JP2005038556A - Thin-film magnetic head, hga, and magnetic recording device - Google Patents
Thin-film magnetic head, hga, and magnetic recording device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005038556A JP2005038556A JP2003277054A JP2003277054A JP2005038556A JP 2005038556 A JP2005038556 A JP 2005038556A JP 2003277054 A JP2003277054 A JP 2003277054A JP 2003277054 A JP2003277054 A JP 2003277054A JP 2005038556 A JP2005038556 A JP 2005038556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic head
- magnetic
- film magnetic
- shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
Description
本発明は、薄膜磁気ヘッド、HGA及び磁気記録装置に関する。 The present invention relates to a thin film magnetic head, an HGA, and a magnetic recording apparatus.
ハードディスクドライブ(HDD)の大容量小型化に伴い、高感度、高出力の磁気ヘッドが要求されている。ハードディスク等の磁気記録装置はデータに応じて磁化される磁化遷移領域をトラック上に備えている。 As the capacity of a hard disk drive (HDD) is reduced, a magnetic head with high sensitivity and high output is required. A magnetic recording device such as a hard disk has a magnetization transition region that is magnetized according to data on the track.
薄膜磁気ヘッドは、アームの先端に取り付けられてHGA(ヘッド・ジンバル・アッセンブリ)を構成するものであって、磁気記録媒体の磁化遷移領域に近接配置されるものであり、磁化遷移領域周辺の磁場を検出することで当該データを読み出している。すなわち、薄膜磁気ヘッド(磁気検出素子)に含まれるMR素子は、上部シールド及び下部シールド間にフリー層(軟磁性体)を設けてなり、フリー層のトラック幅方向両側に磁化固定用磁性体が配置される。 A thin film magnetic head is attached to the tip of an arm to form an HGA (head gimbal assembly), and is disposed close to the magnetization transition region of the magnetic recording medium. The data is read out by detecting. That is, the MR element included in the thin film magnetic head (magnetic detection element) is provided with a free layer (soft magnetic material) between the upper shield and the lower shield, and the magnetization fixing magnetic material is provided on both sides of the free layer in the track width direction. Be placed.
磁化固定用磁性体によって、フリー層には弱磁場が形成され、該層の磁化の向きが仮固定される。記録媒体における磁化遷移領域からの外部磁場に応じてフリー層の磁化の向きが変化すると、フリー層を通る供給電流(センス電流)に対する抵抗率が変化するので、これを検出することで、トラック記録情報の読み出しを行うことができる。 A weak magnetic field is formed in the free layer by the magnetization fixing magnetic material, and the magnetization direction of the layer is temporarily fixed. When the magnetization direction of the free layer changes according to the external magnetic field from the magnetization transition region in the recording medium, the resistivity to the supply current (sense current) that passes through the free layer changes. By detecting this, track recording Information can be read out.
ここで、磁化固定用磁性体は、フリー層を単磁区化しており、フリー層内で磁壁が移動する際に生じるバルクハウゼン・ノイズを抑制している。磁化固定用磁性体としては、様々なものが提案されており、上述のいずれの構造においても、かかる磁化方向の固定が必要であることにはかわりない(特許文献2参照)。フリー層の側方に位置する磁化固定用磁性体としては、「硬磁性体」や「交換結合型軟磁性体」が挙げられる。
しかしながら、「硬磁性体」や「交換結合型軟磁性体」のいずれであっても、フリー層の磁化固定用磁性体として機能させることができるが、それぞれに問題点がある。 However, any of the “hard magnetic material” and the “exchange coupling type soft magnetic material” can function as a magnetic material for pinning the magnetization of the free layer, but each has a problem.
一般的に、上部及び下部シールド間の間隔は、フリー層のトラック方向の外側では狭い方が好ましい。これは、かかる箇所において、上部及び下部シールド間の間隔が広い場合には、MR素子が隣接トラックの情報を読み込むというサイドリーディングが発生するためである。 In general, it is preferable that the distance between the upper and lower shields is narrow outside the free layer in the track direction. This is because, in such a location, when the distance between the upper and lower shields is wide, side reading occurs in which the MR element reads information on the adjacent track.
なお、「上」及び「下」なる用語は、薄膜磁気ヘッドに関しては、製造の初期工程にあるシールド側を「下」とし、後半の工程にあるシールド側を「上」とする。また、MR素子のトラックに対向する面を媒体対向面(ABS)と言うが、以下では、ABSに垂直な方向を「奥行き」方向として説明する。 As for the terms “upper” and “lower”, regarding the thin film magnetic head, the shield side in the initial manufacturing process is “lower”, and the shield side in the latter half of the process is “upper”. The surface of the MR element facing the track is referred to as a medium facing surface (ABS). In the following description, the direction perpendicular to the ABS will be described as the “depth” direction.
また、磁化固定用磁性体は、その奥行き方向の長さに応じて、いわゆるnarrow型とwide型に分類される。 Further, the magnetization fixing magnetic body is classified into a so-called narrow type and a wide type according to the length in the depth direction.
narrow型の磁化固定用磁性体は、MR素子と奥行き方向の長さが略等しいものである。一方、wide型の磁化固定用磁性体は、MR素子よりも奥行き方向の長さが長いものである。 The narrow-type magnetization fixing magnetic body has substantially the same length in the depth direction as that of the MR element. On the other hand, the wide-type magnetization fixing magnetic body has a longer length in the depth direction than the MR element.
ここで、上部シールドと下部シールドの間隔をフリー層のトラック方向の外側で狭くするためには、前者のnarrow型を採用することが好ましい。これは、wide型では、上部シールド形成前に、磁化固定用磁性体上に選択的に保護層を形成する必要があり、かかる保護層が、フリー層のトラック方向の外側での上部及び下部シールド間隔を広げてしまうからである。 Here, in order to narrow the space between the upper shield and the lower shield outside the free layer in the track direction, the former narrow type is preferably adopted. In the wide type, it is necessary to selectively form a protective layer on the magnetization fixing magnetic body before the upper shield is formed, and the protective layer has upper and lower shields outside the free layer in the track direction. This is because the interval is widened.
ところが、narrow型において、磁化固定用磁性体としてCoPt系合金(CoCrPt,CoPt等)からなる「硬磁性体」を採用とすると、粒径の大きさが奥行き方向の長さに比して無視できなくなるため、粒径の違いに依存して特性にバラツキ等が発生する。すなわち、上記の間隔を狭めるためにnarrow型を採用するのであれば、磁化固定用磁性体としては、粒径の比較的小さなFe系合金(NiFe,CoFe等)の軟磁性体を採用する方が好ましい。つまり、Fe系合金を利用する交換結合型軟磁性体を用いれば、narrow型であっても、特性のバラツキ等を低減できる。 However, in the narrow type, when a “hard magnetic material” made of a CoPt alloy (CoCrPt, CoPt, etc.) is used as a magnetic material for pinning magnetization, the size of the particle size is negligible compared to the length in the depth direction. Therefore, depending on the difference in particle size, variations in characteristics occur. That is, if a narrow type is adopted to narrow the above-mentioned interval, it is better to adopt a soft magnetic material of a Fe-based alloy (NiFe, CoFe, etc.) having a relatively small particle size as the magnetic material for pinning magnetization. preferable. That is, if an exchange coupling type soft magnetic material using an Fe-based alloy is used, variation in characteristics can be reduced even in the narrow type.
また、交換結合型軟磁性体バイアスというのは、一般に、硬磁性体バイアスに比べて同じフリー層幅において有効トラック幅を狭くでき、一種のサイド磁気シールド効果を有する。ところが、この交換結合型軟磁性体バイアスは、外部磁場耐性は弱いという欠点があり、サイド磁気シールド効果と、フリー層外側の上下シールド間隔を狭めることにより、サイドリーディングを抑制しつつ、外部磁場耐性を向上させることは困難であるものと思われた。 In addition, the exchange-coupled soft magnetic bias can generally make the effective track width narrower in the same free layer width than the hard magnetic bias, and has a kind of side magnetic shield effect. However, this exchange-coupled soft magnetic bias has the disadvantage that the external magnetic field resistance is weak. By reducing the side magnetic shield effect and the space between the upper and lower shields outside the free layer, side reading is suppressed and the external magnetic field resistance is reduced. It seemed difficult to improve.
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、サイドリーディングを抑制しつつ、外部磁場耐性を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを有するHGA、記録密度を増加可能な磁気記録装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and is a thin film magnetic head capable of improving the resistance to external magnetic fields while suppressing side reading, an HGA having this thin film magnetic head, and increasing the recording density. An object of the present invention is to provide a possible magnetic recording apparatus.
上述の課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上部シールド及び下部シールド間に外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を含むMR素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、フリー層を挟むように配置された交換結合型軟磁性体と、交換結合型軟磁性体を更に挟むように配置された硬磁性体とを備えている。 In order to solve the above-described problems, a thin film magnetic head according to the present invention is a thin film magnetic head including an MR element including a free layer whose magnetization direction changes according to an external magnetic field between an upper shield and a lower shield. And an exchange coupling type soft magnetic body arranged so as to sandwich the exchange coupling type soft magnetic body, and a hard magnetic body arranged so as to further sandwich the exchange coupling type soft magnetic body.
この場合、フリー層は、交換結合型軟磁性体によって挟まれているので単磁区化される。この交換結合型軟磁性体により、一種のサイド磁気シールド効果が生じる。また、交換結合型軟磁性体は、粒子径が比較的小さいため、narrow型を採用することができる。このため、wide型を採用するときのように、上部シールド形成前に磁化固定用磁性体の上に保護層を必ずしも形成する必要が無く、フリー層のトラック方向外側の上下シールド間隔を狭くすることができ、サイドリーディングを抑制することができる。 In this case, since the free layer is sandwiched by the exchange coupling type soft magnetic material, it is made into a single magnetic domain. This exchange coupling type soft magnetic material produces a kind of side magnetic shield effect. Further, since the exchange coupling type soft magnetic material has a relatively small particle diameter, a narrow type can be adopted. For this reason, it is not always necessary to form a protective layer on the magnetization fixing magnetic body before forming the upper shield as in the case of adopting the wide type, and the space between the upper and lower shields on the outer side in the track direction of the free layer should be narrowed. And side reading can be suppressed.
更に、本薄膜磁気ヘッドでは、一般的に硬磁性体に比べ高飽和磁化密度を有する交換結合型軟磁性体をその外側から更に硬磁性体で挟むので、交換結合型軟磁性体を介してフリー層に十分なバイアス磁場を印加することができる。これにより、単磁区化を促進してバルクハウゼン・ノイズを低下させ、また、外部磁場耐性を向上させることができる。 Furthermore, in this thin film magnetic head, an exchange coupling type soft magnetic material having a higher saturation magnetization density than that of a hard magnetic material is generally sandwiched between the hard magnetic materials from the outside. A sufficient bias magnetic field can be applied to the layer. As a result, single magnetic domains can be promoted to reduce Barkhausen noise and external magnetic field resistance can be improved.
なお、薄膜磁気ヘッドの交換結合型軟磁性体を、保護層を備えない若しくは十分薄い保護膜を備えたnarrow型とすることもできる。保護層を設けたwide型としてもよい。また、外側の硬磁性体自体の奥行き方向の長さはどのような長さでも良いが、長い方が好ましい。 Note that the exchange coupling type soft magnetic material of the thin film magnetic head may be a narrow type without a protective layer or with a sufficiently thin protective film. It may be a wide type provided with a protective layer. The outer hard magnetic body itself may have any length in the depth direction, but a longer one is preferable.
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、上部シールドのMR素子対応部の下端は、硬磁性体の上端よりもフリー層側に位置し、且つ、下部シールドのMR素子対応部の上端は、硬磁性体の下端よりもフリー層側に位置することを特徴とする。この場合、上部シールドのMR素子対応部の下端及び下部シールドのMR素子対応部の上端が、硬磁性体の内側に位置するので、MR素子対応部の上下シールドに対して、MR素子の存在に妨げられることなく、トラック方向にバイアス磁場を与えることができ、シールドの乱れによるノイズを除去することができる。 In the thin film magnetic head of the present invention, the lower end of the MR element corresponding portion of the upper shield is positioned closer to the free layer than the upper end of the hard magnetic material, and the upper end of the MR element corresponding portion of the lower shield is hard. It is characterized in that it is located closer to the free layer than the lower end of the magnetic material. In this case, since the lower end of the MR element corresponding part of the upper shield and the upper end of the MR element corresponding part of the lower shield are located inside the hard magnetic material, the MR element is present with respect to the upper and lower shields of the MR element corresponding part. Without being disturbed, a bias magnetic field can be applied in the track direction, and noise due to disturbance of the shield can be removed.
交換結合型軟磁性体の上端の位置は、上部シールドのMR素子対応部の下端の位置に略一致する又は上部シールドのMR素子対応部の下端の位置よりも下部シールド側に存在することが好ましい。 It is preferable that the position of the upper end of the exchange coupling type soft magnetic body substantially coincides with the position of the lower end of the MR element corresponding portion of the upper shield or be present on the lower shield side than the position of the lower end of the MR element corresponding portion of the upper shield. .
なお「略一致」とはMR素子の厚みの5%以内で一致することとする。 Note that “substantially match” means that the values match within 5% of the thickness of the MR element.
この場合、交換結合型軟磁性体に対向する上部シールド及び下部シールドの間隔は、MR素子対応部の間隔と略等しいか或いは短くでき、サイドリーディングを更に抑制することが可能となる。 In this case, the distance between the upper shield and the lower shield facing the exchange coupling type soft magnetic material can be substantially equal to or shorter than the distance between the MR element corresponding portions, and side reading can be further suppressed.
また、上部及び下部シールドの交換結合型軟磁性体対応部の間隔は、上部及び下部シールドの磁気抵抗素子対応部の間隔より小さいことが好ましい。この場合も、トラック方向にバイアス磁場を与えることができ、シールドの乱れによるノイズを除去することができ、かつ、かかる箇所の上下磁気シールドがサイド磁気シールドの役割を果たし、有効トラック幅を狭くすることができる。 The distance between the exchange coupling type soft magnetic body corresponding parts of the upper and lower shields is preferably smaller than the distance between the magnetoresistive element corresponding parts of the upper and lower shields. In this case as well, a bias magnetic field can be applied in the track direction, noise due to the disturbance of the shield can be removed, and the upper and lower magnetic shields at such locations serve as side magnetic shields, reducing the effective track width. be able to.
本発明に係るHGAは、上記薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドが取り付けられたアームとを備える。また、本発明に係る磁気記録装置は、このようなHGAと、HGAの薄膜磁気ヘッドが対向し回転する磁気記録媒体とを備える。磁気記録媒体にHGAの薄膜磁気ヘッドを対向させた状態で磁気記録媒体を回転させると、磁気記録媒体の磁化遷移領域からの磁場に応じて、薄膜磁気ヘッドの抵抗率が変化し、データを読み出すことができる。 The HGA according to the present invention includes the above thin film magnetic head and an arm to which the thin film magnetic head is attached. The magnetic recording apparatus according to the present invention includes such an HGA and a magnetic recording medium on which an HGA thin film magnetic head faces and rotates. When the magnetic recording medium is rotated with the HGA thin film magnetic head facing the magnetic recording medium, the resistivity of the thin film magnetic head changes according to the magnetic field from the magnetization transition region of the magnetic recording medium, and data is read out. be able to.
本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、サイドリーディングを抑制しつつ、外部磁場耐性を向上させることができ、また、この薄膜磁気ヘッドを有するHGAを用いた磁気記録装置は、トラック幅の縮小によって、記録密度を増加させることが可能となる。 According to the thin film magnetic head of the present invention, it is possible to improve the external magnetic field resistance while suppressing the side reading, and the magnetic recording apparatus using the HGA having this thin film magnetic head is able to reduce the track width. The recording density can be increased.
(第1実施形態)
以下、第1実施形態に係る薄膜磁気ヘッド、HGA及び磁気記録装置について説明する。同一要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
(First embodiment)
The thin film magnetic head, HGA, and magnetic recording apparatus according to the first embodiment will be described below. The same reference numerals are used for the same elements, and duplicate descriptions are omitted.
図1は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。 FIG. 1 is a perspective view of a thin film magnetic head according to the present embodiment.
尚、詳しくは後述するが、この薄膜磁気ヘッドは、交換結合型軟磁性体のタイプはnarrow型となっている。 As will be described in detail later, in this thin film magnetic head, the type of the exchange coupling type soft magnetic material is a narrow type.
この薄膜磁気ヘッドは、上部シールド13と下部シールド1との間に、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層6を含むMR素子を備えている。フリー層6の磁化方向が変化すると、フリー層6を通る電子のスピンの向きに応じて、MR素子におけるフリー層6を媒介した電子の伝達率、換言すれば、抵抗率が変化する。なお、図1中の符号ABSは、磁気記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッドの媒体対向面である。
This thin film magnetic head includes an MR element including a
この薄膜磁気ヘッドは、TMR(Tunnel Magneto Resistive)ヘッドであり、下部シールド1上には、下部金属層2、ピン層3、ピンド層4、トンネルバリア層5、フリー層6及び上部金属層7が順次堆積されており、これらはMR素子の主要部MRを構成している。この主要部MR上には上部シールド13が堆積されている。下部シールド1と上部シールド13との間には、主要部MR及び2種類の磁化固定用磁性体9,11が配置されている。
This thin film magnetic head is a TMR (Tunnel Magneto Resistive) head. On the
磁化固定用磁性体としては、交換結合型軟磁性体9及び硬磁性体11が設けられている。すなわち、主要部MRのフリー層6の側方には、フリー層6を挟むように配置された交換結合型軟磁性体9と、交換結合型軟磁性体9を更に挟むように配置された硬磁性体11とが設けられている。薄膜磁気ヘッドの上記各層の「積層方向」及び「奥行き方向」の双方に垂直な方向を「幅方向」とする。対象物が、フリー層6の「側方」に位置するとは、当該対象物が、フリー層6を通る「幅方向」に沿った直線上に位置することを意味する。
As the magnetization fixing magnetic body, an exchange coupling type soft
交換結合型軟磁性体9は、反強磁性層/強磁性層の交換結合を利用してなる。すなわち、交換結合型軟磁性体9は、強磁性層9a及び反強磁性層9bを積層することで構成されている。強磁性層9aは、遷移金属磁性元素Fe,Co,Ni又はそれらの合金CoFe,CoFeNi,NiFe等からなる。反強磁性層9bは、Mn、IrMn、PtMn、NiMn等からなる。各層の構成材料は、これらの材料から選択することができる。
The exchange coupling type soft
交換結合型軟磁性体9と、これに隣接する層との間には高融点の低拡散定数層90a,90bが設けられている。本例では、低拡散定数層90a,90bとしてTaを用いるが、これらの低拡散定数層90a,90bはなくてもよい。
Low diffusion
交換結合型軟磁性体9と下部シールド1との間には、絶縁層8が介在している。絶縁層8は下部シールド1上から積層体である主要部MRの側壁を這って上部シールド13付近に到達している。
An insulating
交換結合型軟磁性体9の外側には硬磁性体11が設けられている。硬磁性体11は絶縁層10を介して下部シールド1上に設けられている。硬磁性体11と絶縁層10との間には硬磁性体11の下地層としての金属層110aが介在し、硬磁性体11と上部シールド13との間には、低拡散定数層110b及び絶縁層110cが介在している。
A hard
この硬磁性体11が形成される下部シールド1上の表面領域は、主要部MRの形成された表面領域よりも深い位置にある。換言すれば、主要部MRの形成される表面領域は、硬磁性体11の形成される表面領域に対して凸部を構成している。絶縁層10は、低位側の下部シールド1上から上記凸部の側壁及び交換結合型軟磁性体9の側壁を這って上部シールド13付近に到達している。なお、場合によっては、下部シールド1の硬磁性体11に対応する部分の上部位置と、下部シールド1のMR素子に対応する部分の上部位置は同じ高さであってもよい。
The surface region on the
上部シールド13のMR素子対応部の下端は、硬磁性体11の上端よりも距離Bだけフリー層6側に位置し、且つ、下部シールド1のMR素子対応部の上端は、硬磁性体11の下端よりも距離Cだけフリー層6側に位置している。この場合、上部シールド13のMR素子対応部の下端及び下部シールド1のMR素子対応部の上端が、MR素子の高さ方向において硬磁性体11の内側に位置するので、上下シールド1,13のMR素子対応部に対して、主要部MRの存在によって妨げられることなく、トラック方向にバイアス磁場を与えることができ、シールドの乱れによるノイズを除去することができる。
The lower end of the MR element corresponding portion of the
また、交換結合型軟磁性体9の上端の位置は、上部シールド13のMR素子対応部の下端の位置に略一致する又は上部シールド13の下端の位置よりも下部シールド1側に存在している。この場合、交換結合型軟磁性体9に対向する上部シールド13及び下部シールド1の間隔は、MR素子の間隔と略等しいか或いは短くでき、サイドリーディングを抑制することが可能となる。
Further, the position of the upper end of the exchange coupling type soft
図2は、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の材料と厚みを示す表である。 FIG. 2 is a table showing the material and thickness of each layer constituting the thin film magnetic head.
上述の薄膜磁気ヘッドにおいては、フリー層6は、交換結合型軟磁性体9によって挟まれているので、その磁場によって単磁区化される。この交換結合型軟磁性体9により、一種のサイド磁気シールド効果が生じる。また、交換結合型軟磁性体9は粒子径が比較的小さいため(一般に硬磁性体11と比較した場合)、粒径の相違等に依存するバラツキ等を抑えることができるため、narrow型を採用することに支障は無い。このため、wide型を採用するときのように、上部シールド形成前に、磁化固定用磁性体の上に保護層を形成する必要が無く、フリー層6のトラック方向外側の上下シールド間隔を狭くすることができ、サイドリーディングを抑制することができる。
In the above-described thin film magnetic head, the
本薄膜磁気ヘッドでは、一般的に硬磁性体に比して高飽和磁束密度を有する交換結合型軟磁性体9を、その外側から更に硬磁性体11で挟むので、交換結合型軟磁性体9を介してフリー層6に十分なバイアス磁場を印加することができる。これにより、その単磁区化を促進してバルクハウゼン・ノイズを低下させ、また、外部磁場耐性を向上させることができる。
In this thin-film magnetic head, the exchange coupling type soft
ここで、図3及び図4を参照して、本実施形態の薄膜磁気ヘッドにおけるバイアスハイト(Bias−H)、バイアス幅(Bias−W)、MRハイト(MR−H)について説明する。ここでは、narrow型を例に挙げる。 Here, the bias height (Bias-H), bias width (Bias-W), and MR height (MR-H) in the thin film magnetic head of this embodiment will be described with reference to FIGS. Here, a narrow type is taken as an example.
図3は研磨加工前の薄膜磁気ヘッドの平面図であり、図4は研磨加工後の薄膜磁気ヘッドの平面図である。図1に示した薄膜磁気ヘッドは、ウェハ上に複数の薄膜磁気ヘッドを形成した後に、ウェハを切断後、図3に示す切断面CSを薄膜磁気ヘッドの奥行き方向に研磨し、この切断面CSを個々の薄膜磁気ヘッドのABSとする。バイアスハイト(Bias−H)、バイアス幅(Bias−W)、MRハイト(MR−H)は、図4に示すように設定されている。すなわち、この薄膜磁気ヘッドは、narrow型であるため、バイアスハイト(Bias−H)は、MRハイト(MR−H)と同じ長さになっている。 FIG. 3 is a plan view of the thin film magnetic head before polishing, and FIG. 4 is a plan view of the thin film magnetic head after polishing. In the thin film magnetic head shown in FIG. 1, after a plurality of thin film magnetic heads are formed on a wafer, the wafer is cut, and the cut surface CS shown in FIG. 3 is polished in the depth direction of the thin film magnetic head. Is the ABS of each thin film magnetic head. The bias height (Bias-H), bias width (Bias-W), and MR height (MR-H) are set as shown in FIG. That is, since this thin film magnetic head is a narrow type, the bias height (Bias-H) has the same length as the MR height (MR-H).
次に、図5〜図14を参照して、上述の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、各層の形成にあったっては、スパッタリング法、蒸着法、化学的気相成長(CVD)法や原子層エピタキシャル成長法等を用いる。 Next, a manufacturing method of the above-described thin film magnetic head will be described with reference to FIGS. In forming each layer, a sputtering method, a vapor deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, an atomic layer epitaxial growth method, or the like is used.
図5は薄膜磁気ヘッド中間体の平面図、図6は図5に示した中間体のVI−VI矢印断面図である。 FIG. 5 is a plan view of the thin film magnetic head intermediate, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of the intermediate shown in FIG.
まず、下部シールド1を用意し、下部シールド1上に、順次、下部金属層2、ピン層3、ピンド層4、トンネルバリア層5、フリー層6、上部金属層7を形成する。
First, the
図7及び図8を参照して、後続の過程を説明する。図7は薄膜磁気ヘッド中間体の平面図、図8は図7に示した中間体のVIII−VIII矢印断面図である。トラック幅を符号TWで示す。 The subsequent process will be described with reference to FIGS. 7 is a plan view of an intermediate body of the thin film magnetic head, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of the intermediate body shown in FIG. A track width is indicated by a symbol TW.
まず、上部金属層7上にトラック幅TWだけ離隔した開口20Aを有するレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、上部金属層7から基板深部に向けてイオンミリングを行い、開口20Aを下部シールド1まで到達させる。なお、このイオンミリングは、下部シールド1の初期表面と同一か、当該初期表面よりも若干深い(或いは浅い)位置まで行われる。
First, a resist
次に、この開口20A内に、絶縁層8、低拡散定数層90a、強磁性層9a、反強磁性層9b、低拡散定数層90bを順次堆積する(説明の明瞭化のため、低拡散定数層90a,90bの図示は省略する)。しかる後、レジストをリフトオフする。図7及び図8は、レジストを除去した後の状態を示している。ここで、反強磁性層9b(低拡散定数層90b)の露出表面の下部シールド1からの高さは、上部金属層7の露出表面の下部シールド1からの高さに等しい(平坦である)が、低くすることもできる。
Next, an insulating
図9及び図10を参照して、後続の過程を説明する。図9は薄膜磁気ヘッド中間体の平面図、図10は図9に示した中間体のX−X矢印断面図である。 A subsequent process will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a plan view of the thin film magnetic head intermediate, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the intermediate shown in FIG.
まず、上部金属層7上にトラック幅TW+2Dだけ離隔した開口20Bを有するレジストパターンを形成する。なお、距離Dは、好ましくは0.05μm〜0.8μm、更に好ましくは0.05〜0.3μmに設定される。このレジストパターンをマスクとして、上部金属層7から基板深部に向けてイオンミリングを行う。
First, a resist
このイオンミリングは、開口20Bの深さが、下部シールド1の初期露出表面から深さC’(=深さC+絶縁層10の厚さ)の地点になるまで行うが、場合によっては下部シールド1をミリングしなくてもよい。次に、この開口20B内に、絶縁層10、金属層110a、硬磁性体11、低拡散定数層110b、絶縁層110cを、順次、堆積する(金属層110a、低拡散定数層110b、絶縁層110cの図示は省略する)。しかる後、レジストをリフトオフする。図9及び図10は、レジストを除去した後の状態を示している。ここで、硬磁性体11の上端は、上部金属層7よりも距離Bだけ上側に位置する。
This ion milling is performed until the depth of the
なお、上部及び下部シールド1,13(図14参照)の交換結合型軟磁性体対応部の間隔S2は、上部及び下部シールド1,13の磁気抵抗素子対応部の間隔S1よりも小さいことが好ましい。
It should be noted that the distance S2 between the exchange coupling type soft magnetic body corresponding portions of the upper and
図11及び図12を参照して、後続の過程を説明する。図11は薄膜磁気ヘッド中間体の平面図、図12は図11に示した中間体のXII−XII矢印断面図である。 A subsequent process will be described with reference to FIGS. 11 is a plan view of the thin film magnetic head intermediate, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the intermediate shown in FIG. 11 taken along the line XII-XII.
まず、上部金属層7、軟磁性体9、硬磁性体11上を覆う細長のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、基板深部に向けてイオンミリングを行い、レジスト形成領域以外の露出領域を除去する。イオンミリングは、下部シールド1の初期露出表面から僅かに深い位置(或いは浅い位置)にミリング面が到達したときに停止する。次に、このミリング面上に絶縁層12を形成し、絶縁層12で磁気材料の周囲を埋めた後、レジストのリフトオフを行う。各図は、レジストを除去した状態を示している。
First, an elongated resist pattern that covers the
図13及び図14を参照して、後続の過程を説明する。図13は薄膜磁気ヘッド中間体の平面図、図14は図13に示した中間体のXIV−XIV矢印断面図である。 A subsequent process will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 is a plan view of the thin film magnetic head intermediate, and FIG. 14 is a cross-sectional view of the intermediate shown in FIG. 13 taken along arrows XIV-XIV.
図11及び図12に示した薄膜磁気ヘッド中間体上の全面に上部シールド13を形成することで、薄膜磁気ヘッドの再生部が得られる。その後、再生部の上に必要に応じて薄膜コイルを有する記録部を形成した上で、図3及び図4に示した加工を行って、図1に示した薄膜磁気ヘッドが完成する。
By forming the
図15は、変形例に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を示す図である。本例では、交換結合型軟磁性体9を構成する層の順序が前述のものとは逆になっている。すなわち、反強磁性層9b上に強磁性層9aが堆積されている。この薄膜磁気ヘッドにおいても、上述の薄膜磁気ヘッドと同様の機能を有する。なお、本例では、交換結合型軟磁性体9及び硬磁性体11上にそれぞれ保護層P,P’が形成されている。
(第2の実施形態)
次に、図16〜図18を参照して、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の薄膜磁気ヘッドは、wide型となっている。
FIG. 15 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a thin film magnetic head according to a modification. In this example, the order of the layers constituting the exchange coupling type soft
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The thin film magnetic head of this embodiment is a wide type.
図16は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。この薄膜磁気ヘッドと、図1に示したものとの相違点は、交換結合型軟磁性体9上に保護層P(P’)が形成されている点と、交換結合型軟磁性体9の奥行き方向の長さが長い点である。この薄膜磁気ヘッドの他の構成は、図1に示したものと同一である。すなわち、保護層Pを図8に示した工程において交換結合型軟磁性体9上に形成しておくことで、後続のミリング過程で交換結合型軟磁性体9が除去されるのを抑制し、交換結合型軟磁性体9の奥行きを長くすることができる。
FIG. 16 is a perspective view of the thin film magnetic head of this embodiment. The thin film magnetic head is different from that shown in FIG. 1 in that a protective layer P (P ′) is formed on the exchange coupling type soft
図17は研磨加工前の薄膜磁気ヘッドの平面図であり、図18は研磨加工後の薄膜磁気ヘッドの平面図である。図16に示した薄膜磁気ヘッドは、ウェハ上に複数の薄膜磁気ヘッドを形成した後に、ウェハを切断後、切断面CSを薄膜磁気ヘッドの奥行き方向に研磨し、この切断面CSを個々の薄膜磁気ヘッドのABSとする。なお、バイアスハイト(Bias−H)、バイアス幅(Bias−W)、MRハイト(MR−H)は、図18のように設定されている。バイアスハイト(Bias−H)は、MRハイト(MR−H)よりも長くなっている。 FIG. 17 is a plan view of the thin film magnetic head before polishing, and FIG. 18 is a plan view of the thin film magnetic head after polishing. In the thin film magnetic head shown in FIG. 16, after a plurality of thin film magnetic heads are formed on a wafer, the wafer is cut, and the cut surface CS is polished in the depth direction of the thin film magnetic head. The ABS of the magnetic head. The bias height (Bias-H), bias width (Bias-W), and MR height (MR-H) are set as shown in FIG. The bias height (Bias-H) is longer than the MR height (MR-H).
なお、上述のトンネルバリア層5をCu等の非磁性材料に置換すれば、GMRヘッドを作製することも可能である。
If the
図19は磁気検出素子組立体であるヘッド・ジンバル・アセンブリ(便宜上、略語を符号とする)HGA主要部の側面図である。なお、ヘッド・ジンバル・アセンブリHGAは、可撓性部材FMの長手方向(Z方向)の一端部が固定されるアームAM(図20参照)を有する。このヘッド・ジンバル・アセンブリHGAは、上述の薄膜磁気ヘッド(Mとする)に加えて可撓性部材(ジンバル)FMを備えている。磁気ヘッド(HDとする)は、上述の薄膜磁気ヘッドM上にデータ書き込み用のコイルWDを形成し、これを空気通過経路を有するスライダ17に取り付けてなるものである。
FIG. 19 is a side view of the main part of a head gimbal assembly (abbreviated as a reference for convenience) HGA which is a magnetic detection element assembly. The head gimbal assembly HGA has an arm AM (see FIG. 20) to which one end portion in the longitudinal direction (Z direction) of the flexible member FM is fixed. The head gimbal assembly HGA includes a flexible member (gimbal) FM in addition to the above-described thin film magnetic head (M). The magnetic head (referred to as HD) is formed by forming a data writing coil WD on the above-described thin film magnetic head M and attaching it to a
なお、データ書き込み用のコイルWDは、リング型や渦巻き型の薄膜コイルであり、デジタルデータ信号に応じて電流が流される。デジタルデータに応じてコイルWDに通電を行うと、コイルWDから磁束が漏洩する。この漏れ磁束によって、磁気記録媒体RMにおける磁化遷移領域の磁化の向きが変化し、デジタルデータが書き込まれることとなる。 Note that the data writing coil WD is a ring-type or spiral-type thin-film coil, and a current flows according to a digital data signal. When the coil WD is energized according to the digital data, the magnetic flux leaks from the coil WD. This leakage magnetic flux changes the magnetization direction of the magnetization transition region in the magnetic recording medium RM, and digital data is written.
可撓性部材FMは、その長手方向(Z方向)と厚み方向(Y方向)を含む平面内において撓むことができる。薄膜磁気ヘッドMは、その積層方向(Z方向)と可撓性部材FMの長手方向(Z方向)が略一致するように、可撓性部材FMに取り付けられる。薄膜磁気ヘッドMの取り付けは、磁気ヘッドHDを可撓性部材FMに固定することによって行われる。磁気ヘッドHDは非磁性基板をスライダ17とする機能素子であって、スライダ17はZ方向に沿って延びる凹溝GVを有している。この凹溝GVは磁気ヘッド浮上時の空力特性を規定する。
The flexible member FM can bend in a plane including its longitudinal direction (Z direction) and thickness direction (Y direction). The thin film magnetic head M is attached to the flexible member FM such that the stacking direction (Z direction) and the longitudinal direction (Z direction) of the flexible member FM substantially coincide. The thin film magnetic head M is attached by fixing the magnetic head HD to the flexible member FM. The magnetic head HD is a functional element having a non-magnetic substrate as a
薄膜磁気ヘッドMの取り付けられた可撓性部材FMは、薄膜磁気ヘッドMの受ける力によって厚み方向(Y方向)に撓むこととなる。薄膜磁気ヘッドMのフリー層6とピンド層4の配列方向(Z方向)は可撓性部材FMの長手方向(方向)に略一致している。この方向は磁気記録媒体RMの磁化遷移領域が連続してなるトラック周方向に略一致しているので、薄膜磁気ヘッドMのZ方向の寸法が小さくなった場合に磁場検出の分解能を向上させることができる。なお、「略」とは角度換算で±30度を意味するものとする。また、サイドリーディングを抑制することができるので、トラック幅を狭くすることができ、記録密度を増加させることができる。
The flexible member FM to which the thin film magnetic head M is attached is bent in the thickness direction (Y direction) by the force received by the thin film magnetic head M. The arrangement direction (Z direction) of the
図20はヘッド・ジンバル・アセンブリHGAを用いた磁気記録装置の平面図である。この記憶装置は筐体Hを備えている。筐体H内部には前述の磁気ヘッドHDを有するヘッド・ジンバル・アセンブリHGAに加えて磁気記録媒体RMが配置される。 FIG. 20 is a plan view of a magnetic recording apparatus using a head gimbal assembly HGA. This storage device includes a housing H. In addition to the above-described head gimbal assembly HGA having the magnetic head HD, a magnetic recording medium RM is disposed inside the housing H.
アームAMが、その中央部近傍に設けられた回転軸(Y軸)を中心として回転すると、磁気ヘッドHDが磁気記録媒体RMの径方向に沿って移動する。また、磁気記録媒体RMは円盤状であって、その周方向に沿って磁化遷移領域が連続してなるトラックを有し、円盤の中心に設けられた回転軸(Y軸)を中心として回転すると磁化遷移領域は磁気ヘッドHDに対して相対的に移動する。 When the arm AM rotates about a rotation axis (Y axis) provided near the center thereof, the magnetic head HD moves along the radial direction of the magnetic recording medium RM. The magnetic recording medium RM has a disk shape, has a track in which magnetization transition regions are continuous along the circumferential direction thereof, and rotates around a rotation axis (Y axis) provided at the center of the disk. The magnetization transition region moves relative to the magnetic head HD.
磁気ヘッドHDは、磁気記録媒体RMに対して対向しており、その磁化遷移領域からの漏洩磁束を検出することで、データの読み出しを行う。磁気記録媒体RMは、磁気ヘッドHDに対して相対的に移動可能に配置されており、移動に伴って磁化遷移領域からのデータが順次読み出される。 The magnetic head HD is opposed to the magnetic recording medium RM, and reads data by detecting the leakage magnetic flux from the magnetization transition region. The magnetic recording medium RM is disposed so as to be relatively movable with respect to the magnetic head HD, and data from the magnetization transition region is sequentially read with the movement.
上記実施形態の磁気ヘッドHDでは、バルクハウゼン・ノイズが低減されており、また、フリー層6のトラック方向外側の上下磁気シールド間隔が狭くなっており、サイド磁気シールド効果が向上している。したがって、データ記憶密度を向上させるために、磁気記録媒体RMにおける個々の磁化遷移領域の面積を小さくすることで漏洩磁束が小さくなっても、或いは、隣接トラック間距離を狭くしても、これらのノイズ低減構造によって、低ノイズで高分解能のデータ読み出しを行うことができる。なお、磁気記録媒体RMへの記録方式としては長手磁気記録方式や垂直磁気記録方式等を用いることができる。
In the magnetic head HD of the above embodiment, Barkhausen noise is reduced, and the space between the upper and lower magnetic shields on the outer side in the track direction of the
すなわち、上述のヘッド・ジンバル・アセンブリHGAは、薄膜磁気ヘッドMと、薄膜磁気ヘッドMが取り付けられたアームAMとを備える。このヘッド・ジンバル・アセンブリHGAは、磁気記録装置に適用することができ、この磁気記録装置は、ヘッド・ジンバル・アセンブリHGAと、ヘッド・ジンバル・アセンブリHGAの薄膜磁気ヘッドMが対向し回転する磁気記録媒体RMとを備える。磁気記録媒体RMにヘッド・ジンバル・アセンブリHGAの薄膜磁気ヘッドMを対向させた状態で磁気記録媒体RMを回転させると、磁気記録媒体RMの磁化遷移領域からの磁場に応じて、薄膜磁気ヘッドMの抵抗率が変化し、したがって、データを読み出すことができる。 That is, the above-described head gimbal assembly HGA includes a thin film magnetic head M and an arm AM to which the thin film magnetic head M is attached. The head gimbal assembly HGA can be applied to a magnetic recording apparatus. The magnetic recording apparatus is a magnetic that rotates with the head gimbal assembly HGA and the thin film magnetic head M of the head gimbal assembly HGA facing each other. And a recording medium RM. When the magnetic recording medium RM is rotated with the thin film magnetic head M of the head gimbal assembly HGA facing the magnetic recording medium RM, the thin film magnetic head M is changed according to the magnetic field from the magnetization transition region of the magnetic recording medium RM. The resistivity changes, so that the data can be read out.
上記ヘッド・ジンバル・アセンブリHGAを用いた磁気記録装置は、外部磁場耐性が高く、また、磁化固定用磁性体を2種類用いているので、外部磁場耐性を保持しつつノイズを低減することができ、また、磁化固定用磁性体として比較的微細な粒子からなる交換結合型軟磁性体を用いることで、一種のサイド磁気シールド効果を奏すると共にフリー層のトラック方向外側の上下シールド間隔を狭くすることができる。したがって、トラック幅を縮小することができ、記録密度を増加させることが可能となる。 The magnetic recording apparatus using the head gimbal assembly HGA has high resistance to external magnetic fields and uses two kinds of magnetization fixing magnetic bodies, so that noise can be reduced while maintaining external magnetic field resistance. In addition, by using an exchange coupling type soft magnetic material made of relatively fine particles as a magnetic material for pinning magnetization, a kind of side magnetic shielding effect is achieved and the vertical shield interval outside the free layer in the track direction is narrowed. Can do. Accordingly, the track width can be reduced and the recording density can be increased.
次に、図1に示した薄膜磁気ヘッドの評価結果を説明する。図1及び図2に示した薄膜磁気ヘッドをサンプル3とし、図21及び図22に示す層構造の薄膜磁気ヘッドをサンプル1(比較例1)、図23及び図24に示す層構造の薄膜磁気ヘッドをサンプル2(比較例2)とする。
Next, the evaluation results of the thin film magnetic head shown in FIG. 1 will be described. The thin film magnetic head shown in FIGS. 1 and 2 is a
なお、各サンプルにおいては、トラック幅TW=0.11μm、最も内側の磁化固定用磁性体の一方の幅D=0.15μmに設定した。 In each sample, the track width TW was set to 0.11 μm, and one width D of the innermost magnetization fixing magnetic body was set to 0.15 μm.
サンプル1は磁化固定用磁性体が、硬磁性体11を備え、且つ、交換結合型軟磁性体を備えないものである。サンプル2は磁化固定用磁性体として、交換結合型軟磁性体9を備え、且つ、硬磁性体を備えないものである。
In the
サンプル1は、磁化固定用磁性体が硬磁性体11のみで形成されるため、wideタイプとし、硬磁性体11上に保護層P及び金属層71を設けることとした。本例の製造方法は、保護層P及び金属層71を設けた点と、交換結合型軟磁性体9の代わりに硬磁性体11を形成し、図9に相当する工程では硬磁性体を形成しない点以外は、上述の製造方法と同一である。
The
サンプル2は、磁化固定用磁性体が交換結合型軟磁性体9のみで形成され、交換結合型軟磁性体9上に低拡散定数層90b及び金属層71を設けることとした。低拡散定数層90bが比較的薄いことから、本サンプルはnarrow型となっている。製造方法は、低拡散定数層90b及び金属層71を設けた点と、硬磁性体11を形成しない点以外は、上述の製造方法と同一である。
In
すべてのサンプルにおいて、薄膜磁気ヘッドを複数形成するためのウエハープロセス終了後、当該ウェハを切断して、薄膜磁気ヘッドの形成されたバーを作製し、ダイヤモンド粒子で薄膜磁気ヘッド(TMR素子)を直接研磨した。なお、研磨時の素子高さMR−Hは0.1μmに設定した。ヘッド保護膜として、厚さ3nmのダイヤモンドライクカーボン(DLC)をABS上に付着させ、浮上型磁気ヘッドを作製し、有効トラック幅、SN比、出力を測定した。本測定では、フライングハイトを10nm、メディア保護膜を3nmとした。また、その後、0.5kOeの外部磁場を縦バイアスとは逆方向にかけ、同様の測定をした。なお、縦バイアスとは、MR素子に対してトラック幅方向に印加される磁気バイアスであり、交換結合型磁性体9及び硬磁性体11によって与えられている。
In all samples, after the wafer process for forming a plurality of thin film magnetic heads was completed, the wafer was cut to produce a bar on which the thin film magnetic head was formed, and the thin film magnetic head (TMR element) was directly formed with diamond particles. Polished. The element height MR-H during polishing was set to 0.1 μm. As a head protective film, diamond-like carbon (DLC) having a thickness of 3 nm was deposited on the ABS to produce a floating magnetic head, and the effective track width, SN ratio, and output were measured. In this measurement, the flying height was 10 nm and the media protective film was 3 nm. Thereafter, an external magnetic field of 0.5 kOe was applied in the direction opposite to the longitudinal bias, and the same measurement was performed. The longitudinal bias is a magnetic bias applied to the MR element in the track width direction, and is given by the exchange coupling type
図25は、薄膜磁気ヘッドへの外部磁場印加前の有効トラック幅とSN比と出力(mV)の関係を示すグラフである。図26は、薄膜磁気ヘッドへの外部印加後の有効トラック幅とSN比と出力(mV)の関係を示すグラフである。 FIG. 25 is a graph showing the relationship between the effective track width, SN ratio, and output (mV) before applying an external magnetic field to the thin film magnetic head. FIG. 26 is a graph showing the relationship between the effective track width, SN ratio, and output (mV) after external application to the thin film magnetic head.
比較例1,2に係るサンプル1,2と比較して、実施例に係るサンプル3は、外部磁場印加後も特性の変化が少ない。また、実施例に係るサンプル3のSN比は、比較例に係るサンプル1,2よりも格段に向上しており、また、サンプル3は有効トラック幅がサンプル2と同程度であり、サンプル1と比べて狭くなっている。上述の構造により、外部磁場耐性の向上及びSN比向上及び狭トラック化が図られている。
Compared with
1・・・上部シールド、1・・・下部シールド、2・・・下部金属層、3・・・ピン層、4・・・ピンド層、5・・・トンネルバリア層、6・・・フリー層、7・・・上部金属層、8・・・絶縁層、9・・・交換結合型軟磁性体、9b・・・反強磁性層、9a・・・強磁性層、10・・・絶縁層、11・・・硬磁性体、12・・・絶縁層、13・・・上部シールド、17・・・スライダ、20A・・・開口、20B・・・開口、71・・・金属層、90a・・・低拡散定数層、90b・・・低拡散定数層、110b・・・低拡散定数層、110c・・・絶縁層、110a・・・金属層、AM・・・アーム、CS・・・切断面、FM・・・可撓性部材、GV・・・凹溝、H・・・筐体、HD・・・磁気ヘッド、HGA・・・磁気検出素子組立体、M・・薄膜磁気ヘッド、MR・・・主要部、P・・・保護層、RM・・・磁気記録媒体。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記フリー層を挟むように配置された交換結合型軟磁性体と、
前記交換結合型軟磁性体を更に挟むように配置された硬磁性体と、
を備える薄膜磁気ヘッド。 In a thin film magnetic head including a magnetoresistive element including a free layer whose magnetization direction changes according to an external magnetic field between an upper shield and a lower shield,
An exchange coupled soft magnetic material disposed so as to sandwich the free layer;
A hard magnetic material disposed so as to sandwich the exchange coupling type soft magnetic material;
A thin film magnetic head comprising:
前記下部シールドの磁気抵抗素子対応部の上端は、前記硬磁性体の下端よりも前記フリー層側に位置することを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。 The lower end of the magnetoresistive element corresponding part of the upper shield is located closer to the free layer than the upper end of the hard magnetic material, and
The thin film magnetic head according to claim 1, wherein an upper end of the lower shield corresponding to the magnetoresistive element is positioned closer to the free layer than a lower end of the hard magnetic body.
前記薄膜磁気ヘッドが取り付けられたアームと、
を備えるHGA。 An exchange coupling type soft magnetic body comprising a magnetoresistive element including a free layer whose magnetization direction changes according to an external magnetic field between an upper shield and a lower shield, and arranged so as to sandwich the free layer, and the exchange coupling type soft magnetic material A thin film magnetic head comprising a hard magnetic body arranged to further sandwich the magnetic body;
An arm to which the thin film magnetic head is attached;
HGA with
前記薄膜磁気ヘッドが取り付けられたアームと、
前記薄膜磁気ヘッドが対向し回転する磁気記録媒体とを備えた磁気記録装置。
An exchange coupling type soft magnetic body comprising a magnetoresistive element including a free layer whose magnetization direction changes according to an external magnetic field between an upper shield and a lower shield, and arranged so as to sandwich the free layer, and the exchange coupling type soft magnetic material A thin film magnetic head comprising a hard magnetic body arranged to further sandwich the magnetic body;
An arm to which the thin film magnetic head is attached;
A magnetic recording apparatus comprising: a magnetic recording medium rotating with the thin film magnetic head opposed thereto.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003277054A JP3981050B2 (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | Thin film magnetic head, HGA, and magnetic recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003277054A JP3981050B2 (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | Thin film magnetic head, HGA, and magnetic recording apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005038556A true JP2005038556A (en) | 2005-02-10 |
JP3981050B2 JP3981050B2 (en) | 2007-09-26 |
Family
ID=34213168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003277054A Expired - Lifetime JP3981050B2 (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | Thin film magnetic head, HGA, and magnetic recording apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3981050B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
-
2003
- 2003-07-18 JP JP2003277054A patent/JP3981050B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7808750B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising magneto-resistive effect device, and hard disk system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3981050B2 (en) | 2007-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5816673B2 (en) | Plane perpendicular current (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with exchange coupled side shield structure | |
US9099125B1 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor structure with stacked sensors for minimization of the effect of head skew | |
US7280325B1 (en) | Ferromagnetic structure including a first section separated from a ferromagnetic layer by an electrically conductive nonmagnetic spacer and a second section elongated relative to the first section in at least one dimension | |
US8638530B1 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor having a top shield with an antiparallel structure | |
US7242556B2 (en) | CPP differential GMR sensor having antiparallel stabilized free layers for perpendicular recording | |
US7130166B2 (en) | CPP GMR with improved synthetic free layer | |
US7330339B2 (en) | Structure providing enhanced self-pinning for CPP GMR and tunnel valve heads | |
US7035059B2 (en) | Head with self-pinned structure having pinned layer extending beyond track edges of the free layer | |
US7324310B2 (en) | Self-pinned dual CPP sensor exchange pinned at stripe back-end to avoid amplitude flipping | |
JP2002304711A (en) | Shielded magnetic tunnel junction magneto-resistive read head and assembly | |
US8988832B2 (en) | Magnetoresistive sensor shield | |
US6943997B2 (en) | Sensor with improved stabilization and track definition | |
US7317596B2 (en) | Magnetic recording disk drive having read head with high cross-track resolution and disk with low bit-aspect-ratio | |
JP5852541B2 (en) | Magnetic bias structure for magnetoresistive sensors | |
US20050002132A1 (en) | Self-pinned in-stack bias structure with improved pinning | |
US7576948B2 (en) | Magnetic field read sensor based on the extraordinary hall effect | |
JP2006155858A (en) | Magnetic recording disk drive with data written and read as cross-track magnetization | |
KR100776870B1 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
US7268979B2 (en) | Head with thin AFM with high positive magnetostrictive pinned layer | |
KR20000071616A (en) | Magneto-resistive element and production method thereof, magneto-resistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
US7301735B2 (en) | Higher flip threshold structure for in-stack bias layer | |
US7573686B2 (en) | Thin-film magnetic head including low-resistance TMR element | |
JP3981050B2 (en) | Thin film magnetic head, HGA, and magnetic recording apparatus | |
US8701274B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic head | |
JP4387923B2 (en) | Magnetoresistive element, thin film magnetic head, head gimbal assembly, head arm assembly, and magnetic disk apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20070626 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070628 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |