JP2005123446A - Functional device equipped with protection mold - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a functional device equipped with protection mold for preventing any failure from happening in a part of a film for device functions whose adhesive strength with a substrate is weak by the internal stress of protection mold in a proper form. <P>SOLUTION: As for this FPD related to this functional device, an outer peripheral edge of a radiation sensitivity semiconductor film 1 whose adhesive strength with an insulating substrate 2 is especially weak of the radiation sensitivity semiconductor film 1 is treated with first protection mold 6A where the internal stress of filler addition for internal stress reduction is small. Accordingly, any failure such as the peeling of the film can be prevented from happening in the part whose adhesive strength with the insulating substrate 2 is weak of the radiation sensitivity semiconductor film 1. Also, the internal part of the radiation sensitivity semiconductor film 1 is treated with second protection mold 6B where the internal stress of filler non-addition for internal stress reduction is large. Accordingly, the protecting function by the second protection mold 6B can be sufficiently developed in the internal part of the radiation sensitivity semiconductor film 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、デバイス機能用膜が基板の表面に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているフラットパネル型放射線検出器等のような保護モールド付き機能デバイスに係り、特に保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを防ぐための技術に関する。   This invention is a flat panel radiation detector or the like in which a device function film is formed on the surface of a substrate and a protective mold formed by solidifying a molding agent on the front side of the device function film is applied. The present invention relates to a functional device with a protective mold, and more particularly, to a technique for preventing a defect from occurring in a portion of a device functional film having weak adhesion to a substrate due to internal stress of the protective mold.

例えば、医用Ｘ線透視撮影装置によるＸ線撮影においてＸ線管（図示省略）から被検体（図示省略）にＸ線が照射されるのに伴って生じる被検体のＸ線透過像を検出するのに用いられるフラットパネル型放射線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」と記す）は、図９に示すように、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜５１がガラス製等の基板５２の上に形成されているとともに、デバイス機能用膜５１の表側を全面的に覆うかたちでモールド剤を固めて形成した保護モールド５３が施されているモールド付き機能デバイスのひとつである。   For example, in X-ray imaging by a medical X-ray fluoroscopic apparatus, an X-ray transmission image of a subject generated when an X-ray tube (not shown) irradiates a subject (not shown) with X-rays is detected. 9, a flat panel type radiation detector (hereinafter referred to as “FPD” where appropriate) is formed on a substrate 52 made of glass or the like, as shown in FIG. In addition, it is one of the functional devices with a mold to which a protective mold 53 formed by solidifying a molding agent so as to cover the entire front side of the device function film 51 is provided.

入射Ｘ線が直に電気信号に変換される直接変換型のＦＰＤの場合、デバイス機能膜５１である（例えばアモルファスセレンのような）非晶質系の放射線感応性半導体膜にバイアス電圧印加用の共通電極が積層されていて、保護モールド５３は共通電極の上から施されている。保護モールド５３がないと、共通電極へのバイアス電圧印加に伴うコロナ放電の発生や、放射線感応性半導体膜の結晶化など検出特性の不安定化の原因となる現象が起こる。このような検出特性の不安定化を防止するために、絶縁樹脂を主材とするモールド剤でバイアス電圧印加用の共通電極ごと放射線感応性半導体膜の表側を全面的に覆うかたちで固めることによって保護モールド５３を施すのである。   In the case of a direct conversion type FPD in which incident X-rays are directly converted into electrical signals, a bias voltage application is applied to an amorphous radiation-sensitive semiconductor film (such as amorphous selenium) that is a device function film 51. The common electrode is laminated, and the protective mold 53 is applied from above the common electrode. Without the protective mold 53, phenomena that cause instability of detection characteristics such as generation of corona discharge accompanying application of a bias voltage to the common electrode and crystallization of a radiation-sensitive semiconductor film occur. In order to prevent such destabilization of the detection characteristics, by solidifying the entire surface of the radiation-sensitive semiconductor film together with the common electrode for applying the bias voltage with a molding agent mainly composed of an insulating resin. A protective mold 53 is applied.

しかしながら、従来のＦＰＤの場合、保護モールド５３の内部応力によってデバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力の弱い部分に往々にして不具合が生じるという問題がある。   However, in the case of a conventional FPD, there is a problem that a defect often occurs in a portion of the device function film 51 having a weak adhesive force with the substrate 52 due to the internal stress of the protective mold 53.

保護モールド５３の熱膨張係数は、放射線感応性半導体膜等のデバイス機能用膜５１やガラス製等の基板５２の熱膨張係数と相当に違うので、固まる時の収縮や温度変化等によって保護モールド５３に大きな内部応力が生じると同時に、保護モールド５３に生じた大きな内部応力がデバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力の弱い部分に加わって膜の剥離などの不具合を生じるのである。デバイス機能用膜５１の大面積化が進んでいる最近のＦＰＤでは、保護モールド５３の内部応力によるデバイス機能用膜５１の不具合がより生じ易くなっている。   The thermal expansion coefficient of the protective mold 53 is considerably different from the thermal expansion coefficient of the device function film 51 such as a radiation-sensitive semiconductor film or the substrate 52 made of glass or the like. At the same time, a large internal stress is generated, and at the same time, the large internal stress generated in the protective mold 53 is applied to a portion of the device function film 51 having a weak adhesive force with the substrate 52 to cause a problem such as film peeling. In recent FPDs in which the device function film 51 has been increased in area, defects in the device function film 51 due to internal stress of the protective mold 53 are more likely to occur.

保護モールドにフィラーを添加したモールド剤を用いて保護モールド全体の内部応力を緩和することはできるが、デバイス機能用膜５１のうち基板５２との接着力が弱い部分以外の部分に施された保護モールドが、フィラー添加で十分な保護機能を発揮できなくなるという別の問題を招来する。   Although the internal stress of the entire protective mold can be relieved by using a molding agent in which a filler is added to the protective mold, the protection applied to portions other than the portion of the device function film 51 that has a weak adhesive force with the substrate 52 Another problem is that the mold cannot exhibit a sufficient protective function by adding a filler.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる保護モールド付き機能デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and appropriately prevents a defect from occurring in a portion of the device function film having weak adhesion to the substrate due to internal stress of the protective mold. An object of the present invention is to provide a functional device with a protective mold.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、デバイス機能用膜が基板の上に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているモールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドのうち、内部応力が小さい方を第１保護モールドとするとともに、内部応力が大きい方を第２保護モールドとし、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分には第１保護モールドが施されているとともに、他の部分には第２保護モールドが施されていることを特徴とするものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention according to claim 1 is provided with a mold in which a device function film is formed on a substrate and a protective mold formed by solidifying a molding agent on the front side of the device function film is applied. In the functional device, the protective mold having the smaller internal stress is used as the first protective mold, and the one having the larger internal stress is used as the second protective mold, and the device function film has a weak adhesion to the substrate. Is characterized in that a first protective mold is applied and a second protective mold is applied to the other parts.

［作用・効果］請求項1の発明の保護モールド付き機能デバイス（以下、適宜「機能デバイス」と略記）によれば、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドについては、他の部分に施されている第２保護モールドよりも内部応力が小さいので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に保護モールドの内部応力によって剥離するなどの不具合が生じることを防ぐことができる。デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分には、第１保護モールドよりも内部応力が大きい第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分では保護モールドによる保護機能が十分に発揮される。   [Function / Effect] According to the functional device with a protective mold of the invention of claim 1 (hereinafter abbreviated as “functional device” where appropriate), the device functional film is applied to a portion having a weak adhesion to the substrate. Since the internal stress of the first protective mold is smaller than that of the second protective mold applied to other parts, the part of the device function film is peeled off by the internal stress of the protective mold on the part having a weak adhesion to the substrate. It is possible to prevent problems such as Since the second protective mold having a larger internal stress than the first protective mold is applied to the other part of the device function film other than the part having a weak adhesion to the substrate, the substrate of the device function film is provided. The protective function by the protective mold is sufficiently exhibited in other parts other than the part where the adhesive force is weak.

換言すれば、請求項１の発明の機能デバイスの場合、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分へは他の部分よりも内部応力が小さい第１保護モールドを選択的に施すことにより、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止できるのである。   In other words, in the case of the functional device according to the first aspect of the present invention, the first protective mold having a lower internal stress than other portions is selectively applied to the portion of the device functional film having a weak adhesion to the substrate. Accordingly, it is possible to appropriately prevent a defect from occurring in a portion of the device function film having a weak adhesion to the substrate due to the internal stress of the protective mold.

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、前記第１保護モールドが、モールド剤全体を１００重量％として、内部応力低減用フィラーが１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されているモールド剤を固めることにより施されているものである。   The invention according to claim 2 is the functional device with a protective mold according to claim 1, wherein the first protective mold comprises 100% by weight of the entire molding agent and 100% by weight of the filler for reducing internal stress. Of these, the molding agent added at a ratio of 25 wt% to 70 wt% is hardened.

［作用・効果］請求項２の発明の機能デバイスの場合、第１保護モールド用のモールド剤全体１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されている内部応力低減用フィラーがデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドの内部応力を十分に弱めるので、第１保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを確実に防止することができる。なお、フィラーの添加量が２５重量％未満では、保護モールドの内部応力を弱める機能を発揮し難くなる傾向が現れ、フィラーの添加量が７０重量％超過では、保護モールドが必要な保護機能を発揮し難くなる傾向が現れる。   [Function / Effect] In the case of the functional device of the invention of claim 2, the internal stress reducing filler added at a ratio of 25 wt% to 70 wt% of the total mold agent for the first protective mold is 100 wt%. Since the internal stress of the first protective mold applied to the portion of the device function film that has a weak adhesion to the substrate is sufficiently weakened, the internal stress of the first protective mold causes the device function film to be attached to the substrate. It is possible to reliably prevent a problem from occurring in a portion having a weak wearing force. In addition, when the added amount of filler is less than 25% by weight, the function of weakening the internal stress of the protective mold tends to be difficult to exhibit, and when the added amount of filler exceeds 70% by weight, the protective function necessary for the protective mold is exhibited. The tendency to become difficult appears.

また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールド付き機能デバイスがフラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ）であって、デバイス機能用膜が放射線検出機能を発揮するものである。   The invention described in claim 3 is the functional device with protective mold according to claim 1 or 2, wherein the functional device with protective mold is a flat panel radiation detector (FPD), and the device functional film is Exhibits a radiation detection function.

［作用・効果］請求項３の発明の機能デバイスの場合、フラットパネル型放射線検出器における放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に第１保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを防止することができる。   [Function / Effect] In the case of the functional device of the invention of claim 3, the first protective mold is formed in a portion of the device function film that exhibits the radiation detection function in the flat panel radiation detector and has a weak adhesion to the substrate. It is possible to prevent a problem from occurring in a portion of the device function film having a weak adhesion to the substrate due to the stress.

また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドが放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜の表側を全面的に覆うかたちで施されていて、デバイス機能用膜の外周縁部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー添加の前記第１保護モールドであり、デバイス機能用膜の内側部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー非添加の前記第２保護モールドであるものである。   The invention according to claim 4 is the functional device with a protective mold according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective mold covers the entire surface of the device function film that exhibits the radiation detection function. The protective mold for the outer peripheral portion of the device function film is the first protective mold to which an internal stress reducing filler is added, and the protective mold for the inner portion of the device function film is a non-internal stress reducing filler. It is an additive of the second protective mold.

［作用・効果］請求項４の発明の機能デバイスの場合、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜が表側を全面的に覆うかたちで施されている保護モールドで保護されているのでデバイス機能用膜が信頼性・安定性に富む。   [Function / Effect] In the case of the functional device of the invention of claim 4, since the device function film that exhibits the radiation detection function is protected by a protective mold that covers the entire front side, The film is rich in reliability and stability.

さらに、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜のうち基板との付着力が特に弱いデバイス機能用膜の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の第１保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを確実に防止できる。   Furthermore, since the outer peripheral edge portion of the device function film having particularly weak adhesion to the substrate among the device function films exhibiting the radiation detection function is provided with the first protective mold to which the internal stress reducing filler is added, the device It is possible to reliably prevent a problem from occurring in a portion of the functional film that has a weak adhesion to the substrate.

また、デバイス機能用膜の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜の内側部分では第２保護モールドによる保護機能が十分に発揮されるのに加え、第２保護モールドはフィラー添加による透明性壊失を回避することができる。保護モールドは内部応力低減用フィラーの添加で透明性を壊失するが、フィラー非添加の保護モールドで透明性を確保すれば、保護モールドを透かして保護モールドの下の状態を目視観察でチェックすることができる。   In addition, since the inner part of the device function film is provided with the second protective mold to which no internal stress reducing filler is added, the protective function of the second protective mold is sufficiently exhibited in the inner part of the device function film. In addition, the second protective mold can avoid the loss of transparency due to the addition of filler. The protection mold destroys transparency by adding a filler for reducing internal stress, but if transparency is secured with a protection mold without filler added, the state under the protection mold is checked visually through the protection mold. be able to.

この発明の機能デバイスの場合、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に施されている第１保護モールドについては、他の部分に施されている第２保護モールドよりも内部応力が小さいので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に保護モールドの内部応力によって剥離するなどの不具合が生じることを防ぐことができるのに加え、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分には、第１保護モールドよりも内部応力が大きい第２保護モールドが施されているので、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分以外の他の部分では保護モールドによる保護機能が十分に発揮される。   In the case of the functional device of the present invention, for the first protective mold applied to the portion of the device functional film that has a weak adhesion to the substrate, the internal stress is higher than the second protective mold applied to the other portion. In addition to being able to prevent the occurrence of defects such as peeling due to internal stress of the protective mold in the part of the device function film that has weak adhesion to the substrate, Since the second protective mold whose internal stress is larger than that of the first protective mold is applied to the other part other than the part where the adhesive force of the device is weak, the part other than the part of the device function film having the weak adhesive force to the substrate In other parts, the protective function by the protective mold is sufficiently exhibited.

よって、この発明の保護モールド付き機能デバイスによれば、保護モールドの内部応力によってデバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる。   Therefore, according to the functional device with a protective mold of the present invention, it is possible to appropriately prevent a defect from occurring in a portion of the device functional film having a weak adhesion to the substrate due to internal stress of the protective mold.

この発明の保護モールド付き機能デバイスの実施例について図面を参照しながら詳しく説明する。図１は実施例１に係るＦＰＤの断面図、図２は実施例１のＦＰＤの平面図である。   An embodiment of a functional device with a protective mold of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 is a cross-sectional view of an FPD according to the first embodiment, and FIG. 2 is a plan view of the FPD according to the first embodiment.

実施例１のＦＰＤは、例えばＸ線のような放射線が直に電気信号に変換される直接変換型であり、放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜として、例えば非晶質系の放射線感応性半導体膜１が厚み０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度でガラス製等の絶縁基板２の上に形成されている。   The FPD according to the first embodiment is a direct conversion type in which radiation such as X-rays is directly converted into an electric signal. As a device function film exhibiting a radiation detection function, for example, amorphous radiation sensitivity is used. A semiconductor film 1 is formed on an insulating substrate 2 made of glass or the like with a thickness of about 0.5 mm to 2 mm.

絶縁基板２には信号読み出し用回路（図示省略）が形成されているのに加え、放射線の入射に伴って放射線感応性半導体膜１に生成されるキャリアを収集する多数の収集電極（図示省略）が表面に画素電極として２次元状マトリックス配列で形成されていて、収集電極形成面に放射線感応性半導体膜１が積層形成されている構成となっている。また、放射線感応性半導体膜１の上にはバイアス電圧印加用の共通電極３が積層形成されている。   In addition to the signal readout circuit (not shown) formed on the insulating substrate 2, a large number of collection electrodes (not shown) that collect carriers generated in the radiation-sensitive semiconductor film 1 upon the incidence of radiation. Are formed in a two-dimensional matrix arrangement as pixel electrodes on the surface, and the radiation-sensitive semiconductor film 1 is laminated on the collecting electrode forming surface. A common electrode 3 for applying a bias voltage is laminated on the radiation-sensitive semiconductor film 1.

放射線検出の際は、共通電極３にバイアス電圧を印加した状態で放射線が入射するのに伴って収集電極から信号読み出し用回路経由で放射線検出信号が出力される。そして、実施例１のＦＰＤから出力される放射線検出信号に基づいて放射線感応性半導体膜１に投影される放射線の２次元強度分布に対応する放射線画像（例えばＸ線透視画像）が作成できる。つまり、収集電極は放射線画像の各画素に対応する電極（画素電極）になっており、例えば縦１５３６×横１５３６の縦横マトリックス配列で形成されている。   At the time of radiation detection, a radiation detection signal is output from the collection electrode via the signal readout circuit as radiation enters with the bias voltage applied to the common electrode 3. A radiation image (for example, a fluoroscopic image) corresponding to the two-dimensional intensity distribution of radiation projected on the radiation-sensitive semiconductor film 1 can be created based on the radiation detection signal output from the FPD of Example 1. That is, the collection electrode is an electrode (pixel electrode) corresponding to each pixel of the radiographic image, and is formed in, for example, a vertical and horizontal matrix arrangement of 1536 × 1536.

非晶質系の放射線感応性半導体膜１は、例えば縦３０ｃｍ×横３０ｃｍ前後の面積がある例えばアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）の厚膜が適当なものとして挙げられる。バイアス電圧印加用の共通電極３は、放射線感応性半導体膜１とほぼ同程度の面積がある例えばアルミニウムなどの金属薄膜が適当なものとして挙げられる。   As the amorphous radiation-sensitive semiconductor film 1, for example, a thick film of, for example, amorphous selenium (a-Se) having an area of about 30 cm in length and about 30 cm in width is suitable. As the common electrode 3 for applying the bias voltage, a metal thin film such as aluminum having substantially the same area as the radiation-sensitive semiconductor film 1 is suitable.

さらに、実施例１のＦＰＤの場合には、放射線感応性半導体膜１および共通電極３を取り囲むかたちでスペーサ用のフレームピース（枠材）４が絶縁基板２の周縁に沿って配設されていて、さらにフレームピース（枠材）４の上に蓋用ガラス板５が取り付けられている。   Further, in the case of the FPD of Example 1, a frame piece (frame material) 4 for spacers is disposed along the periphery of the insulating substrate 2 so as to surround the radiation-sensitive semiconductor film 1 and the common electrode 3. Further, a glass plate 5 for lid is attached on a frame piece (frame material) 4.

また、実施例１のＦＰＤでは、放射線感応性半導体膜１の表側を共通電極３ごと全面的に覆うかたちで保護モールド６が施されている。実施例１の場合、保護モールド６は、エポキシ樹脂を主材とするエポキシ系モールド剤を固めて形成したものである。この保護モールド６は、共通電極３へのバイアス電圧印加に伴うコロナ放電の発生や、放射線感応性半導体膜１の結晶化など検出特性の不安定化を引き起こす現象を阻止するなどの保護機能を発揮する。   In the FPD of Example 1, the protective mold 6 is applied in such a manner that the front side of the radiation-sensitive semiconductor film 1 is entirely covered with the common electrode 3. In the case of Example 1, the protective mold 6 is formed by solidifying an epoxy-based molding agent mainly composed of an epoxy resin. This protective mold 6 exhibits protective functions such as preventing corona discharge caused by application of a bias voltage to the common electrode 3 and phenomena causing destabilization of detection characteristics such as crystallization of the radiation-sensitive semiconductor film 1. To do.

そして、実施例１のＦＰＤの場合は、放射線感応性半導体膜１の外周縁部分の保護モールド６Ａは内部応力が小さく（以下、内部応力が小さいこの保護モールド６Ａを「第１保護モールド」と呼ぶ）、放射線感応性半導体膜１の内側部分の保護モールド６Ｂは第１保護モールド６Ｂよりも内部応力が大きい（以下、内部応力が大きいこの保護モールド６Ｂを「第２保護モールド」と呼ぶ）。   In the case of the FPD of Example 1, the protective mold 6A at the outer peripheral edge portion of the radiation-sensitive semiconductor film 1 has a low internal stress (hereinafter, this protective mold 6A having a low internal stress is referred to as a “first protective mold”). ), The protective mold 6B in the inner portion of the radiation-sensitive semiconductor film 1 has a larger internal stress than the first protective mold 6B (hereinafter, this protective mold 6B having a large internal stress is referred to as a “second protective mold”).

第１保護モールド６Ａは内部応力低減用フィラーが添加されているエポキシ系モールド剤を固めることにより施されている。内部応力低減用フィラーとしては、例えば有孔性石英フィラーなどが挙げられるが、第１保護モールド６Ａ用の内部応力低減用フィラーは特定のフィラーに限られるものではない。   The first protective mold 6A is applied by hardening an epoxy mold agent to which an internal stress reducing filler is added. Examples of the internal stress reducing filler include a porous quartz filler, but the internal stress reducing filler for the first protective mold 6A is not limited to a specific filler.

この内部応力低減用フィラーは、モールド剤全体を１００重量％として１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されていることが望ましい。フィラーの添加量が２５重量％未満では、第１保護モールド６Ａの内部応力を弱める機能を発揮し難くなる傾向が現れ、フィラーの添加量が７０重量％超過では、保護モールドが必要な保護機能を発揮し難くなる傾向が現れる。内部応力低減用フィラーの添加割合は、モールド剤全体１００重量％のうち３０重量％〜６５重量％であることがより望ましい。フィラーの添加効果が適切なかたちで確実に発揮されるからである。   The filler for reducing internal stress is desirably added in a proportion of 25 wt% to 70 wt% of 100 wt% with respect to 100 wt% of the whole molding agent. If the added amount of the filler is less than 25% by weight, the function of weakening the internal stress of the first protective mold 6A tends to be difficult to be exhibited. If the added amount of the filler exceeds 70% by weight, the protective function necessary for the protective mold is exhibited. The tendency to become difficult to show up appears. The addition ratio of the filler for reducing internal stress is more preferably 30% to 65% by weight out of 100% by weight of the whole molding agent. This is because the effect of adding the filler is surely exhibited in an appropriate manner.

第２保護モールド６Ｂは内部応力低減用フィラー非添加のエポキシ系モールド剤を固めることにより施されている。フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂは、内部応力は小さくならないが十分な保護機能を発揮できる。また、フィラー添加の第１保護モールド６Ａは白濁して透明性を壊失しているが、フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂは透明性を保持している。   The second protective mold 6B is applied by solidifying an epoxy-based molding agent to which no internal stress reducing filler is added. The second protective mold 6B to which no filler is added can exhibit a sufficient protective function although the internal stress is not reduced. In addition, the filler-added first protective mold 6A is clouded and loses transparency, while the filler-free second protective mold 6B maintains transparency.

実施例１のＦＰＤの場合、以下に述べるように、保護モールド６は最初に第１保護モールド６Ａを形成し、次に第２保護モールド６Ｂを形成する２段階形成方式で施されている。   In the case of the FPD of the first embodiment, as described below, the protective mold 6 is applied in a two-stage formation method in which the first protective mold 6A is first formed and then the second protective mold 6B is formed.

先ず、図４（ａ）に示すように、保護モールド６が全く形成されていない状態で絶縁基板２が完全に水平な状態となるようにセットする。   First, as shown in FIG. 4A, the insulating substrate 2 is set to be in a completely horizontal state in a state where the protective mold 6 is not formed at all.

一方、図２および図３に示すように、蓋用ガラス板５は４つ角が切り欠かれていて、フレームピース４の角が一部露出している処にフレームピース４の内外に通じる４つのホール７Ａ〜７Ｄが開設されている。   On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the lid glass plate 5 is cut out at four corners, and leads to the inside and outside of the frame piece 4 where the corners of the frame piece 4 are partially exposed. Two halls 7A-7D are opened.

そこで、次に、図３の左側へ矢印で示すように、４つのホール７Ａ〜７Ｄのうちのモールド剤注入用のホール７Ａからフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより、図４（ｂ）に示すように第１保護モールド６Ａを形成する。なお、残りの３個のホール７Ｂ〜７Ｄは、エポキシ系モールド剤注入の際に空気抜きの役割をする。   Then, next, as shown by the arrow on the left side of FIG. 3, by filling and hardening (curing) a filler-added epoxy molding agent from the molding agent injection hole 7A among the four holes 7A to 7D. Then, the first protective mold 6A is formed as shown in FIG. The remaining three holes 7B to 7D serve to vent the air when the epoxy mold agent is injected.

続いて、図３の右側へ矢印で示すように、モールド剤注入用のホール７Ｄからフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより、図４（ｃ）に示すように第２保護モールド６Ｂを形成する。なお、残りの２個のホール７Ｂ，７Ｃは、エポキシ系モールド剤注入の際に空気抜きの役割をする。   Subsequently, as shown by an arrow on the right side of FIG. 3, an epoxy-based molding agent without addition of a filler is injected from the hole 7D for injecting the molding agent and hardened (cured), as shown in FIG. 4C. A second protective mold 6B is formed. The remaining two holes 7B and 7C serve to vent the air when the epoxy molding agent is injected.

以上に述べた構成を有する実施例１のＦＰＤの場合、放射線検出機能を発揮する放射線感応性半導体膜１が表側を全面的に覆うかたちで施されている保護モールド６によって保護されているので放射線感応性半導体膜１が信頼性・安定性に富む。   In the case of the FPD of the first embodiment having the above-described configuration, the radiation-sensitive semiconductor film 1 that exhibits the radiation detection function is protected by the protective mold 6 that covers the entire front side. The sensitive semiconductor film 1 is rich in reliability and stability.

さらに、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が特に弱い放射線感応性半導体膜１の外周縁部分は内部応力低減用フィラー添加の第１保護モールド６Ａが施されているので、放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が弱い部分に膜の剥離などの不具合が生じることを防止できる。   Furthermore, since the outer peripheral edge portion of the radiation sensitive semiconductor film 1 having a particularly weak adhesion to the insulating substrate 2 in the radiation sensitive semiconductor film 1 is provided with the first protective mold 6A to which an internal stress reducing filler is added, It is possible to prevent problems such as peeling of the film from occurring in a portion of the radiation-sensitive semiconductor film 1 having a weak adhesion to the insulating substrate 2.

また、放射線感応性半導体膜１の内側部分は内部応力低減用フィラー非添加の第２保護モールド６Ｂが施されているので、放射線感応性半導体膜１の内側部分では第２保護モールド６Ｂによる保護機能が十分に発揮されるのに加え、第２保護モールド６Ｂは透明性の保持により、第２保護モールド６Ｂを透かして第２保護モールド６Ｂの下の放射線検出面の状態を目視観察でチェックすることができる。   In addition, since the inner part of the radiation sensitive semiconductor film 1 is provided with the second protective mold 6B to which no internal stress reducing filler is added, the protective function by the second protective mold 6B is provided in the inner part of the radiation sensitive semiconductor film 1. In addition, the second protective mold 6B is checked for the state of the radiation detection surface under the second protective mold 6B by visual observation through the second protective mold 6B by maintaining transparency. Can do.

よって、実施例１のＦＰＤによれば、第１保護モールド６Ａの内部応力で放射線感応性半導体膜１のうち絶縁基板２との付着力が弱い部分に不具合が生じることを適切なかたちで防止することができる。   Therefore, according to the FPD of Example 1, it is possible to appropriately prevent a defect from occurring in a portion of the radiation-sensitive semiconductor film 1 that has a weak adhesion to the insulating substrate 2 due to internal stress of the first protective mold 6A. be able to.

次に実施例２のＦＰＤを図面を参照しながら説明する。図５は実施例２に係るＦＰＤの断面図である。実施例２に係るＦＰＤは、図５に示すように、第１保護モールド６Ａと第２保護モールド６Ｂの間にガラス製の仕切りプレート８が水平に配設されている他は、実施例１のＦＰＤと同様のものであるので、相違する点のみを説明し、共通する点の説明は省略することとする。   Next, the FPD of Example 2 will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a cross-sectional view of the FPD according to the second embodiment. As shown in FIG. 5, the FPD according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that a glass partition plate 8 is disposed horizontally between the first protective mold 6A and the second protective mold 6B. Since it is the same as the FPD, only different points will be described, and description of common points will be omitted.

実施例２のＦＰＤの場合も、保護モールド６の形成は以下のように２段階形成方式で施されている。   Also in the case of the FPD of Example 2, the protective mold 6 is formed by a two-stage formation method as follows.

先ず、図６（ａ）に示すように、実施例２のＦＰＤの場合、フレームピース４の内側下部が段部４ａとなっていて、フレームピース４の内側下部が段部４ａと放射線感応性半導体膜１ないし共通電極３との間に仕切りプレート８を渡すかたちで固定し、水平にセットする。なお、仕切りプレート８の固定は接着剤を使って行われる。   First, as shown in FIG. 6 (a), in the case of the FPD of Example 2, the inner lower portion of the frame piece 4 is a stepped portion 4a, and the inner lower portion of the frame piece 4 is the stepped portion 4a and the radiation-sensitive semiconductor. A partition plate 8 is fixed between the membrane 1 and the common electrode 3 and set horizontally. The partition plate 8 is fixed using an adhesive.

そして、図６（ｂ）に示すように、仕切りプレート８の下側の空間にフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第１保護モールド６Ａを形成する。   Then, as shown in FIG. 6B, the first protective mold 6 </ b> A is formed by injecting a filler-added epoxy molding agent into the lower space of the partition plate 8 and hardening (hardening) it.

続いて、図６（ｃ）に示すように、仕切りプレート８の上側の空間にフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第２保護モールド６Ｂを形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 6C, the second protective mold 6 </ b> B is formed by injecting and hardening (hardening) an epoxy-based molding agent not added with a filler into the space above the partition plate 8.

実施例２のＦＰＤの場合、絶縁基板２が正確に水平でなくともモールド剤を確実に注入できるのに加え、第１保護モールド６Ａ用のエポキシ系モールド剤の硬化が終わる前に第２保護モールド６Ｂ用のモールド剤を注入することができるので、第１保護モールド６の形成時間が短くてすむ。   In the case of the FPD of the second embodiment, in addition to the fact that the molding agent can be reliably injected even if the insulating substrate 2 is not exactly horizontal, the second protective mold before the epoxy molding agent for the first protective mold 6A is cured. Since the molding agent for 6B can be injected, the formation time of the first protective mold 6 can be shortened.

なお、実施例２のＦＰＤの場合、第２保護モールド６Ｂを先に形成し次に第１保護モールド６Ａを形成するようにしてもよい。   In the case of the FPD of Example 2, the second protective mold 6B may be formed first, and then the first protective mold 6A may be formed.

次に実施例３のＦＰＤを図面を参照しながら説明する。図７は実施例３に係るＦＰＤの断面図である。実施例３に係るＦＰＤは、図７に示すように、第１保護モールド６Ａと第２保護モールド６Ｂとの間にガラス製の仕切りプレート９が垂直に配設されている他は、実施例１のＦＰＤと同様のものであるので、相違する点のみを説明し、共通する点の説明は省略することとする。   Next, the FPD of Example 3 will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a cross-sectional view of the FPD according to the third embodiment. As shown in FIG. 7, the FPD according to the third embodiment is the same as the first embodiment except that a glass partition plate 9 is vertically disposed between the first protective mold 6A and the second protective mold 6B. Since this is the same as the FPD, only the differences will be described, and the description of the common points will be omitted.

実施例３のＦＰＤの場合も、やはり保護モールド６の形成は以下のように２段階形成方式で施されている。   Also in the case of the FPD of Example 3, the protective mold 6 is formed by the two-stage formation method as follows.

先ず、図８（ａ）に示すように、蓋用ガラス板５を取り付けない状態で、仕切りプレート９を垂直状態で下端側を接着剤で放射線感応性半導体膜１ないし共通電極３の外周縁付近に固定し、水平にセットする。仕切りプレート９の固定は接着剤を使って行われる。   First, as shown in FIG. 8A, in the state where the glass plate 5 for the lid is not attached, the partition plate 9 is in a vertical state, and the lower end side is exposed to the radiation sensitive semiconductor film 1 or the vicinity of the common electrode 3 with an adhesive. And set it horizontally. The partition plate 9 is fixed using an adhesive.

そして、図８（ｂ）に示すように、仕切りプレート９の外側の空間にフィラー添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第１保護モールド６Ａを形成する。   And as shown in FIG.8 (b), the 1st protection mold 6A is formed by inject | pouring a filler addition epoxy type molding agent into the space outside the partition plate 9, and hardening (hardening) it.

続いて、図８（ｃ）に示すように、仕切りプレート９の内側の空間にフィラー非添加のエポキシ系モールド剤を注入し固める（硬化させる）ことにより第２保護モールド６Ｂを形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 8C, the second protective mold 6 </ b> B is formed by injecting and hardening (hardening) an epoxy-based molding agent not added with a filler into the space inside the partition plate 9.

そして、最後に蓋用ガラス板５を取り付け、図７に示すようにＦＰＤを完成する。   Finally, the lid glass plate 5 is attached to complete the FPD as shown in FIG.

実施例３のＦＰＤの場合、やはり絶縁基板２が正確に水平でなくともモールド剤を確実に注入できるのに加え、第１保護モールド６Ａ用のエポキシ系モールド剤の硬化が終わる前に第２保護モールド６Ｂ用のモールド剤を注入することができるので、第２保護モールド６の形成時間が短くてすむ。   In the case of the FPD of Example 3, in addition to the fact that the molding agent can be reliably injected even if the insulating substrate 2 is not exactly horizontal, the second protection is performed before the curing of the epoxy molding agent for the first protective mold 6A is completed. Since the molding agent for the mold 6B can be injected, the formation time of the second protective mold 6 can be shortened.

なお、実施例３のＦＰＤでも、第２保護モールド６Ｂを先に形成し次に第１保護モールド６Ａを形成するようにしてもよい。また、実施例３のＦＰＤの場合、実施例１と同様にモールド剤注入用のホールをフレームピース４に設けておき、先に蓋用ガラス板５を取り付けてから、モールド剤注入用のホールからモールド剤を注入するようにしてもよい。   In the FPD of Example 3, the second protective mold 6B may be formed first, and then the first protective mold 6A may be formed. In the case of the FPD of Example 3, a hole for injecting a molding agent is provided in the frame piece 4 in the same manner as in Example 1, and after attaching the glass plate for lid 5 first, from the hole for injecting the molding agent. A molding agent may be injected.

この発明は、上記の実施例に限られるものではなく、以下のように変形実施することも可能である。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

（１）実施例１〜３のＦＰＤは、内部応力が小さい第１保護モールド６Ａがフィラー添加のモールド剤を固めて形成されたものであったが、第１保護モールドをフィラー非添加でも柔らかくて内部応力が小さいシリコン樹脂製のものとした構成であってもよい。   (1) The FPDs of Examples 1 to 3 were formed with the first protective mold 6A having a low internal stress solidified with a filler-added molding agent, but the first protective mold was soft even without the addition of filler. The structure made from the silicon resin with a small internal stress may be sufficient.

（２）実施例１〜３の場合、保護モールド６がエポキシ系モールド剤を用いて形成されていたが、保護モールド６はエポキシ系モールド剤を用いて形成されたものに限られるものではない。   (2) In the case of Examples 1 to 3, the protective mold 6 is formed using an epoxy mold agent, but the protective mold 6 is not limited to the one formed using an epoxy mold agent.

（３）実施例１〜３のＦＰＤは直接変換タイプの検出器であったが、この発明は、放射線をいったん光に変えた後で電気信号に変える間接変換タイプのＦＰＤにも適用することができる。   (3) Although the FPDs of Examples 1 to 3 were direct conversion type detectors, the present invention can also be applied to indirect conversion type FPDs that convert radiation into light and then convert it into electrical signals. it can.

（４）実施例１〜３の場合、機能デバイスがＦＰＤであったが、この発明は、ＦＰＤ以外の保護モールド付き機能デバイスにも適用することができる。   (4) In the case of Examples 1 to 3, the functional device is an FPD, but the present invention can also be applied to a functional device with a protective mold other than the FPD.

実施例１のＦＰＤを示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing an FPD of Example 1. FIG. 実施例１のＦＰＤを示す平面図である。1 is a plan view showing an FPD of Example 1. FIG. 実施例１のＦＰＤにおけるモールド剤注入用のホールを示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing holes for injecting a molding agent in the FPD of Example 1. FIG. （ａ）〜（ｃ）は実施例１のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the protective mold formation process of FPD of Example 1. FIG. 実施例２のＦＰＤを示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing an FPD of Example 2. FIG. （ａ）〜（ｃ）は実施例２のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the protective mold formation process of FPD of Example 2. FIG. 実施例３のＦＰＤを示す断面図である。7 is a cross-sectional view showing an FPD of Example 3. FIG. （ａ）〜（ｃ）は実施例３のＦＰＤの保護モールド形成プロセスを示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows the protection mold formation process of FPD of Example 3. FIG. 従来のＦＰＤを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional FPD.

符号の説明Explanation of symbols

１ … 放射線感応性半導体膜（デバイス機能用膜）
２ … 絶縁基板（基板）
６ … 保護モールド
６Ａ… 第１保護モールド
６Ｂ… 第２保護モールド
1 ... Radiation-sensitive semiconductor film (device functional film)
2… Insulating substrate (substrate)
6 ... Protective mold 6A ... 1st protective mold 6B ... 2nd protective mold

Claims (4)

デバイス機能用膜が基板の上に形成されているとともに、前記デバイス機能用膜の表側にモールド剤を固めて形成した保護モールドが施されているモールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドのうち、内部応力が小さい方を第１保護モールドとするとともに、内部応力が大きい方を第２保護モールドとし、デバイス機能用膜のうち基板との付着力が弱い部分には第１保護モールドが施されているとともに、他の部分には第２保護モールドが施されていることを特徴とする保護モールド付き機能デバイス。   In a functional device with a mold in which a device function film is formed on a substrate and a protective mold formed by solidifying a molding agent is formed on the front side of the device function film, the internal stress of the protective mold The smaller protective layer is the first protective mold, the larger internal stress is the second protective mold, and the first protective mold is applied to the portion of the device function film that has weak adhesion to the substrate. A functional device with a protective mold, wherein the second protective mold is applied to the other part. 請求項１に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、前記第１保護モールドが、モールド剤全体を１００重量％として、内部応力低減用フィラーが１００重量％のうち２５重量％〜７０重量％の割合で添加されているモールド剤を固めることにより施されている保護モールド付き機能デバイス。   2. The functional device with a protective mold according to claim 1, wherein the first protective mold includes 100% by weight of the entire molding agent, and the filler for reducing internal stress is in a ratio of 25% to 70% by weight out of 100% by weight. A functional device with a protective mold applied by hardening the added molding agent. 請求項１または２に記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールド付き機能デバイスがフラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ）であって、デバイス機能用膜が放射線検出機能を発揮する保護モールド付き機能デバイス。   The functional device with a protective mold according to claim 1 or 2, wherein the functional device with a protective mold is a flat panel radiation detector (FPD), and the device function film exhibits a radiation detection function. . 請求項１から３のいずれかに記載の保護モールド付き機能デバイスにおいて、保護モールドが放射線検出機能を発揮するデバイス機能用膜の表側を全面的に覆うかたちで施されていて、デバイス機能用膜の外周縁部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー添加の前記第１保護モールドであり、デバイス機能用膜の内側部分の保護モールドは内部応力低減用フィラー非添加の前記第２保護モールドである保護モールド付き機能デバイス。
The functional device with a protective mold according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective mold is applied so as to cover the entire surface of the device functional film that exhibits a radiation detection function. The protective mold for the outer peripheral portion is the first protective mold with the internal stress reducing filler added, and the protective mold for the inner portion of the device function film is the protective mold with the internal stress reducing filler not added. Functional device with.
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