JP2005158782A - Method for working semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To lay an adhesive tape for a die bonding on a polished rear side without breaking a semiconductor wafer and without damaging a circuit. <P>SOLUTION: When a protective sheet 1 is stuck on the surface of the semiconductor wafer W, to which a plurality of the circuits are formed, the rear side of the wafer W is polished and the adhesive film 7 for the die bonding is laid on the rear side, the protective sheet 1 formed of polyether imide through a pressure-sensitive adhesive is stuck on the surface of the wafer W. The surface side with the sheet 1 stuck thereon is placed and held on a chuck table and the rear side of the wafer W is polished, and the adhesive film 7 is laid on the rear of the wafer W after polishing in this case. Since the sheet composed of polyether imide is used, the film 7 can be laid under the state in which the sheet 1 is left as it is stuck, the wafer W is not broken and even the circuits are not damaged. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェーハの裏面を研削した後に、その裏面に接着フィルムを敷設する半導体ウェーハの加工方法に関するものである。   The present invention relates to a method for processing a semiconductor wafer in which an adhesive film is laid on the back surface after grinding the back surface of the semiconductor wafer.

ＩＣやＬＳＩ等の回路が表面に複数形成された半導体ウェーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成される。近年は、各種電子機器の薄型化、小型化を図るために、半導体ウェーハの厚みが１００μｍ以下、５０μｍ以下となるように極めて薄く形成することが求められている。   A semiconductor wafer on which a plurality of circuits such as IC and LSI are formed on the front surface is formed to have a predetermined thickness by grinding the back surface. In recent years, in order to reduce the thickness and size of various electronic devices, it has been required to form a semiconductor wafer extremely thin so that the thickness of the semiconductor wafer is 100 μm or less and 50 μm or less.

裏面の研削時には、表面に形成された回路を保護するために、塩化ビニールまたはポリオレフィンで形成された保護テープが表面に貼着される。また、裏面の研削により所定の厚みに形成された半導体ウェーハの裏面には、ダイアタッチフィルムなどと称される接着フィルムが貼着されることがある。この接着フィルムは、リードフレームやインタポーザなどに半導体チップをボンディングする際や、半導体チップを複数積層させる場合において半導体チップ間をボンディングする際に接着剤としての役割を果たすものであり、ポリイミド樹脂によって形成されており、半導体ウェーハの裏面に貼着した後に加熱することにより半導体ウェーハと一体となる（例えば特許文献１参照）。   When grinding the back surface, a protective tape made of vinyl chloride or polyolefin is attached to the surface in order to protect the circuit formed on the surface. In addition, an adhesive film called a die attach film may be attached to the back surface of the semiconductor wafer formed to a predetermined thickness by grinding the back surface. This adhesive film serves as an adhesive when bonding semiconductor chips to lead frames, interposers, etc., or when bonding multiple semiconductor chips, and is made of polyimide resin It is united with the semiconductor wafer by heating after being attached to the back surface of the semiconductor wafer (see, for example, Patent Document 1).

特開２００３−１２９０２５号公報JP 2003-129025 A

しかしながら、上記接着フィルムを半導体ウェーハに敷設する際には、半導体ウェーハが１５０°Ｃ〜２００°Ｃという高温に加熱されるため、裏面の研削前に表面に貼着された保護テープの溶融を避けるために、接着フィルムの敷設前に保護テープを剥離しなければならず、この剥離の際に、薄くなった半導体ウェーハが破損するという問題がある。   However, when laying the adhesive film on a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is heated to a high temperature of 150 ° C. to 200 ° C., so avoid melting of the protective tape attached to the front surface before grinding the back surface. Therefore, the protective tape must be peeled off before the adhesive film is laid, and there is a problem that the thinned semiconductor wafer is damaged during the peeling.

また、接着フィルムの敷設の際には、半導体ウェーハの表面側が加熱テーブルにおいて保持されるため、保護テープの剥離後に半導体ウェーハを加熱テーブルに載置すると、表面が直接加熱テーブルに接触して回路が損傷するという問題がある。   In addition, when the adhesive film is laid, the surface side of the semiconductor wafer is held on the heating table, so when the semiconductor wafer is placed on the heating table after the protective tape is peeled off, the surface directly contacts the heating table and the circuit is There is a problem of damage.

一方、保護テープの剥離の際に半導体ウェーハが破損しなかったとしても、保護テープが剥離されてサポート力を失った半導体ウェーハは割れやすく、その後の工程において破損するおそれがある。   On the other hand, even if the semiconductor wafer is not damaged when the protective tape is peeled off, the semiconductor wafer that has been peeled off the protective tape and loses its support force is easily broken and may be damaged in the subsequent process.

そこで、本発明は、半導体ウェーハを破損させることなく、回路を損傷させることなく、研削された裏面に接着フィルムを敷設することを課題とする。   Then, this invention makes it a subject to lay an adhesive film on the ground back surface, without damaging a semiconductor wafer and without damaging a circuit.

本発明は、複数の回路が形成された半導体ウェーハの表面に保護シートを貼着して半導体ウェーハの裏面を研削した後に、裏面にダイボンディング用の接着フィルムを敷設する方法であって、半導体ウェーハの表面に、粘着剤を介してポリエーテルイミドにより形成された保護シートを貼着する保護シート貼着工程と、保護シートが貼着された表面側をチャックテーブルにおいて保持し、半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、研削工程終了後の半導体ウェーハをチャックテーブルから搬出して加熱プレート上に載置し、加熱して半導体ウェーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを敷設する接着フィルム敷設工程とを少なくとも含む半導体ウェーハの加工方法を提供する。   The present invention is a method of attaching an adhesive film for die bonding to a back surface after a protective sheet is pasted on the surface of a semiconductor wafer on which a plurality of circuits are formed and the back surface of the semiconductor wafer is ground. A protective sheet attaching step for attaching a protective sheet formed of polyetherimide via an adhesive to the surface of the surface, and holding the surface side on which the protective sheet is attached on the chuck table, the back side of the semiconductor wafer A grinding process for grinding, an adhesive film laying process for unloading the semiconductor wafer after the grinding process from the chuck table, placing it on a heating plate, and heating and laying an adhesive film for die bonding on the back surface of the semiconductor wafer; A method for processing a semiconductor wafer including at least

接着フィルムがポリイミド樹脂により形成される場合は、接着フィルム敷設工程において１２０°Ｃ〜２００°Ｃに加熱される。接着フィルム敷設工程の後には、接着フィルムが敷設された半導体ウェーハの裏面側をダイシングテープに貼着してダイシングテープを介して半導体ウェーハをダイシングフレームと一体とし、半導体ウェーハの表面から保護シートを剥離する移し替え工程と、ダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハを接着フィルムと共に個々の半導体チップに分割する分割工程とを遂行してもよい。   When the adhesive film is formed of a polyimide resin, it is heated to 120 ° C. to 200 ° C. in the adhesive film laying step. After the adhesive film laying process, the back side of the semiconductor wafer on which the adhesive film is laid is attached to a dicing tape, the semiconductor wafer is integrated with the dicing frame via the dicing tape, and the protective sheet is peeled off from the surface of the semiconductor wafer. And a dividing step of dividing the semiconductor wafer integrated with the dicing frame into individual semiconductor chips together with the adhesive film.

保護シート貼着工程においては、粘着剤は、保護シートにコーティングされるようにしてもよいし、半導体ウェーハの表面にコーティングされるようにしてもよい。   In the protective sheet sticking step, the adhesive may be coated on the protective sheet or may be coated on the surface of the semiconductor wafer.

保護シートは５０μｍ〜２００μｍの厚さに形成されることが望ましく、粘着剤はアクリル系接着剤であり、接着フィルムはポリイミド樹脂フィルムであることが望ましい。   The protective sheet is preferably formed to a thickness of 50 μm to 200 μm, the pressure-sensitive adhesive is an acrylic adhesive, and the adhesive film is preferably a polyimide resin film.

本発明においては、半導体ウェーハの裏面研削時の表面保護用の保護シートとして、２００°Ｃといった高温時でも常温時と同様の剛性が維持されると共に形状が変化しない特性を有するポリエーテルイミドで形成されたものを使用したため、裏面研削後にその保護シートを貼着したままの状態で半導体ウェーハを加熱テーブルに載置し加熱して裏面に接着フィルムを敷設することができる。従って、半導体ウェーハの表面の回路が保護シートによって保護されて熱により損傷することがない。また、加熱時に半導体ウェーハが保護シートによって支持されるため、半導体ウェーハが破損することもない。   In the present invention, as a protective sheet for protecting the surface of the semiconductor wafer when grinding the back surface, it is formed of polyetherimide having the same rigidity as that at room temperature even at a high temperature of 200 ° C. and having the same shape. Since what was used was used, a semiconductor wafer can be mounted on a heating table in the state which adhered the protective sheet after back surface grinding, and it can heat and can lay an adhesive film on the back surface. Therefore, the circuit on the surface of the semiconductor wafer is protected by the protective sheet and is not damaged by heat. Further, since the semiconductor wafer is supported by the protective sheet during heating, the semiconductor wafer is not damaged.

また、接着フィルムの敷設後に半導体ウェーハをダイシングフレームに移し替えて個々の半導体チップに分割する場合には、接着フィルムが敷設された裏面側をダイシングテープに貼着してから保護シートを剥離することができるため、移し替えの際にも半導体ウェーハが損傷することがない。   In addition, when the semiconductor wafer is transferred to a dicing frame after the adhesive film is laid and divided into individual semiconductor chips, the protective sheet is peeled off after the back side where the adhesive film is laid is attached to the dicing tape. Therefore, the semiconductor wafer is not damaged even during transfer.

図１に示す半導体ウェーハＷは、表面Ｗ１側において格子状に配列されたストリートＳによって区画された個々の矩形領域に回路が形成されたもので、ストリートＳを切削することにより各矩形領域が半導体チップＣとなるものである。   The semiconductor wafer W shown in FIG. 1 has a circuit formed in each rectangular area partitioned by streets S arranged in a lattice pattern on the surface W1 side. By cutting the street S, each rectangular area is a semiconductor. Chip C is to be obtained.

この半導体ウェーハＷの表面Ｗ１に、図１に示す保護シート１を貼着する。保護シート１は、ポリエーテルイミドにより形成された耐熱性のシートであり、その厚さは例えば５０μｍ〜２００μｍ程度であり、半導体ウェーハＷが後の研削により薄くなったあとも損傷させずに支持できる程度の剛性を有している。例えば、住友ベークライト株式会社の「スミライトＦＳ−１４００シリーズ」や、日本ジーイープラスチック株式会社の「ＵＬＴＥＭ１０００ｆｉｌｍ」等を用いることができる。   A protective sheet 1 shown in FIG. 1 is attached to the surface W1 of the semiconductor wafer W. The protective sheet 1 is a heat-resistant sheet formed of polyetherimide, and has a thickness of about 50 μm to 200 μm, for example, and can be supported without damage even after the semiconductor wafer W is thinned by subsequent grinding. It has a certain degree of rigidity. For example, “Sumilite FS-1400 series” manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., “ULTEM 1000 film” manufactured by GE Plastics Japan, etc. can be used.

保護シート１の一方の面には、例えば図１に示すように粘着剤２を塗布しておき、粘着剤２を半導体ウェーハＷの表面１に対面させて貼着することにより保護シート１と半導体ウェーハＷとを一体とする。また、図２に示すように、回転台３の上に表面Ｗ１を上に向けて半導体ウェーハＷを載置し、半導体ウェーハＷを回転させながら粘着剤４を滴下させて表面Ｗ１の上にスピンコートにより粘着剤４をコーティングし、粘着剤４に保護シート１の一方の面を貼着するようにしてもよい（保護シート貼着工程）。粘着剤４としては、例えばアクリル系等の粘着剤を用いることができる。   For example, as shown in FIG. 1, an adhesive 2 is applied to one surface of the protective sheet 1, and the adhesive 2 is attached to the surface 1 of the semiconductor wafer W so that the protective sheet 1 and the semiconductor are adhered. The wafer W is integrated. Further, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafer W is placed on the turntable 3 with the surface W1 facing upward, and the adhesive 4 is dropped while spinning the semiconductor wafer W to spin on the surface W1. The adhesive 4 may be coated with a coat, and one surface of the protective sheet 1 may be adhered to the adhesive 4 (protective sheet attaching step). As the adhesive 4, for example, an acrylic adhesive or the like can be used.

表面に保護シート１が貼着された半導体ウェーハＷは、次に、例えば図３に示す研削装置５に搬送される。この研削装置５は、被研削物を保持して回転及び水平方向に移動可能なチャックテーブル５０と、被研削物に対して研削を施す研削手段５１と、研削手段５１を移動させる研削手段駆動部５２とを備えている。   Next, the semiconductor wafer W having the protective sheet 1 attached to the surface is conveyed to a grinding device 5 shown in FIG. 3, for example. The grinding apparatus 5 includes a chuck table 50 that holds a workpiece and can be rotated and moved in a horizontal direction, a grinding unit 51 that grinds the workpiece, and a grinding unit driving unit that moves the grinding unit 51. 52.

研削手段５１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル５１０の下端にマウンタ５１１を介して研削ホイール５１２が装着され、研削ホイール５１２の下面に研削砥石５１３が固着された構成となっている。   The grinding means 51 has a configuration in which a grinding wheel 512 is attached to a lower end of a spindle 510 having a vertical axis through a mounter 511 and a grinding wheel 513 is fixed to the lower surface of the grinding wheel 512.

一方、研削手段駆動部５２においては、壁部５２０の内側の面において垂直方向にガイドレール５２１及びボールネジ５２２が配設され、ボールネジ５２２の一端にはパルスモータ５２３が連結されている。ガイドレール５２１には支持部５２４が摺動可能に係合し、ボールネジ５２２には支持部５２４の内部のナット（図示せず）が係合している。支持部５２４は研削手段５１を支持しており、パルスモータ５２３に駆動されてボールネジ５２２が回動するのに伴い支持部５２４がガイドレール５２１にガイドされて昇降し、これに伴って研削手段５１が昇降する構成となっている。   On the other hand, in the grinding means driving unit 52, a guide rail 521 and a ball screw 522 are arranged in a vertical direction on the inner surface of the wall portion 520, and a pulse motor 523 is connected to one end of the ball screw 522. A support portion 524 is slidably engaged with the guide rail 521, and a nut (not shown) inside the support portion 524 is engaged with the ball screw 522. The support portion 524 supports the grinding means 51. As the ball screw 522 is rotated by being driven by the pulse motor 523, the support portion 524 is guided up and down by the guide rail 521, and accordingly the grinding means 51 is supported. Is configured to move up and down.

表面に保護シート１が貼着された半導体ウェーハＷは、表面の保護シート１側がチャックテーブル５０に保持され、半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出した状態となる。そしてこの半導体ウェーハＷは、チャックテーブル５０の水平方向の移動により研削手段５１の直下に位置付けられる。   The semiconductor wafer W with the protective sheet 1 adhered to the front surface is in a state where the front protective sheet 1 side is held by the chuck table 50 and the back surface W2 of the semiconductor wafer W is exposed. The semiconductor wafer W is positioned immediately below the grinding means 51 by the horizontal movement of the chuck table 50.

次に、チャックテーブル５０が回転すると共に、スピンドル５１０の回転により研削砥石５１３が下降し、パルスモータ５２３の駆動により研削手段５１が下降して、回転する研削砥石５１３が半導体ウェーハＷの裏面Ｗ２に接触し、裏面Ｗ２が研削される（研削工程）。研削工程においては半導体ウェーハＷが剛性の高い保護シート１によって支持されているため、研削により薄くなった後も半導体ウェーハＷが撓んで破損することがない。   Next, as the chuck table 50 is rotated, the grinding wheel 513 is lowered by the rotation of the spindle 510, and the grinding means 51 is lowered by driving the pulse motor 523. The rotating grinding wheel 513 is applied to the back surface W2 of the semiconductor wafer W. It contacts and the back surface W2 is ground (grinding process). In the grinding process, since the semiconductor wafer W is supported by the protective sheet 1 having high rigidity, the semiconductor wafer W is not bent and damaged even after being thinned by grinding.

このような研削により半導体ウェーハＷが所定の厚さに形成されると、研削手段５１が上昇し、チャックテーブル５０の移動により半導体ウェーハＷが元の位置に戻り、チャックテーブル５０による保持を解除される。   When the semiconductor wafer W is formed to a predetermined thickness by such grinding, the grinding means 51 rises, the semiconductor wafer W returns to the original position by the movement of the chuck table 50, and the holding by the chuck table 50 is released. The

研削工程によって所定の厚さに形成された半導体ウェーハＷは、表面に保護シート１が貼着されたままの状態でチャックテーブル５０から搬出され、図４に示すように、表面の保護シート１側が加熱テーブル６０に載置され、裏面が露出した状態となる。そして、裏面にポリイミド樹脂フィルム等のダイボンディング用の接着フィルム７を敷き詰めてローラー６１によって押圧すると共に、加熱テーブル６０によって半導体ウェーハＷが１２０°Ｃ〜２００°Ｃ程度に加熱されることにより、接着フィルム７が半導体ウェーハＷの表面Ｗ１に敷設される（接着フィルム敷設工程）。   The semiconductor wafer W formed to have a predetermined thickness by the grinding process is unloaded from the chuck table 50 with the protective sheet 1 adhered to the surface. As shown in FIG. It is placed on the heating table 60 and the back surface is exposed. Then, an adhesive film 7 for die bonding such as a polyimide resin film is spread on the back surface and pressed by the roller 61, and the semiconductor wafer W is heated to about 120 ° C. to 200 ° C. by the heating table 60, thereby bonding. The film 7 is laid on the surface W1 of the semiconductor wafer W (adhesive film laying step).

このとき、保護シート１も加熱されるが、保護シート１はポリエーテルイミドで形成されているため、常温時と同様の剛性が維持されると共に形状も変化しない。従って、塩化ビニールやポリオレフィンで形成された従来の保護テープを用いる場合とは異なり、裏面研削後に保護シート１を貼着したままの状態で半導体ウェーハＷを加熱して裏面に接着フィルム７を敷設することができるため、回路を保護することができ、回路が損傷することがないと共に、保護シート１の剛性が低下したり形状が変化したりすることがないため半導体ウェーハＷをサポートする力も低下せず、半導体ウェーハが破損することもない。   At this time, the protective sheet 1 is also heated, but since the protective sheet 1 is formed of polyetherimide, the same rigidity as at normal temperature is maintained and the shape does not change. Therefore, unlike the case of using a conventional protective tape formed of vinyl chloride or polyolefin, the semiconductor wafer W is heated and the adhesive film 7 is laid on the back surface while the protective sheet 1 is stuck after the back surface grinding. Therefore, the circuit can be protected, the circuit is not damaged, and the rigidity of the protective sheet 1 is not lowered or the shape is not changed, so that the force for supporting the semiconductor wafer W is also lowered. In addition, the semiconductor wafer is not damaged.

半導体ウェーハＷをダイシングする場合は、図５に示すように、裏面に敷設された接着フィルム７側をダイシングテープＴに貼着する。ダイシングテープＴは、粘着面が上を向いた状態でリング状のダイシングフレームＦの裏面に貼着されてダイシングフレームＦの開口部を塞いでおり、その開口部において半導体ウェーハＷが保持される。   When dicing the semiconductor wafer W, the adhesive film 7 laid on the back surface is attached to the dicing tape T as shown in FIG. The dicing tape T is stuck to the back surface of the ring-shaped dicing frame F with the adhesive surface facing upward, and closes the opening of the dicing frame F, and the semiconductor wafer W is held in the opening.

次に、表面の保護シート１を剥離する。このとき、半導体ウェーハＷの裏面側がダイシングテープＴに貼着されているため、保護シート１のみを円滑に剥離することができる。こうして、半導体ウェーハＷが保護シート１からダイシングフレームＦへの移し替えが行われる（移し替え工程）。このように、接着フィルム７が敷設された裏面側をダイシングテープＴに貼着してから保護シート１を剥離することができるため、移し替えの際に半導体ウェーハＷが損傷することがない。   Next, the protective sheet 1 on the surface is peeled off. At this time, since the back side of the semiconductor wafer W is adhered to the dicing tape T, only the protective sheet 1 can be smoothly peeled off. Thus, the semiconductor wafer W is transferred from the protective sheet 1 to the dicing frame F (transfer process). Thus, since the protective sheet 1 can be peeled off after the back side on which the adhesive film 7 has been laid is attached to the dicing tape T, the semiconductor wafer W is not damaged during the transfer.

移し替え工程によってダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷは、次に、例えば図６に示す切削装置８に搬送される。この切削装置８においては、被切削物を保持するチャックテーブル８０と、チャックテーブル８０に保持された被切削物に切削を施す切削手段８１とを備えている。   The semiconductor wafer W integrated with the dicing frame F through the dicing tape T in the transfer process is then transferred to, for example, a cutting device 8 shown in FIG. The cutting apparatus 8 includes a chuck table 80 that holds a workpiece and a cutting unit 81 that cuts the workpiece held on the chuck table 80.

チャックテーブル８０は、切削送り部９０によってＸ軸方向に移動可能となっている。切削送り部９０には、Ｘ軸方向に配設されたボールネジ９０１及びガイドレール９０２と、ボールネジ９０１の一端に連結されたパルスモータ９０３と、図示しない内部のナットがボールネジ９０１に螺合すると共に下部がガイドレール９０２に摺動可能に係合した基台９０４と、基台９０４の上部に配設されチャックテーブル８０の下部と連結された回転駆動部９０５とを備えており、パルスモータ９０３に駆動されてボールネジ９０１が回動するのに伴い基台９０４がガイドレール９０２にガイドされてＸ軸方向に移動し、これによってチャックテーブル８０もＸ軸方向に移動する構成となっている。またチャックテーブル８０は、回転駆動部９０５に駆動されて回転可能となっている。   The chuck table 80 can be moved in the X-axis direction by the cutting feed unit 90. The cutting feed portion 90 includes a ball screw 901 and a guide rail 902 arranged in the X-axis direction, a pulse motor 903 connected to one end of the ball screw 901, and an internal nut (not shown) screwed into the ball screw 901 and a lower portion. Includes a base 904 slidably engaged with the guide rail 902, and a rotation drive unit 905 disposed on the base 904 and connected to the lower part of the chuck table 80, and is driven by the pulse motor 903. As the ball screw 901 rotates, the base 904 is guided by the guide rail 902 and moves in the X-axis direction, whereby the chuck table 80 is also moved in the X-axis direction. The chuck table 80 can be rotated by being driven by a rotation driving unit 905.

切削手段８１は、スピンドルハウジング８１０によって回転可能に支持されたスピンドル８１１の先端に切削ブレード８１２が装着された構成となっており、全体として切り込み送り部９１によってＺ軸方向に移動可能となっている。切り込み送り部９１は、Ｚ軸方向に起立した壁部の一方の面にＺ軸方向に配設されたボールネジ（図示せず）及びガイドレール９１０と、ボールネジの一端に連結されたパルスモータ９１１と、図示しない内部のナットがボールネジに螺合すると共に側部がガイドレール９１０に摺動可能に係合した支持部９１２とを備え、パルスモータ９１１に駆動されてボールネジが回動するのに伴い支持部９１２がガイドレール９１０にガイドされてＺ軸方向に移動し、これによって支持部９１２に支持された切削手段８１もＺ軸方向に移動する構成となっている   The cutting means 81 has a configuration in which a cutting blade 812 is attached to the tip of a spindle 811 that is rotatably supported by a spindle housing 810, and can be moved in the Z-axis direction by a cutting feed portion 91 as a whole. . The incision feed portion 91 includes a ball screw (not shown) and a guide rail 910 arranged in the Z-axis direction on one surface of the wall portion standing in the Z-axis direction, and a pulse motor 911 connected to one end of the ball screw. An internal nut (not shown) is screwed into the ball screw, and a side portion is slidably engaged with the guide rail 910, and is supported as the ball screw rotates by being driven by the pulse motor 911. The portion 912 is guided by the guide rail 910 and moves in the Z-axis direction, whereby the cutting means 81 supported by the support portion 912 is also moved in the Z-axis direction.

切り込み送り部９１は、全体として割り出し送り部９２によってＹ軸方向に移動可能となっている。割り出し送り部９２は、Ｙ軸方向に配設されたボールネジ９２０及びガイドレール９２１と、ボールネジ９２０の一端に連結されたパルスモータ９２２と、図示しない内部のナットがボールネジ９２０に螺合すると共に下部がガイドレール９２１に摺動可能に係合した基台９２３とを備えており、パルスモータ９２２に駆動されてボールネジ９２０が回動するのに伴い基台９２３がガイドレール９２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、これによって切り込み送り部９１及び切削手段８１もＹ軸方向に移動する構成となっている。   The cutting feed portion 91 is movable in the Y-axis direction by the index feed portion 92 as a whole. The index feed unit 92 includes a ball screw 920 and a guide rail 921 arranged in the Y-axis direction, a pulse motor 922 connected to one end of the ball screw 920, an internal nut (not shown) screwed into the ball screw 920, and a lower portion. A base 923 slidably engaged with the guide rail 921 is provided. The base 923 is guided by the guide rail 921 and driven in the Y-axis direction as the ball screw 920 is rotated by being driven by the pulse motor 922. Accordingly, the cutting feed portion 91 and the cutting means 81 are also moved in the Y-axis direction.

ダイシングテープＴを介してダイシングフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷは、チャックテーブル８０に保持される。そして、切削手段８１がＹ軸方向に移動することにより半導体ウェーハＷの切削すべきストリートと切削ブレード８１２のＹ軸方向の位置合わせがされた後に、チャックテーブル８０がＸ軸方向に移動すると共に、切削ブレード８１２が高速回転しながら切削手段８１が下降することにより、切削ブレード８１２が半導体ウェーハＷのストリートに切り込み、接着フィルム７と共にストリートが切削される。   The semiconductor wafer W integrated with the dicing frame F via the dicing tape T is held on the chuck table 80. Then, after the cutting means 81 moves in the Y-axis direction and the street to be cut of the semiconductor wafer W and the cutting blade 812 are aligned in the Y-axis direction, the chuck table 80 moves in the X-axis direction, and The cutting means 81 descends while the cutting blade 812 rotates at a high speed, whereby the cutting blade 812 cuts into the street of the semiconductor wafer W and the street is cut together with the adhesive film 7.

また、ストリート間隔ずつ切削手段８１をＹ軸方向に割り出し送りしながら同様の切削を行うことにより同方向のストリートがすべて切削され、更にチャックテーブル８０を９０度回転させた後に同様の切削を行うと、すべてのストリートが縦横に切削されて、裏面に接着フィルムが敷設された個々の半導体チップに分割される（分割工程）。   Further, when the same cutting is performed while indexing and feeding the cutting means 81 in the Y-axis direction at intervals of streets, all the streets in the same direction are cut, and the same cutting is performed after the chuck table 80 is further rotated 90 degrees. All the streets are cut vertically and horizontally and divided into individual semiconductor chips each having an adhesive film laid on the back surface (division step).

本発明は、裏面に接着フィルムが敷設される半導体ウェーハを破損させることなく加工するのに利用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used to process a semiconductor wafer having an adhesive film laid on the back surface without damaging it.

保護シート貼着工程の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a protection sheet sticking process. 保護シート貼着工程の別の例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another example of a protection sheet sticking process. 研削工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the grinding device used for a grinding process. 接着フィルム敷設工程の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of an adhesive film laying process. 移し替え工程の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a transfer process. 分割工程に用いる切削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the cutting device used for a division | segmentation process.

符号の説明Explanation of symbols

Ｗ：半導体ウェーハ
Ｓ：ストリート Ｃ：半導体チップ
Ｔ：ダイシングテープ Ｆ：ダイシングフレーム
１：保護シート
２：粘着剤
３：回転台
４：粘着剤
５：研削装置
５０：チャックテーブル
５１：研削手段
５１０：スピンドル ５１１：マウンタ ５１２：研削ホイール
５１３：研削砥石
５２：研削手段駆動部
５２０：壁部 ５２１：ガイドレール ５２２：ボールネジ
５２３：パルスモータ ５２４：支持部
６０：加熱テーブル ６１：ローラー
７：接着フィルム
８：切削装置
８０：チャックテーブル
８１：切削手段
８１０：スピンドルハウジング ８１１：スピンドル ８１２：切削ブレード
９０：切削送り部
９０１：ボールネジ ９０２：ガイドレール ９０３：パルスモータ
９０４：基台 ９０５：回転駆動部
９１：切り込み送り部
９１０：ガイドレール ９１１：パルスモータ ９１２：支持部
９２：割り出し送り部
９２０：ボールネジ ９２１：ガイドレール ９２２：パルスモータ
９２３：基台 W: Semiconductor wafer S: Street C: Semiconductor chip T: Dicing tape F: Dicing frame 1: Protective sheet 2: Adhesive 3: Turntable 4: Adhesive 5: Grinding device 50: Chuck table 51: Grinding means 510: Spindle 511: Mounter 512: Grinding wheel 513: Grinding wheel 52: Grinding means driving part 520: Wall part 521: Guide rail 522: Ball screw 523: Pulse motor 524: Support part 60: Heating table 61: Roller 7: Adhesive film 8: Cutting Apparatus 80: Chuck table 81: Cutting means 810: Spindle housing 811: Spindle 812: Cutting blade 90: Cutting feed part 901: Ball screw 902: Guide rail 903: Pulse motor 904: Base 905: Rotation drive part 91: Cutting feed part 91 : Guide rail 911: Pulse Motor 912: support part 92: indexing unit 920: ball screw 921: guide rail 922: Pulse Motor 923: base

Claims (6)

複数の回路が形成された半導体ウェーハの表面に保護シートを貼着して該半導体ウェーハの裏面を研削した後に、該裏面にダイボンディング用の接着フィルムを敷設する半導体ウェーハの加工方法であって、
半導体ウェーハの表面に、粘着剤を介してポリエーテルイミドにより形成された保護シートを貼着する保護シート貼着工程と、
該保護シートが貼着された表面側をチャックテーブルにおいて保持し、該半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、
該研削工程終了後の半導体ウェーハを該チャックテーブルから搬出して加熱プレート上に載置し、加熱して該半導体ウェーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを敷設する接着フィルム敷設工程と
を少なくとも含む半導体ウェーハの加工方法。 A semiconductor wafer processing method in which a protective sheet is attached to the surface of a semiconductor wafer on which a plurality of circuits are formed and the back surface of the semiconductor wafer is ground, and then an adhesive film for die bonding is laid on the back surface,
A protective sheet attaching step for attaching a protective sheet formed of polyetherimide to the surface of the semiconductor wafer via an adhesive;
Holding the front surface side to which the protective sheet is adhered in a chuck table, and grinding the back surface of the semiconductor wafer; and
An adhesive film laying step of unloading the semiconductor wafer after completion of the grinding process from the chuck table, placing the semiconductor wafer on a heating plate, and laying an adhesive film for die bonding on the back surface of the semiconductor wafer by heating. Semiconductor wafer processing method. 前記接着フィルムは、ポリイミド樹脂により形成され、前記接着フィルム敷設工程において１２０°Ｃ〜２００°Ｃに加熱される請求項１に記載の半導体ウェーハの加工方法。   The semiconductor wafer processing method according to claim 1, wherein the adhesive film is formed of a polyimide resin and is heated to 120 ° C. to 200 ° C. in the adhesive film laying step. 前記接着フィルム敷設工程の後に、
前記接着フィルムが敷設された半導体ウェーハの裏面側をダイシングテープに貼着して該ダイシングテープを介して前記半導体ウェーハをダイシングフレームと一体とし、該半導体ウェーハの表面から前記保護シートを剥離する移し替え工程と、
該ダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハを該接着フィルムと共に個々の半導体チップに分割する分割工程と
が遂行される請求項１または２に記載の半導体ウェーハの加工方法。 After the adhesive film laying step,
Transfer of attaching the back side of the semiconductor wafer on which the adhesive film is laid to a dicing tape, integrating the semiconductor wafer with the dicing frame via the dicing tape, and peeling the protective sheet from the surface of the semiconductor wafer Process,
The semiconductor wafer processing method according to claim 1, wherein a dividing step of dividing the semiconductor wafer integrated with the dicing frame into individual semiconductor chips together with the adhesive film is performed. 前記保護シート貼着工程において、該粘着剤は、前記保護シートにコーティングされるか、または前記半導体ウェーハの表面にコーティングされる請求項１、２または３に記載の半導体ウェーハの加工方法。   4. The semiconductor wafer processing method according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive is coated on the protective sheet or coated on the surface of the semiconductor wafer in the protective sheet attaching step. 5. 前記保護シートは５０μｍ〜２００μｍの厚さに形成される請求項１、２、３または４に記載の半導体ウェーハの加工方法。   The semiconductor wafer processing method according to claim 1, wherein the protective sheet is formed to a thickness of 50 μm to 200 μm. 前記粘着剤はアクリル系接着剤であり、前記接着フィルムはポリイミド樹脂フィルムである請求項１、２、３、４または５に記載の半導体ウェーハの加工方法。   The method for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive is an acrylic adhesive, and the adhesive film is a polyimide resin film.
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