JP2005150513A - Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005150513A JP2005150513A JP2003387913A JP2003387913A JP2005150513A JP 2005150513 A JP2005150513 A JP 2005150513A JP 2003387913 A JP2003387913 A JP 2003387913A JP 2003387913 A JP2003387913 A JP 2003387913A JP 2005150513 A JP2005150513 A JP 2005150513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser element
- semiconductor device
- main body
- semiconductor laser
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置の検査用治具および当該半導体装置の製造方法に関し、特に、レーザダイオードとサブマウントとが接合された半導体レーザ素子を備える半導体装置の検査用治具および当該半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an inspection jig for a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device, and more particularly to an inspection jig for a semiconductor device including a semiconductor laser element in which a laser diode and a submount are joined, and manufacture of the semiconductor device. Regarding the method.
従来の半導体レーザ装置としては、たとえば、特開平6−5990号公報(従来例1)や特開平10−256649号公報(従来例2)などに記載されたものなどが挙げられる。 Examples of conventional semiconductor laser devices include those described in JP-A-6-5990 (conventional example 1) and JP-A-10-256649 (conventional example 2).
従来例1においては、半導体レーザチップと、このチップから出射されたレーザ光をモニターするためのフォトダイオードと、光ディスクの信号を読み取るためのフォトダイオードとを同一の板状ステムの上に配置し、これらの光学素子を覆う状態でステムにキャップを取り付け、キャップの上面に光偏向用の回折格子が形成されたガラス板を取り付けた、ステムの平面形状などに特徴を有する半導体レーザ用パッケージ(半導体レーザ装置)が開示されている。 In Conventional Example 1, a semiconductor laser chip, a photodiode for monitoring laser light emitted from this chip, and a photodiode for reading a signal of an optical disk are disposed on the same plate-like stem, A semiconductor laser package (semiconductor laser) characterized by a planar shape of the stem, in which a cap is attached to the stem so as to cover these optical elements, and a glass plate having a diffraction grating for light deflection formed on the upper surface of the cap. Apparatus).
また、従来例2においては、光源用のレーザチップと、信号読取用の受光素子とをアイランドに搭載し、それらをアイランドに鉛直方向に設けられたリードピンに電気的に接続した後、該アイランドを覆うようにカバーを設置し、そのパッケージ上面部分に固定されるホログラム素子とともに、ホログラム方式のピックアップを構成するようにした半導体レーザユニット(半導体レーザ装置)が開示されている。 In Conventional Example 2, a laser chip for a light source and a light receiving element for signal reading are mounted on an island and electrically connected to a lead pin provided in a vertical direction on the island. There is disclosed a semiconductor laser unit (semiconductor laser device) in which a cover is installed so as to cover and a hologram pickup is configured together with a hologram element fixed to the upper surface portion of the package.
上記のような半導体レーザ装置の製造工程においては、一般に、レーザチップと本体部(ステムやアイランドなど)および受光素子などのその他の部品とを結合し、電極をワイヤ接続した後に、発光出力や発光寿命などに関する製品検査を行なう。
しかしながら、上記のような半導体レーザ装置については、以下のような問題点があった。 However, the semiconductor laser device as described above has the following problems.
上述した製品検査における良否は、一般に、レーザチップに含まれるLD(Laser Diode;レーザダイオード)の性能によるところが大きい。ここで、LDの不良によって、製品が不良と判定された場合、既にLDと一体となっているLD以外の部品について、該LDと分離して再利用することは困難である。したがって、それらの部品に不良がない場合においても、不良LDとともに廃棄することとなる。この結果、製造コストの削減が抑制される。 In general, the quality of the product inspection described above largely depends on the performance of an LD (Laser Diode) included in the laser chip. Here, when it is determined that the product is defective due to the defect of the LD, it is difficult to separate and reuse the parts other than the LD already integrated with the LD. Therefore, even when those parts are not defective, they are discarded together with the defective LD. As a result, a reduction in manufacturing cost is suppressed.
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、半導体装置の製造コスト削減に適した半導体装置の検査用治具および当該半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection jig suitable for reducing the manufacturing cost of a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. There is.
本発明に係る半導体装置の検査用治具は、レーザダイオードとサブマウントとが接合された半導体レーザ素子を受け入れる半導体装置の検査用治具であって、本体部と、本体部に変形可能に保持され、半導体レーザ素子を本体部との間で着脱可能に保持し、サブマウントの電極と検査用回路基板上の電極とを接続する少なくとも1対のコンタクトピンとを備える。 An inspection jig for a semiconductor device according to the present invention is an inspection jig for a semiconductor device that accepts a semiconductor laser element in which a laser diode and a submount are bonded, and is held in a deformable manner in the main body and the main body. The semiconductor laser device is detachably held between the main body and at least one pair of contact pins that connect the electrode of the submount and the electrode on the circuit board for inspection.
これにより、上記のレーザ素子に、たとえば本体部など半導体装置のその他の部品を取り付ける前に、該レーザ素子の通電試験を行なうことができるので、上記の部品の歩留まりを向上させることができる。この結果、半導体装置の製造コストの削減が可能である。 Thereby, before the other components of the semiconductor device such as the main body are attached to the laser element, for example, an energization test of the laser element can be performed, so that the yield of the components can be improved. As a result, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
検査用治具のコンタクトピンは円弧状部分を含むことが好ましい。 The contact pin of the inspection jig preferably includes an arcuate portion.
これにより、コンタクトピンが変形しやすくなり、レーザ素子の受け入れが容易となる。 Thereby, the contact pin is easily deformed, and the laser element is easily received.
検査用治具の本体部は、半導体レーザ素子を搭載する半導体装置と同一の検査装置に装着可能な外形形状およびコンタクトピンの端子配置を有することが好ましい。 The main body of the inspection jig preferably has an outer shape that can be mounted on the same inspection device as the semiconductor device on which the semiconductor laser element is mounted and a terminal arrangement of contact pins.
これにより、従来の製造設備(検査装置)を利用して、上記の検査用治具を使用した検査を行なうことができるので、製造コストの削減が可能である。 Thereby, since the inspection using the above-mentioned inspection jig can be performed using the conventional manufacturing equipment (inspection apparatus), the manufacturing cost can be reduced.
検査用治具の本体部の半導体レーザ素子を受け入れる導入部にテーパ部を有することが好ましい。 It is preferable to have a tapered portion in the introduction portion that receives the semiconductor laser element of the main body portion of the inspection jig.
これにより、レーザ素子の本体部への受け入れが容易となる。 This facilitates acceptance of the laser element into the main body.
検査用治具の本体部は、半導体レーザ素子が押圧される部分に放熱部を有することが好ましい。 The main body portion of the inspection jig preferably has a heat radiating portion at a portion where the semiconductor laser element is pressed.
該放熱部は、検査時にLDが発光した際の放熱体として機能することができる。 The heat dissipating part can function as a heat dissipator when the LD emits light during inspection.
上記の検査用治具は、コンタクトピンを変形させ、該コンタクトピンによる半導体レーザ素子の押圧を開放するボタン機構をさらに備えることが好ましい。 The inspection jig preferably further includes a button mechanism for deforming the contact pin and releasing the pressing of the semiconductor laser element by the contact pin.
これにより、レーザ素子の本体部への取り付けが容易となる。 This facilitates attachment of the laser element to the main body.
ボタン機構は、全ての前記コンタクトピンを同時に変形させることが好ましい。 The button mechanism preferably deforms all the contact pins simultaneously.
これにより、レーザ素子の本体部への取り付けがさらに容易となる。 Thereby, attachment to the main-body part of a laser element becomes still easier.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、レーザダイオードとサブマウントとを接合し、ワイヤ接続して半導体レーザ素子を形成する工程と、半導体レーザ素子を、着脱可能な検査用治具に取りつけ、通電試験を行なう工程と、通電試験の後、検査用治具から取り外した半導体レーザ素子を本体部に取りつける工程と、本体部に受光素子を取りつける工程と、半導体レーザ素子、本体部および受光素子の各電極をワイヤ接続する工程と、半導体レーザ素子および受光素子上に保護部材およびホログラム素子を取りつける工程とを備える。 The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of bonding a laser diode and a submount, wire-connecting to form a semiconductor laser element, and attaching the semiconductor laser element to a removable inspection jig and energizing Each of the step of performing the test, the step of attaching the semiconductor laser element removed from the inspection jig after the current test to the main body, the step of attaching the light receiving element to the main body, and each of the semiconductor laser element, the main body and the light receiving element A step of wire-connecting the electrodes, and a step of attaching the protective member and the hologram element on the semiconductor laser element and the light receiving element.
これにより、上記のレーザ素子に、たとえば本体部など半導体装置のその他の部品を取り付ける前に、該レーザ素子の通電試験を行なうことができるので、上記の部品の歩留まりを向上させることができる。この結果、半導体装置の製造コストの削減が可能である。 Thereby, before the other components of the semiconductor device such as the main body are attached to the laser element, for example, an energization test of the laser element can be performed, so that the yield of the components can be improved. As a result, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
本発明によれば、半導体レーザ素子に取り付ける部品の歩留まりを向上させることができ、結果として半導体装置の製造コストを削減することができる。 According to the present invention, the yield of components attached to the semiconductor laser element can be improved, and as a result, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
以下に、本発明に基づく半導体装置の検査用治具および当該半導体装置の製造方法の実施の形態について、図1から図10を用いて説明する。 Embodiments of a semiconductor device inspection jig and a method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の検査用治具を示した図であり、(a)は上面図を示し、(b)は側面図を示す。また、図2は、図1におけるII−II断面図である。 1A and 1B are views showing an inspection jig of a semiconductor device according to the present embodiment, wherein FIG. 1A shows a top view and FIG. 1B shows a side view. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
本実施の形態に係る半導体装置の検査用治具は、図1および図2に示すように、LD14(レーザダイオード)とサブマウント13(SM;SubMount)とを接合したレーザ素子14A(LDSM)を受け入れる半導体装置の検査用治具であって、本体部としての樹脂部1およびステム7と、樹脂部1(本体部)に変形可能に保持され、レーザ素子14Aをステム7の放熱部4との間で着脱可能に保持し、サブマウント13の電極と検査用回路基板上の電極とを接続する少なくとも1対のコンタクトピン5(5A,5B)とを備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, an inspection jig for a semiconductor device according to the present embodiment includes a
樹脂部1およびステム7としては、たとえば、従来の半導体レーザ素子におけるステムと同様の材質が使用可能である。また、コンタクトピン5としては、たとえば、金メッキ処理の施された銅合金などの導電性の材質が使用可能である。該コンタクトピン5は、樹脂部1でモールドされることにより弾性変形可能な状態で固定されており、1対のコンタクトピン5A,5Bが、それぞれレーザ素子14Aのアノード電極とカソード電極とに接続される。また、該ピン5のもう一方の端部であるリード端子3は、検査用回路上の電極に接続される。
As the resin part 1 and the
レーザ素子14Aは、ステム7の放熱部4に押圧される。コンタクトピン5は、レーザ素子14AのLD14が設置された側と反対側の面を放熱部4に押し付けて保持する。放熱部4は、検査時にLD14が発光した際の放熱体として機能し、該放熱部4としては、CuやFeなどの金属性の基板にNiやAuなどのめっき処理を施したものなどが用いられる。
The
このような放熱体については、後述するとおり、実際にレーザ素子14Aを搭載する半導体装置にも同様のもの(ヒートシンク16A)が設けられており、検査用治具にこれと同様の放熱部4を設けることで、実際の半導体レーザデバイスにおける発光と同等の条件で発光検査を行なうことができる。
As for such a heat radiating body, as will be described later, a semiconductor device that actually mounts the
さらに、該検査用治具には、コンタクトピン5を変形させ、該コンタクトピン5によるレーザ素子14Aの押圧を開放するボタン2(ボタン機構)が備えられている。なお、ボタン2は、全てのコンタクトピン(本実施の形態であればコンタクトピン5A,5B)を同時に変形させることが好ましい。
Further, the inspection jig is provided with a button 2 (button mechanism) for deforming the
図2において、(a)はボタン2を押し込まない状態を示し、(b)はボタン2を押し込むことによりコンタクトピン5を変形させて、レーザ素子14Aを挿入できるようにした状態を示す。
2A shows a state where the button 2 is not pushed in, and FIG. 2B shows a state where the
実際に検査用治具にレーザ素子14Aを装着するときは、まず、ボタン2を押し込み、図2(b)の状態にして、レーザ素子14Aを図2(b)中の矢印の方向に挿入し、その後、ボタン2の押し込みを開放する。これにより、コンタクトピン5は、図2(a)の状態に戻ろうとして、レーザ素子14Aを放熱部4に押しつける。この結果、レーザ素子14Aは、コンタクトピン5と放熱部4との間で保持される。また、再度ボタン2を押し込み、コンタクトピン5による押圧を開放することにより、レーザ素子14Aを検査用治具から取り外すことができる。
When actually mounting the
ここで、ボタン2としては、たとえば、樹脂部1およびステム7と同じ材質(樹脂)が使用可能である。
Here, as the button 2, for example, the same material (resin) as the resin portion 1 and the
以上のように、レーザ素子14Aの検査用治具への取り付けおよび取り外しは、ボタン2の押し込みおよびその開放によって容易に行なうことができる。
As described above, the
コンタクトピン5は、図2に示すように、円弧状部分6を含んでいる。これにより、コンタクトピン5が変形しやすくなり、レーザ素子14Aの受け入れが容易となる。
The
該本体部のレーザ素子14Aを受け入れる導入部には、テーパ部8が設けられている。これにより、レーザ素子の本体部への受け入れが容易となる。
A taper portion 8 is provided in the introduction portion for receiving the
上記の手順によりレーザ素子14Aを保持した検査用治具を、検査用回路を備えた検査装置に装着することにより、レーザ素子14Aと検査用回路とがコンタクトピン5によって接続され、該素子14Aの製品検査を行なうことができる。この検査は、バーンイン検査であり、70℃以上80℃以下程度の高温状態においてLD14の通電試験を行ない、発光出力や発光寿命などに関する検査を行なうものである。
By attaching the inspection jig holding the
ここで、検査用治具の本体部については、実際にレーザ素子14Aが搭載される半導体装置の外形と同等のステム7などの外形形状およびコンタクトピン5のリード端子3の配置を有し、該半導体装置と同一の検査装置に装着可能であることが好ましい。
Here, the main body of the inspection jig has an outer shape such as a
これにより、従来の製造設備(検査装置)を利用して、上記の検査用治具を使用した検査を行なうことができるので、製造コストの削減が可能である。 Thereby, since the inspection using the above-mentioned inspection jig can be performed using the conventional manufacturing equipment (inspection apparatus), the manufacturing cost can be reduced.
図3は、レーザ素子14Aについて示した図であり、(a)は平面図、(b)は側面図を示す。
3A and 3B are diagrams showing the
半導体装置14Aは、図3に示すように、アノード電極9とカソード電極10とを備え、該電極9,10においてそれぞれ少なくとも1箇所ずつコンタクトピン5が当接する当接部11を有する。
As shown in FIG. 3, the
ここで、図3(a)に示すように、当接部11は、レーザ素子14Aの中央部において、左右対称に位置している。これにより、コンタクトピン5は、レーザ素子14Aを左右均等に押圧することができる。
Here, as shown in FIG. 3A, the
次に、上記の検査用治具を用いた半導体装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the above inspection jig will be described.
図4から図10は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程について示した図である。 4 to 10 are diagrams showing each step of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図4から図10に示すように、LD14(レーザダイオード)とサブマウント13とを接合し、ワイヤ15により接続してレーザ素子14Aを形成する工程(図4,図5)と、レーザ素子14Aを、着脱可能な検査用治具に取りつけ、通電試験を行なう工程と、当該通電試験の後、検査用治具から取り外したレーザ素子14Aをデバイス(半導体装置)のステム16(本体部)に取りつける工程(図6)と、ステム16のヒートシンク16Aに受光素子17を取りつける工程(図7)と、レーザ素子14A、ステム16および受光素子17の各電極をワイヤ18によりワイヤ接続する工程(図8)と、レーザ素子14Aおよび受光素子17上に保護部材としてのキャップ19およびホログラム素子20を取りつける工程(図9,図10)とを備える。
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIGS. 4 to 10, the LD 14 (laser diode) and the
以下に、上記の各工程について、さらに詳細に説明する。 Below, each said process is demonstrated in detail.
図4は、LD14とサブマウント13とを接合した状態を示した図である。サブマウント13には、たとえば、レーザ素子14Aをステム16に搭載する際の接合精度の向上や、温度変化時のLD14への応力緩和、LD14の発熱をヒートシンク16Aに速やかに伝達して放熱するなどの機能が期待されており、その材質としては、たとえばSiC,AlN,Siなどが用いられる。また、サブマウント13にLD14の発光量をモニタリングするための受光機能をもたせる場合もあり、この場合は、材質はたとえばSiなどが用いられる。
FIG. 4 is a view showing a state where the
LD14とサブマウント13との接合材料としては、たとえば、Agペースト、AuSn、Inなどが用いられる。
As a bonding material between the
図5は、接合されたLD14とサブマウント13とを導電性のワイヤ15によって接続した状態を示す図である。これにより、半導体装置に搭載するレーザ素子14Aが形成される。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which the joined
図6は、レーザ素子14Aを半導体装置のステム16に接合した状態を示す図である。この接合材料としては、たとえば、Agペースト、Inなどが用いられる。なお、レーザ素子14Aは、ステム16のヒートシンク16Aに接合される。該ヒートシンク16Aはサブマウント13と合わせて、LD14の発光時の発熱に対する放熱体として機能し、たとえば、上述した検査用治具における放熱部4と同様の構造が適用可能である。
FIG. 6 is a view showing a state in which the
図7は、ステム16におけるヒートシンク16A上に受光素子17を取りつけた状態を示した図である。受光素子17は、レーザ素子14Aから出射され、ディスクにより反射された光を信号に変える機能を有する。この接合には、たとえばUV(Ultraviolet Radiation)樹脂などの光硬化型の接着剤が用いられている。
FIG. 7 is a view showing a state in which the
図8は、半導体レーザ素子14A、ステム16および受光素子17の各電極をワイヤ18によって接続した状態を示した図であり、(a)は上面図を示し、(b)は側面図を示す。このワイヤ接続により、各部材14A,16,17は電気的に接続される。なお、ステム16上の電極は、リード端子16Bと電気的に接続されている。
8A and 8B are diagrams showing a state in which the electrodes of the
その後、図9((a)は上面図を示し、(b)は側面図を示す。)に示すように、ステム16上にキャップ19を装着し、図10((a)は上面図を示し、(b)は側面図を示す。)に示すように、キャップ19の上面にホログラム素子20を搭載することで、本実施の形態に係る半導体レーザ用パッケージ(半導体装置)が完成する。
Then, as shown in FIG. 9 ((a) shows a top view and (b) shows a side view), a
上述したとおり、本実施の形態に係る半導体装置の検査用治具および当該半導体装置の製造方法においては、レーザ素子14Aに、たとえば本体部1など半導体装置のその他の部品を取り付ける前に、該レーザ素子14Aの通電試験を行なうことができるので、上記の部品の歩留まりを向上させることができる。この結果、半導体装置の製造コストの削減が可能となる。
As described above, in the inspection jig for a semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, the
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 樹脂部、2 ボタン、3 リード端子、4 放熱部、5,5A,5B コンタクトピン、6 円弧状部分、7 ステム(検査用治具)、8 テーパ部、9 アノード電極、10 カソード電極、11 当接部、13 サブマウント、14 LD(レーザダイオード)、14A レーザ素子、15,18 ワイヤ、16 ステム(半導体装置)、16A ヒートシンク、16B リード端子、17 受光素子、19 キャップ、20 ホログラム素子。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin part, 2 button, 3 lead terminal, 4 thermal radiation part, 5, 5A, 5B contact pin, 6 arc-shaped part, 7 stem (inspection jig), 8 taper part, 9 anode electrode, 10 cathode electrode, 11 Contact part, 13 submount, 14 LD (laser diode), 14A laser element, 15, 18 wires, 16 stem (semiconductor device), 16A heat sink, 16B lead terminal, 17 light receiving element, 19 cap, 20 hologram element.
Claims (8)
本体部と、
前記本体部に変形可能に保持され、前記半導体レーザ素子を前記本体部との間で着脱可能に保持し、前記サブマウントの電極と検査用回路基板上の電極とを接続する少なくとも1対のコンタクトピンとを備えた半導体装置の検査用治具。 An inspection jig for a semiconductor device that accepts a semiconductor laser element in which a laser diode and a submount are joined,
The main body,
At least one pair of contacts which are held in the main body so as to be deformable, hold the semiconductor laser element so as to be detachable from the main body, and connect the electrodes of the submount and the electrodes on the circuit board for inspection. A semiconductor device inspection jig provided with a pin.
前記半導体レーザ素子を、着脱可能な検査用治具に取りつけ、通電試験を行なう工程と、
前記通電試験の後、前記検査用治具から取り外した前記半導体レーザ素子を本体部に取りつける工程と、
前記本体部に受光素子を取りつける工程と、
前記半導体レーザ素子、前記本体部および前記受光素子の各電極をワイヤ接続する工程と、
前記半導体レーザ素子および前記受光素子上に保護部材およびホログラム素子を取りつける工程とを備えた半導体装置の製造方法。 Bonding a laser diode and a submount and wire-connecting to form a semiconductor laser element;
Attaching the semiconductor laser element to a detachable inspection jig and conducting an energization test;
After the energization test, the step of attaching the semiconductor laser element removed from the inspection jig to the main body,
Attaching a light receiving element to the main body;
Wire connecting each electrode of the semiconductor laser element, the main body and the light receiving element;
And a step of attaching a protective member and a hologram element on the semiconductor laser element and the light receiving element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003387913A JP2005150513A (en) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003387913A JP2005150513A (en) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150513A true JP2005150513A (en) | 2005-06-09 |
Family
ID=34695140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003387913A Pending JP2005150513A (en) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005150513A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041905A1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | シャープ株式会社 | Testing jig, inspection device, mounting device, and testing device |
JP2018073924A (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | Manufacturing method of semiconductor laser element, chip-on sub-mount element, and semiconductor laser device |
CN113671336A (en) * | 2021-08-20 | 2021-11-19 | 上海瞻芯电子科技有限公司 | Power device testing device |
-
2003
- 2003-11-18 JP JP2003387913A patent/JP2005150513A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041905A1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | シャープ株式会社 | Testing jig, inspection device, mounting device, and testing device |
CN104603626A (en) * | 2012-09-11 | 2015-05-06 | 夏普株式会社 | Testing jig, inspection device, mounting device, and testing device |
JPWO2014041905A1 (en) * | 2012-09-11 | 2016-08-18 | シャープ株式会社 | Test jig, inspection device, mounting device, and test device |
JP2018073924A (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | Manufacturing method of semiconductor laser element, chip-on sub-mount element, and semiconductor laser device |
CN113671336A (en) * | 2021-08-20 | 2021-11-19 | 上海瞻芯电子科技有限公司 | Power device testing device |
CN113671336B (en) * | 2021-08-20 | 2024-03-08 | 上海瞻芯电子科技有限公司 | Power device testing device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7446406B2 (en) | Circuit device and manufacturing method thereof | |
US11658098B2 (en) | Leadframe package with side solder ball contact and method of manufacturing | |
JP3990090B2 (en) | Optoelectronic device and manufacturing method thereof | |
KR101388328B1 (en) | Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology(tht) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing | |
JP2682936B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5154039B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JPH09186390A (en) | Semiconductor laser | |
US6642082B2 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
JP2005150513A (en) | Inspection tool and manufacturing method of semiconductor device | |
US6646291B2 (en) | Advanced optical module which enables a surface mount configuration | |
JP4760509B2 (en) | Lead frame assembly | |
JP7014645B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2894594B2 (en) | Manufacturing method of know good die having solder bump | |
JP2000340875A (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacture thereof | |
JP2007242842A (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
JP2000310725A (en) | Optical module | |
JP3970292B2 (en) | Laser equipment | |
JP2007048937A (en) | Semiconductor laser and manufacturing method thereof | |
JP7235379B2 (en) | Electronic device manufacturing method | |
US7213741B2 (en) | Lead wire bonding method | |
JP5271550B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
JP4408931B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2003297507A (en) | Socket for electronic components and its manufacturing method as well as mounting structure using the socket for the electronic components | |
JPS58201388A (en) | Semiconductor device | |
JP2007088327A (en) | Semiconductor light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100223 |