JP2005072130A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 モニタ用フォトダイオードの表面反射光の影響を簡易な構造によって抑制可能な新たな半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体レーザチップ１８と、半導体レーザチップ１８の共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオード１２とを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、モニタ用フォトダイオード１２の受光面を含む第１主面が、半導体レーザチップ１８の光軸に対して傾けて設置されると共に、モニタ用フォトダイオード１２の第１主面の傾斜方向及び傾斜角は、半導体レーザチップ１８の後端面から出射して第１主面で反射した光が、半導体レーザチップ１８をパッケージ内で支持している支持ブロックに入射するように制御されていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本件発明は、半導体レーザ装置に関し、詳細には、共振器後端面の反射率が相対的に低いレーザダイオードをモニタ用フォトダイオードと共に実装した半導体レーザ装置に関する。

一般に、ＴＯ−ＣＡＮ型等の半導体レーザ装置では、パッケージ内に半導体レーザチップと該レーザチップの出力光量をモニタするモニタ用フォトダイオードを搭載している。半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタ用フォトダイオードによって検出し、半導体レーザチップの駆動回路にフィードバックをかけることにより、半導体レーザ装置の出力を一定に保つことができる。

モニタ用フォトダイオードでは、受光部の周囲から入射した光がフォトダイオード内部を伝播して検出部に到達すると、本来の検出光から遅延した信号が生じることになり、光学応答の周波数特性が劣化する。このため、受光部周囲からの光入射を防止するため、受光部周囲にメタルマスクを施す場合が多い。このメタルマスクは高反射膜として機能するため、（ａ）反射光が半導体レーザチップの共振器内に再び戻って外部共振器として機能してしまう、（ｂ）反射光が出射光と共にパッケージ外に漏れ出してレーザのファーフィールドパターン（以下、「ＦＦＰ」）にリップルが生じる、といった問題が生じる。

そこで、こうした問題を解決するために、種々の構造が提案されている。例えば、特許文献１では、レーザチップの前端面から出射した光だけが通過するような孔を設けた遮光物体をレーザチップの前方に設けると共に、レーザチップを実装するキャンの内面を黒色に塗装することにより、モニタ用フォトダイオードの表面から反射光が漏れ出ることを抑制している（特許文献１、図１）。また、特許文献２では、レーザチップの後端面から出射した光だけが通過可能な孔を設けた遮光箱によってモニタ用フォトダイオードの周囲を覆っている（特許文献２、図１）。特許文献３では、モニタ用フォトダイオードのメタルマスク表面にＳｎウィスカを形成して反射光を乱反射させることにより、モニタ用フォトダイオードの表面から反射した光がレーザチップに戻ることを防止する（特許文献３、第１図）。

特開平９−２３２６８３号公報 実開平６−４５３６３号公報 特開平２−２５３６６４号公報

しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置では、下記のような問題があった。
まず、特許文献１や特許文献２のように、遮光板や遮光箱をパッケージ内に設置した場合、半導体レーザ装置のパッケージ内部構成が複雑になる。そのため、実装コストが上昇すると共に、パッケージサイズの小型化が困難となってしまう。

また、特許文献３のように、モニタ用フォトダイオードのメタルマスクの表面にウィスカを形成した場合、成長したウィスカがモニタ用フォトダイオードのリング電極とメタルマスクを短絡させたり、周辺回路パターンにウィスカが飛散して回路パターンの断線を引き起こすといった問題がある。

そこで本件発明は、モニタ用フォトダイオードの表面反射光の影響を簡易な構造によって抑制可能な新たな半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

上記問題点を解決するために、本件第１発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面が、前記半導体レーザチップの光軸に対して傾けて設置されると共に、前記第１主面の傾斜方向及び傾斜角は、前記半導体レーザチップの後端面から出射して該第１主面で反射した光が、前記半導体レーザチップを支持している支持部材に入射するように制御されていることを特徴とする。

また、本件第２発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光するメタルマスクが形成されており、該メタルマスクの表面が粗面化されていることを特徴とする。

さらに、本件第３発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、 前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光するメタルマスクが形成されており、該メタルマスクの表面が無反射処理されていることを特徴とする。

またさらに、本件第４発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光する吸収層が形成されており、該吸収層が前記半導体レーザチップの発光波長に吸収を示すことを特徴とする。

本件第１乃至第４発明によれば、遮光板や遮光箱等の新たな構成部材を用いることなく、簡易な構造によってモニタ用フォトダイオードの表面反射光の影響を抑制することができる。従って、実装コストを低減し、パッケージサイズを容易に小型化することができる。

以下、本件発明の構成について図面を参照しながら説明する。図中、同一又は対応する部材には同一符号を付している。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。
ステム４とキャップ６とから成るＴＯ−ＣＡＮ型パッケージ内に、半導体レーザチップ１８（以下、「レーザチップ１８」）と、レーザチップ１８の共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオード１２（以下、「フォトダイオード１２」）とが実装されている。レーザチップ１８は、レーザ用サブマウント１６（以下、「ＬＤ用サブマウント１６」）の上に設置されており、ＬＤ用サブマウント１６は支持ブロック１４によってステム４に固定されている。一方、モニタ用フォトダイオード１２は、フォトダイオード用サブマウント１０（以下、「ＰＤ用サブマウント１０」）の上に設置されており、ＰＤ用サブマウント１０は傾斜した台座８によってステム４に固定されている。ステム４の下面に端子２ａ及び２ｂが設けられており、レーザチップ１８及びフォトダイオード１２に電流を供給している。また、ステム４には、レーザチップ１８とフォトダイオード１２を覆うように金属製キャップ６が固定されており、キャップ６の上面に透光性窓部材７が嵌め込まれている。

図１に示すように、レーザチップ１８は、その共振器の長手軸がステム４に対して垂直となるように固定されており、レーザチップ１８の共振器前端面から出射した光２０は、透光性窓部材７を通じてパッケージ外部に出射される。一方、フォトダイオード１２は、図２に示すように、レーザチップ１８の後端面側に設置されており、後端面から出射した光が受光面に入射するように固定されている。レーザチップ１８の共振器後端面から出射した光の大部分はフォトダイオード１２の受光面に入射するが、一部はフォトダイオード１２の表面で反射して反射光２２となる。本実施の形態では、フォトダイオード１２が台座８によってステム４に対して傾斜して固定されているため、フォトダイオード１２の受光面を含む表面（＝第１主面）が、レーザチップ１８の光軸に対して傾斜している。そのため、フォトダイオード１２の表面で反射した反射光２２がレーザチップ１８の共振器に戻ってレーザ発振に影響を及ぼすことを防止することができる。

また、フォトダイオード１２は、図１に示すように、その表面からの反射光２２がレーザチップの支持ブロック１４に当たる方向に傾斜されている。そのため、反射光２２は支持ブロック１４によって反射され、透光性窓部材７の外側に進行する。従って、反射光が出射光と共にパッケージ外に漏れ出してレーザのＦＦＰにリップルが生じることを防止することができる。

このように本実施の形態に係る半導体によれば、遮光板や遮光箱のような部材を用いることなく、極めて簡易な構成によって反射光の影響を抑制することができる。従って、実装コストを低減し、パッケージサイズを容易に小型化することができる。

尚、本実施の形態においては、フォトダイオード１２の表面で反射した光を支持ブロック１４の表面で反射させることにより、パッケージの外部に漏れ出ることを抑制する。従って、支持ブロック１の形態や材質は、支持ブロック１自身の反射率が低くなるように選択することが好ましい。例えば、支持ブロック１４の表面を粗面にして光を乱反射させることにより、透光性窓部材７に向かう方向への反射率を低減することができる。また、支持ブロック１４の表面を黒色にして反射率を低減しても良い。

尚、本発明は、種々の形式の半導体レーザ装置に適用可能であるが、特に、共振器後端面の反射率が相対的に低いレーザチップを用いた半導体レーザ装置に適用することが好ましい。一般的なレーザダイオードチップでは、へき開端面に端面保護と反射率制御の目的で、誘電体膜がコーティングされている。通常のファブリペロー型や均一な回折格子を持つ分布帰還型レーザダイオードチップでは、図３（ａ）に示すように、共振器の前端面１８ａに比べて後端面１８ｂの反射率が遥かに高く制御されており、前端面１８ａには反射率が約０．３％以下の低反射コート２３が形成されているのに対し、後端面１８ｂには反射率が６０〜９０％の高反射コート２４が形成されている。このため、モニタ用フォトダイオード側に出射する光量は相対的に僅かであり、モニタ用フォトダイオードの表面で反射した光がパッケージの前面から漏れ出ても大きな問題とならない。

これに対し、単一縦モードを実現するために共振器中央で回折格子周期をずらした構造をもつ位相シフト型分布帰還型レーザダイオードでは、図３（ｂ）に示すように、共振器の前端面１８ａと後端面１８ｂとが略同一の反射率に制御されており、前端面１８ａと後端面１８ｂの両方に反射率０．３％以下の低反射コート２３が形成されている。このように前端面１８ａと後端面１８ｂの反射率が略同一である場合、前後面の光量が同程度である。従って、このようなレーザダイオードチップをＴＯ−ＣＡＮ型のようなパッケージに搭載すると、後端面１８ｂから出射してモニタ用フォトダイオード１２の表面で反射して戻ってくる光が前端面から出射した光と同程度の光量を持つことになり、ＦＦＰが図４に示すようなＦＦＰ形状異常を起こしたり、前面に出射される光を測定する際に微分効率を過大に評価してしまう、といった極めて顕著な不具合が発生する。尚、図４において、波形３０は正常なＦＦＰを表し、波形３２は反射光の影響によって異常になったＦＦＰを表す。

従って、本件発明を、共振器の前端面と後端面の反射率が略同一であるレーザチップ、例えば、位相シフト型分布帰還型レーザダイオードチップに適用することにより、上記問題点を解消して、極めて優れた半導体レーザ装置を構成することができる。

実施の形態２．
本実施の形態では、モニタ用フォトダイオードの表面における光反射率を低減することにより、フォトダイオードの表面における反射光がパッケージ外に漏れ出ることを防止する。

まず、一般的なモニタ用フォトダイオードの構造について説明する。図６（ａ）及び（ｂ）は、モニタ用フォトダイオードの一例を示す上面図及び断面図である。化合物半導体基板上にＩｎＧａＡｓＰ系等の化合物半導体層をエピタキシャル成長した積層体４０上に反射防止膜として機能する誘電体膜４２が形成されており、その上に円形の受光部４５を囲むように配置された環状のリング電極４４が形成されている。リング電極４４の一部は矩形の電極パッド４４ａと接続している。また、リング電極４４は、誘電体膜４２の一部をエッチング除去して形成したコンタクトホールを通じて半導体層４０と接続している。受光部４５とリング電極４４を除く領域には、ほぼ全面に渡って遮光用のメタルマスク４６が形成されている。メタルマスク４６は、受光部４５の周囲から光が入射して本来の検出光から遅延した信号が生じることを防止し、フォトダイオードの周波数特性を高める役割を果たす。

図７は、本実施の形態におけるモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。図７では、図面の簡単のためリング電極４４を省略すると共に、メタルマスク４６と受光部４５の境界近傍の構造のみ示している。ＩｎＰ基板３４の上に、ＩｎＰ層３５、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３６、ＩｎＰ層３８がエピタキシャル成長されて積層体４０が形成され、その上に誘電体膜４２が形成され、さらにメタルマスク４６が形成されている。メタルマスク４６の表面は粗面化されており、レーザ光を散乱する。

図５は、図７に示すフォトダイオードを実装した半導体レーザ装置を示す断面図である。モニタ用フォトダイオードの配置を除いて、実施の形態１と同様である。図５に示す例では、図７に示したフォトダイオード１２と位相シフト型分布帰還型レーザダイオードチップ１８とがＴＯ−ＣＡＮ型パッケージ内に実装されている。フォトダイオード１２の表面は粗面化されているため、フォトダイオード１２の表面で反射光が乱反射して前面への戻り光が抑制され、ＦＦＰ形状異常や微分効率の過大評価といった問題点を解消することができる。

本実施の形態では、モニタ用フォトダイオード１２の表面で散乱を起こすことによって反射光の影響を抑制するため、モニタ用フォトダイオード１２の設置方向や設置角度は特に制限されない。但し、メタルマスク４６の表面が持つ散乱能があまり高くない場合には、フォトダイオード１２の受光面を含む表面（＝第１主面）をレーザチップ１８の光軸に対して傾斜させて設置することが好ましい。このことによって、フォトダイオード１２の表面で反射した正反射光がレーザチップ１８の共振器に戻ってレーザ発振に影響を及ぼすことを防止できる。

本実施の形態に係るフォトダイオードは、次のようにして製造することができる。
まず、図８（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板３４上に、ＩｎＰ層３５、ＩｎＧａＡｓＰ吸収層３６、ＩｎＰ層３８、誘電体膜４２を形成し、受光部となる部分にフォトレジスト５０を形成した上で、金属膜４６を形成する。金属膜４６の材料は特に限定されないが、誘電体膜４２と密着性の良い材料を用いることが好ましい。また、金属膜４６の形成には、例えば、スパッタ法、蒸着法、電解めっき法等を用いることができる。

次に、図８（ｂ）に示すように、金属膜４６の表面を、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを用いた物理スパッタ法によって粗面化する。粗面化処理を行う物理スパッタ法としては、プラズマ原子を金属膜に直接衝突させる方法を用いることが好ましい。例えば、平行平板プラズマ励起法、ＤＣマグネトロン法、ヘリコン波プラズマ法、ＥＣＲ法、ＩＣＰ法等を用いることができる。

そして、レジスト５０を除去することにより、図８（ｃ）に示すように、受光部４５の周囲に、粗面化した金属膜４６を形成することができる。

尚、物理スパッタ法によって金属膜４６の表面を粗面化する代わりに、金属膜４６を成長させる際にカラム状構造や柱状構造となるよう成長しても良い。例えば、反応性スパッタ法や電解めっき法を用いて条件を適宜調整することにより、カラム状構造や柱状構造に成長させることが可能である。これらの方法によってメタルマスク４６の表面を粗面化すれば、特許文献３のようにウィスカによる短絡や回路断線といった問題が生じることがなく、ＦＦＰ形状に優れた半導体レーザ装置を安定して製造することができる。

実施の形態３．
本実施の形態では、モニタ用フォトダイオードのメタルマスクを無反射処理することによって、反射光の影響を低減する。その他の点は、実施の形態２と同様である。
図９は、本実施の形態に係るモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。ＩｎＰ基板３４の上に、ＩｎＰ層３５、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３６、ＩｎＰ層３８がエピタキシャル成長されて積層体４０が形成され、その上に誘電体膜４２が形成され、さらにメタルマスク４７が形成されている。メタルマスク４７の表面は酸化によって無反射処理されている。従って、図９に示すフォトダイオードをモニタ用に用いることにより、フォトダイオードの表面で反射光が抑制され、ＦＦＰ形状異常や微分効率の過大評価といった問題点を解消することができる。

メタルマスク４７を無反射処理するには、例えば、酸化すると黒色となる金属材料を成長させた後、酸化処理を行えば良い。酸化すると黒色となる金属材料としては、ＡｇやＴｉ等を用いることが好ましい。金属材料を酸化して黒色にすることにより、金属材料の表面が粗面化してレーザ光を散乱し易くなると共に、レーザ光を吸収することも可能となり、優れた無反射特性が得られる。

尚、本実施の形態において、図９に示すように、成長した金属膜を全て酸化層４７にしても良いし、図１１に示すように、成長した金属膜の上層部のみを酸化させることにより、金属層４６と酸化層４７の２層構造としても良い。

本実施の形態に係るフォトダイオードは、次のようにして製造することができる。
まず、図１０（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板３４上に、ＩｎＰ層３５、ＩｎＧａＡｓＰ吸収層３６、ＩｎＰ層３８、誘電体膜４２を形成し、受光部となる部分にフォトレジスト５０を形成した上で、金属膜４６を形成する。金属膜４６の材料は特に限定されないが、Ａｇ又はＴｉを用いることが好ましい。

次に、図１０（ｂ）に示すように、金属膜４６の表面に酸化処理を施して酸化層４７にする。酸化処理には、酸素原子をプラズマ化させてターゲットの衝突させるような装置を用いることが好ましい。例えば、Ｏ_２アッシャー等を用いることができる。そして、図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト５０を除去することにより、受光部の周囲にのみ酸化層４７が形成された構造を得ることができる。

実施の形態４．
本実施の形態では、モニタ用フォトダイオードのメタルマスクを吸収層に変えることによって、反射光の影響を低減する。その他の点は、実施の形態２又は３と同様である。
図１２は、本実施の形態に係るモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。ＩｎＰ基板３４の上に、ＩｎＰ層３５、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層３６、ＩｎＰ層３８がエピタキシャル成長されて積層体４０が形成され、その上に誘電体膜４２が形成され、さらにメタルマスクに代えて光吸収層４８が形成されている。

光吸収層４８は、半導体レーザチップの発光波長に吸収を示す吸収層から成り、フォトダイオードの受光部以外からフォトダイオード内に光が侵入することを防止するため、メタルマスクと同様にフォトダイオードの周波数特性を改善する役割を果たす。また、光吸収層４８は、レーザ光に吸収を示す材料から成るため、レーザ光を殆ど反射しない。従って、図１２に示すフォトダイオードをモニタ用に用いてＴＯ−ＣＡＮ型半導体レーザ装置を構成することにより、フォトダイオードの周波数特性を高く維持しながら、ＦＦＰ形状異常や微分効率の過大評価といった問題点を解消することができる。

光吸収層４８は、半導体レーザチップの発光波長に吸収を示す材料であれば特に限定されないが、半導体材料、特に、バンドギャップエネルギーが半導体レーザチップの発光ピークエネルギーよりも小さな半導体材料から成ることが好ましい。中でも、モニタ用フォトダイオードの光吸収層と略同一の組成を有する半導体材料であることが好ましい。このような半導体を光吸収層４８として用いることにより、新たな材料を工程に持ち込むことなく従来の半導体製造工程によって製造できるため、製造コストを低減できると共に、汚染等による不良も発生しにくくなる。

本実施の形態に係るフォトダイオードは、次のようにして製造することができる。
まず、図１３（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ吸収層、ＩｎＰ層から成る積層体４０を形成し、さらに誘電体膜４２を形成する。そして、受光部となる部分にフォトレジスト５０を形成した上で、光吸収層４８を形成する。光吸収層４８は、積層体中の吸収層と略同一組成を持つＩｎＧａＡｓＰによって構成することが好ましい。

次に、図１３（ｂ）に示すように、フォトレジスト５０を除去することにより、受光部の周囲にのみ光吸収層４８が形成された構造を得ることができる。

上記実施の形態１乃至４では、各々異なる原理によってモニタ用フォトダイオードの表面反射光の影響を低減する手法について説明したが、これらは適宜組み合わせて用いても良い。例えば、実施の形態１で説明したフォトダイオードの配置を採用し、さらに、フォトダイオードの表面反射率を実施の形態２乃至４で説明した手法によって低減しても良い。また、実施の形態４で説明した光吸収層を、実施の形態２で説明した方法によって粗面化する等、実施の形態２乃至４の反射率低減手法を適宜組み合わせても良い。

図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。 図２は、レーザダイオード１８とフォトダイオード１２の配置関係を示す模式図である。 図３（ａ）は、ファブリペロー型又は均一回折格子分布帰還型半導体レーザチップにおける前後面の反射率の関係を示す模式図であり、図３（ｂ）は、位相シフト型分布帰還型半導体レーザチップにおける前後面の反射率の関係を示す模式図である。 図４は、正常な場合（符号３０）と反射光の影響によって異常になった場合（符号３２）のＦＦＰ形状を示すグラフである。 図５は、実施の形態２における半導体レーザ装置を示す断面図である。 図６（ａ）は、一般的なモニタ用フォトダイオードの構造を示す上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のｂ−ｂ´断面における断面図である。 図７は、実施の形態２におけるモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。 図８（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態２におけるモニタ用フォトダイオードの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図９は、実施の形態３におけるモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。 図１０（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態３におけるモニタ用フォトダイオードの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図１１は、実施の形態３におけるモニタ用フォトダイオードの構造の別例を示す断面図である。 図１２は、実施の形態４におけるモニタ用フォトダイオードの構造を模式的に示す断面図である。 図１３（ａ）〜（ｂ）は、実施の形態４におけるモニタ用フォトダイオードの製造方法を模式的に示す工程断面図である。

符号の説明

１ 半導体レーザ装置、 ４ ステム、 ６ キャップ、 ７ 透光性窓部材、 １２ モニタ用フォトダイオード、 １４ 支持ブロック（＝支持部材）、 １６ ＬＤ用サブマウント、 １８ レーザダイオードチップ

Claims (11)

1. 半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、
   前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面が、前記半導体レーザチップの光軸に対して傾けて設置されると共に、
   前記第１主面の傾斜方向及び傾斜角は、前記半導体レーザチップの後端面から出射して該第１主面で反射した光が、前記半導体レーザチップをパッケージ内で支持している支持部材に入射するように制御されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、
   前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光するメタルマスクが形成されており、該メタルマスクの表面が粗面化されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 前記メタルマスクの表面が、物理スパッタ法によって粗面化されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記メタルマスクの少なくとも表面が、カラム状又は柱状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
5. 半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、
   前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光するメタルマスクが形成されており、該メタルマスクの表面が無反射処理されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
6. 前記無反射処理が、メタルマスクを構成する金属の酸化処理であることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
7. 前記メタルマスクを構成する金属が、Ａｇ又はＴｉであることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体レーザ装置。
8. 半導体レーザチップと、該半導体レーザチップの共振器後端面から出射した光をモニタするモニタ用フォトダイオードとを同一パッケージ内に実装した半導体レーザ装置であって、
   前記モニタ用フォトダイオードの受光面を含む第１主面に、該受光面の周囲を遮光する光吸収層が形成されており、該光吸収層が前記半導体レーザチップの発光波長に吸収を示すことを特徴とする半導体レーザ装置。
9. 前記光吸収層が、前記半導体レーザチップの発光波長に吸収を示す半導体から成ることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ装置。
10. 前記吸収層を構成する半導体が、前記モニタ用フォトダイオードの光吸収層と略同一の組成を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ装置。
11. 前記半導体レーザチップが、位相シフト型分布帰還型半導体レーザであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
    

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