JP2005101191A - Thermoelectric conversion type cooling apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、熱電変換型冷却装置およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a thermoelectric conversion cooling device and a method for manufacturing the same.
従来、熱電変換素子を用いた熱電変換型冷却装置がある。ここで、熱電変換素子とは、金属または半導体などの導電性材料2枚(一方をコレクタ、他方をエミッタと呼ぶ)が対向して配置されたものであって、コレクタ、エミッタ間に電位差が与えられると、電子をエミッタからコレクタに放出することで、エミッタからコレクタに熱を移動させるものである。 Conventionally, there is a thermoelectric conversion type cooling device using a thermoelectric conversion element. Here, the thermoelectric conversion element is an element in which two conductive materials such as metal or semiconductor (one is called a collector and the other is called an emitter) are arranged to face each other, and a potential difference is given between the collector and the emitter. When this is done, electrons are released from the emitter to the collector, thereby transferring heat from the emitter to the collector.
このときの電子放出の概念を図7に示す。図7中の縦軸はエネルギー、N(E)はエミッタ中の電子分布であり、N(E)が右側に位置する程、電子の数が多いことを示している。また、図7中のEFはフェルミ準位、EVは真空のエネルギー準位、Φはエミッタ材料の仕事関数である。図7に示されるN(E)中のフェルミ準位レベルEFより上の電子はエミッタの温度よりも高エネルギーすなわち高温の電子である。これらの電子を電界によって引き抜くことでエミッタからコレクタに熱を移動させることができる。 The concept of electron emission at this time is shown in FIG. The vertical axis in FIG. 7 is energy, N (E) is the electron distribution in the emitter, and the more N (E) is located on the right side, the greater the number of electrons. Also, E F in FIG. 7 the Fermi level, the E V vacuum energy level, [Phi is the work function of the emitter material. Electronic above the Fermi level level E F in N (E) as shown in FIG. 7 is a high-energy or high-temperature electrons than the temperature of the emitter. By extracting these electrons by an electric field, heat can be transferred from the emitter to the collector.
このエミッタからコレクタへの電子の放出には、図7に示すように、熱電子やトンネル電子としての放出がある。熱電子として放出されるのは、N(E)中のEVよりも上に位置する電子であり、この電子は、コレクタ、エミッタ間に電位差が僅かでもあればエミッタとコレクタとの間の真空中を移動する。一方、トンネル電子として放出されるのは、N(E)中のEFとEVとの間に位置する電子である。この現象は、コレクタ、エミッタ間に電位差を与えたとき、真空中のエネルギー準位が図中、実線で示すように斜めに曲がる、すなわち、バンドベンディングしたことで、エミッタとコレクタ間のエネルギポテンシャルが実効的に狭くなり、EFとEVとの間に位置する電子がエミッタとコレクタとの間の真空中を移動可能となったために発生する現象である。 The emission of electrons from the emitter to the collector includes emission as thermal electrons or tunnel electrons as shown in FIG. Being released as heat electrons N is an electron located above the E V in (E), the electron collector, the vacuum between the emitter and the collector if the potential difference between the emitter even slightly Move in. On the other hand, being discharged as a tunnel electron is an electron that is located between the E F and E V in N (E). In this phenomenon, when a potential difference is applied between the collector and the emitter, the energy level in vacuum bends diagonally as shown by the solid line in the figure, that is, band bending causes the energy potential between the emitter and the collector to increase. effectively narrowed, is a phenomenon that occurs because of a movable vacuum between the electron emitter and collector located between E F and E V.
熱電変換型冷却装置は、この熱電変換素子のコレクタ側にヒートシンク、熱交換器等を配置し、エミッタ側に冷却対象物を配置したものであり、熱電変換素子により、冷却対象物を冷却するものである。 The thermoelectric conversion type cooling device is such that a heat sink, a heat exchanger, etc. are arranged on the collector side of this thermoelectric conversion element, and an object to be cooled is arranged on the emitter side, and the object to be cooled is cooled by the thermoelectric conversion element. It is.
熱電変換型冷却装置を、実際に使用する場合、冷却装置自身が必要とする仕事量(電圧×電流)に対して得られる冷却能力が高いこと、すなわち、高効率であることが要求される。上記したように電子をトンネル電流として放出させる場合、エミッタとコレクタとの間隔が小さい程、印加電圧は小さくて済む。したがって、高効率とするためには、エミッタとコレクタとの間隔を小さくする方法が考えられる。 When the thermoelectric cooling device is actually used, it is required that the cooling capacity obtained with respect to the work (voltage × current) required by the cooling device itself is high, that is, high efficiency. As described above, when electrons are emitted as a tunnel current, the applied voltage is smaller as the distance between the emitter and the collector is smaller. Therefore, in order to achieve high efficiency, a method of reducing the distance between the emitter and the collector can be considered.
しかし、高効率とするためには、エミッタとコレクタとの間隔をナノメートルスケール(具体的には、10nm程度)にする必要がある。どんなに平坦な表面でも数nm程度の凹凸や、長周期では数100nm程度以上のうねりを持っている。例えば、最も平坦な表面であると考えられる超LSI用のシリコンウェハでも、表面の長周期のうねりは500nm程度である。したがって、例えば、1cm2の面積を持つ2枚の金属または半導体の板を、単に対向して配置させるだけでは、エミッタとコレクタとの間隔をナノメートルスケールとすることは困難であり、エミッタとコレクタとの間隔がナノメートルスケールよりも大きな熱電変換型冷却装置しか得られなかった。 However, in order to achieve high efficiency, the distance between the emitter and the collector needs to be on a nanometer scale (specifically, about 10 nm). No matter how flat the surface is, it has irregularities of about several nanometers and undulations of several hundred nanometers or more in a long period. For example, even in a VLSI silicon wafer that is considered to be the flattest surface, the long-period waviness of the surface is about 500 nm. Therefore, for example, it is difficult to set the distance between the emitter and the collector to a nanometer scale simply by arranging two metal or semiconductor plates having an area of 1 cm 2 so as to face each other. Only a thermoelectric conversion type cooling device with a distance larger than the nanometer scale was obtained.
そこで、従来では、例えば、シリコン基板上に多層の金属膜を形成し、この最上部に厚さ数100μmの膜を例えばメッキによって形成し、全体を冷却した際の熱膨張係数差に起因する歪によって、この膜を基板から剥離する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, conventionally, for example, a multilayer metal film is formed on a silicon substrate, a film having a thickness of several hundreds μm is formed on the uppermost part by, for example, plating, and distortion caused by a difference in thermal expansion coefficient when the whole is cooled is used. Has proposed a method of peeling the film from the substrate (see, for example, Patent Document 1).
この方法は、凹凸やうねりが転写された対向電極を得ることができるという点で、異なる2枚の基板を対向させるよりも間隔の制御に適しているとされている。
しかしながら、上記した方法では、冷却して剥離した基板を室温に戻した際、または、両基板に温度差が生じる実際の使用状態においては、熱膨張係数の差によって両者の表面形状は変化してしまう。すなわち、転写された凹凸の位置がずれてしまうため、結局完全に平行な対向平面を得ることはできないと考えられる。このため、コレクタ、エミッタの間隔をナノメートルスケール、特に、必要とされる10nm程度にすることが困難であり、高効率な冷却装置を提供することが困難であると考えられる。 However, in the above-described method, when the cooled and peeled substrates are returned to room temperature, or in an actual use state in which a temperature difference occurs between the two substrates, the surface shapes of both change due to the difference in thermal expansion coefficient. End up. That is, since the position of the transferred unevenness is shifted, it is considered that a completely parallel opposing plane cannot be obtained after all. For this reason, it is difficult to make the space | interval of a collector and an emitter into a nanometer scale, especially about 10 nm required, and it is thought that it is difficult to provide a highly efficient cooling device.
また、冷却装置として高効率を得るためには印加する電圧は小さくてはならない。すなわち、電子の放出しやすい材料をエミッタとして選ぶことが必要である。図7に示すように、EVが小さければ、熱電子として放出される電子の数は増加する。EVは、エミッタの仕事関数(Φ)によって決まることから、電子を放出させやすくするためには、Φが小さな材料、例えば、0.7eV以下の材料を選定する必要である。 Moreover, in order to obtain high efficiency as a cooling device, the applied voltage must be small. That is, it is necessary to select a material that easily emits electrons as the emitter. As shown in FIG. 7, the smaller the E V, the number of electrons emitted as a thermal electrons is increased. E V, since determined by the emitter work function ([Phi), in order to facilitate to release electrons, [Phi small materials, for example, it is necessary to select the following materials 0.7 eV.
しかしながら、仕事関数が0.7eV以下という材料は容易には得ることができない。例えば、負性電子親和力を持つダイヤモンドなどはその候補であるが、一方で電気抵抗が高いためにエミッタ中を電流が流れる際のジュール熱による発熱または損失による効率低下、冷却パワーの低下を招くという欠点を有する。 However, a material having a work function of 0.7 eV or less cannot be easily obtained. For example, diamond having a negative electron affinity is a candidate, but on the other hand, because of its high electrical resistance, it leads to a decrease in efficiency due to heat generation or loss due to Joule heat when current flows in the emitter, and a decrease in cooling power. Has drawbacks.
本発明は、上記点に鑑み、エミッタおよびコレクタとして用いる導電性材料の表面に凹凸やうねりがあっても、従来よりも高効率である熱電変換型冷却装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above points, the present invention has an object to provide a thermoelectric conversion type cooling device and a method for manufacturing the same that are more efficient than conventional methods even when the surface of the conductive material used as the emitter and collector has irregularities and undulations. And
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、エミッタ(1)におけるコレクタ(2)と対向する面(1a)の表面に、複数の凸部(7)を有しており、凸部(7)は、エミッタ(1)とコレクタ(2)との間に電位差が与えられたとき、その先端で電界集中が発生する形状であることを特徴としている。
In order to achieve the above object, the invention according to
これにより、エミッタとコレクタとの間に電位差を与えたとき、エミッタの表面上にある凸部の先端で電界集中が発生するため、その部分における真空でのエネルギー準位を、本発明のような形状の凸部を有しておらず、本発明とエミッタとコレクタとの間隔が同じである従来の熱電変換型冷却装置と比較して、大きく曲げることができる。したがって、トンネル電子が超えなければならないポテンシャルの幅を従来より狭くすることができるので、従来よりもエミッタからの電子放出能を高めることができる。 As a result, when a potential difference is applied between the emitter and the collector, an electric field concentration occurs at the tip of the convex portion on the surface of the emitter, so that the energy level in a vacuum at that portion is changed as in the present invention. Compared to the conventional thermoelectric conversion type cooling device that does not have a convex portion and has the same distance between the emitter and the collector of the present invention, it can be bent greatly. Therefore, the potential width that must be exceeded by the tunnel electrons can be made narrower than before, so that the electron emission ability from the emitter can be enhanced more than before.
この結果、表面に凹凸やうねりがある導電性材料をエミッタおよびコレクタとして用いても、従来の熱電変換型冷却装置と比較して、高効率である熱電変換型冷却装置を提供することができる。 As a result, even when a conductive material having irregularities and undulations on the surface is used as the emitter and collector, it is possible to provide a thermoelectric conversion type cooling device that is more efficient than conventional thermoelectric conversion type cooling devices.
また、本発明では、上記したように電子放出能が従来よりも高くなっている。このため、エミッタ自身の電子放出能からみた実効的な仕事関数は小さくなっている。したがって、本発明によれば、仕事関数の低い材料を用いることなく高効率な熱電変換装置を提供することができる。 Moreover, in this invention, as above-mentioned, the electron emission ability is higher than before. For this reason, the effective work function viewed from the electron emission ability of the emitter itself is small. Therefore, according to the present invention, a highly efficient thermoelectric conversion device can be provided without using a material having a low work function.
上記した先端で電界集中が発生する形状は、例えば、請求項2に示すように、短辺に対する長辺の比が100以上であり、短辺の長さが1nm以上30nm以下である形状とすることができる。 The shape where the electric field concentration occurs at the tip is, for example, a shape in which the ratio of the long side to the short side is 100 or more and the length of the short side is 1 nm or more and 30 nm or less. be able to.
また、凸部として、より具体的には、請求項3に示すように、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバ、グラファイトナノファイバなどと呼ばれるカーボンナノ材料(7)を用いることができる。
More specifically, as the convex portion, as shown in
また、請求項4に示すように、エミッタ(1)とコレクタ(2)とをスペーサ(3)を介して対向して配置させることができる。 In addition, as shown in claim 4, the emitter (1) and the collector (2) can be arranged to face each other via the spacer (3).
スペーサは、電子および熱の伝導を遮断するために、導電率および熱伝導率の低い材料により構成されていることが好ましい。また、同様の観点より、スペーサは、請求項5に示すように、スペーサ(3)は、λ×S×ΔT/D<(冷却装置の出力の10%)という関係式を満たす形状であることが好ましい。
The spacer is preferably made of a material having low conductivity and low thermal conductivity in order to block conduction of electrons and heat. From the same viewpoint, as shown in
請求項6に記載の発明では、エミッタ(1)およびコレクタ(2)は、内部が真空である容器(4)内に配置されており、エミッタ(1)およびコレクタ(2)は、容器(4)と接触していることを特徴としている。
In the invention described in
容器と、エミッタおよびコレクタとが離れている場合、真空中では熱伝導が悪いため、エミッタおよびコレクタと容器の外部との間での熱交換の効率が低くなってしまう。 When the container is separated from the emitter and the collector, heat conduction is poor in a vacuum, so that the efficiency of heat exchange between the emitter and the collector and the outside of the container becomes low.
これに対して、本発明では、エミッタおよびコレクタは、容器と接触しているため、エミッタおよびコレクタが容器と離れている場合と比較して、エミッタおよびコレクタと容器の外部との間での熱交換の効率を高くすることができる。 On the other hand, in the present invention, since the emitter and the collector are in contact with the container, the heat between the emitter and the collector and the outside of the container is compared with the case where the emitter and the collector are separated from the container. Exchange efficiency can be increased.
請求項7に記載の発明では、容器(4)は、エミッタ(1)と接触している第1の接触部(4b)と、コレクタ(2)と接触している第2の接触部(4a)と、第1の接触部(4b)および第2の接触部(4a)とに接続されている側壁部(4c)とを有し、第1の接触部(4b)および第2の接触部(4a)は、側壁部(4c)よりも熱伝導率が高い材料により構成されていることを特徴としている。
In the invention according to
このような構造の容器を用いることで、全て同一の材料により構成された容器を用いる場合と比較して、エミッタおよびコレクタの冷却および放熱の効率を高める、もしくは、コレクタからエミッタへの熱伝導を抑制することができる。 By using a container having such a structure, the efficiency of cooling and radiating the emitter and the collector is increased or heat conduction from the collector to the emitter is improved as compared with the case where a container made of the same material is used. Can be suppressed.
また、請求項8に示すように、エミッタ(1)とコレクタ(2)との間の空間をスペーサ(3d)により囲み、スペーサ(3d)によりエミッタ(1)とコレクタ(2)との間を真空の状態で封止することもできる。
Further, as shown in
請求項9に記載の発明では、導電性基板の表面に、エミッタ(1)とコレクタ(2)との間に電位差が与えられたとき、その先端で電界集中が発生する形状の凸部(7)を形成することで、エミッタ(1)を形成する工程と、コレクタ(2)を形成する工程と、エミッタ(1)における凸部(7)が形成された面(1a)をコレクタ(2)に向けて、エミッタ(1)とコレクタ(2)とを対向して配置させる工程とを有することを特徴としている。 According to the ninth aspect of the invention, when a potential difference is applied between the emitter (1) and the collector (2) on the surface of the conductive substrate, the convex portion (7 ), The step of forming the emitter (1), the step of forming the collector (2), and the surface (1a) on which the convex portion (7) of the emitter (1) is formed is used as the collector (2). A step of arranging the emitter (1) and the collector (2) so as to face each other.
本発明によれば、請求項1に記載の熱電変換型冷却装置を製造することができる。
例えば、請求項10に示すように、短辺に対する長辺の比が100以上であり、短辺の長さが1nm以上30nm以下である形状の凸部を形成することもできる。また、請求項11に示すように、カーボンナノ材料を用いて凸部を形成することもできる。
According to the present invention, the thermoelectric conversion cooling device according to
For example, as shown in claim 10, a convex portion having a shape in which the ratio of the long side to the short side is 100 or more and the length of the short side is 1 nm or more and 30 nm or less can be formed. Moreover, as shown in
具体的には、請求項12に示すように、サイズおよび物性が制御され、カーボンナノ材料成長の触媒として機能する原子からなる集合体を導電性基板の表面に固定し、集合体を触媒として用いて、導電性基板の表面にカーボンナノ材料を形成することでエミッタ(1)を形成することができる。
Specifically, as shown in
より具体的には、請求項13に示すように、集合体を複数形成し、複数の集合体の中から、所望のサイズおよび物性の集合体を抽出した後、抽出された集合体を導電性基板に固定することができる。
More specifically, as shown in
この方法によれば、カーボンナノ材料の成長に対して最適となるように、集合体のサイズおよび物性を制御することで、結晶性が高いカーボンナノ材料をエミッタ用導電性基板上に形成することができる。 According to this method, a carbon nanomaterial having high crystallinity is formed on a conductive substrate for an emitter by controlling the size and physical properties of the aggregate so as to be optimal for the growth of the carbon nanomaterial. Can do.
また、他の方法としては、請求項14に示すように、 カーボンナノ材料成長の触媒として機能する原子(11)または原子からなる集合体(11)を備えるミセルもしくはデンドリマー(12)を形成し、ミセルもしくはデンドリマー(12)を導電性基板に固定する。その後、導電性基板上にカーボンナノ材料(7)を形成することでエミッタを形成する方法を採用することもできる。 Further, as another method, as shown in claim 14, a micelle or a dendrimer (12) provided with an atom (11) or an assembly (11) composed of atoms that functions as a catalyst for carbon nanomaterial growth is formed, A micelle or dendrimer (12) is fixed to a conductive substrate. Thereafter, a method of forming an emitter by forming a carbon nanomaterial (7) on a conductive substrate can be employed.
この方法によれば、垂直方向での配向性が高いカーボンナノ材料が、高密度に配置されたエミッタ用導電性基板を形成することができる。 According to this method, it is possible to form an emitter conductive substrate in which carbon nanomaterials having high orientation in the vertical direction are arranged at high density.
また、エミッタとコレクタとを対向して配置させる工程では、請求項15に示すように、スペーサ(3)を介して、エミッタ(1)とコレクタ(2)とを対向して配置させることができる。 Further, in the step of arranging the emitter and the collector to face each other, as shown in claim 15, the emitter (1) and the collector (2) can be arranged to face each other via a spacer (3). .
これにより、エミッタ用導電性基板とコレクタ用導電性基板とを容易に所定間隔で対向配置させることができる。 Thereby, the conductive substrate for emitter and the conductive substrate for collector can be easily arranged to face each other at a predetermined interval.
請求項16に記載の発明では、コレクタ(2)を形成する工程と、エミッタ(1)とコレクタ(2)とを対向して配置させる工程との間に、コレクタ(2)の表面にスペーサ(3)を設ける工程を有することを特徴としている。 In the invention described in claim 16, a spacer (2) is formed on the surface of the collector (2) between the step of forming the collector (2) and the step of arranging the emitter (1) and the collector (2) to face each other. 3) is provided.
これにより、エミッタとの接合において、アライメントや特殊な接着手段を用いることなく、コレクタとエミッタとを向かい合わせることができる。 As a result, the collector and the emitter can be opposed to each other without using alignment or special bonding means in joining the emitter.
また、請求項17に示すように、コレクタ(2)の表面にスペーサ(3)を設ける工程では、λ×S×ΔT/D<(冷却装置の出力の10%)を満たすように、スペーサを配置することが好ましい。 Further, as shown in claim 17, in the step of providing the spacer (3) on the surface of the collector (2), the spacer is provided so as to satisfy λ × S × ΔT / D <(10% of the output of the cooling device). It is preferable to arrange.
また、請求項18に示すように、上面(4a)、下面(4b)、および側壁部(4c)とを有する容器(4)を用意し、エミッタ(1)におけるコレクタ(2)に対向する面(1a)と反対側の面(1b)に下面(4b)を接触させ、コレクタ(2)におけるエミッタ(1)に対向する面(2a)と反対側の面(2b)に上面(4a)を接触させて、エミッタ(1)およびコレクタ(2)を容器(4)の内部に配置し、容器(4)により、エミッタ(1)およびコレクタ(2)を真空の状態で封止することができる。 Further, as shown in claim 18, a container (4) having an upper surface (4a), a lower surface (4b), and a side wall (4c) is prepared, and the surface of the emitter (1) facing the collector (2) The lower surface (4b) is brought into contact with the surface (1b) opposite to (1a), and the upper surface (4a) is disposed on the surface (2b) opposite to the surface (2a) facing the emitter (1) in the collector (2). The emitter (1) and the collector (2) are placed inside the container (4) in contact, and the emitter (1) and the collector (2) can be sealed in a vacuum state by the container (4). .
また、請求項19に示すように、上面(4a)および下面(4b)が側壁部(4c)よりも熱伝導率が高い材料により構成されている容器(4)を用いることができる。 Moreover, as shown in Claim 19, the upper surface (4a) and the lower surface (4b) can use the container (4) comprised with the material whose heat conductivity is higher than a side wall part (4c).
請求項18、19に記載の発明により、それぞれ、請求項6、7に記載の熱電変換型冷却装置を製造することができる。
According to the invention described in claims 18 and 19, the thermoelectric conversion type cooling device described in
また、請求項20に示すように、コレクタ(2)の表面にスペーサ(3)を設ける工程では、コレクタ(2)の内周を囲むように、スペーサ(3)を配置し、 エミッタ(1)とコレクタ(2)とを対向して配置させる工程では、真空中でエミッタ(1)とコレクタ(2)とを向かい合わせることで、エミッタ(1)におけるコレクタ(2)に対向している面(1a)と、コレクタ(2)におけるエミッタ(1)に対向している面(2a)と、スペーサ(3)とにより、エミッタ(1)とコレクタ(2)との間の空間を真空の状態で封止することができる。 Further, as shown in claim 20, in the step of providing the spacer (3) on the surface of the collector (2), the spacer (3) is disposed so as to surround the inner periphery of the collector (2), and the emitter (1) And the collector (2) are arranged to face each other, the emitter (1) and the collector (2) face each other in a vacuum so that the surface of the emitter (1) facing the collector (2) ( 1a), the surface (2a) of the collector (2) facing the emitter (1), and the spacer (3), the space between the emitter (1) and the collector (2) is in a vacuum state. It can be sealed.
これにより、エミッタおよびコレクタを容器に入れ、容器の内部を真空にした構造の熱電変換型冷却装置を製造する場合と比較して、熱電変換型冷却装置の構造を簡略化し、製造コストを低減させることができる。 As a result, the structure of the thermoelectric conversion cooling device is simplified and the manufacturing cost is reduced as compared with the case of manufacturing a thermoelectric conversion cooling device having a structure in which the emitter and collector are placed in a container and the inside of the container is evacuated. be able to.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
(第1実施形態)
図1に本発明の第1実施形態における熱電変換型冷却装置の断面図を示す。また、図2(a)に図1中のエミッタ1およびコレクタ2の拡大図を示し、図2(b)にコレクタ2に設置されたスペーサ3の平面レイアウトを示す。なお、図2(b)は、図2(a)におけるコレクタ2を図の下側から見たときの図であり、図中ではエミッタを省略している。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a thermoelectric conversion cooling device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2A shows an enlarged view of the
本実施形態の熱電変換型冷却装置は、図1に示すように、容器4の内部に、エミッタ1とコレクタ2とが、スペーサ3を介して、対向して配置され、容器4の外部であって、エミッタ1、コレクタ2の近傍に、熱交換器5、6がそれぞれ配置された構成となっている。
As shown in FIG. 1, in the thermoelectric conversion type cooling device of this embodiment, an
この熱電変換型冷却装置は、エミッタ1側の熱交換器5により、気体から熱を奪い、コレクタ2側の熱交換器6により、コレクタ2が有する熱を放出させることで、エミッタ近傍に位置する気体を冷却することができるようになっている。なお、この熱電変換型冷却装置における冷却のしくみは、背景技術の欄で説明した冷却のしくみと同じである。
This thermoelectric conversion type cooling device is located near the emitter by removing heat from the gas by the
エミッタ1は、例えば、1辺が1cmである略四角形の板状であり、金属や半導体等の導電性材料により構成されている。また、図1、図2(a)に示すように、エミッタ1の表面のうち、コレクタ2と対向している面1aにカーボンナノチューブ7が固定されている。カーボンナノチューブ7は、エミッタ1の表面のうち、エミッタ1から電子を放出させる領域の全面に配置されている。
The
カーボンナノチューブ7は、エミッタ1の表面に高密度に配置されており、エミッタ1の表面に対して垂直方向に配向している。なお、カーボンナノチューブ7とエミッタ1の表面とがなす角度は、必ずしも垂直である必要はなく、後に説明するが、エミッタ1の表面において、カーボンナノチューブ7の先端で電界集中が発生する角度であれば良い。
The
カーボンナノチューブ7は、直径が1nm程度から数十(20〜30)nm程度の円筒状の物質である。本実施形態のカーボンナノチューブ7は、例えば、直径が10nm程度、長さが1μm程度であり、直径(短辺)に対する長さ(長辺)の比、すなわち、アスペクト比は100である。
The
コレクタ2は、エミッタ1と同様の形状で、例えば、1辺が1cmである略四角形の板状となっており、シリコンウェハにより構成されている。このシリコンウェハは、例えば、Sbが高濃度にドープされており、エミッタ1と対向している面2aの反対側である裏面2bに図示しない電極が形成されている。なお、コレクタ2の構成材料は、シリコンウェハに限らず、他の半導体材料や金属等の導電性材料でも良い。また、電極は裏面2bに限らず、エミッタ1と対向している面2aに形成されていても良い。
The
エミッタ1とコレクタ2の間隔8は、例えば1μmとなっている。これにより、エミッタ1およびコレクタ2の表面に数nm程度の凹凸や、長周期で数100nm程度以上のうねりを持っていても、エミッタ1とコレクタ2との接触の危険性を回避することができる。
An
また、エミッタ1およびコレクタ2のそれぞれが有する電極と、図示しない電源と電気的に接続されており、エミッタ1とコレクタ2との間に電位差を与えることができるようになっている。
Further, the electrodes included in each of the
スペーサ3は、コレクタ2のエミッタ1と対向する面2aに、適当な間隔をあけて、複数設けられている。本実施形態では、図2(a)、(b)に示すように、9つのスペーサ3がコレクタ2の表面上に配置されている。1つのスペーサ3は、略四角柱形状であり、底面は一辺3aが1μmの略正方形であり、高さ3bが1μmである。スペーサ3は、導電率および熱伝導率の低い材料により構成されている。これは、スペーサ3は、エミッタ1とコレクタ2とを適当な間隔を置いて保持固定する役割を持つが、同時にエミッタ1からコレクタ2に移動した熱を、逆にコレクタ2からエミッタ1へ伝導する媒体となるため、できるだけ電子および熱の伝導を遮断することが必要だからである。導電率および熱伝導率の低い材料として、例えば、シリコン酸化物(SiO2)や、樹脂を用いることができる。
A plurality of
スペーサ3のサイズおよびスペーサ3同士の間隔は、上記した理由により、熱伝導を極力抑えるように設計されている。ここで、スペーサ3を介して移動する熱量(Q’)は、1つのスペーサの底面積およびスペーサの本数から決まる総面積(S)と、高さ(D)と、スペーサ材料の熱伝導率(λ)の関数であり、以下の式により表すことができる。
The size of the
Q’=λ×S×ΔT/D
λ:熱伝導率(W/(m・K))
S:スペーサの底面積の総和(cm2)
ΔT: エミッタとコレクタの温度差(K)
D: エミッターコレクタ間隔(cm)
冷却装置の出力(冷却能力)Qを10W/cm2に設定すると、上記のQ’はこれよりも十分小さいことが望ましく、例えば、Qの1%、すなわち、0.1W/cm2より小さくする必要がある。
Q ′ = λ × S × ΔT / D
λ: thermal conductivity (W / (m · K))
S: Sum of the bottom areas of the spacers (cm 2 )
ΔT: Temperature difference between emitter and collector (K)
D: Emitter-collector spacing (cm)
When the output (cooling capacity) Q of the cooling device is set to 10 W / cm 2 , the above Q ′ is desirably sufficiently smaller than this, for example, 1% of Q, that is, smaller than 0.1 W / cm 2 There is a need.
ここで、冷却器の使用条件として、例えば30℃の外気温に対する25℃の冷房温度とすると、ΔT=5(K)となる。また、D=1(μm)とする。 Here, if the use condition of the cooler is, for example, a cooling temperature of 25 ° C. with respect to an outside temperature of 30 ° C., ΔT = 5 (K). Further, D = 1 (μm).
したがって、スペーサ材料として、SiO2を用いた場合では、λ=2W/mKであるため、Q’=2(W/mK)×S(cm2)×5(K)/0.000001(m)<0.1(W/cm2)を満たす条件はS<1/10000(cm2)となる。 Therefore, when SiO 2 is used as the spacer material, since λ = 2 W / mK, Q ′ = 2 (W / mK) × S (cm 2 ) × 5 (K) /0.000001 (m) The condition satisfying <0.1 (W / cm 2 ) is S <1/10000 (cm 2 ).
この結果、例えば、エミッタおよびコレクタの面積が1cm2である場合、スペーサ同士の間隔3cは100μm、スペーサの底面の一辺3aは1μmである。
As a result, for example, when the area of the emitter and the collector is 1 cm 2 , the
また、スペーサ材料として、樹脂材料(λ=0.2W/mK)とした場合、同様な計算により、S<1/1000(cm2)となる。この結果、この場合、スペーサ同士の間隔3cは100μm、スペーサの底面の一辺3aは3μmである。なお、ここではQ’をQの1%よりも小さくする場合を例として説明したが、Q’は、Qの大きさに対して無視できる大きさであれば良く、具体的には、Qの10%よりも小さければ良い。
When the spacer material is a resin material (λ = 0.2 W / mK), S <1/1000 (cm 2 ) is obtained by the same calculation. As a result, in this case, the
容器4は、例えば、略直方体形状であり、図1に示すように、上面4aと、下面4bと、側壁部としての側面4cとを有している。また、容器4は密閉されており、容器4の内部は真空となっている。本明細書中の真空とは、完全な真空を意味するのではなく、技術上可能なレベルの真空を意味する。
The container 4 has, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape, and has an
そして、上面4aはコレクタ2の裏面と接触しており、下面4bはエミッタ1の裏面と接触している。上面4aが第2の接触部に相当し、下面4bが第1の接触部に相当する。
The
ここで、容器4と熱電変換素子(エミッタ1およびコレクタ2)とが離れていると、真空中の熱伝導が悪いため、熱交換の効率が悪くなる。すなわち、エミッタ側の温度低下を冷却対象物に伝える冷却能率が低くなると同時に、コレクタ側の温度上昇を抑えるための放熱能力も下がり、冷却素子としての性能が劣化する。
Here, if the container 4 and the thermoelectric conversion elements (
したがって、本実施形態では、上面4aがコレクタ2と接触し、下面4bがエミッタ1と接触していることから、エミッタ1側での冷却能率と、コレクタ2側での放熱能率とが、容器4と熱電変換素子(エミッタ1およびコレクタ2)とが離れている場合と比較して、高くなっている。
Therefore, in this embodiment, since the
また、容器4は、エミッタ1での冷却とコレクタ2での放熱とが効率良く行われるように、上面4aおよび下面4bが側面4cよりも熱伝導率の高い材料、例えば、金属により構成されている。一方、側面4cは、真空容器を介してコレクタ2側からエミッタ1側への熱伝導を抑制するために、上面4a、下面4bよりも熱伝導率の低い材料、例えば、ガラスまたは樹脂により構成されている。
Further, the container 4 is made of a material having a higher thermal conductivity than the
これにより、本実施形態では、全て同一の材料により構成された容器を用いる場合と比較して、エミッタ1の冷却効率およびコレクタ2の放熱の効率を高めることができ、コレクタ2からエミッタ1への熱伝導を抑制することができる。
As a result, in this embodiment, the cooling efficiency of the
熱交換器5および熱交換器6は、一方の流体を他方の流体で加熱あるいは冷却することを目的とするものであり、一般的な構造の熱交換器である。熱交換器5は容器4の下面4bに、熱交換器6は容器4の上面4aに設置されており、熱交換器5および熱交換器6は容器4の下面4b、上面4aにそれぞれ接触している。なお、熱交換器の代わりにヒートシンク等を用いることもできる。
The
本実施形態では、このようにエミッタ1側に設置された熱交換器5により、熱交換器5に接する気体を冷却することができるようになっている。また、熱交換器6をコレクタ2側に設置することで、コレクタ2が有する熱を外部に放出しやすくなっている。したがって、この冷却装置は、コレクタ2側の熱交換器6を備えていない場合と比較して、冷却効率が高くなっている。
In the present embodiment, the gas in contact with the
ここで、代表的なグラファイトナノファイバを用いた本発明者の実験によれば、1mmの間隔で1kVの電圧印加で電子を放出することがわかっている。したがって、以上説明した構成の熱電変換型冷却装置は、1μmの間隔であれば1V印加で電子放出すると推測される。本実施形態の冷却装置は、1A/cm2程度以上の電流を流すものであり、冷却効率10W/cm2を実現することができるものである。 Here, according to an experiment of the present inventor using a typical graphite nanofiber, it is known that electrons are emitted by applying a voltage of 1 kV at intervals of 1 mm. Therefore, it is presumed that the thermoelectric conversion type cooling device having the above-described configuration emits electrons when 1 V is applied if the interval is 1 μm. The cooling device according to the present embodiment allows a current of about 1 A / cm 2 or more to flow, and can achieve a cooling efficiency of 10 W / cm 2 .
次にこの熱電変換型冷却装置の製造方法を説明する。 Next, the manufacturing method of this thermoelectric conversion type cooling device will be described.
まず、エミッタ1を形成する工程を行う。この工程は導電性基板に触媒を固定する工程と、この触媒を用いて導電性基板にカーボンナノチューブ7を形成する工程とを有する。
First, a step of forming the
導電性基板に触媒を固定する工程では、図示しないが触媒材料のバルク材に真空中でレーザーを照射し、これを蒸発させる。蒸発した金属原子をHeガスなどで真空中を輸送し、原子同士の数個から数百個からなる集合体(クラスター)を形成する。そして、クラスターの混合体の中から任意のサイズ、物性のものを、例えば、四重極質量分離器や、飛行時間型質量分離器によって抽出する。抽出したクラスターを導電性基板上に付着させる。 In the step of fixing the catalyst to the conductive substrate, although not shown, the bulk material of the catalyst material is irradiated with laser in vacuum to evaporate it. The evaporated metal atoms are transported in a vacuum with He gas or the like to form an aggregate (cluster) consisting of several to several hundred atoms. Then, an arbitrary size and physical property is extracted from the cluster mixture by, for example, a quadrupole mass separator or a time-of-flight mass separator. The extracted cluster is deposited on the conductive substrate.
導電性基板にカーボンナノチューブ7を形成する工程では、クラスターを触媒としてCVD(Chemical Vapor Deposition)法によりカーボンナノチューブ7を成長させる。このようにして、エミッタ1を形成する。その後、エミッタ1の裏面に電極を形成する。
In the step of forming the
なお、エミッタ1を形成するときでは、導電性基板の全面一様をエミッタ1として用いるため、エミッタ1をマトリックス状(導電性基板上に複数のエミッタを配置した状態)に形成する必要はない。したがって、本実施形態では、エミッタをマトリックス状にする際に必要となる超微細化効用のフォトリソグラフィ装置や電子線描画装置などを使わずに簡便に、エミッタ1を形成することができる。
Note that when the
次に、コレクタ2を形成する工程を行う。この工程では、コレクタ2用の導電性基板として、Sbが高濃度にドープされたシリコンウェハを用意する。そして、シリコンウェハの裏面にAuSb合金を蒸着することでオーミック電極を形成する。
Next, a process of forming the
続いて、スペーサ3を形成する工程を行う。この工程では、コレクタ2用の導電性基板の表面上に、CVD法や熱酸化法等の膜厚制御性の高い成膜方法により、SiO2膜、樹脂膜等を成膜する。
Subsequently, a step of forming the
その後、フォトリソグラフィ等を用いた適当なパターニング方法により、不要な部分をエッチングによって除去する。このようにして、コレクタ2の表面上に、コレクタ2に固定されたスペーサ3を形成する。
Thereafter, unnecessary portions are removed by etching by an appropriate patterning method using photolithography or the like. In this way, the
このとき、上記したように、Q’=λ×S×ΔT/D<0.1という式を満たすように、
スペーサ同士の間隔3cや、1つのスペーサにおける底面の一辺3aを設定する。
At this time, as described above, so as to satisfy the expression Q ′ = λ × S × ΔT / D <0.1,
An
続いて、エミッタ1およびコレクタ2を用意し、エミッタ1とコレクタ2とを対向して配置させる工程を行う。この工程では、スペーサ3が固定されている面2aを下にして、コレクタ2をエミッタ1上に置く。
Subsequently, the step of preparing the
このとき、スペーサ3は、エミッタ1表面のカーボンナノチューブ7を押しつぶす格好となる。本実施形態では、エミッタ1とコレクタ2との間に電気的な接続は必要なく、むしろ熱伝導を避けるためには接触面積を小さくすることが望ましい。このため、特許文献1に記載された従来方法のように間隔を一定に制御するためのアクチュエータ等の特別なアライメントおよび接続のための処理は必要ない。したがって、本実施形態では、エミッタ1とコレクタ2とを対向して配置させるとき、エミッタ1の上にコレクタ2を置き、自重もしくは適当なおもりで抑える程度でよい。なお、エミッタ1とコレクタ2は、冷却装置の使用の際、電圧を印加すると静電引力によって固定される。
At this time, the
続いて、エミッタ1の電極およびコレクタ2の電極と電源とを電気的に接続させる工程を行った後、エミッタ1およびコレクタ2を容器4により封止する工程を行う。容器4により、封止する工程では、上面4a、下面4b、および側壁部4cとを有する容器4を用意する。そして、エミッタ1におけるコレクタに対向する面1aと反対側の面1bに下面4bを接触させ、コレクタ2におけるエミッタ1に対向する面2aと反対側の面2bに上面4aを接触させて、エミッタ1およびコレクタ2を容器の内部に配置し、エミッタ1およびコレクタ2を容器により、真空の状態で封止する。
Subsequently, after the step of electrically connecting the electrode of the
続いて、容器4の下面4bに熱交換器5を設置し、上面4aに熱交換器6を設置する工程を行う。このようにして、熱電変換型冷却装置を製造することができる。
Then, the process of installing the
以上説明したように、本実施形態の熱電変換型冷却装置は、エミッタ1の表面のうち、コレクタ2と対向している面1aに、その面に対して垂直方向に配向しているカーボンナノチューブ7が配置されている。ここで、図3にエミッタ1とコレクタ2との間に電位差を与えたときの等電位分布を示す。カーボンナノチューブ7は、アスペクト比が100であるため、図3に示すように、エミッタ1とコレクタ2との間に電位差を与えたとき、カーボンナノチューブ7の先端で電界集中する。なお、カーボンナノチューブ7の先端への電界の大きさは先端の曲率半径の二乗に反比例する。
As described above, the thermoelectric conversion type cooling device of the present embodiment has the
このため、エミッタ1とコレクタ2との間のうち、カーボンナノチューブ7が存在する部分に、カーボンナノチューブ7が存在しない部分と比較して、高電界がかかる。これにより、図4に示すように、エミッタ1とコレクタ2との間の真空でのエネルギー準位9は大きく曲がる(バンドベンディング)。このバンドベンディングは、エミッタ1とコレクタ2との間隔と、エミッタ1およびコレクタ2に対する印加電圧が本実施形態と同じであって、エミッタ1の表面にカーボンナノチューブ7が配置されていない従来の冷却装置と比較して、大きい。
For this reason, a high electric field is applied between the
この結果、トンネル電子が超えなければならないポテンシャルの幅は、上記した従来の冷却装置と比較して、非常に狭くなる。したがって、トンネル距離が上記した従来の冷却装置と比較して、著しく小さくなり、電子は放出されやすくなっている。このため、従来の冷却装置と比較して、小さな印加電圧でエミッタ1からコレクタ2に向けてトンネル電子を放出させることができる。
As a result, the width of the potential that the tunnel electrons must exceed is very narrow compared to the conventional cooling device described above. Therefore, the tunnel distance is significantly smaller than that of the conventional cooling device described above, and electrons are easily emitted. Therefore, tunnel electrons can be emitted from the
このことから、本実施形態によれば、表面に凹凸やうねりがある導電性材料をエミッタ1およびコレクタ2として用いて熱電変換素子を構成しても、本実施形態とエミッタ1とコレクタ2の間隔が同じである従来の熱電変換型冷却装置と比較して、高効率である熱電変換型冷却装置を提供することができる。
Therefore, according to the present embodiment, even if a thermoelectric conversion element is configured using a conductive material having irregularities and undulations on the surface as the
また、上記背景技術の欄にて説明したように、熱電変換型冷却装置では、小さな印加電圧で大きな電界が真空中に印加できるようにするために、エミッタとコレクタとの間隔を狭くして、ギャップ幅d(図7参照)を小さくする必要であった。 Also, as explained in the background section above, in the thermoelectric conversion type cooling device, in order to be able to apply a large electric field in a vacuum with a small applied voltage, the interval between the emitter and the collector is narrowed, It was necessary to reduce the gap width d (see FIG. 7).
これに対して、本実施形態の熱電変換型冷却装置は、上記したように、エミッタ1とコレクタ2との間に電位差を与えたとき、カーボンナノチューブ7の先端で電界集中するため、小さな印加電圧で、エミッタ1とコレクタ2の間に、局所的に高電界をかけることができるようになっている。
In contrast, the thermoelectric conversion type cooling device of the present embodiment concentrates the electric field at the tip of the
このため、本実施形態によれば、背景技術の欄で説明したように、エミッタとコレクタ間の間隔をナノメートルスケールにしなくても、高効率な熱電変換型冷却装置を提供することができる。 For this reason, according to the present embodiment, as described in the background art section, a highly efficient thermoelectric conversion cooling device can be provided without the interval between the emitter and the collector being set to the nanometer scale.
また、本実施形態で用いているカーボンナノチューブ7自身の仕事関数は4〜5eVと高いものである。発明が解決する課題の欄で説明したように、冷却装置として高効率を得るためには、仕事関数が小さな材料を用いる必要がある。
Moreover, the work function of the
しかし、カーボンナノチューブ7は、上記したように電界集中する形状であることから、電子が放出されやすい。このため、カーボンナノチューブ7の電子放出能からみた実効的な仕事関数は小さくなっている。したがって、本実施形態によれば、仕事関数の低い材料を用いることなく高効率な熱電変換装置を提供することができる。
However, since the
また、本実施形態では、エミッタ1を形成する工程で、カーボンナノチューブ7の成長の触媒として機能する原子からなるクラスターの中から、所望のサイズおよび物性のクラスターを抽出し、その抽出されたクラスターを導電性基板に固定する。そして、そのクラスターを触媒として用いて、導電性基板の表面にカーボンナノ材料を形成することでエミッタを形成している。
In the present embodiment, in the step of forming the
これにより、クラスターとして、サイズも物性もカーボンナノチューブの成長に対して最適条件のもののみを抽出することで、結晶性の良いカーボンナノチューブを高純度に形成することができる。 As a result, by extracting only clusters having the optimum size and physical properties for the growth of carbon nanotubes, carbon nanotubes with good crystallinity can be formed with high purity.
また、このようにしてエミッタ1を形成することで、カーボンナノチューブ7を、高密度で、エミッタ1表面に対して垂直方向に配向させることができる。このようにカーボンナノチューブ7を高密度とすることで大きな電流を流すことができ、カーボンナノチューブ7を垂直方向に配置させることで、電界集中を発生しやすくし、エミッタ1の電子放出能力を高めることができる。
Further, by forming the
また、本実施形態では、エミッタ1とコレクタ2とを対向して配置させる工程で、エミッタ1の上に、スペーサ3が固定されたコレクタ2を置くことで、エミッタ1とコレクタ2とを対向させている。
In this embodiment, in the step of arranging the
本実施形態では、上記したように、エミッタ1とコレクタ2との間隔をナノメートルスケールとする必要がないため、エミッタ1とコレクタ2とを対向させるときに、スペーサ3を用いることができる。
In the present embodiment, as described above, since it is not necessary to set the distance between the
このようにスペーサ3を用いることができるので、本実施形態では、特許文献1に記載の従来技術と比較して、エミッタ1とコレクタ2とを所定間隔で対向配置させることができる。
Since the
また、コレクタ2にスペーサ3を設けていることから、エミッタとの接合において、アライメントや特殊な接着手段を用いることなく、コレクタとエミッタとを向かい合わせることができる。
Further, since the
(第2実施形態)
第1実施形態では、エミッタ1を形成する工程において、所望のサイズおよび物性のクラスターを抽出し、その抽出されたクラスターを導電性基板に固定し、そのクラスターを触媒として用いて、導電性基板の表面にカーボンナノチューブ7を形成する場合を例として説明したが、本実施形態の方法によってカーボンナノチューブ7を形成することもできる。なお、本実施形態は、カーボンナノチューブ7の製造方法が異なるだけで、他の製造工程は第1実施形態と同じである。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, in the step of forming the
図5(a)、(b)、(c)に本実施形態におけるカーボンナノチューブ7を形成する方法を示す。まず、図5(a)に示すように、Fe、Ni、Coなどカーボンナノチューブ7の成長の触媒として機能する原子またはクラスター11を核とした数nmから数10nm程度の径を持つミセルもしくはデンドリマー12を形成する。
FIGS. 5A, 5B, and 5C show a method of forming the
そして、図5(b)に示すように、複数のミセル等12を適当な溶媒(例えば水)中に放つ。これにより、複数のミセル等12が溶媒表面で自己組織化し、複数のミセル12が規則的に配列した単層膜(自己組織化膜)13が形成される。続いて、この単層膜13を導電性基板上にすくい取り、乾燥させ、この単層膜を導電性基板の表面上に固定する。このようにして、導電性基板上に触媒を規則的に配列させる。
Then, as shown in FIG. 5B, a plurality of
次に、図5(c)に示す工程で、表面上に触媒が配列された導電性基板上に、CVD法によってカーボンナノチューブ7を成長させる。このようにして、カーボンナノチューブ7が表面上に配置されたエミッタ1を形成する。
Next, in the step shown in FIG. 5C, the
本実施形態では、図5(b)に示す工程で、ミセル12等を自己組織化させることで、触媒を規則的に、かつ、高密度に配置させることができる。この結果、図5(c)に示す工程で、導電性基板の表面に対して垂直な方向への配向性が高いカーボンナノチューブ7を導電性基板上に形成することができる。
In the present embodiment, the catalyst can be regularly and densely arranged by self-organizing the
これにより、高密度で、垂直方向の配向性が高いカーボンナノチューブ7を表面に有するエミッタ1を形成することができる。
Thereby, it is possible to form the
(第3実施形態)
第1、第2実施形態では、容器4により、エミッタ1およびコレクタ2を真空状態で封止する場合を例として説明したが、本実施形態のように、容器4を用いずに、エミッタ1およびコレクタ2との間の空間を真空状態とすることもできる。
(Third embodiment)
In the first and second embodiments, the case where the
図6(a)に本実施形態における熱電変換型冷却装置の断面図を示し、図6(b)に図6(a)中のコレクタ2に設置されたスペーサ3の平面レイアウト図を示す。なお、図6(b)は、図6(a)中のコレクタ2を図の下側から見たときの図である。また、図6では、図1、2と同様の構造部に、図1、2の構成部と同一の符号を付している。
FIG. 6A shows a cross-sectional view of the thermoelectric conversion cooling device in the present embodiment, and FIG. 6B shows a plan layout diagram of the
本実施形態では、図6(a)、(b)に示すように、スペーサ3が、エミッタ1とコレクタ2との間で電子を移動させる空間を囲むように、コレクタ2の外周部に配置されている。そして、エミッタ1のコレクタ2に対向している面1aと、コレクタ2のエミッタ1に対向している面2aと、スペーサ3dとにより、エミッタ1とコレクタ2との間の空間が真空の状態で封止されている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 6A and 6B, the
次に、このような構成の熱電変換型冷却装置の製造方法を説明する。第1実施形態におけるコレクタ2にスペーサ3を形成する工程を以下のように変更する。図6(b)に示すように、コレクタ2の内周を囲むような形状のスペーサ3dと、所定の間隔で配置された四角柱形状のスペーサ3eとをコレクタ2の表面上に形成する。
Next, the manufacturing method of the thermoelectric conversion type cooling device having such a configuration will be described. The process of forming the
このとき、本実施形態においても、上記したように、Q’=λ×S×ΔT/D<0.1という式を満たすように、スペーサ同士の間隔3cや、1つのスペーサにおける底面の一辺3aを設定する。
At this time, also in the present embodiment, as described above, the
そして、第1実施形態と同様に、エミッタ1とコレクタ2とを対向して配置させる工程を行う。ただし、本実施形態では、真空中でエミッタ1とコレクタ2とを向かい合わせる。このようにして、エミッタ1のコレクタ2に対向している面と、コレクタ2のエミッタ1に対向している面と、スペーサ3とにより、エミッタ1とコレクタ2との間の空間を真空の状態で封止することができる。
Then, similarly to the first embodiment, a step of arranging the
その後、エミッタ1、コレクタ2にそれぞれ、直接、熱交換器5、熱交換器6を設置することで、熱電変換型冷却装置を製造することができる。
Then, the thermoelectric conversion type cooling device can be manufactured by installing the
本実施形態では、このように、スペーサ3によりエミッタ1とコレクタ2との間の空間を真空状態で封止している。
In the present embodiment, the space between the
これにより、第1実施形のように、エミッタ1およびコレクタ2を容器4に入れ、容器4の内部を真空にした構造の熱電変換型冷却装置を製造する場合と比較して、熱電変換型冷却装置の構造を簡略化し、製造コストを低減させることができる。
(他の実施形態)
上記した各実施形態では、エミッタ1の表面にカーボンナノチューブ7を形成する場合を例として説明したが、カーボンナノチューブ7に限らず、アスペクト比が100以上であって、短辺が1〜30nm程度であるグラファイトナノファイバ等のカーボンナノ材料を形成することもできる。
Thus, as in the first embodiment, the thermoelectric conversion cooling is performed as compared with the case of manufacturing the thermoelectric conversion cooling device having the structure in which the
(Other embodiments)
In each of the above embodiments, the case where the
また、カーボンナノ材料に限らず、他の導電性材料を用いて、電界集中がおきる形状である凸部をエミッタ1の表面に形成することもできる。すなわち、アスペクト比が100以上であって、短辺が1〜30nm程度である凸部をエミッタ1の表面に形成することもできる。
Further, not only the carbon nanomaterial but also another conductive material can be used to form a convex portion having a shape in which electric field concentration occurs on the surface of the
また、上記した各実施形態では、エミッタ1とコレクタ2の間隔が1〜3μmである場合を例として説明したが、エミッタ1とコレクタ2の間隔をナノメートルスケールにする技術があれば、その技術を用いてナノメートルスケールにしても良い。この場合であっても、本発明と同様の効果を有する。
In each of the above-described embodiments, the case where the distance between the
また、上記した各実施形態では、エミッタ1側に熱交換器5を配置する場合を例として説明したが、固体や液体を冷却する場合は、熱交換器5を用いずに、エミッタ1に対して被冷却物質を直接接触させることもできる。
In each of the above embodiments, the case where the
1…エミッタ、2…コレクタ、3…スペーサ、4…容器、
5、6…熱交換器、7…カーボンナノチューブ、
11…原子またはクラスター、12…ミセルまたはデンドリマー。
1 ... Emitter, 2 ... Collector, 3 ... Spacer, 4 ... Container,
5, 6 ... heat exchanger, 7 ... carbon nanotube,
11 ... atoms or clusters, 12 ... micelles or dendrimers.
Claims (20)
前記エミッタ(1)における前記コレクタ(2)と対向する面(1a)の表面に、複数の凸部(7)を有しており、前記凸部(7)は、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)との間に電位差が与えられたとき、その先端で電界集中が発生する形状であることを特徴とする熱電変換型冷却装置。 An emitter (1) and a collector (2) are arranged to face each other, and a potential difference is applied between the emitter (1) and the collector (2) to heat the emitter (1) to the collector (2). In a thermoelectric conversion type cooling device using a thermoelectric conversion element that emits
The emitter (1) has a plurality of convex portions (7) on the surface of the surface (1a) facing the collector (2), and the convex portion (7) includes the emitter (1) and the emitter (1). A thermoelectric conversion type cooling device having a shape in which electric field concentration occurs at the tip of the collector when a potential difference is applied to the collector (2).
(数1)λ×S×ΔT/D<(冷却装置の出力の10%)
を満たす形状であることを特徴とする請求項4に記載の熱電変換型冷却装置。 The thermal conductivity (unit: W / (m · K)) of the spacer (3) is λ, the sum of the bottom areas of the spacer (3) (unit: cm 2 ) is S, the emitter (1) and the collector When the temperature difference (unit: K) of (2) is ΔT and the distance (unit: cm) between the emitter (1) and the collector (2) is D, the spacer (3) ,
(Expression 1) λ × S × ΔT / D <(10% of the output of the cooling device)
The thermoelectric conversion cooling device according to claim 4, wherein the thermoelectric conversion cooling device has a shape satisfying the above requirement.
導電性基板の表面に、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)との間に電位差が与えられたとき、その先端で電界集中が発生する形状の凸部(7)を形成することで、前記エミッタ(1)を形成する工程と、
コレクタ(2)を形成する工程と、
前記エミッタ(1)における前記凸部(7)が形成された面(1a)を前記コレクタ(2)に向けて、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)とを対向して配置させる工程とを有することを特徴とする熱電変換型冷却装置の製造方法。 An emitter (1) and a collector (2) are arranged to face each other, and a potential difference is applied between the emitter (1) and the collector (2) to heat the emitter (1) to the collector (2). In the manufacturing method of the thermoelectric conversion type cooling device using the thermoelectric conversion element that discharges
On the surface of the conductive substrate, when a potential difference is applied between the emitter (1) and the collector (2), a convex portion (7) having a shape in which electric field concentration occurs at the tip thereof is formed. Forming the emitter (1);
Forming a collector (2);
Placing the emitter (1) and the collector (2) facing each other with the surface (1a) of the emitter (1) on which the convex portion (7) is formed facing the collector (2); The manufacturing method of the thermoelectric conversion type cooling device characterized by having.
サイズおよび物性が制御され、カーボンナノ材料成長の触媒として機能する原子からなる集合体を導電性基板の表面に固定する工程と、
前記集合体を触媒として用いて、前記導電性基板の表面にカーボンナノ材料を形成することでエミッタ(1)を形成する工程とを有することを特徴とする請求項11に記載の熱電変換型冷却装置の製造方法。 The step of forming the emitter (1) includes:
Fixing an assembly of atoms whose size and physical properties are controlled and functioning as a catalyst for carbon nanomaterial growth to the surface of the conductive substrate;
The thermoelectric conversion cooling according to claim 11, further comprising a step of forming an emitter (1) by forming a carbon nanomaterial on a surface of the conductive substrate using the aggregate as a catalyst. Device manufacturing method.
前記集合体を複数形成する工程と、
複数の前記集合体の中から、所望のサイズおよび物性の前記集合体を抽出する工程と、
前記抽出された集合体を前記導電性基板に固定する工程とを有することを特徴とする請求項12に記載の熱電変換型冷却装置の製造方法。 The step of fixing the assembly to the conductive substrate includes:
Forming a plurality of the aggregates;
Extracting the aggregate having a desired size and physical properties from the plurality of aggregates;
The method for manufacturing a thermoelectric conversion cooling device according to claim 12, further comprising a step of fixing the extracted aggregate to the conductive substrate.
カーボンナノ材料成長の触媒として機能する原子(11)または前記原子からなる集合体(11)を備えるミセルもしくはデンドリマー(12)を形成する工程と、
前記ミセルもしくはデンドリマー(12)を導電性基板に固定する工程と、
前記導電性基板上にカーボンナノ材料(7)を形成することで前記エミッタを形成する工程とを有することを特徴とする請求項11に記載の熱電変換型冷却装置の製造方法。 The step of forming the emitter (1) includes:
Forming a micelle or dendrimer (12) comprising an atom (11) functioning as a catalyst for carbon nanomaterial growth or an aggregate (11) comprising said atom;
Fixing the micelle or dendrimer (12) to a conductive substrate;
The method of manufacturing a thermoelectric conversion cooling device according to claim 11, further comprising: forming the emitter by forming a carbon nanomaterial (7) on the conductive substrate.
スペーサ(3)の熱伝導率(単位:W/(m・K))をλとし、スペーサ(3)の底面積の総和(単位:cm2)をSとし、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)の温度差(単位:K)をΔTとし、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)の間隔(単位:cm)をDとしたとき、次の数1、
(数1)λ×S×ΔT/D<(冷却装置の出力の10%)
を満たすように、前記スペーサ(3)を設けることを特徴とする請求項16に記載の熱電変換型冷却装置の製造方法。 In the step of providing the spacer (3) on the surface of the collector (2),
The thermal conductivity (unit: W / (m · K)) of the spacer (3) is λ, the sum of the bottom areas (unit: cm 2 ) of the spacer (3) is S, the emitter (1) and the collector When the temperature difference (unit: K) of (2) is ΔT and the distance (unit: cm) between the emitter (1) and the collector (2) is D,
(Expression 1) λ × S × ΔT / D <(10% of the output of the cooling device)
The method of manufacturing a thermoelectric conversion cooling device according to claim 16, wherein the spacer (3) is provided so as to satisfy
前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)とを対向して配置させる工程では、真空中で前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)とを向かい合わせることで、前記エミッタ(1)における前記コレクタ(2)に対向している面(1a)と、前記コレクタ(2)における前記エミッタ(1)に対向している面(2a)と、前記スペーサ(3)とにより、前記エミッタ(1)と前記コレクタ(2)との間の空間を真空の状態で封止することを特徴とする請求項16または17に記載の熱電変換型冷却装置の製造方法。
In the step of providing the spacer (3) on the surface of the collector (2), the spacer (3) is disposed so as to surround the inner periphery of the collector (2),
In the step of disposing the emitter (1) and the collector (2) to face each other, the emitter (1) and the collector (2) face each other in a vacuum so that the collector in the emitter (1) The surface (1a) facing (2), the surface (2a) facing the emitter (1) in the collector (2), and the spacer (3) make the emitter (1) The method for manufacturing a thermoelectric conversion cooling device according to claim 16 or 17, wherein a space between the collector (2) is sealed in a vacuum state.
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JP2003331714A JP2005101191A (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Thermoelectric conversion type cooling apparatus and manufacturing method thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100795375B1 (en) | 2006-08-04 | 2008-01-17 | (주) 코네스코퍼레이션 | Apparatus for enhancing heat transfer by attached nano tube |
JP2010532717A (en) * | 2007-06-20 | 2010-10-14 | ニユージヤージイ・インスチチユート・オブ・テクノロジー | Nanotube device and manufacturing method |
JP4791611B1 (en) * | 2011-05-20 | 2011-10-12 | 隆彌 渡邊 | Air conditioning |
WO2012140800A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | Watanabe Takaya | Cooling and heating device |
-
2003
- 2003-09-24 JP JP2003331714A patent/JP2005101191A/en not_active Withdrawn
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