JP2005134640A - Optoelectronic device, driving method for optoelectronic device, and electronic equipment - Google Patents
Optoelectronic device, driving method for optoelectronic device, and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005134640A JP2005134640A JP2003370632A JP2003370632A JP2005134640A JP 2005134640 A JP2005134640 A JP 2005134640A JP 2003370632 A JP2003370632 A JP 2003370632A JP 2003370632 A JP2003370632 A JP 2003370632A JP 2005134640 A JP2005134640 A JP 2005134640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- electro
- level
- transistor
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title abstract 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 101100015484 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GPA1 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 101100067427 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FUS3 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device, a driving method of the electro-optical device, and an electronic apparatus.
従来より、電流レベルに応じた輝度で発光する電気光学素子を各画素に備えた電気光学装置がある。この種の電気光学装置においては、各画素に駆動トランジスタが形成されており、この駆動トランジスタを外部から供給されるデータ信号によって制御することで前記電気光学素子に供給される電流の電流レベルを制御している。 Conventionally, there is an electro-optical device in which each pixel includes an electro-optical element that emits light with luminance according to a current level. In this type of electro-optical device, a drive transistor is formed in each pixel, and the current level of the current supplied to the electro-optical element is controlled by controlling the drive transistor with a data signal supplied from the outside. doing.
駆動トランジスタは、一般に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通常、アモルファスシリコン或いはポリシリコンで構成されるため、単結晶シリコンで構成された駆動トランジスタに比べて良好な結晶性を得るのが困難である。この結果、表示パネル部上に同時に多数の画素を形成した場合、異なった画素間でその駆動トランジスタの特性にバラツキが生じてしまうため、画素毎にその輝度特性が異なってしまうという問題があった。 The drive transistor is generally composed of a thin film transistor (TFT). Since a thin film transistor (TFT) is usually composed of amorphous silicon or polysilicon, it is difficult to obtain good crystallinity as compared with a driving transistor composed of single crystal silicon. As a result, when a large number of pixels are formed on the display panel at the same time, there is a problem that the characteristics of the drive transistor vary among different pixels, so that the luminance characteristics vary from pixel to pixel. .
たとえば、図８に示す画素７０をマトリクス状に備えた電気光学装置が提案されている（特許文献１）。即ち、画素７０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、駆動用薄膜トランジスタ７１、コンデンサ７２、第１薄膜トランジスタ７３、第２薄膜トランジスタ７４、第３薄膜トランジスタ７５及び第４薄膜トランジスタ７６で構成されている。駆動用薄膜トランジスタ７１はその導電型がＰ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、第１〜第４薄膜トランジスタ７３，７４，７５，７６は、それぞれその導電型がＮ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
For example, an electro-optical
また、画素７０の外部には、データ側駆動回路８０が設置され、その内部には、基準電圧源Ｖｒの電圧を１つの入力とする電圧比較器ＡＭＰと、輝度情報を有する基準電流源Ｉｄとが配置されている。
Further, a data
そして、走査線Ｌ２を介して前記第２薄膜トランジスタ７４のゲートにＨレベルの走査信号ＳＢを供給し同第２薄膜トランジスタ７４をオン状態（導通状態）にした後に、走査線Ｌ１を介して前記第１薄膜トランジスタ７３のゲートにＨレベルの走査信号ＳＡを供給し同第１薄膜トランジスタ７３をオン状態（導通状態）にする。
Then, an H level scanning signal SB is supplied to the gate of the second
これにより、前記データ側駆動回路８０から駆動電流ＯＬＥＤの電流レベルを決定するための制御電圧ＶＤが第１薄膜コンデンサ７３を介してコンデンサ７２に供給され、駆動薄膜トランジスタ７１のソース／ドレイン間には同制御電圧ＶＤに応じた電流レベルを有する駆動電流ＩＯＬＥＤが生成される。
As a result, the control voltage VD for determining the current level of the drive current OLED is supplied from the data
そして、その生成された駆動電流ＩＯＬＥＤは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して第３薄膜トランジスタ７５のソース／ドレイン間に流れる。
ここで、前記第３薄膜トランジスタ７５はダイオード接続されており、そのゲートは第４薄膜トランジスタ７６のゲートに接続されている。即ち、前記第３薄膜トランジスタ７５と第４薄膜トランジスタ７６とはカレントミラー回路を構成している。従って、第４薄膜トランジスタ７６のソース／ドレイン間は前記駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルと相関関係を有する電流信号Ｉｍが流れる。そして、前記電流信号Ｉｍが前記第２薄膜トランジスタ７４を介して前記データ側駆動回路８０に供給される。
The generated drive current IOLED flows between the source / drain of the third
Here, the third
前記データ側駆動回路８０では、選択された画素７０から出力される前記電流信号Ｉｍに前記基準電流源Ｉｄが加算され、電圧比較器ＡＭＰの負極端子に寄生する容量を充放電する。そして、前記負極端子の電圧を電圧比較器ＡＭＰの正極端子に入力されている基準電圧源Ｖｒの電圧と等しくなるように前記駆動薄膜トランジスタ７１のゲート電圧を制御する。
In the data
そして、前記電流信号Ｉｍの電流レベルと前記基準電流源Ｉｄの電流レベルとが等しくなったときに制御は安定状態となり、制御電圧ＶＤが適切に設定される。
前記制御電圧ＶＤが設定されると、前記走査信号ＳＡをＬレベルにし第１薄膜トランジスタ７３をＯＦＦ状態（非導通状態）にした後、走査信号ＳＢをＬレベルにし第２薄膜トランジスタ７４をＯＦＦ状態（非導通状態）にする。
When the current level of the current signal Im becomes equal to the current level of the reference current source Id, the control becomes stable and the control voltage VD is set appropriately.
When the control voltage VD is set, the scanning signal SA is set to L level, the first
これにより、前記データ側駆動回路８０からの制御は行われず、画素７０の前記コンデンサ７２に保持された制御電圧ＶＤは保持される。この保持された制御電圧ＶＤによって、駆動薄膜トランジスタ７１から駆動電流ＩＯＬＥＤを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給しつづける。このようにすることで、異なった画素７０毎で駆動用薄膜トランジスタ７１の特性バラツキがあっても駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを前記基準電流源Ｉｄに応じて制御することができる。
しかしながら、上記特許文献１に記載の画素７０では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極側に前記第３薄膜トランジスタ７５と第４薄膜トランジスタ７６とで構成されるカレントミラー回路を形成する必要があるので、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極を共通電極（共通陰極）として使用することができない。この結果、前記陰極をパターニングする工程数が増えてしまうという問題があった。また、外部接地電位（外部ＧＮＤ）までの抵抗が大きくなるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極の電位が高くなってしまい、その分、所望の輝度を得るためには駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを大きく設定しなければならないという問題があった。
However, in the
本発明の目的は、パターニングの工程数を抑制するとともに、低消費電力化を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することである。 An object of the present invention is to provide an electro-optical device, a driving method of the electro-optical device, and an electronic apparatus that can reduce the number of patterning steps and reduce power consumption.
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応する位置に配置された複数の画素と、前記複数の画素の各々に設けられた複数の電気光学素子と、画像データのデータ値に応じたアナログ電流を生成するデータ信号生成回路とを含む電気光学装置において、前記複数の画素の各々は、前記電気光学素子と接続し、前記複数の走査線のうちの一つが選択されている期間において、時間的に変化する電圧レベルを有する電圧信号が入力され、該電圧レベルの変化に応じて時間的にその電流レベルが変化する出力電流を出力するトランジスタと、前記電圧信号の入力を許可または不許可に制御するスイッチング素子と、前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を保持する容量素子とをさらに備え、前記データ信号生成回路は、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとを比較し、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致した場合、前記スイッチング素子をオフにして前記電圧信号の入力を不許可に制御する制御信号を前記トランジスタに出力する比較制御手段をさらに備え、前記容量素子が、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を保持した後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させ
るようにした。
The electro-optical device of the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a plurality of pixels arranged at positions corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and the plurality of the plurality of scanning lines. The electro-optical device includes a plurality of electro-optical elements provided in each of the pixels and a data signal generation circuit that generates an analog current according to the data value of the image data. Each of the plurality of pixels includes the electro-optical device. A voltage signal having a voltage level that changes with time is input during a period in which one of the plurality of scanning lines is selected and connected to the optical element. A transistor that outputs an output current whose current level changes, a switching element that controls whether the input of the voltage signal is permitted or not, and a capacity that holds an amount of electric charge according to the voltage level of the voltage signal And the data signal generation circuit compares the current level of the output current and the current level of the analog current, and if the current level of the output current and the current level of the analog current match, Comparing control means for outputting to the transistor a control signal for controlling the input of the voltage signal to be disabled by turning off the switching element, and the capacitive element includes a current level of the output current and a current of the analog current After holding the charge amount according to the voltage level of the voltage signal when the level matches, the electro-optical element is caused to emit light by supplying a current according to the held charge amount.
これによれば、画素から出力される出力電流の電流レベルが画素の外部に設置された比較制御手段にて所望の電流値に一致したときに、その出力電流の電流経路を切り替えて電気光学素子に供給するようにしたので、従来のように、電気光学素子の陰極側にカレントミラー回路を設ける必要がない。この結果、前記陰極をパターニングする工程数が増加することはない。また、電気光学素子の陰極を共通陰極（共通電極）にすることができるので、前記電気光学素子の陰極から外部接地電位（外部ＧＮＤ）までの抵抗が大きくなることはない。従って、パターニングする工程数を少なくし且つ消費電力の低い電気光学装置を提供することができる。また、各画素内には前記電圧信号の電圧レベルに応じた電流が流れているので、たとえ、画素の電気光学素子を低輝度で発光させる場合においても、対応するアナログ電流を選択された画素に書き込む従来の電気光学装置の場合のように、所謂、書き込み不足ということが生じることはない。 According to this, when the current level of the output current output from the pixel matches a desired current value by the comparison control unit installed outside the pixel, the current path of the output current is switched to change the electro-optical element. Thus, unlike the prior art, there is no need to provide a current mirror circuit on the cathode side of the electro-optic element. As a result, the number of steps for patterning the cathode does not increase. Further, since the cathode of the electro-optic element can be a common cathode (common electrode), the resistance from the cathode of the electro-optic element to the external ground potential (external GND) does not increase. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device with a reduced number of patterning steps and low power consumption. In addition, since a current corresponding to the voltage level of the voltage signal flows in each pixel, even if the electro-optic element of the pixel emits light with low luminance, a corresponding analog current is supplied to the selected pixel. As in the case of a conventional electro-optical device for writing, so-called insufficient writing does not occur.
この電気光学装置において、前記電圧信号は前記選択されている期間において時間的に単調に増加する電圧レベルを有し、前記比較制御手段は、前記出力電流の電流レベルが前記アナログ電流の電流レベルに到達したとき、前記スイッチング素子をオフにして前記電圧信号の入力を不許可に制御する前記制御信号を生成するようにしてもよい。 In this electro-optical device, the voltage signal has a voltage level that monotonously increases with time in the selected period, and the comparison control unit is configured to set the current level of the output current to the current level of the analog current. When reaching, the switching element may be turned off to generate the control signal for controlling the input of the voltage signal without permission.
これによれば、出力電流の電流レベルは徐々に低下する。これにより、画素からデータ信号生成回路へ出力されるとき、出力電流はその電気光学素子に流れる電流の電流レベルより大きな電流レベルである。従って、データ信号生成回路では、比較的大きな電流レベルを有する出力電流に基づいてアナログ電流の電流レベルと比較することができるので、その分、前記出力電流とアナログ電流との比較が容易にできる。 According to this, the current level of the output current gradually decreases. Accordingly, when the pixel is output from the pixel to the data signal generation circuit, the output current has a current level larger than the current level of the current flowing through the electro-optical element. Therefore, in the data signal generation circuit, the analog current can be compared with the current level based on the output current having a relatively large current level. Therefore, the output current can be easily compared with the analog current.
この電気光学装置において、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとの比較は、リアルタイムもしくは、ある一定の周期で行われるようにしてもよい。
これによれば、リアルタイムで前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとの比較を行うことで、前記アナログ電流に応じて前記容量素子に保持した電荷量に応じた電流を精度良く制御することができる。また、ある一定の周期で前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとの比較を行うことで、前記アナログ電流に応じて前記容量素子に保持した電荷量に応じた電流を制御することができる。
In this electro-optical device, the comparison between the current level of the output current and the current level of the analog current may be performed in real time or at a certain cycle.
According to this, by comparing the current level of the output current and the current level of the analog current in real time, the current according to the amount of charge held in the capacitive element according to the analog current can be accurately controlled. can do. Further, by comparing the current level of the output current with the current level of the analog current at a certain period, the current corresponding to the amount of charge held in the capacitor element is controlled according to the analog current. Can do.
この電気光学装置において、前記各画素には、前記トランジスタからの前記出力電流の電流レベルを所定の比率だけ大きくして、前記データ信号生成回路へ出力する出力手段を備えてもよい。 In this electro-optical device, each pixel may include an output unit that increases the current level of the output current from the transistor by a predetermined ratio and outputs the increased current level to the data signal generation circuit.
これによれば、前記データ信号生成回路へ出力される電流の電流レベルを大きくすることができるので、出力電流が画素からデータ信号生成回路までに定常的に供給されるまでの時間を短縮させることができる。 According to this, since the current level of the current output to the data signal generation circuit can be increased, the time until the output current is constantly supplied from the pixel to the data signal generation circuit can be shortened. Can do.
この電気光学装置において、前記出力手段は、複数のトランジスタがカレントミラー回路を構成することで形成されていてもよい。
これによれば、前記出力手段を容易に構成することができる。
In this electro-optical device, the output unit may be formed by a plurality of transistors constituting a current mirror circuit.
According to this, the said output means can be comprised easily.
この電気光学装置において、前記電気光学素子はその発光層が有機材料で構成されたＥＬ素子であってもよい。
これによれば、パターニングする工程数を少なくし且つ消費電力の低い有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置を提供することができる。
In this electro-optical device, the electro-optical element may be an EL element whose light-emitting layer is made of an organic material.
According to this, it is possible to provide an electro-optical device provided with an organic EL element that reduces the number of patterning steps and consumes less power.
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差部に対応する位置に配置された複数の画素と、前記複数の画素の各々に設けられた複数の容量素子と、前記複数の画素の各々に設けられた複数の電気光学素子と、該電気光学素子を駆動させるための電流を供給するトランジスタと、画像データのデータ値に応じたアナログ電流を生成するデータ信号生成回路とを含む電気光学装置の駆動方法において、前記複数の走査線のうちの一つが選択されている期間において、時間的に変化する電圧レベルを有する電圧信号を前記トランジスタに入力し、該電圧レベルの変化に応じて時間的に電流レベルが変化する前記トランジスタからの出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致した場合、前記電圧信号を前記トランジスタに入力しないようにするとともに、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を前記容量素子に保持させた後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させるようにした。 The electro-optical device driving method of the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of pixels arranged at positions corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A plurality of capacitive elements provided in each of the plurality of pixels; a plurality of electro-optic elements provided in each of the plurality of pixels; and a transistor that supplies a current for driving the electro-optic elements; In a driving method of an electro-optical device including a data signal generation circuit that generates an analog current corresponding to a data value of image data, the time-varying change occurs in a period in which one of the plurality of scanning lines is selected. A voltage signal having a voltage level is input to the transistor, and the current level of the output current from the transistor whose time level changes according to the change in the voltage level and the analog When the current level of the current matches, the voltage signal is not input to the transistor, and the voltage level of the voltage signal when the current level of the output current matches the current level of the analog current After the corresponding charge amount is held in the capacitive element, the electro-optic element is caused to emit light by supplying a current corresponding to the held charge amount.
これによれば、画素から出力される出力電流の電流レベルが画素の外部に設置された比較制御手段にて所望の電流値に一致したときに、その出力電流の電流経路を切り替えて電気光学素子に供給するようにしたので、従来のように、電気光学素子の陰極側にカレントミラー回路を設ける必要がない。この結果、前記陰極をパターニングする工程数が増加することはない。また、電気光学素子の陰極を共通陰極（共通電極）にすることができるので、前記電気光学素子の陰極から外部接地電位（外部ＧＮＤ）までの抵抗が大きくなることはない。従って、パターニングする工程数を少なくし且つ消費電力の低い電気光学装置を提供することができる。また、各画素内には前記電圧信号の電圧レベルに応じた電流が流れているので、たとえ、画素の電気光学素子を低輝度で発光させる場合においても、対応するアナログ電流を選択された画素に書き込む従来の電気光学装置の場合のように、所謂、書き込み不足ということが生じることはない。 According to this, when the current level of the output current output from the pixel matches a desired current value by the comparison control unit installed outside the pixel, the current path of the output current is switched to change the electro-optical element. Thus, unlike the prior art, there is no need to provide a current mirror circuit on the cathode side of the electro-optic element. As a result, the number of steps for patterning the cathode does not increase. Further, since the cathode of the electro-optic element can be a common cathode (common electrode), the resistance from the cathode of the electro-optic element to the external ground potential (external GND) does not increase. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device with a reduced number of patterning steps and low power consumption. In addition, since a current corresponding to the voltage level of the voltage signal flows in each pixel, even if the electro-optic element of the pixel emits light with low luminance, a corresponding analog current is supplied to the selected pixel. As in the case of a conventional electro-optical device for writing, so-called insufficient writing does not occur.
この電気光学装置の駆動方法において、前記電圧信号は前記選択されている期間において時間的に単調に増加する電圧レベルであって、前記トランジスタからの出力電流の電流レベルが前記アナログ電流の電流レベルに到達したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を前記容量素子に保持させた後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させるようにしてもよい。 In the driving method of the electro-optical device, the voltage signal has a voltage level that monotonically increases with time in the selected period, and the current level of the output current from the transistor is the current level of the analog current. After the charge amount corresponding to the voltage level of the voltage signal when it reaches the capacitor element is held in the capacitor element, the electro-optic element is caused to emit light by supplying a current corresponding to the held charge amount. Good.
これによれば、出力電流の電流レベルは徐々に低下する。これにより、画素からデータ信号生成回路へ出力されるとき、出力電流はその電気光学素子に流れる電流の電流レベルより大きな電流レベルである。従って、データ信号生成回路では、比較的大きな電流レベルを有する出力電流に基づいてアナログ電流の電流レベルと比較することができるので、その分、前記出力電流とアナログ電流との比較が容易にできる。 According to this, the current level of the output current gradually decreases. Accordingly, when the pixel is output from the pixel to the data signal generation circuit, the output current has a current level larger than the current level of the current flowing through the electro-optical element. Therefore, in the data signal generation circuit, the analog current can be compared with the current level based on the output current having a relatively large current level. Therefore, the output current can be easily compared with the analog current.
この駆動方法において、前記電流の電流レベルを所定の比率だけ大きくした後に前記データ信号生成回路へ出力するようにしてもよい。
これによれば、出力電流の電流レベルは徐々に低下する。これにより、画素からデータ信号生成回路へ出力されるとき、出力電流はその電気光学素子に流れる電流の電流レベルより大きな電流レベルである。従って、データ信号生成回路では、比較的大きな電流レベルを有する出力電流に基づいてアナログ電流の電流レベルと比較することができるので、その分、前記出力電流とアナログ電流との比較が容易にできる。この結果、電気光学素子の輝度制御を画像データに応じて確実に行うことができる。
In this driving method, the current level of the current may be increased by a predetermined ratio and then output to the data signal generation circuit.
According to this, the current level of the output current gradually decreases. Accordingly, when the pixel is output from the pixel to the data signal generation circuit, the output current has a current level larger than the current level of the current flowing through the electro-optical element. Therefore, in the data signal generation circuit, the analog current can be compared with the current level based on the output current having a relatively large current level. Therefore, the output current can be easily compared with the analog current. As a result, the luminance control of the electro-optical element can be reliably performed according to the image data.
本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えた。
これによれば、上記記載の電気光学装置を備えたので、製造が容易で且つ消費電力の低い電子機器を提供することができる。
The electronic apparatus of the present invention includes the electro-optical device described above.
According to this, since the electro-optical device described above is provided, it is possible to provide an electronic device that is easy to manufacture and has low power consumption.
（第１実施形態）
以下、本発明の電気光学装置を有機ＥＬディスプレイに適用した場合について述べる。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイのブロック構成図である。有機ＥＬディスプレイ１０は、制御回路１１、走査線駆動回路１２、表示パネル部１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。
(First embodiment)
Hereinafter, the case where the electro-optical device of the present invention is applied to an organic EL display will be described.
FIG. 1 is a block diagram of an organic EL display according to this embodiment. The
有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１４が各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、制御回路１１、走査線駆動回路１２及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
The
制御回路１１は、図示しない外部装置からクロック信号ＣＬＫを入力する。制御回路１１は、入力されたクロック信号ＣＬＫに基づいて垂直同期信号ＶＳＹＮＣ及び水平同期信号ＨＳＹＮＣを生成する。制御回路１１は、その生成された垂直同期信号ＶＳＹＮＣを走査線駆動回路１２に出力するとともに、水平同期信号ＨＳＹＮＣをデータ線駆動回路１４に出力する。
The
走査線駆動回路１２は、図示しない電源回路、シフトレジスタ、出力回路等を主体に構成されており、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎを生成する。また、走査線駆動回路１２は、表示パネル部１３上に形成された後記する走査線Ｙ１〜Ｙｎ（図２参照）に、前記走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎを出力することによって、同走査線Ｙ１〜Ｙｎを所定の順序で選択していく。各走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎは、図４に示すように、論理的に高レベル（以下「Ｈレベル」という）または低レベル（以下「Ｌレベル」という）の２値的な電圧レベルをとる。これらの電圧レベルは、データの書込対象となる走査線の選択に用いられ、データの書込対象となる画素行に対応する走査線はＨレベル、これ以外の走査線ＹはＬレベルにそれぞれ設定される。これにより、１垂直走査期間において、所定の選択順序で（一般的には表示パネル部１３の最上から最下に向かって）一水平ライン分の画素群が選択されていく、所謂、線順次走査が行われる。尚、本明細書においては、各走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎがＨレベルを保持している期間を選択期間Ｔｐという。
The scanning
また、走査線駆動回路１２は、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを生成する。リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆは、後記する各画素２０内に流れる出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルを制御するための電圧信号である。
Further, the scanning
詳述すると、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆは、図４に示すように、第１の電位ＶＬを所定期間Ｔ１だけ保持した後、前記走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎがＨレベルに立ち上がるとともに線形的に徐々に増加し、同走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎがＬレベルに立ち下がったとき前記第１の電位ＶＬより所定値だけ高い第２の電位ＶＨに至るアナログ信号である。つまり、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆは、選択期間Ｔｐ内で第１の電位ＶＬから第２の電位ＶＨにアナログ的に増加する電圧信号である。ここで、前記第１の電位ＶＬは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（図３参照）を最大輝度で発光させるための駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに対応した大きさの電位である。また、第２の電位ＶＨは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを最小輝度で発光させるための駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに対応した大きさの電位である。 More specifically, as shown in FIG. 4, the reference voltage signal Vref increases linearly gradually as the scanning signals SC1 to SCn rise to the H level after holding the first potential VL for a predetermined period T1. This is an analog signal that reaches the second potential VH that is higher than the first potential VL by a predetermined value when the scanning signals SC1 to SCn fall to the L level. That is, the reference voltage signal Vref is a voltage signal that increases in an analog manner from the first potential VL to the second potential VH within the selection period Tp. Here, the first potential VL is a potential having a magnitude corresponding to the current level of the drive current IOLED for causing the organic EL element OLED (see FIG. 3) to emit light with the maximum luminance. The second potential VH is a potential having a magnitude corresponding to the current level of the drive current IOLED for causing the organic EL element OLED to emit light with the minimum luminance.
さらに、走査線駆動回路１２は、切り換え信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎを生成する。各切り換え
信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎは、図４に示すように、ＨレベルまたはＬレベルを有する電圧信号である。切り換え信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎは、少なくとも前記選択期間Ｔｐ（対応する走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎがＨレベルである期間）ではＬレベルの信号である。本実施形態の切り換え信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎは、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎが立ち下がりＬレベルに至ってから前記期間Ｔ１経過後にＨレベルになる信号である。
Further, the scanning
そして、走査線駆動回路１２は、前記したタイミングでリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを表示パネル部１３上に形成された後記するリファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆ（図２参照）に出力するとともに、前記切り換え信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎを後記する切り換え制御線Ｌｃ１〜Ｌｃｎ（図２参照）に出力する。
The scanning
図２は、表示パネル部１３及びデータ線駆動回路１４の電気的構成を説明するための図である。
表示パネル部１３上には、図２に示すように、行方向に沿ってそれぞれｎ本の走査線Ｙ１〜Ｙｎ、切り換え制御線Ｌｃ１〜Ｌｃｎ、リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆ、駆動電圧供給線Ｌｏが互いに平行に延設されている。
FIG. 2 is a diagram for explaining the electrical configuration of the
As shown in FIG. 2, n scanning lines Y1 to Yn, switching control lines Lc1 to Lcn, reference voltage supply lines Lref, and drive voltage supply lines Lo are arranged on the
走査線Ｙ１〜Ｙｎは、表示パネル部１３の上側から下側に向かって、第１の走査線Ｙ１，第２の走査線Ｙ２，…，第ｎの走査線Ｙｎの順に延設されている。各走査線Ｙ１〜Ｙｎは、走査線駆動回路１２に接続され同走査線駆動回路１２から第１の走査線Ｙ１に第１の走査信号ＳＣ１が、第２の走査線Ｙ２に第２の走査信号ＳＣ２が、…、第ｎの走査線Ｙｎに第ｎの走査信号ＳＣｎが出力される。
The scanning lines Y1 to Yn are extended from the upper side to the lower side of the
また、切り換え制御線Ｌｃ１〜Ｌｃｎは、表示パネル部１３の上側から下側に向かって、第１の切り換え制御線Ｌｃ１，第２の切り換え制御線Ｌｃ２，…，第ｎの切り換え制御線Ｌｃｎの順に延設されている。各切り換え制御線Ｌｃ１〜Ｌｃｎは、走査線駆動回路１２に接続され同走査線駆動回路１２から第１の切り換え制御線Ｌｃ１に第１の切り換え信号Ｖｃ１が、第２の切り換え制御線Ｌｃ２に第２の切り換え信号Ｖｃ２が、…、第ｎの切り換え制御線Ｌｃｎに第ｎの切り換え信号Ｖｃｎが出力される。
The switching control lines Lc1 to Lcn are arranged in the order of the first switching control line Lc1, the second switching control line Lc2,..., And the nth switching control line Lcn from the upper side to the lower side of the
リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆ及び駆動電圧供給線Ｌｏは、各走査線Ｙ１〜Ｙｎに対応して１本ずつ延設されている。各リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆは走査線駆動回路１２に接続され同走査線駆動回路１２から前記リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆが一斉に出力される。駆動電圧供給線Ｌｏは走査線駆動回路１２に接続され、後記する駆動トランジスタＱｄを駆動させるための駆動電圧Ｖｄｄが供給されている。
The reference voltage supply line Lref and the drive voltage supply line Lo are extended one by one corresponding to each of the scanning lines Y1 to Yn. Each reference voltage supply line Lref is connected to the scanning
さらに、表示パネル部１３の列方向に沿ってそれぞれｍ本のデータ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍ及び電圧制御線Ｌｃｕｔ１〜Ｌｃｕｔｍが互いに平行になるように延設されている。
データ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍは、表示パネル部１３の左側から右側に向かって、第１のデータ線Ｌｔ１，第２のデータ線Ｌｔ２，…，第ｍのデータ線Ｌｔｍの順に延設されている。また、電圧制御線Ｌｃｕｔ１〜Ｌｃｕｔｍのうち、第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１は、前記第１のデータ線Ｌｔ１に隣接して延設されている。第２の電圧制御線Ｌｃｕｔ２は、前記第２のデータ線Ｌｔ２に隣接して延設されている。以下、同様に、各電圧制御線は対応する各データ線にそれぞれ隣接して延設されている。前記各データ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍ及び電圧制御線Ｌｃｕｔ１〜Ｌｃｕｔｍはデータ線駆動回路１４に接続されている。
Further, m data lines Lt1 to Ltm and voltage control lines Lcut1 to Lcutm are extended along the column direction of the
The data lines Lt1 to Ltm are extended from the left side to the right side of the
また、各走査線Ｙ１〜Ｙｎと各データ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍとの交差部に対応する位置には画素２０が配置されている。つまり、表示パネル部１３上にはｍ×ｎ個の画素２０がマトリクス状に配置されている。各画素２０は、対応する前記走査線Ｙ１〜Ｙｎ、切り換え制御線Ｌｃ１〜Ｌｃｎ、リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆ、駆動電圧供給線Ｌｏ、電圧制御
線Ｌｃｕｔ１〜Ｌｃｕｔｍ及びデータ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍに接続されている。
In addition,
次に、前記のように配置された画素２０の内部回路構成の詳細を図３に従って説明する。図３は、第１の走査線Ｙ１と第１のデータ線Ｌｔ１との交差部に対応する位置に配置された画素２０の電気的構成を説明するための図である。尚、全ての画素２０の内部回路構成は同じであるので第１の走査線Ｙ１と第１のデータ線Ｌｔ１との交差部に対応する位置に配置された画素２０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素２０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
Next, details of the internal circuit configuration of the
図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタＱｄ、第１のトランジスタＱ１、第２のトランジスタＱ２、スイッチングトランジスタＱｓｗ、電流制御用トランジスタＱｒｅｆ、保持キャパシタＣｏ、制御用キャパシタＣｐ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。
As shown in FIG. 3, the
本実施形態の駆動トランジスタＱｄは、その導電型がＰ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、本実施形態の第１のトランジスタＱ１、第２のトランジスタＱ２、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び電流制御用トランジスタＱｒｅｆは、それぞれその導電型がＮ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。そして、第１のトランジスタＱ１、第２のトランジスタＱ２、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び電流制御用トランジスタＱｒｅｆはそれぞれスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタである。 The drive transistor Qd of this embodiment is a thin film transistor (TFT) whose conductivity type is P type. The first transistor Q1, the second transistor Q2, the switching transistor Qsw, and the current control transistor Qref of the present embodiment are thin film transistors (TFTs) each having an N conductivity type. The first transistor Q1, the second transistor Q2, the switching transistor Qsw, and the current control transistor Qref are thin film transistors that function as switching elements.
駆動トランジスタＱｄは、そのソースが前記駆動電圧供給線Ｌｏに接続され前記駆動電圧Ｖｄｄが供給されている。また、駆動トランジスタＱｄのゲートは、電流制御用トランジスタＱｒｅｆのソースに接続されている。電流制御用トランジスタＱｒｅｆのドレインは、前記リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆに接続されている。 The drive transistor Qd has its source connected to the drive voltage supply line Lo and is supplied with the drive voltage Vdd. The gate of the drive transistor Qd is connected to the source of the current control transistor Qref. The drain of the current control transistor Qref is connected to the reference voltage supply line Lref.
電流制御用トランジスタＱｒｅｆのゲートは、スイッチングトランジスタＱｓｗのソース（ドレイン）に接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのゲートは第１の走査線Ｙ１に接続されている。 The gate of the current control transistor Qref is connected to the source (drain) of the switching transistor Qsw. The gate of the switching transistor Qsw is connected to the first scanning line Y1.
また、駆動トランジスタＱｄのゲート／ソース間には保持キャパシタＣｏが接続されている。
駆動トランジスタＱｄのドレインは、第１のトランジスタＱ１のドレインと第２のトランジスタＱ２のドレインとにそれぞれ接続されている。つまり、第１のトランジスタＱ１と第２のトランジスタＱ２は駆動トランジスタＱｄに対して並列接続されている。
A holding capacitor Co is connected between the gate and source of the driving transistor Qd.
The drain of the driving transistor Qd is connected to the drain of the first transistor Q1 and the drain of the second transistor Q2. That is, the first transistor Q1 and the second transistor Q2 are connected in parallel to the drive transistor Qd.
第１のトランジスタＱ１は、そのゲートが前記電流制御用トランジスタＱｒｅｆのゲートに接続されている。また、第１のトランジスタＱ１のゲートには制御用キャパシタＣｐの第１の端子Ｕ１が接続され、同制御用キャパシタＣｐの第２の端子Ｕ２は接地されている。 The gate of the first transistor Q1 is connected to the gate of the current control transistor Qref. The gate of the first transistor Q1 is connected to the first terminal U1 of the control capacitor Cp, and the second terminal U2 of the control capacitor Cp is grounded.
第２のトランジスタＱ２は、そのゲートが第１の切り換え制御線Ｌｃ１に接続されている。第２のトランジスタＱ２のソースは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１に接続され、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２は接地されている。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その発光層が有機材料で構成されたＥＬ素子であって、その陽極Ｐ１と陰極Ｐ２との間に流れる電流（駆動電流ＩＯＬＥＤ）の電流レベルに対応した輝度で発光するＥＬ素子である。 The gate of the second transistor Q2 is connected to the first switching control line Lc1. The source of the second transistor Q2 is connected to the anode P1 of the organic EL element OLED, and the cathode P2 of the organic EL element OLED is grounded. This organic EL element OLED is an EL element whose light emitting layer is made of an organic material, and emits light with luminance corresponding to the current level of the current (drive current IOLED) flowing between the anode P1 and the cathode P2. It is an EL element.
また、前記第１のトランジスタＱ１のソースは、前記第１のデータ線Ｌｔ１を介してデータ線駆動回路１４に接続されている。また、前記スイッチングトランジスタＱｓｗのド
レイン（ソース）は、前記第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１を介してデータ線駆動回路１４に接続されている。
The source of the first transistor Q1 is connected to the data line driving
前記のように構成された画素２０は、その有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２が他の画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２に電気的に共通して接続されている。つまり、陰極Ｐ２は共通陰極で構成されている。
In the
そして、前記のように構成された画素２０は、前記走査線駆動回路１２からＨレベルの第１の走査信号ＳＣ１が出力されるとともに、データ線駆動回路１４から前記第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１を介して後記するＨレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１が供給されると前記各電流制御用トランジスタＱｒｅｆ及び第１のトランジスタＱ１がともにオンになる。そして、この期間（選択期間Ｔｐ）内に、走査線駆動回路１２から前記リファレンス電圧供給線Ｌｒｅｆを介してリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆが駆動トランジスタＱｄのゲートに供給される。つまり、前記リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆの画素２０への入力が許可になる。そして、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間にそのリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆの電圧レベルに応じた電流が流れる。即ち、前記選択期間Ｔｐ内では、供給される前記リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆの電圧レベルは、前記したように、徐々に増加するので、駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間にはその電流レベルが徐々に低下する電流が流れる（図４参照）。そして、この電流が第１の出力電流Ｉｏｕｔ１として前記第１のデータ線Ｌｔ１を介してデータ線駆動回路１４へ出力される。また、前記選択期間Ｔｐ内にてデータ線駆動回路１４から前記第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１を介してＬレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１が供給されると電流制御用トランジスタＱｒｅｆ及び第１のトランジスタＱ１がともにオフになる。すると、このタイミングで走査線駆動回路１２からの前記リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆの画素２０への入力が不許可になり、前記保持キャパシタＣｏにはそのＬレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１が供給されたタイミングでのリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆに対応する電荷量が保持される。つまり、このタイミングでの出力電流Ｉｏｕｔ１の電流レベルは後記するデータ電流Ｉｄ１の電流レベルに一致した所望の電流レベルである。
In the
また、この状態で前記走査線駆動回路１２からＨレベルの第１の切り換え信号Ｖｃ１が出力されると、第２のトランジスタＱ２がオンに切り換わり、前記保持キャパシタＣｏに保持された電荷量に応じた電流が駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れる。そして、その電流が駆動電流ＩＯＬＥＤとして第２のトランジスタＱ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｐ１と陰極Ｐ２との間に流れる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが前記駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルに対応した輝度で発光する。換言すると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、制御電圧信号Ｖｃｕｔ１が供給されたタイミングでのリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆに対応する電荷量に対応した輝度で発光する。
Further, in this state, when the first switching signal Vc1 of H level is output from the scanning
尚、本実施形態においては、Ｈレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１を供給して電流制御用トランジスタＱｒｅｆ及び第１のトランジスタＱ１をオンにする直前の前記第１のデータ線Ｌｔ１の電位を第１の期間Ｔ１内でのリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆの電位になるようにプリチャージするようにする。このようにすることで、前記第１のデータ線Ｌｔ１に前記出力電流Ｉｏｕｔ１をスムーズに流がすことができる。 In the present embodiment, the potential of the first data line Lt1 immediately before turning on the current control transistor Qref and the first transistor Q1 by supplying the H level control voltage signal Vcut1 is set to the first period. The precharge is performed so as to be the potential of the reference voltage signal Vref within T1. In this way, the output current Iout1 can flow smoothly through the first data line Lt1.
データ線駆動回路１４は、図１に示すように、電流生成部１４ａと電流比較部１４ｂとから構成されている。電流生成部１４ａは、図２に示すように、ｍ個の電流出力型デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍを備えている。各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、図示しない外部装置から出力される画像データＤを前記水平同期信号ＨＳＹＮＣのタイミングで入力し、その入力された画像データＤのデータ値に応じたアナログ電流信号であるデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに変換する。尚、前記画像データＤは
、各画素２０の輝度情報を有するデータ信号であって、デジタルデータ信号である。即ち、各デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍは、１走査線に対応した画像データＤ毎にデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに変換する。また、このデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルのレンジは、前記出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルのレンジと一致する。
As shown in FIG. 1, the data
また、前記データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍはその各電流レベルが、それぞれ、前記各データ線Ｌｔ１〜Ｌｔｍ等の配線容量等による遅延時間を考慮したものである。
ｍ個のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍのうちの第１のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１は、前記第１のデータ線Ｌｔ１に接続された各画素２０に対応する画像データＤを第１のデータ電流Ｉｄ１に変換する。第２のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ２は、第２のデータ線Ｌｔ２に接続された各画素２０に対応する画像データＤを第２のデータ電流Ｉｄ２に変換する。以下、同様にして、各デジタル・アナログ変換回路は、対応するデータ線に接続された各画素２０に対応する画像データＤをデータ電流に変換する。
Each of the data currents Id1 to Idm takes into account a delay time due to the wiring capacity of each of the data lines Lt1 to Ltm.
Of the m digital / analog conversion circuits DAC1 to DACm, the first digital / analog conversion circuit DAC1 converts the image data D corresponding to each
そして、電流生成部１４ａは、１走査線に対応する前記データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍを一斉に電流比較部１４ｂへ出力する。
電流比較部１４ｂは、ｍ個の電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍを備えている。各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍは、前記したｍ個の電流出力型デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍの各々に対応している。即ち、ｍ個の電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍのうちの第１の電流比較器Ｃｏｍｐ１は、前記第１のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１に接続され、同デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ１から出力される第１のデータ電流Ｉｄ１を入力する。第２の電流比較器Ｃｏｍｐ２は、第２のデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ２に接続され、同デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ２から出力される第２のデータ電流Ｉｄ２を入力する。以下、同様にして、各電流比較器は、対応するデジタル・アナログ変換回路に接続され、その接続されたデジタル・アナログ変換回路から出力されるデータ電流を入力する。
The
The
また、第１の電流比較器Ｃｏｍｐ１は、前記第１のデータ線Ｌｔ１に接続され前記第１の出力電流Ｉｏｕｔ１を入力する。第２の電流比較器Ｃｏｍｐ２は、前記第２のデータ線Ｌｔ２に接続され第２の出力電流Ｉｏｕｔ２を入力する。以下、同様にして、各電流比較器は、対応するデータ線に接続されそのデータ線に流れる出力電流を入力する。 The first current comparator Comp1 is connected to the first data line Lt1 and receives the first output current Iout1. The second current comparator Comp2 is connected to the second data line Lt2 and receives the second output current Iout2. In the same manner, each current comparator is connected to a corresponding data line and inputs an output current flowing through the data line.
そして、第１の電流比較器Ｃｏｍｐ１は、第１の出力電流Ｉｏｕｔ１の電流レベルと第１のデータ電流Ｉｄ１の電流レベルとを常時比較し、第１の出力電流Ｉｏｕｔ１の電流レベルが第１のデータ電流Ｉｄ１の電流レベルより高い場合、Ｈレベルの第１の制御電圧信号Ｖｃｕｔ１を生成し第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１へ出力するようになっている。一方、第１の出力電流Ｉｏｕｔ１の電流レベルが第１のデータ電流Ｉｄ１の電流レベルに到達した場合、Ｌレベルの第１の制御電圧信号Ｖｃｕｔ１を生成し、第１の電圧制御線Ｌｃｕｔ１へ出力するようになっている。 The first current comparator Comp1 constantly compares the current level of the first output current Iout1 and the current level of the first data current Id1, and the current level of the first output current Iout1 is the first data. When the current level is higher than the current Id1, the H-level first control voltage signal Vcut1 is generated and output to the first voltage control line Lcut1. On the other hand, when the current level of the first output current Iout1 reaches the current level of the first data current Id1, an L-level first control voltage signal Vcut1 is generated and output to the first voltage control line Lcut1. It is like that.
他の各電流比較器Ｃｏｍｐ２〜Ｃｏｍｐｍも、同様にして、対応する出力電流の電流レベルとデータ電流の電流レベルとを常時比較し、出力電流の電流レベルがデータ電流の電流レベルより高い場合、Ｈレベルの制御電圧信号を生成し、対応する電圧制御線へ出力する。また、出力電流の電流レベルがデータ電流の電流レベルに到達した場合、Ｌレベルの制御電圧信号を生成し、対応する電圧制御線へ出力するようになっている。 Similarly, each of the other current comparators Comp2 to Compm always compares the current level of the corresponding output current with the current level of the data current, and if the current level of the output current is higher than the current level of the data current, A level control voltage signal is generated and output to the corresponding voltage control line. In addition, when the current level of the output current reaches the current level of the data current, an L level control voltage signal is generated and output to the corresponding voltage control line.
各出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍはその電流レベルのレンジがデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルのレンジと一致するので、少なくとも選択期間Ｔｐが開始した時点では
電流比較器Ｃｏｍｐ１〜ＣｏｍｐｍからＨレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１〜Ｖｃｕｔｍが選択された画素２０へ出力される。その後、各出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルがデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルに到達すると、各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍからは、Ｌレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１〜Ｖｃｕｔｍがその選択された各画素２０へ出力される。すると、その選択された各画素２０の電流制御用トランジスタＱｒｅｆはオフになる。そして、駆動トランジスタＱｄは、そのオフになったタイミングで保持キャパシタＣｏに保持された電荷量に対応する出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍ（即ち、データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルと一致した出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍ）を各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍへ出力する。
Since each output current Iout1 to Ioutm has a current level range that matches the current level range of the data currents Id1 to Idm, at least when the selection period Tp starts, the current comparators Comp1 to Compm output an H level control voltage signal. Vcut1 to Vcutm are output to the selected
従って、次段の走査線に接続された画素２０が選択されるまでの期間は、Ｌレベルの制御電圧信号Ｖｃｕｔ１〜Ｖｃｕｔｍが前記選択された各画素２０へ出力され続ける。このようにすることで、各画素２０内には所望の輝度情報を有するデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルに一致した出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍが流れる。
Accordingly, during the period until the
そして、前記選択期間Ｔｐが終了した後、Ｈレベルの切り換え信号Ｖｃ１〜Ｖｃｎが出力されると、データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルに一致した電流レベルを有する駆動電流ＩＯＬＥＤが各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる。この結果、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは前記データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルに対応した輝度で発光し、所望の階調表示が行われる。 When the H level switching signals Vc1 to Vcn are output after the selection period Tp ends, the drive current IOLED having a current level that matches the current level of the data currents Id1 to Idm is supplied to each organic EL element OLED. Flowing. As a result, each organic EL element OLED emits light at a luminance corresponding to the current levels of the data currents Id1 to Idm, and a desired gradation display is performed.
このように、本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２は他の画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２と電気的に接続され、共通陰極を構成しているので、従来のように、有機ＥＬ素子の陰極に他の素子や回路等を構成するためのパターニングをする必要がない。その結果、前記パターニングの工程がない分だけその製造が容易となる。
As described above, in this embodiment, the cathode P2 of the organic EL element OLED is electrically connected to the cathode P2 of the organic EL element OLED of the
また、陰極Ｐ２を外部の接地電位に接続する場合においては、有機ＥＬ素子の陰極に他の素子や回路等が構成されていないので、前記陰極Ｐ２の抵抗が小さい。従って、従来のものと比べて駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを小さくしても有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを所望の輝度で発光させることができるので、消費電力を低くすることができる。 When the cathode P2 is connected to an external ground potential, the cathode of the organic EL element has no other elements, circuits, etc., so the resistance of the cathode P2 is small. Therefore, the organic EL element OLED can emit light with a desired luminance even if the current level of the drive current IOLED is reduced as compared with the conventional one, so that the power consumption can be reduced.
また、本実施形態では、各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍは、前記出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルと前記データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルとの比較を、常時、即ちリアルタイムで行う。従って、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルに応じて前記駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを精度良く制御することができる。 In the present embodiment, each of the current comparators Comp1 to Compm compares the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm with the current levels of the data currents Id1 to Idm at all times, that is, in real time. Therefore, the current level of the drive current IOLED can be accurately controlled according to the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm.
さらに、本実施形態では、各出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルがデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルに到達した後にその出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを駆動電流ＩＯＬＥＤとして有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するようにした。従って、従来のように、データ電流を画素へ供給するのではなく、画素２０から出力される出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルを画素２０の外部に設置されたデータ線駆動回路１４にて所望の電流値に一致したときに、その出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するようにした。この結果、駆動トランジスタＱｄのトランジスタ特性のバラツキに関係なく有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度をデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに応じて決定することができる。
Furthermore, in this embodiment, after the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm reach the current levels of the data currents Id1 to Idm, the output currents Iout1 to Ioutm are supplied to the organic EL element OLED as the drive current IOLED. . Therefore, the data current is not supplied to the pixel as in the conventional case, but the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm output from the
また、選択期間Ｔｐ内において、各画素２０内にはリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆに応じた電流が流れているので、たとえ、画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを低輝度で発光させる場合においても、データ信号を選択された画素に書き込む従来の有機ＥＬディスプレイの場合のように書き込み不足ということが生じることはない。この結果、所定の画素２
０が黒く表示される所謂漏れ発光といった現象を引き起こすこともない。
Further, since a current corresponding to the reference voltage signal Vref flows in each
The phenomenon of so-called leakage light emission in which 0 is displayed in black is not caused.
また、各出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍが対応する電流供給線Ｌｔ１〜Ｌｔｍを介してデータ線駆動回路１４の各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍに直接供給される。そして、各出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルが画像データＤに対応した所望の各データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルと比較し一致した後に、その出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを駆動電流ＩＯＬＥＤとして有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するようにした。
The output currents Iout1 to Ioutm are directly supplied to the current comparators Comp1 to Compm of the data line driving
従って、従来のように、特に、カレントミラー回路を用いることなく出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを直接データ線駆動回路１４へ出力するので、カレントミラー回路を構成するトランジスタの特性バラツキの影響を受けることなく出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを輝度情報を有するデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍと比較することができる。これにより、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルを高精度に制御することができるので、高品位な画像を表示することができる有機ＥＬディスプレイ１０を実現することができる。
Therefore, the output currents Iout1 to Ioutm are directly output to the data line driving
さらに、本実施形態のリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆは第１の電位ＶＬから第２の電位ＶＨに徐々に線形的に増加する電圧信号であるので、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるまでの間はその駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルより大きな電流レベルの電流を対応する電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍに出力する。従って、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを、選択期間Ｔｐ内でその電流レベルが微小レベルから徐々に大きくするようにした場合と比較して電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍでの出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍとデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍとの比較が容易にできる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度制御を画像データＤに応じて確実に行うことができる。 Furthermore, since the reference voltage signal Vref of the present embodiment is a voltage signal that gradually increases linearly from the first potential VL to the second potential VH, the output currents Iout1 to Ioutm are caused to emit light from the organic EL element OLED. Until this time, a current level larger than the current level of the drive current IOLED is output to the corresponding current comparators Comp1 to Compm. Accordingly, the output currents Iout1 to Ioutm and the data currents Id1 to Id1 from the current comparators Comp1 to Compm are compared with the case where the current level of the reference voltage signal Vref is gradually increased from a minute level within the selection period Tp. Comparison with Idm can be easily performed. As a result, the luminance control of the organic EL element OLED can be reliably performed according to the image data D.
尚、特許請求の範囲の容量素子は、例えば、本実施形態においては保持キャパシタＣｏに対応している。特許請求の範囲の比較制御手段は、例えば、本実施形態においては電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍに対応している。特許請求の範囲のアナログ電流は、例えば、本実施形態においてはデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに対応している。特許請求の範囲の電気光学素子またはＥＬ素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対応している。特許請求の範囲のトランジスタは、例えば、本実施形態においては駆動トランジスタＱｄに対応している。特許請求の範囲のスイッチング素子は、例えば、本実施形態においてはスイッチングトランジスタＱｓｗに対応している。特許請求の範囲の制御信号は、例えば、本実施形態においては制御電圧信号Ｖｃｕｔ１〜Ｖｃｕｔｍに対応している。特許請求の範囲の電圧信号は、例えば、本実施形態においてはリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆに対応している。特許請求の範囲の電気光学装置は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬディスプレイ１０に対応している。特許請求の範囲のデータ信号生成回路は、例えば、本実施形態においてはデータ線駆動回路１４に対応している。
Note that the capacitive element in the claims corresponds to, for example, the holding capacitor Co in the present embodiment. The comparison control means in the claims corresponds to, for example, current comparators Comp1 to Compm in the present embodiment. The analog current in the claims corresponds to, for example, the data currents Id1 to Idm in the present embodiment. The electro-optical element or EL element in the claims corresponds to, for example, the organic EL element OLED in the present embodiment. The transistor in the claims corresponds to, for example, the driving transistor Qd in the present embodiment. The switching element in the claims corresponds to, for example, the switching transistor Qsw in the present embodiment. The control signal in the claims corresponds to, for example, the control voltage signals Vcut1 to Vcutm in the present embodiment. The voltage signal in the claims corresponds to the reference voltage signal Vref in the present embodiment, for example. The electro-optical device in the claims corresponds to, for example, the
前記実施形態の有機ＥＬディスプレイによれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１） 本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２は他の画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｐ２と電気的に接続され、共通陰極を構成しているので、従来のように、有機ＥＬ素子の陰極に他の素子や回路等を構成するためのパターニングをする必要がない。その結果、前記パターニングの工程がない分だけその製造が容易となる。
（２） 本実施形態では、陰極Ｐ２を外部の接地電位に接続する場合においては、有機ＥＬ素子の陰極に他の素子や回路等が構成されていないので、前記陰極Ｐ２の抵抗が小さい。従って、従来のものと比べて駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを小さくしても有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを所望の輝度で発光させることができるので、消費電力を低くすることができる。
（３） 本実施形態では、各電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍは、前記出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルと前記データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルとの比較を、常時、即ちリアルタイムで行う。従って、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルに応じて前記駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを精度良く制御することができる。
（４） 本実施形態では、各画素２０内に構成された駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れる出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍの電流レベルが、データ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍの電流レベルと一致したタイミングで同出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを駆動電流ＩＯＬＥＤとして有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するようにした。従って、駆動トランジスタＱｄのトランジスタ特性のバラツキに関係なく有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度をデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍに応じて決定することができる。
（５）本実施形態では、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを、選択期間Ｔｐ内で第１の電位ＶＬから第２の電位ＶＨに徐々に線形的に増加する電圧信号とした。従って、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍはその電流レベルが徐々に低下する。これにより、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるまではその駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルより大きな電流レベルの電流を対応する電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍに出力することができる。従って、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを、選択期間Ｔｐ内でその電流レベルが微小レベルから徐々に大きくするようにした場合と比較して電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍでの出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍとデータ電流Ｉｄ１〜Ｉｄｍとの比較が容易にできる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度制御を画像データＤに応じて確実に行うことができる。これは、特に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを低輝度で発光させる場合において有効である。
（６） 本実施形態では、選択期間Ｔｐ内において、各画素２０内にはリファレンス電圧信号Ｖｒｅｆに応じた電流が流れている。従って、たとえ、画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを低輝度で発光させる場合においても、データ信号を選択された画素に書き込む従来の有機ＥＬディスプレイの場合のように所謂書き込み不足ということが生じることはない。
（７） 本実施形態では、各画素２０内に構成された駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れる出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍを第１のトランジスタＱ１を介して電流比較器Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍに直接出力するようにした。従って、従来のように、特に、カレントミラー回路を用いることなく出力電流Ｉｏｕｔを直接データ線駆動回路１４へ出力するようにしたので、駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルを高精度に制御することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図５に従って説明する。この第２実施形態においては、上記第１の実施形態に記載の画素２０の内部回路構成と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
According to the organic EL display of the embodiment, the following features can be obtained.
(1) In the present embodiment, the cathode P2 of the organic EL element OLED is electrically connected to the cathode P2 of the organic EL element OLED of the
(2) In the present embodiment, when the cathode P2 is connected to an external ground potential, since no other elements or circuits are formed on the cathode of the organic EL element, the resistance of the cathode P2 is small. Therefore, the organic EL element OLED can emit light with a desired luminance even if the current level of the drive current IOLED is reduced as compared with the conventional one, so that the power consumption can be reduced.
(3) In the present embodiment, each of the current comparators Comp1 to Compm compares the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm with the current levels of the data currents Id1 to Idm at all times, that is, in real time. Therefore, the current level of the drive current IOLED can be accurately controlled according to the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm.
(4) In the present embodiment, the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm flowing between the source / drain of the drive transistor Qd configured in each
(5) In the present embodiment, the reference voltage signal Vref is a voltage signal that gradually increases linearly from the first potential VL to the second potential VH within the selection period Tp. Therefore, the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm gradually decrease. As a result, the output currents Iout1 to Ioutm can be output to the corresponding current comparators Comp1 to Compm at a current level larger than the current level of the drive current IOLED until the organic EL element OLED emits light. Accordingly, the output currents Iout1 to Ioutm and the data currents Id1 to Id1 from the current comparators Comp1 to Compm are compared with the case where the current level of the reference voltage signal Vref is gradually increased from a minute level within the selection period Tp. Comparison with Idm can be easily performed. As a result, the luminance control of the organic EL element OLED can be reliably performed according to the image data D. This is particularly effective when the organic EL element OLED emits light with low luminance.
(6) In the present embodiment, a current corresponding to the reference voltage signal Vref flows in each
(7) In the present embodiment, output currents Iout1 to Ioutm flowing between the source and drain of the drive transistor Qd configured in each
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the same constituent members as those of the internal circuit configuration of the
図５は、第１の走査線Ｙ１と第１のデータ線Ｌｔ１との交差部に対応する位置に配置された画素３０の電気的構成を説明するための図である。尚、全ての画素３０の内部回路構成は同じであるので第１の走査線Ｙ１と第１のデータ線Ｌｔ１との交差部に対応する位置に配置された画素３０についてのみ説明し、他の走査線と電流供給線との交差部に対応する位置に配置された画素３０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
FIG. 5 is a diagram for explaining an electrical configuration of the
画素３０は、図５に示すように、上記第１の実施形態の画素２０内の第１のトランジスタＱ１と第１のデータ線Ｌｔ１との間に図中２点鎖線で示されたカレントミラー回路ＣＭが付加されている他は上記第１の実施形態の画素２０と同じ回路構成を有している。
As shown in FIG. 5, the
詳しくは、カレントミラー回路ＣＭは、第３のトランジスタＱ３と第４のトランジスタＱ４とから構成されている。第３のトランジスタＱ３及び第４のトランジスタＱ４は、それぞれ、その導電型がＮ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、第４のトランジ
スタＱ４は、その利得係数β４が第３のトランジスタＱ３の利得係数β３より大きくなるように構成されている。
Specifically, the current mirror circuit CM includes a third transistor Q3 and a fourth transistor Q4. Each of the third transistor Q3 and the fourth transistor Q4 is an N-type thin film transistor (TFT). The fourth transistor Q4 is configured such that its gain coefficient β4 is larger than the gain coefficient β3 of the third transistor Q3.
第３のトランジスタＱ３は、ダイオード接続されており、そのソースが接地されている。第３のトランジスタＱ３のゲートは第４のトランジスタＱ４のゲートに接続されている。第４のトランジスタＱ４のソースは接地されている。 The third transistor Q3 is diode-connected, and its source is grounded. The gate of the third transistor Q3 is connected to the gate of the fourth transistor Q4. The source of the fourth transistor Q4 is grounded.
そして、前記第３のトランジスタＱ３のドレインは、第１のトランジスタＱ１のソースに接続されるとともに、第４のトランジスタＱ４のドレインは第１のデータ線Ｌｔ１に接続されている。 The drain of the third transistor Q3 is connected to the source of the first transistor Q1, and the drain of the fourth transistor Q4 is connected to the first data line Lt1.
このように、第１のトランジスタＱ１のソースと第１のデータ線Ｌｔ１との間に前記第３のトランジスタＱ３と第４のトランジスタＱ４とで構成されるカレントミラー回路ＣＭを接続した。そして、その第４のトランジスタＱ４の利得係数β４を第３のトランジスタＱ３の利得係数β３より大きくなるように設定した。このことから、第１のデータ線Ｌｔ１に流れる第１の出力電流Ｉｏｕｔ１を直接データ線駆動回路１４の第１の電流比較器Ｃｏｍｐ１に出力するのではなく、その電流レベルが前記各利得係数β３，β４の比率β４／β３だけ大きくした電流を第１のデータ線Ｌｔ１に出力することができる。この結果、第１の出力電流Ｉｏｕｔ１が画素３０から第１の電流比較器Ｃｏｍｐ１まで定常的に供給されるまでの時間を短縮させることができる。尚、第１のデータ電流Ｉｄ１は、その電流レベルが駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルより前記カレントミラー回路ＣＭの各利得係数β３，β４の比率β４／β３だけ大きいことを考慮した電流である。
As described above, the current mirror circuit CM including the third transistor Q3 and the fourth transistor Q4 is connected between the source of the first transistor Q1 and the first data line Lt1. Then, the gain coefficient β4 of the fourth transistor Q4 is set to be larger than the gain coefficient β3 of the third transistor Q3. Therefore, the first output current Iout1 flowing through the first data line Lt1 is not directly output to the first current comparator Comp1 of the data line driving
尚、特許請求の範囲の出力手段は、例えば、本実施形態においてはカレントミラー回路ＣＭに対応している。
（第３の実施形態）
次に、第１または第２の実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器への適用について図６に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
Note that the output means in the claims corresponds to, for example, the current mirror circuit CM in the present embodiment.
(Third embodiment)
Next, application of the
図６は、大型テレビ４０の斜視図である。この大型テレビ４０は、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた大型テレビ用の表示ユニット４１と、スピーカー４２と、複数の操作ボタン４３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット４１は、上記実施形態と同様な効果を発揮する。従って、表示品位の高い画像表示ができる大型テレビ４０を提供できる。
FIG. 6 is a perspective view of the
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、画素２０では、駆動トランジスタＱｄの導電型をＰ型とし、第１のトランジスタＱ１、第２のトランジスタＱ２、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び電流制御用トランジスタＱｒｅｆの導電型をそれぞれＮ型としたが、これに限定されるものではなく、たとえば、すべてのトランジスタの導電型をＰ型としてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
In addition, embodiment of invention is not limited to the said embodiment, You may implement as follows.
In the above-described embodiment, in the
また、画素３０においても、同様に、駆動トランジスタＱｄの導電型をＰ型とし、第１のトランジスタＱ１、第２のトランジスタＱ２、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び電流制御用トランジスタＱｒｅｆの導電型をそれぞれＮ型としたが、これに限定されるものではなく、例えば、すべてのトランジスタの導電型をＰ型としてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。画素３０においては、カレント
ミラー回路ＭＣを構成する第３及び第４のトランジスタＱ３，Ｑ４のそれぞれの導電型をＮ型としたが、例えば、Ｐ型にしてもよい。
Similarly, in the
○上記実施形態では、リファレンス電圧信号Ｖｒｅｆを、選択期間Ｔｐ内で第１の電位ＶＬから第２の電位ＶＨに徐々に線形的に増加する電圧信号とした。これを、図７（ａ）に示すような、選択期間Ｔｐ開始時においてはその電位が急峻に増加し、その後、その増加が緩慢になる非線形特性を有したリファレンス電圧信号であってもよい。このようにすることで、出力電流Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍ（または駆動電流ＩＯＬＥＤ）の電流レベルをアナログ的に制御することができ且つその電流レベルが比較的大きいところでは時間を短く、比較的小さいところでは時間を長くできるので、駆動電流ＩＯＬＥＤの電流レベルが低い場合での制御を確実に行うことができる。また、図７（ｂ）に示すような、その電位が階段的に増加するリファレンス電圧信号であってもよい。このようにすることで、リファレンス電圧信号を比較的容易に生成することができる。 In the above embodiment, the reference voltage signal Vref is a voltage signal that gradually increases linearly from the first potential VL to the second potential VH within the selection period Tp. This may be a reference voltage signal having non-linear characteristics as shown in FIG. 7A, in which the potential increases steeply at the start of the selection period Tp and then increases slowly. In this way, the current levels of the output currents Iout1 to Ioutm (or drive current IOLED) can be controlled in an analog manner, and the time is shortened when the current level is relatively large, and the time is relatively small. Therefore, it is possible to reliably perform control when the current level of the drive current IOLED is low. Alternatively, it may be a reference voltage signal whose potential increases stepwise as shown in FIG. In this way, the reference voltage signal can be generated relatively easily.
○上記実施形態では、単色の有機ＥＬディスプレイ１０であったが、フルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイに応用してもよい。
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えた有機ＥＬディスプレイに具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬディスプレイ以外の例えばデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いたディスプレイ、電子放出素子を用いたディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）に具体化してもよい。
In the above embodiment, the monochromatic
In the above embodiment, the organic EL display provided with the organic EL element OLED has been embodied to obtain a suitable effect. However, other than the organic EL display, for example, a display using a digital micromirror device (DMD), an electron-emitting device The display may be embodied in the display (FED) or SED (Surface-Condition Electron-Emitter Display) used.
Ｃｏ…容量素子としての保持キャパシタ、ＤＡＣ１〜ＤＡＣｍ…デジタル・アナログ変換回路、Ｃｏｍｐ１〜Ｃｏｍｐｍ…比較制御手段としての電流比較器、Ｉｄ１〜Ｉｄｍ…アナログ電流としてのデータ電流、Ｉｏｕｔ１〜Ｉｏｕｔｍ…出力電流、ＣＭ…出力手段としてのカレントミラー回路、ＯＬＥＤ…電気光学素子またはＥＬ素子としての有機ＥＬ素子、Ｑｄ…トランジスタとしての駆動トランジスタ、Ｑｓｗ…スイッチング素子としてのスイッチングトランジスタ、Ｖｃｕｔ１〜Ｖｃｕｔｍ…制御信号としての制御電圧信号、Ｖｒｅｆ…電圧信号としてのリファレンス電圧信号、１０…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１４…データ信号生成回路としてのデータ線駆動回路、４０…電子機器としての大型テレビ。 Co: holding capacitor as capacitive element, DAC1 to DACm: digital-analog conversion circuit, Comp1-Compm: current comparator as comparison control means, Id1-Idm: data current as analog current, Iout1-Ioutm: output current, CM: current mirror circuit as output means, OLED: organic EL element as electro-optical element or EL element, Qd: drive transistor as transistor, Qsw: switching transistor as switching element, Vcut1 to Vcutm: control as control signal Voltage signal, Vref ... reference voltage signal as voltage signal, 10 ... organic EL display as electro-optical device, 14 ... data line drive circuit as data signal generation circuit, 40 ... large TV as electronic equipment.
Claims (10)
前記複数の画素の各々は、
前記電気光学素子と接続し、前記複数の走査線のうちの一つが選択されている期間において、時間的に変化する電圧レベルを有する電圧信号が入力され、該電圧レベルの変化に応じて時間的にその電流レベルが変化する出力電流を出力するトランジスタと、
前記電圧信号の入力を許可または不許可に制御するスイッチング素子と、
前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を保持する容量素子と
をさらに備え、
前記データ信号生成回路は、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとを比較し、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致した場合、前記スイッチング素子をオフにして前記電圧信号の入力を不許可に制御する制御信号を前記トランジスタに出力する比較制御手段をさらに備え、
前記容量素子が、前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を保持した後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させるようにしたことを特徴とする電気光学装置。 A plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a plurality of pixels arranged at positions corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and each of the plurality of pixels are provided. In an electro-optical device including a plurality of electro-optical elements and a data signal generation circuit that generates an analog current according to a data value of image data,
Each of the plurality of pixels is
A voltage signal having a voltage level that changes with time is input during a period in which the electro-optic element is connected and one of the plurality of scanning lines is selected. A transistor that outputs an output current whose current level changes;
A switching element for controlling the input of the voltage signal to permit or disallow,
A capacitive element that holds a charge amount according to the voltage level of the voltage signal;
The data signal generation circuit compares the current level of the output current with the current level of the analog current, and turns off the switching element when the current level of the output current matches the current level of the analog current. A comparison control means for outputting to the transistor a control signal for controlling the input of the voltage signal without permission,
The capacitive element holds a charge amount according to the voltage level of the voltage signal when the current level of the output current and the current level of the analog current match, and then a current according to the held charge amount. An electro-optical device characterized in that the electro-optical element emits light when supplied.
前記電圧信号は前記選択されている期間において時間的に単調に増加する電圧レベルを有し、
前記比較制御手段は、前記出力電流の電流レベルが前記アナログ電流の電流レベルに到達したとき、前記スイッチング素子をオフにして前記電圧信号の入力を不許可に制御する前記制御信号を生成するようにしたことを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
The voltage signal has a voltage level that monotonically increases in time during the selected period;
When the current level of the output current reaches the current level of the analog current, the comparison control means turns off the switching element and generates the control signal for controlling the input of the voltage signal unpermitted. An electro-optical device.
前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとの比較は、リアルタイムもしくは、ある一定の周期で行われることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical device characterized in that the comparison between the current level of the output current and the current level of the analog current is performed in real time or at a certain cycle.
前記各画素には、前記トランジスタからの前記出力電流の電流レベルを所定の比率だけ大きくして、前記データ信号生成回路へ出力する出力手段を備えたことを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3,
Each of the pixels includes an output unit that increases the current level of the output current from the transistor by a predetermined ratio and outputs the increased current level to the data signal generation circuit.
前記出力手段は、複数のトランジスタがカレントミラー回路を構成することで形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 4.
The electro-optical device, wherein the output means is formed by a plurality of transistors constituting a current mirror circuit.
前記電気光学素子はその発光層が有機材料で構成されたＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical device, wherein the electro-optical element is an EL element having a light emitting layer made of an organic material.
グ電流を生成するデータ信号生成回路とを含む電気光学装置の駆動方法において、
前記複数の走査線のうちの一つが選択されている期間において、時間的に変化する電圧レベルを有する電圧信号を前記トランジスタに入力し、該電圧レベルの変化に応じて時間的に電流レベルが変化する前記トランジスタからの出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致した場合、前記電圧信号を前記トランジスタに入力しないようにするとともに、
前記出力電流の電流レベルと前記アナログ電流の電流レベルとが一致したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を前記容量素子に保持させた後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 A plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a plurality of pixels arranged at positions corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, and each of the plurality of pixels are provided. A plurality of capacitive elements, a plurality of electro-optic elements provided in each of the plurality of pixels, a transistor for supplying a current for driving the electro-optic elements, and an analog current corresponding to the data value of the image data In a driving method of an electro-optical device including a data signal generation circuit to be generated,
During a period when one of the plurality of scanning lines is selected, a voltage signal having a voltage level that changes with time is input to the transistor, and the current level changes with time according to the change in the voltage level. When the current level of the output current from the transistor matches the current level of the analog current, the voltage signal is not input to the transistor,
After the amount of charge corresponding to the voltage level of the voltage signal when the current level of the output current and the current level of the analog current coincide with each other is held in the capacitive element, the current corresponding to the held amount of charge is A driving method of an electro-optical device, wherein the electro-optical element emits light by being supplied.
前記電圧信号は前記選択されている期間において時間的に単調に増加する電圧レベルであって、
前記トランジスタからの出力電流の電流レベルが前記アナログ電流の電流レベルに到達したときの前記電圧信号の電圧レベルに応じた電荷量を前記容量素子に保持させた後、その保持した電荷量に応じた電流を供給することにより前記電気光学素子を発光させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 The electro-optical device driving method according to claim 7,
The voltage signal is a voltage level that increases monotonically in time during the selected period,
After the amount of charge corresponding to the voltage level of the voltage signal when the current level of the output current from the transistor reaches the current level of the analog current is held in the capacitor element, the amount of charge corresponding to the held amount of charge is A driving method of an electro-optical device, wherein the electro-optical element emits light by supplying an electric current.
前記トランジスタからの前記出力電流の電流レベルを所定の比率だけ大きくした後に、前記データ信号生成回路へ出力するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 The method of driving an electro-optical device according to claim 7 or 8,
A method for driving an electro-optical device, wherein the current level of the output current from the transistor is increased by a predetermined ratio and then output to the data signal generation circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003370632A JP4747488B2 (en) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003370632A JP4747488B2 (en) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005134640A true JP2005134640A (en) | 2005-05-26 |
| JP4747488B2 JP4747488B2 (en) | 2011-08-17 |
Family
ID=34647587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003370632A Expired - Fee Related JP4747488B2 (en) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4747488B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1826744A2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-29 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display device and driving method of the same |
| JP2010276903A (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, method of driving the same, and electronic apparatus |
| CN102522060A (en) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 四川虹欧显示器件有限公司 | Power supply method and power supply circuit for scan chip |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100563A (en) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Stanley Electric Co Ltd | Device and method for driving organic el element |
| JP2002091377A (en) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | Organic el display device |
| JP2002311898A (en) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and electronic equipment using the same |
| JP2002351402A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Sony Corp | Active matrix type display device and active matrix type organic electroluminescence display device and their driving method |
| JP2003058106A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Nec Corp | Driving circuit for display device |
| JP2003076331A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Seiko Epson Corp | Display device and electronic equipment |
| JP2003140613A (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-16 | Canon Inc | Active matrix type display |
| JP2003223136A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Ltd | Display device and its driving method |
-
2003
- 2003-10-30 JP JP2003370632A patent/JP4747488B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100563A (en) * | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Stanley Electric Co Ltd | Device and method for driving organic el element |
| JP2002091377A (en) * | 2000-09-11 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | Organic el display device |
| JP2002311898A (en) * | 2001-02-08 | 2002-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and electronic equipment using the same |
| JP2002351402A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Sony Corp | Active matrix type display device and active matrix type organic electroluminescence display device and their driving method |
| JP2003058106A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Nec Corp | Driving circuit for display device |
| JP2003076331A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Seiko Epson Corp | Display device and electronic equipment |
| JP2003140613A (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-16 | Canon Inc | Active matrix type display |
| JP2003223136A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Ltd | Display device and its driving method |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1826744A2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-29 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display device and driving method of the same |
| JP2007233326A (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Samsung Sdi Co Ltd | Data driving part, organic light emitting display device using data driving part, and driving method of the same |
| US7834826B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device with improved luminance uniformity by using a feedback signal and driving method of the same |
| JP2010276903A (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Seiko Epson Corp | Light emitting device, method of driving the same, and electronic apparatus |
| CN102522060A (en) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 四川虹欧显示器件有限公司 | Power supply method and power supply circuit for scan chip |
| CN102522060B (en) * | 2011-12-30 | 2014-03-26 | 四川虹欧显示器件有限公司 | Power supply method and power supply circuit for scan chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4747488B2 (en) | 2011-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100610549B1 (en) | Active matrix light emitting diode pixel structure and its driving method | |
| JP3829778B2 (en) | Electronic circuit, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP5106617B2 (en) | Semiconductor device and electronic equipment | |
| JP5184625B2 (en) | Display panel device and control method thereof | |
| US8497856B2 (en) | Light emitting device, method of driving light emitting device, and electronic apparatus | |
| JP2006003752A (en) | Display device and its driving control method | |
| JP2003114645A (en) | Driving of data line used to control unit circuit | |
| JP2004054238A (en) | Electronic circuit, optoelectronic device, driving method of the device and electronic equipment | |
| KR20210013505A (en) | Display device | |
| KR20050107320A (en) | Electronic device, electric optical apparatus and electronic equipment | |
| JP2007025523A (en) | Electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2008039799A (en) | Display device and drive control method thereof | |
| JP5473263B2 (en) | Display device and driving method thereof | |
| US7525520B2 (en) | Electronic circuit, electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2004198493A (en) | Driving method for electronic circuit, driving method for electronic device, driving method for electrooptical device, and electronic equipment | |
| US7405712B2 (en) | Method for driving electro-optical device, electro-optical device and electronic equipment | |
| JP4747488B2 (en) | Electro-optical device, driving method of electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2005181975A (en) | Pixel circuit, electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2004078210A (en) | Drive circuit for active matrix type organic el panel and organic el display device | |
| JP2003330412A (en) | Active matrix type display and switching circuit | |
| JP2005326865A (en) | Driving method for electronic apparatus, electronic apparatus, and electronic equipment | |
| JP4337327B2 (en) | Display and electronic equipment | |
| JP2009058781A (en) | Image display device, current measurement method in image display device, and method for driving electronic equipment | |
| JP4774726B2 (en) | Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus | |
| KR102485956B1 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061006 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100916 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110502 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |