JP2004349244A - 自発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 68
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 31
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 19
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 59
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】光の取り出し効率を向上でき、さらには広い面での発光が可能になる自発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この有機EL装置は、乱反射面21aを形成したガラス基板21と、このガラス基板21の乱反射面21aを除いた基板面に、EL材料を含有した層を含む複数の層を積層形成された発光部25と、この発光部25に隣接してガラス基板21の乱反射面21aの上に形成された光拡散部23とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】この有機EL装置は、乱反射面21aを形成したガラス基板21と、このガラス基板21の乱反射面21aを除いた基板面に、EL材料を含有した層を含む複数の層を積層形成された発光部25と、この発光部25に隣接してガラス基板21の乱反射面21aの上に形成された光拡散部23とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば有機LED、無機ELなどと呼ばれる自発光装置およびその製造方法に関する。
従来の有機EL(有機エレクトロルミネッセンス、別称:有機LED)などを用いた自発光装置は、有機ELの発光時のジュール熱による発光物質の結晶化(非晶質からガラス状に結晶化することで絶縁物になり発光しなくなる。)による影響で大面積化が非常に困難であった。
また、有機ELなどは、屈折率差がある材料をガラス基板上に積層して形成しているため、有機ELなどの発光部から発光された光は、その影響、つまりファイバー効果でサイドに放射されてしまい、所望方向へ光を取り出す効率が悪かった。
そこで、この効率悪化の問題を解決するために、ガラス基板の表面全面を凹凸状に加工する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。
さらに、有機ELは水分が存在すると劣化が促進されるため、光を取り出す側のガラス基板とは反対側の面を、ガラスや金属板を皿状に成形した封止板で気密に覆い、封止板の内側に乾燥剤を配置することが行われている。
特開2002−043054
しかしながら、この技術の場合、有機ELなどの発光部からガラス基板表面までの遠い位置で光を乱反射させる構造のため、期待していたほど光を取り出す効率が上がらないという問題があった。
また、光を取り出す側のガラス基板とは反対側の面を、封止板で気密に覆い、その内側に乾燥剤を配置すると、乾燥剤の配置スペースの分だけ厚さが厚くなってしまい、厚さが薄いという有機ELの特長が損なわれてしまうという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、光を取り出す効率を向上でき、さらには広い面での発光を可能とする自発光装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
また、本発明は、乾燥剤を用いても実質的に厚さが増加しない自発光装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
上記した目的を達成するために、第1発明の自発光装置は、片面に所定のパターンで導電体が形成され、前記導電体の形成面で前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成した基板と;前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板の前記乱反射面上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散部と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;を具備したことを特徴としている。
また、第1発明の自発光装置は、片面に所定のパターンで導電体が形成され、前記導電体の形成面で前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成した基板と;前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板の前記乱反射面上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散部と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部および光拡散部の上に形成され、前記光拡散部との境界に第2の乱反射面を形成した電極と;を具備している。
なお、光拡散部は、白色系の光拡散性保護層であることが好ましい。また、光拡散部は透明粒子を含有していることが好ましい。
第2発明の自発光装置は、片面に所定のパターンで導電体が形成された基板と;前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板面上に前記導電体と隣接させて形成した乾燥剤を含有する光拡散部と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;を具備したことを特徴としている。
また第2発明の自発光装置は、片面に所定のパターンで導電体が形成された基板と;前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散性を有する乾燥剤を含有する光拡散部と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;を具備したことを特徴としている。
さらに、第3発明の自発光装置は、片面に所定のパターンで透明性導電体が形成された透光性基板と;前記透明性導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した発光層と該発光層の上に形成された正孔輸送層とを含み、前記発光層と前記正孔輸送層の少なくとも一方に光拡散性を有する微粒子を含有した発光部と;光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板面上に前記透明性導電体と隣接させて形成した光拡散部と;前記透明性導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;を具備したことを特徴としている。
本発明に用いられる基板としては、ガラス基板が最適であるが、ガラス基板以外であっても透光性を有し、表面に導電体を形成できるものであれば、ガラス基板に限定されるものではない。また、基板は光を放射する側が透光性を有すればよい。
また、本発明において、基板に形成される導電体は、この導電体を透過させて光を放射させる場合には、ITO(酸化インジウム錫)のような透明な導電体とする必要があるが、光拡散部のみから光を放射させる場合には、光不透過性の導電体であってもよい。このような光不透過性の導電体材料としては、電気抵抗の低い、例えば、アルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、クロム、アルミニウム・マグネシウム合金などを使用することができる。
本発明における発光部には、通常、正孔輸送層、発光層、電子注入層を順に基板上に積層して形成され、正孔輸送層には、例えばα-NPD、Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine等が用いられ、発光層には、例えば、アルミキノリウム錯体(ALq3:Tris(8-hydroxyquino linato)aluminum(III)等が用いられる。
本発明における光拡散部には、例えば、UV(紫外線)硬化性や熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドや熱可塑性のフッ素樹脂等の光透過性高分子材料が主として用いられる。
本発明における光拡散部や発光部に用いられる光拡散性の微粒子は、ベースの高分子材料中にあって入射した光を反射あるいは屈折させる性質を有するものであって、数十nmサイズのシリカ、セリア、アルミナ等の無機材料の微粒子や数十nmサイズのアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等の透明高分子材料の微粒子が例示される。これらは、いずれも重量比で0.05〜5.0重量%の範囲で光拡散部や発光部の材料中に配合される。
また、本発明において光拡散部に用いられる乾燥剤としては、活性炭、モレキュラーシーブ、ゼオライトのような比表面積が大きく物理吸着により水分を吸収する多孔質材料や、酸化バリウム、酸化マグネシウムのような化学的に水を吸着する金属酸化物等が用いられる。これらは、光拡散部に用いられる高分子材料中に配合して用いられるが、特に、これらの高分子材料と屈折率に差がある光拡散性の大きい微粒子状のものが適している。
さらに、本発明において発光部上に形成される電極は、基板側から光を取り出す場合には、可視光を反射する金属であるアルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、クロム、アルミニウム・マグネシウム合金のいずれか1つ以上から形成される良導電体であることが望ましいが、光を基板と反対側からも取り出す場合には、前述した透明性導電体を用いることも可能である。
第1発明の自発光装置の製造方法は、基板にライン状の導電体を形成する工程と;前記ライン状の導電体をマスキングしその上から前記基板をブラスト処理して前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成する工程と;前記乱反射面の上に絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;前記導電体のマスキングを除去し、前記導電体の上にエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;を有することを特徴としている。
また、第1発明の自発光装置の製造方法は、基板の一面に導電体を積層形成する工程と;前記導電体にライン状にマスキングしてエッチング処理し、前記基板にライン状の陽極パターンを形成する工程と;ライン状の陽極パターンにマスキングしたまま前記基板の面をブラスト処理して陽極パターン以外の基板面に乱反射面を形成する工程と;前記乱反射面の上に白色系の絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;前記ライン状の陽極パターンのマスキングを除去し、前記陽極パターンの上にエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;前記陽極パターンと少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;を有することを特徴としている。
第2発明の自発光装置の製造方法は、基板に導電体を形成する工程と;前記導電体上にライン状にマスキングを施す工程と;前記基板の導電体の露出部を除去する工程と;前記基板の導電体の露出部に乾燥剤を配合した絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;前記導電体のマスキングを除去し、前記導電体の上にエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;を有することを特徴としている。
第3発明の発光装置の製造方法は、基板に導電体を形成する工程と;前記導電体上にライン状にマスキングを施す工程と;前記基板の導電体の露出部を除去する工程と;前記基板の導電体の露出部に乾燥剤を配合した、又は配合しない絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;前記導電体のマスキングを除去し、前記導電体の上に発光層と前記正孔輸送層の少なくとも一方に光拡散性を有する微粒子を含有した材料を用いてエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;を有することを特徴としている。
以上説明したように、第1発明によれば、自発光装置において、発光部から発光された光を取り出す効率を向上でき、さらには広い面での発光を可能にできる。また、光拡散部に、光拡散性を有する微粒子を含有させた場合には、基板とこれに近接した光拡散部との境界である基板面、あるいは光拡散部の表裏両面に乱反射面を形成したことで、発光部から一番近い位置で光が乱反射するようになるので、有機ELの発光層(光源)から発光された光がファイバー効果で基板内を通じて逃げるのを防ぐとともに、反射効果のある電極との多重反射により光が所望の方向(前面方向)へ照射される量が増加し、光の取り出し効率を向上でき、さらには広い面での発光が可能になる。
第2発明によれば、光拡散部に乾燥剤を含有させることにより、光拡散部と乾燥剤の設置が同時に行えるとともに、乾燥剤も光拡散に寄与するため、前面方向への光の照射が高効率になるという効果がある。また、封止の際、封止基板に凹部加工を施した特殊な基板を用いる必要がなく、発光された光を支持基板とは反対側から取り出す上面発光方式であっても、乾燥剤の配置による影響を受けないという利点がある。
第3発明によれば、発光部自体に光拡散性を有する微粒子を配合したので、有機ELの発光層(光源)から発光された光がファイバー効果で基板内を通じて逃げるのを一層防ぐことができ、反射効果のある電極との多重反射により光が所望の方向(前面方向)へ照射される量が増加し、光の取り出し効率を向上できる。
なお、第1乃至第3発明を組み合わせて用いた場合には、相乗作用により一層顕著な上記効果を得ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は第1発明に係る一つの実施形態の有機EL装置の構成を示す図、図2は図1の有機EL装置のA−A’断面図、図3は図1の有機EL装置の要部拡大図である。
図1,2に示すように、この有機EL装置は、例えば光をマトリクス状に発光させるために、基板としてのガラス基板21と、このガラス基板21上にライン状に形成した透明性導電体としての陽極22と、ガラス基板21の上に有機発光材料であるエレクトロルミネッセンス材料(以下EL材料と称す)を含有した層を含む複数の層を積層してライン状に形成された発光部25と、この発光部25に隣接してガラス基板21上に形成された光拡散部23と、この光拡散部23が形成されたガラス基板21の面に形成された第1の乱反射面としての乱反射面21a(図3参照)と、陽極22と対向して交差するようにライン状に形成された金属電極としての陰極24と、ガラス基板21の上に塗布した封止用接着剤28を介して発光部25を密閉する皿状の封止用ガラス基板27と、この封止用ガラス基板27の内面に取り付けられた乾燥剤26とを備えている。
ガラス基板21の厚みは、例えば1.5mm程度である。光拡散部23は、乱反射面21aを全て埋める程度の厚い白色の光拡散性保護層とされている。光拡散性保護層は、白色の他、例えば半透明あるいは白色に近似する色(白色系の色)でもよい。光拡散部23は、光拡散性の絶縁材料を主成分としている。光拡散部23の厚みは例えば1.5μm程度である。陰極24は、アルミニウム等の材料で形成された金属電極であり、厚みは例えば1.0μm程度である。
発光部25は、ほぼ正方形に複数形成されている。発光部25は、それぞれR色、G色、B色に発光する、または可視光の範囲内にスペクトルを放射する白色の有機LED(別称有機EL)光源である。上から見ると、発光部25と発光部25との間に光拡散部23が形成されている。なお、発光部25は、光拡散部23側の一辺を長くすることで光を一定の方向に導く効率を良くすることができる。
封止用ガラス基板27は、光を透過する必要がないので、ガラス以外に、例えば金属等の材料を用いてもよい。封止用ガラス基板27の内面は、皿状にくぼんでおり空間が設けられている。この空間に酸素、水を除去する乾燥剤26が取り付けられている。
図3に示すように、ガラス基板21には、陽極22(ITO膜)がライン状に形成されている。陽極22(ITO膜)の厚みは例えば2.0μm程度である。また、陽極22(ITO膜)以外のガラス基板21の面には乱反射面21aが形成されている。陽極22(ITO膜)の上には、発光部25が形成されている。陽極22(ITO膜)は透明であることから発光部25と一体的に呼んでもよい。発光部25は、正孔輸送層32、発光層33、電子注入層34を順に積層形成したものである。正孔輸送層32には、例えばα-NPD、Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine等が用いられている。正孔輸送層32の厚みは、例えば0.04μm程度である。発光層33には、アルミキノリウム錯体(ALq3:Tris(8-hydroxyquino linato)aluminum(III)が用いられている。発光層33の厚みは、例えば0.07μm程度である。電子注入層34には、フッ化リチウム(LiF)が用いられている。
電子注入層34の厚みは、例えば0.0007μm程度である。
電子注入層34の厚みは、例えば0.0007μm程度である。
ガラス基板21の乱反射面21aには、発光部25に近接させて白色透光性の絶縁材料で光拡散部23が形成されている。光拡散部23は光拡散性の保護膜(レジスト膜)である。白色透光性の絶縁材料としては、アクリル、エポキシ樹脂等が用いられている。これら光拡散部23および発光部25の上には、陽極22と交差する方向に陰極24がライン状に形成されている。陰極24の上には空間を隔てて封止用ガラス基板27が配設されている。この封止用ガラス基板27と最下部のガラス基板21とで発光部25を密封し、空気、水分等の浸入を防ぐ封止構造を構成している。
以下、この実施形態の有機EL装置の製造方法を説明する。
この有機EL装置の場合、まず、ガラス基板21の一方の面、例えば外部に露出しない内側の面(裏面)の、陽極形成用の部分にテープあるいは金属等でライン状にマスキングを行う。
次に、ライン状にマスキングした上からガラス基板21の全面、あるいは周縁部を除いた部分の面をサンド・ブラスト処理してライン状のマスキング部分を除いた基板面に乱反射面21aを形成する。サンド・ブラスト処理以外にも例えばエッチング等で微細な凹凸面を形成してもよい。
続いて、乱反射面21aを形成したガラス基板21のマスキングを除去して乱反射面21aを除く平坦なライン状の部分に細いITO膜でライン状の陽極22をパターン形成する。つまり、ガラス基板21の陽極形成部分に予めマスキングしてから、サンド・ブラスト処理して乱反射面21aを形成し、マスキングを除去した後の平坦なライン状の部分にライン状の陽極22を積層形成する。
上記以外の乱反射面21aの形成方法としては、ガラス基板21の上一面にITO膜を被膜形成した後、陽極22にすべきライン部分をテープあるいは金属でマスキングして隠し、酸性の液剤(エッチング液)に浸漬して不要部分を溶解および除去(エッチング処理)することで陽極22をライン状にパターン形成し、その後、ガラス基板21の面をサンド・ブラスト処理することで、ライン状にマスキングした陽極22パターンの部分以外の基板面に乱反射面21aを形成するようにしてもよい。
つまり、ガラス基板21の平坦な面で被膜したITO膜にライン状にマスキングしてエッチング処理を行い、ライン状の陽極22、すなわち陽極パターンを形成した後、マスキングしたままの陽極パターンの上からガラス基板21をサンド・ブラスト処理して陽極パターン以外の基板部分に乱反射面21aを形成してもよい。
次に、ライン状にパターン形成した陽極22の上にテープ等でマスキング後、そのマスキング部分を除いてアクリル、エポキシ樹脂等を主成分とした単純透明性の絶縁材料あるいは白色透光性の絶縁材料等を乱反射面21aの上に塗布することで、光拡散部23を形成する。
その後、ライン状の陽極22からテープを除去(剥が)し、少なくとも陽極22の上に有機発光材料等の発光部25の層を重ねて形成する。つまり、陽極22の上に正孔輸送層32、発光層33、電子注入層34等を積層形成する。その後、陰極24を陽極22の少なくとも一部と対向させるようにして交差方向にライン状に積層形成する。陰極24は、アルミ配線等であり、ライン状のアルミニウム配線を直接積層形成してもよい。陰極24は、アルミニウムの他、例えば銀、金、プラチナ等の可視光を反射する金属で形成してもよい。
最後に、ガラス基板21に取り付ける封止用ガラス基板27の内側の面に乾燥剤26を接着して取り付け、その後、ガラス基板21に封止用接着剤28を塗布し、その部分に封止用ガラス基板27を当てがい、互いのガラス基板内部を密封(封止)する。
このように、この実施形態の有機EL装置によれば、ガラス基板21上にライン状に発光部25を形成し、発光部に隣接させるようにガラス基板21の上に光拡散部23を形成し、この光拡散部23とガラス基板21との境界に乱反射面21aを形成したので、有機ELの発光部25(光源)から発光された光がファイバー効果でガラス基板21内を通じて逃げるのを防ぐことができる。また、反射効果のある陰極24と乱反射面21aとの多重反射により光が所望の方向(前面方向)へ照射される量が増加し、光の取り出し効率を向上することができる。
これにより、従来の前面照射照度を1としたときの百分率である比向上率に換算した場合、従来のもの(比向上率:100%)に対して、例えばエポキシを主成分とした白色ペースト材(比較的厚い層)を光拡散部23の上に塗布した場合、比向上率を150%〜170%程度に高めることができる。また、例えばアクリルを主成分としたレジスト材(比較的薄い層)を光拡散部23の上に塗布した場合、比向上率を140%〜150%程度に高めることができる。
つまり、本実施例では、従来のものに対比して比向上率を140%〜170%程度までに高めることができ、4〜6V程度の低電圧駆動が可能になり、大型平面光源装置や携帯型の表示装置(PDA、携帯電話機等)またはバックライト等の平面光源への適用が容易に可能になる。
なお、第1発明は上記実施形態のみに限定されるものではない。
発光部25のEL材料は、有機物であっても無機物であってもよい。また、低分子材料だけでなく高分子材料であってもよい。
上記実施形態では、ガラス基板21の裏面にサンド・ブラスト処理により乱反射面21aを形成したが、この他、光拡散部23側の表面あるいは裏面を乱反射処理(加工)してもよい。つまり、光拡散部23とガラス基板21との境界に乱反射面21aを形成してもよい。
また、図5に示すように、ガラス基板21と光拡散部23との境界に形成した乱反射面21aに加えて、発光部25および光拡散部23の上にライン状に形成した陰極24の下面、つまり陰極24と光拡散部23との境界に第2の乱反射面としての乱反射面21bを形成してもよい。この場合、比向上率を140%程度に高めることができる。光拡散部23は、アクリル、エポキシ樹脂等の単純透明材料あるいは白色透光材料で保護層(レジスト膜)を形成する以外に、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア等の無機材料あるいはポリエチレン、ポリスチレン等の有機材料からなる透明な微粒子を透明材料あるいは透光材料に含有させたものを用いてもよい。これにより、発光部25からサイド方向への光の拡散を減少させてガラス基板21の面に対して直交する方向、つまり前方への光の取り出し効率を向上することができ、比向上率を160%程度に高めることができる。
上記図1の実施形態では、発光部25をほぼ正方形としたが、この他、図6に示すように、長方形の発光部25aを複数形成して発光面積を広くしてもよい。この場合、アクリルを主成分としたレジスト材(比較的薄い層)を光拡散部23の上に塗布した場合でも比向上率を150%程度に高めることができる。
また、図7に示すように、一方向の間隔をなくすようにライン状に発光部25bを形成してもよい。この場合、エポキシを主成分とした白色ペースト材(比較的厚い層)を光拡散部23の上に塗布した場合に比向上率を170%程度まで高めることができる。なお、この例では、光拡散部23の下側の部分に図示していない乱反射面21aが形成されている。
以上は、陽極22として透明性電極を用いた実施形態であるが、この陽極22は光不透過性の金属導電体とすることもできる。
図8は、陽極22aとして、アルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、クロム、アルミニウム・マグネシウム合金などの光不透過性の金属導電体を用いた実施形態である。
この実施形態では、陽極22aと光拡散部23を除いて、その基本構造は、図2に示した実施形態と同一構成であるので、図2と共通する部分に同一符号を付して重複する説明を省略する。
この実施形態では、陽極22aを形成した後、発光部25が形成され、その後、光拡散部23が発光部25とほぼ同じ高さに形成される。そして、陰極24は、陽極22aと同様に光不透過性の金属導電体を用いて、発光部25と光拡散部23上にほぼ同一の高さに形成される。
この実施形態では、発光部25で生成した光は、矢印で示すように、光拡散部23中に出射され、光拡散部23中を乱反射しながら、最終的にガラス基板21から外部に放射される。
図9は、光拡散部23aを乾燥剤Dを含有する重合体組成物で構成して封止用ガラス基板27a内への乾燥剤の配置を省略し光を封止用ガラス基板27a側に放射するようにした第2発明に係る実施形態の構成を示す断面図である。
この実施形態は、陽極22aが、アルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、クロム、アルミニウム・マグネシウム合金などの光不透過性の良導電性の金属導電体を用いて形成された後、発光部25が形成され、その後、光拡散部23aが、乾燥剤Dを含有する光透過性高分子材料を用いて発光部25とほぼ同じ高さに形成される。乾燥剤Dとしては、活性炭、モレキュラーシーブ、ゼオライトのような比表面積が大きく物理吸着により水分を吸収する多孔質材料や、酸化バリウム、酸化マグネシウムのような化学的に水を吸着する金属酸化物等が用いられる。光透過性高分子材料としては、UV(紫外線)硬化性や熱硬化性のアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、熱可塑性のフッ素樹脂等の光透過性高分子材料が主として用いられる。この実施形態では、陰極24aとして、ITOのような透明性の導電体が用いられる。
陰極24aを形成したのち封止用ガラス基板27aで、陰極24aの上部が気密に封止されるが、この実施形態では、乾燥剤を収容する必要がないので、陰極24a側の空間は不要となり全体の厚さを薄くすることができる。また、乾燥剤Dとして光拡散性を有するものを使用して前面照射照度を改善することもできる。
この実施形態では、発光部25からの光は、封止用ガラス基板27a側に放射される。
なお、この実施形態において、第1発明におけるようにガラス基板21側に乱反射面を形成し、さらに陽極22aとして反射率の高い金属を用いて照度をさらに高めることもできる。なお、この実施形態では、封止用ガラス基板27a側から光を照射するように構成したが、ガラス基板21側から光を放射するように構成することもできる。
以下、この実施形態の製造方法を説明する。
この実施形態は、まず、ガラス基板21の一方の面、例えば外部に露出しない内側の面(裏面)に陽極22aをライン状に加工する。この加工法としては、例えば真空蒸着、スパッタリング法等の物理的気相成長法、金属アルコキシドを用いたディブ法、スピンコート法、メッキ法などを用いることができる。これらの方法によってあらかじめ陽極部がライン状パターンに形成してある基板を用いるか、あるいは、基板上に形成した陽極用の膜の陽極部とするラインをテープもしくは金属で隠した上で、酸性の液剤に浸漬し、エッチング処理を行う。陽極としては、たとえば、アルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、クロム、アルミニウム・マグネシウム合金などの電気抵抗の低い金属材料を用いる。陽極に電気抵抗の低い金属材料を用いることで、透明電極として一般的に用いられているITO膜と比べ電気ロスが少なく、低消費電力とすることができる。例えば、面内平均輝度を従来と同一としたときの消費電力を従来の85%にすることができる。(このとき、全面照射照度は従来例に対して140%に向上した。)
次にライン状にパターン形成してある陽極部22aをテープで隠し、乾燥剤Dを含有した光透過性高分子材料をライン状の陽極とその陽極のラインとラインの間のガラス基板に塗布する。
その後、基板周囲部を除き、前面に有機発光材料、陰極としてMg−Ag等を少なくとも可視光が透過できる膜厚に、真空蒸着法などで成膜し封止する。
その後、ライン状の陽極22aからテープを除去(剥が)し、少なくとも陽極22aの上に有機発光材料、電極等の発光部25の層を重ねて形成する。つまり、陽極22aの上に正孔輸送層、発光層、電子注入層等を積層形成する。その後、陰極24aを陽極22aの少なくとも一部と対向させるようにして交差方向にライン状に積層形成する。
ガラス基板21側から光を放射するように構成する場合には、陰極24aは、アルミニウムの他、例えば銀、金、プラチナ等の可視光を反射する金属で形成してもよい。
最後に、封止用ガラス基板27aによって全体を密封(封止)する。
このようにこの実施形態の有機EL装置によれば、ガラス基板21上にライン状に発光部25を形成し、発光部に隣接させるようにガラス基板21の上に乾燥剤Dを含有する光拡散部23aを形成しているので、乾燥剤Dを別途配置するよりも薄くすることができる。
図10は、発光部に光拡散性の微粒子を含有させた第3発明に係る実施形態の構成を示す断面図である。
この実施形態は、発光部に光拡散性の微粒子Pを含有させた点を除いて実施例2と同一構成であるので、実施例2と共通部分に同一符号を付して重複する説明は省略する。
この実施形態では、図3に関して前述した方法により、陽極22aの上に有機発光材料等の発光部25の層を重ねて形成する。つまり、陽極22aの上に正孔輸送層32、発光層33、電子注入層34を積層形成する。このとき、正孔輸送層32と発光層33の少なくとも一方を形成する塗料として、数十nmサイズのシリカ(BET法で平均粒径が26nm)、セリア(BET法で平均粒径が11nm)、アルミナ等の微粒子またはアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリスチレン等の球状微粒子を、固形分の重量比で0.05〜5.0重量%の範囲で配合したものを使用し、スピンコート法、スプレイ法、ディップ法等で正孔輸送層32(150nm)、発光層33(100nm)の順に形成する。
その後、カルシウム電子注入層34(10nm)、アルミニウム陰極24aを、それぞれ真空蒸着法、スパッタ法等で形成する。陰極24aを陽極22aの少なくとも一部と対向させるようにして交差方向にライン状に積層形成する。
このようにこの実施形態の有機EL装置によれば、ガラス基板21上にライン状に発光部25を形成し、発光部に隣接させるようにガラス基板21の上に乾燥剤含有光拡散部23aを形成しているので、乾燥剤を別途設けるよりも薄くすることができる。
なお、この実施例は、第2発明も併用する場合についての説明であるが、第3発明は、かかる実施例に限定されるものではなく、乾燥剤を光拡散部に配合せずに従来法と同様に、封止用ガラス基板の内側に配設したり、ガラス基板側に光を放射するようにもできる。
21…ガラス基板、21a…乱反射面、22,22a…陽極、23,23a…光拡散部、24…陰極、25,25a…発光部、26…乾燥剤、27,27a…封止用ガラス基板、28…封止用接着剤、32…正孔輸送層、33…発光層、34…電子注入層。
Claims (9)
- 片面に所定のパターンで導電体が形成され、前記導電体の形成面で前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成した基板と;
前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;
光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板の前記乱反射面上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散部と;
前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;
を具備したことを特徴とする自発光装置。 - 片面に所定のパターンで導電体が形成され、前記導電体の形成面で前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成した基板と;
前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;
光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板の前記乱反射面上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散部と;
前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部および光拡散部の上に形成され、前記光拡散部との境界に第2の乱反射面を形成した電極と;
を具備したことを特徴とする自発光装置。 - 前記光拡散部が白色系の光拡散性保護層であることを特徴とする請求項1,2いずれか1項記載の自発光装置。
- 前記光拡散部が光拡散性を有する微粒子を含有していることを特徴とする請求項3記載の自発光装置。
- 基板にライン状の導電体を形成する工程と;
前記ライン状の導電体をマスキングしその上から前記基板をブラスト処理して前記導電体を形成していない部分に乱反射面を形成する工程と;
前記乱反射面の上に絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;
前記導電体のマスキングを除去し、前記導電体の上にエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;
前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;
を有することを特徴とする自発光装置の製造方法。 - 基板の一面に導電体を積層形成する工程と;
前記導電体にライン状にマスキングしてエッチング処理し、前記基板にライン状の陽極パターンを形成する工程と;
ライン状の陽極パターンにマスキングしたまま前記基板の面をブラスト処理して陽極パターン以外の基板面に乱反射面を形成する工程と;
前記乱反射面の上に白色系の絶縁材料を塗布して光拡散部を形成する工程と;
前記ライン状の陽極パターンのマスキングを除去し、前記陽極パターンの上にエレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部を形成する工程と;
前記陽極パターンと少なくとも一部が対向するように前記発光部の上に電極を形成する工程と;
を有することを特徴とする自発光装置の製造方法。 - 片面に所定のパターンで導電体が形成された基板と;
前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;
光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板面上に前記導電体と隣接させて形成した乾燥剤を含有する光拡散部と;
前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;
を具備したことを特徴とする自発光装置。 - 片面に所定のパターンで導電体が形成された基板と;
前記導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した層を含む発光部と;
光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板上に前記導電体と隣接させて形成した光拡散性を有する乾燥剤を含有する光拡散部と;
前記導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;
を具備したことを特徴とする自発光装置。 - 片面に所定のパターンで透明性導電体が形成された透光性基板と;
前記透明性導電体の上に形成され、エレクトロルミネッセンス材料を含有した発光層と該発光層の上に形成された正孔輸送層とを含み、前記発光層と前記正孔輸送層の少なくとも一方に光拡散性を有する微粒子を含有した発光部と;
光拡散性の絶縁材料を主成分とし、前記基板面上に前記透明性導電体と隣接させて形成した光拡散部と;
前記透明性導電体と少なくとも一部が対向するように前記発光部上に形成された電極と;
を具備したことを特徴とする自発光装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349244A true JP2004349244A (ja) | 2004-12-09 |
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ID=33543390
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Country Status (1)
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---|---|
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