JP2005140936A - Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing substrate - Google Patents

Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2005140936A
JP2005140936A JP2003376239A JP2003376239A JP2005140936A JP 2005140936 A JP2005140936 A JP 2005140936A JP 2003376239 A JP2003376239 A JP 2003376239A JP 2003376239 A JP2003376239 A JP 2003376239A JP 2005140936 A JP2005140936 A JP 2005140936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
mask
shutter
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003376239A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4693347B2 (en
Inventor
Nobuhisa Komatsu
伸壽 小松
Satoshi Takahashi
聡 高橋
Hiroyuki Kanda
宏幸 神田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP2003376239A priority Critical patent/JP4693347B2/en
Publication of JP2005140936A publication Critical patent/JP2005140936A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4693347B2 publication Critical patent/JP4693347B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent insufficient exposure light or duplicated exposure near the boundary of an exposure region when the light irradiating a mask is partly cut to restrict the exposure area in the exposure of a substrate by using a proximity method. <P>SOLUTION: Planar shutters 10, 20 are disposed apart from a mask 4 while strip shutters 30a, 30b, 40a, 40b are disposed near the mask 4. When an exposure region is to be restricted, the planar shutters 10, 20 and the strip shutters 30a, 30b, 40a, 40b are moved to specified positions along XY directions so that the planar shutters 10, 20 cut most of the light irradiating a region out of the exposure region of the mask 4, and the strip shutters 30b, 40b cut the light irradiating near the boundary of the exposure region of the mask 4. The light passing over the ends of the planar shutters 10, 20 and spread by diffraction is cut by the strip shutters 30a, 30b, 40a, 40b. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示用パネル等の基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の一面を複数のショットに分けて露光する露光装置及び露光方法、それらに用いられる露光用シャッター、並びにそれらを用いた基板製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus and exposure method for exposing a surface of a substrate in a plurality of shots using a proximity method in the manufacture of a substrate such as a display panel, an exposure shutter used therefor, and the use thereof. The present invention relates to a substrate manufacturing method.

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術によりガラス基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク（以下、「マスク」と称す）のパターンをガラス基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクとガラス基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。   Manufacturing of TFT (Thin Film Transistor) substrates, color filter substrates, plasma display panel substrates, organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, and the like of liquid crystal display devices used as display panels is performed using photolithography using an exposure apparatus. This is performed by forming a pattern on a glass substrate by a technique. As an exposure apparatus, a projection method in which a pattern of a photomask (hereinafter referred to as “mask”) is projected onto a glass substrate using a lens or a mirror, and a minute gap (proximity gap) between the mask and the glass substrate. ) To transfer the mask pattern. The proximity method is inferior in pattern resolution performance to the projection method, but the configuration of the irradiation optical system is simple, the processing capability is high, and it is suitable for mass production.

プロキシミティ露光装置は、ガラス基板を固定するチャックと、チャックを搭載してマスクとガラス基板とのギャップ合わせ及びガラス基板のアライメントを行うステージとを備えている。マスクの近傍にはギャップセンサー及びアライメント用センサーが設けられ、露光前に、これらのセンサーの検出結果を用いて、マスクとガラス基板とのギャップ合わせ及びガラス基板のアライメントが行われる。   The proximity exposure apparatus includes a chuck for fixing the glass substrate, and a stage on which the chuck is mounted to perform gap alignment between the mask and the glass substrate and alignment of the glass substrate. In the vicinity of the mask, a gap sensor and an alignment sensor are provided, and before exposure, gap alignment between the mask and the glass substrate and alignment of the glass substrate are performed using detection results of these sensors.

近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きなガラス基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、１枚のガラス基板から１枚又は複数枚の表示用パネルの基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、ガラス基板の一面を一括して露光しようとすると、ガラス基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、ガラス基板より比較的小さなマスクを用い、ステージによりガラス基板をＸＹ方向にステップ移動させながら、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。   In recent years, in the manufacture of various substrates for display panels, a relatively large glass substrate is prepared in order to cope with an increase in size and diversification of sizes, and one sheet of a glass substrate is selected according to the size of the display panel. Alternatively, a plurality of display panel substrates are manufactured. In this case, in the proximity method, if one surface of the glass substrate is to be exposed at a time, a mask having the same size as the glass substrate is required, and the cost of the expensive mask is further increased. In view of this, the mainstream method is to divide and expose one surface of a glass substrate into a plurality of shots while using a mask that is relatively smaller than the glass substrate and moving the glass substrate stepwise in the XY direction by a stage.

ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、ショット数は、ガラス基板のサイズとマスクのサイズに応じて決まる。図５は、ガラス基板のサイズとマスクのサイズとの関係の一例を示す図である。図５（ａ）は、ガラス基板１から９枚の表示用パネルの基板Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを製造する例を示し、図５（ｂ）はマスク３が最大で４枚分の表示用パネルの基板のショットを行う例を示している。図５（ｂ）のマスク３を用いて図５（ａ）のガラス基板１の露光を行う場合、ショット数は４となり、例えば、１回目のショットで基板Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ、２回目のショットで基板Ｅ，Ｆ、３回目のショットで基板Ｇ、４回目のショットで基板Ｈ，Ｉの露光を行う。この場合、２回目〜４回目のショットでは、照射光学系からマスク３へ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する必要がある。露光装置で光の光路を開閉するものとして、例えば特許文献１に記載のシャッター機構が知られている。
特開平１１−６７６５６号公報 When exposing one surface of a glass substrate by dividing it into a plurality of shots, the number of shots is determined according to the size of the glass substrate and the size of the mask. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the relationship between the size of the glass substrate and the size of the mask. 5A shows an example of manufacturing nine display panel substrates A, B, C, D, E, F, G, H, and I from the glass substrate 1, and FIG. 5B shows a mask. 3 shows an example in which a maximum of four display panel substrates are shot. When the glass substrate 1 of FIG. 5A is exposed using the mask 3 of FIG. 5B, the number of shots is 4, for example, the substrates A, B, C, D, and the second time in the first shot. The substrates E and F are exposed in this shot, the substrate G is shot in the third shot, and the substrates H and I are exposed in the fourth shot. In this case, in the second to fourth shots, it is necessary to limit the exposure area by blocking a part of the light irradiated from the irradiation optical system to the mask 3. As a device that opens and closes an optical path of light with an exposure apparatus, for example, a shutter mechanism described in Patent Document 1 is known.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-67656

シャッターを用いて露光領域を制限する場合、露光領域の境界付近ではシャッターの端部を通過した光が回折によって広がるため、シャッターをマスクから離して設けると、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生する。これを防止するため、プロキシミティ露光装置では、露光領域を制限するシャッターをできるだけマスクに近接して設けることが望ましい。   When the exposure area is limited by using a shutter, light that has passed through the edge of the shutter spreads near the boundary of the exposure area due to diffraction. Therefore, if the shutter is provided away from the mask, underexposure occurs near the boundary of the exposure area. Double exposure occurs. In order to prevent this, in the proximity exposure apparatus, it is desirable to provide a shutter for limiting the exposure area as close as possible to the mask.

しかしながら、プロキシミティ露光装置では、マスクのパターンを１対１に転写するためマスクと同程度の大きさのシャッターが必要となり、マスクの近傍にはギャップセンサーやアライメント用センサー等が配置されているため、このような大型のシャッターをマスクの近傍に設けることができなかった。   However, the proximity exposure apparatus requires a shutter having the same size as the mask in order to transfer the mask pattern on a one-to-one basis, and a gap sensor, an alignment sensor, and the like are disposed in the vicinity of the mask. Such a large shutter could not be provided in the vicinity of the mask.

本発明の課題は、プロキシミティ方式を用いた露光装置において、露光領域を制限するシャッターをマスクに近接して設け、かつマスクの近傍にギャップセンサーやアライメント用センサー等を配置するスペースを確保することである。また、本発明の課題は、プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus using a proximity method, in which a shutter for limiting an exposure area is provided close to a mask, and a space for arranging a gap sensor, an alignment sensor, or the like is provided in the vicinity of the mask. It is. Another object of the present invention is to provide a substrate that uses a proximity method, in which a portion of the light irradiated to the mask is blocked to limit the exposure area. It is to prevent exposure from occurring.

本発明の露光用シャッターは、プロキシミティ方式を用いた露光装置のマスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する露光用シャッターであって、マスクから離れて設けられ、マスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断する第１の遮光手段と、マスクに近接して設けられ、マスクの露光領域の境界付近へ照射される光を遮断する第２の遮光手段とを有するものである。   The exposure shutter of the present invention is an exposure shutter that blocks a part of light irradiated to a mask of an exposure apparatus using a proximity method to limit an exposure area, and is provided apart from the mask. A first light shielding means for blocking most of the light irradiated to the area other than the exposure area, and a second light blocking means provided in the vicinity of the mask for blocking the light irradiated near the boundary of the exposure area of the mask. A light shielding means.

第１の遮光手段は、マスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断するため、マスクの露光領域以外の領域とほぼ同じ大きさに構成される。一方、第２の遮光手段は、マスクの露光領域の境界付近へ照射される光を遮断するため、第１の遮光手段に比べてかなり小さく構成できる。第１の遮光手段はマスクから離れて設けられ、マスクの近傍では、第２の遮光手段の他にギャップセンサーやアライメント用センサー等を配置するスペースが確保される。   The first light shielding means is configured to have almost the same size as the area other than the exposure area of the mask in order to block most of the light irradiated to the area other than the exposure area of the mask. On the other hand, since the second light shielding means blocks the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area of the mask, the second light shielding means can be configured to be considerably smaller than the first light shielding means. The first light shielding means is provided away from the mask, and in the vicinity of the mask, a space for arranging a gap sensor, an alignment sensor and the like in addition to the second light shielding means is secured.

本発明の露光装置は、プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、マスクと、基板を固定するチャックと、チャックを搭載し、基板のＸＹ方向へのステップ移動、マスクと基板とのギャップ合わせ及び基板のアライメントを行うステージと、マスクから離れて設けられ、マスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断する第１の遮光手段と、マスクに近接して設けられ、マスクの露光領域の境界付近へ照射される光を遮断する第２の遮光手段とを有する露光用シャッターとを備えたものである。   An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus using a proximity method, which includes a mask, a chuck for fixing a substrate, and a chuck, step movement of the substrate in the XY direction, and gap alignment between the mask and the substrate. And a stage for aligning the substrate, a first light-shielding means that is provided away from the mask and blocks most of the light irradiated to the area other than the exposure area of the mask, and a mask provided near the mask. And an exposure shutter having a second light shielding means for blocking light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area.

また、本発明の露光方法は、プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、基板をＸＹ方向へステップ移動して基板の一面を複数のショットに分けて露光し、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、マスクから離れた高さでマスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断し、マスクに近接した高さで露光領域の境界付近へ照射される光を遮断するものである。   The exposure method of the present invention is an exposure method using a proximity method, in which the substrate is stepped in the XY directions to expose one side of the substrate in a plurality of shots, and the light irradiated onto the mask When the exposure area is limited by blocking a part, most of the light irradiated to areas other than the exposure area of the mask is blocked at a height away from the mask, and the boundary of the exposure area is set at a height close to the mask. It blocks the light irradiated to the vicinity.

マスクに近接した高さで露光領域の境界付近へ照射される光を遮断することにより、露光領域の境界付近では、回折光の広がりが小さくなり、露光不足や二重露光が発生しない。   By blocking the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure region at a height close to the mask, the spread of the diffracted light is reduced near the boundary of the exposure region, so that underexposure and double exposure do not occur.

本発明の基板製造方法は、上記のいずれかの露光方法又は露光装置を用いて、ガラス基板上にパターンを形成するものである。   The substrate manufacturing method of the present invention forms a pattern on a glass substrate using any one of the above exposure methods or exposure apparatuses.

本発明の露光用シャッターによれば、プロキシミティ方式を用いた露光装置において、露光領域を制限するシャッターをマスクに近接して設け、かつマスクの近傍にギャップセンサーやアライメント用センサー等を配置するスペースを確保することができる。   According to the exposure shutter of the present invention, in an exposure apparatus using a proximity method, a shutter for limiting an exposure area is provided close to the mask, and a gap sensor, an alignment sensor, or the like is disposed in the vicinity of the mask. Can be secured.

本発明の露光方法及び露光装置によれば、プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止することができる。   According to the exposure method and the exposure apparatus of the present invention, in the exposure of the substrate using the proximity method, when the exposure area is limited by blocking part of the light irradiated to the mask, the exposure is performed near the boundary of the exposure area. Insufficient or double exposure can be prevented.

さらに、Ｘ方向へ移動する平板状シャッターとＹ方向へ移動する平板状シャッターとを用いてマスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断し、Ｘ方向へ移動する帯状シャッターとＹ方向へ移動する帯状シャッターとを用いて露光領域の境界付近へ照射される光を遮断すると、簡単な構成で露光領域を移動及び調整することができる。   Further, a flat shutter that moves in the X direction and a flat shutter that moves in the Y direction are used to block most of the light irradiated to the area other than the exposure area of the mask, and the strip shutter that moves in the X direction. If the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area is blocked using a belt-shaped shutter that moves in the Y direction, the exposure area can be moved and adjusted with a simple configuration.

本発明の基板製造方法によれば、基板の一面を複数のショットに分けて露光する際に、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止して、高品質な基板を製造することができる。   According to the substrate manufacturing method of the present invention, when one surface of a substrate is divided into a plurality of shots and exposed, it is possible to prevent underexposure and double exposure from occurring near the boundary of the exposure region. Can be manufactured.

図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す平面図である。また、図２は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す一部断面側面図である。露光装置は、チャック２、ステージ３、マスク４、マスクホルダ６、露光用シャッター、及びセンサーユニット５０を含んで構成されている。露光装置は、その他にも露光用光源及び照射光学系、マスクチェンジャ、センサーユニット５０の移動機構等を含んでいるが、図１及び図２ではこれらは省略されている。   FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial sectional side view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The exposure apparatus includes a chuck 2, a stage 3, a mask 4, a mask holder 6, an exposure shutter, and a sensor unit 50. The exposure apparatus further includes an exposure light source, an irradiation optical system, a mask changer, a moving mechanism for the sensor unit 50, etc., but these are omitted in FIGS.

図２において、露光対象であるガラス基板１が、チャック２上に固定されている。ステージ３は、チャック２を搭載しながら、ＸＹ方向へ移動し、θ方向に回転し、またＺ軸方向に移動及びチルトする。ステージ３のＸＹ方向への移動によって、ガラス基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。また、ステージ３のＺ軸方向への移動及びチルトによって、マスク４とガラス基板１とのギャップ合わせが行われる。さらに、ステージ３のＸＹ方向への移動及びθ方向への回転によって、ガラス基板１のプリアライメントが行われる。   In FIG. 2, a glass substrate 1 to be exposed is fixed on a chuck 2. While the chuck 2 is mounted, the stage 3 moves in the XY direction, rotates in the θ direction, and moves and tilts in the Z-axis direction. By the movement of the stage 3 in the XY directions, the step movement of the glass substrate 1 in the XY directions is performed. Further, the gap between the mask 4 and the glass substrate 1 is adjusted by the movement and tilt of the stage 3 in the Z-axis direction. Furthermore, the pre-alignment of the glass substrate 1 is performed by the movement of the stage 3 in the XY direction and the rotation in the θ direction.

チャック２の上空には、マスク４を保持したマスクホルダ６が配置されている。マスク４の上方には、マスク４に平行にガラス窓５が設けられ、ガラス窓５との間に負圧室が構成されている。負圧室でマスク４に単位面積当たりの質量を相殺する負圧をかけることによって、マスク４のたわみが抑制される。   A mask holder 6 holding the mask 4 is disposed above the chuck 2. Above the mask 4, a glass window 5 is provided in parallel to the mask 4, and a negative pressure chamber is formed between the glass window 5. By applying a negative pressure that cancels out the mass per unit area to the mask 4 in the negative pressure chamber, the deflection of the mask 4 is suppressed.

マスクホルダ６に保持されたマスク４の上空近傍の四隅には、センサーユニット５０が配置されている。センサーユニット５０は、マスク４とガラス基板１とのギャップの大きさを検出するギャップセンサーと、ガラス基板１の位置を検出するアライメント用センサーとを含んで構成されている。露光前、ステージ３は、センサーユニット５０の検出結果に基づいて、マスク４とガラス基板１とのギャップ合わせ及びガラス基板のアライメントを行う。露光時、センサーユニット５０は、図示しない移動機構によって露光領域外へ移動される。   Sensor units 50 are arranged at the four corners in the vicinity of the sky of the mask 4 held by the mask holder 6. The sensor unit 50 includes a gap sensor that detects the size of the gap between the mask 4 and the glass substrate 1 and an alignment sensor that detects the position of the glass substrate 1. Before exposure, the stage 3 performs gap alignment between the mask 4 and the glass substrate 1 and alignment of the glass substrate based on the detection result of the sensor unit 50. During exposure, the sensor unit 50 is moved out of the exposure area by a moving mechanism (not shown).

露光用シャッターは、平板状シャッター１０，２０と、帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂとを含んで構成されている。平板状シャッター１０は、マスク４から離れた高さｈ１に設けられ、図示しない移動機構によってＸ方向へ移動される。平板状シャッター２０は、マスク４から離れた高さｈ２に設けられ、図示しない移動機構によってＹ方向へ移動される。   The exposure shutter includes the flat shutters 10 and 20 and the strip shutters 30a, 30b, 40a, and 40b. The flat shutter 10 is provided at a height h1 away from the mask 4 and is moved in the X direction by a moving mechanism (not shown). The flat shutter 20 is provided at a height h2 away from the mask 4 and is moved in the Y direction by a moving mechanism (not shown).

帯状シャッター３０ａ，３０ｂはマスク４に近接した高さｈ３に設けられている。帯状シャッター３０ａの両端は、ボールねじナット３１ａを介して、マスクホルダ６の内側面に取り付けたガイド３３に移動可能に保持されている。ボールねじ３２ａに連結されたモータ３４ａを同期して駆動することにより、帯状シャッター３０ａはガイド３３に沿ってＸ方向へ移動される。同様に、帯状シャッター３０ｂの両端は、ボールねじナット３１ｂを介して、ガイド３３に移動可能に保持されている。ボールねじ３２ｂに連結されたモータ３４ｂを同期して駆動することにより、帯状シャッター３０ｂはガイド３３に沿ってＸ方向へ移動される。   The strip-shaped shutters 30 a and 30 b are provided at a height h 3 close to the mask 4. Both ends of the belt-like shutter 30a are movably held by guides 33 attached to the inner surface of the mask holder 6 via ball screw nuts 31a. The belt-shaped shutter 30a is moved in the X direction along the guide 33 by driving the motor 34a coupled to the ball screw 32a in synchronization. Similarly, both ends of the belt-like shutter 30b are movably held by the guide 33 via ball screw nuts 31b. The belt-shaped shutter 30b is moved in the X direction along the guide 33 by driving the motor 34b coupled to the ball screw 32b in synchronization.

帯状シャッター４０ａ，４０ｂはマスク４に近接した高さｈ４に設けられている。帯状シャッター４０ａの両端は、ボールねじナット４１ａを介して、マスクホルダ６の内側面に取り付けたガイド４３に移動可能に保持されている。ボールねじ４２ａに連結されたモータ４４ａを同期して駆動することにより、帯状シャッター４０ａはガイド４３に沿ってＹ方向へ移動される。同様に、帯状シャッター４０ｂの両端は、ボールねじナット４１ｂを介して、ガイド４３に移動可能に保持されている。ボールねじ４２ｂに連結されたモータ４４ｂを同期して駆動することにより、帯状シャッター４０ｂはガイド４３に沿ってＹ方向へ移動される。なお、図２では、モータ３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ及びボールねじ３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂのそれらに連結される部分は、図示が省略されている。   The belt-like shutters 40 a and 40 b are provided at a height h 4 close to the mask 4. Both ends of the belt-like shutter 40a are movably held by guides 43 attached to the inner surface of the mask holder 6 via ball screw nuts 41a. The belt-like shutter 40a is moved in the Y direction along the guide 43 by synchronously driving the motor 44a connected to the ball screw 42a. Similarly, both ends of the belt-like shutter 40b are movably held by the guide 43 via ball screw nuts 41b. The belt-like shutter 40b is moved in the Y direction along the guide 43 by synchronously driving the motor 44b connected to the ball screw 42b. In FIG. 2, portions of the motors 34a, 34b, 44a, 44b and the ball screws 32a, 32b, 42a, 42b connected to them are not shown.

平板状シャッター１０，２０のさらに上方には、図示しない照射光学系が配置されており、図示しない露光用光源から照射光学系を介してマスク４へ光が照射される。マスク４の全面について露光を行う場合、平板状シャッター１０，２０及び帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂは、ＸＹ方向で図１及び図２に示す位置へ配置され、マスク４へ照射される光を遮断しない。従って、マスク４の全面が露光領域となる。   An irradiation optical system (not shown) is arranged further above the flat shutters 10 and 20, and light is irradiated to the mask 4 from an exposure light source (not shown) through the irradiation optical system. When the entire surface of the mask 4 is exposed, the flat shutters 10 and 20 and the strip shutters 30a, 30b, 40a, and 40b are arranged at the positions shown in FIGS. Do not block. Therefore, the entire surface of the mask 4 becomes an exposure region.

一方、露光領域を制限する場合、平板状シャッター１０，２０及び帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂは、ＸＹ方向を所定の位置へ移動され、マスクへ照射される光の一部を遮断する。図３（ａ）は露光領域を制限する場合の一例を平板状シャッターとマスクホルダの中間から見た平面図、図３（ｂ）は露光領域を制限する場合の一例を平板状シャッターの上空から見た平面図である。また、図４は、露光領域を制限する場合の一例を示す一部断面側面図である。なお、図４では、図２と同様に、モータ及びボールねじのモータに連結される部分は、図示が省略されている。   On the other hand, when the exposure area is limited, the flat shutters 10 and 20 and the strip shutters 30a, 30b, 40a, and 40b are moved to predetermined positions in the XY directions to block a part of light irradiated to the mask. FIG. 3A is a plan view of an example in which the exposure area is limited as seen from the middle of the flat shutter and the mask holder, and FIG. 3B is an example in the case of limiting the exposure area from above the flat shutter. FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional side view showing an example of limiting the exposure region. In FIG. 4, as in FIG. 2, portions of the motor and ball screw connected to the motor are not shown.

本例は、マスクの左下４分の１の部分を露光領域とする場合を示している。この場合、帯状シャッター３０ｂをＸ方向へ図３（ａ）に示す位置へ移動させ、帯状シャッター４０ｂをＹ方向へ図３（ａ）に示す位置へ移動させる。また、平板状シャッター１０をＸ方向へ図３（ｂ）に示す位置へ移動させ、平板状シャッター２０をＹ方向へ図３（ｂ）に示す位置へ移動させる。平板状シャッター１０，２０は、マスク４の露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断し、帯状シャッター３０ｂ，４０ｂは、マスク４の露光領域の境界付近へ照射される光を遮断する。   This example shows the case where the lower left quarter of the mask is the exposure area. In this case, the belt-like shutter 30b is moved in the X direction to the position shown in FIG. 3A, and the belt-like shutter 40b is moved in the Y direction to the position shown in FIG. Further, the flat shutter 10 is moved in the X direction to the position shown in FIG. 3B, and the flat shutter 20 is moved in the Y direction to the position shown in FIG. 3B. The flat shutters 10 and 20 block most of the light irradiated to the area other than the exposure area of the mask 4, and the strip shutters 30 b and 40 b block the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area of the mask 4. To do.

このとき、図４に破線矢印で示すように、平板状シャッター１０の端部を通過した光は回折によって広がり、このままでは露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生する。本実施の形態では、帯状シャッター３０ｂにより、平板状シャッター１０の端部を通過した光を遮断している。平板状シャッター２０及び帯状シャッター４０ｂについても同様である。   At this time, as indicated by broken line arrows in FIG. 4, the light passing through the end of the flat shutter 10 spreads by diffraction, and underexposure and double exposure occur near the boundary of the exposure region. In the present embodiment, the light that has passed through the end of the flat shutter 10 is blocked by the belt-shaped shutter 30b. The same applies to the flat shutter 20 and the strip shutter 40b.

なお、図３及び図４では、マスクの左下４分の１の部分を露光領域とする例を示したが、平板状シャッター１０，２０の移動と、帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂの移動とを組み合わせることにより、マスク４の四隅のいずれかを含む部分について、任意の広さを露光領域とすることができる。また、Ｘ方向にマスクホルダ６を挟んで平板状シャッター１０をもう１枚設け、Ｙ方向にマスクホルダ６を挟んで平板状シャッター２０をもう１枚設けると、マスク４の中央部を含め、マスク４の任意の部分を露光領域とすることができる。   3 and 4 show an example in which the lower left quarter of the mask is the exposure area, the movement of the flat shutters 10 and 20 and the movement of the belt-like shutters 30a, 30b, 40a and 40b are shown. Can be used as an exposure area for a portion including any of the four corners of the mask 4. If another flat shutter 10 is provided with the mask holder 6 sandwiched in the X direction and another flat shutter 20 is provided with the mask holder 6 sandwiched in the Y direction, the mask including the central portion of the mask 4 is included. Any part of 4 can be used as an exposure area.

以上説明した実施の形態によれば、帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂは、平板状シャッター１０，２０に比べてかなり小さく構成できる。従って、平板状シャッター１０，２０をマスク４から離れた高さに設け、帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂをマスクに近接した高さに設けることにより、マスク４の近傍にセンサーユニット５０及びその移動機構を配置するスペースを確保することができる。   According to the embodiment described above, the strip shutters 30a, 30b, 40a, and 40b can be configured to be considerably smaller than the flat shutters 10 and 20. Accordingly, the flat shutters 10 and 20 are provided at a height away from the mask 4, and the strip shutters 30a, 30b, 40a and 40b are provided at a height close to the mask, so that the sensor unit 50 and its Space for arranging the moving mechanism can be secured.

そして、帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂを用いてマスク４に近接した高さで露光領域の境界付近へ照射される光を遮断することにより、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止することができる。   Then, by using the belt-shaped shutters 30a, 30b, 40a, and 40b to block the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure region at a height close to the mask 4, underexposure or double exposure is performed near the boundary of the exposure region. Can be prevented.

さらに、平板状シャッター１０，２０と帯状シャッター３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂとを併用することにより、簡単な構成で露光領域を移動及び調整することができる。   Furthermore, by using the flat shutters 10 and 20 and the strip shutters 30a, 30b, 40a and 40b in combination, the exposure area can be moved and adjusted with a simple configuration.

本発明の露光方法及び露光装置を用いてガラス基板上にパターンを形成することにより、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する際に、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止して、高品質な基板を製造することができる。   By forming a pattern on a glass substrate using the exposure method and exposure apparatus of the present invention, when exposing one surface of the glass substrate in a plurality of shots, underexposure or double exposure near the boundary of the exposure region Can be prevented, and a high-quality substrate can be manufactured.

本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す一部断面側面図である。1 is a partial sectional side view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 図３（ａ）は露光領域を制限する場合の一例を平板状シャッターとマスクホルダの中間から見た平面図、図３（ｂ）は露光領域を制限する場合の一例を平板状シャッターの上空から見た平面図である。FIG. 3A is a plan view of an example in which the exposure area is limited as seen from the middle of the flat shutter and the mask holder, and FIG. 3B is an example in the case of limiting the exposure area from above the flat shutter. FIG. は露光領域を制限する場合の一例を示す一部断面側面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional side view showing an example of limiting an exposure region. ガラス基板のサイズとマスクのサイズとの関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the relationship between the size of a glass substrate, and the size of a mask.

符号の説明Explanation of symbols

１ ガラス基板
２ チャック
３ ステージ
４ マスク
５ ガラス窓
６ マスクホルダ
１０，２０ 平板状シャッター
３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂ 帯状シャッター
３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ ボールねじナット
３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂ ボールねじ
３３，４３ ガイド
３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ モータ
５０ センサーユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Chuck 3 Stage 4 Mask 5 Glass window 6 Mask holder 10, 20 Flat shutter 30a, 30b, 40a, 40b Strip shutter 31a, 31b, 41a, 41b Ball screw nut 32a, 32b, 42a, 42b Ball screw 33 , 43 Guides 34a, 34b, 44a, 44b Motor 50 Sensor unit

Claims (8)

プロキシミティ方式を用いた露光装置のマスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する露光用シャッターであって、
マスクから離れて設けられ、マスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断する第１の遮光手段と、
マスクに近接して設けられ、マスクの露光領域の境界付近へ照射される光を遮断する第２の遮光手段とを有することを特徴とする露光用シャッター。 An exposure shutter that restricts an exposure area by blocking a part of light irradiated to a mask of an exposure apparatus using a proximity method,
A first light shielding means that is provided apart from the mask and blocks most of the light applied to the area other than the exposure area of the mask;
An exposure shutter, comprising: a second light-shielding unit that is provided in the vicinity of the mask and blocks light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area of the mask. 前記第１の遮光手段は、Ｘ方向へ移動する平板状シャッターとＹ方向へ移動する平板状シャッターとで構成され、
前記第２の遮光手段は、Ｘ方向へ移動する帯状シャッターとＹ方向へ移動する帯状シャッターとで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の露光用シャッター。 The first light shielding means includes a flat shutter that moves in the X direction and a flat shutter that moves in the Y direction.
2. The exposure shutter according to claim 1, wherein the second light shielding unit includes a strip shutter that moves in the X direction and a strip shutter that moves in the Y direction. プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、
マスクと、
基板を固定するチャックと、
前記チャックを搭載し、基板のＸＹ方向へのステップ移動、前記マスクと基板とのギャップ合わせ及び基板のアライメントを行うステージと、
前記マスクから離れて設けられ、前記マスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断する第１の遮光手段と、前記マスクに近接して設けられ、前記マスクの露光領域の境界付近へ照射される光を遮断する第２の遮光手段とを有する露光用シャッターとを備えたことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus using a proximity method,
A mask,
A chuck for fixing the substrate;
A stage on which the chuck is mounted, step movement of the substrate in the XY direction, gap alignment between the mask and the substrate, and alignment of the substrate;
A first light-shielding means which is provided apart from the mask and blocks most of the light irradiated to an area other than the exposure area of the mask; and a boundary of the exposure area of the mask which is provided close to the mask An exposure apparatus comprising: an exposure shutter having a second light shielding unit that blocks light irradiated to the vicinity. 前記第１の遮光手段は、Ｘ方向へ移動する平板状シャッターとＹ方向へ移動する平板状シャッターとで構成され、
前記第２の遮光手段は、Ｘ方向へ移動する帯状シャッターとＹ方向へ移動する帯状シャッターとで構成されたことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 The first light shielding means includes a flat shutter that moves in the X direction and a flat shutter that moves in the Y direction.
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the second light shielding unit includes a belt-shaped shutter that moves in the X direction and a belt-shaped shutter that moves in the Y direction. プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、
基板をＸＹ方向へステップ移動して基板の一面を複数のショットに分けて露光し、
マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、マスクから離れた高さでマスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断し、マスクに近接した高さで露光領域の境界付近へ照射される光を遮断することを特徴とする露光方法。 An exposure method using a proximity method,
Step the substrate in the XY direction to expose one side of the substrate in multiple shots,
When the exposure area is limited by blocking part of the light irradiated to the mask, most of the light irradiated to areas other than the mask exposure area at a height away from the mask is blocked and close to the mask. An exposure method characterized in that the light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure area at a height is blocked. Ｘ方向へ移動する平板状シャッターとＹ方向へ移動する平板状シャッターとを用いてマスクの露光領域以外の領域へ照射される光の大部分を遮断し、
Ｘ方向へ移動する帯状シャッターとＹ方向へ移動する帯状シャッターとを用いて露光領域の境界付近へ照射される光を遮断することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。 Using a flat shutter that moves in the X direction and a flat shutter that moves in the Y direction, the most part of the light irradiated to the area other than the exposure area of the mask is blocked.
6. The exposure method according to claim 5, wherein light irradiated to the vicinity of the boundary of the exposure region is blocked using a strip shutter moving in the X direction and a strip shutter moving in the Y direction. 請求項３又は請求項４に記載の露光装置を用いて、基板上にパターンを形成することを特徴とする基板製造方法。   A substrate manufacturing method, wherein a pattern is formed on a substrate using the exposure apparatus according to claim 3. 請求項５又は請求項６に記載の露光方法を用いて、基板上にパターンを形成することを特徴とする基板製造方法。   A substrate manufacturing method comprising forming a pattern on a substrate using the exposure method according to claim 5.
JP2003376239A 2003-11-05 2003-11-05 Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method Expired - Lifetime JP4693347B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003376239A JP4693347B2 (en) 2003-11-05 2003-11-05 Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003376239A JP4693347B2 (en) 2003-11-05 2003-11-05 Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009098604A Division JP4994417B2 (en) 2009-04-15 2009-04-15 Exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method
JP2011004504A Division JP5225396B2 (en) 2011-01-13 2011-01-13 Exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005140936A true JP2005140936A (en) 2005-06-02
JP4693347B2 JP4693347B2 (en) 2011-06-01

Family

ID=34687372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003376239A Expired - Lifetime JP4693347B2 (en) 2003-11-05 2003-11-05 Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4693347B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108424A (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Ushio Inc Exposure method
KR100759411B1 (en) 2006-06-07 2007-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Exposure method and method of manufacturing organic light emitting display using the same
JP2008058476A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Nikon Corp Aligner, method for manufacturing device and exposure method
JP2008224754A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Nsk Ltd Division sequential proximity exposure method and division sequential proximity exposure device
JP7379396B2 (en) 2021-01-08 2023-11-14 キヤノントッキ株式会社 Film forming equipment, transport method, film forming method, and electronic device manufacturing method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108424A (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Ushio Inc Exposure method
JP4561291B2 (en) * 2004-10-06 2010-10-13 ウシオ電機株式会社 Exposure method
KR100759411B1 (en) 2006-06-07 2007-09-20 삼성에스디아이 주식회사 Exposure method and method of manufacturing organic light emitting display using the same
JP2008058476A (en) * 2006-08-30 2008-03-13 Nikon Corp Aligner, method for manufacturing device and exposure method
JP2008224754A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Nsk Ltd Division sequential proximity exposure method and division sequential proximity exposure device
JP7379396B2 (en) 2021-01-08 2023-11-14 キヤノントッキ株式会社 Film forming equipment, transport method, film forming method, and electronic device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4693347B2 (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5127875B2 (en) Lithographic apparatus and article manufacturing method
US20090033899A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing display panel substrate
KR20160025441A (en) Lithography apparatus
JP6978284B2 (en) Exposure system, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate
JP2007235088A (en) Optical element, exposure apparatus using the same, exposure method and method for manufacturing micro device
JP5225396B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method
TWI460554B (en) Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process
JP4693347B2 (en) Exposure shutter, exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method
TWI468875B (en) Exposure unit and substrate exposure method
JP4994417B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and substrate manufacturing method
US20050006605A1 (en) Lithography device
JP3770959B2 (en) Projection type stepper exposure apparatus and exposure method using the same
JP4884149B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate
CN1695094A (en) Device for sealing a projection exposure apparatus
JP2008020844A (en) Proximity exposure apparatus
JP2008139761A (en) Exposure method and exposure device
JPH0423314A (en) Aligner
JP2010107831A (en) Exposure device
JP5434547B2 (en) Method for forming a plurality of patterns using a reticle
TWI813630B (en) projection exposure device
JP2006261163A (en) Aligner and electrooptical apparatus
JP5352433B2 (en) Exposure equipment
JP2008108810A (en) Projection exposure device
JP2013064897A (en) Proximity exposure device, exposure amount adjustment method of proximity exposure device, and manufacturing method of display panel substrate
KR101102695B1 (en) exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060313

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060516

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090415

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090818

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091023

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20091127

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110113

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110222

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4693347

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term