JP2005120354A - Manufacturing method of composition for forming film, composition for forming film, and material for forming insulating film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関し、さらに詳しくは、低い比誘電率を有し、かつ薬液耐性および密着性に優れた膜が形成可能である膜形成用組成物の製造方法、前記膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料に関する。 The present invention relates to a method for producing a film-forming composition, a film-forming composition, and an insulating film-forming material, and more specifically, a film having a low relative dielectric constant and excellent chemical resistance and adhesion is formed. The present invention relates to a method for producing a film-forming composition, the film-forming composition, and an insulating film-forming material.
従来、半導体素子等における層間絶縁膜として、ＣＶＤ法等の真空プロセスで以て形成されたシリカ（ＳｉＯ２）膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれる、テトラアルコキシシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜が使用されるようになってきている。また、半導体素子等の高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるオルガノポリシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間絶縁膜が開発されている。 Conventionally, a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD method has been frequently used as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like. In recent years, for the purpose of forming a more uniform interlayer insulating film, a coating type insulating film called a SOG (Spin on Glass) film, which is mainly composed of a hydrolysis product of tetraalkoxysilane, is used. It has become like this. In addition, with high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film having a low relative dielectric constant, which is mainly composed of organopolysiloxane called organic SOG, has been developed.
一方、半導体素子等のさらなる高集積化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低比誘電率の層間絶縁膜材料が求められるようになってきた。 On the other hand, with further higher integration of semiconductor elements and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, a lower dielectric constant interlayer insulating film material has been required.
そこで、層間絶縁膜材料として、より低比誘電率の絶縁膜形成用塗布型組成物が開示されている（例えば、特許文献１〜３参照）。特許文献１に記載された塗布型組成物は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以上のオリゴマ−を主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成物である。 Therefore, a coating composition for forming an insulating film having a lower relative dielectric constant is disclosed as an interlayer insulating film material (see, for example, Patent Documents 1 to 3). The coating-type composition described in Patent Document 1 is intended to provide an insulating film of a semiconductor device having low water absorption and excellent crack resistance, and its structure is composed of titanium, zirconium, niobium and tantalum. Insulation mainly composed of an oligomer having a number average molecular weight of 500 or more obtained by polycondensation of an organometallic compound containing at least one selected element and an organosilicon compound having at least one alkoxy group in the molecule It is a coating-type composition for film formation.
また、特許文献２，３に記載された塗膜形成用組成物は、アルコキシシラン類を金属触媒存在下で加水分解縮合して得られる。特許文献２に記載された塗膜形成用組成物は、低比誘電率でかつ高弾性率であり、クラック耐性およびＣＭＰ耐性に優れている。また、特許文献３に記載された塗膜形成用組成物は、低比誘電率でかつ低吸湿性であり、塗膜均一性に優れ、長期保存時の膜厚増加が少ないという特徴を有する。
一方、近年の半導体素子の製造プロセスにおいて、積層膜の平坦化を目的としてＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程が多用されている。このため、半導体素子においてはＣＭＰ工程に耐え得るように、層間絶縁膜と基板との密着性が求められている。 On the other hand, in recent semiconductor element manufacturing processes, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process is frequently used for the purpose of planarizing a laminated film. For this reason, in the semiconductor element, adhesion between the interlayer insulating film and the substrate is required so as to withstand the CMP process.
また、半導体素子の製造プロセスにおいては、エッチングやアッシング等の工程を経た後に通常洗浄工程が行なわれる。この洗浄工程では、希フッ酸等の薬液が使用される。また、希フッ酸等の薬液は、ウエットエッチングのエッチャントとしても使用されることがある。従来の膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜では、洗浄工程またはエッチング工程にて使用される上記薬液との接触面が浸食される結果、絶縁性が低下することがあっ
た。そこで、ＣＭＰ工程に耐えうる密着性と薬液耐性とを兼ね備えた絶縁膜を形成することが求められている。
Further, in the semiconductor element manufacturing process, a normal cleaning step is performed after steps such as etching and ashing. In this cleaning process, a chemical solution such as dilute hydrofluoric acid is used. Further, a chemical solution such as dilute hydrofluoric acid may be used as an etchant for wet etching. Insulating films formed using conventional film-forming compositions sometimes have a reduced insulating property as a result of erosion of the contact surface with the chemical used in the cleaning process or etching process. Therefore, it is required to form an insulating film having both adhesion and chemical resistance that can withstand the CMP process.
本発明の目的は、低い比誘電率を有し、かつ薬液耐性および密着性に優れた膜が形成可能である膜形成用組成物の製造方法を提供することにある。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of the composition for film formation which can form the film | membrane which has a low dielectric constant and was excellent in chemical | medical solution tolerance and adhesiveness.
また、本発明の目的は、前記製造方法により得られた膜形成用組成物およびこの膜形成用組成物からなる絶縁膜形成用材料を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a film-forming composition obtained by the above production method and an insulating film-forming material comprising the film-forming composition.
（１）本発明の膜形成用組成物の製造方法は、
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（Ａ−１）、下記一般式（２）で表される化合物（Ａ−２）、および下記一般式（３）で表される化合物（Ａ−３）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物、および
ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ１は１価の有機基を示し、ａは１〜２の整数を表す。〕
Ｓｉ（ＯＲ２）４ ・・・・・（２）
〔式中、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
Ｒ３ ｂ（Ｒ４Ｏ）３−ｂＳｉ−（Ｒ７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｃＲ６ ｃ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２）ｍ−で表される基を示し、ｍは１〜６の整数を表し、ｄは０または１を表す。〕
（Ｂ）下記一般式（４）で表される環状シラン化合物を、
(1) The method for producing the film forming composition of the present invention comprises:
(A) Compound (A-1) represented by the following general formula (1), compound (A-2) represented by the following general formula (2), and compound represented by the following general formula (3) ( At least one silane compound selected from A-3), and R a Si (OR 1 ) 4-a (1)
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 1 to 2. ]
Si (OR 2 ) 4 (2)
[Wherein R 2 represents a monovalent organic group. ]
R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (3)
[Wherein R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R 7 represents an oxygen atom, a phenylene group or a group represented by — (CH 2 ) m —, m represents an integer of 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
(B) A cyclic silane compound represented by the following general formula (4):
〔式中、Ｘ，Ｙは同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または１価の有機基を示し、ｎは２〜８の整数を表す。〕
（Ｃ）下記一般式（５）で表される金属キレート化合物、または酸性触媒の存在下、加水分解縮合すること、を含む。
[Wherein X and Y may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and n represents an integer of 2 to 8. ]
(C) hydrolytic condensation in the presence of a metal chelate compound represented by the following general formula (5) or an acidic catalyst.
Ｒ８ ｅＭ（ＯＲ９）ｆ−ｅ ・・・・・（５）
〔式中、Ｒ８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕
ここで、前記（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重量部に対して、前記（Ｂ）成分が１〜２００重量部であることができる。
R 8 e M (OR 9 ) fe (5)
[Wherein R 8 represents a chelating agent, M represents a metal atom, R 9 represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
Here, the said (B) component can be 1-200 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component (complete hydrolysis-condensation product conversion).
また、ここで、加水分解縮合時の前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の濃度が１〜３０重量％（完全加水分解縮合物換算）であることができる。 Moreover, the density | concentration of the said (A) component and the said (B) component at the time of hydrolysis condensation can be 1-30 weight% (complete hydrolysis-condensation product conversion) here.
また、ここで、前記（Ｃ）成分の使用量が、加水分解縮合時の前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の総量１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して、０．０００１〜１０重量部であることができる。 In addition, the amount of the component (C) used here is 0.1% relative to 100 parts by weight (in terms of complete hydrolysis condensate) of the component (A) and the component (B) during hydrolysis condensation. It can be 0001-10 parts by weight.
また、ここで、前記（Ｃ）成分として使用される前記酸性触媒が有機酸であることができる。 Here, the acidic catalyst used as the component (C) may be an organic acid.
また、ここで、加水分解縮合がさらに（Ｄ）水の存在下で行われ、前記（Ｄ）水の使用量が、前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の総量１モルに対して０．５〜１０モルであることができる。 Further, here, the hydrolytic condensation is further performed in the presence of (D) water, and the amount of the (D) water used is 0 with respect to 1 mol of the total amount of the component (A) and the component (B). .5 to 10 moles.
また、ここで、加水分解がさらに（Ｅ）有機溶剤の存在下で行われ、前記（Ｅ）有機溶剤が下記一般式（６）で表される溶剤であることができる。 In addition, here, hydrolysis may be further performed in the presence of (E) an organic solvent, and the (E) organic solvent may be a solvent represented by the following general formula (6).
Ｒ１０Ｏ（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｇＲ１１ ・・・・・（６）
〔Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＣＨ３ＣＯ−から選ばれる１価の有機基を示し、ｇは１〜２の整数を表す。〕
（２）本発明の膜形成用組成物は、上記のいずれかの製造方法により得られる。ここで、前記膜形成用組成物は、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物、フッ素系界面活性剤、およびシリコーン系界面活性剤から選ばれる少なくとも１種の化合物をさらに含むことができる。
R 10 O (CHCH 3 CH 2 O) g R 11 (6)
[R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a monovalent organic group selected from CH 3 CO—, and g represents an integer of 1 to 2. ]
(2) The film forming composition of the present invention can be obtained by any one of the above production methods. Here, the film forming composition may further include at least one compound selected from a compound having a polyalkylene oxide structure, a fluorine-based surfactant, and a silicone-based surfactant.
（３）本発明の絶縁膜形成用材料は、前記膜形成用組成物からなる。 (3) The insulating film forming material of the present invention comprises the film forming composition.
本発明の膜形成用組成物の製造方法によれば、前記（Ｃ）成分の存在下で前記（Ｂ）成分が前記（Ａ）成分と縮合する。ここで、（Ｂ）成分を用いることにより、得られる膜形成用組成物中の有機成分（炭素含有量）を高めることができる。一般に、フッ酸等の薬液はＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断する働きを有する。したがって、（Ｂ）成分を用いることによって、得られる組成物中の有機成分（炭素含有量）を高めることにより、塗膜中のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を少なくすることができる。その結果、フッ酸等の薬液への耐性を高めることができる。さらに、（Ｂ）成分を用いることによって、得られる組成物中の有機成分（炭素含有量）を高めることにより、塗膜のモビリティを向上させることができる。その結果、外部からの応力を緩和することができるため、密着性を高めることができる。以上により、塗膜と被塗布物との間の密着性を確保しつつ、薬液耐性に優れた膜形成用組成物を得ることができる。また、本発明の絶縁膜形成用材料は前記膜形成用組成物からなるため、この絶縁膜形成用材料を用いて絶縁膜を形成することにより、低比誘電率であり、かつ密着性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができる。 According to the method for producing a film-forming composition of the present invention, the component (B) is condensed with the component (A) in the presence of the component (C). Here, by using the component (B), the organic component (carbon content) in the obtained film-forming composition can be increased. In general, a chemical solution such as hydrofluoric acid has a function of cutting a Si—O—Si bond. Therefore, by using the component (B), Si—O—Si bonds in the coating film can be reduced by increasing the organic component (carbon content) in the obtained composition. As a result, resistance to chemicals such as hydrofluoric acid can be increased. Furthermore, the mobility of a coating film can be improved by raising the organic component (carbon content) in the composition obtained by using (B) component. As a result, since external stress can be relieved, adhesion can be enhanced. By the above, the film forming composition excellent in chemical | medical solution tolerance can be obtained, ensuring the adhesiveness between a coating film and a to-be-coated object. In addition, since the insulating film forming material of the present invention is composed of the film forming composition, by forming an insulating film using this insulating film forming material, low dielectric constant and adhesion and chemical solution are obtained. An insulating film having excellent resistance can be formed.
以下、本発明の膜形成用組成物の製造方法ならびに前記製造方法により得られた膜形成用組成物について具体的に説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the film forming composition of the present invention and the film forming composition obtained by the manufacturing method will be described in detail.
＜膜形成用組成物の製造方法＞
本発明の膜形成用組成物の製造方法は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を（Ｃ）成分の存在下加水分解縮合することを含む。なお、本願において「加水分解」とは、反応系内に含まれる（Ａ）成分のアルコキシ基のすべてが加水分解されることだけでなく、例えば、１個だけが加水分解されること、あるいは２個以上が加水分解されることを含み、さらに（Ｂ）成分のＳｉ−Ｏ結合の一部あるいは全部が加水分解されることを含む。また、本願において「縮合」とは、（Ａ）成分のシラノール基同士が縮合すること、あるいは（Ａ）成分中のシラノール基と（Ｂ）成分中のシラノール基とが縮合することにより、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成することをいい、（Ａ）成分および（Ｂ）成分に含まれるシラノール基がすべて縮合している必要はなく、一部のシラノール基が縮合する場合を包含する概念である。
<Method for producing film-forming composition>
The method for producing a film-forming composition of the present invention includes hydrolytic condensation of the component (A) and the component (B) in the presence of the component (C). In the present application, “hydrolysis” not only means that all of the alkoxy groups of the component (A) contained in the reaction system are hydrolyzed, but, for example, only one is hydrolyzed, or 2 It includes that at least one of them is hydrolyzed, and further includes that some or all of the Si—O bonds of the component (B) are hydrolyzed. In the present application, “condensation” means that the silanol groups in the component (A) are condensed with each other, or the silanol groups in the component (A) and the silanol groups in the component (B) are condensed, This refers to forming an O-Si bond, and it is not necessary that all silanol groups contained in the component (A) and the component (B) are condensed, and it is a concept including a case where some silanol groups are condensed. .
また、本発明において、（Ａ）成分の完全加水分解縮合物とは、（Ａ）成分においてＳｉに結合したアルコキシ基が１００％加水分解してＳｉＯＨ基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となったものをいう。また、（Ｂ）成分中の完全加水分解縮合物とは、（Ｂ）成分のＳｉ−Ｏ結合が加水分解してＳｉＯＨ基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となったものをいう。（Ａ）成分として、得られる組成物の貯蔵安定性が良好である点で、化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）の加水分解縮合物であることが好ましい。 In the present invention, the complete hydrolysis-condensation product of the component (A) means that the alkoxy group bonded to Si in the component (A) is 100% hydrolyzed to become a SiOH group, and further completely condensed to form a siloxane structure. The thing that became. Further, the completely hydrolyzed condensate in the component (B) means a product in which the Si—O bond of the component (B) is hydrolyzed to become a SiOH group and further completely condensed to have a siloxane structure. (A) As a component, it is preferable that it is a hydrolysis-condensation product of a compound (A-1) and a compound (A-2) at the point that the storage stability of the composition obtained is favorable.
以下、本発明の膜形成用組成物の製造方法に用いられる各物質について説明する。 Hereafter, each substance used for the manufacturing method of the film forming composition of this invention is demonstrated.
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分は、下記一般式（１）で表される化合物（Ａ−１）、下記一般式（２）で表される化合物（Ａ−２）、および下記一般式（３）で表される化合物（Ａ−３）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物である。
[(A) component]
The component (A) is represented by the compound (A-1) represented by the following general formula (1), the compound (A-2) represented by the following general formula (2), and the following general formula (3). At least one silane compound selected from the following compounds (A-3):
ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ１は１価の有機基を示し、ａは１〜２の整数を表す。〕
Ｓｉ（ＯＲ２）４ ・・・・・（２）
〔式中、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
Ｒ３ ｂ（Ｒ４Ｏ）３−ｂＳｉ−（Ｒ７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｃＲ６ ｃ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２）ｍ−で表される基を示し、ｍは１〜６の整数を表し、ｄは０または１を表す。〕
次に、化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）についてそれぞれ説明する。
R a Si (OR 1 ) 4-a (1)
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 1 to 2. ]
Si (OR 2 ) 4 (2)
[Wherein R 2 represents a monovalent organic group. ]
R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (3)
[Wherein R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R 7 represents an oxygen atom, a phenylene group or a group represented by — (CH 2 ) m —, m represents an integer of 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
Next, each of the compounds (A-1) to (A-3) will be described.
化合物（Ａ−１）；上記一般式（１）において、ＲおよびＲ１の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。なかでも、一般式（１）において、Ｒは１価の有機基、特にアルキル基またはアリール基であることが好ましい。ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよい。一般式（１）において、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。 Compound (A-1): In the general formula (1), examples of the monovalent organic group represented by R and R 1 include an alkyl group, an aryl group, an allyl group, and a glycidyl group. Especially, in General formula (1), it is preferable that R is a monovalent organic group, especially an alkyl group or an aryl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and preferably 1 to 5 carbon atoms. These alkyl groups may be linear or branched, Further, a hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom or the like. In the general formula (1), examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, and a fluorophenyl group.
化合物（Ａ−１）として好ましい化合物は、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリフェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フルオロトリフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジ−γ−アミノプロピルジメトキシシラン、ジ−γ−グリシドキシプロピルジメトキシシラン、ジ−γ−トリフロロプロピルジメトキシシランなど；を挙げることができる。
Preferred compounds as the compound (A-1) are trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-iso-propoxysilane, tri-n-butoxysilane, tri-sec-butoxysilane, tri-tert. -Butoxysilane, triphenoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-iso-propoxysilane, fluorotri-n-butoxysilane, fluorotri-sec-butoxysilane, Fluorotri-tert-butoxysilane, fluorotriphenoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, methyltri-n-butyl Xysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, ethyltri-n-butoxy Silane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane, ethyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-iso-propoxysilane, vinyltri-n-butoxy Silane, vinyltri-sec-butoxysilane, vinyltri-tert-butoxysilane, vinyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n Propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltri-iso-propoxysilane, n-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec-butoxysilane, n-propyltri- tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, i-propyltri-n-propoxysilane, i-propyltri-iso-propoxysilane, i-propyltri -N-butoxysilane, i-propyltri-sec-butoxysilane, i-propyltri-tert-butoxysilane, i-propyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri -N-propoxy Silane, n-butyltri-iso-propoxysilane, n-butyltri-n-butoxysilane, n-butyltri-sec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, sec-butyltrimethoxy Silane, sec-butyltriethoxysilane, sec-butyl-tri-n-propoxysilane, sec-butyl-tri-iso-propoxysilane, sec-butyl-tri-n-butoxysilane, sec-butyl-tri-sec- Butoxysilane, sec-butyl-tri-tert-butoxysilane, sec-butyl-triphenoxysilane, t-butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butyltri-n-propoxysilane, t-butyltri-iso -Propoxy Run, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-sec-butoxysilane, t-butyltri-tert-butoxysilane, t-butyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n -Propoxysilane, phenyltri-iso-propoxysilane, phenyltri-n-butoxysilane, phenyltri-sec-butoxysilane, phenyltri-tert-butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltriethoxy Such as a silane;
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane, dimethyl-di-iso-propoxysilane, dimethyl-di-n-butoxysilane, dimethyl-di-sec-butoxysilane, dimethyl-di-tert -Butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyl-di-n-propoxysilane, diethyl-di-iso-propoxysilane, diethyl-di-n-butoxysilane, diethyl-di-sec -Butoxysilane, diethyl-di-tert-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyl-di-n-propoxysilane, di- n-propyl- -Iso-propoxysilane, di-n-propyl-di-n-butoxysilane, di-n-propyl-di-sec-butoxysilane, di-n-propyl-di-tert-butoxysilane, di-n-propyl -Di-phenoxysilane, di-iso-propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyl-di-n-propoxysilane, di-iso-propyl-di-iso-propoxysilane, di -Iso-propyl-di-n-butoxysilane, di-iso-propyl-di-sec-butoxysilane, di-iso-propyl-di-tert-butoxysilane, di-iso-propyl-di-phenoxysilane, di -N-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-butyl-di-n-pro Xysilane, di-n-butyl-di-iso-propoxysilane, di-n-butyl-di-n-butoxysilane, di-n-butyl-di-sec-butoxysilane, di-n-butyl-di-tert -Butoxysilane, di-n-butyl-di-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyl-di-n-propoxysilane, di-sec-butyl -Di-iso-propoxysilane, di-sec-butyl-di-n-butoxysilane, di-sec-butyl-di-sec-butoxysilane, di-sec-butyl-di-tert-butoxysilane, di-sec -Butyl-di-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, di-tert -Butyl-di-n-propoxysilane, di-tert-butyl-di-iso-propoxysilane, di-tert-butyl-di-n-butoxysilane, di-tert-butyl-di-sec-butoxysilane, di -Tert-butyl-di-tert-butoxysilane, di-tert-butyl-di-phenoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyl-di-ethoxysilane, diphenyl-di-n-propoxysilane, diphenyl-di-iso-propoxy Silane, diphenyl-di-n-butoxysilane, diphenyl-di-sec-butoxysilane, diphenyl-di-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyldimethoxysilane, di-γ-aminopropyldimethoxysilane, di-γ -Glycidoxypropyl dimeth Xysilane, di-γ-trifluoropropyldimethoxysilane and the like.
好ましくは、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランであり、特に好ましくはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシランである。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。 Preferably, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxy Silane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, particularly preferably methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyl Trimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, and dimethyldiethoxysilane. These may be used alone or in combination of two or more.
化合物（Ａ−２）；上記一般式（２）において、Ｒ２で表される１価の有機基としては、先の一般式（１）において示したものと同様の有機基を挙げることができる。化合物（Ａ−２）の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなどが挙げられる。好ましくは、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラフェノキシシランであり、特に好ましくは、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランである。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。 Compound (A-2): In the general formula (2), examples of the monovalent organic group represented by R 2 include the same organic groups as those shown in the general formula (1). . Specific examples of the compound (A-2) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra- Examples thereof include tert-butoxysilane and tetraphenoxysilane. Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, and tetraphenoxysilane are preferable, and tetramethoxysilane and tetraethoxysilane are particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
化合物（Ａ−３）；上記一般式（３）において、Ｒ３〜Ｒ６で表される１価の有機基としては、先の一般式（１）において示したものと同様の有機基を挙げることができる。化合物（Ａ−３）のうち一般式（３）におけるＲ７が酸素原子の化合物としては、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを挙げることができる。 Compound (A-3): In the general formula (3), examples of the monovalent organic group represented by R 3 to R 6 include the same organic groups as those shown in the general formula (1). be able to. Among the compounds (A-3), the compound in which R 7 in the general formula (3) is an oxygen atom includes hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,3,3-penta Methoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-methyldisiloxane, 1,1, 1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-ethyl Disiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3 -Pentaphenoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1, 1,3,3-tetraphenoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3 -Diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3 -Tetraethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane Loxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3 , 3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3- Trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane Siloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy- , 1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetra Examples thereof include phenyldisiloxane and 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.
これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げることができる。 Of these, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane Siloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1, 3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and the like are preferable. As an example.
一般式（３）において、ｄ＝０の化合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることができる。 In the general formula (3), examples of the compound where d = 0 include hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1 , 2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-ethyldisilane, , 1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2- Phenyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy 1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2 -Tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1 , 2,2-Tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2- Trime Rudisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2 -Triethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1 , 2,2-triphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diphenoxy -1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1, 2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane and the like.
これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好ましい例として挙げることができる。 Of these, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1, 1,2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyl Preferred examples include disilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, and the like.
さらに、一般式（Ａ−３）において、Ｒ７が−（ＣＨ２）ｍ−で表される基の化合物としては、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）エタンなどを挙げることができる。これらのうち、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタンなどを好ましい例として挙げることができる。 Furthermore, in the general formula (A-3), R 7 is a group represented by — (CH 2 ) m —, and bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (tri -N-propoxysilyl) methane, bis (tri-iso-propoxysilyl) methane, bis (tri-n-butoxysilyl) methane, bis (tri-sec-butoxysilyl) methane, bis (tri-tert-butoxysilyl) Methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-iso) -Propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1 2-bis (tri-tert-butoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (Di-n-propoxymethylsilyl) -1- (tri-n-propoxysilyl) methane, 1- (di-iso-propoxymethylsilyl) -1- (tri-iso-propoxysilyl) methane, 1- (di -N-butoxymethylsilyl) -1- (tri-n-butoxysilyl) methane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -1- (tri-sec-butoxysilyl) methane, 1- (di-tert -Butoxymethylsilyl) -1- (tri-tert-butoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) Ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -2- (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1- (di-iso -Propoxymethylsilyl) -2- (tri-iso-propoxysilyl) ethane, 1- (di-n-butoxymethylsilyl) -2- (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1- (di-sec-butoxy) Methylsilyl) -2- (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1- (di-tert-butoxymethylsilyl) -2- (tri-tert-butoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis ( Diethoxymethylsilyl) methane, bis (di-n-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-iso-propoxymethylsilyl) methane Bis (di-n-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-sec-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-tert-butoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-iso-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (Di-n-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-sec-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-tert-butoxymethylsilyl) ethane and the like can be mentioned. Of these, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) ) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) ethane, 1- (di Ethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di Preferred examples include ethoxymethylsilyl) ethane and the like.
さらに、一般式（Ａ−３）において、Ｒ７がフェニレン基で表される基の化合物としては、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼンなど挙げることができる。 Furthermore, in the general formula (A-3), examples of the compound in which R 7 is a phenylene group include 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-iso-propoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (Tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-tert-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1 , 3-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-iso-propoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-n-butoxy) Silyl) benzene, 1,3-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-tert-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4- Bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-iso-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-n-butoxysilyl) ) Benzene, 1,4-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-tert-butoxysilyl) benzene, and the like.
これらのうち、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例として挙げることができる。 Of these, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) Preferred examples include benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene and the like.
本発明において、（Ａ）成分としては、上記化合物（Ａ−１）、化合物（Ａ−２）および化合物（Ａ−３）成分のうち少なくとも１種を用い、化合物（Ａ−１）〜化合物（Ａ−３）成分をそれぞれ２種以上用いることもできる。 In this invention, as (A) component, at least 1 sort (s) is used among the said compound (A-1), a compound (A-2), and a compound (A-3) component, and a compound (A-1)-a compound ( A-3) Two or more types of components can be used.
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は、下記一般式（４）で表される環状シラン化合物である。
[Component (B)]
The component (B) is a cyclic silane compound represented by the following general formula (4).
〔式中、Ｘ，Ｙは同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または１価の有機基を示し、ｎは２〜８の整数を表す。〕
上記一般式（４）において、Ｘ，Ｙで表される１価の有機基としては、先の一般式（１）において示したものと同様の有機基を挙げることができる。なお、本発明においては、Ｘ，Ｙで表される基がともにアルキル基であるものが特に好ましい。
[Wherein X and Y may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and n represents an integer of 2 to 8. ]
In the general formula (4), examples of the monovalent organic group represented by X and Y include the same organic groups as those shown in the general formula (1). In the present invention, it is particularly preferable that the groups represented by X and Y are both alkyl groups.
（Ｂ）成分の具体例としては、１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリエチルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、ヘキサビニルシクロトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリビニル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５−トリス（３，３，３−トリフルオロプロピル）−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、オクタビニルシクロテトラシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（３，３，３−トリフルオロプロピル）−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、デカフェニルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタビニル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキサシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカビニルシクロヘキサシロキサン、ドデカフェニルシクロヘキサシロキサンなどが挙げられる。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。 Specific examples of the component (B) include 1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane, 1,3,5-triethylcyclotrisiloxane, 1,3,5-trivinylcyclotrisiloxane, 1,3,5- Triphenylcyclotrisiloxane, hexamethylcyclotrisiloxane, hexaethylcyclotrisiloxane, hexavinylcyclotrisiloxane, hexaphenylcyclotrisiloxane, 1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane, 1 , 3,5-trimethyl-1,3,5-triphenylcyclotrisiloxane, 1,3,5-tris (3,3,3-trifluoropropyl) -1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane, , 3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetraethyl Tetrasiloxane, 1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetraphenylcyclotetrasiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, octaethylcyclotetrasiloxane, octavinylcyclotetrasiloxane, octa Phenylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetravinyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetra Phenylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7-tetrakis (3,3,3-trifluoropropyl) -1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,3,5,7,9- Pentamethylcyclopentasiloxane, 1,3,5,7,9-pentaethylcyclopentasiloxane, , 3,5,7,9-pentavinylcyclopentasiloxane, 1,3,5,7,9-pentaphenylcyclopentasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, decaphenylcyclopentasiloxane, 1,3,5,7 , 9-pentavinyl-1,3,5,7,9-pentamethylcyclopentasiloxane, 1,3,5,7,9-pentamethyl-1,3,5,7,9-pentaphenylcyclopentasiloxane, 3,5,7,9,11-hexamethylcyclohexasiloxane, 1,3,5,7,9,11-hexavinylcyclohexasiloxane, 1,3,5,7,9,11-hexaphenylcyclohexa Sasiloxane, dodecamethylcyclohexasiloxane, dodecavinylcyclohexasiloxane, dodecaphenylcyclohexasiloxane, etc. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
（Ｂ）成分の使用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重量部に対して、１〜２００重量部であることが好ましく、５〜１００重量部であることがより好ましい。ここで、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重量部に対する（Ｂ）成分の使用量が１重量部未満であると、十分な薬液耐性を得ることができなくなり、２００重量部を超えると、塗布時の塗布性が劣化し塗布膜の面内均一性を保つことが困難になる。ここで、（Ａ）成分の使用量は、完全加水分解縮合物に換算した場合における使用量である。 The amount of the component (B) used is preferably 1 to 200 parts by weight, more preferably 5 to 100 parts by weight, based on 100 parts by weight of the component (A) (completely hydrolyzed condensate). . Here, when the amount of component (B) used is less than 1 part by weight relative to 100 parts by weight of component (A) (completely hydrolyzed condensate), sufficient chemical resistance cannot be obtained, and 200 parts by weight If it exceeds, applicability at the time of application deteriorates and it becomes difficult to maintain in-plane uniformity of the applied film. Here, the usage-amount of (A) component is a usage-amount in the case of converting into a complete hydrolysis condensate.
また、加水分解縮合時の（Ａ）成分および（Ｂ）成分の濃度が０．１〜１０重量％であることが好ましく、１〜８重量％であることがより好ましい。ここで、０．１重量％未満であると、縮合反応が十分に進行せず塗布液が得られないことがあり、１０重量％を超えると、反応中のポリマーの析出やゲル化を起こす可能性がある。なお、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の濃度は、これらを完全加水分解縮合物に換算した場合における濃度である。 Moreover, it is preferable that the density | concentration of (A) component and (B) component at the time of hydrolysis condensation is 0.1 to 10 weight%, and it is more preferable that it is 1 to 8 weight%. Here, if it is less than 0.1% by weight, the condensation reaction does not proceed sufficiently and a coating solution may not be obtained. If it exceeds 10% by weight, polymer precipitation or gelation may occur during the reaction. There is sex. In addition, the density | concentration of (A) component and (B) component is a density | concentration when these are converted into a complete hydrolysis condensate.
［（Ｃ）成分］
本発明においては、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を加水分解縮合させる際に、金属キレート化合物または酸性触媒のいずれか一方を触媒として使用する。以下、（Ｃ）成分として使用される金属キレート化合物および酸性触媒についてそれぞれ説明する。
[Component (C)]
In this invention, when hydrolyzing and condensing (A) component and (B) component, either a metal chelate compound or an acidic catalyst is used as a catalyst. Hereinafter, each of the metal chelate compound and the acidic catalyst used as the component (C) will be described.
（金属キレート化合物）
（Ｃ）成分として使用される金属キレート化合物は下記一般式（５）で表される。
(Metal chelate compound)
The metal chelate compound used as the component (C) is represented by the following general formula (5).
Ｒ８ ｅＭ（ＯＲ９）ｆ−ｅ ・・・・・（５）
〔式中、Ｒ８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕
ここで、金属Ｍとしては、IIIＢ族金属（アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリ
ウム）およびIVＡ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）より選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましく、チタン、アルミニウム、ジルコニウムがより好ましい。
R 8 e M (OR 9 ) fe (5)
[Wherein R 8 represents a chelating agent, M represents a metal atom, R 9 represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
Here, the metal M is preferably at least one metal selected from Group IIIB metals (aluminum, gallium, indium, thallium) and Group IVA metals (titanium, zirconium, hafnium). Titanium, aluminum, zirconium Is more preferable.
（Ｃ）成分として使用される金属キレート化合物の具体例としては、トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノイソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン、等のチタンキレート化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノイソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、等のジルコニウムキレート化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノイソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、等のアルミニウムキレート化合物；等の１種または２種以上が挙げられる。 Specific examples of the metal chelate compound used as the component (C) include triethoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) titanium, triisopropoxy mono (acetylacetonate). ) Titanium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxy bis (acetyl) Acetonato) titanium, di-n-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxy・ Bis (acetylacetonate) Tan, di-tert-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, monoethoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) titanium, monoisopropoxy tris (acetylacetonate) ) Titanium, mono-n-butoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-sec-butoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-tert-butoxy tris (acetylacetonato) titanium, tetrakis (acetylacetonato) ) Titanium, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl) Cetoacetate) titanium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-tert-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (Ethyl acetoacetate) titanium, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-tert -Butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium , Mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-tert-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, tetrakis (ethyl acetoacetate) titanium , Titanium chelate compounds such as mono (acetylacetonato) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium;・ Mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxy ・ mono (acetylacetonato) zirconium, triisopropoxy ・ mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-butoxy ・NO (acetylacetonato) zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-n- Propoxy bis (acetylacetonato) zirconium, diisopropoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-sec-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, Di-tert-butoxy-bis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-propoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, Noisopropoxy-tris (acetylacetonate) zirconium, mono-n-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-tert-butoxy-tris (acetylacetate) Nato) zirconium, tetrakis (acetylacetonato) zirconium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) zirconium, tri-n-propoxy mono (ethylacetoacetate) zirconium, triisopropoxy mono (ethylacetoacetate) zirconium, tri- n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-tert-butoxy mono (e Tylacetoacetate) zirconium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-butoxy bis ( Ethyl acetoacetate) zirconium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-propoxy・ Tris (ethyl acetoacetate) zirconium, monoisopropoxy ・ Tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirco , Mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-tert-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, tetrakis (ethyl acetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonato) tris (ethyl acetoacetate) Zirconium chelate compounds such as zirconium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) zirconium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) zirconium; triethoxy mono (acetylacetonato) aluminum, tri-n- Propoxy mono (acetylacetonato) aluminum, triisopropoxy mono (acetylacetonato) aluminum, tri-n-butoxy mono (acetyl) Acetonato) aluminum, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, diethoxy bis (acetylacetonato) aluminum, di-n-propoxy bis ( Acetylacetonato) aluminum, diisopropoxy bis (acetylacetonato) aluminum, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, di-sec-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, di-tert- Butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, monoethoxy tris (acetylacetonato) aluminum, mono-n-propoxytris (acetylacetonato) aluminum, monoisopropo Xy-tris (acetylacetonato) aluminum, mono-n-butoxy-tris (acetylacetonato) aluminum, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) aluminum, mono-tert-butoxy-tris (acetylacetonate) Aluminum, tetrakis (acetylacetonato) aluminum, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-n- Butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, tri-tert-butoxy mono (ethyl acetoacea) Tate) aluminum, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, di-n-butoxy bis (ethyl aceto) Acetate) aluminum, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, di-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-propoxy tris (Ethyl acetoacetate) aluminum, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) aluminum, mono sec-butoxy-tris (ethylacetoacetate) aluminum, mono-tert-butoxy-tris (ethylacetoacetate) aluminum, tetrakis (ethylacetoacetate) aluminum, mono (acetylacetonato) tris (ethylacetoacetate) aluminum, bis ( 1 type or 2 types or more, such as aluminum chelate compounds, such as acetylacetonato) bis (ethyl acetoacetate) aluminum, tris (acetylacetonate) mono (ethyl acetoacetate) aluminum, etc. are mentioned.
特に、（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ，（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ（Ｃ４Ｈ９Ｏ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ４Ｈ９Ｏ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ，（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）４−ｔＴｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ（Ｃ４Ｈ９Ｏ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ４Ｈ９Ｏ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ，（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）４−ｔＺｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）３−ｔＡｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ（ＣＨ３（ＣＨ３）ＨＣＯ）３−ｔＡｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３−ｔＡｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ４Ｈ９Ｏ）３−ｔＡｌ（Ｃ
Ｈ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ，（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）３−ｔＡｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）ｔ,（Ｃ２Ｈ５（ＣＨ３）ＣＯ）３−ｔＡｌ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５）ｔ等の１種または２種以上が、（Ｃ）成分として使用される金属キレート化合物として好ましい。
In particular, (CH 3 (CH 3) HCO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (CH 3 (CH 3) HCO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t ( C 4 H 9 O) 4- t Ti (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 4 H 9 O) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (CH 3 (CH 3 ) HCO) 4-t Zr ( CH 3 COCH 2 COCH 3) t (CH 3 (CH 3) HCO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (C 4 H 9 O) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, ( C 4 H 9 O) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (CH 3 (CH 3) HCO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH 3) t (CH 3 (CH 3) HCO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (C 4 H 9 O) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 4 H 9 O) 3-t Al (C
H 3 COCH 2 COOC 2 H 5 ) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 3-t One or more of Al (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5 ) t and the like are preferable as the metal chelate compound used as the component (C).
（酸性触媒）
（Ｃ）成分として使用される酸性触媒としては、有機酸または無機酸が例示できる。有機酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコ酸、コハク酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、マロン酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などを挙げることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸などを挙げることができる。なかでも、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化のおそれが少ない点で有機酸が好ましく、このうち、カルボキシル基を有する化合物がより好ましく、なかでも、酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ギ酸、マロン酸、フタル酸、フマル酸、イタコン酸、コハク酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、マロン酸、グルタル酸、無水マレイン酸の加水分解物が特に好ましい。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
(Acid catalyst)
Examples of the acidic catalyst used as the component (C) include organic acids and inorganic acids. Examples of organic acids include acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid, gallic acid Acid, butyric acid, meritic acid, arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linolenic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfone Acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid, malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, succinic acid, mesaconic acid, Hydrolysis of citraconic acid, malic acid, malonic acid, glutaric acid, hydrolysis of maleic anhydride , And the like hydrolyzate of phthalic anhydride. Examples of inorganic acids include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, and phosphoric acid. Of these, organic acids are preferred in that there is little risk of polymer precipitation or gelation during hydrolysis and condensation reactions, and among these, compounds having a carboxyl group are more preferred. Among these, acetic acid, oxalic acid, maleic acid, Particularly preferred are hydrolysates of formic acid, malonic acid, phthalic acid, fumaric acid, itaconic acid, succinic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, malonic acid, glutaric acid and maleic anhydride. These may be used alone or in combination of two or more.
（Ｃ）成分の使用量は、加水分解縮合時の（Ａ）成分および（Ｂ）成分の総量１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して、０．０００１〜１０重量部、好ましくは０．
００１〜５重量部である。（Ｃ）成分の使用割合が０．０００１重量部未満であると、塗膜の塗布性が劣る場合があり、１０重量部を超えると塗膜のクラック耐性が低下することがある。また、（Ｃ）成分は、（Ｅ）有機溶剤中にあらかじめ添加しておいてもよいし、水の添加時に水中に溶解あるいは分散させておいてもよい。
The amount of component (C) used is 0.0001 to 10 parts by weight, preferably 100 parts by weight (in terms of complete hydrolysis condensate) of component (A) and component (B) during hydrolysis condensation, preferably 0.
001 to 5 parts by weight. When the proportion of component (C) used is less than 0.0001 parts by weight, the coatability of the coating film may be inferior, and when it exceeds 10 parts by weight, the crack resistance of the coating film may be reduced. The component (C) may be added in advance to the organic solvent (E), or may be dissolved or dispersed in water when water is added.
［（Ｄ）水］
本発明においては、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を溶剤に溶解させ、（Ｃ）成分の存在下（Ｄ）水を添加することにより、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の加水分解縮合を行なうことができる。ここで、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を加水分解縮合させる際に、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の総量１モル当たり０．５〜１０モルの（Ｄ）水を用いることが好ましい。添加する（Ｄ）水の量が０．５モル未満であると塗膜の耐クラック性が劣る場合があり、１０モルを越えると加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場合がある。さらに、（Ｄ）水は断続的あるいは連続的に添加されることが好ましい。また、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を加水分解するときの温度は通常０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃である。
[(D) Water]
In the present invention, the components (A) and (B) are dissolved in a solvent, and (D) water is added in the presence of the component (C) to add hydrolytic condensation of the components (A) and (B). Can be performed. Here, when hydrolyzing and condensing the component (A) and the component (B), it is preferable to use 0.5 to 10 moles of (D) water per mole of the total amount of the components (A) and (B). . (D) If the amount of water added is less than 0.5 mol, the crack resistance of the coating film may be inferior, and if it exceeds 10 mol, polymer precipitation or gelation will occur during hydrolysis and condensation reactions. There is. Further, (D) water is preferably added intermittently or continuously. Moreover, the temperature when hydrolyzing (A) component and (B) component is 0-100 degreeC normally, Preferably it is 15-80 degreeC.
［（Ｅ）有機溶剤］
本発明においては、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を（Ｃ）成分の存在下、（Ｅ）有機溶剤中で加水分解縮合を行なうことができる。（Ｅ）有機溶剤としては、下記一般式（６）で表される溶剤であることが好ましい。
[(E) Organic solvent]
In the present invention, the components (A) and (B) can be hydrolytically condensed in the organic solvent (E) in the presence of the component (C). (E) The organic solvent is preferably a solvent represented by the following general formula (6).
Ｒ１０Ｏ（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｇＲ１１ ・・・・・（６）
〔Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＣＨ３ＣＯ−から選ばれる１価の有機基を示し、ｇは１〜２の整数を表す。〕
上記一般式（６）において、炭素数１〜４のアルキル基としては、先の一般式（１）において示したものと同様のものを挙げることができる。
R 10 O (CHCH 3 CH 2 O) g R 11 (6)
[R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a monovalent organic group selected from CH 3 CO—, and g represents an integer of 1 to 2. ]
In the said General formula (6), the thing similar to what was shown in previous General formula (1) can be mentioned as a C1-C4 alkyl group.
上記一般式（６）で表される（Ｅ）有機溶剤としては、具体例には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテートなどが挙げられ、特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテートが好ましい。これらは１種または２種以上を同時に使用することができる。なお、上記一般式（６）で表される溶剤とともに、エステル系溶媒やアミド系溶媒等の他の溶剤が多少含まれていてもよい。 Specific examples of the organic solvent (E) represented by the general formula (6) include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene Glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl Ether, dipropylene glycol dipropyl ether , Dipropylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene Glycol monopropyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, etc., especially propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, B propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate are preferable. These can use 1 type (s) or 2 or more types simultaneously. In addition to the solvent represented by the general formula (6), other solvents such as an ester solvent and an amide solvent may be included to some extent.
＜膜形成用組成物＞
本発明の膜形成用組成物は上述した製造方法により得られる。本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ましくは２〜３０重量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度が２〜３０重量％であることにより、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、より優れた保存安定性を有するものとなる。なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および有機溶剤による希釈によって行われる。
<Film forming composition>
The film forming composition of the present invention is obtained by the above-described production method. The total solid concentration of the film-forming composition of the present invention is preferably 2 to 30% by weight, and is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid concentration of the film-forming composition of the present invention is 2 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is more excellent. The total solid content concentration is adjusted by concentration and dilution with an organic solvent, if necessary.
本発明の膜形成用組成物は、さらに下記の有機溶剤を溶剤の５０重量％以下含有していてもよい。本発明に使用する有機溶剤としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョンなどのケトン系溶媒；エチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒；ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶媒；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒；硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、１，３−プロパンスルトンなどの含硫黄系溶媒などを挙げることができる。これらは、１種あるいは２種以上を混合して使用することができる。 The film-forming composition of the present invention may further contain the following organic solvent at 50% by weight or less of the solvent. Examples of the organic solvent used in the present invention include n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, i -Aliphatic hydrocarbon solvents such as octane, cyclohexane, methylcyclohexane; benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propyl benzene, i-propyl benzene, diethylbenzene, i-butylbenzene, triethylbenzene, Aromatic hydrocarbon solvents such as di-i-propyl benzene, n-amyl naphthalene and trimethylbenzene; acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, diacetone Ketone solvents such as alcohol, acetophenone, fenchon; ethyl ether, i-propyl ether, n-butyl ether, n-hexyl ether, 2-ethylhexyl ether, ethylene oxide, 1,2-propylene oxide, dioxolane, 4-methyldioxolane, Dioxane, dimethyl dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether , Ethylene glycol mono-n-hexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, Ether solvents such as diethylene glycol di-n-butyl ether, diethylene glycol mono-n-hexyl ether, ethoxytriglycol, tetraethylene glycol di-n-butyether, tripropylene glycol monomethyl ether, tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran; Methyl acetate, ethyl acetate, γ-but Lolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-prol acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl acetate Pentyl, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, acetic acid Diethylene glycol monomethyl ether, acetic acid diethylene glycol monoethyl ether, acetic acid diethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid methoxy triglycol, L propionic acid, n-butyl propionic acid, i-propionic acid Ester solvents such as amyl, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate; N-methyl Nitrogen-containing solvents such as formamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone; dimethyl sulfide, Examples thereof include sulfur-containing solvents such as diethyl sulfide, thiophene, tetrahydrothiophene, dimethyl sulfoxide, sulfolane, and 1,3-propane sultone. These can be used alone or in combination of two or more.
また、本発明の膜形成用組成物は、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤、トリアゼン化合物などの成分をさらに含有していてもよい。コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が５〜３０μｍ、好ましく１０〜２０μｍ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナとしては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、同１００、同２００；川研ファインケミカル（株）製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２などが挙げられる。有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、（メタ）アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、デンドリマー、ポリイド，ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることができる。 The film-forming composition of the present invention may further contain components such as colloidal silica, colloidal alumina, organic polymer, surfactant, silane coupling agent, radical generator, and triazene compound. Colloidal silica is, for example, a dispersion in which high-purity silicic acid is dispersed in a hydrophilic organic solvent. Usually, the average particle size is 5 to 30 μm, preferably 10 to 20 μm, and the solid content concentration is 10 to 40 wt. %. Examples of such colloidal silica include Nissan Chemical Industries, Ltd., methanol silica sol and isopropanol silica sol; Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd., Oscar. Examples of the colloidal alumina include Alumina Sol 520, 100 and 200 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd .; Alumina Clear Sol, Alumina Sol 10 and 132 manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd., and the like. Examples of the organic polymer include a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, a (meth) acrylic polymer, an aromatic vinyl compound, a dendrimer, a polyid, a polyamic acid, a polyarylene, a polyamide, a polyquinoxaline, and a polyoxadi. Examples thereof include azoles, fluorine-based polymers, and compounds having a polyalkylene oxide structure.
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキサイド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリオキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−（Ａ）ｊ−（Ｂ）ｋ−−（Ａ）ｊ−（Ｂ）ｋ−（Ａ）ｌ−
〔式中、Ａは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−で表される基を、Ｂは−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−で表される基を示し、ｊは１〜９０、ｋは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す。〕
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
Examples of the compound having a polyalkylene oxide structure include a polymethylene oxide structure, a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure, a polytetramethylene oxide structure, and a polybutylene oxide structure. Specifically, polyoxymethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, ethylene oxide derivative of alkylphenol formalin condensate, polyoxyethylene poly Ether type compounds such as oxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfate, etc. Ether ester type compound, polyethylene glycol fatty acid ester, ethylene glycol fat Esters, fatty acid monoglycerides, polyglycerol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, and the like propylene glycol fatty acid esters, sucrose fatty acid ester and ether ester type compounds. Examples of the polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer include compounds having the following block structure.
− (A) j − (B) k − (A) j − (B) k − (A) l −
[Wherein, A represents a group represented by —CH 2 CH 2 O—, B represents a group represented by —CH 2 CH (CH 3 ) O—, j represents 1 to 90, and k represents 10 to 10]. 99 and l are numbers from 0 to 90. ]
Among these, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, More preferred examples include ether type compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。 Examples of the surfactant include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, and further, fluorine surfactants, silicone surfactants, Polyalkylene oxide surfactants, poly (meth) acrylate surfactants and the like can be mentioned, and fluorine surfactants and silicone surfactants can be preferably mentioned.
フッ素系界面活性剤としては、例えば１，１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１
，２，２−テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンル）エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロデカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル
−Ｎ−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。
Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1
, 2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1, 1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3) , 3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3 , 3-Hexafluorodecane, N- [3- (perfluorooctanesulfonamido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammoni Mubetaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorooctylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) phosphate, monoperfluoroalkylethyl phosphate, etc. Fluorine-based surfactants comprising a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at least at any one of the terminal, main chain and side chain thereof. Commercially available products include MegaFuck F142D, F172, F173, F173, and F183 (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (made by Shin-Akita Kasei). , FLORARD FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC -105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 (Neos Co., Ltd.), etc. Mention may be made of surfactants. Among these, the above-mentioned Megafac F172, BM-1000, BM-1100, and NBX-15 are particularly preferable.
シリコーン系界面活性剤としては、例えばＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡに相当する下記一般式（７）で表される重合体が特に好ましい。 Examples of the silicone surfactant include SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (all manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.). Among these, the following general formulas corresponding to the above SH28PA and SH30PA The polymer represented by (7) is particularly preferred.
〔式中、Ｒ１２は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｚは１〜２０の整数であり、ｘ、ｙはそれぞれ独立に２〜１００の整数である。〕
界面活性剤の使用量は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分の総量１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して通常０．０００１〜１０重量部である。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
[Wherein, R 12 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, z is an integer of 1 to 20, and x and y are each independently an integer of 2 to 100]. ]
The usage-amount of surfactant is 0.0001-10 weight part normally with respect to 100 weight part (total hydrolysis-condensation product conversion) total amount of (A) component and (B) component. These may be used alone or in combination of two or more.
シランカップリング剤としては、例えば３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
Examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane, 1- Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane,
3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl)- 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine 10-trimethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9 Trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N-benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltriethoxy Silane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis (oxyethylene) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-bis (oxyethylene)- Examples include 3-aminopropyltriethoxysilane. These may be used alone or in combination of two or more.
ラジカル発生剤としては、例えばイソブチリルパーオキサイド、α、α’ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、α、α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等を挙げることができる。ラジカル発生剤の配合量は、重合体１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好ましい。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。 Examples of the radical generator include isobutyryl peroxide, α, α ′ bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, di-npropylperoxydicarbonate, diisopropylperoxydicarbonate 1 , 1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, bis (4-tert-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, di-2- Ethoxyethyl peroxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate, t-hexylperoxyneodecanoate, dimethoxybutylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) di Carbonate, t-bu Tilperoxyneodecanoate, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, Lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, succinic peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoyl) Peroxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy 2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate, m-toluoyl Andbenzoyl peroxide, benzoyl Oxide, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxy-2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1- Bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2- Bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclodecane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxymaleic acid, t- Butyl peroxy-3,3,5-trimethylhexanoate, t-butyl peroxylaurate, 2, -Dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy 2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, 2,5-dimethyl -2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, n-butyl-4,4-bis (T-butylperoxy) valerate, di-t-butylperoxyisophthalate, α, α′bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (T-butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl Oxide, p-menthane hydroperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, diisopropylbenzene hydroperoxide, t-butyltrimethylsilyl peroxide, 1,1,3 Examples include 3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, and 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane. The blending amount of the radical generator is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. These may be used alone or in combination of two or more.
トリアゼン化合物としては、例えば、１，２−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、１，３−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、１，４−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）エーテル、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）メタン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）スルホン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）スルフィド、２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，３，５−トリス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−メチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−フェニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−プロペニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−フルオロ−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３，５−ジフルオロ−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレンなどが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。 Examples of the triazene compound include 1,2-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 1,3-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, and 1,4-bis (3,3 -Dimethyltriazenyl) benzene, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) ether, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) methane, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfone, Bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfide, 2,2-bis [4- (3,3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane, 2,2-bis [4- (3,3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl] propane, 1,3,5-tris (3,3-dimethyltriazenyl) ben 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3- Dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-methyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9, 9-bis [3-phenyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-propenyl- 4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-fluoro-4- (3,3-dimethyl) Triazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis ( , 3-Dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3,5-difluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazeni) ) -9,9-bis [3-trifluoromethyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明の膜形成用組成物は、沸点１００℃以下のアルコールの含量が２０重量％以下、特に５重量％以下であることが好ましい。沸点１００℃以下のアルコールは、（Ａ）成分ならびに（Ｂ）成分の加水分解および／またはその縮合の際に生じる場合があり、その含量が２０重量％以下、好ましくは５重量％以下になるように蒸留などにより除去することが好ましい。また、添加剤として、オルソギ酸メチル等の脱水剤やさらなる金属錯体やレベリング剤が含まれていてもよい。 In the film-forming composition of the present invention, the content of alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less is preferably 20% by weight or less, particularly preferably 5% by weight or less. Alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less may be generated during hydrolysis and / or condensation of the component (A) and the component (B), and the content thereof is 20% by weight or less, preferably 5% by weight or less. It is preferably removed by distillation or the like. Further, as additives, a dehydrating agent such as methyl orthoformate, a further metal complex, or a leveling agent may be contained.
本発明の膜形成用組成物は、均一な塗膜形成が可能であり、また、比誘電率が低いため、絶縁膜形成用材料として好ましい。すなわち、本発明の膜形成用組成物を塗布後、焼成することにより絶縁膜を得ることができる。この絶縁膜は低い比誘電率を示すことから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体装置用層間絶縁膜、半導体装置の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示装置用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。 The film-forming composition of the present invention is preferable as an insulating film-forming material because it can form a uniform coating film and has a low relative dielectric constant. That is, an insulating film can be obtained by applying and baking the film forming composition of the present invention. Since this insulating film exhibits a low relative dielectric constant, an interlayer insulating film for semiconductor devices such as LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, and D-RDRAM, a protective film such as a surface coat film of the semiconductor device, and a multilayer resist are used. It is useful for applications such as an intermediate layer of a used semiconductor manufacturing process, an interlayer insulating film of a multilayer wiring board, a protective film or an insulating film for a liquid crystal display device.
本発明の膜形成用組成物を用いて絶縁膜を形成する場合において、前記組成物の塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー法などが挙げられる。この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。 In the case of forming an insulating film using the film-forming composition of the present invention, examples of the method for applying the composition include spin coating, dipping, roller blades, spraying methods and the like. In this case, as a dry film thickness, it is possible to form a coating film having a thickness of about 0.05 to 1.5 μm by one coating and a thickness of about 0.1 to 3 μm by two coatings.
加熱硬化させる場合、例えば、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥する。この場合、加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうことができる。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。 In the case of heat-curing, for example, it is dried at room temperature, or usually heated at a temperature of about 80 to 600 ° C. for about 5 to 240 minutes for drying. In this case, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used as a heating method, and the heating atmosphere is an atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure with a controlled oxygen concentration, or the like. Can do. Moreover, in order to control the curing rate of the coating film, it is possible to heat stepwise or select an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, reduced pressure, etc. as necessary.
次に、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。なお、実施例および比較例中の部および％は、特記しない限りそれぞれ重量部および重量％であることを示している。また、以下の記載は本発明の態様を概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載により本発明は限定されるものではない。また、実施例中において得られた組成物（反応液１〜７）を用いて、以下の方法にて塗膜を形成した。 Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. In addition, unless otherwise indicated, the part and% in an Example and a comparative example have shown that they are a weight part and weight%, respectively. Moreover, the following description shows the aspect of this invention generally, and this invention is not limited by this description without a particular reason. Moreover, the coating film was formed with the following method using the composition (reaction liquids 1-7) obtained in the Example.
［膜の形成］
後述する合成例１〜５および比較例１〜２で得られた組成物（反応液１〜７）１００ｇにそれぞれ界面活性剤ＮＢＸ−１５を０．００６ｇ添加した後、孔径０．０２μｍのフィルタを用いて濾過を行なった。フィルタには残留物がなく、濾過が可能であった。
[Film formation]
After adding 0.006 g of surfactant NBX-15 to 100 g of the compositions (reaction solutions 1 to 7) obtained in Synthesis Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 described later, a filter having a pore size of 0.02 μm is added. And filtered. The filter had no residue and could be filtered.
次に、スピンコート法を用いて８インチシリコンウエハ上に濾過後の組成物を塗布し、大気中８０℃で５分間、次いで窒素雰囲気中２００℃で５分間、さらに真空下４００℃で１時間前記ウエハを加熱して、無職透明の塗膜（シリカ系膜）を得た。この塗膜を各組成物毎に形成した。この塗膜に対して以下の条件で評価を行なった。その結果を表１に示す。 Next, the composition after filtration is applied onto an 8-inch silicon wafer by using a spin coat method, and the resultant is applied at 80 ° C. for 5 minutes in the atmosphere, then at 200 ° C. for 5 minutes in a nitrogen atmosphere, and further at 400 ° C. for 1 hour in a vacuum. The wafer was heated to obtain an unemployed transparent coating film (silica film). This coating film was formed for each composition. This coating film was evaluated under the following conditions. The results are shown in Table 1.
［評価方法］
（ＣＭＰ耐性）
前記塗膜に対して以下の条件でＣＭＰを施した。
[Evaluation methods]
(CMP resistance)
CMP was performed on the coating film under the following conditions.
スラリー：シリカ−過酸化水素系
研磨圧力：２００ｇ／ｃｍ2
研磨時間：４０秒
ＣＭＰ後の塗膜の外観を３５万ルクスの表面観察用ランプで観察し、下記基準で評価した。
Slurry: Silica-hydrogen peroxide system Polishing pressure: 200 g / cm 2
Polishing time: 40 seconds The appearance of the coated film after CMP was observed with a 350,000 lux surface observation lamp and evaluated according to the following criteria.
○：変化無し
×：塗膜に傷や剥がれが確認される
（密着性）
上記方法により塗膜が形成されたウエハ上に、エポキシ樹脂を用いてスタッドピン１０本を固定し、１５０℃で１時間乾燥させた。次いで、このスタッドピンについてセバスチャン法を用いて引き抜き試験を行い、以下の基準で密着性を評価した。
○: No change ×: Scratches and peeling are confirmed on the coating film (Adhesion)
Ten stud pins were fixed using epoxy resin on the wafer on which the coating film was formed by the above method, and dried at 150 ° C. for 1 hour. Subsequently, the stud pin was subjected to a pull-out test using the Sebastian method, and the adhesion was evaluated according to the following criteria.
○：スタッドピン１０本とも、シリコンウエハと塗膜との界面で剥離発生せず
×：スタッドピン１０本のいずれかにおいて、シリコンウエハと塗膜との界面で剥離発生
（薬液耐性）
上記方法により塗膜が形成されたウエハを、０．２重量％の希フッ酸水溶液中に室温で１分間浸漬し、塗膜の浸漬前後の膜厚変化を観察した。下記に定義する残膜率が９９％以上である場合を、薬液耐性が良好であると判断した。
残膜率（％）＝（浸漬後の塗膜の膜厚）÷（浸漬前の塗膜の膜厚）×１００
（比誘電率）
上記方法により塗膜が形成されたウエハ上にアルミニウムを蒸着して、誘電率評価用基板を作製した。比誘電率は、横川・ヒューレットパッカード（株）製のＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーター用いて、１０ｋＨｚにおける容量値から算出した。
○: With 10 stud pins, peeling does not occur at the interface between the silicon wafer and the coating film. ×: With any of 10 stud pins, peeling occurs at the interface between the silicon wafer and the coating film (chemical resistance)
The wafer on which the coating film was formed by the above method was immersed in a 0.2 wt% dilute hydrofluoric acid aqueous solution at room temperature for 1 minute, and the change in film thickness before and after immersion of the coating film was observed. When the remaining film rate defined below was 99% or more, it was judged that the chemical resistance was good.
Residual film ratio (%) = (film thickness of the coating film after immersion) ÷ (film thickness of the coating film before immersion) × 100
(Relative permittivity)
Aluminum was vapor-deposited on the wafer on which the coating film was formed by the above method to produce a dielectric constant evaluation substrate. The relative dielectric constant was calculated from the capacitance value at 10 kHz using an HP16451B electrode and HP4284A Precision LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd.
［合成例１］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２８６．０８ｇ、蒸留テトラメトキシシラン９１．３４ｇ、およびオクタメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝メチル基、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）８８．９９ｇを、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル１，０３０ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を５０℃に安定させた。次に、イタコン酸１．０７ｇを溶解させたイオン交換水２６７．６ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル７９４ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液７９４ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液１）を得た。
[Synthesis Example 1]
In a quartz separable flask, 286.08 g of distilled methyltrimethoxysilane, 91.34 g of distilled tetramethoxysilane, and octamethylcyclotetrasiloxane (in the above general formula (4), X = methyl group, Y = methyl group, n = 8.99 g of the compound represented by = 4) was dissolved in 1,030 g of distilled propylene glycol monoethyl ether, and then stirred with a three-one motor to stabilize the temperature of the solution at 50 ° C. Next, 267.6 g of ion-exchanged water in which 1.07 g of itaconic acid was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, 794 g of distilled propylene glycol monoethyl ether was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 794 g of a methanol-containing solution was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (Reaction Solution 1).
［合成例２］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２８６．０８ｇ、蒸留テトラメトキシシラン９１．３４ｇ、および１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝水素原子、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）７２．１６ｇを、蒸留プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９３５ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度５０℃に安定させた。次に、シュウ酸０．７５ｇを溶解させたイオン交換水２６７．６ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で１時間反応させた後、蒸留プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７４４ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液７４４ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液２）を得た。
[Synthesis Example 2]
In a quartz separable flask, 286.08 g of distilled methyltrimethoxysilane, 91.34 g of distilled tetramethoxysilane, and 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane (in the general formula (4), X = hydrogen 72.16 g of a compound represented by an atom, Y = methyl group, n = 4) was dissolved in 935 g of distilled propylene glycol monomethyl ether acetate, and then stirred with a three-one motor to stabilize the temperature of the solution at 50 ° C. Next, 267.6 g of ion exchange water in which 0.75 g of oxalic acid was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 1 hour, 744 g of distilled propylene glycol monomethyl ether acetate was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 744 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 2).
［合成例３］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２８６．０８ｇ、蒸留テトラメトキシシラン９１．３４ｇ、および１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝ビニル基、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）１０３．４０ｇを、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル１，１１３ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度５０℃に安定させた。次に、コハク酸０．９７ｇを溶解させたイオン交換水２６７．６ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル８３８ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液８３８ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液３）を得た。
[Synthesis Example 3]
In a quartz separable flask, 286.08 g of distilled methyltrimethoxysilane, 91.34 g of distilled tetramethoxysilane, and 1,3,5,7-tetravinyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane (Compound represented by X = vinyl group, Y = methyl group, n = 4 in the above general formula (4)) 103.40 g was dissolved in 1,113 g of distilled propylene glycol monoethyl ether, and then three-one motor was used. Stir to stabilize the temperature of the solution at 50 ° C. Next, 267.6 g of ion-exchanged water in which 0.97 g of succinic acid was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after making it react at 50 degreeC for 3 hours, 838 g of distilled propylene glycol monoethyl ether was added and the reaction liquid was cooled to room temperature. From this reaction solution, 838 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 3).
［合成例４］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン１６３．４８ｇ、蒸留テトラメトキシシラン９１．３４ｇ、蒸留オクタメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝メチル基、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）５９．３３ｇ、およびテトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．０１８ｇを、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル３６４．１１ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度５０℃に安定させた。次に、イオン交換水１５１ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル４９８ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液４９８ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液４）を得た。
[Synthesis Example 4]
In a quartz separable flask, 163.48 g of distilled methyltrimethoxysilane, 91.34 g of distilled tetramethoxysilane, and distilled octamethylcyclotetrasiloxane (in the above general formula (4), X = methyl group, Y = methyl group, n = 59.33 g of a compound represented by = 4) and 0.018 g of tetrakis (acetylacetonate) titanium were dissolved in 364.11 g of distilled dipropylene glycol dimethyl ether, and then stirred with a three-one motor to obtain a solution temperature of 50 ° C. Stabilized. Next, 151 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, 498 g of distilled dipropylene glycol dimethyl ether was added and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 498 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 4).
［合成例５］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン１６３．４８ｇ、蒸留テトラメトキシシラン９１．３４ｇ、蒸留１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝水素原子、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）４８．１１ｇ、およびテトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．００７ｇを、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル３６４．１１ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を５０℃に安定させた。次に、イオン交換水１５１ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル４９４ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液４９４ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液５）を得た。
[Synthesis Example 5]
In a quartz separable flask, 163.48 g of distilled methyltrimethoxysilane, 91.34 g of distilled tetramethoxysilane, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane distilled (in the above general formula (4), X = hydrogen Atom, Y = methyl group, compound represented by n = 4) 48.11 g, and tetrakis (acetylacetonato) titanium 0.007 g were dissolved in distilled dipropylene glycol dimethyl ether 364.11 g. Stir to stabilize the temperature of the solution at 50 ° C. Next, 151 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, 494 g of distilled dipropylene glycol dimethyl ether was added and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 494 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 5).
［合成例６］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２８６．０８ｇ、蒸留ビス（トリエトキシシリル）メタン２０４．３４ｇ、およびオクタメチルシクロテトラシロキサン（上記一般式（４）においてＸ＝メチル基、Ｙ＝メチル基、ｎ＝４で表される化合物）８８．９９ｇを、蒸留プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１１２５ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を５０℃に安定させた。次に、シュウ酸０．８３ｇを溶解させたイオン交換水３００．０ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で１時間反応させた後、蒸留プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９０３ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液９０３ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液６）を得た。
[Synthesis Example 6]
In a quartz separable flask, 286.08 g of distilled methyltrimethoxysilane, 204.34 g of distilled bis (triethoxysilyl) methane, and octamethylcyclotetrasiloxane (in the above general formula (4), X = methyl group, Y = 88.99 g of a methyl group (compound represented by n = 4) was dissolved in 1125 g of distilled propylene glycol monomethyl ether acetate, and then stirred with a three-one motor to stabilize the temperature of the solution at 50 ° C. Next, 300.0 g of ion exchange water in which 0.83 g of oxalic acid was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 1 hour, 903 g of distilled propylene glycol monomethyl ether acetate was added and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 903 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 6).
［比較例１］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２１７．９７ｇおよび蒸留テトラメトキシシラン６０．８９ｇを、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル４１７．６６ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を５０℃に安定させた。次に、イタコン酸０．７０ｇを溶解させたイオン交換水１７３ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留プロピレングリコールモノエチルエーテル３９２ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液３９２ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液７）を得た。
[Comparative Example 1]
In a quartz separable flask, 217.97 g of distilled methyltrimethoxysilane and 60.89 g of distilled tetramethoxysilane were dissolved in 417.66 g of distilled propylene glycol monoethyl ether, and then stirred with a three-one motor to obtain the temperature of the solution. Was stabilized at 50 ° C. Next, 173 g of ion-exchanged water in which 0.70 g of itaconic acid was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, 392 g of distilled propylene glycol monoethyl ether was added and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 392 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 7).
［比較例２］
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留メチルトリメトキシシラン２１７．９７ｇ、蒸留テトラメトキシシラン６０．８９ｇ、およびテトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．０７３ｇを、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル２００．８８ｇに溶解させた後、スリーワンモーターで攪拌して溶液の温度を５０℃に安定させた。次に、イオン交換水１７２．９９ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させた後、蒸留ジプロピレングリコールジメチルエーテル３９２ｇを加え反応液を室温まで冷却した。この反応液からメタノールを含む溶液３９２ｇを減圧下５０℃で除去して、膜形成用組成物（反応液８）を得た。
[Comparative Example 2]
In a quartz separable flask, 217.97 g of distilled methyltrimethoxysilane, 60.89 g of distilled tetramethoxysilane, and 0.073 g of tetrakis (acetylacetonato) titanium were dissolved in 200.88 g of distilled dipropylene glycol dimethyl ether. After that, the temperature of the solution was stabilized at 50 ° C by stirring with a three-one motor. Next, 172.99 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 50 ° C. for 3 hours, 392 g of distilled dipropylene glycol dimethyl ether was added and the reaction solution was cooled to room temperature. From this reaction solution, 392 g of a solution containing methanol was removed at 50 ° C. under reduced pressure to obtain a film-forming composition (reaction solution 8).
表１に示したように、合成例１〜６によれば、（Ｃ）成分の存在下（Ｂ）成分と（Ａ）成分とを加水分解縮合することにより、薬液耐性および密着性に優れた組成物を得ることができることが確認された。これに対して、比較例１より、（Ｂ）成分が添加されていないと、薬液耐性および密着性が低下することが確認された。また、比較例２より、（Ｃ）成分が存在しないと、薬液耐性および密着性が低下することが確認された。 As shown in Table 1, according to the synthesis examples 1-6, it was excellent in chemical | medical solution tolerance and adhesiveness by hydrolyzing and condensing (B) component and (A) component in presence of (C) component. It was confirmed that a composition can be obtained. On the other hand, from Comparative Example 1, it was confirmed that the chemical solution resistance and adhesiveness were reduced when the component (B) was not added. Moreover, from the comparative example 2, when (C) component did not exist, it was confirmed that chemical | medical solution tolerance and adhesiveness fall.
Claims (10)
ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ１は１価の有機基を示し、ａは１〜２の整数を表す。〕
Ｓｉ（ＯＲ２）４ ・・・・・（２）
〔式中、Ｒ２は１価の有機基を示す。〕
Ｒ３ ｂ（Ｒ４Ｏ）３−ｂＳｉ−（Ｒ７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｃＲ６ ｃ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２）ｍ−で表される基を示し、ｍは１〜６の整数を表し、ｄは０または１を表す。〕
（Ｂ）下記一般式（４）で表される環状シラン化合物を、
〔式中、Ｘ，Ｙは同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または１価の有機基を示し、ｎは２〜８の整数を表す。〕
（Ｃ）下記一般式（５）で表される金属キレート化合物、または酸性触媒の存在下、加水分解縮合すること、を含む、膜形成用組成物の製造方法。
Ｒ８ ｅＭ（ＯＲ９）ｆ−ｅ ・・・・・（５）
〔式中、Ｒ８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕 (A) Compound (A-1) represented by the following general formula (1), compound (A-2) represented by the following general formula (2), and compound represented by the following general formula (3) ( At least one silane compound selected from A-3), and R a Si (OR 1 ) 4-a (1)
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R 1 represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 1 to 2. ]
Si (OR 2 ) 4 (2)
[Wherein R 2 represents a monovalent organic group. ]
R 3 b (R 4 O) 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (3)
[Wherein R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R 7 represents an oxygen atom, a phenylene group or a group represented by — (CH 2 ) m —, m represents an integer of 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
(B) A cyclic silane compound represented by the following general formula (4):
[Wherein X and Y may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and n represents an integer of 2 to 8. ]
(C) A method for producing a film-forming composition, comprising hydrolytic condensation in the presence of a metal chelate compound represented by the following general formula (5) or an acidic catalyst.
R 8 e M (OR 9 ) fe (5)
[Wherein R 8 represents a chelating agent, M represents a metal atom, R 9 represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
前記（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重量部に対して、前記（Ｂ）成分が１〜２００重量部である、膜形成用組成物の製造方法。 In claim 1,
The manufacturing method of the composition for film formation whose said (B) component is 1-200 weight part with respect to 100 weight part of said (A) component (complete hydrolysis-condensation product conversion).
加水分解縮合時の前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の濃度が１〜３０重量％（完全加水分解縮合物換算）である、膜形成用組成物の製造方法。 In claim 1 or 2,
The manufacturing method of the composition for film formation whose density | concentration of the said (A) component and the said (B) component at the time of hydrolysis condensation is 1-30 weight% (complete hydrolysis-condensation product conversion).
前記（Ｃ）成分の使用量が、加水分解縮合時の前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の総量１００重量部（完全加水分解縮合物換算）に対して、０．０００１〜１０重量部である、膜形成用組成物の製造方法。 In any of claims 1 to 3,
The amount of the component (C) used is 0.0001 to 10 parts by weight relative to 100 parts by weight (in terms of complete hydrolysis condensate) of the component (A) and the component (B) during hydrolysis condensation. The manufacturing method of the composition for film formation which is.
前記（Ｃ）成分として使用される前記酸性触媒が有機酸である、膜形成用組成物の製造
方法。 In any of claims 1 to 4,
The manufacturing method of the composition for film formation whose said acidic catalyst used as said (C) component is an organic acid.
前記（Ａ）成分および前記（Ｂ）成分の総量１モルに対して０．５〜１０モルである、膜形成用組成物の製造方法。 In any one of Claim 1 thru | or 5, hydrolysis-condensation is further performed in presence of (D) water, and the usage-amount of the said water is with respect to 1 mol of total amounts of said (A) component and said (B) component. The manufacturing method of the composition for film formation which is 0.5-10 mol.
前記（Ｅ）有機溶剤が下記一般式（６）で表される溶剤である、膜形成用組成物の製造方法。
Ｒ１０Ｏ（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｇＲ１１ ・・・・・（６）
〔Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＣＨ３ＣＯ−から選ばれる１価の有機基を示し、ｇは１〜２の整数を表す。〕 The hydrolysis according to any one of claims 1 to 6, wherein the hydrolysis is further performed in the presence of (E) an organic solvent,
The manufacturing method of the film forming composition whose said (E) organic solvent is a solvent represented by following General formula (6).
R 10 O (CHCH 3 CH 2 O) g R 11 (6)
[R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a monovalent organic group selected from CH 3 CO—, and g represents an integer of 1 to 2. ]
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