JP2005099317A - Display device - Google Patents

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孝次 沼尾
Akira Tagawa
晶 田川
Shigetsugu Okamoto
成継 岡本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting display device in which the service life of a light emitting element is long. <P>SOLUTION: The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film. The light emitting element is partially lapped over a gate electrode of the active element and/or the wiring group. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置などの自発光型の表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to a self-luminous display device such as an organic EL (Electro Luminescence) display device.

近年、有機ＥＬ表示装置やＦＥＤ（Field Emission Display）などの自発光型表示装置の研究開発が活発に行われている。特に有機ＥＬ表示装置は、低電圧・低消費電力で駆動可能であるので、携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital Assistants）などの携帯電子機器用の表示装置として注目されている。   In recent years, research and development of self-luminous display devices such as organic EL display devices and FED (Field Emission Display) have been actively conducted. In particular, since organic EL display devices can be driven with low voltage and low power consumption, they attract attention as display devices for portable electronic devices such as mobile phones and PDAs (Personal Digital Assistants).

有機ＥＬ表示装置用の回路構成としては、種々の構成が提案されている。図１５および図１６に、特許文献１に開示されているアクティブマトリクス型の回路構成を示す。図１５は１画素に対応した領域の等価回路を示し、図１６は１画素に対応した領域を模式的に示す平面図である。   Various configurations have been proposed as circuit configurations for organic EL display devices. 15 and 16 show an active matrix circuit configuration disclosed in Patent Document 1. FIG. FIG. 15 shows an equivalent circuit of a region corresponding to one pixel, and FIG. 16 is a plan view schematically showing a region corresponding to one pixel.

この回路構成では、図１５および図１６に示すように、１画素に４つのトランジスタ（アクティブ素子）Ｑ1〜Ｑ4と２つのキャパシタＣ1、Ｃ2とが設けられ、これらにデータ配線ｘn、ｘn’、走査配線ｙn、電源配線ＢH、ＢLが接続されている。トランジスタＱ1、Ｑ2は、有機ＥＬ素子の陽極（画素電極）Ａに接続されている。 In this circuit configuration, as shown in FIGS. 15 and 16, four transistors (active elements) Q 1 to Q 4 and two capacitors C 1 and C 2 are provided in one pixel, and data wiring x n is provided to these transistors. , X n ′, scan wiring y n , and power supply wirings B H and B L are connected. The transistors Q 1 and Q 2 are connected to the anode (pixel electrode) A of the organic EL element.

図１６からわかるように、各種の配線およびトランジスタと、有機ＥＬ素子とは、トランジスタＱ1、Ｑ2のドレイン電極と画素電極Ａとを接続する領域を除き、相互に重なり合わないよう構成されている。これは、配線と画素電極Ａとが絶縁膜（無機材料からなる薄膜）を介して交差すると、配線の電位変化が画素電極Ａに悪影響を与える（「クロストーク」と呼ばれる）からである。また、有機ＥＬ素子から出射される光がトランジスタに入射すると、トランジスタの素子特性が劣化するからでもある。
特開２００１−３４２３１号公報 As can be seen from FIG. 16, the various wirings and transistors and the organic EL element are configured not to overlap each other except for the region connecting the drain electrodes of the transistors Q 1 and Q 2 and the pixel electrode A. Yes. This is because, when the wiring and the pixel electrode A cross each other through an insulating film (a thin film made of an inorganic material), a potential change of the wiring adversely affects the pixel electrode A (referred to as “crosstalk”). Further, when light emitted from the organic EL element enters the transistor, the element characteristics of the transistor deteriorate.
JP 2001-34231 A

図１５および図１６に例示するように、有機ＥＬ素子を駆動するには、多くのトランジスタやキャパシタ、各種の配線が必要である。   As illustrated in FIGS. 15 and 16, many transistors, capacitors, and various wirings are required to drive the organic EL element.

しかしながら、図１６に示すように、有機ＥＬ素子を配線（データ配線ｘn、ｘn’や走査配線ｙnあるいは電源配線ＢH、ＢL）やトランジスタＱ1〜Ｑ4と重ならないように配置すると、有機ＥＬ素子の基板面内方向のサイズ（画素電極Ａのサイズ）を小さくせざるを得ず、画素領域内で有機ＥＬ素子が占める面積比率（以下、発光面積比率Ｓ０と呼ぶ）が低下してしまう。 However, as shown in FIG. 16, so as not to overlap the organic EL element wiring (data wiring x n, x n 'and the scanning lines y n or power wiring B H, B L) and and transistors Q 1 to Q 4 Then, the size of the organic EL element in the substrate plane direction (the size of the pixel electrode A) must be reduced, and the area ratio occupied by the organic EL element in the pixel region (hereinafter referred to as the light emission area ratio S0) decreases. Resulting in.

有機ＥＬ表示装置のパネル輝度は、発光面積比率Ｓ０と、有機ＥＬ素子の単位面積あたりの発光輝度Ｌ０との積に比例するので、発光面積比率Ｓ０が低下すると、所望するパネル輝度を実現するためには、発光輝度Ｌ０を高くする必要がある。   The panel luminance of the organic EL display device is proportional to the product of the light emission area ratio S0 and the light emission luminance L0 per unit area of the organic EL element, so that when the light emission area ratio S0 decreases, the desired panel luminance is realized. Therefore, it is necessary to increase the light emission luminance L0.

一方、有機ＥＬ素子の輝度半減寿命Ｔ５０は、有機ＥＬ素子の単位面積あたりの発光輝度Ｌ０が高いほど短くなる。具体的には、輝度半減寿命Ｔ５０と発光輝度Ｌ０とは、反比例する関係（概ねＴ５０×Ｌ０＝一定）にある。そのため、所望のパネル輝度を得るために発光輝度Ｌ０を高くすると、輝度半減寿命Ｔ５０が短くなってしまう。   On the other hand, the luminance half life T50 of the organic EL element becomes shorter as the emission luminance L0 per unit area of the organic EL element is higher. Specifically, the luminance half life T50 and the light emission luminance L0 are in an inversely proportional relationship (approximately T50 × L0 = constant). Therefore, if the light emission luminance L0 is increased to obtain a desired panel luminance, the luminance half life T50 is shortened.

有機ＥＬ表示装置は、低電圧・低消費電力で駆動可能なディスプレイとして注目されているものの、未だその市場規模は小さい。これは、有機ＥＬ素子の輝度半減寿命が短いためである。したがって、発光面積比率が低くなるような回路構成を採用すると、輝度半減寿命をさらに縮めてしまい、有機ＥＬ表示装置の用途を制限してしまう。   Although organic EL display devices are attracting attention as displays that can be driven with low voltage and low power consumption, the market scale is still small. This is because the luminance half life of the organic EL element is short. Therefore, if a circuit configuration in which the light emitting area ratio is reduced is adopted, the luminance half-life is further shortened, and the use of the organic EL display device is limited.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子の寿命が長い自発光型の表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a self-luminous display device having a long light-emitting element life.

本発明による表示装置は、主面と前記主面に対向する裏面とを有する基板と、前記基板の前記主面上に設けられた配線群と、前記基板の前記主面上に設けられ、少なくともゲート電極を有するアクティブ素子と、前記配線群および前記アクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備え、前記発光素子から前記基板の前記主面に入射し、前記基板を透過して前記基板の前記裏面から出射する光を用いて表示を行う表示装置であって、前記発光素子は、前記アクティブ素子の前記ゲート電極および／または前記配線群に部分的に重なっており、そのことによって上記目的が達成される。   The display device according to the present invention includes a substrate having a main surface and a back surface facing the main surface, a wiring group provided on the main surface of the substrate, and provided on the main surface of the substrate, An active element having a gate electrode, a first interlayer insulating film covering the wiring group and the active element, and a light emitting element provided on the first interlayer insulating film, the light emitting element to the main substrate of the substrate A display device that performs display using light incident on a surface, transmitted through the substrate, and emitted from the back surface of the substrate, wherein the light emitting element includes the gate electrode and / or the wiring group of the active element The above object is achieved by this.

ある好適な実施形態において、前記第１層間絶縁膜は樹脂材料から形成されている。   In a preferred embodiment, the first interlayer insulating film is made of a resin material.

ある好適な実施形態において、本発明による表示装置は、前記アクティブ素子と前記第１層間絶縁膜との間に設けられた遮光膜を備える。   In a preferred embodiment, the display device according to the present invention includes a light shielding film provided between the active element and the first interlayer insulating film.

ある好適な実施形態において、前記発光素子は、前記基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有し、前記アクティブ素子に部分的に重なっており、前記発光素子は、さらに、前記第１電極の、前記アクティブ素子に重なる部分上に設けられた第２層間絶縁膜を有している。   In a preferred embodiment, the light emitting element has a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode in this order from the substrate side, and partially overlaps the active element. The light emitting element further includes: A second interlayer insulating film provided on a portion of the first electrode overlapping the active element;

ある好適な実施形態において、空気の屈折率をｎ0、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ1、前記第１層間絶縁膜の厚さをｄとしたとき、前記アクティブ素子および／または前記配線群に重なっている前記発光素子の領域の幅ｗは、−ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））≦ｗ≦ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））の関係を満足する。 In a preferred embodiment, when the refractive index of air is n 0 , the refractive index of the first interlayer insulating film is n 1 , and the thickness of the first interlayer insulating film is d, the active element and / or the The width w of the region of the light emitting element overlapping the wiring group is −d · tan (sin −1 (n 0 / n 1 )) ≦ w ≦ d · tan (sin −1 (n 0 / n 1 )) Satisfy the relationship.

ある好適な実施形態において、前記配線群は、第１配線と、前記第１配線に交差する第２配線とを含む。   In a preferred embodiment, the wiring group includes a first wiring and a second wiring that intersects the first wiring.

ある好適な実施形態において、前記配線群は、前記第１配線または前記第２配線に交差する第３配線をさらに含み、前記発光素子は、前記基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有し、前記表示装置は、前記第１層間絶縁膜上に設けられ、前記第３配線に電気的に接続された第３電極をさらに備え、前記第３電極と前記第２電極とが電気的に接続され、そのことによって前記第３配線と前記第２電極とが電気的に接続されている。   In a preferred embodiment, the wiring group further includes a third wiring intersecting the first wiring or the second wiring, and the light emitting element includes a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode from the substrate side. The display device further includes a third electrode provided on the first interlayer insulating film and electrically connected to the third wiring, wherein the third electrode, the second electrode, Are electrically connected, whereby the third wiring and the second electrode are electrically connected.

ある好適な実施形態において、前記発光素子は有機ＥＬ素子である。   In a preferred embodiment, the light emitting element is an organic EL element.

以下、本発明の作用について説明する。   The operation of the present invention will be described below.

本発明による表示装置では、発光素子が、アクティブ素子のゲート電極および／または配線群に第１層間絶縁膜を介して部分的に重なっている。従って、アクティブ素子のゲート電極や配線群に発光素子が重ならない従来の構成に比べ、実効的な発光面積比率を高くすることができ、その分発光素子の単位面積あたりの発光輝度を低くすることができる。そのため、発光素子の寿命（輝度半減寿命）を長くすることができる。   In the display device according to the present invention, the light emitting element partially overlaps the gate electrode and / or the wiring group of the active element via the first interlayer insulating film. Therefore, the effective light emitting area ratio can be increased and the light emission luminance per unit area of the light emitting element can be reduced by that amount compared to the conventional configuration in which the light emitting element does not overlap the gate electrode or the wiring group of the active element. Can do. Therefore, the lifetime (luminance half-life) of the light emitting element can be extended.

第１層間絶縁膜が樹脂材料から形成されていると、透明度が高い厚膜を容易に形成することができ、アクティブ素子のゲート電極・配線群と発光素子とが重なることによる悪影響（例えばクロストーク）の発生を効果的に抑制することができる。   When the first interlayer insulating film is made of a resin material, a thick film with high transparency can be easily formed, and adverse effects caused by overlapping of the gate electrode / wiring group of the active element and the light emitting element (for example, crosstalk) ) Can be effectively suppressed.

アクティブ素子と第１層間絶縁膜との間に遮光膜を設けると、発光素子からアクティブ素子に入射する光の量を低減し、アクティブ素子への光入射によるアクティブ素子の特性変化を抑制することができる。   Providing a light shielding film between the active element and the first interlayer insulating film reduces the amount of light incident on the active element from the light emitting element, and suppresses changes in the characteristics of the active element due to light incident on the active element. it can.

発光素子が、基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有し、アクティブ素子に部分的に重なっている場合には、第１電極のアクティブ素子に重なる部分上に第２層間絶縁膜を設けると、第２層間絶縁膜上の発光層には電流がほとんど流れず、発光素子のアクティブ素子に重なる部分は発光しないので、アクティブ素子への光入射によるアクティブ素子の特性変化を抑制することができる。   When the light-emitting element has the first electrode, the light-emitting layer, and the second electrode in this order from the substrate side and partially overlaps the active element, the second interlayer is formed on the portion of the first electrode that overlaps the active element. When an insulating film is provided, almost no current flows in the light emitting layer on the second interlayer insulating film, and the portion of the light emitting element that overlaps the active element does not emit light, thereby suppressing changes in the characteristics of the active element due to light incidence on the active element can do.

空気の屈折率をｎ0、第１層間絶縁膜の屈折率をｎ1、第１層間絶縁膜の厚さをｄとしたとき、アクティブ素子および／または配線群に重なっている発光素子の領域の幅ｗが、−ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））≦ｗ≦ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））の関係を満足すると、発光素子の発光効率を十分に高くするとともに発光素子の寿命を十分に長くすることができ、発光素子の発光効率と寿命とのバランスに優れた表示装置が得られる。 When the refractive index of air is n 0 , the refractive index of the first interlayer insulating film is n 1 , and the thickness of the first interlayer insulating film is d, the area of the light emitting element overlapping the active element and / or the wiring group When the width w satisfies the relationship of −d · tan (sin −1 (n 0 / n 1 )) ≦ w ≦ d tan (sin −1 (n 0 / n 1 )), the light emission efficiency of the light emitting element is increased. The lifetime of the light emitting element can be sufficiently increased while being sufficiently high, and a display device having an excellent balance between the light emitting efficiency and the lifetime of the light emitting element can be obtained.

配線群は、典型的には、第１配線と、第１配線に交差する第２配線とを含んでいる。第１配線は、例えば、アクティブ素子のゲート電極に電気的に接続されるゲート配線であり、第２配線は、例えば、アクティブ素子のソース電極に電気的に接続されるソース配線である。   The wiring group typically includes a first wiring and a second wiring that intersects the first wiring. The first wiring is, for example, a gate wiring that is electrically connected to the gate electrode of the active element, and the second wiring is, for example, a source wiring that is electrically connected to the source electrode of the active element.

発光素子が、基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有している場合、第２電極の抵抗に起因した第２電極の電位低下が発生し、発光素子の発光輝度の低下が発生することがあるが、第１配線や第２配線とは異なる第３配線（第１配線または第２配線に交差する）を設け、この第３配線と第２電極とを電気的に接続すると、第２電極の電位低下の発生を抑制し、発光素子の発光輝度の低下を抑制することができる。そのため、表示面内の輝度のバラツキを抑制し、均一な表示を実現することができる。また、第２電極に発生する電位低下を抑制することによって、第２電極での発熱を抑制することができるので、そのことによって発光素子の寿命を延ばすことができるという利点も得られる。第３配線は、例えば、第１配線または第２配線と同一の導電膜から形成され同一のレベルに位置している（すなわち第１層間絶縁膜と基板との間に位置している）ので、具体的には、第１層間絶縁膜上に第３配線に電気的に接続された第３電極を設け、この第３電極と第２電極とを電気的に接続することによって、第３配線と第２電極とを電気的に接続することができる。   When the light emitting element has the first electrode, the light emitting layer, and the second electrode in this order from the substrate side, the potential drop of the second electrode due to the resistance of the second electrode occurs, and the light emission luminance of the light emitting element is reduced. Although a reduction may occur, a third wiring (crossing the first wiring or the second wiring) different from the first wiring or the second wiring is provided, and the third wiring and the second electrode are electrically connected to each other. When connected, it is possible to suppress a decrease in potential of the second electrode and to suppress a decrease in light emission luminance of the light emitting element. Therefore, variation in luminance within the display surface can be suppressed and uniform display can be realized. Moreover, since the heat generation at the second electrode can be suppressed by suppressing the potential drop generated in the second electrode, the advantage that the lifetime of the light emitting element can be extended is also obtained. For example, the third wiring is formed from the same conductive film as the first wiring or the second wiring and is located at the same level (that is, located between the first interlayer insulating film and the substrate). Specifically, a third electrode electrically connected to the third wiring is provided on the first interlayer insulating film, and the third wiring is electrically connected to the third electrode by electrically connecting the third electrode and the second electrode. The second electrode can be electrically connected.

本発明は、発光素子として有機ＥＬ素子を備えた表示装置に特に好適に用いることができる。   The present invention can be particularly suitably used for a display device including an organic EL element as a light emitting element.

本発明による表示装置では、発光素子が、アクティブ素子のゲート電極および／または配線群に層間絶縁膜を介して部分的に重なっているので、画素領域内の実効的な発光面積比率を高くすることができ、その分発光素子の単位面積あたりの発光輝度を低くすることができる。そのため、発光素子の寿命（輝度半減寿命）を長くすることができる。   In the display device according to the present invention, since the light emitting element partially overlaps the gate electrode and / or the wiring group of the active element through the interlayer insulating film, the effective light emitting area ratio in the pixel region is increased. Accordingly, the light emission luminance per unit area of the light emitting element can be reduced accordingly. Therefore, the lifetime (luminance half-life) of the light emitting element can be extended.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、以下では、アクティブ素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例として本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれに限定されず、ＦＥＤ（Field Emission Display）等にも好適に用いられる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following, embodiments of the present invention will be described by taking an organic EL display device including a TFT (thin film transistor) as an active element and an organic EL (electroluminescence) element as a light emitting element, but the present invention is not limited thereto. In addition, it is also suitably used for FED (Field Emission Display) and the like.

（実施形態１）
図１および図２に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００を模式的に示す。図１は、表示装置１００を模式的に示すブロック図であり、図２は、表示装置１００の１つの画素領域を示す等価回路図である。 (Embodiment 1)
1 and 2 schematically show an organic EL display device 100 according to this embodiment. FIG. 1 is a block diagram schematically showing the display device 100, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing one pixel region of the display device 100.

表示装置１００は、図１に示すように、ゲート配線Ｇｉ（ｉ＝１、２、３、・・・）と、ゲート配線Ｇｉに交差するソース配線Ｓｊ（ｊ＝１、２、３、・・・）と、ソース配線Ｓｊに略平行に延びる電源配線Ｖｓとを有する。ゲート配線Ｇｉおよびソース配線Ｓｊは、ゲートドライバ回路２およびソースドライバ回路３にそれぞれ接続されており、電源配線Ｖｓは、電源に接続されている。ゲート配線Ｇｉとソース配線Ｓｉとによって囲まれた領域のそれぞれに画素Ａｉｊが規定される。表示装置１００が有する複数の画素のそれぞれごとに、図２に示すように、スイッチング用ＴＦＴ４、駆動用ＴＦＴ５、コンデンサ（キャパシタ）６および有機ＥＬ素子７が設けられている。   As shown in FIG. 1, the display device 100 includes a gate line Gi (i = 1, 2, 3,...) And a source line Sj (j = 1, 2, 3,...) Intersecting the gate line Gi. And a power supply wiring Vs extending substantially parallel to the source wiring Sj. The gate wiring Gi and the source wiring Sj are connected to the gate driver circuit 2 and the source driver circuit 3, respectively, and the power supply wiring Vs is connected to the power supply. A pixel Aij is defined in each of the regions surrounded by the gate wiring Gi and the source wiring Si. As shown in FIG. 2, a switching TFT 4, a driving TFT 5, a capacitor (capacitor) 6, and an organic EL element 7 are provided for each of a plurality of pixels included in the display device 100.

駆動用ＴＦＴ５および有機ＥＬ素子７は、電源配線Ｖｓと対向電極（共通電位Ｖｃｏｍを与えられ、有機ＥＬ素子７の陰極として機能する）との間に、直列に接続されている。つまり、駆動用ＴＦＴ５のソース電極が電源配線Ｖｓに接続され、駆動用ＴＦＴ５のドレイン電極が有機ＥＬ素子７の陽極に接続されており、この駆動用ＴＦＴ５によって、電源配線Ｖｓから有機ＥＬ素子７への電流の流れが制御される。有機ＥＬ素子７は、電源配線Ｖｓから電流を供給されることによって発光する。   The driving TFT 5 and the organic EL element 7 are connected in series between the power supply wiring Vs and the counter electrode (provided with a common potential Vcom and function as a cathode of the organic EL element 7). That is, the source electrode of the driving TFT 5 is connected to the power supply wiring Vs, and the drain electrode of the driving TFT 5 is connected to the anode of the organic EL element 7, and the power supply wiring Vs is connected to the organic EL element 7 by the driving TFT 5. Current flow is controlled. The organic EL element 7 emits light when supplied with a current from the power supply wiring Vs.

スイッチング用ＴＦＴ４は、そのゲート電極がゲート配線Ｇｉと接続され、ソース電極がソース配線Ｓｊに接続され、ドレイン電極が駆動用ＴＦＴ５のゲート電極と接続されている。このスイッチング用ＴＦＴ４によって、駆動用ＴＦＴ５のオン状態とオフ状態とが切り替えられる。   The switching TFT 4 has a gate electrode connected to the gate wiring Gi, a source electrode connected to the source wiring Sj, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving TFT 5. The switching TFT 4 switches the driving TFT 5 between the on state and the off state.

コンデンサ６を構成する一対の電極のうちの一方は、スイッチング用ＴＦＴ４のドレイン電極と駆動用ＴＦＴ５のゲート電極とに接続されており、他方の電極は、電源配線Ｖｓに接続されている。コンデンサ６は、スイッチング用ＴＦＴ４がオン状態のときに電荷を蓄積しておき、スイッチング用ＴＦＴ４がオフ状態となった後に駆動用ＴＦＴ５にオン電圧を所定時間供給する。コンデンサ６がこのように機能することによって、有機ＥＬ素子７はスイッチング用ＴＦＴ４がオフ状態となった後も所定時間発光し続ける。   One of the pair of electrodes constituting the capacitor 6 is connected to the drain electrode of the switching TFT 4 and the gate electrode of the driving TFT 5, and the other electrode is connected to the power supply wiring Vs. The capacitor 6 accumulates electric charges when the switching TFT 4 is in an on state, and supplies an on voltage to the driving TFT 5 for a predetermined time after the switching TFT 4 is in an off state. As the capacitor 6 functions in this manner, the organic EL element 7 continues to emit light for a predetermined time after the switching TFT 4 is turned off.

次に、図３および図４を参照しながら、表示装置１００の構造をより詳しく説明する。図３は、表示装置１００の２つの画素領域の構造を模式的に示す上面図であり、図４は、図３中の４Ａ−４Ａ’線に沿った断面図である。   Next, the structure of the display device 100 will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a top view schematically showing the structure of two pixel regions of the display device 100, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4A-4A 'in FIG.

表示装置１００は、主面および裏面を有する透明基板（例えばガラス基板）１を有し、この基板１の主面上に配線群とアクティブ素子とが設けられている。   The display device 100 includes a transparent substrate (for example, a glass substrate) 1 having a main surface and a back surface, and a wiring group and active elements are provided on the main surface of the substrate 1.

具体的には、基板１の主面上に半導体層（例えばＳｉ薄膜）８が形成され、この半導体層８上にゲート絶縁膜が形成されている。ゲート絶縁膜上に、ゲート配線Ｇｉ、ゲート電極４Ｇおよび５Ｇが形成され、これらを覆うようにさらに絶縁膜９が形成されている。絶縁膜９上に、ソース配線Ｓｊ、ソース電極４Ｓ、５Ｓ、ドレイン電極４Ｄ、５Ｄおよび電源配線Ｖｓが形成されている。ソース電極４Ｓ、５Ｓ、ドレイン電極４Ｄおよび５Ｄは、ゲート絶縁膜および絶縁膜９に形成されたスルーホール１０を介して半導体層８に電気的に接続されている。上記のように構成された積層構造によって、スイッチング用ＴＦＴ４および駆動用ＴＦＴ５が形成されている。本実施形態におけるスイッチング用ＴＦＴ４および駆動用ＴＦＴ５は、ＣＧ（Continuous Grain）シリコンＴＦＴである。   Specifically, a semiconductor layer (for example, Si thin film) 8 is formed on the main surface of the substrate 1, and a gate insulating film is formed on the semiconductor layer 8. A gate wiring Gi and gate electrodes 4G and 5G are formed on the gate insulating film, and an insulating film 9 is further formed so as to cover them. On the insulating film 9, source wirings Sj, source electrodes 4S and 5S, drain electrodes 4D and 5D, and a power supply wiring Vs are formed. The source electrodes 4S and 5S and the drain electrodes 4D and 5D are electrically connected to the semiconductor layer 8 through through-holes 10 formed in the gate insulating film and the insulating film 9. The switching TFT 4 and the driving TFT 5 are formed by the laminated structure configured as described above. The switching TFT 4 and the driving TFT 5 in this embodiment are CG (Continuous Grain) silicon TFTs.

表示装置１００では、スイッチング用ＴＦＴ４、駆動用ＴＦＴ５、ゲート配線Ｇｉ、ソース配線Ｓｊおよび電源配線Ｖｓを覆うように、層間絶縁膜（後述するさらなる層間絶縁膜と区別するために「第１層間絶縁膜」とも呼ぶ）１２が設けられており、この層間絶縁膜１２上に、発光素子としての有機ＥＬ素子７が設けられている。層間絶縁膜１２は、典型的には、樹脂材料から形成されている。有機ＥＬ素子７は、透明基板１側から画素電極１３、有機ＥＬ層１９および対向電極２０をこの順で有している。   In the display device 100, an interlayer insulating film (a “first interlayer insulating film is used to distinguish it from a further interlayer insulating film described later) so as to cover the switching TFT 4, the driving TFT 5, the gate wiring Gi, the source wiring Sj, and the power supply wiring Vs. The organic EL element 7 as a light emitting element is provided on the interlayer insulating film 12. The interlayer insulating film 12 is typically formed from a resin material. The organic EL element 7 has the pixel electrode 13, the organic EL layer 19, and the counter electrode 20 in this order from the transparent substrate 1 side.

画素電極（例えばＩＴＯ層）１３は、層間絶縁膜１２上に形成されており、層間絶縁膜１２に形成されたスルーホール１８を介して駆動用ＴＦＴ５のドレイン電極５Ｄに電気的に接続されている。画素電極１３は、有機ＥＬ素子７の陽極として機能する。   The pixel electrode (for example, ITO layer) 13 is formed on the interlayer insulating film 12 and is electrically connected to the drain electrode 5D of the driving TFT 5 via the through hole 18 formed in the interlayer insulating film 12. . The pixel electrode 13 functions as an anode of the organic EL element 7.

有機ＥＬ層１９は、発光層を含み、画素電極１３上に形成されている。なお、本実施形態では、図４に示すように、隣接する画素電極１３間と画素電極１３のエッジ部とを覆うように絶縁膜（例えばＳｉＯ2層）１４が形成されており、有機ＥＬ層１９は実際にはこの絶縁膜１４上にも形成されているが、絶縁膜１４上の有機ＥＬ層１９にはほとんど電流が流れず、絶縁膜１４上の有機ＥＬ層１９は発光しないので、図３や図４では絶縁膜１４上の有機ＥＬ層１９を省略している。絶縁膜１４上には、インクジェットプロセスを用いて有機ＥＬ層１９を形成する際にその材料（インク）が隣接する画素領域に流入しないようにするためのバンク（例えば層間絶縁膜と同様の樹脂膜からなる）１５が形成されている。 The organic EL layer 19 includes a light emitting layer and is formed on the pixel electrode 13. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, an insulating film (for example, SiO 2 layer) 14 is formed so as to cover between adjacent pixel electrodes 13 and an edge portion of the pixel electrode 13, and an organic EL layer 19 is actually formed also on the insulating film 14, but almost no current flows through the organic EL layer 19 on the insulating film 14, and the organic EL layer 19 on the insulating film 14 does not emit light. 3 and FIG. 4, the organic EL layer 19 on the insulating film 14 is omitted. On the insulating film 14, a bank (for example, a resin film similar to the interlayer insulating film) for preventing the material (ink) from flowing into the adjacent pixel region when the organic EL layer 19 is formed using the inkjet process. 15) is formed.

対向電極（例えばＡｌ層やＡｇ層などの金属層）２０は、画素電極１３およびバンク１５を覆うように形成されており、有機ＥＬ素子７の陰極として機能する。対向電極２０は、典型的には複数の画素にわたって連続しており、共通の電位（電圧）を与えられる。   The counter electrode (for example, a metal layer such as an Al layer or an Ag layer) 20 is formed so as to cover the pixel electrode 13 and the bank 15 and functions as a cathode of the organic EL element 7. The counter electrode 20 is typically continuous over a plurality of pixels and is given a common potential (voltage).

上記の構成を有する表示装置１００は、有機ＥＬ素子７から基板１の主面に入射し、基板１を透過して裏面から出射する光を用いて表示を行う。つまり、表示装置１００は、いわゆるボトム・エミッション型の有機ＥＬ表示装置である。   The display device 100 having the above configuration performs display using light that enters the main surface of the substrate 1 from the organic EL element 7, passes through the substrate 1, and exits from the back surface. That is, the display device 100 is a so-called bottom emission type organic EL display device.

本発明による表示装置１００では、図３および図４に示すように、発光素子としての有機ＥＬ素子７が、配線群（ゲート配線Ｇｉ、ソース配線Ｓｊおよび電源配線Ｖｓ）およびアクティブ素子（スイッチング用ＴＦＴ４および駆動用ＴＦＴ５）に部分的に重なっている。従って、画素領域のうち、遮光材料からなる層（ゲート配線Ｇｉなどの配線やゲート電極Ｇｉなどの電極；以下「遮光層」とも称する）が形成されていない領域を有効に利用することができる。例えば、アクティブ素子であるＴＦＴ４および５が形成されている領域には、遮光層が形成されていない領域（ゲート電極とソース電極との間やゲート電極とドレイン電極との間など）が存在しているので、有機ＥＬ素子７がＴＦＴ４および５と重なっていると、このような領域からも光を出射することができる。そのため、画素領域内での発光面積を大きくして発光面積比率を高くすることができる。   In the display device 100 according to the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, the organic EL element 7 as a light emitting element includes a wiring group (gate wiring Gi, source wiring Sj, and power supply wiring Vs) and an active element (switching TFT 4). And partially overlaps the driving TFT 5). Therefore, in the pixel region, a region where a layer made of a light shielding material (a wiring such as the gate wiring Gi or an electrode such as the gate electrode Gi; hereinafter also referred to as a “light shielding layer”) is effectively used. For example, a region where the light shielding layer is not formed (between the gate electrode and the source electrode or between the gate electrode and the drain electrode) exists in the region where the TFTs 4 and 5 which are active elements are formed. Therefore, when the organic EL element 7 is overlapped with the TFTs 4 and 5, light can be emitted also from such a region. Therefore, the light emission area ratio can be increased by increasing the light emission area in the pixel region.

また、有機ＥＬ素子７から出射され、遮光層に到達した光は、その一部が吸収されるものの、他の一部は有機ＥＬ素子７側に反射される。有機ＥＬ素子７側に反射された光は、典型的には金属層である対向電極（陰極）２０によって再び基板１側に反射され、その一部は、遮光層をそれて基板１に到達し、裏面から出射する。従って、有機ＥＬ素子７の遮光層に重なっている部分は、遮光層に重なっていない部分に比べれば程度は低いものの、表示に寄与する。そのため、有機ＥＬ素子７が配線およびアクティブ素子に部分的に重なっている表示装置１００では、画素領域のうちの遮光層が形成されていない領域を有効に利用できるだけでなく、遮光層が形成されている領域上の有機ＥＬ素子７をも表示に寄与させることができるので、その分実効的な発光面積の比率をさらに高くすることができる。   Further, the light emitted from the organic EL element 7 and reaching the light shielding layer is partially absorbed, but the other part is reflected to the organic EL element 7 side. The light reflected to the organic EL element 7 side is reflected again to the substrate 1 side by the counter electrode (cathode) 20 which is typically a metal layer, and a part of the light reaches the substrate 1 through the light shielding layer. Emanates from the back surface. Therefore, the portion of the organic EL element 7 that overlaps the light shielding layer contributes to the display, although the degree is lower than that of the portion that does not overlap the light shielding layer. Therefore, in the display device 100 in which the organic EL element 7 partially overlaps with the wiring and the active element, not only the area in the pixel area where the light shielding layer is not formed can be effectively used, but also the light shielding layer is formed. Since the organic EL element 7 on the existing region can also contribute to the display, the effective light emitting area ratio can be further increased accordingly.

このように、本発明による表示装置１００では、画素領域内の実効的な発光面積比率を高くすることができるので、その分有機ＥＬ素子７の単位面積あたりの発光輝度を低くすることができる。そのため、有機ＥＬ素子７の寿命（輝度半減寿命）を長くすることができる。   As described above, in the display device 100 according to the present invention, the effective light emission area ratio in the pixel region can be increased, and accordingly, the light emission luminance per unit area of the organic EL element 7 can be decreased. Therefore, the lifetime (luminance half-life) of the organic EL element 7 can be extended.

ここで、有機ＥＬ素子７の遮光層に重なっている部分がどの程度表示に寄与するのかを検証する。   Here, it is verified how much the portion of the organic EL element 7 overlapping the light shielding layer contributes to display.

有機ＥＬ素子７のある場所から発せられた光に着目すると、この光が発せられた場所と、遮光層で反射されて有機ＥＬ素子７に戻ってきた場所との間隔は、図５に示すように、有機ＥＬ素子７からの出射角（基板法線方向となす角）θと、層間絶縁膜１２の厚さｄに依存して変化する。   Focusing on the light emitted from a certain place of the organic EL element 7, the interval between the place where this light is emitted and the place where the light is reflected by the light shielding layer and returned to the organic EL element 7 is as shown in FIG. Furthermore, it changes depending on the emission angle (angle formed with the substrate normal direction) θ from the organic EL element 7 and the thickness d of the interlayer insulating film 12.

例えば、層間絶縁膜１２の厚さｄが３μｍ、ゲート配線Ｇｉの幅が４μｍ、ソース配線Ｓｊの幅が４μｍ〜６μｍの場合において、配線（ゲート配線Ｇｉやソース配線Ｓｊ）の端辺から２μｍ内側の位置（図５中のｘ＝２μｍ）Ｐから出射された光を考える。   For example, when the thickness d of the interlayer insulating film 12 is 3 μm, the width of the gate wiring Gi is 4 μm, and the width of the source wiring Sj is 4 μm to 6 μm, it is 2 μm inside from the edge of the wiring (gate wiring Gi or source wiring Sj) Consider the light emitted from the position P (x = 2 μm in FIG. 5) P.

この光が、配線によって反射された後に有機ＥＬ素子７の配線に重ならない部分に戻ってくるためには、出射角θは、下式（１）を満足する必要がある。有機ＥＬ素子７の配線に重ならない部分に戻ってきた光は、図５に示すように、対向電極２０で反射された後は、配線に遮られない。なお、陽極１３や有機ＥＬ層１９の厚さは、合計しても０．５μｍ以下であり、典型的には層間絶縁膜１２の厚さｄに比べて十分に小さいので、ここでは無視できる。   In order for this light to return to the portion that does not overlap the wiring of the organic EL element 7 after being reflected by the wiring, the emission angle θ needs to satisfy the following expression (1). As shown in FIG. 5, the light that has returned to the portion that does not overlap the wiring of the organic EL element 7 is not blocked by the wiring after being reflected by the counter electrode 20. Note that the thickness of the anode 13 and the organic EL layer 19 is 0.5 μm or less in total, and is typically sufficiently smaller than the thickness d of the interlayer insulating film 12 and can be ignored here.

θ＞ｔａｎ-1（ｘ／２ｄ）＝ｔａｎ-1（２／６）≒１８．４°・・・（１） θ> tan −1 (x / 2d) = tan −1 (2/6) ≈18.4 ° (1)

また、一般に、屈折率の異なる２つの層間に光が入射する場合、入射角θi、屈折角（出射角）θr、入射側の層の屈折率ｎiおよび出射側の層の屈折率ｎrの間には、下式（２）で表されるスネルの法則が成立する。 In general, when light is incident between two layers having different refractive indexes, the incident angle θ i , the refractive angle (outgoing angle) θ r , the refractive index n i of the incident side layer, and the refractive index n of the outgoing side layer Between r , Snell's law expressed by the following equation (2) holds.

ｎi・ｓｉｎθi＝ｎr・ｓｉｎθr・・・（２） n i · sin θ i = n r · sin θ r (2)

層間絶縁膜１２を通過した光が基板１の裏面から空気中に出射するには、この光が基板１の裏面と空気層との界面で全反射しない（空気層への出射角が９０°未満）ことが必要であるから、空気の屈折率をｎ0（≒１）、層間絶縁膜１２の屈折率をｎ1とすると、式（２）より、光の出射角θは、下式（３）を満足する必要がある。 In order for the light that has passed through the interlayer insulating film 12 to be emitted from the back surface of the substrate 1 into the air, the light is not totally reflected at the interface between the back surface of the substrate 1 and the air layer (the emission angle to the air layer is less than 90 °). Therefore, when the refractive index of air is n 0 (≈1) and the refractive index of the interlayer insulating film 12 is n 1 , the light emission angle θ is expressed by the following formula (3 ) Must be satisfied.

ｎ1・ｓｉｎθ＜ｎ0・ｓｉｎ（９０°）＝１・ｓｉｎ（９０°）＝１・・・（３） n 1 · sin θ <n 0 · sin (90 °) = 1 · sin (90 °) = 1 (3)

ここで、層間絶縁膜１２の屈折率ｎ1を例えば１．８とすると、式（３）から下式（４）が導かれる。 Here, when the refractive index n 1 of the interlayer insulating film 12 is 1.8, for example, the following expression (4) is derived from the expression (3).

θ＜ｓｉｎ-1（１／ｎ1）＝ｓｉｎ-1（１／１．８）≒３３．７°・・・（４） θ <sin −1 (1 / n 1 ) = sin −1 (1 / 1.8) ≈33.7 ° (4)

従って、式（１）および（４）を満足する角度θで有機ＥＬ素子７から出射した光は、一旦遮光層で反射された後には遮光層で遮られず、基板１の裏面から出射されて表示に寄与する。   Therefore, the light emitted from the organic EL element 7 at an angle θ satisfying the expressions (1) and (4) is not reflected by the light shielding layer after being reflected by the light shielding layer, and is emitted from the back surface of the substrate 1. Contributes to the display.

なお、式（１）は、光が有機ＥＬ素子７に戻ったときに配線に重ならない部分に到達する場合を見積もっているので、式（１）で規定される角度範囲よりも小さな角度で出射された光であっても、対向電極２０で反射された後に遮光層で遮られないことがある。また、実際には、ゲート配線Ｇｉやソース配線Ｓｉ上の層間絶縁膜１２の表面は、ゲート配線Ｇｉやソース配線Ｓｊの厚さを反映した凸形状を有しているので、対向電極２０の基板１側の表面は基板１の主面に対して若干傾斜している。そのため、実際には上記見積もりより多くの光が基板１の裏面から出射して表示に寄与する。   Since the formula (1) estimates the case where the light reaches the portion that does not overlap the wiring when returning to the organic EL element 7, it is emitted at an angle smaller than the angle range defined by the formula (1). Even if the light is reflected, it may not be blocked by the light blocking layer after being reflected by the counter electrode 20. In practice, the surface of the interlayer insulating film 12 on the gate wiring Gi and the source wiring Si has a convex shape reflecting the thickness of the gate wiring Gi and the source wiring Sj. The surface on the 1 side is slightly inclined with respect to the main surface of the substrate 1. Therefore, actually, more light than the above estimate is emitted from the back surface of the substrate 1 and contributes to display.

上記の検証からもわかるように、樹脂材料等を用いて厚い層間絶縁膜を形成することで、有機ＥＬ素子７の遮光層に重なっている部分だけでなく、遮光層に重なっている部分も表示に寄与している。   As can be seen from the above verification, by forming a thick interlayer insulating film using a resin material or the like, not only the portion overlapping the light shielding layer of the organic EL element 7 but also the portion overlapping the light shielding layer is displayed. It contributes to.

なお、本実施形態の表示装置１００は、図３に示すように、スイッチング用ＴＦＴ４のゲート電極４Ｇ付近（図３中に示す領域Ｅ）の半導体層８を覆うように遮光膜１７が形成されている。従って、有機ＥＬ素子７からスイッチング用ＴＦＴ４に入射する光の量を低減し、ＴＦＴ４への光の入射によるオフリーク電流（ゲート電極４Ｇへオフ電位を印加している状態でソース−ドレイン間に流れる電流）の発生が抑制される。そのため、コンデンサ６に蓄積された電荷量の変動を抑制して駆動用ＴＦＴ５のゲート電位を安定化することができ、その結果、駆動用ＴＦＴ５を介して有機ＥＬ素子７に流れる電流量を厳密に制御することができる。このように、アクティブ素子と発光素子との間に遮光膜を設けることによって、アクティブ素子に発光素子からの光が入射することによる悪影響の発生を抑制することができる。なお、ＴＦＴ４と層間絶縁膜１２との間に遮光膜１７が形成されていても、遮光膜１７上の有機ＥＬ層１９は、表示に寄与し、実効的な発光面積の増加に寄与する。このとき、遮光膜１７の光反射率が、半導体層８の光反射率よりも高ければ、表示に寄与する光の量が増加するという効果も得られる。   In the display device 100 of this embodiment, as shown in FIG. 3, a light shielding film 17 is formed so as to cover the semiconductor layer 8 in the vicinity of the gate electrode 4G of the switching TFT 4 (region E shown in FIG. 3). Yes. Therefore, the amount of light incident on the switching TFT 4 from the organic EL element 7 is reduced, and an off-leakage current (current flowing between the source and drain when an off potential is applied to the gate electrode 4G) due to the incidence of light on the TFT 4 ) Is suppressed. Therefore, it is possible to stabilize the gate potential of the driving TFT 5 by suppressing fluctuations in the amount of charge accumulated in the capacitor 6, and as a result, strictly control the amount of current flowing to the organic EL element 7 via the driving TFT 5. Can be controlled. In this manner, by providing the light-shielding film between the active element and the light emitting element, it is possible to suppress an adverse effect caused by the light from the light emitting element entering the active element. Even if the light shielding film 17 is formed between the TFT 4 and the interlayer insulating film 12, the organic EL layer 19 on the light shielding film 17 contributes to display and contributes to an increase in effective light emitting area. At this time, if the light reflectance of the light shielding film 17 is higher than the light reflectance of the semiconductor layer 8, an effect of increasing the amount of light contributing to display can be obtained.

なお、本実施形態における表示装置１００では、図３に示すように、駆動用ＴＦＴ５上には遮光膜が設けられていないが、これは、駆動用ＴＦＴ５に光が入射してオフリーク電流が多少発生しても、そのことによる有機ＥＬ素子７の発光光量の変化は無視できる程少さいからである。   In the display device 100 according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, no light shielding film is provided on the driving TFT 5, but this is because light is incident on the driving TFT 5 and some off-leakage current is generated. Even so, the change in the amount of light emitted from the organic EL element 7 due to this is so small that it can be ignored.

遮光膜１７は、例えば、ソース配線Ｓｊやソース電極４Ｓと同じ金属層から形成することができる。ただし、遮光膜１７をソース電極４Ｓ等と同じ金属層から形成する場合、図３に示すように、遮光膜１７とソース電極４Ｓとを所定の距離だけ離して形成する必要があるため、ＴＦＴ４の半導体層８の全ての部分を覆うように遮光膜を形成することはできない。この場合、半導体層８の遮光膜１７に覆われていない部分に光が入射することによってオフリーク電流が発生する可能性がある。   The light shielding film 17 can be formed from, for example, the same metal layer as the source wiring Sj and the source electrode 4S. However, when the light shielding film 17 is formed from the same metal layer as the source electrode 4S and the like, it is necessary to form the light shielding film 17 and the source electrode 4S apart from each other by a predetermined distance as shown in FIG. A light shielding film cannot be formed so as to cover all portions of the semiconductor layer 8. In this case, there is a possibility that off-leakage current is generated when light enters a portion of the semiconductor layer 8 that is not covered by the light shielding film 17.

図６に示すように、画素電極１３のＴＦＴ４、５に重なる部分上に層間絶縁膜１４’（第１層間絶縁膜１２と区別するために「第２層間絶縁膜」ともよぶ）を設けると、層間絶縁膜１４’上の有機ＥＬ層１９には電流がほとんど流れず、有機ＥＬ素子７のＴＦＴ４、５に重なる部分は発光しないので、ＴＦＴ４、５への光入射によるオフリーク電流の発生（ＴＦＴ特性の変化）をより確実に抑制することができる。層間絶縁膜１４’は、例えば、画素電極１３間に設けられる絶縁膜１４と同じ誘電体層（例えばＳｉＯ2層）から形成することができる。 As shown in FIG. 6, when an interlayer insulating film 14 ′ (also referred to as “second interlayer insulating film” for distinguishing from the first interlayer insulating film 12) is provided on the portion of the pixel electrode 13 overlapping the TFTs 4 and 5, Almost no current flows in the organic EL layer 19 on the interlayer insulating film 14 ′, and the portion overlapping the TFTs 4 and 5 of the organic EL element 7 does not emit light. Change) can be more reliably suppressed. The interlayer insulating film 14 ′ can be formed, for example, from the same dielectric layer (for example, SiO 2 layer) as the insulating film 14 provided between the pixel electrodes 13.

なお、有機ＥＬ素子７は、必ずしも画素領域内のすべての配線・アクティブ素子と重なっている必要はない。有機ＥＬ素子７の配線・アクティブ素子に重なる部分は、重ならない部分に比べて表示への寄与が低いので、有機ＥＬ素子７を配線・アクティブ素子に重なるように設けると、発光効率は低下する。そのため、必要に応じて、図７に示すように、有機ＥＬ素子７（有機ＥＬ層１９）をある配線（ここではソース配線Ｓｊ）またはあるアクティブ素子とは重ね、他のある配線（ここでは電源配線Ｖｓ）または他のあるアクティブ素子とは離間させることによって、有機ＥＬ素子７の発光効率を十分に高くし、且つ、有機ＥＬ素子７の寿命を十分に長くすることが可能となる。また、有機ＥＬ素子７は、アクティブ素子のすべての部分に重なっている必要はなく、少なくともゲート電極に重なることによって本発明の効果が得られる。   The organic EL element 7 does not necessarily have to overlap with all the wiring / active elements in the pixel region. The portion of the organic EL element 7 that overlaps the wiring / active element contributes less to the display than the portion that does not overlap. Therefore, if the organic EL element 7 is provided so as to overlap the wiring / active element, the light emission efficiency decreases. Therefore, if necessary, as shown in FIG. 7, the organic EL element 7 (organic EL layer 19) is overlapped with a certain wiring (here, the source wiring Sj) or a certain active element, and another certain wiring (here, the power source) By separating from the wiring Vs) or another active element, the light emission efficiency of the organic EL element 7 can be made sufficiently high, and the life of the organic EL element 7 can be made sufficiently long. Moreover, the organic EL element 7 does not need to overlap all parts of the active element, and the effect of the present invention can be obtained by overlapping at least the gate electrode.

以下、有機ＥＬ素子７と配線および／またはアクティブ素子との重ね幅および離間幅の好ましい範囲を説明する。   Hereinafter, preferred ranges of the overlapping width and the separation width between the organic EL element 7 and the wiring and / or active element will be described.

まず、発光効率を向上させるための好ましい離間幅を説明する。図７に示すように、有機ＥＬ素子７（有機ＥＬ層１９）からは、垂直方向（基板１の法線方向）だけでなく、斜め方向にも光（図７中の光線ａ１、ａ２）が出射する。そのため、直下に遮光層が配置されていない部分であっても、そこから斜めに出射する光は、遮光層によって遮られることがあり、そのことによって有機ＥＬ素子７の発光効率が低下してしまう。   First, a preferable separation width for improving luminous efficiency will be described. As shown in FIG. 7, light (light rays a1 and a2 in FIG. 7) is emitted from the organic EL element 7 (organic EL layer 19) not only in the vertical direction (normal direction of the substrate 1) but also in an oblique direction. Exit. Therefore, even in a portion where the light shielding layer is not disposed directly below, the light emitted obliquely from there may be blocked by the light shielding layer, thereby reducing the light emission efficiency of the organic EL element 7. .

まず、有機ＥＬ層１９から斜めに出射する光が基板１の裏面から裏面と空気層との界面で全反射せずに出射するには、有機ＥＬ素子７からの出射角θが式（３）と同じ関係を満足する必要があり、層間絶縁膜１２の屈折率ｎ1を１．８とすれば、下式（５）の関係を満足する必要がある。 First, in order for light emitted obliquely from the organic EL layer 19 to be emitted from the back surface of the substrate 1 without being totally reflected at the interface between the back surface and the air layer, the emission angle θ from the organic EL element 7 is expressed by the equation (3). If the refractive index n 1 of the interlayer insulating film 12 is 1.8, the relationship of the following formula (5) needs to be satisfied.

θ＜ｓｉｎ-1（１／ｎ1）＝ｓｉｎ-1（１／１．８）≒３３．７°・・・（５） θ <sin −1 (1 / n 1 ) = sin −1 (1 / 1.8) ≈33.7 ° (5)

一方、有機ＥＬ層１９から出射角θで斜めに出射する光が、遮光層によって遮られないためには、発光した場所と遮光層の端辺との距離（基板法線方向からみたときのずれ）ｗ１が下式（６）の関係を満足する必要がある。   On the other hand, in order to prevent the light emitted obliquely from the organic EL layer 19 at the emission angle θ from being blocked by the light shielding layer, the distance between the light emitting location and the edge of the light shielding layer (deviation from the normal direction of the substrate) ) W1 needs to satisfy the relationship of the following formula (6).

ｗ１＞ｄ・ｔａｎθ・・・（６）       w1> d · tan θ (6)

ここで、層間絶縁膜１２の厚さｄを３μｍとすると、式（５）および（６）から、距離ｗ１は、下式（７）の関係を満足する必要がある。   Here, if the thickness d of the interlayer insulating film 12 is 3 μm, the distance w1 needs to satisfy the relationship of the following expression (7) from the expressions (5) and (6).

ｗ１＞ｄ・ｔａｎθ＝３・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／１．８））
≒３・ｔａｎ（３３．７°）≒２μｍ ・・・（７） w1> d · tan θ = 3 · tan (sin −1 (1 / 1.8))
≒ 3 ・ tan (33.7 °) ≒ 2μm (7)

図８に、好ましい離間幅で有機ＥＬ素子７が配置された構成を示す。図８に示す構成では、有機ＥＬ層１９の端部と遮光層の端辺（ソース配線Ｓｊ、電源配線Ｖｓのエッジ）との距離ｗ１（すなわち有機ＥＬ素子１９と遮光層との離間幅）が式（７）を満足するように有機ＥＬ素子７が配置されている。従って、有機ＥＬ層１９から発せられる光のうち、表示に寄与し得る光が遮光層に遮られず、発光効率の低下を抑制することができる。   FIG. 8 shows a configuration in which the organic EL elements 7 are arranged with a preferable separation width. In the configuration shown in FIG. 8, the distance w1 between the end of the organic EL layer 19 and the end of the light shielding layer (the edge of the source wiring Sj and the power supply wiring Vs) (that is, the separation width between the organic EL element 19 and the light shielding layer). The organic EL element 7 is arrange | positioned so that Formula (7) may be satisfied. Therefore, light that can contribute to display among the light emitted from the organic EL layer 19 is not blocked by the light shielding layer, and a decrease in light emission efficiency can be suppressed.

次に、再び図７を参照しながら、有機ＥＬ素子７の長寿命化を図るための好ましい重ね幅を説明する。有機ＥＬ素子７（有機ＥＬ層１９）からは、垂直方向だけでなく、斜め方向にも光が出射する。そのため、直下に遮光層が配置されている部分であっても、そこから斜めに出射する光の一部（図７中の光線ｂ１、ｂ２）は、遮光層によって遮られず、基板１の裏面から出射して表示に寄与する。   Next, referring to FIG. 7 again, a preferable overlapping width for extending the life of the organic EL element 7 will be described. Light is emitted from the organic EL element 7 (organic EL layer 19) not only in the vertical direction but also in an oblique direction. Therefore, even in the portion where the light shielding layer is disposed immediately below, a part of the light emitted obliquely therefrom (light rays b1 and b2 in FIG. 7) is not blocked by the light shielding layer, and the back surface of the substrate 1 It is emitted from and contributes to display.

まず、有機ＥＬ層１９から斜めに出射する光が基板１の裏面から裏面と空気層との界面で全反射せずに出射するには、有機ＥＬ素子７からの出射角θが式（５）と同じ関係を満足する必要がある。   First, in order for light emitted obliquely from the organic EL layer 19 to be emitted from the back surface of the substrate 1 without being totally reflected at the interface between the back surface and the air layer, the emission angle θ from the organic EL element 7 is expressed by the equation (5). Need to satisfy the same relationship.

一方、有機ＥＬ層１９から出射角θで斜めに出射する光が、遮光層によって遮られないためには、発光した場所と遮光層の端辺との距離（基板法線方向からみたときのずれ）ｗ２が下式（８）の関係を満足する必要がある。   On the other hand, in order to prevent the light emitted obliquely from the organic EL layer 19 at the emission angle θ from being blocked by the light shielding layer, the distance between the light emitting location and the edge of the light shielding layer (deviation from the normal direction of the substrate) ) W2 needs to satisfy the relationship of the following formula (8).

ｗ２＜ｄ・ｔａｎθ・・・（８）         w2 <d · tan θ (8)

従って、層間絶縁膜１２の厚さｄを３μｍとすると、式（５）および（８）から、距離ｗ２は、下式（９）の関係を満足する必要がある。言い換えると、遮光層の端辺からの距離ｗ２が式（９）で規定される上限値以上の場所に形成される有機ＥＬ層１９は、表示に寄与しないので、このような場所に有機ＥＬ層１９を形成しても長寿命化には寄与しない。   Therefore, when the thickness d of the interlayer insulating film 12 is 3 μm, the distance w2 needs to satisfy the relationship of the following expression (9) from the expressions (5) and (8). In other words, the organic EL layer 19 formed in a place where the distance w2 from the edge of the light shielding layer is not less than the upper limit defined by the formula (9) does not contribute to display. Even if it forms 19, it does not contribute to lifetime extension.

ｗ２＜ｄ・ｔａｎθ＝３・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／１．８））
≒３・ｔａｎ（３３．７°）≒２μｍ ・・・（９） w2 <d · tan θ = 3 · tan (sin −1 (1 / 1.8))
≒ 3 ・ tan (33.7 °) ≒ 2μm (9)

図９に、好ましい重ね幅で有機ＥＬ素子７が配置された構成を示す。図９に示す構成では、有機ＥＬ層１９の端部と遮光層の端辺との距離ｗ２（すなわち有機ＥＬ素子１９と遮光層との重ね幅）が式（９）を満足するように有機ＥＬ素子７が配置されている。例えば、電源配線Ｖｓ上の有機ＥＬ層１９に着目すると、有機ＥＬ層１９と電源配線Ｖｓとの重ね幅ｗ２が約２μｍ未満となっている。また、ソース配線Ｓｊ上の有機ＥＬ層１９に着目すると、ソース配線Ｓｊの幅が４μｍであり、ソース配線Ｓｊ上の有機ＥＬ層１９の任意の場所からソース配線Ｓｊの端辺までの距離ｗ２が約２μｍとなっている。従って、有機ＥＬ層１９の、直下に遮光層が配置されている部分から出射する光も表示に寄与させることができる。そのため、実効的な発光面積比率を高くすることができ、有機ＥＬ素子７の単位面積あたりの発光輝度を低くして有機ＥＬ素子７の寿命を長くすることができる。   FIG. 9 shows a configuration in which the organic EL elements 7 are arranged with a preferable overlapping width. In the configuration shown in FIG. 9, the organic EL is so formed that the distance w2 between the end of the organic EL layer 19 and the end of the light shielding layer (that is, the overlapping width of the organic EL element 19 and the light shielding layer) satisfies the formula (9). Element 7 is arranged. For example, when focusing on the organic EL layer 19 on the power supply wiring Vs, the overlapping width w2 of the organic EL layer 19 and the power supply wiring Vs is less than about 2 μm. Focusing on the organic EL layer 19 on the source wiring Sj, the width of the source wiring Sj is 4 μm, and the distance w2 from an arbitrary position of the organic EL layer 19 on the source wiring Sj to the end of the source wiring Sj is It is about 2 μm. Therefore, the light emitted from the portion of the organic EL layer 19 where the light shielding layer is disposed directly below can also contribute to the display. Therefore, the effective light emission area ratio can be increased, the light emission luminance per unit area of the organic EL element 7 can be lowered, and the life of the organic EL element 7 can be extended.

従って、配線群および／またはアクティブ素子に重なっている有機ＥＬ素子７の領域の幅ｗは、発光効率の向上を図る観点からは下式（１０）を満足することが好ましく、有機ＥＬ素子７の長寿命化を図る観点からは下式（１１）を満足することが好ましい。   Therefore, the width w of the region of the organic EL element 7 overlapping the wiring group and / or the active element preferably satisfies the following formula (10) from the viewpoint of improving the light emission efficiency. From the viewpoint of extending the life, it is preferable that the following expression (11) is satisfied.

ｗ≧−ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／ｎ１））≒―２μｍ・・・（１０）
ｗ≦ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／ｎ１））≒２μｍ・・・（１１） w ≧ −d · tan (sin −1 (1 / n1)) ≈−2 μm (10)
w ≦ d · tan (sin −1 (1 / n1)) ≈2 μm (11)

そのため、有機ＥＬ素子７の発光効率と寿命（輝度半減寿命）とのバランスがとれた表示装置を実現するには、幅ｗを下式（１２）を満足する範囲とすることが好ましく、例示した構成においては、下式（１３）を満足する範囲とすることが好ましい。   Therefore, in order to realize a display device in which the light emission efficiency and the lifetime (luminance half-life) of the organic EL element 7 are balanced, it is preferable that the width w be in a range satisfying the following expression (12). In the configuration, it is preferable that the following formula (13) is satisfied.

−ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／ｎ１））≦ｗ≦ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（１／ｎ１））
・・・（１２）
−２μｍ≦ｗ≦２μｍ ・・・（１３） −d · tan (sin −1 (1 / n1)) ≦ w ≦ d · tan (sin −1 (1 / n1))
(12)
-2 μm ≦ w ≦ 2 μm (13)

なお、式（１０）〜（１４）において、幅ｗは、正の値をとるときが重ね幅に相当し、負の値をとるときが離間幅に相当する。   In Expressions (10) to (14), the width w corresponds to the overlap width when taking a positive value, and corresponds to the separation width when taking a negative value.

次に、本実施形態における表示装置１００の製造方法を説明する。表示装置１００は、例えば、以下に記載する文献に開示されているような公知の材料および公知の手法を用いて製造することができる。   Next, a method for manufacturing the display device 100 in the present embodiment will be described. The display device 100 can be manufactured using, for example, a known material and a known technique as disclosed in the literature described below.

アクティブ素子としては、例えば、低温ポリシリコンＴＦＴやＣＧシリコンＴＦＴを用いることができる。図２に示す回路構成は、例えば、「4.0-in. TFT-OLED Displays and a Novel Digital Driving Method」，SID'00 Digest，pp.924-927等に開示されている。また、ＣＧシリコンＴＦＴの製造プロセスは、例えば、「Continuous Grain Silicon Technology and Its Applications for Active Matrix Display」，AM-LCD 2000，pp.25-28等に開示されている。   As the active element, for example, a low-temperature polysilicon TFT or a CG silicon TFT can be used. The circuit configuration shown in FIG. 2 is disclosed in, for example, “4.0-in. TFT-OLED Displays and a Novel Digital Driving Method”, SID'00 Digest, pp. 924-927. The manufacturing process of the CG silicon TFT is disclosed in, for example, “Continuous Grain Silicon Technology and Its Applications for Active Matrix Display”, AM-LCD 2000, pp. 25-28.

発光素子である有機ＥＬ素子７としては、公知の構造の有機ＥＬ素子を広く用いることができる。有機ＥＬ素子の構造は、例えば、「Polymer Light-Emitting Diodes for use in Flat panel Display」，AM-LCD '01，pp.211-214等に開示されている。   As the organic EL element 7 which is a light emitting element, an organic EL element having a known structure can be widely used. The structure of the organic EL element is disclosed in, for example, “Polymer Light-Emitting Diodes for use in Flat panel Display”, AM-LCD '01, pp. 211-214.

層間絶縁膜１２は、樹脂材料から形成されていることが好ましい。樹脂材料を用いると、透明度が高い厚膜を容易に形成することができ、画素電極１３と配線とが重なることによるクロストークの発生を効果的に抑制することができる。樹脂材料としては、フッ素系ポリマー樹脂（フッ素樹脂）を好適に用いることができる。フッ素系ポリマー樹脂を用いると、透明度が高い厚膜をより容易に形成することができ、クロストークの発生をより効果的に抑制することができる。フッ素系ポリマー樹脂としては、具体的には、ＪＳＲ株式会社製のＪＡＳなどを用いることができる。また、クロストークの発生をより確実に抑制する観点からは、層間絶縁膜１２の厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがさらに好ましい。   The interlayer insulating film 12 is preferably formed from a resin material. When a resin material is used, a thick film having high transparency can be easily formed, and the occurrence of crosstalk due to the overlap between the pixel electrode 13 and the wiring can be effectively suppressed. As the resin material, a fluoropolymer resin (fluororesin) can be suitably used. When a fluorine polymer resin is used, a thick film with high transparency can be formed more easily, and the occurrence of crosstalk can be more effectively suppressed. As the fluorine-based polymer resin, specifically, JAS manufactured by JSR Corporation or the like can be used. Further, from the viewpoint of more reliably suppressing the occurrence of crosstalk, the thickness of the interlayer insulating film 12 is preferably 1 μm or more, and more preferably 3 μm or more.

（実施形態２）
図１０、図１１および図１２を参照しながら、本実施形態における有機ＥＬ表示装置２００を説明する。図１０は表示装置２００の１つの画素領域を示す等価回路図であり、図１１は表示装置２００の２つの画素領域の構造を示す上面図であり、図１２は図１１中の１２Ａ−１２Ａ’線に沿った断面図である。 (Embodiment 2)
The organic EL display device 200 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 10, 11, and 12. 10 is an equivalent circuit diagram showing one pixel region of the display device 200, FIG. 11 is a top view showing the structure of two pixel regions of the display device 200, and FIG. 12 is 12A-12A ′ in FIG. It is sectional drawing along a line.

表示装置２００は、図１０などに示すように、有機ＥＬ素子７の対向電極（陰極）２０に電気的に接続されたさらなる電源配線Ｖｃｏｍを有している点において、図１などに示した表示装置１００と異なっている。以下では、電源配線Ｖｓを第１電源配線ともよび、電源配線Ｖｃｏｍを第２電源配線ともよぶ。   As shown in FIG. 10 and the like, the display device 200 has a further power supply wiring Vcom electrically connected to the counter electrode (cathode) 20 of the organic EL element 7. Different from the device 100. Hereinafter, the power supply wiring Vs is also referred to as a first power supply wiring, and the power supply wiring Vcom is also referred to as a second power supply wiring.

本実施形態における第２電源配線Ｖｃｏｍは、図１０および図１１に示すように、第１電源配線Ｖｓに略平行に延びるように設けられている。第２電源配線Ｖｃｏｍは、図１２に示すように、ソース配線Ｖｓなどと同じ金属層から形成されており、層間絶縁膜１２に形成されたスルーホール４１を介してコンタクト電極４２に接続されている。   As shown in FIGS. 10 and 11, the second power supply wiring Vcom in the present embodiment is provided so as to extend substantially parallel to the first power supply wiring Vs. As shown in FIG. 12, the second power supply wiring Vcom is formed of the same metal layer as the source wiring Vs and the like, and is connected to the contact electrode 42 through the through hole 41 formed in the interlayer insulating film 12. .

層間絶縁膜１２上に設けられたコンタクト電極４２は、画素電極１３と同じ金属層（例えばＩＴＯ層）から形成されている。コンタクト電極４２は、対向電極２０と接触して電気的に接続されている。このように、第２電源配線Ｖｃｏｍは、コンタクト電極４２を介して有機ＥＬ素子７の対向電極（陰極）２０に電気的に接続されている。なお、コンタクト電極４２の周辺に形成されているバンク１５は、製造プロセスにおいて有機ＥＬ層１９の材料がコンタクト電極４２上に流れ込むのを防ぐ役割を果たす。   The contact electrode 42 provided on the interlayer insulating film 12 is formed from the same metal layer (for example, ITO layer) as the pixel electrode 13. The contact electrode 42 is in contact with and electrically connected to the counter electrode 20. As described above, the second power supply wiring Vcom is electrically connected to the counter electrode (cathode) 20 of the organic EL element 7 through the contact electrode 42. The bank 15 formed around the contact electrode 42 serves to prevent the material of the organic EL layer 19 from flowing onto the contact electrode 42 in the manufacturing process.

本実施形態における表示装置２００では、画素ごとに対向電極２０が第２電源配線Ｖｃｏｍに電気的に接続されているので、対向電極２０の抵抗に起因した対向電極２０の電位低下の発生を抑制し、有機ＥＬ素子７の発光輝度の低下を抑制することができる。そのため、表示面内の輝度のバラツキを抑制し、均一な表示を実現することができる。また、対向電極２０に発生する電位低下を抑制することによって、対向電極２０での発熱を抑制することができるので、そのことによって有機ＥＬ素子７の輝度半減寿命を延ばすことができるという利点も得られる。   In the display device 200 according to the present embodiment, since the counter electrode 20 is electrically connected to the second power supply wiring Vcom for each pixel, occurrence of a decrease in the potential of the counter electrode 20 due to the resistance of the counter electrode 20 is suppressed. Moreover, the fall of the light emission luminance of the organic EL element 7 can be suppressed. Therefore, variation in luminance within the display surface can be suppressed and uniform display can be realized. Moreover, since the heat generation at the counter electrode 20 can be suppressed by suppressing the potential drop generated in the counter electrode 20, this also provides the advantage that the luminance half life of the organic EL element 7 can be extended. It is done.

本実施形態のように、第２電源配線Ｖｃｏｍを設け、第２電源配線Ｖｃｏｍと対向電極２０とをコンタクト電極４２を介して接続する構成は、対向電極２０として光透過性の金属薄膜や金属酸化膜を用いる場合に特に効果が高い。対向電極２０として光透過性の金属薄膜や金属酸化膜を用いると、対向電極２０の抵抗値を低くできないからである。   As in the present embodiment, the configuration in which the second power supply wiring Vcom is provided and the second power supply wiring Vcom and the counter electrode 20 are connected via the contact electrode 42 is configured such that a light-transmitting metal thin film or metal oxide The effect is particularly high when a film is used. This is because the resistance value of the counter electrode 20 cannot be lowered when a light-transmitting metal thin film or metal oxide film is used as the counter electrode 20.

なお、表示装置２００は、図１１に示すように、配線群やアクティブ素子が配置されていない領域に、ソース配線Ｓｊと同じ金属層から形成された複数の島状の金属膜１６を有している。このような金属膜１６を設けることで、その上に形成される層間絶縁膜１２および画素電極１３に微細な凹凸形状を付与することができ、そのことによって外光を乱反射して周囲光の写り込みを防止することができる。   As shown in FIG. 11, the display device 200 includes a plurality of island-shaped metal films 16 formed of the same metal layer as the source wiring Sj in a region where no wiring group or active element is arranged. Yes. By providing such a metal film 16, it is possible to give a fine uneven shape to the interlayer insulating film 12 and the pixel electrode 13 formed on the metal film 16, thereby irregularly reflecting external light and reflecting ambient light. Can be prevented.

また、表示装置２００では、図１１および図１２に示すように、第２電源配線Ｖｃｏｍ上には画素電極１３が形成されていないので、第２電源配線Ｖｃｏｍの浮遊容量は第１電源配線Ｖｓやソース配線Ｓｊよりも小さくなる。このように、画素電極１３に重ならない配線は、その浮遊容量を小さくすることができる。   In the display device 200, as shown in FIGS. 11 and 12, since the pixel electrode 13 is not formed on the second power supply wiring Vcom, the stray capacitance of the second power supply wiring Vcom is the first power supply wiring Vs or It becomes smaller than the source line Sj. As described above, the stray capacitance of the wiring that does not overlap with the pixel electrode 13 can be reduced.

従って、画素領域内に、同じ方向に沿って延びる３つ以上の配線が配置される場合には、浮遊容量を小さくしたい配線上に画素電極が配置されない構成を採用することが好ましい。   Therefore, when three or more wirings extending in the same direction are arranged in the pixel region, it is preferable to adopt a configuration in which the pixel electrode is not arranged on the wiring for which the stray capacitance is to be reduced.

図１３および図１４に、このような構成を採用した有機ＥＬ表示装置３００を示す。   13 and 14 show an organic EL display device 300 adopting such a configuration.

表示装置３００では、図１３に示すように、駆動用ＴＦＴ５のドレイン電極にさらなるスイッチング用ＴＦＴ４５、４６のソース電極が接続され、スイッチング用ＴＦＴ４５のドレイン電極に有機ＥＬ素子７の陽極（画素電極）１３に接続され、スイッチング用ＴＦＴ４６のドレイン電極にソース配線Ｓｊが接続されている。   In the display device 300, as shown in FIG. 13, the source electrodes of the further switching TFTs 45 and 46 are connected to the drain electrode of the driving TFT 5, and the anode (pixel electrode) 13 of the organic EL element 7 is connected to the drain electrode of the switching TFT 45. The source wiring Sj is connected to the drain electrode of the switching TFT 46.

そして、スイッチング用ＴＦＴ４５、４６のゲート電極に接続された制御配線Ｗｉにより、駆動用ＴＦＴ５の電流出力が有機ＥＬ素子７へ向かうか、ソース配線Ｓｊへ向かうかが切り替えられる。また、画素領域外にコンデンサ４７やスイッチング用ＴＦＴ４８〜５１が配置されており、これらによってデータ配線Ｔｊとソース配線Ｓｊとの間の電位が制御されている。   Then, the control wiring Wi connected to the gate electrodes of the switching TFTs 45 and 46 switches whether the current output of the driving TFT 5 is directed to the organic EL element 7 or the source wiring Sj. A capacitor 47 and switching TFTs 48 to 51 are disposed outside the pixel region, and the potential between the data line Tj and the source line Sj is controlled by these.

上記構成を有する表示装置３００では、データ配線Ｔｊの電位がコンデンサ４７の電位によって制御されるので、データ配線Ｔｊの浮遊容量が大きいと、その制御が難しく、データＴｊの浮遊容量が、表示特性やデータ書き込み時間に大きな影響を与える。   In the display device 300 having the above configuration, the potential of the data line Tj is controlled by the potential of the capacitor 47. Therefore, if the data line Tj has a large stray capacitance, it is difficult to control the data line Tj. The data writing time is greatly affected.

表示装置３００では、図１４に示すように、データ配線Ｔｊが電源配線Ｖｓとソース配線Ｓｊとの間に配置され、データ配線Ｔｊが隣接する画素電極の間隙に位置しているので、データ配線Ｔｊの浮遊容量を小さくすることができ、良好な表示を実現することができる。   In the display device 300, as shown in FIG. 14, the data line Tj is arranged between the power supply line Vs and the source line Sj, and the data line Tj is located in the gap between the adjacent pixel electrodes. The stray capacitance can be reduced, and good display can be realized.

本発明によると、発光素子の寿命が長い自発光型の表示装置が提供される。   According to the present invention, a self-luminous display device with a long lifetime of a light emitting element is provided.

本発明は、発光素子を備えた表示装置に用いられ、特に、発光素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置に好適に用いられる。   The present invention is used in a display device including a light emitting element, and particularly preferably used in an organic EL display device including an organic EL element as a light emitting element.

本発明による表示装置１００を模式的に示すブロック図である。1 is a block diagram schematically showing a display device 100 according to the present invention. 本発明による表示装置１００の１つの画素領域を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram showing one pixel region of the display device 100 according to the present invention. 本発明による表示装置１００を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the display apparatus 100 by this invention. 本発明による表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図３中の４Ａ−４Ａ’線に沿った図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a display device 100 according to the present invention, and is a view along line 4A-4A ′ in FIG. 3. 有機ＥＬ素子から出射された光が遮光層で反射された後に対向電極で反射される様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that the light radiate | emitted from the organic EL element is reflected by a counter electrode, after being reflected by the light shielding layer. 本発明による表示装置１００の改変例を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the modification of the display apparatus 100 by this invention. 本発明による表示装置１００の改変例を模式的に示す断面図であり、図３中の７Ａ―７Ａ’線に沿った図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a modified example of the display device 100 according to the present invention, and is a view along line 7A-7A ′ in FIG. 3. 本発明による表示装置１００の改変例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the modification of the display apparatus 100 by this invention. 本発明による表示装置１００の改変例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the modification of the display apparatus 100 by this invention. 本発明による他の表示装置２００の１つの画素領域を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows one pixel area of the other display apparatus 200 by this invention. 本発明による他の表示装置２００を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the other display apparatus 200 by this invention. 本発明による表示装置２００を模式的に示す断面図であり、図１１中の１２Ａ−１２Ａ’線に沿った図である。FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a display device 200 according to the present invention, and is a view along line 12A-12A ′ in FIG. 11. 本発明によるさらに他の表示装置３００を示す等価回路図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram showing still another display device 300 according to the present invention. 本発明によるさらに他の表示装置３００を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the other display apparatus 300 by this invention. 従来の有機ＥＬ表示装置の１つの画素領域を示す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which shows one pixel area | region of the conventional organic electroluminescence display. 従来の有機ＥＬ表示装置を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows the conventional organic EL display apparatus typically.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板（透明基板）
２ ゲートドライバ回路
３ ソースドライバ回路
４ スイッチング用ＴＦＴ（アクティブ素子）
５ 駆動用ＴＦＴ（アクティブ素子）
６ コンデンサ（キャパシタ）
７ 有機ＥＬ素子（発光素子）
８ 半導体層
９ 絶縁膜
１０ スルーホール
１２ 層間絶縁膜（第１層間絶縁膜）
１３ 画素電極（陽極）
１４ 絶縁膜
１４’ 層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）
１５ バンク
１６ 金属層
１７ 遮光膜
１８ スルーホール
１９ 有機ＥＬ層
２０ 対向電極（陰極） 1 Substrate (transparent substrate)
2 Gate driver circuit 3 Source driver circuit 4 Switching TFT (active element)
5 Driving TFT (active element)
6 Capacitor
7 Organic EL device (light emitting device)
8 Semiconductor layer 9 Insulating film 10 Through hole 12 Interlayer insulating film (first interlayer insulating film)
13 Pixel electrode (anode)
14 Insulating film 14 'Interlayer insulating film (second interlayer insulating film)
15 Bank 16 Metal Layer 17 Light Shielding Film 18 Through Hole 19 Organic EL Layer 20 Counter Electrode (Cathode)

Claims (8)

主面と前記主面に対向する裏面とを有する基板と、
前記基板の前記主面上に設けられた配線群と、
前記基板の前記主面上に設けられ、少なくともゲート電極を有するアクティブ素子と、
前記配線群および前記アクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備え、
前記発光素子から前記基板の前記主面に入射し、前記基板を透過して前記基板の前記裏面から出射する光を用いて表示を行う表示装置であって、
前記発光素子は、前記アクティブ素子の前記ゲート電極および／または前記配線群に部分的に重なっている表示装置。 A substrate having a main surface and a back surface facing the main surface;
A wiring group provided on the main surface of the substrate;
An active element provided on the main surface of the substrate and having at least a gate electrode;
A first interlayer insulating film covering the wiring group and the active element;
A light emitting device provided on the first interlayer insulating film,
A display device that performs display using light that enters the main surface of the substrate from the light emitting element, passes through the substrate, and exits from the back surface of the substrate,
The display device, wherein the light emitting element partially overlaps the gate electrode and / or the wiring group of the active element. 前記第１層間絶縁膜は樹脂材料から形成されている請求項１に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the first interlayer insulating film is formed of a resin material. 前記アクティブ素子と前記第１層間絶縁膜との間に設けられた遮光膜を備える請求項１または２に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, further comprising a light shielding film provided between the active element and the first interlayer insulating film. 前記発光素子は、前記基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有し、前記アクティブ素子に部分的に重なっており、
前記発光素子は、さらに、前記第１電極の、前記アクティブ素子に重なる部分上に設けられた第２層間絶縁膜を有している請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。 The light emitting element has a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode in this order from the substrate side, and partially overlaps the active element,
4. The display device according to claim 1, wherein the light emitting element further includes a second interlayer insulating film provided on a portion of the first electrode overlapping the active element. 5. 空気の屈折率をｎ0、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ1、前記第１層間絶縁膜の厚さをｄとしたとき、前記アクティブ素子および／または前記配線群に重なっている前記発光素子の領域の幅ｗは、
−ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））≦ｗ≦ｄ・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ｎ0／ｎ1））
の関係を満足する、請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。 When the refractive index of air is n 0 , the refractive index of the first interlayer insulating film is n 1 , and the thickness of the first interlayer insulating film is d, the active element and / or the wiring group are overlapped with each other. The width w of the light emitting element region is
−d · tan (sin −1 (n 0 / n 1 )) ≦ w ≦ d tan (sin −1 (n 0 / n 1 ))
The display device according to claim 1, wherein the relationship is satisfied. 前記配線群は、第１配線と、前記第１配線に交差する第２配線とを含む、請求項１から５のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the wiring group includes a first wiring and a second wiring that intersects the first wiring. 前記配線群は、前記第１配線または前記第２配線に交差する第３配線をさらに含み、
前記発光素子は、前記基板側から第１電極、発光層および第２電極をこの順に有し、
前記表示装置は、前記第１層間絶縁膜上に設けられ、前記第３配線に電気的に接続された第３電極をさらに備え、
前記第３電極と前記第２電極とが電気的に接続され、そのことによって前記第３配線と前記第２電極とが電気的に接続されている、請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。 The wiring group further includes a third wiring that intersects the first wiring or the second wiring,
The light emitting element has a first electrode, a light emitting layer and a second electrode in this order from the substrate side,
The display device further includes a third electrode provided on the first interlayer insulating film and electrically connected to the third wiring,
The said 3rd electrode and the said 2nd electrode are electrically connected, Therefore The said 3rd wiring and the said 2nd electrode are electrically connected by any one of Claim 1 to 6 Display device. 前記発光素子は有機ＥＬ素子である請求項１から７のいずれかに記載の表示装置。

The display device according to claim 1, wherein the light emitting element is an organic EL element.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009244370A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Casio Comput Co Ltd Display device and method for manufacturing display device
JP2010161084A (en) * 2010-04-02 2010-07-22 Casio Computer Co Ltd Display and method for manufacturing display
JP2010192450A (en) * 2010-04-02 2010-09-02 Casio Computer Co Ltd Display device and method for manufacturing display device
US7982386B2 (en) 2006-11-10 2011-07-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with opaque electrodes

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7982386B2 (en) 2006-11-10 2011-07-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with opaque electrodes
JP2009244370A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Casio Comput Co Ltd Display device and method for manufacturing display device
JP2010161084A (en) * 2010-04-02 2010-07-22 Casio Computer Co Ltd Display and method for manufacturing display
JP2010192450A (en) * 2010-04-02 2010-09-02 Casio Computer Co Ltd Display device and method for manufacturing display device

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