JP2005046882A - Solder alloy, solder ball, and solder joined body - Google Patents

Solder alloy, solder ball, and solder joined body Download PDF

Info

Publication number
JP2005046882A
JP2005046882A JP2003281984A JP2003281984A JP2005046882A JP 2005046882 A JP2005046882 A JP 2005046882A JP 2003281984 A JP2003281984 A JP 2003281984A JP 2003281984 A JP2003281984 A JP 2003281984A JP 2005046882 A JP2005046882 A JP 2005046882A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
solder alloy
alloy
mass
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003281984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Shoji
辰也 庄司
Masayoshi Date
正芳 伊達
Koji Sato
光司 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP2003281984A priority Critical patent/JP2005046882A/en
Publication of JP2005046882A publication Critical patent/JP2005046882A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the joining strength in a soldered electronic component, and to improve the operational reliability of electronic equipment in various using environments. <P>SOLUTION: A trace amount of one or more selected from Fe, Ni and Co as elements for strengthening the joining boundary of solder are added, so that low reliability fracture in the solder joint by falling impact can be prevented. The solder alloy has a composition comprising, by mass, 0.1 to 5% Cu, 0.1 to 10% In, and one or more kinds of elements selected from Fe, Ni and Co by 0.002 to 0.05% in total, and the balance Sn with inevitable impurities. Alternatively, the solder alloy has a composition comprising 0.1 to 1% Ag, 0.1 to 5% Cu, 0.1 to 10% In, and one or more kinds of elements selected from Fe, Ni and Co by 0.002 to 0.05% in total, and the balance Sn with inevitable impurities. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子部品等のはんだ付けに使用されるはんだ合金、はんだボール及びはんだ接合体に関する。   The present invention relates to solder alloys, solder balls, and solder joints used for soldering electronic components and the like.

昨今の電子機器実装面積の減少に伴って半導体パッケージも小型化傾向にあり、半導体パッケージをマザーボードに接続する実装形態も、従来のリードを用いた周辺端子型から格子状に端子を形成したタイプへ変遷しつつある。代表的なものがBGA(Ball Grid Array)であり、端子部ははんだボールや、はんだペーストを用いて基板に接続されている。   With the recent decrease in mounting area of electronic equipment, semiconductor packages are also becoming smaller, and the mounting form for connecting the semiconductor package to the motherboard has been changed from a peripheral terminal type using conventional leads to a type in which terminals are formed in a grid pattern. It is changing. A typical one is a BGA (Ball Grid Array), and terminal portions are connected to the substrate using solder balls or solder paste.

BGAはリード部品のようにリード部で外力などを緩和できず、はんだ接続部に直接負荷が加わる構造であるため、機器落下等の衝撃や、機器の使用環境、機器温度の上昇等に伴う熱応力に対して非常に敏感である。また、はんだバンプの接続部ははんだの表面張力で樽型になっているため、はんだ接続部の金属間化合物が形成された接合界面近傍に応力が集中しやすい。従って,はんだ接合強度は、この化合物層自体の強度に大きく左右されると考えられる。すなわち、金属間化合物の破壊じん性値(KIC=1〜2 MPa・m1/2程度)は、母材であるはんだ等の金属(KIC=10〜10 MPa・m1/2程度)のそれに比べると格段に小さく脆いため、粗大に成長したものは内部欠陥を起点として粒内破壊を起こしやすく、粒そのものの著しい成長がなくても、化合物層自体が厚く成長していれば粒界で破壊しやすくなる。したがって、化合物中での破断ははんだ接合部の信頼性を著しく低下させる原因となっている。 BGA cannot relieve external force etc. at the lead part like lead parts, and the load is applied directly to the solder connection part. Therefore, the heat caused by impact such as equipment drop, equipment use environment, equipment temperature rise, etc. Very sensitive to stress. In addition, since the solder bump connection portion has a barrel shape due to the surface tension of the solder, stress tends to concentrate near the joint interface where the intermetallic compound of the solder connection portion is formed. Therefore, it is considered that the solder joint strength greatly depends on the strength of the compound layer itself. That is, the fracture toughness value (K IC = 1 to 2 MPa · m 1/2 ) of the intermetallic compound is a metal such as solder (K IC = 10 2 to 10 3 MPa · m 1/2 ) as a base material. However, if the compound layer grows thickly even if there is no significant growth of grains, it is easy to cause intragranular destruction starting from internal defects. Easier to break at grain boundaries. Therefore, the breakage in the compound causes the reliability of the solder joint to be remarkably lowered.

加えて、近年の環境問題への取り組みの一つとして、はんだのPbフリー化が世界的に進められており、従来用いられてきたSn−Pbはんだは使用禁止になりつつある。代替合金の主たるものはSn−Ag系やSn−Ag−Cu系等多数あるが、基本的にSn主成分であるためSn−Pb共晶はんだに比べると延性に乏しく、外力をはんだの変形で緩和することが困難になっている。特に、Agははんだ主成分であるSnとの共晶点においてSn−Ag化合物を分散晶出させるため、Agによるはんだの硬化は著しい。一方、CuはやはりSnとの共晶点において化合物を晶出させるがAgほどはんだを硬化させないので、Sn−Cu系は落下等の衝撃に耐えうる変形抵抗の小さいはんだとして有効な組成の一つである。   In addition, as one of the efforts for environmental problems in recent years, the Pb-free solder is being promoted worldwide, and the Sn-Pb solder that has been used conventionally is being banned. There are many alternative alloys, such as Sn-Ag and Sn-Ag-Cu, but they are basically composed of Sn, so they have poor ductility compared to Sn-Pb eutectic solder, and external forces can be deformed by solder deformation. It has become difficult to mitigate. In particular, Ag causes the Sn-Ag compound to disperse and crystallize at the eutectic point with Sn, which is the main component of the solder, and thus the solder is hardened by Ag. On the other hand, Cu also crystallizes a compound at the eutectic point with Sn but does not harden the solder as much as Ag. Therefore, Sn—Cu system is one of the effective compositions as a solder with low deformation resistance that can withstand impacts such as dropping. It is.

そこで、従来、Sn−Cu系では熱疲労特性の優れた合金として、Sn−Cu系のはんだ合金にInを加えたSn−Cu−In系のはんだ合金の実用化が検討されている。(例えば、特許文献1参照。)。
特開2000−190090号公報
Therefore, in the past, practical application of an Sn—Cu—In solder alloy obtained by adding In to an Sn—Cu solder alloy has been studied as an alloy having excellent thermal fatigue characteristics in the Sn—Cu alloy. (For example, refer to Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-190090

しかしながら本発明者がSn−Cu−In系はんだ合金について検討した結果、Sn−Ag−Cu系はんだ合金よりは改善されるものの、やはり以下の機械的特性が問題となることが明らかとなった。   However, as a result of studying the Sn—Cu—In solder alloy by the present inventor, it has been clarified that the following mechanical characteristics become a problem, although it is improved over the Sn—Ag—Cu solder alloy.

即ちSn−Cu−In系はんだ合金では、InがSnに固溶するため、固溶強化によりはんだは硬くなるのである。上述したように電子部品でははんだ接続部に直接負荷が加わる構造であり、機器落下等の衝撃や、機器の使用環境、機器温度の上昇等に伴う熱応力に対して非常に敏感である。これに対してInにより固溶強化されたSn−Cu−In系はんだ合金においても、実用上十分な程度にまではんだ接合部で応力を緩和することが困難であり、従って電子部品使用時における外力等によりはんだ接続部の破断を生じやすくなるのである。   That is, in the Sn—Cu—In solder alloy, since In dissolves in Sn, the solder becomes hard due to solid solution strengthening. As described above, the electronic component has a structure in which a load is directly applied to the solder connection portion, and is extremely sensitive to an impact such as a device drop, a thermal stress caused by an increase in device usage environment, device temperature, and the like. On the other hand, it is difficult to relieve the stress at the solder joint to a practically sufficient level even in the Sn—Cu—In solder alloy strengthened by solution with In. It is easy to cause breakage of the solder connection part due to the above.

本発明の目的は、Sn−Ag−Cu系はんだ合金と比べて強固な接合界面と易変形性を併せ持つSn−Cu−In系はんだ合金であって、さらに落下衝撃等の衝撃に対する接合信頼性を向上させたPbフリーのはんだ合金、はんだボール及びはんだ接合体を提供することにある。   An object of the present invention is a Sn—Cu—In solder alloy having both a strong joint interface and easy deformability as compared with a Sn—Ag—Cu solder alloy, and further, joining reliability against impact such as drop impact. An object is to provide an improved Pb-free solder alloy, solder ball, and solder joint.

本発明者らは、はんだ接合界面を強固にする元素であるFe、Ni、Coを特定量添加することで、落下衝撃によるはんだ接合部における低信頼性破断を防止できることを見いだし、本発明に到達した。   The present inventors have found that by adding a specific amount of Fe, Ni, Co, which is an element that strengthens the solder joint interface, it is possible to prevent a low-reliable fracture in the solder joint due to a drop impact, and the present invention has been achieved. did.

すなわち本発明は、質量%で0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなるはんだ合金、及び質量%で0.1〜1.5%のAgと、0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなるはんだ合金である。
これらのはんだ合金は、球状化してはんだボールとして用いることが好ましい。
That is, the present invention is one or more kinds selected from 0.1 to 5% Cu, 0.1 to 10% In, and 0.002 to 0.05% Fe, Ni, Co in total. A solder alloy composed of the element, the balance Sn and inevitable impurities, and 0.1 to 1.5% Ag, 0.1 to 5% Cu and 0.1 to 10% In; It is a solder alloy comprising a total of 0.002 to 0.05% of one or more elements selected from Fe, Ni and Co, the balance Sn and inevitable impurities.
These solder alloys are preferably spheroidized and used as solder balls.

上述のはんだ合金またははんだボールは電子部品等の電極と接合してはんだ接合体とする用途に好適である。   The above-described solder alloy or solder ball is suitable for use as a solder joint by joining with an electrode such as an electronic component.

本発明によって、はんだ付けされた電子部品における接合強度を高めることができ、電子機器の様々な使用環境における動作信頼性を向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to increase the bonding strength of a soldered electronic component, and it is possible to improve the operation reliability in various usage environments of the electronic device.

上述のように本発明の重要な特徴は、PbフリーはんだであるSn−Cu−In系はんだ合金にFe、Ni、Coを特定量添加した点にある。   As described above, an important feature of the present invention is that a specific amount of Fe, Ni, and Co is added to the Sn—Cu—In solder alloy that is Pb-free solder.

先ず本発明のはんだ合金の一つである、質量%で0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなるはんだ合金について述べる。
このSn−Cu−In系のはんだ合金は、上述のSn−Ag−Cu系のはんだ合金と比べて、高速な負荷に対するはんだの変形抵抗が小さいという特徴を有する。これはCu、Inの共晶組織はCu、Agとの共晶組織と比べてはんだの硬さに及ぼす影響が極めて小さいためである。この特徴により、使用時の落下によって衝撃が加わる携帯機器等の高速な負荷を生じる用途においてもSn−Ag−Cu系のはんだ合金と比べて高い接合信頼性が得られるのである。
First, one of the solder alloys of the present invention, 0.1 to 5% Cu by mass%, 0.1 to 10% In, and 0.002 to 0.05% total Fe, Ni, A solder alloy composed of one or more elements selected from Co, the remainder Sn and inevitable impurities will be described.
This Sn—Cu—In based solder alloy has a feature that the deformation resistance of the solder to a high-speed load is small as compared with the above Sn—Ag—Cu based solder alloy. This is because the influence of the eutectic structure of Cu and In on the hardness of the solder is extremely small compared to the eutectic structure of Cu and In. Due to this feature, even in applications that generate a high-speed load such as a portable device to which an impact is applied due to a drop during use, higher bonding reliability can be obtained compared to a Sn-Ag-Cu-based solder alloy.

Sn−Cu−In系の溶融はんだ合金においてInを0.1〜10%とするのは、0.1質量%以上のInを添加することでAgを添加した場合に見られる程にははんだ合金を硬化させることなく融点を下げることができ、さらにはんだ溶融時の濡れ性を向上させることができる為である。その一方、過剰に添加するとSnへの固溶強化によりやはりはんだの変形抵抗は上昇するので、10質量%を上限とする。   In the Sn-Cu-In-based molten solder alloy, 0.1 to 10% of In is a solder alloy as much as seen when Ag is added by adding 0.1 mass% or more of In. This is because the melting point can be lowered without curing the solder, and the wettability during solder melting can be improved. On the other hand, if added excessively, the deformation resistance of the solder also rises due to solid solution strengthening to Sn, so 10 mass% is made the upper limit.

またCuの含有量を0.1〜5質量%とするのは、Cuが0.1質量%未満では、Cu電極と接続する際にはんだを溶融させると、その溶解限まで溶融はんだ中にCu電極のCuが溶け込むことになり、その結果Cu電極量が減少して接合部の強度が低下する為である。0.1質量%以上のCuを予めはんだ合金中に含有させることで、この強度の低下を抑制することができるのである。また、Cuは適度な含有量であればはんだ合金の融点を低下させる効果も有する。しかしながら、過度に添加すると逆に融点を上昇させるため、その含有量は5質量%以下とする。   The Cu content is 0.1 to 5% by mass. When Cu is less than 0.1% by mass, when the solder is melted when connecting to the Cu electrode, the Cu is contained in the molten solder up to its melting limit. This is because Cu of the electrode is melted, and as a result, the amount of Cu electrode is reduced and the strength of the joint portion is lowered. By containing 0.1% by mass or more of Cu in the solder alloy in advance, this decrease in strength can be suppressed. Further, Cu has an effect of lowering the melting point of the solder alloy as long as the content is appropriate. However, if excessively added, the melting point is raised, so the content is made 5% by mass or less.

次に、本発明において重要な特徴であるFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素を合計で0.002〜0.05質量%添加する理由について説明する。
第一に、Fe、Ni、CoとSnとは凝固時に金属間化合物を形成するが、これらの金属間化合物は晶出温度がはんだ母材と比べて高い。この為Cu等の電極上でこれらの元素を含むはんだを溶融、凝固した場合には、電極材料とはんだの主成分であるSnとの間で形成する金属間化合物の成長に先立ち、電極表面においてFe、Ni、CoとSnとの金属間化合物が晶出する。一度これらの添加元素とSnとの金属間化合物が形成すると、電極材料とSnとで金属間化合物が形成される際の核として作用するので、形成される電極材料とSnとの金属間化合物の粒径を微細にすることができると考えられる。
Next, the reason why 0.002 to 0.05 mass% in total of one or more elements selected from Fe, Ni, and Co, which are important features in the present invention, will be described.
First, Fe, Ni, Co and Sn form an intermetallic compound during solidification, but these intermetallic compounds have a higher crystallization temperature than the solder base material. For this reason, when solder containing these elements is melted and solidified on an electrode such as Cu, prior to the growth of the intermetallic compound formed between the electrode material and Sn which is the main component of the solder, An intermetallic compound of Fe, Ni, Co and Sn crystallizes out. Once an intermetallic compound of these additive elements and Sn is formed, it acts as a nucleus when an intermetallic compound is formed by the electrode material and Sn, so that the intermetallic compound of the formed electrode material and Sn is formed. It is thought that the particle size can be made fine.

第二に、化合物内に取り込まれて多元系化合物となった場合は化合物の格子間結合を強固にするため、電極材料とはんだの相互拡散による化合物の成長を抑制することができると考えられる。   Secondly, when the compound is incorporated into the compound to become a multi-component compound, the interstitial bond of the compound is strengthened, so that it is considered that the growth of the compound due to the mutual diffusion of the electrode material and the solder can be suppressed.

従って、Fe、Ni、Coをはんだに添加したときには、はんだ付け直後は接合界面に形成される微細な金属間化合物粒のために、接合界面そのものの強度が向上して接合信頼性が高められる。また、はんだ付けされた後に半導体パッケージの信頼性テスト等ではんだの融点以下の温度で長時間保持されたり、使用環境から受ける熱や、パッケージを含む電子機器の発する熱で長期間保持された時は、拡散による金属間化合物の成長が抑制されるので、接合界面の強度劣化は妨げられ、やはり接合信頼性は高められるのである。   Therefore, when Fe, Ni, and Co are added to the solder, the strength of the bonding interface itself is improved and the bonding reliability is improved because of the fine intermetallic compound grains formed at the bonding interface immediately after soldering. Also, after being soldered, when it is held for a long time at a temperature below the melting point of the solder in a semiconductor package reliability test, etc., or when it is held for a long time by heat received from the usage environment or heat generated by the electronic equipment including the package Since the growth of intermetallic compounds due to diffusion is suppressed, the strength deterioration of the bonding interface is prevented, and the bonding reliability is also improved.

本発明において発明者らの検討では、上述したFe、Ni、Coの効果は0.002質量%の極微量でも発揮されうる。一方、0.05質量%を超える過度のFe、Ni、Coの添加は、はんだ及びはんだ接合界面を必要以上に硬化させ、応力負荷時におけるはんだ接合部への応力集中を招き、逆に接合信頼性の低下要因となる。よって本発明におけるFe、Ni、Coの添加量は合計で0.002〜0.05質量%とする。   In the present invention, the inventors have studied and the above-described effects of Fe, Ni, and Co can be exhibited even with a very small amount of 0.002% by mass. On the other hand, excessive addition of Fe, Ni, and Co exceeding 0.05 mass% hardens the solder and solder joint interface more than necessary, leading to stress concentration at the solder joint during stress loading, and conversely reliability. It becomes a factor of sex decline. Therefore, the total amount of Fe, Ni, and Co added in the present invention is 0.002 to 0.05 mass%.

また、このFe、Ni、Coの含有量は合計で0.005〜0.02質量%とすることが好ましい。0.005質量%以上の含有量とすることで上述した添加による効果がより明確になる。
一方、本発明において好ましいFe、Ni、Coの含有量の上限を0.02質量%以下とするのは、0.02質量%以下であれば、はんだの融点以上、即ち純Snの場合は232℃を上回るような温度で全て液相状態となるためである。これにより0.02質量%以下であれば、溶融坩堝等の特性に起因して溶融はんだ合金中に多少の温度勾配を生じている場合であっても金属間化合物を晶出することが無く、成分の均質な溶融はんだ合金を得ることが可能となる。
また、Fe、Ni、Coの添加量が0.02質量%以下であれば、上述した接合界面の硬化をより抑制でき、接合信頼性を向上することができる。
Further, the total content of Fe, Ni and Co is preferably 0.005 to 0.02% by mass. The effect by addition mentioned above becomes clearer by setting it as 0.005 mass% or more content.
On the other hand, the upper limit of the content of Fe, Ni, and Co that is preferable in the present invention is 0.02% by mass or less if the content is 0.02% by mass or less. This is because all liquid phases are obtained at a temperature exceeding ℃. If it is 0.02% by mass or less due to this, even if there is a slight temperature gradient in the molten solder alloy due to the characteristics of the melting crucible or the like, the intermetallic compound is not crystallized, It becomes possible to obtain a molten solder alloy having a homogeneous component.
Moreover, if the addition amount of Fe, Ni, and Co is 0.02 mass% or less, hardening of the joining interface mentioned above can be suppressed more, and joining reliability can be improved.

次に、もう一つの本発明のはんだ合金である、質量%で0.1〜1.5%のAgと、0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなるはんだ合金について説明する。本はんだ合金においてもIn及びFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素の規定理由、及び好ましい範囲は上述のSn−Cu−In系はんだ合金の場合と同じである。   Next, another solder alloy of the present invention, 0.1 to 1.5% Ag in mass%, 0.1 to 5% Cu, 0.1 to 10% In, and the total A solder alloy composed of one or more elements selected from 0.002 to 0.05% Fe, Ni, and Co, the balance Sn and inevitable impurities will be described. Also in this solder alloy, the reason for defining one or more elements selected from In, Fe, Ni, and Co, and the preferred range are the same as in the case of the Sn—Cu—In solder alloy described above.

Agは0.1質量%以上含有することではんだ合金の融点を低下させ、またはんだ合金内にAgSn化合物粒として分散することによってはんだ合金の耐熱疲労性も向上させる効果を有する。上述したようにこのようなSn−Ag化合物のはんだ合金中での分散晶出量が多すぎると、はんだ合金の硬度を著しく上昇させ、界面への過多な応力集中を招くが、本発明の如くAgとInとを複合して含有し、且つAgの含有量を1.5質量%以下とすることで、はんだ合金の硬化を抑制しつつ、融点の低下、耐熱疲労性の向上を達成することができる。
なお、本発明のはんだ合金におけるAgの含有量は以下のケースを考慮する場合には、その上限を1質量%とすることが好ましい。
半導体パッケージのマザーボード実装等にはんだ合金を用いる場合、はんだボール等のバルク材のはんだ合金と併せて、Agを含むはんだペーストが用いられることが多い。このようなケースでは、はんだを溶融、接合する際にペーストからはんだ合金内にAgが混入し、接合後にははんだ合金におけるAg含有量が増加する。
このようなペーストが同時に用いられるはんだ合金では、はんだ接合後におけるはんだ合金中のAg含有量を1.5質量%以下とするため、本発明のはんだ合金ではAg含有量の上限は1質量%以下とすることが好ましい。
When Ag is contained in an amount of 0.1% by mass or more, the melting point of the solder alloy is lowered, or the dispersion of Ag 3 Sn compound grains in the solder alloy has an effect of improving the heat fatigue resistance of the solder alloy. As described above, when the amount of the dispersed crystallization of the Sn—Ag compound in the solder alloy is too large, the hardness of the solder alloy is remarkably increased and excessive stress concentration is caused on the interface. By containing Ag and In in combination and making the Ag content 1.5% by mass or less, the melting point is lowered and the thermal fatigue resistance is improved while suppressing the hardening of the solder alloy. Can do.
In addition, when considering the following cases, the upper limit of the Ag content in the solder alloy of the present invention is preferably 1% by mass.
When using a solder alloy for mounting a motherboard of a semiconductor package or the like, a solder paste containing Ag is often used together with a solder alloy of a bulk material such as a solder ball. In such a case, Ag is mixed from the paste into the solder alloy when the solder is melted and joined, and the Ag content in the solder alloy increases after joining.
In the solder alloy in which such a paste is used at the same time, the upper limit of the Ag content in the solder alloy of the present invention is 1% by mass or less because the Ag content in the solder alloy after soldering is 1.5% by mass or less. It is preferable that

また以上に述べた本発明のはんだ合金は、球状化してはんだボールとして用いることが好ましい。BGAやCSP等には格子状端子部をはんだバンプで形成するが、この各はんだバンプのはんだ量を一定にすることは、実装後のBGAやCSPのはんだ接合部における機械的特性を安定させるために重要である。はんだボールを用いて形成するはんだバンプでは個々の体積のばらつきをはんだペーストやはんだリッドを用いる場合と比べて小さくできるので、上述のような格子端子部のはんだバンプを形成するのに適している為である。   The solder alloy of the present invention described above is preferably used as a solder ball after being spheroidized. BGA, CSP, etc., have a grid-like terminal portion formed of solder bumps. To keep the solder amount of each solder bump constant, the mechanical characteristics at the soldered joint portion of BGA or CSP after mounting are stabilized. Is important to. Since solder bumps formed using solder balls can reduce the variation in individual volume compared to the case of using solder paste or solder lid, it is suitable for forming the solder bumps on the grid terminals as described above. It is.

上述の本発明のはんだボールは、例えば本発明のはんだ合金を溶融して滴下し、滴下した液滴を球状に凝固することで製造することが好ましい。この製造方法であれば、はんだ合金を一旦インゴットとして鋳造した後、インゴットを機械的に定量分断し、定量分断されたはんだ合金を球状化する方法としてFe、Ni、Coから選ばれる微量に添加する元素を均一に分散させたはんだボールが得られるからである。はんだ合金を溶融して滴下し、滴下した液滴を球状に凝固する製造方法で微量に添加する元素を均一に分散させたはんだボールが得られるのは、溶融はんだ合金では、全ての構成成分の拡散が固体に比べると非常に高速で生じているので、均質に混ざり合っている状態が維持されている為である。そして均質に混ざり合った溶融はんだ合金から直接、液滴を作製し、凝固させてはんだボールとすれば、全てのボール毎の成分比は等しくなり、既に偏析を生じているインゴットを用いる従来の製造方法では得ることが困難であった均質なはんだボールを安定して製造することができるのである。   The above-described solder ball of the present invention is preferably manufactured, for example, by melting and dropping the solder alloy of the present invention and solidifying the dropped liquid droplets into a spherical shape. In this manufacturing method, after the solder alloy is once cast as an ingot, the ingot is mechanically quantitatively divided, and the solder alloy thus quantitatively divided is added to a small amount selected from Fe, Ni, and Co as a method of spheroidizing. This is because a solder ball in which elements are uniformly dispersed can be obtained. Solder alloy is melted and dripped, and a solder ball in which a small amount of elements to be added is uniformly dispersed is obtained by a manufacturing method in which the dropped droplet is solidified into a spherical shape. This is because the diffusion occurs at a very high speed compared to the solid, so that a homogeneously mixed state is maintained. If droplets are produced directly from a homogeneously mixed molten solder alloy and then solidified into solder balls, the component ratios of all the balls are equal, and conventional manufacturing using segregated ingots is performed. It is possible to stably produce a homogeneous solder ball that has been difficult to obtain by the method.

上述の製造方法は溶融はんだ合金から直接、液滴を製造でき、球状に凝固させることができれば如何なる方法でも適用することができるが、好ましくは、例えば特開2001−262204号公報、米国特許公報US5266098等に記載されているような、均一液滴噴霧法を用いるのが良い。均一液滴噴霧法とは、るつぼ内で金属を溶解し、溶融金属をるつぼから排出することにより微小球を製造する方法であり、排出する際に溶融金属に振動を付与することで、排出された溶融金属を体積の均一な微小球とする方法である。   The above-described production method can be applied by any method as long as it can produce droplets directly from a molten solder alloy and can solidify into a spherical shape. Preferably, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-262204, US Patent Publication US52666098 It is preferable to use a uniform droplet spraying method as described in the above. The uniform droplet spraying method is a method of producing microspheres by melting a metal in a crucible and discharging the molten metal from the crucible, and is discharged by applying vibration to the molten metal when discharging. In this method, the molten metal is converted into microspheres having a uniform volume.

以下に均一液滴噴霧法を適用したはんだボールの製造方法の一例を図1、2に基づいて説明する。   An example of a solder ball manufacturing method to which the uniform droplet spraying method is applied will be described below with reference to FIGS.

図1において均一液滴発生部12により体積のそろった均一液滴が形成され、チャンバー8を落下する過程で表面張力により球形となった後、凝固し連続回収缶13上に堆積する。
図2は図1における均一液滴発生部12を拡大した図である。溶融はんだ合金1は伝達部材5及び加振ロッド6を介して振動子4により振動を付与された状態で、溶融はんだ合金1にはチャンバー7に対して正の差圧が加えられ、この差圧が溶融はんだ合金1を流れとしてオリフィス2を通して押出す。振動と、溶融はんだ合金1の表面張力とにより、溶融はんだ合金1の流れは連続した滴下溶滴8から、破砕して均一な直径で真球度の高い独立した液滴9を形成する。その後、液滴は、チャンバー内を移動し、ガス中で凝固する。
In FIG. 1, uniform droplets having a uniform volume are formed by the uniform droplet generator 12, and are formed into a spherical shape due to surface tension in the process of falling down the chamber 8, and then solidify and accumulate on the continuous recovery can 13.
FIG. 2 is an enlarged view of the uniform droplet generator 12 in FIG. In the state where the molten solder alloy 1 is vibrated by the vibrator 4 through the transmission member 5 and the vibration rod 6, a positive differential pressure is applied to the molten solder alloy 1 with respect to the chamber 7, and this differential pressure is applied. Extrude through the orifice 2 as a flow through the molten solder alloy 1. Due to the vibration and the surface tension of the molten solder alloy 1, the flow of the molten solder alloy 1 is crushed from the continuous droplet 8 to form independent droplets 9 having a uniform diameter and high sphericity. Thereafter, the droplet moves in the chamber and solidifies in the gas.

上記の図1、図2の装置を用いる製造方法では、粒径のバラツキを低減するため、溶融はんだ合金1の液面にかかるるつぼ3内の圧力とチャンバー7内部の圧力とを制御してオリフィス2での溶湯圧力を一定とすることが好ましい。また、冷却管10内部に冷媒を循環させることで、チャンバー7内部の温度を液滴の凝固に適した温度に保持することが好ましい。   In the manufacturing method using the apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2, the orifice is controlled by controlling the pressure in the crucible 3 applied to the liquid surface of the molten solder alloy 1 and the pressure in the chamber 7 in order to reduce the variation in particle diameter. It is preferable to keep the molten metal pressure at 2 constant. Further, it is preferable to maintain the temperature inside the chamber 7 at a temperature suitable for solidification of the liquid droplets by circulating the refrigerant inside the cooling pipe 10.

さらに、溶融はんだ合金を押し出す際、独立した液滴9を、高電圧プレート11を通過させて荷電し、溶滴同士の電気的な反発力により溶滴同士の合体をより効果的に阻止することが好ましい。これにより液滴は同じ極性の電荷が与えられるので、相互に反発して弾き合い再合体せずに個別の独立した状態に留まり、そのため元の直径と球形を保つことができる。   Furthermore, when extruding the molten solder alloy, the independent droplets 9 are charged by passing through the high voltage plate 11, and the coalescence of the droplets is more effectively prevented by the electric repulsive force between the droplets. Is preferred. This allows the droplets to be charged with the same polarity, so that they repel each other and bounce and stay in separate and independent states, thus maintaining their original diameter and sphere.

製造されたはんだボールは、油中や水中、或いは溶融はんだに対して不活性な液体に滴下して凝固させ、回収することもできるが、非酸化性ガス中で凝固させて回収するのが好ましい。はんだ液滴を液中で凝固させてはんだボールとした場合には、回収した後には液を洗浄する工程が必要だが、洗浄液中に水分や溶存酸素が含まれると、はんだボール表面を酸化させる原因となる。このとき、表面に存在するFe、Ni、Coも同様に酸化するが、これら酸化物ははんだ付け時に用いるフラックスでは活性度が弱すぎて還元することができないため、はんだボールの濡れ不良や接合信頼性の低下につながる。これに対して非酸化性ガス中で凝固させる場合は洗浄工程を必要としないので、上述した問題を容易に回避することが出来るのである。なお、本発明における非酸化性ガスとして具体的には、窒素等の不活性ガスの他、不活性ガスと水素ガスとの混合ガス等が挙げられる。   The produced solder balls can be solidified by dropping them into oil, water, or a liquid inert to molten solder, and it is preferable to solidify and collect them in a non-oxidizing gas. . When solder droplets are solidified in a liquid to form a solder ball, it is necessary to wash the liquid after recovery. However, if water or dissolved oxygen is contained in the cleaning liquid, it may cause the solder ball surface to oxidize. It becomes. At this time, Fe, Ni, and Co existing on the surface are also oxidized in the same way, but these oxides are too weak to be reduced by the flux used during soldering, so that wetting defects of solder balls and bonding reliability are not possible. It leads to a decline in sex. On the other hand, when solidifying in a non-oxidizing gas, the above-mentioned problem can be easily avoided because a cleaning step is not required. Specific examples of the non-oxidizing gas in the present invention include an inert gas such as nitrogen and a mixed gas of an inert gas and a hydrogen gas.

この製造方法は、特に直径が50〜1000μmのはんだボールを製造する場合に好適である。従来製法では、はんだボール直径が小さくなればなるほど、そのサイズ効果によりボール1つ当たりに存在する偏析の度合いが高まるため、ボール各々の組成バラツキが顕著になるが、本発明では上述の範囲のいかなる粒径でも、組成バラツキの極めて少ないはんだボールを製造することが出来る。   This manufacturing method is particularly suitable for manufacturing solder balls having a diameter of 50 to 1000 μm. In the conventional manufacturing method, the smaller the solder ball diameter, the greater the degree of segregation that exists per ball due to its size effect, so that the composition variation of each ball becomes significant. Even with a particle size, it is possible to produce solder balls with very little composition variation.

以上に述べた本発明のはんだ合金、またははんだボールとCu等の電気伝導性の高い金属からなる一以上の電極とを接合させたはんだ接合体では、落下衝撃等の衝撃に対する接合信頼性を向上させることができる。   In the solder joint body in which the solder alloy of the present invention described above or the solder ball and one or more electrodes made of a metal having high electrical conductivity such as Cu are joined, the joint reliability against the impact such as a drop impact is improved. Can be made.

(実施例1)
図1、2に模式図を示す装置を用いて均一液滴噴霧法により、表1に示す組成のφ0.3mmのはんだボールを製造した。これらはんだボールを15mm角の半導体パッケージに搭載・リフローしてバンプを形成した。リフローは窒素雰囲気中、ピーク温度250℃にて行った。パッケージの電極パッドは防錆処理されたCuであり、リフローによってCuSn相が形成された。
(Example 1)
Solder balls with a diameter of 0.3 mm having the composition shown in Table 1 were manufactured by uniform droplet spraying using the apparatus shown in the schematic diagrams of FIGS. These solder balls were mounted on a 15 mm square semiconductor package and reflowed to form bumps. Reflow was performed at a peak temperature of 250 ° C. in a nitrogen atmosphere. The electrode pad of the package was rust-prevented Cu, and a Cu 6 Sn 5 phase was formed by reflow.

Figure 2005046882
Figure 2005046882

次に、テスト用ガラスエポキシ基板にニホンハンダ製Sn−3Ag−0.5Cu(質量%)ペーストを印刷し、パッケージを実装した。印刷に用いたマスクはNiのアディティブ法で作製されており、開口径はφ0.25mm、厚さ0.1mmである。ペーストのフラックス含有量を15質量%として計算すると、実装後のはんだ接合部に占めるAgの含有量は質量%で、組成(a)〜(d)、(h)、(i)で0.7%、(e)が約1.3%、(f)が約1.5%、(g)が約1.9%である。
実装のリフロー条件は、バンプ形成条件と同等とした。これら実装基板に携帯機器を模擬するため150gの錘を貼り付けた後、基板を高さ1m〜2mから水平落下させ、落下時の衝撃力に対する接合部の破断の程度を評価した。
評価に際し、予め、落下させる高さと落下時の衝撃力との相関を求めておき、目標の衝撃力となる高さから実装基板を落下させた。落下時の衝撃力は、基板のパッケージ隅のバンプ付近に貼り付けた歪みゲージの最大基板歪みによって評価した。
Next, Sn-3Ag-0.5Cu (mass%) paste made by Nihon Solder was printed on the glass epoxy substrate for test, and the package was mounted. The mask used for printing is manufactured by the Ni additive method, and has an opening diameter of 0.25 mm and a thickness of 0.1 mm. When the flux content of the paste is calculated as 15% by mass, the Ag content in the soldered joint after mounting is 0.7% by mass and the composition (a) to (d), (h), (i) is 0.7%. %, (E) is about 1.3%, (f) is about 1.5%, and (g) is about 1.9%.
The reflow conditions for mounting were the same as the bump formation conditions. In order to simulate a portable device on these mounting substrates, a 150 g weight was attached, and then the substrate was dropped horizontally from a height of 1 m to 2 m, and the degree of breakage of the joint portion against the impact force at the time of dropping was evaluated.
In the evaluation, the correlation between the dropping height and the impact force at the time of dropping was obtained in advance, and the mounting board was dropped from the height that becomes the target impact force. The impact force at the time of dropping was evaluated by the maximum substrate strain of a strain gauge attached near the bump at the corner of the package of the substrate.

表2に、表1に示した各組成とパッケージのはんだバンプが破断した最大基板ひずみとの関係を示す。Fe、Co、Niを添加していない(h)(i)に比べて、添加した本発明の(a)〜(f)のはんだは優れた耐衝撃性を示している。よって、本発明によるSn−Cu−In系はんだ合金へのFe、Co、Niの微量添加は、はんだ接合部の信頼性を高めることが明らかになった。また、接合前のはんだボールにAgを1.5質量%含み接合部のAg含有量が1.9質量%である(g)よりも、Agの量を減らした(e)(f)はより優れた耐衝撃性を示した。実用における許容最大基板歪みが0.2%程度であると考えられることから、本発明におけるはんだ接合体のAg含有量は1.5%が上限であることが明らかになった。また、Inを多く添加した(a)(b)も許容歪みに近い値で破断していることから、In添加量も10質量%が上限であると考えられる。   Table 2 shows the relationship between each composition shown in Table 1 and the maximum substrate strain at which the solder bumps of the package broke. Compared with (h) (i) in which no Fe, Co, or Ni is added, the added solders (a) to (f) of the present invention exhibit excellent impact resistance. Therefore, it became clear that the addition of a small amount of Fe, Co, Ni to the Sn—Cu—In solder alloy according to the present invention increases the reliability of the solder joint. Moreover, the amount of Ag is reduced more than (g) where 1.5% by mass of Ag is contained in the solder balls before joining and the Ag content in the joined part is 1.9% by mass (g). Excellent impact resistance. Since the allowable maximum substrate strain in practical use is considered to be about 0.2%, it has been clarified that 1.5% is the upper limit of the Ag content of the solder joined body in the present invention. In addition, since (a) and (b) in which a large amount of In is added are also fractured at a value close to the allowable strain, the upper limit of the amount of In added is considered to be 10% by mass.

Figure 2005046882
Figure 2005046882

本発明のはんだボールを製造する装置の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the apparatus which manufactures the solder ball of this invention. 本発明のはんだボールを製造する装置の均一液滴発生部の一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the uniform droplet generation | occurrence | production part of the apparatus which manufactures the solder ball of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 溶融はんだ合金、2 オリフィス、3 るつぼ、4 振動子、5 伝達部材、6 加振ロッド、7 チャンバー、8 連続した液滴、9 独立した液滴、10 冷却管、11 高電圧プレート、12 均一液滴発生部、13 連続回収缶   1 Molten solder alloy, 2 orifice, 3 crucible, 4 vibrator, 5 transmission member, 6 excitation rod, 7 chamber, 8 continuous droplet, 9 independent droplet, 10 cooling tube, 11 high voltage plate, 12 uniform Droplet generator, 13 continuous collection cans

Claims (4)

質量%で0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ合金。 One or more elements selected from 0.1 to 5% by mass of Cu, 0.1 to 10% In, and 0.002 to 0.05% in total of Fe, Ni, Co, and the balance Sn And a solder alloy comprising inevitable impurities. 質量%で0.1〜1.5%のAgと、0.1〜5%のCuと、0.1〜10%のInと、合計で0.002〜0.05%のFe、Ni、Coから選ばれる一種以上の元素と、残部Sn及び不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ合金。 0.1 to 1.5% Ag, 0.1 to 5% Cu, 0.1 to 10% In, and 0.002 to 0.05% Fe, Ni in total, A solder alloy comprising one or more elements selected from Co, the remainder Sn and inevitable impurities. 請求項1または2に記載のはんだ合金が球状化されてなることを特徴とするはんだボール。 A solder ball, wherein the solder alloy according to claim 1 or 2 is spheroidized. 請求項1乃至3の何れかに記載のはんだ合金またははんだボールと電極とが接合されてなることを特徴とするはんだ接合体。 4. A solder joint, wherein the solder alloy or solder ball according to claim 1 and an electrode are joined.
JP2003281984A 2003-07-29 2003-07-29 Solder alloy, solder ball, and solder joined body Pending JP2005046882A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003281984A JP2005046882A (en) 2003-07-29 2003-07-29 Solder alloy, solder ball, and solder joined body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003281984A JP2005046882A (en) 2003-07-29 2003-07-29 Solder alloy, solder ball, and solder joined body

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005046882A true JP2005046882A (en) 2005-02-24

Family

ID=34267332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003281984A Pending JP2005046882A (en) 2003-07-29 2003-07-29 Solder alloy, solder ball, and solder joined body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005046882A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006129713A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
JP2007038228A (en) * 2005-07-29 2007-02-15 Nihon Almit Co Ltd Solder alloy
JP2008290150A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Korea Inst Of Industrial Technology QUATERNARY Pb-FREE SOLDER COMPOSITION OF Sn-Ag-Cu-In
JP2011005542A (en) * 2009-06-23 2011-01-13 Nihon Superior Co Ltd In-CONTAINING LEAD-FREE SOLDER ALLOY, AND SOLDERED JOINT USING THE SOLDER
JP2013157356A (en) * 2012-01-26 2013-08-15 Tdk Corp Electronic circuit module component
KR20150056886A (en) * 2013-11-15 2015-05-28 덕산하이메탈(주) Solder alloy and solder ball
US9586281B2 (en) 2014-08-29 2017-03-07 International Business Machines Corporation Forming a solder joint between metal layers
JP6369620B1 (en) * 2017-12-31 2018-08-08 千住金属工業株式会社 Solder alloy
CN109702372A (en) * 2019-03-06 2019-05-03 上海莜玮汽车零部件有限公司 Leadless welding alloy and its application

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006129713A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
US8691143B2 (en) 2005-06-03 2014-04-08 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
JP2007038228A (en) * 2005-07-29 2007-02-15 Nihon Almit Co Ltd Solder alloy
JP2008290150A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Korea Inst Of Industrial Technology QUATERNARY Pb-FREE SOLDER COMPOSITION OF Sn-Ag-Cu-In
JP2011005542A (en) * 2009-06-23 2011-01-13 Nihon Superior Co Ltd In-CONTAINING LEAD-FREE SOLDER ALLOY, AND SOLDERED JOINT USING THE SOLDER
JP2013157356A (en) * 2012-01-26 2013-08-15 Tdk Corp Electronic circuit module component
KR20150056886A (en) * 2013-11-15 2015-05-28 덕산하이메탈(주) Solder alloy and solder ball
KR101688463B1 (en) * 2013-11-15 2016-12-23 덕산하이메탈(주) Solder alloy and solder ball
US9586281B2 (en) 2014-08-29 2017-03-07 International Business Machines Corporation Forming a solder joint between metal layers
US10252363B2 (en) 2014-08-29 2019-04-09 International Business Machines Corporation Forming a solder joint between metal layers
JP6369620B1 (en) * 2017-12-31 2018-08-08 千住金属工業株式会社 Solder alloy
WO2019131718A1 (en) * 2017-12-31 2019-07-04 千住金属工業株式会社 Solder alloy
TWI673130B (en) * 2017-12-31 2019-10-01 日商千住金屬工業股份有限公司 Solder alloy
EP3597356A4 (en) * 2017-12-31 2020-06-03 Senju Metal Industry Co., Ltd Solder alloy
US11123824B2 (en) 2017-12-31 2021-09-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder alloy
CN109702372A (en) * 2019-03-06 2019-05-03 上海莜玮汽车零部件有限公司 Leadless welding alloy and its application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101345677B1 (en) Solder alloy
JP4152596B2 (en) Electronic member having solder alloy, solder ball and solder bump
KR101551050B1 (en) Lead-free solder alloy
US10967464B2 (en) Solder alloy, solder paste, and solder joint
TWI673130B (en) Solder alloy
JP2002224881A (en) Solder ball
WO2006129713A1 (en) Lead-free solder alloy
KR102194027B1 (en) Solder alloy, solder paste, solder ball, resin-embedded solder and solder joint
JP2005319470A (en) Lead-free solder material, electronic circuit board and their production method
JP4836009B2 (en) Solder alloy, solder ball and solder joint using the same
JP2018140427A (en) Solder material, solder paste, foam solder and solder joint
JP5030442B2 (en) Lead-free solder alloys, solder balls and electronic components
EP1598142A1 (en) Lead-free solder alloy and preparation thereof
JP2002248596A (en) Leadless solder ball excellent in oxidation resistance
JP2005046882A (en) Solder alloy, solder ball, and solder joined body
JP2005040847A (en) Manufacturing method of solder bowl
JP2018047500A (en) Bi-BASED SOLDER ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC COMPONENT-MOUNTED SUBSTRATE COMPRISING THE SOLDER ALLOY
KR102342394B1 (en) Solder Alloy, Solder Paste, Preform Solder, Solder Ball, Wire Solder, Resin Flux Cored Solder, Solder Joint, Electronic Circuit Board and Multilayer Electronic Circuit Board
JP4432041B2 (en) Solder alloys and solder balls
JP2001267730A (en) Solder ball
JP2005296983A (en) Solder alloy and solder ball
JP2005144495A (en) Solder alloy and solder ball
JP2001001180A (en) Solder and electronic part using the solder
JP2004031771A (en) Solder junction
JP4023725B2 (en) Solder alloys and solder balls