JP2005150620A - Semiconductor laser apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor laser apparatus which can improve the tracking errors accompanied by the variation of the ratio of the front-surface beam of a semiconductor laser to its rear-surface beam and by the discrepancy of the optical axis of the apparatus which is caused by its module structure. <P>SOLUTION: The variation characteristic of the optical power of a semiconductor laser which is related to the ambient temperature of its module 5 is acquired previously, and the bias voltage of a monitoring PD 4 is controlled by considering the variation characteristic of the optical power which corresponds to its ambient temperature sensed by a thermistor 8. Thereby, the tracking error accompanied by the discrepancy of the optical axis of the semiconductor laser module 5 which is caused by its module structure can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体レーザやモニタ用フォトダイオードなどから構成されている半導体レーザモジュールの光出力の温度補償機能を有する半導体レーザ装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor laser device having a temperature compensation function for optical output of a semiconductor laser module including a semiconductor laser, a monitoring photodiode, and the like.

例えば、光送信回路などに搭載されている半導体レーザ装置は、温度変化などの外部要因が変化しても、半導体レーザモジュールから一定の光出力が得られるようにするため、半導体レーザから放射される背面光を受光するモニタフォトダイオードの電流値に応じて、半導体レーザに供給する駆動電流を制御するようにしている。   For example, a semiconductor laser device mounted on an optical transmission circuit or the like is radiated from a semiconductor laser so that a constant optical output can be obtained from the semiconductor laser module even when an external factor such as a temperature change changes. The drive current supplied to the semiconductor laser is controlled in accordance with the current value of the monitor photodiode that receives the back light.

ただし、半導体レーザに供給する駆動電流を制御しても、半導体レーザの周囲温度が変化すると、半導体レーザの前面と背面の比率が変化する現象が発生し、また、半導体レーザのモジュール構造に起因する光軸ずれ（半導体レーザと光ファイバの結合関係が崩れる現象）が発生して、半導体レーザの光出力に若干の変動が生じる。この変動は通常トラッキングエラーと呼ばれている。   However, even if the drive current supplied to the semiconductor laser is controlled, if the ambient temperature of the semiconductor laser changes, a phenomenon occurs in which the ratio of the front surface to the back surface of the semiconductor laser changes, and also due to the module structure of the semiconductor laser. An optical axis shift (a phenomenon in which the coupling relationship between the semiconductor laser and the optical fiber is broken) occurs, and a slight fluctuation occurs in the optical output of the semiconductor laser. This variation is usually called a tracking error.

なお、半導体レーザの背面光をモニタする代わりに、半導体レーザの前面光をモニタして、半導体レーザに供給する駆動電流を制御している半導体レーザ装置が存在する（例えば、特許文献１参照）。
このような半導体レーザ装置の場合、半導体レーザ単体の前面と背面の比率変化に起因するトラッキングエラーは改善することができるが、モジュール構造（例えば、温度による光軸ずれ）に起因するトラッキングエラーは改善することができない。 There is a semiconductor laser device that monitors the front light of the semiconductor laser and controls the drive current supplied to the semiconductor laser instead of monitoring the back light of the semiconductor laser (see, for example, Patent Document 1).
In such a semiconductor laser device, the tracking error due to the change in the ratio of the front and back surfaces of the single semiconductor laser can be improved, but the tracking error due to the module structure (for example, optical axis shift due to temperature) is improved. Can not do it.

特開平９−８０２７４号公報（第２頁から第３頁、図１）Japanese Patent Laid-Open No. 9-80274 (pages 2 to 3, FIG. 1)

従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されているので、半導体レーザの周囲温度が変化して、半導体レーザのモジュール構造に起因する光軸ずれが発生しても、その光軸ずれに伴うトラッキングエラーを改善することができないなどの課題があった。   Since the conventional semiconductor laser device is configured as described above, even if the ambient temperature of the semiconductor laser changes and the optical axis shift due to the module structure of the semiconductor laser occurs, tracking associated with the optical axis shift occurs. There were problems such as being unable to improve errors.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、半導体レーザの前面と背面の比率変化及び半導体レーザのモジュール構造に起因する光軸ずれに伴うトラッキングエラーを改善することができる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and is a semiconductor that can improve the tracking error caused by the optical axis shift caused by the change in the ratio of the front and back surfaces of the semiconductor laser and the module structure of the semiconductor laser. An object is to obtain a laser device.

この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザの周囲温度を検知し、その周囲温度に応じてモニタ用フォトダイオードのバイアス電圧を制御するフォトダイオード制御手段を設けたものである。   The semiconductor laser device according to the present invention is provided with photodiode control means for detecting the ambient temperature of the semiconductor laser and controlling the bias voltage of the monitoring photodiode in accordance with the ambient temperature.

この発明によれば、半導体レーザの周囲温度を検知し、その周囲温度に応じてモニタ用フォトダイオードのバイアス電圧を制御するフォトダイオード制御手段を設けるように構成したので、半導体レーザの前面と背面の比率変化及び半導体レーザのモジュール構造に起因する光軸ずれに伴うトラッキングエラーを改善することができる効果がある。   According to the present invention, the photodiode control means for detecting the ambient temperature of the semiconductor laser and controlling the bias voltage of the monitoring photodiode according to the ambient temperature is provided. There is an effect that it is possible to improve the tracking error due to the optical axis shift caused by the ratio change and the module structure of the semiconductor laser.

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による半導体レーザ装置を示す構成図であり、図において、半導体レーザ１は前面から光をレンズ２に放射するとともに、背面から光をモニタＰＤ４に放射する。レンズ２は半導体レーザ１の前面から放射された光を光ファイバ３の先端に結像させる。モニタ用フォトダイオードであるモニタＰＤ４は半導体レーザ１の背面から放射された光を受光し、その受光量に比例した電流値をＡＰＣ制御部６に出力する。
なお、半導体レーザ１、レンズ２、光ファイバ３及びモニタＰＤ４は所望の位置に固定されて一体化され、これらから半導体レーザモジュール５が構成されている。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor laser device according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, a semiconductor laser 1 emits light from a front surface to a lens 2 and emits light from a back surface to a monitor PD4. The lens 2 focuses light emitted from the front surface of the semiconductor laser 1 on the tip of the optical fiber 3. A monitor PD 4, which is a monitor photodiode, receives light emitted from the back surface of the semiconductor laser 1 and outputs a current value proportional to the amount of received light to the APC control unit 6.
The semiconductor laser 1, the lens 2, the optical fiber 3, and the monitor PD 4 are fixed and integrated at a desired position, and the semiconductor laser module 5 is constituted by these.

ＡＰＣ制御部６は半導体レーザ１から放射される光を一定に保つため、モニタＰＤ４から出力される電流値に応じて半導体レーザ駆動部７の制御量を調整する。半導体レーザ駆動部７はＡＰＣ制御部６の指示の下、半導体レーザ１に供給する駆動電流を制御する。なお、ＡＰＣ制御部６及び半導体レーザ駆動部７からレーザ駆動手段が構成されている。
サーミスタ８は半導体レーザ１の周囲温度（半導体レーザモジュール５の周囲温度）を検知し、ＰＤバイアス電圧制御部９はサーミスタ８により検知された周囲温度に応じてモニタＰＤ４のバイアス電圧を制御する。なお、サーミスタ８及びＰＤバイアス電圧制御部９からフォトダイオード制御手段が構成されている。 The APC control unit 6 adjusts the control amount of the semiconductor laser driving unit 7 in accordance with the current value output from the monitor PD 4 in order to keep the light emitted from the semiconductor laser 1 constant. The semiconductor laser drive unit 7 controls the drive current supplied to the semiconductor laser 1 under the instruction of the APC control unit 6. The APC control unit 6 and the semiconductor laser driving unit 7 constitute laser driving means.
The thermistor 8 detects the ambient temperature of the semiconductor laser 1 (ambient temperature of the semiconductor laser module 5), and the PD bias voltage controller 9 controls the bias voltage of the monitor PD 4 according to the ambient temperature detected by the thermistor 8. The thermistor 8 and the PD bias voltage controller 9 constitute a photodiode control means.

図２はモニタＰＤ４に対するバイアス電圧依存性の一例を示しており、横軸はモニタＰＤ４に印加するバイアス電圧、縦軸はモニタＰＤ４の電流変化率を示している。ここでは、バイアス電圧が−３ＶであるときのモニタＰＤ４の電流値を基準としている。
図２から明らかなように、バイアス電圧に応じてモニタＰＤ４が出力する電流値が変化していることがわかる。ただし、モニタＰＤ４が受光している光出力は一定である。 FIG. 2 shows an example of the bias voltage dependency on the monitor PD4. The horizontal axis indicates the bias voltage applied to the monitor PD4, and the vertical axis indicates the current change rate of the monitor PD4. Here, the current value of the monitor PD4 when the bias voltage is −3 V is used as a reference.
As can be seen from FIG. 2, the current value output by the monitor PD4 changes according to the bias voltage. However, the light output received by the monitor PD 4 is constant.

次に動作について説明する。
まず、半導体レーザ１は、半導体レーザ駆動部７から駆動電流が供給されると、前面から光をレンズ２に放射するとともに、背面から光をモニタＰＤ４に放射する。
レンズ２は、半導体レーザ１の前面から放射された光を受けると、その光を光ファイバ３の先端に結像させる。
光ファイバ３の先端に結像された光は、光ファイバ３の内部を通って図中右方向に伝送される。
また、モニタＰＤ４は、半導体レーザ１の背面から放射された光を受光し、その受光量に比例した電流値をＡＰＣ制御部６に出力する。 Next, the operation will be described.
First, when a driving current is supplied from the semiconductor laser driving unit 7, the semiconductor laser 1 emits light from the front surface to the lens 2 and emits light from the rear surface to the monitor PD4.
When the lens 2 receives light emitted from the front surface of the semiconductor laser 1, the lens 2 forms an image on the tip of the optical fiber 3.
The light imaged at the tip of the optical fiber 3 is transmitted in the right direction in the figure through the inside of the optical fiber 3.
The monitor PD 4 receives light emitted from the back surface of the semiconductor laser 1 and outputs a current value proportional to the amount of received light to the APC control unit 6.

ＡＰＣ制御部６は、モニタＰＤ２から受光量に比例した電流値を受けると、半導体レーザ１から放射される光を一定に保つため、その電流値に応じて半導体レーザ駆動部７の制御量を調整する。
半導体レーザ駆動部７は、ＡＰＣ制御部６の指示の下、半導体レーザ１に供給する駆動電流を制御する。 When the APC control unit 6 receives a current value proportional to the amount of received light from the monitor PD2, the APC control unit 6 adjusts the control amount of the semiconductor laser driving unit 7 according to the current value in order to keep the light emitted from the semiconductor laser 1 constant. To do.
The semiconductor laser drive unit 7 controls the drive current supplied to the semiconductor laser 1 under the instruction of the APC control unit 6.

ここで、図３は半導体レーザモジュール５の周囲温度に関係する光出力特性を示す説明図であり、横軸はモニタＰＤ４から出力される電流値、縦軸は光ファイバ３の先端に結像される光量（ファイバ端光出力）を示している。
例えば、モニタＰＤ４から出力される電流値が０．１５０ｍＡの場合、ファイバ端光出力は周囲温度が５℃では９６ｍＷであるが、周囲温度が４５℃では８３ｍＷとなる。
したがって、ＡＰＣ制御部６及び半導体レーザ駆動部７がモニタＰＤ４から出力される電流値に応じて半導体レーザ１に供給する駆動電流を制御しても、トラッキングエラーが−０．６３ｄＢ（＝１０×ＬＯＧ（８３／９６））発生することになる。 Here, FIG. 3 is an explanatory diagram showing light output characteristics related to the ambient temperature of the semiconductor laser module 5, where the horizontal axis is the current value output from the monitor PD 4, and the vertical axis is imaged at the tip of the optical fiber 3. Light quantity (fiber end light output).
For example, when the current value output from the monitor PD4 is 0.150 mA, the fiber end light output is 96 mW at an ambient temperature of 5 ° C., but 83 mW at an ambient temperature of 45 ° C.
Therefore, even if the APC control unit 6 and the semiconductor laser drive unit 7 control the drive current supplied to the semiconductor laser 1 according to the current value output from the monitor PD4, the tracking error is -0.63 dB (= 10 × LOG). (83/96)).

そこで、この実施の形態１では、次のようにして、上記のようなトラッキングエラーを補償している。
まず、サーミスタ８が半導体レーザ１の周囲温度（半導体レーザモジュール５の周囲温度）を検知する。
ＰＤバイアス電圧制御部９は、予め、図３に示すような半導体レーザモジュール５の周囲温度に関係する光出力変動特性（トラッキングエラー特性：モニタＰＤ電流−ファイバ端光出力特性）を取得する。
図３の例では、周囲温度が５℃と２５℃と４５℃のトラッキングエラー特性を示している。
ＰＤバイアス電圧制御部９は、サーミスタ８により検知された周囲温度に対応するトラッキングエラー特性を選択し（例えば、周囲温度が５℃であれば、５℃のトラッキングエラー特性を選択する）、そのトラッキングエラー特性を考慮して、モニタＰＤ４のバイアス電圧を制御する。 Therefore, in the first embodiment, the tracking error as described above is compensated as follows.
First, the thermistor 8 detects the ambient temperature of the semiconductor laser 1 (ambient temperature of the semiconductor laser module 5).
The PD bias voltage control unit 9 obtains in advance an optical output fluctuation characteristic (tracking error characteristic: monitor PD current-fiber end optical output characteristic) related to the ambient temperature of the semiconductor laser module 5 as shown in FIG.
In the example of FIG. 3, the tracking error characteristics at ambient temperatures of 5 ° C., 25 ° C., and 45 ° C. are shown.
The PD bias voltage controller 9 selects the tracking error characteristic corresponding to the ambient temperature detected by the thermistor 8 (for example, if the ambient temperature is 5 ° C., the tracking error characteristic of 5 ° C. is selected), and the tracking is performed. The bias voltage of the monitor PD 4 is controlled in consideration of error characteristics.

以下、トラッキングエラーの補償処理について、もう少し具体的に説明する。
例えば、図３において、周囲温度が２５℃のモニタＰＤ電流−ファイバ端光出力特性（以下、Ｐ−Ｉｍｏｎカーブという）におけるモニタＰＤ４へのバイアス電圧が−３Ｖであるとする。
周囲温度が５℃と２５℃のＰ−Ｉｍｏｎカーブを比較すると、同一のモニタＰＤ電流でのファイバ端光出力が５℃の方が大きくなっている。
モニタＰＤ４のバイアス電圧を徐々に大きくすると、同一光出力を受光したときのモニタＰＤ電流は大きくなるため、Ｐ−Ｉｍｏｎカーブの傾斜は小さくなる。反対に、バイアス電圧を小さくするとＰ−Ｉｍｏｎカーブの傾斜は大きくなる。 Hereinafter, the tracking error compensation process will be described more specifically.
For example, in FIG. 3, it is assumed that the bias voltage to the monitor PD4 in the monitor PD current-fiber end optical output characteristic (hereinafter referred to as P-Imon curve) at an ambient temperature of 25 ° C. is −3V.
Comparing the P-Imon curves at ambient temperatures of 5 ° C. and 25 ° C., the fiber end optical output at the same monitor PD current is larger at 5 ° C.
When the bias voltage of the monitor PD 4 is gradually increased, the monitor PD current when the same light output is received is increased, so that the slope of the P-Imon curve is decreased. Conversely, when the bias voltage is reduced, the slope of the P-Imon curve increases.

図４はトラッキングエラー補償後の光出力特性を示している。即ち、周囲温度が５℃におけるバイアス電圧を−６Ｖ、周囲温度が４５℃におけるバイアス電圧を−１Ｖとした場合の光出力特性を示している（周囲温度が２５℃におけるバイアス電圧は−３Ｖ）。
モニタＰＤ電流が０．１５０ｍＡであるときのファイバ端光出力は、周囲温度が５℃では９３ｍＷとなり、周囲温度が４５℃では９１ｍＷとなっている。
したがって、トラッキングエラーが−０．０９ｄＢ（＝１０×ＬＯＧ（９１／９３））と大きく改善することできる（更に細かく調整すれば、理論上０．０ｄＢとすることが可能である）。 FIG. 4 shows the light output characteristics after tracking error compensation. That is, the light output characteristics are shown when the bias voltage at an ambient temperature of 5 ° C. is −6 V and the bias voltage at an ambient temperature of 45 ° C. is −1 V (the bias voltage at an ambient temperature of 25 ° C. is −3 V).
The fiber end light output when the monitor PD current is 0.150 mA is 93 mW when the ambient temperature is 5 ° C. and 91 mW when the ambient temperature is 45 ° C.
Accordingly, the tracking error can be greatly improved to −0.09 dB (= 10 × LOG (91/93)) (theoretically, it can be set to 0.0 dB by further fine adjustment).

半導体レーザモジュール５のトラッキングエラー特性には個々のバラツキがあるが、予め、その特性に対する情報を取得しておけば、その特性に応じてモニタＰＤ４への印加バイアス電圧をコントロールすることによって、周囲温度の変化によるトラッキングエラーを極力小さくすることが可能である。   The tracking error characteristics of the semiconductor laser module 5 have individual variations. If information on the characteristics is acquired in advance, the ambient temperature can be controlled by controlling the bias voltage applied to the monitor PD 4 according to the characteristics. It is possible to minimize the tracking error due to the change of.

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、半導体レーザ１の周囲温度を検知し、その周囲温度に応じてモニタ用ＰＤ４のバイアス電圧を制御するように構成したので、半導体レーザ１の前面と背面の比率変化及び半導体レーザモジュール５のモジュール構造に起因する光軸ずれに伴うトラッキングエラーを改善することができる効果を奏する。
また、この実施の形態１によれば、半導体レーザモジュール５の周囲温度に関係する光出力変動特性を取得し、サーミスタ８により検知された周囲温度に対応する光出力変動特性を考慮してモニタ用ＰＤ４のバイアス電圧を制御するように構成したので、構成の複雑化を招くことなく、簡単かつ確実に周囲温度の変化に伴うトラッキングエラーを改善することができる効果を奏する。 As apparent from the above, according to the first embodiment, the ambient temperature of the semiconductor laser 1 is detected, and the bias voltage of the monitoring PD 4 is controlled according to the ambient temperature. There is an effect that it is possible to improve the tracking error due to the optical axis deviation caused by the change in the ratio of the front surface to the back surface and the module structure of the semiconductor laser module 5.
Further, according to the first embodiment, the light output fluctuation characteristic related to the ambient temperature of the semiconductor laser module 5 is acquired, and the light output fluctuation characteristic corresponding to the ambient temperature detected by the thermistor 8 is taken into account for monitoring. Since the configuration is such that the bias voltage of the PD 4 is controlled, the tracking error associated with the change in the ambient temperature can be easily and reliably improved without complicating the configuration.

実施の形態２．
上記実施の形態１では、サーミスタ８が半導体レーザモジュール５の周囲に配置されているものについて示したが、図５に示すように、サーミスタ８が半導体レーザモジュール５の内部に配置するようにしてもよい。
このように、半導体レーザモジュール５の内部にサーミスタ８を配置すれば、より正確に半導体レーザ１の周囲温度を測定することができるため、トラッキングエラーの補償精度を高めることができる効果を奏する。 Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the thermistor 8 is disposed around the semiconductor laser module 5. However, as shown in FIG. 5, the thermistor 8 may be disposed inside the semiconductor laser module 5. Good.
As described above, if the thermistor 8 is arranged inside the semiconductor laser module 5, the ambient temperature of the semiconductor laser 1 can be measured more accurately, so that the tracking error compensation accuracy can be improved.

実施の形態３．
上記実施の形態１，２では、モニタＰＤ４が半導体レーザ１の背面から放射された光を受光するものについて示したが、図６及び図７に示すように、モニタＰＤ４が半導体レーザ１の前面から放射された光を受光するようにしてもよく、上記実施の形態１，２と同様の効果を奏することができる。 Embodiment 3 FIG.
In the first and second embodiments, the monitor PD 4 receives light emitted from the back surface of the semiconductor laser 1. However, as shown in FIGS. 6 and 7, the monitor PD 4 is mounted from the front surface of the semiconductor laser 1. The emitted light may be received, and the same effect as in the first and second embodiments can be obtained.

この発明の実施の形態１による半導体レーザ装置を示す構成図である。1 is a configuration diagram illustrating a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. モニタＰＤに対するバイアス電圧依存性の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the bias voltage dependence with respect to monitor PD. 半導体レーザモジュールの周囲温度に関係する補償前の光出力特性を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the optical output characteristic before compensation regarding the ambient temperature of a semiconductor laser module. 半導体レーザモジュールの周囲温度に関係する補償後の光出力特性を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the optical output characteristic after compensation regarding the ambient temperature of a semiconductor laser module. この発明の実施の形態２による半導体レーザ装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the semiconductor laser apparatus by Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態３による半導体レーザ装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the semiconductor laser apparatus by Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態３による半導体レーザ装置を示す構成図である。It is a block diagram which shows the semiconductor laser apparatus by Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体レーザ、２ レンズ、３ 光ファイバ、４ モニタＰＤ（モニタ用フォトダイオード）、５ 半導体レーザモジュール、６ ＡＰＣ制御部（レーザ駆動手段）、７ 半導体レーザ駆動部（レーザ駆動手段）、８ サーミスタ（フォトダイオード制御手段）、９ ＰＤバイアス電圧制御部（フォトダイオード制御手段）。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser, 2 Lens, 3 Optical fiber, 4 Monitor PD (photodiode for monitoring), 5 Semiconductor laser module, 6 APC control part (laser drive means), 7 Semiconductor laser drive part (laser drive means), 8 Thermistor ( Photodiode control means), 9 PD bias voltage control section (photodiode control means).

Claims (3)

前面及び背面から光を放射する半導体レーザと、上記半導体レーザの前面又は背面から放射された光を受光するモニタ用フォトダイオードと、上記モニタ用フォトダイオードの受光量が一定になるように上記半導体レーザに供給する駆動電流を制御するレーザ駆動手段と、上記半導体レーザの周囲温度を検知し、その周囲温度に応じて上記モニタ用フォトダイオードのバイアス電圧を制御するフォトダイオード制御手段とを備えた半導体レーザ装置。   A semiconductor laser that emits light from the front surface and the back surface, a monitoring photodiode that receives light emitted from the front surface or the back surface of the semiconductor laser, and the semiconductor laser so that the amount of light received by the monitoring photodiode is constant Semiconductor laser comprising: laser driving means for controlling the drive current supplied to the semiconductor laser; and photodiode control means for detecting the ambient temperature of the semiconductor laser and controlling the bias voltage of the monitoring photodiode in accordance with the ambient temperature apparatus. フォトダイオード制御手段は、予め半導体レーザ及びモニタ用フォトダイオードから構成されている半導体レーザモジュールの周囲温度に関係する光出力変動特性を取得し、上記半導体レーザの周囲温度に対応する光出力変動特性を考慮してモニタ用フォトダイオードのバイアス電圧を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。   The photodiode control means obtains the light output fluctuation characteristic related to the ambient temperature of the semiconductor laser module, which is composed of the semiconductor laser and the monitoring photodiode in advance, and obtains the light output fluctuation characteristic corresponding to the ambient temperature of the semiconductor laser. 2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the bias voltage of the monitoring photodiode is controlled in consideration of the above. フォトダイオード制御手段が半導体レーザの周囲温度を検知するサーミスタと、上記サーミスタにより検知された周囲温度に応じてモニタ用フォトダイオードのバイアス電圧を制御するバイアス電圧制御部とから構成され、上記サーミスタが半導体レーザモジュール内に配置されていることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。   The photodiode control means includes a thermistor that detects the ambient temperature of the semiconductor laser, and a bias voltage control unit that controls the bias voltage of the monitoring photodiode in accordance with the ambient temperature detected by the thermistor. 3. The semiconductor laser device according to claim 2, wherein the semiconductor laser device is disposed in a laser module.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040639A (en) * 2008-08-01 2010-02-18 Sumitomo Electric Device Innovations Inc Method and device for testing optical semiconductor device
JP6593547B1 (en) * 2018-04-16 2019-10-23 三菱電機株式会社 Optical module
CN111090151A (en) * 2018-10-23 2020-05-01 京东方科技集团股份有限公司 Optical module and temperature compensation method thereof
CN115986548A (en) * 2023-03-16 2023-04-18 四川中久大光科技有限公司 Temperature-compensated laser output power automatic real-time calibration device and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57112089A (en) * 1980-12-29 1982-07-12 Fujitsu Ltd Light output control circuit
JPH07111355A (en) * 1993-10-14 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp Optical transmitter
JP2003174227A (en) * 2001-12-06 2003-06-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser module

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57112089A (en) * 1980-12-29 1982-07-12 Fujitsu Ltd Light output control circuit
JPH07111355A (en) * 1993-10-14 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp Optical transmitter
JP2003174227A (en) * 2001-12-06 2003-06-20 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor laser module

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040639A (en) * 2008-08-01 2010-02-18 Sumitomo Electric Device Innovations Inc Method and device for testing optical semiconductor device
JP6593547B1 (en) * 2018-04-16 2019-10-23 三菱電機株式会社 Optical module
WO2019202632A1 (en) * 2018-04-16 2019-10-24 三菱電機株式会社 Optical module
CN111090151A (en) * 2018-10-23 2020-05-01 京东方科技集团股份有限公司 Optical module and temperature compensation method thereof
US11016254B2 (en) 2018-10-23 2021-05-25 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Wearable device, optical module and driving method thereof
CN115986548A (en) * 2023-03-16 2023-04-18 四川中久大光科技有限公司 Temperature-compensated laser output power automatic real-time calibration device and method

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