JP2005147998A

JP2005147998A - Magnetic impedance sensor

Info

Publication number: JP2005147998A
Application number: JP2003389323A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Hirose; 隆之広瀬
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2003-11-19
Filing date: 2003-11-19
Publication date: 2005-06-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the size of magnetic impedance sensor wherein a magnetic impedance element and its peripheral circuits are formed in one body. <P>SOLUTION: On a non-magnetic substrate 3, the magnetic impedance element where a strip-shaped magnetic thin film 1, for example, and an electrode pad 2 are formed and an integrated circuit (IC chip) 4 to be its peripheral circuits are connected by flip chip bonding as a kind of plane mounting via a bump 5. In this manner, the effect of float capacity is suppressed and the size of the magnetic impedance sensor is reduced to the size of the integrated circuit or the magnetic impedance element. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、磁界検出を行なう磁気センサおよびこれを用いた電流センサ、特に磁気インピーダンス効果をもつ高感度磁気インピーダンス素子を用いた磁気インピーダンスセンサに関する。 The present invention relates to a magnetic sensor for detecting a magnetic field and a current sensor using the same, and more particularly to a magnetic impedance sensor using a highly sensitive magnetic impedance element having a magnetoimpedance effect.

近年、情報機器や計測・制御機器の高性能化、小型薄型化、低コスト化が急速に進み、これらの急速な発展に伴いそこで用いられる磁気センサ，電流センサなどにも小型、低コスト、高感度などの要求が高まっている。
従来から用いられている磁気センサとしてはホール素子，磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子），巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子），フラックスゲートセンサなどが知られており、また、電流センサとしてはカレントトランスを用いたものが知られている。 In recent years, high performance, downsizing, thinning, and low cost of information equipment and measurement / control equipment have rapidly progressed. With these rapid development, the magnetic sensor and current sensor used there are also small, low cost, and high cost. There is an increasing demand for sensitivity.
Known magnetic sensors include Hall elements, magnetoresistive effect elements (MR elements), giant magnetoresistive effect elements (GMR elements), fluxgate sensors, and the like, and current sensors include current transformers. The one using is known.

例えば、コンピュータの外部記憶装置として用いられるハードディスク装置の磁気ヘッドには、従来のバルクタイプの誘導型磁気ヘッドからＭＲヘッドへと高性能化が進んでおり、現在では巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を適用しようとする研究が活発に行なわれている。また、モータの回転センサであるロータリエンコーダではマグネットリングの微小化に伴い、外部に漏れる磁束が微弱になっており、現在のＭＲ素子に代わり高感度な磁気センサが要求されている。
ブレーカなども従来の機械式に代わり、電流センサを用いた電子式の開発が進んでいるが、従来のカレントトランスを用いるものでは小型化が困難であり、また、感度，検出レンジなどの点で磁気センサの高感度化，大レンジ化が求められている。 For example, a magnetic head of a hard disk device used as an external storage device of a computer has been improved in performance from a conventional bulk type induction type magnetic head to an MR head, and currently has a giant magnetoresistive effect (GMR). There is an active research to apply. Further, in a rotary encoder which is a rotation sensor of a motor, the magnetic flux leaking to the outside becomes weak with the miniaturization of the magnet ring, and a highly sensitive magnetic sensor is required instead of the current MR element.
Development of electronic devices using current sensors instead of conventional mechanical devices is also progressing for breakers, etc., but it is difficult to reduce the size with conventional current transformers, and in terms of sensitivity, detection range, etc. There is a demand for higher sensitivity and wider range of magnetic sensors.

これらの要求を満たすために、アモルファスワイヤの磁気インピーダンス効果（ＭＩ効果とも言う）を用いた磁気インピーダンスセンサが、例えば特許文献１に提案されている。磁気インピーダンス効果とは、磁性体に高周波電流を通電した状態で外部磁界が変化すると磁性体の透磁率が変化し、それに伴って磁性体のインピーダンスが、磁界０のときと比較して数十〜数百％変化する現象である。このことから、磁性体両端の電圧を測定することにより、数百マイクロテスラ（μＴ）程度の微小な外部磁界を検出するものである。
上記のような磁気インピーダンス効果はアモルファスワイヤだけでなく、磁性薄帯や磁性薄膜でも同様に見られ、特に薄膜については小型，薄型化が可能であり、信頼性，量産性に優れるため、様々な構造のものが提案され、その１つに例えば特許文献２に示すものがある。 In order to satisfy these requirements, for example, Patent Document 1 proposes a magnetic impedance sensor using the magneto-impedance effect (also referred to as MI effect) of an amorphous wire. The magnetic impedance effect means that the magnetic permeability changes when the external magnetic field changes in a state where a high frequency current is applied to the magnetic material, and the magnetic material impedance is several tens of times compared to when the magnetic field is zero. This is a phenomenon that changes by several hundred percent. Therefore, a minute external magnetic field of about several hundred microtesla (μT) is detected by measuring the voltage across the magnetic material.
The above-mentioned magneto-impedance effect can be seen not only in amorphous wires but also in magnetic ribbons and magnetic thin films. Especially, thin films can be reduced in size and thickness, and are excellent in reliability and mass productivity. The thing of a structure is proposed and there exists a thing shown in patent document 2, for example.

薄膜を用いた磁気インピーダンス素子は磁気異方性を付与され、一軸異方性を誘導した高透磁率軟磁性膜を短冊状に加工した磁性薄膜パターンで構成される。磁気異方性は磁性膜の成膜時に、磁界を印加しながら行ない、さらに回転磁界中や静止磁界中で１５０〜４００℃程度の熱処理をすることにより誘導される。磁化容易軸の方向は、一般的には短冊状構造の短軸（線幅）方向である。磁気インピーダンス素子はその長さ方向成分の磁界によって、インピーダンスが変化すると言う特性を示す。このときの磁気インピーダンス特性は、磁化容易軸が線幅の場合、磁場の正負でそれぞれインピーダンスのピークをとり、磁場の正負で対称であると言う特性を示す。また、その変化率は数十％から数百％と非常に大きな変化を示す。 A magneto-impedance element using a thin film is formed of a magnetic thin film pattern in which a magnetic permeability is imparted and a high permeability soft magnetic film in which uniaxial anisotropy is induced is processed into a strip shape. The magnetic anisotropy is induced while applying a magnetic field when the magnetic film is formed, and is further induced by heat treatment at about 150 to 400 ° C. in a rotating magnetic field or a static magnetic field. The direction of the easy axis of magnetization is generally the short axis (line width) direction of the strip structure. The magneto-impedance element has a characteristic that the impedance is changed by the magnetic field of the longitudinal component. In this case, when the easy axis of magnetization is a line width, the magnetoimpedance characteristic shows a characteristic that the magnetic field has an impedance peak depending on whether the magnetic field is positive or negative, and is symmetrical with respect to the magnetic field. Moreover, the rate of change shows a very large change of several tens to several hundreds.

長さ方向に磁気異方性を付与しても、磁気インピーダンス特性が発現する。そのときの特性は、磁界０のときインピーダンスが最も大きく、磁界の絶対値が大きくなるにつれて減少する特性になる。この場合も、インピーダンスは磁場の正負で対称になる。また、検出磁界方向も磁性薄膜パターンの長さ方向成分となる。 Even when magnetic anisotropy is imparted in the length direction, magnetic impedance characteristics are exhibited. The characteristic at that time is a characteristic in which the impedance is greatest when the magnetic field is 0 and decreases as the absolute value of the magnetic field increases. Also in this case, the impedance is symmetric with respect to the positive and negative magnetic fields. The direction of the detected magnetic field is also a component in the length direction of the magnetic thin film pattern.

これらの磁気インピーダンス特性におけるインピーダンスの変化は、磁性薄膜パターンに高周波電流を通電している状態で、透磁率が変化することによって引き起こされるものである。インピーダンスを抵抗成分とインダクタンス成分に分離すると、両者ともに透磁率が変化することによって変化するが、抵抗値の大きい抵抗成分がその変化には支配的である。透磁率変化による抵抗変化は、基本的には高周波電流が磁性体中を流れるときに発生する表皮効果に起因するため、表皮効果を大きくするためには高周波電流の周波数を上げるか、または磁性薄膜パターンである磁性体の膜厚を厚くする方法が有効になる。 The change in impedance in these magnetic impedance characteristics is caused by a change in magnetic permeability while a high-frequency current is applied to the magnetic thin film pattern. When the impedance is separated into a resistance component and an inductance component, both change due to a change in magnetic permeability, but a resistance component having a large resistance value is dominant in the change. The resistance change due to the permeability change is basically caused by the skin effect that occurs when a high-frequency current flows in the magnetic material. To increase the skin effect, the frequency of the high-frequency current is increased or the magnetic thin film is increased. A method of increasing the thickness of the magnetic material as a pattern is effective.

以上のように、磁気インピーダンス素子は磁界に対して大きくインピーダンスが変化することが特徴であるが、素子にバイアス磁界を印加し、磁界に対してインピーダンスの変化が大きい点で動作させることにより、磁界に対しさらに高感度に応答するセンサとなる。このバイアス磁界を印加するためには、素子の周りにコイル（バイアスコイル）を形成し、そのコイルに電流を流して磁界を発生させる必要がある。
また、感度の直線性を向上させる目的で、負帰還磁界をかける場合にもコイルが必要になる。アモルファスワイヤを用いた場合、そのワイヤの周りに直接Ｃｕワイヤなどを巻いてコイルを形成するが、薄膜で形成した磁気インピーダンス素子と同一基板上にコイルを薄膜で形成するものも既に提案されている（例えば、特許文献３参照）。 As described above, the magneto-impedance element is characterized in that the impedance greatly changes with respect to the magnetic field. However, by applying a bias magnetic field to the element and operating it at a point where the impedance changes greatly with respect to the magnetic field, the magnetic field is improved. In contrast, the sensor responds with higher sensitivity. In order to apply this bias magnetic field, it is necessary to form a coil (bias coil) around the element and generate a magnetic field by passing a current through the coil.
In addition, a coil is required when a negative feedback magnetic field is applied for the purpose of improving sensitivity linearity. When an amorphous wire is used, a coil is formed by winding a Cu wire or the like directly around the wire. However, a coil having a thin film formed on the same substrate as a magnetic impedance element formed by a thin film has already been proposed. (For example, refer to Patent Document 3).

すなわち、磁気インピーダンス素子にはアモルファスワイヤを用いたものと、薄膜を用いたものがあるが、特性の再現性（安定性），信頼性，量産性の面では薄膜を用いた方が有利であると言える。薄膜を用いた場合、ガラスなどの非磁性基板上にスパッタ法などを用いて成膜し、レジストなどの感光材料を用いて微細パターンを形成し、ウエットエッチングやイオンビームエッチングなどのドライエッチングを用いて、微細パターンに加工している。
ところで、以上のような磁気インピーダンス素子を利用する磁気インピーダンスセンサとして、磁気インピーダンス素子とその周辺回路である集積回路（ＩＣチップ）とを、プリント基板またはリードフレーム上に配置し、ＩＣパッケージ化したものが提案されている（例えば、特許文献４参照）。 In other words, there are magneto-impedance elements using amorphous wires and thin films, but it is more advantageous to use thin films in terms of reproducibility (stability), reliability, and mass productivity. It can be said. When a thin film is used, it is formed on a non-magnetic substrate such as glass by sputtering, a fine pattern is formed using a photosensitive material such as resist, and dry etching such as wet etching or ion beam etching is used. And processed into a fine pattern.
By the way, as a magneto-impedance sensor using the magneto-impedance element as described above, the magneto-impedance element and its peripheral circuit integrated circuit (IC chip) are arranged on a printed circuit board or a lead frame to form an IC package. Has been proposed (see, for example, Patent Document 4).

特開平０６−２８１７１２号公報（第２−４頁、図１）JP-A-06-281712 (page 2-4, FIG. 1) 特開平０８−０７５８３５号公報（第４頁、図１）Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-075835 (page 4, FIG. 1) 特開平１１−１０９００６号公報（第３−４頁、図１）JP 11-109006 A (page 3-4, FIG. 1) 特開２００２−１９８５８２号公報（第１４頁、図２３）JP 2002-198582 (page 14, FIG. 23)

しかし、上記特許文献４のような構造ではサイズが大きくなると言う問題がある。
小型化を図るため、Ｓｉ基板表面上に感磁部となる磁性薄膜と周辺回路としての集積回路を一体にして作製しようとする場合、磁気インピーダンス素子が磁性薄膜に高周波電流を通電することで、磁気インピーダンス効果が発現することを利用していることから、Ｓｉ基板と磁性薄膜間に発生する浮遊容量の影響により、精度の高い磁気計測ができなくなるという問題が生じる。
したがって、この発明の課題は、浮遊容量の影響を抑制して小型化を図ることにある。 However, the structure as in Patent Document 4 has a problem that the size increases.
In order to reduce the size, when a magnetic thin film serving as a magnetic sensitive part and an integrated circuit as a peripheral circuit are to be integrally manufactured on the Si substrate surface, the magneto-impedance element supplies a high-frequency current to the magnetic thin film, Since the fact that the magneto-impedance effect appears is utilized, there arises a problem that high-precision magnetic measurement cannot be performed due to the influence of stray capacitance generated between the Si substrate and the magnetic thin film.
Accordingly, an object of the present invention is to reduce the size by suppressing the influence of stray capacitance.

このような課題を解決するため、請求項１の発明では、非磁性基板に高透磁率の短冊状磁性薄膜またはこれらを交互に接続したつづら折れパターンを形成し、その磁性薄膜に高周波電流を通電することで外部磁界により磁性体のインピーダンスが変化する磁気インピーダンス効果をもつ磁気インピーダンス素子と、その周辺回路としての集積回路とを、面実装によって一体化したことを特徴とする。 In order to solve such problems, according to the first aspect of the present invention, a high magnetic permeability strip-shaped magnetic thin film or a zigzag pattern in which these are alternately connected is formed, and a high-frequency current is passed through the magnetic thin film. Thus, the magneto-impedance element having a magneto-impedance effect in which the impedance of the magnetic substance is changed by an external magnetic field and the integrated circuit as its peripheral circuit are integrated by surface mounting.

上記請求項１の発明においては、前記短冊状磁性薄膜またはこれらを交互に接続したつづら折れパターンを、同一の非磁性基板上に２つ以上（請求項２の発明）、または、２つ以上の非磁性基板上にそれぞれ形成することができる（請求項３の発明）。 In the invention of the first aspect, two or more of the strip-shaped magnetic thin films or the zigzag pattern in which these are alternately connected on the same nonmagnetic substrate (the invention of claim 2), or two or more Each can be formed on a non-magnetic substrate (invention of claim 3).

この発明によれば、磁気インピーダンス素子と集積回路を、ワイヤレスボンディングの一種である面実装により接続することで、磁性薄膜と集積回路間で浮遊容量の影響を抑制して磁気インピーダンス素子と集積回路を一体化することができ、磁気インピーダンスセンサの大きさを集積回路、または磁気インピーダンス素子の大きさにまで小型化することが可能となる。特に、請求項２の発明によれば、より精度の高い磁気計測が可能になり、さらに、請求項３の発明によれば、この効果に加えて異なる特性を持つ磁気インピーダンス素子との組み合わせが可能になる、と言う利点も得られる。 According to the present invention, the magneto-impedance element and the integrated circuit are connected by surface mounting, which is a kind of wireless bonding, so that the influence of stray capacitance between the magnetic thin film and the integrated circuit is suppressed, and the magneto-impedance element and the integrated circuit are connected. Therefore, the size of the magnetic impedance sensor can be reduced to the size of an integrated circuit or a magnetic impedance element. In particular, according to the invention of claim 2, it is possible to perform magnetic measurement with higher accuracy. Further, according to the invention of claim 3, in addition to this effect, a combination with a magnetic impedance element having different characteristics is possible. The advantage of becoming is also obtained.

[実施形態１]
図１はこの発明の第１の実施の形態を示す構成図で、同（ａ）は斜視図、同（ｂ）は非磁性基板の平面図を示す。
これは、非磁性基板３上に短冊状薄膜１と電極パッド２を形成した磁気インピーダンス素子と、集積回路（ＩＣチップ）４とをバンプ５によりフリップチップボンディングにて接続した磁気インピーダンスセンサの例である。 [Embodiment 1]
FIGS. 1A and 1B are configuration diagrams showing a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a plan view of a nonmagnetic substrate.
This is an example of a magnetic impedance sensor in which a magnetic impedance element in which a strip-shaped thin film 1 and an electrode pad 2 are formed on a nonmagnetic substrate 3 and an integrated circuit (IC chip) 4 are connected by a bump 5 by flip chip bonding. is there.

そのプロセスの概要は、以下の通りである。
非磁性体であるガラス基板３上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて、アモルファス磁性薄膜１と電極材料を成膜した。電極パッド２のパターンを、レジストなどの感光材料を用いて微細パターンを形成した後に、ウエットエッチングによって電極パッド２の微細パターンを加工した。その後、レジストなどの感光材料を用いてアモルファス磁性薄膜１の微細パターンを形成し、磁界熱処理後にイオンビームエッチングによってアモルファス磁性薄膜１を微細パターンに加工した。ここでは、電極パッド２を先に形成したが、磁性薄膜パターン１を形成した後に電極パッド２を形成しても良い。また、短冊状磁性薄膜に代えて、つづら折れパターンにしても良いのは勿論である。 The outline of the process is as follows.
An amorphous magnetic thin film 1 and an electrode material were formed on a non-magnetic glass substrate 3 by using an RF magnetron sputtering method. After forming a fine pattern of the electrode pad 2 using a photosensitive material such as a resist, the fine pattern of the electrode pad 2 was processed by wet etching. Thereafter, a fine pattern of the amorphous magnetic thin film 1 was formed using a photosensitive material such as a resist, and the amorphous magnetic thin film 1 was processed into a fine pattern by ion beam etching after magnetic field heat treatment. Here, the electrode pad 2 is formed first, but the electrode pad 2 may be formed after the magnetic thin film pattern 1 is formed. Of course, instead of the strip-shaped magnetic thin film, a spelled pattern may be used.

以上のように作製した磁気インピーダンス素子と、集積回路であるＩＣチップ４とをバンプを介してフリップチップボンディングし、磁気インピーダンスセンサを作製する。ここでは、接合方法としてＡｕのボール状バンプを超音波ボンディングで磁気インピーダンス素子側電極表面に形成し、そのボール状バンプを介して集積回路側電極と超音波フリップチップ接合するスタッドバンプ方法を用いたが、面実装の手法であればどの方法を用いても良い。フリップチップボンディングによって磁気インピーダンス素子と集積回路を接続することにより、両者の間に隙間が空くので、磁気インピーダンス素子に高周波電流を通電したときの浮遊容量の影響は、Ｓｉ上に直接磁気インピーダンス素子を形成した場合に比べて小さい。
図１では、磁気インピーダンス素子の感知部である短冊状磁性薄膜１を非磁性基板３の端に配置したが、図２のように中央部、または他の任意の位置に配置して構わない。その場合、集積回路の支持も兼ねて非磁性基板３の端の方にパッド８を形成すると良い。 The magneto-impedance element produced as described above and the IC chip 4 that is an integrated circuit are flip-chip bonded via bumps to produce a magneto-impedance sensor. Here, as a bonding method, a ball bump of Au was formed on the surface of the magneto-impedance element side electrode by ultrasonic bonding, and a stud bump method of ultrasonic flip chip bonding to the integrated circuit side electrode via the ball bump was used. However, any method may be used as long as it is a surface mounting method. By connecting the magneto-impedance element and the integrated circuit by flip chip bonding, there is a gap between them, so the effect of stray capacitance when a high-frequency current is applied to the magneto-impedance element is Smaller than when formed.
In FIG. 1, the strip-shaped magnetic thin film 1 that is a sensing part of the magneto-impedance element is arranged at the end of the nonmagnetic substrate 3, but it may be arranged at the center or at any other position as shown in FIG. In this case, it is preferable to form the pad 8 on the end of the nonmagnetic substrate 3 also for supporting the integrated circuit.

図１と対応する従来例を図５に示す。これは、プリント基板６に磁気インピーダンス素子と集積回路４を配置し、両者をワイヤボンディング７で接続したもので、このような磁気インピーダンスセンサの大きさは、磁気インピーダンス素子と集積回路を合わせた大きさ以下になることはなく、小型化に限界があることが分かる。
これに対し、図１のような構成によれば、磁気インピーダンスセンサの大きさを、浮遊容量の影響を抑制して、磁気インピーダンス素子または集積回路の大きさにまで小型化できることになる。 FIG. 5 shows a conventional example corresponding to FIG. This is because a magnetic impedance element and an integrated circuit 4 are arranged on a printed circuit board 6 and both are connected by wire bonding 7, and the size of such a magnetic impedance sensor is a combined size of the magnetic impedance element and the integrated circuit. It can be seen that there is a limit to downsizing.
On the other hand, according to the configuration shown in FIG. 1, the size of the magnetic impedance sensor can be reduced to the size of the magnetic impedance element or the integrated circuit while suppressing the influence of the stray capacitance.

[実施形態２]
図３はこの発明の第２の実施の形態を示す構成図で、同（ａ）は斜視図、同（ｂ）は非磁性基板の平面図を示す。
これは、非磁性基板３上に短冊状磁性薄膜１を２つ形成したものである。なお、作製方法は図１の場合と同じである。２つの磁気インピーダンス素子を用いることで磁気計測の精度を向上させる技術が、例えば特開２０００−２８４０３０号公報に開示されていることによるものである。ここでは、２つの短冊状磁性薄膜１を並列に配置しているが、磁気計測方式によっては互いに直交するように配置したり、任意の角度で交差するように配置しても良い。また、短冊状磁性薄膜ではなくつづら折れパターンとしても良いし、線幅や線間を異ならせるようにしても良い。 [Embodiment 2]
FIGS. 3A and 3B are configuration diagrams showing a second embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a perspective view and FIG. 3B is a plan view of a nonmagnetic substrate.
In this example, two strip-shaped magnetic thin films 1 are formed on a nonmagnetic substrate 3. The manufacturing method is the same as that in FIG. A technique for improving the accuracy of magnetic measurement by using two magnetic impedance elements is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-284030. Here, the two strip-shaped magnetic thin films 1 are arranged in parallel. However, depending on the magnetic measurement method, they may be arranged so as to be orthogonal to each other or arranged so as to intersect at an arbitrary angle. Moreover, it is good also as a zigzag folded pattern instead of a strip-shaped magnetic thin film, and you may make it vary a line width and a line.

[実施形態３]
図４はこの発明の第２の実施の形態を示す構成図で、同（ａ）は斜視図、同（ｂ）は非磁性基板の平面図を示す。
図３では、２つの短冊状磁性薄膜１を１つの非磁性基板３上に形成したが、ここではそれぞれの非磁性基板３上に形成した点が異なっている。この構成によれば、特性の異なる磁気インピーダンス素子を、フリップチップボンディングによって集積回路と一体化することができる。
以上では、磁気インピーダンス素子を感磁部のみで構成したが、この発明は、磁場印加用の薄膜コイルと一体化したものに対しても適用することができる。また、上記ではフリップチップボンディングを用いたが、はんだ接合、導電接着など他の面実装の手法を用いても良い。 [Embodiment 3]
4A and 4B are configuration diagrams showing a second embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a perspective view and FIG. 4B is a plan view of a nonmagnetic substrate.
In FIG. 3, two strip-shaped magnetic thin films 1 are formed on one nonmagnetic substrate 3, but here, the points formed on the respective nonmagnetic substrates 3 are different. According to this configuration, magneto-impedance elements having different characteristics can be integrated with the integrated circuit by flip-chip bonding.
In the above description, the magneto-impedance element is constituted by only the magnetic sensing portion, but the present invention can also be applied to one integrated with a thin film coil for applying a magnetic field. In the above description, flip chip bonding is used, but other surface mounting methods such as solder bonding and conductive bonding may be used.

この発明の第１の実施形態を示す構成図The block diagram which shows 1st Embodiment of this invention 図１の変形例を示す平面図The top view which shows the modification of FIG. この発明の第２の実施形態を示す構成図The block diagram which shows 2nd Embodiment of this invention この発明の第３の実施形態を示す構成図The block diagram which shows 3rd Embodiment of this invention 従来例を示す平面図Plan view showing a conventional example

符号の説明Explanation of symbols

１…磁性膜、２…電極パッド、３…非磁性基板、４…集積回路（ＩＣチップ）、５…バンプ、６…プリント基板、７…ワイヤボンディング、８…バンプ用のパッド。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Magnetic film, 2 ... Electrode pad, 3 ... Nonmagnetic board | substrate, 4 ... Integrated circuit (IC chip), 5 ... Bump, 6 ... Printed circuit board, 7 ... Wire bonding, 8 ... Pad for bumps.

Claims

非磁性基板に高透磁率の短冊状磁性薄膜またはこれらを交互に接続したつづら折れパターンを形成し、その磁性薄膜に高周波電流を通電することで外部磁界により磁性体のインピーダンスが変化する磁気インピーダンス効果をもつ磁気インピーダンス素子と、その周辺回路としての集積回路とを、面実装によって一体化したことを特徴とする磁気インピーダンスセンサ。 Magnetic impedance effect that the magnetic permeability of the magnetic material is changed by an external magnetic field by forming a high magnetic permeability strip-shaped magnetic thin film on a non-magnetic substrate or a zigzag pattern in which these are alternately connected and applying a high-frequency current to the magnetic thin film A magneto-impedance sensor comprising: a magneto-impedance element having an integrated circuit integrated with an integrated circuit as a peripheral circuit thereof.

前記短冊状磁性薄膜またはこれらを交互に接続したつづら折れパターンを、同一の非磁性基板上に２つ以上形成したことを特徴とする請求項１に記載の磁気インピーダンスセンサ。 2. The magnetic impedance sensor according to claim 1, wherein two or more of the strip-shaped magnetic thin films or the zigzag pattern in which these are alternately connected are formed on the same nonmagnetic substrate.

前記短冊状磁性薄膜またはこれらを交互に接続したつづら折れパターンを、２つ以上の非磁性基板上にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項１に記載の磁気インピーダンスセンサ。
2. The magnetic impedance sensor according to claim 1, wherein the strip-shaped magnetic thin film or a zigzag folded pattern in which these are alternately connected is formed on two or more non-magnetic substrates, respectively.