JP2005121593A

JP2005121593A - Absolute encoder

Info

Publication number: JP2005121593A
Application number: JP2003359395A
Authority: JP
Inventors: Makoto Arai; 眞新井
Original assignee: Nikon Corp; Sendai Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp; Sendai Nikon Corp
Priority date: 2003-10-20
Filing date: 2003-10-20
Publication date: 2005-05-12
Anticipated expiration: 2023-10-20
Also published as: JP4433759B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small thickness absolute encoder. <P>SOLUTION: A silicon sensor substrate 4 is placed so that it faces a scale disc 1, on which an absolute pattern 100 and an incremental pattern 101 are formed. An LED 401, which irradiates the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 with a divergent light, and light-receiving elements 403, 404, which detect the divergent light reflected by the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101, are placed on the silicon sensor substrate 4. The LED 401 is placed in a depression 602, formed in between the light-receiving elements 403, 404. The exit surface of the LED 401 is flush with the light-receiving surfaces of the light-receiving elements 403, 404. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、アブソリュートエンコーダに関する。 The present invention relates to an absolute encoder.

従来、この種のアブソリュートエンコーダにおいては、シリアルアブソリュート刻線が形成された刻線円板と、刻線円板を挟むように対向配置された光源および受光素子アレイを備えている（例えば、特許文献１参照）。刻線円板は例えばモータ回転軸等に固定され、光源および受光素子に対して相対的に回転する。光源としては、ＬＥＤ等で発生した光をコリメートレンズで平行光にして出射するものが用いられる。 Conventionally, this type of absolute encoder includes a marking disk formed with serial absolute markings, and a light source and a light-receiving element array that are opposed to each other so as to sandwich the marking disk (for example, Patent Documents). 1). The engraved disk is fixed to, for example, a motor rotation shaft, and rotates relative to the light source and the light receiving element. A light source that emits light generated by an LED or the like as parallel light by a collimator lens is used.

シリアルアブソリュート刻線は透過パターンと不透過パターンとを所定方式で一列に配列したものであり、光源からの平行光を刻線円板のシリアルアブソリュート刻線に照射すると、シリアルアブソリュート刻線を通過した光が受光素子アレイによって検出される。検出された出力信号は処理回路によって信号処理され、絶対位置（回転角度等）が算出される。 Serial absolute engraving is a pattern in which transmission patterns and non-transmission patterns are arranged in a line in a predetermined manner. When parallel light from a light source is irradiated to the serial absolute engraving of the engraving disk, it passes through the serial absolute engraving. Light is detected by the light receiving element array. The detected output signal is subjected to signal processing by a processing circuit, and an absolute position (rotation angle or the like) is calculated.

特開２０００−１４６６２３号公報JP 2000-146623 A

近年、ロボットの小型化への要求により、アブソリュートエンコーダに対しても薄型化への要求が高まっている。しかしながら、上述した従来のアブソリュートエンコーダでは、ＬＥＤ，コリメートレンズ，刻線円板および受光素子アレイが刻線円板の軸方向に順に配置されているため、薄型化が困難であるという問題があった。 In recent years, due to the demand for miniaturization of robots, there is an increasing demand for thinning the absolute encoder. However, the above-described conventional absolute encoder has a problem in that it is difficult to reduce the thickness because the LED, the collimating lens, the engraved disk, and the light receiving element array are sequentially arranged in the axial direction of the engraved disk. .

請求項１の発明によるアブソリュートエンコーダは、シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイとの間に配置され、スケール平板に向けて光を出射する発光素子とを備えたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイと発光素子とは、スケール平板と対向して配置された半導体基板に形成されている。
請求項３の発明によるアブソリュートエンコーダは、シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、スケール平板と対向して設けられた半導体基板と、半導体基板に形成され、シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、半導体基板に第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイとの間の半導体基板上に配設され、スケール平板に向けて光を出射する発光素子が形成された半導体チップとを備えたことを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイとの間の半導体基板に凹部を形成し、凹部に半導体チップを配設したものである。
請求項５の発明によるアブソリュートエンコーダは、シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、スケール平板と対向するように半導体基板を支持する支持基板と、半導体基板に形成され、シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、半導体基板に第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイとの間の半導体基板に形成された貫通孔と、貫通孔内において支持基板に配設され、スケール平板に向けて光を出射する発光素子が形成され半導体チップとを備えたことを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、発光素子の出射面と第１および第２の光電変換素子アレイの受光面とを同一平面に配設したものである。
請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、半導体基板上であって、並列に形成された第１の光電変換素子アレイおよび第２の光電変換素子アレイから等距離のライン上に、発光素子を配置したものである。
請求項８の発明は、請求項７に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、発光素子を、第１の光電変換素子アレイの両端に設けられた各光電変換素子から等距離の位置に配置したものである。
請求項９の発明は、請求項１〜８のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、シリアルアブソリュートパターン列と並設された反射パターンと、反射パターンで反射された光を検出する参照用光電変換素子と、第１の光電変換素子アレイからの出力と参照用光電変換素子からの出力との差分を用いて第１の光電変換素子アレイの光電変換効率の変化を補正する補正手段とを備えたものである。
請求項１０の発明は、請求項１〜９のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダに搭載されるセンサ素子であって、シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと並設され、インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、第１の光電変換素子アレイと第２の光電変換素子アレイとの間に配置され、シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列に向けて光を出射する発光素子とを備えたことを特徴とする。 An absolute encoder according to a first aspect of the present invention includes a scale flat plate in which a serial absolute pattern array and an incremental pattern array are arranged side by side, a first photoelectric conversion element array for detecting reflected light from the serial absolute pattern array, A second photoelectric conversion element array that is formed in parallel with the photoelectric conversion element array and detects reflected light from the incremental pattern row, and is disposed between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array. And a light emitting element that emits light toward the scale plate.
According to a second aspect of the present invention, in the absolute encoder according to the first aspect, the first photoelectric conversion element array, the second photoelectric conversion element array, and the light emitting element are arranged on a semiconductor substrate disposed opposite to the scale plate. Is formed.
According to a third aspect of the present invention, there is provided an absolute encoder comprising: a scale flat plate in which a serial absolute pattern row and an incremental pattern row are arranged side by side; a semiconductor substrate provided opposite to the scale flat plate; a serial absolute pattern row formed on the semiconductor substrate; A first photoelectric conversion element array that detects reflected light from the first photoelectric conversion element array, and a second photoelectric conversion element array that is formed in parallel with the first photoelectric conversion element array on the semiconductor substrate and detects reflected light from the incremental pattern row; And a semiconductor chip provided on a semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array and having a light emitting element that emits light toward the scale plate. It is characterized by.
According to a fourth aspect of the present invention, in the absolute encoder of the third aspect, a recess is formed in the semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array, and a semiconductor chip is arranged in the recess. It is set.
An absolute encoder according to a fifth aspect of the invention is a scale flat plate in which a serial absolute pattern row and an incremental pattern row are arranged in parallel, a support substrate that supports the semiconductor substrate so as to face the scale flat plate, and a serial plate formed on the semiconductor substrate. A first photoelectric conversion element array that detects reflected light from the absolute pattern row, and a second photoelectric conversion that is formed on the semiconductor substrate in parallel with the first photoelectric conversion element array and detects reflected light from the incremental pattern row. An element array, a through hole formed in the semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array, and a support substrate disposed in the through hole, and light toward the scale plate A light emitting element for emitting light is formed, and a semiconductor chip is provided.
The invention according to claim 6 is the absolute encoder according to any one of claims 1 to 5, wherein the emission surface of the light emitting element and the light receiving surfaces of the first and second photoelectric conversion element arrays are arranged on the same plane. It is.
According to a seventh aspect of the invention, in the absolute encoder according to any one of the first to sixth aspects, the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array formed in parallel on the semiconductor substrate are provided. Light emitting elements are arranged on equidistant lines.
According to an eighth aspect of the present invention, in the absolute encoder of the seventh aspect, the light emitting elements are arranged at equidistant positions from the respective photoelectric conversion elements provided at both ends of the first photoelectric conversion element array.
A ninth aspect of the present invention is the absolute encoder according to any one of the first to eighth aspects, wherein the reflective pattern arranged in parallel with the serial absolute pattern row and the reference photoelectric conversion element for detecting the light reflected by the reflective pattern And correction means for correcting a change in photoelectric conversion efficiency of the first photoelectric conversion element array using a difference between an output from the first photoelectric conversion element array and an output from the reference photoelectric conversion element It is.
A tenth aspect of the present invention is a sensor element mounted on the absolute encoder according to any one of the first to ninth aspects, wherein the first photoelectric conversion element array detects reflected light from the serial absolute pattern row, A second photoelectric conversion element array that is arranged in parallel with the first photoelectric conversion element array and detects reflected light from the incremental pattern row, and between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array. And a light emitting element that emits light toward the serial absolute pattern row and the incremental pattern row.

本発明によれば、スケール平板に垂直な方向に関するアブソリュートエンコーダの厚さを、従来よりも薄くすることができる。 According to the present invention, the thickness of the absolute encoder in the direction perpendicular to the scale plate can be made thinner than before.

以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は本発明によるアブソリュートエンコーダの概略構成を示す断面図である。図２は、スケール円板１を中心とする概略斜視図である。図１において、スケール円板１はモータ軸２の端部に固定されており、モータ軸２とともに回転する。スケール円板１には、アブソリュートパターン１００、インクリメンタルパターン１０１および参照用パターン１０２，１０３が同心円状に形成されている（図２参照）。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of an absolute encoder according to the present invention. FIG. 2 is a schematic perspective view centering on the scale disk 1. In FIG. 1, the scale disk 1 is fixed to the end of the motor shaft 2 and rotates together with the motor shaft 2. On the scale disk 1, an absolute pattern 100, an incremental pattern 101, and reference patterns 102 and 103 are formed concentrically (see FIG. 2).

一方、スケール円板１と対向する位置にはプリント配線基板３が配設されている。４はＬＥＤ４０１，受光素子４０２ａ，４０２ｂおよび受光素子アレイ４０３，４０４が設けられたシリコンセンサ基板であり、シリコンセンサ基板４はプリント配線基板３のアブソリュートパターン１００，インクリメンタルパターン１０１および参照用パターン１０２，１０３と対向する位置に固設されている。図２に示すように、各受光素子アレイ４０３，４０４は、光電変換素子をスケール円板１の周方向に一列に配設したものである。 On the other hand, a printed wiring board 3 is disposed at a position facing the scale disk 1. Reference numeral 4 denotes a silicon sensor substrate provided with LEDs 401, light receiving elements 402a and 402b, and light receiving element arrays 403 and 404. The silicon sensor substrate 4 is an absolute pattern 100, an incremental pattern 101, and reference patterns 102 and 103 on the printed wiring board 3. It is fixed in the position facing. As shown in FIG. 2, each of the light receiving element arrays 403 and 404 is configured by arranging photoelectric conversion elements in a line in the circumferential direction of the scale disk 1.

プリント配線基板３には、受光素子４０２ａ，４０２ｂや受光素子アレイ４０３，４０４の出力信号を処理する処理回路５等を構成する電子部品が搭載されている。受光素子４０２ａ，４０２ｂおよび受光素子アレイ４０３，４０４の出力信号は処理回路５に入力される。処理回路５には演算部５０１、記憶部５０２が設けられている。６はＬＥＤ４０１の発光を制御する発光制御回路である。 On the printed circuit board 3, electronic components constituting the processing circuit 5 for processing the output signals of the light receiving elements 402 a and 402 b and the light receiving element arrays 403 and 404 are mounted. Output signals from the light receiving elements 402 a and 402 b and the light receiving element arrays 403 and 404 are input to the processing circuit 5. The processing circuit 5 is provided with a calculation unit 501 and a storage unit 502. A light emission control circuit 6 controls the light emission of the LED 401.

図２に示すように、アブソリュートパターン１００およびインクリメンタルパターン１０１は、ＬＥＤ４０１からの発散光を反射する複数の反射パターンａ，ｂを円周上に設けることにより形成される。本実施の形態では、スケール円板１の表面にクロム等を蒸着することにより反射パターンａ，ｂを形成している。また、参照用パターン１０２，１０３は円周上の一周にわたって反射膜を形成したものである。 As shown in FIG. 2, the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 are formed by providing a plurality of reflection patterns a and b that reflect diverging light from the LED 401 on the circumference. In the present embodiment, the reflection patterns a and b are formed by vapor-depositing chromium or the like on the surface of the scale disk 1. The reference patterns 102 and 103 are formed by forming a reflective film over one circumference on the circumference.

インクリメンタルパターン１０１は、反射パターンｂとパターンニングが施されない領域ｄとを交互に配設したものである。一方、アブソリュートパターン１００の場合には、例えばＭ系列パターンによって反射パターンａとパターンニングが施されない領域ｃとが配列される。Ｎ次のＭ系列は２^Ｎ−１個の０または１の符号により形成され、例えば、符号０を反射パターンａに対応させ、符号１を領域ｃに対応させる。２^Ｎ個の符号列にするため０が（Ｎ−１）個連続するパターンの頭に０を付与する。Ｍ系列では、符号の並びの中から連続したＮ個の符号を取り出した場合、取り出す位置によって符号の並び方が全て異なる。よって、Ｎ個の連続した反射パターンａと領域ｃとを検出することにより、スケール円板１の回転位置の絶対位置を求めることができる。 Incremental pattern 101 is formed by alternately arranging reflection pattern b and area d where patterning is not performed. On the other hand, in the case of the absolute pattern 100, for example, the reflection pattern a and the region c where patterning is not performed are arranged by an M series pattern. The N-th order M-sequence is formed by 2 ^N −1 0 or 1 codes. For example, the code 0 corresponds to the reflection pattern a, and the code 1 corresponds to the region c. 2 In order to make ^N code strings, 0 is given to the head of a pattern in which (N-1) 0s continue. In the M-sequence, when N consecutive codes are extracted from the code sequence, the code sequence is all different depending on the extraction position. Therefore, the absolute position of the rotational position of the scale disk 1 can be obtained by detecting N continuous reflection patterns a and regions c.

ＬＥＤ４０１からは発散光が出射されるので、受光素子アレイ４０３，４０４にはそれぞれアブソリュートパターン１００およびインクリメンタルパターン１０１の拡大像が反射投影される。そのため、受光素子アレイ４０３，４０４の大きさおよび位置は、反射投影されるアブソリュートパターン１００およびインクリメンタルパターン１０１の拡大像に対応するように設定されている。 Since divergent light is emitted from the LED 401, magnified images of the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 are reflected and projected onto the light receiving element arrays 403 and 404, respectively. Therefore, the sizes and positions of the light receiving element arrays 403 and 404 are set so as to correspond to the magnified images of the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 that are reflected and projected.

すなわち、受光素子アレイ４０３を構成する各光電変換素子の大きさは反射パターンａおよび領域ｃの像の大きさに応じて形成され、受光素子アレイ４０４を構成する各光電変換素子の大きさは反射パターンｂおよび領域ｄの像の大きさに応じて形成されている。本実施の形態では、図１に示すようにＬＥＤ４０１の出射面と受光素子アレイ４０３，４０４の受光面とは同一平面上に配設されているので、拡大像の倍率は２倍になる。 That is, the size of each photoelectric conversion element constituting the light receiving element array 403 is formed according to the size of the image of the reflection pattern a and the region c, and the size of each photoelectric conversion element constituting the light receiving element array 404 is reflective. The pattern b and the area d are formed according to the size of the image. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, since the emission surface of the LED 401 and the light receiving surfaces of the light receiving element arrays 403 and 404 are arranged on the same plane, the magnification of the magnified image is doubled.

ＬＥＤ４０１から出射される光は発散光であるため、照射領域の中心部分では光量がほぼ均一であるが周辺部では光量が低下する。そのため、ＬＥＤ４０１を受光素子アレイ４０３と受光素子アレイ４０４との間に配置し、アブソリュートパターン１００とインクリメンタルパターン１０１とがほぼ同一条件で照明されるようにする。好ましくは、円周パターンの径方向に関しては受光素子アレイ４０３および受光素子４０４の中間位置で、円周パターンの周方向に関しても受光素子アレイ４０３，４０４の周方向中間位置に配置するのが良い。 Since the light emitted from the LED 401 is divergent light, the light amount is substantially uniform in the central portion of the irradiation area, but the light amount is reduced in the peripheral portion. For this reason, the LED 401 is disposed between the light receiving element array 403 and the light receiving element array 404 so that the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 are illuminated under substantially the same conditions. Preferably, the light receiving element array 403 and the light receiving element 404 are arranged at an intermediate position with respect to the radial direction of the circumferential pattern, and the light receiving element arrays 403 and 404 are arranged at an intermediate position in the circumferential direction with respect to the circumferential direction of the circumferential pattern.

また、アブソリュートパターン１００およびインクリメンタルパターン１０１を挟むように設けられた参照用パターン１０２，１０３は、上述したように全領域に反射膜が形成されており、参照パターン１０２により反射された反射光は受光素子４０２ａにより検出される。一方、参照パターン１０３で反射された反射光は受光素子４０２ｂで検出される。受光素子４０２ａ，４０２ｂはＬＥＤ４０１に関して対称な位置に設けられる。図２に示す例では、円周パターンの同一径方向に沿って配置されている。 The reference patterns 102 and 103 provided so as to sandwich the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 have the reflection film formed in the entire area as described above, and the reflected light reflected by the reference pattern 102 is received. Detected by element 402a. On the other hand, the reflected light reflected by the reference pattern 103 is detected by the light receiving element 402b. The light receiving elements 402 a and 402 b are provided at symmetrical positions with respect to the LED 401. In the example shown in FIG. 2, they are arranged along the same radial direction of the circumferential pattern.

インクリメンタルパターン１０１を検出するための受光素子アレイ４０４は、スケール円板１の回転方向が判別できるように０度、９０度、１８０度および２７０度の４位相の信号を出力する。処理回路５では、演算部５０１で０度信号と１８０度信号との差動、および９０度信号と２７０度信号の差動をそれぞれ演算することにより、回転の方向判別をしている。 The light receiving element array 404 for detecting the incremental pattern 101 outputs four-phase signals of 0 degrees, 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees so that the rotation direction of the scale disk 1 can be determined. In the processing circuit 5, the calculation unit 501 calculates the differential between the 0 degree signal and the 180 degree signal and the differential between the 90 degree signal and the 270 degree signal, respectively, thereby determining the rotation direction.

また、アブソリュートパターン１００を検出するための受光素子アレイ４０３については、上述したようにＮ次のＭ系列の場合には、反射パターンａおよび領域ｃからなる連続するＮ個のパターンを検出するために、Ｎ個の受光素子が一列に設けられている。このＮ個の受光素子の検出信号はラインセンサのように時系列的に処理回路５に順次読み込まれ、処理回路５において順に処理される。 In addition, as described above, the light receiving element array 403 for detecting the absolute pattern 100 is for detecting N consecutive patterns including the reflection pattern a and the region c in the case of the N-th order M series. , N light receiving elements are provided in a line. The detection signals of the N light receiving elements are sequentially read into the processing circuit 5 in time series like a line sensor, and are sequentially processed in the processing circuit 5.

ところで、エンコーダをモータに装着した場合、モータ発熱によりエンコーダが高温環境に曝されることになる。そして、この温度変化によりＬＥＤ４０１の発光量が変化し、センサ出力レベルの変化を招く。そこで、受光素子４０２ａ，４０２ｂの出力を利用して光量の変化を検出し、その結果をＬＥＤ４０１の発光制御回路６にフィードバックしてＬＥＤ４０１の発光量を一定に保つように制御する。 By the way, when the encoder is mounted on the motor, the encoder is exposed to a high temperature environment due to motor heat generation. And the light emission amount of LED401 changes with this temperature change, and the change of a sensor output level is caused. Therefore, a change in the amount of light is detected using the outputs of the light receiving elements 402a and 402b, and the result is fed back to the light emission control circuit 6 of the LED 401 to control the light emission amount of the LED 401 to be constant.

受光素子４０２ａ，４０２ｂはＬＥＤ４０１から出射される発散光の周辺付近の光を検出しているため、参照用パターン１０２，１０３に対するＬＥＤ４０１の径方向位置の微妙な変化によって光量がふらつく。そのため、上述した発光量制御には受光素子４０２ａ，４０２ｂの各出力の和を用いる。演算部５０１で演算されるこの和信号は、ＬＥＤ４０１の径方向位置が変化しても、ＬＥＤ４０１に位置誤差があってもほぼ一定に保たれる。そして、ＬＥＤ４０１の光量の増減に対応して和信号の出力値も増減するので、和信号が増加したならば発光制御回路６はＬＥＤ４０１の出力を下げるように制御し、逆に、和信号が減少したならば発光制御回路６はＬＥＤ４０１の出力を上げるように制御して、光量が一定に保たれるようにする。 Since the light receiving elements 402a and 402b detect light near the periphery of the divergent light emitted from the LED 401, the light amount fluctuates due to a subtle change in the radial position of the LED 401 with respect to the reference patterns 102 and 103. Therefore, the sum of the outputs of the light receiving elements 402a and 402b is used for the light emission amount control described above. The sum signal calculated by the calculation unit 501 is kept substantially constant even if the radial position of the LED 401 changes or the LED 401 has a position error. The output value of the sum signal also increases / decreases in accordance with the increase / decrease of the light amount of the LED 401. Therefore, if the sum signal increases, the light emission control circuit 6 controls to decrease the output of the LED 401, and conversely the sum signal decreases. If so, the light emission control circuit 6 controls to increase the output of the LED 401 so that the amount of light is kept constant.

なお、上述した例では、参照用パターン１０２，１０３からの反射光を検出する受光素子４０２ａ，４０２ｂの出力信号を利用して光量フィードバックを行ったが、インクリメンタルパターン１０１からの反射光を検出する受光素子アレイ４０４の検出信号を利用して光量フィードバックを行っても良い。その場合、受光素子アレイ４０４の位相が０度、９０度、１８０度、２７０度の信号の和を取るとＤＣ成分が得られ、そのＤＣ成分はＬＥＤ４０１の光量変化によって増減する。そのため、このＤＣ成分を利用して光量を一定に保つような制御を行うことができる。 In the above-described example, the light amount feedback is performed using the output signals of the light receiving elements 402a and 402b that detect the reflected light from the reference patterns 102 and 103. However, the light reception that detects the reflected light from the incremental pattern 101 is performed. The light amount feedback may be performed using the detection signal of the element array 404. In that case, a DC component is obtained by taking the sum of the signals of the light receiving element array 404 of 0 degree, 90 degrees, 180 degrees, and 270 degrees, and the DC component is increased or decreased by a change in the light amount of the LED 401. Therefore, it is possible to perform control such that the amount of light is kept constant using this DC component.

また、アブソリュートパターン１００で反射された光を検出する受光素子アレイ４０３の出力が、温度変化によって変化する場合がある。その場合、受光素子４０２ａ，４０２ｂの出力の和も同様に変化する。そこで、この和信号と受光素子アレイ４０３の出力との差分を取ると、出力の変化がキャンセルされて一定の出力を得ることができる。その差分信号を補正されたアブリュートパターン信号として利用する。 In addition, the output of the light receiving element array 403 that detects the light reflected by the absolute pattern 100 may change due to a temperature change. In that case, the sum of the outputs of the light receiving elements 402a and 402b also changes similarly. Therefore, if the difference between this sum signal and the output of the light receiving element array 403 is taken, the change in the output is canceled and a constant output can be obtained. The difference signal is used as a corrected absolute pattern signal.

図２に示した例では、参照用パターン１０２，１０３で反射された光を検出する受光素子４０２ａ，４０２ｂをＬＥＤ４０１を挟んで一つずつ設けたが、図３に示すように受光素子アレイ４０３，４０４を含む領域４０５の４隅に一つずつ受光素子４０５ａ〜４０５ｄを設けるようにしても良い。ＬＥＤ４０１の光量フィードバックを行う場合には、受光素子４０５ａ〜４０５ｄの和を用いてフィードバック制御を行う。また、アブリュートパターン信号の温度変化補正を行う場合にも、受光素子４０５ａ〜４０５ｄの出力の和を用いて補正を行う。 In the example shown in FIG. 2, the light receiving elements 402a and 402b for detecting the light reflected by the reference patterns 102 and 103 are provided one by one with the LED 401 interposed therebetween, but as shown in FIG. The light receiving elements 405 a to 405 d may be provided one by one at the four corners of the region 405 including the 404. When performing light amount feedback of the LED 401, feedback control is performed using the sum of the light receiving elements 405a to 405d. Also, when correcting the temperature change of the absolute pattern signal, the correction is performed using the sum of the outputs of the light receiving elements 405a to 405d.

ＬＥＤ４０１の円周方向位置は、上述したように受光素子アレイ４０３，４０４の周方向中間位置に配置される。しかし、ＬＥＤ４０１をシリコンセンサ基板４に配設した際に、位置ずれが発生する場合がある。その時、ＬＥＤ４０１が周方向に位置ずれすると、受光素子アレイ４０３の各光電変換素子の出力レベルが揃わなくなる。 The circumferential position of the LED 401 is arranged at the circumferential intermediate position of the light receiving element arrays 403 and 404 as described above. However, when the LED 401 is disposed on the silicon sensor substrate 4, positional displacement may occur. At this time, if the LEDs 401 are displaced in the circumferential direction, the output levels of the photoelectric conversion elements of the light receiving element array 403 are not aligned.

例えば、図３においてＬＥＤ４０１が中心から図示上方に位置ずれしている場合、光電変換素子４０３ｂに入射する光が減少し、光電変換素子４０３ｂの出力は受光素子４０３ａの出力よりも小さくなる。当然、参照用パターン１０２，１０３の反射光を受光する受光素子４０５ａ〜４０５ｄに関しても、受光素子４０５ｂ，４０５ｃの出力は受光素子４０５ａ，４０５ｄの出力よりも小さくなる。 For example, in FIG. 3, when the LED 401 is displaced from the center upward in the figure, the light incident on the photoelectric conversion element 403b decreases, and the output of the photoelectric conversion element 403b becomes smaller than the output of the light receiving element 403a. Naturally, also with respect to the light receiving elements 405a to 405d that receive the reflected light of the reference patterns 102 and 103, the outputs of the light receiving elements 405b and 405c are smaller than the outputs of the light receiving elements 405a and 405d.

そこで、予め記憶部５０２に発散光の光量の周方向分布を記憶させておく。そして、受光素子４０５ａ，４０５ｄの出力の和、受光素子４０５ｂ，４０５ｃの出力の和および記憶されている光量分布とに基づいて、ＬＥＤ４０１の周方向位置ずれ量を算出する。そして、算出された位置ずれ量と記憶されている光量分布とから、受光素子アレイ４０３の各光電変換素子からの出力信号を補正する。 Therefore, the circumferential distribution of the amount of divergent light is stored in advance in the storage unit 502. Then, based on the sum of the outputs of the light receiving elements 405a and 405d, the sum of the outputs of the light receiving elements 405b and 405c, and the stored light quantity distribution, the circumferential displacement amount of the LED 401 is calculated. Then, the output signal from each photoelectric conversion element of the light receiving element array 403 is corrected from the calculated positional deviation amount and the stored light quantity distribution.

次に、図４〜図６を参照して、シリコンセンサ基板４の形成方法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、異方性エッチングによりシリコンセンサ基板４上に凹部６０２を形成する。なお、エッチング加工に代えてレーザビーム加工により筒状の凹部を形成してもよい。 Next, a method for forming the silicon sensor substrate 4 will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 4A, a recess 602 is formed on the silicon sensor substrate 4 by anisotropic etching. Note that a cylindrical recess may be formed by laser beam processing instead of etching processing.

次いで、半導体製造プロセスにより、シリコンセンサ基板４上に複数のフォトダイオードから成る受光素子アレイ４０３，４０４および受光素子４０２ａ，４０２ｂを形成する（図４（ｂ）参照）。その際に、ＬＥＤ４０１の電極が接続される配線パターン６０３を形成する。その後、シリコンセンサ基板４の凹部６０２に、ＬＥＤ４０１が形成されたチップ６０４を導電性接着剤により固着し、配線６０５を施す（図５参照）。本実施の形態では。シリコンセンサ基板４に凹部６０２を形成してから受光素子アレイ４０３等を形成したが、逆に、受光素子アレイ４０３等を形成してから凹部６０２を形成しても良い。 Next, light receiving element arrays 403 and 404 and light receiving elements 402a and 402b made of a plurality of photodiodes are formed on the silicon sensor substrate 4 by a semiconductor manufacturing process (see FIG. 4B). At that time, a wiring pattern 603 to which the electrode of the LED 401 is connected is formed. Thereafter, the chip 604 on which the LED 401 is formed is fixed to the recess 602 of the silicon sensor substrate 4 with a conductive adhesive, and wiring 605 is applied (see FIG. 5). In this embodiment. The light receiving element array 403 and the like are formed after forming the recess 602 in the silicon sensor substrate 4, but conversely, the recess 602 may be formed after forming the light receiving element array 403 and the like.

なお、凹部６０２の深さは、ＬＥＤ４０１と受光素子アレイ４０３，４０４および受光素子４０２ａ，４０２ｂとが同一平面となるように設定される。導電性接着剤としては、例えば銀ペーストなどが用いられる。最後に、導電性接着剤を用いて、シリコンセンサ基板４をプリント配線基板３に形成されたダイパッド３０１上に固着し、不図示の配線（ワイヤボンディング）を施す（図６参照）。 The depth of the recess 602 is set so that the LED 401, the light receiving element arrays 403 and 404, and the light receiving elements 402a and 402b are on the same plane. For example, a silver paste or the like is used as the conductive adhesive. Finally, the silicon sensor substrate 4 is fixed on the die pad 301 formed on the printed wiring board 3 using a conductive adhesive, and wiring (wire bonding) (not shown) is performed (see FIG. 6).

図１に示す例では、シリコンセンサ基板４に凹部６０２を形成して、その凹部６０２の底面にＬＥＤ４０１を設けたが、図７に示すようにシリコンセンサ基板４に形成された貫通孔７０１内にＬＥＤ４０１を配設しても良い。この場合、ＬＥＤ４０１は金属製の高さ調整用ブロック７０２を介してプリント配線基板３上に固着される。ブロック７０２によりＬＥＤ４０１と受光素子アレイ４０３，４０４および受光素子４０２ａ，４０２ｂとが同一平面となるようにしている。ＬＥＤ４０１が形成されたチップ６０４の厚さとシリコンセンサ基板４の厚さとが等しい場合には、高さ調整用ブロック７０２は必要ない。 In the example shown in FIG. 1, the recess 602 is formed in the silicon sensor substrate 4 and the LED 401 is provided on the bottom surface of the recess 602, but in the through hole 701 formed in the silicon sensor substrate 4 as shown in FIG. 7. You may arrange | position LED401. In this case, the LED 401 is fixed on the printed wiring board 3 via a metal height adjustment block 702. A block 702 makes the LED 401, the light receiving element arrays 403 and 404, and the light receiving elements 402a and 402b coplanar. When the thickness of the chip 604 on which the LED 401 is formed and the thickness of the silicon sensor substrate 4 are equal, the height adjustment block 702 is not necessary.

まず、図８に示すように、シリコンセンサ基板４に受光素子アレイ４０３等を形成し、その後、異方性エッチングにより貫通孔７０１を形成することによりシリコンセンサ基板４が形成される。受光素子アレイ４０３等は、貫通孔７０１の開口部が小さい方の面に形成される。なお、この変形例の場合も、貫通孔７０１を形成した後に受光素子アレイ等４０３を形成しても良い。 First, as shown in FIG. 8, the light receiving element array 403 and the like are formed on the silicon sensor substrate 4, and then the through holes 701 are formed by anisotropic etching, whereby the silicon sensor substrate 4 is formed. The light receiving element array 403 and the like are formed on the surface where the opening of the through hole 701 is smaller. In this modification, the light receiving element array 403 and the like may be formed after the through hole 701 is formed.

次いで、図９に示すように、プリント配線基板３に設けられたダイパッド３０１の所定位置（中央部）に、ＬＥＤ４０１が形成されたチップ６０４を高さ調整用ブロック７０２を介して固着する。その後、図８に示したシリコンセンサ基板４をダイパッド３０１上に固着する。なお、ＬＥＤ４０１の電極との配線６０５はシリコンセンサ基板４の固着後に行われる（図７参照）。 Next, as shown in FIG. 9, the chip 604 on which the LED 401 is formed is fixed to a predetermined position (center portion) of the die pad 301 provided on the printed wiring board 3 via a height adjustment block 702. Thereafter, the silicon sensor substrate 4 shown in FIG. 8 is fixed on the die pad 301. In addition, the wiring 605 with the electrode of the LED 401 is performed after the silicon sensor substrate 4 is fixed (see FIG. 7).

上述したように、本実施の形態では、受光素子アレイ４０３，４０４が形成された基板４の凹部６０２や貫通孔７０１に発散光を出射するＬＥＤ４０１を配設し、アブソリュートパターン１００およびインクリメンタルパターン１０１で反射された発散光を受光素子アレイ４０３，４０４で検出するようにしたので、アブソリュートエンコーダの厚さ方向（図１の上下方向）寸法を小さくすることができる。 As described above, in the present embodiment, the LED 401 that emits divergent light is disposed in the recess 602 and the through hole 701 of the substrate 4 on which the light receiving element arrays 403 and 404 are formed, and the absolute pattern 100 and the incremental pattern 101 are used. Since the reflected divergent light is detected by the light receiving element arrays 403 and 404, the thickness direction (vertical direction in FIG. 1) of the absolute encoder can be reduced.

上述した実施の形態では、ＬＥＤ４０１を受光素子アレイ１００等が形成される基板４とは別の基板６０４に形成して、基板６０４を凹部６０２や貫通孔７０１に設けたが、ＬＥＤ４０１を基板４に形成するようにしても良い。また、上述した実施の形態では、受光素子アレイ４０３に関して、各受光素子の出力信号を順次読み出して時系列的に処理したが、各受光素子の出力信号をパラレルに読み出して動じ処理するようにしても良い。その場合、ＬＥＤ４０１の円周方向位置ずれに応じて、各出力信号を補正するようにしても良い。さらに、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。 In the above-described embodiment, the LED 401 is formed on the substrate 604 different from the substrate 4 on which the light receiving element array 100 or the like is formed, and the substrate 604 is provided in the recess 602 or the through hole 701. You may make it form. Further, in the above-described embodiment, the output signals of the respective light receiving elements are sequentially read and processed in time series with respect to the light receiving element array 403. However, the output signals of the respective light receiving elements are read in parallel to be processed. Also good. In that case, each output signal may be corrected according to the circumferential displacement of the LED 401. Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiment as long as the characteristics of the present invention are not impaired.

以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、スケール円板１はスケール平板を、シリコンセンサ基板４は半導体基板およびセンサ素子を、受光素子アレイ４０３は第１の光電変換素子アレイを、受光素子アレイ４０４は第２の光電変換素子アレイを、ＬＥＤ４０１は発光素子を、プリント配線基板３は支持基板を、チップ６０４は半導体チップを、参照用パターン１０２，１０３は反射パターンを、受光素子４０２ａ，４０２ｂ，４０５ａ〜４０５ｂは参照用光電変換素子を、演算部５０１は補正手段をそれぞれ構成する。また、図１のＬＥＤ４０１が設けられたシリコンセンサ基板４、および図７のプリント配線基板３上に設けられたシリコンセンサ基板４とＬＥＤ４０１は、それぞれセンサ素子を構成している。 In the correspondence between the embodiment described above and the elements of the claims, the scale disk 1 is a scale flat plate, the silicon sensor substrate 4 is a semiconductor substrate and a sensor element, and the light receiving element array 403 is a first photoelectric conversion element. The light receiving element array 404 is a second photoelectric conversion element array, the LED 401 is a light emitting element, the printed wiring board 3 is a support substrate, the chip 604 is a semiconductor chip, the reference patterns 102 and 103 are reflection patterns, The light receiving elements 402a, 402b, and 405a to 405b constitute reference photoelectric conversion elements, and the arithmetic unit 501 constitutes correction means. Further, the silicon sensor substrate 4 provided with the LED 401 in FIG. 1 and the silicon sensor substrate 4 and the LED 401 provided on the printed wiring board 3 in FIG. 7 each constitute a sensor element.

本発明によるアブソリュートエンコーダの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the absolute encoder by this invention. スケール円板１を中心とする概略斜視図である。1 is a schematic perspective view with a scale disk 1 as a center. 受光素子４０５ａ〜４０５ｄの配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the light receiving elements 405a-405d. シリコンセンサ基板４の形成方法について説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。It is a figure explaining the formation method of the silicon sensor board | substrate 4, (a) is sectional drawing, (b) is a perspective view. 図４に続く工程を示す図であり、シリコンセンサ基板４の断面図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a process subsequent to FIG. 4, and is a cross-sectional view of the silicon sensor substrate 4. シリコンセンサ基板４のプリント配線基板３への装着方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mounting method to the printed wiring board 3 of the silicon sensor board | substrate 4. FIG. シリコンセンサ基板４の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the silicon sensor substrate. 変形例におけるシリコンセンサ基板４の断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of the silicon sensor board | substrate 4 in a modification. 変形例におけるシリコンセンサ基板４のプリント配線基板３への装着方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mounting method to the printed wiring board 3 of the silicon sensor board | substrate 4 in a modification.

符号の説明Explanation of symbols

１スケール円板
２モータ軸
３プリント配線基板
４シリコンセンサ基板
５処理回路
６発光制御回路
１００アブソリュートパターン
１０１インクリメンタルパターン
１０２，１０３参照用パターン
４０１ＬＥＤ
４０２ａ，４０２ｂ，４０５ａ〜４０５ｄ受光素子
４０３，４０４受光素子アレイ
５０１演算部
５０２記憶部
６０２凹部
７０１貫通孔
ａ，ｂ反射パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scale disk 2 Motor shaft 3 Printed wiring board 4 Silicon sensor board 5 Processing circuit 6 Light emission control circuit 100 Absolute pattern 101 Incremental pattern 102,103 Reference pattern 401 LED
402a, 402b, 405a to 405d Light receiving element 403, 404 Light receiving element array 501 Arithmetic unit 502 Storage unit 602 Recessed portion 701 Through hole a, b Reflection pattern

Claims

シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、
前記シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、前記インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイとの間に配置され、前記スケール平板に向けて光を出射する発光素子とを備えたことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 A scale plate in which serial absolute pattern rows and incremental pattern rows are arranged side by side;
A first photoelectric conversion element array for detecting reflected light from the serial absolute pattern row;
A second photoelectric conversion element array formed in parallel with the first photoelectric conversion element array and detecting reflected light from the incremental pattern row;
An absolute encoder, comprising: a light emitting element that is disposed between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array and emits light toward the scale plate.

請求項１に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイと前記発光素子とは、前記スケール平板と対向して配置された半導体基板に形成されていることを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 The absolute encoder according to claim 1,
The absolute encoder according to claim 1, wherein the first photoelectric conversion element array, the second photoelectric conversion element array, and the light emitting element are formed on a semiconductor substrate disposed to face the scale flat plate.

シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、
前記スケール平板と対向して設けられた半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、
前記半導体基板に前記第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、前記インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイとの間の前記半導体基板上に配設され、前記スケール平板に向けて光を出射する発光素子が形成された半導体チップとを備えたことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 A scale plate in which serial absolute pattern rows and incremental pattern rows are arranged side by side;
A semiconductor substrate provided opposite to the scale plate;
A first photoelectric conversion element array formed on the semiconductor substrate for detecting reflected light from the serial absolute pattern row;
A second photoelectric conversion element array that is formed in parallel with the first photoelectric conversion element array on the semiconductor substrate and detects reflected light from the incremental pattern row;
A semiconductor chip provided on the semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array and having a light emitting element that emits light toward the scale plate; An absolute encoder characterized by comprising.

請求項３に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイとの間の前記半導体基板に凹部を形成し、前記凹部に前記半導体チップを配設したことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 The absolute encoder according to claim 3,
An absolute encoder, wherein a recess is formed in the semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array, and the semiconductor chip is disposed in the recess.

シリアルアブソリュートパターン列およびインクリメンタルパターン列が並設されたスケール平板と、
前記スケール平板と対向するように半導体基板を支持する支持基板と、
前記半導体基板に形成され、前記シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、
前記半導体基板に前記第１の光電変換素子アレイと並列に形成され、前記インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイとの間の前記半導体基板に形成された貫通孔と、
前記貫通孔内において前記支持基板に配設され、前記スケール平板に向けて光を出射する発光素子が形成された半導体チップとを備えたことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 A scale plate in which serial absolute pattern rows and incremental pattern rows are arranged side by side;
A support substrate that supports the semiconductor substrate so as to face the scale plate;
A first photoelectric conversion element array formed on the semiconductor substrate for detecting reflected light from the serial absolute pattern row;
A second photoelectric conversion element array that is formed in parallel with the first photoelectric conversion element array on the semiconductor substrate and detects reflected light from the incremental pattern row;
A through hole formed in the semiconductor substrate between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array;
An absolute encoder comprising: a semiconductor chip provided with a light emitting element disposed on the support substrate in the through hole and emitting light toward the scale flat plate.

請求項１〜５のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記発光素子の出射面と前記第１および第２の光電変換素子アレイの受光面とを同一平面に配設したことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 In the absolute encoder according to any one of claims 1 to 5,
An absolute encoder, wherein an emission surface of the light emitting element and a light receiving surface of the first and second photoelectric conversion element arrays are arranged on the same plane.

請求項１〜６のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記半導体基板上であって、並列に形成された前記第１の光電変換素子アレイおよび前記第２の光電変換素子アレイから等距離のライン上に、前記発光素子を配置したことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 In the absolute encoder according to any one of claims 1 to 6,
The absolute structure characterized in that the light emitting element is arranged on a line equidistant from the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array formed in parallel on the semiconductor substrate. Encoder.

請求項７に記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記発光素子を、前記第１の光電変換素子アレイの両端に設けられた各光電変換素子から等距離の位置に配置したことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 The absolute encoder according to claim 7,
An absolute encoder, wherein the light emitting elements are arranged at equidistant positions from the photoelectric conversion elements provided at both ends of the first photoelectric conversion element array.

請求項１〜８のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダにおいて、
前記シリアルアブソリュートパターン列と並設された反射パターンと、
前記反射パターンで反射された前記光を検出する参照用光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子アレイからの出力と前記参照用光電変換素子からの出力との差分を用いて、前記第１の光電変換素子アレイの光電変換効率の変化を補正する補正手段とを備えたことを特徴とするアブソリュートエンコーダ。 In the absolute encoder according to any one of claims 1 to 8,
A reflective pattern juxtaposed with the serial absolute pattern row;
A reference photoelectric conversion element for detecting the light reflected by the reflection pattern;
Correction means for correcting a change in photoelectric conversion efficiency of the first photoelectric conversion element array using a difference between an output from the first photoelectric conversion element array and an output from the reference photoelectric conversion element; An absolute encoder characterized by that.

請求項１〜９のいずれかに記載のアブソリュートエンコーダに搭載されるセンサ素子であって、
前記シリアルアブソリュートパターン列からの反射光を検出する第１の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと並設され、前記インクリメンタルパターン列からの反射光を検出する第２の光電変換素子アレイと、
前記第１の光電変換素子アレイと前記第２の光電変換素子アレイとの間に配置され、前記シリアルアブソリュートパターン列および前記インクリメンタルパターン列に向けて光を出射する発光素子とを備えることを特徴とするセンサ素子。 A sensor element mounted on the absolute encoder according to any one of claims 1 to 9,
A first photoelectric conversion element array for detecting reflected light from the serial absolute pattern row;
A second photoelectric conversion element array that is arranged in parallel with the first photoelectric conversion element array and detects reflected light from the incremental pattern row;
A light emitting element disposed between the first photoelectric conversion element array and the second photoelectric conversion element array and emitting light toward the serial absolute pattern row and the incremental pattern row; Sensor element to do.