JP2005144373A - Substrate treatment apparatus and method for filling slit nozzle with treatment liquid - Google Patents

Substrate treatment apparatus and method for filling slit nozzle with treatment liquid Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating treatment apparatus for supplying a treated liquid to a slit nozzle without including gas in the treated liquid. <P>SOLUTION: The slit nozzle 41 is arranged on a filling pot PT1 and a resist liquid is supplied from a supply port 46. The resist liquid flows out of a slit 41b while allowed to fill the slit nozzle 41 to be stored in the filling pot PT1. Since air included in the resist liquid disappears when the resist liquid flows out of the slit 41b or disappears from the surface of the resist liquid, the inclusion degree of air in the resist liquid is reduced. When the slit 41b is immersed in the resist liquid and the resist liquid is stored in an amount corresponding to the internal volume of the slit nozzle 41, the supply of the resist liquid is stopped and the stored resist liquid is sucked by a suction pump 98. By this constitution, the slit nozzle 41 is substituted and filled with the resist liquid, which is reduced in the inclusion ratio of air, stored in the filling pot PT1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶用ガラス基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板等の各種基板に対し、主にその表面に処理液を塗布する塗布処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention is a substrate processing for performing a coating process mainly for applying a processing liquid on the surface of various substrates such as a glass substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer, a flexible substrate for liquid crystal film, a substrate for photomask, and a substrate for color filter Relates to the device.

液晶用ガラス基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板等、各種基板の表面にフォトレジスト等の処理液を塗布する塗布処理装置としては、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてスリットコートを行うスリットコータや、一旦スリットコートを施してから、スピンコートするスリット&スピンコータが公知である。   As a coating processing device for applying a processing liquid such as a photoresist to the surface of various substrates such as a glass substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer, a flexible substrate for film liquid crystal, a substrate for photomask, a substrate for color filter, etc., a slit-like discharge unit A slit coater that performs slit coating using a slit nozzle having a slit and a slit & spin coater that spin-coats after slit coating is known.

こうした塗布処理装置のスリットノズルにおいては、フォトレジスト等の処理液の内部に、気体(主としてエアー)が気泡等として混入することがある。例えば、エアーが混入するのは次のような場合である。
・ノズル内部の圧力変動やバルブ開閉時の圧力変動によってレジスト自体から発生する場合;
・塗布終了時に膜厚を一定化させる為のサックバック処理時にノズル吐出口から混入する場合;
・装置初期セットアップ時にノズル内部にレジストを充填する場合。
In the slit nozzle of such a coating processing apparatus, gas (mainly air) may be mixed as bubbles or the like in the processing liquid such as photoresist. For example, air is mixed in the following cases.
・ When it occurs from the resist itself due to pressure fluctuations inside the nozzle or pressure fluctuations when opening and closing the valve;
・ When mixing from the nozzle outlet during suck back processing to keep the film thickness constant at the end of coating;
・ When filling the nozzle with the resist during the initial setup of the system.

そして、エアーの混入は、以下のような不具合を発生させる。
・エアーとレジストが反応してゲル状物質がノズル内で形成される事によりスリットから均一な吐出が出来なくなりスジ状の塗布ムラが発生する;
・エアーが混入する事により塗布開始時の吐出流量の一次遅れが発生して塗布開始時の膜厚が不安定になる;
・エアーが混入する事により塗布終了時は、逆にレジスト吐出停止の遅れが発生して膜厚が不安定になる;
・エアーが混入する事によりノズル内部のレジスト動圧分布が変化して放射状のムラを発生させる。
And mixing of air causes the following problems.
・ A gel-like substance is formed in the nozzle by the reaction of air and resist, which prevents uniform discharge from the slit and causes streaky coating unevenness;
・ Primary delay of the discharge flow rate at the start of coating occurs due to air mixing, resulting in unstable film thickness at the start of coating;
・ Once coating is completed due to air mixing, a delay in resist discharge stop occurs and the film thickness becomes unstable.
・ By mixing air, the resist dynamic pressure distribution inside the nozzle changes and causes radial unevenness.

これらの不具合を回避するためには、ノズル内部のエアー抜きを的確かつ敏速に行う必要がある。こうした的確かつ敏速なエアー抜きを目的とする技術は、すでに公知である(例えば、特許文献1および特許文献2参照。)。   In order to avoid these problems, it is necessary to accurately and promptly release the air inside the nozzle. Techniques aimed at such accurate and prompt air removal are already known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

また、スリットノズルの吐出口と該スリットノズルにレジストを供給するポンプとの間にエアー等が滞留することにより、塗布開始時と塗布終了時に該エアーの圧縮及び緩和が生じ、これによりレジストの吐出流量が変動してしまい、開始端と終了端における塗布膜の均一性が悪くなることがある。これを回避するために、レジストを供給するポンプの動作とレジストの吐出量との伝達関数に基づいて、ポンプの動作を制御することにより、塗布膜の膜厚の均一性を維持する技術も、既に公知である(例えば、特許文献3参照。)。   In addition, air or the like stays between the discharge port of the slit nozzle and the pump that supplies the resist to the slit nozzle, so that compression and relaxation of the air occur at the start and end of application, thereby discharging the resist. The flow rate may fluctuate, and the uniformity of the coating film at the start end and end end may deteriorate. In order to avoid this, the technique of maintaining the uniformity of the coating film thickness by controlling the pump operation based on the transfer function between the operation of the pump for supplying the resist and the discharge amount of the resist, It is already known (for example, see Patent Document 3).

特開平7−328510号公報JP 7-328510 A 特開平9−253556号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-253556 特開2003−181360号公報JP 2003-181360 A

特許文献1および特許文献2に記載されたスリットコータでは、スリットノズルを上向きにしてレジストを吐出することによりスリットノズル内部のエアーを抜き取る手法を採用している。しかし、この手法には、以下のような問題点がある。
・スリットノズルを反転させてエアー抜きを行う為、スリットノズル取り付け部の構造が複雑になる;
・エアー抜き完了後のスリットノズル本体と基板面との位置決めの再現性が得られないので、スリットノズル調整用の原点復帰動作が必要になる;
・微小体積のエアーがスリットノズル内部に混入した場合であっても、スリットノズルを反転させてスリットノズル内部の全体積に相当するレジストを吐出する必要があり面倒である;
・スリットノズルを上に向けた状態でレジストを吐出してエアー抜きを実施する為、吐出されたレジストを拭き取る作業が発生するが、この作業は非常に困難であり、綺麗にレジストを拭き取れないために装置が汚染される;
・スリットノズル内部のエアーが完全に抜けているかどうかの検出手段が設けられていないため、十分エアーを抜くために必要以上のレジストを吐出する必要がある。
The slit coater described in Patent Document 1 and Patent Document 2 employs a method of extracting air inside the slit nozzle by discharging the resist with the slit nozzle facing upward. However, this method has the following problems.
-Since the slit nozzle is reversed to remove air, the structure of the slit nozzle mounting part becomes complicated;
-Since the reproducibility of the positioning of the slit nozzle body and the substrate surface after the air bleed is not obtained, the origin return operation for adjusting the slit nozzle is necessary;
-Even when a minute volume of air is mixed in the slit nozzle, it is necessary to reverse the slit nozzle and discharge the resist corresponding to the entire volume inside the slit nozzle;
・ Because the resist is discharged with the slit nozzle facing upwards to release air, an operation to wipe off the discharged resist occurs, but this operation is very difficult and the resist cannot be wiped cleanly. The equipment is contaminated;
Since there is no means for detecting whether or not the air inside the slit nozzle is completely removed, it is necessary to discharge more resist than necessary to sufficiently remove the air.

また、特許文献3には、エアーの混入の検知を行う技術については開示されているものの、エアーの混入そのものを回避するための技術については開示がない。   Patent Document 3 discloses a technique for detecting air contamination, but does not disclose a technique for avoiding air contamination itself.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理液に気体を混入させることなくスリットノズルに処理液を供給する塗布処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a coating processing apparatus that supplies a processing liquid to a slit nozzle without mixing gas in the processing liquid.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板を保持する保持台と、所定の処理液を吐出する吐出口を備えるスリットノズルと、前記吐出口から前記所定の処理液を吐出させる吐出手段と、前記スリットノズルを前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、を備え、前記スリットノズルを前記略水平方向に移動させることによって前記スリットノズルに前記基板の表面を走査させつつ、前記所定の処理液を吐出させることにより、前記所定の処理液を基板に塗布する基板処理装置であって、前記所定の処理液を貯留する貯留容器と、前記スリットノズル内部に存在する気体および気体が混入した前記処理液を吸引する吸引手段と、をさらに備え、前記スリットノズルの吐出口を前記貯留容器に貯留されている前記所定の処理液に浸漬した状態で前記吸引手段を作動することにより、前記貯留容器に貯留された前記所定の処理液を前記吐出口から前記スリットノズルの内部に充填する、ことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is directed to a holding table for holding a substrate, a slit nozzle having a discharge port for discharging a predetermined processing liquid, and discharge for discharging the predetermined processing liquid from the discharge port. Means for moving the slit nozzle in a substantially horizontal direction along the surface of the substrate, and scanning the surface of the substrate on the slit nozzle by moving the slit nozzle in the substantially horizontal direction. A substrate processing apparatus that applies the predetermined processing liquid to a substrate by discharging the predetermined processing liquid, and is provided inside the slit nozzle and a storage container for storing the predetermined processing liquid. A suction means for sucking the gas and the treatment liquid mixed with the gas, and the discharge port of the slit nozzle is stored in the storage container. By operating the suction means immersed in the sense liquid, filling the predetermined process liquid stored in the storage container from the discharge port inside the slit nozzle, characterized in that.

また、請求項2の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記吐出手段は所定の処理液供給源から前記所定の処理液を前記スリットノズルに供給する処理液供給手段を兼ねており、前記処理液供給手段によっていったん前記スリットノズルに供給された前記所定の処理液が、前記吐出口から流出することにより前記貯留容器へ貯留される、ことを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge means includes a processing liquid supply means for supplying the predetermined processing liquid from the predetermined processing liquid supply source to the slit nozzle. The predetermined processing liquid once supplied to the slit nozzle by the processing liquid supply means is stored in the storage container by flowing out from the discharge port.

また、請求項3の発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、前記所定の処理液と、所定の前処理液供給源から取得され前記所定の処理液よりも前記スリットノズルに対するぬれ性がよい前処理液とを選択的に供給可能である、ことを特徴とする。   Further, the invention of claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the processing liquid supply means is acquired from the predetermined processing liquid and a predetermined preprocessing liquid supply source, and the predetermined processing is performed. A pretreatment liquid having better wettability with respect to the slit nozzle than a liquid can be selectively supplied.

また、請求項4の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記前処理液を前記スリットノズルの内部に充填させた後に、前記所定の処理液にて前記前処理液を置換することにより前記スリットノズルの内部に前記所定の処理液を充填する、ことを特徴とする。   The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the pretreatment liquid is filled with the predetermined treatment liquid after the pretreatment liquid is filled into the slit nozzle. The predetermined processing liquid is filled in the slit nozzle by replacement.

また、請求項5の発明は、請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、前記前処理液は前記所定の処理液に含まれる成分であることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the pretreatment liquid is a component contained in the predetermined treatment liquid.

また、請求項6の発明は、請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、前記前処理液は前記所定の処理液の低粘度液であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the pretreatment liquid is a low viscosity liquid of the predetermined treatment liquid.

また、請求項7の発明は、所定の移動手段によって移動させられることにより被処理体の表面を走査しつつ、所定の吐出手段によって所定の処理液を吐出口から吐出することによって、前記被処理体に前記所定の処理液を付与するスリットノズル、への前記所定の処理液の充填方法であって、前記所定の処理液を所定の貯留容器に貯留する貯留工程と、前記スリットノズルの吐出口を前記貯留容器に貯留されている前記所定の処理液に浸漬させる工程と、前記吐出口が前記所定の処理液に浸漬された状態で、前記スリットノズル内部に存在する気体および気体が混入した前記処理液を吸引することにより、前記貯留容器に貯留された前記所定の処理液を前記吐出口から前記スリットノズルの内部に充填する充填工程と、を備えることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, the predetermined processing liquid is discharged from the discharge port by the predetermined discharge means while scanning the surface of the object to be processed by being moved by the predetermined moving means. A method for filling the slit nozzle for applying the predetermined processing liquid to the body, the storage step of storing the predetermined processing liquid in a predetermined storage container, and a discharge port of the slit nozzle In the predetermined processing liquid stored in the storage container, and in the state where the discharge port is immersed in the predetermined processing liquid, the gas and gas existing inside the slit nozzle are mixed. And a filling step of filling the predetermined processing liquid stored in the storage container into the slit nozzle from the discharge port by sucking the processing liquid. That.

また、請求項8の発明は、請求項7に記載の充填方法であって、前記貯留工程においては、前記スリットノズルにいったん供給した前記所定の処理液を前記吐出口から流出させることにより前記貯留容器へ貯留する、ことを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the filling method according to claim 7, wherein in the storing step, the predetermined processing liquid once supplied to the slit nozzle is caused to flow out from the discharge port to store the specified amount. It is characterized by storing in a container.

また、請求項9の発明は、請求項8に記載の充填方法であって、所定の前処理液供給源から前記所定の処理液よりも前記スリットノズルに対するぬれ性がよい前処理液を取得し前記スリットノズルに供給する前処理液供給工程、をさらに含み、前記前処理液を前記スリットノズルの内部に充填させた後に、前記所定の処理液にて前記前処理液を置換することにより前記スリットノズルの内部に前記所定の処理液を充填する、ことを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the filling method according to claim 8, wherein a pretreatment liquid having better wettability to the slit nozzle than the predetermined treatment liquid is obtained from a predetermined pretreatment liquid supply source. A pretreatment liquid supply step of supplying the slit nozzle with the pretreatment liquid, filling the slit nozzle with the pretreatment liquid, and then replacing the pretreatment liquid with the predetermined treatment liquid. The nozzle is filled with the predetermined processing liquid.

請求項1ないし請求項9の発明によれば、あらかじめ吐出口を処理液に浸漬した状態でスリットノズルに処理液を充填するので、スリットノズルの内部への気泡の混入が生じにくく、気泡が混入したとしても吸引されて除去されるので、充填される処理液における気泡の混入度合を低減することができる。   According to the inventions of claims 1 to 9, since the slit nozzle is filled with the treatment liquid in a state where the discharge port is immersed in the treatment liquid in advance, it is difficult for the bubbles to be mixed into the slit nozzle, and the bubbles are mixed. Even if it is, since it is sucked and removed, it is possible to reduce the degree of bubble mixing in the processing liquid to be filled.

特に、請求項2ないし請求項6、請求項8、および請求項9の発明によれば、処理液をいったんスリットノズルの内部に充填させたうえで吐出口から貯留容器へと流出させるので、処理液に気泡が混入していても、処理液が吐出口から順次に排出される際に消滅したり、あるいは貯留された処理液の液面から消失することが容易となる。また、貯留容器に処理液を貯留するための供給経路を設ける必要がない。   In particular, according to the inventions of claims 2 to 6, 8, and 9, the treatment liquid is once filled into the slit nozzle and then discharged from the discharge port to the storage container. Even if bubbles are mixed in the liquid, it is easy to disappear or disappear from the liquid level of the stored processing liquid when the processing liquid is sequentially discharged from the discharge port. Moreover, it is not necessary to provide a supply path for storing the processing liquid in the storage container.

請求項3ないし請求項6の発明によれば、処理液の充填に先立ってぬれ性のよい前処理液を供給することができるので、内面が十分にぬれた状態とされたスリットノズルの内部に対して、処理液を供給することができる。   According to the inventions of claims 3 to 6, since the pretreatment liquid having good wettability can be supplied prior to the filling of the treatment liquid, the inside of the slit nozzle whose inner surface is sufficiently wetted is provided. On the other hand, the treatment liquid can be supplied.

請求項4および請求項9の発明は、前処理液によって内面が十分にぬれた状態とされたスリットノズルの内部に対して、処理液を供給していることから、スリットノズルの内面と処理液との界面において気泡の介在が生じることなく、処理液がスリットノズルの内部に充填される。   Since the treatment liquid is supplied to the inside of the slit nozzle whose inner surface is sufficiently wetted by the pretreatment liquid, the inner surface of the slit nozzle and the treatment liquid are provided. The processing liquid is filled in the slit nozzle without any bubbles occurring at the interface with the nozzle.

<第1の実施の形態>
<全体構成>
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の概略を示す斜視図である。図2は、基板処理装置1の本体2の側断面を示すと共に、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素を示す図である。
<First Embodiment>
<Overall configuration>
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing a side cross section of the main body 2 of the substrate processing apparatus 1 and showing main components related to the application operation of the resist solution.

基板処理装置1は、本体2と制御系6とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板(以下、単に「基板」と称する)90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。   The substrate processing apparatus 1 is roughly divided into a main body 2 and a control system 6, and a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device is a substrate to be processed (hereinafter simply referred to as “substrate”) 90. In a process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, the coating apparatus is configured to apply a resist solution as a processing solution to the surface of the substrate 90. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 41 discharges the resist solution. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be modified and used not only as a glass substrate for a liquid crystal display device but also as a device for applying a processing liquid (chemical solution) to various substrates for a flat panel display.

本体2は、基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。   The main body 2 includes a stage 3 that functions as a holding table for mounting and holding the substrate 90 and also functions as a base for each attached mechanism. The stage 3 is made of, for example, an integral stone having a rectangular parallelepiped shape, and its upper surface (holding surface 30) and side surfaces are processed into flat surfaces.

ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置1において基板90を処理する間、基板90を吸着することにより、基板90を所定の水平位置に保持する。また、保持面30には、図示しない駆動手段によって上下に昇降自在な複数のリフトピンLPが、適宜の間隔をおいて設けられている。リフトピンLPは、基板90を取り除く際に基板90を押し上げるために用いられる。   The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane and serves as a holding surface 30 for the substrate 90. A number of vacuum suction ports (not shown) are formed on the holding surface 30 in a distributed manner, and the substrate 90 is held in a predetermined horizontal position by sucking the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90. To do. The holding surface 30 is provided with a plurality of lift pins LP that can be moved up and down by driving means (not shown) at appropriate intervals. The lift pins LP are used to push up the substrate 90 when the substrate 90 is removed.

保持面30のうち基板90の保持エリア(基板90が保持される領域)を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール31が固設される。走行レール31は、架橋構造4の両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造4の移動を案内し(移動方向を所定の方向に規定する)、架橋構造4を保持面30の上方に支持するリニアガイドを構成する。   A pair of running rails 31 extending in parallel in a substantially horizontal direction are fixed to both ends of the holding surface 30 across the holding area of the substrate 90 (region where the substrate 90 is held). The traveling rail 31 guides the movement of the bridging structure 4 together with a support block (not shown) fixed at the lowermost part of both ends of the bridging structure 4 (the moving direction is defined in a predetermined direction), and holds the bridging structure 4. A linear guide supported above the surface 30 is configured.

ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44とから主に構成される。   Above the stage 3, a bridging structure 4 is provided that extends substantially horizontally from both sides of the stage 3. The bridging structure 4 is mainly composed of, for example, a nozzle support portion 40 that uses carbon fiber reinforced resin as an aggregate, and lifting mechanisms 43 and 44 that support both ends thereof.

ノズル支持部40には、スリットノズル41とギャップセンサ42とが取り付けられている。   A slit nozzle 41 and a gap sensor 42 are attached to the nozzle support portion 40.

図1においてY軸方向に長手方向を有するスリットノズル41には、図1においては図示しない、スリットノズル41へレジスト液を供給する配管やレジスト用ポンプなどを含む供給機構9(図2)が接続されている。基板90の表面を走査しつつ、レジスト用ポンプにより供給されたレジスト液を、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)に吐出することにより、スリットノズル41は基板90にレジスト液を塗布する。ここで、レジスト塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。スリットノズル41と供給機構9とについての詳細は、後述する。   1, a supply mechanism 9 (FIG. 2) including a pipe for supplying a resist solution to the slit nozzle 41 and a resist pump is connected to the slit nozzle 41 having a longitudinal direction in the Y-axis direction. Has been. By scanning the surface of the substrate 90 and discharging the resist solution supplied by the resist pump to a predetermined region on the surface of the substrate 90 (hereinafter referred to as “resist application region”), the slit nozzle 41 is A resist solution is applied to the substrate 90. Here, the resist application region is a region in the surface of the substrate 90 where the resist solution is to be applied, and is usually a region obtained by excluding a region having a predetermined width along the edge from the entire area of the substrate 90. It is. Details of the slit nozzle 41 and the supply mechanism 9 will be described later.

ギャップセンサ42は、スリットノズル41の近傍となるよう、ノズル支持部40に取り付けられ、下方の存在物(例えば、基板90の表面や、レジスト膜の表面)との間の高低差(ギャップ)を測定して、測定結果を制御系6に伝達する。これにより、制御系6はギャップセンサ42の測定結果に基づいて、上記存在物とスリットノズル41との距離を制御できる。   The gap sensor 42 is attached to the nozzle support portion 40 so as to be in the vicinity of the slit nozzle 41, and the height difference (gap) between the lower presence object (for example, the surface of the substrate 90 or the surface of the resist film) is determined. The measurement result is transmitted to the control system 6. Thereby, the control system 6 can control the distance between the existence object and the slit nozzle 41 based on the measurement result of the gap sensor 42.

昇降機構43,44は、スリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44は主にACサーボモータ43a,44aおよび図示しないボールネジからなり、制御系6からの制御信号に基づいて、架橋構造4の昇降駆動力を生成する。これにより、昇降機構43,44は、スリットノズル41を並進的に昇降させる。また、昇降機構43,44は、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。   The elevating mechanisms 43 and 44 are divided on both sides of the slit nozzle 41 and connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support portion 40. The elevating mechanisms 43 and 44 are mainly composed of AC servomotors 43 a and 44 a and a ball screw (not shown), and generate elevating driving force for the bridge structure 4 based on a control signal from the control system 6. Thereby, the raising / lowering mechanisms 43 and 44 raise / lower the slit nozzle 41 in translation. The lifting mechanisms 43 and 44 are also used to adjust the posture of the slit nozzle 41 in the YZ plane.

架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子(ステータ)50aと移動子50bおよび固定子51aと移動子51bを備える一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50,51が、それぞれ固設される。また、架橋構造4の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ52,53が、それぞれ固設される。リニアエンコーダ52,53は、リニアモータ50,51の位置を検出する。これらリニアモータ50,51とリニアエンコーダ52,53とが主として、架橋構造4が走行レール31に案内されつつステージ3上を移動するための走行機構5を構成する。すなわち、走行機構5は、架橋構造を基板90の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段として作用する。リニアエンコーダ52,53からの検出結果に基づいて、制御系6がリニアモータ50の動作を制御することにより、ステージ3上における架橋構造4の移動、つまりはスリットノズル41による基板90の走査が制御される。   A pair of AC coreless linear motors (hereinafter simply referred to as “stator”) and a “moving element 50b” and “stator 51a” and “moving element 51b” are provided at both ends of the bridging structure 4 along the edges on both sides of the stage 3, respectively. , Abbreviated as “linear motor”.) 50 and 51 are fixed. In addition, linear encoders 52 and 53 each having a scale portion and a detector are fixed to both ends of the bridging structure 4. The linear encoders 52 and 53 detect the positions of the linear motors 50 and 51. The linear motors 50 and 51 and the linear encoders 52 and 53 mainly constitute the traveling mechanism 5 for moving the bridge structure 4 on the stage 3 while being guided by the traveling rail 31. That is, the traveling mechanism 5 acts as a moving unit that moves the bridging structure in a substantially horizontal direction along the surface of the substrate 90. Based on the detection results from the linear encoders 52 and 53, the control system 6 controls the operation of the linear motor 50, thereby controlling the movement of the bridging structure 4 on the stage 3, that is, the scanning of the substrate 90 by the slit nozzle 41. Is done.

本体2の保持面30において、保持エリアの(−X)方向側には、開口32が設けられている。開口32はスリットノズル41と同じくY軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル41の長手方向長さとほぼ同じである。また、開口32の下方の本体2の内部には、充填ポットPT1と、待機ポットPT2と、ノズル洗浄機構7と、プリ塗布機構13とが設けられている。これらはいずれも、基板90へのレジスト液の塗布に先立って行われる、レジスト液供給処理、エアー抜き処理、あるいはプリディスペンス処理などの予備処理に際し用いられる。   On the holding surface 30 of the main body 2, an opening 32 is provided on the (−X) direction side of the holding area. The opening 32 has a longitudinal direction in the Y-axis direction similar to the slit nozzle 41, and the longitudinal length is substantially the same as the longitudinal direction length of the slit nozzle 41. A filling pot PT1, a standby pot PT2, a nozzle cleaning mechanism 7, and a pre-coating mechanism 13 are provided inside the main body 2 below the opening 32. All of these are used in a preliminary process such as a resist liquid supply process, an air bleeding process, or a pre-dispensing process, which is performed prior to the application of the resist liquid to the substrate 90.

充填ポットPT1(図3参照)は、スリットノズル41にレジスト液を充填する際に用いられるものである。充填ポットPT1は、スリットノズル41の内部の容積(以下、「内部容積」と称する)、つまりは、マニホールド45、供給口46、ギャップ41a(図4参照)の容積の総和よりも十分大きな容積を有する容器であり、スリットノズル41の下端部分、すなわちスリット41bの近傍が挿入可能とされている。また、図示しないオーバーフロー機構を備えており、貯留される液体の液面は、所定高さ以下に保たれるようになっている。以降、スリットノズル41が充填ポットPT1直上にある場合を、スリットノズル41が「充填位置にある」等と称することとする。レジスト液の充填処理については、後述する。   The filling pot PT1 (see FIG. 3) is used when the slit nozzle 41 is filled with a resist solution. The filling pot PT1 has a volume sufficiently larger than the internal volume of the slit nozzle 41 (hereinafter referred to as “internal volume”), that is, the total volume of the manifold 45, the supply port 46, and the gap 41a (see FIG. 4). The lower end portion of the slit nozzle 41, that is, the vicinity of the slit 41b can be inserted. In addition, an overflow mechanism (not shown) is provided so that the liquid level of the stored liquid is kept below a predetermined height. Hereinafter, when the slit nozzle 41 is directly above the filling pot PT1, the slit nozzle 41 is referred to as “in the filling position” or the like. The resist liquid filling process will be described later.

待機ポットPT2は、スリットノズル41が走査処理を行わずに待機する際の待機場所として設けられている。待機ポットPT2は、スリットノズル41から滴下するレジスト液等の受け皿の役割をも兼ねており、滞留物を適宜に廃棄・回収できるようにされている。スリットノズル41は、所定の走査指示がなされるまでは、待機ポットPT2の直上まで下降した状態で待機している。以降、スリットノズル41が待機ポットPT2直上にある場合を、スリットノズル41が「待機位置にある」等と称することとする。   The standby pot PT2 is provided as a standby place when the slit nozzle 41 waits without performing the scanning process. The standby pot PT2 also serves as a tray for a resist solution or the like dripped from the slit nozzle 41, so that the staying material can be appropriately discarded and collected. The slit nozzle 41 stands by in a state where the slit nozzle 41 is lowered to just above the standby pot PT2 until a predetermined scanning instruction is given. Hereinafter, when the slit nozzle 41 is directly above the standby pot PT2, the slit nozzle 41 is referred to as “at the standby position” or the like.

ノズル洗浄機構7は、スリットノズル41が待機位置にある際に、駆動機構71によってスリットノズル41の長手方向(図2においては紙面垂直方向)に沿って移動可能に設けられている。スリットノズル41の形状に合わせて中央に略V字形状の切り欠きを備えるスクレーパ72によって、スリットノズル41に付着したレジスト液を掻き取るとともに、図示しない溶剤供給機構によって供給される所定の溶剤によりスリットノズル41の下端のスリット41bの近傍を洗浄する。   The nozzle cleaning mechanism 7 is provided to be movable along the longitudinal direction of the slit nozzle 41 (the vertical direction in FIG. 2) by the drive mechanism 71 when the slit nozzle 41 is in the standby position. The scraper 72 having a substantially V-shaped notch in the center in accordance with the shape of the slit nozzle 41 scrapes off the resist solution adhering to the slit nozzle 41 and slits it with a predetermined solvent supplied by a solvent supply mechanism (not shown). The vicinity of the slit 41b at the lower end of the nozzle 41 is cleaned.

プリ塗布機構13は、スリット41bの部分に付着したレジスト液を除去するために、本塗布に先立って少量のレジスト液を塗布するプリ塗布を行うための機構である。プリ塗布は、基板等への実際の塗布処理(以降、「本塗布処理」と称する)の直前に行われる。プリ塗布の際、プリ塗布機構13は、スリットノズル41が該プリ塗布機構13の直上位置(以下、「プリ塗布位置」と称する)にある状態で、断面が正多角形(図2においては正八角形)をなす多角柱状のディスペンスロール14を、駆動機構15により該正多角形の中心14aを回動軸として回動させつつ、この回動動作に同期して、該正多角形の各辺に相当する被塗布面14sに対しスリットノズル41からレジスト液を少量吐出させる。これは、該被塗布面14sをスリットノズル41にて相対的に走査しつつレジスト液を被塗布面に塗布する処理に相当する。本塗布処理の直前にプリ塗布を行うことにより、スリットノズル41に付着したレジスト液は効率よく取り除かれるので、本塗布処理において、スリットノズル41に付着したレジスト液に起因した膜厚の不均一(畝状の盛り上がりなど)を防止することができる。   The pre-coating mechanism 13 is a mechanism for performing pre-coating in which a small amount of resist liquid is applied prior to the main application in order to remove the resist liquid adhering to the slit 41b. The pre-coating is performed immediately before the actual coating process (hereinafter referred to as “main coating process”) on the substrate or the like. At the time of pre-coating, the pre-coating mechanism 13 has a regular polygonal shape (a regular octagon in FIG. 2) in a state where the slit nozzle 41 is in a position immediately above the pre-coating mechanism 13 (hereinafter referred to as “pre-coating position”). While the polygonal column-shaped dispense roll 14 having a rectangular shape is rotated about the center 14a of the regular polygon by the drive mechanism 15 as a rotation axis, the polygonal column-shaped dispense roll 14 is synchronized with the rotation operation on each side of the regular polygon. A small amount of resist solution is discharged from the slit nozzle 41 onto the corresponding coated surface 14s. This corresponds to a process of applying the resist solution to the application surface while relatively scanning the application surface 14s with the slit nozzle 41. By performing the pre-coating immediately before the main coating process, the resist solution adhering to the slit nozzle 41 is efficiently removed. Therefore, in the main coating process, the film thickness is non-uniform due to the resist liquid adhering to the slit nozzle 41 ( And so on).

被塗布面14sに塗布されたレジスト液は、プリ塗布が終了して、本塗布処理が行われている間に、被塗布面14sより硬度の低い材質、具体的には樹脂またはゴム等により形成されたディスペンスロールスクレーパ16によって掻き取られる。被塗布面14sはさらに、所定の溶剤で満たされたディスペンスポット17にて洗浄される。   The resist solution applied to the coated surface 14s is formed of a material having a lower hardness than the coated surface 14s, specifically, resin or rubber while the pre-coating is completed and the main coating process is being performed. It is scraped off by the dispensed roll scraper 16. The coated surface 14s is further cleaned with a dispensing spot 17 filled with a predetermined solvent.

制御系6は、プログラムに従って各種データを処理する演算部60、プログラムや各種データを保存する記憶部61を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置1に対して必要な指示を入力するための操作部62、および各種データを表示する表示部63を備える。   The control system 6 includes an arithmetic unit 60 that processes various data according to a program and a storage unit 61 that stores the program and various data. In addition, an operation unit 62 for an operator to input necessary instructions to the substrate processing apparatus 1 and a display unit 63 for displaying various data are provided on the front surface.

制御系6は、図1においては図示しないケーブルにより本体2に付属する各機構と電気的に接続されている。制御系6は、操作部62からの入力信号や、ギャップセンサ42およびその他の図示しない各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構43,44による昇降動作、走行機構5による走行動作、供給機構9によるレジスト液の供給動作、さらには後述するノズル洗浄機構7およびプリ塗布機構13に付随する各駆動機構、各回動機構および各バルブ等の動作を制御する。   The control system 6 is electrically connected to each mechanism attached to the main body 2 by a cable (not shown) in FIG. The control system 6 is based on input signals from the operation unit 62, signals from the gap sensor 42 and other various sensors (not shown), and the like. 9 controls the operation of the resist solution supplying operation by the nozzle 9 and the operation of each drive mechanism, each rotation mechanism, each valve, etc. associated with the nozzle cleaning mechanism 7 and the pre-coating mechanism 13 described later.

なお、具体的には、データを一時的に記憶するRAM、読み取り専用のROM、および磁気ディスク装置などが記憶部61に該当する。あるいは、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置などであってもよい。また、操作部62には、ボタンおよびスイッチ類(キーボードやマウスなどを含む。)などが該当する。もしくは、タッチパネルディスプレイのように表示部63の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部63には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。   Specifically, a RAM that temporarily stores data, a read-only ROM, a magnetic disk device, and the like correspond to the storage unit 61. Alternatively, it may be a storage medium such as a portable magneto-optical disk or a memory card, and a reading device thereof. The operation unit 62 corresponds to buttons and switches (including a keyboard and a mouse). Or what has the function of the display part 63 like a touchscreen display may be used. The display unit 63 corresponds to a liquid crystal display or various lamps.

<スリットノズルおよび供給機構>
図3は、スリットノズル41と該スリットノズル41にレジスト液を供給するための供給機構9とを模式的に示す図である。図3において、スリットノズル41は、エアー抜きポットPT1上に配置された状態(充填位置にある状態)を、その長手方向に平行な断面図として示している。また、図4は、スリットノズル41の図3におけるA−A’断面(図1のZX面と平行な面)を示す図である。
<Slit nozzle and supply mechanism>
FIG. 3 is a diagram schematically showing the slit nozzle 41 and the supply mechanism 9 for supplying a resist solution to the slit nozzle 41. In FIG. 3, the slit nozzle 41 shows the state (state in a filling position) arrange | positioned on the air vent pot PT1 as sectional drawing parallel to the longitudinal direction. 4 is a view showing a cross section taken along the line AA ′ in FIG. 3 of the slit nozzle 41 (a plane parallel to the ZX plane in FIG. 1).

図4に示すように、スリットノズル41の下側略半分は、長手方向に垂直な面内における断面が下方に向けて細くなった略V字型の外観形状をなしている。図3および図4に示すように、スリットノズル41の内部には、長手方向の両側端部間にわたって、かつ断面中央部の上寄りに、基板に塗布するためのレジスト液を一時的に貯留するマニホールド45(図4においては斜線にて断面を示す)が設けられている。さらに、スリットノズル41の内部には、マニホールド45からスリットノズル41の上端部にまで達する供給口46が設けられている。なお、供給口46は、後述するように、スリットノズル41の内部からエアーを抜くためのエアー抜き穴としての役割も果たすものである。   As shown in FIG. 4, the lower half of the slit nozzle 41 has a substantially V-shaped outer shape in which a cross section in a plane perpendicular to the longitudinal direction becomes narrower downward. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, a resist solution to be applied to the substrate is temporarily stored in the slit nozzle 41 between both end portions in the longitudinal direction and above the center of the cross section. A manifold 45 (shown in cross section by hatching in FIG. 4) is provided. Further, a supply port 46 extending from the manifold 45 to the upper end portion of the slit nozzle 41 is provided inside the slit nozzle 41. Note that the supply port 46 also serves as an air vent hole for extracting air from the inside of the slit nozzle 41, as will be described later.

さらに、マニホールド45の最下部と、略V字型の頂点部分に相当するスリットノズル41の先端(最下端)との間には、一定間隔のギャップ41aが、同じくスリットノズル41の両側端部間にわたって設けられている。ギャップ41aの間隔は、好ましくは50μm〜250μm程度である。ギャップ41aの最下端が、レジスト液を吐出するためのスリット(吐出口)41bとなっている。マニホールド45に供給されたレジスト液が次述する供給機構9の作用によって所定の吐出圧を与えられると、ギャップ41aを経てスリット41bから吐出されて基板90に塗布される。   Further, a gap 41a with a constant interval is formed between the lower end of the manifold 45 and the front end (lowermost end) of the slit nozzle 41 corresponding to a substantially V-shaped apex portion. It is provided over. The interval of the gap 41a is preferably about 50 μm to 250 μm. The lowermost end of the gap 41a is a slit (discharge port) 41b for discharging the resist solution. When a predetermined discharge pressure is applied to the resist solution supplied to the manifold 45 by the action of the supply mechanism 9 described below, the resist solution is discharged from the slit 41b through the gap 41a and applied to the substrate 90.

マニホールド45は、図4に示すように、A−A’断面において供給口46側からギャップ41a側に向けて傾斜を有するように設けられている。また、図3に示すように、供給口46は、マニホールド45の両端よりも高い位置となるように設けられている。すなわち、マニホールド45は、長手方向において、その上面45aが、マニホールド45の両端との間で傾斜を有するように形成されている。一方で、マニホールド45の下面45bはスリットノズル41の上下側端と略平行を保つよう形成されていることから、マニホールド45は、長手方向において、両端側から中央部側へ向かうにつれて上下面間の間隔hがだんだんと大きくなるように設けられていることになる。あるいは、断面積がだんだんと大きくなるように設けられているともいえる。   As shown in FIG. 4, the manifold 45 is provided to have an inclination from the supply port 46 side toward the gap 41 a side in the A-A ′ cross section. As shown in FIG. 3, the supply port 46 is provided at a position higher than both ends of the manifold 45. That is, the upper surface 45 a of the manifold 45 is formed so as to be inclined with respect to both ends of the manifold 45 in the longitudinal direction. On the other hand, since the lower surface 45b of the manifold 45 is formed so as to be substantially parallel to the upper and lower ends of the slit nozzle 41, the manifold 45 is located between the upper and lower surfaces in the longitudinal direction from both ends toward the center. The interval h is provided so as to increase gradually. Alternatively, it can be said that the cross-sectional area is gradually increased.

供給機構9は、図3に示すように、レジスト液Rを貯留するレジスト液供給源91と、レジスト液供給源91からスリットノズル41へとレジスト液Rを供給するためのレジスト液供給経路L1と、レジスト液供給経路L1から分岐してなり、スリットノズル41内のレジスト液に混入しているエアーを除去するためのエアー抜き経路L2とを主として備える。エアー抜き経路L2は、エアーおよび(主としてエアーが混入している)レジスト液を排出する排出経路として作用する。   As shown in FIG. 3, the supply mechanism 9 includes a resist solution supply source 91 for storing the resist solution R, and a resist solution supply path L1 for supplying the resist solution R from the resist solution supply source 91 to the slit nozzle 41. , Which is branched from the resist solution supply path L1 and mainly includes an air vent path L2 for removing air mixed in the resist solution in the slit nozzle 41. The air vent path L2 functions as a discharge path for discharging air and a resist solution (mainly mixed with air).

レジスト液供給経路L1には、レジスト液供給源91側から順に、バルブV2と、供給ポンプ92と、バルブV3と、圧力計93とが、所定の配管によって接続されて備わっている。レジスト液供給源91に貯留されたレジスト液Rは、圧縮空気(圧空)によって加圧供給される。あるいは、供給ポンプ92によって、レジスト液供給源91に貯留されたレジスト液Rが汲み上げられて定量送液される。圧力計93は、レジスト液Rの供給圧力をモニターするために備わる。また、レジスト液供給経路L1は、スリットノズル41の中央部分に備わる供給口46と接続している。なお、バルブV2およびV3はいずれも制御系6によって開閉操作が制御される電磁バルブである。本実施の形態において、レジスト液供給経路L1に備わる各部は、レジスト液を供給する供給手段としても、スリットノズル41のスリット41bからレジスト液を吐出させる吐出手段としても作用する。   In the resist solution supply path L1, a valve V2, a supply pump 92, a valve V3, and a pressure gauge 93 are sequentially connected from a resist solution supply source 91 side through a predetermined pipe. The resist solution R stored in the resist solution supply source 91 is pressurized and supplied by compressed air (pressure air). Alternatively, the resist solution R stored in the resist solution supply source 91 is pumped up by the supply pump 92 and is quantitatively fed. The pressure gauge 93 is provided for monitoring the supply pressure of the resist solution R. The resist solution supply path L <b> 1 is connected to a supply port 46 provided in the central portion of the slit nozzle 41. The valves V2 and V3 are both electromagnetic valves whose opening / closing operations are controlled by the control system 6. In the present embodiment, each part provided in the resist solution supply path L1 functions as a supply unit that supplies the resist solution and also as a discharge unit that discharges the resist solution from the slit 41b of the slit nozzle 41.

また、エアー抜き経路L2は、レジスト液供給経路L1が供給口46と接続される手前で、該レジスト液供給経路L1から分岐させて設けられる。エアー抜き経路L2の途中には、エアー抜きバルブV1と吸引ポンプ98とが備わっている。エアー抜きバルブV1も制御系6によって開閉操作が制御される電磁バルブである。吸引ポンプ98は、スリットノズル41に充填されたレジスト液を吸引してエアー抜き経路L2を通じて排出させるために備わる。また、スリットノズル41とエアー抜きバルブV1との間のセンシング部94が設けられている。図5は、センシング部94について説明する図である。図5(a)に示すように、センシング部94においては、エアー抜き穴47からの配管96が曲折部分が上端部となるようにU字型に曲折されてなり、その直上にエアーセンサ95が設けられている。好ましくは、エアー抜き経路L2の、スリットノズル41からセンシング部94に至るまでの間では、配管96の頂点部分(U字型の底部部分)96aが最も高い位置に位置するように、配管96は設けられる。センシング部94は、エアー抜き経路L2を構成する配管96がレジスト液で満たされたか否か、あるいは、エアーが混入していないか(エアー噛みの有無)を判定する処理を担う。エアーセンサ95は、いわゆる光学的センサであり、光ビームを発し、これに対する反射ビームを受光して、その光強度を制御系6に対し与えるものである。そのため、配管96の頂点部分96aは光学的に透明に、該頂点部分96aと対向する部分96bは光ビームを反射するように設けられている。   The air vent path L2 is provided to be branched from the resist solution supply path L1 before the resist solution supply path L1 is connected to the supply port 46. In the middle of the air vent path L2, an air vent valve V1 and a suction pump 98 are provided. The air vent valve V <b> 1 is also an electromagnetic valve whose opening / closing operation is controlled by the control system 6. The suction pump 98 is provided for sucking and discharging the resist solution filled in the slit nozzle 41 through the air vent path L2. Further, a sensing unit 94 is provided between the slit nozzle 41 and the air vent valve V1. FIG. 5 is a diagram for explaining the sensing unit 94. As shown in FIG. 5 (a), in the sensing unit 94, the pipe 96 from the air vent hole 47 is bent in a U shape so that the bent portion becomes the upper end portion, and the air sensor 95 is disposed immediately above. Is provided. Preferably, the pipe 96 is positioned so that the apex portion (U-shaped bottom portion) 96a of the pipe 96 is located at the highest position in the air vent path L2 from the slit nozzle 41 to the sensing unit 94. Provided. The sensing unit 94 is responsible for determining whether the pipe 96 constituting the air vent path L2 is filled with a resist solution, or whether air is not mixed (presence of air biting). The air sensor 95 is a so-called optical sensor, which emits a light beam, receives a reflected beam corresponding thereto, and gives the light intensity to the control system 6. Therefore, the apex portion 96a of the pipe 96 is optically transparent, and the portion 96b facing the apex portion 96a is provided so as to reflect the light beam.

図5(a)に示すように配管96の内部に全くレジスト液が存在しない場合、エアーセンサ95は、発した入射ビームBM1に対応して、所定の光強度の反射ビームBM2を受光する。一方、図5(b)のように配管96の内部にレジスト液が存在する場合、レジスト液によって光が散乱を受けることにより、エアーセンサ95で受光される反射ビームBM2の光強度は減少するので、図5(a)の場合と同じ光強度の入射ビームBM1が与えられても、反射は生じずエアーセンサ95は反射ビームBM2を受光できないか、あるいは、図5(a)の場合に比して十分に小さい光強度の反射ビームBM2しか受光しないことになる。このように、配管96の内部におけるレジスト液の充填度の変化とエアーセンサ95が受光した反射ビームBM2の光強度の変化には相関がある。制御系6においては、エアーセンサ95から送られた光強度を示す信号に基づいて、レジスト液の充填度、別の見方をすれば、エアーの混入度(もしくは存在度)を判定する。具体的には、ある光強度をしきい値として、受光した光強度がそれよりも小さな場合に、センシング部94がレジスト液で満たされた、つまりは、スリットノズル41にレジスト液が充填された、と判定する、などの態様により、後述する充填動作によってエアーの混入が解消されているか否かを確認することができる。   As shown in FIG. 5A, when no resist solution is present inside the pipe 96, the air sensor 95 receives the reflected beam BM2 having a predetermined light intensity corresponding to the emitted incident beam BM1. On the other hand, when the resist solution is present in the pipe 96 as shown in FIG. 5B, the light intensity of the reflected beam BM2 received by the air sensor 95 decreases due to light scattered by the resist solution. Even if the incident beam BM1 having the same light intensity as that in FIG. 5A is given, no reflection occurs and the air sensor 95 cannot receive the reflected beam BM2, or as compared with the case of FIG. 5A. Therefore, only the reflected beam BM2 having a sufficiently small light intensity is received. Thus, there is a correlation between the change in the filling degree of the resist solution inside the pipe 96 and the change in the light intensity of the reflected beam BM2 received by the air sensor 95. In the control system 6, based on a signal indicating the light intensity sent from the air sensor 95, the filling degree of the resist solution, and, if viewed from another viewpoint, the air mixing degree (or presence degree) is determined. Specifically, when a certain light intensity is set as a threshold value and the received light intensity is smaller than that, the sensing unit 94 is filled with the resist solution, that is, the slit nozzle 41 is filled with the resist solution. It is possible to confirm whether or not air contamination has been eliminated by a filling operation described later.

吸引ポンプより先は、図示しないドレインに接続されている。後述するように、マニホールド45に供給されたレジスト液の内部に混入していたエアーや、あるいはエアーを含んだままのレジスト液が、エアー抜き経路L2から排出されることになる。   The suction pump is connected to a drain (not shown). As will be described later, the air mixed in the resist solution supplied to the manifold 45 or the resist solution containing air is discharged from the air vent path L2.

<レジスト液の充填>
次に、スリットノズル41に対するレジスト液の充填について説明する。図6は、図4と同じ長手方向に平行な断面についての、レジスト液が供給される際のスリットノズル41の様子を示す模式図である。
<Resist liquid filling>
Next, filling of the resist solution into the slit nozzle 41 will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing the state of the slit nozzle 41 when a resist solution is supplied, with respect to the same cross section parallel to the longitudinal direction as in FIG.

スリットノズル41にレジスト液Rを供給する場合、まず、スリットノズル41を充填位置に移動させる。図6(a)は、スリットノズルが充填位置にある際のスリットノズル41と充填ポットPT1との相対的な位置関係を示している。すなわち、充填位置においてスリットノズル41は、その下端のスリット41bの近傍を充填ポットPT1内に挿入させられた状態に配置される。   When supplying the resist solution R to the slit nozzle 41, first, the slit nozzle 41 is moved to the filling position. FIG. 6A shows the relative positional relationship between the slit nozzle 41 and the filling pot PT1 when the slit nozzle is at the filling position. That is, at the filling position, the slit nozzle 41 is disposed in a state where the vicinity of the slit 41b at the lower end is inserted into the filling pot PT1.

スリットノズル41が充填位置に配置されると、バルブV2,V3を全て「開」にした状態で、供給ポンプ92による定量送液もしくはレジスト液供給源91からの加圧供給によりレジスト液Rの供給を行う。これにより、図6(b)に示すように、レジスト液供給経路L1を経たレジスト液Rが、スリットノズル41の上端部にある供給口46から、スリットノズル41の内部へと連続的に注入されていくことになる。このとき、レジスト液は、ギャップ41aにも順次に充填されていくことになるが、ギャップ41aの下端側にはスリット41bが形成されていることから、レジスト液は該スリット41bから充填ポットPT1へと流出して充填ポットPT1に貯留されることになる。   When the slit nozzle 41 is disposed at the filling position, the resist solution R is supplied by a fixed liquid feed by the supply pump 92 or a pressurized supply from the resist solution supply source 91 in a state where the valves V2 and V3 are all opened. I do. As a result, as shown in FIG. 6B, the resist solution R that has passed through the resist solution supply path L <b> 1 is continuously injected from the supply port 46 at the upper end of the slit nozzle 41 into the slit nozzle 41. It will follow. At this time, the resist solution is sequentially filled in the gap 41a, but since the slit 41b is formed on the lower end side of the gap 41a, the resist solution is supplied from the slit 41b to the filling pot PT1. And then stored in the filling pot PT1.

このとき、スリットノズル41の内部に存在するレジスト液にはエアーが気泡として混入している可能性が高いが、こうした気泡は、ギャップ41aさらにはスリット41bを通じてレジスト液Rが順次に排出される際に消滅したり、あるいは貯留されたレジスト液Rの液面から消失する。従って、充填ポットPT1に貯留されたレジスト液Rの内部におけるエアーの混入度合は、レジスト液Rが供給された時のエアーの混入度合よりも大きく低減していることになる。   At this time, there is a high possibility that air is mixed as bubbles in the resist solution present in the slit nozzle 41. These bubbles are generated when the resist solution R is sequentially discharged through the gap 41a and the slit 41b. Or disappear from the liquid level of the stored resist solution R. Accordingly, the degree of air mixing inside the resist solution R stored in the filling pot PT1 is greatly reduced from the degree of air mixing when the resist solution R is supplied.

レジスト液Rの供給は、充填ポットPT1にスリットノズル41の内部容積に相当する量以上の所定量のレジスト液Rが貯留されるまで続けられる。なお、本実施の形態に係る基板処理装置1においては、該所定量のレジスト液Rが貯留された際にはスリット41bの部分がレジスト液Rに浸漬された状態が実現されるように、スリットノズル41の配置、充填ポットPT1の形状などがあらかじめ設定されてなる。   The supply of the resist solution R is continued until a predetermined amount of the resist solution R equal to or larger than the internal volume of the slit nozzle 41 is stored in the filling pot PT1. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, when the predetermined amount of resist solution R is stored, the slit 41b is so formed that the slit 41b is immersed in the resist solution R. The arrangement of the nozzle 41, the shape of the filling pot PT1, and the like are set in advance.

該所定量のレジスト液Rにて充填ポットPT1が満たされると、バルブV2、V3を「閉」状態とし、吸引ポンプ98を作動させたうえで、エアー抜きバルブV1を「開」状態とする。これにより、図6(c)に示すように、スリットノズル41の内部に充填されているレジスト液Rがエアー抜き経路L2の方へ順次に吸引されていくことになる。そして、これに伴って、充填ポットPT1に貯留されていたレジスト液Rがスリットノズル41の内部に充填されることになる。これは、スリットノズル41の内部にあるエアーの混入度合が大きいレジスト液Rを、充填ポットPT1にあるエアーの混入度合の小さいレジスト液Rで置換することにより、エアーの混入度合の小さいレジスト液Rをスリットノズル41の内部に充填する処理を行っていることを意味する。このとき、エアーの混入度合が低減したか否かは、エアーセンサ95が受光する反射ビームBM2の変動によって把握することができる。   When the filling pot PT1 is filled with the predetermined amount of resist solution R, the valves V2 and V3 are set to the “closed” state, the suction pump 98 is operated, and the air vent valve V1 is set to the “open” state. As a result, as shown in FIG. 6C, the resist solution R filled in the slit nozzle 41 is sequentially sucked toward the air vent path L2. Along with this, the resist liquid R stored in the filling pot PT1 is filled into the slit nozzle 41. This is because the resist solution R in the slit nozzle 41 having a high air mixing rate is replaced with a resist solution R having a low air mixing rate in the filling pot PT1, thereby causing a resist solution R having a low air mixing rate. Means that the process of filling the inside of the slit nozzle 41 is performed. At this time, whether or not the degree of air mixing has been reduced can be grasped by the fluctuation of the reflected beam BM2 received by the air sensor 95.

このレジスト液Rの吸引動作は、内部容積以上のレジスト液Rが吸引されるまで、換言すれば、内部容積相当分の所定量のレジスト液Rが置換されるまで行う。係る量のレジスト液Rが吸引されると、バルブV1を「閉」状態として、吸引ポンプによる吸引を停止することにより、スリットノズル41の内部へのレジスト液Rの充填が完了する(図6(d))。   The suction operation of the resist solution R is performed until the resist solution R having an internal volume or more is sucked, in other words, until a predetermined amount of the resist solution R corresponding to the internal volume is replaced. When this amount of resist solution R is sucked, the valve V1 is set to the “closed” state, and suction by the suction pump is stopped, whereby the filling of the resist solution R into the slit nozzle 41 is completed (FIG. 6 ( d)).

レジスト液Rの充填が完了すると、スリットノズル41を待機位置へと速やかに移動させ、スリットノズル41のスリット41b近傍をノズル洗浄機構7によって洗浄処理する。ノズル洗浄機構7は、所定の洗浄処理を施した後、図示しない退避位置に退避する。   When the filling of the resist solution R is completed, the slit nozzle 41 is quickly moved to the standby position, and the vicinity of the slit 41b of the slit nozzle 41 is cleaned by the nozzle cleaning mechanism 7. After performing a predetermined cleaning process, the nozzle cleaning mechanism 7 retreats to a retreat position (not shown).

なお、マニホールド45、さらには配管96の内部がひとたびレジスト液Rで満たされた後に、気泡を含むレジスト液Rが流入することは十分に起こりうる。その結果、図5(c)に矢印AR1にて示すように、レジスト液R中の気泡BL1がU字型に曲折させて設けられた配管96の頂点部分(U字型の底部部分)近傍にまで達することによって、エアー溜まりP1が形成されることがある。エアー溜まりP1がある状態では、反射ビームBM2の光強度は、レジスト液Rが完全に充填された状態よりも大きくなることから、光強度の変動を監視することで、こうしたエアー溜まりP1の形成の有無を判定することができる。例えば、いったんレジスト充填動作を終了してから所定時間だけ光強度の変動を監視し、光強度が当該しきい値以下でほぼ一定であれば、マニホールド45にはエアーは混入しておらず、エアー溜まりP1も形成されていないと判断する、等の態様をとることが考えられる。   It should be noted that the resist solution R containing air bubbles can sufficiently flow after the manifold 45 and further the inside of the pipe 96 are once filled with the resist solution R. As a result, as indicated by an arrow AR1 in FIG. 5C, the bubble BL1 in the resist solution R is near the apex portion (U-shaped bottom portion) of the pipe 96 provided by bending it into a U-shape. Air pool P1 may be formed. In the state where there is an air pool P1, the light intensity of the reflected beam BM2 is larger than that in the state where the resist solution R is completely filled. Therefore, by monitoring the fluctuation of the light intensity, the formation of such an air pool P1 is performed. The presence or absence can be determined. For example, once the resist filling operation is finished, the fluctuation of the light intensity is monitored for a predetermined time, and if the light intensity is substantially constant below the threshold value, air is not mixed into the manifold 45 and the air is not mixed. It can be considered that it is determined that the pool P1 is not formed.

また、必要であれば、十分にエアーを除去すべく、いったん終了した上記の充填動作を繰り返してもよい。この充填動作を、以下「エアー抜き動作」と称する。エアー抜き動作を行う場合は、スリットノズル41を再び充填位置に移動させたうえで、上記と同じように、レジスト液供給経路L1を通じたレジスト液の供給と、エアー抜き経路L2を通じたレジスト液の吸引と、その後の洗浄処理とを行うことになる。   If necessary, the above filling operation once completed may be repeated in order to sufficiently remove air. This filling operation is hereinafter referred to as “air bleeding operation”. When performing the air venting operation, the slit nozzle 41 is moved again to the filling position, and in the same manner as described above, the resist solution is supplied through the resist solution supply path L1 and the resist solution is supplied through the air vent path L2. Suction and a subsequent cleaning process are performed.

<塗布動作>
次に、スリットノズル41によるレジスト液の塗布動作について概説する。まず、オペレータまたは図示しない搬送機構により、基板90がステージ3の所定位置に搬送され、保持面30に吸着保持される。
<Application operation>
Next, the resist liquid application operation by the slit nozzle 41 will be outlined. First, the substrate 90 is transported to a predetermined position of the stage 3 by an operator or a transport mechanism (not shown), and is sucked and held on the holding surface 30.

走行機構5は、スリットノズル41を含む架橋構造4をプリ塗布位置に移動させる。そして、昇降機構43,44により、スリットノズル41の高さ方向の位置調節がなされる。その後、駆動機構15によるディスペンスロール14の回動に同期して、供給ポンプ92が所定時間だけ所定の圧力にてレジスト液に対し押圧することにより、ディスペンスロール14のある被塗布面へのレジスト液の塗布、つまりはプリ塗布処理がなされる。   The traveling mechanism 5 moves the bridging structure 4 including the slit nozzle 41 to the pre-coating position. Then, the position of the slit nozzle 41 in the height direction is adjusted by the lifting mechanisms 43 and 44. Thereafter, in synchronization with the rotation of the dispense roll 14 by the drive mechanism 15, the supply pump 92 presses the resist liquid at a predetermined pressure for a predetermined time, whereby the resist liquid on the coated surface on which the dispense roll 14 is provided. Is applied, that is, a pre-coating process is performed.

プリ塗布処理を終えると、走行機構5が、架橋構造4を基板90上の本塗布処理を行う位置に移動させるとともに、昇降機構43,44が所定の高さにスリットノズル41の高さを調節する。なお、好ましくは、スリットノズル41の高さは、塗布処理に先立って、保持面30上に保持された基板上を架橋構造4に走査させ、ギャップセンサ42によって基板90の厚みを計測し、その結果に基づいて設定される。厚みの計測は、塗布処理を行う都度に実行しても良いし、同一形状であって、寸法精度が高い基板90を連続して処理するような場合であれば、最初の一枚について測定し、以降の基板90の処理においてはその結果を用いる態様でもよい。   When the pre-coating process is completed, the traveling mechanism 5 moves the bridging structure 4 to a position on the substrate 90 where the main coating process is performed, and the elevating mechanisms 43 and 44 adjust the height of the slit nozzle 41 to a predetermined height. To do. Preferably, the height of the slit nozzle 41 is set so that the bridge structure 4 is scanned over the substrate held on the holding surface 30 and the thickness of the substrate 90 is measured by the gap sensor 42 before the coating process. Set based on the result. The thickness may be measured each time the coating process is performed, or if the substrate 90 having the same shape and high dimensional accuracy is continuously processed, the thickness of the first sheet is measured. In the subsequent processing of the substrate 90, the result may be used.

これらの位置調整が完了次第、走行機構5が架橋構造4を所定の速さで移動させつつ、供給ポンプ92によって所定圧力にてレジスト液を押圧することにより、基板90へのレジスト液の塗布、つまりは本塗布処理がなされる。   As soon as these position adjustments are completed, the traveling mechanism 5 moves the bridging structure 4 at a predetermined speed, and presses the resist liquid at a predetermined pressure by the supply pump 92, thereby applying the resist liquid to the substrate 90. That is, the main coating process is performed.

本塗布処理が終了すると、走行機構5が架橋構造4を移動させることにより、スリットノズル41は待機位置に復帰する。   When the main coating process is completed, the traveling mechanism 5 moves the bridging structure 4 so that the slit nozzle 41 returns to the standby position.

また、プリ塗布処理や本塗布処理の間も、レジスト液にエアーが気泡として混入することは起こりうる。その結果、上述のようなエアー溜まりP1が塗布処理中に形成されることもある。そこで、センシング部94においてエアーセンサ95が常に反射ビームBM2の光強度をモニターすることにより、所定のしきい値を越えて光強度が変動した場合に、塗布処理を中断し、再度のエアー抜き動作を行う態様をとってもよい。   In addition, air can be mixed in the resist solution as bubbles during the pre-coating process and the main coating process. As a result, the air reservoir P1 as described above may be formed during the coating process. Accordingly, the air sensor 95 always monitors the light intensity of the reflected beam BM2 in the sensing unit 94, so that when the light intensity fluctuates beyond a predetermined threshold value, the coating process is interrupted and the air bleeding operation is performed again. A mode of performing

以上、説明したように、本実施の形態に係る基板処理装置1においては、レジスト液供給源91から供給したレジスト液を、スリットノズル41の内部を介していったん充填ポットPT1に貯留し、該充填ポットPT1に供給されたレジスト液を吸引することによって、スリットノズル41の内部にレジスト液を充填する。その際、レジスト液に混入するエアーは待機ポットへの貯留によって消滅するので、エアーの混入度合が大きく低減されたレジスト液をスリットノズル41の内部に充填することができる。従って、スリットノズル41を反転する機構を備えない簡単な構成によって、確実にエアーを除去することができる。   As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the resist solution supplied from the resist solution supply source 91 is temporarily stored in the filling pot PT1 through the inside of the slit nozzle 41, and the filling is performed. By aspirating the resist solution supplied to the pot PT1, the inside of the slit nozzle 41 is filled with the resist solution. At that time, the air mixed in the resist solution disappears by storing in the standby pot, so that the resist solution in which the air mixing degree is greatly reduced can be filled in the slit nozzle 41. Therefore, air can be reliably removed with a simple configuration that does not include a mechanism for reversing the slit nozzle 41.

<第2の実施の形態>
第1の実施の形態に係る基板処理装置1においても、用いるレジスト液の種類によっては、十分なエアーの除去ができない場合がある。例えば、レジスト液が、粘性の高い物質であって、スリットノズルの内面に対するぬれ性が悪い物質である場合には、スリットノズルに充填されたとしても、レジスト液とスリットノズルの内面との界面においてエアーが残存してしまう場合が起こりうる。本実施の形態においては、こうした状況を回避し、より確実にエアーの除去が行える態様について説明する。なお、本実施の形態に係る基板処理装置の構成の大半は第1の実施の形態に係る基板処理装置1と同じであるので、以下の説明においては、第1の実施の形態に係る基板処理装置1における構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
<Second Embodiment>
Even in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, sufficient air may not be removed depending on the type of resist solution used. For example, when the resist solution is a highly viscous substance and has poor wettability with respect to the inner surface of the slit nozzle, even if it is filled in the slit nozzle, the resist solution is in contact with the inner surface of the slit nozzle. There may be cases where air remains. In the present embodiment, a mode in which such a situation can be avoided and air can be removed more reliably will be described. Since most of the configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment is the same as that of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, in the following description, the substrate processing according to the first embodiment is performed. Constituent elements that are the same as the constituent elements in the device 1 are assigned the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

図7は、第2の実施の形態に係るスリットノズル41と供給機構9とを模式的に示す図である。   FIG. 7 is a diagram schematically illustrating the slit nozzle 41 and the supply mechanism 9 according to the second embodiment.

図7に示された供給機構9は、図3に示されたものとほぼ共通するが、レジスト液の充填に先立ってスリットノズル41に供給される所定の前処理液Wが貯留された前処理液供給源97と、該前処理液供給源97からの前処理液の供給と、レジスト液供給源91からのレジスト液の供給を選択的に切替可能な切替バルブV6とを備える点で相違している。本実施の形態に係る基板処理装置1は、切替バルブV6を適宜に作動させることによって、前処理液Wの供給と、レジスト液Rの供給とを切り替えることができる。   The supply mechanism 9 shown in FIG. 7 is substantially the same as that shown in FIG. 3, but a pretreatment in which a predetermined pretreatment liquid W supplied to the slit nozzle 41 prior to filling of the resist liquid is stored. The liquid supply source 97 is different in that it includes a switching valve V6 that can selectively switch the supply of the pretreatment liquid from the pretreatment liquid supply source 97 and the supply of the resist liquid from the resist liquid supply source 91. ing. The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment can switch between the supply of the pretreatment liquid W and the supply of the resist liquid R by appropriately operating the switching valve V6.

前処理液Wとしては、流動性やスリットノズル41の内部に対するぬれ性がレジスト液Rよりも良い液体、好ましくは、係る要件を満たすレジスト液Rに含まれる成分の一部、もしくはレジスト液Rの低粘度液を用いる。後者の場合、粘度が3cp以下に調製されているのがより好ましい。   As the pretreatment liquid W, a liquid having better fluidity and wettability with respect to the inside of the slit nozzle 41 than the resist liquid R, preferably a part of the components contained in the resist liquid R satisfying such requirements, or the resist liquid R Use a low viscosity liquid. In the latter case, the viscosity is more preferably adjusted to 3 cp or less.

図8および図9は、本実施の形態に係るレジスト液の充填動作を説明するための図である。図8および図9はいずれも、図4と同じ長手方向に平行な断面についての、レジスト液が供給される際のスリットノズル41の様子を示す模式図である。   8 and 9 are diagrams for explaining the filling operation of the resist solution according to the present embodiment. FIGS. 8 and 9 are both schematic views showing the state of the slit nozzle 41 when the resist solution is supplied with respect to the same cross-section parallel to the longitudinal direction as in FIG.

本実施の形態においてスリットノズル41にレジスト液Rを供給する場合も、まず、スリットノズル41を充填位置に移動させる(図8(a))。なお、この時点では、切替バルブV6は、前処理液Wを供給するように切り替えられている。   In the present embodiment, when the resist solution R is supplied to the slit nozzle 41, first, the slit nozzle 41 is moved to the filling position (FIG. 8A). At this time, the switching valve V6 is switched to supply the pretreatment liquid W.

スリットノズル41が充填位置に配置されると、バルブV2,V3を全て「開」にした状態で、供給ポンプ92を作動させる。これにより、図8(b)に示すように、前処理液供給源97から前処理液Wが汲み上げられて、レジスト液供給経路L1を通って供給口46からスリットノズル41の内部へと連続的に注入されることになる。第1の実施の形態におけるレジスト液の供給時と同様に、前処理液Wは、ギャップ41aにも順次に供給され、ギャップ41aの下端のスリット41bから充填ポットPT1へと流出する。流出した前処理液Wは、供給ポットPT1に貯留される。係る供給は、スリットノズル41の下端のスリット41bの近傍が前処理液Wに浸漬された状態となるまで続けられる。スリット41bの近傍が前処理液Wに浸漬されると、前処理液Wの供給を停止し、今度は、図8(c)に示すように、吸引ポンプ98を作動させることによって、エアー抜き経路L2を通じて前処理液Wを吸引する。スリット41bの側からエアーが侵入することのないよう、前処理液Wの吸引は、スリット41bの近傍が浸漬されている範囲で行う(図8(d))。   When the slit nozzle 41 is arranged at the filling position, the supply pump 92 is operated with all the valves V2 and V3 opened. As a result, as shown in FIG. 8B, the pretreatment liquid W is pumped up from the pretreatment liquid supply source 97 and continuously passes from the supply port 46 to the inside of the slit nozzle 41 through the resist liquid supply path L1. Will be injected. Similar to the supply of the resist solution in the first embodiment, the pretreatment solution W is also sequentially supplied to the gap 41a and flows out from the slit 41b at the lower end of the gap 41a to the filling pot PT1. The pretreatment liquid W that has flowed out is stored in the supply pot PT1. Such supply is continued until the vicinity of the slit 41b at the lower end of the slit nozzle 41 is immersed in the pretreatment liquid W. When the vicinity of the slit 41b is immersed in the pretreatment liquid W, the supply of the pretreatment liquid W is stopped, and this time, as shown in FIG. The pretreatment liquid W is sucked through L2. The pretreatment liquid W is sucked in the range where the vicinity of the slit 41b is immersed so that air does not enter from the slit 41b side (FIG. 8D).

前処理液Wは、スリットノズル41の内面に対するぬれ性がよいので、このように供給および吸引を行うことにより、スリットノズル41の内面は、確実に、充填された前処理液Wで「ぬれた」状態となり、スリットノズル41の内面と前処理液Wとの界面において気泡が残存することはない。   Since the pretreatment liquid W has good wettability with respect to the inner surface of the slit nozzle 41, the inner surface of the slit nozzle 41 is reliably “wetted with the filled pretreatment liquid W by supplying and sucking in this way. In other words, no bubbles remain at the interface between the inner surface of the slit nozzle 41 and the pretreatment liquid W.

吸引ポンプ98による前処理液Wの吸引動作を終えると、切替バルブV6をレジスト液Rを供給可能に切り替える。そして、図9(a)に示すように、前処理液Wが充填されたスリットノズル41に対し、レジスト液供給経路L1を介してレジスト液Rを供給する。係る供給を行うと、スリットノズル41の内部に充填されていた前処理液Wが、図9(b)に示すように、順次にレジスト液Rによって置換されていくことになる。レジスト液Rの供給は、スリットノズル41の内部がレジスト液Rにて置換されるまで行う(図9(c))。   When the suction operation of the pretreatment liquid W by the suction pump 98 is finished, the switching valve V6 is switched so that the resist liquid R can be supplied. Then, as shown in FIG. 9A, the resist solution R is supplied to the slit nozzle 41 filled with the pretreatment solution W through the resist solution supply path L1. When such supply is performed, the pretreatment liquid W filled in the slit nozzle 41 is sequentially replaced by the resist liquid R as shown in FIG. 9B. The resist solution R is supplied until the inside of the slit nozzle 41 is replaced with the resist solution R (FIG. 9C).

上述のように、内面が十分にぬれた状態とされたスリットノズル41の内部に対して、レジスト液Rを供給していることから、スリットノズル41の内面とレジスト液との界面においてエアーの介在を生じさせることなく、レジスト液Rがスリットノズル41の内部に充填されることになる。また、あらかじめ前処理液Wが充填されているところにレジスト液Rを供給していることから、この供給に起因したエアーの混入は生じにくくなっているが、さらに確実にエアーを除去するには、第1の実施の形態に示したようなエアー抜き動作を、引き続き行ってもよい。   As described above, since the resist solution R is supplied to the inside of the slit nozzle 41 in which the inner surface is sufficiently wet, air is interposed at the interface between the inner surface of the slit nozzle 41 and the resist solution. The resist solution R is filled into the slit nozzle 41 without causing the above. In addition, since the resist solution R is supplied to the place where the pretreatment liquid W is filled in advance, it is difficult for air to be mixed due to this supply. The air venting operation as shown in the first embodiment may be continued.

以上、説明したように、本実施の形態に係る基板処理装置においては、いったんぬれ性の良い前処理液をスリットノズルの内部に充填した上で、これを置換しつつレジスト液を供給することにより、レジスト液の充填に際してのエアーの混入を回避することができる。   As described above, in the substrate processing apparatus according to the present embodiment, once the pretreatment liquid with good wettability is once filled in the slit nozzle, the resist liquid is supplied while replacing this. In addition, air can be prevented from being mixed when the resist solution is filled.

<変形例>
上述の実施の形態では、充填ポットPT1はあらかじめ設けられているが、これに代わり、充填ポットを着脱自在なものとし、充填動作を行う際には、スリットノズルを所定位置に移動させたうえで、充填ポットを適宜の方法によってスリットノズル41に対し固定することにより、動作を行う態様であってもよい。
<Modification>
In the above-described embodiment, the filling pot PT1 is provided in advance, but instead, the filling pot is removable, and when performing the filling operation, the slit nozzle is moved to a predetermined position. The operation may be performed by fixing the filling pot to the slit nozzle 41 by an appropriate method.

第1の実施の形態では、レジスト液をいったんスリットノズル内部を通過させたうえで充填ポットにレジスト液を貯留し、その後これを吸引することによって、エアーの混入が抑制されたレジスト液を充填しているが、これに代わり、あらかじめ充填ポットにレジスト液を充填しておき、液面からエアーを十分に除去させたうえで、これをスリットノズル内部に吸引することによって、エアーの混入の抑制されたレジスト液を充填する態様であってもよい。ただし、充填ポットへのレジスト液の供給手段を別途に設ける必要がない点で、第1の実施の形態の方が優れている。   In the first embodiment, after the resist solution is once passed through the slit nozzle, the resist solution is stored in the filling pot, and then sucked to fill the resist solution in which air mixing is suppressed. However, instead of this, the filling pot is filled with a resist solution in advance, and air is sufficiently removed from the liquid surface. Alternatively, the resist solution may be filled. However, the first embodiment is superior in that it is not necessary to separately provide a means for supplying a resist solution to the filling pot.

レジスト液供給経路L1に脱気モジュールをさらに設け、レジスト液中の溶存酸素を除去することによって、より微細なエアーの除去を行える態様であってもよい。   A mode in which finer air can be removed by further providing a degassing module in the resist solution supply path L1 and removing dissolved oxygen in the resist solution may be employed.

第2の実施の形態においては、スリットノズルの内部を前処理液にて充填する態様を取っているが、スリットノズルの内面が前処理液でぬれた状態を実現しておき、その後、第1の実施の形態に示すようなレジストの充填動作を行うことによっても、エアーの除去に対して一定の効果が得られる。   In the second embodiment, the inside of the slit nozzle is filled with the pretreatment liquid, but the state in which the inner surface of the slit nozzle is wet with the pretreatment liquid is realized, and then the first Also by performing the resist filling operation as shown in the embodiment, a certain effect can be obtained for air removal.

また、上述の実施の形態では、レジスト液の供給、および吸引による排出のいずれもが、供給口46を介して行われているが、本発明においてとり得る構成態様は、これに限定されるものではない。図10は、レジスト液供給経路L1と接続されたレジスト液の供給口146aと、エアー抜き経路L2と接続された排出口146bとが独立して設けられる場合のスリットノズル141の断面模式図である。図10において排出口146bは、レジスト液中のエアーがより抜けやすい位置に配置されてなる。   In the above-described embodiment, both the supply of the resist solution and the discharge by suction are performed through the supply port 46. However, the configuration modes that can be taken in the present invention are limited to this. is not. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the slit nozzle 141 when a resist solution supply port 146a connected to the resist solution supply path L1 and a discharge port 146b connected to the air vent path L2 are provided independently. . In FIG. 10, the discharge port 146b is arranged at a position where air in the resist solution is more easily removed.

第1の実施の形態に係る基板処理装置1の概略を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment. 基板処理装置1の本体2の側断面と、レジスト液の塗布動作に係る主たる構成要素を示す図である。It is a figure which shows the main components which concern on the side cross section of the main body 2 of the substrate processing apparatus 1, and the application | coating operation | movement of a resist liquid. スリットノズル41と該スリットノズル41にレジスト液を供給するための供給機構9とを模式的に示す図である。2 is a diagram schematically showing a slit nozzle 41 and a supply mechanism 9 for supplying a resist solution to the slit nozzle 41. FIG. スリットノズル41の図3におけるA−A’断面を示す図である。It is a figure which shows the A-A 'cross section in FIG. 3 of the slit nozzle 41. FIG. センシング部94について説明する図である。It is a figure explaining the sensing part 94. FIG. レジスト液が供給される際のスリットノズル41の様子を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the mode of the slit nozzle 41 when a resist liquid is supplied. 第2の実施の形態に係るスリットノズル41と供給機構9とを模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the slit nozzle 41 and supply mechanism 9 which concern on 2nd Embodiment. 本実施の形態に係るレジスト液の充填動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the filling operation | movement of the resist liquid which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るレジスト液の充填動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the filling operation | movement of the resist liquid which concerns on this Embodiment. スリットノズルの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a slit nozzle.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
3 ステージ
4 架橋構造
7 ノズル洗浄機構
9 (レジスト液の)供給機構
13 プリ塗布機構
14 ディスペンスロール
14s 被塗布面
15 (ディスペンスロールの)駆動機構
16 ディスペンスロールスクレーパ
17 ディスペンスポット
30 保持面
31 走行レール
32 開口
40 ノズル支持部
41,141 スリットノズル
41a ギャップ
41b スリット
42 ギャップセンサ
43,44 昇降機構
45,145 マニホールド
46 (レジスト液の)供給口
50,51 リニアモータ
71 (ノズル洗浄機構の)駆動機構
72 スクレーパ
90 基板
91 レジスト液供給源
92 供給ポンプ
94 センシング部
95 エアーセンサ
96 配管
97 前処理液供給源
BM1 入射ビーム
BM2 反射ビーム
L1 レジスト液供給経路
L2 エアー抜き経路
PT1 充填ポット
PT2 待機ポット
V1 エアー抜きバルブ
V6 切替バルブ
W 前処理液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Stage 4 Bridged structure 7 Nozzle cleaning mechanism 9 (Resist liquid) supply mechanism 13 Pre-coating mechanism 14 Dispense roll 14s Surface to be coated 15 (Dispense roll) drive mechanism 16 Dispense roll scraper 17 Dispense spot 30 Holding surface 31 Traveling rail 32 Opening 40 Nozzle support 41, 141 Slit nozzle 41a Gap 41b Slit 42 Gap sensor 43, 44 Elevating mechanism 45, 145 Manifold 46 (Resist liquid) supply port 50, 51 Linear motor 71 (Nozzle cleaning mechanism) Drive mechanism 72 Scraper 90 Substrate 91 Resist liquid supply source 92 Supply pump 94 Sensing unit 95 Air sensor 96 Pipe 97 Pretreatment liquid supply source BM1 Incident beam BM2 Reflected beam L1 Resist liquid Feeding path L2 air vent path PT1 filled pot PT2 standby pot V1 air vent valve V6 selector valve W pretreatment liquid

Claims (9)

基板を保持する保持台と、
所定の処理液を吐出する吐出口を備えるスリットノズルと、
前記吐出口から前記所定の処理液を吐出させる吐出手段と、
前記スリットノズルを前記基板の表面に沿った略水平方向に移動させる移動手段と、
を備え、
前記スリットノズルを前記略水平方向に移動させることによって前記スリットノズルに前記基板の表面を走査させつつ、前記所定の処理液を吐出させることにより、前記所定の処理液を基板に塗布する基板処理装置であって、
前記所定の処理液を貯留する貯留容器と、
前記スリットノズル内部に存在する気体および気体が混入した前記処理液を吸引する吸引手段と、
をさらに備え、
前記スリットノズルの吐出口を前記貯留容器に貯留されている前記所定の処理液に浸漬した状態で前記吸引手段を作動することにより、前記貯留容器に貯留された前記所定の処理液を前記吐出口から前記スリットノズルの内部に充填する、
ことを特徴とする基板処理装置。
A holding table for holding a substrate;
A slit nozzle having a discharge port for discharging a predetermined treatment liquid;
Discharge means for discharging the predetermined processing liquid from the discharge port;
Moving means for moving the slit nozzle in a substantially horizontal direction along the surface of the substrate;
With
A substrate processing apparatus for applying the predetermined processing liquid to the substrate by discharging the predetermined processing liquid while causing the slit nozzle to scan the surface of the substrate by moving the slit nozzle in the substantially horizontal direction. Because
A storage container for storing the predetermined processing liquid;
Suction means for sucking the gas present in the slit nozzle and the treatment liquid mixed with the gas;
Further comprising
By operating the suction means with the discharge port of the slit nozzle immersed in the predetermined processing liquid stored in the storage container, the predetermined processing liquid stored in the storage container is discharged to the discharge port. From the inside of the slit nozzle,
A substrate processing apparatus.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は所定の処理液供給源から前記所定の処理液を前記スリットノズルに供給する処理液供給手段を兼ねており、
前記処理液供給手段によっていったん前記スリットノズルに供給された前記所定の処理液が、前記吐出口から流出することにより前記貯留容器へ貯留される、
ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The discharge means also serves as a processing liquid supply means for supplying the predetermined processing liquid from a predetermined processing liquid supply source to the slit nozzle,
The predetermined processing liquid once supplied to the slit nozzle by the processing liquid supply means is stored in the storage container by flowing out from the discharge port.
A substrate processing apparatus.
請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、前記所定の処理液と、所定の前処理液供給源から取得され前記所定の処理液よりも前記スリットノズルに対するぬれ性がよい前処理液とを選択的に供給可能である、
ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
The processing liquid supply means can selectively supply the predetermined processing liquid and a preprocessing liquid obtained from a predetermined preprocessing liquid supply source and having better wettability to the slit nozzle than the predetermined processing liquid. is there,
A substrate processing apparatus.
請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記前処理液を前記スリットノズルの内部に充填させた後に、前記所定の処理液にて前記前処理液を置換することにより前記スリットノズルの内部に前記所定の処理液を充填する、
ことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
After the pretreatment liquid is filled into the slit nozzle, the predetermined treatment liquid is filled into the slit nozzle by replacing the pretreatment liquid with the predetermined treatment liquid.
A substrate processing apparatus.
請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記前処理液は前記所定の処理液に含まれる成分であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein:
The substrate processing apparatus, wherein the pretreatment liquid is a component contained in the predetermined treatment liquid.
請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記前処理液は前記所定の処理液の低粘度液であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein:
The substrate processing apparatus, wherein the pretreatment liquid is a low viscosity liquid of the predetermined treatment liquid.
所定の移動手段によって移動させられることにより被処理体の表面を走査しつつ、所定の吐出手段によって所定の処理液を吐出口から吐出することによって、前記被処理体に前記所定の処理液を付与するスリットノズル、
への前記所定の処理液の充填方法であって、
前記所定の処理液を所定の貯留容器に貯留する貯留工程と、
前記スリットノズルの吐出口を前記貯留容器に貯留されている前記所定の処理液に浸漬させる工程と、
前記吐出口が前記所定の処理液に浸漬された状態で、前記スリットノズル内部に存在する気体および気体が混入した前記処理液を吸引することにより、前記貯留容器に貯留された前記所定の処理液を前記吐出口から前記スリットノズルの内部に充填する充填工程と、
を備えることを特徴とするスリットノズルへの処理液の充填方法。
The predetermined processing liquid is applied to the target object by discharging the predetermined processing liquid from the discharge port by the predetermined discharging means while scanning the surface of the target object by being moved by the predetermined moving means. Slit nozzle,
A method of filling the predetermined processing liquid into
A storage step of storing the predetermined processing liquid in a predetermined storage container;
Immersing the discharge port of the slit nozzle in the predetermined treatment liquid stored in the storage container;
In a state where the discharge port is immersed in the predetermined processing liquid, the predetermined processing liquid stored in the storage container is sucked by the gas existing in the slit nozzle and the processing liquid mixed with the gas. Filling the inside of the slit nozzle from the discharge port,
A method for filling a slit nozzle with a treatment liquid.
請求項7に記載の充填方法であって、
前記貯留工程においては、
前記スリットノズルにいったん供給した前記所定の処理液を前記吐出口から流出させることにより前記貯留容器へ貯留する、
ことを特徴とするスリットノズルへの処理液の充填方法。
The filling method according to claim 7,
In the storage step,
The predetermined processing liquid once supplied to the slit nozzle is stored in the storage container by flowing out from the discharge port.
A method for filling a slit nozzle with a treatment liquid.
請求項8に記載の充填方法であって、
所定の前処理液供給源から前記所定の処理液よりも前記スリットノズルに対するぬれ性がよい前処理液を取得し前記スリットノズルに供給する前処理液供給工程、
をさらに含み、
前記前処理液を前記スリットノズルの内部に充填させた後に、前記所定の処理液にて前記前処理液を置換することにより前記スリットノズルの内部に前記所定の処理液を充填する、
ことを特徴とするスリットノズルへの処理液の充填方法。
The filling method according to claim 8,
A pretreatment liquid supply step of obtaining a pretreatment liquid having better wettability with respect to the slit nozzle than the predetermined treatment liquid from a predetermined pretreatment liquid supply source and supplying the pretreatment liquid to the slit nozzle;
Further including
After the pretreatment liquid is filled into the slit nozzle, the predetermined treatment liquid is filled into the slit nozzle by replacing the pretreatment liquid with the predetermined treatment liquid.
A method for filling a slit nozzle with a treatment liquid.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007330895A (en) * 2006-06-15 2007-12-27 Toray Ind Inc Coating device, coating method, and method of and apparatus for manufacturing member for display
CN103246165A (en) * 2013-04-25 2013-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 Photoresist coating device and coating method thereof
KR101325034B1 (en) 2006-03-31 2013-11-04 도레이 카부시키가이샤 Coating method and coating device, manufacturing method and manufacturing equipment of member for display
WO2015025636A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 オリジン電気株式会社 Die head and coating liquid application method
JP2015157270A (en) * 2014-02-25 2015-09-03 東京応化工業株式会社 Nozzle and coater
KR20170103057A (en) * 2016-03-02 2017-09-13 삼성디스플레이 주식회사 Slit coater
WO2021187908A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-23 주식회사 엘지에너지솔루션 Slot die coating device
KR20210117966A (en) * 2020-03-19 2021-09-29 주식회사 엘지화학 Slot die coating apparatus
CN115364638A (en) * 2022-08-12 2022-11-22 广东申安建设科技有限公司 Laboratory exhaust treatment system

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI561312B (en) * 2006-03-31 2016-12-11 Toray Industries Coating method, coating device and manufacturing method and manufacturing device for components of a display
KR101325034B1 (en) 2006-03-31 2013-11-04 도레이 카부시키가이샤 Coating method and coating device, manufacturing method and manufacturing equipment of member for display
JP2007330895A (en) * 2006-06-15 2007-12-27 Toray Ind Inc Coating device, coating method, and method of and apparatus for manufacturing member for display
CN103246165A (en) * 2013-04-25 2013-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 Photoresist coating device and coating method thereof
WO2015025636A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 オリジン電気株式会社 Die head and coating liquid application method
JP2015039683A (en) * 2013-08-23 2015-03-02 オリジン電気株式会社 Die head and method for coating with coating slip
JP2015157270A (en) * 2014-02-25 2015-09-03 東京応化工業株式会社 Nozzle and coater
KR20170103057A (en) * 2016-03-02 2017-09-13 삼성디스플레이 주식회사 Slit coater
KR102466419B1 (en) * 2016-03-02 2022-11-11 삼성디스플레이 주식회사 Slit coater
WO2021187908A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-23 주식회사 엘지에너지솔루션 Slot die coating device
KR20210117966A (en) * 2020-03-19 2021-09-29 주식회사 엘지화학 Slot die coating apparatus
CN114007763A (en) * 2020-03-19 2022-02-01 株式会社Lg新能源 Slit die coating apparatus
CN114007763B (en) * 2020-03-19 2024-02-20 株式会社Lg新能源 Slit die coating equipment
KR102655289B1 (en) * 2020-03-19 2024-04-05 주식회사 엘지에너지솔루션 Slot die coating apparatus
CN115364638A (en) * 2022-08-12 2022-11-22 广东申安建设科技有限公司 Laboratory exhaust treatment system

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