JP2005136004A - Aligner and manufacturing method for device - Google Patents

Aligner and manufacturing method for device Download PDF

Info

Publication number
JP2005136004A
JP2005136004A JP2003367955A JP2003367955A JP2005136004A JP 2005136004 A JP2005136004 A JP 2005136004A JP 2003367955 A JP2003367955 A JP 2003367955A JP 2003367955 A JP2003367955 A JP 2003367955A JP 2005136004 A JP2005136004 A JP 2005136004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
stage
reticle
exposure apparatus
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003367955A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takaaki Kimura
隆昭 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2003367955A priority Critical patent/JP2005136004A/en
Publication of JP2005136004A publication Critical patent/JP2005136004A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To rapidly restore a trouble even when the trouble is generated in a projection optical system and a temperature control system such as a reticle stage, a substrate stage or the like. <P>SOLUTION: An aligner has a rough adjustment system 73 for roughly adjusting the temperature of a temperature-control medium at a specified set temperature; a first fine adjustment system C1 finely adjusting the temperature of the medium cooled by a rough adjustment system 73, circulating the temperature of the medium to the projection optical system PL, and controlling the temperature; and second fine adjustment systems C5 and C6 finely adjusting the temperature of the medium temperature-controlled by the system 73, circulating the temperature of the medium to the substrate stage 5, and controlling the temperatures of the stages 2 and 5. The generation of the troubles in the fine adjustment systems C1, C5 and C6 is detected by detectors 69a, 76a and 79a. A controller 77 stops control valves 67, 80 and 84 for the fine adjustment systems in which the troubles are generated, and the set temperature of the rough adjustment system 73 is lowered in response to the balance of the amount of heat of the whole temperature control system. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体素子や液晶表示素子等のデバイス製造工程において、マスクのパターン像をウエハ等の基板上に投影露光する露光装置および基板にデバイスパターンを転写するデバイス製造方法に関するものである。   The present invention relates to an exposure apparatus that projects and exposes a pattern image of a mask onto a substrate such as a wafer and a device manufacturing method that transfers the device pattern onto the substrate in a device manufacturing process such as a semiconductor element or a liquid crystal display element.

半導体デバイスまたは液晶表示デバイス等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）のパターン像を投影光学系を介して感光基板上の各ショット領域に投影する投影露光装置が使用されている。近年、この種の投影露光装置としては、感光基板を２次元的に移動自在なステージ上に載置し、このステージにより感光基板をステップ移動させて、レチクルのパターン像をウエハ等の感光基板上の各ショット領域に順次露光する動作を繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置、例えば縮小投影型の露光装置（ステッパー）が多用されている。また、近年では、ウエハの露光中に、レチクルとウエハとを同期移動させることにより、ウエハ上の各ショット領域を順次露光していく、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光装置も使用されている。   When manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like in a photolithography process, a pattern image of a photomask or a reticle (hereinafter collectively referred to as “reticle”) is projected onto each shot area on a photosensitive substrate via a projection optical system. A projection exposure apparatus is used. In recent years, as this type of projection exposure apparatus, a photosensitive substrate is placed on a two-dimensionally movable stage, and the photosensitive substrate is stepped by this stage to transfer a reticle pattern image onto a photosensitive substrate such as a wafer. A so-called step-and-repeat type exposure apparatus, for example, a reduction projection type exposure apparatus (stepper), is frequently used. In recent years, a so-called step-and-scan type exposure apparatus that sequentially exposes each shot area on the wafer by moving the reticle and the wafer synchronously during the exposure of the wafer is also used. .

例えば半導体デバイスなどのマイクロデバイスは、感光基板として、感光材が塗布されたウエハ上に多数層の回路パターンを重ねて形成されるので、２層目以降の回路パターンをウエハ上に投影露光する際には、ウエハ上の既に回路パターンが形成された各ショット領域とこれから露光するレチクルのパターン像との位置合わせ、即ちウエハとレチクルとの位置合わせ（アライメント）を精確に行う必要がある。例えば、回路パターンが露光されるショット領域をマトリックス状に配置した一枚のウエハに対して、重ね合わせ露光を行う際にウエハをアライメントする方式としては、例えば特許文献１に開示されている、いわゆるエンハンスド・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）が主流となっている。   For example, microdevices such as semiconductor devices are formed by overlaying multiple layers of circuit patterns on a wafer coated with a photosensitive material as a photosensitive substrate. Therefore, when projecting exposure of circuit patterns on and after the second layer, In this case, it is necessary to accurately perform alignment between each shot area where a circuit pattern has already been formed on the wafer and the pattern image of the reticle to be exposed, that is, alignment between the wafer and the reticle. For example, as a method of aligning wafers when performing overlay exposure on a single wafer in which shot areas where a circuit pattern is exposed are arranged in a matrix, a so-called method disclosed in Patent Document 1, for example, Enhanced global alignment (EGA) is the mainstream.

ＥＧＡ方式とは、ウエハ（物体）上に形成された複数のショット領域のうち、少なくとも三つの領域（以下ＥＧＡショットと称する）を指定し、各ショット領域に付随したアライメントマーク（マーク）の座標位置をアライメントセンサにて計測する。その後、計測値と設計値とに基づいてウエハ上のショット領域の配列特性（位置情報）に関する誤差パラメータ（オフセット、スケール、回転、直交度）を最小二乗法等により統計演算処理して決定する。そして、この決定されたパラメータの値に基づいて、ウエハ上の全てのショット領域に対してその設計上の座標値を補正し、この補正された座標値に従ってウエハステージをステッピングさせてウエハを位置決めする方式である。この結果、レチクルパターンの投影像とウエハ上の複数のショット領域のそれぞれとが、ショット領域内に設定された加工点（座標値が計測、又は算出される基準点であり、例えばショット領域の中心）において正確に重ね合わされて露光されることになる。   The EGA method designates at least three areas (hereinafter referred to as EGA shots) among a plurality of shot areas formed on a wafer (object), and coordinates positions of alignment marks (marks) attached to the shot areas. Is measured by an alignment sensor. Thereafter, an error parameter (offset, scale, rotation, orthogonality) related to the array characteristics (position information) of the shot area on the wafer is determined based on the measured value and the design value by statistical calculation processing using the least square method or the like. Then, based on the determined parameter values, the design coordinate values are corrected for all shot areas on the wafer, and the wafer stage is stepped according to the corrected coordinate values to position the wafer. It is a method. As a result, the projected image of the reticle pattern and each of the plurality of shot areas on the wafer are processing points set in the shot area (reference points whose coordinate values are measured or calculated, for example, the center of the shot area ) And are overlaid and exposed accurately.

従来、ウエハ上のアライメントマークを計測するアライメントセンサとしては、投影光学系近傍に配設されたオフアクシス方式のアライメント系を用いる方法が知られている。この方法は、オフアクシス方式のアライメント系を用いてアライメントマーク位置を計測した後、投影光学系とオフアクシスアライメント系との間の距離であるベースライン量に関する一定量だけウエハステージを送り込むだけで、直ちにレチクルのパターンをウエハ上のショット領域に正確に重ね合わせて露光することができるものである。このように、ベースライン量は、フォトリソグラフィ工程において極めて重要な操作量であるため、厳密に正確な計測値が要求されている。   Conventionally, as an alignment sensor for measuring an alignment mark on a wafer, a method using an off-axis type alignment system arranged in the vicinity of a projection optical system is known. In this method, after measuring the alignment mark position using an off-axis alignment system, the wafer stage is fed by a fixed amount related to the baseline amount, which is the distance between the projection optical system and the off-axis alignment system. Immediately, the reticle pattern can be accurately overlaid on the shot area on the wafer for exposure. As described above, since the baseline amount is an extremely important operation amount in the photolithography process, strictly accurate measurement values are required.

ところが、上記のベースライン量は、各種処理に伴って発生する熱でアライメント系等に熱膨張や熱変形が生じることで、露光中に変動（ベースラインドリフト）する虞がある。この場合、ウエハの位置決めに誤差が生じ、重ね合わせ精度に悪影響を及ぼす可能性があるため、従来ではウエハを所定枚数露光する毎にベースラインチェックを実施することで、重ね合わせ精度が悪化してしまうことを防いでいた。
特開昭６１−４４４２９号公報 However, the above-described baseline amount may fluctuate (baseline drift) during exposure due to thermal expansion or thermal deformation of the alignment system or the like caused by heat generated in various processes. In this case, an error occurs in the positioning of the wafer, which may adversely affect the overlay accuracy. Conventionally, by performing a baseline check every time a predetermined number of wafers are exposed, the overlay accuracy deteriorates. It was preventing that.
JP-A 61-44429

しかしながら、上述したような従来の露光装置およびデバイス製造方法には、以下のような問題が存在する。   However, the conventional exposure apparatus and device manufacturing method as described above have the following problems.

近年では、パターンの更なる微細化に伴って、ステップ・アンド・リピート方式からステップ・アンド・スキャン方式（以下、スキャン方式）の露光装置が主流と成りつつある。スキャン方式は、ウエハおよびレチクルの双方が露光中（パターン転写中）に走査するため、ウエハステージのみならずレチクルステージもモータ等の影響で熱を持ちやすくなり、ステージやその周辺部が徐々に変形を起こす。   In recent years, with further miniaturization of patterns, exposure apparatuses of the step-and-repeat method to the step-and-scan method (hereinafter referred to as scan method) are becoming mainstream. In the scanning method, both the wafer and reticle are scanned during exposure (during pattern transfer), so not only the wafer stage but also the reticle stage is easily heated by the influence of a motor, etc., and the stage and its surroundings are gradually deformed. Wake up.

ステージの位置は、干渉系を用いて計測されるが、ステージの変形により移動鏡とレチクル間の距離が変化するとベースラインが変動してしまい、重ね合わせ精度が悪化してしまう。また、ステージの発熱によりステージ周辺の雰囲気の温度が上昇してしまい、干渉計光路の揺らぎなどの影響でステージの位置決め精度が悪化するという問題も生じる。   The position of the stage is measured using an interference system, but if the distance between the movable mirror and the reticle changes due to the deformation of the stage, the baseline will change, and the overlay accuracy will deteriorate. In addition, the temperature of the atmosphere around the stage rises due to the heat generation of the stage, and there is a problem that the positioning accuracy of the stage deteriorates due to the influence of fluctuation of the interferometer optical path.

そこで、従来では温度調節器によって冷媒温度を制御しながら発熱部位に冷媒を送って（循環させて）冷却を行っている。ところが、１／１０℃単位で激しく発熱するウエハステージやレチクルステージと、１／１００℃単位で温度を制御しなければならない投影光学系やアライメント系とを一つの温度調節器で冷却を行う場合、投影光学系の温度を基準にして冷媒温度を制御すると、温度変化が大きいウエハステージやレチクルステージの冷却能力が充分でなくなり、逆にウエハステージやレチクルステージの温度を基準にして冷媒温度を制御すると、投影光学系やアライメント系に必要な精密（微細）な温度制御ができなくなる。特に、レチクルステージは、ウエハステージに対して投影倍率に応じた距離、速度で移動するため、発熱量が非常に大きく、投影光学系やアライメント系と同一の制御系で温度を管理することは困難である。このように、温度管理が充分にされないと、結果として、ベースライン変動が大きくなり重ね合わせ精度が悪化するという問題が生じてしまう。   Therefore, conventionally, cooling is performed by sending (circulating) the refrigerant to the heat generating portion while controlling the refrigerant temperature with a temperature controller. However, when cooling a wafer stage or reticle stage that generates intense heat in units of 1/10 ° C. and a projection optical system or alignment system whose temperature must be controlled in units of 1/100 ° C. with a single temperature controller, If the coolant temperature is controlled based on the temperature of the projection optical system, the cooling capacity of the wafer stage or reticle stage, which has a large temperature change, becomes insufficient, and conversely if the coolant temperature is controlled based on the temperature of the wafer stage or reticle stage. The precise (fine) temperature control required for the projection optical system and alignment system cannot be performed. In particular, since the reticle stage moves with respect to the wafer stage at a distance and speed corresponding to the projection magnification, the amount of heat generation is very large, and it is difficult to manage the temperature with the same control system as the projection optical system and alignment system. It is. As described above, if the temperature control is not sufficient, as a result, there arises a problem that the baseline fluctuation increases and the overlay accuracy deteriorates.

これを解決するため、本願出願人は、投影光学系、レチクルステージおよび基板ステージのそれぞれに対して、互いに独立した温度制御系を設置する構成の露光装置について、先に出願した（特願２００３−００２２８５号）。この露光装置は、温調流体の温度を温調対象としての投影光学系、レチクルステージおよび基板ステージの目標温度よりも低い温度に比較的に粗い精度で冷却する単一の粗調整系を設け、該粗調整系により冷却された温調流体を、それぞれ温調対象としての投影光学系、レチクルステージおよび基板ステージに供給・循環させる循環系（微調整系）を設け、各循環系内に、温調流体を加熱することにより微調整するヒータをそれぞれ設けて、各ヒータを制御することにより、温調対象としての投影光学系、レチクルステージおよび基板ステージの温度をそれぞれ個別に制御するようにしたものである。   In order to solve this, the applicant of the present application has previously filed an exposure apparatus having a configuration in which a temperature control system independent from each other is provided for each of the projection optical system, the reticle stage and the substrate stage (Japanese Patent Application No. 2003). 002285). This exposure apparatus is provided with a single coarse adjustment system that cools the temperature of the temperature adjustment fluid to a temperature lower than the target temperature of the projection optical system, the reticle stage, and the substrate stage as a temperature adjustment target with relatively coarse accuracy, Circulation systems (fine adjustment systems) that supply and circulate the temperature control fluid cooled by the coarse adjustment system to the projection optical system, the reticle stage, and the substrate stage as temperature control targets are provided. Heaters that adjust finely by heating the fluid conditioning are provided, and each heater is controlled to control the temperature of the projection optical system, reticle stage, and substrate stage as temperature control targets individually. It is.

これにより、投影光学系や基板ステージに対しては、例えば１／１００℃単位で温度を制御し、レチクルステージに対しては、例えば１／１０℃単位で温度を制御するなど、要求される温度範囲に応じて個別に、また求められる精度での温度制御が可能になり、温度変動に起因するベースライン変動を抑制することができる。   Thus, for the projection optical system and the substrate stage, for example, the temperature is controlled in units of 1/100 ° C., and for the reticle stage, for example, the temperature is controlled in units of 1/10 ° C. Temperature control can be performed individually and with required accuracy according to the range, and baseline fluctuations due to temperature fluctuations can be suppressed.

なお、各循環系（微調整系）の温調流体を粗い精度で冷却する粗調整系を各循環系について単一としたのは、各循環系毎に粗調整系を設けると、構成が複雑となり、コスト高となるので、これを避けるためである。   Note that the single coarse adjustment system that cools the temperature control fluid in each circulation system (fine adjustment system) with a coarse accuracy is used for each circulation system. The configuration is complicated if a coarse adjustment system is provided for each circulation system. This is to avoid this because the cost becomes high.

ところで、このような構成を採用した場合、配管の損傷（折れ、はずれ、穴あき等）、その他の障害（温度異常など）が各循環系に発生した場合には、当該循環系を停止する必要があるため、各循環系には圧力センサや流量センサや温度センサ等が設けられており、何らかの障害の発生が検出された場合には、当該する循環系を停止するような制御が実施されている。障害が発生した循環系以外の循環系においては、そのまま温調液体の循環が継続される。   By the way, when such a configuration is adopted, if there is damage to the piping (breaking, disconnection, perforation, etc.) or other troubles (temperature abnormalities, etc.) in each circulation system, it is necessary to stop the circulation system. Therefore, each circulatory system is provided with a pressure sensor, a flow sensor, a temperature sensor, etc., and control is performed to stop the relevant circulatory system if any failure is detected. Yes. In the circulatory system other than the circulatory system in which the failure has occurred, the circulation of the temperature control liquid is continued as it is.

何れかの循環系が停止すると、全体としての熱量収支が大きく変動し、粗調整系は、一定の冷却能力で運転されているため、循環系内の温度微調整用ヒータの制御能力を越えて温調流体の過冷却が生じ、障害の発生していない循環系の適切な温度制御ができなくなる場合があるという問題が生じた。   When one of the circulation systems stops, the overall heat balance fluctuates greatly, and the coarse adjustment system is operated with a constant cooling capacity, so that it exceeds the control capability of the temperature fine adjustment heater in the circulation system. There has been a problem that the temperature control fluid may be supercooled, and appropriate temperature control of the circulatory system without failure may not be possible.

例えば、投影光学系は、その温度が一旦仕様外の温度になると、その復旧には数十時間から数日を要する場合があり、障害の発生した循環系の修理が完了したとしても、運転の再開にはさらに多くの待機時間が必要であり、生産性の観点からも問題である。   For example, once the projection optical system is out of specifications, it may take several tens of hours to several days to recover, and even if repair of the faulty circulatory system is completed, Resuming requires more standby time, which is also a problem from a productivity standpoint.

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、投影光学系、レチクルステージ、あるいは基板ステージ等の温度制御系に障害が発生した場合であっても、速やかに復旧できるようにし、高精度、高品質なデバイス等をより安定的に製造できるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, so that even when a failure occurs in a temperature control system such as a projection optical system, a reticle stage, or a substrate stage, it can be quickly recovered. An object of the present invention is to make it possible to more stably manufacture high-precision and high-quality devices.

以下、この項に示す説明では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものではない。   Hereinafter, in the description shown in this section, the present invention will be described in association with the member codes shown in the drawings representing the embodiments. However, each constituent element of the present invention is limited to the members shown in the drawings attached with these member codes. Is not to be done.

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によると、レチクルステージ（２）上に保持されたレチクル（Ｒ）のパターン像を、基板ステージ（５）上に保持された基板（Ｗ）上に投影光学系（ＰＬ）を介して投影する露光装置であって、温調媒体の温度を所定の設定温度に粗調整する粗調整系（６６，７３）と、前記粗調整系により温調された温調媒体の温度を微調整して前記投影光学系に対して循環させて、該投影光学系の温度を制御する第１微調整系（Ｃ１）と、前記粗調整系により温調された温調媒体の温度を微調整して前記レチクルステージおよび前記基板ステージの少なくとも一方に対して循環させて、該ステージの温度を制御する第２微調整系（Ｃ５，Ｃ６）と、前記第１および前記第２微調整系内における障害の発生を検出する検出装置（６９ａ，６９ｂ，６９ｃ，７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，７６ｄ，７６ｅ，７９ａ，７９ｂ，７９ｃ，７９ｄ，７９ｅ）と、前記検出装置により障害が検出された微調整系について前記温調媒体の循環を停止させるとともに、前記粗調整系の前記設定温度を変更する制御装置（７７）とを備えた露光装置が提供される。   In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, a pattern image of a reticle (R) held on a reticle stage (2) is converted into a substrate (W) held on a substrate stage (5). ) Is an exposure apparatus that projects the image on a projection optical system (PL) on a rough adjustment system (66, 73) for roughly adjusting the temperature of the temperature control medium to a predetermined set temperature, and the rough adjustment system for temperature adjustment. The temperature of the adjusted temperature adjustment medium is finely adjusted and circulated with respect to the projection optical system, and the temperature is adjusted by the coarse adjustment system and the first fine adjustment system (C1) for controlling the temperature of the projection optical system. A second fine adjustment system (C5, C6) that finely adjusts the temperature of the temperature control medium, circulates it to at least one of the reticle stage and the substrate stage, and controls the temperature of the stage; 1 and the occurrence of a fault in the second fine adjustment system The temperature control medium for the detection device (69a, 69b, 69c, 76a, 76b, 76c, 76d, 76e, 79a, 79b, 79c, 79d, 79e) to be output and the fine adjustment system in which the detection device detects a failure Is provided, and an exposure apparatus comprising a control device (77) for changing the set temperature of the coarse adjustment system.

本発明では、障害が発生た微調整系についての温調媒体の循環の停止に伴い、粗調整系の設定温度（設定能力）を変更するようにしたので、温調媒体の温度が、障害が発生していない微調整系による温調媒体の温度制御の能力範囲を逸脱してしまうことを防止することができ、したがって、障害が発生していない微調整系に係る温調対象の温度を適正に保つことができる。   In the present invention, the set temperature (setting capability) of the coarse adjustment system is changed with the stop of the circulation of the temperature adjustment medium for the fine adjustment system in which the failure has occurred. It is possible to prevent deviating from the temperature control capability range of the temperature adjustment medium by the fine adjustment system that has not occurred. Therefore, the temperature of the temperature adjustment target related to the fine adjustment system in which no failure has occurred is appropriate. Can be kept in.

この場合において、前記制御装置（７７）は、前記粗調整系（６６，７３）の前記設定温度を予め実験的又は理論的に求めた熱量収支情報に従って変更することができ、該設定温度の変更は、徐々に実施することが望ましい。粗調整系の設定温度を一気に変更することは、系の安定を乱し（系に対する外乱となり）、温度制御上（温度安定性上）好ましくないためである。   In this case, the control device (77) can change the set temperature of the coarse adjustment system (66, 73) according to the heat balance information obtained experimentally or theoretically in advance. It is desirable to implement gradually. This is because changing the set temperature of the coarse adjustment system all at once disturbs the stability of the system (disturbance to the system) and is not preferable for temperature control (temperature stability).

また、前記検出装置は、前記温調媒体の温度、圧力、および流量のうちの少なくとも一つについての障害の発生を検出するようにできる。なお。流量を検出する場合においては、冷却対象物を温調媒体が循環した後の位置（出口側）において、流量検出を行うようにすることが、冷却対象物（ステージのモータなど）に流れた流量を確実に検出できるようになる点で好ましい。さらに、前記制御装置（７７）は、前記粗調整系が備えるインバータ（６６）の周波数を変更することにより、前記粗調整系の前記設定温度を変更するようにできる。   Further, the detection device can detect occurrence of a failure with respect to at least one of the temperature, pressure, and flow rate of the temperature control medium. Note that. In the case of detecting the flow rate, the flow rate that has flowed to the object to be cooled (stage motor, etc.) is to detect the flow rate at the position (exit side) after the temperature control medium circulates in the object to be cooled. Is preferable in that it can be reliably detected. Furthermore, the control device (77) can change the set temperature of the coarse adjustment system by changing the frequency of the inverter (66) provided in the coarse adjustment system.

本発明の第２の観点によると、上記本発明の第１の観点に係る露光装置を用いて、前記レチクル（Ｒ）上に形成されたパターンを前記基板（Ｗ）上に転写する工程を含むデバイス製造方法が提供される。高性能、高品質なデバイスを安定的に製造することができるようになる。   According to a second aspect of the present invention, the method includes a step of transferring a pattern formed on the reticle (R) onto the substrate (W) using the exposure apparatus according to the first aspect of the present invention. A device manufacturing method is provided. High-performance, high-quality devices can be manufactured stably.

本発明によると、要求される温度制御精度が異なる機器に対しても、それぞれ独立して温度を制御・管理することが可能であり、各機器の発熱量に応じた最適な冷却条件を設定できるため、温度制御がされないことに起因するベースライン変動を抑制して重ね合わせ精度の悪化を抑えることが可能になるとともに、温度制御系に障害が発生した場合であっても、速やかに復旧できるようなり、高品質、高性能なデバイス等をより安定的に製造することができるようになるという効果がある。   According to the present invention, it is possible to control and manage the temperature independently even for devices having different required temperature control accuracy, and it is possible to set optimum cooling conditions according to the heat generation amount of each device. Therefore, it is possible to suppress the baseline fluctuation due to the fact that the temperature control is not performed and suppress the deterioration of the overlay accuracy, and it is possible to quickly recover even when a failure occurs in the temperature control system. Thus, there is an effect that a high-quality, high-performance device or the like can be manufactured more stably.

以下、本発明の実施形態を、図１乃至図７を参照して説明する。ここでは、例えば露光装置として、露光中（パターン転写中）にレチクルとウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成された半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写する、スキャニング・ステッパを使用する場合の例を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. Here, for example, as an exposure apparatus, a scanning stepper is used that transfers a circuit pattern of a semiconductor device formed on a reticle onto a wafer while synchronously moving the reticle and wafer during exposure (during pattern transfer). An example will be described.

図１に示す露光装置１は、光源（不図示）からの露光用照明光によりレチクル（マスク）Ｒ上の矩形状（あるいは円弧状）の照明領域を均一な照度で照明する照明光学系ＩＵと、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージ（マスクステージ）２および該レチクルステージ２を支持するレチクル定盤３を含むステージ装置４と、レチクルＲから射出される照明光をウエハ（基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＬと、試料であるウエハＷを保持して移動するウエハステージ（基板ステージ）５および該ウエハステージ５を保持するウエハ定盤６を含むステージ装置７と、上記ステージ装置４および投影光学系ＰＬを支持するリアクションフレーム８とから概略構成されている。なお、ここで投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向と直交する方向でレチクルＲとウエハＷの同期移動方向をＹ方向とし、非同期移動方向をＸ方向とする。また、それぞれの軸周りの回転方向をθＺ、θＹ、θＸとする。   An exposure apparatus 1 shown in FIG. 1 includes an illumination optical system IU that illuminates a rectangular (or arc-shaped) illumination area on a reticle (mask) R with uniform illumination by exposure illumination light from a light source (not shown). A stage device 4 including a reticle stage (mask stage) 2 that holds and moves the reticle R, and a reticle surface plate 3 that supports the reticle stage 2, and illumination light emitted from the reticle R on a wafer (substrate) W A stage device 7 including a projection optical system PL for projecting, a wafer stage (substrate stage) 5 for holding and moving a wafer W as a sample, and a wafer surface plate 6 for holding the wafer stage 5, and the stage device 4. And a reaction frame 8 that supports the projection optical system PL. Here, the optical axis direction of the projection optical system PL is the Z direction, the synchronous movement direction of the reticle R and the wafer W in the direction orthogonal to the Z direction is the Y direction, and the asynchronous movement direction is the X direction. The rotation directions around the respective axes are θZ, θY, and θX.

照明光学系ＩＵは、リアクションフレーム８の上面に固定された支持コラム９によって支持される。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線）およびＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）およびＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ）などが用いられる。 The illumination optical system IU is supported by a support column 9 fixed to the upper surface of the reaction frame 8. As the illumination light for exposure, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as ultraviolet emission lines (g-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from an ultra-high pressure mercury lamp, ArF Vacuum ultraviolet light (VUV) such as excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used.

リアクションフレーム８は、床面に水平に載置されたベースプレート１０上に設置されており、その上部側および下部側には、内側に向けて突出する段部８ａおよび８ｂがそれぞれ形成されている。   The reaction frame 8 is installed on a base plate 10 placed horizontally on the floor surface, and step portions 8a and 8b projecting inward are formed on the upper side and the lower side, respectively.

ステージ装置４の中、レチクル定盤３は、各コーナーにおいてリアクションフレーム８の段部８ａに防振ユニット１１を介してほぼ水平に支持されており（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、その中央部にはレチクルＲに形成されたパターン像が通過する開口３ａが形成されている。なお、レチクル定盤３の材料として金属やセラミックスを用いることができる。防振ユニット１１は、内圧が調整可能なエアマウント１２とボイスコイルモータ１３とが段部８ａ上に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニット１１によって、ベースプレート１０およびリアクションフレーム８を介してレチクル定盤３に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている（Ｇは重力加速度）。   In the stage device 4, the reticle surface plate 3 is supported substantially horizontally by the step portion 8a of the reaction frame 8 through the vibration isolation unit 11 at each corner (note that the vibration isolation unit on the back side of the drawing is illustrated in FIG. An opening 3a through which a pattern image formed on the reticle R passes is formed at the center thereof. Metal or ceramics can be used as the material for the reticle surface plate 3. The anti-vibration unit 11 has a configuration in which an air mount 12 and a voice coil motor 13 whose internal pressure can be adjusted are arranged in series on the stepped portion 8a. These vibration isolation units 11 insulate micro vibrations transmitted to the reticle surface plate 3 through the base plate 10 and the reaction frame 8 at the micro G level (G is gravitational acceleration).

レチクル定盤３上には、レチクルステージ２が該レチクル定盤３に沿って２次元的に移動可能に支持されている。レチクルステージ２の底面には、複数のエアベアリング（エアパッド）１４が固定されており、これらのエアベアリング１４によってレチクルステージ２がレチクル定盤３上に数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。また、レチクルステージ２の中央部には、レチクル定盤３の開口３ａと連通し、レチクルＲのパターン像が通過する開口２ａが形成されている。   A reticle stage 2 is supported on the reticle platen 3 so as to be movable in two dimensions along the reticle platen 3. A plurality of air bearings (air pads) 14 are fixed to the bottom surface of the reticle stage 2, and the reticle stage 2 is levitated and supported on the reticle surface plate 3 via a clearance of about several microns by these air bearings 14. Yes. Further, an opening 2 a that communicates with the opening 3 a of the reticle surface plate 3 and through which the pattern image of the reticle R passes is formed at the center of the reticle stage 2.

レチクルステージ２について詳述すると、図２に示すように、レチクルステージ２は、レチクル定盤３上を一対のＹリニアモータ（駆動源）１５、１５によってＹ軸方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステージ１６と、このレチクル粗動ステージ１６上を一対のＸボイスコイルモータ（駆動源）１７Ｘと一対のＹボイスコイルモータ（駆動源）１７ＹとによってＸ、Ｙ、θＺ方向に微小動されるレチクル微動ステージ１８とを備えた構成になっている（なお、図１では、これらを１つのステージとして図示している）。   The reticle stage 2 will be described in detail. As shown in FIG. 2, the reticle stage 2 is driven on the reticle surface plate 3 by a pair of Y linear motors (drive sources) 15 and 15 with a predetermined stroke in the Y-axis direction. The coarse movement stage 16 and the reticle coarse movement stage 16 are slightly moved in the X, Y, and θZ directions by a pair of X voice coil motors (drive sources) 17X and a pair of Y voice coil motors (drive sources) 17Y. A reticle fine movement stage 18 is provided (in FIG. 1, these are shown as one stage).

各Ｙリニアモータ１５は、レチクル定盤３上に非接触ベアリングである複数のエアベアリング（エアパッド）１９によって浮上支持されＹ軸方向に延びる固定子２０と、この固定子２０に対応して設けられ、連結部材２２を介してレチクル粗動ステージ１６に固定された可動子２１とから構成されている。このため、運動量保存の法則により、レチクル粗動ステージ１６の＋Ｙ方向の移動に応じて、固定子２０はカウンターマスとして−Ｙ方向に移動する。この固定子２０の移動によりレチクル粗動ステージ１６の移動に伴う反力を相殺するとともに、重心位置の変化を防ぐことができる。なお、Ｙリニアモータ１５における移動子２１と固定子２０とはカップリングされているため、これらが相対移動した際には、元の位置に止まろうとする力が作用する。そのため、本実施の形態では、固定子２０が所定の位置に到達するようにその移動量を補正するトリムモータ７２（駆動源；図２では図示せず、図５参照）が設けられている。   Each Y linear motor 15 is provided on the reticle base plate 3 by a plurality of air bearings (air pads) 19 that are non-contact bearings and supported in a floating manner in the Y-axis direction. The movable element 21 is fixed to the reticle coarse movement stage 16 via a connecting member 22. Therefore, according to the law of conservation of momentum, the stator 20 moves in the −Y direction as a counter mass according to the movement of the reticle coarse movement stage 16 in the + Y direction. The movement of the stator 20 can cancel the reaction force accompanying the movement of the reticle coarse movement stage 16 and can prevent the change in the position of the center of gravity. Since the mover 21 and the stator 20 in the Y linear motor 15 are coupled, when they move relative to each other, a force is applied to stop at the original position. Therefore, in this embodiment, a trim motor 72 (drive source; not shown in FIG. 2, see FIG. 5) is provided to correct the movement amount of the stator 20 so as to reach a predetermined position.

レチクル粗動ステージ１６は、レチクル定盤３の中央部に形成された上部突出部３ｂの上面に固定されＹ軸方向に延びる一対のＹガイド５１、５１によってＹ軸方向に案内されるようになっている。また、レチクル粗動ステージ１６は、これらＹガイド５１、５１に対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持されている。   The reticle coarse movement stage 16 is guided in the Y-axis direction by a pair of Y guides 51, 51 that are fixed to the upper surface of the upper protrusion 3 b formed at the center of the reticle surface plate 3 and extend in the Y-axis direction. ing. The reticle coarse movement stage 16 is supported in a non-contact manner by air bearings (not shown) with respect to the Y guides 51 and 51.

レチクル微動ステージ１８には、不図示のバキュームチャックを介してレチクルＲが吸着保持されるようになっている。レチクル微動ステージ１８の−Ｙ方向の端部には、コーナキューブからなる一対のＹ移動鏡５２ａ、５２ｂが固定され、また、レチクル微動ステージ１８の＋Ｘ方向の端部には、Ｙ軸方向に延びる平面ミラーからなるＸ移動鏡５３が固定されている。そして、これら移動鏡５２ａ、５２ｂ、５３に対して測長ビームを照射する３つのレーザ干渉計（いずれも不図示）が各移動鏡との距離を計測することにより、レチクルステージ２のＸ、Ｙ、θＺ（Ｚ軸回りの回転）方向の位置が高精度に計測される。   Reticle R is attracted and held on reticle fine movement stage 18 via a vacuum chuck (not shown). A pair of Y-moving mirrors 52a and 52b made of a corner cube are fixed to the −Y direction end of reticle fine movement stage 18, and the + X direction end of reticle fine movement stage 18 extends in the Y-axis direction. An X moving mirror 53 made of a plane mirror is fixed. Then, three laser interferometers (all not shown) that irradiate the measurement beams to the movable mirrors 52a, 52b, and 53 measure the distances from the movable mirrors, so that X and Y of the reticle stage 2 are measured. , ΘZ (rotation around the Z axis) direction is measured with high accuracy.

図１に戻り、投影光学系ＰＬとして、ここでは物体面（レチクルＲ）側と像面（ウエハＷ）側の両方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や蛍石を光学硝材とした屈折光学素子（レンズ素子）からなる１／４（または１／５）縮小倍率の屈折光学系が使用されている。このため、レチクルＲに照明光が照射されると、レチクルＲ上の回路パターンのうち、照明光で照明された部分からの結像光束が投影光学系ＰＬに入射し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系ＰＬの像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像される。これにより、投影された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系ＰＬの結像面に配置れたウエハＷ上の複数のショット領域のうち、１つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写される。投影光学系ＰＬの鏡筒部の外周には、該鏡筒部に一体化されたフランジ２３が設けられている。そして、投影光学系ＰＬは、リアクションフレーム８の段部８ｂに防振ユニット２４を介してほぼ水平に支持された鋳物等で構成された鏡筒定盤２５に、光軸方向をＺ方向として上方から挿入されるとともに、フランジ２３が係合している。   Returning to FIG. 1, as the projection optical system PL, here, both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a circular projection field, and quartz or fluorite is used as an optical glass material. A refracting optical system composed of refracting optical elements (lens elements) having a 1/4 (or 1/5) reduction magnification is used. For this reason, when the illumination light is irradiated onto the reticle R, the imaging light beam from the portion illuminated with the illumination light in the circuit pattern on the reticle R enters the projection optical system PL, and the circuit pattern is partially inverted. An image is limited and formed in a slit shape in the center of the circular field on the image plane side of the projection optical system PL. Thereby, the partially inverted image of the projected circuit pattern is reduced and transferred to the resist layer on the surface of one shot area among the plurality of shot areas on the wafer W arranged on the imaging surface of the projection optical system PL. . A flange 23 integrated with the lens barrel portion is provided on the outer periphery of the lens barrel portion of the projection optical system PL. Then, the projection optical system PL is disposed above a lens barrel surface plate 25 made of a casting or the like supported substantially horizontally by the step 8b of the reaction frame 8 via the vibration isolation unit 24 with the optical axis direction as the Z direction. And the flange 23 is engaged.

防振ユニット２４は、鏡筒定盤２５の各コーナーに配置され（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、内圧が調整可能なエアマウント２６とボイスコイルモータ２７とが段部８ｂ上に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニット２４によって、ベースプレート１０およびリアクションフレーム８を介して鏡筒定盤２５（ひいては投影光学系ＰＬ）に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。   The anti-vibration unit 24 is disposed at each corner of the lens barrel base plate 25 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and an air mount 26 and a voice coil motor 27 that can adjust the internal pressure are stepped. It is the structure arrange | positioned in series on the part 8b. These vibration isolation units 24 insulate micro vibrations transmitted to the lens barrel surface plate 25 (and thus the projection optical system PL) via the base plate 10 and the reaction frame 8 at the micro G level.

ステージ装置７は、ウエハステージ５、このウエハステージ５をＸＹ平面に沿った２次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤６、ウエハステージ５と一体的に設けられウエハＷを吸着保持する試料台ＳＴ、これらウエハステージ５および試料台ＳＴを相対移動自在に支持するＸガイドバーＸＧを主体に構成されている。ウエハステージ５の底面には、非接触ベアリングである複数のエアベアリング（エアパッド）２８が固定されており、これらのエアベアリング２８によってウエハステージ５がウエハ定盤６上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。   The stage device 7 includes a wafer stage 5, a wafer surface plate 6 that supports the wafer stage 5 so as to be movable in a two-dimensional direction along the XY plane, and a sample stage that is provided integrally with the wafer stage 5 and holds the wafer W by suction. ST is mainly composed of an X guide bar XG that supports the wafer stage 5 and the sample stage ST so as to be relatively movable. A plurality of air bearings (air pads) 28 that are non-contact bearings are fixed to the bottom surface of the wafer stage 5, and the air stage 28 allows the wafer stage 5 to be placed on the wafer surface plate 6 with a clearance of, for example, several microns. Is supported by levitation.

ウエハ定盤６は、ベースプレート１０の上方に、防振ユニット２９を介してほぼ水平に支持されている。防振ユニット２９は、ウエハ定盤６の各コーナーに配置され（なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せず）、内圧が調整可能なエアマウント３０とボイスコイルモータ３１とがベースプレート１０上に並列に配置された構成になっている。これら防振ユニット２９によって、ベースプレート１０を介してウエハ定盤６に伝わる微振動がマイクロＧレベルで絶縁されるようになっている。   The wafer surface plate 6 is supported substantially horizontally above the base plate 10 via a vibration isolation unit 29. The anti-vibration unit 29 is arranged at each corner of the wafer surface plate 6 (note that the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and the air mount 30 and the voice coil motor 31 that can adjust the internal pressure are the base plate 10. The configuration is arranged in parallel on the top. These vibration isolation units 29 are designed to insulate micro vibrations transmitted to the wafer surface plate 6 through the base plate 10 at the micro G level.

図３に示すように、ＸガイドバーＸＧは、Ｘ方向に沿った長尺形状を呈しており、その長さ方向両端には電機子ユニットからなる可動子３６，３６がそれぞれ設けられている。これらの可動子３６，３６に対応する磁石ユニットを有する固定子３７，３７は、ベースプレート１０に突設された支持部３２、３２に設けられている（図１参照、なお図１では可動子３６および固定子３７を簡略して図示している）。そして、これら可動子３６および固定子３７によってムービングコイル型のリニアモータ（駆動源）３３、３３が構成されており、可動子３６が固定子３７との間の電磁気的相互作用により駆動されることで、ＸガイドバーＸＧはＹ方向に移動するとともに、リニアモータ３３、３３の駆動を調整することでθＺ方向に回転移動する。すなわち、このリニアモータ３３によってＸガイドバーＸＧとほぼ一体的にウエハステージ５（および試料台ＳＴ、以下単に試料台ＳＴと称する）がＹ方向およびθＺ方向に駆動されるようになっている。   As shown in FIG. 3, the X guide bar XG has an elongated shape along the X direction, and movable elements 36 and 36 each composed of an armature unit are provided at both ends in the length direction. The stators 37, 37 having magnet units corresponding to these movers 36, 36 are provided on support portions 32, 32 projecting from the base plate 10 (see FIG. 1; And the stator 37 is shown in a simplified manner). The mover 36 and the stator 37 constitute moving coil type linear motors (drive sources) 33, 33, and the mover 36 is driven by electromagnetic interaction with the stator 37. Thus, the X guide bar XG moves in the Y direction, and rotates in the θZ direction by adjusting the driving of the linear motors 33 and 33. That is, the linear motor 33 drives the wafer stage 5 (and the sample stage ST, hereinafter simply referred to as the sample stage ST) in the Y direction and the θZ direction almost integrally with the X guide bar XG.

また、ＸガイドバーＸＧの−Ｘ方向側には、Ｘトリムモータ３４の可動子が取り付けられている。Ｘトリムモータ３４は、Ｘ方向に推力を発生することでＸガイドバーＸＧのＸ方向の位置を調整するものであって、その固定子（不図示）はアクションフレーム８に設けられている。このため、ウエハステージ５をＸ方向に駆動する際の反力は、リアクションフレーム８を介してベースプレート１０に伝達される。   A mover of the X trim motor 34 is attached to the −X direction side of the X guide bar XG. The X trim motor 34 adjusts the position of the X guide bar XG in the X direction by generating thrust in the X direction, and its stator (not shown) is provided on the action frame 8. Therefore, the reaction force when driving the wafer stage 5 in the X direction is transmitted to the base plate 10 via the reaction frame 8.

試料台ＳＴは、ＸガイドバーＸＧとの間にＺ方向に所定量のギャップを維持する磁石およびアクチュエータからなる磁気ガイドを介して、ＸガイドバーＸＧにＸ方向に相対移動自在に非接触で支持・保持されている。また、ウエハステージ５は、ＸガイドバーＸＧに埋設された固定子を有するＸリニアモータ（駆動源）３５による電磁気的相互作用によりＸ方向に駆動される。なお、Ｘリニアモータの可動子は図示していないが、ウエハステージ５に取り付けられている。試料台ＳＴの上面には、ウエハホルダ４１を介してウエハＷが真空吸着等によって固定される（図１参照、図３では図示略）。   The sample stage ST is supported by the X guide bar XG in a non-contact manner so as to be relatively movable in the X direction via a magnetic guide comprising a magnet and an actuator that maintain a predetermined amount of gap in the Z direction with the X guide bar XG. -Retained. The wafer stage 5 is driven in the X direction by electromagnetic interaction by an X linear motor (drive source) 35 having a stator embedded in the X guide bar XG. The mover of the X linear motor is not shown, but is attached to the wafer stage 5. On the upper surface of the sample stage ST, the wafer W is fixed by vacuum suction or the like via the wafer holder 41 (see FIG. 1, not shown in FIG. 3).

ウエハステージ５のＸ方向の位置は、投影光学系ＰＬの鏡筒下端に固定された参照鏡４２を基準として、ウエハステージ５の一部に固定された移動鏡４３の位置変化を計測するレーザ干渉計４４によって所定の分解能、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能でリアルタイムに計測される。なお、上記参照鏡４２、移動鏡４３、レーザ干渉計４４とほぼ直交するように配置された不図示の参照鏡、レーザ干渉計および移動鏡によってウエハステージ５のＹ方向の位置が計測される。なお、これらレーザ干渉計の中、少なくとも一方は、測長軸を２軸以上有する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計の計測値に基づいてウエハステージ５（ひいてはウエハＷ）のＸＹ位置のみならず、θ回転量あるいはこれらに加え、レベリング量をも求めることができるようになっている。   The position of the wafer stage 5 in the X direction is a laser interference that measures a change in the position of the movable mirror 43 fixed to a part of the wafer stage 5 with reference to the reference mirror 42 fixed to the lower end of the lens barrel of the projection optical system PL. The total 44 is measured in real time with a predetermined resolution, for example, about 0.5 to 1 nm. Note that the position of the wafer stage 5 in the Y direction is measured by a reference mirror (not shown), a laser interferometer, and a movable mirror that are arranged so as to be substantially orthogonal to the reference mirror 42, the movable mirror 43, and the laser interferometer 44. At least one of these laser interferometers is a multi-axis interferometer having two or more measurement axes, and only the XY position of wafer stage 5 (and thus wafer W) is based on the measurement values of these laser interferometers. In addition, the θ rotation amount or the leveling amount in addition to these can be obtained.

さらに、投影光学系ＰＬのフランジ２３には、異なる３カ所に３つのレーザ干渉計４５が固定されている（ただし、図１においてはこれらのレーザ干渉計のうち１つが代表的に示されている）。各レーザ干渉計４５に対向する鏡筒定盤２５の部分には、開口２５ａがそれぞれ形成されており、これらの開口２５ａを介して各レーザ干渉計４５からＺ方向のレーザビーム（測長ビーム）がウエハ定盤６に向けて照射される。ウエハ定盤６の上面の各測長ビームの対向位置には、反射面がそれぞれ形成されている。このため、上記３つのレーザ干渉計４５によってウエハ定盤６の異なる３点のＺ位置がフランジ２３を基準としてそれぞれ計測される。   Further, three laser interferometers 45 are fixed to three different locations on the flange 23 of the projection optical system PL (however, one of these laser interferometers is representatively shown in FIG. 1). ). Openings 25a are respectively formed in the part of the lens barrel surface plate 25 facing the laser interferometers 45, and laser beams (measurement beams) in the Z direction from the laser interferometers 45 through the openings 25a. Is irradiated toward the wafer surface plate 6. Reflective surfaces are formed on the upper surface of the wafer surface plate 6 at positions facing each length measuring beam. Therefore, three different Z positions of the wafer surface plate 6 are measured by the three laser interferometers 45 with the flange 23 as a reference.

次に、露光装置１における温度制御系を図４乃至図６を用いて説明する。   Next, a temperature control system in the exposure apparatus 1 will be described with reference to FIGS.

図４に露光装置全体に係る温度制御系を示し、図５にレチクルステージ２に係る温度制御系を示し、図６にウエハステージ５に係る温度制御系を示す。なお、温度調節用の媒体（冷媒）としては、ＨＦＥ（ハイドロ・フルオロ・エーテル）やフロリナートを用いることが可能だが、本実施の形態では地球温暖化係数が低く、オゾン破壊係数がゼロであるため、地球環境保護の観点からＨＦＥを用いている。なお、冷媒としては、ＨＦＥに限らず、水（純水）を用いるものであっても良い。   4 shows a temperature control system related to the entire exposure apparatus, FIG. 5 shows a temperature control system related to reticle stage 2, and FIG. 6 shows a temperature control system related to wafer stage 5. As the temperature control medium (refrigerant), HFE (hydrofluoroether) or fluorinate can be used, but in this embodiment, the global warming potential is low and the ozone depletion potential is zero. HFE is used from the viewpoint of global environmental protection. In addition, as a refrigerant | coolant, not only HFE but water (pure water) may be used.

この温度制御系は、温調媒体としての冷媒を用いて、投影光学系ＰＬ（アライメント系ＡＬを含む）、レチクルステージ２およびウエハステージ５を温度制御対象として、温度制御（管理）を実施する。この温度制御系においては、温度制御対象としての投影光学系ＰＬ（発熱量（温度変化量）が比較的に小さい）、レチクルステージ２（発熱量（温度変化量）が比較的に大きい）およびウエハステージ５（発熱量（温度変化量）が比較的に大きい）を、それぞれ個別的に温度制御することにより、それぞれの発熱量、制御目標温度、および許容誤差等に応じて適切に対応できるようにするとともに、兼用できる構成部分（例えば、冷凍機７３等）については、兼用することにより、その構成の簡略化を図っている。   This temperature control system performs temperature control (management) using the refrigerant as the temperature control medium, with the projection optical system PL (including the alignment system AL), the reticle stage 2 and the wafer stage 5 as temperature control targets. In this temperature control system, projection optical system PL (heat generation amount (temperature change amount) is relatively small), reticle stage 2 (heat generation amount (temperature change amount) is relatively large) and a wafer as temperature control targets. By individually controlling the temperature of each stage 5 (the amount of heat generation (temperature change amount) is relatively large), it is possible to respond appropriately according to the amount of heat generation, control target temperature, allowable error, etc. At the same time, components that can also be used (for example, the refrigerator 73, etc.) are also used for simplification of the configuration.

まず、図４を参照する。この温度制御系は、露光装置本体と同一の階に設置される床上ユニットと、階下の機械室に設置される床下ユニットに大別される。床下ユニットは、蒸発器６５、冷凍機７３０等を備えて構成されている。冷凍機７３は、圧縮機、ノズル等を備えたヒートポンプであり、循環系Ｃ３を不図示のポンプにより循環される冷却水を冷却し、放熱系Ｃ４に供給される冷却水に熱量を放出する。冷凍機７３の冷凍能力は、コントローラ７７による制御の下、インバータ６６を介して圧縮機（モータ）に供給する電流の周波数を変更してその回転数を制御することにより変更調整できるようになっている。コントローラ７７は、通常運転時にはこの温度制御系の全体としての熱量収支に応じた一定出力で運転するようインバータ６６を介して冷凍機７３を制御している。   First, referring to FIG. This temperature control system is roughly divided into an upper floor unit installed on the same floor as the exposure apparatus main body and an under floor unit installed in a machine room below the floor. The underfloor unit includes an evaporator 65, a refrigerator 730, and the like. The refrigerator 73 is a heat pump including a compressor, a nozzle, and the like, cools the cooling water circulated in the circulation system C3 by a pump (not shown), and releases heat to the cooling water supplied to the heat dissipation system C4. The refrigeration capacity of the refrigerator 73 can be changed and adjusted by changing the frequency of the current supplied to the compressor (motor) via the inverter 66 and controlling the rotation speed under the control of the controller 77. Yes. The controller 77 controls the refrigerator 73 via the inverter 66 so as to operate at a constant output according to the heat amount balance of the temperature control system as a whole during normal operation.

循環系Ｃ３の冷却水は、ポンプ６１および冷却水タンク６２を有する循環系Ｃ２の冷却水を蒸発器６５を介して冷却する。循環系Ｃ２の冷却水は、後述する床上ユニットの循環系の冷媒（ＨＦＥ）を熱交換機７０を介して冷却する。冷凍機７３等を露光装置本体が設置される階と異なる階に設置するのは、冷凍機７３による振動の影響が露光装置に及ばないようにするためである。但し、これらの床下ユニットは、露光装置本体が設置される階と同じ階に設置してもよく（この場合には、露光装置本体側に冷凍機７３の振動が伝わらないように防振対策を床と装置との間に施しておくことが好ましい）、あるいは階上に設置しても勿論よい。また、コントローラ７７は、図４では床下に表示しているが、床上にあっても構わない。   The cooling water of the circulation system C3 cools the cooling water of the circulation system C2 having the pump 61 and the cooling water tank 62 through the evaporator 65. The cooling water of the circulation system C2 cools the refrigerant (HFE) of the circulation system of the floor unit described later via the heat exchanger 70. The reason why the refrigerator 73 and the like are installed on a floor different from the floor on which the exposure apparatus main body is installed is to prevent the influence of vibration caused by the refrigerator 73 from affecting the exposure apparatus. However, these underfloor units may be installed on the same floor as the exposure apparatus body (in this case, anti-vibration measures are taken so that the vibration of the refrigerator 73 is not transmitted to the exposure apparatus body side). Of course, it may be provided between the floor and the apparatus) or installed on the floor. Further, although the controller 77 is displayed below the floor in FIG. 4, it may be on the floor.

次に、この温度制御系の床上ユニットについて説明する。床上ユニットは、投影光学系ＰＬの温度を制御する循環系Ｃ１、レチクルステージ２の温度を制御する循環系Ｃ５およびウエハステージ５の温度を制御する循環系Ｃ６に大別される。   Next, the floor unit of this temperature control system will be described. The floor unit is roughly classified into a circulation system C1 that controls the temperature of the projection optical system PL, a circulation system C5 that controls the temperature of the reticle stage 2, and a circulation system C6 that controls the temperature of the wafer stage 5.

循環系Ｃ１において、熱交換機７０で冷却された冷媒は、分岐点６７ａ、ポンプ６４、ヒータ７１および制御バルブ６７を経た後に、投影光学系ＰＬ（図示省略するアライメント系ＡＬを含む）に至り、投影光学系ＰＬを冷却した冷媒は、タンク６３に回収され、さらに熱効果器７０を経て順次循環される。ヒータ７１による加熱および制御バルブ６７の開閉は、コントローラ７７により制御されるようになっている。また、循環系Ｃ１の配管の投影光学系ＰＬの直前（入口側）には、温度センサ６９ａ、流量センサ６９ｂおよび圧力センサ６９ｃが設けられている。なお、流量センサ６９ｂの近傍には、流量を調節するための流量調節器（不図示）が設けられている。これらのセンサ６９ａ、６９ｂ、６９ｃによる検出信号は、コントローラ７７に供給される。コントローラ７７は、温度センサ６９ａによる検出温度が投影光学系ＰＬの目標温度となるように、ヒータ７１を制御する。なお、図示していないが、循環系Ｃ１の投影光学系ＰＬの下流側（出口側）配管に温度センサを設けて、上流側温度センサ６９ａと下流側温度センサとによる検出値の平均をヒータ７１による温度制御に用いてもよい。また、図示していないが、循環系Ｃ１の投影光学系ＰＬの下流側（出口側）配管に流量センサを設けても良い。このようにすれば、投影光学系ＰＬ上の配管を冷媒が流れている過程において、流量異常が生じた場合（もし入口側のセンサ６９ｂだけだと検出できない場合）であっても、流量異常を確実に検出することが可能となる。   In the circulation system C1, the refrigerant cooled by the heat exchanger 70 passes through the branch point 67a, the pump 64, the heater 71, and the control valve 67, then reaches the projection optical system PL (including the alignment system AL not shown), and is projected. The refrigerant that has cooled the optical system PL is collected in the tank 63 and further circulated sequentially through the heat effector 70. Heating by the heater 71 and opening / closing of the control valve 67 are controlled by a controller 77. Further, a temperature sensor 69a, a flow sensor 69b, and a pressure sensor 69c are provided immediately before (inlet side) the projection optical system PL of the piping of the circulation system C1. A flow rate regulator (not shown) for adjusting the flow rate is provided in the vicinity of the flow rate sensor 69b. Detection signals from these sensors 69a, 69b, and 69c are supplied to the controller 77. The controller 77 controls the heater 71 so that the temperature detected by the temperature sensor 69a becomes the target temperature of the projection optical system PL. Although not shown, a temperature sensor is provided on the downstream (exit side) piping of the projection optical system PL of the circulation system C1, and the average of the detection values of the upstream temperature sensor 69a and the downstream temperature sensor is calculated by the heater 71. You may use for temperature control by. Although not shown, a flow sensor may be provided on the downstream (exit side) piping of the projection optical system PL of the circulation system C1. In this way, even if a flow rate abnormality occurs in the process in which the refrigerant is flowing through the piping on the projection optical system PL (if only the sensor 69b on the inlet side cannot be detected), the flow rate abnormality is detected. It becomes possible to detect reliably.

また、コントローラ７７は、温度センサ６９ａ、流量センサ６９ｂおよび圧力センサ６９ｃの検出値の何れかが予め決められた所定の範囲を逸脱した場合には、配管の破損、その他の障害が発生したものとして、制御バルブ６７を閉塞するとともに、ポンプ６４の作動を停止するよう制御する。   Further, the controller 77 determines that a pipe has been damaged or other trouble has occurred when any of the detection values of the temperature sensor 69a, the flow sensor 69b, and the pressure sensor 69c deviates from a predetermined range. The control valve 67 is closed and the operation of the pump 64 is stopped.

循環系Ｃ１において、投影光学系ＰＬは、鏡筒６８の周りを螺旋状に配管されることで冷媒による温度調節範囲が広く設定されている。本実施形態では、図４において、冷媒が鏡筒６８の周りを螺旋状に配された配管を介して下から上へ循環されるように構成したが、これに限らず上から下へ螺旋状に冷媒を循環させるように構成してもよい。なお、本実施の形態では、上述の如く鏡筒６８の周りをほぼ全面に亘って螺旋状に配管を配することで投影光学系ＰＬの温調を行っているが、本発明はこれに限らず、投影光学系ＰＬを保持する部材（フランジ２３）の部分に配管を配して温調を行う、いわゆるフランジ温調方式を採用してもよい。   In the circulatory system C1, the projection optical system PL is provided with a wide temperature control range by the refrigerant by being spirally piped around the lens barrel 68. In the present embodiment, in FIG. 4, the refrigerant is configured to be circulated from the bottom to the top through a pipe arranged spirally around the lens barrel 68. You may comprise so that a refrigerant | coolant may be circulated through. In the present embodiment, as described above, the temperature of the projection optical system PL is controlled by arranging the pipe around the lens barrel 68 in a spiral manner, but the present invention is not limited to this. Alternatively, a so-called flange temperature control method may be employed in which piping is arranged on the member (flange 23) that holds the projection optical system PL to perform temperature control.

なお、投影光学系ＰＬの近傍に配置されるアライメント系ＡＬについても、図示は省略しているが、この循環系Ｃ１により冷却されるようになっている。オフアクシス系のアライメント系ＡＬとしては、Ｈｅ−Ｎｅ等のレーザ光をウエハＷ上のドット列状のアライメントマークに照射し、そのマークにより回折または散乱された光を用いてマーク位置を検出するＬＳＡ（Ｌａｓｅｒ Ｓｔｅｐ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式や、ハロゲンランプ等を光源とする波長帯域幅の広い光で照明し、ＣＣＤカメラなどで撮像したアライメントマークの画像データを画像処理してマーク位置を計測するＦＩＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｉｍａｇｅ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、ウエハＷ上の回折格子状のアライメントマークにピッチ方向に対照的に傾斜した２つのコヒーレントビーム（半導体レーザ等）を照射し、発生した２つの回折光を干渉させ、その位相からアライメントマークの位置を計測するＬＩＡ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式等を採用可能であるが、ここではＬＳＡ方式を用いており、循環系Ｃ１ではアライメント系ＡＬの中、アライメント光源に対して冷媒を循環させて温度調節を行っている。循環方式としては、例えば投影光学系ＰＬと同様に、光源を収納する筺体に螺旋状に配管することが可能である。   Note that the alignment system AL disposed in the vicinity of the projection optical system PL is also not shown, but is cooled by the circulation system C1. As an off-axis alignment system AL, an LSA that irradiates a laser beam such as He—Ne onto a dot array alignment mark on the wafer W and detects the mark position using light diffracted or scattered by the mark. (Field Step Alignment) method or FIA (Field Image) that measures the mark position by performing image processing on the image data of the alignment mark imaged by a CCD camera or the like using a halogen lamp or the like as a light source. Alignment) method, irradiating two coherent beams (semiconductor laser, etc.) inclined in contrast to the pitch direction on the diffraction grating-like alignment mark on the wafer W, causing the two diffracted lights to interfere with each other, and aligning from the phase LIA (Laser) for measuring the position of a mark Although the Interferometric Alignment) method or the like can be employed, the LSA method is used here, and the circulation system C1 adjusts the temperature by circulating a refrigerant with respect to the alignment light source in the alignment system AL. As a circulation system, for example, similarly to the projection optical system PL, it is possible to connect a spiral pipe to a housing that houses a light source.

なお、アライメント系ＡＬにおいて、アライメント光源のみならず、アライメント用光学系を収納する筺体に対しても冷媒を循環させて温度調節を実施する構成としてもよい。また、オフアクシス系ではなく、投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上のマークを検出するＴＴＲ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｒｅｔｉｃｌｅ）方式やＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）方式においても同様に、アライメント光源や筺体に対して冷媒を循環させて温度調節を行うことができる。   The alignment system AL may be configured to adjust the temperature by circulating a coolant not only for the alignment light source but also for the housing that houses the alignment optical system. Similarly, in the TTR (Through The Reticle) method and the TTL (Through The Lens) method for detecting a mark on the wafer W through the projection optical system PL instead of the off-axis system, the alignment light source and the housing are also protected. The temperature can be adjusted by circulating the refrigerant.

次に、レチクルステージ２の温度制御を行う循環系Ｃ５において、床下ユニットの熱交換機７０で冷却された冷媒は、ポンプ７４、分岐点６７ｂ、ヒータ７５および制御バルブ８０を経た後に、レチクルステージ２に至り、レチクルステージ２を冷却した冷媒は、タンク６３に回収され、さらに熱効果器７０を経て順次循環される。ヒータ７５による加熱および制御バルブ８０の開閉は、コントローラ７７により制御されるようになっている。循環系Ｃ５の配管のレチクルステージ２の直前（入口側）には、温度センサ７６ａ、流量センサ７６ｃおよび圧力センサ７６ｅが設けられている。なお、流量センサ７６ｃの近傍には不図示の流量調節器が設けられている。また、循環系Ｃ５の配管のレチクルステージ２の直後（出口側）には、温度センサ７６ｂおよび流量センサ７６ｄが設けられている。これらのセンサ７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、７６ｄ、７６ｅによる検出信号は、コントローラ７７に供給される。コントローラ７７は、温度センサ７６ａおよび７６ｂによる検出温度の平均値がレチクルステージ２の目標温度となるように、ヒータ７５を制御する。また、コントローラ７７は、温度センサ７６ａ、７６ｂ、流量センサ７６ｃ、７６ｄ、圧力センサ７６ｅ、温度センサ７６ｄおよび流量センサ７６ｅの何れかが予め決められた所定の範囲を逸脱した場合には、配管の破損、その他の障害が発生したものとして、制御バルブ８０を閉塞する。   Next, in the circulation system C5 that controls the temperature of the reticle stage 2, the refrigerant cooled by the heat exchanger 70 of the underfloor unit passes through the pump 74, the branch point 67b, the heater 75, and the control valve 80, and then enters the reticle stage 2. The refrigerant that has cooled the reticle stage 2 is collected in the tank 63 and further circulated through the heat effector 70 in sequence. Heating by the heater 75 and opening / closing of the control valve 80 are controlled by a controller 77. A temperature sensor 76a, a flow rate sensor 76c, and a pressure sensor 76e are provided immediately before (on the inlet side) the reticle stage 2 in the piping of the circulation system C5. A flow controller (not shown) is provided in the vicinity of the flow sensor 76c. A temperature sensor 76b and a flow rate sensor 76d are provided immediately after the reticle stage 2 in the piping of the circulation system C5 (exit side). Detection signals from these sensors 76a, 76b, 76c, 76d, and 76e are supplied to the controller 77. The controller 77 controls the heater 75 so that the average value of the temperatures detected by the temperature sensors 76 a and 76 b becomes the target temperature of the reticle stage 2. In addition, the controller 77 breaks the pipe when any of the temperature sensors 76a and 76b, the flow sensors 76c and 76d, the pressure sensor 76e, the temperature sensor 76d, and the flow sensor 76e deviates from a predetermined range. As another failure occurs, the control valve 80 is closed.

次に、ウエハステージ５の温度制御を行う循環系Ｃ６において、床下ユニットの熱交換機７０で冷却された冷媒は、ポンプ７４、分岐点６７ｂ、ヒータ７８および制御バルブ８４を経た後に、ウエハステージ５に至り、ウエハステージ５を冷却した冷媒は、タンク６３に回収され、さらに熱効果器７０を経て順次循環される。ヒータ７８による加熱および制御バルブ８４の開閉は、コントローラ７７により制御されるようになっている。循環系Ｃ６の配管のウエハステージ５の直前（入口側）には、温度センサ７９ａ、流量センサ７９ｃおよび圧力センサ７９ｅが設けられている。なお、流量センサ７９ｃの近傍には不図示の流量調節器が設けられている。また、循環系Ｃ６の配管のウエハステージ５の直後（出口側）には、温度センサ７９ｂおよび流量センサ７９ｄが設けられている。これらのセンサ７９ａ、７９ｂ、７９ｃ、７９ｄ、７９ｅによる検出信号は、コントローラ７７に供給される。コントローラ７７は、温度センサ７９ａおよび７９ｂによる検出温度の平均値がウエハステージ５の目標温度となるように、ヒータ７８を制御する。また、コントローラ７７は、温度センサ７９ａ、７９ｂ、流量センサ７９ｃ、７９ｄ、圧力センサ７９ｅの何れかが予め決められた所定の範囲を逸脱した場合には、配管の破損、その他の障害が発生したものとして、制御バルブ８４を閉塞する。なお、循環系Ｃ５、Ｃ６には、それぞれバイパス流路（配管）ＢＹ１、ＢＹ２が設けられている。これらのバイパス流路ＢＹ１、ＢＹ２にはそれぞれ電磁バルブ（電磁弁）２１０、２２０が設けられており、通常運転時（各系Ｃ５、Ｃ６に異常が生じていない時）には、これらのバルブ２１０、２２０は閉じられている。   Next, in the circulation system C6 that controls the temperature of the wafer stage 5, the refrigerant cooled by the heat exchanger 70 of the underfloor unit passes through the pump 74, the branch point 67b, the heater 78, and the control valve 84, and then enters the wafer stage 5. The refrigerant that has cooled the wafer stage 5 is collected in the tank 63 and further circulated sequentially through the heat effector 70. Heating by the heater 78 and opening / closing of the control valve 84 are controlled by the controller 77. A temperature sensor 79a, a flow sensor 79c, and a pressure sensor 79e are provided immediately before the wafer stage 5 (inlet side) of the piping of the circulation system C6. A flow controller (not shown) is provided in the vicinity of the flow sensor 79c. A temperature sensor 79b and a flow rate sensor 79d are provided immediately after the wafer stage 5 (exit side) of the piping of the circulation system C6. Detection signals from these sensors 79a, 79b, 79c, 79d, 79e are supplied to the controller 77. The controller 77 controls the heater 78 so that the average value of the temperatures detected by the temperature sensors 79 a and 79 b becomes the target temperature of the wafer stage 5. In addition, the controller 77 indicates that a pipe has been damaged or other fault has occurred when any of the temperature sensors 79a and 79b, the flow sensors 79c and 79d, and the pressure sensor 79e deviates from a predetermined range. As a result, the control valve 84 is closed. The circulation systems C5 and C6 are provided with bypass passages (piping) BY1 and BY2, respectively. These bypass channels BY1 and BY2 are provided with electromagnetic valves (electromagnetic valves) 210 and 220, respectively, and during normal operation (when no abnormality occurs in each system C5 and C6), these valves 210 are provided. 220 are closed.

なお、この実施形態では、コントローラ７７は、投影光学系ＰＬ（アライメント系ＡＬを含む）を温度制御する循環系Ｃ１のヒータ７１の駆動を制御することで、冷媒を介してアライメント系ＡＬを含む投影光学系ＰＬの温度を、例えば２３℃±０．０１℃に制御（管理）するようにしている。また、コントローラ７７は、レチクルステージ２を温度制御する循環系Ｃ５のヒータ７５の駆動を制御することで、冷媒を介してレチクルステージ２の温度を、例えば２３℃±０．１℃に制御（管理）するようにしている。同様に、コントローラ７７は、ウエハステージ２を温度制御する循環系Ｃ６のヒータ７８の駆動を制御することで、冷媒を介してウエハステージ５の温度を、例えば２３℃±０．１℃に制御（管理）するようにしている。   In this embodiment, the controller 77 controls the projection optical system PL (including the alignment system AL) to control the temperature of the heater 71 of the circulation system C1, thereby projecting the projection including the alignment system AL via the refrigerant. The temperature of the optical system PL is controlled (managed) to 23 ° C. ± 0.01 ° C., for example. In addition, the controller 77 controls (controls) the temperature of the reticle stage 2 to, for example, 23 ° C. ± 0.1 ° C. via the refrigerant by controlling the driving of the heater 75 of the circulation system C5 that controls the temperature of the reticle stage 2. ) Similarly, the controller 77 controls the temperature of the wafer stage 5 to, for example, 23 ° C. ± 0.1 ° C. via the refrigerant by controlling the driving of the heater 78 of the circulation system C6 that controls the temperature of the wafer stage 2 ( Management).

図４に示した構成では、冷凍機７３等の床下ユニットを各循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６について単一としており、その構成の簡略化が図られている。また、タンク６３から熱交換器７０を経て分岐６７ａに至る部分を、循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６で兼用しており、これによっても構成の簡略化が図られている。但し、各循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６のうちの１つと他の２つを互いに独立的に構成するように（すなわち何れか２つの系のみ上記部分が兼用されるように）してもよい。   In the configuration shown in FIG. 4, the underfloor unit such as the refrigerator 73 is single for each of the circulation systems C1, C5, and C6, and the configuration is simplified. Further, the part from the tank 63 through the heat exchanger 70 to the branch 67a is also used as the circulation system C1, C5, C6, thereby simplifying the configuration. However, one of the circulation systems C1, C5, and C6 and the other two may be configured independently of each other (that is, only any two systems may share the above part).

以下、レチクルステージ２に対する温度制御系についてさらに詳述する。図５に示すように、循環系Ｃ５は、Ｙリニアモータ１５の可動子２１、２１をそれぞれ循環して温度制御する循環系Ｃ７、Ｃ７と、トリムモータ７２、７２をそれぞれ循環して温度制御する循環系Ｃ８、Ｃ８と、Ｙボイスコイルモータ１７Ｙを循環して温度制御する循環系Ｃ９と、Ｘボイスコイルモータ１７Ｘを循環して温度制御する循環系Ｃ１０との複数の分岐流路に分岐される。   Hereinafter, the temperature control system for the reticle stage 2 will be described in more detail. As shown in FIG. 5, the circulation system C5 circulates through the movers 21 and 21 of the Y linear motor 15 to control the temperature, and circulates through the trim motors 72 and 72 to control the temperature. It is branched into a plurality of branch flow paths of circulation systems C8 and C8, circulation system C9 that circulates temperature through Y voice coil motor 17Y, and circulation system C10 that circulates temperature through X voice coil motor 17X. .

各循環系Ｃ７〜Ｃ１０には、各モータの上流に位置して冷媒の流量を調節するバルブ８０がそれぞれ設けられている。また、循環系Ｃ７の一方には、可動子２１の近傍に設けられ、可動子２１に循環させる前の冷媒温度を検出する温度センサ７６ａと、可動子２１を循環させた後の冷媒温度を検出する温度センサ７６ｂが設けられている。   Each of the circulation systems C7 to C10 is provided with a valve 80 that is located upstream of each motor and adjusts the flow rate of the refrigerant. One of the circulation systems C7 is provided in the vicinity of the mover 21, and detects a refrigerant temperature after detecting the refrigerant temperature before being circulated to the mover 21, and the refrigerant temperature after circulating the mover 21. A temperature sensor 76b is provided.

続いて、ウエハステージ５に対する温度制御系について詳述する。図６に示すように、循環系Ｃ６は、リニアモータ３３の可動子３６、３６をそれぞれ循環して温度制御する循環系Ｃ１１、Ｃ１１と、Ｘリニアモータ３５を循環して温度制御する循環系Ｃ１２とに分岐される。各循環系Ｃ１１〜Ｃ１２には、各モータの上流に位置して冷媒の流量を調節するバルブ８４がそれぞれ設けられている。また、循環系Ｃ１１の一方には、可動子３６に循環させる前の冷媒温度および可動子３６を循環させた後の冷媒温度をそれぞれ検出するための、上述したセンサ７９ａ、７９ｂが設けられている。   Next, the temperature control system for the wafer stage 5 will be described in detail. As shown in FIG. 6, the circulation system C6 circulates through the movers 36 and 36 of the linear motor 33 to control the temperature, and the circulation system C12 circulates through the X linear motor 35 to control the temperature. It branches to. Each of the circulation systems C11 to C12 is provided with a valve 84 that is located upstream of each motor and adjusts the flow rate of the refrigerant. One of the circulation systems C11 is provided with the sensors 79a and 79b described above for detecting the refrigerant temperature before being circulated through the mover 36 and the refrigerant temperature after being circulated through the mover 36, respectively. .

なお、ウエハステージ５（試料台ＳＴ）のレベリング調整（およびフォーカス調整）を実施するための３つのボイスコイルモータ８１〜８３に対しても、循環系Ｃ１３〜Ｃ１５が配管され、各循環系には、モータの上流に位置して冷媒の流量を調節するバルブ８５がそれぞれ設けられるが、ボイスコイルモータ８１〜８３の駆動頻度がリニアモータ３３、３５に比較して少なく、また駆動時の発熱量も小さいことから、これら循環系Ｃ１３〜Ｃ１５は循環系Ｃ１を分岐した冷媒にて温度制御される。このボイスコイルモータ８１〜８３に限らず、駆動時の発熱量の小さいモータ（例えば上述のトリムモータ７２やＸボイスコイルモータ１７Ｘなど）の温度管理を行う循環系は、循環系Ｃ１を分岐した冷媒にて温度制御を行うようにしてもよい。   Circulation systems C13 to C15 are also piped to the three voice coil motors 81 to 83 for performing leveling adjustment (and focus adjustment) of the wafer stage 5 (sample stage ST). Further, valves 85 for adjusting the flow rate of the refrigerant are provided upstream of the motor, but the driving frequency of the voice coil motors 81 to 83 is less than that of the linear motors 33 and 35, and the amount of heat generated during driving is also low. Since the circulation system C13 to C15 is small, the temperature of the circulation system C13 to C15 is controlled by a refrigerant branched from the circulation system C1. The circulation system that performs temperature management of not only the voice coil motors 81 to 83 but also a motor that generates a small amount of heat during driving (for example, the trim motor 72 or the X voice coil motor 17X described above) is a refrigerant branched from the circulation system C1. The temperature control may be performed at.

なお、上記温度センサ６９ａ、６９ｂ、７６ａ、７６ｂ、７９ａ、７９ｂとしては、本実施形態では±０．０１℃を検出できる精度のものを使用しているが、循環系Ｃ５およびＣ６では、レチクルステージ２およびウエハステージ５に必要とされる温度制御精度が±０．１℃なので、温度センサ７６ａ、７６ｂ、７９ａ、７９ｂに関してはこの精度に応じた検出能力をもつ温度センサを使用することも可能である。また、温度センサによる温度計測サンプリング間隔に関しても、例えば、制御精度が厳しい場合や温度変化量が大きい場合にはサンプリング間隔を短くする等、要求される温度制御精度や、制御対象となる投影光学系ＰＬ、ステージ２、５の温度変化量（発熱量）に応じて変更することも好ましい。   As the temperature sensors 69a, 69b, 76a, 76b, 79a, 79b, those having an accuracy capable of detecting ± 0.01 ° C. are used in this embodiment, but in the circulation systems C5 and C6, the reticle stage is used. Since the temperature control accuracy required for 2 and the wafer stage 5 is ± 0.1 ° C., it is possible to use a temperature sensor having a detection capability corresponding to this accuracy for the temperature sensors 76a, 76b, 79a, 79b. is there. In addition, regarding the temperature measurement sampling interval by the temperature sensor, for example, when the control accuracy is severe or the temperature change amount is large, the required temperature control accuracy such as shortening the sampling interval or the projection optical system to be controlled It is also preferable to change according to the temperature change amount (heat generation amount) of PL and stages 2 and 5.

また、各温度センサの配置としては、本実施形態では、直接冷媒温度を計測できるように流路（配管）の内部に設置しているが、その他にも、温度センサの検知部が管の壁面から離間した位置（管の断面の中央付近に検知部が中吊りされた状態）に配置する構成とすることができる。この場合、センサの検知部が管壁に非接触となるので、管壁面を介して外部環境の悪影響を受けづらくなる。また、温度センサは交換可能とする構成としてもよい。この場合、管に挿入口を設け、この挿入口を介して着脱可能とする構成や、溶接等により温度センサを管に固定しておき、温度センサを含む管の一部を交換可能とする構成を採用可能である。さらに、管の外表面に温度センサを設置して、管を介して冷媒温度を計測する構成とすることも可能である。   In addition, in the present embodiment, each temperature sensor is disposed in the flow path (pipe) so that the refrigerant temperature can be directly measured. It can be set as the structure arrange | positioned in the position (state which the detection part suspended in the center vicinity of the cross section of a pipe | tube) spaced apart from. In this case, since the detection part of the sensor is not in contact with the tube wall, it is difficult to be adversely affected by the external environment via the tube wall surface. The temperature sensor may be configured to be replaceable. In this case, a configuration in which an insertion port is provided in the tube and the tube is detachable through the insertion port, or a configuration in which a temperature sensor is fixed to the tube by welding or the like and a part of the tube including the temperature sensor can be replaced. Can be adopted. Further, it is possible to install a temperature sensor on the outer surface of the pipe and measure the refrigerant temperature through the pipe.

次に、コントローラ７７による障害発生時の処理について、図７に示すフローチャートを参照して説明する。上述したように、通常運転時においては、コントローラ７７は冷凍機７３がこの温度制御系全体としての熱量収支に応じた冷凍能力となるように、一定の出力で運転するよう制御している。しかし、循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６において、配管の損傷（破損、折れ、はずれ等）やポンプ６４、７４、ヒータ７１、７５、７８等に何らかの障害が発生した場合には、該障害が発生した循環系を停止させる必要が生じる。そこで、コントローラ７７は、以下のような処理を実施する。   Next, processing when a failure occurs by the controller 77 will be described with reference to a flowchart shown in FIG. As described above, during normal operation, the controller 77 controls the refrigerator 73 to operate at a constant output so that the refrigerator 73 has a refrigerating capacity corresponding to the heat balance of the entire temperature control system. However, in the circulation systems C1, C5, and C6, when a failure (breakage, breakage, disconnection, etc.) of the piping or any failure occurred in the pumps 64, 74, heaters 71, 75, 78, etc., the failure occurred. The circulation system needs to be stopped. Therefore, the controller 77 performs the following processing.

即ち、コントローラ７７は、各循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６に設けられたセンサ（温度センサ、流量センサ、圧力センサ）の検出値をモニタしており（ステップ１０１）、それぞれについて予め決められた設定範囲から何れかが逸脱したか否かを判断する（ステップ１０２）。ステップ１０２で設定範囲内であると判断した場合には、ステップ１０１のモニタを継続する。ステップ１０２で設定範囲外であると判断した場合には、当該障害が検出されたセンサを有する循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６内の対応する制御バルブ６７、８０、８４を閉塞する（ステップ１０３）。   That is, the controller 77 monitors the detection values of the sensors (temperature sensor, flow rate sensor, pressure sensor) provided in each of the circulation systems C1, C5, C6 (step 101), and a predetermined setting range for each. It is determined whether or not any of the above has deviated (step 102). If it is determined in step 102 that it is within the set range, the monitoring in step 101 is continued. If it is determined in step 102 that it is outside the set range, the corresponding control valves 67, 80, 84 in the circulation systems C1, C5, C6 having the sensor in which the failure is detected are closed (step 103).

例えば、循環系Ｃ５（レチクルステージ２の温度制御系）に障害が発生したものとすると、制御バルブ８０を閉塞することになる。循環系Ｃ５が停止されると、冷凍機７３は一定出力で運転されているので、この温度制御系全体としての熱量収支が冷却過剰となり、運転を継続している循環系Ｃ１およびＣ６内の冷媒の温度が必要以上に低下する。このとき、継続運転中の循環系Ｃ１、Ｃ６のヒータ７１、７８の能力は、通常運転時を基準として最適化されたものを用いているのが通常なので、当該ヒータ７１、７８の能力範囲を越えて温度が低下すると、もはや温度制御対象としての投影光学系ＰＬ、ウエハステージ５を目標温度に制御することが困難となる。   For example, if a failure occurs in the circulation system C5 (temperature control system of the reticle stage 2), the control valve 80 is closed. When the circulation system C5 is stopped, since the refrigerator 73 is operated at a constant output, the heat balance of the temperature control system as a whole becomes excessively cooled, and the refrigerant in the circulation systems C1 and C6 continues to operate. The temperature drops more than necessary. At this time, since the capacities of the heaters 71 and 78 of the circulation systems C1 and C6 during the continuous operation are usually optimized based on the normal operation, the capacity range of the heaters 71 and 78 is limited. When the temperature drops beyond this, it becomes difficult to control the projection optical system PL and the wafer stage 5 as the temperature control target to the target temperature.

そこで、この実施形態では、コントローラ７７は、ステップ１０３で制御バルブ８０を閉塞した後、インバータ６６を制御して冷凍機７３の圧縮機（モータ）に対する電流の周波数を低下、即ち圧縮機の回転数を低下させることにより、冷凍機７３の設定能力（冷凍機７３がターゲットとする設定温度）を低下させる（ステップ１０４）。このような制御により、この温度制御系全体としての熱量収支を均衡させるようにしている。冷凍機７３の設定能力（設定温度、目標温度）をどの程度低下させればよいかについては、理論的に計算で求めてもよいし、あるいは予め実験的に収集したデータに基づいて決定しておいてもよい。これにより、障害が発生し、何れかの循環系を停止した場合であっても、継続運転される残余の循環系において適正な温度制御能力を発揮することができるのである。なお、冷凍機７３の設定温度をどの程度下げるかについては、どの系が（循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６のうちの何れか）停止したかによって異なる値となり得るものである。冷凍機７３の設定温度は、個別の設定値を停止した系に応じて持っているものとする。   Therefore, in this embodiment, the controller 77 closes the control valve 80 in Step 103 and then controls the inverter 66 to lower the frequency of the current to the compressor (motor) of the refrigerator 73, that is, the rotation speed of the compressor. Is reduced, the set capacity of the refrigerator 73 (set temperature targeted by the refrigerator 73) is reduced (step 104). By such control, the heat balance of the temperature control system as a whole is balanced. The extent to which the set capacity (set temperature, target temperature) of the refrigerator 73 should be reduced may be theoretically calculated or determined based on data experimentally collected in advance. It may be left. As a result, even when a failure occurs and any of the circulation systems is stopped, an appropriate temperature control capability can be exhibited in the remaining circulation system that is continuously operated. It should be noted that how much the set temperature of the refrigerator 73 is lowered can be different depending on which system is stopped (any one of the circulation systems C1, C5, and C6). It is assumed that the set temperature of the refrigerator 73 has an individual set value according to the stopped system.

なお、冷凍機７３の設定能力（設定温度）を一気に低下させると、ヒータと温度センサによる制御系に対して外乱として作用し、安定的な制御が行えないおそれがあるので、冷凍機７３の設定能力（設定能力）の低下は、徐々に行うようにするとよい。この場合、上記の理論的あるいは予め実験的に求めた熱量収支の変化の目標値に対して、温度制御系の安定性を阻害しない程度の時間をかけて、直線的に、あるいは場合によっては曲線的に近づくよう徐々にその能力を低下させるとよい。また、循環系Ｃ５とＣ６は、共通のポンプ７４を使用しているため、一方の系（Ｃ５）が止まる（閉塞される）と、他方の系（Ｃ６）に通常以上の流量が流れ込む恐れがある。このため、そのような場合に備えて、バイパス流路（バイパス用配管）ＢＹ１、ＢＹ２が設けられている。今、系Ｃ５が止められたと仮定すると、バイパス流路ＢＹ２のバルブ２２０がコントローラ７７によって開放される。これにより、系Ｃ６に過大な流量が流れ込んできたとしても、超過分をバイパス流路ＢＹ２に流すことで、系Ｃ６に正常な流量を流し続けることが可能となる。   Note that if the setting capability (set temperature) of the refrigerator 73 is reduced at a stretch, it may act as a disturbance to the control system by the heater and the temperature sensor, and stable control may not be performed. The ability (setting ability) should be lowered gradually. In this case, over the target value of the change in the heat balance obtained theoretically or in advance experimentally, it takes a time that does not hinder the stability of the temperature control system, linearly or depending on the case. Gradually lower your ability to get closer. In addition, since the circulation systems C5 and C6 use a common pump 74, if one system (C5) stops (is blocked), there is a risk that a flow rate higher than usual flows into the other system (C6). is there. For this reason, in order to prepare for such a case, bypass flow paths (bypass pipes) BY1 and BY2 are provided. Assuming now that the system C5 is stopped, the valve 220 of the bypass flow path BY2 is opened by the controller 77. As a result, even if an excessive flow rate flows into the system C6, it is possible to keep the normal flow rate flowing through the system C6 by flowing the excess amount into the bypass flow path BY2.

次に、障害が発生した循環系（ここではＣ５）のメンテナンスを実施し、その復旧がなされたと判断される場合には（ステップ１０５）、コントローラ７７は、制御バルブ８０を開放した後（ステップ１０６）、インバータ６６を制御して冷凍機７３の圧縮機（モータ）に対する電流の周波数を元の通常運転の状態に戻すために上昇、即ち圧縮機の回転数を上昇させることにより、冷凍機７３の設定能力（設定温度、目標温度）を上昇させる（ステップ１０７）。なお、この場合も、冷凍機７３の設定能力（設定温度）を一気に上昇させると、ヒータと温度センサによる制御系に対して外乱として作用し、安定的な制御が行えないおそれがあるので、冷凍機７３の設定能力（設定温度）の上昇は、徐々に行うようにするとよい。この場合、上記の理論的あるいは実験的に求めた熱量収支の変化の目標値に対して、温度制御系の安定性を阻害しない程度の時間をかけて、直線的に、あるいは場合によっては曲線的に近づくよう徐々にその能力（設定温度）を上昇させるとよい。   Next, when the maintenance of the circulatory system (here C5) in which the failure has occurred is carried out and it is determined that the recovery has been made (step 105), the controller 77 opens the control valve 80 (step 106). ), The inverter 66 is controlled to increase the frequency of the current to the compressor (motor) of the refrigerator 73 to return to the original normal operation state, that is, by increasing the rotation speed of the compressor 73, The set capability (set temperature, target temperature) is increased (step 107). In this case as well, if the set capacity (set temperature) of the refrigerator 73 is increased at once, it may act as a disturbance to the control system by the heater and the temperature sensor, and stable control may not be performed. The setting capability (setting temperature) of the machine 73 is preferably increased gradually. In this case, the target value of the change in the heat balance obtained theoretically or experimentally is taken linearly or, in some cases, curved, over a time period that does not hinder the stability of the temperature control system. It is better to gradually increase its ability (set temperature) so as to approach.

上記の構成の露光装置１では、露光時に照明光学系ＩＵからの露光用照明光により、レチクルＲ上の所定の矩形状の照明領域が均一な照度で照明される。この照明領域に対してレチクルＲがＹ方向に走査されるのに同期して、この照明領域と投影光学系ＰＬに関して共役な露光領域に対してウエハＷを走査する。これにより、レチクルＲのパターン領域を透過した照明光が投影光学系ＰＬにより１／４倍に縮小され、レジストが塗布されたウエハＷ上に照射される。そして、ウエハＷ上の露光領域には、レチクルＲのパターンが逐次転写され、１回の走査でレチクルＲ上のパターン領域の全面がウエハＷ上のショット領域に転写される。   In the exposure apparatus 1 configured as described above, a predetermined rectangular illumination area on the reticle R is illuminated with uniform illumination by exposure illumination light from the illumination optical system IU during exposure. In synchronization with the reticle R being scanned in the Y direction with respect to this illumination area, the wafer W is scanned with respect to an exposure area conjugate with respect to this illumination area and the projection optical system PL. As a result, the illumination light transmitted through the pattern area of the reticle R is reduced by a factor of 1/4 by the projection optical system PL, and irradiated onto the wafer W coated with a resist. The pattern of the reticle R is sequentially transferred to the exposure area on the wafer W, and the entire pattern area on the reticle R is transferred to the shot area on the wafer W by one scan.

レチクル粗動ステージ１６が、例えば＋Ｙ方向に移動した場合には固定子２０が−Ｙ方向に移動することで、運動量が保存され、レチクル粗動ステージ１６の移動に伴う反力を相殺するとともに、重心位置の変化を防ぐことができる。また、このときトリムモータ７２が作動することで、移動子２１と固定子２０とのカップリングに抗して、固定子２０を所定の位置に到達させることができる。   For example, when the reticle coarse movement stage 16 moves in the + Y direction, the stator 20 moves in the −Y direction, so that the momentum is preserved, and the reaction force accompanying the movement of the reticle coarse movement stage 16 is canceled, and It is possible to prevent changes in the center of gravity. At this time, by operating the trim motor 72, the stator 20 can reach a predetermined position against the coupling between the movable element 21 and the stator 20.

これらの一連の露光処理に関しては、照明光により投影光学系ＰＬに熱が生じ（照明光照射による投影光学系ＰＬでの熱吸収）、アライメント光によりアライメント系ＡＬに熱が生じる（アライメント光照射によるアライメント光学系での熱吸収）とともに、ステージ２、５の駆動に伴い各モータから熱が生じる。循環系Ｃ１については、コントローラ７７が温度センサ６９ａの検出結果に基づいて、ヒータ７１の駆動を制御することで、投影光学系ＰＬ（アライメント系ＡＬを含む）を±０．０１℃の範囲で温度制御する。また、循環系Ｃ５およびＣ６については、コントローラ７７が温度センサ７６ａ、７６ｂ、７９ａ、７９ｂの検出結果に基づいて、ヒータ７５、７８の駆動を制御することで、レチクルステージ２およびウエハステージ５を±０．１℃の範囲でそれぞれ温度制御する。   Regarding these series of exposure processes, heat is generated in the projection optical system PL by illumination light (heat absorption in the projection optical system PL by illumination light irradiation), and heat is generated in the alignment system AL by alignment light (by alignment light irradiation). In addition to heat absorption by the alignment optical system, heat is generated from the motors as the stages 2 and 5 are driven. Regarding the circulation system C1, the controller 77 controls the driving of the heater 71 based on the detection result of the temperature sensor 69a, so that the temperature of the projection optical system PL (including the alignment system AL) is within a range of ± 0.01 ° C. Control. For the circulation systems C5 and C6, the controller 77 controls the driving of the heaters 75 and 78 based on the detection results of the temperature sensors 76a, 76b, 79a, and 79b, so that the reticle stage 2 and the wafer stage 5 are controlled within ±. Each temperature is controlled within a range of 0.1 ° C.

これを詳述すると、まずレチクルステージ２については、コントローラ７７は、温度センサ７６ａ、７６ｂが検出した冷媒温度を単純平均し、得られた冷媒温度に基づいてヒータ７５の駆動を調節、管理する。ここで、温度センサ７６ａ、７６ｂは最も駆動量が多く、発熱量が最も大きいＹリニアモータ１５の可動子２１を循環する循環系Ｃ７に設けられており、他の循環系Ｃ８〜Ｃ１０については循環系Ｃ７を基準にして温度制御される。そのため、本実施の形態では、プロセスと最適な冷媒流量との相関関係を実験やシミュレーション等により予め求めて記憶しておき、その記憶された情報に基づいて、プロセス毎に各循環系Ｃ７〜Ｃ１０のバルブ８０を調整する。   More specifically, for the reticle stage 2, the controller 77 first simply averages the refrigerant temperatures detected by the temperature sensors 76a and 76b, and adjusts and manages the driving of the heater 75 based on the obtained refrigerant temperatures. Here, the temperature sensors 76a and 76b are provided in the circulation system C7 that circulates the mover 21 of the Y linear motor 15 that has the largest amount of drive and the largest amount of heat generation, and the other circulation systems C8 to C10 are circulated. The temperature is controlled with reference to the system C7. For this reason, in the present embodiment, the correlation between the process and the optimum refrigerant flow rate is obtained and stored in advance by experiments, simulations, and the like, and based on the stored information, each circulation system C7 to C10 for each process. The valve 80 is adjusted.

ここで、プロセスにより考慮すべき発熱要因としては、各モータ１５、１７Ｘ、１７Ｙ、７２における種々の駆動状態、すなわち各モータの駆動量や速度、回転数、さらには他のモータと組み合わされて駆動した場合の状態等が挙げられる。従って、プロセスにおける発熱量（あるいは駆動量）が小さいボイスコイルモータ１７Ｘ、１７Ｙに対しては冷媒流量を少なくし、発熱量（あるいは駆動量）が大きいＹリニアモータ１５やトリムモータ７２に対しては冷媒流量を多くするようにバルブ８０を調整することで、各モータの出力（発熱）に応じた適正な温度制御が可能になる。なお、バルブ８０の調整方法としては、記憶された情報に基づいてプロセス毎に作業者が調整する方法や、バルブ８０の駆動機構を設けておき、記憶された情報に基づいてプロセス毎にコントローラ７７がこの駆動機構を調整する方法等が採用可能である。なお、このプロセス毎に調整する対象としては、流量に限られるものではなく、冷媒の温度（ヒータにより設定する温度）もプロセス毎に設定値を変えるようにしてもよい。   Here, the heat generation factors to be considered by the process are various drive states in each motor 15, 17X, 17Y, 72, that is, the drive amount and speed of each motor, the number of rotations, and further combined with other motors. The state in the case of having carried out is mentioned. Therefore, the refrigerant flow rate is reduced for the voice coil motors 17X and 17Y having a small heat generation amount (or drive amount) in the process, and the Y linear motor 15 and the trim motor 72 having a large heat generation amount (or drive amount). By adjusting the valve 80 so as to increase the refrigerant flow rate, appropriate temperature control according to the output (heat generation) of each motor becomes possible. In addition, as the adjustment method of the valve 80, a method in which an operator adjusts for each process based on the stored information or a drive mechanism for the valve 80 is provided, and the controller 77 is set for each process based on the stored information. However, it is possible to employ a method for adjusting the drive mechanism. The target to be adjusted for each process is not limited to the flow rate, and the temperature of the refrigerant (the temperature set by the heater) may be changed for each process.

同様に、ウエハステージ５については、コントローラ７７は、温度センサ７９ａ、７９ｂが検出した冷媒温度を単純平均し、得られた冷媒温度に基づいてヒータ７８の駆動を調節、管理する。ここで、温度センサ７９ａ、７９ｂは最も駆動量が多く、発熱量が大きいリニアモータ３３の可動子３６を循環する循環系Ｃ１１に設けられており、他の循環系Ｃ１２については循環系Ｃ１１を基準にして温度制御される。そのため、本実施の形態では、プロセスと最適な冷媒流量との相関関係を実験やシミュレーション等により予め求めて記憶しておき、その記憶された情報に基づいて、プロセス毎に各循環系Ｃ１１、Ｃ１２のバルブ８５を調整する。バルブ８５の調整方法としては、レチクルステージ２の場合と同様に、手動や自動による方法を採用できる。   Similarly, for the wafer stage 5, the controller 77 simply averages the refrigerant temperatures detected by the temperature sensors 79a and 79b, and adjusts and manages the driving of the heater 78 based on the obtained refrigerant temperatures. Here, the temperature sensors 79a and 79b are provided in the circulation system C11 that circulates the mover 36 of the linear motor 33 having the largest amount of drive and the largest amount of heat generation, and the other circulation system C12 is based on the circulation system C11. The temperature is controlled. Therefore, in the present embodiment, the correlation between the process and the optimum refrigerant flow rate is obtained and stored in advance by experiments, simulations, and the like, and each circulation system C11, C12 is determined for each process based on the stored information. The valve 85 is adjusted. As a method for adjusting the valve 85, as in the case of the reticle stage 2, a manual or automatic method can be adopted.

なお、ウエハステージ５に設けられたボイスコイルモータ８１〜８３の温度は、発熱量が微小なので循環系Ｃ１３〜Ｃ１５で制御されるが、この場合も、プロセスと最適な冷媒流量との相関関係を実験やシミュレーション等により予め求めて記憶しておき、その記憶された情報に基づいて、プロセス毎に各循環系Ｃ１３〜Ｃ１５のバルブ８５を作業者による手動調整またはコントローラ６７による自動調整で流量調整する。   The temperature of the voice coil motors 81 to 83 provided on the wafer stage 5 is controlled by the circulation systems C13 to C15 because the calorific value is very small. In this case as well, there is a correlation between the process and the optimum refrigerant flow rate. The flow rate is adjusted by manual adjustment by the operator or automatic adjustment by the controller 67 for each process based on the stored information. .

このように本実施の形態では、各循環系Ｃ１、Ｃ５、Ｃ６が冷媒温度を設定する際の温度範囲において異なる設定能力を有しているので、要求される温度制御精度が異なる投影光学系ＰＬとステージ２、５に対しても、それぞれ独立して温度を制御・管理することが可能であり各機器の発熱量に応じた最適な冷却条件を設定できる。そのため、充分に温度制御がされない場合に生じるベースライン変動を抑制して重ね合わせ精度の悪化を抑えることが可能になる。   Thus, in this embodiment, since each circulation system C1, C5, C6 has a different setting capability in the temperature range when setting the refrigerant temperature, the projection optical system PL having different required temperature control accuracy. Also, the temperatures can be controlled and managed independently for the stages 2 and 5, and optimum cooling conditions can be set according to the heat generation amount of each device. For this reason, it is possible to suppress the baseline fluctuation caused when the temperature is not sufficiently controlled, and to suppress the deterioration of the overlay accuracy.

また、本実施の形態では、レチクルステージ２およびウエハステージ５において、全てのモータにではなく、最も発熱量の大きいモータに対して冷媒温度を計測し、その冷媒温度を基準にして、他のモータに対する循環系の温度を制御しているので、各モータ毎に温度温度センサを設ける必要がなくなり、装置の小型化、低価格化を実現することができる。   In the present embodiment, in reticle stage 2 and wafer stage 5, the refrigerant temperature is measured not for all motors but for the motor with the largest amount of heat generation, and the other motors are measured based on the refrigerant temperature. Since the temperature of the circulatory system is controlled, there is no need to provide a temperature / temperature sensor for each motor, and the apparatus can be reduced in size and cost.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたレチクルＲを製作するステップ２０２、シリコン材料からウエハＷを製造するステップ２０３、前述した実施形態の投影露光装置１によりレチクルＲのパターンをウエハＷに投影露光し、そのウエハＷを現像する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。   As shown in FIG. 8, the microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a reticle R based on this design step, and a step for producing a wafer W from a silicon material. 203, the exposure processing step 204 for projecting and exposing the pattern of the reticle R onto the wafer W by the projection exposure apparatus 1 of the above-described embodiment, and developing the wafer W, the device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process) 205, manufactured through inspection step 206 and the like.

なお、本実施の形態の基板としては、半導体デバイス用の半導体ウエハＷのみならず、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。   The substrate of this embodiment includes not only a semiconductor wafer W for a semiconductor device but also a glass substrate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置１としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；ＵＳＰ５，４７３，４１０）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）にも適用することができる。   As the exposure apparatus 1, in addition to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper; USP 5,473,410) that scans and exposes the pattern of the reticle R by moving the reticle R and the wafer W synchronously. The present invention can also be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the reticle R and the wafer W are stationary, and sequentially moves the wafer W stepwise.

露光装置１の種類としては、ウエハＷに半導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus 1 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device that exposes a semiconductor device pattern onto the wafer W, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD), a reticle, or the like The present invention can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing the device.

また、露光用照明光の光源として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。さらに、電子線を用いる場合は、レチクルＲを用いる構成としてもよいし、レチクルＲを用いずに直接ウエハ上にパターンを形成する構成としてもよい。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。 Further, as a light source for exposure illumination light, bright lines (g line (436 nm), h line (404.7 nm), i line (365 nm)) generated from an ultrahigh pressure mercury lamp, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 laser (157 nm) as well as charged particle beams such as X-rays and electron beams can be used. For example, when an electron beam is used, thermionic emission type lanthanum hexabolite (LaB 6 ) or tantalum (Ta) can be used as the electron gun. Further, when an electron beam is used, a configuration using the reticle R may be used, or a pattern may be formed directly on the wafer without using the reticle R. Further, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

投影光学系ＰＬの倍率は、縮小系のみならず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系ＰＬを用いることなく、レチクルＲとウエハＷとを密接させてレチクルＲのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。 The magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also an equal magnification system or an enlargement system. Further, as the projection optical system PL, when using far ultraviolet rays such as an excimer laser, a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as a glass material, and when using an F 2 laser or X-ray, a catadioptric system or In the case of a refractive optical system (reticle R is also of a reflective type) and an electron beam is used, an electron optical system comprising an electron lens and a deflector may be used as the optical system. Needless to say, the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state. Further, the present invention can also be applied to a proximity exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by bringing the reticle R and the wafer W into close contact with each other without using the projection optical system PL.

ウエハステージ５やレチクルステージ２にリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ２、５は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。   When a linear motor (see USP 5,623,853 or USP 5,528,118) is used for the wafer stage 5 and the reticle stage 2, an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using a Lorentz force or reactance force are used. Either may be used. Each stage 2 and 5 may be a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not provide a guide.

各ステージ２、５の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ２、５を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ２、５に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージ２、５の移動面側（ベース）に設ければよい。   As the drive mechanism for each stage 2 and 5, each stage 2 and 5 is driven by electromagnetic force with a magnet unit (permanent magnet) having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil facing each other. A planar motor may be used. In this case, one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages 2 and 5, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side (base) of the stages 2 and 5.

以上のように、本願実施形態の露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus 1 of the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

尚、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described in order to facilitate understanding of the present invention, and is not described in order to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

本発明の実施形態の露光装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the exposure apparatus of embodiment of this invention. 同露光装置を構成するレチクルステージの外観斜視図である。2 is an external perspective view of a reticle stage constituting the exposure apparatus. FIG. 同露光装置を構成するウエハステージの外観斜視図である2 is an external perspective view of a wafer stage constituting the exposure apparatus. FIG. 本発明の実施形態における露光装置全体に係る温度制御系を示す図である。It is a figure which shows the temperature control system which concerns on the whole exposure apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるレチクルステージに係る温度制御系を示す図である。It is a figure which shows the temperature control system which concerns on the reticle stage in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるウエハステージに係る温度制御系を示す図である。It is a figure which shows the temperature control system which concerns on the wafer stage in embodiment of this invention. 本発明の実施形態の温度制御系に障害が発生した場合の処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a process when a failure generate | occur | produces in the temperature control system of embodiment of this invention. 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

Ｃ１…循環系（第１微調整系）
Ｃ５…循環系（第２微調整系）
Ｃ６…循環系（第２微調整系）
Ｒ…レチクル（マスク）
Ｗ…ウエハ（基板）
ＰＬ…投影光学系
１…露光装置
２…レチクルステージ（マスクステージ）
５…ウエハステージ（基板ステージ）
６３…冷媒タンク
６４，７４…ポンプ
６６…インバータ
６７，８０，８４…制御バルブ
６９ａ，７６ａ，７６ｂ，７９ａ，７９ｂ…温度センサ（検出装置）
６９ｂ，７６ｃ，７６ｄ，７９ｃ，７９ｄ…流量センサ（検出装置）
６９ｃ，７６ｅ，７９ｅ…圧力センサ（検出装置）
７１，７５，７８…ヒータ
７３…冷凍機（粗調整系）
７７…コントローラ（制御装置） C1 ... Circulation system (first fine adjustment system)
C5 ... Circulation system (second fine adjustment system)
C6 ... Circulation system (second fine adjustment system)
R ... reticle (mask)
W ... Wafer (substrate)
PL ... Projection optical system 1 ... Exposure apparatus 2 ... Reticle stage (mask stage)
5 ... Wafer stage (substrate stage)
63 ... Refrigerant tank 64, 74 ... Pump 66 ... Inverter 67, 80, 84 ... Control valve 69a, 76a, 76b, 79a, 79b ... Temperature sensor (detection device)
69b, 76c, 76d, 79c, 79d ... Flow rate sensor (detection device)
69c, 76e, 79e ... Pressure sensor (detection device)
71, 75, 78 ... heater 73 ... refrigerator (coarse adjustment system)
77 ... Controller (control device)

Claims (7)

レチクルステージ上に保持されたレチクルのパターン像を、基板ステージ上に保持された基板上に投影光学系を介して投影する露光装置であって、
温調媒体の温度を所定の設定温度に粗調整する粗調整系と、
前記粗調整系により温調された温調媒体の温度を微調整して前記投影光学系に対して循環させて、該投影光学系の温度を制御する第１微調整系と、
前記粗調整系により温調された温調媒体の温度を微調整して前記レチクルステージおよび前記基板ステージの少なくとも一方に対して循環させて、該ステージの温度を制御する第２微調整系と、
前記第１および前記第２微調整系内における障害の発生を検出する検出装置と、
前記検出装置により障害が検出された微調整系について前記温調媒体の循環を停止させるとともに、前記粗調整系の前記設定温度を変更する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that projects a pattern image of a reticle held on a reticle stage onto a substrate held on a substrate stage via a projection optical system,
A coarse adjustment system for roughly adjusting the temperature of the temperature control medium to a predetermined set temperature;
A first fine adjustment system for controlling the temperature of the projection optical system by finely adjusting the temperature of the temperature adjustment medium adjusted by the coarse adjustment system and circulating the temperature to the projection optical system;
A second fine adjustment system for controlling the temperature of the stage by finely adjusting the temperature of the temperature control medium temperature-controlled by the coarse adjustment system and circulating it to at least one of the reticle stage and the substrate stage;
A detection device for detecting the occurrence of a fault in the first and second fine adjustment systems;
An exposure apparatus comprising: a control device that stops circulation of the temperature control medium for the fine adjustment system in which a failure is detected by the detection device, and changes the set temperature of the coarse adjustment system. 前記制御装置は、前記粗調整系の前記設定温度を予め実験的又は理論的に求めた熱量収支情報に従って変更することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the control device changes the set temperature of the rough adjustment system according to heat balance information obtained experimentally or theoretically in advance. 前記制御装置は、前記粗調整系の前記設定温度の変更を徐々に実施することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the control apparatus gradually changes the set temperature of the coarse adjustment system. 前記検出装置は、前記第１および前記第２微調整系内に設けられた前記温調媒体の温度、圧力、および流量のうちの少なくとも一つを検出するセンサを含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の露光装置。   The detection device includes a sensor that detects at least one of a temperature, a pressure, and a flow rate of the temperature control medium provided in the first and second fine adjustment systems. The exposure apparatus according to any one of 1 to 3. 前記検出装置が前記流量を検出する流量センサである場合において、
前記流量センサは、前記ステージを循環した後の前記温調媒体の流量を計測するよう配置されていることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。 In the case where the detection device is a flow rate sensor that detects the flow rate,
The exposure apparatus according to claim 4, wherein the flow sensor is arranged to measure a flow rate of the temperature control medium after circulating through the stage. 前記制御装置は、前記粗調整系が備えるインバータの周波数を変更することにより、前記粗調整系の前記設定温度を変更することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の露光装置。   The exposure according to claim 1, wherein the control device changes the set temperature of the coarse adjustment system by changing a frequency of an inverter included in the coarse adjustment system. apparatus. 請求項１〜６の何れか一項に記載の露光装置を用いて、前記レチクル上に形成されたパターンを前記基板上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。   A device manufacturing method, comprising: transferring a pattern formed on the reticle onto the substrate using the exposure apparatus according to claim 1.
JP2003367955A 2003-10-28 2003-10-28 Aligner and manufacturing method for device Withdrawn JP2005136004A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003367955A JP2005136004A (en) 2003-10-28 2003-10-28 Aligner and manufacturing method for device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003367955A JP2005136004A (en) 2003-10-28 2003-10-28 Aligner and manufacturing method for device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005136004A true JP2005136004A (en) 2005-05-26

Family

ID=34645808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003367955A Withdrawn JP2005136004A (en) 2003-10-28 2003-10-28 Aligner and manufacturing method for device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005136004A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815037B1 (en) 2006-12-12 2008-03-18 동부일렉트로닉스 주식회사 Haze protecting temperature control device and method for stepper/scanner
KR100999237B1 (en) * 2007-04-20 2010-12-07 캐논 가부시끼가이샤 Regulating method of temperature regulating system
JP2010541228A (en) * 2007-09-26 2010-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション Method, structure and system for measuring and controlling alignment between photomask and substrate
JP2013012718A (en) * 2011-05-27 2013-01-17 Nsk Technology Co Ltd Proximity exposure device
CN103034068A (en) * 2011-10-07 2013-04-10 Asml荷兰有限公司 Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus
JP2021168364A (en) * 2020-04-13 2021-10-21 キヤノン株式会社 Information processing apparatus, detection method, program, substrate processing system and manufacturing method of article

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815037B1 (en) 2006-12-12 2008-03-18 동부일렉트로닉스 주식회사 Haze protecting temperature control device and method for stepper/scanner
KR100999237B1 (en) * 2007-04-20 2010-12-07 캐논 가부시끼가이샤 Regulating method of temperature regulating system
US8982315B2 (en) 2007-04-20 2015-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, temperature regulating system, and device manufacturing method
JP2010541228A (en) * 2007-09-26 2010-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション Method, structure and system for measuring and controlling alignment between photomask and substrate
JP2013012718A (en) * 2011-05-27 2013-01-17 Nsk Technology Co Ltd Proximity exposure device
CN103034068A (en) * 2011-10-07 2013-04-10 Asml荷兰有限公司 Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus
JP2013084934A (en) * 2011-10-07 2013-05-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cooling component in lithographic apparatus
TWI497230B (en) * 2011-10-07 2015-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus
CN103034068B (en) * 2011-10-07 2016-01-20 Asml荷兰有限公司 The method of parts in lithographic equipment and cooling lithographic equipment
US9811007B2 (en) 2011-10-07 2017-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus
JP2021168364A (en) * 2020-04-13 2021-10-21 キヤノン株式会社 Information processing apparatus, detection method, program, substrate processing system and manufacturing method of article
JP7423396B2 (en) 2020-04-13 2024-01-29 キヤノン株式会社 Information processing device, detection method, program, substrate processing system, and article manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200393768A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4505668B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4205054B2 (en) Exposure system and device manufacturing method
US7253875B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101619280B1 (en) Projection system and lithographic apparatus
EP1650604B1 (en) Support assembly and method for supporting and thermally conditioning a substrate
US20060007415A1 (en) Exposure system and device production process
EP1653283B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1843206B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4452160B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4858744B2 (en) Exposure equipment
US20080291413A1 (en) Lithographic apparatus having encoder type position sensor system
JPWO2003079418A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005136004A (en) Aligner and manufacturing method for device
JP4432139B2 (en) Stage apparatus and exposure apparatus
US7460213B2 (en) Alignment apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method using exposure apparatus
JP2005064229A (en) Electromagnetic actuator cooling device, stage device, and exposure system
JP2006149100A (en) Linear motor, stage device, and aligner
JP2006066687A (en) Method of regulating temperature, stage device, exposure device and method of manufacturing device
JP2010141196A (en) Temperature control unit, temperature control method, stage device, and exposure device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060926

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090204