JP2005123927A - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電源を印加した状態で発振動作を停止出来るようにして、発振動作の再開時には安定した周波数で発振できるようにする。
【解決手段】 バラクタダイオード3dを有する共振回路3と共振回路3がベースに結合された発振トランジスタ2とからなる発振回路1と、発振トランジスタ2に直列接続され、電源から供給されるコレクタ電流が発振トランジスタ2と共通の増幅トランジスタ12を有する緩衝増幅回路11とを備え、発振トランジスタ2又は増幅トランジスタ12のいずれかのベースバイアス電圧を切り替えて発振トランジスタ2及び増幅トランジスタ12のコレクタ電流を遮断できるようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】 バラクタダイオード3dを有する共振回路3と共振回路3がベースに結合された発振トランジスタ2とからなる発振回路1と、発振トランジスタ2に直列接続され、電源から供給されるコレクタ電流が発振トランジスタ2と共通の増幅トランジスタ12を有する緩衝増幅回路11とを備え、発振トランジスタ2又は増幅トランジスタ12のいずれかのベースバイアス電圧を切り替えて発振トランジスタ2及び増幅トランジスタ12のコレクタ電流を遮断できるようにした。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電圧制御発振回路に関する。
図5は従来の電圧制御発振回路の構成を示す。第一の電圧制御発振器21と第二の電圧制御発振器22とは異なる周波数帯で発振する。
第一の電圧制御発振器21における第一の発振トランジスタ21aのコレクタは高周波的に接地されると共に、緩衝増幅器23における増幅トランジスタ23aのエミッタに接続される。第一の発振トランジスタ21aのエミッタはエミッタバイアス抵抗21bによって接地され、ベースとエミッタとの間、エミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コンデンサ21c、21dが接続される。
第一の電圧制御発振器21における第一の発振トランジスタ21aのコレクタは高周波的に接地されると共に、緩衝増幅器23における増幅トランジスタ23aのエミッタに接続される。第一の発振トランジスタ21aのエミッタはエミッタバイアス抵抗21bによって接地され、ベースとエミッタとの間、エミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コンデンサ21c、21dが接続される。
さらに、ベースは直列接続されたベースバイアス抵抗21e、21fの接続点に接続されると共に、第一の共振回路21gによって接地される。第一の共振回路21gには発振周波数を変えるための制御電圧Vtが印加される。また、ベースバイアス抵抗の一方21fは接地され、他方21eは第一のバイアス切替トランジスタ21hのコレクタに接続され、そのエミッタは増幅トランジスタ23aのベースに接続される。第一のバイアス切替トランジスタ21hはベースに入力される切替信号によってオン又はオフに切り替えられる。そして、第一の発振トランジスタ21aのエミッタが第一の結合コンデンサ21iによって増幅トランジスタ23aのベースに接続される。
第二の電圧制御発振器22における第二の発振トランジスタ22aのコレクタは高周波的に接地されると共に、緩衝増幅器23における増幅トランジスタ23aのエミッタに接続される。第二の発振トランジスタ2aのエミッタはエミッタバイアス抵抗22bによって接地され、ベースとエミッタとの間、エミッタとグランドとの間にそれぞれ帰還コンデンサ22c、22dが接続される。
さらに、ベースは直列接続されたベースバイアス抵抗22e、22fの接続点に接続されると共に、第二の共振回路22gによって接地される。第二の共振回路22gには発振周波数を変えるための制御電圧Vtが印加される。また、ベースバイアス抵抗の一方22fは接地され、他方22eは第二のバイアス切替トランジスタ22hのコレクタに接続され、そのエミッタは増幅トランジスタ23aのベースに接続される。第二のバイアス切替トランジスタ22hはベースに入力される切替信号によってオン又はオフに切り替えられる。そして、第二の発振トランジスタ22aのエミッタが第二の結合コンデンサ22iによって増幅トランジスタ23aのベースに接続される。
増幅トランジスタ23aのコレクタにはストリップライン23bを介して電源Bから電圧が印加される。また、ベースはバイアス抵抗23cを介して電源Bに接続される。
以上の構成において、第一のバイアス切替トランジスタ21hと第二のバイアス切替トランジスタ22hとはオン/オフ動作が逆となっているので、それにともなって第一の電圧制御発振器21又は第二の電圧制御発振器22のいずれかが動作し、動作した方の電圧制御発振器の発振信号が増幅トランジスタ23aのベースに入力される。増幅された発振信号はコレクタから出力される(例えば、特許文献1参照。)。
上記の発振器は発振周波数の異なる発振信号を出力する2バンド発振器であるので、一方の電圧制御発振器を停止した場合であっても、他方の電圧発振器は動作状態にあり、緩衝増幅回路も動作状態にあるので、一時的に発振動作を停止しても電力消費を押さえることが出来ない。発振動作を停止するには電源電圧の印加を停止することになるが、再び発振動作を開始するために電圧を印加すると、回路の浮遊容量等によって発振周波数が初期漂動するという問題がある。
本発明は、電源を印加した状態で発振動作を停止出来るようにして、発振動作の再開時には安定した周波数で発振できるようにすることを目的とする。
上記の課題を解決する手段として、バラクタダイオードを有する共振回路と前記共振回路がベースに結合された発振トランジスタとからなる発振回路と、前記発振トランジスタに直列接続され、電源から供給されるコレクタ電流が前記発振トランジスタと共通の増幅トランジスタを有する緩衝増幅回路とを備え、前記発振トランジスタ又は前記増幅トランジスタのいずれかのベースバイアス電圧を切り替えて前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタのコレクタ電流を遮断できるようにした。
また、前記発振トランジスタのベースに固定のバイアス電圧を印加し、前記増幅トランジスタのベースバイアス電圧を切り替えた。
また、前記発振トランジスタを前記電源側に配置すると共に、前記増幅トランジスタをグランド側に配置し、前記発振トランジスタのエミッタを前記増幅トランジスタのコレクタに直流的に接続した。
また、前記発振トランジスタのエミッタと前記増幅トランジスタのコレクタとの間に高周波阻止用のインダクタンス素子を介挿し、前記発振トランジスタのコレクタと前記増幅トランジスタのエミッタとを高周波的に接地した。
本発明では、バラクタダイオードを有する共振回路と共振回路がベースに結合された発振トランジスタとからなる発振回路と、発振トランジスタに直列接続され、電源から供給されるコレクタ電流が発振トランジスタと共通の増幅トランジスタを有する緩衝増幅回路とを備え、発振トランジスタ又は増幅トランジスタのいずれかのベースバイアス電圧を切り替えて発振トランジスタ及び増幅トランジスタのコレクタ電流を遮断できるようにしたので、電源電圧を印加した状態で発振動作を停止すると共に、電力消費を押さえられる。
また、発振トランジスタのベースに固定のバイアス電圧を印加し、増幅トランジスタのベースバイアス電圧を切り替えたので、発振トランジスタのベースには共振回路のみが接続されており、再度コレクタ電流を流したときには発振周波数の初期漂動を押さえて発振動作を再開することができる。
また、発振トランジスタを電源側に配置すると共に、増幅トランジスタをグランド側に配置し、発振トランジスタのエミッタを増幅トランジスタのコレクタに直流的に接続したので、発振トランジスタには常に電源電圧が印加された状態となり、増幅トランジスタを動作させたときに発振回路を即座に動作できる。
また、発振トランジスタのエミッタと増幅トランジスタのコレクタとの間に高周波阻止用のインダクタンス素子を介挿し、発振トランジスタのコレクタと増幅トランジスタのエミッタとを高周波的に接地したので、コレクタ接地型発振回路とエミッタ接地型の緩衝増幅回路を構成できる。
本発明の電圧制御発振器を図1乃至図4にそれぞれ示す第1乃至第4の実施形態の構成に従って説明する。先ず、図1において、発振回路1は発振トランジスタ2と、そのベースに結合された共振回路3とを有する。発振トランジスタ2のコレクタはバイパスコンデンサ4によって高周波的に接地される。このコレクタにはチョークインダクタ5を介して電源電圧Vccが印加されている。また、ベースには電源電圧を分圧するベースバイアス抵抗6、7から固定のバイアス電圧が印加される。ベースとエミッタとの間、エミッタとグランドのと間にはそれぞれ帰還コンデンサ8、9が接続される。
共振回路3は、これを発振トランジスタ2のベースに結合するクラップコンデンサ3aと、ストリップラインからなる共振線路3bと、コンデンサ3cを介して共振線路3bに並列接続されたバラクタダイオード3dとを有する。バラクタダイオード3dのアノードは接地される。そして、カソードにはチョークインダクタ10を介して同調電圧Vtが印加される。
緩衝増幅回路11は増幅トランジスタ12を有し、そのコレクタはチョークインダクタ13を介して発振トランジスタ2のエミッタに接続される。エミッタはエミッタバイアス抵抗14とバイパスコンデンサ15との並列回路によって接地される。また、ベースはベースバイアス抵抗16によって接地されると共に、この抵抗16と共に分圧回路を構成するベースバイアス抵抗17を介してバイアス電圧切替端SWに接続される。また、ベースは結合コンデンサ18を介して発振トランジスタ2のエミッタに結合される。
バイアス電圧切替端SWには0ボルト又は電源電圧Vccが印加される。そして、電源電圧Vccが印加されたときに増幅トランジスタ12のベースに適正なバイアス電圧が印加され、これによって発振トランジスタ2と増幅トランジスタ12には共通のコレクタ電流が流れる。よって、発振回路1、緩衝増幅回路11ともに動作し、発振トランジスタ2のエミッタから増幅トランジスタ12のベースに発振信号が入力され、増幅された発振信号はコレクタから出力端Outに出力される。逆に、バイアス電圧切替端SWが0ボルトにされると、増幅トランジスタ12はカットオフとなってコレクタ電流は流れず、従って、発振トランジスタ2にもコレクタ電流が流れず、発振動作が停止する。
バイアス電圧切替端SWに再度電源電圧Vccが印加されると、発振信号が出力されるが、発振トランジスタ2には電源電圧が印加されており、ベースにもベースバイアス電圧が印加されているので、発振回路1瞬時に所定の周波数で発振する。
図1では、発振トランジスタ2が電源側に配置され、増幅トランジスタ12がグランド側に配置されたが、図2に示す構成では、増幅トランジスタ12が電源側に配置され、発振トランジスタ2がグランド側に配置されている点、および、増幅トランジスタ12のエミッタバイアス抵抗14が削除された代わりに、発振トランジスタ2のエミッタがエミッタバイアス抵抗14aによって接地された点で図1と異なる。それ以外の構成は図1と同じであるので、同一符号を付して説明は省略する。
即ち、増幅トランジスタ12のコレクタにはチョークインダクタ13を介して電源電圧が印加され、増幅トランジスタ12のエミッタと発振トランジスタ2のコレクタとの間にチョークインダクタ5が接続される。そして、発振トランジスタ2のエミッタがエミッタバイアス抵抗14aによってグランドに接続される。
図2の構成においても、バイアス電圧切替端SWに電源電圧Vccを印加すれば発振回路1と緩衝増幅回路11とを動作させ、0ボルトを印加することで、コレクタ電流を遮断して動作を停止させることが出来る。
図3は、発振トランジスタ2が電源側に配置され、増幅トランジスタ12がグランド側に配置されている点で図1の構成と同じであるが、発振トランジスタ2のベースバイアス電圧を切り替える点で図1とは異なる。即ち、発振トランジスタ2のベースはベースバイアス抵抗7でグランドに接続されると共に、もう一つのベースバイアス抵抗6によってバイアス電圧切替端SWに接続される。この構成の動作も図1と同じであり、バイアス電圧切替端SWに電源電圧Vccが印加されれば動作し、0ボルトが印加されれば動作は停止する。
さらに、図4は、増幅トランジスタ12が電源側に配置され、発振トランジスタ2がグランド側に配置されている点で図2の構成と同じであるが、発振トランジスタ2のベースバイアス電圧を切り替える点で図1とは異なる。即ち、発振トランジスタ2のベースはベースバイアス抵抗7でグランドに接続されると共に、もう一つのベースバイアス抵抗6によってバイアス電圧切替端SWに接続される。この構成の動作も図1と同じであり、バイアス電圧切替端SWに電源電圧Vccが印加されれば動作し、0ボルトが印加されれば動作は停止する。
1:発振回路
2:発振トランジスタ
3:共振回路
3a:クラップコンデンサ
3b:共振線路
3c:コンデンサ
3d:バラクタダイオード
4:バイパスコンデンサ
5:チョークインダクタ
6、7:ベースバイアス抵抗
8、9:帰還コンデンサ
11:緩衝増幅回路
12:増幅トランジスタ
13:チョークインダクタ
14:エミッタバイアス抵抗
15:バイパスコンデンサ
16、17:ベースバイアス抵抗
18:結合コンデンサ
2:発振トランジスタ
3:共振回路
3a:クラップコンデンサ
3b:共振線路
3c:コンデンサ
3d:バラクタダイオード
4:バイパスコンデンサ
5:チョークインダクタ
6、7:ベースバイアス抵抗
8、9:帰還コンデンサ
11:緩衝増幅回路
12:増幅トランジスタ
13:チョークインダクタ
14:エミッタバイアス抵抗
15:バイパスコンデンサ
16、17:ベースバイアス抵抗
18:結合コンデンサ
Claims (4)
- バラクタダイオードを有する共振回路と前記共振回路がベースに結合された発振トランジスタとからなる発振回路と、前記発振トランジスタに直列接続され、電源から供給されるコレクタ電流が前記発振トランジスタと共通の増幅トランジスタを有する緩衝増幅回路とを備え、前記発振トランジスタ又は前記増幅トランジスタのいずれかのベースバイアス電圧を切り替えて前記発振トランジスタ及び前記増幅トランジスタのコレクタ電流を遮断できるようにしたことを特徴とする電圧制御発振器。
- 前記発振トランジスタのベースに固定のバイアス電圧を印加し、前記増幅トランジスタのベースバイアス電圧を切り替えたことを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。
- 前記発振トランジスタを前記電源側に配置すると共に、前記増幅トランジスタをグランド側に配置し、前記発振トランジスタのエミッタを前記増幅トランジスタのコレクタに直流的に接続したことを特徴とする請求項2に記載の電圧制御発振器。
- 前記発振トランジスタのエミッタと前記増幅トランジスタのコレクタとの間に高周波阻止用のインダクタンス素子を介挿し、前記発振トランジスタのコレクタと前記増幅トランジスタのエミッタとを高周波的に接地したことを特徴とする請求項3に記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003357345A JP2005123927A (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003357345A JP2005123927A (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005123927A true JP2005123927A (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=34614258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003357345A Withdrawn JP2005123927A (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005123927A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7560997B2 (en) | 2006-06-26 | 2009-07-14 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device and test method therefor |
-
2003
- 2003-10-17 JP JP2003357345A patent/JP2005123927A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7560997B2 (en) | 2006-06-26 | 2009-07-14 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device and test method therefor |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061215 |