JP2005093854A - イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機 - Google Patents
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Abstract
【課題】イオン化ガス気流により半導体基板または液晶基板から塵を除去して洗浄する。
【解決手段】半導体基板または液晶基板Pの巾と略同一長さの円筒状フィルタ1が、軟X線放射管2と共に断面多角形渦巻状の長筒体14により形成されたケーシング3内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体4が形成され、且つ前記イオン化ガス気流発生器本体4からのイオン化ガス気流26を、前記半導体基板または液晶基板P表面の幅方向に均一に噴き付け、塵32と基板Pの電荷を電気的に中和して、浮遊塵33の基板P表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流26による基板P表面との化学反応により、前記基板P表面に付着した塵32を除去することにより基板Pの表面を洗浄する。
【選択図】図2
【解決手段】半導体基板または液晶基板Pの巾と略同一長さの円筒状フィルタ1が、軟X線放射管2と共に断面多角形渦巻状の長筒体14により形成されたケーシング3内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体4が形成され、且つ前記イオン化ガス気流発生器本体4からのイオン化ガス気流26を、前記半導体基板または液晶基板P表面の幅方向に均一に噴き付け、塵32と基板Pの電荷を電気的に中和して、浮遊塵33の基板P表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流26による基板P表面との化学反応により、前記基板P表面に付着した塵32を除去することにより基板Pの表面を洗浄する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体および液晶製造工程において、半導体基板および液晶基板表面にイオン化したガスを吹き付け、前記基板表面に付着した塵と前記基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄するようにしたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機に関する。
従来の半導体基板、または液晶基板を対象とした洗浄機には、湿式洗浄機と乾式洗浄機があるが、湿式洗浄機が主流となっている。
湿式洗浄機には、反応液を入れた槽と純水槽が備えられ、初めに反応槽に半導体基板、または液晶基板を入れ、化学反応で基板表面の塵を除去した後、純水槽で薬品を洗い流す方法が採用されている。
乾式洗浄機では、密閉容器に半導体基板、または液晶基板を入れると共に、その中に反応ガスを封入し、化学反応で基板表面を洗浄する方式が採用されている。また、内部に平面電極を設けた密閉容器内を減圧し、該平面電極に高周波電圧を印加し、内部にプラズマ発生させ、更に直流電圧を印加し、電極面に置かれた基板にイオンを衝突させ、表面をエッチングして洗浄する方式も採用されている。
前記従来の湿式洗浄機は、反応液槽、純水槽および乾燥機を備えているため、設備が大掛かりとなり、装置コストが高くなるという課題があった。更に、従来の湿式洗浄機では、廃液が出るため、その処理費用が高くなるという課題があった。
前記従来の乾式洗浄機は、密閉容器に収納するため、設備が大きくなり、またバッチ処理方式のため、小ロットの場合、生産性が悪いという課題があった。
また、乾式洗浄機の場合、容器内部を減圧して、更にプラズマを発生させるため、装置コストが高くなり、製造ラインに組み込むのはかなり困難であるという課題があった。
本発明は前記課題を解決すべくなされたもので、円筒状フィルタから噴き出す清浄空気を軟X線放射管から放射される軟X線によりイオン化して、イオン化ガス気流として基板表面に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄するようにしたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機を提供しようとするものである。
本発明は、半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが軟X線放射管と共に、断面多角形渦巻状の長筒体により形成されたケーシング内に装置されて、イオン化ガス気流発生器本体が形成され、且つ前記半導体基板または液晶基板表面に、イオン化ガス気流発生器本体からのイオン化したガス気流を幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄することを最も主要な特徴とする。
本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機によれば、設備が大掛かりではなく、小型に形成できるため、装置コストが安く、また廃液も出ないので、処理費用が安く、且つ生産性が高いという利点を有する。
また、装置が小型であり、且つ装置コストが安いので、半導体、または液晶製造ラインに組み込むのも容易である。
そして、簡単円筒状フィルタから噴き出した清浄空気は、多角形状に折曲されたケーシングの上面部に突出した突出部において、軟X線放射管から放射された軟X線によってイオン化され、イオン化ガス気流として出口部から基板表面上において、長手方向に均一に噴き出し、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去することができる。また、ケーシングが多角形状に形成され、多数の角部を有するので、軟X線の直進性が阻止され、該軟X線がケーシング外部に漏洩することがなく、安全である。
更に、円筒状フィルタは直接軟X線に照射されないよう設置されているので、該円筒状フィルタが劣化する虞れはない。
また、装置が小型であり、且つ装置コストが安いので、半導体、または液晶製造ラインに組み込むのも容易である。
そして、簡単円筒状フィルタから噴き出した清浄空気は、多角形状に折曲されたケーシングの上面部に突出した突出部において、軟X線放射管から放射された軟X線によってイオン化され、イオン化ガス気流として出口部から基板表面上において、長手方向に均一に噴き出し、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去することができる。また、ケーシングが多角形状に形成され、多数の角部を有するので、軟X線の直進性が阻止され、該軟X線がケーシング外部に漏洩することがなく、安全である。
更に、円筒状フィルタは直接軟X線に照射されないよう設置されているので、該円筒状フィルタが劣化する虞れはない。
半導体基板または液晶基板表面に、イオン化気流発生器本体からのイオン化したガス気流を幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去することにより基板の表面を洗浄する。
本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例1を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機を側面側から見た縦断面図、図2は同正面側から見た縦断面図、図3は同使用状態を示す要部の斜視図である。図1・図2に示すように、半導体、または液晶の基板Pの巾と略同一長さの円筒状フィルタ1が、軟X線放射管2と共にケーシング3内に装置されて、イオン化ガス気流発生器本体4が形成されている。
前記円筒状フィルタ1は、濾材1aを円筒状に成型して通気空間5を設けると共に、一方側端部には、空気供給口6を穿設した空気供給管取付リング7を固定し、且つ他方側端部に密閉栓8を密着固定して形成されている。そして、前記円筒状フィルタ1の空気供給管取付リング7には、図示していない送風機により圧縮空気を送気する圧縮空気供給管9の開口先端部が連結されている。なお、前記円筒状フィルタ1は、特に限定する必要はないが、好ましくは本特許出願人の特許出願に係る特願2003−23768により製造することが推奨される。
前記ケーシング3は、前記円筒状フィルタ1の外周に空気室10が、多角形状に折曲された区画板11を備えて設けられ、且つ該区画板11の外周に通気通路12を周設して、多角形状に折曲された外周板13が設けられて、前記円筒状フィルタ1の下面部から略2周する、上面部14aが底面部14bより長い断面多角形渦巻状の長筒体14により形成されると共に、前記長筒体14の両端部はそれぞれ側壁板15・16により閉塞され、更に前記底面部14bの一方側に位置する通気通路12の基端部が前記空気室10に連通されて連通部17を設け、且つ前記底面部14bの他方側に位置する通気通路12の噴き出し部18に2本の噴き出し用ガイド片19a・19bを、前記ケーシング3の底面部14bから僅かに下方へ突出するようにして突設する一方、前記通気通路12の上面に位置する外周板13に突出部20を長手方向全長に亘って突設して、該突出部20の下面に空間部20aを設けて形成されている。前記長筒体14は、図1においては、略2周する渦巻状に形成されているが、3周以上の渦巻状に形成してもよい。
前記構成より成るケーシング3の側壁板15・16とに、前記円筒状フィルタ1の両端部の空気供給管取付リング7と密閉栓8の外周面がそれぞれ密に貫通固定され、更に、前記突出部20の一端部の側壁板15に軟X線放射管2が貫通固定されて形成されている。前記軟X線放射管2は、図2においては、一方側の側壁板15に貫通固定されているが、他方側の側壁板16にも貫通固定して、該軟X線放射管2を2本使用することもできる。
なお、図中、21は電源22からの電力を前記軟X線放射管2に供給するケーブルであり、更に図中、23は、前記軟X線放射管2に突設された放射ガイドリングで、該軟X線放射管2からの後述する軟X線30の放射角度を制御するものである。
前記構成より成る本発明洗浄機の実施例1の作用について説明する。図3に示すように、本発明洗浄機は、半導体または液晶製造工程において、イオン化ガス気流発生器本体4の噴き出し用ガイド片19a・19bの下端縁と基板P間に隙間Gを確保して設置される。前記基板Pを水平方向24に移動するか、あるいはイオン化ガス気流発生器本体4を水平方向25に移動するかして、基板Pの表面全面にイオン化ガス気流26を噴き付けるよう構成されている。
先ず、円筒状フィルタ1の通気空間5内に圧縮空気供給管9から圧縮空気27を導入すると、該圧縮空気27は他方側端部が密閉栓8により閉塞されているため、通気空間5内において乱流して、濾材1aにより濾過されて、前記円筒状フィルタ1の全周面より清浄空気28となって空気室10に噴き出され、その後連続して噴き出されてくる清浄空気28によって押圧されて、気流29となって前記連通部17を通って通気通路12内に流入する。前記空気室10を設けることにより、円筒状フィルタ1の全周面から噴き出された清浄空気28は、該空気室10内において乱流して、均一な流速の気流29となって前記連通部17から通気通路12内に流入するのである。
一方、電源22を投入し軟X線放射管2に通電すると、該軟X線放射管2より軟X線30が、前記突出部20下面の空間部20a内へ放射される。そして、前記通気通路12内に噴き出された清浄空気28は前記突出部20に至ったときに、前記軟X線30によりイオン化31(+イオン、−イオン)されてイオン化ガス気流26となる。そして、前記イオン化ガス気流26が、通気通路12の末端部である噴き出し部18の噴き出し用ガイド片19a・19bより均一な流速で基板P表面に噴き付けられ、該基板P表面に噴き付けられたイオン化ガス気流26が、塵32と基板P表面の電荷を電気的に中和して、浮遊塵33の基板P表面への付着を防止し、更に、イオン化されて反応性が増加したイオン化ガス気流26と、基板P表面との化学反応により、基板P表面に付着した塵32を除去することにより基板Pの表面が洗浄される。
前記イオン化ガス気流26を、噴き出し用ガイド片19a・19bから長手方向に均一に噴き出すために、円筒状フィルタ1内の圧力が、ケーシング3内の圧力より低くなるように噴き出し用ガイド片19a・19bの開口巾が設定されている。
前記のように、区画板11が多角形状に折曲して円筒状フィルタ1を包み込むような構造を採用しているため、前記円筒状フィルタ1の濾材1aが軟X線30に暴露されず、前記濾材1aが劣化することなく、更に前記通気通路12が多角形状に折曲して多数の角部12a
を有するので、軟X線30の直進性が阻止され、イオン化ガス気流発生器本体3の外部に漏洩することがなく、軟X線30による人体への影響を阻止することができる。
を有するので、軟X線30の直進性が阻止され、イオン化ガス気流発生器本体3の外部に漏洩することがなく、軟X線30による人体への影響を阻止することができる。
なお、前記実施例1の作用の説明においては、基板Pを矢印で示す水平方向24に移動するか、あるいはイオン化ガス気流発生器本体4を矢印で示す水平方向25に移動するかして、基板Pの表面全面にイオン化ガス気流26を噴き付けるとして説明したが、基板Pを矢印で示す水平方向24に移動すると共に、イオン化ガス気流発生器本体4を前記基板Pとは逆方向の矢印で示す水平方向25へ同時に移動して、基板Pの表面全面にイオン化ガス気流26を噴き付けることもできる。
この場合、幅方向に均一に噴き出し部18の噴き出し用ガイド片19a・19bより噴き出されるイオン化ガス気流26に対して、基板Pはイオン化ガス気流発生器本体4とは逆方向に移動しているので、該基板P表面に噴き付けられるイオン化ガス気流26の速度が加速された形となり、その結果、基板P表面の塵32の除去効率を高めることができる。
図4は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例2を側面側から見た縦断面図である。前記実施例1を示す図1においては、通気通路12の噴き出し部18に噴き出し用ガイド片19a・19bがそれぞれ突設されているが、実施例2においては、ケーシング3の底面部14b側の噴き出し用ガイド片19bに、前記底面部14b側の下流方向へ基板P表面と平行して近接するフラッパー41を延設して形成されている。
前記実施例2のように、フラッパー41を延設することにより、基板Pと該フラッパー41間にイオン化ガス気流26を噴き込み、前記イオン化ガス気流26と基板P表面との接触時間を長くして、静電気の中和、イオン化ガス気流26と塵32の化学反応時間を長く取ることにより、塵32の除去効率を高めることができる。そして、その他の作用は、実施例1のものと同一であるので説明を省略する。
図5は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例3を側面側から見た縦断面図である。前記実施例1を示す図1においては、通気通路12の噴き出し部18に噴き出し用ガイド片19a・19bがそれぞれ突設されているが、実施例3においては、前記噴き出し用ガイド片19a・19bを突出せず、前記通気通路12の噴き出し部18の下端縁とケーシング3の底面部14bとを面一として形成されている。
前記実施例3は、単に実施例1における噴き出し用ガイド片19a・19bを設けず、通気通路12の噴き出し部18の下端縁とケーシング3の底面部14bとを面一として形成されているだけであって、噴き出し部18は底面部14b側へ傾斜して形成されているため、該基板Pと前記底面部14b間にイオン化ガス気流26を噴き込み、前記イオン化ガス気流26と基板P表面との接触時間を長くして、静電気の中和、イオン化ガス気流26と塵32の化学反応時間を長く取ることにより、塵32の除去効率を高めることができる。そして、その他の作用は、実施例1のものと同一であるので、説明を省略する。
図6は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例4を側面側から見た断面図であり、また、図7は同斜視図である。実施例4は、前記実施例3のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機におけるイオン化ガス気流の下流側に、吸入口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、前記イオン化気流により基板から除去された塵を吸込んで排出し、更に基板表面での該イオン化ガス気流の乱流、渦の発生を少なくして、前記基板表面の塵の再付着を防止するようにしたものである。
すなわち、イオン化ガス気流発生器本体4を構成するケーシング3のイオン化ガス気流26の噴き出し部18の下流側である、前記底面部14bの一方側から上面部14aにかけて、吸込口45と排気通路46を備えた吸込みダクト47をケーシング3の外側面に一体に接合固定すると共に、該吸込みダクト47の上端部に排気口48を開口して、該排気口48に排気パイプ49を連結固定し、更に該排気パイプ49は図示していない排気ポンプに接続されている。前記排気パイプ49は、図7に示すようにケーシング3の長手方向両端部に設けることが推奨される。
前記実施例4の作用について説明すると、イオン化ガス気流発生器本体4の噴き出し部18から、図中矢印方向24に移動している基板Pに噴き付けられたイオン化ガス気流26は、塵32と基板P表面の電荷を電気的に中和して、浮遊塵33の基板P表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流26による基板P表面に付着した塵32を除去する。なお、実施例4においては、イオン化ガス気流発生器本体4に排気パイプ49を備えているため、該イオン化ガス気流発生器本体4を移動させることはできない。
そして、前記基板P表面の塵32は、吸込みダクト47の排気通路46内に塵32を含んだガス50として吸込まれ、排気口48を介して外部へ排出される。前記塵32が外部へ排出されることにより、基板P表面への塵32の再付着が防止できるだけでなく、イオン化ガス気流26の下流での乱流の発生が防止できる。
なお、図6においては、実施例3によるケーシング3に吸込みダクト47を取り付けたが、実施例1または実施例2よるケーシング3にも、前記吸込みダクト47を取り付けることができる。そして、その作用は、いずれも実施例3によるケーシング3に吸い込みダクト47を取付けたものと同一であるので説明を省略する。
図8〜図12は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例5を示すもので、図8は実施例5を側面側から見た断面図、図9は同斜視図、図10は吸込みパイプの縦断面図である。実施例5は、前記実施例4の変型であって、イオン化ガス気流26により基板P表面から除去された塵32が、吸込みダクト47の排気通路46内に塵32を含んだガス50として吸込まれるが、該吸込みダクト47内に吸い込まれた塵32を含んだガス50を外部へ効率よく排出されるようにしたものである。なお、実施例4と実施例5における構成が同一のものは、同一の符号を用いて説明する。
すなわち、実施例5においては、図8に示すように、吸込みダクト47の排気通路46の長手方向略全長に亘って、塵32を含んだガス50を効率よく外部へ排出するため、吸込みパイプ61が設置されている。そして、前記吸込みパイプ61は、一方側に貫通孔62を穿設したキャップ63が嵌合されると共に、他方側は閉止板64によって閉止されて形成されると共に、前記吸込みパイプ61の一方側のキャップ63がケーシング3の一方側の側壁板15に貫通して固定され、且つ該キャップ63の貫通孔62に排気パイプ65が連結固定され、更に、前記吸込みパイプ61の外周面に吸込み口となる排気パイプ65方向に行くに従って、開口率が小さくなるようにして吸込孔66を複数個穿設して形成されている。
すなわち、図10においては、吸込孔66の径は同一径となっているが、閉止板64から排気パイプ65方向へ行くに従って、各吸込孔66の間隔が徐々に粗になるよう形成されている。なお、図11に示すように、各吸込孔66の間隔を同一にするが、該各吸込孔66の径を閉止板64から排気パイプ65方向へ行くに従って徐々に小径となるよう形成してもよい。
前記のように、吸込みパイプ61の複数個の吸込孔66が、排気パイプ65方向へ行くに従って、開口率が小さくなるよう穿設されているため、吸込みダクト47の排気通路46内に吸込まれた基板P表面の塵32を含んだガス50は、吸込みダクト47の吸込口45の巾に関係なく、長手方向に均一に前記各吸込孔66から吸込まれて、図示していない排気ポンプを介して排気パイプ65から排気されるのである。
図12は、前記実施例5において使用する複数個の吸込孔66を穿設した吸込みパイプ61の代わりに、圧力損失の大きい濾材71により円筒状に形成された吸込みパイプ72を設けて形成されている。前記圧力損失の大きい濾材71で形成された吸込みパイプ72で吸引する場合、吸引時の吸込みパイプ72内の流速による動圧の長手方向の圧力差に対して、濾材71を通過する圧力損失が充分に大きくなるように濾材71を選定することにより、吸込みパイプ72の長手方向の吸込み量が均一になる。
そして、前記圧力損失の大きい濾材71により形成された吸込みパイプ72を、吸込みダクト47の排気通路46内に設置することにより、前記吸込みダクト47の排気通路46内に吸込まれた基板P表面の塵32を含んだガス50は、吸込みダクト47の吸入口45の巾に関係なく、長手方向に均一に吸込みパイプ72の外周面から吸込まれて、図示していない排気ポンプを介して排気パイプ65から排気されるのである。
P 基板:
1 円筒状フィルタ:
1a 濾材:
2 軟X線放射管:
3 ケーシング:
4 イオン化ガス気流発生器本体:
5 通気空間:
6 空気供給口:
7 空気供給管取付リング:
8 密閉栓:
10 空気室:
11 区画板:
12 通気通路:
13 外周板:
14 長筒体:
15・16 側壁板:
17 連通部:
18 噴き出し部:
19a・19b 噴き出し用ガイド片:
20 突出部:
20a 空間部:
26 イオン化ガス気流:
32 塵:
33 浮遊塵:
41 フラッパー:
45 吸込口:
46 排気通路:
47 吸込みダクト:
49 排気パイプ:
61 吸込みパイプ:
65 排気パイプ:
66 吸込孔:
71 濾材:
72 吸込みパイプ:
1 円筒状フィルタ:
1a 濾材:
2 軟X線放射管:
3 ケーシング:
4 イオン化ガス気流発生器本体:
5 通気空間:
6 空気供給口:
7 空気供給管取付リング:
8 密閉栓:
10 空気室:
11 区画板:
12 通気通路:
13 外周板:
14 長筒体:
15・16 側壁板:
17 連通部:
18 噴き出し部:
19a・19b 噴き出し用ガイド片:
20 突出部:
20a 空間部:
26 イオン化ガス気流:
32 塵:
33 浮遊塵:
41 フラッパー:
45 吸込口:
46 排気通路:
47 吸込みダクト:
49 排気パイプ:
61 吸込みパイプ:
65 排気パイプ:
66 吸込孔:
71 濾材:
72 吸込みパイプ:
Claims (11)
- 半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが、軟X線放射管と共に断面多角形渦巻状の長筒体により形成されたケーシング内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体が形成され、且つ前記イオン化ガス気流発生器本体からのイオン化ガス気流を、前記半導体基板または液晶基板表面の幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、前記イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去することにより基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが、軟X線放射管と共にケーシング内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体が形成され、
前記円筒状フィルタは、濾材を円筒状に成型して長手方向中央に通気空間を設けると共に、一方側端部に空気供給管取付リングを固定し、且つ他方側端部に密閉栓を密着固定して形成され、
前記ケーシングは、前記円筒状フィルタの外周に空気室が区画板を備えて設けられ、且つ該区画板の外周に通気通路を周設して外周板が設けられて、上面部が底面部より長い断面多角形渦巻状の長筒体により形成されると共に、前記長筒体の両端部はそれぞれ側壁板により閉塞され、更に前記底面部の一方側に位置する通気通路の基端部が前記空気室に連通されて連通部を設け、且つ前記底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に2本の噴き出し用ガイド片を、該底面部から下方へ突出するように突設する一方、前記通気通路の上面部に位置する外周板に突出部を長手方向全長に亘って突設して、該突出部の下面に空間部を設けて形成され、
前記ケーシングの両側壁板に、前記円筒状フィルタの空気供給管取付リングと密閉栓の外周面が密に貫通固定されると共に、前記突出部の少なくともいずれか一方側に位置する側壁板に軟X線放射管を貫通固定したことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。 - 請求項1または2記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、イオン化ガス気流発生器本体、または基板のいずれかを移動させることにより、基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 請求項1または2記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、イオン化ガス気流発生器本体から幅方向に均一に噴き出されるイオン化ガス気流に対して、基板を逆方向に移動させることにより、基板表面に噴き付けられるイオン化ガス気流速度を増加させて、基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 請求項2記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、ケーシングの底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に突設された2本の噴き出し用ガイド片のうち、前記底面部側の噴き出し用ガイド片に、該底面部側下面方向へ基板表面と平行して近接するフラッパーを延設したことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 請求項2記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、ケーシングの底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に突設された2本の噴き出し用ガイド片を突設することなく、通気通路の噴き出し部の下端縁とケーシングの底面部とを面一としたことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトから吸込んで排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトの排気通路内に設置された吸込みパイプの複数個の吸込孔から吸込んで、排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 請求項8記載の吸込みパイプに穿設された複数個の吸込孔が、同一径に形成されると共に、排気パイプ方向へ行くに従って各吸込孔の間隔が徐々に粗になるよう形成されたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- 請求項8記載の吸込みパイプに穿設された複数個の吸込孔が、同一間隔で形成されると共に、排気パイプ方向へ行くに従って各吸込孔が徐々に小径となるように形成されたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
- イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトの排気通路内に設置された圧力損失の高い濾材により形成された吸込みパイプから吸込んで、排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003327467A JP2005093854A (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003327467A JP2005093854A (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093854A true JP2005093854A (ja) | 2005-04-07 |
Family
ID=34457328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003327467A Pending JP2005093854A (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005093854A (ja) |
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- 2003-09-19 JP JP2003327467A patent/JP2005093854A/ja active Pending
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