JP2004518283A - トレンチの充填方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、基体の少なくとも１つのトレンチ又は他の開口を充填する方法に関する。この方法は、誘電体材料を、基体の少なくとも１つのトレンチ又は他の開口に堆積させること、及び圧力を適用しながら又はその後で堆積した材料にアニール処理を行うことを含む。この方法は段階的に行うことができる。またアニール処理段階は少なくともＨ_２プラズマに前記基体を露出させることを含むことができ、又は少なくともアニール処理の後でＨ_２プラズマに基体を露出させることができる。

Description

【０００１】
本発明は、半導体ウェハーのような基体のトレンチ及び他の開口を充填する方法に関する。
【０００２】
半導体デバイスのための金属の前の誘電体の形成及びシャロートレンチ分離構造の形成のような特定の方法では、小さいギャップ中で密なフィルムを達成することが必要とされている。しかしながらフィルムをこれらのギャップ内に堆積させる場合、堆積させたままのフィルムから水を除去する必要があることが多い。ここでこのフィルムはサブミクロン幅の凹部内に存在するので、結果として空隙が形成され、材料が望ましくない低い密度を有する。従って完全に充填した場合であっても、材料の密度は低く、これは非常にエッチングされやすいことを意味する。シャロートレンチ分離では、材料が湿式エッチングに対して抵抗性であり、且つ充填されたトレンチが、酸化物及び窒化物のフィールド層の湿式ストリッピングの後で維持されているべきであるので、これは特に問題である。これについては例えば米国特許第５，４４７，８８４号明細書の図４及び５で示されている。
【０００３】
本発明は、半導体ウェハーのような基体の少なくともトレンチ又は他の開口を充填する方法であり、この方法は、誘電体材料をトレンチ又は開口に堆積させること、堆積させた材料に圧力を適用すること、及び圧力の適用の後又はその間に、堆積した材料をアニール処理することを含む。
【０００４】
トレンチ又は開口は完全に充填することができ、又は好ましくはトレンチ又は開口は初めに部分的に充填し、堆積した材料に圧力の適用、又は圧力の適用及びアニール処理を行うことができる。トレンチ又は開口は、１又は複数の更なる堆積工程によってその後完全に充填し、１又は複数の更なる堆積工程の後で、圧力の適用、又は圧力の適用及びアニール処理を行うことができる。
【０００５】
アニール処理工程はＨ_２プラズマへの基体の露出を少なくとも含み、又はアニール処理工程の後でＨ_２プラズマへの露出を行うことができる。
【０００６】
適用する圧力は、処理を行うのに十分であるべきである。実験は１００〜７００ｂａｒで行った。圧力は効果的な期間にわたって適用すべきである。実験は６０〜３００秒間にわたって行った。
【０００７】
基体は、圧力の適用の間又はその前に加熱することができる。この場合、基体は約１５０℃〜約５５０℃に加熱することができる。好ましくは基体の温度は、約４７５℃〜５２５℃である。
【０００８】
本発明は上述のようなものであるが、本発明は、上述の特徴又は下記の説明の任意の組み合わせを包含していることを理解すべきである。
【０００９】
本発明は様々な様式で実施することができるが、特定の態様を図１及び適切に示された走査型電子顕微鏡写真と関連して説明する。これはアニール処理への圧力の効果を示しており、ここでは独立したＯ−Ｈが高圧の適用によって一緒にされ熱によって誘発される水の除去を促進している。実験３、４、７〜１１及び１３は比較例である。
【００１０】
それぞれの実験において、フィルムは出願人のＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）プロセスを使用して堆積させた。ここでは液体シラノールを縮合反応によって堆積させ、そしてアニール処理を使用して硬化させて酸化物フィルムを作る。従ってＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）堆積を、下記では簡単に参照する。そのような堆積プロセスの例は米国特許第５，８７４，３６７号で説明されている。Ｐｌａｎａｒ（商標）はＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）プロセスを行うための装置に関し、この装置もこの米国特許明細書で説明されている。米国特許第５，５２７，５６１号明細書は、高圧プロセスを行うのに適当なタイプの圧力適用装置を説明している。示されている実際の装置は、有意に比較的大きい圧力を適用することができるが、比較的単純な装置も適当である。これらの特許明細書の記載はここで参照して本明細書の記載に含める。
【００１１】
本発明の背景に関して、小さいギャップに堆積させた誘電体フィルムの密度を増加させる方法を説明する。これらのギャップは典型的に幅が１００ｎｍ（１，０００Å）未満であり、アスペクト比（幅に対する深さ）が３よりも大きい。より特にこれらは、幅が５０ｎｍ（５００Å）未満で、アスペクト比が５よりも大きいギャップである。誘電体はＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）プロセスを使用してウェハー堆積させ、これはシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）プロセス又は金属の前の誘電体（ＰＭＤ）を作るために使用することができる。試験は、幅約４０ｎｍ（４００Å）及び深さ約３６０ｎｍ（３６００Å）のＳｉＮトレンチからなる試験構造を有するウェハーに行った。
【００１２】
Ｆｌｏｗｆｉｌｌ（商標）プロセスは、縮合反応によってこれらのギャップを液体シラノールで満たすことができ、これをその後硬化させて酸化物フィルムを作る。この硬化は通常、低圧（大気圧以下の圧力）熱又はプラズマ「アニール処理」の間に行わせる。この方法は、バルクでよりも密度が比較的小さい酸化物フィルムを狭いトレンチにもたらす。劈開試料の「描画」エッチングは、低密度誘電体の迅速なエッチングに起因するギャップ内の空隙を示す。多段階の高い圧力及び温度のアニール処理を水素プラズマ処理の前に行うことによって、小さいギャップ内でのフィルムの密度を改良する方法を説明する。
【００１３】
本発明は、加熱を伴う高圧を使用して、シラノール及びシラノール状層からの水の除去を機械的に促進する。現在では、高品質の誘電体（１０：１の緩衝ＨＦエッチングによって描画したときに空隙を示さないもの）でそのような小さいギャップ（１００ｎｍ未満）を満たすことができる単層の方法は存在しない（ここで報告しているものも含めて）。圧力の適用は結果を改良することを示す。唯一の完全にうまくいく結果は、第２の層を堆積させる前の第１の層への高圧アニール処理を伴って、空隙に少なくとも２つの層を堆積させることを必要とした。ＩＢＭ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ ｂｕｌｌｅｔｉｎ ｎｒ．１１、第２７巻、１９８５年４月で報告されているように、ここで考慮されているギャップは従来技術と比較してかなり小さく、これは実験的にはここでは報告されておらず、一般に使用するプラズマ処理、水素プラズマ処理、及び純粋な熱アニール処理は、多数の薄い層に行う場合であっても、誘電体層を十分に密にしない。最も新しい半導体ウェハーで現在使用されているギャップは典型的に、約０．３５〜０．１３μｍ（３５０〜１３０ｎｍ）である。従来のプラズマ処理及び熱処理は、０．３５μｍギャップ内の単層フィルムには十分にうまく機能しないことが報告されている。これに対して、この高圧プロセスは、これらの比較的大きいギャップ幅では、単層フィルムを十分に密にすることができる。ＳＴＩ／ＰＭＤギャップ深さは、幅の減少によっては大きく変えるべきではない。従って幅が減少すると、アスペクト比は増加し、且つ制約体積の露出表面に対する比は増加する。
【００１４】
［プロセス工程］
全ての実験は、ウェハーの劈開片に対して行った。下記は、考慮される可能な処理工程の概略を示している：

【００１５】
実験は、Ｐｌａｎａｒ（商標）及びＦｏｒｃｅｆｉｌｌ（商標）として示される既存のシステムで行った。これらは、単一ウェハークラスターシステムであり、ここでＰｌａｎａｒ（商標）はＣＶＤシステムであり、減圧下でのウェハー輸送を伴うプラズマ前処理、ＣＶＤ堆積、並びに熱及びプラズマ後処理を含む。Ｆｏｒｃｅｆｉｌｌ（商標）は、高圧単一ウェハークラスターシステムであり、通常はウェハー凹部を満たすための金属デフォーメーションに関する。このチャンバーはＰｌａｎａｒ（商標）システムに取り付けられておらず、従って説明されるプロセス順序では、ウェハーはこれらのシステムの間で大気に露出されている。これは実験にとって重要なことではないと考える。
【００１６】
プロセスの説明
１． Ｎ_２Ｏプラズマ処理

【００１７】
これは、そのままのシリコンにプラズマ処理を行って付着性を改良することによって、「ベース」二酸化ケイ素層を作るプラズマプロセスである。
【００１８】
２． Ｆｌｏｗｆｉｌｌ（商標）堆積

【００１９】
これは、水含有ポリマー又はシラノールを堆積させるプロセスである。スピンオン水含有ポリマーで置換することもできる。
【００２０】
３．穏やかなベーキング
定盤の温度 ４５０℃
処理時間 ９０秒
圧力 ２０ｍＴｏｒｒ
【００２１】
これは、Ｐｌａｎａｒシステムにおける純粋な窒素雰囲気での低圧の、「穏やかな」熱アニール処理である（堆積チャンバーからの減圧ウェハー輸送）。低圧によってウェハーの温度が定盤の温度に達していないことに注意すべきである。ウェハーは約１９０℃で、このチャンバーから出す。このプロセス工程は、Ｆｌｏｗｆｉｌｌ及びキャップ層を便利にアニール処理するとき、例えば３０分間にわたって４５０℃で、大気圧の窒素雰囲気においてアニール処理するときに、「ブリスター（ふくれ）」を避けることが分かっている。ＳＴＩ／ＰＭＤの用途では（ウェハー上に金属相互接続が存在する前に）、アニール処理温度は４５０℃超でよい。
【００２２】
４． 高圧処理
下記の表で示す。これは堆積とは異なるシステムで行った。
【００２３】
５． アニール処理
定盤の温度 ４５０℃
処理時間 １８０秒
圧力 １Ｔｏｒｒ
【００２４】
これは、Ｆｏｒｃｅｆｉｌｌ（商標）システムにおいて行う熱アニール処理である。これは、定盤からウェハーへの伝熱を促進するのに十分な大気圧未満の圧力での、純粋な窒素アニール処理である。
【００２５】
６． 水素プラズマ
定盤の温度 ４００℃
処理時間 ６００秒
Ｈ_２ １，０００ｓｃｃｍ
シャワーヘッドの出力 １０００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
【００２６】
７． キャップ堆積

【００２７】
行った実験は下記の表で説明している。これは、堆積させたままのフィルムを処理する随意の処理工程のマトリックスである。
【００２８】
【表１】

【００２９】
Ｆｌｏｗｆｉｌｌ（商標）の多段階堆積及びそれに続く圧力処理が有利であるかを判断するために、下記の２つの実験を行った。使用した高圧処理は、上述の実験１２で使用したものと同じである。
【００３０】
実験１４

【００３１】
実験１５

【００３２】
ここで、Ｆｌｏｗｆｉｌｌ（商標）厚さの測定値は、実際のトレンチではなく、基体のフィールド上に堆積した厚さである。実際には、フィールドに堆積した材料のいくらかがトレンチに入り、それによってフィールドに堆積した全厚さは、トレンチに堆積した全厚さよりも小さいことがある。
【００３３】
走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）は、１０：１のＢＨＦ中で２秒間にわたって２０℃で描画したパターンを付けられたウェハーの劈開端に関するものである。視覚的な試験は、下記の概略の結果をもたらした。
【００３４】
○高圧アニール処理及び／又は水素プラズマ処理を含む全てのプロセスは、低圧熱アニール処理のみのプロセスよりも優れていた。単独の低圧（標準）熱アニール処理（４５０℃）では、ギャップ内のフィルムの品質が最も悪かった。
【００３５】
○実験１２（高圧アニール処理及び水素プラズマ処理）は、単一フィルム堆積では最も良好な結果を与えた。これは、実験１３の「従来技術のプロセス」を超える改良であり、２番目に良好な結果を与える。
【００３６】
○高圧アニール処理の前の「穏やかな」ベーキング、又は高圧アニール処理の後の低圧アニール処理は、高圧アニール処理の結果にあまり影響を与えない。
【００３７】
○４７５℃の温度の高圧アニール処理は、１８０℃での処理を超える結果を示したが、５２５℃での処理は、４７５℃での処理と比較して有意の違いがない。
【００３８】
○比較的高い圧力（７００ｂａｒ）は、高圧処理（アニール処理）のためにわずかに比較的好ましいことが分かる。
【００３９】
○高圧処理工程の時間の増加は、試験範囲した範囲では大きな影響がない（６０〜３００秒）。これは、温度及び圧力が、所定温度での時間及び圧力での時間よりも重要であることを示している。
【００４０】
○従って、６０秒よりも短い処理時間で、いくらかのウェハー構造で少なくともいくらかのフィルムの水除去が達成されることが期待される。この比較的短い時間は経済的な理由により好ましい。
【００４１】
○層で部分的にのみ凹部を満たし、そして処理するようにして複数の層を堆積させると、単一フィルム堆積を改良できる。実験１４では、Ｆｌｏｗｆｉｌｌ（商標）は２段階（それぞれ８００Å）で堆積させ、高圧アニール処理及びＨ_２プラズマ処理をそれぞれの工程の後で行った。単一フィルム堆積を超える有意の改良は見出されなかった。これは、初めのＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）工程が完全にギャップを満たすのに十分なものであり（液体であるＦｌｏｗｆｉｌｌ（商標）層は名目上の厚さよりも深く凹部を満たす）、第２の堆積はウェハーのフィールド上に行われたことからである。実験１５では、１よりも多い薄い層を堆積させ、処理してギャップを満たした。これは最も良好な結果を示した。従ってこれは、ギャップを完全に満たす前に、フィルムを密にすることの利点が存在することを示している。

Claims (12)

1. 誘電体材料を、基体の少なくとも１つのトレンチ又は他の開口に堆積させること、及び圧力を適用しながら又はその後で、堆積した前記材料にアニール処理を行うことを含む、基体の少なくとも１つのトレンチ又は他の開口を充填する方法。
2. 前記トレンチ又は開口を初めに部分的に充填し、堆積した材料に圧力を適用し、又は圧力を適用し且つアニール処理を行い、そして前記トレンチ又は開口を１又は複数の更なる堆積工程で完全に充填する、請求項１に記載の方法。
3. 第２の又は続く工程で堆積させた前記材料に圧力を適用し及び／又はアニール処理を行う、請求項２又は３に記載の方法。
4. 少なくとも前記アニール処理がＨ_２プラズマに前記基体を露出させることを含む、又は少なくとも前記アニール処理の後でＨ_２プラズマに基体を露出させる、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 適用する前記圧力が１００ｂａｒ超である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
6. 前記圧力が約７００ｂａｒである、請求項６に記載の方法。
7. 前記圧力を約１〜約３００秒間にわたって適用する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
8. 前記圧力を約６０秒間にわたって適用する、請求項８に記載の方法。
9. 前記基体を、圧力の適用の前又は適用の間に加熱する、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
10. 前記基体を約１５０℃〜約５５０℃に加熱する、請求項１０に記載の方法。
11. 前記基体の温度が約４７５℃〜５２５℃である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記誘電体層がシラノール又はシラノール状層である、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。

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