JP2005123447A - Solar battery and method for manufacturing the same - Google Patents

Solar battery and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2005123447A
JP2005123447A JP2003357783A JP2003357783A JP2005123447A JP 2005123447 A JP2005123447 A JP 2005123447A JP 2003357783 A JP2003357783 A JP 2003357783A JP 2003357783 A JP2003357783 A JP 2003357783A JP 2005123447 A JP2005123447 A JP 2005123447A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
diffusion layer
diffusion
main surface
concentration diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003357783A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4660642B2 (en
Inventor
Satoyuki Ikushima
聡之 生島
Hiroyuki Otsuka
寛之 大塚
Masatoshi Takahashi
正俊 高橋
Takenori Watabe
武紀 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd, Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2003357783A priority Critical patent/JP4660642B2/en
Publication of JP2005123447A publication Critical patent/JP2005123447A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4660642B2 publication Critical patent/JP4660642B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar battery which can be easily manufactured without adopting any complicate mask process with high converting efficiency, and to hardly generate any power loss due to voltage breakdown in a dopant diffusion layer at a light receiving face side. <P>SOLUTION: In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4. A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low. The finger electrodes 4 are formed so as to be brought into contact with the high concentration diffusion layers 3 in positional relations in which they cross the plurality of high concentration diffusion layers 3. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池とその製造方法に関する。   The present invention relates to a solar cell that directly converts light energy into electric energy and a method for manufacturing the solar cell.

特表平９−５０３３４５号公報JP-T 9-503345

太陽電池は、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型などがあり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料をもとに分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分けられる。シリコン結晶系太陽電池は、さらに、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は比較的容易に製造できることから、シリコン結晶系太陽電池が最も普及している。   A solar cell is a semiconductor element that converts light energy into electric power, and includes a pn junction type, a pin type, a Schottky type, and the pn junction type is widely used. In addition, when solar cells are classified based on their substrate materials, they can be broadly divided into three types: silicon crystal solar cells, amorphous (amorphous) silicon solar cells, and compound semiconductor solar cells. Silicon crystal solar cells are further classified into single crystal solar cells and polycrystalline solar cells. Since silicon crystal substrates for solar cells can be manufactured relatively easily, silicon crystal solar cells are most popular.

太陽電池の出力特性は、一般に、ソーラーシミュレータを用いて出力電流電圧曲線を測定することにより評価される。この曲線上で、出力電流Ｉｐと出力電圧Ｖｐとの積Ｉｐ・Ｖｐが最大となる点Ｐｍを最大出力Ｐｍと呼び、該Ｐｍを太陽電池に入射する総光エネルギー（Ｓ×Ｉ：Ｓは素子面積、Ｉは照射する光の強度）にて除した値：
η≡｛Ｐｍ／（Ｓ×Ｉ）｝×１００ （％） ‥‥（１）
が太陽電池の変換効率ηとして定義される。変換効率ηを高めるには、短絡電流Ｉｓｃ（電流電圧曲線上にてＶ＝０のときの出力電流値）あるいは開放電圧Ｖｏｃ（同じくＩ＝０のときの出力電圧値）を大きくすること、及び、出力電流電圧曲線をなるべく角型に近い形状のものとすることが重要である。なお、出力電流電圧曲線の角型の度合いは、一般に、
ＦＦ≡Ｉｐｍ×Ｖｐｍ／（Ｉｓｃ×Ｖｏｃ） ‥‥（２）
にて定義されるフィルファクタ（曲線因子）により評価でき、該ＦＦの値が１に近いほど出力電流電圧曲線が理想的な角型に近づき、変換効率ηも高められることを意味する。 In general, the output characteristics of a solar cell are evaluated by measuring an output current voltage curve using a solar simulator. On this curve, the point Pm at which the product Ip · Vp of the output current Ip and the output voltage Vp is maximum is called the maximum output Pm, and the total light energy (S × I: S is the element) incident on the solar cell. Area, I is the value divided by the intensity of the irradiated light):
η≡ {Pm / (S × I)} × 100 (%) (1)
Is defined as the conversion efficiency η of the solar cell. In order to increase the conversion efficiency η, the short circuit current Isc (output current value when V = 0 on the current-voltage curve) or the open circuit voltage Voc (also output voltage value when I = 0) is increased, and It is important to make the output current voltage curve as close to a square as possible. The squareness of the output current voltage curve is generally
FF≡Ipm × Vpm / (Isc × Voc) (2)
It means that the output current-voltage curve approaches an ideal square shape and the conversion efficiency η increases as the value of the FF is closer to 1.

短絡電流Ｉｓｃは、太陽電池の内部抵抗が大きいほど小さくなる傾向にある。太陽電池において内部抵抗を増加させる要因は種々存在するが、特に受光面側における電極の接触抵抗が問題になることが多い。太陽電池のｐ−ｎ接合構造は、半導体基板の受光面となる第一主表面側からのドーパント拡散により形成され、該第一主表面には、基板本体部分とは逆導電型となるドーパント拡散層が形成される。該第一主表面には太陽電池出力を取り出すための電極を形成する必要がある。他方、該第一主表面は受光面としても機能させなければならないが、電極で覆われた領域は光が遮断されてシャドウイングロスを生ず。そこで、光の入射効率を高めるために、図４に示すように、該光取出面側の電極は、内部抵抗低減のため適当な間隔で形成された太いバスバー電極１０と、そのバスバー電極１０から所定間隔で櫛型に分岐する細いフィンガー電極４とを有するものとして構成される。しかし、このフィンガー電極４は非常に細いため（例えば幅３０μｍ以上１５０μｍ以下、厚さ５μｍ以上５０μｍ以下）、電極接触抵抗が高くなりやすい傾向にある。   The short circuit current Isc tends to decrease as the internal resistance of the solar cell increases. There are various factors that increase the internal resistance in a solar cell, but the contact resistance of the electrode on the light receiving surface side is often a problem. The pn junction structure of the solar cell is formed by dopant diffusion from the first main surface side that becomes the light receiving surface of the semiconductor substrate, and the dopant diffusion having a conductivity type opposite to that of the substrate body portion is formed on the first main surface. A layer is formed. It is necessary to form an electrode for taking out the output of the solar cell on the first main surface. On the other hand, the first main surface must also function as a light-receiving surface. However, in the region covered with the electrodes, light is blocked and shadowing loss does not occur. Therefore, in order to increase the light incident efficiency, as shown in FIG. 4, the electrode on the light extraction surface side includes a thick bus bar electrode 10 formed at an appropriate interval for reducing internal resistance, and the bus bar electrode 10. The thin finger electrodes 4 are branched into a comb shape at a predetermined interval. However, since the finger electrode 4 is very thin (for example, a width of 30 μm to 150 μm and a thickness of 5 μm to 50 μm), the electrode contact resistance tends to increase.

電極接触抵抗を低減するには、ドーパント拡散層のドーパント濃度を高くすればよい。しかし、太陽電池では、短波長領域での変換効率を向上させるために、受光面におけるドーパント拡散層のドーパント濃度はなるべく低いこと、また、ドーパント拡散層の厚みは小さくすることが望ましい。   In order to reduce the electrode contact resistance, the dopant concentration of the dopant diffusion layer may be increased. However, in the solar cell, in order to improve the conversion efficiency in the short wavelength region, it is desirable that the dopant concentration of the dopant diffusion layer on the light receiving surface is as low as possible and that the thickness of the dopant diffusion layer is small.

そこで、上記の相反する要求を両立させるために、フィンガー電極と接触している領域のみに高濃度拡散層を形成し、他の受光面領域を低濃度のドーパント拡散層とする方法が種々考案されている。具体的には、２種類の濃度のドーパント拡散層を受光面上に形成するために、次の３種類の方法が用いられている：
（１）フォトマスク法
フォトマスクを用いた選択拡散によって、後にフィンガー電極直下となる領域のみに高濃度拡散層を形成する。そして、もう一度フォトマスクを用いて真空蒸着やスパッタ等の成膜工程を行い、高濃度拡散層上にのみフィンガー電極を作製する。
（２）ベリッドコンタクト法（特許文献１）
受光面上に形成した誘電体膜を、引っ掻き等の機械的加工や化学エッチ、レーザー等によって線状に除去する。その後、この線状の開口領域に高濃度拡散層を形成し、これに重なるように線状のフィンガー電極をめっき法により形成する。誘電体膜は、そのままパッシベーション皮膜として利用する。
（３）セレクティブエミッタ法
ドーパントを含んだ導電性ペーストでフィンガー電極をスクリーン印刷等により作製し、熱処理によってフィンガー電極直下のみペーストからのドーパント拡散による高濃度拡散層を形成する。 Therefore, in order to satisfy the above conflicting requirements, various methods have been devised in which a high concentration diffusion layer is formed only in a region in contact with the finger electrode and another light receiving surface region is formed as a low concentration dopant diffusion layer. ing. Specifically, the following three methods are used to form two types of dopant diffusion layers on the light receiving surface:
(1) Photomask method By selective diffusion using a photomask, a high-concentration diffusion layer is formed only in a region that will be directly below the finger electrode later. Then, a film formation process such as vacuum deposition or sputtering is performed once again using a photomask, and finger electrodes are formed only on the high concentration diffusion layer.
(2) Belid contact method (Patent Document 1)
The dielectric film formed on the light receiving surface is linearly removed by mechanical processing such as scratching, chemical etching, laser, or the like. Thereafter, a high concentration diffusion layer is formed in the linear opening region, and a linear finger electrode is formed by plating so as to overlap therewith. The dielectric film is used as it is as a passivation film.
(3) Selective emitter method A finger electrode is prepared by screen printing or the like with a conductive paste containing a dopant, and a high-concentration diffusion layer is formed by dopant diffusion from the paste only under the finger electrode by heat treatment.

しかし、上記の方法には次のような問題点がある。
まず、フォトマスク法では、フォトマスクを使用することにより工程数の増大と高精度の製造装置が要求され、製造コストを低減させることが困難となる。また、ベリッドコンタクト法では、主に無電解めっきでフィンガー電極を作製することから、太陽電池に必要な厚いフィンガー電極を作製するのは困難であり、生産性が劣る。セレクティブエミッタ法では、ドーパントを含んだペーストの価格が高いことと、ペーストからの拡散工程の安定性に問題がある。このように、どの方法においても製造工程におけるコストや生産性、安定性に問題を抱えている。また、どの方法においても、受光面側から太陽電池を見た場合、導電率の高い高濃度拡散層とフィンガー電極とが互いに重なるように形成されており、ドーパント拡散層の面内に高導電率を担保できる領域が偏って位置することになる。その結果、高濃度拡散層両側のドーパント濃度の低い領域（低濃度拡散層ともいう）には、フィンガー電極と直接接する部分がほとんど生じないので、フィンガー電極直下以外の領域でのドーパント濃度が不足し、該領域での電圧降下による電力損失が大きくなる欠点がある。 However, the above method has the following problems.
First, in the photomask method, the use of a photomask requires an increase in the number of processes and a highly accurate manufacturing apparatus, which makes it difficult to reduce manufacturing costs. In addition, in the verid contact method, since finger electrodes are mainly produced by electroless plating, it is difficult to produce thick finger electrodes necessary for solar cells, and productivity is inferior. In the selective emitter method, there are problems with the high cost of the paste containing the dopant and the stability of the diffusion process from the paste. As described above, any method has problems in cost, productivity, and stability in the manufacturing process. In any method, when the solar cell is viewed from the light-receiving surface side, the high-conductivity high-concentration diffusion layer and the finger electrode are formed so as to overlap each other, and the high-conductivity is in the plane of the dopant diffusion layer. The area where the security can be secured will be biased. As a result, the regions with low dopant concentration on both sides of the high-concentration diffusion layer (also referred to as low-concentration diffusion layers) have almost no portion in direct contact with the finger electrode, so the dopant concentration in regions other than directly under the finger electrode is insufficient. There is a drawback that power loss due to voltage drop in the region becomes large.

本発明の課題は、込み入ったマスク工程を採用せずとも容易に製造でき、しかも、受光面側のドーパント拡散層での電圧降下による電力損失が生じにくく変換効率の高い太陽電池と、その製造方法とを提供することにある。   An object of the present invention is a solar cell that can be easily manufactured without adopting an intricate mask process, and is less likely to cause power loss due to a voltage drop in the dopant diffusion layer on the light-receiving surface side, and has a high conversion efficiency, and a method for manufacturing the solar cell And to provide.

課題を解決するための手段及び発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記の課題を解決するために、本発明の太陽電池は、
第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、
半導体太陽電池基板の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い高濃度拡散層とされてなり、
フィンガー電極が、複数の高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the solar cell of the present invention is
A second conductive type dopant diffusion layer is formed on the first main surface side of the first conductive type semiconductor solar cell substrate, and a plurality of linear finger electrodes for output extraction are formed on the first main surface. While receiving sunlight at the first main surface area exposed between the finger electrodes,
On the first main surface of the semiconductor solar cell substrate, a plurality of linear high-concentration diffusion layers in which the dopant concentration is set higher than the surrounding region are formed, and the peripheral region of the high-concentration diffusion layer is Is also a high concentration diffusion layer with low dopant concentration,
The finger electrodes are formed so as to be in contact with the high-concentration diffusion layers at the respective crossing positions in a positional relationship crossing the plurality of high-concentration diffusion layers.

上記本発明の太陽電池によると、受光面をなすドーパント拡散層上に形成される複数の線状の高濃度拡散層にまたがるように、これらと交差するフィンガー電極を設けた。高濃度拡散層が線状にまばらに形成されることで、短波長領域での変換効率低下を生じにくい。そして、同様に導電率の高い線状のフィンガー電極は、高濃度拡散層との交差位置においては、該高濃度拡散層と低抵抗にてコンタクトが形成される。また、高濃度拡散層の間に位置する低高度拡散領域は、両側の高濃度拡散層以外にフィンガー電極とも直接接触する形となるから、該領域での電圧降下による電力損失も小さい。その結果、変換効率の高い太陽電池が実現する。   According to the solar cell of the present invention, the finger electrodes intersecting with the plurality of linear high-concentration diffusion layers formed on the dopant diffusion layer forming the light receiving surface are provided. Since the high-concentration diffusion layer is sparsely formed in a linear shape, the conversion efficiency in the short wavelength region is hardly reduced. Similarly, in the linear finger electrode having high conductivity, a contact is formed with the high-concentration diffusion layer at a low resistance at the intersection position with the high-concentration diffusion layer. In addition, since the low-altitude diffusion region located between the high-concentration diffusion layers is in direct contact with the finger electrodes in addition to the high-concentration diffusion layers on both sides, power loss due to a voltage drop in the region is small. As a result, a solar cell with high conversion efficiency is realized.

また、上記本発明の太陽電池は、以下の本発明の方法により容易に製造できる。すなわち、半導体太陽電池基板の第一主表面の全面を拡散阻止皮膜にて覆い、
該拡散阻止皮膜を線状に除去して拡散ウィンドウを形成し、
該拡散ウィンドウ領域内にドーパントを選択的に拡散させることにより高濃度拡散層を形成し、
拡散阻止皮膜を除去して高濃度拡散層を含む第一主表面の全面にドーパントを拡散させて、高濃度拡散層の周囲領域を、該高濃度拡散層よりもドーパント濃度の低い低濃度拡散層となし、
さらに、第一主表面に高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成する。 The solar cell of the present invention can be easily produced by the following method of the present invention. That is, the entire surface of the first main surface of the semiconductor solar cell substrate is covered with a diffusion barrier film,
Removing the diffusion barrier film in a line to form a diffusion window;
Forming a high-concentration diffusion layer by selectively diffusing a dopant in the diffusion window region;
The diffusion blocking film is removed to diffuse the dopant over the entire surface of the first main surface including the high-concentration diffusion layer, and the low-concentration diffusion layer having a lower dopant concentration than the high-concentration diffusion layer And none,
Further, linear finger electrodes are formed on the first main surface in a direction intersecting with the high concentration diffusion layer.

半導体太陽電池基板に拡散阻止被膜を形成し、これに線状の拡散ウィンドウを形成してドーパント拡散処理を行なうことにより、線状の高濃度拡散層を簡単に形成できる。また、高濃度拡散後は拡散阻止皮膜を除去後に基板の主表面全面にドーパント拡散を追加して行なうことにより、高濃度拡散層の周囲に低濃度拡散層を一様にかつ簡便に形成できる。そして、その後、高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成することで、本発明の太陽電池特有の受光面側電極構造を簡単に得ることができる。フィンガー電極は、高濃度拡散層との交差位置でのみ該高濃度拡散層との電気的なコンタクトが形成されればよいから、特許文献１のように、線状の高濃度拡散層に細いフィンガー電極を高精度で重ね合わせる必要がなくなり、金属製のフィンガー電極を蒸着やメッキ等で形成する際の、面倒なマスク合わせ工程も不要となる。   A linear high-concentration diffusion layer can be easily formed by forming a diffusion barrier coating on the semiconductor solar cell substrate, forming a linear diffusion window on the semiconductor solar cell substrate, and performing a dopant diffusion treatment. Further, after the high concentration diffusion, the low concentration diffusion layer can be uniformly and easily formed around the high concentration diffusion layer by adding the dopant diffusion to the entire main surface of the substrate after removing the diffusion blocking film. And after that, a linear finger electrode is formed in the direction intersecting with the high concentration diffusion layer, whereby the light receiving surface side electrode structure peculiar to the solar cell of the present invention can be easily obtained. Since the finger electrode only needs to form an electrical contact with the high-concentration diffusion layer only at the intersection with the high-concentration diffusion layer, a thin finger is formed on the linear high-concentration diffusion layer as in Patent Document 1. There is no need to superimpose the electrodes with high accuracy, and there is no need for a troublesome mask alignment process when forming the metal finger electrodes by vapor deposition or plating.

半導体太陽電池基板がシリコンにて形成される場合は、拡散阻止皮膜として例えばシリコン酸化被膜を使用できるが、シリコン窒化膜を用いてもよい。   When the semiconductor solar cell substrate is formed of silicon, for example, a silicon oxide film can be used as the diffusion prevention film, but a silicon nitride film may be used.

複数の高濃度拡散層は、半導体太陽電池基板の第一主表面上の第一方向に互いに平行に形成することができ、複数のフィンガー電極が、第一方向と交差する第二方向に互いに平行に形成することができる。線状の高濃度拡散層及びフィンガー電極を各々互いに平行に形成することで、基板主表面に高濃度拡散層及びフィンガー電極を一様に形成でき、受光面の全面に渡って均一な起電力分布を得ることができる。この場合、高濃度拡散層が形成される第一方向と、フィンガー電極が形成される第二方向とのなす角度が、９０゜±２０゜の範囲内であることが望ましい。該角度を上記範囲内とすることにより、高濃度拡散層内を流れる電流の流路を最短にすることができ、基板面内方向での電圧降下ひいては電池の内部抵抗増大を抑制することができる。この場合、複数の高濃度拡散層と複数のフィンガー電極とは、各々互いに等間隔に配置されていることが望ましい。   The plurality of high-concentration diffusion layers can be formed parallel to each other in the first direction on the first main surface of the semiconductor solar cell substrate, and the plurality of finger electrodes are parallel to each other in the second direction intersecting the first direction. Can be formed. By forming the linear high-concentration diffusion layer and the finger electrode in parallel with each other, the high-concentration diffusion layer and the finger electrode can be uniformly formed on the main surface of the substrate, and the electromotive force distribution is uniform over the entire surface of the light receiving surface. Can be obtained. In this case, it is desirable that the angle formed by the first direction in which the high concentration diffusion layer is formed and the second direction in which the finger electrodes are formed is within a range of 90 ° ± 20 °. By setting the angle within the above range, the flow path of the current flowing in the high-concentration diffusion layer can be minimized, and the voltage drop in the in-plane direction of the substrate and thus the increase in the internal resistance of the battery can be suppressed. . In this case, it is desirable that the plurality of high concentration diffusion layers and the plurality of finger electrodes are arranged at equal intervals.

高濃度拡散層は、半導体太陽電池基板の第一主表面上に刻設された拡散溝の内面に沿って形成することができる。この場合、拡散ウィンドウを形成する際に、拡散阻止皮膜とともに下地の基板部分を除去して拡散溝を形成し、当該拡散溝内面にドーパントを拡散することにより、高濃度拡散層を該拡散溝内面に沿って形成することができる。溝内面に沿って高濃度拡散層を形成すれば、該溝内部を充填する形でこれと交差する向きにフィンガー電極が形成されるので、フィンガー電極と高濃度拡散層とのコンタクト面積が増大し、電極抵抗のさらなる低減を図ることができる。また、溝内面にてフィンガー電極と半導体太陽電池基板との接触面積が増大することは、電極の付着強度を向上させる効果も生ずる。   The high concentration diffusion layer can be formed along the inner surface of the diffusion groove formed on the first main surface of the semiconductor solar cell substrate. In this case, when the diffusion window is formed, the base substrate portion is removed together with the diffusion blocking film to form a diffusion groove, and the dopant is diffused into the inner surface of the diffusion groove, so that the high concentration diffusion layer is formed on the inner surface of the diffusion groove. It can be formed along. If a high concentration diffusion layer is formed along the inner surface of the groove, the finger electrode is formed in the direction intersecting with the inside of the groove so as to fill the groove, so that the contact area between the finger electrode and the high concentration diffusion layer increases. Further, the electrode resistance can be further reduced. Further, an increase in the contact area between the finger electrode and the semiconductor solar cell substrate on the inner surface of the groove also has an effect of improving the adhesion strength of the electrode.

上記拡散溝は、レーザー加工にて刻設することができる。レーザーを使用することで拡散阻止層（例えばシリコン酸化膜）部分と、下地の半導体部分とを一括して除去でき、また、スポット状のレーザービームを溝形成方向に移動させることで簡単に溝刻設できる利点がある。また、レーザービームの移動により溝に対応した拡散ウィンドウがパターニングされるからエッチングマスクも不要であり、効率的である（なお、レーザービームの強度を調整することにより、拡散阻止層への拡散ウィンドウの刻設のみを行なって、基板下地への溝形成を敢えて行なわないようにすることも可能である）。   The diffusion groove can be engraved by laser processing. By using a laser, the diffusion blocking layer (for example, silicon oxide film) part and the underlying semiconductor part can be removed all at once, and the spot-shaped laser beam can be moved easily in the groove forming direction. There is an advantage that can be installed. In addition, since the diffusion window corresponding to the groove is patterned by the movement of the laser beam, an etching mask is not necessary and efficient (in addition, by adjusting the intensity of the laser beam, the diffusion window to the diffusion blocking layer is reduced). It is also possible to do only the engraving and not dare to form grooves in the substrate substrate).

半導体太陽電池基板が、第一主表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶からなる場合、拡散溝は任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成することが望ましい。こうすれば、拡散溝の長手方向がシリコン単結晶基板の劈開方向である＜１１０＞方向と交差するので、拡散溝に沿ったシリコン単結晶基板の割れ発生確率を減少させることができる。また、拡散溝の深さは、フィンガー電極の厚さよりも小さく設定することが望ましい。これにより、拡散溝側面でのフィンガー電極の断線の確率を大きく低減できる。   When the semiconductor solar cell substrate is made of a silicon single crystal whose first main surface is a {100} plane, it is desirable that the diffusion groove be formed in a direction intersecting with an arbitrary <110> direction. By so doing, the longitudinal direction of the diffusion groove intersects the <110> direction, which is the cleavage direction of the silicon single crystal substrate, so that the probability of cracking of the silicon single crystal substrate along the diffusion groove can be reduced. The depth of the diffusion groove is preferably set smaller than the thickness of the finger electrode. Thereby, the probability of the disconnection of the finger electrode on the side surface of the diffusion groove can be greatly reduced.

図１は、本発明の太陽電池の一実施例を模式的に示す斜視図である。該太陽電池１００は、半導体太陽電池基板としての第一導電型のシリコン単結晶基板１（以下、単に基板１と記載する：本実施形態ではｐ型とする）の第一主表面側に、第二導電型層のエミッタ層６５（ドーパント拡散層：本実施形態ではｎ型とする）が形成され、基板面内方向にｐ−ｎ接合面１６７が形成されている。エミッタ層６５の主表面には、出力取出用の電極が形成されている。エミッタ層６５は太陽電池の受光面を形成するので、ｐ−ｎ接合面１６７への光の入射効率を高めるために、電極は図４に示すように、ＡｌあるいはＡｇ等により、例えば内部抵抗低減のため適当な間隔で形成された太いバスバー電極１０と、そのバスバー電極から所定間隔で櫛型に分岐する線状のフィンガー電極４とを有するものとして構成される。そして、エミッタ層６５のフィンガー電極４の非形成領域が、窒化珪素からなるパッシベーション膜８にて覆われている。   FIG. 1 is a perspective view schematically showing one embodiment of the solar cell of the present invention. The solar cell 100 is formed on the first main surface side of a first conductivity type silicon single crystal substrate 1 (hereinafter simply referred to as substrate 1; in this embodiment, p-type) as a semiconductor solar cell substrate. A two-conductivity type emitter layer 65 (dopant diffusion layer: n-type in this embodiment) is formed, and a pn junction surface 167 is formed in the in-plane direction of the substrate. An electrode for output extraction is formed on the main surface of the emitter layer 65. Since the emitter layer 65 forms the light-receiving surface of the solar cell, in order to increase the light incident efficiency on the pn junction surface 167, the electrode is made of, for example, internal resistance reduced by Al or Ag as shown in FIG. Therefore, it is configured to have a thick bus bar electrode 10 formed at an appropriate interval and a linear finger electrode 4 branched from the bus bar electrode into a comb shape at a predetermined interval. A region where the finger electrode 4 is not formed in the emitter layer 65 is covered with a passivation film 8 made of silicon nitride.

エミッタ層６５には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされている。フィンガー電極４は、複数の高濃度拡散層３と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層３と接して形成されてなる。本実施形態では、複数の高濃度拡散層３が基板１の第一主表面上の第一方向ＤＬ１に互いに平行に形成され、複数のフィンガー電極４が、第一方向ＤＬ１と交差する第二方向ＤＬ２に互いに平行に形成されてなる。高濃度拡散層３が形成される第一方向ＤＬ１と、フィンガー電極４が形成される第二方向ＤＬ２とのなす角度は、９０゜±２０゜の範囲内である。なお、低濃度拡散層２の最表面部分が反転層（本実施形態では、低濃度拡散層２の要部がｎ型だから、反転層はｐ型となる）となっていてもよい。   In the emitter layer 65, a plurality of linear high-concentration diffusion layers 3 in which the dopant concentration is set higher than the surrounding region are formed, and the peripheral region of the high-concentration diffusion layer 3 has a dopant concentration higher than that. The low-concentration diffusion layer 2 is low. The finger electrodes 4 are formed in contact with the high-concentration diffusion layers 3 at the respective intersection positions in a positional relationship intersecting with the plurality of high-concentration diffusion layers 3. In the present embodiment, the plurality of high-concentration diffusion layers 3 are formed in parallel to each other in the first direction DL1 on the first main surface of the substrate 1, and the plurality of finger electrodes 4 are in the second direction intersecting the first direction DL1. They are formed parallel to each other in DL2. The angle formed between the first direction DL1 in which the high concentration diffusion layer 3 is formed and the second direction DL2 in which the finger electrode 4 is formed is within a range of 90 ° ± 20 °. Note that the outermost surface portion of the low-concentration diffusion layer 2 may be an inversion layer (in this embodiment, since the main part of the low-concentration diffusion layer 2 is n-type, the inversion layer is p-type).

また、高濃度拡散層３は、基板１の第一主表面上に刻設された拡散溝Ｇの内面に沿って形成されている。基板１は第一主表面が｛１００｝面であり、拡散溝Ｇは、任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成されている。そして、フィンガー電極４は、拡散溝Ｇを横切る形態で形成されるとともに、その内部を充填してなる。そして、該拡散溝Ｇの深さは、フィンガー電極４の厚さよりも小さく設定されている。   The high concentration diffusion layer 3 is formed along the inner surface of the diffusion groove G formed on the first main surface of the substrate 1. The first main surface of the substrate 1 is a {100} plane, and the diffusion groove G is formed in a direction intersecting with an arbitrary <110> direction. The finger electrode 4 is formed so as to cross the diffusion groove G and fills the inside thereof. The depth of the diffusion groove G is set smaller than the thickness of the finger electrode 4.

他方、基板１の第二主表面（裏面）は、窒化珪素もしくは酸化珪素からなる裏面側絶縁膜５にて覆われてなり、当該裏面側絶縁膜５の全面がＡｌ等からなる裏面電極７により覆われている。該裏面電極７は、該裏面側絶縁膜５を貫通する導通部（コンタクトホール）６を介して基板１の裏面と導通してなる。   On the other hand, the second main surface (back surface) of the substrate 1 is covered with a back-side insulating film 5 made of silicon nitride or silicon oxide, and the entire back-side insulating film 5 is covered with a back electrode 7 made of Al or the like. Covered. The back electrode 7 is electrically connected to the back surface of the substrate 1 through a conductive portion (contact hole) 6 that penetrates the back-side insulating film 5.

シリコン単結晶基板１は、ＦＺ（Floating Zone Melting）法及びＣＺ（Czochralski）法のいずれを用いてもよい。また、シリコン単結晶基板１に代えてＧａＡｓ単結晶基板や多結晶シリコン基板を用いることもできる。シリコン単結晶基板１を用いる場合は、結晶製造時にホウ素、ガリウムなどのＩＩＩ族元素がドープされたｐ型基板を用いてもよく、又はリン、ヒ素などのＶ族元素がドープされたｎ型基板を用いてもよいが、本実施形態ではｐ型基板を用いている。なお、基板抵抗は０．１Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下、望ましくは０．５Ω・ｃｍ以上２Ω・ｃｍ以下とすることが、高性能の太陽電池を実現する上で好適である。また、基板厚さについては、５０μｍ程度であれば、入射した光を太陽電池内にとらえることが可能であり、コスト面でも有利であるが、その後の基板への加工に対して十分な機械的強度を持つためには、１５０〜３００μｍであることが望ましい。   The silicon single crystal substrate 1 may use either FZ (Floating Zone Melting) method or CZ (Czochralski) method. Further, instead of the silicon single crystal substrate 1, a GaAs single crystal substrate or a polycrystalline silicon substrate can be used. When the silicon single crystal substrate 1 is used, a p-type substrate doped with a group III element such as boron or gallium may be used at the time of crystal production, or an n-type substrate doped with a group V element such as phosphorus or arsenic. In this embodiment, a p-type substrate is used. Note that the substrate resistance is preferably 0.1 Ω · cm to 10 Ω · cm, more preferably 0.5 Ω · cm to 2 Ω · cm, in order to realize a high-performance solar cell. Further, if the substrate thickness is about 50 μm, incident light can be captured in the solar cell, which is advantageous in terms of cost, but sufficient mechanical for subsequent processing on the substrate. In order to have strength, the thickness is desirably 150 to 300 μm.

以下、より具体的な例を挙げながらさらに詳しく説明する。図２は、フィンガー電極４に平行な方向での太陽電池１００の断面模式図であり、図３はフィンガー電極４に垂直な方向での太陽電池１００の断面模式図である。そして、図８〜図１０は、その製造工程の一例を模式的に示す説明図である。   Hereinafter, a more specific example will be described in more detail. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the solar cell 100 in a direction parallel to the finger electrode 4, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the solar cell 100 in a direction perpendicular to the finger electrode 4. 8-10 is explanatory drawing which shows typically an example of the manufacturing process.

まず、ＩＩＩ族元素のガリウムをドーパント元素とするｐ型単結晶太陽電池用シリコン単結晶基板１（１０ｃｍ角、面方位｛１００｝、基板厚３００μｍ、抵抗率０．５Ω・ｃｍ）を用意し、図８の工程１に示すごとく、例えば水酸化カリウム水溶液等のエッチング液によりエッチングして、加工により生じたダメージ層１ｄを取り除く。さらに異方性エッチング液として、イソプロピルアルコールを混入した水酸化カリウム水溶液を用い、反射防止構造である図５に示すようなテクスチャ構造を形成する。   First, a silicon single crystal substrate 1 for a p-type single crystal solar cell having a group III element gallium as a dopant element (10 cm square, plane orientation {100}, substrate thickness 300 μm, resistivity 0.5 Ω · cm) is prepared. As shown in step 1 of FIG. 8, etching is performed with an etchant such as an aqueous potassium hydroxide solution to remove the damaged layer 1d caused by processing. Further, a potassium hydroxide aqueous solution mixed with isopropyl alcohol is used as an anisotropic etching solution to form a texture structure as shown in FIG. 5 which is an antireflection structure.

次に、工程２に示すように、シリコン単結晶基板１の第一主表面及び第二主表面に、拡散阻止層をなす酸化膜８０，５を熱酸化により形成する。なお、受光面となる第一主表面側にのみ液相ＣＶＤ法により、拡散阻止層をなす窒化膜を形成しても良い。そして、工程３に示すように、受光面側に複数の拡散溝Ｇを、互いに平行となるようにレーザー加工で作製する。溝深さは０．１μｍ以上５０μｍ以下（例えば３μｍ）である。このレーザー加工工程により、拡散溝Ｇ形成部において酸化膜８０は一定幅（５μｍ以上５００μｍ以下（例えば１００μｍ）の線状に除去される。   Next, as shown in step 2, oxide films 80 and 5 forming a diffusion blocking layer are formed on the first main surface and the second main surface of the silicon single crystal substrate 1 by thermal oxidation. Note that a nitride film that forms a diffusion blocking layer may be formed only on the first main surface side serving as the light receiving surface by liquid phase CVD. Then, as shown in step 3, a plurality of diffusion grooves G are formed on the light receiving surface side by laser processing so as to be parallel to each other. The groove depth is not less than 0.1 μm and not more than 50 μm (for example, 3 μm). By this laser processing step, the oxide film 80 is removed in a linear shape having a constant width (5 μm or more and 500 μm or less (for example, 100 μm)) in the diffusion groove G forming portion.

この際、拡散溝Ｇの長手方向はシリコン単結晶基板１の＜１１０＞方向と直交するのが好ましい。レーザー加工によって形成される拡散溝の長手方向を、単結晶シリコン単結晶基板の劈開方向（＜１１０＞方向）と交差させることにより、拡散溝Ｇに沿ったシリコン単結晶基板１の割れ発生確率を減少させることができる。また、拡散溝Ｇの深さは後に形成されるフィンガー電極４の厚さよりも小さいことが望ましい。これにより、拡散溝側面でのフィンガー電極の断線の確率を大きく低減できる。なお、レーザー加工には、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、アルゴンレーザ、ＹＡＧレーザー等が用いられる。ここでは、特にＹＡＧレーザーが生産コストの観点にて望ましい。   At this time, the longitudinal direction of the diffusion groove G is preferably orthogonal to the <110> direction of the silicon single crystal substrate 1. By making the longitudinal direction of the diffusion groove formed by laser processing intersect with the cleavage direction (<110> direction) of the single crystal silicon single crystal substrate, the probability of occurrence of cracks in the silicon single crystal substrate 1 along the diffusion groove G is increased. Can be reduced. Further, the depth of the diffusion groove G is preferably smaller than the thickness of the finger electrode 4 to be formed later. Thereby, the probability of the disconnection of the finger electrode on the side surface of the diffusion groove can be greatly reduced. For laser processing, a carbon dioxide laser, excimer laser, argon laser, YAG laser, or the like is used. Here, the YAG laser is particularly desirable from the viewpoint of production cost.

図２に示すように、本実施形態では、拡散溝Ｇの断面形状を円弧状としているが、図６に示すように矩形断面形状の拡散溝Ｇを形成してもよいし、図７に示すようにＶ字断面形状の拡散溝Ｇを形成してもよい。   As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the cross-sectional shape of the diffusion groove G is an arc shape. However, as shown in FIG. 6, the diffusion groove G having a rectangular cross-sectional shape may be formed, as shown in FIG. 7. In this way, a diffusion groove G having a V-shaped cross section may be formed.

図９の工程４に進み、第一拡散処理として、ｎ型の高濃度拡散層３’を拡散溝Ｇの内面に沿って形成する。本実施形態では、ＰＯＣｌ３液体ソースを利用した熱拡散により、Ｖ族元素のリンをドーパントとして拡散処理を行なっている。このとき、第一主表面上に残っている酸化膜８０がリン拡散に対するマスクとして働くため、拡散溝Ｇの内面にリンを選択的に拡散させることができる。なお、該工程は塗布拡散法やイオン注入法によって行なうこともできる。第一拡散処理が終了後、工程５に示すように、フッ酸水溶液等のエッチング液により第一主表面側の酸化膜８０を除去する。 Proceeding to step 4 in FIG. 9, an n-type high concentration diffusion layer 3 ′ is formed along the inner surface of the diffusion groove G as the first diffusion treatment. In this embodiment, diffusion treatment is performed using phosphorus of a group V element as a dopant by thermal diffusion using a POCl 3 liquid source. At this time, since the oxide film 80 remaining on the first main surface serves as a mask for phosphorus diffusion, phosphorus can be selectively diffused into the inner surface of the diffusion groove G. This step can also be performed by a coating diffusion method or an ion implantation method. After the first diffusion treatment is completed, as shown in Step 5, the oxide film 80 on the first main surface side is removed with an etchant such as a hydrofluoric acid aqueous solution.

酸化膜８０を除去したら工程６に進み、第一主表面に対し第二拡散処理を行なってｎ型の低濃度拡散層２を形成する。この第二拡散処理も熱拡散によりＶ族元素のリンをドーパントとして行なうことができる。低濃度拡散層２は、シート抵抗が５０Ω／□以上３００Ω／□以下（例えば１００Ω／□）となるように形成する。この第二拡散処理により、第一拡散処理にて既に形成されている拡散溝Ｇ内面の高濃度拡散層３’にはドーパントが追加拡散され、シート抵抗が１Ω／□以上５０Ω／□以下（例えば１０Ω／□）の高濃度拡散層３となる。この第二拡散処理も、塗布拡散、もしくはイオン注入法によって代替することが可能である。   When the oxide film 80 is removed, the process proceeds to step 6 where the first main surface is subjected to the second diffusion treatment to form the n-type low concentration diffusion layer 2. This second diffusion treatment can also be carried out by thermal diffusion as a dopant for group V phosphorus. The low concentration diffusion layer 2 is formed so that the sheet resistance is 50Ω / □ or more and 300Ω / □ or less (for example, 100Ω / □). By this second diffusion treatment, the dopant is additionally diffused into the high-concentration diffusion layer 3 ′ on the inner surface of the diffusion groove G already formed by the first diffusion treatment, and the sheet resistance is 1Ω / □ or more and 50Ω / □ or less (for example, 10Ω / □) of high concentration diffusion layer 3. This second diffusion treatment can also be replaced by coating diffusion or ion implantation.

次に、図１０の工程７に進み、第二主表面においてレーザー加工により酸化膜５に開口部６を設け、さらに開口部６とともに酸化膜５の全面を覆うように、アルミニウム等の真空蒸着ないしスパッタ等により裏面電極７を形成する。この裏面電極７は、厚さが例えば１μｍ以上１０μｍ以下（例えば５μｍ）に形成される。なお、第一主表面側に拡散阻止層として窒化膜を形成した場合は、蒸着やスパッタリング以外に、ファイヤースルー法によりフィンガー電極を形成することもできる。これは、導電性ペーストのスクリーン印刷によりフィンガー電極のパターンを窒化膜上に形成し、さらに焼成する方法である。これにより、ペースト内に含まれる金属とガラスのフリットとが熱によって溶融し、窒化膜を突き破ってエミッタ層に到達することによりコンタクトホールが形成される。この場合は、導電性ペースト（例えばアルミニウムペースト）印刷＋焼成法により裏面電極７をフィンガー電極４と同時に形成することも可能である。   Next, the process proceeds to step 7 in FIG. 10, in which the opening 6 is provided in the oxide film 5 by laser processing on the second main surface, and further, vacuum deposition or the like of aluminum or the like is performed so as to cover the entire surface of the oxide film 5 together with the opening 6. The back electrode 7 is formed by sputtering or the like. The back electrode 7 is formed to have a thickness of, for example, 1 μm to 10 μm (for example, 5 μm). In addition, when a nitride film is formed as a diffusion blocking layer on the first main surface side, finger electrodes can be formed by a fire-through method in addition to vapor deposition and sputtering. This is a method in which a finger electrode pattern is formed on a nitride film by screen printing of a conductive paste and then fired. As a result, the metal and the glass frit contained in the paste are melted by heat, and the contact hole is formed by breaking through the nitride film and reaching the emitter layer. In this case, it is also possible to form the back electrode 7 simultaneously with the finger electrode 4 by printing and baking a conductive paste (for example, aluminum paste).

次に、工程８に示すように、基板１の第一主表面にフィンガー電極４を、アルミニウム等の真空蒸着により、高濃度拡散層３と交差するように（つまり、長手方向と平行にならないように）形成する。フィンガー電極４は、スクリーン印刷法やスパッタによって形成してもなんら構わない。この際、電力損失の観点から、フィンガー電極４と高濃度拡散層３とは直角ないしそれに近い角度（９０°±２０°）で交差していること好ましい。それによって、高濃度拡散層３内を流れる電流の流路を最短にすることができる。   Next, as shown in step 8, the finger electrode 4 is formed on the first main surface of the substrate 1 by vacuum deposition such as aluminum so as to intersect the high concentration diffusion layer 3 (that is, not to be parallel to the longitudinal direction). To) to form. The finger electrode 4 may be formed by screen printing or sputtering. At this time, from the viewpoint of power loss, it is preferable that the finger electrode 4 and the high concentration diffusion layer 3 intersect at a right angle or an angle close thereto (90 ° ± 20 °). As a result, the flow path of the current flowing in the high concentration diffusion layer 3 can be minimized.

最後に、太陽光反射防止と表面保護をかねて、窒化珪素等からなるパッシペーション膜８を第一主表面上に形成する。このパッシペーション膜の成膜はプラズマＣＶＤ法により実施することが可能であるが、ＰＶＤ法を用いても問題ない。   Finally, a passivation film 8 made of silicon nitride or the like is formed on the first main surface in order to prevent sunlight reflection and protect the surface. The passivation film can be formed by the plasma CVD method, but there is no problem even if the PVD method is used.

以上の方法にて形成した太陽電池を実施例１とする一方、レーザー加工に代えてフォトリソグラフィー工程を用いて高濃度拡散領域３を線状に形成し、さらに高濃度拡散領域３の直上のみに、これと長手方向に重なるようにフィンガー電極を４形成した太陽電池を用意した（比較例１）。また、受光面全体にリンのドーパント拡散層を均一に形成した太陽電池も作製した。（比較例２）。なお、比較例１、２とも、第一主表面上のドーパント拡散領域の配置以外の仕様は実施例１と同じとした。これらの太陽電池をの出力特性、市販のソーラーシミュレータ（光強度：１ｋＷ／ｍ２、スペクトル：ＡＭ１．５グローバル）を用いて測定した。得られた結果を表１に示す。 While the solar cell formed by the above method is set as Example 1, the high-concentration diffusion region 3 is formed in a linear shape by using a photolithography process instead of laser processing, and only directly above the high-concentration diffusion region 3. A solar cell in which four finger electrodes were formed so as to overlap in the longitudinal direction was prepared (Comparative Example 1). Further, a solar cell in which a phosphorus dopant diffusion layer was uniformly formed on the entire light receiving surface was also produced. (Comparative example 2). In Comparative Examples 1 and 2, the specifications other than the arrangement of the dopant diffusion region on the first main surface were the same as those in Example 1. The output characteristics of these solar cells were measured using a commercially available solar simulator (light intensity: 1 kW / m 2 , spectrum: AM1.5 global). The obtained results are shown in Table 1.

Figure 2005123447
Figure 2005123447

上記の結果によると、実施例１の太陽電池の出力特性は、フォトリソグラフィー工程を用いた比較例１と比べれば多少劣るが、受光面全体に均一に拡散を施した比較例２よりは明らかに出力特性が良好であり、かつ製造は比較例１の太陽電池よりもはるかに容易である。つまり、実施例１は、フォトリソ工程を用いないことによって作製工程の大幅な簡略化が達成され、製造に要する経費低減が可能である。   According to the above results, the output characteristics of the solar cell of Example 1 are slightly inferior to those of Comparative Example 1 using the photolithography process, but clearly compared to Comparative Example 2 in which the entire light receiving surface is uniformly diffused. The output characteristics are good and the manufacture is much easier than the solar cell of Comparative Example 1. That is, in Example 1, the manufacturing process can be greatly simplified by not using the photolithography process, and the cost required for manufacturing can be reduced.

次に、実施例１のタイプの太陽電池と比較例２のタイプの太陽電池とで、ドーパント拡散層とフィンガー電極内の電力損失と、フィンガー電極によるシャドーイングロスとについて計算した。太陽電池の受光面は１０ｃｍ四方の正方形とし、その他の計算条件を表２にまとめて示している。また、計算結果を表３に示す。   Next, in the solar cell of the type of Example 1 and the solar cell of the comparative example 2, the power loss in the dopant diffusion layer and the finger electrode and the shadowing loss due to the finger electrode were calculated. The light-receiving surface of the solar cell is a 10 cm square, and other calculation conditions are summarized in Table 2. The calculation results are shown in Table 3.

Figure 2005123447
Figure 2005123447

Figure 2005123447
Figure 2005123447

この結果から、実施例１では電流路に起因する損失の割合が多少大きくなるものの、比較例２との差はごく僅かである（２．９％）。これは、太陽電池出力に換算しても０．６Ｗ程度に過ぎない。なお、上記の計算では、低拡散濃度層３とフィンガー電極４との接触抵抗を無限大に設定したが、実際の接触抵抗はもっと低いため、接触抵抗による損失は本計算結果よりも小さくなる。   From this result, although the ratio of the loss due to the current path is somewhat increased in Example 1, the difference from Comparative Example 2 is very small (2.9%). This is only about 0.6 W even when converted into solar cell output. In the above calculation, the contact resistance between the low diffusion concentration layer 3 and the finger electrode 4 is set to infinity, but since the actual contact resistance is lower, the loss due to the contact resistance is smaller than the result of this calculation.

次に、市販の太陽電池解析プログラム（University of New South Wales：ＰＣ１Ｄ、Ｖｅｒ．５．３）を用い、実施例１と比較例２とを解析した。解析条件を表４に示し、また、得られた解析結果を表５に示す。   Next, Example 1 and Comparative Example 2 were analyzed using a commercially available solar cell analysis program (University of New South Wales: PC1D, Ver. 5.3). The analysis conditions are shown in Table 4, and the obtained analysis results are shown in Table 5.

Figure 2005123447
Figure 2005123447

Figure 2005123447
Figure 2005123447

上記の結果によると、実施例１の太陽電池出力は、比較例２と比べて１．１Ｗ向上することがわかる。よって本発明に係る実施例１の太陽電池は、電流路に起因する損失を差し引いても、比較例２に比べ少なくとも０．５Ｗ動作出力が向上することがわかる。   According to said result, it turns out that the solar cell output of Example 1 improves 1.1W compared with the comparative example 2. FIG. Therefore, it can be seen that the solar cell of Example 1 according to the present invention improves the operation output by at least 0.5 W as compared with Comparative Example 2 even if the loss due to the current path is subtracted.

以上のごとく、本発明の太陽電池によると、以下のような効果を達成することができる。すなわち、フィンガー電極と高濃度拡散層とが接触した領域では、他の低濃度拡散層と接触した領域に比べ、低い接触抵抗を得ることができる。そして、線状に形成された高濃度拡散層がフィンガー電極と交わるように配置されていることにより、高濃度拡散層とフィンガー電極とは、その作製工程において位置精度がそれほど問題でなくなり、フォトリソグラフィー工程等の高コストの工程を省略することが可能である。また、低濃度拡散層からフィンガー電極に向かって移動するキャリアは、高濃度拡散層を経由してフィンガー電極に移動することによって、より低い電力損失で集電される。この結果、フィンガー電極間の間隔を増大させても電力損失を低く保つことができ、フィンガー電極本数を減らすことが可能である。これにより、フィンガー電極によるシャドーイング損失を減少させることができる。   As described above, according to the solar cell of the present invention, the following effects can be achieved. That is, in the region where the finger electrode and the high-concentration diffusion layer are in contact with each other, a lower contact resistance can be obtained compared to the region in contact with the other low-concentration diffusion layer. Since the high-concentration diffusion layer formed in a line intersects the finger electrode, the positional accuracy of the high-concentration diffusion layer and the finger electrode is not so much a problem in the manufacturing process. It is possible to omit high-cost processes such as processes. Further, carriers that move from the low concentration diffusion layer toward the finger electrode move to the finger electrode via the high concentration diffusion layer, and are collected with lower power loss. As a result, even if the interval between the finger electrodes is increased, the power loss can be kept low, and the number of finger electrodes can be reduced. Thereby, the shadowing loss by the finger electrode can be reduced.

本発明の太陽電池の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the solar cell of this invention. 図１の太陽電池の第一の断面模式図。FIG. 2 is a schematic first cross-sectional view of the solar cell in FIG. 1. 図１の太陽電池の第二の断面模式図。The 2nd cross-sectional schematic diagram of the solar cell of FIG. 受光面側の電極形態を示す模式図。The schematic diagram which shows the electrode form of the light-receiving surface side. テクスチャ構造の概念図。Conceptual diagram of texture structure. 拡散溝の断面形態の第一変形例を示す図。The figure which shows the 1st modification of the cross-sectional form of a diffusion groove | channel. 拡散溝の断面形態の第二変形例を示す図。The figure which shows the 2nd modification of the cross-sectional form of a diffusion groove. 図１の太陽電池の製造方法の一例を示す工程説明図。Process explanatory drawing which shows an example of the manufacturing method of the solar cell of FIG. 図８に続く工程説明図。Process explanatory drawing following FIG. 図９に続く工程説明図。Process explanatory drawing following FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ シリコン単結晶基板（半導体太陽電池基板）
２ 低濃度拡散層
３ 高濃度拡散層
４ フィンガー電極
６５ エミッタ層（ドーパント拡散層）
１００ 太陽電池
Ｇ 拡散溝 1 Silicon single crystal substrate (semiconductor solar cell substrate)
2 Low-concentration diffusion layer 3 High-concentration diffusion layer 4 Finger electrode 65 Emitter layer (dopant diffusion layer)
100 Solar cell G Diffusion groove

Claims (9)

第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面層上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、
前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面には、前記ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりも前記ドーパントの濃度が低い低濃度拡散層とされてなり、
前記フィンガー電極が、複数の前記高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなることを特徴とする太陽電池。 A second conductive type dopant diffusion layer is formed on the first main surface side of the first conductive type semiconductor solar cell substrate, and a plurality of linear finger electrodes for output extraction are formed on the first main surface layer. , Receiving sunlight at the first main surface area exposed between the finger electrodes,
On the first main surface of the semiconductor solar cell substrate, a plurality of linear high-concentration diffusion layers in which the concentration of the dopant is set higher than the surrounding region are formed, and the peripheral region of the high-concentration diffusion layer is And a low-concentration diffusion layer having a lower dopant concentration than that,
The solar cell, wherein the finger electrode is formed in contact with the high-concentration diffusion layer at each crossing position in a positional relationship crossing the plurality of high-concentration diffusion layers. 複数の前記高濃度拡散層が前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面上の第一方向に互いに平行に形成され、
複数の前記フィンガー電極が、前記第一方向と交差する第二方向に互いに平行に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。 A plurality of the high-concentration diffusion layers are formed parallel to each other in a first direction on the first main surface of the semiconductor solar cell substrate;
The solar cell according to claim 1, wherein the plurality of finger electrodes are formed in parallel to each other in a second direction intersecting the first direction. 前記高濃度拡散層が形成される前記第一方向と、前記フィンガー電極が形成される前記第二方向とのなす角度が、９０゜±２０゜の範囲内であることを特徴とする請求項２記載の太陽電池。 The angle formed by the first direction in which the high-concentration diffusion layer is formed and the second direction in which the finger electrode is formed is within a range of 90 ° ± 20 °. The solar cell described. 前記高濃度拡散層は、前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面上に刻設された拡散溝の内面に沿って形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池。 The high-concentration diffusion layer is formed along the inner surface of a diffusion groove formed on the first main surface of the semiconductor solar cell substrate. The solar cell according to item 1. 前記半導体太陽電池基板は、前記第一主表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶からなり、前記拡散溝が任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成されていることを特徴とする請求項４記載の太陽電池。 The semiconductor solar cell substrate is formed of a silicon single crystal whose first main surface is a {100} plane, and the diffusion groove is formed in a direction intersecting with an arbitrary <110> direction. Item 5. The solar cell according to Item 4. 前記拡散溝の深さが前記フィンガー電極の厚さよりも小さく設定されていることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の太陽電池。 6. The solar cell according to claim 4, wherein a depth of the diffusion groove is set smaller than a thickness of the finger electrode. 請求項１記載の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面の全面を拡散阻止皮膜にて覆い、
該拡散阻止皮膜を線状に除去して拡散ウィンドウを形成し、
該拡散ウィンドウ領域内に前記ドーパントを選択的に拡散させることにより前記高濃度拡散層を形成し、
前記拡散阻止皮膜を除去して前記高濃度拡散層を含む前記第一主表面の全面に前記ドーパントを拡散させて、前記高濃度拡散層の周囲領域を、該高濃度拡散層よりもドーパント濃度の低い低濃度拡散層となし、
さらに、前記第一主表面に前記高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 It is a manufacturing method of the solar cell of Claim 1, Comprising:
Covering the entire surface of the first main surface of the semiconductor solar cell substrate with a diffusion barrier film,
Removing the diffusion barrier film in a line to form a diffusion window;
Forming the high concentration diffusion layer by selectively diffusing the dopant in the diffusion window region;
The diffusion blocking film is removed and the dopant is diffused over the entire surface of the first main surface including the high-concentration diffusion layer, so that the peripheral region of the high-concentration diffusion layer has a dopant concentration higher than that of the high-concentration diffusion layer. Without a low concentration diffusion layer,
Furthermore, a linear finger electrode is formed on the first main surface in a direction crossing the high-concentration diffusion layer. 前記拡散ウィンドウを形成する際に、前記拡散阻止皮膜とともに下地の基板部分を除去して拡散溝を形成し、当該拡散溝内面に前記ドーパントを拡散することにより、前記高濃度拡散層を該拡散溝内面に沿って形成することを特徴とする請求項７記載の太陽電池の製造方法。 When forming the diffusion window, the base substrate portion is removed together with the diffusion blocking film to form a diffusion groove, and the dopant is diffused into the inner surface of the diffusion groove, whereby the high-concentration diffusion layer is formed into the diffusion groove. The method for manufacturing a solar cell according to claim 7, wherein the solar cell is formed along an inner surface. 前記拡散溝をレーザー加工にて刻設することを特徴とする請求項８記載の太陽電池の製造方法。 9. The method for manufacturing a solar cell according to claim 8, wherein the diffusion grooves are formed by laser processing.
JP2003357783A 2003-10-17 2003-10-17 Solar cell and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP4660642B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003357783A JP4660642B2 (en) 2003-10-17 2003-10-17 Solar cell and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003357783A JP4660642B2 (en) 2003-10-17 2003-10-17 Solar cell and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005123447A true JP2005123447A (en) 2005-05-12
JP4660642B2 JP4660642B2 (en) 2011-03-30

Family

ID=34614576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003357783A Expired - Lifetime JP4660642B2 (en) 2003-10-17 2003-10-17 Solar cell and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4660642B2 (en)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324504A (en) * 2005-05-19 2006-11-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Solar cell
WO2006130910A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-14 Newsouth Innovations Pty Limited Transparent conductors for silicon solar cells
JP2007234641A (en) * 2006-02-27 2007-09-13 Sharp Corp Photoelectric conversion element
DE102006057328A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Q-Cells Ag Solar cell has laminar semiconductor substrate, and dielectric layer with oblong openings, where oblong metallic contacts are arranged transverse to those oblong openings
DE102007059486A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rear contact solar cell with elongated, interleaved emitter and base regions at the back and manufacturing method thereof
KR100910968B1 (en) 2006-03-13 2009-08-05 엘지전자 주식회사 Process for Preparation of Silicon Solar Cell
WO2009118861A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 三菱電機株式会社 Photovolatic power device and method for manufacturing the same
JP2010056241A (en) * 2008-08-27 2010-03-11 Mitsubishi Electric Corp Photovoltaic power device, and method for manufacturing the same
JP2010532927A (en) * 2007-07-10 2010-10-14 ドイチェ セル ゲーエムベーハー Contact structure for semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2010119512A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 三菱電機株式会社 Photovoltaic device and method for manufacturing the same
JP2011035101A (en) * 2009-07-31 2011-02-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Solar cell and manufacturing method thereof
AU2006255483B2 (en) * 2005-06-07 2011-06-16 Newsouth Innovations Pty Limited Transparent conductors for silicon solar cells
JP2011524638A (en) * 2008-06-11 2011-09-01 インテバック・インコーポレイテッド Semiconductor device and solar cell manufacturing method
JP2011228529A (en) * 2010-04-21 2011-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Solar battery cell and manufacturing method thereof
WO2011162203A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 シャープ株式会社 Solar cell
KR20120080905A (en) * 2011-01-10 2012-07-18 엘지전자 주식회사 Solar cell
WO2012117558A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 三菱電機株式会社 Photovoltaic device, manufacturing method therefor, and photovoltaic module
JP2012521642A (en) * 2009-03-20 2012-09-13 インテバック・インコーポレイテッド Solar cell and manufacturing method thereof
WO2012140808A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 三菱電機株式会社 Solar cell and manufacturing method for same, and solar cell module
US8354585B2 (en) 2008-11-26 2013-01-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
US8997688B2 (en) 2009-06-23 2015-04-07 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
JP2015211117A (en) * 2014-04-25 2015-11-24 三菱電機株式会社 Method of manufacturing solar cell and solar cell
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
JPWO2015087472A1 (en) * 2013-12-13 2017-03-16 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of solar cell
US10141466B2 (en) 2010-08-26 2018-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate for solar cell, and solar cell
JP7168800B1 (en) 2021-12-09 2022-11-09 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド Solar cells and photovoltaic modules

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413774A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Hitachi Ltd Photoelectric conversion device
JPH05243592A (en) * 1992-03-02 1993-09-21 Sharp Corp Solar cell and manufacture thereof
JPH11508088A (en) * 1995-06-21 1999-07-13 フラウンホファー．ゲゼルシャフト．ツール．フォルデンウング．デール．アンゲヴァンドテン．フォルシュング．エー．ファウ Solar cell having surface textured radiating layer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413774A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Hitachi Ltd Photoelectric conversion device
JPH05243592A (en) * 1992-03-02 1993-09-21 Sharp Corp Solar cell and manufacture thereof
JPH11508088A (en) * 1995-06-21 1999-07-13 フラウンホファー．ゲゼルシャフト．ツール．フォルデンウング．デール．アンゲヴァンドテン．フォルシュング．エー．ファウ Solar cell having surface textured radiating layer

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324504A (en) * 2005-05-19 2006-11-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Solar cell
WO2006130910A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-14 Newsouth Innovations Pty Limited Transparent conductors for silicon solar cells
AU2006255483B2 (en) * 2005-06-07 2011-06-16 Newsouth Innovations Pty Limited Transparent conductors for silicon solar cells
US8962979B2 (en) 2005-06-07 2015-02-24 Newsouth Innovations Pty Limited Transparent conductors for silicon solar cells
JP4489035B2 (en) * 2006-02-27 2010-06-23 シャープ株式会社 Photoelectric conversion element
JP2007234641A (en) * 2006-02-27 2007-09-13 Sharp Corp Photoelectric conversion element
KR100910968B1 (en) 2006-03-13 2009-08-05 엘지전자 주식회사 Process for Preparation of Silicon Solar Cell
DE102006057328A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Q-Cells Ag Solar cell has laminar semiconductor substrate, and dielectric layer with oblong openings, where oblong metallic contacts are arranged transverse to those oblong openings
JP2010532927A (en) * 2007-07-10 2010-10-14 ドイチェ セル ゲーエムベーハー Contact structure for semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102007059486A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rear contact solar cell with elongated, interleaved emitter and base regions at the back and manufacturing method thereof
WO2009118861A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 三菱電機株式会社 Photovolatic power device and method for manufacturing the same
JP2011524638A (en) * 2008-06-11 2011-09-01 インテバック・インコーポレイテッド Semiconductor device and solar cell manufacturing method
JP2010056241A (en) * 2008-08-27 2010-03-11 Mitsubishi Electric Corp Photovoltaic power device, and method for manufacturing the same
US8354585B2 (en) 2008-11-26 2013-01-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
JP2012521642A (en) * 2009-03-20 2012-09-13 インテバック・インコーポレイテッド Solar cell and manufacturing method thereof
WO2010119512A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 三菱電機株式会社 Photovoltaic device and method for manufacturing the same
US8722453B2 (en) 2009-04-14 2014-05-13 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaic device and method for manufacturing the same
US8997688B2 (en) 2009-06-23 2015-04-07 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9303314B2 (en) 2009-06-23 2016-04-05 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
US9741894B2 (en) 2009-06-23 2017-08-22 Intevac, Inc. Ion implant system having grid assembly
JP2011035101A (en) * 2009-07-31 2011-02-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Solar cell and manufacturing method thereof
JP2011228529A (en) * 2010-04-21 2011-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Solar battery cell and manufacturing method thereof
CN103069573A (en) * 2010-06-24 2013-04-24 夏普株式会社 Solar cell
WO2011162203A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 シャープ株式会社 Solar cell
JP2012009578A (en) * 2010-06-24 2012-01-12 Sharp Corp Solar cell
US10141466B2 (en) 2010-08-26 2018-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Substrate for solar cell, and solar cell
KR20120080905A (en) * 2011-01-10 2012-07-18 엘지전자 주식회사 Solar cell
KR101690797B1 (en) 2011-01-10 2016-12-28 엘지전자 주식회사 Solar cell
KR101596555B1 (en) 2011-03-03 2016-02-22 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
DE112012001067T5 (en) 2011-03-03 2013-11-28 Mitsubishi Electric Corp. Photovoltaic device, manufacturing method for this, and photovoltaic module
JP5622925B2 (en) * 2011-03-03 2014-11-12 三菱電機株式会社 Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
WO2012118201A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 三菱電機株式会社 Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
US9252305B2 (en) 2011-03-03 2016-02-02 Mitsubishi Electric Corporation Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
KR20130111605A (en) 2011-03-03 2013-10-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
WO2012117558A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 三菱電機株式会社 Photovoltaic device, manufacturing method therefor, and photovoltaic module
WO2012140808A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 三菱電機株式会社 Solar cell and manufacturing method for same, and solar cell module
JP5665975B2 (en) * 2011-04-15 2015-02-04 三菱電機株式会社 SOLAR CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, SOLAR CELL MODULE
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US9875922B2 (en) 2011-11-08 2018-01-23 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
US9583661B2 (en) 2012-12-19 2017-02-28 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
JPWO2015087472A1 (en) * 2013-12-13 2017-03-16 信越化学工業株式会社 Manufacturing method of solar cell
JP2015211117A (en) * 2014-04-25 2015-11-24 三菱電機株式会社 Method of manufacturing solar cell and solar cell
JP7168800B1 (en) 2021-12-09 2022-11-09 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド Solar cells and photovoltaic modules
JP2023086063A (en) * 2021-12-09 2023-06-21 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド Solar battery and photovoltaic module
AU2022200624A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-29 Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell and photovoltaic module
US11735675B2 (en) 2021-12-09 2023-08-22 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell and photovoltaic module

Also Published As

Publication number Publication date
JP4660642B2 (en) 2011-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4660642B2 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
CN104205359B (en) Photovoltaic cell and manufacture method, solar module
EP2740157B1 (en) Interdigitated electrode formation
US20150017747A1 (en) Method for forming a solar cell with a selective emitter
WO2009081684A1 (en) Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device
US20080289683A1 (en) Thin-Film Solar Cell Interconnection
TW201924073A (en) Interdigitated back-contacted solar cell with p-type conductivity
US20190019904A1 (en) Solar cell fabrication using laser patterning of ion-implanted etch-resistant layers and the resulting solar cells
WO2023169245A1 (en) Method for preparing solar cell, and solar cell
KR101649060B1 (en) Solar battery cell manufacturing method
JP2013520821A (en) Method for forming selective contacts
CN104810415A (en) Solar cell and manufacturing method thereof
JP5734447B2 (en) Photovoltaic device manufacturing method and photovoltaic device
US20130344637A1 (en) Mask for manufacturing dopant layer of solar cell, method for manufacturing dopant layer of solar cell, and method for manufacturing dopant layer of solar cell using the mask
JP5344872B2 (en) Photovoltaic device
JP6369905B2 (en) Photocell using wrap-through connection
WO2012118201A1 (en) Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
AU2010237617A1 (en) Elongate solar cell and edge contact
JP5868528B2 (en) Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module
KR20120082664A (en) Method for manufacturing solar cell
KR101308706B1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
JP2015211117A (en) Method of manufacturing solar cell and solar cell
AU2005250956A1 (en) Thin-film solar cell interconnection

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101004

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20101019

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101019

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20101019

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4660642

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term