JP2005065414A - インバータ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低インダクタンス化した導体装置を有するインバータ装置を提供すること。
【解決手段】 陽極導体1、絶縁シート3および陰極導体4をこの順序で配置したラミネート構成とし、陽極導体1と絶縁シート3との間には、沿面距離を稼ぐためのフランジ部10と空間距離を確保するためのバリア部11,12とを有する絶縁キャップ2を配置した。陽極導体1は絶縁キャップ2のバリア部12、陰極導体4はバリア部11を貫通配置させるだけの必要最小限の大きさの丸穴9,17しか開けられていないので、対向電流を近接させることで得られるインダクタンスの低減効果を大きくすることができ、これによってサージ電圧を抑制できることから、ヒューズおよびスナバ回路を省略することが可能になる。
【選択図】 図1
【解決手段】 陽極導体1、絶縁シート3および陰極導体4をこの順序で配置したラミネート構成とし、陽極導体1と絶縁シート3との間には、沿面距離を稼ぐためのフランジ部10と空間距離を確保するためのバリア部11,12とを有する絶縁キャップ2を配置した。陽極導体1は絶縁キャップ2のバリア部12、陰極導体4はバリア部11を貫通配置させるだけの必要最小限の大きさの丸穴9,17しか開けられていないので、対向電流を近接させることで得られるインダクタンスの低減効果を大きくすることができ、これによってサージ電圧を抑制できることから、ヒューズおよびスナバ回路を省略することが可能になる。
【選択図】 図1
Description
本発明はインバータ装置に関し、特にラミネート構成の低インダクタンス導体装置で平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間を接続して高速スイッチングを可能にしたインバータ装置に関する。
インバータ装置は、電源となる複数の平滑コンデンサと、複数の半導体スイッチング素子と、各半導体スイッチング素子に接続されたスナバ回路とを備え、平滑コンデンサと半導体スイッチング素子とは導体装置によって接続されている。この導体装置は、陽極電極を構成するプレート状の陽極導体と陰極電極を構成するプレート状の陰極導体とこれらの間に挟持される絶縁シートとからなるラミネート構成のものが知られている(たとえば、特許文献1参照。)。
図4は従来の導体装置を示す展開斜視図、図5は従来の導体装置を示す完成斜視図、図6は従来の導体装置を構成する導体を示す平面図であって、(A)は陽極導体、(B)は陰極導体を示している。
従来の導体装置は、プレート状の陽極導体101と、絶縁シート102と、プレート状の陰極導体103とを備えている。陽極導体101は、陽極電源入力端子104と、半導体スイッチング素子に接続される陽極電源出力端子105と、平滑コンデンサの陽極端子に接続される陽極端子接続部106とを有している。この陽極端子接続部106は、その回りに切欠き部107が形成されて導体装置の完成時に陰極導体103と同一レベルになるように段差が付けられているともに、平滑コンデンサの陰極端子の陰極端子との絶縁距離を確保するようにしている。
陰極導体103は、陰極電源入力端子108と、半導体スイッチング素子に接続される陰極電源出力端子109と、平滑コンデンサの陰極端子に接続される陰極端子接続部110とを有し、この陰極端子接続部110に隣接して、平滑コンデンサの陽極端子との絶縁距離を確保するために、切欠き部111が形成されている。
絶縁シート102は、陽極導体101と陰極導体103とによって挟持されたときに、陽極導体101の陽極端子接続部106と陰極導体103の陰極端子接続部110とに対応する部分に切欠き部112を有している。
このように、平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間を電気的に接続する導体装置をラミネート構成にしたことにより、陽極導体101と陰極導体103とを流れる対向電流が近接化し、これにより配線の相互インダクタンスが相殺されて配線インダクタンスを低減することができる。この導体装置の低インダクタンス化により、スイッチング時に半導体スイッチング素子に印加されるサージ電圧が低減され、スナバコンデンサの容量を小さく、または省略することができる。
特開平9−117126号公報(段落番号〔0007〕〜〔0008〕、〔0012〕,図2)
しかしながら、従来のインバータ装置に用いられている導体装置は、半導体スイッチング素子から平滑コンデンサまでの陽極導体および陰極導体を平面で重ね、各導体相間に絶縁シートのみを介挿したラミネート構成であるが、各平滑コンデンサの端子への接続部の絶縁距離を確保するため、陽極導体および陰極導体は、各端子接続部の周辺を大きく切り欠くことが必要で、ラミネート構成になっていない範囲があり、配線インダクタンス低減のネックとなっているという問題点があった。特に、大容量インバータ装置の半導体スイッチング素子としてIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)素子を使用する場合に、サージ電圧を素子耐圧以下に抑えるためには、さらなる配線インダクタンスの低減が必要になる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、低インダクタンス化した導体装置を有するインバータ装置を提供することを目的とする。
本発明では上記問題を解決するために、第1の電極を構成する第1の導体と第2の電極を構成する第2の導体との間に絶縁シートを挟持したラミネート構成の導体装置で平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間を接続するインバータ装置において、前記第1の導体と前記第2の導体との間に配置されて前記第2の導体を前記平滑コンデンサの端子接続部の一方に接続するねじを囲うように前記第1の導体を貫通して伸びる筒状の第1のバリア部と周縁部が前記第1のバリア部の周囲から所定距離だけ隔てられた第1のフランジ部とを有する第1の絶縁キャップと、前記第1の導体と前記第2の導体との間に配置されて前記第1の導体を前記平滑コンデンサの端子接続部の他方に接続するねじを着座させるべく前記第1の導体に前記第2の導体の方向へ略板厚分の段差を設けた丸い段差部を囲うように前記第2の導体を貫通して伸びる筒状の第2のバリア部と周縁部が前記第2のバリア部の周囲から所定距離だけ隔てられた第2のフランジ部とを有する第2の絶縁キャップとを備え、前記第1の導体は、前記第1の絶縁キャップの前記第1のバリア部を貫通配置させるだけの第1の丸穴と、前記段差部の中央に設けられた第2の丸穴とを有し、前記第2の導体は、前記第2の絶縁キャップの前記第2のバリア部を貫通配置させるだけの第3の丸穴と、前記ねじを通す第4の丸穴とを有する、ことを特徴とするインバータ装置が提供される。
このようなインバータ装置によれば、ラミネート構成の導体装置を構成する第1および第2の導体は、第1および第2の絶縁キャップの第1および第2のバリア部を貫通配置させるだけの第1および第3の丸穴だけしか開いていないので、平面で重ね合わせられる面積を最大に取ることができ、これによって、第1および第2の導体を流れる対向電流を近接させることで得られるインダクタンスの低減効果を大きくすることができ、インダクタンスが低減されることで、スイッチング時に半導体スイッチング素子に印加されるサージ電圧を抑制することができて、ヒューズおよびスナバ回路の省略が可能になる。
本発明のインバータ装置は、平滑コンデンサと半導体スイッチング素子とを接続する導体装置を低インダクタンス化したことにより、スイッチング時に半導体スイッチング素子に印加されるサージ電圧を素子耐圧以下に抑えることが可能になるので、その場合には、スナバ回路を省略できるだけでなく、通常設けられているヒューズを省略することもできるため、インバータ装置のコストを低減することができるという利点がある。
以下、本発明の実施の形態を三相交流出力のインバータ装置に適用した場合を例に図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明によるインバータ装置の導体装置を示す展開斜視図、図2は本発明によるインバータ装置の導体装置を示す完成斜視図、図3は本発明によるインバータ装置の導体装置を構成する導体を示す平面図であって、(A)は陽極導体、(B)は陰極導体を示している。
図1は本発明によるインバータ装置の導体装置を示す展開斜視図、図2は本発明によるインバータ装置の導体装置を示す完成斜視図、図3は本発明によるインバータ装置の導体装置を構成する導体を示す平面図であって、(A)は陽極導体、(B)は陰極導体を示している。
本発明によるインバータ装置の導体装置は、プレート状の陽極導体1と、第1および第2の絶縁キャップを樹脂成型により一体に形成した絶縁キャップ2と、絶縁シート3と、プレート状の陰極導体4とを備えている。陽極導体1は、略四角形の導体板の対向する2辺を反対方向に折り曲げた形状を有し、その折り曲げ片の一方には陽極電源入力端子5が一体に形成され、他方の折り曲げ片には、半導体スイッチング素子に接続される陽極電源出力端子6が一体に形成されている。この例のインバータ装置では、三相交流出力を得るために3組の半導体スイッチング素子を備えているので、この陽極電源出力端子6は、3つ備えている。陽極導体1は、また、平滑コンデンサの陽極端子に接続される陽極端子接続部7を有している。この陽極端子接続部7は、陽極導体1に板厚分の段差を有する凹部が設けられていて、その中心に平滑コンデンサの陽極端子に螺着されるねじ8を挿通させるための丸穴が穿設されることにより形成されている。この陽極端子接続部7は、この例では4つの平滑コンデンサを陽極導体1に並列に接続するため、それらの陽極端子に対応する位置に4つ設けられている。これら陽極端子接続部7に隣接して平滑コンデンサの陰極端子に螺着されるねじ8を挿通させるための丸穴9もそれぞれ陽極導体1に穿設されている。
絶縁キャップ2は、沿面距離を稼ぐための薄いフランジ部10と、空間距離を確保するためにこのフランジ部10の面から互いに反対方向に伸びる筒状のバリア部11,12とを有しており、これらフランジ部10およびバリア部11,12は、絶縁性の樹脂によって一体に成型されている。フランジ部10は、バリア部11,12の周囲からある一定の距離だけ隔てられた周縁部を有している。絶縁キャップ2の大径のバリア部11は、陽極端子接続部7の段差部が干渉しないだけの貫通穴を有し、小径のバリア部12は、ねじ8が通るだけの貫通穴を有していて、このバリア部12は、導体装置を組み立てたときに陽極導体1の丸穴9に挿通される。
絶縁シート3は、略四角形のシートの対向する2辺を反対方向に折り曲げた形状を有し、導体装置を組み立てたときに絶縁キャップ2の大径のバリア部11が挿通される大径の丸穴13と、陽極導体1の丸穴9と同じ径を有する丸穴14とがそれぞれ4組設けられている。
陰極導体4は、略四角形の導体板の対向する2辺を反対方向に折り曲げた形状を有し、その折り曲げ片の一方には陰極電源入力端子15が一体に形成され、他方の折り曲げ片には、半導体スイッチング素子に接続される4つの陰極電源出力端子16が一体に形成されている。陰極導体4は、また、絶縁キャップ2の大径のバリア部11が挿通される絶縁シート3の丸穴13と同じ径を有する大径の丸穴17と、平滑コンデンサの陰極端子に螺着されるねじ8を挿通させるための丸穴18とが穿設されている。
導体装置は、陽極導体1、絶縁シート3および陰極導体4をこの順序で配置したラミネート構成とし、絶縁キャップ2を陽極導体1と絶縁シート3との間で、バリア部11が絶縁シート3の丸穴13および陰極導体4の丸穴17を貫通し、バリア部12が陽極導体1の丸穴9を貫通するように配置することにより、図2に示されるように構成される。ねじ8による各接続部周辺の陽極導体1および陰極導体4には、絶縁キャップ2の形状を逃げるためだけの必要最小限の丸穴9,17しか開けられていない。
したがって、陽極導体1および陰極導体4を絶縁シート3および絶縁キャップ2を用いて、平面で重ね合わせられる面積を最大に取ることで、従来ラミネート化できなかった部分をもラミネート化することができようになり、陽極導体1および陰極導体4を流れる対向電流を近接させることで得られるインダクタンスの低減効果をさらに大きくすることができる。配線インダクタンスが低減されることにより、スイッチング時に半導体スイッチング素子に印加されるサージ電圧をさらに抑制することができる。したがって、サージ電圧が素子耐圧以下に抑えられる動作条件のもとでは、従来必要であったヒューズおよびスナバ回路を省略、もしくはスナバ回路のコンデンサの容量を大幅に低減させることが可能になるだけでなく、素子の耐電圧がシビアであったIGBTを半導体スイッチング素子として採用することが可能になる。
なお、上記に実施の形態では、絶縁キャップ2を1つの平滑コンデンサに対して1つ用いるように構成したが、平滑コンデンサに端子間距離が広かったり、長い沿面距離が必要でない場合には、平滑コンデンサの端子ごとに1つずつ用いるようにしてもよい。
1 陽極導体
2 絶縁キャップ
3 絶縁シート
4 陰極導体
5 陽極電源入力端子
6 陽極電源出力端子
7 陽極端子接続部
8 ねじ
9 丸穴
10 フランジ部
11,12 バリア部
13,14 丸穴
15 陰極電源入力端子
16 陰極電源出力端子
17,18 丸穴
2 絶縁キャップ
3 絶縁シート
4 陰極導体
5 陽極電源入力端子
6 陽極電源出力端子
7 陽極端子接続部
8 ねじ
9 丸穴
10 フランジ部
11,12 バリア部
13,14 丸穴
15 陰極電源入力端子
16 陰極電源出力端子
17,18 丸穴
Claims (2)
- 第1の電極を構成する第1の導体と第2の電極を構成する第2の導体との間に絶縁シートを挟持したラミネート構成の導体装置で平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間を接続するインバータ装置において、
前記第1の導体と前記第2の導体との間に配置されて前記第2の導体を前記平滑コンデンサの端子接続部の一方に接続するねじを囲うように前記第1の導体を貫通して伸びる筒状の第1のバリア部と周縁部が前記第1のバリア部の周囲から所定距離だけ隔てられた第1のフランジ部とを有する第1の絶縁キャップと、前記第1の導体と前記第2の導体との間に配置されて前記第1の導体を前記平滑コンデンサの端子接続部の他方に接続するねじを着座させるべく前記第1の導体に前記第2の導体の方向へ略板厚分の段差を設けた丸い段差部を囲うように前記第2の導体を貫通して伸びる筒状の第2のバリア部と周縁部が前記第2のバリア部の周囲から所定距離だけ隔てられた第2のフランジ部とを有する第2の絶縁キャップとを備え、
前記第1の導体は、前記第1の絶縁キャップの前記第1のバリア部を貫通配置させるだけの第1の丸穴と、前記段差部の中央に設けられた第2の丸穴とを有し、
前記第2の導体は、前記第2の絶縁キャップの前記第2のバリア部を貫通配置させるだけの第3の丸穴と、前記ねじを通す第4の丸穴とを有する、
ことを特徴とするインバータ装置。 - 前記第1および第2の絶縁キャップは、樹脂成型により一体に形成されていることを特徴とする請求項1記載のインバータ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292695A JP2005065414A (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292695A JP2005065414A (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | インバータ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005065414A true JP2005065414A (ja) | 2005-03-10 |
Family
ID=34369928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003292695A Pending JP2005065414A (ja) | 2003-08-13 | 2003-08-13 | インバータ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005065414A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012152052A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Meidensha Corp | 導体およびインバータ装置 |
WO2013140963A1 (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | アイシン精機株式会社 | 中空筒型コンデンサおよびインバータ装置 |
CN104170085A (zh) * | 2012-03-28 | 2014-11-26 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
US9379083B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-06-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9385061B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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-
2003
- 2003-08-13 JP JP2003292695A patent/JP2005065414A/ja active Pending
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