JP2004355028A - Electrooptical device and projection type display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。 The present invention belongs to a technical field of an electro-optical device of an active matrix driving system, and particularly, an electric type in which a thin film transistor for pixel switching (hereinafter, appropriately referred to as a TFT) is provided in a laminated structure on a substrate. Belongs to the technical field of optical devices.
TFTアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用TFTのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で電流が発生してTFTの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、TFTのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはTFTの上を通過すると共にAl(アルミニウム)等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。 In an electro-optical device of a TFT active matrix driving type, when incident light is applied to a channel region of a pixel switching TFT provided in each pixel, a current is generated by excitation by light and the characteristics of the TFT change. In particular, in the case of an electro-optical device for a light valve of a projector, since the intensity of incident light is high, it is important to shield the channel region of the TFT and its peripheral region from incident light. Therefore, conventionally, the channel region and its periphery are formed by a light-shielding film that defines an opening region of each pixel provided on the counter substrate, or by a data line that passes over the TFT and is made of a metal film such as Al (aluminum). It is configured to shield the area from light.
また特開平9−33944号公報には、屈折率が大きいa−Si(アモルファスシリコン)から形成された遮光膜で、チャネル領域に入射する光を減少させる技術が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-33944 discloses a technique of reducing light incident on a channel region by using a light-shielding film formed of a-Si (amorphous silicon) having a large refractive index.
しかしながら、対向基板上やTFTアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、一般に0.1〜0.01%程度の光透過率を持つ遮光膜が、Ti(チタン)やWSi(タングステンシリサイド)から形成される。或いは、TFTアレイ基板上のデータ線で遮光膜を兼ねる技術によれば、一般に0.01%程度の光透過率を持つ遮光膜が、Alから形成される。これに対して、プロジェクタ用途の光源の光は、およそ10M(メガ)ルクスである。ここで本願発明者の研究によれば、TFTでは、1000ルクス程度で、5E−11[A]程度の光リーク電流が生じる。従って、特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るに連れて、上述の如き遮光膜ではこれを透過する僅かな光に起因する光リーク電流の発生、即ちトランジスタ特性の変化が表示画面上における画質の劣化として視認可能な程度まで顕在化しまうという問題点がある。 However, according to the technology of forming a light-shielding film on a counter substrate or a TFT array substrate, a light-shielding film having a light transmittance of about 0.1 to 0.01% is generally formed of Ti (titanium) or WSi (tungsten silicide). ). Alternatively, according to the technology in which a data line on a TFT array substrate also serves as a light-shielding film, a light-shielding film generally having a light transmittance of about 0.01% is formed from Al. On the other hand, the light of the light source for projector use is about 10 M (mega) lux. Here, according to the study of the present inventor, a light leakage current of about 5E-11 [A] occurs at about 1000 lux in the TFT. Accordingly, as the electro-optical device is made finer or the pixel pitch is made finer in order to meet the recent general demand for higher quality of the display image, a small amount of light transmitted through the light shielding film as described above is used. Therefore, there is a problem that the occurrence of light leakage current due to the above, that is, the change in the transistor characteristics becomes visible to the extent that the deterioration of the image quality on the display screen can be visually recognized.
この対策として、遮光膜やデータ線を厚くして遮光性能を高めることが考えられるが、これらを厚くしたのでは、基板上の積層構造内にストレスが極度に発生し、基板の反り、その成膜やエッチング処理の処理時間の増大等、実践上は様々な問題が生じる。 As a countermeasure, it is conceivable to increase the light-shielding performance by increasing the thickness of the light-shielding film and data lines. Various problems arise in practice, such as an increase in the processing time of the film and the etching process.
また特開平9−33944号公報に記載の技術によれば、a−Siの透過率は上記Ti、WSi、Al等と比べても遥かに高い。このため、このようなa−Siから形成された遮光膜では、電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図る中で、特にプロジェクタ用途の光源の光を十分に遮光することは一層困難になるという問題点がある。 According to the technique described in JP-A-9-33944, the transmittance of a-Si is much higher than that of Ti, WSi, Al or the like. For this reason, with the light-shielding film formed of such a-Si, it is still more difficult to sufficiently shield light from a light source for a projector, in particular, while achieving higher definition of an electro-optical device or finer pixel pitch. There is a problem that it becomes difficult.
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、耐光性に優れており高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an electro-optical device which is excellent in light resistance and capable of displaying a high-quality image while suppressing an increase in the thickness of a light-shielding film. .
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の基板で挟持された電気光学物質と、前記一方の基板に、マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに対向し、誘電体膜とこの誘電体膜を挟む一対の光吸収性の容量電極とでなる保持容量とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above problem, the electro-optical device of the present invention includes a pair of substrates, an electro-optical material sandwiched between the pair of substrates, and the one of the substrates, pixel electrodes arranged in a matrix, A thin film transistor electrically connected to the pixel electrode, and a storage capacitor facing the thin film transistor and including a dielectric film and a pair of light-absorbing capacitor electrodes sandwiching the dielectric film are provided.
本発明の電気光学装置によれば、一対の光吸収性の容量電極により、基板側から薄膜トランジスタの脇を抜けて遮光層の内面に至る光(即ち、当該電気光学装置の裏面反射光や、複数の電気光学装置をライトバルブとして構成した複板式のプロジェクタにおいて他の電気光学装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる光等の戻り光)は、吸収される。従って、薄膜トランジスタのチャネル領域に到達する光を低減できる。 According to the electro-optical device of the present invention, the pair of light-absorbing capacitor electrodes allows light from the substrate side to pass through the thin film transistor and reach the inner surface of the light-shielding layer (that is, light reflected from the back surface of the electro-optical device, a plurality of In a double-panel projector in which the electro-optical device is configured as a light valve, return light such as light emitted from another electro-optical device and penetrating through the synthetic optical system is absorbed. Therefore, light reaching the channel region of the thin film transistor can be reduced.
この結果、遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、高い耐光性により薄膜トランジスタの光リークによる特性劣化が低減されており、しかもコントラスト比が高く高品位の画像表示が可能な電気光学装置が実現される。 As a result, it is possible to realize an electro-optical device in which the characteristic deterioration due to light leakage of the thin film transistor is reduced due to high light resistance while suppressing the increase in the thickness of the light-shielding film, and the contrast ratio is high and high-quality image display is possible. .
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記画素電極と前記保持容量との間に前記薄膜トランジスタに対向し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される遮光性のデータ線を備える。 In one aspect of the electro-optical device of the present invention, a light-shielding data line is provided between the pixel electrode and the storage capacitor, the light-shielding data line being opposed to the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor.
この態様によれば、薄膜トランジスタは、データ線により覆われるので、高い遮光性能が得られる。 According to this aspect, since the thin film transistor is covered with the data line, high light-shielding performance can be obtained.
本発明の電気光学装置の他の態様では、データ線の前記薄膜トランジスタ側の面に光吸収層が積層されていてもよい。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, a light absorption layer may be laminated on a surface of the data line on the thin film transistor side.
この態様では、電気光学装置内の内面反射や多重反射の光をデータ線の光吸収層で吸収するので、薄膜トランジスタの光リークによる特性劣化が低減することができる。 In this aspect, since the light of the internal reflection or the multiple reflection in the electro-optical device is absorbed by the light absorbing layer of the data line, the characteristic deterioration due to the light leakage of the thin film transistor can be reduced.
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタの前記保持容量と反対側に、前記薄膜トランジスタに対向する下側遮光膜を備える。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, a lower light-shielding film facing the thin-film transistor is provided on a side of the thin-film transistor opposite to the storage capacitor.
このように構成すれば、下側遮光膜により、薄膜トランジスタの下側から来る戻り光に対する遮光を行うことができ、薄膜トランジスタの上下から遮光を行うことができる。尚、下側遮光層は例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものから構成すればよく、下側遮光膜も周辺領域で定電位に落としてもよい。 With this configuration, the lower light-shielding film can shield light from returning light coming from below the thin film transistor, and can shield light from above and below the thin film transistor. The lower light-shielding layer may be made of, for example, a single metal, an alloy, a metal silicide, a polysilicide, or a laminate of these, including at least one of high melting point metals such as Ti, Cr, W, Ta, Mo, and Pb. The lower light-shielding film may be configured to have a constant potential in the peripheral region.
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜の前記薄膜トランジスタ側の面に光吸収層が積層されているとよい。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, it is preferable that a light absorption layer is laminated on a surface of the lower light-shielding film on the thin film transistor side.
このように構成すれば、光吸収層により、内面反射を低減できる。 According to this structure, the internal reflection can be reduced by the light absorbing layer.
光吸収層としては、ポリシリコン、アモルファスシリコン、単結晶シリコンのいずれでもよい。特に、薄膜トランジスタのチャネル領域をシリコン膜から構成すれば、当チャネル領域に吸収されやすい周波数成分の光を光吸収層が吸収することになるので好都合である。 The light absorbing layer may be any of polysilicon, amorphous silicon, and single crystal silicon. In particular, when the channel region of the thin film transistor is formed of a silicon film, the light absorption layer absorbs light having a frequency component that is easily absorbed by the channel region, which is advantageous.
本発明の投射型表示装置は上記課題を解決するために、光源と、本発明の電気光学装置でなるライトバルブと、前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the projection display device of the present invention includes a light source, a light valve including the electro-optical device according to the present invention, and a light guide member that guides light generated from the light source to the light valve. A projection optical member for projecting light modulated by the light valve.
この態様によれば、電気光学装置内の薄膜トランジスタの光リークの発生を防止できるので、高品位の画像を投射することができる。 According to this aspect, it is possible to prevent the occurrence of light leakage from the thin film transistor in the electro-optical device, so that a high-quality image can be projected.
尚、本発明に係る薄膜トランジスタとしては、走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の上側に位置する所謂トップゲート型でもよいし、走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の下側に位置する所謂ボトムゲート型でもよい。また、画素電極の層間位置も、基板上で走査線の上方でも下方でもよい。 Note that the thin film transistor according to the present invention may be a so-called top gate type in which a gate electrode formed of a part of a scanning line is positioned above a channel region, or a gate electrode formed of a part of a scanning line may be positioned below a channel region. , A so-called bottom gate type. Further, the interlayer position of the pixel electrode may be above or below the scanning line on the substrate.
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。 The operation and other advantages of the present invention will become more apparent from the embodiments explained below.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the present invention is applied to a liquid crystal device.
(第1実施形態)
先ず本発明の第1実施形態における電気光学装置の構成について、図1から図3を参照して説明する。図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図3は、図2のA−A’断面図である。尚、図3においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
(1st Embodiment)
First, the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wiring, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device. FIG. 2 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed. FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. In FIG. 3, the scale of each layer and each member is made different so that each layer and each member have a size recognizable in the drawing.
図1において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板(後述する)に形成された対向電極(後述する)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。
In FIG. 1, a plurality of pixels formed in a matrix and constituting an image display area of the electro-optical device according to the present embodiment are each provided with a
図2において、電気光学装置のTFTアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けられており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線3aが設けられている。
2, a plurality of
また、半導体層1aのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域1a’に対向するように走査線3aが配置されており、走査線3aはゲート電極として機能する(特に、本実施形態では、走査線3aは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている)。このように、走査線3aとデータ線6aとの交差する個所には夫々、チャネル領域1a’に走査線3aがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のTFT30が設けられている。尚、走査線3aはポリシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜等のシリコン膜や、ポリサイドやシリサイドを用いてもよい。
In addition, the scanning line 3a is arranged so as to face the
図2及び図3に示すように、本実施形態では特に、蓄積容量70は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e(及び画素電極9a)に接続された画素電位側容量電極としての中継層71aと、固定電位側容量電極としての容量線300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。画素電位側容量電極としての中継層71aは導電性のポリシリコン膜等からなる。固定電位側容量電極としての容量線300は導電性のポリシリコン膜や非晶質、単結晶からなるシリコン膜等からなる第1膜72と、高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第2膜73とが積層形成された多層膜からなる。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the present embodiment, particularly, the
この蓄積容量は遮光膜として機能している。ポリシリコン膜等からなる中継層71aは第2膜73と比較して光吸収性が高く、第2膜73とTFT30との間に配置された光吸収層として機能を持つ。また、容量線300は、それ自体で遮光膜として機能し、ポリシリコン膜等からなる第1膜72は第2膜73とTFT30との間に配置された光吸収層として機能を持ち、高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第2膜73はTFT30の上側において入射光からTFT30を遮光する遮光層として機能を持つ。すなわち、入射光側からの光は第2膜73で遮光され、第2膜73とTFT30との間に入った光は中継層71aと第1膜72で吸収される。
This storage capacitor functions as a light shielding film. The
容量線300は平面的に見て、走査線3aに沿ってストライプ状に伸びる本線部分を含み、この本線部分からTFT30に重なる個所が図2中上下に突出している。そして、図2中縦方向に夫々伸びるデータ線6aと図2中横方向に夫々伸びる容量線300とが交差する領域に、TFTアレイ基板10上におけるTFT30が配置されている。即ち、TFT30は、対向基板側から見て、データ線6aと内蔵遮光膜の一例たる容量線300とにより二重に覆われている。そして、このように相交差するデータ線6aと容量線300とにより、平面的に見て格子状の遮光層が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
The
他方、TFTアレイ基板10上におけるTFT30の下側には、下側遮光膜11aが格子状に設けられている。
On the other hand, below the
本実施形態では特に、格子状の下側遮光膜11aの形成領域は、同じく格子状の上側の遮光層(即ち、容量電極300及びデータ線6a)の形成領域内に位置する(即ち、一回り小さく形成され、下側遮光膜11aは、容量線300及びデータ線6aの幅より狭く形成されている)。そして、TFT30のチャネル領域1aは、その低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c(即ち、LDD領域)との接合部を含めて、このような格子状の下側遮光膜11aの交差領域内に(従って、格子状の上側遮光膜の交差領域内に)位置する。
In this embodiment, in particular, the formation region of the lattice-shaped lower light-shielding
これらの遮光層の一例を構成する第2膜73及び下側遮光膜11aは夫々、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。あるいはAl等の高融点金属でない金属を用いても良い。
The second film 73 and the lower light-shielding
また、このような第2膜73を含んでなる内蔵遮光膜の一例たる容量線300は、多層構造を有し、その第1膜72が導電性のポリシリコン膜であるため、係る第2膜73については、導電性材料から形成する必要はないが、第1膜72だけでなく第2膜73をも導電膜から形成すれば、容量線300をより低抵抗化できる。
The
また図3において、容量電極としての中継層71aと容量線300との間に配置される誘電体膜75は、例えば膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO膜、LTO膜等の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化膜等や、それらの積層膜から構成される。蓄積容量70を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜75は薄い程良い。
In FIG. 3, a
光吸収層として機能するのみならず容量線300の一部を構成する第1膜72は、例えば膜厚50nm〜150nm程度のポリシリコン膜又は非晶質、単結晶からなるシリコン膜からなる。また、遮光層として機能するのみならず容量線300の他の一部を構成する第2膜73は、例えば膜厚150nm程度のタングステンシリサイド膜からなる。このように誘電体膜75に接する側に配置される第1膜72をポリシリコン膜から構成し、誘電体膜75に接する中継層71aをポリシリコン膜から構成することにより、誘電体膜75の劣化を阻止できる。例えば、仮に金属シリサイド膜を誘電体膜75に接触させる構成を採ると、誘電体膜75に重金属等の金属が入り込んで、誘電体膜75の性能を劣化させてしまう。更に、このような容量線300を誘電体膜75上に形成する際に、誘電体膜75の形成後にフォトレジスト工程を入れることなく、連続で容量線300を形成すれば、誘電体膜75の品質を高められるので、当該誘電体膜75を薄く成膜することが可能となり、最終的に蓄積容量70を増大できる。
The
図2及び図3に示すように、データ線6aは、コンタクトホール81を介して中継接続用の中継層71bに接続されており、更に中継層71bは、コンタクトホール82を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。尚、中継層71bは、前述した諸機能を持つ中継層71aと同一膜から同時形成される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
また容量線300は、画素電極9aが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、TFT30を駆動するための走査信号を走査線3aに供給するための走査線駆動回路(後述する)や画像信号をデータ線6aに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路(後述する)に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板20の対向電極21に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜11aについても、その電位変動がTFT30に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線300と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
The
画素電極9aは、中継層71aを中継することにより、コンタクトホール83及び85を介して半導体層1aのうち高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。即ち、本実施形態では、中継層71aは、蓄積容量70の画素電位側容量電極としての機能及び光吸収層としての機能に加えて、画素電極9aをTFT30へ中継接続する機能を果たす。このように中継層71a及び71bを中継層として利用すれば、層間距離が例えば1000nm〜2000nm程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
The
図2及び図3において、電気光学装置は、透明なTFTアレイ基板10と、これに対向配置される透明な対向基板20とを備えている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板20は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
2 and 3, the electro-optical device includes a transparent
TFTアレイ基板10には、平面的に見て格子状の溝10cvが掘られている(図2中右下がりの斜線領域で示されている)。走査線3a、データ線6a、TFT30等の配線や素子等は、この溝10cv内に埋め込まれている。これにより、配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間における段差が緩和されており、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。
In the
図3に示すように、TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。画素電極9aは例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜16は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
As shown in FIG. 3, a
他方、対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
On the other hand, a
対向基板20には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く遮光層を構成する容量線300及びデータ線6aと共に当該対向基板20上の遮光膜により、対向基板20側からの入射光がチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板20上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このように対向基板20上の遮光膜は好ましくは、平面的に見て容量線300とデータ線6aとからなる遮光層の内側に位置するように形成する。これにより、対向基板20上の遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。
The opposing
このように構成された、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、TFTアレイ基板10及び対向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
Between the
更に、画素スイッチング用TFT30の下には、下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、下側遮光膜11aからTFT30を層間絶縁する機能の他、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の変化を防止する機能を有する。
Further, a
図3において、画素スイッチング用TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜2、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えている。
In FIG. 3, a
走査線3a上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール82及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83が各々開孔された第1層間絶縁膜41が形成されている。
On the scanning line 3a, a first
第1層間絶縁膜41上には中継層71a及び71b並びに容量線300が形成されており、これらの上には、中継層71a及び71bへ夫々通じるコンタクトホール81及びコンタクトホール85が各々開孔された第2層間絶縁膜42が形成されている。
Relay layers 71a and 71b and a
尚、本実施形態では、第1層間絶縁膜41に対しては、1000℃の焼成を行うことにより、半導体層1aや走査線3aを構成するポリシリコン膜(又は非晶質シリコン、単結晶シリコンからなるシリコン層)に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第2層間絶縁膜42に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線300の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
In the present embodiment, the first
第2層間絶縁膜42上にはデータ線6aが形成されており、これらの上には、中継層71aへ通じるコンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43が形成されている。画素電極9aは、このように構成された第3層間絶縁膜43の上面に設けられている。
The data lines 6a are formed on the second
以上のように構成された本実施形態によれば、対向基板20側からTFT30のチャネル領域1a’及びその付近に入射光が入射しようとすると、データ線6a及び内蔵遮光膜の一例たる容量線300(特に、その第2膜73)で遮光を行う。他方、TFTアレイ基板10側から、TFT30のチャネル領域1a’及びその付近に戻り光が入射しようとすると、下側遮光膜11aで遮光を行う(特に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からなる戻り光は強力であるので、有効である。)。
According to the present embodiment configured as described above, when the incident light attempts to enter the
例えば、対向基板20上の遮光膜のように、斜めの入射光や、高反射率のAl膜からなるデータ線6aや反射率の比較的高い高融点金属からなる第2膜の内面、すなわち、TFT30に面する側の表面に、斜めの戻り光が入射することにより発生する内面反射光、多重反射光などをTFT30から層間距離を隔てて遮光するのでは、遮光効果は低い。
For example, as in the case of a light-shielding film on the
これに比べて第1実施形態では、半導体層1aに対する層間距離が比較的小さくなるように配置可能な容量線300及びデータ線6a並びに下側遮光膜11aによりTFT30を遮光することができる。また、内面反射光、多重反射光などは、光吸収層としての第1膜72及び中継層71aにより吸収除去される。これらの結果、TFT30の特性が光リークにより劣化することは殆ど無くなり、当該電気光学装置では、非常に高い耐光性が得られる。
In contrast, in the first embodiment, the
特に本実施形態では、光吸収層としての第1膜72及び中継層71aは、導体化したポリシリコン膜(又はアモルファスシリコン等のシリコン膜)からなり、チャネル領域も閾値電圧Vth制御のためにP、B、As等をドープした又はノンドープのポリシリコン膜(又はアモルファスシリコン等のシリコン膜)からなるので、チャネル領域における光吸収特性(周波数依存性等)と類似或いは同一の光吸収特性を、当該光吸収層が有する。従って、チャネル領域1a’で吸収されることにより光リークの原因となる周波数成分を中心として、第1膜72及び中継層71aにより光を吸収除去できるので好都合である。すなわち、TFTチャネルと光吸収層を同一の主材料で形成することにより光吸収性効果を高めている。
In particular, in the present embodiment, the
以上説明したように第1実施形態の電気光学装置によれば、TFT30の上方で、データ線6aと内蔵遮光膜の一例たる容量線300とが交差しているので、これらによりTFT30は二重に遮光される。従って、例えば0.1%程度の透過率を持つAl膜からなるデータ線と、例えば0.1%程度の透過率を持つ高融点金属膜からなる第2膜73を含む容量線300とを用いても、両者が二重に遮光することにより、例えば、0.00001〜0.000001%程度の極めて高い透過率が得られる。しかも、このように単独では十分な遮光性能が得られない程度に薄いデータ線6aと容量線300とを二重に重ねて必要な遮光性能を得、更に遮光以外の諸機能を有するデータ線6a及び容量線300を遮光膜として用いるので、TFTアレイ基板10上の積層構造を厚くせず、且つその構造を単純化する上で、大変有利である。更に、基板面に垂直な光ではなく、データ線6aに沿った方向(図2で縦方向)に傾斜して斜めにTFT30のチャネル領域1a’に向かう光を、データ線6aで遮光でき、容量線300の本線部分に沿った方向(図2で横方向)に傾斜して斜めにTFT30のチャネル領域1a’に向かう光は、当該本線部分で遮光できる。
As described above, according to the electro-optical device of the first embodiment, since the
本実施形態では特に、内蔵遮光膜の一例たる容量線300は、データ線6aよりも下側に積層されている。即ち、データ線6aとチャネル領域1a’との間には定電位とされる容量線300が介在するので、データ線6aとチャネル領域1a’との間における容量カップリングの悪影響を低減できる。
In this embodiment, in particular, the
次に、図4及び図6を参照して、本実施形態における遮光及び光吸収について更に説明を加える。ここに、図4は、画像表示領域におけるデータ線6a及び容量線300からなる格子状の上側遮光膜、並びに単独で格子状の下側遮光膜11aを抽出し且つ拡大して示す図式的な平面図であり、図5及び図6は、図4のB−B’断面における、遮光及び光吸収の様子を示す図式的な断面図である。
Next, referring to FIGS. 4 and 6, light-shielding and light absorption in the present embodiment will be further described. Here, FIG. 4 is a schematic plan view in which the lattice-shaped upper light-shielding film composed of the
図4に示すように、本実施形態では各画素の非開口領域は、主に容量線300と、(コンタクトホール81及び82の形成用に容量線300が途切れている個所における)データ線6aとからなる遮光層により格子状に規定される。従ってこれらの容量線300及びデータ線6aにより、光抜けが生じてコントラス比が低下するのを効果的に防止できる。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the non-opening region of each pixel mainly includes the
ここでTFT30の上側には、これらの容量線300及びデータ線6aが格子状に存在し、TFT30の下側には、格子状に配置された下側遮光膜11aが存在し、下側遮光膜11aの形成領域は、容量線300及びデータ線6aからなる格子状の遮光層の形成領域内に位置している。
Here, the
従って図5に示すように、当該電気光学装置における上側(即ち、入射光の入射側)から入射する入射光L1に対しては、容量線300の第2膜73及びデータ線6aが、遮光層として機能する。従って、このような入射光L1がTFT30に到達することを防止できる。更に、下側遮光膜11aは、上側にある遮光層(即ち、容量線300の第2膜73及びデータ線6a)よりも一回り小さく形成されているので、入射光L1に含まれる斜めの成分が、上側の遮光層(容量線300及びデータ線6a)の脇を抜けて、下側遮光膜11aの内面で反射することによる内面反射光や多重反射光の発生も低減されている。
Therefore, as shown in FIG. 5, the second film 73 of the
他方、図6に示すように、当該電気光学装置における下側(即ち、入射光の出射側)から入射する戻り光L2に対しては、下側遮光膜11aが遮光層として機能する。従って、このような戻り光L2がTFT30に到達することを防止できる。ここで、下側遮光膜11aは、上側にある遮光層(即ち、容量線300の第2膜73及びデータ線6a)よりも一回り小さく形成されているので、戻り光L2に含まれる斜めの成分の一部が、下側遮光層11aの脇を抜けて、上側にある遮光層の内面(特に、容量線300の内面)に向かって進む。しかしながら、上側にある遮光層(即ち、容量線300の第2膜73及びデータ線6a)とTFT30との間には、光吸収層(即ち、容量線300の第1膜72及び中継層71a)が存在するので、このように戻り光L2に含まれる斜めの成分並びに、係る成分が上側の遮光層(即ち、容量線300の第2膜73及びデータ線6a)の内面で反射することによる内面反射光L3及び多重反射光L4は、光吸収層により吸収除去される。
On the other hand, as shown in FIG. 6, the lower light-shielding
尚、下側遮光膜11aの内面にも光吸収層を設けてもよい。このように構成すれば、下側遮光膜11aの内面に到達する斜めの入射光や、これに起因する内面反射光或いは多重反射光を、当該光吸収層で吸収除去可能となる。
Note that a light absorbing layer may be provided on the inner surface of the lower light-shielding
以上の結果、本実施形態により、TFT30を遮光するための遮光膜の膜厚増大を極力抑えつつ、耐光性を高めることにより画素スイッチング用TFT30の光リークによる特性変化を低減でき、最終的にコントラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可能となる。
As a result, according to the present embodiment, it is possible to reduce the change in characteristics of the
以上説明した実施形態では、蓄積容量70の固定電位側電極を含む容量線300を、内蔵遮光膜とする構成を採用しているが、蓄積容量70の画素電位側電極を内蔵遮光膜として構成することも可能であり、或いは画素電極9aとTFT30とを中継接続する中継層を内蔵遮光膜として構成することも可能である。いずれの場合にも、高融点金属膜等の導電性の遮光膜から画素電位側容量電極或いは中継層を形成すればよい。
In the embodiment described above, the configuration is adopted in which the
以上説明した実施形態では、図3に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極9aの下地面(即ち、第3層間絶縁膜43の表面)におけるデータ線6aや走査線3aに沿った領域に段差が生じるのを、TFTアレイ基板10に溝10cvを掘ることで緩和しているが、これに変えて又は加えて、下地絶縁膜12、第1層間絶縁膜41、第2層間絶縁膜42、第3層間絶縁膜43に溝を掘って、データ線6a等の配線やTFT30等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第3層間絶縁膜43や第2層間絶縁膜42の上面の段差をCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理等で研磨することにより、或いは有機SOGを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
In the embodiment described above, as shown in FIG. 3, by stacking a large number of conductive layers, the
更に以上説明した実施形態では、画素スイッチング用TFT30は、好ましくは図3に示したようにLDD構造を持つが、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線3aの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のTFTであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用TFT30のゲート電極を高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFTを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部の光リーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
Further, in the embodiment described above, the
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について第7図を参照して説明する。ここに図7は、第2実施形態における、図2のA−A’断面に対応する個所の断面図である。また、図7に示す第2実施形態では、図3に示した第1実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
(2nd Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the AA ′ cross-section in FIG. 2 in the second embodiment. Further, in the second embodiment shown in FIG. 7, the same components as those in the first embodiment shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図7において、第2実施形態の電気光学装置では、データ線6a’の積層位置が、容量線300’、画素電位側電極を兼ねる中継層71a’及び誘電体膜75’からなる蓄積容量70’の積層位置よりも下側にある。これに伴いコンタクトホール82’によりデータ線6a’と高濃度ソース領域1dとが接続されており、コンタクトホール83’により中継層71a’と高濃度ドレイン領域とが接続されている。そして、図4から図6を参照して説明したのと同様に、データ線6a’による内面反射を低減するように光吸収層172がデータ線6a’の内面側に形成されている。その他の構成については、図1から図3を参照して説明した第1実施形態と同様である。
In FIG. 7, in the electro-optical device according to the second embodiment, the
従って第2実施形態によれば、TFT30のチャネル領域1a’は、その上方から先ずデータ線6aにより覆われ、更にその上方から内蔵遮光膜の一例たる容量線300’により覆われるので、高い遮光性能が得られる。しかも、データ線6a’の内面に至る光は、光吸収層172により吸収されるので、データ線6a’或いは容量線300’に入射する入射光に対する遮光性能を高めつつ、データ線6a’の内面で発生する内面反射光を低減できる。
Therefore, according to the second embodiment, the
(電気光学装置の全体構成)
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図8及び図9を参照して説明する。尚、図8は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図9は、図8のH−H’断面図である。
(Overall configuration of electro-optical device)
The overall configuration of the electro-optical device according to each embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. 8 is a plan view of the
図9において、TFTアレイ基板10の上には、シール材52がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域10aの周辺を規定する額縁としての遮光膜53が設けられている。シール材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線6aを駆動するデータ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられており、走査線3aに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線3aを駆動する走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。走査線3aに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路104は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両側に配列してもよい。更にTFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的に導通をとるための導通材106が設けられている。そして、図9に示すように、図8に示したシール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が当該シール材52によりTFTアレイ基板10に固着されている。
In FIG. 9, a sealing
尚、TFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
In addition, on the
以上図1から図9を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わりに、例えばTAB(Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用LSIに、TFTアレイ基板10の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板20の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の出射光が出射する側には各々、例えば、TNモード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
In the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 9, the data
(電気光学装置の応用例)
以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図10は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、内部に配置された3枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ100R、100Gおよび100Bにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ100R、100Gおよび100Bの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路(図示省略)から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、B色の光は、他のR色やG色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123および出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。
(Application example of electro-optical device)
The electro-optical device according to each embodiment described above can be applied to a projector. A projector using the above-described electro-optical device as a light valve will be described. FIG. 10 is a plan view showing the configuration of this projector. As shown in this figure, inside the
さて、ライトバルブ100R、100G、100Bによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム1112において、R色およびB色の光は90度に屈折する一方、G色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン1120には、投射レンズ1114によってカラー画像が投射されることとなる。
The lights modulated by the
なお、ライトバルブ100R、100Gおよび100Bには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ100R、100Bの透過像はダイクロイックミラー1112により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ100Gの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ100R、100Bによる表示像を、ライトバルブ100Gによる表示像に対して左右反転させる構成となっている。
Since light corresponding to each of the primary colors R, G, and B is incident on the
尚、各実施形態では、対向基板20に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極9aに対向する所定領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板20上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板20上に1画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、TFTアレイ基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
In each embodiment, the opposing
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or the idea of the invention which can be read from the claims and the entire specification, and the electro-optic with such changes The device is also included in the technical scope of the present invention.
1a…半導体層
1a’…チャネル領域
1b…低濃度ソース領域
1c…低濃度ドレイン領域
1d…高濃度ソース領域
1e…高濃度ドレイン領域
2…絶縁薄膜
3a…走査線
6a…データ線
9a…画素電極
10…TFTアレイ基板
10cv…溝
11a…下側遮光膜
12…下地絶縁膜
16…配向膜
20…対向基板
21…対向電極
22…配向膜
30…TFT
50…液晶層
70…蓄積容量
71a…中継層
71b…中継層
72…容量線の第1膜
73…容量線の第2膜
75…誘電体膜
81、82、83、85…コンタクトホール
300…容量線
50
Claims (7)
前記一対の基板で挟持された電気光学物質と、
前記一方の基板に、マトリクス状に配置された画素電極と、
前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対向し、誘電体膜とこの誘電体膜を挟む一対の光吸収性の容量電極とでなる保持容量とを備えることを特徴とする電気光学装置。 A pair of substrates,
An electro-optic material sandwiched between the pair of substrates,
A pixel electrode disposed in a matrix on the one substrate;
A thin film transistor electrically connected to the pixel electrode,
An electro-optical device, comprising: a storage capacitor facing the thin film transistor, the storage capacitor including a dielectric film and a pair of light-absorbing capacitor electrodes sandwiching the dielectric film.
前記一対の基板で挟持された電気光学物質と、
前記一方の基板に、マトリクス状に配置された画素電極と、
前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対向し、誘電体膜とこの誘電体膜を挟む一対の導電性ポリシリコンでなる容量電極とでなる保持容量とを備えることを特徴とする電気光学装置。 A pair of substrates,
An electro-optic material sandwiched between the pair of substrates,
A pixel electrode disposed in a matrix on the one substrate;
A thin film transistor electrically connected to the pixel electrode,
An electro-optical device comprising: a storage capacitor facing the thin film transistor, the storage capacitor including a dielectric film and a pair of conductive electrodes made of conductive polysilicon sandwiching the dielectric film.
請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電気光学装置でなるライトバルブと、
前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する導光部材と、
前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とする投射型表示装置。
A light source,
A light valve comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 6,
A light guide member that guides light generated from the light source to the light valve,
A projection optical member for projecting light modulated by the light valve.
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