JP2005136744A - High frequency switch circuit and antenna switch circuit using the same, high frequency switch component, antenna shared unit, and mobile communication system - Google Patents

High frequency switch circuit and antenna switch circuit using the same, high frequency switch component, antenna shared unit, and mobile communication system Download PDF

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JP2005136744A JP2003371292A JP2003371292A JP2005136744A JP 2005136744 A JP2005136744 A JP 2005136744A JP 2003371292 A JP2003371292 A JP 2003371292A JP 2003371292 A JP2003371292 A JP 2003371292A JP 2005136744 A JP2005136744 A JP 2005136744A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency switching circuit, an antenna switch circuit using it, high frequency switching components, an antenna shared unit, and a mobile communication system for sufficiently securing isolation between first and second terminals in an off state. <P>SOLUTION: This high frequency switching circuit is configured to control the on/off of a first switching means and a second switching means on the basis of a control signal supplied from the outside, and to switch the electrically connected state of a first terminal and a second terminal and the electrically connected state of the first terminal and a third terminal. The first switching means is configured by serially connecting at least two impedance elements including inductance elements, and connecting this with a switching diode in parallel. Furthermore, one end of the second switching means is connected between one impedance element with the other impedance element of the first switching means. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、携帯電話等の通信装置などに組み込まれ、信号経路の切り替えを行うのに用いられる高周波スイッチ回路並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路、高周波スイッチ部品、アンテナ共用器及び移動体通信装置に関するものである。   The present invention relates to a high-frequency switch circuit incorporated in a communication device such as a mobile phone and used for switching a signal path, an antenna switch circuit using the same, a high-frequency switch component, an antenna duplexer, and a mobile communication device. Is.

従来より、高周波スイッチ回路は、通信機器等におけるアンテナと送信回路及び受信回路との接続の切り替え等に広く用いられている。   Conventionally, a high-frequency switch circuit has been widely used for switching connection between an antenna and a transmission circuit and a reception circuit in a communication device or the like.

図７は従来の高周波スイッチ回路１の一例を示す等価回路図である。同図に示す高周波スイッチ回路１は、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、第３端子Ｔ３を備えており、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に第１のスイッチングダイオードＤ１を、第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３との間にストリップラインＳＬ１を接続するとともに、前記ストリップラインＳＬ１の第３端子Ｔ３側端部とグランド電位との間に第２のスイッチングダイオードＤ２を接続した構造となっている。例えば、通信機器等におけるアンテナと送信回路及び受信回路との接続の切り替えを行うアンテナスイッチに用いられる場合は、第１端子Ｔ１がアンテナへ、第２端子Ｔ２が送信回路へ、第３端子Ｔ３が受信回路へそれぞれ接続される。   FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing an example of a conventional high-frequency switch circuit 1. The high-frequency switch circuit 1 shown in FIG. 1 includes a first terminal T1, a second terminal T2, and a third terminal T3, and a first switching diode D1 is provided between the first terminal T1 and the second terminal T2. A structure in which the strip line SL1 is connected between the first terminal T1 and the third terminal T3, and a second switching diode D2 is connected between the end of the strip line SL1 on the third terminal T3 side and the ground potential. It has become. For example, when used in an antenna switch for switching the connection between an antenna and a transmission circuit and a reception circuit in a communication device or the like, the first terminal T1 is the antenna, the second terminal T2 is the transmission circuit, and the third terminal T3 is the third terminal T3. Each is connected to a receiving circuit.

以下に、上述した高周波スイッチ回路１をアンテナスイッチに適用し、アンテナと送信回路及び受信回路との接続を切り替える際の回路動作について説明する。   Hereinafter, a circuit operation when the above-described high-frequency switch circuit 1 is applied to an antenna switch and the connection between the antenna, the transmission circuit, and the reception circuit is switched will be described.

まず、送信時には高周波スイッチ回路１をオン状態にする。すなわち、制御端子Ｔ４に正の電圧を印可すること（制御端子Ｔ４からの制御信号がハイレベル）によって第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２に対して順バイアスをかけ、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオンにする。このとき第１のスイッチングダイオードＤ１がオンになることで、第２端子Ｔ２を介して入力された送信信号は第１端子Ｔ１を介してアンテナに流れる。一方、第２のスイッチングダイオードＤ２がオンになることで、ストリップラインＳＬがスイッチングダイオードＤ２を介してグランドに接地されて送信信号の周波数で共振する。その結果、ストリップラインＳＬ１のインピーダンスは極大となり、送信信号の第３端子Ｔ３側への侵入を阻止するように作用する。このとき、オン状態のスイッチングダイオードＤ２が有するインダクタンスと、それを補正するためのコンデンサＣ１とで直列共振回路が形成され、ストリップラインＳＬ１の第３端子Ｔ３側の電位をアース電位に近づけることができる。   First, at the time of transmission, the high-frequency switch circuit 1 is turned on. That is, by applying a positive voltage to the control terminal T4 (the control signal from the control terminal T4 is at a high level), the first and second switching diodes D1 and D2 are forward-biased, and the first and second The switching diodes D1 and D2 are turned on. At this time, when the first switching diode D1 is turned on, the transmission signal input via the second terminal T2 flows to the antenna via the first terminal T1. On the other hand, when the second switching diode D2 is turned on, the stripline SL is grounded via the switching diode D2 and resonates at the frequency of the transmission signal. As a result, the impedance of the strip line SL1 becomes maximum, and acts to prevent the transmission signal from entering the third terminal T3. At this time, a series resonance circuit is formed by the inductance of the switching diode D2 in the on state and the capacitor C1 for correcting it, and the potential on the third terminal T3 side of the stripline SL1 can be brought close to the ground potential. .

また、受信時には高周波スイッチ回路１をオフ状態にする。すなわち、制御端子Ｔ４に制御電圧が印加されず（制御端子Ｔ４からの制御信号がローレベル）、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２は共にオフとなる。従って、第１端子Ｔ１より入力された受信信号は第２端子Ｔ２側には流れずにストリップラインＳＬ１を通過して第３端子Ｔ３側へ流れる。このとき、オフ状態のスイッチングダイオードＤ１が有するキャパシタンスと、それを補正するためのインダクタＬ１とで並列共振回路が形成され、スイッチングダイオードＤ１の両端のインピーダンスが無限大に近づき、第１端子Ｔ１から入力される受信信号の第２端子Ｔ２を介して送信回路へ漏れる量を減少させることができる。尚、コンデンサＣ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６は制御電流を所定の部分のみに流すための、ＤＣカット用コンデンサである（例えば、特許文献１参照。）。   At the time of reception, the high frequency switch circuit 1 is turned off. That is, no control voltage is applied to the control terminal T4 (the control signal from the control terminal T4 is low level), and both the first and second switching diodes D1 and D2 are turned off. Therefore, the reception signal input from the first terminal T1 does not flow to the second terminal T2 side but flows through the strip line SL1 and flows to the third terminal T3 side. At this time, a parallel resonant circuit is formed by the capacitance of the switching diode D1 in the off state and the inductor L1 for correcting the capacitance, and the impedance at both ends of the switching diode D1 approaches infinity, and input from the first terminal T1. The amount of the received signal leaking to the transmission circuit via the second terminal T2 can be reduced. Capacitors C3, C4, C5, and C6 are DC-cutting capacitors that allow control current to flow only in predetermined portions (see, for example, Patent Document 1).

このように、従来の高周波スイッチ回路１は、制御端子Ｔ４からの制御電圧によって、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２とが接続されたオン状態と、第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３とが接続されたオフ状態と、を切り替えることができる。
特開平６−１９７０３８号公報（図１、図４） As described above, the conventional high-frequency switch circuit 1 has an ON state in which the first terminal T1 and the second terminal T2 are connected by the control voltage from the control terminal T4, and the first terminal T1 and the third terminal T3. The connected off state can be switched.
Japanese Patent Laid-Open No. 6-197038 (FIGS. 1 and 4)

しかしながら、上述した従来の高周波スイッチ回路１のオフ状態において、第１のスイッチングダイオードＤ１の両端におけるインピーダンスを完全に無限大となすことはできず、有限の値となることから、第１端子と第２端子との間のアイソレーションが充分ではないという問題があった。   However, in the above-described conventional high-frequency switch circuit 1 in the off state, the impedance at both ends of the first switching diode D1 cannot be made completely infinite, and becomes a finite value. There was a problem that the isolation between the two terminals was not sufficient.

これによって、例えば高周波スイッチ回路１の第１端子Ｔ１をアンテナへ、第２端子Ｔ２を送信回路へ、第３端子Ｔ３を受信回路へそれぞれ接続してアンテナスイッチとして用いる場合には、受信時のアンテナと送信回路との間のアイソレーションが不足し、アンテナからの受信信号が送信回路側へ漏洩する問題が生じてしまう。   Thus, for example, when the high frequency switch circuit 1 is used as an antenna switch by connecting the first terminal T1 to the antenna, the second terminal T2 to the transmission circuit, and the third terminal T3 to the reception circuit, the antenna at the time of reception is used. And the transmission circuit is insufficiently isolated, and a problem arises in that a reception signal from the antenna leaks to the transmission circuit side.

更に、異なる周波数帯域の信号を利用する複数の通信回路をダイプレクサを介してアンテナに接続する、複数の通信方式に対応した通信装置などにおいて、高周波側の通信回路のアンテナスイッチに上述した高周波スイッチ回路１を適用する場合には、低周波側の通信回路の信号の高調波成分（周波数が２倍、３倍、・・・の信号）が、信号線路間の電磁気的結合などによって高周波側の通信回路に混入し、高周波側の通信回路のアンテナスイッチと、ダイプレクサとを通過して、アンテナより放出されてしまう。通信装置においては、他の通信システムに悪影響を及ぼさないように、定められた範囲の周波数以外の信号のアンテナからの出力レベルは低く抑える必要がある。そのため従来は送信信号を増幅するパワーアンプに高調波成分の信号レベルを低下させる回路を付加することや、低周波側の回路と高周波側の回路との間の距離を離して電磁気的な結合を防止するなどの対策が必要であり、通信装置の構成の複雑化や大型化を招いていた。   Furthermore, in a communication device that supports a plurality of communication systems, in which a plurality of communication circuits that use signals of different frequency bands are connected to an antenna via a diplexer, the above-described high-frequency switch circuit is used as an antenna switch of a communication circuit on the high-frequency side. 1 is applied, the harmonic component of the signal of the communication circuit on the low frequency side (the signal whose frequency is doubled, tripled,...) Is communicated on the high frequency side by electromagnetic coupling between the signal lines. It enters the circuit, passes through the antenna switch of the communication circuit on the high frequency side, and the diplexer, and is emitted from the antenna. In a communication apparatus, it is necessary to suppress the output level from the antenna of signals other than the frequency within a predetermined range so as not to adversely affect other communication systems. For this reason, conventionally, a circuit that lowers the signal level of the harmonic component is added to the power amplifier that amplifies the transmission signal, or electromagnetic coupling is performed by separating the distance between the low-frequency circuit and the high-frequency circuit. Measures such as prevention are necessary, and this has led to the complication and enlargement of the configuration of the communication device.

本発明は上記欠点に鑑み案出されたものであり、その目的は、オフ状態において、第１端子と第２端子との間のアイソレーションが充分に確保された高周波スイッチ回路並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路、高周波スイッチ部品、アンテナ共用器及び移動体通信装置を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above-mentioned drawbacks, and an object of the present invention is to use a high-frequency switch circuit in which isolation between the first terminal and the second terminal is sufficiently ensured in the off state and the same. An object of the present invention is to provide an antenna switch circuit, a high-frequency switch component, an antenna duplexer, and a mobile communication device.

本発明の高周波スイッチ回路は、第１端子、第２端子及び第３端子を有し、前記第1端子と前記第２端子との間に第１スイッチ手段を、前記第1端子と前記第３端子との間に第２スイッチ手段を接続してなり、外部より供給される制御信号に基いて前記第１スイッチ手段及び前記第２スイッチ手段のオン・オフを制御することにより、前記第１端子と前記第２端子とが電気的に接続された状態と、前記第１端子と前記第３端子とが電気的に接続された状態とを切り替えるようにした高周波スイッチ回路において、前記第１スイッチ手段を、インダクタンス素子を含む少なくとも２個のインピーダンス素子を直列に接続した上、これをスイッチングダイオードと並列に接続して構成するとともに、前記第２スイッチ手段の一端を前記第１スイッチ手段の一方のインピーダンス素子と他方のインピーダンス素子との間に接続したことを特徴とするものである。   The high-frequency switch circuit of the present invention has a first terminal, a second terminal, and a third terminal, a first switch means is provided between the first terminal and the second terminal, and the first terminal and the third terminal. The second terminal is connected to a terminal, and the first terminal is controlled by turning on / off the first switch and the second switch based on a control signal supplied from outside. And the second terminal are electrically connected to each other, and the first terminal and the third terminal are electrically connected to each other. Is constructed by connecting at least two impedance elements including an inductance element in series and in parallel with a switching diode, and one end of the second switch means is connected to the first switch. It is characterized in that connected between one impedance element and the other impedance elements stages.

また、本発明の高周波スイッチ回路においては、前記２個のインピーダンス素子のうち、一方のインピーダンス素子が第１端子側に、他方のインピーダンス素子が第２端子側に配置されるとともに、前記一方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ１と前記他方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ２との比Ｚ１／Ｚ２を０．０１〜０．０７に設定してもよい。 In the high-frequency switch circuit of the present invention, one of the two impedance elements is disposed on the first terminal side, the other impedance element is disposed on the second terminal side, and the one impedance element The ratio Z 1 / Z 2 between the impedance Z 1 of the element and the impedance Z 2 of the other impedance element may be set to 0.01 to 0.07.

更に、本発明のアンテナスイッチ回路は、前記高周波スイッチ回路の第１端子がアンテナに、第２端子が送信回路に、第３端子が受信回路に接続されることを特徴とするものである。   Furthermore, the antenna switch circuit of the present invention is characterized in that the first terminal of the high-frequency switch circuit is connected to the antenna, the second terminal is connected to the transmitting circuit, and the third terminal is connected to the receiving circuit.

また更に、本発明のアンテナスイッチ回路は、前記第１端子がマルチプレクサを介してアンテナに接続されるようにしてもよい。   Furthermore, in the antenna switch circuit of the present invention, the first terminal may be connected to the antenna via a multiplexer.

更にまた、本発明の高周波スイッチ部品は、前記高周波スイッチ回路もしくは前記アンテナスイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなる高周波スイッチ部品であって、前記２個のインピーダンス素子の双方をインダクタンス素子で構成するとともに、その少なくとも一方を前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成したことを特徴とするものである。   Furthermore, the high-frequency switch component of the present invention is a high-frequency switch component in which the high-frequency switch circuit or the antenna switch circuit is provided in a laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and the two impedances Both elements are composed of inductance elements, and at least one of them is formed including a meandering or spiral wiring pattern disposed on the surface of the laminate or between dielectric layers.

また更に、本発明のアンテナ共用器は、アンテナスイッチ部品を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなり、前記第２端子を送信用フィルタに、前記第３端子を受信用フィルタに接続するとともに、前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタの少なくとも一方を、前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成してなるアンテナ共用器。第２端子を送信用フィルタに、第３端子を受信用フィルタに接続するとともに、前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタの少なくとも一方を、前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成したことを特徴とするものである。   In the antenna duplexer of the present invention, the antenna switch component is provided in a laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers, the second terminal is used as a transmission filter, and the third terminal is used as a reception. The antenna is shared by connecting to a filter and forming at least one of the transmission filter and the reception filter including a meandering or spiral wiring pattern disposed on the surface of the laminate or between dielectric layers. vessel. The second terminal is connected to the transmission filter, the third terminal is connected to the reception filter, and at least one of the transmission filter and the reception filter is arranged in a meandering manner disposed between the surface of the laminate or the dielectric layer. Alternatively, it is characterized by including a spiral wiring pattern.

更にまた、本発明の移動体通信装置は、所定の周波数帯域Ｆ１を使用して信号の送受信を行なう第１の通信回路と、周波数帯域Ｆ１よりも高周波の周波数帯域Ｆ２を使用して信号の送受信を行なう第２の通信回路とを含む複数の通信回路を、マルチプレクサを介してアンテナに接続してなり、前記アンテナにより受信した信号を前記マルチプレクサにて分波するとともに、該分波した信号をその周波数に応じて前記複数の通信回路のいずれかに供給するようにした移動体通信装置であって、前記複数の通信回路は、その各々が送信回路、受信回路及び送受信切換用のスイッチ回路を備えてなり、且つ、少なくとも第２の通信回路の送受信切換用のスイッチ回路として、前記アンテナスイッチ回路を用いることを特徴とするものである。 Furthermore, the mobile communication device of the present invention uses a first communication circuit that transmits and receives signals using a predetermined frequency band F 1 and a frequency band F 2 that is higher in frequency than the frequency band F 1. A plurality of communication circuits including a second communication circuit that transmits and receives signals is connected to an antenna through a multiplexer, and a signal received by the antenna is demultiplexed by the multiplexer and demultiplexed. A mobile communication device configured to supply a signal to one of the plurality of communication circuits according to a frequency thereof, wherein each of the plurality of communication circuits includes a transmission circuit, a reception circuit, and a transmission / reception switching switch. The antenna switch circuit is used as a switch circuit for transmission / reception switching of at least the second communication circuit.

本発明の高周波スイッチ回路によれば、第１端子、第２端子及び第３端子を有し、前記第1端子と前記第２端子との間に第１スイッチ手段を、前記第1端子と前記第３端子との間に第２スイッチ手段を接続し、前記第１端子と前記第２端子とが接続されたオン状態と、前記第１端子と前記第３端子とが接続されたオフ状態と、が切り替わる高周波スイッチ回路において、前記第１スイッチ手段を、インダクタンス素子を含む少なくとも２個のインピーダンス素子を直列に接続した上、これをスイッチングダイオードと並列に接続して構成するとともに、前記第２スイッチ手段の一端を前記第１スイッチ手段の一方のインピーダンス素子と他方のインピーダンス素子との間に接続したので、前記オフ状態における前記第１端子と前記第２端子との間のアイソレーションを改善することができる。   According to the high-frequency switch circuit of the present invention, the first switch means has a first terminal, a second terminal, and a third terminal, the first switch means is provided between the first terminal and the second terminal, and the first terminal and the second terminal. A second switch means is connected between the third terminal, the on state in which the first terminal and the second terminal are connected, and the off state in which the first terminal and the third terminal are connected. In the high-frequency switch circuit in which the first and the second switches are switched, the first switch means is configured by connecting at least two impedance elements including an inductance element in series, and connecting them in parallel with a switching diode. Since one end of the means is connected between one impedance element and the other impedance element of the first switch means, the first terminal and the second terminal in the off state It is possible to improve the isolation.

また、本発明の高周波スイッチ回路によれば、前記２個のインピーダンス素子のうち、一方のインピーダンス素子が第１端子側に、他方のインピーダンス素子が第２端子側に配置されるとともに、前記一方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ１と前記他方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ２との比Ｚ１／Ｚ２を０．０１〜０．０７に設定しているので、前記オフ状態における前記第１端子と前記第２端子との間のアイソレーションを更に改善することができる。 According to the high frequency switch circuit of the present invention, one of the two impedance elements is disposed on the first terminal side, the other impedance element is disposed on the second terminal side, and Since the ratio Z 1 / Z 2 between the impedance Z 1 of the impedance element and the impedance Z 2 of the other impedance element is set to 0.01 to 0.07, the first terminal and the first The isolation between the two terminals can be further improved.

更に、本発明のアンテナスイッチ回路によれば、前記高周波スイッチ回路の第１端子がアンテナに、第２端子が送信回路に、第３端子が受信回路に接続したアンテナスイッチ回路とされているので、受信時のアンテナと送信回路との間のアイソレーションが改善し、アンテナからの受信信号の送信回路側への漏洩を有効に抑制することができる。   Furthermore, according to the antenna switch circuit of the present invention, since the first terminal of the high frequency switch circuit is an antenna switch circuit, the second terminal is connected to the transmission circuit, and the third terminal is connected to the reception circuit. Isolation between the antenna and the transmission circuit at the time of reception is improved, and leakage of a reception signal from the antenna to the transmission circuit side can be effectively suppressed.

また更に、本発明のアンテナスイッチ回路によれば、前記第１端子がマルチプレクサを介してアンテナに接続されるので、異なる周波数の信号を利用する複数の通信回路をダイプレクサを介してアンテナに接続した、複数の通信方式に対応したアンテナスイッチ回路においても、受信時のアンテナと送信回路との間のアイソレーションが改善し、アンテナからの受信信号の送信回路側への漏洩を有効に抑制することができる。   Still further, according to the antenna switch circuit of the present invention, since the first terminal is connected to the antenna through the multiplexer, a plurality of communication circuits using signals of different frequencies are connected to the antenna through the diplexer. Even in an antenna switch circuit corresponding to a plurality of communication systems, isolation between the antenna and the transmission circuit at the time of reception can be improved, and leakage of a reception signal from the antenna to the transmission circuit side can be effectively suppressed. .

更にまた、本発明の高周波スイッチ部品によれば、前記高周波スイッチ回路もしくはアンテナスイッチ回路を、複数の誘電体層を積層した積層体に設けて成り、前記２個のインピーダンス素子の双方をインダクタンス素子で構成するとともに、その少なくとも一方を前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成されるようになっている。これにより、高周波スイッチ部品の構成を簡素化することができ、チップ状インダクタを積層体上に実装する場合に比べて、積層体の主面に形成するチップ部品の実装面積を小さくでき、より小型の高周波スイッチ部品とすることができる。   Furthermore, according to the high frequency switch component of the present invention, the high frequency switch circuit or the antenna switch circuit is provided in a laminated body in which a plurality of dielectric layers are laminated, and both of the two impedance elements are inductance elements. In addition, at least one of them is formed so as to include a meandering or spiral wiring pattern disposed between the surface of the laminated body or the dielectric layers. As a result, the configuration of the high-frequency switch component can be simplified, and the mounting area of the chip component formed on the main surface of the multilayer body can be reduced compared with the case where the chip-shaped inductor is mounted on the multilayer body, resulting in a smaller size. It can be set as a high frequency switch part.

また更に、本発明のアンテナ共用器においては、前記高周波スイッチ部品の第２端子を送信用フィルタに、第３端子を受信用フィルタに接続するとともに、前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタの少なくとも一方を、前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成したので、これにより、前記アンテナ共用器の構成を簡素化することができ、チップ状インダクタを積層体上に実装する場合に比べて、積層体の主面におけるチップ部品の実装面積を小さくでき、より小型のアンテナ共用器とすることができる。   Still further, in the antenna duplexer of the present invention, the second terminal of the high-frequency switch component is connected to the transmission filter, the third terminal is connected to the reception filter, and at least one of the transmission filter and the reception filter Is formed to include a meandering or spiral wiring pattern arranged between the surface of the laminate or the dielectric layers, and thus the configuration of the antenna duplexer can be simplified, and the chip inductor As compared with the case of mounting on the laminate, the mounting area of the chip component on the main surface of the laminate can be reduced, and a smaller antenna duplexer can be obtained.

更にまた、本発明の移動体通信装置によれば、所定の周波数帯域Ｆ１を使用して信号の送受信を行なう第１の通信回路と、周波数帯域Ｆ１よりも高周波の周波数帯域Ｆ２を使用して信号の送受信を行なう第２の通信回路とを含む複数の通信回路を、マルチプレクサを介してアンテナに接続した移動体通信装置の少なくとも第２の通信回路の送受信切換用のスイッチ回路として前記アンテナスイッチ回路を用いるようにした。よって、低周波側の通信回路の信号の高調波成分がアンテナから高い出力レベルで放出されるのを有効に防止でき、通信装置の構成の簡略化や小型化を実現することができる。 Furthermore, according to the mobile communication device of the present invention, the first communication circuit that transmits and receives signals using the predetermined frequency band F 1 and the frequency band F 2 that is higher than the frequency band F 1 are used. A plurality of communication circuits including a second communication circuit that transmits and receives signals as a switch circuit for switching transmission / reception of at least the second communication circuit of the mobile communication device connected to the antenna via a multiplexer. A switch circuit was used. Therefore, it is possible to effectively prevent the harmonic component of the signal of the communication circuit on the low frequency side from being emitted from the antenna at a high output level, and the configuration of the communication device can be simplified and downsized.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は本発明の高周波スイッチ回路１０をＤＣＳ(Digital Communication System)通信方式（送信周波数帯域：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数帯域：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）の通信装置に用いられるアンテナスイッチ回路に適用した実施形態を示す等価回路図であり、同図に示す高周波スイッチ回路は、概略的に、第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間に接続される第１スイッチ手段ＳＷ１０と、第１端子Ｔ１０と第３端子Ｔ３０との間に接続される第２スイッチ手段ＳＷ２０とで構成されている。そして、第１端子Ｔ１０はアンテナＡｎｔへ、第２端子Ｔ２０は送信回路Ｔｘへ、第３端子Ｔ３０は受信回路Ｒｘへそれぞれ接続されている。   FIG. 1 shows an embodiment in which a high-frequency switch circuit 10 of the present invention is applied to an antenna switch circuit used in a DCS (Digital Communication System) communication system (transmission frequency band: 1710 to 1785 MHz, reception frequency band: 1805 to 1880 MHz). The high-frequency switch circuit shown in FIG. 1 schematically includes a first switch means SW10 connected between the first terminal T10 and the second terminal T20, the first terminal T10, and the first terminal. It is comprised by 2nd switch means SW20 connected between 3 terminals T30. The first terminal T10 is connected to the antenna Ant, the second terminal T20 is connected to the transmission circuit Tx, and the third terminal T30 is connected to the reception circuit Rx.

第１スイッチ手段ＳＷ１０は、第１のスイッチングダイオードＤ１０と、第１のインダクタＬ１０及び第２のインダクタＬ２０及びＤＣカット用のコンデンサＣ２０との、並列回路から成る。第１のスイッチングダイオードＤ１０のアノード側はＤＣカット用コンデンサＣ３０を介して第１の端子Ｔ１０に接続されており、カソード側は二手に分岐し、その一方はＤＣカット用コンデンサＣ４０を介して第２端子Ｔ２０に、他方は高周波カット用インダクタＬ３０を介して接地される。   The first switch means SW10 includes a parallel circuit including a first switching diode D10, a first inductor L10, a second inductor L20, and a DC cut capacitor C20. The anode side of the first switching diode D10 is connected to the first terminal T10 via a DC cut capacitor C30, and the cathode side is bifurcated, one of which is second via the DC cut capacitor C40. The other terminal is grounded via a high frequency cut inductor L30.

ここで、第１のスイッチングダイオードＤ１０のオフ時の端子間容量は例えば０．２ｐＦ程度でオン時のインダクタンス成分は例えば１．２ｎＨ程度、第１のインダクタＬ１０のインダクタンスは例えば１ｎＨ程度、第２のインダクタＬ２０のインダクタンスは例えば、３０ｎＨ程度、高周波カット用インダクタＬ３０のインダクタンスは例えば、４０ｎＨ程度、ＤＣカット用コンデンサＣ２０のキャパシタンスは例えば２ｐＦ程度、ＤＣカット用コンデンサＣ３０、Ｃ４０のキャパシタンスは例えば５０ｐＦ程度に設定される。   Here, the inter-terminal capacitance of the first switching diode D10 is, for example, about 0.2 pF, the on-state inductance component is, for example, about 1.2 nH, the inductance of the first inductor L10 is, for example, about 1 nH, For example, the inductance of the inductor L20 is set to about 30 nH, the inductance of the high frequency cut inductor L30 is set to about 40 nH, the capacitance of the DC cut capacitor C20 is set to about 2 pF, and the capacitances of the DC cut capacitors C30 and C40 are set to about 50 pF, for example. Is done.

一方、第２スイッチ手段ＳＷ２０は、第１端子Ｔ１０と第３端子Ｔ３０との間に接続されるストリップラインＳＬ１０と、ストリップラインＳＬ１０の第３端子Ｔ３０側端部とアースとの間に直列に接続される第２のスイッチングダイオードＤ２０及びコンデンサＣ１０とで構成される。第２のスイッチングダイオードＤ２０のアノード側は二手に分岐し、その一方はコンデンサＣ１０を介して接地され、他方は抵抗Ｒ１０を介して制御端子Ｔ４０に接続されている。第２のスイッチングダイオードのカソード側も二手に分岐し、その一方はＤＣカット用コンデンサＣ５０を介して第３端子Ｔ３０に接続され、他方はストリップラインＳＬ１０の第３端子Ｔ３０側端部と接続される。ストリップラインＳＬ１０の第１端子側端部は第１のインダクタＬ１０と第２のインダクタＬ２０との間に接続される。   On the other hand, the second switch means SW20 is connected in series between the strip line SL10 connected between the first terminal T10 and the third terminal T30, and the end of the strip line SL10 on the third terminal T30 side and the ground. Second switching diode D20 and capacitor C10. The anode side of the second switching diode D20 is bifurcated, one of which is grounded via the capacitor C10 and the other is connected to the control terminal T40 via the resistor R10. The cathode side of the second switching diode also bifurcates, one of which is connected to the third terminal T30 via the DC cut capacitor C50, and the other is connected to the end of the strip line SL10 on the side of the third terminal T30. . The end of the strip line SL10 on the first terminal side is connected between the first inductor L10 and the second inductor L20.

ここで、第２のスイッチングダイオードＤ２０のオフ時の端子間容量は例えば０．２ｐＦ程度でオン時のインダクタンス成分は例えば１．２ｎＨ程度、コンデンサＣ１０のキャパシタンスは例えば７ｐＦ程度、ＤＣカット用コンデンサＣ５０のキャパシタンスは例えば５０ｐＦ程度、抵抗Ｒ１０の抵抗値は例えば１５０Ω程度に設定される。ストリップラインＳＬ１０は、その電気長が受信周波数の波長の略１／４となる形状とされる。   Here, the capacitance between the terminals of the second switching diode D20 when turned off is about 0.2 pF, for example, the inductance component when turned on is about 1.2 nH, the capacitance of the capacitor C10 is about 7 pF, for example, and the DC cut capacitor C50 The capacitance is set to about 50 pF, for example, and the resistance value of the resistor R10 is set to about 150Ω, for example. The strip line SL10 has a shape whose electrical length is approximately ¼ of the wavelength of the reception frequency.

次に、上述した高周波スイッチ回路１０を用いて送受信を切り替える際の回路動作について説明する。   Next, a circuit operation when switching between transmission and reception using the high-frequency switch circuit 10 described above will be described.

まず、送信時には高周波スイッチ回路１０をオン状態にする。すなわち、制御端子Ｔ４０に正の電圧を印可すること（制御端子Ｔ４０からの制御信号がハイレベル）によって第１、第２のスイッチングダイオードＤ１０、Ｄ２０に対して順バイアスをかけ、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１０、Ｄ２０をオンにする。このとき制御電流は、制御端子Ｔ４０→抵抗Ｒ１０→第２のスイッチングダイオードＤ２０→ストリップラインＳＬ１０→第１のインダクタＬ１０→第１のスイッチングダイオードＤ１０→高周波カットインダクタＬ３０と流れ、ＤＣカットコンデンサＣ２０、Ｃ３０、Ｃ４０、Ｃ５０の働きで他の部分には流れない。   First, at the time of transmission, the high-frequency switch circuit 10 is turned on. That is, by applying a positive voltage to the control terminal T40 (the control signal from the control terminal T40 is at a high level), the first and second switching diodes D10 and D20 are forward-biased, and the first and second The switching diodes D10 and D20 are turned on. At this time, the control current flows from control terminal T40 → resistor R10 → second switching diode D20 → strip line SL10 → first inductor L10 → first switching diode D10 → high frequency cut inductor L30, and DC cut capacitors C20 and C30. , C40, C50 does not flow to other parts.

このとき第１のスイッチングダイオードＤ１０がオンになることで、第２端子Ｔ２０を介して入力された送信回路Ｔｘからの送信信号は第１端子Ｔ１０を介してアンテナＡｎｔに流れる。一方、第２のスイッチングダイオードＤ２０がオンになることで、ストリップラインＳＬ１０がスイッチングダイオードＤ２０とコンデンサＣ１０を介して接地されて送信信号の周波数で共振する。その結果、ストリップラインＳＬ１０のインピーダンスは極大となり、送信信号の第３端子Ｔ３０側への侵入を阻止するように作用し、受信回路Ｒｘ側へは殆ど流れない。このとき、オン状態のスイッチングダイオードＤ２０が有するインダクタンスと、それを補正するためのコンデンサＣ１０とで直列共振回路が形成され、ストリップラインＳＬ１０の第３端子Ｔ３０側端部の電位をアース電位に近づけることができる。   At this time, when the first switching diode D10 is turned on, the transmission signal from the transmission circuit Tx input via the second terminal T20 flows to the antenna Ant via the first terminal T10. On the other hand, when the second switching diode D20 is turned on, the strip line SL10 is grounded via the switching diode D20 and the capacitor C10 and resonates at the frequency of the transmission signal. As a result, the impedance of the strip line SL10 becomes maximum, acts to prevent the transmission signal from entering the third terminal T30, and hardly flows to the receiving circuit Rx. At this time, a series resonance circuit is formed by the inductance of the switching diode D20 in the on state and the capacitor C10 for correcting it, and the potential at the end of the strip line SL10 on the third terminal T30 side is brought close to the ground potential. Can do.

また、受信時には高周波スイッチ回路１０をオフ状態にする。すなわち、制御端子Ｔ４０に制御電圧が印加されず（制御端子Ｔ４０からの制御信号がローレベル）、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１０、Ｄ２０は共にオフとなる。従って、第１端子Ｔ１０より入力されたアンテナＡｎｔからの受信信号はストリップラインＳＬ１０を通過して第３端子Ｔ３０を介して受信回路Ｒｘへ流れる。このとき、オフ状態のスイッチングダイオードＤ１０が有するキャパシタンスと、それを補正するための第１のインダクタＬ１０及び第２のインダクタＬ２０とで並列共振回路が形成され、第１のスイッチングダイオードＤ１０の両端のインピーダンスが無限大に近づき、第１端子Ｔ１０を介してアンテナＡｎｔから入力される受信信号が第２端子Ｔ２０を介して送信回路Ｔｘへ漏れる量を減少させることができる。   At the time of reception, the high frequency switch circuit 10 is turned off. That is, no control voltage is applied to the control terminal T40 (the control signal from the control terminal T40 is at a low level), and both the first and second switching diodes D10 and D20 are turned off. Therefore, the reception signal from the antenna Ant input from the first terminal T10 passes through the strip line SL10 and flows to the reception circuit Rx via the third terminal T30. At this time, the parallel resonance circuit is formed by the capacitance of the switching diode D10 in the off state and the first inductor L10 and the second inductor L20 for correcting the capacitance, and impedances at both ends of the first switching diode D10. Can approach infinity, and the amount of leakage of the reception signal input from the antenna Ant via the first terminal T10 to the transmission circuit Tx via the second terminal T20 can be reduced.

ここで、ストリップラインＳＬ１０の第１端子Ｔ１０側端部を、第１スイッチ手段ＳＷ１０の内部である第１のインダクタＬ１０と第２のインダクタＬ２０との間に接続しているので、第１のスイッチングダイオードＤ１０の両端のインピーダンスが完全に無限大とはならないために第２端子Ｔ２０側へ漏洩する信号の一部を第３端子Ｔ３０側へ流すことができるため、第２端子Ｔ２０側へ漏洩する信号の量を減らすことができる。すなわち、オフ時における第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションを改善することができる。   Here, since the end portion on the first terminal T10 side of the strip line SL10 is connected between the first inductor L10 and the second inductor L20 inside the first switch means SW10, the first switching is performed. Since the impedance at both ends of the diode D10 is not completely infinite, a part of the signal leaking to the second terminal T20 side can flow to the third terminal T30 side, so that the signal leaking to the second terminal T20 side The amount of can be reduced. That is, it is possible to improve the isolation between the first terminal T10 and the second terminal T20 at the off time.

上述の効果を有効に得るためには、ストリップラインＳＬ１０の第１端子Ｔ１０側端部が接続される第１のインダクタＬ１０のインピーダンスＺ１と第２のインダクタＬ２０のインピーダンスＺ２との比Ｚ１／Ｚ２を適切な値にすることが望ましく、例えば０．０１〜０．０７とすることが望ましい。   In order to effectively obtain the above effect, the ratio Z1 / Z2 between the impedance Z1 of the first inductor L10 and the impedance Z2 of the second inductor L20 to which the end of the strip line SL10 on the first terminal T10 side is connected is set. An appropriate value is desirable, for example, 0.01 to 0.07 is desirable.

尚、抵抗Ｒ１０は制御信号のレベルを制限するためのもの、高周波カットインダクタＬ３０は直流である制御信号のみをアースへ流し、送信信号等の高周波成分がアースへ漏洩するのを防ぐためのものである。   The resistor R10 is for limiting the level of the control signal, and the high frequency cut inductor L30 is for flowing only the DC control signal to the ground and preventing the high frequency components such as the transmission signal from leaking to the ground. is there.

かくして上述した本実施形態の高周波スイッチ回路１０は、制御端子Ｔ４０からの制御信号によって、第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０とが接続されたオン状態と、第１端子Ｔ１０と第３端子Ｔ３０とが接続されたオフ状態と、を切り替えることができ、且つオフ状態における第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションを改善することができる。   Thus, the high-frequency switch circuit 10 according to the present embodiment described above is in an on state in which the first terminal T10 and the second terminal T20 are connected by the control signal from the control terminal T40, and the first terminal T10 and the third terminal T30. Between the first terminal T10 and the second terminal T20 in the off state can be improved.

次に、上述した高周波スイッチ回路を積層体の内部に備えた高周波スイッチ部品２０について図２、図３を用いて説明する。   Next, the high-frequency switch component 20 provided with the above-described high-frequency switch circuit inside the laminate will be described with reference to FIGS.

図２は本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品２０の外観斜視図、図３は図２の高周波スイッチ部品２０の分解斜視図である。   2 is an external perspective view of the high-frequency switch component 20 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an exploded perspective view of the high-frequency switch component 20 of FIG.

これらの図に示す高周波スイッチ部品２０は、誘電体から成る積層体２の端面に、第１端子３、第２端子４、第３端子５、制御端子６、グランド端子７が形成され、積層体２の上面にはスイッチングダイオード等のチップ部品８が搭載されている。   In the high-frequency switch component 20 shown in these drawings, a first terminal 3, a second terminal 4, a third terminal 5, a control terminal 6, and a ground terminal 7 are formed on an end face of a multilayer body 2 made of a dielectric material. A chip component 8 such as a switching diode is mounted on the upper surface of 2.

前記積層体２は、図３に示すように複数の誘電体層２０a〜２０ｇを積層して形成されており、各誘電体層２０a〜２０ｇは誘電体セラミック材料、焼結剤、低融点ガラス材料等によって形成されている。かかる誘電体セラミック材料としては、例えば、BaO−TiO２系、Ca−TiO２系、MgO−TiO２系等のセラミック材料が用いられ、各誘電体層２０a〜２０ｇの厚みは、１層あたり５０〜３００μｍ程度に設定されている。 The laminate 2 is formed by laminating a plurality of dielectric layers 20a to 20g as shown in FIG. 3, and each dielectric layer 20a to 20g is made of a dielectric ceramic material, a sintering agent, and a low melting point glass material. Etc. are formed. As such dielectric ceramic materials, for example, ceramic materials such as BaO—TiO 2 , Ca—TiO 2 , and MgO—TiO 2 are used, and the thickness of each of the dielectric layers 20a to 20g is 50 per layer. It is set to about ~ 300 μm.

また、このような積層体２の内部には、多数の導体層、具体的にはグランド電極２１、コンデンサ用電極２２、ストリップライン用の伝送線路２３、インダクタ用電極２４等が形成されている。   In addition, a large number of conductor layers, specifically, a ground electrode 21, a capacitor electrode 22, a stripline transmission line 23, an inductor electrode 24, and the like are formed in the multilayer body 2.

前記グランド電極２１は、誘電体層２０ｂ、２０ｇの上面ほぼ全体にわたって形成されており、その使用時、グランド電位に保持されることによって外部からのノイズを遮蔽するためのものである。   The ground electrode 21 is formed over substantially the entire top surface of the dielectric layers 20b and 20g, and is used to shield noise from the outside by being held at the ground potential when used.

また、ストリップライン用の伝送線路２３は誘電体層２０ｅの上面に所定の帯状パターンをなすように形成されており、これをグランド電極２１と対向配置させた上、その一端をスイッチングダイオードを介して上述のグランド端子７と電気的に接続させる。このようにして形成されたストリップラインが、高周波スイッチ回路１０におけるストリップラインＳＬ１０として機能する。   The stripline transmission line 23 is formed on the upper surface of the dielectric layer 20e so as to form a predetermined band-like pattern. The transmission line 23 is opposed to the ground electrode 21, and one end of the transmission line 23 is connected via a switching diode. It is electrically connected to the ground terminal 7 described above. The strip line formed in this way functions as the strip line SL10 in the high-frequency switch circuit 10.

更に、コイル用電極２４は、誘電体層２０ｆの上面に蛇行状もしくは渦巻状パターンをなすように形成されており、これによって高周波スイッチ回路１０における各種インダクタを形成している。   Further, the coil electrode 24 is formed in a meandering or spiral pattern on the upper surface of the dielectric layer 20 f, thereby forming various inductors in the high-frequency switch circuit 10.

また更に、コンデンサ用電極２２は、誘電体層２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの各上面に形成されており、これらの電極２２同士、もしくはこれらの電極２２とグランド電極２１とを、間に誘電体層を介して対向配置させることによってコンデンサを形成している。このようにして形成されたコンデンサが、高周波スイッチ回路１０における各種コンデンサとして機能する。   Furthermore, the capacitor electrode 22 is formed on each upper surface of the dielectric layers 20c, 20d, 20e, and 20f, and the electrodes 22 or the electrodes 22 and the ground electrode 21 are interposed between the dielectric layers. Capacitors are formed by arranging the layers facing each other. The capacitors formed in this way function as various capacitors in the high-frequency switch circuit 10.

尚、積層体２の内部に形成されるこれらのグランド電極２１、コンデンサ用電極２２、ストリップライン用の伝送線路２３、インダクタ用電極２４は、例えばAg、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料から成り、その厚みは例えば５〜２５μｍに設定される。   The ground electrode 21, the capacitor electrode 22, the strip line transmission line 23, and the inductor electrode 24 formed inside the laminate 2 are made of an Ag alloy such as Ag, Ag—Pd, or Ag—Pt. The thickness is set to, for example, 5 to 25 μm.

また、積層体２の端面に形成される第１端子３、第２端子４、第３端子５、制御端子６、グランド端子７等は積層体内部に形成される導体層と同様に、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料から成り、その厚みは例えば５〜２５μｍに設定される。   Further, the first terminal 3, the second terminal 4, the third terminal 5, the control terminal 6, the ground terminal 7 and the like formed on the end surface of the multilayer body 2 are formed of Ag, It consists of a conductive material mainly composed of an Ag alloy such as Ag-Pd or Ag-Pt, and the thickness thereof is set to 5 to 25 μm, for example.

そして、上述した積層体２の上面には、複数個のランド９が形成されており、このランド９にチップ部品８の端子を導電性接着剤等を介して接合することによりチップ部品８が積層体２上に取り付け・実装される。かかるチップ部品８としては、例えば、第１のスイッチングダイオードＤ１０及び第２のスイッチングダイオードＤ２０用のＰＩＮダイオード、抵抗Ｒ１０用のチップ抵抗器、各種コンデンサ及び各種インダクタの一部が例示できる。   A plurality of lands 9 are formed on the upper surface of the laminate 2 described above, and the chip components 8 are stacked by joining the terminals of the chip components 8 to the lands 9 via a conductive adhesive or the like. Mounted and mounted on the body 2. Examples of the chip component 8 include a PIN diode for the first switching diode D10 and the second switching diode D20, a chip resistor for the resistor R10, various capacitors, and some inductors.

このようにして形成されたコンデンサ、インダクタ、ストリップライン、スイッチングダイオード、抵抗、各端子が誘電体層に形成されたビアホール（図示せず）等によって接続され、図１に示すような高周波スイッチ回路１０が構成される。   The capacitors, inductors, strip lines, switching diodes, resistors, terminals formed in this way are connected by via holes (not shown) formed in the dielectric layer, etc., and a high frequency switch circuit 10 as shown in FIG. Is configured.

本発明の高周波スイッチ部品２０は、上述したようにストリップライン、コンデンサ、インダクタの少なくとも一部が積層体の内部もしくは表面に形成されたパターンで構成されていることから、高周波スイッチ部品２０の全体構造を簡素化することができ、またチップ状コンデンサやチップ状インダクタを積層体上に実装して高周波スイッチ部品２０を構成する場合に比べ、チップ状部品の実装面積を削減することが可能となり、高周波スイッチ部品２０の小型化に供することができる。   As described above, the high-frequency switch component 20 of the present invention is configured by a pattern in which at least a part of the strip line, capacitor, and inductor is formed in the inside or the surface of the multilayer body. Compared with the case where the high frequency switch component 20 is configured by mounting a chip capacitor or chip inductor on the multilayer body, the mounting area of the chip component can be reduced, and the high frequency can be reduced. The switch component 20 can be used for downsizing.

次に本発明の高周波スイッチ回路１０を用いたアンテナ共用器３０について図４を用いて説明する。図４は本発明の高周波スイッチ１０の第２端子Ｔ２０に送信側フィルタＴｘＦを接続し、第３端子Ｔ３０に受信側フィルタＲｘＦを接続して構成したアンテナ共用器３０の回路構成図であり、第１端子Ｔ１０をアンテナに、送信端子Ｐｔｘ送信側回路に、受信端子Ｐｒｘを受信側回路に接続することによってアンテナ共用器として動作する。   Next, the antenna duplexer 30 using the high-frequency switch circuit 10 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the antenna duplexer 30 configured by connecting the transmission-side filter TxF to the second terminal T20 of the high-frequency switch 10 of the present invention and connecting the reception-side filter RxF to the third terminal T30. It operates as an antenna duplexer by connecting the 1 terminal T10 to the antenna, the transmission terminal Ptx to the transmission side circuit, and the reception terminal Prx to the reception side circuit.

このアンテナ共用器３０を図２及び図３に示すような複数の誘電体層の積層体で構成し、送信側フィルタＴｘＦ及び受信側フィルタＲｘＦの少なくとも一方をストリップラインもしくはマイクロストリップラインとコンデンサとから成る誘電体フィルタで構成し、ストリップラインもしくはマイクロストリップラインを積層体の表面若しくは誘電体層間に配した蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成することにより、アンテナ共用器３０の全体構造を簡素化することができ、また送信側フィルタＴｘＦ及び受信側フィルタＲｘＦの両方をチップ部品で構成して積層体上に実装してアンテナ共用器３０を構成する場合に比べ、チップ状部品の実装面積を削減することが可能となり、アンテナ共用器３０の小型化に供することができる。   The antenna duplexer 30 is formed of a laminate of a plurality of dielectric layers as shown in FIGS. 2 and 3, and at least one of the transmission side filter TxF and the reception side filter RxF is composed of a stripline or a microstripline and a capacitor. The entire structure of the duplexer 30 is formed by forming a strip line or microstrip line including a meandering or spiral wiring pattern in which a strip line or a microstrip line is disposed between the surface of the laminate or the dielectric layers. Compared with the case where the antenna duplexer 30 is configured by configuring both the transmission-side filter TxF and the reception-side filter RxF with chip components and mounting them on the laminate, the mounting area of the chip-shaped components can be simplified. It is possible to reduce the size of the antenna duplexer 30. That.

次に本発明の高周波スイッチ１０を用いた移動体通信装置４０について図５を用いて説明する。図５は相対的に低い周波数帯の信号を用いて送受信を行う第１の通信方式に対応した第１の通信回路４１と、相対的に高い周波数帯域の信号を用いて送受信を行う第２の通信方式に対応した第２の通信回路４２とが、ダイプレクサｄｙｐを介してアンテナ４３に接続された、デュアルバンド対応の移動体通信装置４０のブロック図である。具体的な通信方式としては、例えば９００ＭＨｚ帯の信号を用いるＧＳＭ方式と１８００ＭＨｚ帯の信号を用いるＤＣＳ方式の組み合わせが例示できる。   Next, a mobile communication device 40 using the high frequency switch 10 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a first communication circuit 41 corresponding to the first communication system that transmits and receives using a signal of a relatively low frequency band, and a second that transmits and receives using a signal of a relatively high frequency band. It is the block diagram of the mobile communication apparatus 40 corresponding to a dual band by which the 2nd communication circuit 42 corresponding to a communication system is connected to the antenna 43 via the diplexer dyp. As a specific communication system, for example, a combination of a GSM system using a 900 MHz band signal and a DCS system using a 1800 MHz band signal can be exemplified.

第１の通信回路４１においては、送信側回路ＬＴｘと受信側回路ＬＲｘとが第１のアンテナスイッチ回路ＳｗＬを介してダイプレクサｄｙｐに接続されており、第２の通信回路４２においては、送信側回路ＨＴｘと受信側回路ＨＴｘとが第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨを介してダイプレクサｄｙｐに接続されている。ここで、少なくとも第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨには、本発明の高周波スイッチ回路１０が用いられている。   In the first communication circuit 41, the transmission side circuit LTx and the reception side circuit LRx are connected to the diplexer dyp via the first antenna switch circuit SwL. In the second communication circuit 42, the transmission side circuit HTx and the receiving circuit HTx are connected to the diplexer dyp via the second antenna switch circuit SwH. Here, the high-frequency switch circuit 10 of the present invention is used for at least the second antenna switch circuit SwH.

ダイプレクサｄｙｐは、例えばローパスフィルタとハイパスフィルタとが並列に接続された構成を有し、アンテナ４３から入力された信号のうち低い周波数の信号をローパスフィルタ側へ、高い周波数の信号をハイパスフィルタ側へと、周波数に応じて分波する機能を備えたマルチプレクサである。   The diplexer dyp has, for example, a configuration in which a low-pass filter and a high-pass filter are connected in parallel. Of the signals input from the antenna 43, a low-frequency signal is directed to the low-pass filter, and a high-frequency signal is directed to the high-pass filter. And a multiplexer having a function of demultiplexing according to the frequency.

次にこの移動体通信装置４０の動作について説明する。   Next, the operation of the mobile communication device 40 will be described.

まず、第１の通信方式で送信を行う際は、第１のアンテナスイッチ回路ＳｗＬがオンとなり、第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨがオフとなる。よって第１の通信回路の送信側回路ＨＴｘがダイプレクサｄｙｐを介してアンテナ４３に接続され、送信信号が送信される。   First, when transmission is performed using the first communication method, the first antenna switch circuit SwL is turned on and the second antenna switch circuit SwH is turned off. Therefore, the transmission side circuit HTx of the first communication circuit is connected to the antenna 43 via the diplexer dyp, and the transmission signal is transmitted.

次に、第２の通信方式で送信を行う際は、第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨがオンとなり、第１のアンテナスイッチ回路ＳｗＬがオフとなる。よって第２の通信回路の送信側回路ＬＴｘがダイプレクサｄｙｐを介してアンテナ４３に接続され、送信信号が送信される。   Next, when transmitting by the second communication method, the second antenna switch circuit SwH is turned on and the first antenna switch circuit SwL is turned off. Therefore, the transmission side circuit LTx of the second communication circuit is connected to the antenna 43 via the diplexer dyp, and the transmission signal is transmitted.

そして、受信時は両方のアンテナスイッチ回路が共にオフとなり、それぞれの受信側回路が共にダイプレクサｄｙｐを介してアンテナ４３に接続されている。アンテナ４３からの受信信号は周波数に応じて分波され、第１の通信方式の信号は第１の通信回路の受信側回路ＬＲｘに伝えられ、第２の通信方式の信号は第２の通信回路の受信側回路ＨＲｘに伝えられる。   During reception, both antenna switch circuits are both turned off, and both reception side circuits are connected to the antenna 43 via a diplexer dyp. The reception signal from the antenna 43 is demultiplexed according to the frequency, the signal of the first communication method is transmitted to the reception side circuit LRx of the first communication circuit, and the signal of the second communication method is transmitted to the second communication circuit. To the receiving side circuit HRx.

このような周波数の異なる複数の通信方式に対応した移動体通信装置４０においては、一般的に次のような問題が生じやすい。すなわち、第１の通信回路４１の送信側回路ＬＴｘの中のパワーアンプ等で発生する送信信号の高調波成分（周波数が２倍、３倍、・・・の信号）が、信号線路間の電磁気的干渉などによって第２の通信回路の送信側回路ＨＴｘに混入し、第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨと、ダイプレクサｄｙｐとを通過して、アンテナ４３より放出されてしまうという問題が生じる。第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨはダイプレクサｄｙｐのハイパスフィルタ側に接続されているため、前記高調波成分はダイプレクサｄｙｐで大きく減衰されることがないためである。   In the mobile communication device 40 corresponding to such a plurality of communication systems having different frequencies, the following problems are generally likely to occur. That is, the harmonic component of the transmission signal generated by the power amplifier or the like in the transmission circuit LTx of the first communication circuit 41 (a signal having a frequency of 2 times, 3 times,...) Is electromagnetic between the signal lines. There arises a problem that the signal is mixed into the transmission side circuit HTx of the second communication circuit due to mechanical interference, passes through the second antenna switch circuit SwH and the diplexer dyp, and is emitted from the antenna 43. This is because the second antenna switch circuit SwH is connected to the high-pass filter side of the diplexer dyp, so that the harmonic component is not greatly attenuated by the diplexer dyp.

本実施形態の移動体通信装置４０においては、第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨに本発明の高周波スイッチ回路１０を用いているので、オフ時の第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションが優れているため、上述した高調波成分を問題ないレベルまで減衰させることができる。   In the mobile communication device 40 of the present embodiment, since the high-frequency switch circuit 10 of the present invention is used for the second antenna switch circuit SwH, the isolator between the first terminal T10 and the second terminal T20 when turned off is used. Therefore, the above-described harmonic component can be attenuated to a problem-free level.

これにより、上述した高調波成分を抑制するために従来実施していた、パワーアンプに高調波成分の信号レベルを低下させる回路を付加することや、低周波側の回路と高周波側の回路との間の距離を離して電磁気的な結合を防止するなどの対策を省略することが可能となり、通信装置４０の構成の簡素化や小型化を実現することができる。   As a result, a circuit that lowers the signal level of the harmonic component, which has been conventionally implemented to suppress the above-described harmonic component, is added to the power amplifier, or a circuit between the low frequency side circuit and the high frequency side circuit. It is possible to omit measures such as preventing the electromagnetic coupling by separating the distance therebetween, and the configuration of the communication device 40 can be simplified and downsized.

特に、第２の通信回路の周波数帯域が第１の通信回路の周波数帯域の略ｎ倍（ｎは２以上の自然数）になっているときは、第１の通信回路の信号の高調波成分と第２の通信回路の信号の周波数帯域とが略一致することになるが、第２のアンテナスイッチ回路ＳｗＨのオフ時の第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションは、第２の通信回路４２の送信信号の周波数で最大になるように設定されるので、上述した高調波成分を最大限に減衰させることができる。   In particular, when the frequency band of the second communication circuit is approximately n times the frequency band of the first communication circuit (n is a natural number of 2 or more), the harmonic component of the signal of the first communication circuit Although the frequency band of the signal of the second communication circuit substantially matches, the isolation between the first terminal T10 and the second terminal T20 when the second antenna switch circuit SwH is off is the second. Therefore, the above-described harmonic component can be attenuated to the maximum.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、上述した実施形態では、二つの通信回路をダイプレクサで接続した移動体通信装置としたが、これに捕らわれることなく、例えば三つの通信回路をトリプレクサで接続した通信装置のアンテナスイッチ回路に本発明の高周波スイッチ回路１０を適用した移動体通信装置としても同様の効果を得ることができる。   For example, in the above-described embodiment, a mobile communication device in which two communication circuits are connected by a diplexer is used. However, the present invention is applied to an antenna switch circuit of a communication device in which, for example, three communication circuits are connected by a triplexer. The same effect can be obtained as a mobile communication device to which the high-frequency switch circuit 10 is applied.

また、上述の実施形態においては、通信方式としてＧＳＭとＤＣＳを示したが、他の通信方式を組み合わせた通信装置としても良いのはもちろんであり、例えば、ＧＳＭとＰＤＣとのデュアル方式の通信装置としても構わない。   In the above-described embodiment, GSM and DCS are shown as communication methods. However, it is a matter of course that a communication device combining other communication methods may be used. For example, a dual communication device of GSM and PDC is used. It does not matter.

次に上述した本発明の作用効果について、図６を用いて説明する。   Next, the operational effects of the present invention described above will be described with reference to FIG.

図６（ａ）は本発明の高周波スイッチ回路１０において、第１のインダクタＬ１０のインダクタンスを１ｎＨに設定した場合Ｘと、従来例の第１のインダクタが無い場合Ｙとにおいて、第２のインダクタＬ２０の値を変化させたときの、第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。   FIG. 6A shows a second inductor L20 in the high frequency switch circuit 10 of the present invention when the inductance of the first inductor L10 is set to 1 nH and when the first inductor of the conventional example is not provided Y. It is a graph which shows the change of the isolation between 1st terminal T10 and 2nd terminal T20 when changing the value of.

尚、第１のインダクタＬ１０及び第２のインダクタＬ２０以外については、第１及び第２のスイッチングダイオードＤ１０、Ｄ２０のオフ時の端子間容量を０．２５ｐＦ、コンダクタンスを１５００Ω、オン時のインダクタンス成分を１．２ｎＨ、抵抗成分を１．３Ω、高周波カット用インダクタＬ３０のインダクタンスを３９ｎＨ、ＤＣカット用コンデンサＣ２０のキャパシタンスを１．５ｐＦ、ＤＣカット用コンデンサＣ３０、Ｃ４０、Ｃ５０のキャパシタンスは５６ｐＦ、抵抗Ｒ１０の抵抗値を１５０Ω、ストリップラインＳＬ１０は１８４０ＭＨｚで１／４波長となるように誘電体の誘電率を１８．７として長さを９．４ｍｍとした。   Except for the first inductor L10 and the second inductor L20, the capacitance between the terminals of the first and second switching diodes D10 and D20 when turned off is 0.25 pF, the conductance is 1500Ω, and the inductance component when turned on. 1.2 nH, resistance component 1.3Ω, inductance of high frequency cut inductor L30 is 39 nH, capacitance of DC cut capacitor C20 is 1.5 pF, capacitance of DC cut capacitors C30, C40, C50 is 56 pF, resistance R10 The dielectric constant of the dielectric was 18.7 and the length was 9.4 mm so that the resistance value was 150Ω and the stripline SL10 had a quarter wavelength at 1840 MHz.

上述した回路において第２のインダクタＬ２０の値を変化させて１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚにおける第１端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションを調べた結果、第１のインダクタＬ１０が無い場合には最大でー３０ｄＢであったのに対して、第１のインダクタＬ１０が１ｎＨの場合には最大でー４０ｄＢまでアイソレーションが向上し、本発明の顕著な効果が確認できた。   As a result of examining the isolation between the first terminal T10 and the second terminal T20 at 1805 MHz to 1880 MHz by changing the value of the second inductor L20 in the circuit described above, the maximum is obtained when the first inductor L10 is not present. In contrast to -30 dB, when the first inductor L10 is 1 nH, the isolation is improved up to -40 dB, confirming the remarkable effect of the present invention.

そこで、第１のインダクタＬ１０及び第２のインダクタＬ２０のインピーダンス更に変化させて、それぞれの値で達成される最大のアイソレーションを調べた結果、図６（ｂ）のグラフに示す結果を得た。図６（ｂ）において、横軸は第１のインダクタＬ１０のインピーダンスＺ１と第２のインダクタＬ２０のインピーダンスＺ２との比Ｚ１／Ｚ２であり、縦軸は本発明の高周波スイッチ回路１０のオフ時における第１の端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションである。グラフから明らかなように、Ｚ１／Ｚ２の値を０．０１〜０．０７とすることによって高周波スイッチ回路１０のオフ時における第１の端子Ｔ１０と第２端子Ｔ２０との間のアイソレーションを向上させることができ、０．０３〜０．０４の間で最大の効果を得ることができる。   Accordingly, the impedance of the first inductor L10 and the second inductor L20 was further changed, and the maximum isolation achieved by each value was examined. As a result, the result shown in the graph of FIG. 6B was obtained. In FIG. 6B, the horizontal axis is the ratio Z1 / Z2 of the impedance Z1 of the first inductor L10 and the impedance Z2 of the second inductor L20, and the vertical axis is when the high-frequency switch circuit 10 of the present invention is off. This is an isolation between the first terminal T10 and the second terminal T20. As is apparent from the graph, the isolation between the first terminal T10 and the second terminal T20 when the high-frequency switch circuit 10 is OFF is improved by setting the value of Z1 / Z2 to 0.01 to 0.07. The maximum effect can be obtained between 0.03 and 0.04.

尚、本実施形態においては第１のインダクタＬ１としてインダクタを使用したが、第２のインダクタＬ２と上述のインピーダンスの関係を有する他のインピーダンス素子に置き換えても構わない。   In the present embodiment, an inductor is used as the first inductor L1, but it may be replaced with another impedance element having the above-described impedance relationship with the second inductor L2.

本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of the high frequency switch circuit concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の概観斜視図である。It is a general-view perspective view of the high frequency switch component concerning one embodiment of the present invention. 図２の高周波スイッチ部品の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the high frequency switch component of FIG. 本発明の一実施形態に係るアンテナ共用器の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the antenna sharing device which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る通信装置のブロック図である。It is a block diagram of the communication apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. （ａ）は本発明と従来品の高周波スイッチ回路について第１端子と第２端子との間のアイソレーションを比較したグラフ、（ｂ）は本発明品の高周波スイッチ回路を用いて第１端子と第２端子との間のアイソレーションを詳細に測定した結果を示すグラフである。(A) is a graph comparing the isolation between the first terminal and the second terminal for the high frequency switch circuit of the present invention and the conventional product, and (b) is the first terminal using the high frequency switch circuit of the present invention. It is a graph which shows the result of having measured the isolation between 2nd terminals in detail. 従来の高周波スイッチ回路の一例を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows an example of the conventional high frequency switch circuit.

符号の説明Explanation of symbols

Ｔ１０、３・・・第１端子
Ｔ２０、４・・・第２端子
Ｔ３０、５・・・第３端子
Ｔ４０、６・・・制御端子
ＳＷ１０・・・第１スイッチ手段
ＳＷ２０・・・第２スイッチ手段
Ａｎｔ、４３・・・アンテナ
Ｔｘ・・・送信回路
ＴｘＦ・・・送信フィルタ
Ｒｘ・・・受信回路
ＲｘＦ・・・受信フィルタ
Ｄ１０・・・第１のスイッチングダイオード
Ｄ２０・・・第２のスイッチングダイオード
Ｌ１０・・・第１のインダクタ
Ｌ２０・・・第２のインダクタ
Ｌ３０・・・高周波カット用インダクタ
Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ３０、Ｃ４０、Ｃ５０・・・コンデンサ
ＳＬ１０・・・ストリップライン
ｄｐｘ・・・マルチプレクサ（ダイプレクサ）
ＳｗＬ・・・第１のアンテナスイッチ回路
ＳｗＨ・・・第２のアンテナスイッチ回路
２・・・積層体
７・・・グランド端子
８・・・チップ部品
９・・・ランド
２０a〜２０ｇ・・・誘電体層
２１・・・グランド電極
２２・・・コンデンサ用電極
２３・・・伝送線路
２４・・・コイル用電極
４０・・・移動体通信装置
４１・・・第１の通信回路
４２・・・第２の通信回路 T10, 3 ... 1st terminal T20, 4 ... 2nd terminal T30, 5 ... 3rd terminal T40, 6 ... control terminal SW10 ... 1st switch means SW20 ... 2nd switch Means Ant, 43 ... Antenna Tx ... Transmission circuit TxF ... Transmission filter Rx ... Reception circuit RxF ... Reception filter D10 ... First switching diode D20 ... Second switching diode L10: first inductor L20: second inductor L30: high frequency cut inductor C10, C20, C30, C40, C50: capacitor SL10: strip line dpx: multiplexer (diplexer) )
SwL ... 1st antenna switch circuit SwH ... 2nd antenna switch circuit 2 ... Laminate 7 ... Ground terminal 8 ... Chip component 9 ... Land 20a-20g ... Dielectric Body layer 21 ... Ground electrode 22 ... Capacitor electrode 23 ... Transmission line 24 ... Coil electrode 40 ... Mobile communication device 41 ... First communication circuit 42 ... First 2 communication circuit

Claims (7)

第１端子、第２端子及び第３端子を有し、前記第1端子と前記第２端子との間に第１スイッチ手段を、前記第1端子と前記第３端子との間に第２スイッチ手段を接続してなり、
外部より供給される制御信号に基いて前記第１スイッチ手段及び前記第２スイッチ手段のオン・オフを制御することにより、前記第１端子と前記第２端子とが電気的に接続された状態と、前記第１端子と前記第３端子とが電気的に接続された状態とを切り替えるようにした高周波スイッチ回路において、
前記第１スイッチ手段を、インダクタンス素子を含む少なくとも２個のインピーダンス素子を直列に接続した上、これをスイッチングダイオードと並列に接続して構成するとともに、前記第２スイッチ手段の一端を前記第１スイッチ手段の一方のインピーダンス素子と他方のインピーダンス素子との間に接続したことを特徴とする高周波スイッチ回路。 A first terminal, a second terminal, and a third terminal; a first switch means between the first terminal and the second terminal; and a second switch between the first terminal and the third terminal. Connecting means,
The first terminal and the second terminal are electrically connected by controlling on / off of the first switch means and the second switch means based on a control signal supplied from outside. In the high-frequency switch circuit that switches between the state in which the first terminal and the third terminal are electrically connected,
The first switch means is constituted by connecting at least two impedance elements including an inductance element in series and in parallel with a switching diode, and one end of the second switch means is connected to the first switch. A high-frequency switch circuit, characterized in that it is connected between one impedance element and the other impedance element of the means. 前記２個のインピーダンス素子のうち、一方のインピーダンス素子が第１端子側に、他方のインピーダンス素子が第２端子側に配置されるとともに、前記一方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ１と前記他方のインピーダンス素子のインピーダンスＺ２との比Ｚ１／Ｚ２を０．０１〜０．０７に設定したことを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ回路。 Of the two impedance elements, one impedance element is disposed on the first terminal side and the other impedance element is disposed on the second terminal side, and the impedance Z1 of the one impedance element and the other impedance element 2. The high-frequency switch circuit according to claim 1, wherein a ratio Z 1 / Z 2 to an impedance Z 2 is set to 0.01 to 0.07. 請求項１または請求項２に記載の高周波スイッチ回路を備え、該高周波スイッチ回路の第１端子がアンテナに、第２端子が送信回路に、第３端子が受信回路に接続されることを特徴とするアンテナスイッチ回路。 A high-frequency switch circuit according to claim 1 or 2, wherein a first terminal of the high-frequency switch circuit is connected to an antenna, a second terminal is connected to a transmission circuit, and a third terminal is connected to a reception circuit. An antenna switch circuit. 前記第１端子がマルチプレクサを介してアンテナに接続されることを特徴とする請求項３に記載のアンテナスイッチ回路。 The antenna switch circuit according to claim 3, wherein the first terminal is connected to an antenna through a multiplexer. 請求項１または請求項２に記載の高周波スイッチ回路、もしくは、請求項３または請求項４に記載のアンテナスイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなる高周波スイッチ部品であって、
前記２個のインピーダンス素子の双方をインダクタンス素子で構成するとともに、その少なくとも一方を前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成したことを特徴とする高周波スイッチ部品。 A high-frequency switch component comprising: the high-frequency switch circuit according to claim 1 or claim 2; or the antenna switch circuit according to claim 3 or claim 4 provided in a laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers. Because
Both the two impedance elements are composed of inductance elements, and at least one of them is formed to include a meandering or spiral wiring pattern disposed on the surface of the laminate or between dielectric layers. High-frequency switch parts. 請求項３または請求項４に記載のアンテナスイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなり、前記第２端子を送信用フィルタに、前記第３端子を受信用フィルタに接続するとともに、前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタの少なくとも一方を、前記積層体の表面もしくは誘電体層間に配された蛇行状もしくは渦巻き状の配線パターンを含んで形成してなるアンテナ共用器。 5. The antenna switch circuit according to claim 3 or 4, wherein the antenna switch circuit is provided in a laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers, wherein the second terminal is used as a transmission filter and the third terminal is used as a reception filter. And at least one of the transmission filter and the reception filter is formed to include a meandering or spiral wiring pattern disposed between the surface of the laminate or the dielectric layer. . 所定の周波数帯域Ｆ１を使用して信号の送受信を行なう第１の通信回路と、周波数帯域Ｆ１よりも高周波の周波数帯域Ｆ２を使用して信号の送受信を行なう第２の通信回路とを含む複数の通信回路を、マルチプレクサを介してアンテナに接続してなり、
前記アンテナにより受信した信号を前記マルチプレクサにて分波するとともに、該分波した信号をその周波数に応じて前記複数の通信回路のいずれかに供給するようにした移動体通信装置であって、
前記複数の通信回路は、その各々が送信回路、受信回路及び送受信切換用のスイッチ回路を備えてなり、且つ、少なくとも第２の通信回路の送受信切換用のスイッチ回路として請求項４に記載のアンテナスイッチ回路を用いることを特徴とする移動体通信装置。

A first communication circuit that transmits and receives signals using a predetermined frequency band F 1 , and a second communication circuit that transmits and receives signals using a frequency band F 2 that is higher in frequency than the frequency band F 1. Including a plurality of communication circuits including an antenna via a multiplexer,
A mobile communication device that demultiplexes a signal received by the antenna by the multiplexer and supplies the demultiplexed signal to any of the plurality of communication circuits according to the frequency,
5. The antenna according to claim 4, wherein each of the plurality of communication circuits includes a transmission circuit, a reception circuit, and a transmission / reception switching switch circuit, and at least the transmission / reception switching switch circuit of the second communication circuit. A mobile communication device using a switch circuit.

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