JP2004342726A - 成膜方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
【課題】本発明は膜厚の均一性、良好なステップカバレッジ及び高品質な膜を得る成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧状態にて実施されるＣＶＤ成膜において、原料ガスを反応炉に導入する際に、反応炉と排気ポンプ間に設けられた開閉バルブを閉状態にし、かつ、原料ガスの導入を停止後、一定時間圧力平行状態を保つ堆積工程と、その後又は同時に、同一反応炉にて連続して、プラズマによる前工程によって堆積した膜に対する酸化もしくは窒化の工程を一回もしくは複数回繰り返すことによって、所定の厚さの成膜を行うことを特徴とする成膜方法及び成膜装置である。
【選択図】 図４
【解決手段】本発明は、減圧状態にて実施されるＣＶＤ成膜において、原料ガスを反応炉に導入する際に、反応炉と排気ポンプ間に設けられた開閉バルブを閉状態にし、かつ、原料ガスの導入を停止後、一定時間圧力平行状態を保つ堆積工程と、その後又は同時に、同一反応炉にて連続して、プラズマによる前工程によって堆積した膜に対する酸化もしくは窒化の工程を一回もしくは複数回繰り返すことによって、所定の厚さの成膜を行うことを特徴とする成膜方法及び成膜装置である。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程におけるＣＶＤ成膜の技術に関し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び金属酸化膜、金属窒化膜の成膜等、種々の膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の技術分野においては、反応炉内を減圧状態でしかも一定の圧力下でＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜を行っている。その際、反応炉内の圧力を一定に保つ為に、原料ガスの導入時には、反応炉に接続されている排気ポンプとの間に接続される圧力制御弁（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ−Ｃｏｎｔｒｏｌ）の開度を調整して成膜を実施している。
【０００３】
図３は、従来公知の成膜方法に使用される反応炉の主要部分の概略を示している。
同図において、反応炉４にはゲートバルブ９及び排気口１１，１１が設けられ、被処理物６の上方に設けられたシャワーヘッドにより、原料ガスの供給及び高周波が印加される。そして、図示しない圧力制御弁を用いて、排気口１１，１１による排気量を調整しながら、成膜中は常時排気することによって、反応炉４内の圧力を一定に保持している。
【０００４】
図６は、このような従来装置を用いた成膜工程のフローチャートである。図示のごとく、ステップ６０１において反応炉内に被処理物である基板を導入後、ステップ６０２において反応炉が必要到達圧力まで減圧される。次に、ステップ６０３において原料ガスが導入され、プラズマが印加されると共に、ステップ６０４では原料ガスの導入が継続され、この間に堆積工程が進行する。
【０００５】
そして、ステップ６０５において酸化又は窒化用のガスが導入されて、例えば酸化工程が行われる。ここで重要なことは、従来の成膜方法にあって、ステップ６０３〜ステップ６０５における堆積工程及び上記酸化工程の間は、上記排気口１１，１１からの排気量を圧力制御弁を用いて調整しながら圧力制御が行われ、常時一定の減圧状態とされていることである。
続いて、上記ステップ６０３〜ステップ６０５の工程を複数回繰り返した後、ガス停止、プラズマＯＦＦの操作ステップ６０６の後、ステップ６０７の成膜基板の取り出し工程へ進行することとなる。
【０００６】
上述のごとき従来公知の成膜方法では、成膜工程中における減圧排気のため当然に、反応炉内でガスの流れが生じる。この流れは可成り速いものであって、被処理物（ウエハー）の中央と外周部分との成膜生成速度の差にとどまらず、被処理物の表面状態、すなわち下地の段差等によって、生成速度に大きな差が生じていた。
このため、被処理物に対して均一な厚さの成膜を行うように、原料ガスを被処理物に均一に吹き付ける、一般にシャワーヘッドと呼ばれる、原料ガスの導入板を被処理物に対向して設けたり（図３の符号１０参照）、多数の排気口を被処理物の周囲に設けたりしている。しかしながら、このような従来方法においても、やはり流速による影響は避けられず、しかも、シャワーヘッドからのゴミの落下等の問題も生じていた。また、近年の被処理物（ウエハー）の大口径化や半導体デバイスの高集積化に対応できない。
更に、半導体デバイスの高集積化に伴い、配線寸法の微細化がすすむにつれて成膜時のステップカバレッジ（下地の段差を縦横均等にカバーすること）や、膜質の一層の向上という要求に対しても、上記方法では達成出来なくなってきた。
【０００７】
また、近年、ガスプラズマを用いて成膜を行う場合においては、膜質を向上させる目的で高いプラズマ密度を用いる成膜方法が提案されている。高いプラズマ密度を得ることのできるプラズマソースとしては、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃｙｃｒｏｔｏｒｏｎ−Ｒｅｓｏｎａｎｎｃｅ）、ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｐｌａｓｍａ）、Ｈｅｌｉｃｏｎ等があげられるが、どれも反応炉内にシャワーヘッドの様な被処理物に対面したガス噴射機構を有していない為、反応炉内面外周にノズルを設け、被処理物に対し均等にガスを到達させるようにしている。このためにノズルの個数、配置、角度等の工夫が必要であり、成膜時の処理圧力、ガスの流量、プラズマ出力等プラズマソースの特性に見合ったノズルを確立するには、長期間の検討、評価が必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決する成膜方法を提供するものであり、膜厚の均一性、良好なステップカバレッジ及び高品質な膜を得る成膜方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、減圧状態にて実施されるＣＶＤ成膜において、原料ガスを反応炉に導入する際に、反応炉と排気ポンプ間に設けられた開閉バルブを閉状態にし、かつ、原料ガスの導入を停止後、一定時間圧力平行状態を保つ堆積工程と、その後、同一反応炉にて連続して、プラズマによる前工程によって堆積した膜に対する酸化もしくは窒化工程を、一回もしくは複数回繰り返すことによって、所定の厚さの成膜を行うことを特徴とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１、図２及び図４、図５により説明する。
図１は、本発明の成膜方法を実施するための、ヘリコン波プラズマを利用するＣＶＤ装置の概略上面図であり、図２は、該図１に示す装置の縦断面図である。
これらの図において、符号１はヘリコン波発生用高周波アンテナ（図示せず）の周囲に設置された電磁コイルを示しており、高周波透過用のドーム型石英ベルジャー２の上方に設けられている。その石英ベルジャー２の下部にはガスプラズマのためのガス導入用ノズル３が設けられており、このノズル３から、酸化膜成膜時には主に酸素が、窒化膜成膜時には窒素もしくはアンモニアガスが導入される。なお、ノズル３へのガス接続配管等は図示してない。
【００１１】
符号４は反応炉を、符号５は原料ガス導入用ノズルを示しており、該原料ガス導入用ノズル５は特に図１で明らかなように、複数のノズルが円周上に均等に配置されている。そして、図２に明らかなように該ノズル５は、被処理物６に対し角度をもっている様に図示されているが、ガスプラズマの影響を受けない形状であれば個数、向き等は特に限定されない。被処理物６は、ここでは半導体ウエハーを昇温、加熱するためのヒーターステージのみを示している。
【００１２】
大口径の圧力調整ゲートバルブ７は圧力制御機能を備え、尚かつ真空ポンプとの真空引き口を遮断できるバルブであり、その下方に反応炉を減圧する為のターボ分子ポンプ８を有している。また、ウエハーの出し入れの為に反応炉を解放する為のゲートバルブ９は、ロードロック室（減圧予備室）に接続されているけれども、ロードロック室は図示していない。
【００１３】
この様に構成されたＣＶＤ装置のヘリコン波プラズマ源は、ヘリコン波アンテナ（図示せず）と電磁コイルによりヘリコン波（ホイスラー波）を発生し、１０Ｅ１１〜１０Ｅ１３／ｃｍ３もの高密度プラズマを生成することが可能である。一般的なプラズマ発生源である平行平板型プラズマ装置のプラズマ密度は１０Ｅ９／ｃｍ３程度であり、本発明の実施例に用いるプラズマ装置では、２〜４桁も大きなプラズマ密度を得ることが可能である。この高密度プラズマは電磁コイル１の作る磁場に沿って伝播し、被処理物上に高密度の反応種をイオン衝撃を伴って供給する。この為、被処理物６（ヒーターステージのみ図示）では、高温ＣＶＤや平行平板型プラズマＣＶＤに比較して、有機成分が高効率に分解除去される。
【００１４】
図４及び図５は、本発明の実施例に係る成膜方法のフローチャートを示している。
図４に示すように、本発明の第１の実施例の特徴は、成膜工程（堆積工程）時には圧力調整用ゲートバルブ７を閉じている事であり、従って、原料ガスの導入に伴って堆積工程中に反応炉内の圧力は上昇し、その後原料ガスの供給を停止することにより被処理物の凹凸に一様な原料ガスの供給が行われることである。
【００１５】
すなわち、ステップ４０１において被処理物である基板が導入された後、ステップ４０２において反応炉４内の減圧が行なわれる。そして、反応炉４が必要圧力まで減圧されるとステップ４０３において圧力調整ゲートバルブ７が閉じられ、減圧のための排気径路を遮断した状態でステップ４０４の原料ガス導入工程に移行する。従って、この工程においては原料ガスが導入されるために、その分の圧力上昇が生ずることとなるが、この間に堆積工程は進行する。
【００１６】
続いて、ステップ４０５において原料ガスの導入は停止されると共に、圧力が上昇しない状態が維持され、その間は更なる堆積工程が進行する。そして、ステップ４０６において圧力調整ゲートバルブ７が開放され、反応炉４内の圧力を減圧調整した後、酸化又は窒化工程のためのガスがステップ４０７において導入される。そして、酸化又は窒化工程の終了後は、ステップ４０８において酸化又は窒化のためのガスが停止されると共にプラズマＯＦＦとされ、実際にはこのようなステップ４０２〜ステップ４０８の行程を複数回繰り返した後、成膜工程が完了し、ステップ４０９において基板の取り出しが行われる。
【００１７】
図５は、本発明の他の実施例に係る成膜工程を示しているが、図４に係る実施例との特徴的相違点は、堆積工程中の反応炉内をガスプラズマの状態にするか否かであり、この実施例においても第１の実施例と同様に、上記堆積工程中に反応炉内の排気を行っていない。
【００１８】
すなわち、図５においてステップ５０１で被処理物の基板が導入され、ステップ５０２で反応炉４内の減圧が行われる。そして、ステップ５０３において圧力制御用ゲートバルブ７は閉じられるので、ステップ５０４における原料ガスの導入によって圧力は上昇する。ここで、プラズマＯＮとされると共に原料ガスの導入は継続され、ガスプラズマ中での堆積工程が進行する。
【００１９】
続くステップ５０６において原料ガスの導入は停止されるが、プラズマＯＮの状態は継続し、このために炉内の圧力は一定に保持されたまま堆積工程が進行する。そして、ステップ５０７に至って圧力制御用ゲートバルブ７が開放されて、炉内の圧力制御が行われる。次に、ステップ５０８において酸化又は窒化工程のためのガス導入が行われ、このいずれかの工程が終了するとステップ５０９においてプラズマＯＦＦとされ、酸化又は窒化のためのガスは停止される。
【００２０】
このようなステップ５０２〜５０９の一連の工程が、第１の実施例の場合と同様に複数回繰り返された後、ステップ５１０に至って基板の取り出しが行われる。従って、上述の通りこの実施例においては、ステップ５０４におけるプラズマＯＮからステップ５０９におけるプラズマＯＦＦまで、全ての操作がガスプラズマ中で進行することとなる。
本実施例では、同一反応炉内で、反応炉内へ導入するガス種、プラズマ出力を変えて連続して行うことが可能である。
【００２１】
上述のように、図４と図５との実施例における相違点は堆積工程中に反応炉内をガスプラズマの状態にするか否かであるが、両実施例は同様に、反応炉の排気は行っていない。
堆積工程をプラズマ中で行う主な理由は、原料ガスに拠ってはある程度の有機成分の分解を促進させ、堆積速度や膜質の向上が望める為である。
いずれの場合でも、この堆積工程だけでは良質の膜質を得ることは困難であり、その後に、熱もしくはプラズマ等による不純物（有機成分）の除去を兼ねた、酸化膜系であれば酸化工程、窒化膜系であれば窒化工程を連続して行うことが望まれる。
【００２２】
【発明の効果】
以上の様に本発明の成膜方法により、高い面内均一性でステップカバレッジ性の優れた、高品質の膜が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例で使用するヘリコン波プラズマＣＶＤ装置の上面図である。
【図２】図１に示すヘリコン波プラズマＣＶＤ装置の反応炉断面図である。
【図３】シャワーヘッドを持つＣＶＤ装置の反応炉断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例で成膜を行う工程のフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施例で成膜を行う工程のフローチャートである。
【図６】従来装置で成膜を行う時のフローチャートである。
【符号の説明】
１ ヘリコン波発生用電磁コイル
２ 石英ベルジャー
３ ガス導入ノズル
４ 反応炉
５ 原料用ガス導入ノズル
６ 加熱ステージ
７ 圧力調整用ゲートバルブ
８ ターボ分子ポンプ
９ 処理物搬送用ゲートバルブ
１０ シャワーヘッド
１１ 排気口
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程におけるＣＶＤ成膜の技術に関し、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び金属酸化膜、金属窒化膜の成膜等、種々の膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の技術分野においては、反応炉内を減圧状態でしかも一定の圧力下でＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜を行っている。その際、反応炉内の圧力を一定に保つ為に、原料ガスの導入時には、反応炉に接続されている排気ポンプとの間に接続される圧力制御弁（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ−Ｃｏｎｔｒｏｌ）の開度を調整して成膜を実施している。
【０００３】
図３は、従来公知の成膜方法に使用される反応炉の主要部分の概略を示している。
同図において、反応炉４にはゲートバルブ９及び排気口１１，１１が設けられ、被処理物６の上方に設けられたシャワーヘッドにより、原料ガスの供給及び高周波が印加される。そして、図示しない圧力制御弁を用いて、排気口１１，１１による排気量を調整しながら、成膜中は常時排気することによって、反応炉４内の圧力を一定に保持している。
【０００４】
図６は、このような従来装置を用いた成膜工程のフローチャートである。図示のごとく、ステップ６０１において反応炉内に被処理物である基板を導入後、ステップ６０２において反応炉が必要到達圧力まで減圧される。次に、ステップ６０３において原料ガスが導入され、プラズマが印加されると共に、ステップ６０４では原料ガスの導入が継続され、この間に堆積工程が進行する。
【０００５】
そして、ステップ６０５において酸化又は窒化用のガスが導入されて、例えば酸化工程が行われる。ここで重要なことは、従来の成膜方法にあって、ステップ６０３〜ステップ６０５における堆積工程及び上記酸化工程の間は、上記排気口１１，１１からの排気量を圧力制御弁を用いて調整しながら圧力制御が行われ、常時一定の減圧状態とされていることである。
続いて、上記ステップ６０３〜ステップ６０５の工程を複数回繰り返した後、ガス停止、プラズマＯＦＦの操作ステップ６０６の後、ステップ６０７の成膜基板の取り出し工程へ進行することとなる。
【０００６】
上述のごとき従来公知の成膜方法では、成膜工程中における減圧排気のため当然に、反応炉内でガスの流れが生じる。この流れは可成り速いものであって、被処理物（ウエハー）の中央と外周部分との成膜生成速度の差にとどまらず、被処理物の表面状態、すなわち下地の段差等によって、生成速度に大きな差が生じていた。
このため、被処理物に対して均一な厚さの成膜を行うように、原料ガスを被処理物に均一に吹き付ける、一般にシャワーヘッドと呼ばれる、原料ガスの導入板を被処理物に対向して設けたり（図３の符号１０参照）、多数の排気口を被処理物の周囲に設けたりしている。しかしながら、このような従来方法においても、やはり流速による影響は避けられず、しかも、シャワーヘッドからのゴミの落下等の問題も生じていた。また、近年の被処理物（ウエハー）の大口径化や半導体デバイスの高集積化に対応できない。
更に、半導体デバイスの高集積化に伴い、配線寸法の微細化がすすむにつれて成膜時のステップカバレッジ（下地の段差を縦横均等にカバーすること）や、膜質の一層の向上という要求に対しても、上記方法では達成出来なくなってきた。
【０００７】
また、近年、ガスプラズマを用いて成膜を行う場合においては、膜質を向上させる目的で高いプラズマ密度を用いる成膜方法が提案されている。高いプラズマ密度を得ることのできるプラズマソースとしては、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃｙｃｒｏｔｏｒｏｎ−Ｒｅｓｏｎａｎｎｃｅ）、ＴＣＰ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ−Ｃｏｕｐｌｅｄ−Ｐｌａｓｍａ）、Ｈｅｌｉｃｏｎ等があげられるが、どれも反応炉内にシャワーヘッドの様な被処理物に対面したガス噴射機構を有していない為、反応炉内面外周にノズルを設け、被処理物に対し均等にガスを到達させるようにしている。このためにノズルの個数、配置、角度等の工夫が必要であり、成膜時の処理圧力、ガスの流量、プラズマ出力等プラズマソースの特性に見合ったノズルを確立するには、長期間の検討、評価が必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決する成膜方法を提供するものであり、膜厚の均一性、良好なステップカバレッジ及び高品質な膜を得る成膜方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、減圧状態にて実施されるＣＶＤ成膜において、原料ガスを反応炉に導入する際に、反応炉と排気ポンプ間に設けられた開閉バルブを閉状態にし、かつ、原料ガスの導入を停止後、一定時間圧力平行状態を保つ堆積工程と、その後、同一反応炉にて連続して、プラズマによる前工程によって堆積した膜に対する酸化もしくは窒化工程を、一回もしくは複数回繰り返すことによって、所定の厚さの成膜を行うことを特徴とする成膜方法及び成膜装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１、図２及び図４、図５により説明する。
図１は、本発明の成膜方法を実施するための、ヘリコン波プラズマを利用するＣＶＤ装置の概略上面図であり、図２は、該図１に示す装置の縦断面図である。
これらの図において、符号１はヘリコン波発生用高周波アンテナ（図示せず）の周囲に設置された電磁コイルを示しており、高周波透過用のドーム型石英ベルジャー２の上方に設けられている。その石英ベルジャー２の下部にはガスプラズマのためのガス導入用ノズル３が設けられており、このノズル３から、酸化膜成膜時には主に酸素が、窒化膜成膜時には窒素もしくはアンモニアガスが導入される。なお、ノズル３へのガス接続配管等は図示してない。
【００１１】
符号４は反応炉を、符号５は原料ガス導入用ノズルを示しており、該原料ガス導入用ノズル５は特に図１で明らかなように、複数のノズルが円周上に均等に配置されている。そして、図２に明らかなように該ノズル５は、被処理物６に対し角度をもっている様に図示されているが、ガスプラズマの影響を受けない形状であれば個数、向き等は特に限定されない。被処理物６は、ここでは半導体ウエハーを昇温、加熱するためのヒーターステージのみを示している。
【００１２】
大口径の圧力調整ゲートバルブ７は圧力制御機能を備え、尚かつ真空ポンプとの真空引き口を遮断できるバルブであり、その下方に反応炉を減圧する為のターボ分子ポンプ８を有している。また、ウエハーの出し入れの為に反応炉を解放する為のゲートバルブ９は、ロードロック室（減圧予備室）に接続されているけれども、ロードロック室は図示していない。
【００１３】
この様に構成されたＣＶＤ装置のヘリコン波プラズマ源は、ヘリコン波アンテナ（図示せず）と電磁コイルによりヘリコン波（ホイスラー波）を発生し、１０Ｅ１１〜１０Ｅ１３／ｃｍ３もの高密度プラズマを生成することが可能である。一般的なプラズマ発生源である平行平板型プラズマ装置のプラズマ密度は１０Ｅ９／ｃｍ３程度であり、本発明の実施例に用いるプラズマ装置では、２〜４桁も大きなプラズマ密度を得ることが可能である。この高密度プラズマは電磁コイル１の作る磁場に沿って伝播し、被処理物上に高密度の反応種をイオン衝撃を伴って供給する。この為、被処理物６（ヒーターステージのみ図示）では、高温ＣＶＤや平行平板型プラズマＣＶＤに比較して、有機成分が高効率に分解除去される。
【００１４】
図４及び図５は、本発明の実施例に係る成膜方法のフローチャートを示している。
図４に示すように、本発明の第１の実施例の特徴は、成膜工程（堆積工程）時には圧力調整用ゲートバルブ７を閉じている事であり、従って、原料ガスの導入に伴って堆積工程中に反応炉内の圧力は上昇し、その後原料ガスの供給を停止することにより被処理物の凹凸に一様な原料ガスの供給が行われることである。
【００１５】
すなわち、ステップ４０１において被処理物である基板が導入された後、ステップ４０２において反応炉４内の減圧が行なわれる。そして、反応炉４が必要圧力まで減圧されるとステップ４０３において圧力調整ゲートバルブ７が閉じられ、減圧のための排気径路を遮断した状態でステップ４０４の原料ガス導入工程に移行する。従って、この工程においては原料ガスが導入されるために、その分の圧力上昇が生ずることとなるが、この間に堆積工程は進行する。
【００１６】
続いて、ステップ４０５において原料ガスの導入は停止されると共に、圧力が上昇しない状態が維持され、その間は更なる堆積工程が進行する。そして、ステップ４０６において圧力調整ゲートバルブ７が開放され、反応炉４内の圧力を減圧調整した後、酸化又は窒化工程のためのガスがステップ４０７において導入される。そして、酸化又は窒化工程の終了後は、ステップ４０８において酸化又は窒化のためのガスが停止されると共にプラズマＯＦＦとされ、実際にはこのようなステップ４０２〜ステップ４０８の行程を複数回繰り返した後、成膜工程が完了し、ステップ４０９において基板の取り出しが行われる。
【００１７】
図５は、本発明の他の実施例に係る成膜工程を示しているが、図４に係る実施例との特徴的相違点は、堆積工程中の反応炉内をガスプラズマの状態にするか否かであり、この実施例においても第１の実施例と同様に、上記堆積工程中に反応炉内の排気を行っていない。
【００１８】
すなわち、図５においてステップ５０１で被処理物の基板が導入され、ステップ５０２で反応炉４内の減圧が行われる。そして、ステップ５０３において圧力制御用ゲートバルブ７は閉じられるので、ステップ５０４における原料ガスの導入によって圧力は上昇する。ここで、プラズマＯＮとされると共に原料ガスの導入は継続され、ガスプラズマ中での堆積工程が進行する。
【００１９】
続くステップ５０６において原料ガスの導入は停止されるが、プラズマＯＮの状態は継続し、このために炉内の圧力は一定に保持されたまま堆積工程が進行する。そして、ステップ５０７に至って圧力制御用ゲートバルブ７が開放されて、炉内の圧力制御が行われる。次に、ステップ５０８において酸化又は窒化工程のためのガス導入が行われ、このいずれかの工程が終了するとステップ５０９においてプラズマＯＦＦとされ、酸化又は窒化のためのガスは停止される。
【００２０】
このようなステップ５０２〜５０９の一連の工程が、第１の実施例の場合と同様に複数回繰り返された後、ステップ５１０に至って基板の取り出しが行われる。従って、上述の通りこの実施例においては、ステップ５０４におけるプラズマＯＮからステップ５０９におけるプラズマＯＦＦまで、全ての操作がガスプラズマ中で進行することとなる。
本実施例では、同一反応炉内で、反応炉内へ導入するガス種、プラズマ出力を変えて連続して行うことが可能である。
【００２１】
上述のように、図４と図５との実施例における相違点は堆積工程中に反応炉内をガスプラズマの状態にするか否かであるが、両実施例は同様に、反応炉の排気は行っていない。
堆積工程をプラズマ中で行う主な理由は、原料ガスに拠ってはある程度の有機成分の分解を促進させ、堆積速度や膜質の向上が望める為である。
いずれの場合でも、この堆積工程だけでは良質の膜質を得ることは困難であり、その後に、熱もしくはプラズマ等による不純物（有機成分）の除去を兼ねた、酸化膜系であれば酸化工程、窒化膜系であれば窒化工程を連続して行うことが望まれる。
【００２２】
【発明の効果】
以上の様に本発明の成膜方法により、高い面内均一性でステップカバレッジ性の優れた、高品質の膜が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例で使用するヘリコン波プラズマＣＶＤ装置の上面図である。
【図２】図１に示すヘリコン波プラズマＣＶＤ装置の反応炉断面図である。
【図３】シャワーヘッドを持つＣＶＤ装置の反応炉断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例で成膜を行う工程のフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施例で成膜を行う工程のフローチャートである。
【図６】従来装置で成膜を行う時のフローチャートである。
【符号の説明】
１ ヘリコン波発生用電磁コイル
２ 石英ベルジャー
３ ガス導入ノズル
４ 反応炉
５ 原料用ガス導入ノズル
６ 加熱ステージ
７ 圧力調整用ゲートバルブ
８ ターボ分子ポンプ
９ 処理物搬送用ゲートバルブ
１０ シャワーヘッド
１１ 排気口
Claims (6)
- 減圧状態にて成膜を行う成膜方法において、反応炉内への原料ガスの導入と、反応炉内の排気を同時に行わない成膜方法。
- 請求項１記載の成膜方法において、反応炉内への原料ガスの導入と被処理物表面に吸着した原料を酸化もしくは窒化する為のガスの導入と、反応炉内の排気とを同時に行わない成膜方法。
- 請求項１記載の成膜方法において、反応炉内への原料ガスの導入時に、反応炉内が酸素プラズマもしくは窒素プラズマ等のプラズマ状態であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項１又は請求項３の成膜方法において、原料ガスの導入後に連続して同一反応炉にて膜質改善の為のガスプラズマを被処理物に照射することを特徴とする成膜方法。
- 請求項１〜請求項４のいずれかの成膜方法において、原料ガスの導入後に連続して同一反応炉にて膜質改善の為のガスプラズマを被処理物に照射する一連の工程を繰り返すことにより、所定の膜厚を得ることを特徴とする成膜方法。
- 請求項１、請求項３、請求項４、請求項５のいずれかの成膜方法において、プラズマリアクターとしてヘリコン波リアクターを用いる成膜方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003135540A JP2004342726A (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 成膜方法 |
| US10/692,655 US20040228982A1 (en) | 2003-05-14 | 2003-10-24 | Method for forming CVD film |
| KR1020040000007A KR20040098502A (ko) | 2003-05-14 | 2004-01-02 | 막형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003135540A JP2004342726A (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004342726A true JP2004342726A (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=33410713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003135540A Pending JP2004342726A (ja) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | 成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040228982A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004342726A (ja) |
| KR (1) | KR20040098502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140120405A (ko) * | 2013-04-02 | 2014-10-14 | 주식회사 윈텔 | 게이트 절연막 형성 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11060183B2 (en) | 2012-03-23 | 2021-07-13 | Hzo, Inc. | Apparatuses, systems and methods for applying protective coatings to electronic device assemblies |
| TW202128273A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267186A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法 |
| JP3365067B2 (ja) * | 1994-02-10 | 2003-01-08 | ソニー株式会社 | プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法 |
| JP3553688B2 (ja) * | 1995-05-10 | 2004-08-11 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6283130B1 (en) * | 1995-05-30 | 2001-09-04 | Anelva Corporation | Plasma cleaning method and placement area protector used in the method |
| JP3595608B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2004-12-02 | アネルバ株式会社 | 真空処理装置、真空処理装置における真空容器内面堆積膜除去方法及び真空処理装置における真空容器内面膜堆積均一化方法 |
| JP3386651B2 (ja) * | 1996-04-03 | 2003-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| JPH10237662A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-09-08 | Sony Corp | 金属膜のプラズマｃｖｄ方法、および金属窒化物膜の形成方法ならびに半導体装置 |
| US6189484B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-02-20 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source |
| US6610350B2 (en) * | 2000-10-05 | 2003-08-26 | Menicon Co., Ltd. | Method of modifying ophthalmic lens surface by plasma generated at atmospheric pressure |
| US6596653B2 (en) * | 2001-05-11 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD |
-
2003
- 2003-05-14 JP JP2003135540A patent/JP2004342726A/ja active Pending
- 2003-10-24 US US10/692,655 patent/US20040228982A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-01-02 KR KR1020040000007A patent/KR20040098502A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140120405A (ko) * | 2013-04-02 | 2014-10-14 | 주식회사 윈텔 | 게이트 절연막 형성 방법 |
| KR101994480B1 (ko) | 2013-04-02 | 2019-06-28 | 윈텔코퍼레이션 주식회사 | 게이트 절연막 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040228982A1 (en) | 2004-11-18 |
| KR20040098502A (ko) | 2004-11-20 |
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