer / electrode wire Group As described above, an insulating spacer layer is preferably provided between the electrode line groups of the second electrode substrate. Moreover, in order to improve the adhesiveness of a resin film and a metal layer as mentioned above, an adhesive layer can also be provided between these.
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)を、添付の図面を用いて説明する。図3は、図1の第一の電極基板11及び図2の第二の電極基板21を用いた本発明の第一の製造方法を示す斜視図である。
Next, the manufacturing method (first manufacturing method) of the organic electroluminescence element of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 3 is a perspective view showing a first manufacturing method of the present invention using the
図3に示す本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)は、下記の工程を順に実施することからなる。
上記のようにして作製された、第一の絶縁性基板12、この基板12の表面に付設された電極線群13、この電極線群13の間に付設された絶縁性スペーサ層14、及び前記電極線群13と絶縁性スペーサ層14との上に積層された正孔輸送層15aと有機発光材料層15bからなる第一の電極基板11、そして第二の絶縁性基板22、この基板22の表面に付設された電極線群23、及びこの電極線群23の間に付設された絶縁性スペーサ層24からなる第二の電極基板21を用意する工程。
第一の電極基板11と第二の電極基板21とを、上記有機発光材料層15bを挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差(好ましくは直交)するように重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板11と第二の電極基板21とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
The manufacturing method (first manufacturing method) of the organic electroluminescence element of the present invention shown in FIG. 3 consists of sequentially performing the following steps.
The first insulating
A step of overlapping the
And the process which presses together the
第一の電極基板11と第二の電極基板21とを接合する際の加熱の温度は、第一の電極基板11の最頂部の有機材料層(図3に示す第一の電極基板11の場合には、有機発光材料層15b)のガラス転移点±25℃の範囲にあることが好ましい。
The heating temperature when bonding the
図3に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製に用いる第一の電極基板11と第二の電極基板21のそれぞれは、絶縁性スペーサ層を付設することにより、絶縁性基板上の電極線群によって形成された段差が緩和されている。従って、このような絶縁性スペーサを備えた第一の電極基板11と第二の電極基板21とを互いに接合することにより、これらの電極基板間における隙間の発生が低減され、耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。また、電極基板11を作製する際に、有機発光材料層15bの表面に直接電極線群を形成する必要がないため、本発明に従って製造された有機エレクトロルミネッセンス素子は、その有機発光材料層15bへのダメージが低減されている。なお、第一の電極基板21の絶縁性基板22として透明樹脂フィルム(好ましくは防湿処理が施された透明樹脂フィルム)を用いることにより、可撓性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができる。
As shown in FIG. 3, each of the
作製された有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光素子内部への水分の侵入を抑制するために防湿処理が施される。防湿処理方法の代表例としては、有機エレクトロルミネッセンス素子を気密容器の内部に封入する方法、あるいは発光素子周縁部に低透湿性の樹脂層を形成する方法が挙げられる。発光素子を気密容器の内部に封入する場合には、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に用いる電極基板に防湿処理は不要である。例えば、図3に示す第二の電極基板21の樹脂フィルム22aに付設される金属層22b及び絶縁層22cは不要である。発光素子周縁部に低透湿性の樹脂層を形成する場合、低透湿性樹脂層は、紫外線硬化性、常温硬化性、あるいは熱硬化性の樹脂を発光素子の周縁部に塗布、そして硬化させることにより形成することができる。樹脂の代表例としては、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂が挙げられる。
The produced organic electroluminescence element is subjected to moisture-proofing treatment in order to suppress the intrusion of moisture into the light emitting element. Typical examples of the moisture-proofing method include a method of encapsulating an organic electroluminescence element in an airtight container, or a method of forming a low moisture-permeable resin layer on the periphery of the light emitting element. When the light emitting element is sealed in the hermetic container, the moisture-proof treatment is not necessary for the electrode substrate used for manufacturing the organic electroluminescence element. For example, the
図4は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)の実施に用いる第一の電極基板の別の一例の構成を示す斜視図である。図4の第一の電極基板41の構成は、正孔輸送層45a及び有機発光材料層45bの形状が異なること以外は、図1の第一の電極基板11と同様である。
FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of another example of the first electrode substrate used for carrying out the method for manufacturing an organic electroluminescence element of the present invention (first manufacturing method). The configuration of the
図5は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)の実施に用いる第二の電極基板の別の一例の構成を示す斜視図であり、そして図6は、図5に記入した切断線I−I線に沿って切断した第二の電極基板51の拡大断面図である。
FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of another example of the second electrode substrate used in the implementation of the method for manufacturing an organic electroluminescence element of the present invention (first manufacturing method), and FIG. It is an expanded sectional view of the 2nd electrode board |
図5及び図6に示す第二の電極基板51は、長尺絶縁性フィルム(第二の絶縁性基板)52、この絶縁性フィルム52の表面に付設された電極線群53、及び電極線群53の間に付設された絶縁性スペーサ層54などから構成されている。電極線群53は、電極線53a、53bから構成され、これらの電極線は互いに平行に配置されている。図5に示すように、絶縁性スペーサ層54を、電極線群53の外側にも付設することが好ましい。
The
図5に示すように、電極線群53と絶縁性スペーサ層54との上には、封止用の硬化性樹脂製の枠体56を付設することもできる。封止用の硬化性樹脂製枠体56は、図4の第一の電極基板41の有機材料層45の周囲を囲むことのできる形状とサイズとされている。封止用の硬化性樹脂製枠体は、例えば、紫外線硬化性、常温硬化性、あるいは熱硬化性の樹脂を、グラビア印刷あるいはスクリーン印刷法するなどして形成される。図5に示す硬化樹脂製枠体56は、紫外線硬化性樹脂から形成されている。
As shown in FIG. 5, a
図6に示すように、長尺絶縁性フィルム52は、樹脂フィルム52a上に、金属層52b、そして絶縁層52cがこの順に積層された構成を有している。長尺絶縁性フィルム52の金属層52bは、作製される有機エレクトロルミネッセンス素子内部への第二の電極基板の側からの水分の侵入を抑制する。長尺絶縁性フィルム52の構成は、長尺状に調製されていること以外は、図2の第二の絶縁性基板22と同様である。
As shown in FIG. 6, the long insulating
図5に示すように、第二の電極基板51は、ロール状に巻かれていることが好ましい。図5の第二の電極基板51の電極線群53は、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰電極層とされる。陰電極層として用いる電極線群33は、活性の高い材料(例、Mg−Ag合金)から形成され、劣化(酸化)し易い。電極基板51をロール状に巻き取ることにより、電極線群53が直接大気に接触することが防止され、電極線群53の劣化を抑制することができる。
As shown in FIG. 5, the
第二の電極基板51は、電極線群53の劣化を抑制するために、真空中もしくは不活性気体(例、窒素ガス)中にて巻き取ることにより、ロール状とすることが好ましい。ロール状の第二の電極基板は、その全体を真空包装、あるいは不活性ガスを充填した状態で包装することがさらに好ましい。
In order to suppress the deterioration of the
また、ロール状の第二の電極フイルムの外周を、長尺樹脂フイルムの表面に金属層(もしくは金属層及び絶縁層)が積層された構成とすることも好ましい。ロールの巻きの外周(例、最外周)を金属層で覆うことにより、ロール状の第二の電極基板の外周面からの水分の侵入による電極線群の劣化をさらに抑制することができる。また、ロール状の第二の電極基板の巻きの外側の二周以上を、樹脂フイルムの表面に金属層が積層された構成とすることもできる。 It is also preferable that the outer periphery of the roll-shaped second electrode film has a structure in which a metal layer (or a metal layer and an insulating layer) is laminated on the surface of the long resin film. By covering the outer periphery (eg, outermost periphery) of the roll with a metal layer, it is possible to further suppress deterioration of the electrode wire group due to moisture intrusion from the outer peripheral surface of the roll-shaped second electrode substrate. Further, two or more rounds outside the winding of the roll-shaped second electrode substrate can be configured such that a metal layer is laminated on the surface of the resin film.
ロール状の第二の電極基板内部へのロール側面からの水分の侵入を抑制するために、第二の電極基板は、2.5×105 乃至4.0×107 N/m2 の張力を付与しながら巻き取り、ロール状にすることが好ましい。このような張力の付与により、ロール状に巻かれた状態で互いに隣接している電極基板同士が十分に密着するため、ロール側面からの水分の侵入が抑制される。 The second electrode substrate has a tension of 2.5 × 10 5 to 4.0 × 10 7 N / m 2 in order to suppress the intrusion of moisture from the roll side surface into the roll-shaped second electrode substrate. It is preferable to wind up and to make into a roll shape. By applying such tension, the electrode substrates adjacent to each other in a state of being wound in a roll shape are sufficiently in close contact with each other, so that intrusion of moisture from the roll side surface is suppressed.
第二の電極基板51は、紙製、樹脂製、あるいは金属製の芯管などに巻き取ってロール状にすることが好ましい。ロール状の電極基板の芯管の側からの水分の侵入を抑制するために、金属製の芯管、あるいは表面が金属膜により被覆された芯管を用いることが好ましい。芯管の直径は、30乃至300mmの範囲にあることが好ましく、50乃至200mmの範囲にあることがより好ましく、70乃至175mmの範囲にあることがさらに好ましい。
The
図7は、図4の第一の電極基板41及び図5の第二の電極基板51を用いた本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第一の製造方法)を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a manufacturing method (first manufacturing method) of the organic electroluminescence element of the present invention using the
図7に示す製造方法は、搬送用樹脂フィルム(例、ポリエチレンテレフタレートフィルム)71上に配置された第一の電極基板41と、長尺状に調整された第二の電極基板51とを一対の加熱ロール70a、70bを用いて連続的に接合すること、そして接合の後に高圧水銀灯79により光(例、波長:365nm、光量3000mJ/cm2 )を照射して紫外線硬化樹脂製枠体56を硬化させることにより有機エレクトロルミネッセンス素子を封止すること以外は、図3の製造方法と同様にして実施される。このように、本発明の製造方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子を連続的に製造する場合にも有用な方法である。なお、第一の電極基板41の絶縁性基板12として長尺状に調製された透明樹脂フィルム(好ましくは防湿処理が施された透明樹脂フィルム)を用いることにより、搬送用樹脂フィルム71を用いることなく、有機エレクトロルミネッセンス素子を効率良く製造することができる。
The manufacturing method shown in FIG. 7 includes a pair of a
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第二の製造方法)について説明する。第二の製造方法は、下記の工程を順に実施することからなる。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及びこの電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及びこの電極線群の上に積層された有機発光材料層からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差するように重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
Next, the manufacturing method (2nd manufacturing method) of the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated. A 2nd manufacturing method consists of implementing the following process in order.
A first insulating substrate, a first electrode substrate comprising two or more parallel electrode wire groups attached to the surface of the substrate, and an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups; and a second Preparing a second electrode substrate comprising an insulating substrate, two or more parallel electrode wire groups attached to the surface of the substrate, and an organic light emitting material layer laminated on the electrode wire group.
A step of overlapping the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween so that the electrode line groups of the respective electrode substrates intersect.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
第二の製造方法は、用意する第一の電極基板と第二の電極基板の構成が異なること以外は、第一の製造方法と同様にして実施することができる。第一の製造方法と同様に、第二の製造方法の実施に用いる第一の電極基板が備える絶縁性スペーサ層により、第一の絶縁性基板上の電極線群によって形成された段差が緩和される。 The second manufacturing method can be carried out in the same manner as the first manufacturing method, except that the first electrode substrate and the second electrode substrate to be prepared are different in configuration. Similar to the first manufacturing method, the step formed by the electrode line group on the first insulating substrate is alleviated by the insulating spacer layer provided in the first electrode substrate used for carrying out the second manufacturing method. The
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第四の製造方法)について説明する。 Next, the manufacturing method (4th manufacturing method) of the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated.
図8は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第四の製造方法)の実施に用いる第一の電極基板の一例の構成を示す斜視図である。図8の第一の電極基板81は、第一の絶縁性基板82、この基板82の表面に付設された七個のセグメント83から構成された電極、このセグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層84から構成されている。図8に示すように、絶縁性スペーサ層84は、七個のセグメント83から構成された電極の外側にも付設されていることが好ましい。この絶縁性スペーサ層84により、第一の絶縁性基板82上の電極によって形成された段差が緩和される。第一の電極基板81の第一の絶縁性基板82、電極、そして絶縁性スペーサ層84の材料や形成方法などは、図1の第一の電極基板11の場合と同様である。また、各セグメントから第一の電極基板81の端部へと伸びる電極の配線部分(例えば、図8に記入した破線80により囲まれた電極の配線部分)を、アルミニウムなどの金属材料から形成することもできる。
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of an example of a first electrode substrate used for carrying out the organic electroluminescence element manufacturing method (fourth manufacturing method) of the present invention. The
図9は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第四の製造方法)の実施に用いる第二の電極基板の一例の構成を示す斜視図である。図9の第二の電極基板91は、第二の絶縁性基板92、この基板表面に付設された電極層93、及びこの電極層93の上に積層された有機発光材料層95bなどから構成されている。図9の第二の電極性基板の有機発光材料層95bの表面には、正孔輸送層95aが付設されている。第二の電極基板91の絶縁性基板92及び電極層93の材料や形成方法などは、図2の第二の電極基板21の場合と同様である。また、第二の電極性基板の有機発光材料層95b及び正孔輸送層95aの材料や形成方法などは、図1の第一の電極基板11の場合と同様である。なお、第二の電極層93は、有機エレクトロルミネッセンス素子の外部との電気的接続を容易とするためなどの理由により、パターン状に形成することもできる。
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of an example of a second electrode substrate used for carrying out the method for manufacturing an organic electroluminescence element of the present invention (fourth manufacturing method). 9 includes a second insulating substrate 92, an electrode layer 93 provided on the surface of the substrate, an organic light emitting
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第四の製造方法)は、図8の第一の電極基板81と図9の第二の電極基板91を用いること以外は、上記の第二の製造方法と同様にして実施することができる。
The manufacturing method (fourth manufacturing method) of the organic electroluminescence element of the present invention is the above-described second manufacturing except that the
最後に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法(第三の製造方法)について説明する。第三の製造方法は、下記の工程を順に実施することからなる。
第一の絶縁性基板、この基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、このセグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び前記電極と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、及びこの基板表面に付設された電極層からなる第二の電極基板を用意する工程。
第一の電極基板と第二の電極基板とを上記有機発光材料層を挟んで重ね合わせる工程。
そして、重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。
Finally, the manufacturing method (third manufacturing method) of the organic electroluminescence element of the present invention will be described. The third production method consists of sequentially performing the following steps.
On the first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer provided between the segment groups, and the electrode and the insulating spacer layer A step of preparing a first electrode substrate composed of a laminated organic light emitting material layer, a second insulating substrate, and a second electrode substrate composed of an electrode layer attached to the surface of the substrate.
A step of superposing the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween.
And the process which presses together the 1st electrode substrate and 2nd electrode substrate which were piled up under heating, and mutually joins.
第三の製造方法は、用意する第一の電極基板と第二の電極基板の構成が異なること以外は、上記第一の製造方法と同様にして実施することができる。第一の製造方法と同様に、第三の製造方法の実施に用いる第一の電極基板が備える絶縁性スペーサ層により、第一の絶縁性基板上の電極によって形成された段差が緩和される。 The third manufacturing method can be carried out in the same manner as the first manufacturing method, except that the first electrode substrate and the second electrode substrate to be prepared are different in configuration. Similar to the first manufacturing method, the step formed by the electrode on the first insulating substrate is alleviated by the insulating spacer layer provided in the first electrode substrate used in the implementation of the third manufacturing method.
以下、第一の電極基板の電極線群(あるいはセグメント群から構成される電極)及び第二の電極基板の電極線群(あるいは電極層)の材料や厚み、そして有機材料層(例、有機発光材料層)などについて説明する。これらの電極線群、そして有機材料層は、公知の有機エレクトロルミネッセンス素子の場合と同様にして形成することができる。有機エレクトロルミネッセンス素子については、「有機LED素子の残された研究課題と実用化戦略」(ぶんしん出版、1999年)及び「光・電子機能有機材料ハンドブック」(朝倉書店、1997年)などに詳しく記載されている。 Hereinafter, the material and thickness of the electrode line group (or electrode composed of segment groups) of the first electrode substrate and the electrode line group (or electrode layer) of the second electrode substrate, and the organic material layer (eg, organic light emission) Material layer) will be described. These electrode line groups and the organic material layer can be formed in the same manner as in the case of a known organic electroluminescence element. For details on organic electroluminescence devices, see “Remaining Research Issues and Strategies for Practical Use of Organic LED Devices” (Bunshin Publishing, 1999) and “Handbook of Optical and Electronic Functional Organic Materials” (Asakura Shoten, 1997). Has been described.
本発明において、第一の電極基板の電極線群(あるいはセグメント群から構成される電極)及び第二の電極基板の電極線群(あるいは電極層)の一方は有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層とされ、他方は有機エレクトロルミネッセンス素子の陰電極層とされる。 In the present invention, one of the electrode line group (or electrode composed of segment groups) of the first electrode substrate and the electrode line group (or electrode layer) of the second electrode substrate is a positive electrode layer of the organic electroluminescence element. The other is the negative electrode layer of the organic electroluminescence element.
陽電極層は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、導電性化合物、又はこれらの混合物などから形成される。陽電極層の材料の代表例としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)及びIZO(インジウム亜鉛酸化物)が挙げられる。 The positive electrode layer is formed of a metal having a high work function (4 eV or more), a conductive compound, or a mixture thereof. Typical examples of the material for the positive electrode layer include ITO (tin-doped indium oxide) and IZO (indium zinc oxide).
陽電極層の厚みは、1μm以下であることが一般的であり、200nm以下であることが好ましい。陽電極層の抵抗は、数百Ω/sq.以下であることが好ましい。 The thickness of the positive electrode layer is generally 1 μm or less, and preferably 200 nm or less. The resistance of the positive electrode layer is several hundred Ω / sq. The following is preferable.
陰電極層は、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金組成物、導電性化合物、又はこれらの混合物などから形成される。陰電極層の材料の代表例としては、Al、Ti、In、Na、K、Mg、Li、Cs、Rbおよび希土類金属などの金属、Na−K合金、Mg−Ag合金、Mg−Cu合金、およびAl−Li合金などの合金組成物が挙げられる。 The negative electrode layer is formed of a metal having a low work function (4 eV or less), an alloy composition, a conductive compound, or a mixture thereof. Typical examples of the material of the negative electrode layer include metals such as Al, Ti, In, Na, K, Mg, Li, Cs, Rb and rare earth metals, Na—K alloys, Mg—Ag alloys, Mg—Cu alloys, And alloy compositions such as Al-Li alloys.
陰電極層の厚みは、1μm以下であることが一般的であり、200nm以下であることがより好ましい。陰電極層の抵抗は、数百Ω/sq.以下であることが好ましい。 The thickness of the negative electrode layer is generally 1 μm or less, and more preferably 200 nm or less. The resistance of the negative electrode layer is several hundred Ω / sq. The following is preferable.
有機材料層には、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高くするために、その陽電極層側の面に正孔輸送層を、あるいはその陰電極層側の面に電子輸送層を付設することができる。以下に、これらの層の構成例(以下の有機発光材料層を含む層を、有機材料層と記載する)を示す。 In order to increase the luminous efficiency of the organic electroluminescence element, the organic material layer may be provided with a hole transport layer on the surface on the positive electrode layer side or an electron transport layer on the surface on the negative electrode layer side. it can. Below, the structural example (The layer containing the following organic light emitting material layers is described as an organic material layer) of these layers is shown.
(a)有機発光材料層
(b)正孔輸送層/有機発光材料層
(c)有機発光材料層/電子輸送層
(d)正孔輸送層/有機発光材料層/電子輸送層
(A) Organic light emitting material layer (b) Hole transport layer / organic light emitting material layer (c) Organic light emitting material layer / electron transport layer (d) Hole transport layer / organic light emitting material layer / electron transport layer
有機発光材料層を含む有機材料層は、第一の製造方法及び第三の製造方法においては、第一の電極基板の絶縁性基板に付設され、第二の製造方法及び第四の製造方法においては、第二の電極基板の絶縁性基板に付設される。また、有機材料層を層平面に沿って分割した一方の側の有機材料層を、その分割面が頂面となるようにして第一の電極基板の絶縁性基板に付設し、そして他方の側の有機材料層を、その分割面が頂面となるようにして第二の電極基板の絶縁性基板に付設しても良い。この場合、有機材料層は、各々の層の界面にて分割されてもよいし、あるいは所定の一層の厚み方向の途中の位置にて層の平面に沿って分割されてもよい(例えば、上記(a)の層構成の場合、有機発光材料層が層の平面に沿って二つに分割されてもよい)。 The organic material layer including the organic light emitting material layer is attached to the insulating substrate of the first electrode substrate in the first manufacturing method and the third manufacturing method, and in the second manufacturing method and the fourth manufacturing method. Is attached to the insulating substrate of the second electrode substrate. Further, the organic material layer on one side obtained by dividing the organic material layer along the layer plane is attached to the insulating substrate of the first electrode substrate so that the divided surface becomes the top surface, and the other side The organic material layer may be attached to the insulating substrate of the second electrode substrate so that the divided surface becomes the top surface. In this case, the organic material layer may be divided at the interface of each layer, or may be divided along the plane of the layer at a predetermined position in the thickness direction (for example, the above-described layer). In the case of the layer configuration (a), the organic light emitting material layer may be divided into two along the plane of the layer).
第一の電極基板と第二の電極基板とを貼り合わせる際には、少なくとも一方の電極基板が備える有機材料層を、加熱により軟化させる。有機材料層を加熱により軟化させる場合、加熱の温度が高すぎると、第一の電極基板と第二の電極基板とを貼り合わせる際に軟化させた層の厚みが大きく変動する。逆に加熱の温度が低すぎると、第一の電極基板と第二の電極基板とを互いに強固に接合することができない。このため、有機材料層の加熱温度は、加熱により軟化させる層のガラス転移点±25℃の範囲にあることが好ましく、ガラス転移点±20℃の範囲にあることがさらに好ましい。 When the first electrode substrate and the second electrode substrate are bonded together, the organic material layer included in at least one of the electrode substrates is softened by heating. When the organic material layer is softened by heating, if the heating temperature is too high, the thickness of the softened layer greatly varies when the first electrode substrate and the second electrode substrate are bonded together. Conversely, if the heating temperature is too low, the first electrode substrate and the second electrode substrate cannot be firmly bonded to each other. For this reason, the heating temperature of the organic material layer is preferably in the range of ± 25 ° C. of the glass transition point of the layer to be softened by heating, and more preferably in the range of ± 20 ° C. of the glass transition point.
正孔輸送層の材料の例としては、テトラアリールベンジシン化合物、芳香族アミン類、ピラゾリン誘導体、およびトリフェニレン誘導体などが挙げられる。正孔輸送層の厚みは、2乃至200nmの範囲にあることが好ましい。 Examples of the material for the hole transport layer include tetraarylbenzidine compounds, aromatic amines, pyrazoline derivatives, and triphenylene derivatives. The thickness of the hole transport layer is preferably in the range of 2 to 200 nm.
正孔輸送層には、その正孔移動度を改善するために、電子受容性アクセプタを添加することが好ましい。電子受容性アクセプタの例としては、ハロゲン化金属、ルイス酸、および有機酸などが挙げられる。電子受容性アクセプタが添加された正孔輸送層については、特開平11−283750号公報に記載がある。 In order to improve the hole mobility, an electron accepting acceptor is preferably added to the hole transporting layer. Examples of electron-accepting acceptors include metal halides, Lewis acids, and organic acids. A hole transport layer to which an electron accepting acceptor is added is described in JP-A No. 11-283750.
有機発光材料層は、有機発光材料から形成するか、キャリア輸送性(正孔輸送性、電子輸送性、または両性輸送性)を示す有機材料(以下、ホスト材料と記載する)に少量の有機発光材料を添加した材料から形成される。有機発光材料層に用いる有機発光材料の選択により、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色を容易に設定することができる。 The organic light-emitting material layer is formed from an organic light-emitting material or a small amount of organic light-emitting material on an organic material (hereinafter referred to as host material) that exhibits carrier transport properties (hole transport property, electron transport property, or amphoteric transport property). It is formed from the material which added the material. By selecting the organic light emitting material used for the organic light emitting material layer, the emission color of the organic electroluminescence element can be easily set.
有機発光材料層を有機発光材料から形成する場合、有機発光材料としては、成膜性に優れ、膜の安定性に優れた材料が用いられる。このような有機発光材料としては、Alq3 (トリス−(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)に代表される金属錯体、ポリフェニレンビニレン(PPV)誘導体、ポリフルオレン誘導体などが用いられる。ホスト材料と共に用いる有機発光材料としては、添加量が少ないために、前記の有機発光材料の他に、単独では安定な薄膜を形成し難い蛍光色素なども用いることができる。蛍光色素の例としては、クマリン、DCM誘導体、キナクリドン、ペリレン、およびルブレンなどが挙げられる。ホスト材料の例としては、前記のAlq3 、TPD(トリフェニルジアミン)、電子輸送性のオキサジアゾール誘導体(PBD)、ポリカーボネート系共重合体、およびポリビニルカルバゾールなどが挙げられる。なお、上記のように有機発光材料層を有機発光材料から形成する場合にも、発光色を調節するために、蛍光色素などの有機発光材料を少量添加することもできる。 In the case where the organic light emitting material layer is formed from an organic light emitting material, a material having excellent film forming properties and excellent film stability is used as the organic light emitting material. As such an organic light-emitting material, a metal complex represented by Alq 3 (tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum), a polyphenylene vinylene (PPV) derivative, a polyfluorene derivative, or the like is used. As the organic light-emitting material used together with the host material, since the addition amount is small, in addition to the organic light-emitting material, a fluorescent dye that is difficult to form a stable thin film by itself can be used. Examples of the fluorescent dye include coumarin, DCM derivatives, quinacridone, perylene, and rubrene. Examples of the host material include Alq 3 , TPD (triphenyldiamine), an electron transporting oxadiazole derivative (PBD), a polycarbonate-based copolymer, and polyvinyl carbazole. Even when the organic light emitting material layer is formed of an organic light emitting material as described above, a small amount of an organic light emitting material such as a fluorescent dye can be added in order to adjust the emission color.
有機発光材料層の厚みは、実用的な発光輝度を得るために、200nm以下であることが好ましい。 The thickness of the organic light emitting material layer is preferably 200 nm or less in order to obtain practical light emission luminance.
電子輸送層の材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンピリレンなどの複素環テロラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、およびスチルベン誘導体などの電子輸送性材料が挙げられる。また、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq)などのアルミキノリノール錯体を用いることもできる。電子輸送層の厚みは、5乃至300nmの範囲にあることが好ましい。 Examples of materials for the electron transport layer include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic teracarboxylic anhydrides such as naphthalene pyrylene, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and And electron transport materials such as anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, and stilbene derivatives. An aluminum quinolinol complex such as tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq) can also be used. The thickness of the electron transport layer is preferably in the range of 5 to 300 nm.
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽電極層と陰電極層との間には、発光素子の発光特性などを改良するために、上記の正孔輸送層や電子輸送層の他にも様々な層、例えば、陽電極層(もしくは陰電極層)の有機発光材料層側の表面に正孔注入層(もしくは電子注入層)を付設することができる。 Also, between the positive electrode layer and the negative electrode layer of the organic electroluminescence device, various layers other than the above-described hole transport layer and electron transport layer in order to improve the light emission characteristics of the light emitting device, For example, a hole injection layer (or electron injection layer) can be provided on the surface of the positive electrode layer (or negative electrode layer) on the organic light emitting material layer side.
正孔注入層の材料の代表例としては、銅フタロシアニン(CuPc)が、そして電子注入層の材料の代表例としては、LiF(フッ化リチウム)などのアルカリ金属化合物が挙げられる。正孔注入層は陽極バッファ層と、電子注入層は陰極バッファ層とも呼ばれ、これらの層の詳細については、「有機LED素子の残された研究課題と実用化戦略」(ぶんしん出版、1999年、p44−45)などの文献に詳しく記載されている。 A typical example of the material for the hole injection layer is copper phthalocyanine (CuPc), and a typical example of the material for the electron injection layer is an alkali metal compound such as LiF (lithium fluoride). The hole injection layer is also referred to as an anode buffer layer and the electron injection layer is also referred to as a cathode buffer layer. For details of these layers, see “Remaining research subjects and strategies for practical use of organic LED elements” (Bunshin Publishing, 1999). It is described in detail in literatures such as year, p44-45).
(第一の電極基板の作製)
ガラス基板の表面に、スパッタ法により、メタルマスクを用いて厚みが150nmの三本の線状のITO薄膜(第一の電極線群)を成膜した。次いで、前記の線状のITO薄膜の表面を覆うパターンのメタルマスクを用いて、スパッタ法により線状のITO薄膜の間に厚みが150nmの酸化チタン薄膜(絶縁性スペーサ層)を形成した。
(Production of the first electrode substrate)
Three linear ITO thin films (first electrode wire group) having a thickness of 150 nm were formed on the surface of the glass substrate by sputtering using a metal mask. Next, using a metal mask having a pattern covering the surface of the linear ITO thin film, a titanium oxide thin film (insulating spacer layer) having a thickness of 150 nm was formed between the linear ITO thin films by sputtering.
上記ITO薄膜は、スパッタリングターゲットとしてITOを、そしてスパッタリングガスとしてアルゴンと酸素との混合ガスを用いて成膜した。そして上記酸化チタン薄膜は、スパッタリングターゲットとしてチタンを、そしてスパッタリングガスとしてアルゴンと酸素との混合ガスを用いて成膜した。 The ITO thin film was formed using ITO as a sputtering target and a mixed gas of argon and oxygen as a sputtering gas. The titanium oxide thin film was formed using titanium as a sputtering target and a mixed gas of argon and oxygen as a sputtering gas.
次に、上記のITO薄膜及び酸化チタン薄膜の上に、正孔輸送層形成用の塗布液(PEDOT/PSS水溶液、Bayer AG Leverlusen社製)を、スクリーン印刷法により所定パターンで塗布、そして乾燥することにより、厚みが50nmの正孔輸送層を形成した。 Next, a coating solution for forming a hole transport layer (PEDOT / PSS aqueous solution, Bayer AG Leverlusen) is applied in a predetermined pattern on the ITO thin film and the titanium oxide thin film, and dried. As a result, a hole transport layer having a thickness of 50 nm was formed.
有機発光材料(Green K、American Dye Source社製)を、キシレンに1.5質量%の割合で溶解して有機発光材料層形成用の塗布液を作製した。前記の正孔輸送層の上に、作製した有機発光材料層形成用の塗布液を、スクリーン印刷法により正孔輸送層と同じパターンで塗布、そして乾燥することにより、厚みが50nmの有機発光材料層を形成した。このようにして、図4に示す構成の第一の電極基板を用意した。 An organic light emitting material (Green K, manufactured by American Dye Source) was dissolved in xylene at a ratio of 1.5 mass% to prepare a coating solution for forming an organic light emitting material layer. An organic light-emitting material having a thickness of 50 nm is formed by applying the coating liquid for forming the organic light-emitting material layer on the hole transport layer in the same pattern as the hole transport layer by screen printing and drying. A layer was formed. In this way, a first electrode substrate having the configuration shown in FIG. 4 was prepared.
(第二の電極基板の作製)
マグネトロンスパッタ装置の真空層内に配置された巻き出し機にロール状のPETフイルム(幅:250mm、厚み:100μm)を装着し、そして巻き取り機によりPETフィルムを巻き取りながら、フィルム表面に、厚みが100nmの銀薄膜(金属層)、厚みが20nmの酸化チタン薄膜(絶縁層)を成膜し、さらにメタルマスクを用いて厚みが150nmの二本の線状のMg−Ag合金薄膜(第二の電極線群)を成膜し、次いで、前記の線状のMg−Ag合金薄膜の表面を覆うパターンのメタルマスクを用いて、線状のMg−Ag合金薄膜の間に厚みが150nmの酸化チタン薄膜(絶縁性スペーサ層)を成膜し、そして成膜後のフィルムを巻き取り機によりロール状に巻き取った。
(Production of second electrode substrate)
A roll-shaped PET film (width: 250 mm, thickness: 100 μm) is attached to an unwinder placed in the vacuum layer of the magnetron sputtering apparatus, and the film surface is rolled up while the PET film is being wound by the winder. A silver thin film (metal layer) having a thickness of 100 nm and a titanium oxide thin film (insulating layer) having a thickness of 20 nm are formed, and two linear Mg-Ag alloy thin films (secondary) having a thickness of 150 nm are further formed using a metal mask. Then, using a metal mask having a pattern covering the surface of the linear Mg—Ag alloy thin film, an oxide having a thickness of 150 nm is formed between the linear Mg—Ag alloy thin films. A titanium thin film (insulating spacer layer) was formed, and the film after film formation was wound into a roll by a winder.
上記銀薄膜は、スパッタリングターゲットとしてAgを、そしてスパッタリングガスとしてアルゴンガスを用いて成膜した。そして上記Mg−Ag合金薄膜は、スパッタリングターゲットとしてMg−Ag合金を、そしてスパッタリングガスとしてアルゴンガスを用いて成膜した。 The silver thin film was formed using Ag as a sputtering target and argon gas as a sputtering gas. And the said Mg-Ag alloy thin film was formed into a film using Mg-Ag alloy as a sputtering target, and argon gas as sputtering gas.
得られたロール状のフィルムを、ドライボックス内に配置された巻き出し機に装着し、そして巻き取り機によりフィルムを巻き取りながら、フィルムのMg−Ag合金薄膜(第二の電極線)側の面に、紫外線硬化性のエポキシ樹脂(TB3121、(株)スリーボンド製)をスクリーン印刷法により所定パターンで塗布、そして乾燥することにより、厚みが20μmの封止用硬化性樹脂製枠体を形成し、次いでフィルムを巻き取り機により1.37×106 [N/m2 ]の張力を付与しながら巻き取った。このようにして、図5及び図6に示す構成の第二の電極基板を用意した。 The obtained roll-shaped film is mounted on an unwinder disposed in a dry box, and the film is wound on the Mg-Ag alloy thin film (second electrode wire) side of the film while being wound by the winder. An ultraviolet curable epoxy resin (TB3121, manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) is applied to the surface in a predetermined pattern by screen printing, and dried to form a sealing curable resin frame having a thickness of 20 μm. Then, the film was wound by a winder while applying a tension of 1.37 × 10 6 [N / m 2 ]. Thus, the 2nd electrode substrate of the structure shown in FIG.5 and FIG.6 was prepared.
(貼り合わせ)
図7に示すように、搬送用のポリエチレンテレフタレートフィルム71上に配置された第一の電極基板41と第二の電極基板51とを、温度が120℃に設定された一対のロール70a、70bを用いて加圧することにより互いに接合した。次いで搬送用のポリエチレンテレフタレートフィルム71側から高圧水銀灯79により光(波長:365nm、光量3000mJ/cm2 )を照射して封止用硬化性樹脂製枠体56を硬化させることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
(Lamination)
As shown in FIG. 7, the
11 第一の電極基板
12 第一の絶縁性基板
13 電極線群
13a、13b、13c 電極線
14 絶縁性スペーサ層
15 有機材料層
15a 正孔輸送層
15b 有機発光材料層
21 第二の電極基板
22 第二の絶縁性基板
22a 樹脂フィルム
22b 金属層
22c 絶縁層
23 電極線群
23a、23b 電極線
24 絶縁性スペーサ層
41 第一の電極基板
45 有機材料層
45a 正孔輸送層
45b 有機発光材料層
51 第二の電極基板
52 第二の絶縁性基板
52a 樹脂フィルム
52b 金属層
52c 絶縁層
53 電極線群
53a、53b 電極線
54 絶縁性スペーサ層
56 封止用硬化性樹脂製枠体
70a、70b 加熱ロール
71 搬送用樹脂フィルム
79 高圧水銀灯
80 電極の配線部分を示す破線
81 第一の電極基板
82 第一の絶縁性基板
83 セグメント
84 絶縁性スペーサ層
91 第二の電極基板
92 第二の絶縁性基板
92a 樹脂フィルム
92b 金属層
92c 絶縁層
93 第二の電極層
95 有機材料層
95a 正孔輸送層
95b 有機発光材料層
DESCRIPTION OF
Claims (14)
第一の絶縁性基板、該基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、該電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び該電極線群と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、及び該基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群からなる第二の電極基板を用意する工程;
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差するように重ね合わせる工程;そして
重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。 The manufacturing method of the organic electroluminescent element which consists of the following processes:
A first insulating substrate, two or more parallel electrode wire groups provided on the substrate surface, an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups, and the electrode wire group and the insulating spacer layer; First electrode substrate made of organic light emitting material layer laminated on top, second insulating substrate, and second electrode substrate made of two or more parallel electrode lines attached to the surface of the substrate Preparing a process;
A step of overlapping the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween so that the electrode line groups of the respective electrode substrates intersect; and the overlapping first electrode substrate and A step of applying pressure to the second electrode substrate under heating and bonding them together.
第一の絶縁性基板、該基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及び該電極線群の間に付設された絶縁性スペーサ層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、該基板表面に付設された二以上の互いに平行な電極線群、及び該電極線群の上に積層された有機発光材料層からなる第二の電極基板を用意する工程;
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで、各々の電極基板の電極線群が交差するように重ね合わせる工程;そして
重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。 The manufacturing method of the organic electroluminescent element which consists of the following processes:
A first electrode substrate comprising: a first insulating substrate; two or more parallel electrode wire groups attached to the substrate surface; and an insulating spacer layer provided between the electrode wire groups; A second electrode substrate comprising: an insulative substrate; two or more parallel electrode line groups attached to the substrate surface; and an organic light emitting material layer laminated on the electrode line group;
A step of overlapping the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween so that the electrode line groups of the respective electrode substrates intersect; and the overlapping first electrode substrate and A step of applying pressure to the second electrode substrate under heating and bonding them together.
第一の絶縁性基板、該基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、該セグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層、及び該電極と絶縁性スペーサ層との上に積層された有機発光材料層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、及び該基板表面に付設された電極層からなる第二の電極基板を用意する工程;
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで重ね合わせる工程;そして
重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。 The manufacturing method of the organic electroluminescent element which consists of the following processes:
On the first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, an insulating spacer layer provided between the segment groups, and the electrode and the insulating spacer layer Providing a first electrode substrate comprising a laminated organic light emitting material layer, a second insulating substrate, and a second electrode substrate comprising an electrode layer attached to the substrate surface;
A step of superposing the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween; and pressing the superposed first electrode substrate and the second electrode substrate under heating to each other The process of joining.
第一の絶縁性基板、該基板表面に付設された二以上のセグメントから構成された電極、及び該セグメント群の間に付設された絶縁性スペーサ層からなる第一の電極基板、そして第二の絶縁性基板、該基板表面に付設された電極層、及び該電極層の上に積層された有機発光材料層からなる第二の電極基板を用意する工程;
第一の電極基板と第二の電極基板とを、上記有機発光材料層を挟んで重ね合わせる工程;そして
重ね合わせた第一の電極基板と第二の電極基板とを加熱下に加圧して互いに接合する工程。 The manufacturing method of the organic electroluminescent element which consists of the following processes:
A first insulating substrate, an electrode composed of two or more segments attached to the surface of the substrate, a first electrode substrate comprising an insulating spacer layer attached between the segments, and a second Providing a second electrode substrate comprising an insulating substrate, an electrode layer attached to the substrate surface, and an organic light emitting material layer laminated on the electrode layer;
A step of superposing the first electrode substrate and the second electrode substrate with the organic light emitting material layer interposed therebetween; and pressing the superposed first electrode substrate and the second electrode substrate under heating to each other The process of joining.
The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 13, wherein at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate is a transparent resin film.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009230955A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokai Rubber Ind Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
JP2009231411A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokai Rubber Ind Ltd | Organic electroluminescent device |
JP2010033794A (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokai Rubber Ind Ltd | Method of manufacturing organic electroluminescent element |
JP2012511237A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
US10270058B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-04-23 | Nec Lighting, Ltd. | Organic electroluminescent illumination panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescent illumination device |
-
2003
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009230955A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokai Rubber Ind Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
JP2009231411A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Tokai Rubber Ind Ltd | Organic electroluminescent device |
JP2010033794A (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Tokai Rubber Ind Ltd | Method of manufacturing organic electroluminescent element |
JP2012511237A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
US10270058B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-04-23 | Nec Lighting, Ltd. | Organic electroluminescent illumination panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescent illumination device |
US11108015B2 (en) | 2012-03-30 | 2021-08-31 | HotaluX, Ltd. | Organic electroluminescent illumination panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescent illumination device with spacers protruding from a second electrode |
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