JP2005055540A - 共焦点顕微鏡及び高さ測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23のスリット又はピンホールなどの開口部の大きさの比を変更する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、共焦点顕微鏡、及びこの共焦点顕微鏡を用いて例えばLSIチップ等のサンプルの高さ情報を取得する高さ測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図9はバンプ電極(以下、バンプと省略する)が形成されたLSIチップの構成図である。LSIチップ1上には、複数のバンプ2が縦横方向に形成されている。これらバンプ2は、半球状であり、その大きさや各バンプ2間のピッチは種々あり、例えばバンプ2の半径が50μmでピッチが200μmのものがある。
LSIチップ1のサイズが例えば10mm×10mmであれば、LSIチップ1上には、数千個にも及ぶ膨大な個数のバンプ2が形成される。このLSIチップ1は、図10に示すように基板3に対して逆さまにされて接続される。このとき、LSIチップ1の各バンプ2と基板3上の各基板電極とがフリップチップ接続される。このフリップチップ接続では、各バンプ2の形状、特に各バンプ2の高さが正確に制御されていることが正常に接続するために必要である。
【0003】
図11は図9に示すA−A’断面図であって、各バンプ2の高さは、設計上、高さレベルhに揃っている必要があるが、実際には黒塗りしたバンプ2gに示すように設計した高さレベルよりも高い又は低い不良のものが存在する場合がある。このような不良バンプ2gが存在するLSIチップ1を基板3上にフリップチップ接続すると、バンプ2と基板3との接続不良が発生する。このため、LSIチップ1上に形成された各バンプ2の高さは、所定の許容範囲内に制限する必要がある。
【0004】
このような実情からバンプ2の高さを数μmの精度で検査する要求がある。このバンプ高さ検査の要求に対して共焦点光学系のセクショニング効果を利用した高さ測定方式がある。例えば特許文献1には、共焦点光学系を用いた高さ測定装置が記載されている。このうち共焦点光学系は、レーザ走査式又はNipkowディスクなどを用いたディスク方式が知られており、いずれの方式も高さ方向(光軸方向)の分布を検出光量に変換する機能を有する。
【0005】
図12は共焦点光学系の原理を示す構成図である。光源4から放射された光は、ピンホール5を通過し、ビームスプリッタ6で反射され、対物レンズ7により集光されてサンプル8に照射される。このサンプル8からの反射光は、対物レンズ7により集光され、ビームスプリッタ6を透過し、検出ピンホール9を通って光検出器10で受光される。
【0006】
サンプル8が光軸方向に例えば距離ΔZだけずれると、サンプル8の反射光は、点線により示す光路を通るものとなり、検出ピンホール9上では大きく広がってしまう。このため、検出ピンホール9を通過できる光量は、非常に小さくなり、実質的に検出ピンホール9の通過光量はゼロとみなせる。
【0007】
図13はサンプル8のZ方向(光軸方向)位置と検出ピンホール9を通過する光量Iとの関係(以下、I−Z特性と称する)の理論値を示す図で、対物レンズ7の開口数(NA)をパラメータとした場合の焦点位置を基準にしたサンプル8の位置Zと光量Iとの関係を最大値で規格化して示す。サンプル8が焦点位置(Z=0)にある場合にもっとも光量Iが大きく(I=1)、焦点位置から外れるに従って光量Iが減少する。これにより、共焦点光学系によりサンプル8を観察すると、焦点位置の高さ付近だけで観察像が明るく観察される。これは共焦点光学系のセクショニング効果と呼ばれる。
【0008】
通常の光学顕微鏡では、焦点位置から外れた部分のボケ像と合焦位置の像とが重なって観察されるが、共焦点光学系では、セクショニング効果により合焦位置だけの像(セクショニング像)が観察され、この点が通常の光学顕微鏡とは大きく異なる。セクショニング効果は、対物レンズ7のNAが大きい程顕著である。
図13には複数のNA(例えばNA=0.3、0.25、0.2)をパラメータとした各IZカーブが示されている。例えばNA=0.3のIZカーブでは、焦点位置から±10μm以内のサンプル8のセクショニング像だけが観察できる。
【0009】
しかるに、上記特許文献1に記載された高さ測定装置は、図13に示すIZカーブを利用してZ方向に離散的なセクショニング画像を取得し、これらセクショニング画像における各画素の最大輝度値を含む少なくとも3点のIZデータを用いて、これら3点のIZデータを2次曲線で近似(カーブフィッティング)する。そして、近似により求められたIZカーブのピーク位置を推定し、サンプル8の高さ情報を取得する。
【0010】
【特許文献1】
特開平9−126739号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、共焦点光学系のセクショニング効果を利用してカーブフイッティングを行ないサンプル8の高さ検査を行なう場合には、IZカーブのある光強度以上の中に、最低3枚のセクショニング画像が必要である。この理由は、2次近似を行なうためには未知数が3個必要であることの数学的に必要な個数である。
【0012】
IZカーブのある光強度以上の中に最低3枚のセクショニング画像が必要であることを図14を参照して説明する。図14は実際にNA=0.3の対物レンズ7を用いたときのIZカーブを測定した図である。この実測IZカーブは、裾野部分のカーブが乱れていることが分る。この乱れは対物レンズ7の収差による。
【0013】
従って、カーブフイッティングを行なうには、IZカーブの乱れが問題にならない部分のデータを使用する必要がある。図14に示すIZカーブでは光強度が0.4以上のデータを用いることが考えられる。
【0014】
簡単のために光強度が0.5以上で考えると、カーブフイッティングを計算するのには、光強度0.5以上のIZカーブの領域内に最低限必要なデータ点数がある。例えば2次曲線にカーブフイッティングする場合には、3個のデータ点数である。これにより、Z方向でセクショニング画像を取得するときのサンプリング間隔には、その間隔の最大値に制限が生じる。例えば図14に示す実測IZカーブにおいて光強度0.5でのZ方向の全幅をW0.5とすると、W0.5≒10μmであり、この全幅W0.5の中に3個のIZデータが必要になる。そうすると、Z方向のサンプリング間隔は、最も粗い場合で10μm/3=3.33μmとなり、この3.33μmよりも粗くすることはできない。高さ測定する場合には、Z方向のサンプリング間隔の最大値制限よりも粗くZ方向にサンプリングできない。
【0015】
しかしながら、Z方向のサンプリング間隔の最大値制限があるために、高精度に高さ測定するためには、セクショニング画像の取得枚数を増やすしかない。これではバンプ高さ検査時間が長くなってしまい、かつ1チップ当たりの検査コストを高くしてしまう。特にバンプ高さ検査は、1つでも不良バンプ2gが存在すると、バンプ2と基板3との接続不良が発生するために、不良バンプ2gの存在を見逃すことは許されない。このため、バンプ高さ検査では、ウエハ上の全てのLSIチップ1に対してパンブ2の高さ測定を行なうことが絶対必要である。このようなバンプ高さ検査の実情からバンプ高さ検査時間を長くすることは製品の製造効率を低下させることに繋がる。
【0016】
これに対してNAの異なる対物レンズを切り替えて使用する方法が考えられるが、バンプ高さ検査装置に使用される対物レンズは、低倍率(広視野)の割にNAが大きい(NA=0.3、0.25など)ために大型で高価であり、対物レンズの切替え機構(電動レボルバ切替え機構など)が複雑化する。しかも、電動レボルバ切替え機構は、構成上、剛性が低く、振動などの外乱に影響されやすく、測定精度を劣化させる。
【0017】
そこで本発明は、高い検査精度を重視する場合や検査時間を高速化したい場合に柔軟に対応できる共焦点顕微鏡及びこれを用いた高さ測定装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光を共焦点ディスクの開口部を通して対物レンズによりサンプルに照射し、このサンプルからの反射光を対物レンズから開口部を通して光電変換手段に結像させることによりサンプルのセクショニング像を取得する共焦点顕微鏡において、対物レンズのエアリディスク径に対する開口部の大きさの比を変更する共焦点顕微鏡である。
【0019】
本発明は、上記共焦点顕微鏡において、サンプル又は対物レンズを相互に対物レンズの光軸方向に走査させて複数のセクショニング像を取得し、これらセクショニング像からサンプルの高さ情報を取得する高さ測定装置である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
【0021】
図1は共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の構成図である。光源20から放射される光の光路上には、コリメータレンズ21とビームスプリッタ22とを有する照明光学系が配置されている。コリメータレンズ21は光源20から放射された光を平行光に整形し、ビームスプリッタ22はコリメータレンズ21からの平行光をサンプル8側に反射する。
【0022】
ビームスプリッタ22の反射光路上には、回転タイプや共焦点ディスク23が設けられている。この共焦点ディスク23は、セクショニング効果を得るものであればどのような形状の開口部(共焦点パターン)が形成されたものでもよく、例えば複数のスリット開口が形成されたスリットタイプの共焦点ディスク、円形の複数のピンホール開口を螺旋状に配置したNipkowディスク、国際公開番号第97/31282号公報に開示されているTony Wilsonディスクなどである。この共焦点ディスク23は、その中心部がモータ24の回転軸24aに連結されている。
【0023】
この共焦点ディスク23の複数の開口部を通過した光の光路上には、結像レンズ25、λ/4波長板26、テレセントリック絞り27、対物レンズ28が配置されている。このうち共焦点ディスク23、結像レンズ25及び対物レンズ28により第1の結像光学系が形成される。なお、図1では共焦点ディスク23に形成された複数の開口部のうち2つの開口部を通過した光の光路を示す。共焦点ディスク23に形成された開口部と対物レンズ28の焦点面とは共役関係であり、結像レンズ25、対物レンズ28及びテレセントリック絞り27は、両側テレセントリック系の配置である。又、光源20とテレセントリック絞り27とは、共役関係にある。
【0024】
従って、共焦点ディスク23、結像レンズ25及び対物レンズ28により第1の結像光学系は、サンプル8の光軸方向(Z方向)の高さ分布を共焦点光学系のI−Z特性により光強度情報に変換する機能を有する。
【0025】
サンプル8からの反射光は、対物レンズ28、テレセントリック絞り27、λ/4波長板26、結像レンズ25、共焦点ディスク23及びビームスプリッタ22を透過するが、このビームスプリッタ22の透過光路上には、レンズ29、テレセントリック絞り30、レンズ31及び光電変換手段としての例えばCCD32が配置されている。これらレンズ29、テレセントリック絞り30及びレンズ31は、第2の結像光学系を形成する。このうち共焦点ディスク23とCCD32とは、各レンズ29、31により共役関係にある。
【0026】
第2の結像光学系は、各レンズ29、31及びテレセントリック絞り30の配置により両側テレセントリック系である。この第2の結像光学系は、テレセントリック系でなくてもよいが、第2の結像光学系の長さが問題にならなければ、周辺光量の低下が起きにくいテレセントリック系が望ましい。
【0027】
CCD32は、受光面上に対物レンズ28の焦点付近だけのセクショニング像が結像され、このセクショニング像を撮像してその画像信号を出力する。
【0028】
コンピュータ33は、CCD32から出力された画像信号を入力し、この画像信号を画像処理してセクショニング画像データを求め、このセクショニング画像データをモニタ34に表示する。又、コンピュータ33は、焦点移動装置35に対して対物レンズ28を光軸方向(Z方向)に移動させるか又はサンプル8を載置するサンプルステージ36を光軸方向に移動動作させる指令を発する。
【0029】
焦点移動装置35は、対物レンズ28を光軸方向に指示されたサンプリング間隔に従って移動させるか、又はサンプルステージ36を光軸方向に指示されたサンプリング間隔ずつ移動させる。
【0030】
このような装置であれば、光源20から放射された光は、コリメータレンズ21により平行光に整形され、ビームスプリッタ22によりサンプル8側に反射され、回転している共焦点ディスク23に照射される。
【0031】
この共焦点ディスク23の複数の開口部を通過した光は、結像レンズ25により集光され、λ/4波長板26を透過し、テレセントリック絞り27を通り、対物レンズ28によりサンプル8上に照射される。
【0032】
サンプル8からの反射光は、サンプル8に照射する光路と同一光路を戻り、ビームスプリッタ22に入射する。このサンプル8からの反射光は、ビームスプリッタ22を透過し、さらにレンズ29、テレセントリック絞り30、レンズ31を通ってCCD32に入射する。
【0033】
このCCD32の受光面上にはサンプル8上における対物レンズ28の焦点付近だけのセクショニング像が結像される。従って、CCD32は、サンプル8上における対物レンズ28の焦点付近だけのセクショニング像を撮像してその画像信号を出力する。
【0034】
この結果、コンピュータ33は、指示したサンプリング間隔毎にCCD32から出力された各画像信号を入力し、これら画像信号を画像処理して複数枚のセクショニング画像データを取得する。これらセクショニング画像データは、サンプル8の3次元情報となる。なお、XY方向の測定範囲はCCD32での撮像視野、Z測定範囲は焦点移動させてセクショニング像を撮像した範囲である。
【0035】
図2及び図3はサンプル8として図9に示すLSIチップ1を観察したときのセクショニング像を示す図であって、図2はLSIチップ1上の各バンプ2の頂点付近に合焦させた場合を示す。このセクショニング像は、各バンプ2の頂点付近だけが明るい画像として観察できる。なお、図2ではLSIチップ1の面上と各バンプ2との各黒塗りの濃度を異ならせて示しているが、実際には、明るく見えるのは各バンプ2の頂点付近だけであり、それ以外の部分は殆ど真暗の状態である。
【0036】
図3はLSIチップ1上のチップ面付近に合焦させた場合を示す。すなわち、合焦位置をチップ面上に近付けて行くと、共焦点光学系のセクショニング効果によりバンプ2の頂点付近の像は徐々に暗くなり、やがてバンプ2の像は真暗の状態になる。さらに、合焦位置をチップ面上に近付けて行くと、徐々にチップ面上の像が明るく観察される。そして、チップ面上に合焦した状態になると、図3に示すようにバンプ2の像は真暗の状態になると共に、チップ面上の像が最も明るく観察される。これらセクショニング像をCCD32により撮像する場合について説明する。CCD32の画素寸法は通常数μm〜10μm程度である。ここでは、説明を簡単にするためにCCD32の画素寸法を10μmの正方画素とする。
【0037】
最近、価格的にも容易に入手できるようになった1000×1000(100万画素)画素のCCDは、画素サイズが10μm程度であるので、そのCCDサイズは10×10mmになる。光学系総合倍率を例えば1倍にすれば、10×10mmのLSIチップ1を観察できる。高速検査を達成するためには、光学系総合倍率が例えば1倍とするような広視野光学系を実現することが必要になる。この場合、図1に示す装置での第1の結像光学系の倍率が3倍、第2の結像光学系の倍率が1/2倍などの組み合わせが考えられる。実用化において光学系総合倍率が2倍に設定されている場合や1/2倍などの縮小系になる場合も有り得る。
【0038】
一方、第1の結像光学系のNAで決定されるセクショニング効果とセクショニング画像を取得するZ方向のサンプリング間隔ΔZとについて考える。上記図13に示すようにセクショニング効果すなわちIZカーブの急峻さは対物レンズ28のNAにより決定される。なお、第1の結像光学系の倍率を例えば3倍程度の低倍率であると、実用化可能と考えられる最も大きなNAの対物レンズ28のNAが0.3程度であると考えられる。
【0039】
次に、NA=0.3程度の対物レンズ28を使用しての高さ測定について説明する。上記図13は理論的なIZカーブを示すので、焦点位置(Z=0μm)に対して完全に対称形である。これに対して実際のNA=0.3の対物レンズ28を使用したときのIZカーブは、上記図14に示すように裾野部分が対物レンズ28の収差により乱れたカーブになっている。
【0040】
従って、図14に示すIZカーブから、セクショニング像をZ方向にΔZで離散的にサンプリングし、2次曲線やガウス分布曲線によりカーブフイッティングし、そのピーク位置のZ位置をバンプ2の高さ情報にする場合、IZカーブの裾野部分のデータは使用しない方が高精度化に有利である。なお、フイッティングに際しては、理論的なIZカーブがガウス分布曲線でかなり良く近似できるので、2次曲線よりもガウスフイッティングの方が有利である。ガウスフイッティングは、自然対数を取れば2次曲線として扱えるので、計算もそれほど面倒ではない。
【0041】
CCD量子雑音(∝1/√(明るさ))などのS/Nの面から考えても焦点位置から大きく離れた暗い画像データをフイッティングに使用するのは好ましくない。この理由から、IZカーブにおける光強度に対しある閾値Ith以上の画像データを有効とし、閾値Ith以下の画像データを無効にすることが好ましい。
【0042】
ガウス又は2次曲線フイッティングのいずれにしろ、数学的には閾値Ith以上の画像データが最低3個必要である。最低限必要なデータ個数は、フイッティングに使用する関数に含まれる係数の数と同じである。
【0043】
上述したように理論的なIZカーブがガウス分布曲線でかなり良く近似できるので、以下の説明では、ガウス分布を使用することを前提に説明する。閾値Ithの決定方法は、画像データのS/Nや使用する対物レンズ28のIZカーブの裾野部分の乱れなどを総合的に判断して適宜選択する。ここでは、上記図14に示す実測IZカーブの裾野部分の乱れに基づいて、閾値Ith=0.5として考える。実際に、光強度0.4程度までは、図13に示す理論値のIZカーブと図14に示す実測IZカーブとは非常に良く一致しているので、閾値Ith=0.5とするのは妥当である。
【0044】
図14に示す実測IZカーブに対して閾値Ith=0.5でのZ方向の全幅W0.5は、W0.5≒10μmである。この全幅W0.5の中に最低3個の離散的なIZカーブが必ず存在するためには、Z方向のサンプリング間隔ΔZは、
ΔZ=10μm/3=3.33μm
になる。
【0045】
サンプリング間隔ΔZを3.33μmよりも細かくして常に4個以上のデータ数を使用してフイッティングすれば、検査時間は長くかるが、ピーク推定位置の精度は高くなる。これを高精度検査モードと呼ぶ。実際に、サンプリング間隔ΔZを3.33μmで離散的IZデータを取得してフイッティングすれば、高さ測定精度は、±1μm程度に収めることが可能である。
【0046】
バンプ2の大きさや形状は、今後、様々な種類のものが生産されると予想される。これにより、バンプ高さ検査のレンズも広くなることが予想される。今までは、パンプ2は小さなものでもチップ面上から高さが50μm程度であったが、高さが10〜20μm程度のバンプも実用化されつつある。
【0047】
一般に、小さなバンプ2ほど高精度の高さ検査が要求され、大きなバンプ2では小さなバンプ(微小バンプ)ほどの高さ検査精度は要求されない。微小バンプの場合は、上記高精度検査モードで対応すれば良い。
【0048】
これに対して大きなバンプの高さ検査をする場合について説明する。例えば高さ50μmの大きなバンプを検査する場合、要求される高さ検査精度は100μmの1/20で、±5μmと仮定する。対物レンズ28は、前述と同様にNA=0.3とする。NA=0.3としたので、Z方向のサンプリング間隔ΔZは、最も粗くて3.33μmである。これは要求される精度を十分満足できるが、高さ50μmの大きさのバンプのサンプリング間隔ΔZとしてはオーバスペックである。これでは検査装置としては検査時間を無駄に費やしているという問題が発生する。すなわち、1つのLSIチップ1当たりの検査コストに無駄なコストが掛かることになる。検査装置に要求されるのは、必要十分な検査精度でかつ検査時間を出来るだけ短縮して1チップ当たりの検査コストを抑制することにある。
【0049】
このような高さ測定レンジの変化に対応するためには、NAが異なる複数の対物レンズ28を用意し、測定レンジに合わせてIZカーブの急峻さを選択できるように対物レンズ28を交換する方法が考えられる。しかし、低倍率の対物レンズ28は高価で大型であり、コスト上問題がある。さらに、対物レンズの切替え機構を付加するのは、構成が複雑化し、検査コストが高くなる。
【0050】
しかるに、本発明では、共焦点ディスク23の開口部の大きさ(開口比)を変えるという非常に簡便な方法によってIZカーブの急峻さを選択できるようにした。
【0051】
セクショニング効果は、共焦点ディスク23の開口部の大きさが無限小のときにその効果がもっとも大きい。開口部の大きさを大きくすると、明るい画像を得ることが出来るが、セクショニング効果が弱くなる。すなわち、IZカーブの半値全幅(FWHM)が大きくなる。従って、開口部の大きさを大きくしてIZカーブの半値全幅を大きくし、Z方向のサンプリング間隔ΔZを粗くすることで検査時間の高速化を図る。
【0052】
図4は共焦点ディスク23の開口部をスリットに形成し、このスリット幅をパラメータとしたIZ特性を示す図である。対物レンズ28のNAは、0.23である。パラメータであるスリット幅は、対物レンズ28のNAで決まるエアリディスク径に対するスリット幅の比としている。同図からスリット幅が対物レンズ28のエアリディスク径に対して0.1倍、0.5倍、1倍と大きくなるに従ってIZカーブの半値全幅が急激に大きくなることが分る。0.1倍でのIZカーブは、スリット幅が無限小の場合と同じと考えて差し支えない。
【0053】
共焦点ディスク23の開口部をピンホールに形成した場合も同様に、対物レンズ28のエアリディスク径に対するピンホール径の比をパラメータとしたIZ特性を計算できる。図5は対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23の開口部の大きさの比を横軸に示し、IZカーブの半値全幅の変化を縦軸に示した図である。開口部としては、スリットとピンホールとの2種類の形状について示した。縦軸の半値全幅は、各形状の開口部の大きさが無限小の場合に「1」に規格化している。同図11対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23の開口部の大きさ(開口比)が大きくなるに従ってIZカーブの半値全幅が大きくなること、すなわちセクショニング効果が弱くなることを示す。
【0054】
従って、共焦点ディスク23に複数のスリットを形成した場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するスリット幅の比を30%以下にすれば、半値全幅FWHMは、FWHM≒1となる。又、共焦点ディスク23に複数のピンホールを形成した場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するピンホール径の比を60%以下にすれば、半値全幅FWHMは、FWHM≒1となる。従って、パンプ2の高さを精度高く検査するには、セクショニング効果が強い方がよいので、半値全幅FWHMは、FWHM≒1になるように共焦点ディスク23の開口部の大きさを変更する。
【0055】
一方、高速でバンプ2の高さを検査する場合、例えば2倍程度高速に検査する場合について説明する。この場合、Z方向のサンプリング間隔ΔZを2倍に粗くすれば良い。図5において、半値全幅FWHM≒2にすれば、2倍の粗さのサンプリング間隔ΔZが可能である。スリットの場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するスリット幅の比を約75%に選択し、ピンホールの場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するピンホール径の比を約105%に選択する。同様に、半値全幅FWHM≒3にしてサンプリング間隔Δを3倍粗くするには、スリットの場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するスリット幅の比を約90%に選択し、ピンホールの場合、対物レンズ28のエアリディスク径に対するピンホール径の比を約130%に選択する。
【0056】
対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23の開口部の大きさの比を変える方法について説明する。例えば図6に示すように共焦点ディスク23を3つのパターンP1〜P3の各領域に分割し、それぞれのパターンP1〜P3領域毎に対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23の開口部(ピンホール)の大きさの比が異なるように形成する。例えば、図7に示す共焦点ディスク23の各パターンP1〜P3領域における開口部31がスリットであれば、各パターンP1〜P3領域毎に対物レンズ28のエアリディスク径に共焦点ディスク23の開口部の大きさの比を変えるには、各パターンP1〜P3領域によってそれぞれスリット幅Sを異ならせればよい。
【0057】
このような共焦点ディスク23は、例えば手動で共焦点ディスク23を光軸と直交する方向にスライドするようにしたり、又は電動でスライドさせることにより、各パターンP1〜P3領域を光軸上に配置する。なお、共焦点ディスク23のピンホールは、楕円、三角形、四角形などの多角形でもよい。
【0058】
又、対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23の開口部の大きさの比を変える方法は、この比がそれぞれ異なる複数の共焦点ディスク23を用意し、これら共焦点ディスク23のうち適宜所望の共焦点ディスク23を使用するようにしてもよい。
【0059】
このように上記一実施の形態においては、対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23のスリット又はピンホールなどの開口部の大きさの比を変更することで、一つの対物レンズ28でセクショニング効果すなわちIZカーブの半値全幅FWHMを容易にできる。従って、バンプ2の高さ検査をする場合、高い検査精度を重視したい場合、又は検査時間を高速化したい場合などの要求に柔軟に対応できる。例えば、バンプ2の高さ検査に限らず、各種サンプル8の像を観察する場合、明るいセクショニング像で観察したいとか、セクショニング像が暗くても良いからサンプル8の細かいところまで精度高く観察したいなどのその観察目的によって要望がある。
【0060】
このような要望が様々あっても、これら要望に応じて対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23のスリット又はピンホールなどの開口部の大きさの比を変更することによってベストの状態のセクショニング像を得ることができる。
【0061】
一般に、共焦点光学系では、対物レンズ28のNAが小さくなるほどセクショニング効果が弱くなると同時に、光学的横分解能もNAが小さくなるほどけ劣化する。本発明装置では、対物レンズ28のNAを小さくしてセクショニング効果を弱くするのでなく、対物レンズ28のエアリディスク径に対する共焦点ディスク23のスリット又はピンホールなどの開口部の大きさの比を変更することにより、セクショニング効果を弱くするので、光学的横分解能は劣化しない。すなわち、対物レンズ28のNAを十分活かした横分解能を得ながら、セクショニング効果を大きく変えることができる。
【0062】
例えば、バンプ2がさらに微小化したり、1つのバンプ2のある程度の形状を検査する必要に迫られたり、或いは隣接する各バンプ2の間隔が狭くなった場合に、対物レンズ28の横分解能を劣化させずにセクショニング効果を変更できる。実際に、LCDドライバ用ICのバンプでは、1つのバンプのある程度の形状(特に凹み量)を検査する要求が出てきているので、この検査を精度高く行なうことができるいとう大きなメリットがある。
【0063】
なお、本発明は、上記一実施の形態に限定されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【0064】
例えば、上記一実施の形態では、共焦点ディスク23を用いた場合について説明したが、図8に示すように液晶表示素子を用いて電子的に例えばピンホールの各開口部40を走査してもよい。これらピンホール40の大きさ、すなわち対物レンズ28のエアリディスク径に対するピンホール径の比を可変すれば、セクショニング効果を瞬時にかつ簡単に変えることができる。液晶表示素子を用いた場合でも開口部はピンホールに限らず、スリットや楕円、三角形、四角形などの多角形でもよい。
【0065】
又、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。
【0066】
【発明の効果】
以上詳記したように本発明によれば、高い検査精度を重視する場合や検査時間を高速化したい場合に柔軟に対応できる共焦点顕微鏡及びこれを用いた高さ測定装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態を示す構成図。
【図2】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態により取得されるLSIチップを観察したときのセクショニング像を示す図。
【図3】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態により取得されるLSIチップを観察したときのセクショニング像を示す図。
【図4】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態における共焦点ディスクに形成されたスリット幅をパラメータとしたIZ特性図。
【図5】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態におけるエアリディスク径に対する開口部の大きさの比に対するIZカーブの半値全幅の変化を示す図。
【図6】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態におけるエアリディスク径に対する開口部の大きさの比の変更方法を説明するための図。
【図7】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の一実施の形態におけるスリット開口が形成された共焦点ディスクの構成図。
【図8】本発明に係わる共焦点顕微鏡を用いた高さ測定装置の変形例を示す構成図。
【図9】バンプ電極が形成されたLSIチップの構成図。
【図10】基板上に接続されたLSIチップを示す図。
【図11】バンプ電極が形成されたLSIチップの断面図。
【図12】従来の共焦点光学系の構成図。
【図13】サンプルのZ方向位置と検出ピンホールの通過光量との関係を示すI−Z特性の理論値を示す図。
【図14】実際にNA=0.3の対物レンズを用いたときのIZカーブの測定図。
【符号の説明】
8:サンプル、20:光源、21:コリメータレンズ、22:ビームスプリッタ、23:共焦点ディスク、24:モータ、25:結像レンズ、26:λ/4波長板、27,30:テレセントリック絞り、28:対物レンズ、29,31:レンズ、32:CCD、33:コンピュータ、34:モニタ、35:焦点移動装置。
Claims (4)
- 光を共焦点ディスクの開口部を通して対物レンズによりサンプルに照射し、このサンプルからの反射光を前記対物レンズから前記開口部を通して光電変換手段に結像させることにより前記サンプルのセクショニング像を取得する共焦点顕微鏡において、
前記対物レンズのエアリディスク径に対する前記開口部の大きさの比を変更することを特徴とする共焦点顕微鏡。 - 前記対物レンズのエアリディスク径に対する前記開口部の大きさの比は、当該共焦点顕微鏡におけるセクショニング効果の度合い又は前記セクショニング像を取得するサンプリング間隔に応じて選択することを特徴とする請求項1記載の共焦点顕微鏡。
- 前記ディスクには、前記対物レンズのエアリディスク径に対する前記開口部の大きさの比の異なる複数の前記開口部がそれぞれの各領域別に形成されたことを特徴とする請求項1記載の共焦点顕微鏡。
- 請求項1乃至3のうちいずれか1項記載の共焦点顕微鏡において、前記サンプル又は前記対物レンズを相互に前記対物レンズの光軸方向に走査させて複数の前記セクショニング像を取得し、これらセクショニング像から前記サンプルの高さ情報を取得することを特徴とする高さ測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003206520A JP2005055540A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 共焦点顕微鏡及び高さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003206520A JP2005055540A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 共焦点顕微鏡及び高さ測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005055540A true JP2005055540A (ja) | 2005-03-03 |
JP2005055540A5 JP2005055540A5 (ja) | 2006-09-07 |
Family
ID=34363357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003206520A Pending JP2005055540A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 共焦点顕微鏡及び高さ測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005055540A (ja) |
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