JP2004352855A5 - Tape with adhesive for semiconductor, substrate for semiconductor connection, and semiconductor device - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】有機絶縁性フィルム上に接着剤層および保護フィルム層を有する半導体用接着剤付きテープにおいて、硬化前の接着剤層の１５０℃における動的粘弾性の貯蔵弾性率Ｅが１０≦Ｅ≦２００ｋＰａであり、かつ散逸率Ｔが０．２５≦Ｔ≦０．６であり、該接着剤層中に含まれる沸点１００〜２５０℃の溶剤の接着剤層中における総含有率が０．５〜２ｗｔ％であることを特徴とする半導体用接着剤付きテープ。
【請求項２】 有機絶縁性フィルム上に接着剤層および保護フィルム層を有する半導体用接着剤付きテープにおいて、硬化前の接着剤層の１５０℃における動的粘弾性の貯蔵弾性率Ｅが１０≦Ｅ≦２００ｋＰａであり、かつ散逸率Ｔが０．２５≦Ｔ≦０．６であり、該接着剤層が、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００未満である少なくとも１種の低分子ポリアミド樹脂と、１００，０００以上である少なくとも１種の高分子ポリアミド樹脂を含有することを特徴とする半導体用接着剤付きテープ。
【請求項３】接着剤層が、２５℃において液体である炭素数１２〜５０の脂肪酸を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体用接着剤付きテープ。
【請求項４】接着剤層が、フェノール樹脂を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用接着剤付きテープ。
【請求項５】接着剤層が、エポキシ樹脂を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用接着剤付きテープ。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか記載の半導体用接着剤付きテープを用いてなる半導体接続用基板。
【請求項７】請求項６記載の半導体用接続用基板を用いてなる半導体装置。 [Claims]
    An adhesive tape for a semiconductor having an adhesive layer and a protective film layer on an organic insulating film, wherein the adhesive layer before curing has a storage elastic modulus E of dynamic viscoelasticity at 150 ° C. of 10 ≦ 10. E ≦ 200 kPa and the dissipation rate T is 0.25 ≦ T ≦ 0.6The total content of the solvent having a boiling point of 100 to 250 ° C. contained in the adhesive layer in the adhesive layer is 0.5 to 2 wt%.A tape with an adhesive for semiconductors, characterized in that:
    (2) In an adhesive tape for a semiconductor having an adhesive layer and a protective film layer on an organic insulating film, the storage elastic modulus E of the dynamic viscoelasticity at 150 ° C. of the adhesive layer before curing is 10 ≦ E ≦ 200 kPa. And an adhesive layer having a dissipation factor T of 0.25 ≦ T ≦ 0.6 and at least one low molecular weight polyamide resin having a weight average molecular weight (Mw) of less than 10,000; Characterized by containing at least one kind of high-molecular polyamide resin as described above.Tape with adhesive for semiconductor.
    3. The adhesive tape for a semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive layer contains a fatty acid having 12 to 50 carbon atoms, which is a liquid at 25 ° C.
    4. The tape with an adhesive for semiconductors according to claim 1, wherein the adhesive layer contains at least one kind of phenolic resin.
    5. The tape with an adhesive for semiconductors according to claim 1, wherein the adhesive layer contains at least one kind of epoxy resin.
    Claims6Claim 15A substrate for semiconductor connection using the tape with a semiconductor adhesive according to any one of the above.
    Claims7Claims6A semiconductor device using the semiconductor connection substrate according to any one of the preceding claims.

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体用接着剤付きテープおよび半導体接続用基板ならびに半導体装置に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、半導体集積回路を実装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポ−ザー等の半導体接続用基板、リードフレーム固定テープ、ＬＯＣ固定テープ、半導体素子等の電子部品とリードフレームや絶縁性支持基盤等の支持部材との接着、すなわち、ダイボンディング材、ヒートスプレッター、補強板、シールド材の接着剤、ソルダーレジスト、異方導電性フィルム、銅張り積層板およびカバーレイ等を作成するために適した接着剤を用いた半導体用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体接続用基板ならびに半導体装置に関するものである。 [0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor with adhesive tape and semiconductors connecting substrate and a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a semiconductor connection substrate, such as a tape automated bonding (TAB) type pattern processing tape and a ball grid array (BGA) package interposer, which are used when mounting a semiconductor integrated circuit; Adhesion between lead frame fixing tape, LOC fixing tape, electronic components such as semiconductor elements and supporting members such as lead frames and insulating support bases, ie, die bonding materials, heat spreaders, reinforcing plates, adhesives for shielding materials, solders resist, anisotropic conductive film, a semiconductor body connecting substrate and a semiconductor device using the tape and it attached semiconductor adhesive using an adhesive suitable for making copper clad laminates and coverlay etc. Things.

【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の半導体用接着剤付きテープは、有機絶縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有する半導体用接着剤付きテープにおいて、硬化前の接着剤層の１５０℃における動的粘弾性の貯蔵弾性率Ｅが１０≦Ｅ≦２００ｋＰａであり、かつ散逸率Ｔが０．２５≦Ｔ≦０．６であり、該接着剤層中に含まれる沸点１００〜２５０℃の溶剤の接着剤層中における総含有率が０．５〜２ｗｔ％であることを特徴とする半導体用接着剤付きテープである。あるいは、有機絶縁性フィルム上に接着剤層および保護フィルム層を有する半導体用接着剤付きテープにおいて、硬化前の接着剤層の１５０℃における動的粘弾性の貯蔵弾性率Ｅが１０≦Ｅ≦２００ｋＰａであり、かつ散逸率Ｔが０．２５≦Ｔ≦０．６であり、該接着剤層が、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００未満である少なくとも１種の低分子ポリアミド樹脂と、１００，０００以上である少なくとも１種の高分子ポリアミド樹脂を含有することを特徴とする半導体用接着剤付きテープである。 [0023]
[Means for Solving the Problems]
The tape with an adhesive for a semiconductor of the present invention for solving the above-mentioned problems is a tape with an adhesive for a semiconductor having an adhesive layer and a protective film layer on an organic insulating film. storage elastic modulus of dynamic viscoelasticity at ° C. E is 10 ≦ E ≦ 200 kPa, and Ri dissipation factor T is 0.25 ≦ T ≦ 0.6 der boiling point 100 to 250 included in the adhesive layer A tape with an adhesive for semiconductors, characterized in that the total content of the solvent at a temperature of 0 ° C in the adhesive layer is 0.5 to 2 wt% . Alternatively, in an adhesive tape for a semiconductor having an adhesive layer and a protective film layer on an organic insulating film, the storage elastic modulus E of the dynamic viscoelasticity at 150 ° C. of the adhesive layer before curing is 10 ≦ E ≦ 200 kPa And the dissipation factor T is 0.25 ≦ T ≦ 0.6, and the adhesive layer comprises at least one low molecular weight polyamide resin having a weight average molecular weight (Mw) of less than 10,000; A tape with an adhesive for semiconductors, characterized by containing at least one kind of high-molecular polyamide resin of 2,000 or more.

また、本発明の半導体用接着剤付きテープは、さらに次の好ましい態様を有するものである。
(b) 接着剤層が、２５℃において液体である炭素数１２〜５０の脂肪酸を含むこと。
(c) 接着剤層が、フェノール樹脂を少なくとも１種類以上含むこと。
(d) 接着剤層が、エポキシ樹脂を少なくとも１種類以上含むこと。 Further, the adhesive tape for a semiconductor according to the present invention further has the following preferable aspect .
( b) The adhesive layer contains a fatty acid having 12 to 50 carbon atoms which is liquid at 25 ° C.
(c) The adhesive layer contains at least one kind of phenol resin.
(d) The adhesive layer contains at least one type of epoxy resin .

本発明の半導体用接着剤付きテープは、半導体接続用基板ならびにそれを用いた銅張り積層板および半導体装置の製造に好適に用いられる。 Semiconductor adhesive tape with the present invention is suitably used for the production of copper-clad laminates and a semiconductor device using semiconductors contact substrate and it for connection.

本発明の半導体接続用基板は、上記半導体用接着剤付きテープを使用したものであり、また本発明の半導体装置は、上記半導体接続用基板を用いたものである。 Semiconductors connection substrate of the present invention are those described above was used for semiconductor with adhesive tape and the semiconductor device of the present invention using the above-mentioned semiconductors connection substrate.

本発明の半導体用接着剤付きテープをＴＡＢ用テープとして用いる場合は、上記半導体用接着剤付きテープを所定のパターンを有するパンチング用金型を設置しているプレス機によってパンチングを行い、保護フィルム層を剥離し銅箔ラミネートを行った後、加熱処理する。銅箔ラミネート条件は、温度１００〜１６０℃、押圧０．１〜０．３ＭＰaが好ましい。また加熱条件は、ステップ加熱していくことが好ましく、５０〜９０℃の比較的低温領域から除々に昇温しながら最終的には１５０〜１８０℃まで昇温していく。次いで、フォトリソグラフィ−により半導体集積回路接続用の導体回路を形成することで半導体接続用基板が得られ、その半導体接続用基板を用いて、好適には４００〜５００℃、１秒〜１分の条件でインナーリードボンディングを行ない、半導体集積回路を接続し、しかる後に、エポキシ系液状封止剤で樹脂封止を行なうことで半導体装置を製造することができる。 When the tape with an adhesive for semiconductors of the present invention is used as a tape for TAB, the tape with an adhesive for semiconductors is punched by a press machine equipped with a punching die having a predetermined pattern to form a protective film layer. And heat-treated after laminating the copper foil. The copper foil lamination conditions are preferably a temperature of 100 to 160 ° C. and a pressure of 0.1 to 0.3 MPa. As for the heating condition, it is preferable to perform step heating, and gradually raise the temperature to 150 to 180 ° C. while gradually increasing the temperature from a relatively low temperature range of 50 to 90 ° C. Then, photolithography - by semiconductors connection substrate is obtained by forming a conductive circuit for a semiconductor integrated circuit connection, using the semiconductors connection substrate, preferably 400 to 500 ° C., A semiconductor device can be manufactured by performing inner lead bonding under a condition of 1 second to 1 minute, connecting a semiconductor integrated circuit, and thereafter performing resin sealing with an epoxy liquid sealing agent.

（ｂ）半導体接続用基板の作成
上記の手順で得られたＴＡＢ用テープを用いて、前述の評価方法（３）と同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図４に示すパターンテープを得た。 Using TAB tape obtained in creating the above procedure (b) semiconductors connection substrate to form a conductive circuit for a semiconductor integrated circuit connected in the same manner as the evaluation method described above (3), The pattern tape shown in FIG. 4 was obtained.

【００９３】
【発明の効果】
本発明によれば、低温かつ低圧でのラミネート性に優れた新規な半導体用接着剤付きテープが得られる。この半導体用接着剤付きテープを用いることで高密度実装用の半導体装置ならびに半導体接続用基板を工業的に有利に製造することができ、得られる半導体装置の信頼性を向上させることができる。 [0093]
【The invention's effect】
According to the present invention, a novel for semiconductors adhesive-backed tape having excellent lamination properties at low temperature and low pressure is obtained. This for semiconductors semiconductor device and semiconductors connection substrate for high-density mounting by using the adhesive-backed tape industrially can be advantageously produced, improve the reliability of the semiconductor device obtained be able to.