JP2005150173A - Vacuum processing device - Google Patents

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JP2005150173A JP2003381920A JP2003381920A JP2005150173A JP 2005150173 A JP2005150173 A JP 2005150173A JP 2003381920 A JP2003381920 A JP 2003381920A JP 2003381920 A JP2003381920 A JP 2003381920A JP 2005150173 A JP2005150173 A JP 2005150173A
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Katsuji Matano
勝次 亦野
Takeshi Sunahara
毅 砂原
Nobuo Nagayasu
伸男 永安
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum processing device resulting in realizing energy saving or miniaturization. <P>SOLUTION: The vacuum processing device has a processing chamber in which the inside is decompressed and which has a space in which plasma is generated, and a sample base which is arranged to the lower section of the space in the treating chamber and on which a sample to be treated is placed. The vacuum processing device further has a refrigerant circulation device supplying the inside of the sample base with a refrigerant through a refrigerant pipe and circulating the refrigerant and is installed on a floor. In the vacuum processing device, a housing chamber in which a refrigerant circulating means is housed is mounted on the floor. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、試料である半導体ウエハ等の被処理対象の基板を、減圧した空間内で処理する真空処理装置に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus for processing a substrate to be processed such as a semiconductor wafer as a sample in a decompressed space.

上記のように、試料を減圧した空間内に処理する装置、特に、空間である処理室を構成する真空容器内にプラズマを生成して、これを用いて試料を処理する装置では、処理室内に配置された試料を載置する試料台に高周波電力が印加されて、試料にエッチング等の処理がなされる。そして、このような真空下での処理においては、略円形状の試料の径が大きくなるにつれて試料表面の処理の結果得られる形状や進行度合いの程度を精密に調節することが求められており、これに対応するため、試料表面の温度を調節することで試料の処理の程度を調節することが行われている。   As described above, in an apparatus for processing a sample in a decompressed space, particularly in an apparatus for generating a plasma in a vacuum vessel constituting a processing chamber that is a space and processing the sample using the plasma, High frequency power is applied to a sample stage on which the arranged sample is placed, and the sample is subjected to processing such as etching. And, in such processing under vacuum, it is required to precisely adjust the shape and degree of progress obtained as a result of processing the sample surface as the diameter of the substantially circular sample increases. In order to cope with this, the degree of sample processing is adjusted by adjusting the temperature of the sample surface.

この課題を解決するため、試料台内部には単数あるいは複数の冷媒が通流するための通路が配置され、チラー等の温度調節及び与圧手段を用いて試料台内部の冷媒の通路に冷媒を循環させて、試料台と熱交換させて、試料台及び試料を所望の温度になるように調節しながら試料の処理を実施している。   In order to solve this problem, a passage for allowing one or a plurality of refrigerants to flow therethrough is arranged inside the sample stage, and the refrigerant is supplied to the refrigerant path inside the sample stage using temperature control and pressurizing means such as a chiller. The sample is processed while being circulated and heat exchanged with the sample stage to adjust the sample stage and the sample to a desired temperature.

このような冷媒の循環を提供するためのチラー部は、試料台内部の温度を調節できるだけの冷媒の循環量速度を提供しなければならないが、従来の技術では真空処理装置本体が設置されているクリーンルーム等のフロアでなく、その下方のフロアであって、例えばメンテナンスルームやポンプ等に設置していた。   The chiller unit for providing such refrigerant circulation must provide a refrigerant circulation rate that can adjust the temperature inside the sample stage. In the conventional technology, a vacuum processing apparatus main body is installed. It is not a floor of a clean room or the like, but a floor below it, for example, a maintenance room or a pump.

このような、チラーを用いた試料の処理装置に置ける試料台の温度制御に関する従来技術として、特開2001−44176号公報(従来技術)に開示されているように、試料台上の被処理体の温度を一定に維持しながら処理を行う技術が知られていた。   As a conventional technique related to temperature control of a sample stage that can be placed in a sample processing apparatus using such a chiller, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-44176 (prior art), an object to be processed on the sample stage. There has been known a technique for performing the treatment while maintaining the temperature of the water constant.

特開2001−44176号公報JP 2001-44176 A

上記従来技術では、処理装置本体が配置されたフロアと異なるフロアに、例えば下方のメンテナンス用のフロア等に、処理装置の内側に配置される試料台の温度を調節するために温度調節された冷媒を供給するチラー部が配置されていた。そのため、冷媒を供給するための冷媒管は、フロア間の距離を含む長い距離の間を連結して配置され、ケーブル等により複雑な配管系を敷設されていた。   In the above prior art, the temperature-adjusted refrigerant is used to adjust the temperature of the sample stage arranged inside the processing apparatus on a floor different from the floor on which the processing apparatus main body is arranged, for example, a maintenance floor below. The chiller part which supplies was arranged. Therefore, the refrigerant pipe for supplying the refrigerant is arranged by connecting a long distance including the distance between the floors, and a complicated piping system is laid by a cable or the like.

このため、装置本体や処理室内の部品の整備,交換のために、これらの冷媒の循環,供給する装置の整備,調節等の作業のための時間が大きく、装置の稼働効率を低下させ、ひいては試料の処理の効率を低下させてしまっていたという問題点が有った。   For this reason, it takes a lot of time to circulate these refrigerants, to maintain and replace these refrigerants, and to maintain and adjust the equipment to supply and replace the parts in the equipment body and the processing chamber, thereby reducing the operating efficiency of the equipment. There was a problem that the efficiency of the sample processing was lowered.

また、装置本体とチラー部との間の距離が大きいため、冷媒の揚程や冷媒用の配管の長さが大きいため、より多くの冷媒と冷媒に対して付与する圧力が必要となり、チラー内に配置された冷媒を循環させるための循環ポンプは、大容量に対応した仕様となり大型のものとならざるを得なかった。このため、チラー部の消費電力も大きくランニングコストが大きくなってしまうという問題点が有った。   In addition, since the distance between the device main body and the chiller portion is large, the refrigerant head and the length of the refrigerant pipe are large, so that more pressure is required to be applied to the refrigerant and the refrigerant. The circulation pump for circulating the arranged refrigerant has become a specification corresponding to a large capacity and has to be large. For this reason, there is a problem that the power consumption of the chiller portion is large and the running cost is increased.

特に、近年は、試料の処理は、複数の異なる仕様の試料を従来より少量だけ処理を行うことが求められており、このために異なる処理に対応する異なる真空処理装置本体を複数所有することは、半導体ウエハ等の試料を処理して製品を生産する生産業者にとって、大きなコストを必要とし、この結果、製品の製造コストが大きくなってしまうことが問題となっていた。この課題を解決するために、処理装置本体に備えられた処理室等の部分をユニットとして、着脱可能に構成し、求められる処理の仕様に対応した別の処理室を付け外しする構成の処理装置が開発されている。   In particular, in recent years, sample processing has been required to process a plurality of samples with different specifications in a smaller amount than before, and for this reason, possessing a plurality of different vacuum processing apparatus bodies corresponding to different processing However, a producer who processes a sample such as a semiconductor wafer to produce a product requires a large cost, and as a result, the manufacturing cost of the product increases. In order to solve this problem, a processing apparatus configured such that a processing chamber or the like provided in the processing apparatus main body is detachable as a unit, and another processing chamber corresponding to the required processing specifications is attached or detached. Has been developed.

このように処理室等を含む装置の取り外しをする場合、冷媒の循環系統についても少なくともその一部は取り外し,取り付けしなければならず、この場合に冷媒を一端チラー部内に配置された貯留部に抜き取る等の作業が必要となるが、上記従来技術では、冷媒の流量が大きいためこの作業に長い時間が必要となり装置の非稼働状態が長くなってしまう。また、取り外し,取り付けの作業が複雑となり、特に上下のフロア間で取り外しや取り付けの作業を行うため作業の時間が掛かり、装置の稼働効率が著しく損なわれていた。   When removing the apparatus including the processing chamber or the like in this way, at least a part of the refrigerant circulation system must be removed and attached, and in this case, the refrigerant is placed in the storage part disposed in the chiller part. An operation such as extraction is required. However, in the above-described conventional technology, since the flow rate of the refrigerant is large, a long time is required for this operation, and the non-operating state of the apparatus becomes long. In addition, the removal and attachment operations are complicated, and in particular, the removal and attachment operations are performed between the upper and lower floors, so that it takes time for the operation and the operation efficiency of the apparatus is significantly impaired.

さらに、チラー部が大型のものを用いる必要があり、ポンプの冷却水や駆動エネルギーを多く必要とする問題があるのに加えて、チラー部をクリーンルームとは別室のフロア等に設置するために、ポンプ室等のスペースを特別に必要としたり、試料台とチラー部とを接続する冷媒用の配管の長さが長く、メンテナンス性に劣るとともに、各真空処理装置毎にコンダクタンスの相違による冷媒循環流量や応答性の変化による冷却能力変動にともない、試料台すなわち試料の温度のばらつき等するなどの装置間差を生じる恐れがあった。また、このようなチラー部を設置するためのスペースが必要となり、装置本体と同じフロアに設置しようとすると、装置の設置面積が大きくなって、この結果装置の設置効率が低下し、同じフロア上に設置できる台数が減少して製造コストが大きくなってしまうという問題点が有った。   In addition, it is necessary to use a large chiller part, and in addition to the problem of requiring a lot of pump cooling water and driving energy, in order to install the chiller part on a floor etc. separate from the clean room, Refrigerant circulation flow rate due to the difference in conductance for each vacuum processing unit as well as special space for the pump chamber or the like, the length of the refrigerant pipe connecting the sample stage and the chiller is long, and maintenance is inferior As the cooling capacity fluctuates due to changes in responsiveness, there is a risk that differences between devices such as variations in the temperature of the sample stage, that is, the sample may occur. In addition, a space for installing such a chiller portion is required, and installation on the same floor as the main body of the device increases the installation area of the device, resulting in a decrease in the installation efficiency of the device, and on the same floor. There was a problem that the number of units that can be installed in the factory decreased and the manufacturing cost increased.

また、本発明の目的は、省エネルギー或いは小型化を実現した真空処理装置を提供することにある。また、本発明の別の目的は、メンテナンス性を向上した真空処理装置を提供することにある。さらに別の目的は、装置における性能差を低減し、プロセス性能を向上させた真空処理装置を提供することにある。   Moreover, the objective of this invention is providing the vacuum processing apparatus which implement | achieved energy saving or size reduction. Another object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus with improved maintainability. Yet another object is to provide a vacuum processing apparatus in which the performance difference in the apparatus is reduced and the process performance is improved.

上述の目的は、その内側が減圧されてプラズマが生成される空間を有する処理室と前記処理室内で前記空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に冷媒管を介して冷媒を供給して循環させる冷媒循環装置とを備えてフロア上に設置された真空処理装置であって、前記冷媒循環手段を収納する収納室を前記フロア上に備えた真空処理装置により達成される。さらに、この真空処理装置本体の後方に隣接して配置された前記収納室を備えたことにより達成される。   The above-described object is to provide a processing chamber having a space in which the inside is depressurized to generate plasma, a sample stage disposed below the space in the processing chamber, and a sample to be processed placed thereon, A vacuum processing device installed on the floor, provided with a refrigerant circulation device for supplying and circulating a refrigerant through a refrigerant pipe inside the sample stage, wherein a storage chamber for accommodating the refrigerant circulation means is provided on the floor This is achieved by a vacuum processing apparatus provided for the above. Further, this is achieved by providing the storage chamber disposed adjacent to the rear of the vacuum processing apparatus main body.

また、その内側が減圧され、その内側にプラズマが生成される空間とこの空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを有する処理室を複数備えた真空処理装置であって、前記処理室の下方に配置され、前記試料台の内側に冷媒管を介して冷媒を供給する冷媒循環装置を収納し、前記真空処理装置本体から取り外し可能に構成された収納室を備えた真空処理装置により達成される。   Further, the vacuum processing is provided with a plurality of processing chambers having a space in which the inside is depressurized and a plasma is generated inside and a sample stage placed below the space on which the sample to be processed is placed. A storage chamber that is disposed below the processing chamber and stores a refrigerant circulation device that supplies a refrigerant through a refrigerant tube inside the sample stage and is detachable from the vacuum processing apparatus main body. Is achieved by a vacuum processing apparatus comprising:

また、その内側が減圧され、その内側にプラズマが生成される空間とこの空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを有する処理室を含む処理容器の複数と、その内側が前記処理室と連通され処理前または処理後の前記試料が搬送される搬送室とを備えた真空処理装置であって、前記容器が前記搬送室に対してその接続を取り外し可能に構成され、前記容器の下方に配置され、前記試料台内に冷媒を冷媒管を介して供給する冷媒循環装置を収納し、前記真空処理装置本体から取り外し可能に構成された収納室を備えた真空処理装置により達成される。   In addition, a plurality of processing containers including a processing chamber having a space in which the inside is depressurized and a plasma is generated inside and a sample stage which is disposed below the space and on which a sample to be processed is placed. And a vacuum processing apparatus having a transfer chamber in which the inside communicates with the processing chamber and to which the sample before or after processing is transferred, wherein the container can be disconnected from the transfer chamber And a storage chamber that is disposed below the container and stores a refrigerant circulation device that supplies a refrigerant to the sample stage via a refrigerant tube, and is detachable from the vacuum processing apparatus main body. This is achieved by a vacuum processing apparatus.

さらには、前記処理室に電力を供給する電源を収納し前記真空処理装置から取り外し可能に構成されたベッド部と、このベッド部に対して前記真空処理装置の後方に配置された前記収納室とを備えたことにより達成される。   Furthermore, a bed portion configured to store a power source for supplying power to the processing chamber and be removable from the vacuum processing device, and the storage chamber disposed behind the vacuum processing device with respect to the bed portion, This is achieved by having

本発明の実施例について、以下、図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施例に係る真空処理装置の全体構成を示す斜視図である。図1(a)は前方から見た図であり、(b)は後方から見た斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig.1 (a) is the figure seen from the front, (b) is the perspective view seen from back.

この図において、本実施例の真空処理装置100は大きく前後2つのブロックに分けられる。装置本体100の前方側は装置に供給されたウエハが大気圧下で減圧されるチャンバへ搬送されて処理室へ供給される大気側ブロック101である。   In this figure, the vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment is roughly divided into two blocks, front and rear. The front side of the apparatus main body 100 is an atmosphere-side block 101 in which a wafer supplied to the apparatus is transferred to a chamber where the pressure is reduced under atmospheric pressure and supplied to the processing chamber.

装置本体100の後方側は、処理ブロック102である。この処理ブロック102には、減圧してウエハを処理する処理室を有する処理ユニット103,104とこれらの処理室にウエハを減圧下で搬送する搬送ユニット105及びこの搬送室である搬送ユニット
105と大気側ブロック101とを接続する複数のロック室とを備えており、これらは減圧されて高い真空度の圧力に維持可能なユニットであり、処理ブロックは真空ブロックである。
The rear side of the apparatus main body 100 is a processing block 102. The processing block 102 includes processing units 103 and 104 having processing chambers for processing wafers under reduced pressure, a transport unit 105 for transporting wafers to these processing chambers under reduced pressure, and a transport unit 105 serving as the transport chamber and the atmosphere. A plurality of lock chambers connected to the side block 101 are provided. These are units that can be decompressed and maintained at a high degree of vacuum, and the processing block is a vacuum block.

大気側ブロック101は、内部に搬送ロボット(図示せず)を備えた筐体108を有し、この筐体108に取り付けられ処理用またはクリーニング用のウエハが収納されているウエハカセット109及びダミーウエハ用のダミーカセット110を備えている。さらに、搬送ロボットはこれらのカセット109,110とロック室ユニット113との間でウエハを搬入あるいは搬出する作業を行う。また、大気側ブロック101はその筐体108上に位置合わせ部111を備えて、この位置合わせ部111内において搬送されるウエハをカセット109,110或いはロック室ユニット113内のウエハ配置の姿勢に合わせてその位置合わせを行う。   The atmosphere-side block 101 has a housing 108 provided with a transfer robot (not shown) inside, and is mounted on the housing 108 and contains a wafer cassette 109 for processing or cleaning and a dummy wafer. The dummy cassette 110 is provided. Further, the transfer robot performs an operation for loading or unloading wafers between the cassettes 109 and 110 and the lock chamber unit 113. Further, the atmosphere side block 101 includes an alignment unit 111 on the casing 108, and the wafers transferred in the alignment unit 111 are aligned with the orientation of the wafer arrangement in the cassette 109, 110 or the lock chamber unit 113. Align the position.

また、本実施例における処理ブロック102の処理ユニット103,104は、処理ユニット103が、カセット109から処理ブロックに搬送されるウエハのエッチング処理を行うエッチング室を備えたエッチング処理ユニットであり、処理ユニット104がウエハをアッシング処理するアッシング処理ユニットであり、搬送ユニットはこれらの処理ユニットが着脱可能に取り付けられ内部が高い真空度に減圧されて維持される搬送室を備えている。さらに、この処理ブロック102には、上記処理ユニット103,104との間に配置され、これらのユニットあるいは処理室に必要なガスや液体等の流体の供給を調節する流量調節装置(Mass Flow Controller)を含む制御ユニット107が処理ユニット
103,104に隣接して配置されている。
Further, the processing units 103 and 104 of the processing block 102 in this embodiment are etching processing units provided with an etching chamber in which the processing unit 103 performs etching processing of a wafer transferred from the cassette 109 to the processing block. Reference numeral 104 denotes an ashing processing unit for performing an ashing process on the wafer. The transfer unit includes a transfer chamber in which these processing units are detachably attached and the inside is maintained at a reduced vacuum pressure. Further, the processing block 102 is disposed between the processing units 103 and 104, and a flow rate adjusting device (Mass Flow Controller) for adjusting the supply of fluid such as gas or liquid necessary for these units or the processing chamber. Is disposed adjacent to the processing units 103 and 104.

また、処理ブロック102下方には、各々の処理ユニットに対応して各々必要なガス,冷媒の貯留,排気部や電力供給する電源等のユーティリティを収納する矩形状のベッドとこれらを収納するフレーム106が配置されている。処理ユニット103,104の処理室部分や制御ユニット107、ベッドはこのフレーム106から取り外し及び取り付け可能に構成され配置されている。   Below the processing block 102, a rectangular bed for storing utilities such as storage of necessary gas and refrigerant, an exhaust unit and a power supply for supplying power corresponding to each processing unit, and a frame 106 for storing these. Is arranged. The processing chamber portions of the processing units 103 and 104, the control unit 107, and the bed are configured and arranged so as to be detachable and attachable from the frame 106.

図2は、図1に示す実施例に係る真空処理装置100の構成の概略を示す平面図であり、(a)は上方から見た図、(b)は側方から見た図である。   2A and 2B are plan views schematically showing the configuration of the vacuum processing apparatus 100 according to the embodiment shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A is a view seen from above and FIG. 2B is a view seen from the side.

これらの図において、装置本体100の前方側に配置された大気側ブロック101は、大気圧下でウエハを搬送,収納,位置決め等の取り扱いをする部分であり、後方側の処理ブロック102は、大気圧から減圧された圧力下でウエハを搬送,処理等を行いウエハを載置した状態で圧力を上下させる部分である。また、ロック室113は、大気側ブロック101と搬送ユニットの搬送室との間を接続して、この内側に搬送されるウエハが載置された状態で内部の圧力を上昇あるいは減少させ、これを維持するガス排気装置とガス供給装置とが接続されている。   In these drawings, an atmosphere-side block 101 disposed on the front side of the apparatus main body 100 is a part that handles handling, storing, positioning, and the like of wafers under atmospheric pressure, and a processing block 102 on the rear side is large. This is the part where the wafer is transferred and processed under a pressure reduced from the atmospheric pressure, and the pressure is raised and lowered while the wafer is placed. The lock chamber 113 connects the atmosphere side block 101 and the transfer chamber of the transfer unit, and increases or decreases the internal pressure in a state where the wafer to be transferred is placed on the inside. A gas exhaust device to be maintained and a gas supply device are connected.

このため、このロック室113は、その前後に開放あるいは閉塞して内部を密封するゲートバルブが配置されている。さらに、内部にはウエハを載置する台を配置しておりウエハが内部の圧力の上昇,下降の際に移動しないよう固定する手段を備えている。つまり、このロック室113は、内側にウエハを載置した状態で、形成される内外の圧力の差に耐えてシールする手段を備えた構成となっている。   For this reason, the lock chamber 113 is provided with a gate valve that is opened or closed before and after the lock chamber 113 to seal the inside. Further, a table on which the wafer is placed is disposed inside, and a means for fixing the wafer so as not to move when the internal pressure rises or falls is provided. That is, the lock chamber 113 includes a means for withstanding and sealing the difference between the pressures formed inside and outside with the wafer placed inside.

上記のように、搬送ユニット105は、内側が減圧され各処理ユニット103,104とロック室113との間でウエハを搬送するロボットアーム(図示せず)が内部に配置された搬送室112と、上記複数のロック室113とで構成されている。また、上記のように、本実施例では、処理ユニット103,104は、エッチング処理ユニット2つとアッシング処理ユニット2つとを搬送ユニット105の多角形の搬送室112の各辺に接続されて備えており、エッチング処理ユニット103の2つは搬送室112の奥側の2つの辺に接続され、アッシング処理ユニット104の2つはそれぞれがエッチング処理ユニット103の隣接する辺に接続され、さらに搬送室の残る辺にロック室113が接続されている。つまり、本実施例では、2つのエッチング処理室と2つのアッシング処理室とを備えている。   As described above, the transfer unit 105 includes a transfer chamber 112 in which a robot arm (not shown) for transferring a wafer between the processing units 103 and 104 and the lock chamber 113 is disposed inside, and the inside is depressurized. The plurality of lock chambers 113 are configured. As described above, in this embodiment, the processing units 103 and 104 include two etching processing units and two ashing processing units connected to each side of the polygonal transfer chamber 112 of the transfer unit 105. The two etching processing units 103 are connected to the two inner sides of the transfer chamber 112, the two ashing processing units 104 are connected to the adjacent sides of the etching processing unit 103, and the transfer chamber remains. A lock chamber 113 is connected to the side. That is, in this embodiment, two etching processing chambers and two ashing processing chambers are provided.

また、本実施例は、これら搬送ユニット105に接続された処理ユニット103,104はこの搬送ユニット105と着脱可能に構成されていると共に、搬送ユニット105において、ロック室113と搬送室112とは、着脱可能に構成されて接続されている。処理ユニット103,104は、大きく上下に分けて考えることができ、それぞれ、処理室を内側に含むチャンバ部及びこの処理室に対応したユーティリティを収納するベッド部である。   In this embodiment, the processing units 103 and 104 connected to the transfer unit 105 are configured to be detachable from the transfer unit 105. In the transfer unit 105, the lock chamber 113 and the transfer chamber 112 are It is configured to be detachable and connected. The processing units 103 and 104 can be roughly divided into an upper part and a lower part. Each of the processing units 103 and 104 is a chamber part including a processing chamber inside and a bed part for storing a utility corresponding to the processing chamber.

上記の通り、ベッド部は、上部のチャンバ部に必要なユーティリティ,制御器,熱交換器等を内部に収納する略直方体形状を有している。ユーティリティは、例えば、処理室内を減圧するための排気ポンプ、電力を供給するための電源、処理室内で試料であるウエハがその上に載置され固定される試料台に供給するためのガスの貯留部、試料台を冷却するための冷媒の貯留部や冷媒を熱交換して循環させるための冷凍サイクルの熱交換器が挙げられる。ベッドは、これらのユーティリティを収納し、チャンバ部下方でフレーム106に接続されてこれに収納されている。   As described above, the bed portion has a substantially rectangular parallelepiped shape that accommodates necessary utilities, controllers, heat exchangers, and the like in the upper chamber portion. The utility includes, for example, an exhaust pump for depressurizing the processing chamber, a power source for supplying electric power, and a gas storage for supplying to a sample stage on which a wafer as a sample is placed and fixed in the processing chamber. And a refrigerant storage unit for cooling the sample stage and a heat exchanger of a refrigeration cycle for circulating the refrigerant through heat exchange. The bed accommodates these utilities and is accommodated in the frame 106 connected to the frame 106 below.

処理室(チャンバ)部は、搬送室112とその各辺において所定の接続用のゲートで接続される。また、この処理室部に対応するベッド部は搬送室112の下方のフレーム106に収納され装置本体100と接続される。また、このフレーム106内には、収納するベッド内の各ユーティリティが駆動されるに必要なインターフェース部を備えている。   The processing chamber (chamber) section is connected to the transfer chamber 112 at each side by a predetermined connection gate. The bed portion corresponding to the processing chamber portion is housed in the frame 106 below the transfer chamber 112 and connected to the apparatus main body 100. The frame 106 includes an interface unit necessary for driving each utility in the bed to be stored.

本実施例では、各処理室部とこれに対応するベッド部との組合わせが1つの処理ユニットを構成している。この1つの処理ユニットがまとまりとして、装置本体100或いは搬送ユニット105(搬送室112)に取り付け,取り外し可能に接続されている。また、1つの処理ユニットにおいて、処理部は搬送ユニット105に接続された状態で、下方の対応するベッド部を取り付け/取り外ししてもよく、逆にベッド部をフレーム106に接続した状態で上方の処理室部を取り付け,取り外ししてもよい。   In the present embodiment, a combination of each processing chamber section and the corresponding bed section constitutes one processing unit. This one processing unit is integrated into the apparatus main body 100 or the transfer unit 105 (transfer chamber 112) and is detachably connected. Further, in one processing unit, the processing unit may be attached / removed in the state where the processing unit is connected to the transport unit 105, and conversely the upper part in the state where the bed unit is connected to the frame 106. The processing chamber may be attached and removed.

さらに、大気側ブロック101の後方で、処理ブロック102との間には、ロック室
113が配置されているが、フレーム106あるいは各ベッドとの間に間隙が形成されている。この大気側ブロック101の背面側は、処理ブロックに供給されるガス,冷媒,電源等の供給路となっている。すなわち、このような真空処理装置100が設置される場所は、典型的にはクリーンルームのような空気が浄化される室内であるが、複数の装置を設置する場合には、装置本体100に供給される各種のガス,冷媒,電源は、別の箇所に、例えば、装置本体を設置するフロアとは別フロアに纏めて配置して各装置本体に管路を付設して供給されるものが、一般的である。本実施例は、別箇所からのガスや冷媒の管路、あるいは電源からの電線といった供給ラインの接続インターフェース部201が大気側ブロックの背面部に設けられている。
Further, a lock chamber 113 is disposed behind the atmosphere side block 101 and between the processing block 102 and a gap is formed between the frame 106 and each bed. The back side of the atmosphere side block 101 is a supply path for gas, refrigerant, power, etc. supplied to the processing block. That is, the place where such a vacuum processing apparatus 100 is installed is typically a room in which air is purified, such as a clean room, but when a plurality of apparatuses are installed, the vacuum processing apparatus 100 is supplied to the apparatus main body 100. Various types of gas, refrigerant, and power are generally supplied at different locations, for example, separately from the floor on which the apparatus main body is installed, and each apparatus main body is provided with a pipeline. Is. In the present embodiment, a connection interface portion 201 of a supply line such as a gas or refrigerant pipe from another place or an electric wire from a power source is provided on the back side of the atmosphere side block.

さらに、接続インターフェース部201で供給路と接続されて処理ブロック102側へ供給される各ユーティリティの供給路を、接続インターフェース部201からの管路や電線等の供給ラインは、ロック室113下方と搬送室112の中央部下方を通り、フレーム
106に設けられたインターフェース部を介して各ベッドに接続されている。
Further, the utility interface connected to the supply path by the connection interface unit 201 and supplied to the processing block 102 side is supplied to the supply line such as a pipeline or an electric wire from the connection interface unit 201 below the lock chamber 113. It passes through the lower part of the center of the chamber 112 and is connected to each bed via an interface provided on the frame 106.

従来は、このような別フロアの供給源から各処理室に別々に導くよう管路や電線等を付設していたため、処理室を整備調整したり別の使用のものに交換したりする場合には取り外しや取り付け作業が繁雑となって作業効率を損なっていた。また、各管路や電線を調節したり、この流れの状態を表示するメータ等の表示手段は、各々の処理室毎に設けられている等の理由から、使用者が装置の動作状態を判断したりすることが容易ではなかった。また、各処理室周りにこれらの管路が付設されているため、装置全体での必要な設置面積が実質的に大きくなって、1つのフロアに設置できる装置の数が減少してしまったり、作業のためのスペースが低減して作業効率を低下してしまったりするという問題が生じていた。本実施例では、上記の通りの構成により、十分な作業スペースを確保すると共に動作確認を容易に行えるように構成され、また、設置面積が低減する。   In the past, pipes and wires were attached to guide each processing chamber separately from the supply source on such a separate floor, so when the processing chamber was to be serviced or replaced with another one. The removal and installation work was complicated and the work efficiency was impaired. In addition, a display unit such as a meter that adjusts each pipe line and electric wire and displays the state of this flow is provided for each processing chamber. It was not easy to do. In addition, since these pipe lines are attached around each processing chamber, the required installation area of the entire apparatus is substantially increased, and the number of apparatuses that can be installed on one floor is reduced. There has been a problem that the work space is reduced and work efficiency is lowered. In the present embodiment, the configuration as described above is configured so that a sufficient working space is secured and the operation can be easily checked, and the installation area is reduced.

すなわち、上記接続インターフェース201で接続されて処理ブロック102側へ供給される各供給ラインの状態を検知する検知手段とこの検知された出力の結果を表示して使用者が容易に装置の動作状態を検知できるよう検知出力を表示する表示手段を備えた表示部202が筐体108の背面部に配置されている。また、これらの供給ラインによる供給を調節する或いは調節の指令を入力できる調節手段を設けても良い。   That is, the detection means for detecting the state of each supply line connected to the processing block 102 side connected by the connection interface 201 and the result of the detected output are displayed so that the user can easily determine the operation state of the apparatus. A display unit 202 having display means for displaying a detection output so as to be detected is disposed on the back surface of the housing 108. Moreover, you may provide the adjustment means which can adjust supply by these supply lines, or can input the instruction | indication of adjustment.

また、この筐体108の背面と処理ブロック102のフレーム106との間に間隔が設けられており、この間隔は使用者が入って処理ユニット104や搬送室112,ロック室113について作業することができるスペースであると共に、接続インターフェース部
201や筐体108背面の表示部202を確認したり、調節,整備したりすることができるスペースとなっている。さらに、これら供給ラインからの供給に係る装置の動作に関する情報の表示と調節する手段とを集中的に配置している。これにより、装置を稼働させるために必要な作業が容易になり、装置の稼働効率が向上する。
In addition, a space is provided between the back surface of the housing 108 and the frame 106 of the processing block 102, and this space can be entered by the user to work on the processing unit 104, the transfer chamber 112, and the lock chamber 113. It is a space where the connection interface unit 201 and the display unit 202 on the rear surface of the housing 108 can be confirmed, adjusted, and maintained. Furthermore, the display of the information regarding the operation | movement of the apparatus which concerns on supply from these supply lines, and the means to adjust are arrange | positioned intensively. As a result, work necessary for operating the apparatus is facilitated, and the operating efficiency of the apparatus is improved.

また、本実施例では処理側ブロック102の各ユニットに必要なユーティリティの供給路は纏めて配置されている。装置本体100の設置フロア下のフロア等の他箇所からの供給管や電線等の供給路を纏めて大気側ブロック101の筐体108背面に配置したことで、装置本体100をフロアに設置する場合や装置の整備や交換作業を行う場合で供給路の取り付け,接続,取り外しの作業が容易となり作業効率が向上する。   In this embodiment, utility supply paths necessary for each unit of the processing block 102 are arranged together. When the apparatus main body 100 is installed on the floor by collecting supply pipes and other supply paths from other places such as the floor below the installation floor of the apparatus main body 100 and arranging them on the back surface of the casing 108 of the atmospheric block 101 When the maintenance and replacement of equipment and equipment are performed, the work of attaching, connecting, and removing the supply path is facilitated and the work efficiency is improved.

また、本実施例では、接続インターフェース部201からの管路や電線等の供給ラインは、ロック室113下方と搬送室112の中央部下方を通り、フレーム106に配置されたインターフェース部を介して各ベッドに接続されるが、接続インターフェース部201からの供給ラインの各管路,電線が直接フレーム106内ベッドに収納された装置に接続されるようにしても良い。   In the present embodiment, the supply lines such as pipes and electric wires from the connection interface unit 201 pass below the lock chamber 113 and below the central portion of the transfer chamber 112, and pass through each interface unit arranged on the frame 106. Although connected to the bed, each pipe line and electric wire of the supply line from the connection interface unit 201 may be directly connected to a device housed in the bed in the frame 106.

また、接続インターフェース部201からの供給路203は大気側ブロック201の後方からロック室113,搬送室112下方を通るように配置されている。特に、供給路
203は纏められて搬送室112の下方の各ベッドの間に形成された空間を通って各ベッドあるいはフレーム106と接続されている。つまり、各ユニットが搬送室112を囲むように配置され、上記の供給路203が配置される空間は、装置の内方側あるいは中央部側に配置されている。
Further, the supply path 203 from the connection interface unit 201 is disposed so as to pass under the lock chamber 113 and the transfer chamber 112 from the rear of the atmosphere side block 201. In particular, the supply path 203 is gathered and connected to each bed or frame 106 through a space formed between the beds below the transfer chamber 112. That is, each unit is arranged so as to surround the transfer chamber 112, and the space in which the supply path 203 is arranged is arranged on the inner side or the center side of the apparatus.

このような配置空間は、搬送室112,ロック室113の下方であって、各処理ユニットのベッドの間の空間に配置される。このため、供給路203の取り付け,接続,取り外しといった作業のための空間が確保でき、作業が容易となり作業効率が向上し、ひいては装置の稼働効率が向上する。また、ユーティリティの接続部が装置の内方側、つまり搬送室112の下方であり、各ベッド間の間の空間に面するように配置されているので上記作業のための空間が少なく、装置の周囲に配管や線路とその接続部等を設ける場合よりも設置面積が低減され同じフロア面積に対して設置可能な台数が増大する。   Such an arrangement space is arranged below the transfer chamber 112 and the lock chamber 113 and in a space between the beds of each processing unit. For this reason, a space for work such as attachment, connection, and removal of the supply path 203 can be secured, work is facilitated, work efficiency is improved, and operation efficiency of the apparatus is improved. In addition, since the utility connection part is on the inner side of the apparatus, that is, below the transfer chamber 112 and faces the space between the beds, there is little space for the above work, The installation area is reduced and the number of units that can be installed on the same floor area is increased as compared with the case where pipes, tracks, and connecting portions thereof are provided in the periphery.

図1,図2で説明した各ユニットの構成の概略をさら説明する。図1,図2で示す本実施例の一部は1つの纏まりであるユニットとして他から取り外し,取り付け可能に構成されている。特に、上記実施例は処理を行うチャンバを含む処理ユニットとして取り付け/取り外し可能に構成されている。すなわち、本実施例の装置は、エッチング処理ユニット
103,アッシング処理ユニット104、及びMFC(Mass Flow Controller)を含む制御ユニットを備えている。
The outline of the configuration of each unit described in FIGS. 1 and 2 will be further described. A part of the present embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is configured to be removable and attachable as a unit as one unit. In particular, the above embodiment is configured to be attachable / detachable as a processing unit including a chamber for performing processing. That is, the apparatus of this embodiment includes an etching processing unit 103, an ashing processing unit 104, and a control unit including an MFC (Mass Flow Controller).

また、各処理ユニット103,104はそれぞれ上下に処理部103a,104aとフレーム106に収納され接続されるベッド部103b,ベッド部104bとを備えている。処理ユニット103に対応するベッド部103bには、真空処理装置本体100の背部になるベッド部103b後方にベッド部103b或いは104b上の平面部に載り降りするための台115が配置されている。これらのうちエッチング処理ユニット103の処理部103a,103bの間にはガスや循環する冷媒,電力の供給のための管路,線路が配置されて両者を接続している一方で、図示していないフレーム106上に配置された複数の支持梁により処理部103aがベッド上に支持されている。   The processing units 103 and 104 include processing units 103a and 104a and a bed unit 103b and a bed unit 104b that are accommodated in and connected to the frame 106, respectively. A bed 115 b corresponding to the processing unit 103 is provided with a table 115 for getting on and falling on a flat portion on the bed 103 b or 104 b behind the bed 103 b that is the back of the vacuum processing apparatus main body 100. Among these, gas, circulating refrigerant, pipelines and lines for supplying electric power are arranged between the processing units 103a and 103b of the etching processing unit 103 and connected to each other, but not shown. The processing unit 103 a is supported on the bed by a plurality of support beams arranged on the frame 106.

制御ユニット107は、上記のようにエッチング処理ユニット103とアッシング処理ユニット104との間に配置されており、これらの処理ユニットのベッド部103b,
104bの上方のフレーム106上に取り付けられて配置されている。この制御ユニット107は、これを挟んで配置された処理ユニットが必要なガス等のこれら処理ユニットへの供給を調節する装置である。例えば、内部に配置された流量調節器がエッチング処理ユニット103の処理部103a内に配置された処理室(チャンバ)へのガスや電力の供給を調節する調節器が内部に配置されている。
The control unit 107 is disposed between the etching processing unit 103 and the ashing processing unit 104 as described above, and the bed portion 103b of these processing units,
It is attached and arranged on the frame 106 above 104b. The control unit 107 is a device that adjusts the supply of gas and the like necessary for the processing units disposed between them to the processing units. For example, a flow rate adjuster arranged inside adjusts the gas and power supply to the processing chamber (chamber) arranged in the processing unit 103 a of the etching processing unit 103.

図3は、本発明の図1,図2に示す真空処理装置の構成を示す図であり、処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。図4は、図3に示す処理ユニットの変形例の構成の概略を示す縦断面図である。   FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the vacuum processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 of the present invention, and is a longitudinal sectional view showing the outline of the configuration of the processing unit. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of a modification of the processing unit shown in FIG.

上記のように本発明の実施の形態に係る真空処理装置100としての処理ユニット103は、概念的に上部と下部とに分けられ、上部に処理対象の試料が内部に配置されて処理される処理室部103aと、この処理室部103aにおいて必要な電力を供給する電源や冷却するための冷媒の貯留部等を収納して配置したベッド部103bを備えており、例えば、処理の仕様に応じて選択された材料であるアルミニウム等の導電性材料で形成された部材からなりその内側が排気されて減圧される容器である処理室301と、この処理室301内に配置された試料台302と、この試料台302の温度を調節するために試料台302内を通流する冷媒の冷媒用配管303と、これに接続され冷媒用配管303を介し試料台302を通って循環する冷媒の温度を調節するためのチラー部304とを備えている。   As described above, the processing unit 103 as the vacuum processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is conceptually divided into an upper part and a lower part, and a processing target sample is disposed in the upper part and processed. It has a chamber 103a and a bed 103b that houses and arranges a power supply for supplying electric power necessary for the processing chamber 103a, a refrigerant storage for cooling, and the like. A processing chamber 301 which is a container made of a conductive material such as aluminum which is a selected material and whose inside is evacuated and decompressed; a sample stage 302 disposed in the processing chamber 301; In order to adjust the temperature of the sample stage 302, a refrigerant pipe 303 for the refrigerant flowing through the sample stage 302 and the temperature of the refrigerant connected to this and circulating through the sample stage 302 via the refrigerant pipe 303 And a chiller unit 304 for adjusting.

さらに、処理室301内には、被処理対象の半導体ウエハ等の基板である試料305を載置するための試料台302の上方の処理室301の上部には、試料台302上の試料
305と対向した位置から塩素系等の処理ガスを処理室301内に供給するためのガス供給手段が配置されている。このガス供給手段から処理ガスが試料台306上の試料305に向けて流入する。
Further, in the processing chamber 301, the sample 305 on the sample stage 302 is placed on the upper part of the processing chamber 301 above the sample stage 302 for placing the sample 305, which is a substrate such as a semiconductor wafer to be processed. Gas supply means for supplying a chlorine-based processing gas or the like into the processing chamber 301 from the opposed position is disposed. A processing gas flows from the gas supply means toward the sample 305 on the sample stage 306.

さらにまた、試料台302の内側にチラー部304によりその温度が調節された冷媒が循環される通路を備えてこれを含んで構成される試料台302の温度調節手段を有し、かかる温度制御手段を能動化することによって、試料台302の温度が適宜調節される。   Furthermore, the apparatus has a temperature adjusting means for the sample stage 302 including a passage through which a refrigerant whose temperature is adjusted by the chiller 304 is circulated inside the sample stage 302, and the temperature control means. , The temperature of the sample stage 302 is adjusted as appropriate.

また、図3に示す実施例では、処理室部103a,ベッド部103bを有する処理ユニット103及びこの処理室に対応するチラー部304が、同じクリーン等の設置箇所であって同じフロア306上に設置されている。   Further, in the embodiment shown in FIG. 3, the processing unit 103 having the processing chamber 103a and the bed 103b and the chiller 304 corresponding to the processing chamber are installed on the same floor 306 at the same clean location. Has been.

以下、より詳細な構成について説明する。上記処理室部103aには、処理室301と、この処理室301内に電磁波による電界,磁界を供給するための電界供給手段,磁界供給手段と、処理室301内にガスを供給するためのガス供給手段とこの処理室301内のガス,プラズマ等の粒子を排出するとともに処理室301内を減圧された所定の真空度の圧力に維持するための排気手段を備えている。   Hereinafter, a more detailed configuration will be described. The processing chamber section 103 a includes a processing chamber 301, an electric field supply means for supplying an electric field and a magnetic field by electromagnetic waves in the processing chamber 301, a magnetic field supply means, and a gas for supplying a gas into the processing chamber 301. A supply means and exhaust means for discharging particles such as gas and plasma in the processing chamber 301 and maintaining the pressure in the processing chamber 301 at a predetermined reduced vacuum level are provided.

この処理室部103a上部には、電界を処理室301に供給するための電界供給手段を構成するマグネトロン307と、このマグネトロン308により生成されるマイクロ波が通る管路である上部導波管308aが(矢印のように)略水平方向にマイクロ波を導波するように配置され、この上部導波管308aに接続されて内部が連通した下部導波管308bとを有し、(矢印のように)上部導波管308a内を伝播してきたマイクロ波は(矢印のように)下部導波管308b内に伝播してこれより下方の処理室301側へ進行する。すなわち、下部導波管308bは上部導波管308a、電波源と下方の処理室301とを連結するための伝導部材である。   A magnetron 307 constituting an electric field supply means for supplying an electric field to the processing chamber 301 and an upper waveguide 308a that is a pipe through which a microwave generated by the magnetron 308 passes are provided above the processing chamber 103a. A lower waveguide 308b that is arranged so as to guide the microwave in a substantially horizontal direction (as indicated by an arrow) and that is connected to the upper waveguide 308a and communicates with the interior thereof (as indicated by an arrow). ) The microwave propagated in the upper waveguide 308a propagates in the lower waveguide 308b (as indicated by the arrow) and proceeds to the processing chamber 301 below. That is, the lower waveguide 308b is a conductive member for connecting the upper waveguide 308a, the radio wave source, and the lower processing chamber 301.

下部導波管308bに進行したマイクロ波は、処理室301上部であって下部導波管
308bの下部に配置された空間内で図示しないスロットアンテナ等の手段により、略水平方向について高い電界の強度を有する分布を持つようにされる。また、下部導波管308bの下部には、これに接続された石英等の絶縁体製の誘電体窓309が配置されており、前記高電界の分布を持つ電波はこの誘電体窓309を透過して下方の処理室301内に伝播する。
The microwave that has traveled to the lower waveguide 308b is high in the electric field strength in a substantially horizontal direction by means such as a slot antenna (not shown) in a space disposed above the processing chamber 301 and below the lower waveguide 308b. To have a distribution with A dielectric window 309 made of an insulator such as quartz connected to the lower waveguide 308b is disposed below the lower waveguide 308b, and the radio wave having the high electric field distribution is transmitted through the dielectric window 309. Then, it propagates into the lower processing chamber 301.

本実施例においては、誘電体窓309の下方に空間が配置され、この空間と連通して配置されたガス導入管310を備えており、ガス導入管310から図示しない流量調節器
(MFC)によりその流量速度が調節されたガスが前記空間に導入される。さらに、この空間内のガスは、下方に配置されたガス分散板311に備えられた貫通孔の複数から前記処理室301内に分散して流入する。分散板311は誘電体窓309と同様に石英等の誘電体で構成しても、シリコン等の半導体で構成してもよく、導波管308a,308bを通って伝播してきた電波による電界が処理室301へ透過して導入されるように構成されていることが必要である。
In this embodiment, a space is arranged below the dielectric window 309, and a gas introduction pipe 310 arranged in communication with the space is provided. The gas introduction pipe 310 is provided with a flow rate regulator (MFC) (not shown). A gas whose flow rate is adjusted is introduced into the space. Further, the gas in this space flows in a dispersed manner into the processing chamber 301 from a plurality of through holes provided in the gas dispersion plate 311 disposed below. Similar to the dielectric window 309, the dispersion plate 311 may be made of a dielectric such as quartz, or may be made of a semiconductor such as silicon, and the electric field generated by the radio waves propagating through the waveguides 308a and 308b is processed. It is necessary to be configured so as to be introduced through the chamber 301.

このように、誘電体窓309,分散板311は処理室301の上方の面(天井面)を構成しており、特に、分散板311は処理室301の内側の壁面を構成し形成されるプラズマに面する。処理室301内は、図示していない真空ポンプ等の排気手段と接続されており、処理用のガスが供給され形成されたプラズマによる反応生成物が生成されつつ処理室301内を所定の真空度の減少された圧力に維持される。このように処理室301内に供給された処理用のガスに対し、上記誘電体窓309及び分散板311を透過して処理室
301内に供給されるマイクロ波による電界と、下部導波管309b及び処理室301の周囲を囲んで真空容器を構成する上部容器312の外周を囲んで配置され処理室301
(真空容器)内に磁界を供給するソレノイドコイル313からの磁界との相互作用によるECRが生起され、処理ガスがプラズマ化される。このようにして、上部容器312内の処理室301内であって、試料台302上方の空間でプラズマが形成される。
As described above, the dielectric window 309 and the dispersion plate 311 constitute the upper surface (ceiling surface) of the processing chamber 301, and in particular, the dispersion plate 311 constitutes the inner wall surface of the processing chamber 301 and is formed. Facing. The inside of the processing chamber 301 is connected to an evacuation means such as a vacuum pump (not shown), and a reaction product is generated by plasma formed by supplying processing gas, and the inside of the processing chamber 301 has a predetermined degree of vacuum. Maintained at reduced pressure. The processing gas supplied into the processing chamber 301 in this way passes through the dielectric window 309 and the dispersion plate 311 and is supplied into the processing chamber 301, and the lower waveguide 309b. In addition, the processing chamber 301 is arranged so as to surround the outer periphery of the upper container 312 that constitutes a vacuum container surrounding the processing chamber 301.
ECR is generated by the interaction with the magnetic field from the solenoid coil 313 that supplies the magnetic field in the (vacuum container), and the processing gas is turned into plasma. In this way, plasma is formed in the processing chamber 301 in the upper container 312 and in the space above the sample stage 302.

図3に示すように、処理室の天井面を構成する分散板311の下方に試料台302が配置され、試料台302上に載置される試料305と分散板311とは対向して配置される。この試料台302内には電極314が備えられ、高周波電源315と接続されて電極
314或いは試料台302上に高周波バイアスによる電圧が生起される。また、試料台
302は、その内側に、少なくとも1つの電極であって可変直流電源316と接続された電極と、この電極の上方の試料台302に配置されこの上に試料305配置される誘電体膜317とが備えられている。
As shown in FIG. 3, a sample stage 302 is disposed below a dispersion plate 311 that forms the ceiling surface of the processing chamber, and the sample 305 placed on the sample stage 302 and the dispersion plate 311 are disposed to face each other. The An electrode 314 is provided in the sample stage 302 and is connected to a high frequency power source 315 to generate a voltage due to a high frequency bias on the electrode 314 or the sample stage 302. Further, the sample stage 302 has at least one electrode inside thereof connected to the variable DC power source 316, and a dielectric disposed on the sample stage 302 above the electrode and disposed on the sample 305. A membrane 317 is provided.

この電極,誘電体膜317及び試料305とプラズマとの間の作用により、試料305の表面に蓄積された電荷と誘電体膜317(あるいは電極)との間で生じる静電気による力によって、試料305は試料台302(誘電体膜317)上に引き付けられ吸着されて支持される。上記吸着用の電極と高周波電源315からの電力が供給されて印加される電極とは同一であってもよい。   Due to the action between the electrode, the dielectric film 317 and the sample 305 and the plasma, the sample 305 is caused by the electrostatic force generated between the charge accumulated on the surface of the sample 305 and the dielectric film 317 (or electrode). It is attracted and adsorbed on the sample stage 302 (dielectric film 317) and supported. The electrode for adsorption and the electrode supplied with power from the high frequency power source 315 may be the same.

試料台302上方に形成されたプラズマ中に含まれるイオンは、電極314に印加される高周波のバイアス電圧に誘引されて試料305の表面に衝突し、この際、試料表面に存在するラジカルが作用して試料表面の物質と反応することにより、試料が処理(本実施例ではエッチング処理)される。この試料305表面の物質とプラズマとの反応により、試料305上方の処理室301内に反応生成物が生成される。   Ions contained in the plasma formed above the sample stage 302 are attracted by a high-frequency bias voltage applied to the electrode 314 and collide with the surface of the sample 305. At this time, radicals existing on the sample surface act. By reacting with the material on the sample surface, the sample is processed (etching process in this embodiment). A reaction product is generated in the processing chamber 301 above the sample 305 by the reaction between the substance on the surface of the sample 305 and the plasma.

このように生成された反応生成物と、処理室301内のプラズマや処理に寄与しないガス等は試料台302周囲の空間から下方へ移動し、試料台302の下方で上部容器312と共に真空容器を構成する下部容器318により囲まれた試料台302下方の空間において、下部容器318の試料台302直下に位置する排気口319から、図示しない真空ポンプ等の排気手段によって吸引され処理室301外へ排出される。   The reaction product generated in this way, the plasma in the processing chamber 301, the gas that does not contribute to the processing, etc. move downward from the space around the sample stage 302, and the vacuum container is moved together with the upper container 312 below the sample stage 302. In the space below the sample stage 302 surrounded by the lower container 318 that constitutes, it is sucked by an exhaust means such as a vacuum pump (not shown) from the exhaust port 319 located immediately below the sample stage 302 of the lower container 318 and discharged out of the processing chamber 301. Is done.

また、本実施例では上記排気口319には、回転してこの排気口319を開閉するシャッタバルブを備えており、回転によって排気口319の断面積を変化させて排気量速度を調節するように構成されている。なお、上記真空室である処理室301を構成する上部容器312,下部容器318は適切な手段を介して接地されている。   In the present embodiment, the exhaust port 319 is provided with a shutter valve that rotates to open and close the exhaust port 319, and the sectional area of the exhaust port 319 is changed by the rotation so as to adjust the exhaust amount speed. It is configured. In addition, the upper container 312 and the lower container 318 constituting the processing chamber 301 which is the vacuum chamber are grounded through appropriate means.

本発明の実施例では、試料台302の前記誘電体膜317上の試料305が載置される箇所の周囲には試料台リング320は配置されており、電極と処理室301内のプラズマとの間で静電吸着させるための電源からの電流が流れてしまうことを抑制する。このために、絶縁体によって構成された部材を用いても良い。   In the embodiment of the present invention, a sample stage ring 320 is disposed around the place where the sample 305 on the dielectric film 317 of the sample stage 302 is placed, and the electrode and the plasma in the processing chamber 301 are connected to each other. Current flowing from the power source for electrostatic adsorption between the two is suppressed. For this reason, you may use the member comprised with the insulator.

また、この試料台リング320は、試料台302あるいは電極をプラズマからのイオンの衝突から保護する作用をするようそのための手段を具備していても良い。例えば、試料台302上に試料305の処理に影響を与え難い材料で構成された部材を保護部材として配置しても良い。また、この試料台リング320自体をイオンにより削れ難く処理に影響を与え難い材質であるアルミナ等のセラミクスで構成しても良い。   The sample stage ring 320 may be provided with means for protecting the sample stage 302 or the electrode from collision of ions from plasma. For example, a member made of a material that hardly affects the processing of the sample 305 may be disposed on the sample stage 302 as a protective member. Further, the sample stage ring 320 itself may be made of ceramics such as alumina, which is a material that is hard to be scraped by ions and hardly affects the processing.

このようにプラズマ中のイオンの衝突を受けつつ処理が行われる試料305は、その温度が処理中に上昇することが起こる。そこで、試料台302内部に冷媒通路321を配置し、その内部にチラー部304により温度調節された冷媒を通流させてチラー部304へ戻るよう循環させ、処理の間に試料台302の温度を所望の温度になるように調節することで、試料台302上に載置された試料305の温度を所望の温度に近づける。   As described above, the temperature of the sample 305 to be processed while receiving collision of ions in the plasma increases during the processing. Therefore, a refrigerant passage 321 is arranged inside the sample stage 302, a refrigerant whose temperature is adjusted by the chiller unit 304 is passed through the sample path 302, and the refrigerant is circulated back to the chiller unit 304, and the temperature of the sample stage 302 is increased during processing. By adjusting the temperature so as to be a desired temperature, the temperature of the sample 305 placed on the sample stage 302 is brought close to the desired temperature.

また、試料305と試料台302との間の熱伝達の効率を向上させ、試料305の温度とその分布をより所望のものに近づけるため、試料305の裏面とこれに対向して配置される試料台302の表面との間に熱伝達用のガス(例えば、He)を熱伝達ガス源322から供給する。これにより、本来、熱容量が試料台302と比べ非常に小さな試料305の温度は試料台302の温度とその分布により近づけられる。   In addition, in order to improve the efficiency of heat transfer between the sample 305 and the sample stage 302 and bring the temperature and distribution of the sample 305 closer to a desired one, the sample disposed opposite to the back surface of the sample 305 A heat transfer gas (for example, He) is supplied from the heat transfer gas source 322 to the surface of the table 302. As a result, the temperature of the sample 305, which is inherently much smaller than the sample stage 302, can be made closer to the temperature of the sample stage 302 and its distribution.

上述のように、本実施例では、上部の処理室部103aに対応して必要な電源やガス源等のユーティリティを処理室部103aと搬送室112の下方に配置した略矩形状のベッド部103b内に収納して配置している。従来のようにユーティリティを処理室部の周囲に配置したものと比べ、略矩形形状のベッド部103bを用いることで必要なユーティリティの収納効率が向上しまた、搬送室112の回りに配置された複数の処理ユニット部との組合わせにおいてベッド部の設置面積を小さくでき、また、必要なメンテナンススペースを確保できる。   As described above, in this embodiment, a substantially rectangular bed portion 103b in which utilities such as a power source and a gas source necessary for the upper processing chamber portion 103a are disposed below the processing chamber portion 103a and the transfer chamber 112. Stored inside. Compared to the conventional arrangement of utilities around the processing chamber, the use efficiency of the necessary utilities is improved by using the substantially rectangular bed portion 103b, and a plurality of arrangements around the transfer chamber 112 are provided. In combination with the processing unit portion, the installation area of the bed portion can be reduced, and a necessary maintenance space can be secured.

これによりこれらを備えた真空処理装置の設置面積を小さくでき、ひいては、この真空処理装置を設置するクリーンルーム等の生産ラインにおいて台数を多く設置して生産の効率を向上させる。また、ベッド部上部は平面を備えており、この平面上に使用者やメンテナンスを行う担当者が載って処理室部103aや搬送室112をはじめとするユニットへアクセスして整備や部品交換を容易に行えるようになる。すなわち、ベッド部の上部をメンテナンス用のスペースとして備えており、これによっても、装置の設置面積を低減し、また整備等の作業効率も向上できる。   Thereby, the installation area of the vacuum processing apparatus provided with these can be reduced, and as a result, a large number of units are installed in a production line such as a clean room in which the vacuum processing apparatus is installed to improve production efficiency. The upper part of the bed is equipped with a flat surface, and users and maintenance personnel are placed on this flat surface to access the units such as the processing chamber 103a and the transfer chamber 112 for easy maintenance and parts replacement. Will be able to do. That is, the upper part of the bed part is provided as a space for maintenance, which can also reduce the installation area of the apparatus and improve work efficiency such as maintenance.

また、上記のように試料台302内に配置された冷媒通路321内を流れる冷媒は、チラー部304から冷媒管303を介して試料台302へ供給され冷媒通路321を流れつつ試料台302と熱交換した後、冷媒管303を流れてチラー部304に戻り温度を調節されて再び冷媒管303から冷媒通路321へ流れる循環を行って試料台302の温度を所望の温度となるように調節する。   Further, the refrigerant flowing in the refrigerant passage 321 arranged in the sample stage 302 as described above is supplied from the chiller 304 to the sample stage 302 via the refrigerant pipe 303 and flows through the refrigerant path 321 and heats the sample stage 302. After the replacement, the temperature of the sample stage 302 is adjusted to a desired temperature by flowing through the refrigerant pipe 303 and returning to the chiller unit 304, adjusting the temperature and circulating again from the refrigerant pipe 303 to the refrigerant passage 321.

チラー部304内には、冷媒の貯留部である冷媒タンク323と、この冷媒タンクと連結され、循環する経路を流れる冷媒の温度を調節するための温度調節部(図示せず)と、循環して流れる冷媒を付圧して冷媒管303を介して冷媒通路321へ向けて吐出して供給する循環ポンプ324が備えられている。   In the chiller unit 304, a refrigerant tank 323 that is a refrigerant storage unit, a temperature adjusting unit (not shown) that is connected to the refrigerant tank and adjusts the temperature of the refrigerant flowing through the circulation path, and the refrigerant tank circulate. A circulation pump 324 is provided that pressurizes the flowing refrigerant and discharges and supplies the refrigerant to the refrigerant passage 321 via the refrigerant pipe 303.

このようなチラー部304はベッド部103b後方に配置されており、本実施例ではベッド部103bへ使用者が載り降りするための台115の内側に配置されており、これにより使用者の整備等の作業を容易にするとともに、部品の設置効率を向上して設置面積の増大を抑制し、ひいては真空処理装置の運転,運用の効率を向上させる。つまり、この載り降りのための台115は、チラー部304を内側に収納する収納室となっており、チラー部304を平板等で囲んで保護する部材である。この収納室はベッド部103bによって構成されていても良い。このように、収納室である台115はベッド部103bまたは装置本体100から取り外し/取り付け可能に構成されており、収納室がベッド部103bで構成されている場合には、装置本体から取り付け/取り外し可能に構成されている。   Such a chiller portion 304 is disposed behind the bed portion 103b. In this embodiment, the chiller portion 304 is disposed inside the base 115 for the user to get on and off the bed portion 103b. In addition to facilitating the above work, it is possible to improve the installation efficiency of the parts and suppress the increase in the installation area, thereby improving the operation and operation efficiency of the vacuum processing apparatus. That is, the mount 115 is a storage chamber that houses the chiller portion 304 inside, and is a member that surrounds and protects the chiller portion 304 with a flat plate or the like. This storage room may be constituted by the bed portion 103b. As described above, the table 115 serving as a storage room is configured to be removable / attachable from the bed portion 103b or the apparatus main body 100. When the storage chamber is configured from the bed section 103b, it is attached / detached from the apparatus main body. It is configured to be possible.

まず、図示しない排気装置を用いて処理室301内を所定の圧力、例えば0.0133Pa程度にまで減圧する。その後、試料305を試料台302上に載置して、試料305を静電吸着手段によって試料台302に吸着保持する。次いで、試料台302の温度調節手段を駆動しつつHeガス等の熱伝達ガスを試料305と試料台302との間に流量等を調節して供給する。このことにより試料305を所望の温度に近い値の温度に調節することができる。試料305が試料台302上で保持された状態で、塩素等の処理ガスをガス供給手段により試料305に向けて導入して処理室301内に供給した電磁波を利用して処理室内にプラズマを形成し、このプラズマを用いて試料305の処理(本実施例ではエッチング処理)を開始する。予め定められた処理が終了した場合、試料305を処理室内から搬出して処理ユニット103による一連の処理の動作が終了する。   First, the inside of the processing chamber 301 is depressurized to a predetermined pressure, for example, about 0.0133 Pa, using an exhaust device (not shown). Thereafter, the sample 305 is placed on the sample stage 302, and the sample 305 is attracted and held on the sample stage 302 by electrostatic attraction means. Next, a heat transfer gas such as He gas is supplied between the sample 305 and the sample table 302 while adjusting the flow rate while driving the temperature adjusting means of the sample table 302. Thus, the sample 305 can be adjusted to a temperature close to a desired temperature. In a state where the sample 305 is held on the sample stage 302, plasma is formed in the processing chamber using electromagnetic waves supplied into the processing chamber 301 by introducing a processing gas such as chlorine toward the sample 305 by the gas supply means. Then, processing of the sample 305 (etching processing in this embodiment) is started using this plasma. When the predetermined process is completed, the sample 305 is unloaded from the processing chamber, and a series of processing operations by the processing unit 103 is completed.

図4は、図3に示す処理ユニットの一変形例の構成の概略を示す縦断面図である。図3に示した処理ユニットとの差異は、試料台内に配置された冷媒通路の構成である。図3に示した試料台302内に配置された冷媒通路は、単一のチラー部304から冷媒が供給されて循環されており、このチラー部304内の温度調節器によって試料台302の温度が調節されている。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of a modification of the processing unit shown in FIG. The difference from the processing unit shown in FIG. 3 is the configuration of the refrigerant passage arranged in the sample stage. The refrigerant passage arranged in the sample stage 302 shown in FIG. 3 is circulated by supplying a refrigerant from a single chiller part 304, and the temperature of the sample stage 302 is adjusted by a temperature controller in the chiller part 304. It has been adjusted.

一方、図4に示す変形例の試料台302′では、その内側に複数の冷媒通路321′,321″が備えられ、各々の冷媒通路321′,321″に対応する冷媒管303′,
303″チラー部304′,304″とに連結されて冷媒の循環経路が各々形成されて配置されている。各チラー部304′,304″内に配置された温度調節器により各々の冷媒の循環経路に流れる冷媒の温度が調節される。
On the other hand, the sample stage 302 ′ of the modified example shown in FIG. 4 is provided with a plurality of refrigerant passages 321 ′ and 321 ″ inside thereof, and refrigerant tubes 303 ′ and 321 ″ corresponding to the respective refrigerant passages 321 ′ and 321 ″.
The refrigerant circulation paths are respectively formed and arranged so as to be connected to the 303 "chillers 304 'and 304". The temperature of the refrigerant flowing in the circulation path of each refrigerant is adjusted by a temperature controller disposed in each of the chiller portions 304 ′ and 304 ″.

すなわち、本変形例では、試料台の外周側の冷媒通路321′とこれに冷媒を供給するための冷媒管303′とチラー部304′とを備えた冷媒経路と中央部側の冷媒通路
321″とこれに冷媒を供給するための冷媒管303″とチラー部304″とを備えた冷媒通路を備えている。外周側の冷媒通路321′を通り循環する冷媒はチラー部304″内に配置された温度調節器により温度調節される。中央部側の冷媒通路321′を通り循環する冷媒はチラー部304′内に配置された温度調節器により温度調節される。
In other words, in this modification, a refrigerant path 321 ′ on the outer peripheral side of the sample stage, a refrigerant path provided with a refrigerant pipe 303 ′ and a chiller portion 304 ′ for supplying refrigerant to this, and a refrigerant path 321 ″ on the central side. And a refrigerant passage provided with a refrigerant pipe 303 ″ and a chiller portion 304 ″ for supplying the refrigerant to the refrigerant passage 321 ′ on the outer peripheral side. The refrigerant circulating in the refrigerant passage 321 ′ is disposed in the chiller portion 304 ″. The temperature is adjusted by a temperature controller. The temperature of the refrigerant circulating through the refrigerant passage 321 'on the center side is adjusted by a temperature controller disposed in the chiller portion 304'.

これら冷媒経路は、流れる経路が交わり冷媒が混合すること無く独立して配置され、流れる冷媒の温度は、温度が調節される。本実施例の変形例では、中央部側の冷媒通路
321″を流れる冷媒の温度は、外周側の冷媒通路321′を流れる冷媒の温度より高くなるよう調節されており、試料台302の温度が試料305の径方向について中央部側が高くなる分布を有しているが、その処理に求められる仕様等に応じて調節される。つまり、チラーユニットは、各々の冷媒の経路に応じた冷媒が循環する環境を実現する性能を有している。
These refrigerant paths are arranged independently without crossing the flowing paths and mixing the refrigerant, and the temperature of the flowing refrigerant is adjusted. In the modification of the present embodiment, the temperature of the refrigerant flowing through the refrigerant passage 321 ″ on the central side is adjusted to be higher than the temperature of the refrigerant flowing through the refrigerant passage 321 ′ on the outer peripheral side, and the temperature of the sample stage 302 is Although the distribution is such that the central portion side becomes higher in the radial direction of the sample 305, it is adjusted according to the specifications required for the processing, etc. That is, the chiller unit circulates the refrigerant according to the path of each refrigerant. It has the performance to realize the environment.

また、各々のチラー部304′,304″は、図3に示したチラー部304の場合より循環させる冷媒の量は少なくて済むので、チラー部304より小型化可能である。このため、ベッド部103bやこの後方に配置されたベッド部103b上へ載り降り容易にするための台の内側に収納した場合には、装置全体の設置面積が低減され、また十分なメンテナンス面積も確保可能となりメンテナンスの効率が向上し、ひいては装置の稼働効率が向上する。   Further, each of the chiller portions 304 ′ and 304 ″ can be made smaller than the chiller portion 304 because the amount of refrigerant to be circulated is smaller than that of the chiller portion 304 shown in FIG. 103b and the bed 103b placed behind this, when it is housed inside the base for facilitating getting on and off, the installation area of the entire apparatus is reduced, and a sufficient maintenance area can be secured. The efficiency is improved, and consequently the operating efficiency of the apparatus is improved.

図5は、図4の変形例による処理ユニットを備えた真空処理装置の構成の概略を示す上面図である。この変形例では、処理ユニット103のベッド部後方にベッド部103bへ載り降りするための台が配置され、この載り降り台の内側に各処理室とその内側の試料台302′,302a′に対応した処理室用のチラー部304′,304″及び304a′,304a″が配置されている。各処理室用のチラー部304′乃至304a″は試料あるいは試料台の温度調節の対象となる領域とその数に対応して配置され、各ベッド部、これに隣接した載り降り台等のスペース内に収納される。   FIG. 5 is a top view showing an outline of a configuration of a vacuum processing apparatus including a processing unit according to the modification of FIG. In this modification, a stage for getting on and off to the bed part 103b is arranged behind the bed part of the processing unit 103, and inside the landing stage, it corresponds to each processing chamber and the sample stands 302 'and 302a' inside thereof. The processing chamber chillers 304 ', 304 "and 304a', 304a" are arranged. The chillers 304 ′ to 304a ″ for the respective processing chambers are arranged corresponding to the number of regions or the number of the samples or the sample bases to be temperature-controlled, and in the spaces such as the bed portions and the loading / unloading stands adjacent thereto. It is stored in.

もちろん、処理の実現に求められる仕様に応じてチラー部の仕様や性能は変更でき、また交換可能であり、上記の実施例,変形例でのチラー部は小型,軽量に構成され、配置場所も装置本体や処理ユニットに隣接した収納スペースであるので、これらの変更,交換やメンテナンスの作業が容易となる。   Of course, the specifications and performance of the chiller part can be changed and exchanged according to the specifications required for the realization of the processing, and the chiller part in the above-described embodiments and modifications is configured to be small and light, and the arrangement location is also Since it is a storage space adjacent to the apparatus main body and the processing unit, these changes, replacements and maintenance work are facilitated.

冷媒用配管である冷媒管303,303′等の長さに起因する冷媒の圧力損失については、従来技術のようにチラー部を真空処理装置本体が設置されたフロアの下方のフロア或いは収納室に配置した場合、試料台とチラー部とを接続する冷媒管の長さは、少なくとも、下方のフロアの高さと本体が設置されたフロア上に設置された冷媒管の長さと真空処理装置本体内に配置された冷媒管部分の長さの和となる。典型的な例では13m前後となり、管内での冷媒の圧力損失は、0.40kgf/cm2 前後となる。さらに、例え、冷媒管の長さを10mと短くした場合でも、配管の圧力損失は0.30kgf/cm2 前後となることが、発明者らの知見として判っている。 Regarding the pressure loss of the refrigerant due to the length of the refrigerant pipes 303, 303 ′, etc., which are refrigerant pipes, the chiller portion is placed in the floor or the storage chamber below the floor where the vacuum processing apparatus main body is installed as in the prior art. When arranged, the length of the refrigerant tube connecting the sample stage and the chiller unit is at least the height of the lower floor, the length of the refrigerant tube installed on the floor where the main body is installed, and the vacuum processing apparatus main body. This is the sum of the lengths of the arranged refrigerant pipe portions. A typical example is about 13 m, and the pressure loss of the refrigerant in the pipe is about 0.40 kgf / cm 2 . Furthermore, even if the length of the refrigerant pipe is shortened to 10 m, the inventors have found that the pressure loss of the pipe is around 0.30 kgf / cm 2 .

一方、チラー部304をフロア306上に配置し、特に、上記実施例の通り、本体のベッド部103b、或いはこれに隣接した箇所、例えば、載り降り台115内部に配置することにより、チラー部304と試料台302との間の経路長さを短くし、また、循環させる冷媒量を低減してポンプ等の付圧の大きさを小さくすることが出来る。この場合において、試料台302とチラー部304とを接続する冷媒管303の長さを3mにすると、配管の圧力損失は、0.10kgf/cm2 前後であり、さらに配管の長さを5mとしても、配管の圧力損失は、0.18kgf/cm2 となり、圧力損失を著しく低減し循環効率を大きく向上させることができる。 On the other hand, the chiller portion 304 is arranged on the floor 306, and in particular, as in the above-described embodiment, the chiller portion 304 is arranged by placing it in the bed portion 103b of the main body or a portion adjacent to the bed portion 103b. And the sample stage 302 can be shortened, the amount of refrigerant to be circulated can be reduced, and the pressure applied by the pump or the like can be reduced. In this case, if the length of the refrigerant pipe 303 connecting the sample stage 302 and the chiller portion 304 is 3 m, the pressure loss of the pipe is around 0.10 kgf / cm 2 and the length of the pipe is 5 m. However, the pressure loss of the piping is 0.18 kgf / cm 2 , and the pressure loss can be remarkably reduced and the circulation efficiency can be greatly improved.

このように、上記実施例のチラー部は、冷媒が通流される経路の長さを従来よりも短縮でき、循環効率が向上され、また、循環させる冷媒全体の量が低減される。このために、チラー部は小型,軽量にすることができる。すなわち、上記実施例によれば、チラー部での循環ポンプや冷媒貯留部,温度調節器等が小型化され冷却水や駆動エネルギーが低減され、チラー部を真空処理装置の近傍、例えば、エッチング装置本体にメンテナンスのため設けられた載り降り台内部等の従来用いられていなかったデッドスペースや装置本体のベッド部の内部やこれに隣接した箇所に配置して、装置のメンテナンスに必要なスペースを低減したり、そのためのスペースを新たに作ることを必要として装置全体の設置面積を増大させたりすることを抑制できる。また、装置本体が配置されたフロアの下方のフロアであって例えば、メンテナンスルームのポンプ室等のスペースを低減し、装置本体の設置に必要な作業やスペースを低減でき、装置の設置の効率が向上する。   Thus, the chiller portion of the above embodiment can shorten the length of the path through which the refrigerant flows, so that the circulation efficiency is improved and the total amount of the refrigerant to be circulated is reduced. For this reason, a chiller part can be made small and lightweight. That is, according to the above-described embodiment, the circulation pump, the refrigerant storage unit, the temperature controller, etc. in the chiller unit are miniaturized to reduce the cooling water and driving energy. Reduced space required for equipment maintenance by placing it in a dead space that has not been used in the past, such as the inside of a loading platform provided for maintenance on the main body, or in the bed part of the equipment main body or in a location adjacent to it. It is possible to prevent the installation area of the entire apparatus from being increased because it is necessary to make a new space for this purpose. In addition, it is a floor below the floor where the device main body is arranged.For example, the space for the pump room in the maintenance room can be reduced, and the work and space required for installing the device main body can be reduced. improves.

また、上記チラー部を装置本体を設置するフロア、例えば、クリーンルーム床のフロアを構成するグレーチングの直下等に設置する場合でも、冷媒の配管による通流の損失を悪化させることなく、配管の長さを短かくできるので、配管の取り回しを容易にしたり、配管設備を簡略化したりすることができる。このため、装置の設置の効率が向上し、また、チラー部の小型,軽量を実現できることから、チラー部を上記グレーチング下方に吊下げしたり、グレーチング下方に収納室を設けることが簡易に実現でき、チラー部の設置により装置本体のメンテナンス用のスペースや設置面積を低減したりする悪影響を与えることを抑制できる。よって、装置のメンテナンスや設置の効率が向上される。このようなチラー部はフロア直下方で装置本体に隣接する箇所に配置することで、冷媒の配管の長さを低減することができる。   Further, even when the chiller unit is installed on the floor where the apparatus main body is installed, for example, directly below the grating that constitutes the floor of the clean room floor, the length of the pipe does not deteriorate the flow loss due to the refrigerant pipe. Therefore, it is possible to facilitate the handling of piping and simplify piping facilities. For this reason, the installation efficiency of the apparatus is improved, and the chiller part can be made smaller and lighter. Therefore, it is easy to suspend the chiller part below the grating and to provide a storage room below the grating. The installation of the chiller part can suppress the adverse effect of reducing the maintenance space and installation area of the apparatus main body. Therefore, the maintenance and installation efficiency of the apparatus is improved. By disposing such a chiller portion at a location immediately below the floor and adjacent to the apparatus main body, the length of the refrigerant pipe can be reduced.

さらに、従来の技術では、試料台とチラー部とを接続する冷媒用の配管の長さが長く、メンテナンス性に劣るとともに、各真空処理装置毎にコンダクタンスの相違による冷媒循環流量や応答性の変化による冷却能力変動にともない、試料台すなわち試料の温度のばらつき等するなどの装置間差を生じる恐れがあった。特に、所定の処理室及びそれに対応したベッド部とをユニットとして取り外し,取り付けする真空処理装置においては、取り付け後の処理ユニット、処理室の性能が、取り付け前後で変動が少なく安定していること、及びこの性能を得るための調節が容易であることが求められる。上記本実施例は、処理室内の処理の性能に大きな影響を与える試料台の温度の調節を行う冷媒を循環させる系統において、冷媒の管路の長さが従来より短くでき、また、冷媒の流量や付与される圧力の大きさも従来より低減されており、性能のばらつきが小さく抑えられ、所定の性能を発揮させるための調節も容易となり、装置本体において、あるいは取り付け前後の処理ユニット間の性能の差を低減できる。ひいては、装置によるプロセス性能の向上を実現できる。   Furthermore, in the conventional technology, the length of the refrigerant pipe connecting the sample stage and the chiller is long, resulting in poor maintainability, and changes in refrigerant circulation flow rate and responsiveness due to differences in conductance for each vacuum processing device. As the cooling capacity fluctuates, there may be a difference between devices such as a variation in the temperature of the sample stage, that is, the sample. In particular, in a vacuum processing apparatus that removes and attaches a predetermined processing chamber and a corresponding bed as a unit, the performance of the processing unit after the mounting and the processing chamber are stable with little fluctuation before and after the installation, And easy adjustment to obtain this performance. In this embodiment, in the system for circulating the refrigerant that adjusts the temperature of the sample stage, which greatly affects the processing performance in the processing chamber, the length of the refrigerant pipe can be made shorter than before, and the flow rate of the refrigerant In addition, the applied pressure has been reduced compared to the past, performance variations are kept small, and adjustments to achieve the specified performance are facilitated. The difference can be reduced. As a result, the process performance can be improved by the apparatus.

また、本実施の形態では、処理ガスを用いてエッチング処理を行う処理ユニットを備えた真空処理装置を例に挙げたが、本発明は斯かる装置に限定されることなく、例えば、
CVD装置,アッシング装置,スパッタ装置等を備える真空処理装置であっても良い。
Further, in the present embodiment, a vacuum processing apparatus including a processing unit that performs an etching process using a processing gas has been described as an example, but the present invention is not limited to such an apparatus, for example,
A vacuum processing apparatus including a CVD apparatus, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, or the like may be used.

以上詳細に説明したように、上記実施例の真空処理装置によれば、小型チラーの採用により消費電力をはじめ冷媒や冷却水等が低減され、チラー部を小型軽量化できる。   As described above in detail, according to the vacuum processing apparatus of the above embodiment, the adoption of a small chiller reduces power consumption, refrigerant, cooling water, and the like, and the chiller portion can be reduced in size and weight.

さらには、このようなチラー部を本体が設置されたフロアと同じフロア上に配置でき、チラー部内の装置の小型化ができ、試料台とチラー部あるいはこの内部の装置とを接続する冷媒用配管を短くすることができる。   Furthermore, such a chiller part can be arranged on the same floor as the floor on which the main body is installed, the apparatus in the chiller part can be reduced in size, and the refrigerant pipe connecting the sample stage and the chiller part or the apparatus in this part Can be shortened.

さらに、従来のように階下フロア(メンテナンスルーム)にチラーを設置した場合は、上下のフロア管をつなぐ冷媒用配管やケーブルの敷設が複雑であったが、本実施例の構成により、配管設備を簡易化することができる。このようにして、チラー部を備えた冷媒の循環経路において、冷媒の配管内での通流時の損失を小さくできるうえ、メンテンナンス作業を容易に行うことができる。   Furthermore, when installing a chiller on the downstairs floor (maintenance room) as in the past, it was complicated to install refrigerant pipes and cables that connect the upper and lower floor pipes. It can be simplified. In this way, in the refrigerant circulation path provided with the chiller portion, it is possible to reduce the loss when the refrigerant flows through the piping, and to perform maintenance work easily.

また、チラー部は装置本体や処理ユニットのより近傍のスペースに、特に装置のデッドスペースに配置するので、装置が設置されるフロアを有効に活用して設置効率を向上させることができ、また、メンテナンスのためのスペースを十分に確保して装置の稼働効率が向上される。   In addition, since the chiller part is arranged in a space closer to the apparatus main body and the processing unit, particularly in the dead space of the apparatus, the floor on which the apparatus is installed can be effectively used to improve the installation efficiency. Sufficient space for maintenance is secured and the operating efficiency of the apparatus is improved.

また、チラー部を装置本体のフロアの直下のスペースに内蔵した場合には、装置本体が設置されたフロア下方のフロア(メンテナンススペース等)の大きさを低減でき、また、装置の設置面に対してチラー部の設置スペースの与える影響を低減して装置の設置効率を高くすることが可能となる。   In addition, when the chiller is built in the space directly below the floor of the equipment body, the size of the floor (maintenance space, etc.) below the equipment body can be reduced, and the equipment installation surface can be reduced. Thus, it is possible to increase the installation efficiency of the apparatus by reducing the influence of the installation space of the chiller part.

本発明の一実施例に係る真空処理装置の構成の概略を示す前方斜視図である。It is a front perspective view which shows the outline of a structure of the vacuum processing apparatus which concerns on one Example of this invention. 本発明の一実施例に係る真空処理装置の構成の概略を示す後方斜視図である。It is a back perspective view showing the outline of the composition of the vacuum processing device concerning one example of the present invention. 図1に示す真空処理装置の構成の概略を示す上面である。It is an upper surface which shows the outline of a structure of the vacuum processing apparatus shown in FIG. 図1に示す真空処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the vacuum processing apparatus shown in FIG. 図1に示す真空処理装置に係る処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the processing unit which concerns on the vacuum processing apparatus shown in FIG. 図3に示す処理ユニットの変形例の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the modification of the processing unit shown in FIG. 図1に示す真空処理装置の変形例の構成の概略を示す上面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the modification of the vacuum processing apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

100…真空処理装置本体、101…大気側ブロック、102…処理ブロック、103,104…処理ユニット、103a…処理室部、103b…ベッド部、105…搬送ユニット、106…フレーム、107…制御ユニット、108…筐体、109…ウエハカセット、110…ダミーカセット、111…位置合わせ部、112…搬送室、113…ロック室、115…台、201…接続インターフェース、202…表示部、203…供給路、
301…処理室、302,302′…試料台、303…冷媒用配管、303′,303″…冷媒管、304,304′,304″…チラー部、305…試料、306…フロア、
307…マグネトロン、308a…上部導波管、308b…下部導波管、309…誘電体窓、310…ガス導入管、311…ガス分散板、312…上部容器、313…ソレノイドコイル、314…電極、315…高周波電源、316…可変直流電源、317…誘電体膜、318…下部容器、319…排気口、320…試料台リング、321,321′,
321″…冷媒通路、322…熱伝達ガス源、323…冷媒タンク、324…循環ポンプ。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Vacuum processing apparatus main body, 101 ... Atmosphere side block, 102 ... Processing block, 103, 104 ... Processing unit, 103a ... Processing chamber part, 103b ... Bed part, 105 ... Conveyance unit, 106 ... Frame, 107 ... Control unit, DESCRIPTION OF SYMBOLS 108 ... Case, 109 ... Wafer cassette, 110 ... Dummy cassette, 111 ... Alignment unit, 112 ... Transfer chamber, 113 ... Lock chamber, 115 ... Pad, 201 ... Connection interface, 202 ... Display unit, 203 ... Supply path,
301 ... Processing chamber, 302, 302 '... Sample stand, 303 ... Refrigerant pipe, 303', 303 "... Refrigerant pipe, 304, 304 ', 304" ... Chiller part, 305 ... Sample, 306 ... Floor,
307 ... Magnetron, 308a ... Upper waveguide, 308b ... Lower waveguide, 309 ... Dielectric window, 310 ... Gas introduction tube, 311 ... Gas dispersion plate, 312 ... Upper container, 313 ... Solenoid coil, 314 ... Electrode, 315: High frequency power source, 316: Variable DC power source, 317 ... Dielectric film, 318 ... Lower container, 319 ... Exhaust port, 320 ... Sample stage ring, 321, 321 ',
321 "... refrigerant passage, 322 ... heat transfer gas source, 323 ... refrigerant tank, 324 ... circulation pump.

Claims (5)

その内側が減圧されてプラズマが生成される空間を有する処理室と前記処理室内で前記空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に冷媒管を介して冷媒を供給して循環させる冷媒循環装置とを備えてフロア上に設置された真空処理装置であって、
前記冷媒循環手段を収納する収納室を前記フロア上に備えた真空処理装置。
A processing chamber having a space in which the inside is depressurized and plasma is generated, a sample table disposed below the space in the processing chamber, on which a sample to be processed is placed, and an inner side of the sample table A vacuum processing apparatus installed on the floor with a refrigerant circulation device that supplies and circulates the refrigerant through a refrigerant pipe,
The vacuum processing apparatus provided with the storage chamber which accommodates the said refrigerant | coolant circulation means on the said floor.
請求項1に記載の真空処理装置であって、この真空処理装置本体の後方に隣接して配置された前記収納室を備えた真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus includes the storage chamber disposed adjacent to the rear of the vacuum processing apparatus main body. その内側が減圧され、その内側にプラズマが生成される空間とこの空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを有する処理室を複数備えた真空処理装置であって、
前記処理室の下方に配置され、前記試料台の内側に冷媒管を介して冷媒を供給する冷媒循環装置を収納し、前記真空処理装置本体から取り外し可能に構成された収納室を備えた真空処理装置。
A vacuum processing apparatus comprising a plurality of processing chambers having a space in which the inside is depressurized and plasma is generated inside and a sample stage disposed below the space on which a sample to be processed is placed. There,
A vacuum process comprising a storage chamber disposed below the processing chamber and configured to house a refrigerant circulation device for supplying a refrigerant through a refrigerant tube inside the sample stage and to be removable from the main body of the vacuum processing device. apparatus.
その内側が減圧され、その内側にプラズマが生成される空間とこの空間の下方に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを有する処理室を含む処理容器の複数と、
その内側が前記処理室と連通され処理前または処理後の前記試料が搬送される搬送室と
を備えた真空処理装置であって、
前記容器が前記搬送室に対してその接続を取り外し可能に構成され、
前記容器の下方に配置され、前記試料台内に冷媒を冷媒管を介して供給する冷媒循環装置を収納し、
前記真空処理装置本体から取り外し可能に構成された収納室を備えた真空処理装置。
A plurality of processing containers including a processing chamber having a space in which the inside is depressurized and a plasma is generated inside the chamber, and a sample stage disposed below the space on which a sample to be processed is placed;
A vacuum processing apparatus having a transfer chamber in which the inside communicates with the processing chamber and the sample after or before processing is transferred,
The container is configured to be detachable from the transfer chamber,
A refrigerant circulation device that is disposed below the container and supplies a refrigerant to the sample stage via a refrigerant pipe is housed.
The vacuum processing apparatus provided with the storage chamber comprised so that removal from the said vacuum processing apparatus main body was possible.
請求項3または4に記載の真空処理装置において、前記処理室に電力を供給する電源を収納し前記真空処理装置から取り外し可能に構成されたベッド部と、このベッド部に対して前記真空処理装置の後方に配置された前記収納室とを備えた真空処理装置。
5. The vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein a bed portion configured to store a power source for supplying electric power to the processing chamber and to be removable from the vacuum processing device, and the vacuum processing apparatus with respect to the bed portion. The vacuum processing apparatus provided with the said storage chamber arrange | positioned in back.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013062770A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US9214315B2 (en) 2010-01-29 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
JP2020113629A (en) * 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9214315B2 (en) 2010-01-29 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
US10854425B2 (en) 2010-01-29 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
WO2013062770A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US10928145B2 (en) 2011-10-27 2021-02-23 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
JP2020113629A (en) * 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus
JP7175201B2 (en) 2019-01-10 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 processing equipment

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