JP2005055326A - 導体電流測定方法及び導体電流測定用磁界センサ。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気インピーダンス効果を利用して導体周囲の導体電流に基づく磁界を検出してその導体電流を測定する場合、導体を囲む円周上に磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14を円周cの中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片11,13(12,14)の方向を同一方向とするように複数箇配設し、これらの磁気インピーダンス効果エレメント片の直列接続により磁気インピーダンス効果エレメントを構成し、各磁気インピーダンス効果エレメント片の近傍に配設した負帰還用コイル片61〜64の直列接続により負帰還用コイルを構成する。
【選択図】図3-1
Description
かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波励磁電流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部の円周方向の磁化に依存する。
而るに、この通電中のアモルファスワイヤの軸方向に被検出磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と被検出磁界磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。
而して、この変動現象が磁気インダクタンス効果と称され、これは上記高周波励磁電流(搬送波)が被検出波(変調波)で変調される現象ということができる。
而して、この変動現象が磁気インピーダンス効果と称され、これは上記高周波励磁電流(搬送波)が被検出波(変調波)で変調される現象ということができる。
そこで、この磁界強さHを磁気インピーダンス効果磁界検出法により検出して上記導体電流Iを測定することが提案されている。
そこで、導体の周りに環状磁芯からなる導磁路を設け、この導磁路の途中に空隙を設け、この空隙内に磁気インピーダンス効果エレメントを配設することが考えられている。この場合、導体が環状磁芯の中心からずれて環状磁芯に対し磁界分布が変化しても、環状磁芯を通る磁束がその磁芯の強い導磁性のために元の状態に保持されようとし、導***置が多少ずれても、環状磁芯途中の空隙の磁束、すなわち磁気インピーダンス効果エレメントを通る磁束を充分に一定にでき、磁界強度も充分に一定にできる。従って、導体の位置のずれによる導体電流測定誤差をよく抑えることができる。
しかしながら、環状磁芯にその強い導磁性のために地磁気等のノイズ磁界が通り、ノイズ磁界の影響が避けられない。
図1は本発明において使用する磁界検出法を示す回路図であり、磁気インピーダンス効果エレメント1に高周波励磁電流を加えるための高周波電源2と、磁気インピーダンス効果エレメント1と、磁気インピーダンス効果エレメント1の軸方向に加わる被検出磁界(変調波)Hで前記高周波励磁電流(搬送波)を変調させた被変調波を復調する復調回路3と、復調波を増幅する増幅回路4と、出力端5と、負帰還用コイル6と、バイアス磁界用コイル7等から構成されている。
磁気インピーダンス効果エレメントには、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、アモルファススパッタ膜等を使用できる。
図3−1において、81は導体挿通孔82を有する基板例えばセラミックス基板、821は導体挿通孔82に対する切欠き部である。11〜14は孔82を囲む円周c上に配設した磁気インピーダンス効果エレメント片であり、図3−2に示すように直列に接続してある。これらの磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14の軸方向は円周cの接線方向に向けられており、従って、円周cの一方向(左周り方向または右巻き方向と)と同一方向とされ、円周cの中心を挾んで対向する対を磁気インピーダンス効果エレメント片11,13(12,14)は互いに平行である。
図3−1及び図3−2において、2は高周波励磁電源回路、3は復調回路、4は増幅回路、5は出力端である。61〜64は各磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14の近傍に配設された負帰還用コイル片であり、図3−2に示すように直列に接続してある。71〜74は各磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14の近傍に配設されたバイアス磁界用コイル片であり、図3−2に示す例では+Vcc電源に対し直列に接続してあるが、+Vcc電源に対し並列に接続することも可能である。
而るに、図3−1、図3−2において全磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14の向きを円周cの一方向に一致させてこれらの磁気インピーダンス効果エレメント片を直列に接続してあり、図3−1における導体電流磁界Hを記入した図3−2からも明らかなように、各磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14に導体電流発生磁界Hが同一の方向で作用することになる。この磁界Hに対する直列接続された全磁気インピーダンス効果エレメント片全体の出力は磁気インピーダンス効果エレメント片の長さの総計にほぼ比例し、その長さをwとすると、長さwの磁気インピーダンス効果エレメントに磁界Hが作用するときの出力にほぼ一致し、かかる磁気インピーダンス効果エレメントの図2の(ニ)に示すような極性判別可能の直線出力特性を予め求めておくことにより、その出力を容易に検出することができ、前記円周cの半径をrとすれば、
この場合、図3−1において、磁気インピーダンス効果エレメント片11〜14が配設された円周cの周回路の相当部分が導磁率の高いアモルファス磁性体で占められているので、その周回路の導磁性が充分に高く、導体9の位置ずれにより磁界分布が変化しても、高導磁性周回路を通る磁束が元のままに保持されようとし、その結果導体の位置ずれによる出力の変度をよく抑えることができるから、導体の位置ずれによる導体電流の測定誤差を充分に軽減でき、導体電流を充分に高精度で測定できる。
奇数箇の場合、すなわ〔(円周中心を挾む対)×n+1〕箇の場合、〔(円周中心を挾む対)×n+1〕箇中の1箇分の磁気インピーダンス効果エレメント片の軸方向に作用するノイズ磁界成分に対する出力が現れるだけであり、奇数箇の場合でも、nが大きいときは充分に有効である。
本発明において、磁気インピーダンス効果エレメント片の直列接続とは、これら磁気インピーダンス効果エレメント片の出力の和を得るように接続するものであればよく、例えばこれら磁気インピーダンス効果エレメント片の出力を検出インピーダンスに集め、検出インピーダンス電圧を取出すための検出端を設ける構成とすることもできる。
図4の(イ)は本発明において使用される磁気インピーダンス効果ユニットの一例を示す側面図、図4の(ロ)は同じく底面図、図4の(ハ)は図4の(ロ)におけるハ−ハ断面図である。
図4において、100は基板片であり、例えばセラミックス板を使用できる。101は基板片100の片面に設けた電極であり、エレメント片接続用突部102を備えている。この電極は導電ペースト、例えば、銀ペーストの印刷・焼付けにより設けることができる。1xは電極101、101の突部102,102間にはんだ付けや溶接により接続した磁気インピーダンス効果エレメント片であり、前記した零磁歪乃至は負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、スパッタ膜等を使用できる。103はC形鉄芯、6xはC形鉄芯103に巻装した負帰還磁界発生用コイル片、7xは同じくバイアス磁界用コイル片(何れにも、通常、銅線に絶縁塗料を塗り付けてなるマグネットワイヤが使用される)であり、磁気インピーダンス効果エレメント片1xとC形鉄芯103とでループ磁気回路を構成するように、C形鉄芯103の両端を基板片100の他面に接着剤等で固定してある。
記鉄芯材料としては、残留磁束密度の小さい磁性体であればよく、例えば、パーマロイ、フェライト、鉄、アモルファス磁性合金の他、磁性体粉末混合プラスチック等を挙げることができる。
而るに、前記基板片100の厚みが薄くRcを小さくでき、また、C形鉄芯の脚部の高さを巻線の直径よりやや高くする程度にとどめてC形鉄芯の長さを短くできるから、前記磁気回路の磁気抵抗Rmを充分に低くでき、それだけ各コイルの巻数Nを少なくできる結果、コイル自体も小型化できる。
この磁気インピーダンス効果ユニットを用いて請求項4に係る導体電流測定用磁界センサを構成するには、図5に示すように上記の磁気インピーダンス効果ユニットU1〜U4が導体挿通用孔82を有する基板81の82孔を囲む円周上に複数箇、円周中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片の感磁方向を同一方向として搭載され、前記磁気インピーダンス効果ユニットU1〜U4の磁気インピーダンス効果エレメント片及び負帰還用コイル片がそれぞれ直列に接続され、直列接続の磁気インピーダンス効果エレメント片に対する励磁電流源回路2が搭載され、磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出すための復調回路3や増幅回路4が搭載され、前記と同様にして直列接続の負帰還用コイル片を経て負帰還がかけられ、バイアス磁界用コイルによりバイアス磁界がかけられ、図2の(ニ)に示すような極性判別可能な直線出力が得られるように調整される。
この磁気インピーダンス効果ユニットの基板への搭載にあたっては、磁気インピーダンス効果エレメント片の機械的保護のために、ユニットの磁気インピーダンス効果エレメント片側を基板に向け、ユニット基板片を基板に接着剤で固定することが望ましい。
図5における、導体電流磁界Hに対する磁気インピーダンス効果ユニットの磁気抵抗Rwは、C形鉄芯の磁気抵抗をRa、磁気インピーダンス効果エレメント片部分の磁気抵抗をRbとして
上記の実施例では、被変調波の復調によって被検出量を取り出しているが、これに限定されず、磁気インピーダンス効果エレメントに作用する被検出磁界による磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出し得るもので適宜の回路構成を使用できる。
図6の例では、出力より反転入力端子に負帰還をかけた演算増幅器(負帰還路挿入インピーダンスZ2、入力側挿入インピーダンスZ1)を使用しており、直列接続コイルに挿入した抵抗をR、直列接続コイルの巻数をN、長さをL、復調増幅部Bの利得をA、被検出磁界をHex、出力をEoutとすると、
2 高周波励磁電流源
3 復調回路
4 増幅回路
61〜64 負帰還用コイル片
71〜74 バイアス磁界用コイル片
81 基板
82 導体挿通用孔
9 導体
Claims (8)
- 磁気インピーダンス効果エレメントをバイアス磁界をかけながら励磁電流により励起し、磁気インピーダンス効果エレメントに作用する被検出磁界による磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出し、磁気インピーダンス効果エレメント近傍に配設した負帰還用コイルに前記被検出量に基づく負帰還信号を負帰還させて出力−被検出磁界特性を直線化すると共に前記バイアス磁界により極性判別可能にする磁界検出方法により導体周囲の導体電流に基づく磁界を検出してその導体電流を測定する電流測定法であり、前記導体を囲む円周上に磁気インピーダンス効果エレメント片を円周中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片の感磁方向を同一方向とするように複数箇配設し、これらの磁気インピーダンス効果エレメント片の直列接続により前記の磁気インピーダンス効果エレメントを構成し、各磁気インピーダンス効果エレメント片の近傍に配設した負帰還用コイル片の直列接続により前記の負帰還用コイルを構成することを特徴とする導体電流測定方法。
- 請求項1記載の導体電流測定方法において使用する磁界検出センサであり、導体挿通用孔を有する基板のその孔を囲む円周上に複数箇の磁気インピーダンス効果エレメント片が円周中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片の感磁方向を同一方向として搭載され、各磁気インピーダンス効果エレメント片の近傍に負帰還用コイル片が配設され、各磁気インピーダンス効果エレメント片の近傍にバイアス磁界用コイル片が配設され、前記の磁気インピーダンス効果エレメント片及び負帰還用コイル片がそれぞれ直列に接続され、直列接続の磁気インピーダンス効果エレメント片に対する励磁電流源回路が搭載され、磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出すための検出回路が搭載されていることを特徴とする導体電流測定用磁界センサ。
- 請求項1記載の導体電流測定方法において使用する磁界センサであり、磁気インピーダンス効果エレメント片が基板片の片面に配設され、基板片の他面にバイアス磁界用コイル片及負帰還用コイル片が配設されてなる磁気インピーダンス効果ユニットが導体挿通用孔を有する基板の孔を囲む円周上に複数箇、円周中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片の感磁方向を同一方向として搭載され、前記磁気インピーダンス効果ユニットの磁気インピーダンス効果エレメント片及び負帰還用コイル片がそれぞれ直列に接続され、直列接続の磁気インピーダンス効果エレメント片に対する励磁電流源回路が搭載され、磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出すための検出回路が搭載されていることを特徴とする導体電流測定用磁界センサ。
- 磁気インピーダンス効果エレメント片が基板片の片面に配設され、基板片の他面に前記磁気インピーダンス効果エレメント片とで磁気回路を構成するように鉄芯が配設され、該鉄芯にバイアス磁界用コイル片及負帰還用コイル片が巻装されてなる磁気インピーダンス効果ユニットが使用されていることを特徴とする請求項3記載の導体電流測定用磁界センサ。
- バイアス磁界用コイル片が直列に接続されていることを特徴とする請求項2〜4何れか記載の導体電流測定用磁界センサ。
- 請求項1記載の導体電流測定方法において使用する磁界センサであり、導体挿通用孔を有する基板のその孔を囲む円周上に複数箇の磁気インピーダンス効果エレメント片が円周中心を挾む対の磁気インピーダンス効果エレメント片の感磁方向を同一方向として搭載され、各磁気インピーダンス効果エレメント片の近傍にコイル片が配設され、前記の磁気インピーダンス効果エレメント片及びコイル片がそれぞれ直列に接続され、この直列接続コイル片に直流バイアス信号と負帰還信号の重畳信号を入力させるための演算回路が負帰還回路に設けられ、直列接続の磁気インピーダンス効果エレメント片に対する励磁電流源回路が搭載され、磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出量を取り出すための検出回路が搭載されていることを特徴とする導体電流測定用磁界センサ。
- 磁気インピーダンス効果エレメント片の箇数が3個以上とされていることを特徴とする請求項2〜6何れか記載の導体電流測定用磁界センサ。
- 磁気インピーダンス効果エレメント片の箇数が4個以上の偶数とされていることを特徴とする請求項2〜6何れか記載の導体電流測定用磁界センサ。
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