JP2005094645A - Oscillation circuit apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は発振回路装置に関し、特に、出力段にバッファ回路を持つ発振回路装置に関する。 The present invention relates to an oscillation circuit device, and more particularly to an oscillation circuit device having a buffer circuit at an output stage.
従来からVCXO(電圧制御型水晶発振回路)を用いた発振回路装置が使用されている。VCXOは負荷容量が変動すると、発振周波数の変動や出力振幅の変動が大きくなる。このため、出力段にバッファ回路を挿入して、負荷容量変動の影響をVCXO側に伝えない構成とすることが一般的に行われている。 Conventionally, an oscillation circuit device using a VCXO (voltage controlled crystal oscillation circuit) has been used. When the load capacity of the VCXO varies, the fluctuation of the oscillation frequency and the fluctuation of the output amplitude increase. For this reason, it is generally performed that a buffer circuit is inserted in the output stage so that the influence of the load capacitance variation is not transmitted to the VCXO side.
図4及び図5は、従来の発振回路装置の一例の回路構成図を示す。図4において、VCXO10の出力する発振信号は、FET(電界効果トランジスタ)M1,M2によるインバータ構成のバッファ回路12で反転されて出力端子14から出力される。出力端子14には容量Cdcを介して負荷容量CL及び負荷抵抗RLが接続されている。
4 and 5 show circuit configuration diagrams of an example of a conventional oscillation circuit device. In FIG. 4, the oscillation signal output from the
ここでは、VCXO10の発振周波数で出力負荷CLをチャージアップする必要があるため、FETM1のオン抵抗を低く設定する必要がある。このため、FETM1は比較的W/Lの大きいトランジスタとする必要がある。このため、チップサイズが増加すると共に、ゲート・ソース間容量Cgsが大きくなり、VCXO10の負荷が重くなってしまう。なお、W/Lはゲートの幅と長さの比であり、長さを一定とするとW/Lが大きいほどゲート面積が大きくなる。
Here, since it is necessary to charge up the output load CL at the oscillation frequency of the
図5に示す構成は、上記のVCXO10の負荷が重くなる点を改善するものであり、バッファ回路16はFETM1,M2,M3及びnpnトランジスタQ1で構成され、トランジスタQ1がエミッタフォロアとしてFETM1,M2の出力信号をバッファリングしている。この構成では、FETM1,M2のチップサイズは比較的小さくてすむ。
The configuration shown in FIG. 5 improves the point that the load of the
図4,図5のどちらの場合も、バッファ回路12,16自体がゲインを持つため、そのバッファ回路12,16のダイナミックレンジで出力波形がクリップされ、クリップトサイン波形の出力信号となる。
4 and 5, since the
図6(A),(B)に、VCXO10の出力信号波形と、出力端子14における出力信号波形を示す。図4,図5の構成の場合、バッファ回路12が1段で構成されるため、VCXO10から出力端子14までのゲインが比較的低いため、信号がクリップする部分の波形は丸みを持っている。この場合の端子14における出力信号の高調波特性を図7に示す。
FIGS. 6A and 6B show the output signal waveform of the
なお、高次高調波成分を低減する技術について公知文献を調査したが、これに対応する公知文献は発見できなかった。 In addition, although the well-known literature was investigated about the technique which reduces a high order harmonic component, the well-known literature corresponding to this was not discovered.
ここで、近年の発振回路装置の状況を見てみると、水晶振動子は、従来一般的であった5.0×3.2mmサイズから3.2×2.5mmへと小型化に拍車がかかっている。 Here, looking at the status of recent oscillator circuit devices, the quartz resonator has spurred downsizing from the 5.0 × 3.2 mm size, which was conventionally common, to 3.2 × 2.5 mm. It depends.
水晶振動子が小型化されると、水晶振動子の直列抵抗R1が大きくなる傾向にある。なお、水晶振動子は直列抵抗R1,直列容量C1,直列インダクタンスL1と、並列容量C0により等価的に表される。水晶振動子の直列抵抗R1が大きくなると、負性抵抗が小さくなってしまい起動時間が遅くなることから、発振周波数自体も高い周波数へとシフトし起動時間を確保するようにせざるを得なくなる。 When the crystal unit is downsized, the series resistance R1 of the crystal unit tends to increase. The crystal resonator is equivalently represented by a series resistor R1, a series capacitor C1, a series inductance L1, and a parallel capacitor C0. When the series resistance R1 of the crystal resonator is increased, the negative resistance is decreased and the start-up time is delayed. Therefore, the oscillation frequency itself must be shifted to a higher frequency to ensure the start-up time.
従って、水晶振動子を小型化しても従来と同じ発振周波数出力を得るためには、当然のように分周回路の導入が不可欠となる。このような場合、図8に示すように、バッファ回路内にインバータ20やトリガー型フリップフロップ(T−FF)22や信号選択回路24が追加されるため、バッファ回路の構成段数が増加すると共に、VCXO10から出力端子14までのゲインが増加することとなる。
Therefore, in order to obtain the same oscillation frequency output as before even if the crystal resonator is miniaturized, it is necessary to introduce a frequency divider as a matter of course. In such a case, as shown in FIG. 8, the
特に、トリガー・フリップフロップ22等の分周回路はその回路機能上、ゲインを増大させる必要が生じる。このようにゲインが高くなった場合は、FETM1,M2のオン抵抗と出力負荷CLにより構成される1次低域フィルタによって出力信号の立ち上がり時間tr,立ち下がり時間tfが決定されるため、図9(A)のVCXO10出力信号波形に対し、出力端子14の出力信号波形は図9(B)に示すように波形立ち上がりポイント及び波形立ち下がりポイントが尖った出力波形となってしまう。このような、波形の尖りは、高次高調波成分となるため、端子14における出力信号の高調波特性は図10に破線で示すように、実線で示すバッファ回路12だけの高次高調波特性に比べて高次領域が著しく悪化する問題があった。
In particular, the frequency divider circuit such as the trigger flip-
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、高次高調波成分を低減し正弦波に近似した発振信号を出力する発振回路装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an oscillation circuit device that outputs an oscillation signal approximating a sine wave by reducing high-order harmonic components.
請求項1に記載の発明は、発振回路(30)から出力された高調波を含む発振信号を遅延する遅延回路(38)と、
前記遅延回路(38)で遅延される前の発振信号を供給されて反転し、立ち上がり及び立ち下がりが緩やかな信号を出力する第1インバータ(40)と、
前記遅延回路(38)で遅延された後の発振信号を供給されて反転し、立ち上がり及び立ち下がりが急峻な信号を出力する第2インバータ(42)を有し、
前記第1インバータ(40)と第2インバータ(42)の出力端子が共通接続され前記第1インバータ(40)の出力信号と前記第2インバータ(42)の出力信号を加算して出力することにより、
高次高調波成分を低減し正弦波に近似した発振信号を出力することができる。
The invention according to claim 1 is a delay circuit (38) for delaying an oscillation signal including harmonics output from the oscillation circuit (30);
A first inverter (40) for receiving and inverting the oscillation signal before being delayed by the delay circuit (38), and outputting a signal whose rise and fall are gentle;
A second inverter (42) for supplying and inverting the oscillation signal delayed by the delay circuit (38) and outputting a signal having a steep rise and fall;
The output terminals of the first inverter (40) and the second inverter (42) are connected in common, and the output signal of the first inverter (40) and the output signal of the second inverter (42) are added and output. ,
An oscillation signal approximating a sine wave can be output by reducing high-order harmonic components.
請求項5に記載の発明では、第1インバータ(40)は、ゲートが共通接続されたpチャネルFET(M6)及びnチャネルFET(M7)と、前記pチャネルFET(M6)及びnチャネルFET(M7)のドレイン間に接続された抵抗(R1,R2)とよりなることにより、
第1インバータ(40)から立ち上がり及び立ち下がりが緩やかな信号を出力することができる。
In the invention according to claim 5, the first inverter (40) includes a p-channel FET (M6) and an n-channel FET (M7) whose gates are commonly connected, and the p-channel FET (M6) and the n-channel FET ( M7) and the resistors (R1, R2) connected between the drains,
A signal with a gradual rise and fall can be output from the first inverter (40).
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態ように限定されるものではない。 The reference numerals in the parentheses are given for ease of understanding, are merely examples, and are not limited to those shown in the drawings.
請求項1に記載の発明によれば、高次高調波成分を低減し正弦波に近似した発振信号を出力することができる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to output an oscillation signal approximating a sine wave by reducing high-order harmonic components.
また、請求項5に記載の発明によれば、第1インバータから立ち上がり及び立ち下がりが緩やかな信号を出力することができる。 According to the invention of claim 5, it is possible to output a signal whose rise and fall are gentle from the first inverter.
図1は、本発明の発振回路装置の一実施形態の回路構成図を示す。同図中、VCXO30の出力する発振信号は、pチャネルFETM4,nチャネルFETM5で構成されるインバータ32でバッファリングされ、分周回路としてのトリガー型フリップフロップ34及び信号選択回路36の一方の入力端子に供給される。
FIG. 1 shows a circuit configuration diagram of an embodiment of an oscillation circuit device of the present invention. In the figure, an oscillation signal output from the
トリガー型フリップフロップ34はインバータ32から供給される発振信号を1/2分周して信号選択回路36の他方の入力端子に供給する。信号選択回路36はインバータ32の出力する発振信号とトリガー型フリップフロップ34で1/2分周された発振信号のいずれかを選択して出力する。
The trigger flip-flop 34 divides the oscillation signal supplied from the
信号選択回路36の出力する信号はインバータ40に供給されると共に、遅延回路38で一定時間遅延されてインバータ42に供給される。インバータ40,42それぞれの出力は出力端子44にて共通接続されて加算され出力される。出力端子44には容量Cdcを介して負荷容量CL及び負荷抵抗RLが接続されている。
The signal output from the signal selection circuit 36 is supplied to the
インバータ40は、ゲートが共通接続されたpチャネルFETM6とnチャネルFETM7と、FETM6,M7のドレイン間に接続された抵抗R1,R2より構成され、FETM6のソースは電源Vbiasに接続され、FETM7のソースは接地され、抵抗R1,R2の接続点が出力端子44に接続されている。
The
インバータ42は、ゲートが共通接続されたpチャネルFETM1とnチャネルFETM2より構成され、FETM1のソースは電源Vbiasに接続され、FETM2のソースは接地され、FETM1,M2のドレインは出力端子44に共通接続されている。インバータ40は抵抗R1,R2が設けられているため、インバータ42に対して、出力信号の立ち上がり及び立ち下がりが緩やかとなる。
The
ここで、VCXO30の出力する信号波形を図2(A)に示し、信号選択回路36の出力する信号波形を図2(B)に一点鎖線Iで示す。この場合、遅延回路38の出力する信号波形は図2(B)に破線IIで示すようになる。
Here, a signal waveform output from the
一点鎖線Iで示す信号が上昇してインバータ40の閾値Vthを超えると、インバータ40の出力が緩やかに低下を開始する。その後、破線IIで示す信号が上昇してインバータ42の閾値Vthを超えると、インバータ42の出力が急速に低下を開始する。このインバータ40,42の出力が加算されることにより、出力端子44の信号波形は図2(B)に実線IIIで示すように立ち下がりがなまって正弦波に近似する。
When the signal indicated by the alternate long and short dash line I rises and exceeds the threshold value Vth of the
同様に、一点鎖線Iで示す信号が低下してインバータ40の閾値Vthを下回ると、インバータ40の出力が緩やかに上昇を開始する。その後、破線IIで示す信号が低下してインバータ42の閾値Vthを下回ると、インバータ42の出力が急速に上昇を開始する。このインバータ40,42の出力が加算されることにより、出力端子44の信号波形は図2(B)に実線IIIで示すように立ち上がりがなまって正弦波に近似する。
Similarly, when the signal indicated by the alternate long and short dash line I decreases and falls below the threshold value Vth of the
このように、出力端子44の信号波形がなまって正弦波に近似することにより、高次高調波成分が低減し、出力端子44における出力信号の高調波特性は図3に破線で示すように、高次領域が改善され、実線で示す従来のバッファ回路12だけの高次高調波特性に近づくことができる。
As described above, the signal waveform at the output terminal 44 is rounded and approximated to a sine wave, whereby the higher-order harmonic components are reduced, and the harmonic characteristic of the output signal at the output terminal 44 is shown by a broken line in FIG. The higher-order region is improved, and the higher-order harmonic characteristics of only the
30 VCXO
32,40,42 インバータ
34 トリガー型フリップフロップ
36 信号選択回路
38 遅延回路
M1〜M7 FET
R1,R2 抵抗
30 VCXO
32, 40, 42 Inverter 34 Trigger type flip-flop 36 Signal selection circuit 38 Delay circuit M1-M7 FET
R1, R2 resistance
Claims (5)
前記遅延回路で遅延される前の発振信号を供給されて反転し、立ち上がり及び立ち下がりが緩やかな信号を出力する第1インバータと、
前記遅延回路で遅延された後の発振信号を供給されて反転し、立ち上がり及び立ち下がりが急峻な信号を出力する第2インバータを有し、
前記第1インバータと第2インバータの出力端子が共通接続され前記第1インバータの出力信号と前記第2インバータの出力信号を加算して出力することを特徴とする発振回路装置。 A delay circuit for delaying an oscillation signal including harmonics output from the oscillation circuit;
A first inverter that receives and inverts the oscillation signal before being delayed by the delay circuit, and outputs a signal that rises and falls slowly;
A second inverter that receives and inverts the oscillation signal after being delayed by the delay circuit and outputs a signal having a steep rise and fall;
An oscillation circuit device characterized in that output terminals of the first inverter and the second inverter are connected in common, and an output signal of the first inverter and an output signal of the second inverter are added and outputted.
前記発振回路の出力する発振信号を分周する分周回路を
有することを特徴とする発振回路装置。 The oscillation circuit device according to claim 1,
An oscillation circuit device comprising a frequency dividing circuit for frequency-dividing an oscillation signal output from the oscillation circuit.
前記分周回路で分周される前の発振信号と分周された後の発振信号のいずれか一方を選択して前記遅延回路に供給する信号選択回路を
有することを特徴とする発振回路装置。 The oscillation circuit device according to claim 2, wherein
An oscillation circuit device comprising: a signal selection circuit that selects one of an oscillation signal before being divided by the frequency divider and an oscillation signal after being divided and supplies the selected signal to the delay circuit.
前記発振回路は、電圧制御型水晶発振回路であることを特徴とする発振回路装置。 The oscillation circuit device according to any one of claims 1 to 3,
The oscillation circuit device is a voltage controlled crystal oscillation circuit.
前記第1インバータは、ゲートが共通接続されたpチャネルFET及びnチャネルFETと、前記pチャネルFET及びnチャネルFETのドレイン間に接続された抵抗とよりなることを特徴とする発振回路装置。 The oscillation circuit device according to any one of claims 1 to 4,
The oscillation circuit device according to claim 1, wherein the first inverter includes a p-channel FET and an n-channel FET whose gates are commonly connected, and a resistor connected between the drains of the p-channel FET and the n-channel FET.
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JP2007053746A (en) * | 2005-07-21 | 2007-03-01 | Citizen Miyota Co Ltd | Integrated circuit |
WO2009139102A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 日本電波工業株式会社 | Oscillator |
JP2012257183A (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | Oscillation circuit |
JP2013031217A (en) * | 2012-09-27 | 2013-02-07 | Seiko Epson Corp | Buffer circuit |
JP2019071555A (en) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | ティアック株式会社 | Clock output circuit |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053746A (en) * | 2005-07-21 | 2007-03-01 | Citizen Miyota Co Ltd | Integrated circuit |
WO2009139102A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | 日本電波工業株式会社 | Oscillator |
JP2009303198A (en) * | 2008-05-13 | 2009-12-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Oscillator |
JP4524326B2 (en) * | 2008-05-13 | 2010-08-18 | 日本電波工業株式会社 | Crystal oscillator |
JP2012257183A (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | Oscillation circuit |
JP2013031217A (en) * | 2012-09-27 | 2013-02-07 | Seiko Epson Corp | Buffer circuit |
JP2019071555A (en) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | ティアック株式会社 | Clock output circuit |
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