JP2004327508A

JP2004327508A - Method of manufacturing circuit board having metallic via hole and circuit board

Info

Publication number: JP2004327508A
Application number: JP2003116445A
Authority: JP
Inventors: 一弘 ▲廣▼瀬; Kazuhiro Hirose; Toshio Kitazawa; 俊雄北沢; Takaki Hasegawa; 貴樹長谷川; Takeshi Fujinaga; 猛藤永
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2003-04-22
Filing date: 2003-04-22
Publication date: 2004-11-18

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which a circuit board having metallic via holes can be manufactured with a high yield and high accuracy, and to provide a circuit board. <P>SOLUTION: In the circuit board manufactured by the method, conductor pattern layers are formed on both surfaces of an insulating substrate facing each other and parts of conductor patterns existing on both surfaces of the substrate are electrically connected to each other through metallic via holes. The method includes a hole forming step of forming holes in the insulating substrate, a first metallizing step of metallizing the formed holes, and a step of packing metallic paste in the metallized holes and sintering the paste. The method also includes a second metallizing step of metallizing the surface of the insulating substrate after the metallic paste is sintered. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、絶縁基板のビアホールは、特開平９−３６２７４号公報や特開平８−２１３５１０号公報などに開示されているように、セラミックス材のビアホールへＷやＭｏなどの高融点金属材料を用いることで、絶縁基板の両平面の電気的導通を確保している。
【０００３】
この製造プロセスはコファイア法と呼ばれ、焼成温度が高いセラミックス材との適応性を考慮し金属ペーストの主材料として高融点金属が用いられる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−３６２７４号公報
【特許文献２】
特開平８−２１３５１０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
基板に反りやクラックが発生したり、セラミックス材のスルーホール部内面と金属ペーストとの焼結接合が不十分となる可能性が有り、セラミックス基板には反りやクラックが発生したりして歩留まりも悪く、高精度な回路基板を製造することが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、歩留まり及び精度が優れた、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁基板の穴にメタライズする第一のメタライズ工程と、メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する工程と、焼結後に前記絶縁基板の表面をメタライズする第二のメタライズ工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態は、金属ビアホールを有する半導体用の絶縁回路基板や放熱基板に係わり、特に低コスト化や製造歩留まりの向上に効果があり、かつ電気的導通特性に優れる金属ビアホールの構造と製造プロセスに関するものである。
【０００９】
絶縁基板のビアホール形成技術として、コファイア法があげられる。これは、セラミックス粉末とセルロースなどの有機結合材との混合物をドクターブレード法によりグリーンシートを作成し、セラミックスの焼成前に金型を用いたパンチングによりスルーホールをあけ、ＷやＭｏを主成分とする金属ペーストを充填し、その後、脱脂，焼成する。これは、セラミックスと金属ペーストを同時に焼結させる方法である。本方法はセラミックス材の焼成と金属ペーストの焼成の両方を兼ねているため、焼成温度が高いセラミックス材との適応性を考慮し金属ペーストの主材料として高融点金属が用いられる。このコファイア法の特徴はセラミックス材と金属ペーストを同時に焼成することにある。焼成によりセラミックス材や金属ペースト自体に収縮が発生するが、セラミックス材と金属ペースト材の熱膨張特性の相異によりセラミックス基板に反りやクラックが発生したり、セラミックス材のスルーホール部内面と金属ペーストとの焼結接合が不十分となる可能性が有る。そこで、セラミックス材と金属ペーストの熱膨張特性を近づけるために、金属ペーストの材質や組成を適正化する必要がある。たとえばセラミックス材がアルミナの場合、熱膨張率が６ｐｐｍであるので金属ペーストに用いる金属粉末は熱膨張特性が近似しているＭｏを用いる。またセラミックス材が窒化アルミや炭化珪素の場合は熱膨張率が４ｐｐｍであるため、金属粉末はＷを主体にＭｏ等を微量に混合した成分とするなどの工夫により、熱膨張特性の調整を行うが、焼結時の加熱過程においてはセラミックス材と金属ペーストの膨張特性を完全に一致させることは困難なため、セラミックス基板には反りやクラックが発生してしまう。またセラミックス材の収縮特性のばらつきにより、焼成後の金属ビアホール自体の寸法ばらつきや、セラミックス基板内の金属ビアホールの位置にばらつきが発生する。その結果、コファイア法では、寸法不良が発生し、歩留は大きく低下するので高精度な回路基板を製造することが困難であった。また、金属ビアホールは絶縁基板の両表面の電気的導通を確保するために設けるが、近年の情報量の増大により、回路基板の高周波特性を向上させる目的で、基板の一部に金属ビアホールを近接させ多数形成する必要がある。しかしコファイア法の場合、ビアホールを近接させるとセラミックスにクラックが発生しやすくなるため、この現象を回避するために金属ビアホールの形成位置や数に制限を加える必要がある。コファイア法はセラミックス材の焼成と金属ペーストの焼成の両方を兼ねているので製造コストを抑えることができると期待されるが、クラックの発生や、収縮特性のばらつきによる寸法不良が発生するので、歩留まりが低くなり、コスト高となっている。
【００１０】
本発明の実施の形態では、焼結された絶縁基板にレーザー法や、ショットブラスト法，超音波加工法によりスルーホール加工を実施し、このスルーホールへ金属ペーストを充填し金属ペーストを焼成するプロセスを採用している。
【００１１】
このプロセスは、スルーホール中へ金属ペーストを充填し焼成するだけでは、健全な金属ビアホールを形成できない。理由は金属ペーストには焼成時にペースト自体の収縮力が作用するが、この収縮力がスルーホール内面と金属ペーストの界面反応による接合力を上回る場合は、金属ペーストが剥離してしまうからである。
【００１２】
本発明の実施の形態では、スルーホール内面をメタライズした後、金属ペースト充填，焼成することで金属ペーストの剥離を回避する効果が得られる。更に、絶縁基板のスルーホール内面を金属ペーストと拡散接合性に優れる材質、たとえば金属ペーストと同材質や、金属ペーストと反応性に富む金属成分を含む材質でメタライズすることにより、金属ペーストとの焼結接合力を向上させることができる。
【００１３】
ここで、メタライズ層と金属ペーストとの適切な接合温度と、金属ペースト自身の適切な焼結温度はメタライズ材質が同材質の場合は比較的近似するが、異材質の場合は異なる。一般に異材質の接合温度は同材質の焼結温度より低い温度となる。これは合金の融点が単一金属の融点より低くなることと同様である。本発明の実施の形態では、歩留まりが高く、電気的導通特性に優れる金属ビアホール及びその製造方法を提供することにあるが、メタライズ層と金属ペーストが異材質である場合、まずメタライズ層と金属ペーストとの適切な加熱処理を実施することで、金属ペーストをスルーホール中の適正な位置で接合し、さらに適切な加熱処理により金属ペースト自身を焼結させることで、金属ペーストの緻密化を促進し電気的導通特性の向上を図ることが可能になる。
【００１４】
（実施例１）
炭化珪素製の絶縁基板へ金属ビアホールとして金ペースト２を用いた基板の製造方法について説明する。
【００１５】
本実施例では、メタライズを、チタン，白金，金の三層蒸着膜としている。このチタン，白金，金の三層蒸着膜によって、金ペースト２と炭化珪素基板１のスルーホール７との密着性を向上することができる。
【００１６】
まず、金ペースト２の収縮率やせん断強度を考慮した金ペースト２の焼成条件について説明する。まず、直径０．２ｍｍ，膜厚０．０１ｍｍの金ペースト２を、絶縁基板である炭化珪素基板１の表面に、スクリーン印刷によって形成する。次に、金ペースト２の焼成条件として、この炭化珪素基板１を大気焼成炉にて加熱速度２０℃／分にて昇温し、４００〜９００℃範囲の任意の焼成温度にて１０分間保持後、冷却して焼成を行った。この任意の焼成温度と金ペースト２の収縮率との関係を図４に示す。
【００１７】
図４は、焼成温度と金ペーストの収縮率の関係を示す図であり、金ペースト２の焼成前と焼成後の直径を比較し、各焼成温度における金ペースト２の収縮率を求めたものである。図４に示すように、金ペースト２の収縮率は、焼成温度が
４００℃〜５００℃の範囲において、５％以下であり、焼成温度が約５５０℃〜８００℃の範囲で１４〜１６％と次第に大きくなっている。そして、金ペースト２の収縮率は、焼成温度が９００℃では２０％以上であることがわかる。
【００１８】
次に、図２に示す構造にて、焼成条件の影響によるせん断強度の確認を行った。図２に示すように、炭化珪素基板１上に形成された焼成後の金ペースト２の表面に、２４０℃で金メタライズした０．５ｍｍ角，厚さ０．２ｍｍのＳｉチップ３を鉛はんだ４によって接合し、せん断強度を測定した。その結果、金ペーストの焼成温度が４００〜９００℃の範囲では、せん断強度が３５０〜４５０ｇで部材相当であり、充分な接合強度であることを確認できた。
【００１９】
以上の結果から、良好な接合強度が得られる金ペーストの焼成温度は、４００℃〜９００℃の範囲であることが望ましいことがわかった。更に、ばらつきが少なく安定したビヤホールを形成するに望ましい焼成温度は、金ペーストの収縮特性が大きくない８００℃以下が好ましい。また、５５０℃以下では収縮率が小さいので金ペーストの焼結温度が低くなり充分な導電特性が得られない。したがって、金ペーストの収縮特性や導電特性を考慮すると、金ペーストの焼成温度は、５５０℃〜８００℃の温度範囲が望ましいことがわかった。
【００２０】
次に、メタライズと金ペースト２の接合条件につき説明する。チタン，白金，金の三層蒸着膜を施した炭化珪素基板１の表面に、直径０．２ｍｍ，膜厚０．０１ｍｍでスクリーン印刷により金ペースト２を形成した。この基板を大気焼成炉にて、加熱速度２０℃／分にて昇温し、３００〜６００℃温度範囲及び６５０〜８００℃温度範囲の任意の温度にて１０分間保持し、冷却した。そして図２と同様に、せん断強度を測定した。その結果、金ペースト２の焼成温度が３００〜６００℃の範囲においては、せん断強度が３００〜５００ｇであり部材と同等であることを確認した。また、金ペースト２の焼成温度が６５０〜８００℃の範囲においては、せん断強度は１００ｇ以下であった。この原因は、薄膜メタライズが炭化珪素基板１の表面から剥離しているためである。このことから本実施例で適用した薄膜メタライズの耐熱性は６００℃以下であることが分かった。
【００２１】
次に、金属ビアホールを有する絶縁回路基板の製造方法を図３を用い説明する。前述したように、メタライズと金ペースト２との接合温度が３００〜６００℃の範囲で十分な強度が得られ、金ペースト２自体の適切な焼成温度が６００〜８００℃であることから、本実施例での製造方法では、金ペーストの焼結温度を６００℃で実施している。金属ビアホールを有する絶縁回路基板の製造方法は、主に、（１）基板形成工程、（２）基板のスルーホール形成工程、（３）スルーホールのメタライズ工程、（４）ビアホール材充填工程、（５）ビアホール材である金ペースト２の焼成工程、（６）基板表面のメタライズ工程、を含み、（７）回路基板形成にいたる。
【００２２】
（１）基板形成工程では、高精彩な回路を形成するため、基板表面が鏡面であることが重要である。絶縁基板としては炭化珪素基板１を用いた。基板寸法は５０ｍｍ角で板厚０．６ｍｍとし、その基板をダイヤモンド回転砥石により０．４ｍｍまで荒加工し、板厚０．３ｍｍまで鏡面加工した。この鏡面加工は、平均粒径１μｍのダイヤモンド粉末と研磨用オイルを混合させたラップ液により回転研磨法で実施した。
【００２３】
（２）基板のスルーホール形成工程では、ショットブラスト法にて、基板の片面から加工した。この方法は粒度４００番の炭化珪素の砥粒を１０気圧の圧縮空気とともに基板表面に噴射し加工する方法である。
【００２４】
図３の（ａ）に示すように、炭化珪素基板１を６０℃に加熱し、厚さ１００μｍのフィルムレジスト５を基板の片面に貼り付け、所定の位置にスルーホールを形成するために、ホトリソグラフィー法により径０．２ｍｍの窓をフィルムレジストに形成した。この基板をショットブラスト用治具に固定し、フィルムレジスト５の貼ってある基板面ヘショットブラスト６を行うことにより、炭化珪素基板１にスルーホール７を形成することができる。ショットブラスト法は、砥粒を衝突させる加工法であるため、穴加工が進むに従い、穴の中へ砥粒が入りづらくなるので、図３の（ａ）のような、すり鉢状のスルーホールとなる。このすり鉢状スルーホールの穴斜面の傾斜角度は、水平面に対して約７０°である。但し、開口後もブラスト処理を１０分程度継続することにより穴斜面の傾斜角度は、約８０°となった。このスルーホールの加工後、アルコール中で超音波洗浄を１０分間実施し、エアーブロー乾燥させ、附着した砥粒を除去した。
【００２５】
（３）スルーホールのメタライズ工程では、図３の（ｂ）に示すように、スルーホール内面へのメタライズを行う。蒸着膜であるメタライズ層８は、電子ビーム蒸着法による薄膜メタライズを適用した。具体的には、治具へ固定した炭化珪素基板１を真空中にて２００℃で加熱保持し、三層のメタライズを施した。図３の（ｂ）の三層のメタライズ部Ａの拡大したものを図３の（ｈ）に示す。本実施例では、三層のメタライズ層８は、基板表面から順次、チタン層８ａを０．１μｍ、白金層８ｂを０．２μｍ、金層８ｃを０．５μｍで構成した。これら層状の蒸着膜は、基板表面全面に施すとともに、スルーホール７の内面にも、蒸発した金属が回り込み作用により形成できる。ここで、チタン層８ａは、炭化珪素基板１との密着性を確保する役割を果たしている。白金層８ｂは金層８ｃへのチタン原子の拡散抑止層の役割を果たす。金層８ｃは金ペースト２を充填して形成するビアホール材との拡散接合させる役割を果たしている。
【００２６】
（４）ビアホール材充填工程では、図３の（ｃ）に示すように、金ペースト９はスクリーン印刷法によりスルーホール部へ充填され、大気中で１５分間の放置により安定化させ、その後、１２５℃の大気加熱炉内で３０分間保持し、乾燥させた。
【００２７】
（５）金ペースト２の焼成工程では、ベルト炉にて焼成を実施した。炭化珪素基板１の加熱速度は１０℃／分とし、６００℃で１０分保持し、金ペースト９とメタライズ層８との相互拡散処理と金ペースト２自体の焼結処理を兼ねて実施した。その後、１００℃まで３０分冷却した。
【００２８】
図３の（ｄ）に、焼成後の基板を示す。金ペースト１０は焼成収縮により基板表面からスルーホールの内部に移動しているが、スルーホール側面は完全に金ペースト１０を固着させることができた。スルーホール側面に施すメタライズの効果の確認として、メタライズなしの基板へ金ペーストを印刷法により充填し、
６００℃で焼成した場合のものを図７の（ｅ）に示す。このようなメタライズ無しの基板を観察したところ、金ペースト１１は、収縮によりスルーホールから完全に剥離している。これに対して、図３の（ｄ）のような本実施例によるメタライズの効果が確認できた。
【００２９】
（６）次に基板表面のメタライズ工程（第二のメタライズ工程）を説明する。図３の（ｄ）の基板の表面をダイヤモンド砥石にて板厚０．２ｍｍまで両面とも鏡面加工した。さらにアルコールによる超音波洗浄を行い、図３の（ｆ）に示すように真空中にて基板を２００℃で加熱保持し、チタンを０．１μｍ、白金を０．２μｍ、金を０．５μｍの順で三層のメタライズ１２を施した。炭化珪素基板１の表面の回路パターニングのためにレジストパターニングとイオンミリング法を適用し、チタン，白金，金の三層膜のパターン１３を形成した。
【００３０】
基板表面の蒸着メタライズとパターニングを基板両面ともに実施し、幅０．１ｍｍのダイヤモンドブレードにて基板を１ｍｍ角に切断した。
【００３１】
（７）図３の（ｇ），図１に完成した金属ビアホール１０を有する回路基板を示す。この回路基板の金属ビアホール１０で電気的につながった両表面のパターンの導通低抗を測定したところ、０．１Ω以下であり良好な結果が得られた。
【００３２】
以上のような本実施例によって、健全な金属ビアホールを形成でき、歩留まり向上が図れる。また、絶縁基板の両表面の電気的導通を良好に確保することができる。また、スルーホールのメタライズ工程（第一のメタライズ工程）と、基板表面のメタライズ工程とを含むので、更に、絶縁基板の両表面の電気的導通を良好に確保することができる。そのため、回路基板の高精度化が可能となる。
【００３３】
また、本実施例による回路基板では、ビアホールの焼成により回路基板にクラックの発生や、ビアホールの位置のばらつきが発生しないので製造歩留まりが高く、クラック防止のために基板内でのビアホールの配置や数に制限を加える必要が無いため、自由に回路設計が可能になり優れた回路基板を提供することが出来る。
【００３４】
（実施例２）
アルミナ製の絶縁基板へ金属ビアホールとして銅ペーストを用いる場合について説明する。ここでは、銅ペーストとアルミナ基板のスルーホールとの密着性を向上させるためのメタライズとして、クロム，ニッケル，金の三層蒸着膜を適用した。アルミナ基板の寸法は５０ｍｍ角で板厚０．６ｍｍのものをダイヤモンド回転砥石により０．５ｍｍまで荒加工し、鏡面加工により板厚０．４ｍｍとした。この鏡面加工は、平均粒径１μｍのアルミナ粉末と水を混合させたラップ液により回転研磨法で実施した。基板のスルーホール形成は、レーザ法により、基板の片面から加工した。この方法はＸＹテーブルヘアルミナ基板を固定し、基板の所定の位置へ直接ＹＡＧレーザを照射することで、穴加工を行うもので、ＹＡＧレーザーのエネルギーにより加工部のアルミナは昇華することにより除去され穴が形成される。レーザー加工により穴径０．３ｍｍのスルーホールをピッチ１ｍｍの間隔で形成した。
【００３５】
スルーホールの加工後、アルコール中で超音波洗浄を１０分間実施し、エアーブロー乾燥させ、附着した砥粒を除去した。スルーホール内面へのメタライズは電子ビーム蒸着法による薄膜メタライズを適用した。基板を基板固定治具へ固定し真空中にて基板を２００℃で加熱保持しクロムを０．１μｍ、ニッケルを０．４μｍ、金を１μｍの順で三層のメタライズを施した。蒸着膜は、基板の表面全体に施すとともに、スルーホール内面へも蒸着した金属が回り込みにより形成できる。クロム層は、アルミナ基板との密着性を確保することを目的としている。ニッケル層は金層へのチタン原子の拡散抑止層である。金層は銅ペーストを充填してなるビアホール材との拡散接合させることを目的とする。
【００３６】
銅ペーストはスクリーン印刷法によりスルーホール部へ充填し、大気中で１５分間の放置により安定化させ、その後、１２５℃の大気加熱炉内で３０分間保持し、乾燥させた。
【００３７】
銅ペースト焼成は、窒素雰囲気のベルト炉にて実施した。基板の加熱速度は毎分１０℃とし、３００℃を１０分保持することで、薄膜メタライズのＡｕ層と銅ペーストとの相互拡散処理を実施した。金と銅は低温で相互拡散が進むためスルーホール側面に銅ペーストを完全に固着させることができた。その後、更に同じ加熱速度で温度を上昇させ、７５０℃を１０分保持し銅ペーストの焼結処理を実施した。その後、１００℃まで４０分冷却した。
【００３８】
基板表面をアルミナ砥石にて両面ともに鏡面加工した。更にアルコールによる超音波洗浄実施し、真空中にて基板を２００℃で加熱保持しチタンを０．１μｍ、白金を０．２μｍ、金を０．５μｍの順で三層のメタライズを施した。炭化珪素基板表面の回路パターニングのためにレジストパターンとイオンミリング法を適用し、チタン，白金，金の三層膜のパターンを形成した。
【００３９】
基板表面の蒸着メタライズとパターニングを基板正面とも実施することで、金属ビアホールを有する回路基板を形成することが出来る。この回路基板の金属ビアホールでつながった寮表面のパターンの導通抵抗を測定したところ、０．１Ω以下であり良好な結果が得られた。
【００４０】
（実施例３）
実施例１で製作したダイシング前の回路基板を２枚をはんだによる接合し図５に示す多層配線基板を製作する方法を説明する。
【００４１】
ホトリソグラフィーのリフトオフ法を適用し、回路基板１ａの三層膜パターン１３上にスパッタ法により金ゲルマニウム１４を共晶成分のものを膜厚６ミクロン形成した。
【００４２】
コバール材の固定治具にて２枚の回路基板同士の位置合わせを行い、窒素雰囲気のベルト炉を用い、加熱速度２０℃／分，４００℃保持１０秒，荷重１００ｇ／ｃｍ^２により接合した。その後、ダイシングすることで多層配線基板を製作した。
【００４３】
本実施例による回路基板では、ビアホールの焼成により回路基板にクラックの発生や、ビアホールの位置のばらつきが発生しないので製造歩留まりが高く、クラック防止のために基板内でのビアホールの配置や数に制限を加える必要が無いため、自由に回路設計が可能になり優れた回路基板を提供することが出来る。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によると、歩留まり及び精度が優れた、金属ビアホールを有する回路基板の製造方法及び回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金ビアホール付回路基板の斜視図。
【図２】金ペーストのせん断強度測定構成図。
【図３】金ビアホール付回路基板の製造工程を示す図。
【図４】金ペーストの焼成温度と収縮率の関係を示す図。
【図５】ビアホール付基板を接合した多層配線基板の断面を示す図。
【符号の説明】
１…炭化珪素基板、２，９，１０，１１…金ペースト、３…Ｓｉチップ、４…鉛はんだ、５…フィルムレジスト、６…ショットブラスト、７…スルーホール、８…メタライズ層、８ａ…チタン層、８ｂ…白金層、８ｃ…金層、１２…三層のメタライズ、１３…三層膜のパターン、１４…金ゲルマニウム。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a circuit board having metal via holes and a circuit board.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a via hole in an insulating substrate is formed by using a high melting point metal material such as W or Mo for a via hole of a ceramic material as disclosed in JP-A-9-36274 and JP-A-8-213510. In this case, electrical continuity between both planes of the insulating substrate is ensured.
[0003]
This manufacturing process is called a cofire method, and a high melting point metal is used as a main material of the metal paste in consideration of adaptability to a ceramic material having a high firing temperature.
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-36274 [Patent Document 2]
JP-A-8-213510
[Problems to be solved by the invention]
The substrate may be warped or cracked, or the sinter bonding between the inner surface of the ceramic material through hole and the metal paste may be insufficient, and the yield may be reduced due to the warpage or cracking of the ceramic substrate However, it was difficult to manufacture a high-precision circuit board.
[0006]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a circuit board having a metal via hole and a circuit board having excellent yield and accuracy.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides a first metallizing step of metallizing holes in an insulating substrate, a step of filling and sintering a metal paste in the metallized holes, and a second metallizing step of metallizing the surface of the insulating substrate after sintering. And characterized in that:
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments of the present invention relate to an insulated circuit board and a heat dissipation board for a semiconductor having a metal via hole, which are particularly effective in reducing costs and improving production yield, and having a structure of a metal via hole excellent in electrical conduction characteristics. It concerns the manufacturing process.
[0009]
As a technique for forming a via hole in an insulating substrate, there is a cofire method. This involves making a green sheet of a mixture of ceramic powder and an organic binder such as cellulose by the doctor blade method, punching through holes using a mold before firing the ceramics, and making W and Mo the main components. Is filled, and then degreased and fired. This is a method of simultaneously sintering a ceramic and a metal paste. In this method, since both firing of the ceramic material and firing of the metal paste are performed, a refractory metal is used as a main material of the metal paste in consideration of adaptability to a ceramic material having a high firing temperature. The feature of this cofire method is that the ceramic material and the metal paste are fired simultaneously. The firing causes shrinkage of the ceramic material or metal paste itself, but due to differences in the thermal expansion characteristics between the ceramic material and the metal paste material, warpage or cracks may occur in the ceramic substrate, or the inner surface of the ceramic material through-hole and the metal paste may be shrunk. The sintering with the alloy may be insufficient. Therefore, it is necessary to optimize the material and composition of the metal paste in order to approximate the thermal expansion characteristics of the ceramic material and the metal paste. For example, when the ceramic material is alumina, since the coefficient of thermal expansion is 6 ppm, Mo having similar thermal expansion characteristics is used as the metal powder used for the metal paste. Further, when the ceramic material is aluminum nitride or silicon carbide, the coefficient of thermal expansion is 4 ppm. Therefore, the thermal expansion characteristics are adjusted by devising the metal powder to be a component mainly containing W and a small amount of Mo or the like. However, in the heating process during sintering, it is difficult to completely match the expansion characteristics of the ceramic material and the metal paste, so that the ceramic substrate is warped or cracked. In addition, variations in shrinkage characteristics of the ceramic material cause variations in dimensions of the metal via holes themselves after firing, and variations in positions of the metal via holes in the ceramic substrate. As a result, in the cofire method, dimensional defects occur and the yield is greatly reduced, so that it has been difficult to manufacture a highly accurate circuit board. Metal via holes are provided to ensure electrical conduction between both surfaces of the insulating substrate. However, due to the increase in the amount of information in recent years, metal via holes have been placed close to a part of the substrate for the purpose of improving the high-frequency characteristics of the circuit board. It is necessary to form many. However, in the case of the cofire method, cracks are likely to be generated in the ceramics when the via holes are brought close to each other. Therefore, in order to avoid this phenomenon, it is necessary to limit the position and number of metal via holes. The cofiring method is expected to reduce the manufacturing cost because it combines both firing of the ceramic material and firing of the metal paste.However, cracks and dimensional defects due to variations in shrinkage characteristics occur, so the yield is high. And the cost is high.
[0010]
In the embodiment of the present invention, a process of performing through-hole processing on a sintered insulating substrate by a laser method, a shot blast method, or an ultrasonic processing method, filling the through-hole with a metal paste, and firing the metal paste. Is adopted.
[0011]
In this process, a sound metal via hole cannot be formed only by filling a metal paste into a through hole and firing it. The reason is that the shrinking force of the paste itself acts on the metal paste during firing, but if the shrinking force exceeds the bonding force due to the interface reaction between the inner surface of the through hole and the metal paste, the metal paste will peel off.
[0012]
In the embodiment of the present invention, after the inner surface of the through hole is metallized, the metal paste is filled and baked, thereby obtaining an effect of avoiding peeling of the metal paste. Further, by metallizing the inner surface of the through hole of the insulating substrate with a material having excellent diffusion bonding properties with the metal paste, for example, the same material as the metal paste or a material containing a metal component highly reactive with the metal paste, the firing with the metal paste is performed. The binding strength can be improved.
[0013]
Here, an appropriate bonding temperature between the metallized layer and the metal paste and an appropriate sintering temperature of the metal paste itself are relatively similar when the metallized materials are the same, but different when the metallized materials are different. Generally, the joining temperature of different materials is lower than the sintering temperature of the same material. This is similar to the fact that the melting point of the alloy is lower than the melting point of the single metal. An embodiment of the present invention is to provide a metal via hole having a high yield and excellent electrical conduction characteristics and a method of manufacturing the same. First, when the metallized layer and the metal paste are made of different materials, the metallized layer and the metal paste are first used. By carrying out appropriate heat treatment with the metal paste, the metal paste is joined at an appropriate position in the through hole, and the metal paste itself is sintered by appropriate heat treatment to promote the densification of the metal paste. It is possible to improve the electrical conduction characteristics.
[0014]
(Example 1)
A method of manufacturing a substrate using a gold paste 2 as a metal via hole in an insulating substrate made of silicon carbide will be described.
[0015]
In this embodiment, the metallization is a three-layer deposited film of titanium, platinum, and gold. The adhesion between the gold paste 2 and the through hole 7 of the silicon carbide substrate 1 can be improved by the three-layer deposited film of titanium, platinum, and gold.
[0016]
First, the firing conditions of the gold paste 2 in consideration of the shrinkage and the shear strength of the gold paste 2 will be described. First, a gold paste 2 having a diameter of 0.2 mm and a thickness of 0.01 mm is formed on the surface of a silicon carbide substrate 1 as an insulating substrate by screen printing. Next, as firing conditions of gold paste 2, silicon carbide substrate 1 was heated in an air firing furnace at a heating rate of 20 ° C./min, and held at an optional firing temperature in the range of 400 to 900 ° C. for 10 minutes. After cooling, firing was performed. FIG. 4 shows the relationship between the arbitrary firing temperature and the shrinkage ratio of the gold paste 2.
[0017]
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the firing temperature and the shrinkage ratio of the gold paste. The diameters of the gold paste 2 before and after firing are compared to determine the shrinkage ratio of the gold paste 2 at each firing temperature. is there. As shown in FIG. 4, the shrinkage ratio of the gold paste 2 is 5% or less when the firing temperature is in a range of 400 ° C. to 500 ° C., and is 14 to 16% when the firing temperature is in a range of about 550 ° C. to 800 ° C. It is getting bigger and bigger. And it turns out that the shrinkage rate of the gold paste 2 is 20% or more at the firing temperature of 900 ° C.
[0018]
Next, the structure shown in FIG. 2 was used to confirm the shear strength under the influence of the firing conditions. As shown in FIG. 2, a 0.5 mm square, 0.2 mm thick Si chip 3 metalized at 240 ° C. is lead soldered on a surface of a fired gold paste 2 formed on a silicon carbide substrate 1. And the shear strength was measured. As a result, when the firing temperature of the gold paste was in the range of 400 to 900 ° C., the shear strength was 350 to 450 g, which was equivalent to a member, and it was confirmed that the bonding strength was sufficient.
[0019]
From the above results, it was found that it is desirable that the firing temperature of the gold paste at which good bonding strength is obtained is in the range of 400 ° C to 900 ° C. Further, the preferable firing temperature for forming a stable via hole with little variation is preferably 800 ° C. or less where the shrinkage characteristics of the gold paste are not large. At 550 ° C. or lower, the shrinkage is small, so that the sintering temperature of the gold paste is lowered and sufficient conductive properties cannot be obtained. Accordingly, it was found that the firing temperature of the gold paste is desirably in the temperature range of 550 ° C. to 800 ° C. in consideration of the shrinkage characteristics and the conductive characteristics of the gold paste.
[0020]
Next, the joining conditions of the metallization and the gold paste 2 will be described. A gold paste 2 having a diameter of 0.2 mm and a thickness of 0.01 mm was formed by screen printing on the surface of a silicon carbide substrate 1 on which a three-layer vapor-deposited film of titanium, platinum, and gold was applied. The substrate was heated in an air firing furnace at a heating rate of 20 ° C./min, kept at an arbitrary temperature in a temperature range of 300 to 600 ° C. and 650 to 800 ° C. for 10 minutes, and cooled. And the shear strength was measured like FIG. As a result, it was confirmed that when the firing temperature of the gold paste 2 was in the range of 300 to 600 ° C., the shear strength was 300 to 500 g, which was equivalent to that of the member. When the firing temperature of the gold paste 2 was in the range of 650 to 800 ° C, the shear strength was 100 g or less. This is because the thin film metallization is peeled off from the surface of silicon carbide substrate 1. From this, it was found that the heat resistance of the thin film metallization applied in this example was 600 ° C. or less.
[0021]
Next, a method of manufacturing an insulated circuit board having metal via holes will be described with reference to FIG. As described above, when the joining temperature between the metallization and the gold paste 2 is in the range of 300 to 600 ° C., sufficient strength is obtained, and the appropriate firing temperature of the gold paste 2 itself is 600 to 800 ° C. In the manufacturing method in the example, the sintering temperature of the gold paste is 600 ° C. The method of manufacturing an insulated circuit board having metal via holes mainly includes (1) a substrate forming step, (2) a through hole forming step of a substrate, (3) a metallizing step of a through hole, (4) a via hole material filling step, 5) Includes a firing step of the gold paste 2 as a via hole material, (6) a metallizing step of the substrate surface, and (7) formation of a circuit board.
[0022]
(1) In the substrate forming step, it is important that the substrate surface is a mirror surface in order to form a high-definition circuit. Silicon carbide substrate 1 was used as an insulating substrate. The size of the substrate was 50 mm square and the plate thickness was 0.6 mm. The substrate was rough-processed to 0.4 mm with a diamond rotary grindstone and mirror-finished to a plate thickness of 0.3 mm. The mirror finishing was performed by a rotary polishing method using a lapping liquid in which diamond powder having an average particle diameter of 1 μm and polishing oil were mixed.
[0023]
(2) In the through hole forming step of the substrate, processing was performed from one side of the substrate by a shot blast method. This method is a method in which abrasive grains of silicon carbide having a grain size of 400 are sprayed onto the substrate surface together with compressed air at 10 atm and processed.
[0024]
As shown in FIG. 3A, the silicon carbide substrate 1 is heated to 60.degree. C., a film resist 5 having a thickness of 100 .mu.m is attached to one surface of the substrate, and a photo resist is formed to form a through hole at a predetermined position. A window having a diameter of 0.2 mm was formed in the film resist by lithography. By fixing this substrate to a shot blasting jig and performing shot blasting 6 on the substrate surface on which film resist 5 is adhered, through holes 7 can be formed in silicon carbide substrate 1. Since the shot blasting method is a processing method in which abrasive grains collide with each other, as the drilling proceeds, it becomes difficult for abrasive grains to enter the holes. Therefore, the shot blasting method uses a mortar-shaped through hole as shown in FIG. Become. The angle of inclination of the hole slope of the mortar-shaped through hole is about 70 ° with respect to the horizontal plane. However, by continuing the blasting process for about 10 minutes after the opening, the inclination angle of the hole slope was about 80 °. After the processing of the through hole, ultrasonic cleaning was performed in alcohol for 10 minutes, followed by air blow drying to remove the attached abrasive grains.
[0025]
(3) In the through-hole metallization step, as shown in FIG. 3B, metallization is performed on the inner surface of the through-hole. For the metallized layer 8 as a vapor-deposited film, thin-film metallization by an electron beam vapor deposition method was applied. Specifically, silicon carbide substrate 1 fixed to a jig was heated and held at 200 ° C. in a vacuum to perform three-layer metallization. FIG. 3H shows an enlarged view of the three-layer metallized portion A in FIG. 3B. In the present embodiment, the three metallized layers 8 are constituted by a titanium layer 8a of 0.1 μm, a platinum layer 8b of 0.2 μm and a gold layer 8c of 0.5 μm in order from the substrate surface. These layered vapor-deposited films can be formed on the entire surface of the substrate and also on the inner surface of the through-hole 7 by evaporation of the evaporated metal. Here, titanium layer 8 a plays a role of ensuring adhesion to silicon carbide substrate 1. The platinum layer 8b functions as a layer for suppressing diffusion of titanium atoms into the gold layer 8c. The gold layer 8c plays a role of diffusion bonding with a via hole material formed by filling the gold paste 2.
[0026]
(4) In the via hole material filling step, as shown in FIG. 3 (c), the gold paste 9 is filled into the through hole portion by a screen printing method, and is stabilized by being left in the air for 15 minutes. The sample was kept in an atmosphere heating furnace at 30 ° C. for 30 minutes and dried.
[0027]
(5) In the firing step of the gold paste 2, firing was performed in a belt furnace. The heating rate of silicon carbide substrate 1 was set to 10 ° C./min, and held at 600 ° C. for 10 minutes, and the inter-diffusion process between gold paste 9 and metallized layer 8 and the sintering process of gold paste 2 itself were performed. Then, it cooled to 100 degreeC for 30 minutes.
[0028]
FIG. 3D shows the substrate after firing. The gold paste 10 moved from the substrate surface to the inside of the through hole due to shrinkage during firing, but the gold paste 10 could be completely fixed on the side surface of the through hole. As a check of the effect of metallization applied to the side of the through hole, fill the substrate without metallization with gold paste by printing method,
FIG. 7 (e) shows the result of firing at 600 ° C. When observing such a substrate without metallization, the gold paste 11 was completely peeled off from the through hole due to shrinkage. On the other hand, the effect of the metallization according to the present embodiment as shown in FIG.
[0029]
(6) Next, the metallization step (second metallization step) of the substrate surface will be described. The surface of the substrate shown in FIG. 3D was mirror-finished on both sides to a thickness of 0.2 mm with a diamond grindstone. Further, ultrasonic cleaning with alcohol is performed, and as shown in FIG. 3 (f), the substrate is heated and held at 200 ° C. in a vacuum, and titanium is 0.1 μm, platinum is 0.2 μm, and gold is 0.5 μm. Three layers of metallization 12 were applied in this order. A resist patterning and an ion milling method were applied for circuit patterning of the surface of the silicon carbide substrate 1 to form a three-layer pattern 13 of titanium, platinum and gold.
[0030]
The metallization and patterning of the substrate surface were performed on both sides of the substrate, and the substrate was cut into 1 mm squares with a 0.1 mm width diamond blade.
[0031]
(7) FIG. 3 (g) and FIG. 1 show a completed circuit board having a metal via hole 10. When the conduction resistance of the patterns on both surfaces electrically connected by the metal via holes 10 of this circuit board was measured, it was 0.1Ω or less, and a good result was obtained.
[0032]
According to this embodiment as described above, a sound metal via hole can be formed, and the yield can be improved. In addition, good electrical continuity between both surfaces of the insulating substrate can be ensured. Further, since the method includes a metallizing step (first metallizing step) for through-holes and a metallizing step for the substrate surface, it is possible to further ensure good electrical continuity between both surfaces of the insulating substrate. Therefore, it is possible to increase the precision of the circuit board.
[0033]
In addition, in the circuit board according to the present embodiment, cracks do not occur in the circuit board due to sintering of the via holes, and variations in the positions of the via holes do not occur, so that the production yield is high, and the arrangement and number of via holes in the board for preventing cracks are increased. Since there is no need to add restrictions, it is possible to freely design a circuit and to provide an excellent circuit board.
[0034]
(Example 2)
A case where a copper paste is used as a metal via hole in an insulating substrate made of alumina will be described. Here, a three-layer deposited film of chromium, nickel, and gold was applied as metallization for improving the adhesion between the copper paste and the through hole of the alumina substrate. The size of the alumina substrate was 50 mm square and 0.6 mm in plate thickness. Roughing was performed to 0.5 mm with a diamond rotating grindstone, and the plate thickness was 0.4 mm by mirror polishing. The mirror finishing was performed by a rotary polishing method using a lapping liquid obtained by mixing alumina powder having an average particle diameter of 1 μm and water. The formation of through holes in the substrate was performed from one side of the substrate by a laser method. In this method, an alumina substrate is fixed to an XY table and a hole is formed by directly irradiating a predetermined position of the substrate with a YAG laser. Alumina in a processed portion is removed by sublimation by the energy of the YAG laser. A hole is formed. Through holes having a hole diameter of 0.3 mm were formed at an interval of 1 mm by laser processing.
[0035]
After the processing of the through holes, ultrasonic cleaning was performed in alcohol for 10 minutes, followed by air blow drying to remove the attached abrasive grains. Metallization on the inner surface of the through hole was performed by thin-film metallization using electron beam evaporation. The substrate was fixed to a substrate fixing jig, and the substrate was heated and held at 200 ° C. in vacuum, and three layers of metallization were applied in the order of 0.1 μm of chromium, 0.4 μm of nickel, and 1 μm of gold. The deposited film is formed on the entire surface of the substrate, and the metal deposited on the inner surface of the through-hole can be formed by wraparound. The purpose of the chromium layer is to ensure adhesion to the alumina substrate. The nickel layer is a layer for suppressing the diffusion of titanium atoms into the gold layer. The purpose of the gold layer is to perform diffusion bonding with a via hole material filled with a copper paste.
[0036]
The copper paste was filled into the through-hole portion by a screen printing method, stabilized by leaving it in the air for 15 minutes, and then kept in an air heating furnace at 125 ° C. for 30 minutes and dried.
[0037]
The copper paste was fired in a belt furnace in a nitrogen atmosphere. The substrate was heated at a rate of 10 ° C./min and held at 300 ° C. for 10 minutes to perform an interdiffusion process between the Au layer of the thin film metallization and the copper paste. Gold and copper mutually diffused at a low temperature, so that the copper paste could be completely fixed to the side surface of the through hole. Thereafter, the temperature was further increased at the same heating rate, and 750 ° C. was maintained for 10 minutes to perform a sintering treatment of the copper paste. Then, it cooled to 100 degreeC for 40 minutes.
[0038]
Both surfaces of the substrate were mirror-finished with an alumina grindstone. Further, ultrasonic cleaning with alcohol was performed, and the substrate was heated and maintained at 200 ° C. in a vacuum, and three layers of metallized titanium were applied in order of 0.1 μm, platinum 0.2 μm, and gold 0.5 μm. A resist pattern and an ion milling method were applied for circuit patterning on the surface of the silicon carbide substrate to form a three-layer pattern of titanium, platinum, and gold.
[0039]
By performing the vapor deposition metallization and patterning on the front surface of the substrate, a circuit substrate having metal via holes can be formed. When the conduction resistance of the pattern on the surface of the dormitory connected by the metal via holes of this circuit board was measured, it was 0.1Ω or less, and good results were obtained.
[0040]
(Example 3)
A method for manufacturing a multilayer wiring board shown in FIG. 5 by bonding two circuit boards before dicing manufactured in Example 1 with solder will be described.
[0041]
By applying the lift-off method of photolithography, gold germanium 14 having a eutectic component with a thickness of 6 μm was formed on the three-layer film pattern 13 of the circuit board 1a by sputtering.
[0042]
The two circuit boards were aligned with each other using a Kovar fixing jig, and joined using a belt furnace in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 20 ° C./min, 400 ° C. for 10 seconds, and a load of 100 g / cm ² . Thereafter, a multilayer wiring board was manufactured by dicing.
[0043]
In the circuit board according to the present embodiment, the production yield is high because cracks do not occur on the circuit board due to the firing of the via holes and the positions of the via holes do not vary, and the arrangement and number of via holes in the board are limited to prevent cracks. Since there is no need to add a circuit board, a circuit can be freely designed and an excellent circuit board can be provided.
[0044]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a circuit board having a metal via hole, which is excellent in yield and accuracy, and a circuit board.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a circuit board with gold via holes.
FIG. 2 is a configuration diagram of a shear strength measurement of a gold paste.
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of a circuit board with gold via holes.
FIG. 4 is a graph showing a relationship between a firing temperature of a gold paste and a shrinkage ratio.
FIG. 5 is a diagram showing a cross section of a multilayer wiring board to which a board with via holes is joined.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon carbide board, 2, 9, 10, 11 ... Gold paste, 3 ... Si chip, 4 ... Lead solder, 5 ... Film resist, 6 ... Shot blast, 7 ... Through hole, 8 ... Metallized layer, 8a ... Titanium Layer 8b: Platinum layer, 8c: Gold layer, 12: Three-layer metallization, 13: Pattern of three-layer film, 14: Gold germanium.

Claims

絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴加工する加工工程と、加工された穴にメタライズする第一のメタライズ工程と、メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する工程と、焼結後に前記絶縁基板の表面をメタライズする第二のメタライズ工程とを含む金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。A conductor pattern layer is formed on opposite surfaces of an insulating substrate, and a part of a conductive pattern present on both surfaces is a method for manufacturing a circuit board having metal via holes that are electrically connected by metal via holes.
A processing step of forming a hole in the insulating substrate, a first metallizing step of metallizing the processed hole, a step of filling a metal paste in the metalized hole and sintering, and after sintering, the surface of the insulating substrate is formed. A method of manufacturing a circuit board having a metal via hole including a second metallizing step of metallizing.

絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴を形成する加工工程と、前記穴に金属メタライズするメタライズ工程と、金属メタライズされた穴に金属ペーストを充填し焼結する充填焼結工程とを含み、
前記金属メタライズと該金属ペーストとの接合強度に基づく焼成温度及び該金属ペースト自体の緻密化に基づく焼成温度とから、前記充填焼結工程での焼結の焼成温度を設定して焼成することを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。A conductor pattern layer is formed on opposite surfaces of an insulating substrate, and a part of a conductive pattern present on both surfaces is a method for manufacturing a circuit board having metal via holes that are electrically connected by metal via holes.
A processing step of forming a hole in the insulating substrate, a metallizing step of metallizing the hole, and a filling sintering step of filling and sintering a metal paste in the metallized hole,
From the firing temperature based on the bonding strength between the metallized metal and the metal paste and the firing temperature based on the densification of the metal paste itself, setting the firing temperature for sintering in the filling sintering step and firing. A method for manufacturing a circuit board having a metal via hole.

絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板に穴を形成する加工工程と、前記穴に金属ペーストを充填し焼結する充填焼結工程とを含み、
前記充填焼結工程での焼結の焼成温度を、４００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。A conductor pattern layer is formed on opposite surfaces of an insulating substrate, and a part of a conductive pattern present on both surfaces is a method for manufacturing a circuit board having metal via holes that are electrically connected by metal via holes.
A processing step of forming a hole in the insulating substrate, and a filling and sintering step of filling and sintering the hole with a metal paste,
A method for manufacturing a circuit board having metal via holes, wherein a firing temperature of sintering in the filling sintering step is in a range of 400 ° C to 900 ° C.

請求項１又は請求項２に記載の金属ビアホールを有する回路基板の製造方法において、
前記金属ビアホールの焼結の焼成温度を、４００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。A method for manufacturing a circuit board having a metal via hole according to claim 1 or 2,
A method for manufacturing a circuit board having metal via holes, wherein the firing temperature for sintering the metal via holes is in a range of 400 ° C to 900 ° C.

請求項１〜請求項３の何れかに記載の金属ビアホールを有する回路基板の製造方法において、
前記金属ビアホールの焼結の焼成温度を、５５０℃〜８００℃の範囲とすることを特徴とする金属ビアホールを有する回路基板の製造方法。A method for manufacturing a circuit board having a metal via hole according to any one of claims 1 to 3,
A method for manufacturing a circuit board having a metal via hole, wherein the firing temperature for sintering the metal via hole is in a range of 550 ° C to 800 ° C.

金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記金属ビアホールと該絶縁基板との間に第一のメタライズ層が配置され、前記絶縁基板の両面に第二のメタライズ層が配置された金属ビアホールを有する回路基板。A circuit board having a metal via hole,
A circuit board having a metal via hole in which a first metallized layer is disposed between the metal via hole and the insulating substrate, and a second metallized layer is disposed on both surfaces of the insulating substrate.

金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記金属ビアホールと該絶縁基板との間に第一のメタライズ層が配置され、前記絶縁基板の両面に第二のメタライズ層が配置され、
前記第一のメタライズ層と前記第二のメタライズ層とは別体であって、且つ電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板。A circuit board having a metal via hole,
A first metallized layer is disposed between the metal via hole and the insulating substrate, and a second metallized layer is disposed on both surfaces of the insulating substrate.
A circuit board having a metal via hole which is separate from the first metallized layer and the second metallized layer and is electrically connected.

絶縁基板の相対する両面に導体パターン層が形成され、該両面に存在する導電パターンの一部が金属ビアホールにより電気的に接続されている金属ビアホールを有する回路基板であって、
前記絶縁基板の穴にメタライズが施され、そのメタライズされた穴に金属ペーストが充填され、該絶縁基板の表面がメタライズされた金属ビアホールを有する回路基板。A circuit board having a metal via hole in which a conductive pattern layer is formed on opposite surfaces of an insulating substrate, and a part of the conductive pattern present on the both surfaces is electrically connected by the metal via hole.
A circuit board having metallized holes in the insulating substrate, filling the metallized holes with a metal paste, and having metalized metal via holes on the surface of the insulating substrate.

請求項６〜請求項８の何れかに記載の金属ビアホールを有する回路基板において、
該回路基板を少なくとも２つ接合し多層化された金属ビアホールを有する回路基板。A circuit board having a metal via hole according to any one of claims 6 to 8,
A circuit board having a metal via hole formed by bonding at least two circuit boards.