JP2005031251A - 発光型表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】広い視野角範囲にわたり、色の変化が小さい表示が得られる発光型表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも発光領域では発光素子の発光動作に不要な膜は除去し、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、前記発光層から放射する光の強度が最大となるを波長λｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリクス状に配置した発光素子の発光動作を制御して表示を行う発光型表示装置に関して、特に光の波長程度、あるいはそれ以下の厚さの薄膜を積層した構造を有する有機発光ダイオード素子などの発光素子を備える発光型表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は、有機薄膜からなる発光層に正負の電荷を注入することにより電気エネルギーを光エネルギーに変換して発光する素子である。発光素子として有機発光ダイオード素子を備える発光型表示装置（以下「ＯＬＥＤディスプレイ」という。）は、液晶表示装置に代表される非発光型の表示装置とは異なり、自発光型であるためバックライトなどの補助光源が不要なことから薄型、軽量である。さらにＯＬＥＤディスプレイは視野角が広く、表示の応答速度が早いといった特徴を有する。
【０００３】
有機発光ダイオード素子７０としては、図１６に例示するような透明基板６上に形成した陽極として機能する透明電極２００と、陰極として機能する光反射性の金属からなる反射電極３００と、これらの電極間に陰極側から電子輸送層１０１、発光層１０２、ホール輸送層１０３を順次積層した三層構造の有機膜１００とからなる素子が知られている。有機発光ダイオード素子７０を構成するこれらの膜の厚さは、一般に数十から数百ｎｍと光の波長程度、あるいはそれ以下であり、反射電極は鏡面となっているので、発光層から放射する光は干渉の影響を受ける。有機発光ダイオード素子７０では、この干渉効果のために実際に観察者１０００に向かう光２０００は、視野角により発光スペクトルが変化して、色が変わるという課題がある。これと同様な課題は無機のエレクトロルミネッセンス素子でも生じる。
【０００４】
この課題に対して、発光素子に光を散乱する構造を設けるものが、次の特許文献１，２に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３２９７４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２７０３６５号公報
これらの文献には、素子から放出される光が光散乱体により散乱され、様々な進行方向及び位相差の光が混合されるため、干渉が原因で生じる視野角に対する色の変化が大幅に低減すると記載されている。
【０００６】
【特許文献３】特開平４−３２８２９５号公報
また、特許文献３には、電子輸送層の膜厚を膜厚輝度減衰特性の２次極大値を含みかつその振幅がその収束輝度値を越える輝度を生ずる膜厚とすることで、光の干渉が原因で生じる視野角に対する色の変化を低減する素子が開示されている。これは、発光層から放射する光のうち、直接観察者側へ向かう光と、背面の電極で反射したのち観察者側へ向かう光との位相差により生じる干渉に着目し、電子輸送層の膜厚輝度減衰特性をもとに条件を設定するものである。
【０００７】
【特許文献４】特開平７−２４０２７７号公報
また、特許文献４には、干渉効果を利用するものとして、透明電極と基板の界面又は透明電極と高屈折性下地膜との界面又は透明電極と低屈折性下地膜との界面を反射性と取扱い、陰極から陽極までの光学膜厚を制御することで発光光の色純度を高める有機発光ダイオード素子が開示されている。
【０００８】
一般に、ＯＬＥＤディスプレイの駆動タイプは、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」ともいう。）などのスイッチング素子を備えるアクティブマトリクス駆動型と、有機発光ダイオード素子を構成する電極をそれぞれ走査線とデータ線に直結して駆動する単純マトリクス駆動型が考えられる。
【０００９】
アクティブマトリクス駆動型ＯＬＥＤディスプレイの典型的な画素駆動回路はスイッチトランジスタとドライバトランジスタの２つのＴＦＴと蓄積容量で構成され、この画素駆動回路により有機発光ダイオード素子の発光が制御される。画素はデータ信号（又は「画像信号」ともいう。）が供給されるｎ本のデータ線と、走査信号が供給されるｍ本の走査線（以下「ゲート線」ともいう。）をｍ行×ｎ列のマトリクスに配列した各交差部に配置される。
【００１０】
画素の駆動は、最初（一行目）のゲート線からターンオン電圧を順次供給し、１フレーム期間内にｍ行のゲート線に対して順次走査信号を供給する。この駆動方法では、あるゲート線にターンオン電圧が供給されている間はそのデータ線に接続されたスイッチトランジスタは全て導通状態となり、それに同期してｎ列のデータ線にデータ電圧が供給される。これはアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置で一般的に用いられているものである。
【００１１】
データ電圧はゲート線にターンオン電圧が供給されている間に蓄積容量に蓄えられ、１フレーム期間はほぼ保持される。蓄積容量の電圧値はドライバトランジスタのゲート電圧を規定し、これによりドライバトランジスタを流れる電流値が制御され有機発光ダイオード素子の発光が制御される。つまり、アクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイでは１フレーム期間にわたり所定の発光を行うことができる。
【００１２】
これに対して、単純マトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイではある走査線が選択されている期間にのみ有機発光ダイオード素子に電流が流れ発光する。このため、単純マトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイでアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイのように１フレーム期間にわたって発光する場合と同じ輝度を得るためには、略走査線数倍の発光輝度が必要となる。これを実現するには有機発光ダイオード素子を駆動する電圧や電流を大きくしなければならず、発熱などによるエネルギーの損失により電力効率が低下する。
【００１３】
このようにアクティブマトリクス駆動型は単純マトリクス駆動型に比べて消費電力の低減といった観点から優位である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイを実現する場合にはＴＦＴなどのスイッチング素子が必要となる。スイッチング素子は有機発光ダイオード素子を電流駆動する必要があることから、移動度の高さや閾値電圧シフトなどによる性能劣化を考慮するとポリシリコンＴＦＴの適用が好ましい。
【００１５】
図１７はスイッチング素子１０として低温ポリシリコンＴＦＴを備える従来のＯＬＥＤディスプレイの１画素付近の模式的断面図である。低温ポリシリコンＴＦＴを石英ガラス基板のような高価な基板ではなく、より安価なガラス基板からなる透明基板６の上に形成する場合、ＮａやＫなどのイオンの混入によるＴＦＴの閾値電圧変動といった問題を防ぐために、透明基板６の上にＳｉＮからなるイオンをブロックするための第１の下地膜１１と、ＳｉＯからなる第２の下地膜１２が積層される。さらに、ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜１６や、その他の層間絶縁膜１８、２０が透明基板６上に積層される。
【００１６】
このように、アクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイでは発光層を含む有機膜１００、透明電極２００、反射電極３００から構成される有機発光ダイオード素子７０と透明基板６との間に複数の屈折率の異なる膜が存在することになる。これらの膜の厚さは一般に数十ｎｍ〜数百ｎｍであるため発光層から放射し、観察者１０００に向かう光２０００に干渉の影響を与える。
【００１７】
図１８は、従来のアクティブマトリクス駆動型ＯＬＥＤディスプレイの発光スペクトルの測定結果の一例を示すもので、緑色の発光スペクトルの視野角依存性を示す図である。視野角が変わると光の干渉の影響で波長に対する発光強度の比率が変化する。また、図１９は従来のアクティブマトリクス駆動型ＯＬＥＤディスプレイの色度の視野角依存性の測定例を示す図である。この図は赤色、緑色、青色の３原色と白色を表示した場合の視野角０°〜７５°までの色度を１５°間隔でプロットしたものである。このように従来のアクティブマトリクス駆動型ＯＬＥＤディスプレイでは視野角によって許容し難い色の変化が生じる。
【００１８】
これに対して、視野角による色の変化を抑制するものとしては、発光素子に光を散乱する手段を設けることが従来から提案されている。この場合、干渉の影響を十分に抑制できる光散乱層などの散乱手段を設けると、明るい環境下では外部から表示装置に入射する光が散乱手段で散乱反射して黒表示が十分に黒くならず白っぽくなる。このため明るい環境下では十分なコントラスト比が得られないという別の課題を生じる。
【００１９】
図２０は、従来のアクティブマトリクス駆動型ＯＬＥＤディスプレイの緑色画素における干渉強度の視野角依存性を試算した結果を示す図である。このように、従来のアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイでは、下地膜や層間絶縁膜の界面での反射に起因して干渉強度の極大値や極小値が可視波長域に幾つも存在し、極大値となる波長と極小値となる波長の間隔が短波長側で数十ｎｍ程度と狭くなる。また、干渉強度の極大値や極小値は視野角の増大に伴い短波長側に７０〜１４０ｎｍ程度は移動する。
【００２０】
このため、従来技術で着目している電子輸送層の膜厚、あるいは陰極（反射電極）から陽極（透明電極）までの光学膜厚を制御することで所望の波長の強度が光の干渉により増強される条件を採用しても、図２０に示すように、視野角０°において所望の波長よりも長波長側に存在する干渉強度の極大値や極小値が視野角が０°から３０°，４５°，６０°と大きくなるにつれて発光波長領域に移動して出現するため、観察者に観察される発光スペクトルが変化して色が変わってしまう。
【００２１】
本発明の課題は、有機発光ダイオード素子など、光の干渉の影響を受ける発光素子を有する発光型表示装置において、視野角による色の変化が小さい表示を実現する発光型表示装置を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
アクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイの視野角による色の変化は、従来の技術で考慮している電子輸送層の膜厚、あるいは陰極から陽極までの光学膜厚だけでは制御することができず、下地膜や層間絶縁膜の界面での反射に起因する干渉を考慮する必要があることが判明した。また、従来の技術では、干渉の条件を設定する際に発光波長領域のみに着目していたが、これでは不十分であることがわかった。つまり、視野角０°の条件において、発光波長よりも長い波長側の干渉強度の状態が視野角による色変化に対して重要であることを見出した。
【００２３】
これらに基づいた解決手段を、請求項１ないし１６に対応して説明すると、次の〔１〕ないし〔１６〕のとおりである。
【００２４】
〔１〕マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置であって、視野角０°において前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度（以下「干渉強度」ともいう。）が極大値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度（以下「発光強度」ともいう。）が最大となる波長よりも短い波長であること特徴とする。
【００２５】
〔２〕〔１〕の特徴について別の表現を用いると、マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、発光強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことを特徴とする。
【００２６】
〔３〕あるいは、マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置であって、視野角０°において前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉強度が極小値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長よりも長い波長であって可視波長領域に存在しないことを特徴とする。
【００２７】
上記〔１〕ないし〔３〕の特徴によると、視野角が大きくなると干渉強度が極大値や極小値となる波長が短い波長側に移動するが、視野角が大きくなっても発光波長領域に干渉強度の極大値や極小値が移動してくることがないので干渉強度の視野角依存性が発光波長に対する発光強度の比率（以下、発光スペクトルの形状ともいう。）に与える影響が小さくなり、視野角による色の変化が抑制される。
【００２８】
〔４〕さらに望ましくは、マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことを特徴とする。
【００２９】
この場合、干渉により発光強度が強められるため、視野角による色の変化が抑制されると同時により明るい表示装置が実現できる。
【００３０】
〔５〕さらに望ましくは、マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉強度が視野角０°において極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする。
【００３１】
これにより、視野角が大きくなっても干渉強度の極小値が発光強度が最大となる波長に到達して発光スペクトルの形状を大きく変化させることがないため視野角による色の変化が抑制される。
【００３２】
〔６〕マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置であって、前記発光素子を構成する発光層から放射する光が白色、あるいは発光強度に複数の極大値が存在し、視野角０°において前記発光層から放射する光に対する干渉の強度が極大値となる波長が、可視波長域において前記発光層から放射する光の強度が極大値となる波長よりも短く、さらに前記干渉の強度が極小値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度が極大値となる波長よりも長い波長であって可視波長領域に存在しないことを特徴とする。
【００３３】
この場合、上記〔１〕ないし〔３〕と同様に、干渉強度の極大値や極小値は視野角が増加すると短い波長側に移動するが、視野角が大きくなっても発光波長領域に干渉強度の極大値や極小値が移動してくることがないので、発光スペクトルの形状はほとんど変化しないため視野角が変化しても色の変化は小さく抑えられる。
【００３４】
〔７〕マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有するカラー表示装置であって、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となるを波長λｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘ、又はλｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする。
【００３５】
〔８〕さらに上記〔７〕において、前記発光素子が有機発光ダイオード素子であり、前記有機発光ダイオード素子を構成する有機膜の膜厚を赤色画素ではＲＴ、緑色画素ではＧＴ、青色画素ではＢＴとした場合、ＲＴ≧ＧＴ≧ＢＴであることを特徴とする。
【００３６】
この場合は、干渉強度が極大値となる波長はホール輸送層や電子輸送層などの有機膜が厚くなると長波長側へ移動することに基いており、上記膜厚条件を満足することで、視野角による色変化を抑制した状態で、各色に対する干渉強度を大きくし、発光効率を高めることができる。
【００３７】
〔９〕また、上記干渉強度の条件を満たすために、前記表示装置が発光素子の点滅を制御するスイッチング素子が形成された透明基板側から光を取り出すアクティブマトリクス駆動型の表示装置であり、少なくとも前記画素の発光領域では、前記スイッチング素子を構成する複数の絶縁膜のうち少なくとも１層が選択的に除去されていることを特徴とする。
【００３８】
〔１０〕特に、前記選択的に除去される膜は、前記透明基板、あるいは前記発光素子を構成する透明電極との屈折率差が０．４以上であることを特徴とする。
【００３９】
この場合、反射面の数や全体の膜厚が減ることで干渉強度が極値（極大値や極小値）となる波長の間隔が長くなり上記干渉強度の条件が実現できるようになるので、視野角による色変化を小さくできる。
【００４０】
〔１１〕前記スイッチング素子が低温ポリシリコンＴＦＴで構成されており、上記干渉強度の条件を満たすために、画素の発光領域では前記スイッチング素子と前記透明基板の間に形成される下地膜と、前記スイッチング素子を構成する複数の絶縁膜が全て除去されていることを特徴とする。
【００４１】
〔１２〕さらに前記スイッチング素子は全方位に渡ってイオンブロック性の膜で囲まれていることを特徴とする。
【００４２】
この〔１１〕〔１２〕場合、上記干渉強度の条件を満たすために発光領域の下地膜を除去すると、そこに透明基板からのＮａやＫといったイオンの混入経路ができてしまうが、スイッチング素子を全方位にわたりイオンブロック性の膜で囲むことでイオンの混入による低温ポリシリコンＴＦＴの閾値電圧変動を防ぐことができる。
【００４３】
〔１３〕マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置であって、前記表示装置から観察者側へ取り出される光の強度が視野角０°において最大となることを特徴とする。
【００４４】
〔１４〕さらに、前記表示装置から観察者側へ取り出される光の強度が最大となる波長の変化量は視野角が０°から６０°まで変化しても１０ｎｍ以下であることを特徴とする。
これらは、上記干渉強度の条件を満たす表示装置において得られる発光スペクトルの特徴を表している。従って〔１３〕ないし〔１４〕の特徴を満たすことで視野角の変化による色の変化が小さい表示装置が実現できる。
【００４５】
〔１５〕マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置であって、前記表示装置は前記発光素子が形成される基板とは反対側から光を取り出す表示装置であり、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘ、及びλｉｍｉｎ≧λｅｍａｘ＋７０ｎｍの関係を満たすことを特徴とする。
【００４６】
〔１６〕〔１５〕において、前記発光素子は光取り出し側に光透過性の電極を有し、該電極の光取り出し側の面上には屈折率が１．４〜２．０の透明体を備えることを特徴とする。
【００４７】
上記〔１５〕は発光素子が形成される基板とは反対側から光を取り出す、いわゆるトップエミション型の表示装置に関するものでる。この場合も視野角が大きくなると干渉強度が極大値や極小値となる波長は短い波長側に移動するが、視野角が大きくなっても発光層から放射する光の強度が最大となる波長に干渉強度の極大値や極小値が移動してくることがない。このため干渉強度の視野角依存性が発光スペクトルの形状に与える影響が小さくなり、視野角の変化による色の変化が抑制される。
【００４８】
また、〔１６〕はトップエミション型の発光型表示装置において、発光素子の光取り出し側に形成する光透過性の電極、すなわち透明電極の光取り出し側に屈折率が気体よりも高い透明体を備えることで、透明電極の光取り出し側の界面での反射を低減するものである。この場合、干渉の強度が弱まり、干渉強度の極大値と極小値の差が小さくなるので、視野角による干渉強度の大きさの変化が小さくなり、視野角による色の変化が小さくなる。
【００４９】
なお、本発明は上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明で示す干渉強度の条件を規定するという技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００５０】
【発明の実施の形態】
各画素を構成する発光層を含む有機膜は、その材料に依存した色（白色を含む）で発光させてモノカラー表示、あるいはフルカラー表示を実現するものと、白色発光の有機膜に、赤、緑、青などのカラーフィルターを組み合わせてカラー表示を行うものがある。
【００５１】
図１は本発明による表示装置の実施例の構成を説明する１画素付近の模式断面図である。また、図２は本発明による表示装置の画素部の構造を示す一部平面図である。この表示装置は、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子および有機発光ダイオード素子を有するアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイである。図３は表示装置１の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図であり、図４はその表示部２を構成するアクティブマトリクスの等価回路図である。
【００５２】
図３（Ａ）に示すように，表示装置１は，ガラスなどの透明な絶縁性の基板からなる透明基板６のほぼ中央部に表示部２が設けられる。表示部２の上側には，データ線７に対して画像信号を出力するデータ駆動回路３，左側にはゲート線８に対して走査信号を出力する走査駆動回路４が設置されている。これらの駆動回路３、４はＮチャネル型とＰチャネル型のＴＦＴ（ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）による相補型回路から構成されるシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイッチ回路などから構成される。また、共通電位配線９がデータ線７と同じ方向に延在して配置される。なお、表示装置１は、図３（Ｂ）に示すように脚５で支持され、テレビ映像、コンピュータ画像などのモニター装置として利用でき、また、テレビチューナを内蔵させて、単独としてテレビ受像機としても利用できる。
【００５３】
表示装置１では，アクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置と同様、透明基板６上に複数のゲート線と、該ゲート線の延在方向に対して交差する方向に延在させた複数のデータ線が設けられており、図４に示すごとくｍ本のゲート線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍとｎ本のデータ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎとの交差するところにマトリクス状に画素６０が配置される。各画素は発光素子７０と、蓄積容量４０と、ゲート電極がゲート線に接続し、ソース・ドレイン電極の一方がデータ線に接続され、他方が蓄積容量４０に接続されているＮチャネル型のＴＦＴからなるスイッチトランジスタ３０と、ゲート電極が該蓄積容量４０に接続し、ソース電極が上記データ線と同じ方向に延在する共通電位配線９に接続され、ドレイン電極が発光素子７０を構成する有機発光ダイオード素子の一方の電極（陽極）に接続されているＰチャネル型のＴＦＴからなるドライバトランジスタ１０とから構成される。また、発光素子７０を構成する有機発光ダイオード素子の他方の電極（陰極）は，全画素共通の電流供給線に接続されて一定の電位Ｖａに保たれる。
【００５４】
画素６０の駆動は１行目のゲート線Ｇ１からターンオン電圧を順次供給し、１フレーム期間内にｍ行のゲート線に対して順次この電圧（走査信号）を供給する。走査信号によってスイッチトランジスタ３０がオン状態になるとデータ線から画像信号がスイッチトランジスタ３０を介して蓄積容量４０に書き込まれる。つまり、この駆動方法では、あるゲート線にターンオン電圧が供給されている間はそのデータ線に接続されたスイッチトランジスタは全て導通状態となり、それに同期してｎ列のデータ線にデータ電圧が供給される。
【００５５】
データ電圧はゲート線にターンオン電圧が供給されている間に蓄積容量に蓄えられ、ドライバトランジスタ１０のゲート電極は，スイッチトランジスタ３０がオフ状態になっても、蓄積容量４０により画像信号に相当する電位に１フレーム期間はほぼ保持される。蓄積容量の電圧値はドライバトランジスタ１０のゲート電圧を規定し、これによりドライバトランジスタ１０を流れる電流値が制御され有機発光ダイオード素子７０の発光が制御される。発光の停止は，ドライバトランジスタ１０をオフ状態とすることで実現する。
【００５６】
つまり、発光量を制御すべき画素６０に対応したゲート線８にターンオン電圧が印加されるのに同期して、画像情報に対応した電圧をデータ線７を介して印加することで画素６０の発光量を制御することができる。したがって、表示部２を構成する複数の画素の発光量を画像情報に応じて制御することで所望の画像を表示することができる。なお、発光素子７０の陰極及び陽極の両端に電圧が印加されてから発光が始まるまでの応答時間は通常１μｓ以下であるため，動きの速い画像にも追随できる画像表示を実現できる。
【００５７】
ここで、例えば、フルカラー表示を行う表示装置を実現しようとする場合には発光素子７０は赤色、緑色、青色のいずれかの光を発するものが所定の順序でマトリクス状に配置される。つまり、有機発光ダイオードの発光波長を画素毎に赤色、緑色、青色の３原色に対応したものとする。
【００５８】
次に図１及び図２を参照しながら表示装置１の１画素付近の構造を説明する。図２は表示装置１の画素部の平面構造を説明するための一部模式平面図であり、図１は図２上のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す１画素付近の模式断面図である。
【００５９】
この表示装置ではガラスなどの絶縁性の透明基板６の上に薄膜トランジスタからなるスイッチング素子１０，３０を備える。画素回路を構成するドライバトランジスタ１０やスイッチトランジスタ３０などのスイッチング素子はポリシリコン薄膜トランジスタから構成される。
【００６０】
ポリシリコン薄膜トランジスタはソース・ドレイン領域１３，１７やチャネルポリシリコン層１４などを含むポリシリコン層の上にゲート絶縁膜１６、ゲート線層１５、第１の層間絶縁膜１８、ソース・ドレイン電極層１９、第２の層間絶縁膜２０を有する。
【００６１】
また、ポリシリコン薄膜トランジスタと透明基板６との間には透明基板６からポリシリコン層１４及びゲート絶縁膜１６へのＮａやＫなどのイオンの混入をブロックするためにＳｉＮｘ膜などからなる第１の下地膜１１を有し、さらに第１の下地膜１１とポリシリコン層の間にはＳｉＯｘ膜などからなる第２の下地膜１２を有する。
【００６２】
本実施例の表示装置では後述の理由から第１及び第２の下地膜１１，１２と、ゲート絶縁膜１６と、第１及び第２の絶縁膜１８，２０とが、画素の発光領域６１に相当する部分では選択的に取り除くか、あるいは形成しないようにして開口部を形成する。
【００６３】
有機発光ダイオード素子７０において陽極として機能する透明電極２００は、画素の発光領域６１となる部分を覆うように島状に形成される。この際、透明電極２００は第２の層間絶縁膜２０を貫通する穴を通してドレイン電極１９と接続され、発光領域６１では透明基板６上に絶縁膜を介することなく形成される。
【００６４】
図２で示すように、スイッチングトランジスタ３０、ドライバトランジスタ１０、データ線７、ゲート線８、共通電位配線９などの非発光領域と、透明電極２００上の非発光領域の上には画素の発光領域６１に対応した開口を有する図１で示す第３の層間絶縁膜２１が形成される。発光層を含む有機膜１００は透明電極２００上に画素を覆うように形成されるが、発光領域６１以外の領域では第３の層間絶縁膜２１によって透明電極２００とは隔離される。有機膜１００の上には表示部２の全面にわたり有機発光ダイオード素子７０において陰極として機能する反射電極３００が形成される。
【００６５】
なお、本実施例は有機発光ダイオード素子７０の発光層から放射し、観察者１０００に向かう光２０００が有機発光ダイオード素子７０が形成された透明基板６側から取り出される、いわゆるボトムエミッション型のＯＬＥＤディスプレイである。有機発光ダイオード素子７０の有機膜１００は陽極（透明電極２００）と陰極（反射電極３００）との間に陰極（反射電極３００）側から順に電子輸送層、発光層、ホール輸送層を積層配置したものを用いることができる。
【００６６】
このような有機発光ダイオード素子は陽極である透明電極２００と陰極である反射電極３００とに直流電圧を印加すると、透明電極２００から注入されたホールがホール輸送層を経由して、また、反射電極３００から注入された電子が電子輸送層を経由して、それぞれ発光層に到達し、電子−ホールの再結合が生じてここから所定の波長の発光が生じるものである。
【００６７】
なお、有機発光ダイオード素子７０の有機膜１００では発光層と電子輸送層を兼用できる材料を用いても良い。また、陽極（透明電極２００）とホール輸送層の間に陽極バッファ層、あるいはをホール注入層を配置したものを用いてもよい。
【００６８】
陽極（透明電極２００）には仕事関数の高い透明な電極材料を用いればよく、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が好適である。また、ＩｎＺｎＯを用いることもできる。
【００６９】
陰極である反射電極３００には仕事関数の低いＡｌ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金やＡｌ−Ｌｉ合金などを用いることができる。Ａｌ単体では駆動電圧が高く、寿命が短いことから有機膜１００との間に極薄いＬｉ化合物（酸化リチウムＬｉ_２Ｏ，フッ化リチウムＬｉＦなど）を挿入してＡｌ−Ｌｉ合金に匹敵する特性を得るようにしたものを用いても良い。また、陰極に接する部分の有機膜をリチウムやストリンチウムなどの反応性の高い金属でドーピングして駆動電圧を低くするようにしても良い。
【００７０】
なお、反射電極３００は光の反射率が高い材料から構成されることが、発光層から放射した光の利用効率向上の面から望ましい。有機膜１００は陽極（透明電極２００）と陰極（反射電極３００）との間に所定の電圧を印加し、電流を流すことで所望の色で発光する材料を用いる。
【００７１】
赤色発光用の材料としては、例えば、ホール輸送層はα−ＮＰＤ（ Ｎ、Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン）、又は、トリフェニルジアミン誘導体ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）などを用い、電子輸送性発光層（電子輸送層と発光層を兼用）としては、 例えば、Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノレート）アルミニウム）にＤＣＭ−１（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランを分散したものを用いることができる。
【００７２】
緑色発光用の材料としては、例えば、ホール輸送層はα−ＮＰＤ、又は、トリフェニルジアミン誘導体ＴＰＤなどを用い、電子輸送性発光層（電子輸送層と発光層を兼用）としては、例えば、Ａｌｑ３、Ｂｅｂｑ、又は、キナクリドンでドーピングした Ａｌｑ３などを用いることができる。
【００７３】
青色発光用の材料としては、例えば、ホール輸送層はα−ＮＰＤ、又は、トリフェニルジアミン誘導体ＴＰＤなどを用い、発光層としては、例えば、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）、これとＢＣｚＶＢｉ （４，４’−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル）からなる材料、あるいは、ジスチリルアリレーン誘導体をホストとし、ジスチリルアミン誘導体をゲストとしてドーピングしたものなどを用い、電子輸送層としては、例えば、Ａｌｑ３などを用いることができる。また、電子輸送性発光層（電子輸送層と発光層を兼用）としては、例えば、Ｚｎ（ｏｘｚ）２（２−（ｏ−ヒドロキシフェニル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）などを用いることができる。
【００７４】
さらに、上記低分子系の材料の他にポリマー系の材料を用いることができる。ポリマー系の材料としてはＰＥＤＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅとＰｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅ ｓｕｌｐｈｏｎａｔｅの混合層）とＰＰＶ （ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎ）の積層膜をホール輸送層、発光層として用いることができる。また、緑色の発光はＰＰＶに緑インクを調合したもの、赤色の発光は緑インクに赤発光ドーパントとしてローダミン１０１を添加調合したもので実現でき、青色の発光層としてはＦ８（Ｐｏｌｙ（ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ））を用いることができる。なお、Ｆ８は電子輸送層としても機能する。また、ポリマー系の材料としてはこの他にＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）のような色素含有ポリマーを用いることができる。
【００７５】
いずれの材料であっても有機膜１００を構成する各層は数十ｎｍ程度と薄く、光の波長よりも小さくなるのが一般的である。なお、本発明は上記材料に限定されるものではない。つまり、所望の色をより高い効率で発光し、より長い寿命を実現できる材料があればそれを用いればよい。
【００７６】
図５、図６、図７は本発明による表示装置の製造工程の一例の説明図であり、１画素付近の断面を工程順に説明する模式図である。本実施例はいわゆるトップゲート構造の薄膜トランジスタを用いたものであるが、本発明はいわゆるボトムゲート構造の薄膜トランジスタを除外するものではない。以下、本工程の概略を順に説明する。
【００７７】
図５（Ａ）は透明基板６上に第１及び第２の下地膜１１，１２と、ソース・ドレイン領域１３，１７やチャネルポリシリコン層１４などからなる島状のポリシリコン層と、ゲート絶縁膜１６と、ゲート電極１５が形成された後、第１の層間絶縁膜１８が積層された状態の模式断面図である。
【００７８】
第１の下地膜１１はＳｉＮｘで構成される。この膜は透明基板６からのＮａやＫのイオンをブロックする機能を有するといわれている。第１の下地膜１１の上には第２の下地膜１２としてＳｉＯｘが積層され、その上にチャネルポリシリコン層１４とソース・ドレイン領域１３，１７などを形成するための元になる島状のポリシリコン層が形成される。ポリシリコン層は第２の下地膜１２上に形成するアモルファスシリコン層を島状に加工し、レーザーアニールにより結晶化することで得られる。ポリシリコン層の上にはＳｉＯｘからなるゲート絶縁膜１６が積層され、さらにその上にチタン（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）などの導電性薄膜からなるゲート電極１５が形成される。この後、ゲート電極１５をマスクとして適切なリンイオンドーピング処理を施すことで、ポリシリコン層にソース・ドレイン領域１３，１７などを形成し、第１の層間絶縁膜１８を形成する。
【００７９】
次に図５（Ｂ）に示すように、ソース・ドレイン領域１３，１７に対応する部分に第１の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールを形成する。このとき、後に画素の発光領域６１となる部分と、ドレイン電極１３が透明電極と接続される領域については、第１の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１６と一緒に第２の下地膜１２も除去して開口部を形成する。第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２は全てＳｉＯｘから構成している。このためいわゆるフォトリソグラフィー技術を用いることでマスク数や工程数を増やすことなく第１の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールと、第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２の発光領域に相当する領域の開口部を同時に形成できる。
【００８０】
次に図５（Ｃ）に示すように、ソース・ドレイン電極層１９を形成する。ソース又はドレイン電極層１９は第１の層間絶縁膜１８及びゲート絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域１３，１７と接続される。なお、後に発光素子を形成する透明電極とドレイン電極１３との接続は、ソース・ドレイン電極層１９が第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２の段差を乗り越えて一部が第１の下地膜１１の上にも形成され、そこで透明電極と接続することで実現される。これは後に形成する透明電極が光学上の理由から薄くする必要がある場合には、第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２からなる大きな段差を乗り越える際に断線などの不良が発生しやすくなるため、これらの段差をソース・ドレイン電極層１９により乗り越えることで、不良を防止するためである。なお、ソース・ドレイン電極層１９としてはアルミニウム膜の上下をチタン（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）などでサンドイッチした三層積層構造の膜を用いるとよい。
【００８１】
次に図６（Ａ）に示すように、ソース・ドレイン電極層１９を覆って第２の層間絶縁膜２０をＳｉＮｘで形成する。
【００８２】
次に図６（Ｂ）に示すように、ソース・ドレイン電極層１９の第１の下地膜１１上に形成された部分に対応する位置に第２の層間絶縁膜２０を貫通するコンタクトホールを形成する。このとき、後に画素の発光領域６１となる部分については第２の層間絶縁膜２０といっしょに第１の下地膜１１も除去して開口部を形成する。第２の層間絶縁膜２０及び第１の下地膜１１はともにＳｉＮｘから構成している。このためフォトリソグラフィー技術を用いることでマスク数や工程数を増やすことなく第２の層間絶縁膜２０を貫通するコンタクトホールと、第２の層間絶縁膜２０及び第１の下地膜１１の発光領域に相当する領域の開口部を同時に形成できる。
【００８３】
次に図６（Ｃ）に示すように、ＩＴＯからなる透明電極２００をスパッタリングなどにより成膜し、フォトリソグラフィ技術により島状に加工する。この際、透明電極２００は第２の層間絶縁膜２０に形成したコンタクトホールを介してドレイン電極層１９と接続する。
【００８４】
次に図７（Ａ）に示すように、発光領域６１に相当する領域に開口を有する第３の層間絶縁層２１を形成する。第３の層間絶縁膜２１はＳｉＮｘなどの無機材料、あるいは感光性のポリイミドやアクリル系樹脂などの有機材料、あるいはこれらの積層膜であってもよい。
【００８５】
次に図７（Ｂ）に示すように、発光層等などからなる有機膜１００を画素の発光領域６１を覆うように形成する。有機膜１００は上記有機材料を用いることができる。有機膜１００の塗りわけは有機膜１００が低分子系の場合は、例えば、下記非特許文献１に掲載されている公知のシャドーマスクによる真空蒸着有機膜のパターニング成膜技術を用いることができる。
【００８６】
【非特許文献１】
Ｓ．Ｍｉｙａｇｕｃｈｉ，ｅｔ ａｌ．：”Ｏｒｇａｎｉｃ ＬＥＤ Ｆｕｌｌｃｏｌｏｒ Ｐａｓｓｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ Ｄｉｓｐｌａｙ”，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，７，３，ｐｐ２２１−２２６（１９９９）
【００８７】
また、有機膜１００をポリマー系の材料で構成する場合は、例えば、下記非特許文献２に掲載されている公知のインクジェットパターニング技術を用いることができる。この工程の際、第３の層間絶縁膜２１は画素の発光領域を分離する土手として機能する。
【００８８】
【非特許文献２】
Ｔ．Ｓｈｉｍｏｄａ，ｅｔ ａｌ．：”Ｍｕｌｔｉｃｏｌｏｒ Ｐｉｘｅｌ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ ｏｆ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ Ｉｎｋ−Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ”，ＳＩＤ ９９ ＤＩＧＥＳＴ，３７６（１９９９）
【００８９】
次に図７（Ｃ）に示すように、有機膜１００の上には対向電極として陰極として機能する反射電極３００を全面的に形成する。反射電極３００は図示しない電流供給線と接続される。
【００９０】
なお、通常、有機膜１００は大気中の水分などにより劣化すやすい。このため以上の工程後、外気と触れないように図１に示すように封止手段４００を用いて密閉封止することが望ましい。封止手段４００としてはとしてはステンレスなどの金属缶、セラミックス板、ガラス板や、ガスバリヤー処理を施した樹脂フィルム、薄いガラス板と樹脂フィルムを積層したものなどを用いることができる。この場合、封止手段４００と基板６とは表示装置の表示部の周囲に枠状に塗布した接着性のあるシール剤により密閉接着し、両者の間隙４０１には窒素ガスなどの不活性な気体を封入するとよい。また、必要に応じて吸湿剤を封止手段と基板６の間に備えるとよい。あるいは、反射電極３００上に直接、ガスバリア性の高い膜を積層することで封止手段を構成してもよい。
【００９１】
次に本発明の根幹である発光層から放射する光に対する干渉強度（以下、単に「干渉強度」ともいう。）の条件について説明する。本発明ではマトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する表示装置において、少なくとも画素の発光領域における膜の構成を、発光層から放射する光に対する干渉強度（以下、単に「干渉強度」ともいう。）が視野角０°において極大値となる波長が、発光層から放射する光の強度（以下「発光強度」ともいう。）が最大となる波長よりも短い波長となるように設定する。つまり、干渉強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、発光強度が最大となるを波長λｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たす膜構成とする。この際、干渉強度が視野角０°において極小値となる波長は、発光強度が最大となる波長よりも長波長側の可視波長領域には存在しないことが望ましい。
【００９２】
上記条件とすることで視野角が大きくなり干渉強度が極値（極大値や極小値）となる波長が短波長側に移動しても、干渉強度の極大値は発光波長領域から遠ざかり、干渉強度の極小値は発光強度が最大になる波長には至らない。このため干渉の効果により発光強度の絶対値は小さくなるものの、発光波長に対する発光強度の比率（発光スペクトルの形状）の変化は小さいため視野角による色の変化が抑制される。
【００９３】
つまり、視野角による色の変化は発光強度が最大となる波長を、干渉強度が極大値あるいは極小値となる波長が通過する場合に大きくなるので、干渉強度が極大値あるいは極小値となる波長は視野角が変わっても発光強度が最大となる波長にならないことが重要である。
【００９４】
なお、視野角の変化による干渉強度が極値となる波長の移動は波長が長いほど大きく、青色では７０ｎｍ程度の移動し、赤色では１４０ｎｍ程度移動する。このため、干渉強度が視野角０°において極小値となる波長をλｉｍｉｎとすると、青色発光の画素であればλｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たし、赤色発光の画素であればλｅｍａｘ＋１４０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たせば、視野角が大きくなり干渉強度が極小値となる波長が短波長側に移動しても、干渉強度の極小値は発光強度が最大になる波長には至らないので、発光スペクトルの形状の変化は小さくなり視野角による色の変化が抑制される。
【００９５】
また、本発明の表示装置では干渉強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、発光強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合にλｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことが望ましい。
【００９６】
これは、干渉強度が最大値となる波長λｉｍａｘが、発光強度が最大となる波長λｅｍａｘから５０ｎｍ以上短波長側にずれると条件によっては実際に観察者に観察される発光強度が半分程度と著しく低下するためである。
【００９７】
したがって、上記条件を満たすことで視野角０°近傍では干渉により発光強度が強められるため、視野角による色の変化が抑制されると同時に、より明るい表示装置が実現できる。
【００９８】
図８は上記条件を満足する本実施例の視野角０°における干渉強度の波長依存性と発光強度が最大となる波長との関係を示す図である。図示のとおり、本発明では青色を発光する画素では、少なくとも発光領域における膜の構成を干渉強度が極大値となる波長が青色の発光層から放射する光の強度（以下「発光強度」ともいう。）が最大となる波長よりも短波長となるように設定する。緑色を発光する画素に対しても同じく、少なくとも発光領域における膜の構成を干渉強度が極大値となる波長が、緑色の発光強度が最大となる波長よりも短波長となるように設定する。同じく赤色を発光する画素に対しても、少なくとも発光領域における膜の構成を干渉強度が極大値となる波長が、赤色の発光強度が最大となる波長よりも短波長となるように設定する。
【００９９】
さらに干渉強度が視野角０°において極小値となる波長が発光強度が最大となる波長よりも長波長側の可視波長領域に存在せず、各色の画素の発光領域ではそれぞれλｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘを満足する。
【０１００】
具体的には青色の画素においては発光強度が最大と成る波長が４５０ｎｍであるのに対し、干渉強度が極大値となる波長は４４５ｎｍとなるように膜厚を設定する。また、緑色の画素においては発光強度が最大と成る波長が５２５ｎｍであるのに対し、干渉強度が極大値となる波長は５１５ｎｍとなるように膜厚を設定する。さらに、赤色の画素においては発光強度が最大と成る波長が６１５ｎｍであるのに対し、干渉強度が極大値となる波長が６１０ｎｍとなるように膜厚を設定する。
【０１０１】
これらの干渉条件を実現する青色画素の設計膜厚は、発光領域６１において透明電極２００の膜厚が８０ｎｍ、有機膜１００の膜厚が８５ｎｍである。このうち有機膜１００の膜厚の内訳はホール注入層及びホール輸送層の合計膜厚が４０ｎｍ、発光層の膜厚が２５ｎｍ、電子輸送層の膜厚が２０ｎｍである。
【０１０２】
同じく、緑色画素の設計膜厚は、発光領域６１において透明電極２００の膜厚が８０ｎｍ、有機膜１００の膜厚が１１５ｎｍである。このうち有機膜１００の膜厚の内訳はホール注入層及びホール輸送層の合計膜厚が４０ｎｍ、発光層の膜厚が４５ｎｍ、電子輸送層の膜厚が３０ｎｍである。
【０１０３】
同じく、赤色画素の設計膜厚は、発光領域６１において透明電極２００の膜厚が８０ｎｍ、有機膜１００の膜厚が１５５ｎｍである。このうち有機膜１００の膜厚の内訳はホール注入層及びホール輸送層の合計膜厚が４０ｎｍ、発光層の膜厚が３０ｎｍ、電子輸送層の膜厚が８５ｎｍである。
【０１０４】
なお、本実施例における膜厚条件は有機膜１００を構成するホール輸送層及びホール注入層を発光色毎には変えず４０ｎｍとして、全色共通化することで工程を減らし、スループットを向上させている。
【０１０５】
また、赤色画素の発光領域の有機膜厚ＲＴを１５５ｎｍ、緑色画素の発光領域の有機膜厚ＧＴを１１５ｎｍ、青色画素の発光領域の有機膜厚ＢＴを８５ｎｍとした場合には、ＲＴ≧ＧＴ≧ＢＴの関係を満たしている。これは干渉強度が極大値となる波長はホール輸送層、ホール注入層、あるいは電子輸送層が厚くなると長波長側へ移動することに基いている。つまり、視野角による色変化を抑制した状態で、干渉効果により発光強度をより大きくする場合には、発光波長が長い色ほど有機膜の膜厚を厚くすることが有効となるからである。
【０１０６】
図９は本実施例のＯＬＥＤディスプレイの発光スペクトルを示すもので、緑色の発光スペクトルの視野角依存性を示す図である。図示の通り、本実施例では視野角が増加すると発光強度の絶対値は小さくなるが、波長に対する発光強度の比率、つまり、発光スペクトルの形状の変化は小さい。このため、視野角が増加すると発光強度が低下して暗くはなるが、色の変化は抑制できる。
【０１０７】
つまり、本発明の発光型表示装置では発光層から放射して、観察者側へ取り出される光の強度は視野角０°において最大となり、視野角が増加するにつれて小さくなる。より正確には発光層から放射して、観察者側へ取り出される光の強度が最大となる波長では、視野角０°において光の強度が最大となり、視野角が増加するにつれて小さくなる。さらに、発光型表示装置から観察者側へ取り出される光の強度が最大となる波長の変化量は視野角が０°から６０°まで変化しても１０ｎｍ以下と小さい。
【０１０８】
これは視野角の増加にともなって干渉強度が極大値となる波長が短波長側に移動して、発光強度が最大となる波長から遠ざかるためである。このため、本発明の発光型表示装置では視野角が変化しても発光スペクトルの形状の変化が小さくなるため、色の変化が抑制できる。
【０１０９】
図１０は本実施例のＯＬＥＤディスプレイの色度の視野角依存性を示す図である。この図は赤色、緑色、青色の３原色と、白色を表示する場合の色度を視野角０°から７５°まで１５°間隔でプロットしたものである。
【０１１０】
これに対して、図１９に例示した同じ発光材料を用いる従来のＯＬＥＤディスプレイの色度の視野角依存性と比べると視野角による色度の変化が小さくなっていることがわかる。例えば、白色の色度差Δｘｙの値は従来０．０５程度だったところが、本実施例では０．０１程度と小さくなる。
【０１１１】
なお、上記干渉強度の条件を満たす場合は、本実施例のように、少なくとも画素の発光領域では下地膜や層間絶縁膜を除去することが極めて重要である。従来のアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイのように発光領域に下地膜や層間絶縁膜などが存在すると、これらの膜のうち屈折率が異なる膜の界面では反射が生じ、この反射に起因する干渉により干渉強度が極値（極大値や極小値）となる波長の間隔が短くなる。このため、可視波長領域に複数の干渉強度の極値が現れて本発明に係る干渉強度の条件を満足することができなくなる。この現象は発光ダイオード素子の膜条件を変えることで制御できる範囲を越えてしまうことがある。
【０１１２】
したがって、発光領域の下地膜や層間絶縁膜を除去することで、屈折率が異なる界面を減らし、反射面の数及び全体の膜厚を減らすことが干渉条件を制御するうえで必要となる。つまり、発光領域においては、本実施例のように発光素子の動作にとって不要な膜は除去し、干渉強度が極値となる波長の制御マージンを確保することが重要である。
【０１１３】
なお、発光領域において発光素子の動作に不要な膜を除去する際、スイッチ素子が低温ポリシリコンＴＦＴで構成される場合には、以下の点を留意することが望ましい。
【０１１４】
それは、少なくともスイッチ素子が形成される領域では透明基板からのイオンをブロックするためのイオンブロック膜を形成し、さらに、スイッチ素子は全方位に渡ってイオンブロック性の膜で囲まれていることが望ましい。これは透明基板からのＮａやＫといったイオンが混入することで低温ポリシリコンＴＦＴの閾値が変動してしまうといった問題を防ぐための処置であり、発光領域の下地膜を除去することで形成される新たなイオンの進入経路に対し、イオンが混入することを防ぐためである。
【０１１５】
イオンブロック膜としては緻密な膜が適しており、例えばＳｉＮｘが好適である。図１を参照すると本実施例ではＳｉＮｘからなる第１の下地膜１１と第２の層間絶縁膜２０によりスイッチ素子（図中ではドライバトランジスタ１０）が全方位に渡って囲まれており、イオンの混入が防がれる構造としている。これにより本発明ではイオンの混入によるＴＦＴの閾値電圧の変動を防ぐことができる。
【０１１６】
なお、本実施例では発光領域に相当する領域において下地膜や層間絶縁膜を除去するため、これらの膜応力によって基板が反ったり、マイクロクラックが発生することを防止できる。
【０１１７】
ところで、上記実施例では、赤色、緑色、青色の全ての色の画素の発光領域に対して、本発明で示す干渉強度の条件を適用する場合を述べた。もちろん、視野角の変化による色の変化を抑制するためには全ての色の画素の発光領域に対して、本発明の干渉強度の条件を適用することが望ましい。しかし、本発明はそれぞれ異なる色の光を放射する複数の画素から構成される発光型表示装置において、少なくともひとつの色の画素の発光領域に対してのみ、本発明の干渉強度の条件を適用する場合を除外するものではない。
【０１１８】
また、上記実施例では干渉強度の極大値が可視波長領域にひとつしか存在しない場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、赤色の画素であれば、発光強度が最大となる波長よりも短波長側に複数の干渉強度の極大値が存在しても問題とはならない。
【０１１９】
図１１は視野角０°における赤色発光画素の発光領域における干渉強度の波長依存性と発光強度が最大となる波長との関係を示す図である。図示のとおり、赤色発光画素であれば、可視波長領域に複数の干渉強度の極大値が存在しても、それが発光強度が最大となる波長よりも短波長側になり得るため本発明に係る干渉強度の条件を満たすことができる。
【０１２０】
次に本発明の他の実施例を説明する。図１２は本発明の表示装置の断面構造を示す１画素付近の模式断面図であり、上記実施例と同じ部分には同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。図１に示す上記実施例では透明電極２００が第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２からなる段差を乗り越える際、断線することを避けるため、ソース・ドレイン電極層１９が第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２からなる段差を乗り越える構成としていた。
【０１２１】
これに対し、本実施例では図１２に示すように、透明電極２００が第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６及び第２の下地膜１２からなる段差を乗り越えソース・ドレイン電極層１９を介して、ドレイン電極１３と接続している。この場合は、エッチングの条件を制御することで、第１の層間絶縁膜１８、ゲート絶縁膜１６、第２の下地膜１２、第１の下地膜１１及び第２の層間絶縁膜２０の加工端面がなだらかな斜面となるように加工する。
【０１２２】
本実施例ではソース・ドレイン電極層１９は長く引き出されないので、より広い発光領域６１を確保することができる。この場合もＳｉＮｘからなる第１の下地膜１１と第２の層間絶縁膜２０によりスイッチ素子（図中ではドライバトランジスタ１０）が全方位に渡って囲まれるためイオンの混入が防がれて、イオンの混入によるＴＦＴの閾値の変動を防ぐことができる。
【０１２３】
次に本発明の他の実施例を説明する。図１３は本発明の表示装置の断面構造を示す１画素付近の模式断面図であり、上記実施例と同じ部分には同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。本実施例では第２の下地膜１２、ゲート絶縁膜１６及び第１の層間絶縁膜１８は画素の発光領域６１において除去し、第１の下地膜１１及び第２の層間絶縁膜２０は除去しない。
【０１２４】
上記実施例では上記本発明に係る干渉条件を満足するために、少なくとも画素の発光領域では下地膜や層間絶縁膜を除去していた。しかし、本発明はこの構成に限定されるものではなく、上記本発明に係る干渉条件を満足するのであれば、発光領域において下地膜や層間絶縁膜を全て除去しなければならないわけではない。
【０１２５】
本実施例ではＩＴＯからなる透明電極２００との屈折率差が比較的小さいＳｉＮｘから構成される第１の下地膜１１及び第２の層間絶縁膜は２０は発光領域から除去せず、透明電極２００との屈折率差が大きいＳｉＯｘから構成される第２の下地膜１２、ゲート絶縁膜１６及び第１の層間絶縁膜１８を発光領域に相当する領域から除去した。
【０１２６】
この場合、ＳｉＯｘからなる膜を除去することで屈折率差が大きいのは第１の下地膜１１と透明基板６との界面だけとなり、反射面の数および全体の膜厚が減る。このため干渉強度が極値（極大値や極小値）となる波長の間隔は長くでき、発光素子を構成する膜の膜厚で干渉条件を制御することで視野角による色変化を小さくすることができる。
【０１２７】
なお、本実施例はイオンブロック性の膜であるＳｉＮｘからなる第１の下地膜１１と第２の層間絶縁膜２０は発光領域から除去しないので、スイッチ素子（図中ではドライバトランジスタ１０）はイオンブロック性の膜で覆われ、イオンの混入によるＴＦＴの閾値の変動を防ぐことができる。さらに本実施例のように画素の発光領域から全ての下地膜や層間絶縁膜を除去するよりも、一部の膜を除去する方がスループットが向上し生産性が上がる。
【０１２８】
ここで、下地膜や層間絶縁膜のうち、発光領域から除去する膜を選択する場合は透明基板６あるいは透明電極２００との屈折率の差が０．４以上の膜とするとよい。これは屈折率差が０．４以上の膜の界面では反射率２〜３％以上の有意な反射が生じるため、この膜を除去すれば反射面の数および全体の膜厚が減り、干渉条件を制御するマージンがひろがる効果が大きいからである。
【０１２９】
次に本発明の他の実施例を説明する。図１４は本発明の表示装置の断面構造を示す１画素付近の模式断面図であり、上記実施例と同じ部分には同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。
【０１３０】
本実施例は有機発光ダイオード素子７０が形成された基板６とは反対方向から光を取り出す、いわゆるトップエミッション型のＯＬＥＤディスプレイである。このため有機発光ダイオード素子７０を構成する反射電極３００がドライバトランジスタ１０と接続され、反射電極３００が陰極として機能する場合はドライバトランジスタ１０はＮチャネル型のＴＦＴとする。
【０１３１】
この場合、発光層から放射する光２０００は、スイッチ素子を形成するゲート絶縁膜１６、第１及び第２の層間絶縁膜１８，２０、第１及び第２の下地膜１１，１２には直接入射しない。このためこれらの膜を発光領域において除去する必要はない。また、発光層から放射する光は観察者１０００へ向かう際、基板６を通過する必要がないので、本実施例では基板６は必ずしも透明である必要はない。
【０１３２】
トップエミッション型ＯＬＥＤディスプレイにおいても本発明に係る干渉条件を満たす膜構成とすることで、視野角の変化による色変化は抑制される。
【０１３３】
なお、トップエミッション型の場合には可視光に対して透明でガスバリア性を有する透明封止部材５００と基板６とを表示装置の表示部の周囲に枠状に塗布した接着性のあるシール剤によりて密閉封止する。透明封止部材５００としてはガラス板や、ガスバリヤー処理を施した樹脂フィルム、薄いガラス板と樹脂フィルムを積層したものなどを用いることができる。
【０１３４】
この場合、封止部材５００と基板６との間隙５０１は封止部材あるいは透明電極との屈折率差が小さくなるように屈折率１．４〜２．０程度の透明体で満たすことが望ましい。これは透明電極２００と間隙５０１との界面、あるいは間隙５０１と透明封止部材５００との界面での反射を小さくし、これら界面での反射による干渉強度への影響を小さくするためである。
【０１３５】
つまり、これら界面での反射を小さくすると干渉の強度が弱まり、干渉強度の極大値と極小値の差が小さくなる。このため、視野角の変化による干渉強度の大きさの変化が小さくなり、発光スペクトルの形状変化も小さくなるので、視野角による色の変化が抑制される。
【０１３６】
特に、透明体の厚さを可干渉距離よりも厚い、一例として３０μｍ以上とすれば、さらに干渉の影響を小さくできるため、視野角による色の変化がより抑制される。
【０１３７】
このように透明封止部材を用いる代わりに、透明電極２００の上にガスバリア性のある無機の透明材料を積層形成する、あるいは無機の透明材料と有機の透明材料を交互に繰り返し積層することでガスバリア性を持たせた膜を積層形成することで封止してもよい。この場合、透明電極２００から外気に至る膜の構成により干渉強度へ影響がないようにすることが望ましい。
【０１３８】
例えば、異なる材料を積層する場合は屈折率差が小さい材料を選択することで界面での反射を小さくして干渉強度への影響を小さくしたり、膜厚を可干渉距離よりも厚い、一例として、３０μｍ程度以上とすることで干渉強度への影響を無くすことが望ましい。
【０１３９】
次に本発明の他の実施例を説明する。ＯＬＥＤディスプレイのフルカラー化に関してはいくつかの方式が提案・実証されており、上記実施例のように３原色（赤色，緑色，青色）の発光素子からなる画素を直接塗りわける方式（以下、ＲＧＢ並置型）のほかに、白色発光と赤色、緑色、青色の３原色のカラーフィルタを組み合わせた方式（以下、ＲＧＢ ｂｙ ｗｈｉｔｅ法）が提案されている。ＲＧＢ ｂｙ ｗｈｉｔｅ法は作成する発光層が白色の１種類だけなので、製造が容易という特長を有する。
【０１４０】
本実施例の表示装置は、上記実施例において、赤色発光、緑色発光、青色発光に塗り分けられていた有機膜を全て白色発光の有機膜とし、発光素子の光取り出し側に赤色表示用の画素であれば赤色の光を透過するカラーフィルター、緑色表示用の画素であれば緑色の光を透過するカラーフィルター、青色表示用の画素であれば青色の光を透過するカラーフィルター、を備えること以外、基本的な構成は上記実施例と同じであるため、同じ部分については詳細な説明は省略する。カラーフィルターは染色法、顔料分散法、あるいは印刷法などの公知の技術によって塗り分ければよい。
【０１４１】
白色発光を実現する有機膜としては、発光色の異なる複数の発光層を積層する構成と、一つの発光層中に発光色が異なる色素をドーピングする構成がある。
【０１４２】
前者の構成としては例えばＴＰＤ、Ａｌｑ３のＡｌｑ３を部分的にナイルレッドでドープし、さらに１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）を組合せたものがある。また、後者としてはＰＶＫに３種類の色素、例えば１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、クマリン６、ＤＣＭ１をドープしたものがある。いずれにせよ、白色発光の有機膜としては発光効率が高く、寿命の長い白色発光が得られるものを用いることが望ましい。
【０１４３】
図１５は本実施例の視野角０°における干渉強度の波長依存性と、発光強度が極大値となる最も短い波長との関係を示す図である。白色発光の有機発光ダイオード素子の発光強度には可視波長領域に複数の極大値が存在する。
【０１４４】
このため、視野角による色の変化を小さくするには干渉強度の極値となる波長が視野角が変わっても、発光強度が極大値となる複数の波長と重ならないことが必要となる。このため、干渉の条件としては、図１５に例示するとおり、干渉強度が視野角０°において極大値となる波長が、可視波長域において発光強度が極大値となる最も短い波長よりも短く、さらに干渉強度が極小値となる波長が可視波長領域に存在しないことが望ましい。
【０１４５】
この場合も上記実施例と同様に、干渉強度の極大値や極小値は視野角が増加すると短波長側に移動するが、視野角が大きくなっても発光波長領域に干渉強度の極大値や極小値が移動してくることがないので、発光スペクトルの形状はほとんど変化しない。このため視野角が変化しても色の変化は小さく抑えられる。
【０１４６】
なお、これまで述べてきた実施例のＯＬＥＤディスプレイには外光反射を抑制するための手段として偏光板と１／４波長フィルムからなる、いわゆる円偏光板を設けるとよい。円偏光板はボトムエミッション型であれば透明基板の観察者側に、トップエミッション型であれば透明封止部材の観察者側に配置するとよい。円偏光板を備えたＯＬＥＤディスプレイでは、配線や反射電極などによる外光の反射が円偏光板の作用により低減できるため、明るい環境下でも高いコントラスト比を実現することができる。
【０１４７】
また、 表示装置の表示部を構成する画素の配置はストライプ配置、モザイク配置、デルタ配置などいずれの配置でもよく、表示装置の仕様に合せて適切な配置を選択すればよい。
【０１４８】
なお、本発明は上記実施例の構成に限定されるものではなく、本発明で規定する干渉強度の条件を満足するという技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【０１４９】
したがって、これまで述べてきたアクティブマトリクス駆動型のＯＬＥＤディスプレイに限定されるものではない。すなわち、ＴＦＴなどのスイッチング素子を設けずに発光素子の電極をそれぞれ垂直走査線、水平走査線に直結して駆動する単純マトリクス駆動型の表示装置に適用してもよい。また、発光素子としては有機発光ダイオード素子だけでなく無機のエレクトロルミネッセンス素子に適用してもよい。
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によれば、有機発光ダイオード素子などの光の干渉の影響を受ける発光素子を備える表示装置において、視野角が変わっても色の変化が小さい表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置の一実施例の構成を示す１画素付近の模式断面図である。
【図２】本発明の表示装置の画素部の構造の一実施例を示す一部平面図である。
【図３】本発明の表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図４】本発明の表示装置の表示部に構成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。
【図５】本発明の表示装置の製造工程の一例を示す１画素付近の断面を工程順に説明する模式図である。
【図６】本発明の表示装置の製造工程の一例を示す１画素付近の断面を工程順に説明する模式図である。
【図７】本発明の表示装置の製造工程の一例を示す１画素付近の断面を工程順に説明する模式図である。
【図８】本発明の表示装置の一実施例の視野角０°における干渉強度の波長依存性と発光強度が最大値となる波長との関係を示す図である。
【図９】本発明の表示装置の発光スペクトルの視野角依存性の一例を示す図である。
【図１０】本発明の表示装置の一実施例の色度の視野角依存性を示す図である。
【図１１】本発明の表示装置の一実施例の視野角０°における赤色発光画素の発光領域における干渉強度の波長依存性と発光強度が最大値となる波長との関係を示す図である。
【図１２】本発明の表示装置の一実施例の構成を示す１画素付近の模式断面図である。
【図１３】本発明の表示装置の一実施例の構成を示す１画素付近の模式断面図である。
【図１４】本発明の表示装置の一実施例の構成を示す１画素付近の模式断面図である。
【図１５】本発明の表示装置の一実施例の視野角０°における干渉強度の波長依存性と、発光強度が極大値となる最も短い波長との関係を示す図である。
【図１６】従来の有機発光ダイオード素子の一例を示す一部概略断面図である。
【図１７】従来の表示装置の１画素付近の模式断面図である。
【図１８】従来の表示装置の発光スペクトルの視野角依存性の一例を示す図である。
【図１９】従来の表示装置の色度の視野角依存性の一例を示す図である。
【図２０】従来の表示装置の干渉強度の視野角依存性を試算した結果の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…表示装置、２…表示部、３…データ駆動回路、４…走査駆動回路、６…透明基板、７…データ線、８…ゲート線、９…共通電位配線、１０…ドライバトランジスタ、１１…第１の下地膜、１２…第２の下地膜、１３，１７…ソース・ドレイン領域、１４…チャネルポリシリコン層、１５…ゲート電極、１６…ゲート絶縁膜、１８…第１の層間絶縁膜、１９…ソース・ドレイン電極層、２０…第２の層間絶縁膜、２１…第３の層間絶縁膜、３０…スイッチトランジスタ、４０…蓄積容量、６０…画素、６１…発光領域、７０…有機発光ダイオード素子、１００…有機膜、２００…透明電極、３００…反射電極、４００…封止手段、４０１…間隙。

Claims (16)

1. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、視野角０°において前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が極大値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長よりも短い波長であること特徴とする発光型表示装置。
2. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
3. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、視野角０°において前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が極小値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長よりも長い波長であって可視波長領域に存在しないことを特徴とする発光型表示装置。
4. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
5. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置において、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
6. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、前記発光素子を構成する発光層から放射する光が白色、あるいは発光強度に複数の極大値が存在し、視野角０°において前記発光層から放射する光に対する干渉の強度が極大値となる波長が、可視波長領域において前記発光層から放射する光の強度が極大値となる波長よりも短く、さらに前記干渉の強度が極小値となる波長が、前記発光層から放射する光の強度が極大値となる波長よりも長い波長であって可視波長領域に存在しないことを特徴とする発光型表示装置。
7. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有するカラー発光型表示装置であって、視野角０°において前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が極大値となる波長をλｉｍａｘ、極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘ、又はλｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たすことを特徴とするカラー発光型表示装置。
8. 請求項７に記載のカラー発光型表示装置において、前記発光素子が有機発光ダイオード素子であり、前記有機発光ダイオード素子を構成する有機膜の膜厚を赤色画素ではＲＴ、緑色画素ではＧＴ、青色画素ではＢＴとした場合、ＲＴ≧ＧＴ≧ＢＴであることを特徴とするカラー発光型表示装置。
9. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、前記表示装置が発光素子の点滅を制御するスイッチング素子が形成された透明基板側から光を取り出すアクティブマトリクス駆動型の発光型表示装置であり、少なくとも前記画素の発光領域では、前記スイッチング素子を構成する複数の絶縁膜のうち少なくとも１層が選択的に除去されており、さらに前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となるを波長λｅｍａｘとした場合、λｅｍａｘ−５０ｎｍ≦λｉｍａｘ＜λｅｍａｘ、又はλｅｍａｘ＋７０ｎｍ≦λｉｍｉｎの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
10. 請求項９に記載の発光型表示装置において、前記選択的に除去される膜が、前記透明基板、あるいは前記発光素子を構成する透明電極との屈折率差が０．４以上であることを特徴とする発光型表示装置。
11. 請求項９に記載の発光型表示装置において、前記スイッチング素子が低温ポリシリコンＴＦＴで構成されており、前記画素の発光領域では、前記スイッチング素子と前記透明基板の間に形成される下地膜と、前記スイッチング素子を構成する複数の絶縁膜が全て除去されていることを特徴とする発光型表示装置。
12. 請求項１１に記載の発光型表示装置において、前記スイッチング素子が全方位に渡ってイオンブロック性の膜で囲まれていることを特徴とする発光型表示装置。
13. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、前記発光型表示装置から観察者側へ取り出される光の強度が視野角０°において最大となることを特徴とする発光型表示装置。
14. 請求項１３に記載の発光型表示装置において、前記発光型表示装置から観察者側へ取り出される光の強度が最大となる波長の変化量が、視野角を０°から６０°まで変化させる場合に１０ｎｍ以下となることを特徴とする発光型表示装置。
15. マトリクス状に配置した複数の画素を構成する発光素子を有する発光型表示装置であって、前記発光型表示装置が前記発光素子が形成される基板とは反対側から光を取り出す発光型表示装置であり、前記発光素子を構成する発光層から放射する光に対する干渉の強度が視野角０°において極大値となる波長をλｉｍａｘ、極小値となる波長をλｉｍｉｎ、前記発光層から放射する光の強度が最大となる波長をλｅｍａｘとした場合、λｉｍａｘ＜λｅｍａｘ、及びλｉｍｉｎ≧λｅｍａｘ＋７０ｎｍの関係を満たすことを特徴とする発光型表示装置。
16. 請求項１５に記載の発光型表示装置において、前記発光素子は光取り出し側に光透過性の電極を有し、該電極の光取り出し側の面上には屈折率が１．４〜２．０の透明体を備えることを特徴とする発光型表示装置。

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