JP2005064352A - 固体電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大容量の固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】 プレーン(未エッチド)アルミニウム箔又はエッチドアルミニウム箔の表面に有機金属化学蒸着法(MOCVD)により、チタンアルコキシド(TiOCnH2n+1)、ジルコニウムアルコキシド(ZrOCnH2n+1)、タンタルアルコキシド(TaOCnH2n+1)等の弁金属アルコキシド溶液を用いて弁金属酸化物蒸着膜を形成させ、固体電解コンデンサの陽極箔及び/又は陰極箔として使用する。
【選択図】 図1
【解決手段】 プレーン(未エッチド)アルミニウム箔又はエッチドアルミニウム箔の表面に有機金属化学蒸着法(MOCVD)により、チタンアルコキシド(TiOCnH2n+1)、ジルコニウムアルコキシド(ZrOCnH2n+1)、タンタルアルコキシド(TaOCnH2n+1)等の弁金属アルコキシド溶液を用いて弁金属酸化物蒸着膜を形成させ、固体電解コンデンサの陽極箔及び/又は陰極箔として使用する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、固体電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
固体電解質において、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン等の導電性高分子又はTCNQ錯塩を用いた固体電解コンデンサが注目されている。これらの電解質を用いた従来例のアルミニウム巻回型固体電解コンデンサの製造方法を下記に示す。
まず、図1に示すように、弁作用金属であるアルミニウムからなる箔に、粗面化のためのエッチング処理及び誘電体皮膜形成のための化成処理を施した陽極箔1と、対向陰極箔2とをセパレータ3を介して巻き取り、コンデンサ素子7を形成する。前記陽極化成箔1及び対向陰極箔2には、それぞれリードタブ61,62を介して陽極リード線51及び陰極リード線52が取り付けられている。4は巻き止めテープである。
その後、前記コンデンサ素子7の切り口化成と280℃の熱処理を行う。次に、前記コンデンサ素子7を、酸化剤溶液として50wt%のp−トルエンスルホン酸第二鉄アルコール溶液に、モノマーとして3,4−エチレンジオキシチオフェンに浸漬後、熱重合させることにより、コンデンサ素子7の両電極間に導電性高分子層を形成させる。
そして、図2に示すように、前記コンデンサ素子7に封止用ゴムパッキング9を装着し、有底筒状のアルミケース8に収納固定後、前記アルミケース8の開口部を横絞りとカールすることで封止を行い、エージング処理を行う。
その後、前記アルミケース8のカール面にプラスチック製の座板10を装着し、前記リード線51,52を電極端子11としてプレス加工・折り曲げを行い、固体電解コンデンサが完成する。
市場では大容量・低ESRの電解コンデンサが求められているが、電解コンデンサのサイズを維持したまま大容量化する手段として、特許文献1及び特許文献2に示されているように陰極箔の表面にTiN等の金属窒化物の皮膜を形成させて、容量出現率を向上させるといった方法がある。
しかしながら、これらの手法を用いても、今後市場から要求されるであろう大容量化に対しては、十分対応できるものではない。従って、本発明は、大容量の固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
特許第3016421号
特開2000−114108号
これらの課題を解決するために、プレーン(未エッチド)アルミニウム箔又はエッチドアルミニウム箔の表面に有機金属化学蒸着法(MOCVD)により、チタンアルコキシド(TiOCnH2n+1)、ジルコニウムアルコキシド(ZrOCnH2n+1)、タンタルアルコキシド(TaOCnH2n+1)等の弁金属アルコキシド溶液を用いて弁金属酸化物蒸着膜を形成させ、固体電解コンデンサの陽極箔及び/又は陰極箔として使用する。
上記の弁金属アルコキシド溶液を用いた有機金属化学蒸着法で弁金属酸化物蒸着膜を形成させることによってアルミニウム箔表面上にアルミニウムより高誘電率を有する酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタルが生成するために箔静電容量が向上する。従って、その固体電解コンデンサの大容量化が可能となる。
以下に本発明の実施例について図面に沿って詳述する。図1は、本発明による固体電解コンデンサ内に収納されたコンデンサ素子の斜視図である。
チタンエトキシド溶液に0.6L/分の流量の窒素ガスを流通させて発生したチタンエトキシド蒸気を、350℃に加熱したアルミニウム箔上に30分間導入して、前記アルミニウム箔上に酸化チタン蒸着膜を形成する。さらに、5Vでの化成処理を行った前記アルミニウム箔を陽極箔1とし、陰極箔2との間にセパレータ3を介して円筒状に巻き取ってコンデンサ素子7を形成する。前記陽極箔1及び前記陰極箔2には、それぞれリードタブ61,62を介して陽極リード線51及び陰極リード線52が取り付けられている。4は巻き止めテープである。
その後、前記コンデンサ素子7の切り口化成と280℃の熱処理を行う。次に前記コンデンサ素子7にモノマーとして3,4−エチレンジオキシチオフェンを、酸化剤溶液として50wt%のp−トルエンスルホン酸第二鉄ブチルアルコール溶液を含浸し、その後、熱重合することにより前記コンデンサ素子7の両電極間に導電性高分子層を形成させる。そして、前記コンデンサ素子7に封止用ゴムパッキング9を装着し、有底筒状のアルミケース8に収納固定後、前記アルミケース8の開口部を横絞りとカールすることで封止を行い、エージング処理を行う。その後、前記アルミケース8のカール面にプラスチック製の座板10を装着し、前記陽極リード線51及び陰極リード線52を電極端子11としてプレス加工・折り曲げを行い、固体電解コンデンサとして完成させる。
ジルコニウムエトキシド溶液に0.6L/分の流量の窒素ガスを流通させて発生したジルコニウムエトキシド蒸気を、350℃に加熱したアルミニウム箔上に30分間導入して、前記アルミニウム箔上に酸化ジルコニウム蒸着膜を形成する。さらに、5Vでの化成処理を行った前記アルミニウム箔を陽極箔1として用いて、実施例1と同様に固体電解コンデンサとして完成させる。
タンタルエトキシド溶液に0.6L/分の流量の窒素ガスを流通させて発生したタンタルエトキシド蒸気を、350℃に加熱したアルミニウム箔上に30分間導入して、前記アルミニウム箔上に酸化タンタル蒸着膜を形成する。さらに、5Vでの化成処理を行った前記アルミニウム箔を陽極箔1として用いて、実施例1と同様に固体電解コンデンサとして完成させる。
表1に実施例1〜3、及びに記載した従来例で試作したコンデンサ(外径φ6.3mm×H6.0mm、定格2.5V−180μF)の電気特性値(それぞれ、n=20の平均値)を示す。なお、静電容量は120Hz、ESRは100kHzでそれぞれ測定したものである。
尚、本発明の実施例では、電極箔には陽極箔のみにエッチドアルミニウム箔を、電解質にはポリチオフェン系導電性高分子を用いているが、電極箔においては陽極箔若しくは陰極箔、又はその両方にエッチド又は未エッチドアルミニウム箔を用いても、同様の効果が得られる。又、電解質においては、ポリピロール系、ポリアニリン系等の導電性高分子を用いても同様の効果が得られる。
1 陽極箔
2 陰極箔
3 セパレータ
4 巻き止めテープ
7 コンデンサ素子
8 アルミケース
9 ゴムパッキング
10 座板
11 電極端子
51 陽極リード線
52 陰極リード線
61 リードタブ
62 リードタブ
2 陰極箔
3 セパレータ
4 巻き止めテープ
7 コンデンサ素子
8 アルミケース
9 ゴムパッキング
10 座板
11 電極端子
51 陽極リード線
52 陰極リード線
61 リードタブ
62 リードタブ
Claims (4)
- 弁作用を有する金属を陽極酸化した陽極箔と、陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を内部に収納した固体電解コンデンサにおいて、前記陽極箔上及び/又は前記陰極箔上に、弁金属アルコキシド溶液を用いた有機金属化学蒸着法(MOCVD)にて弁金属酸化物蒸着膜を形成させたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
- 電解質として、ポリチオフェン系、ポリピロール系、ポリアニリン系導電性高分子、TCNQ錯塩のうちのいずれか1つを用いることを特徴とする請求項1記載の固体電解コンデンサ。
- 有機金属化学蒸着法における前記弁金属アルコキシド溶液として、チタンアルコキシド(TiOCnH2n+1)、ジルコニウムアルコキシド(ZrOCnH2n+1)、タンタルアルコキシド(TaOCnH2n+1)を用いることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記弁金属アルコキシド溶液に窒素ガスを流通させて発生した前記弁金属アルコキシドの蒸気を、加熱した金属箔上に導入して、前記金属箔上に前記弁金属の酸化物蒸着膜を形成させ、前記弁金属酸化物蒸着膜が形成された金属箔を陽極箔及び/又は陰極箔に用いることを特徴とする請求項3記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003294884A JP2005064352A (ja) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2005064352A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11049664B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-06-29 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film |
US11056285B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-07-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing an adhesive film |
US11139117B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-10-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a sequential vapor-deposited interior conductive polymer film |
US11183339B2 (en) | 2018-11-29 | 2021-11-23 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a sequential vapor-deposited dielectric film |
US12002631B2 (en) | 2021-10-20 | 2024-06-04 | KYOCERA AVX Components Corporation | Electrodeposited dielectric for a solid electrolytic capacitor |
-
2003
- 2003-08-19 JP JP2003294884A patent/JP2005064352A/ja active Pending
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US11056285B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-07-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing an adhesive film |
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US11948756B2 (en) | 2018-04-13 | 2024-04-02 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film |
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