JP2005048047A - 有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との複合体およびエポキシ樹脂用硬化促進剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】層状粘土鉱物に、次式(1):
【化1】
[式(1)中、Rは炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示す。]で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレートされていることを特徴とする複合体。層状粘土鉱物と、上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンを陽性基とする有機ホスホニウム化合物とを接触させ、層状粘土鉱物に上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンをインターカレートしてなることを特徴とする複合体。上記の何れかの複合体を有効成分とするエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【効果】エポキシ樹脂の硬化反応に際して高潜在性の硬化促進作用を有するエポキシ樹脂用の硬化促進剤が提供される。
【選択図】なし
【化1】
[式(1)中、Rは炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示す。]で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレートされていることを特徴とする複合体。層状粘土鉱物と、上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンを陽性基とする有機ホスホニウム化合物とを接触させ、層状粘土鉱物に上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンをインターカレートしてなることを特徴とする複合体。上記の何れかの複合体を有効成分とするエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【効果】エポキシ樹脂の硬化反応に際して高潜在性の硬化促進作用を有するエポキシ樹脂用の硬化促進剤が提供される。
【選択図】なし
Description
本発明は、有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との複合体およびエポキシ樹脂用硬化促進剤に関し、さらに詳しくは、有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との有機無機複合体および、該複合体を有効成分とするエポキシ樹脂用硬化促進剤に関する。
従来より、エポキシ樹脂組成物を用いると、優れた機械的、化学的および電気的性質を有する成形品などが得られるため、エポキシ樹脂組成物は、接着剤、塗料、注型材料の形態でコイル、コンデンサー、プリント基板などの各種の電気部品、あるいは半導体素子や集積回路の絶縁封止などに広く使用されている。
上記した用途の中で、半導体素子の絶縁封止の分野では、半導体素子の高集積化への要求が高いため、半導体パッケージの構造も進歩し続けている。
このため、封止材料としてのエポキシ樹脂組成物の性能もより優れたものが要求されている。
そのような状況下にあって、エポキシ樹脂用の硬化促進剤には、エポキシ樹脂組成物を所望の設定温度でのみ効率良く硬化させ得る性質である「潜在性」、すなわち室温では触媒活性が低くエポキシ樹脂組成物を硬化させないが、所望の硬化温度では高い触媒活性を発揮し短時間で硬化させ得る性質が求められている。
この硬化温度については、従来は175℃前後が一般的であったが、最近では200℃まで昇温しても硬化が進行しない、高潜在性の硬化促進剤のニーズが出てきている。
これまでに知られている潜在性硬化促進剤としては、ホスフィン系、あるいはアミン系化合物のテトラフェニルボレート塩が挙げられる。
それらのうち、ホスフィン系のテトラフェニルボレート塩の例としては、次式(2)で表されるテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(以下、「化合物(2)と略す。」)がよく知られている。(例えば、特許文献1参照)
しかし、特許文献1に記載されているように、この化合物は樹脂への溶解性が悪く、硬化剤であるフェノール樹脂と反応させてから用いる必要があり、さらに、その際に安全衛生面で問題のあるベンゼンが副生する、といった問題点があった。また、この化合物(2)とフェノール樹脂との反応物を硬化促進剤として用いた場合、175℃で硬化させると都合の良い硬化速度が得られるが、より高温の200℃では活性が非常に強く短時間で硬化反応が進行してしまうため、作業性が悪くなる。このためこの硬化促進剤は、200℃といった、高温硬化に用いるには不適当であるという問題点があった。
また、硬化促進剤を潜在化する方法としては、熱可塑性樹脂を用いて硬化促進剤をマイクロカプセル化することによって、所望の温度まで触媒活性を抑える手法が知られているが(例えば、特許文献2、特許文献3、特許文献4参照。)、硬化物中に熱可塑性樹脂が異物として残留することに起因する種々の支障などの理由から、一般的に用いられるまでにはなっていない。
ところで、近年、無機物である層状粘土鉱物の層間に有機化合物を挿入(インターカレート、intercalate)したものを用いることにより、樹脂の強度を向上させることが盛ん
に研究されている。(非特許文献1参照)。
に研究されている。(非特許文献1参照)。
このうち、インターカレートする有機化剤としてはアンモニウムカチオンを有する化合物が一般的であり、ホスホニウムカチオンを有する化合物については一般的ではない。
ホスホニウム化合物を層状粘土鉱物にインターカレートしたものを用いた例として、熱可塑性樹脂の1種であるポリエステルの改質剤としての有用な例(特許文献5参照)があ
るが、このようなホスホニウム化合物を層状粘土鉱物にインターカレートしたものを用いて他の樹脂の改質を行なった例は知られていない。
るが、このようなホスホニウム化合物を層状粘土鉱物にインターカレートしたものを用いて他の樹脂の改質を行なった例は知られていない。
一方、エポキシ樹脂組成物に層状粘土鉱物を添加することにより硬化物の物性向上を図った発明が出願されている。(例えば、特許文献6、特許文献7、参照)
それら文献によると、有機化層状粘土鉱物の添加によって好ましい物性向上がある旨記載されているが、トリフェニルホスフィン(例えば、特許文献6)、イミダゾール化合物、第三級アミン(例えば、特許文献7)などの硬化促進剤は、有機化層状粘土鉱物とは別に添加されている。
それら文献によると、有機化層状粘土鉱物の添加によって好ましい物性向上がある旨記載されているが、トリフェニルホスフィン(例えば、特許文献6)、イミダゾール化合物、第三級アミン(例えば、特許文献7)などの硬化促進剤は、有機化層状粘土鉱物とは別に添加されている。
また、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、硬化促進剤として、層状粘土鉱物の層間に硬化促進剤を挿入(インターカレート)してなる、潜在性硬化促進剤を用いるという技術的思想が開示されている(例えば、特許文献8参照。)が、挿入される硬化促進剤としては第三級アミン、第三級ホスフィンなどが挙げられ、電荷でしっかりと結合させられるホスホニウム化合物を用いた潜在性硬化促進剤については知られていない。
特開2001−151863号公報
特開平8−337633号公報
特開2001−139667号公報
特開2003−89719号公報
特開2002−348365号公報
特開2001−181481号公報
特開2003−55030号公報
特開平6−025388号公報
特開2001−254021号公報
中條編,「ポリマー系ナノコンポジットの最新技術と応用」,シーエムシー,2001年10月刊。
日本化学会編,「実験化学講座有機合成(IV)」第4版,第24巻,丸善株式会社,1992年9月,p252−253。
本発明は上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、高潜在性のエポキシ樹脂用硬化促進剤として好適に使用できる複合体、特に有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との複合体を提供することを目的としている。
また本発明は、硬化物の物性向上効果例えば、曲げ強度の向上も期待できる、高潜在性のエポキシ樹脂組成物を提供することを目的としている。
また本発明は、上記のような複合体をより安全かつ効率よく製造し得るような複合体の製造方法を提供することを目的としている。
このような状況に鑑み、本発明者らは上記の目的を達成するために鋭意研究した。その結果、容易に合成可能なトリフェニルホスフィンの4級ホスホニウム塩を層状粘土鉱物と作用させてなる有機化層状粘土鉱物が、エポキシ樹脂の硬化反応に際して高潜在性の硬化促進作用を有することなどを見出して、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係る複合体は、
層状粘土鉱物に、次式(1):
層状粘土鉱物に、次式(1):
[式(1)中、Rは炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示す。]
で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレートされていることを特徴としている。
で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレートされていることを特徴としている。
本発明に係る複合体は、層状粘土鉱物と、上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンを陽性基とする有機ホスホニウム化合物とを接触させることを特徴としており、層状粘土鉱物に上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレートされていることが好ましい。
本発明に係るエポキシ樹脂用硬化促進剤は、上記の何れかに記載の複合体を有効成分とすることを特徴としている。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂硬化促進剤を含有することを特徴としている。
本発明に係る複合体の製造方法は、
層状粘土鉱物と、次式(1A):
層状粘土鉱物と、次式(1A):
[式(1A)中、Rは炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示し、Xはハロゲン基を示す。]
で表される有機ホスホニウム塩とを接触させ、層状粘土鉱物中の無機陽イオンと、上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンとをイオン交換させて、層状粘土鉱物の表面およ
び/または層間に、有機ホスホニウムイオンを、物理的および/または化学的に結合させることを特徴としている。
で表される有機ホスホニウム塩とを接触させ、層状粘土鉱物中の無機陽イオンと、上記式(1)で表される有機ホスホニウムイオンとをイオン交換させて、層状粘土鉱物の表面およ
び/または層間に、有機ホスホニウムイオンを、物理的および/または化学的に結合させることを特徴としている。
本発明によれば、上記イオン(1)と層状粘土鉱物との複合体を有効成分とし、エポキシ樹脂の硬化反応に際して高潜在性の硬化促進作用を有するエポキシ樹脂用の硬化促進剤が提供される。
以下、本発明に係る複合体、特に有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との複合体、エポキシ樹脂用硬化促進剤および複合体の製造方法などについて具体的に説明する。
<複合体>
本発明に係る複合体では、層状粘土鉱物の層間および/または表面に、次式(1):
<複合体>
本発明に係る複合体では、層状粘土鉱物の層間および/または表面に、次式(1):
[式(1)中、Rは炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示す。]
で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレート(挿入)されている。
で表される有機ホスホニウムイオンがインターカレート(挿入)されている。
このように層状粘土鉱物の層間および/またはその表面にインターカレートされた有機ホスホニウムイオン(1)は、インターカレートされる前の層状粘土鉱物の層間や表面に存在していたNa、Liなどの無機陽イオンとイオン交換されて、これら部位に物理的結合(例:吸着など)、あるいは化学的結合(例:イオン結合など)を形成して存在しているものと考えられ、層状粘土鉱物はこれにより有機化されている。
なお、本発明において有機化とは、特開2001−254021号公報の[0030]欄などにも記載されているように、有機物(有機化剤)例えば、有機ホスホニウム化合物など、あるいは有機イオン例えば、有機ホスホニウムイオン(1)などを、上記の層状粘
土鉱物の層間および/または表面に、化学的および/または物理的に結合させることを意味する。
土鉱物の層間および/または表面に、化学的および/または物理的に結合させることを意味する。
以下、この複合体についてその調製工程に則して詳説する。
層状粘土鉱物
ここで用いられる層状粘土鉱物としては、例えば、カオリナイト、ハロサイト等のカオリナイト族;モンモリロナイト、バイデライト、サポナイト、ヘクトライト、マイカ等のスメクタイト族;バーミキュライト族等の層状粘土鉱物が挙げられる。
層状粘土鉱物
ここで用いられる層状粘土鉱物としては、例えば、カオリナイト、ハロサイト等のカオリナイト族;モンモリロナイト、バイデライト、サポナイト、ヘクトライト、マイカ等のスメクタイト族;バーミキュライト族等の層状粘土鉱物が挙げられる。
層状粘土鉱物としては、天然物由来のものでも、天然物の処理品でも、膨潤性のフッ化マイカのように合成品でもよい。
上記の層状粘土鉱物は単独で用いてもよく2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、層状粘土鉱物の全イオン交換容量は10〜300meq/100gであることが好ましく、50〜200meq/100gであることがより好ましい。
本発明において、層状粘土鉱物と、有機ホスホニウム化合物などの有機化剤との反応比率については制限はないが、層状粘土鉱物の全陽イオン交換容量の100%が有機化剤で有機化されることが好ましい。
有機ホスホニウムイオン(1)および有機化剤
本発明においてインターカレートに用いられる有機化剤は、式(1)で表される有機ホ
スホニウムイオン(1)を陽性基とする有機ホスホニウム化合物である。
有機ホスホニウムイオン(1)および有機化剤
本発明においてインターカレートに用いられる有機化剤は、式(1)で表される有機ホ
スホニウムイオン(1)を陽性基とする有機ホスホニウム化合物である。
有機ホスホニウム化合物としては、トリフェニルホスフィンをハロゲン化炭化水素[RX,但しRは、前記式(1)中のRと同様であり、Xは、F、Cl、Br、Iなどのハロゲンを示す。]で4級化した化合物例えば、次式(1A)で示す有機ホスホニウム化合物が好適に用いられる。
式(1A):
[式(1A)中、Rは前記式(1)中のものと同様であって、炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基、または総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基を示し、[ ]部位は陽性基である有機ホスホニウムイオン(1)を示し、Xは陰性基であるハロゲン基を示す。]
この有機ホスホニウム化合物を調製する際に用いられるハロゲン化炭化水素(RX)のハロゲン(X)は特に限定されずF,Cl,Br,Iなどの何れでもよく、炭化水素基(R)は脂肪族基でも芳香族基でもよい。また炭化水素基(R)の総炭素数は特に制限されないが、下記の理由を考慮すると脂肪族炭化水素の場合は4〜30であることが好ましく、芳香族炭化水素基の場合は、総炭素数が7〜30であることが好ましい。(なお、芳香族炭化水素基は、基内にベンゼン環を含む有機基であって、ビフェニル基、ジフェニルメチル基等のように2個以上のベンゼン環が各独立に離れていてもよく、またナフタリン環、アントラセン環などの縮合環式構造を有していてもよい。また基内にアルキル基、アルキレン基等の置換基(R0)を有していてもよい。)
すなわち、脂肪族炭化水素基の場合、炭素数が4未満では、層状粘土鉱物の層間が殆ど広がらないために、得られた複合体を硬化促進剤として用いてもエポキシ樹脂硬化促進作用がほとんど発揮されず、また炭素数が30を超すと分子量に占める触媒活性に寄与するホスフィン原子の比率が小さくなりすぎて得られた複合体を硬化促進剤として用いてもその活性が弱くなることから非効率である。
この有機ホスホニウム化合物を調製する際に用いられるハロゲン化炭化水素(RX)のハロゲン(X)は特に限定されずF,Cl,Br,Iなどの何れでもよく、炭化水素基(R)は脂肪族基でも芳香族基でもよい。また炭化水素基(R)の総炭素数は特に制限されないが、下記の理由を考慮すると脂肪族炭化水素の場合は4〜30であることが好ましく、芳香族炭化水素基の場合は、総炭素数が7〜30であることが好ましい。(なお、芳香族炭化水素基は、基内にベンゼン環を含む有機基であって、ビフェニル基、ジフェニルメチル基等のように2個以上のベンゼン環が各独立に離れていてもよく、またナフタリン環、アントラセン環などの縮合環式構造を有していてもよい。また基内にアルキル基、アルキレン基等の置換基(R0)を有していてもよい。)
すなわち、脂肪族炭化水素基の場合、炭素数が4未満では、層状粘土鉱物の層間が殆ど広がらないために、得られた複合体を硬化促進剤として用いてもエポキシ樹脂硬化促進作用がほとんど発揮されず、また炭素数が30を超すと分子量に占める触媒活性に寄与するホスフィン原子の比率が小さくなりすぎて得られた複合体を硬化促進剤として用いてもその活性が弱くなることから非効率である。
また、芳香族炭化水素基の場合は、総炭素数が7以上であることが条件となる。脂肪族基の場合と炭素数が異なる理由として、炭素数が6のベンゼン環のみでは分子サイズが小さく、有機ホスホニウムイオンがインターカレートされても層状粘土鉱物の層間が殆ど広がらないためと考えられる。
Rが炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基として具体的には、例えば、下記に例示した有機ホスホニウム化合物中の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
例えば、n−ブチル、i−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、i−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシ
ル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、n−ノナデシル、n−イコシルデシル、n−ヘンイコシルデシル、n−ドコシル、n−トリコシル、n−テトラコシル、n−トリアンコチルなど。
ル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、n−ノナデシル、n−イコシルデシル、n−ヘンイコシルデシル、n−ドコシル、n−トリコシル、n−テトラコシル、n−トリアンコチルなど。
Rが総炭素数7〜30の芳香族炭化水素基は、置換基(R0)を有していてもよいが、
このような芳香族炭化水素基として具体的には、例えば、下記に例示した有機ホスホニウム化合物中の芳香族炭化水素基が挙げられる。(なお、上記置換基(R0)としては、C
1〜C24で分岐を有していてもよいアルキル基またはアルキレン基、フェニル基またはフェニレン基等が挙げられ、これらの置換基は1種または2種以上存在していてもよく、同種のものが複数個存在していてもよい。)
すなわち、Rが総炭素数7〜30で置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基として、具体的には、例えば、o−トリル、m−トリル、p−トリル、2,3−キシリル、2,4−キシリル、2,5−キシリル、2,6−キシリル、3,5−キシリル、o−クメニル、m−クメニル、p−クメニル、4−エチルフェニル、4−ノルマルプロピルフェニル、4−ノルマルペンチルフェニル、4−ノルマルヘキシルフェニル、4−ノルマルヘプチルフェニル、4−ノルマルオクチルフェニル、4−ノルマルノニルフェニル、4−ノルマルデシルフェニル、4−ノルマルウンデシルフェニル、4−ノルマルドデシルフェニル、4−ノルマルトリデシルフェニル、4−ノルマルテトラデシルフェニル、4−ノルマルペンタデシルフェニル、4−ノルマルヘキサデシルフェニル、4−ノルマルヘプタデシルフェニル、4−ノルマルオクタデシルフ4−ノルマルペンチルフェニルェニル、4−ノルマルイコシルフェニル、4−ノルマルヘンイコシルフェニル、4−ノルマルドコシルフェニル、4−ノルマルトリコシルフェニル、4−ノルマルテトラコシルフェニル、4−ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アンスリル、2−フェナンスリル、ベンジル、1−フェネチル、2−フェネチル、ジフェニル、トリチルなどの基が挙げられる。
このような芳香族炭化水素基として具体的には、例えば、下記に例示した有機ホスホニウム化合物中の芳香族炭化水素基が挙げられる。(なお、上記置換基(R0)としては、C
1〜C24で分岐を有していてもよいアルキル基またはアルキレン基、フェニル基またはフェニレン基等が挙げられ、これらの置換基は1種または2種以上存在していてもよく、同種のものが複数個存在していてもよい。)
すなわち、Rが総炭素数7〜30で置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基として、具体的には、例えば、o−トリル、m−トリル、p−トリル、2,3−キシリル、2,4−キシリル、2,5−キシリル、2,6−キシリル、3,5−キシリル、o−クメニル、m−クメニル、p−クメニル、4−エチルフェニル、4−ノルマルプロピルフェニル、4−ノルマルペンチルフェニル、4−ノルマルヘキシルフェニル、4−ノルマルヘプチルフェニル、4−ノルマルオクチルフェニル、4−ノルマルノニルフェニル、4−ノルマルデシルフェニル、4−ノルマルウンデシルフェニル、4−ノルマルドデシルフェニル、4−ノルマルトリデシルフェニル、4−ノルマルテトラデシルフェニル、4−ノルマルペンタデシルフェニル、4−ノルマルヘキサデシルフェニル、4−ノルマルヘプタデシルフェニル、4−ノルマルオクタデシルフ4−ノルマルペンチルフェニルェニル、4−ノルマルイコシルフェニル、4−ノルマルヘンイコシルフェニル、4−ノルマルドコシルフェニル、4−ノルマルトリコシルフェニル、4−ノルマルテトラコシルフェニル、4−ビフェニル、1−ナフチル、2−ナフチル、1−アンスリル、2−フェナンスリル、ベンジル、1−フェネチル、2−フェネチル、ジフェニル、トリチルなどの基が挙げられる。
有機ホスホニウム化合物(1A)の具体例としては、下記のものが挙げられる。
Rが炭素数4〜30の脂肪族炭化水素基を有し、XがBrである有機ホスホニウム化合物の例:
トリフェニルノルマルブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルイソブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルsec−ブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルtert−ブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルイソペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルネオペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘキシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘプチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルオクチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルノニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルウンデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルドデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルテトラデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルペンタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘキサデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘプタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルオクタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルノナデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルイコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘンイコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルドコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルテトラコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリアコンチルホスホニウムブロマイドなど。
トリフェニルノルマルブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルイソブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルsec−ブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルtert−ブチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルイソペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルネオペンチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘキシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘプチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルオクチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルノニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルウンデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルドデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルテトラデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルペンタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘキサデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘプタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルオクタデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルノナデシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルイコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルヘンイコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルドコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルテトラコシルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルノルマルトリアコンチルホスホニウムブロマイドなど。
Rが、総炭素数7から30の芳香族炭化水素基を有し、XがBrである有機ホスホニウム化合物の例:
トリフェニルo−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルm−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルp−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,3−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,4−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,5−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,6−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル3,5−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルo−クメニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルm−クメニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルp−クメニルホスホニウムブロマイド
トリフェニル4−エチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルプロピルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルブチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルペンチルフェニルホスホニウムブロマイド
トリフェニル4−ノルマルヘキシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘプチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルオクチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルノニルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルウンデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルドデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルトリデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルテトラデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルペンタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘキサデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘプタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルオクタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルノナデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルイコシルホフェニルスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘンイコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルドコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルトリコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルテトラコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ビフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−ナフチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−ナフチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−アンスリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−フェナンスリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルベンジルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−フェネチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−フェネチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルジフェニルメチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルトリチルホスホニウムブロマイドなど。
トリフェニルo−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルm−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルp−トリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,3−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,4−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,5−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2,6−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル3,5−キシリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルo−クメニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルm−クメニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルp−クメニルホスホニウムブロマイド
トリフェニル4−エチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルプロピルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルブチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルペンチルフェニルホスホニウムブロマイド
トリフェニル4−ノルマルヘキシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘプチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルオクチルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルノニルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルウンデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルドデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルトリデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルテトラデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルペンタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘキサデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘプタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルオクタデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルノナデシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルイコシルホフェニルスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルヘンイコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルドコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルトリコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ノルマルテトラコシルフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル4−ビフェニルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−ナフチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−ナフチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−アンスリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−フェナンスリルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルベンジルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル1−フェネチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニル2−フェネチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルジフェニルメチルホスホニウムブロマイド、
トリフェニルトリチルホスホニウムブロマイドなど。
また、有機ホスホニウム化合物の例としては、上記した有機ホスホニウムの臭素化物中の臭素を他のハロゲン原子、例えば、塩素、ヨウ素、フッ素に置きかえた化合物でもよい。
なお、これらの有機ホスホニウム塩自体は、有機溶媒中でトリフェニルホスフィンに原料ハライド(RX)を反応させる一般的な方法(例えば、非特許文献2参照。)で容易に合成可能である。
層状粘土鉱物の有機化
本発明では、層状粘土鉱物の有機化は、公知の方法(例えば、特許文献9参照。)を適宜利用することにより行われ、すなわち層状粘土鉱物と有機ホスホニウム化合物(1A)とを接触させることにより行なわれ、これにより、層状粘土鉱物に上記有機ホスホニウムイオン(1)がインターカレートされていることが好ましい。
層状粘土鉱物の有機化
本発明では、層状粘土鉱物の有機化は、公知の方法(例えば、特許文献9参照。)を適宜利用することにより行われ、すなわち層状粘土鉱物と有機ホスホニウム化合物(1A)とを接触させることにより行なわれ、これにより、層状粘土鉱物に上記有機ホスホニウムイオン(1)がインターカレートされていることが好ましい。
すなわち、層状粘土鉱物中のナトリウムイオン等の無機陽イオンを、上記の有機ホスホニウム化合物から生じる有機ホスホニウムイオンによりイオン交換することにより層状粘土鉱物の有機化を行うことができる。
より具体的には、例えば、次のような方法により層状粘土鉱物の有機化を行うことができる。
まず、層状粘土鉱物を水中に分散させる。
これとは別に、有機ホスホニウム化合物の水溶液、あるいは有機ホスホニウム化合物と水とアルコールとの混合溶液を調製する。
このホスホニウム化合物の溶液を層状粘土鉱物の水分散液に加え、混合することにより、層状粘土鉱物中の無機陽イオンと、有機ホスホニウム化合物由来の有機ホスホニウムイオン(1)とがイオン交換される。
次いで、本発明では、このようにイオン交換された混合物から水を常法により除去することにより、層状粘土鉱物の層間や表面に有機ホスホニウムイオン(1)がインターカレートされ、すなわち有機化された層状粘土鉱物を得ることができる。
換言すれば、本発明では、層状粘土鉱物と、有機ホスホニウム塩(1A)とを接触させ、層状粘土鉱物中の無機陽イオンと、有機ホスホニウムイオン(1)とをイオン交換させて、層状粘土鉱物の表面および/または層間に、有機ホスホニウムイオンを、物理的および/または化学的に結合させて、本発明の複合体を製造している。
<エポキシ樹脂硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物>
上記のようにして得られた複合体では、層状粘土鉱物の層間が有機ホスホニウムイオン(1)で有機化されており、本発明のエポキシ樹脂用硬化促進剤は、この複合体を有効成分としている。
上記のようにして得られた複合体では、層状粘土鉱物の層間が有機ホスホニウムイオン(1)で有機化されており、本発明のエポキシ樹脂用硬化促進剤は、この複合体を有効成分としている。
この硬化促進剤を調製する際には、上記複合体は、そのままエポキシ樹脂用硬化促進剤として使用できるが、硬化特性を損なわない範囲で必要により他の硬化促進剤、例えばトリフェニルホスフィンなどを含有していてもよい。
本発明のエポキシ樹脂用硬化促進剤は、エポキシ樹脂組成物に配合して使用される。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、通常、エポキシ樹脂、硬化剤および上記エポキシ樹脂用硬化促進剤を含有している。
ここで使用されるエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を持つエポキシ樹脂であれば特に限定されない。
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
また、硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物などが挙げられる。
エポキシ樹脂と硬化剤との配合比は、エポキシ樹脂1モルに対して硬化剤が通常、0.5〜1.5モル、特に0.8〜1.2モルの範囲にすることが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂硬化促進剤は、複合体量に換算して、次のような量でエポキシ樹脂組成物中に配合される。
すなわち本発明の複合体の配合量として、エポキシ樹脂および硬化剤の合計配合量100重量部に対して、複合体として、0.5〜30重量部、特に2〜20重量部の量で用いることが好ましい。
さらにエポキシ樹脂組成物は、所望により、難燃剤、無機充填剤などを含有していてもよい。このような難燃剤としては、金属水和物、ホスフィンオキサイドなどが挙げられる。また、無機重点剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナの他、複合体調製に用いた層状粘土鉱物でもよい。
上記の各成分を含有する本発明のエポキシ樹脂組成物を製造するには、本発明の硬化促進剤をはじめ上記成分を配合して、例えば50〜150℃に加熱して混練することが望ましく、この際に、ニーダー、ロールなどを用いた公知の混練方法を利用できる。
このようにして得られた本発明のエポキシ樹脂組成物は、200℃という高温では40〜100秒程度の短時間で硬化しゲルタイムが短く、迅速に硬化するが、175℃程度のより低い温度では、160〜300秒とゆっくりと硬化が進行するので、取扱性に優れる。
[実施例]
次に、本発明の複合体についての製造方法の実施例を示す。また、これを用いた硬化促進作用についての試験例を示し、本発明の有用性についてさらに具体的に説明する。
[実施例]
次に、本発明の複合体についての製造方法の実施例を示す。また、これを用いた硬化促進作用についての試験例を示し、本発明の有用性についてさらに具体的に説明する。
ただし、本発明の範囲は、これらの実施例、試験例により何ら限定されるものではない。
ナトリウムモンモリロナイト(クニミネ工業社製層状粘土鉱物、商品名:クニピアF、全陽イオン交換容量119meq/100g)16gを80℃の水1000mlに分散させた。
次いで、トリフェニルノルマルオクタデシルホスホニウムブロマイド17g(分子量:595.7)をメタノール200ml、水200mlの混合溶媒に20℃で溶解し、この溶液をモンモリロナイト分散液中に加えたところ沈殿物を得た。
この沈殿物を濾過し80℃の水で2回洗浄した後に、凍結乾燥することにより有機化モンモリロナイトを得た。
実施例1において、ホスホニウム塩としてトリフェニルノルマルデシルホスホニウムブロマイド14g(分子量:483.5)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
実施例1において、ホスホニウム塩としてトリフェニル4−ノルマルオクチルフェニルホスホニウムブロマイド16g(分子量:531.5)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
[比較例1]
実施例1において、ホスホニウム塩としてテトラフェニルホスホニウムブロマイド12g(分子量419.3)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
[比較例2]
実施例1において、ホスホニウム塩としてトリフェニルメチルホスホニウムブロマイド11g(分子量:357.2)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
[試験例1〜3および比較試験例1〜3]
<硬化促進作用試験>
下記の配合処方の組成物を130℃の温度で2分間混合・攪拌した後、ゲル化時間をJIS K5059に準じ、175℃および200℃の温度で熱板法により測定した。
[比較例1]
実施例1において、ホスホニウム塩としてテトラフェニルホスホニウムブロマイド12g(分子量419.3)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
[比較例2]
実施例1において、ホスホニウム塩としてトリフェニルメチルホスホニウムブロマイド11g(分子量:357.2)を使用した以外は実施例1と全く同様に操作を行い、有機化モンモリロナイトを得た。
[試験例1〜3および比較試験例1〜3]
<硬化促進作用試験>
下記の配合処方の組成物を130℃の温度で2分間混合・攪拌した後、ゲル化時間をJIS K5059に準じ、175℃および200℃の温度で熱板法により測定した。
結果を表1に示す。
(配合処方)
ビフェニル型エポキシ樹脂:「YX−4000HK」(ジャパンエポキシレジン株式会社製、エポキシ当量190) ・・・・・21.7部、
フェノールアラルキル樹脂:「MEH7800S」(明和化成株式会社製、フェノール当量175) ・・・・・20.0部、
有機化モンモリロナイト ・・・・・4.0部。
(配合処方)
ビフェニル型エポキシ樹脂:「YX−4000HK」(ジャパンエポキシレジン株式会社製、エポキシ当量190) ・・・・・21.7部、
フェノールアラルキル樹脂:「MEH7800S」(明和化成株式会社製、フェノール当量175) ・・・・・20.0部、
有機化モンモリロナイト ・・・・・4.0部。
なお、ゲル化試験器としては、日新科学株式会社製「GT−D」を使用した。
[考察]
この試験結果から、本発明の複合体は200℃という高温でのみ優れた硬化促進作用がエポキシ樹脂に対して発揮されることがわかる。
この試験結果から、本発明の複合体は200℃という高温でのみ優れた硬化促進作用がエポキシ樹脂に対して発揮されることがわかる。
また、上記と同様の試験結果が、実施例1〜3に記載の有機ホスホニウム化合物以外の前記した有機ホスホニウム化合物例中の化合物を用いて製造された有機モンモリロナイトでの試験例からも得られている。
さらに、上記有機ホスホニウム化合物と、モンモリロナイト以外の前記の層状粘土鉱物とを接触させて得られた複合体においても、上記と同様の結果が得られている。
表1に明らかなように、従来から知られている比較試験例3においては、200℃では
ゲルタイムが極端に短く、作業性に支障があることがわかる。
ゲルタイムが極端に短く、作業性に支障があることがわかる。
また、比較試験例1〜2の結果から明らかなように、有機化に用いる有機ホスホニウム化合物中のホスホニウム基が、本願発明で規定するような長鎖の炭化水素基を持っていないと全く硬化促進作用を示さないことがわかる。
[発明の効果]
本発明の複合体は、高温で優れた硬化促進作用を示すことから、多機能を要求されるエポキシ樹脂用の硬化促進剤(高温潜在型硬化促進剤)として極めて有用である。
[発明の効果]
本発明の複合体は、高温で優れた硬化促進作用を示すことから、多機能を要求されるエポキシ樹脂用の硬化促進剤(高温潜在型硬化促進剤)として極めて有用である。
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003281112A JP2005048047A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 有機ホスホニウムイオンと層状粘土鉱物との複合体およびエポキシ樹脂用硬化促進剤 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007176751A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Fujifilm Corp | 有機化層状ケイ酸塩及びその製造方法、並びに樹脂組成物 |
CN105636969A (zh) * | 2013-07-23 | 2016-06-01 | 三星Sdi株式会社 | 含有鏻离子的化合物、含有其的环氧树脂组成物以及使用其制造的装置 |
JP2022062526A (ja) * | 2020-10-08 | 2022-04-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 複合誘電体材料 |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003281112A patent/JP2005048047A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10047191B2 (en) | 2013-07-23 | 2018-08-14 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Compound containing phosphonium ion, epoxy resin composition containing same, and device manufactured by using same |
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JP7276297B2 (ja) | 2020-10-08 | 2023-05-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 複合誘電体材料 |
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