JP2005079580A - 複数の発光領域を有するレーザー装置 - Google Patents
複数の発光領域を有するレーザー装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005079580A JP2005079580A JP2004245787A JP2004245787A JP2005079580A JP 2005079580 A JP2005079580 A JP 2005079580A JP 2004245787 A JP2004245787 A JP 2004245787A JP 2004245787 A JP2004245787 A JP 2004245787A JP 2005079580 A JP2005079580 A JP 2005079580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser device
- semiconductor
- cooling element
- layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
- H01S5/405—Two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体(1)が、モノリシックに集積化されて構成されており、さらに冷却要素(2)が設けられ、該冷却要素(2)の上に当該半導体(1)が設けられるように構成する。
【選択図】図1
Description
2 冷却要素
3 基板
4 第1の導波路層
5 活性層
6 第2の導波路層
7 トンネル接合部
8 第3の導波路層
9 活性層
10 第4の導波路層
11 コンタクト層
12 固着層
13 孔部
15 発光領域
Claims (12)
- 半導体(1)を備えたレーザー装置であって、前記半導体(1)は、レーザービーム生成のために垂直方向に積層的に配置された複数の活性層(5,9)を有しており、該活性層は、横方向でそれぞれ複数の発光領域(15)に分割され、垂直方向でそれぞれ電気的に直列に接続されている形式のレーザー装置において、
前記半導体(1)が、モノリシックに集積化されて構成されており、さらに冷却要素(2)が設けられており、該冷却要素(2)の上に当該半導体(1)が設けられていることを特徴とするレーザー装置。 - 前記活性層(5,9)は、それぞれ導波路構造部内へ埋め込まれている、請求項1記載のレーザー装置。
- 前記導波路構造部は、LOC型導波路として構成されている、請求項2記載のレーザー装置。
- 前記活性層(5,9)は、量子井戸構造部として構成されている、請求項1記載のレーザー装置。
- 垂直方向で隣接する2つの活性層(5,9)の間の間隔は、100μmよりも小さく、有利には20μmよりも小さく、特に有利には5μmよりも小さい、請求項1記載のレーザー装置。
- 前記冷却要素(2)は、マイクロチャネル型冷却体である、請求項1から5いずれか1項記載のレーザー装置。
- 前記半導体は、冷却要素(2)の上にろう付け若しくは接着されている、請求項1から6いずれか1項記載のレーザー装置。
- 前記半導体は、冷却要素(2)上に挟み込まれている、請求項1から7いずれか1項記載のレーザー装置。
- 前記半導体と冷却要素(2)の間に、カーボンチューブを含んだ手段が設けられている、請求項8記載のレーザー装置。
- 作動中の光学的出力特性が、総合的に100Wよりも大きく、有利には200Wよりも大きい、請求項1から9いずれか1項記載のレーザー装置。
- 前記冷却要素(2)上に、活性層(5,9)に後置接続された光学系が設けられている、請求項1から10いずれか1項記載のレーザー装置。
- 垂直方向で積層的に配置された活性層(5,9)が、それぞれトンネル接合部(7)によって電気的に直列に接続されている、請求項1から11いずれか1項記載のレーザー装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10340269 | 2003-08-29 | ||
DE102004003524A DE102004003524A1 (de) | 2003-08-29 | 2004-01-23 | Laservorrichtung mit mehreren Emissionszonen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079580A true JP2005079580A (ja) | 2005-03-24 |
Family
ID=34424299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004245787A Pending JP2005079580A (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-25 | 複数の発光領域を有するレーザー装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7271419B2 (ja) |
JP (1) | JP2005079580A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101641786B (zh) * | 2007-03-30 | 2012-12-12 | 库拉米克电子学有限公司 | 具有散热装置的模块单元 |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2020036013A1 (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置及び投射型表示装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006039396A1 (de) * | 2006-08-22 | 2008-03-13 | Robert Bosch Gmbh | Laserlichtquelle |
DE102007001743A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
EP1906496B1 (de) | 2006-09-29 | 2010-01-06 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
DE102007051315B4 (de) * | 2007-09-24 | 2018-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102009040835A1 (de) | 2009-09-09 | 2011-03-10 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Verfahren zum thermischen Kontaktieren einander gegenüberliegender elektrischer Anschlüsse einer Halbleiterbauelement-Anordnung |
DE102009054564A1 (de) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
DE102010002966B4 (de) * | 2010-03-17 | 2020-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
DE102012109175B4 (de) * | 2012-09-27 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode |
CN104966992B (zh) * | 2015-05-27 | 2018-03-13 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208889A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | アメリカン・テレフォン・アンド・テレグラフ・カムパニー | 半導体レ−ザ |
JPH0423378A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH11103132A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 2次元ldアレイ素子及びld励起固体レーザ |
JP2000077777A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 |
WO2000014837A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Anordnung mit lichtemittierendem leistungshalbleiterbauelement sowie verfahren zur herstellung derselben |
WO2001009997A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Mehrfach-halbleiterlaserstruktur mit schmaler wellenlängenverteilung |
JP2002038033A (ja) * | 2000-05-19 | 2002-02-06 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2002146672A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性充填剤及び熱伝導性接着剤並びに半導体装置 |
JP2002314188A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57170584A (en) | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
US4831630A (en) | 1983-04-14 | 1989-05-16 | Xerox Corporation | Phased-locked window lasers |
DE19821544A1 (de) | 1998-05-14 | 1999-12-16 | Jenoptik Jena Gmbh | Diodenlaserbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE19952712A1 (de) | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenvorrichtung |
DE10057698A1 (de) | 2000-11-21 | 2002-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser |
-
2004
- 2004-08-25 JP JP2004245787A patent/JP2005079580A/ja active Pending
- 2004-08-27 US US10/926,903 patent/US7271419B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208889A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | アメリカン・テレフォン・アンド・テレグラフ・カムパニー | 半導体レ−ザ |
JPH0423378A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH11103132A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 2次元ldアレイ素子及びld励起固体レーザ |
JP2000077777A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 |
WO2000014837A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Anordnung mit lichtemittierendem leistungshalbleiterbauelement sowie verfahren zur herstellung derselben |
WO2001009997A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Mehrfach-halbleiterlaserstruktur mit schmaler wellenlängenverteilung |
JP2002038033A (ja) * | 2000-05-19 | 2002-02-06 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 熱伝導性シート |
JP2002146672A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性充填剤及び熱伝導性接着剤並びに半導体装置 |
JP2002314188A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101641786B (zh) * | 2007-03-30 | 2012-12-12 | 库拉米克电子学有限公司 | 具有散热装置的模块单元 |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2020036013A1 (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置及び投射型表示装置 |
CN112567294A (zh) * | 2018-08-16 | 2021-03-26 | 索尼公司 | 光源装置和投影型显示装置 |
US11490059B2 (en) | 2018-08-16 | 2022-11-01 | Sony Corporation | Light source device and projection type display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7271419B2 (en) | 2007-09-18 |
US20050087735A1 (en) | 2005-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106505410B (zh) | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | |
US8432945B2 (en) | Laser diode combiner modules | |
US7724791B2 (en) | Method of manufacturing laser diode packages and arrays | |
US7792173B2 (en) | Semiconductor laser device | |
US9966730B2 (en) | Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof | |
JP6083194B2 (ja) | 面発光型半導体レーザアレイ装置、光源および光源モジュール | |
WO2013150715A1 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US9859681B2 (en) | Optical device and light irradiation apparatus | |
US20070217470A1 (en) | Laser diode stack end-pumped solid state laser | |
JP2019532497A (ja) | カーボンナノチューブを利用した高出力レーザパッケージング | |
JP2005079580A (ja) | 複数の発光領域を有するレーザー装置 | |
US20200328574A1 (en) | Increase VCSEL Power Using Multiple Gain Layers | |
JP5259166B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2005150692A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH04264789A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US9231374B2 (en) | Multi-beam semiconductor laser device | |
US7113528B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP2005317896A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20090042327A1 (en) | Method for assembling array-type semiconductor laser device | |
JP5380135B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JP2015153862A (ja) | 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 | |
JP5280119B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2013179210A (ja) | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2006319011A (ja) | ペルチェモジュールおよび半導体レーザ発光装置 | |
WO2022220173A1 (ja) | 半導体レーザモジュールおよびレーザ加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070427 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100624 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100921 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110706 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111003 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111006 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120711 |