JP2005049254A - Inspection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that a probe formed with micromachining technology is so thin and overdrive quantity is so small, for example tens of μm, that a head plate 1A may distort more than 100μm due to thermal effects from a chuck top (chuck top 13) of a mounting stage 11 in the case of inspecting a wafer at high temperature, for example, and it is made hard to set a proper overdrive quantity. <P>SOLUTION: The inspection device 10 is provided with a putting stage 11 having an elevation mechanism for elevating the chuck top 13 and a probe card 12 arranged upward the putting stage 11 and having a plurality of probes 12A, and it inspects electric characteristics of the wafer W by overdriving after contacting of the probe 12A to the wafer W by the elevation of the chuck top 13. A stopper 15 is provided to the outside in radial direction of the chuck top 13 for ensuring a specific overdrive quantity for the elevation of the chuck top 13 by contacting the probe 12A. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、被検査体の電気的特性検査を行う検査装置に関し、更に詳しくは、熱あるいは熱による位置ズレに影響されることなく、プローブカードの多数のプローブと被検査体の検査用電極とを確実に接触させることができる検査装置に関するものである。   The present invention relates to an inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected. More specifically, the present invention relates to an inspection device for an object to be inspected and a large number of probes on a probe card without being affected by heat or positional deviation due to heat. It is related with the inspection apparatus which can be made to contact reliably.

この種の検査装置は、例えば図４の（ａ）、（ｂ）に示すように、ローダ室１とプローバ室２を備えている。ローダ室１は、例えば、被検査体（例えば、ウエハ）Ｗを収納する収納部３と、ウエハＷを搬送するウエハ搬送機構４と、ウエハＷのプリアライメントを行うプリアライメント機構５とを備えている。また、プローバ室２は、ウエハＷを載置する載置台６と、載置台６を水平方向（Ｘ、Ｙ方向）に移動させるＸＹテーブル７と、載置台６の上方に配置されたプローブカード８と、プローブカード８と載置台６上のウエハＷとのアライメントを行うアライメント機構９とを備えている。   This type of inspection apparatus includes a loader chamber 1 and a prober chamber 2, for example, as shown in FIGS. The loader chamber 1 includes, for example, a storage unit 3 that stores an object to be inspected (for example, a wafer) W, a wafer transfer mechanism 4 that transfers the wafer W, and a pre-alignment mechanism 5 that performs pre-alignment of the wafer W. Yes. The prober chamber 2 includes a mounting table 6 on which the wafer W is mounted, an XY table 7 for moving the mounting table 6 in the horizontal direction (X and Y directions), and a probe card 8 disposed above the mounting table 6. And an alignment mechanism 9 for aligning the probe card 8 and the wafer W on the mounting table 6.

載置台６は、例えば温度調節機構及び昇降機構を有する。温度調節機構はウエハＷの高温検査や低温検査を行う場合に機能し、昇降機構はアライメント時や検査時に機能する。プローブカード８はヘッドプレート１Ａの略中央の開口部に固定されている。プローブカード８は、例えばタングステンワイヤー等によって形成された複数のプローブ８Ａを有し、各プローブ８Ａを各デバイスの電極パッドに接触させ、テスタとデバイス間で電気信号の授受を行う。このようなプローブにはカンチレバータイプのものや垂直針タイプのものが広く用いられている。また、アライメント機構９は、アライメント時にウエハＷ側を撮像する上カメラ９Ａと、プローブカード８のプローブ８Ａを撮像する下カメラ９Ｂとを備えている。上カメラ９Ａはアライメントブリッジ９Ｃの中央に取り付けられ、このアライメントブリッジ９Ｃはプローバ室２の左右両側の上方で前後方向に配置された一対のガイドレール９Ｄに沿って移動する。下カメラ９Ｂは載置台６に付設されている。尚、図４の（ａ）において、Ｔはテストヘッドである。   The mounting table 6 includes, for example, a temperature adjustment mechanism and a lifting mechanism. The temperature adjustment mechanism functions when performing high temperature inspection or low temperature inspection of the wafer W, and the lifting mechanism functions during alignment or inspection. The probe card 8 is fixed to the substantially central opening of the head plate 1A. The probe card 8 has a plurality of probes 8A formed of, for example, a tungsten wire or the like. Each probe 8A is brought into contact with an electrode pad of each device, and an electrical signal is exchanged between the tester and the device. As such a probe, a cantilever type or a vertical needle type is widely used. The alignment mechanism 9 also includes an upper camera 9A that images the wafer W side during alignment and a lower camera 9B that images the probe 8A of the probe card 8. The upper camera 9A is attached to the center of the alignment bridge 9C, and the alignment bridge 9C moves along a pair of guide rails 9D arranged in the front-rear direction above the left and right sides of the prober chamber 2. The lower camera 9B is attached to the mounting table 6. In FIG. 4A, T is a test head.

而して、プローバ室２内でウエハＷの検査を行う場合には、載置台６がＸＹテーブル７を介して移動する間にアライメント機構９によって載置台６上のウエハＷとプローブカード８とのアライメントを行う。その後、載置台６が検査位置まで移動した後、昇降機構を介して載置台６の載置部が上昇してウエハＷとプローブカード８のプローブ８Ａが接触する。更に、昇降機構を介して載置台６に所定量のオーバードライブを掛けてウエハＷとプローブ８Ａとを電気的に接触させて検査を行う。   Thus, when the wafer W is inspected in the prober chamber 2, the alignment mechanism 9 moves the wafer W on the mounting table 6 and the probe card 8 while the mounting table 6 moves through the XY table 7. Align. Thereafter, after the mounting table 6 has moved to the inspection position, the mounting unit of the mounting table 6 rises through the lifting mechanism, and the wafer W and the probe 8A of the probe card 8 come into contact with each other. Further, a predetermined amount of overdrive is applied to the mounting table 6 via the lifting mechanism, and the wafer W and the probe 8A are brought into electrical contact for inspection.

オーバードライブ量は、検査の良し悪しに影響し、場合によってはプローブの破損等をもたらすため、その管理は極めて重要である。そこで、例えば特許文献１にはオーバードライブ量の上限を設定するストッパーを備えたプローブカードについて記載されている。このプローブカードは、垂直式プローブピンや針式プローブピンに採用でき、過大なオーバードライブ量を受けた際に、プローブピンの変形や位置ズレ等を防止することができる。   Since the amount of overdrive affects the quality of inspection and may cause damage to the probe in some cases, its management is extremely important. Therefore, for example, Patent Document 1 describes a probe card including a stopper for setting an upper limit of the overdrive amount. This probe card can be used for a vertical probe pin or a needle probe pin, and can prevent deformation or misalignment of the probe pin when receiving an excessive amount of overdrive.

また、特許文献２にはデバイスの高集積化に対応したメンブレンタイプのプローブカードを用いたプローブ装置について記載されている。この場合にもプローブカードにストッパーが設けられ、このストッパーによってプローブカードの破損を防止するようにしている。   Patent Document 2 describes a probe apparatus using a membrane-type probe card corresponding to high integration of devices. In this case as well, the probe card is provided with a stopper, which prevents the probe card from being damaged.

ところが、最近はデバイスの高集積化が急速に進み、電極パッドも狭ピッチ化しているため、従来の垂直タイプやカンチレバータイプのプローブ等では電極パッドの狭ピッチ化に対応しきれない状況になってきている。そこで、最近ではマイクロマシン技術を用いて今後の高集積化に対応したプローブを有するプローブカードの製品化が検討されている。
特開平１１−２６４８３９号公報（請求項１及び段落[００１３]、[００２９]） 特開平８−８３８２５号公報（請求項４及び段落[００４４]） However, as device integration has rapidly increased recently, electrode pads have also become narrower in pitch, and conventional vertical type and cantilever type probes have become unable to cope with narrower electrode pad pitches. ing. Therefore, recently, the commercialization of a probe card having a probe corresponding to future high integration using micromachine technology is being studied.
JP-A-11-264839 (Claim 1 and paragraphs [0013] and [0029]) JP-A-8-83825 (Claim 4 and paragraph [0044])

しかしながら、マイクロマシン技術によって形成された狭ピッチ化に対応したプローブは極めて微細でオーバードライブ量が例えば数１０μｍと小さくなるため、ウエハの高温検査を行う場合に載置台のチャックトップ（載置部）からの熱の影響を受け、ヘッドプレート１Ａが数１０μｍ程度、場合によっては１００μｍ以上上下方向に反ってオーバードライブ量を超えてしまい、プローブカード８の使用が難しくなるという課題があった。更に、検査の種類によってはウエハＷとプローブカード８を全面で一括接触させて検査を行う場合もあるが、このような場合にも数μｍ以下にウエハＷとプローブカード８の平行度を調整するのが難しいという課題があった。   However, since the probe corresponding to the narrow pitch formed by the micromachine technology is extremely fine and the amount of overdrive is as small as several tens of μm, for example, when performing high-temperature inspection of the wafer, the chuck top (mounting unit) of the mounting table is used. Under the influence of heat, the head plate 1A is about several tens of μm, sometimes exceeding 100 μm in the vertical direction and exceeding the amount of overdrive, which makes it difficult to use the probe card 8. Further, depending on the type of inspection, the wafer W and the probe card 8 may be in contact with the entire surface for inspection. In such a case, the parallelism between the wafer W and the probe card 8 is adjusted to several μm or less. There was a problem that it was difficult.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブが微細化しても熱の影響を受けることなくプローブと被検査体とを所定のオーバードライブ量で確実に接触させることができる検査装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problem, and even when the probe is miniaturized, the probe and the object to be inspected can be reliably contacted with a predetermined overdrive amount without being affected by heat. The object is to provide a device.

本発明の請求項１に記載の検査装置は、被検査体を載置する載置部の昇降機構を有する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブを有するプローブカードとを備え、上記載置部の上昇により上記プローブと上記被検査体とが接触した後、オーバードライブして上記被検査体の電気的特性検査を行う検査装置であって、上記載置部の上昇により上記プローブに当接して所定のオーバードライブ量を維持する当接機構を上記載置部の径方向外側に設けたことを特徴とするものである。   An inspection apparatus according to a first aspect of the present invention includes a mounting table having a lifting mechanism for a mounting unit on which an object to be inspected is mounted, and a probe card that is disposed above the mounting table and has a plurality of probes. An inspection device for overdriving and inspecting the electrical characteristics of the object to be inspected after the probe and the object to be inspected are brought into contact with each other due to the rising of the mounting part. A contact mechanism that contacts the probe and maintains a predetermined overdrive amount is provided on the radially outer side of the mounting portion.

また、本発明の請求項２に記載の検査装置は、請求項１に記載の発明において、上記当接機構は、上記載置部の周方向に等間隔を空けて複数設けられていることを特徴とするものである。   In the inspection apparatus according to claim 2 of the present invention, in the invention according to claim 1, a plurality of the contact mechanisms are provided at equal intervals in the circumferential direction of the mounting portion. It is a feature.

また、本発明の請求項３に記載の検査装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記当接機構は、上記オーバードライブ量を設定する機構を有することを特徴とするものである。   According to a third aspect of the present invention, in the inspection apparatus according to the first or second aspect, the contact mechanism has a mechanism for setting the overdrive amount. It is.

また、本発明の請求項４に記載の検査装置は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記当接機構は、昇降駆動機構を有することを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the inspection apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the contact mechanism includes a lift drive mechanism. It is.

また、本発明の請求項５に記載の検査装置は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記当接機構は、圧電体を有することを特徴とするものである。   An inspection apparatus according to claim 5 of the present invention is the inspection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the contact mechanism includes a piezoelectric body. is there.

また、本発明の請求項６に記載の検査装置は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記プローブカードは、上記被検査体の全検査用電極に対応する複数のプローブを有することを特徴とするものである。   Moreover, in the inspection apparatus according to claim 6 of the present invention, in the invention according to any one of claims 1 to 5, the probe card corresponds to all the inspection electrodes of the object to be inspected. It has a plurality of probes.

本発明の請求項１〜請求項７に記載の発明によれば、プローブが微細化しても熱の影響を受けることなくプローブと被検査体とを所定のオーバードライブ量で確実に接触させることができる検査装置を提供することができる。   According to the first to seventh aspects of the present invention, even if the probe is miniaturized, the probe and the device under test can be reliably brought into contact with each other with a predetermined overdrive amount without being affected by heat. An inspection device capable of being provided can be provided.

以下、図１及び図２に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。本実施形態では、プローブカードへの当接機構としてボールネジや圧電体を用いることによって最良の効果を発揮する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiment shown in FIGS. 1 and 2. In this embodiment, the best effect is exhibited by using a ball screw or a piezoelectric body as a contact mechanism to the probe card.

本実施例の検査装置１０は、例えば図１の（ａ）に示すように、被検査体（例えば、ウエハ）Ｗを載置する昇降可能な載置台１１と、この載置台１１の上方に配置されたプローブカード１２とを備え、その他の部分は従来の検査装置に準じて構成されている。   As shown in FIG. 1A, for example, the inspection apparatus 10 according to the present embodiment is disposed on a mounting table 11 on which an object to be inspected (for example, a wafer) W can be moved up and down, and above the mounting table 11. The other part is configured according to a conventional inspection apparatus.

載置台１１は、図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハＷを載置する載置部（チャックトップ）１３と、このチャックトップ１３を支持する支持部１４とを備えている。チャックトップ１３内には温度調節機構としてのヒータ（図示せず）が設けられ、このヒータによってウエハＷを所定温度まで加熱して高温検査を行えるようになっている。また、ヒータの下方には冷却ジャケットなどが設けられ、低温検査を行えるようになっている。また、支持部１４は昇降駆動機構（図示せず）を介して矢印Ａ方向に上昇し、上昇後には元の位置まで下降するようになっている。この昇降駆動機構は例えばボールネジ及びモータによって構成されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the mounting table 11 includes a mounting unit (chuck top) 13 on which the wafer W is mounted and a support unit 14 that supports the chuck top 13. Yes. A heater (not shown) as a temperature adjusting mechanism is provided in the chuck top 13, and the wafer W can be heated to a predetermined temperature by this heater to perform a high temperature inspection. Further, a cooling jacket or the like is provided below the heater so that a low temperature inspection can be performed. Further, the support portion 14 is raised in the direction of arrow A via an elevating drive mechanism (not shown), and is lowered to its original position after being raised. This elevating drive mechanism is constituted by a ball screw and a motor, for example.

而して、図１の（ａ）ではプローブカード１２のプローブ１２Ａを模式的に示してあるが、これらのプローブ１２Ａは例えばマイクロマシンの技術によってウエハＷの検査用の全電極パッドに対応させてプローブカード１２の基板１２Ｂに形成されている。このプローブ１２Ａは極めて微細な構造であるため、４０〜１００μｍのオーバードライブ量しか確保することができない。また、プローブ１２Ａの針先の高さのバラツキを吸収した上でウエハＷの電極パッドと電気的な導通を取るためには更に少なくとも３０μｍ程度は押し付ける必要がある。   1A schematically shows the probes 12A of the probe card 12, but these probes 12A correspond to all electrode pads for inspection of the wafer W by, for example, a micromachine technique. It is formed on the substrate 12B of the card 12. Since the probe 12A has an extremely fine structure, it can only secure an overdrive amount of 40 to 100 μm. Further, it is necessary to press at least about 30 μm in order to establish electrical continuity with the electrode pad of the wafer W after absorbing the variation in the height of the probe tip of the probe 12A.

ところが、例えばチャックトップ１３からウエハＷを８５℃に加熱して高温検査を行う場合には、チャックトップ１３からの熱でヘッドプレートが変形してプローブカード１２の高さが数１０μｍ、場合によっては１００μｍ以上変動してしまう。これと同時にウエハＷとの平行も崩れることがある。そのため、このような状況下ではマイクロマシン技術で形成されたプローブ１２Ａを使用することが難しくなる。   However, for example, when the wafer W is heated from the chuck top 13 to 85 ° C. and the high temperature inspection is performed, the head plate is deformed by the heat from the chuck top 13 and the height of the probe card 12 is several tens of μm. It fluctuates 100 μm or more. At the same time, the parallelism with the wafer W may be broken. Therefore, it becomes difficult to use the probe 12A formed by the micromachine technique under such a situation.

そこで、本実施例では当接機構を用いてヘッドプレートの変形に影響されることなく、ウエハＷとプローブ１２Ａとを所定のオーバードライブ量で確実に接触させるようにしている。即ち、この当接機構は図１の（ａ）、（ｂ）に示すように支持部１４上に設けられ、チャックトップ１３が矢印Ａ方向に上昇する間に当接機構がプローブカード１２と当接し、常に所定のオーバードライブ量を維持してウエハＷとプローブ１２Ａとが安定に一括接触するようにしてある。この当接機構は同図に示すように具体的には３個のストッパー１５によって構成され、これら３個のストッパー１５はチャックトップ１３の周囲にその周方向等間隔を空けて設けられている。   Therefore, in this embodiment, the contact mechanism is used to reliably contact the wafer W and the probe 12A with a predetermined overdrive amount without being affected by the deformation of the head plate. That is, this contact mechanism is provided on the support portion 14 as shown in FIGS. 1A and 1B, and the contact mechanism is brought into contact with the probe card 12 while the chuck top 13 is raised in the arrow A direction. The wafer W is always in contact with the probe 12A while maintaining a predetermined overdrive amount. As shown in the figure, the abutment mechanism is specifically constituted by three stoppers 15, and these three stoppers 15 are provided around the chuck top 13 at equal intervals in the circumferential direction.

このストッパー１５は、例えば図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、ボールネジ１５Ａと、このボールネジ１５Ａと一体化したモータ１５Ｂとを備えて構成されている。モータ１５Ｂはミクロンオーダーの分解能を有し、ボールネジ１５Ａをミクロン単位で矢印Ｂ方向に昇降させることができる。ボールネジ１５Ａの上端はウエハＷの表面から僅かに突出している。この時の突出量をモータ１５Ｂによって適宜設定し所定のオーバードライブ量を設定することができる。ボールネジ１５Ａ上端の高さは、アライメント機構９の上カメラ９Ａを用いて確認することができ、アライメント時にボールネジ１５Ａの高さが所定のオーバードライブ量になっていない時にはモータ１５Ｂを介してその差分を調節することができる。   For example, as shown in FIGS. 1A and 1B, the stopper 15 includes a ball screw 15A and a motor 15B integrated with the ball screw 15A. The motor 15B has a resolution on the order of microns, and can move the ball screw 15A up and down in the direction of arrow B in units of microns. The upper end of the ball screw 15A slightly protrudes from the surface of the wafer W. The protrusion amount at this time can be set as appropriate by the motor 15B to set a predetermined overdrive amount. The height of the upper end of the ball screw 15A can be confirmed using the upper camera 9A of the alignment mechanism 9. When the height of the ball screw 15A does not reach the predetermined overdrive amount during alignment, the difference is obtained via the motor 15B. Can be adjusted.

また、ストッパー１５の駆動機構として圧電体を用いることができる。この場合には、ストッパーは圧電体と昇降体（例えば、ロッド）とを有し、圧電体の印加電圧によってロッドの昇降量をミクロンオーダーで制御することができる。   Further, a piezoelectric body can be used as a driving mechanism for the stopper 15. In this case, the stopper has a piezoelectric body and a lifting / lowering body (for example, a rod), and the lifting / lowering amount of the rod can be controlled in a micron order by the applied voltage of the piezoelectric body.

次に、図２を参照しながら動作について説明する。プローバ室内の載置台１１においてウエハＷを受け取ると、載置台１１の温度調整機構を介してウエハＷを所定温度（例えば、８５℃）に設定する。この状態で載置台１１がＸＹテーブルを介して移動する間にアライメント機構によってウエハＷとプローブカード１２とのアライメントを行う。この際、載置台１１のストッパー１５のボールネジ１５ＡのウエハＷ上面からの突出量をモータ１５Ｂによって調節し、所定のオーバードライブ量を確保する。アライメント後、載置台１１がＸＹテーブルを介して移動し、図１の（ａ）に示すようにウエハＷがプローブカード１２の真下に到達する。この状態で載置台１１の昇降機構が駆動してチャックトップ１３及びストッパー１５が支持部１４と一緒に上昇する。   Next, the operation will be described with reference to FIG. When the wafer W is received by the mounting table 11 in the prober chamber, the wafer W is set to a predetermined temperature (for example, 85 ° C.) via the temperature adjustment mechanism of the mounting table 11. In this state, the wafer W and the probe card 12 are aligned by the alignment mechanism while the mounting table 11 moves through the XY table. At this time, the amount of protrusion of the stopper 15 of the mounting table 11 from the upper surface of the wafer W of the ball screw 15A is adjusted by the motor 15B to ensure a predetermined overdrive amount. After alignment, the mounting table 11 moves through the XY table, and the wafer W reaches just below the probe card 12 as shown in FIG. In this state, the lifting mechanism of the mounting table 11 is driven, and the chuck top 13 and the stopper 15 are lifted together with the support portion 14.

チャックトップ１３の上昇により、まず図２の（ａ）に示すようにウエハＷとプローブ１２Ａとが接触する。この段階ではストッパー１５とプローブカード１２は接触していない。引き続き、載置台１１の昇降機構を介してチャックトップ１３及びストッパー１５が上昇し、同図の（ｂ）に示すようにストッパー１５とプローブカード１２の基板１２Ｂとが接触する。この間にプローブ１２Ａには所定量のオーバードライブが掛かって全てのプローブ１２Ａと対応するウエハＷの電極パッドとが電気的に接触し、プローブ１２Ａを介してテスタとウエハＷ間で信号を授受できる状態になる。   As the chuck top 13 rises, the wafer W and the probe 12A first come into contact as shown in FIG. At this stage, the stopper 15 and the probe card 12 are not in contact. Subsequently, the chuck top 13 and the stopper 15 are raised via the lifting mechanism of the mounting table 11, and the stopper 15 and the substrate 12B of the probe card 12 come into contact as shown in FIG. During this time, a predetermined amount of overdrive is applied to the probe 12A so that all the probes 12A and the corresponding electrode pads of the wafer W are in electrical contact, and signals can be exchanged between the tester and the wafer W via the probe 12A. become.

この際、チャックトップ１３の温度の影響でプローブカード１２及びヘッドプレートが僅かに変形するが、本実施例では載置台１１の昇降機構を介してストッパー１５をプローブカード１２に熱でヘッドプレートが変形した以上にヘッドプレートを変形させるだけ強く押し付けることによってプローブカード１２やヘッドプレートの変形の影響を受けることがない。このようにストッパー１５をプローブカード１２に強く押し付けても、ウエハＷのオーバードライブ量はストッパー１５のウエハＷからの突出量で決まるため、ストッパー１５からプローブカード１２への押圧力に関係なく一定である。   At this time, the probe card 12 and the head plate are slightly deformed due to the temperature of the chuck top 13, but in this embodiment, the head plate is deformed by heat of the stopper 15 to the probe card 12 via the lifting mechanism of the mounting table 11. By pressing the head plate as hard as possible, the probe card 12 and the head plate are not affected by the deformation. Even if the stopper 15 is strongly pressed against the probe card 12 in this way, the overdrive amount of the wafer W is determined by the amount of protrusion of the stopper 15 from the wafer W, and therefore is constant regardless of the pressing force from the stopper 15 to the probe card 12. is there.

また、ウエハＷの厚みが変動する場合にはストッパー１５のウエハＷ表面からの突出量が変動するため、モータ１５Ｂまたは圧電体を介して突出量を調節して最適なオーバードライブ量を設定する。また、プローブカード１２の継続使用によりプローブ１２Ａが磨耗した場合も同様にオーバードライブ量を設定し直すことができる。このような事態を考慮してプローブ１２Ａの針先高さやストッパー１５の高さを定期的に測定し、オーバードライブ量を定期的に調節することが好ましい。   In addition, when the thickness of the wafer W varies, the amount of protrusion of the stopper 15 from the surface of the wafer W varies, so the optimum amount of overdrive is set by adjusting the amount of protrusion via the motor 15B or the piezoelectric body. Further, when the probe 12A is worn due to continuous use of the probe card 12, the overdrive amount can be reset in the same manner. In consideration of such a situation, it is preferable to regularly measure the needle tip height of the probe 12A and the height of the stopper 15 and periodically adjust the overdrive amount.

以上説明したように本実施例によれば、チャックトップ１３の上昇によりプローブカード１２の基板１２Ｂに当接して所定のオーバードライブ量を維持するストッパー１５をチャックトップ１３の径方向外側に設けたため、ストッパー１５がプローブカード１２の基板１２Ｂに当接することによって常に一定のオーバードライブ量を確保することができ、マイクロマシン技術等によってプローブ１２Ａが微細化してもチャックトップ１３からの熱の影響を受けることなくプローブ１２ＡとウエハＷとを所定のオーバードライブ量で確実に電気的に接触させることができる。   As described above, according to the present embodiment, the stopper 15 that contacts the substrate 12B of the probe card 12 and maintains the predetermined overdrive amount by raising the chuck top 13 is provided on the outer side in the radial direction of the chuck top 13. The stopper 15 abuts against the substrate 12B of the probe card 12 so that a constant overdrive amount can always be secured, and even if the probe 12A is miniaturized by a micromachine technique or the like, it is not affected by the heat from the chuck top 13. The probe 12A and the wafer W can be reliably brought into electrical contact with a predetermined overdrive amount.

また、本実施例によれば、ストッパー１５をチャックトップ１３の周方向に等間隔を空けて３箇所に設けたため、プローブカード１２とウエハＷが電気的に接触した時にプローブカード１２とウエハＷとを平行に保つことができる。また、ストッパー１５は、オーバードライブ量を設定する機構としてボールネジ１５Ａ及びモータ１５Ｂ、または圧電体を有するため、ウエハＷの種類等に応じて所定量のオーバードライブ量を確実に設定することができる。更に、プローブカード１２は、ウエハＷの全検査用電極バッドに対応する複数のプローブ１２Ａを有するため、マイクロマシン技術等によってプローブ１２Ａが微細化してもチャックトップ１３からの熱の影響を受けることなくプローブ１２ＡとウエハＷとを所定のオーバードライブ量で確実に電気的に接触させることができる。   Further, according to the present embodiment, the stoppers 15 are provided at three positions at equal intervals in the circumferential direction of the chuck top 13, so that when the probe card 12 and the wafer W are in electrical contact, the probe card 12 and the wafer W Can be kept parallel. Further, since the stopper 15 has a ball screw 15A and a motor 15B or a piezoelectric body as a mechanism for setting the overdrive amount, a predetermined amount of overdrive amount can be reliably set according to the type of the wafer W or the like. Further, since the probe card 12 has a plurality of probes 12A corresponding to all inspection electrode pads of the wafer W, the probe card 12A is not affected by heat from the chuck top 13 even if the probe 12A is miniaturized by a micromachine technique or the like. 12A and the wafer W can be reliably brought into electrical contact with a predetermined overdrive amount.

本実施例の検査装置２０は、例えば図３に示すように載置台に設けられた当接機構を異にする以外は実施例１に準じて構成されている。本実施例では当接機構であるストッパー２５が円筒状に形成されている。この円筒状のストッパー２５は同図に示すように載置台２１の支持部２４上にチャックトップ２３を囲んで配置されている。このストッパー２５は、同図に示すように一体構造であっても良く、また、上下に分割された分割構造であっても良い。一体構造の場合には、支持部２４の下方に昇降駆動機機構を設け、この昇降駆動機構によってストッパー２５を支持部２４の下方から昇降させるようにする。また、分割構造の場合には、ストッパー２５内を空洞に形成し、内部に実施例１のストッパー１５と同種の機構を設けることによって上部が昇降するようにしても良い。本実施例においても実施例１と同様の作用効果を奏する。   The inspection apparatus 20 according to the present embodiment is configured in accordance with the first embodiment except that, for example, the contact mechanism provided on the mounting table is different as shown in FIG. In this embodiment, the stopper 25 which is a contact mechanism is formed in a cylindrical shape. The cylindrical stopper 25 is disposed on the support portion 24 of the mounting table 21 so as to surround the chuck top 23 as shown in FIG. The stopper 25 may be an integral structure as shown in the figure, or may be a vertically divided structure. In the case of an integral structure, an elevating drive mechanism is provided below the support portion 24, and the stopper 25 is moved up and down from below the support portion 24 by this elevating drive mechanism. In the case of a divided structure, the stopper 25 may be formed in a hollow shape and a mechanism of the same type as the stopper 15 of the first embodiment may be provided therein so that the upper part can be raised and lowered. Also in this embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment are obtained.

尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、載置台側にストッパーに相当する当接機構を設けたものであれば本発明に包含される。上記各実施例ではプローブカードと被検査体とが一括接触する場合について説明したが、被検査体に部分的に接触するプローブカード等、プローブカードの種類に関係なく、また、被検査体の種類に関係なく本発明を適用することができる。   In addition, this invention is not restrict | limited at all to the said embodiment, It will be included in this invention if the contact mechanism equivalent to a stopper is provided in the mounting base side. In each of the embodiments described above, the case where the probe card and the object to be inspected are collectively contacted, but the type of the object to be inspected is independent of the type of the probe card, such as a probe card that partially contacts the object to be inspected. The present invention can be applied regardless of the case.

本発明の検査装置は、例えば被検査体の全検査用電極とこれらの検査用電極に対応するプローブを有するプローブカードとを接触させて高温検査を行う場合に好適に利用することができる。   The inspection apparatus of the present invention can be suitably used when, for example, high temperature inspection is performed by bringing all inspection electrodes of an object to be inspected into contact with a probe card having probes corresponding to these inspection electrodes.

本発明の検査装置の一実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその側面図、（ｂ）は載置台の要部を示す斜視図である。It is a figure which shows the principal part of one Embodiment of the test | inspection apparatus of this invention, (a) is the side view, (b) is a perspective view which shows the principal part of a mounting base. 図１に示す検査装置の動作説明図で、（ａ）はウエハとプローブカードが一括接触した状態を示す図、（ｂ）は（ａ）の接触状態から載置部が更にオーバードライブしてプローブとウエハが電気的に接触した状態を示す図である。FIGS. 2A and 2B are operation explanatory views of the inspection apparatus shown in FIG. 1, in which FIG. 1A shows a state in which a wafer and a probe card are in contact with each other; FIG. It is a figure which shows the state which the wafer contacted electrically. 本発明の検査装置の他の実施形態の載置台の要部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the principal part of the mounting base of other embodiment of the test | inspection apparatus of this invention. 従来の検査装置を示す図で、（ａ）はその正面の一部を遮断して示す正面図、（ｂ）は検査装置の内部を示す平面図である。It is a figure which shows the conventional test | inspection apparatus, (a) is a front view which interrupts and shows a part of the front, (b) is a top view which shows the inside of an inspection apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０、２０ 検査装置
１１、２１ 載置台、
１２ プローブカード
１３、２３ チャックトップ（載置部）
１５、２５ ストッパー（当接機構）
Ｗ ウエハ（被検査体） 10, 20 Inspection device 11, 21 Mounting table,
12 Probe card 13, 23 Chuck top (mounting part)
15, 25 Stopper (contact mechanism)
W wafer (inspected object)

Claims (6)

被検査体を載置する載置部の昇降機構を有する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブを有するプローブカードとを備え、上記載置部の上昇により上記プローブと上記被検査体とが接触した後、オーバードライブして上記被検査体の電気的特性検査を行う検査装置であって、上記載置部の上昇により上記プローブに当接して所定のオーバードライブ量を維持する当接機構を上記載置部の径方向外側に設けたことを特徴とする検査装置。   And a probe card having a plurality of probes disposed above the mounting table and having a plurality of probes. The probe and the above are raised by raising the mounting unit. An inspection device that overdrives and inspects the electrical characteristics of the object to be inspected after coming into contact with the object to be inspected, and maintains the predetermined overdrive amount by contacting the probe by raising the mounting portion. An inspection apparatus characterized in that a contact mechanism is provided on a radially outer side of the mounting portion. 上記当接機構は、上記載置部の周方向に等間隔を空けて複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the contact mechanisms are provided at equal intervals in the circumferential direction of the placement unit. 上記当接機構は、上記オーバードライブ量を設定する機構を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 1, wherein the contact mechanism includes a mechanism for setting the overdrive amount. 上記当接機構は、昇降駆動機構を有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 1, wherein the contact mechanism includes an elevating drive mechanism. 上記当接機構は、圧電体を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 1, wherein the contact mechanism includes a piezoelectric body. 上記プローブカードは、上記被検査体の全検査用電極に対応する複数のプローブを有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の検査装置。   6. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the probe card has a plurality of probes corresponding to all inspection electrodes of the object to be inspected.
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