JP2005088398A - Manufacturing method for inkjet recording head - Google Patents

Manufacturing method for inkjet recording head Download PDF

Info

Publication number
JP2005088398A
JP2005088398A JP2003325778A JP2003325778A JP2005088398A JP 2005088398 A JP2005088398 A JP 2005088398A JP 2003325778 A JP2003325778 A JP 2003325778A JP 2003325778 A JP2003325778 A JP 2003325778A JP 2005088398 A JP2005088398 A JP 2005088398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
pattern
substrate
oxide film
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003325778A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Usami
浩之 宇佐美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP2003325778A priority Critical patent/JP2005088398A/en
Publication of JP2005088398A publication Critical patent/JP2005088398A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for an inkjet recording head, which enables the correct formation of a through-hole for supplying ink. <P>SOLUTION: At the completion of processes for forming a LOGIC circuit, a heater 24, etc., the backside of an Si substrate 12 is polished because of the formation of a flaw 32 on the backside and the adhesion of foreign matter such as dust 34 to the backside. At the completion of polishing, an oxide film 14 with a thickness of 1 μm is stuck on the backside of the Si substrate 12 by a plasma CVD method. A resist pattern is formed on the oxide film 14 by using a resist, and the oxide film 14 is subjected to patterning by CF dry etching. This makes an etching pattern 42 formed on the oxide film 14. The resist is removed by oxide plasma, and a nitride film 16 with a thickness of 1.0 μm is stuck by the plasma CVD method. The nitride film 16 serves as a protective film for protecting the backside of the Si substrate 12 against the flaw 32. The pattern 42 is formed of the oxide film 14, and the protective film is formed of the nitride film 16, so that the protective film and the pattern 42 can be selectively removed. Since the pattern formed of the oxide film 14 is protected by the nitride film 16 until just before the formation of an ink supply hole 44, there is no risk that the pattern can be damaged in intermediate processes. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、インクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an ink jet recording head.

近年、オフィスにおけるカラー文書の普及はめざましく、そのための様々な出力機器が提案されている。そのなかで、小型化が可能であり、低価格なインクジェット方式は有力な記録方式として様々な出力機器に使用されている。   In recent years, the spread of color documents in offices is remarkable, and various output devices have been proposed. Among them, downsizing is possible, and the low-cost inkjet method is used as a powerful recording method in various output devices.

このようなインクジェット方式で用いられる記録ヘッドの製造方法は、ＬＳＩなどの半導体製造方法と同様にシリコンウエハーからなるＳｉ基板の表面にエッチング処理を行なう工程が基本となっている。   The manufacturing method of a recording head used in such an ink jet method is basically a process of performing an etching process on the surface of a Si substrate made of a silicon wafer, similarly to a semiconductor manufacturing method such as LSI.

例えば図４（ｅ）のようなインクジェット記録ヘッドの場合、図４（ａ）のようにＳｉ基板１００の裏面からインク供給のためのインク供給孔１４４を形成する必要があるが、このためには酸化膜あるいは窒化膜１１６のマスクパターン１０４を予め形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの薬液で異方性エッチングを行ない、正確にインク供給孔１４４を形成する。   For example, in the case of the ink jet recording head as shown in FIG. 4E, it is necessary to form the ink supply hole 144 for supplying ink from the back surface of the Si substrate 100 as shown in FIG. A mask pattern 104 of an oxide film or nitride film 116 is formed in advance, and anisotropic etching is performed with a chemical solution such as KOH (potassium hydroxide) or TMAH (tetramethylammonium hydroxide) to accurately form the ink supply hole 144. .

工程の順序としては、Ｓｉ基板１００にヒータ１２４、ノズル１４０を形成したのち、Ｓｉ基板１００の裏面側からインク供給孔１４４を開口し、インク供給路を形成する。破線部分の断面図を図４（ｅ）に示す。   As a process order, after the heater 124 and the nozzle 140 are formed on the Si substrate 100, the ink supply hole 144 is opened from the back side of the Si substrate 100 to form an ink supply path. A cross-sectional view of the broken line portion is shown in FIG.

しかし、このときインク供給孔１４４の開口工程よりも前に、図４（ｂ）のように開口予定部分のマスクパターン１０４に傷１０２があると、傷１０２の部分のエッチングは正常に行なわれず、インク供給孔１４４は図４（ｃ）に示すような傷１０８のある形状となり、正しくインク供給が行なわれなくなるので、インクジェット記録ヘッドとして正常に機能しなくなってしまう。   However, at this time, if there is a scratch 102 in the mask pattern 104 of the planned opening portion as shown in FIG. 4B before the ink supply hole 144 opening step, the portion of the scratch 102 is not normally etched. The ink supply hole 144 has a shape with scratches 108 as shown in FIG. 4C, and the ink is not supplied correctly, so that it does not function normally as an ink jet recording head.

そこでマスクパターン１０４に傷１０２が付いた場合、傷１０２を補修するためにホウ素を拡散させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   Therefore, a method of diffusing boron in order to repair the scratch 102 when the mask pattern 104 has a scratch 102 has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

この方法ではホウ素を拡散させるためには高温の熱処理が必要であり、特許文献１の実施例では４５０°で４時間以上焼成している。しかし、表側に形成されたアルミニウム合金配線の耐熱性を考慮すれば実際には４００℃程度が限界であり、さらにノズルの形成に樹脂系材料を使用している場合、材料によっては３５０℃程度が処理温度の限界となり、ホウ素の拡散による補修効果は得難い。   In this method, high-temperature heat treatment is necessary for diffusing boron. In the example of Patent Document 1, baking is performed at 450 ° for 4 hours or more. However, considering the heat resistance of the aluminum alloy wiring formed on the front side, the limit is actually about 400 ° C. Further, when a resin material is used for forming the nozzle, about 350 ° C. is used depending on the material. It becomes the limit of the processing temperature, and it is difficult to obtain the repair effect by boron diffusion.

また、熱処理温度を４００℃として補修した場合でも、表面にノズルを形成する工程を行なわねばならないが、既に貫通孔を設けてある状態でのノズル形成は極めて困難であり、事実上不可能である。さらに貫通孔開口のためのマスクパターンを設けた後にノズルを形成し、その後に貫通孔を形成するという順番で工程を行なった場合は、ノズル形成の際に再度傷が付く恐れがあるため、ホウ素の拡散による補修効果は低い。   Further, even when repairing at a heat treatment temperature of 400 ° C., it is necessary to carry out a step of forming a nozzle on the surface, but it is extremely difficult and practically impossible to form a nozzle with a through hole already provided. . Furthermore, if the nozzles are formed after providing the mask pattern for opening the through holes and then the through holes are formed in that order, there is a risk of scratching again when forming the nozzles. The repair effect due to diffusion is low.

あるいは、Ｓｉ基板の裏面を研磨して傷やゴミを取り除く方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。   Alternatively, a method of removing the scratches and dust by polishing the back surface of the Si substrate has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

しかしこの方法では、エッチングマスクを酸化膜や窒化膜で形成する場合、酸化膜なら熱酸化やスパッタリング、窒化膜ならプラズマＣＶＤ等の成膜方法を用いると、成膜時に例えば最低３００℃といった高温が必要とされるため、インク流路の型材やオリフィスプレート材として樹脂を用いることが耐熱的に困難であるという問題を抱えている。   However, in this method, when the etching mask is formed of an oxide film or a nitride film, if a film forming method such as thermal oxidation or sputtering is used for the oxide film and plasma CVD is used for the nitride film, a high temperature such as a minimum of 300 ° C. is used during the film formation. Therefore, there is a problem that it is difficult to use a resin as a mold material or an orifice plate material for the ink flow path.

そのため、裏面を研磨した後に有機系の材料によってインク供給口を形成するためのエッチングマスクパターンを形成することで熱の問題を回避しているが、実際には有機膜をＳｉ基板に着膜したのちにＫＯＨあるいはＴＭＡＨを使用して異方性エッチングにより貫通孔を開口するには、Ｓｉ基板と有機膜との密着性が弱いためエッチングパターンが広がるので貫通孔の形成は不能であり、あるいはＳｉ基板から有機膜が剥がれてしまうことが発明者らによって検証されている。   For this reason, the problem of heat is avoided by forming an etching mask pattern for forming an ink supply port with an organic material after the back surface is polished, but the organic film is actually deposited on the Si substrate. Later, in order to open a through hole by anisotropic etching using KOH or TMAH, since the adhesion between the Si substrate and the organic film is weak, the etching pattern spreads, so the formation of the through hole is impossible, or Si It has been verified by the inventors that the organic film is peeled off from the substrate.

上記先行技術は、言わば発生した傷を補修する方法である。 実際の製造工程では、Ｓｉ基板の裏面に貫通孔形成のためのパターンを形成したのち、貫通孔開口までの間にノズルを形成する工程が入る。これは、ノズルを先に形成してしまうと、ノズルの素材が樹脂であるため高温処理ができなくなってしまうので、先に高温処理が必要な工程を行うためである。このノズルはＳｉ基板の表側に形成するが、このときＳｉ基板の裏面に新たな傷が発生しエッチングパターン欠陥の原因となる。特にパターンを形成した後では傷の影響が大きい。
特開平１０−０７６７１３号公報 （図６、第３頁） 特開２００１−２７７５２８号公報（図９、第４頁） The above prior art is a method for repairing a wound that has occurred. In an actual manufacturing process, after a pattern for forming a through hole is formed on the back surface of the Si substrate, a process of forming a nozzle before the through hole is opened. This is because if the nozzle is formed first, the material of the nozzle is resin, so that high-temperature processing cannot be performed, and therefore a process that requires high-temperature processing is performed first. This nozzle is formed on the front side of the Si substrate. At this time, a new scratch is generated on the back surface of the Si substrate, causing an etching pattern defect. In particular, after the pattern is formed, the effect of scratches is large.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-077613 (FIG. 6, page 3) JP 2001-277528 A (FIG. 9, page 4)

本発明は上記事実を考慮し、インク供給のための貫通孔を正しく形成できるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above facts, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an ink jet recording head that can correctly form through holes for supplying ink.

請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、Ｓｉ基板の表面に発熱体、ノズルおよび発熱体を制御する論理回路を形成した後にインク供給孔としての貫通孔を裏面から形成するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、前記貫通孔を形成するためのパターンを形成する工程と、前記パターンを保護する保護膜を着膜する工程とを備え、前記貫通孔開口直前の工程において前記保護膜を除去することを特徴とする。   The ink jet recording head manufacturing method according to claim 1, wherein a heat generating element, a nozzle and a logic circuit for controlling the heat generating element are formed on the surface of the Si substrate, and then a through hole as an ink supply hole is formed from the back surface. A method of forming a pattern for forming the through-hole, and a step of depositing a protective film for protecting the pattern, wherein the protective film is formed in a step immediately before opening of the through-hole. It is characterized by removing.

上記構成の発明では、Ｓｉ基板の裏面に貫通孔形成のためのパターンを形成し、これを保護する保護膜を着膜した後にノズルの製造を行なうことで、ノズルの製造工程中にＳｉ基板の裏面が傷付くことを防ぐことができる。   In the invention of the above configuration, a pattern for forming a through hole is formed on the back surface of the Si substrate, and a nozzle is manufactured after depositing a protective film to protect the through hole. The back surface can be prevented from being damaged.

請求項２に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、前記貫通孔を形成するためのパターンは酸化膜であって、前記保護膜は、窒化膜もしくは、樹脂膜、もしくは金属膜であることを特徴とする。   3. The method of manufacturing an ink jet recording head according to claim 2, wherein the pattern for forming the through hole is an oxide film, and the protective film is a nitride film, a resin film, or a metal film. And

上記構成の発明では、貫通孔を形成するためのパターンに酸化膜、保護膜は窒化膜もしくは樹脂膜もしくは金属膜を使用することで、パターンと保護膜を選択的に除去できる製造方法とすることができる。   In the invention having the above-described configuration, an oxide film and a protective film are used for the pattern for forming the through hole, and the manufacturing method can selectively remove the pattern and the protective film by using a nitride film, a resin film or a metal film Can do.

請求項３に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、前記貫通孔を形成するためのパターンは窒化膜であって、前記保護膜は、酸化膜もしくは、樹脂膜、もしくは金属膜であることを特徴とする。   The method for manufacturing an ink jet recording head according to claim 3, wherein the pattern for forming the through hole is a nitride film, and the protective film is an oxide film, a resin film, or a metal film. And

上記構成の発明では、貫通孔を形成するためのパターンに窒化膜、保護膜は酸化膜もしくは樹脂膜もしくは金属膜を使用することで、パターンと保護膜を選択的に除去できる製造方法とすることができる。   In the invention with the above configuration, a nitride film is used as a pattern for forming a through-hole, and an oxide film, a resin film, or a metal film is used as a protective film, so that the pattern and the protective film can be selectively removed. Can do.

本発明は上記構成としたので、インク供給のための貫通孔を正しく形成できるインクジェット記録ヘッドの製造方法とすることができた。   Since the present invention has the above-described configuration, it was possible to provide a method for manufacturing an ink jet recording head that can correctly form through holes for supplying ink.

図１には、本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を表す製造工程が示されている。   FIG. 1 shows a manufacturing process representing the manufacturing method of the ink jet recording head according to the first embodiment of the present invention.

まずＳｉ基板１２の表面にＬＯＧＩＣ回路形成に必要な処理を順次行ってゆく（図示せず）。   First, processing necessary for forming a LOGIC circuit is sequentially performed on the surface of the Si substrate 12 (not shown).

ＬＯＧＩＣ回路形成工程が終わったのち、図１（ａ）のようにＳｉ基板１２（結晶方位＜１００＞の基板、５５０μｍ厚）の表面にヒータ２４、保護膜２６を形成する。   After the LOGIC circuit forming step is completed, a heater 24 and a protective film 26 are formed on the surface of the Si substrate 12 (substrate having a crystal orientation <100>, 550 μm thickness) as shown in FIG.

ヒータ２４は通常、ＴａＮ、ＨｆＢ、ＴａＳｉＯ、ＴａＳｉＮなどで形成される。続いて、ヒータ２４をインクから保護する保護膜２６を形成する。   The heater 24 is usually formed of TaN, HfB, TaSiO, TaSiN or the like. Subsequently, a protective film 26 for protecting the heater 24 from ink is formed.

ここで、ＬＯＧＩＣ回路、ヒータ２４などの形成工程が終了すると、Ｓｉ基板１２の裏面には傷３２やゴミ３４などの異物が付着している。   Here, when the formation process of the LOGIC circuit, the heater 24 and the like is completed, foreign matters such as scratches 32 and dust 34 adhere to the back surface of the Si substrate 12.

そこでＳｉ基板１２の裏面を研磨する。研磨はシリカベースのスラリー（研磨液）を使い、傷が無くなるまで研磨を行う。   Therefore, the back surface of the Si substrate 12 is polished. Polishing is performed using a silica-based slurry (polishing liquid) until scratches are eliminated.

図１（ｂ）のように研磨が終了し、傷３２やゴミ３４が無くなった時点でＳｉ基板１２の裏面にプラズマＣＶＤ法により、酸化膜１４を１μｍ厚で着膜する。   As shown in FIG. 1B, when the polishing is completed and the scratches 32 and dust 34 are eliminated, the oxide film 14 is deposited to a thickness of 1 μm on the back surface of the Si substrate 12 by plasma CVD.

この酸化膜１４上にレジスト（ＯＦＰＲ８００：東京応化製）によってレジストパターンを形成し、ＣＦ系ドライエッチング（ＡＭＪ製Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ５０００Ｅｔｃｈ）により酸化膜１４をパターニングする。これにより酸化膜１４にエッチングパターン４２が形成される。   A resist pattern is formed on the oxide film 14 by a resist (OFPR800: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), and the oxide film 14 is patterned by CF-based dry etching (Precision 5000 Etch manufactured by AMJ). As a result, an etching pattern 42 is formed in the oxide film 14.

その後、酸素プラズマにてレジストを除去し、プラズマＣＶＤ法により窒化膜１６を厚さ１．０μｍ着膜する。この窒化膜１６がＳｉ基板１２の裏面を傷３２から守るための保護膜となる。   Thereafter, the resist is removed with oxygen plasma, and a nitride film 16 having a thickness of 1.0 μm is deposited by plasma CVD. The nitride film 16 serves as a protective film for protecting the back surface of the Si substrate 12 from the scratch 32.

本発明における特徴として、この保護膜の存在および保護膜の組成が挙げられる。すなわち貫通孔を形成するためのパターン４２を保護するために保護膜である窒化膜１６を着膜し、以降の作業工程において傷から保護している。さらに、パターン４２を酸化膜１４で形成する場合は保護膜を窒化膜１６で形成することで、保護膜とパターン４２を選択的に除去することができる。   The present invention includes the presence of the protective film and the composition of the protective film. That is, in order to protect the pattern 42 for forming the through hole, the nitride film 16 which is a protective film is deposited, and it is protected from scratches in the subsequent work steps. Further, when the pattern 42 is formed of the oxide film 14, the protective film and the pattern 42 can be selectively removed by forming the protective film with the nitride film 16.

次に、図１（ｃ）のように溶解可能樹脂３８、樹脂膜３６（ポリイミド）でノズル４０を形成する。   Next, as shown in FIG. 1C, the nozzle 40 is formed of the soluble resin 38 and the resin film 36 (polyimide).

次いで、図１（ｄ）のようにＳｉ基板１２の裏面の保護膜（窒化膜１６）をドライエッチング（例えば芝浦製作所：ＣＤＥ−７−３を使用）によりエッチング除去する。この状態で図１（ｅ）のようにＳｉ基板１２の裏面をTMAH（水酸化テトラメチルアンモニウム）液にて８０℃で１５時間エッチングし、インク供給孔４４を形成する。その後、溶解可能樹脂３８を有機溶剤にて除去し、インク供給孔４４からノズル４０まで続くインク流路を形成する。   Next, as shown in FIG. 1D, the protective film (nitride film 16) on the back surface of the Si substrate 12 is removed by dry etching (for example, using Shibaura Seisakusho: CDE-7-3). In this state, as shown in FIG. 1E, the back surface of the Si substrate 12 is etched with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) solution at 80 ° C. for 15 hours to form ink supply holes 44. Thereafter, the dissolvable resin 38 is removed with an organic solvent, and an ink flow path extending from the ink supply hole 44 to the nozzle 40 is formed.

図２には、本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を表すフローが示されている。   FIG. 2 shows a flow representing the method of manufacturing the ink jet recording head according to the first embodiment of the present invention.

まずステップ５０でＳｉ基板１２の表面にＬＯＧＩＣ回路を形成し、ステップ５２でヒータ２４を同様に形成する。ここまでは従来の製造法と変わる点はない。   First, in step 50, a LOGIC circuit is formed on the surface of the Si substrate 12, and in step 52, the heater 24 is similarly formed. Up to this point, there is no difference from the conventional manufacturing method.

次いでステップ５４でＳｉ基板１２の裏面の傷３２やゴミ３４を除去するためにＳｉ基板１２の裏面を研磨する。工程の初期にＳｉ基板１２の裏面に形成されていた酸化膜は、この時点ではすでに摩滅していると予想されるので、実際にインク供給孔４４形成の妨げになる傷３２が存在する可能性がある。そのためＳｉ基板１２の裏面を研磨し、平滑なシリコンの面を形成する。   Next, in step 54, the back surface of the Si substrate 12 is polished in order to remove scratches 32 and dust 34 on the back surface of the Si substrate 12. Since the oxide film formed on the back surface of the Si substrate 12 at the beginning of the process is expected to be worn away at this point, there is a possibility that there is a scratch 32 that actually prevents the ink supply hole 44 from being formed. There is. Therefore, the back surface of the Si substrate 12 is polished to form a smooth silicon surface.

次にステップ５６でＳｉ基板１２の裏面にプラズマＣＶＤ法で酸化膜１４を着膜し、この酸化膜１４にインク供給孔４４形成のためのパターンを形成する。すなわち、レジストを塗布してパターンを形成し、ＣＦ系ドライエッチングで酸化膜１４にインク供給孔４４形成のためのパターンを形成する。   Next, at step 56, the oxide film 14 is deposited on the back surface of the Si substrate 12 by plasma CVD, and a pattern for forming the ink supply holes 44 is formed on the oxide film 14. That is, a resist is applied to form a pattern, and a pattern for forming the ink supply hole 44 is formed in the oxide film 14 by CF dry etching.

次いでステップ５８でレジストを除去し、保護膜すなわち窒化膜１６をプラズマＣＶＤ法で着膜する。ここまでの工程は樹脂によるノズル４０の形成前に行なわれるので、樹脂の耐熱性を考慮する必要がなく、工程温度の設定を高くすることができる。次にステップ６０にて溶解可能樹脂３８、樹脂膜３６を使用し、Ｓｉ基板１２の表面にノズル４０を形成する。   Next, in step 58, the resist is removed, and a protective film, that is, the nitride film 16 is deposited by plasma CVD. Since the steps up to here are performed before the formation of the nozzle 40 by the resin, it is not necessary to consider the heat resistance of the resin, and the process temperature can be set high. Next, at step 60, the dissolvable resin 38 and the resin film 36 are used, and the nozzle 40 is formed on the surface of the Si substrate 12.

次にステップ６２で保護膜である窒化膜１６をドライエッチングによりエッチング除去し、ステップ６４で酸化膜１４にて形成されたパターンを使用してＴＭＡＨによりインク供給孔４４を形成する。このとき、酸化膜１４にて形成されたパターンは直前まで窒化膜１６によって保護されていたので傷がついている恐れはない。   Next, in step 62, the nitride film 16 which is a protective film is removed by dry etching, and in step 64, the ink supply hole 44 is formed by TMAH using the pattern formed by the oxide film 14. At this time, since the pattern formed by the oxide film 14 is protected by the nitride film 16 until just before, there is no fear of being scratched.

ところで、前述のようにインク供給孔４４形成用パターンをつくる膜種（上記実施例では酸化膜１４）と保護膜（窒化膜１６）は以下のような組み合わせが望ましい。   By the way, as described above, the film type (the oxide film 14 in the above embodiment) and the protective film (nitride film 16) for forming the ink supply hole 44 pattern are preferably combined as follows.

すなわちＴＭＡＨ、ＫＯＨなどによる結晶異方性エッチングのマスク（貫通孔形成用膜種）において好適なものは酸化膜、窒化膜である。   In other words, the oxide anisotropic film and the nitride film are suitable as masks for crystal anisotropic etching using TMAH, KOH, etc. (through hole forming film type).

これに対して保護膜は、傷がつきにくい硬度のものであれば、どんな膜種でも可能であるが、 貫通孔形成用膜と選択的に除去できるもの、すなわち一方のみを除去できるものである必要がある。   On the other hand, the protective film can be of any film type as long as it is hard to be scratched, but can be selectively removed from the through-hole forming film, that is, only one of them can be removed. There is a need.

具体的には、図３に示すように貫通孔形成用膜としての酸化膜に対して保護膜としての窒化膜は、ＣＤＥなどのケミカルドライエッチング、あるいは熱燐酸で選択的に除去できる。樹脂膜を保護膜とした場合は有機溶剤、金属膜の場合はドライエッチング、ウェットエッチングで可能となる（組合せ例１）。   Specifically, as shown in FIG. 3, the nitride film as the protective film can be selectively removed by chemical dry etching such as CDE or hot phosphoric acid with respect to the oxide film as the through hole forming film. When the resin film is used as a protective film, it is possible to use an organic solvent, and when the resin film is a metal film, dry etching and wet etching are possible (combination example 1).

貫通孔形成用膜として窒化膜を選んだ場合も同様に、選択的にエッチングできるものを選ぶことが重要である（組合せ例２）。このとき保護膜は厚いほど保護効果が高いのは当然だが、除去が困難にならない程度に厚く着膜する必要がある。   Similarly, when a nitride film is selected as the through hole forming film, it is important to select one that can be selectively etched (combination example 2). At this time, it is natural that the thicker the protective film is, the higher the protective effect is, but it is necessary to deposit the film so thick that removal is not difficult.

なお、実施例においては、Ｓｉ基板１２は結晶方位＜１００＞としたが、インク供給孔４４のサイズ、形状によっては結晶方位＜１１０＞でもよい。   In the embodiment, the Si substrate 12 has the crystal orientation <100>. However, the crystal orientation <110> may be used depending on the size and shape of the ink supply hole 44.

本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on the 1st form of this invention. 本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on the 1st form of this invention. 本発明の第１形態に係るインクジェット記録ヘッドの膜種と素材の組合せを示す表である。It is a table | surface which shows the film | membrane kind and raw material combination of the inkjet recording head which concerns on the 1st form of this invention. 従来のインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the manufacturing method of the conventional inkjet recording head.

符号の説明Explanation of symbols

１０ インクジェット記録ヘッド
１２ Ｓｉ基板
１４ 酸化膜
１６ 窒化膜
３２ 傷
３４ ゴミ
４０ ノズル
４４ インク供給孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inkjet recording head 12 Si substrate 14 Oxide film 16 Nitride film 32 Scratch 34 Garbage 40 Nozzle 44 Ink supply hole

Claims (3)

Ｓｉ基板の表面に発熱体、ノズルおよび発熱体を制御する論理回路を形成した後にインク供給孔としての貫通孔を裏面から形成するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、
前記貫通孔を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記パターンを保護する保護膜を着膜する工程とを備え、
前記貫通孔開口直前の工程において前記保護膜を除去することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。 A method for manufacturing an ink jet recording head, wherein a through hole as an ink supply hole is formed from the back surface after forming a logic circuit for controlling a heating element, a nozzle and a heating element on the surface of a Si substrate,
Forming a pattern for forming the through hole;
Depositing a protective film for protecting the pattern,
A method of manufacturing an ink jet recording head, wherein the protective film is removed in a step immediately before opening of the through hole. 前記貫通孔を形成するためのパターンは酸化膜であって、前記保護膜は、窒化膜もしくは、樹脂膜、もしくは金属膜であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。 2. The method of manufacturing an ink jet recording head according to claim 1, wherein the pattern for forming the through hole is an oxide film, and the protective film is a nitride film, a resin film, or a metal film. . 前記貫通孔を形成するためのパターンは窒化膜であって、前記保護膜は、酸化膜もしくは、樹脂膜、もしくは金属膜であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。 2. The method of manufacturing an ink jet recording head according to claim 1, wherein the pattern for forming the through hole is a nitride film, and the protective film is an oxide film, a resin film, or a metal film. .
JP2003325778A 2003-09-18 2003-09-18 Manufacturing method for inkjet recording head Pending JP2005088398A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003325778A JP2005088398A (en) 2003-09-18 2003-09-18 Manufacturing method for inkjet recording head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003325778A JP2005088398A (en) 2003-09-18 2003-09-18 Manufacturing method for inkjet recording head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005088398A true JP2005088398A (en) 2005-04-07

Family

ID=34456137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003325778A Pending JP2005088398A (en) 2003-09-18 2003-09-18 Manufacturing method for inkjet recording head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005088398A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102741155A (en) * 2010-01-14 2012-10-17 佳能株式会社 Structure manufacturing method and liquid discharge head substrate manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102741155A (en) * 2010-01-14 2012-10-17 佳能株式会社 Structure manufacturing method and liquid discharge head substrate manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2493809B1 (en) Structure manufacturing method and liquid discharge head substrate manufacturing method
JP4671200B2 (en) Inkjet printhead manufacturing method
JPH071737A (en) Low-temperature, single-side, and multiple step etching process for making large- and small-size structure
JP4480132B2 (en) Manufacturing method of liquid discharge head
CN101836283B (en) Formation of a slot in a silicon substrate
JP2005088398A (en) Manufacturing method for inkjet recording head
US20120231565A1 (en) Process for producing a substrate for a liquid ejection head
US20090078675A1 (en) Method of removing photoresist
JP2007160625A (en) Etching method for silicon substrate, inkjet recording head and its manufacturing method
JP4217434B2 (en) Through-hole forming method and inkjet head using the same
JP4466022B2 (en) Method for manufacturing ink jet recording head
TW504460B (en) Chip protection device
JP7146572B2 (en) SUBSTRATE FILM METHOD AND LIQUID EJECTION HEAD MANUFACTURE METHOD
SG178435A1 (en) Method of removing photoresist and etch-residues from vias
JP2010005795A (en) Method of manufacturing liquid jet recording head
JP2000195767A (en) Method of marking semiconductor substrate
JP2007245638A (en) Manufacturing method of inkjet recording head
JP2006224590A (en) Method for manufacturing inkjet recording head
JP2004262241A (en) Processing method of substrate, and manufacturing method of substrate for inkjet record head
TW201107906A (en) Method of removing photoresist and etch-residues from vias
JPH10138497A (en) Manufacture of ink jet recording head
JP2007245407A (en) Semiconductor device with inkjet function and its manufacturing method
JP2006225745A (en) Structure of thin film element and method for producing the same
JP2014046665A (en) Method for manufacturing liquid discharge head
JP2005132053A (en) Manufacturing method for inkjet recording head