JP2004315971A - Vapor deposition system, method of producing plasma display panel, and method of producing plasma display device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition system which realizes the control of film quality for high speed responsiveness, further realizes the control of film quality not influenced by the long time operation of the device and easily controls film quality, to provide a method of producing a plasma display panel, and to provide a method of producing a plasma display device. <P>SOLUTION: The vapor deposition system is composed of: an electron beam irradiation apparatus (2) arranged in a vapor deposition chamber (4) and irradiating the upper face (11) of a vapor depositing material (9) with an electron beam; and an irradiating area controller controlling the irradiating area of the upper face (11) of the vapor depositing material or controlling the physical volume corresponding to the irradiating area. In accordance with the static individuality and the dynamic individuality of machinery, based on the actual survey of parameters corresponding to the individuality, the irradiating area is directly controlled, or the irradiating area is indirectly controlled. The control of the irradiating area can positively offset the variation in the quality possibly dynamically varying. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、蒸着システムに関し、特には、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a vapor deposition system, and more particularly, to a method for manufacturing a plasma display panel and a method for manufacturing a plasma display device.

プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）は、量産技術により大量に生産されることが求められ、且つ、その画像品質が優れていることが求められる。プラズマディスプレイは、前面側ガラス基板構造と後面側ガラス基板構造を備えている。その前面側ガラス基板構造は、ガラス基板と、ガラス基板に接合する電極層と、電極層に接合する誘電体層とから形成されている。誘電体層を放電から保護することは、品質保持のために重要である。誘電体層は、保護層により放電から保護されている。放電空間に接する保護層の膜質は、その放電特性に強く影響する。保護層の材料としては、耐スパッタリング性に優れ、且つ、２次電子放出係数が大きく絶縁性に優れている酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が広く用いられている（参照：後掲特許文献１）。ＭｇＯの使用は、放電開始電圧を下げてＰＤＰの駆動を可能にしている。   2. Description of the Related Art Plasma displays (PDPs) are required to be mass-produced by mass production technology, and are required to have excellent image quality. The plasma display has a front glass substrate structure and a rear glass substrate structure. The front glass substrate structure includes a glass substrate, an electrode layer bonded to the glass substrate, and a dielectric layer bonded to the electrode layer. Protecting the dielectric layer from discharge is important for quality maintenance. The dielectric layer is protected from discharge by the protective layer. The film quality of the protective layer in contact with the discharge space strongly affects its discharge characteristics. As a material for the protective layer, magnesium oxide (MgO) having excellent sputtering resistance and a large secondary electron emission coefficient and excellent insulating properties has been widely used (see Patent Document 1 below). The use of MgO allows the PDP to be driven by lowering the firing voltage.

保護膜は、真空蒸着により誘電体層に蒸着される。蒸発源のＭｇＯの蒸着のために、電子ビームが有効に用いられる。電子ビーム発生装置は、後掲特許文献２で知られている。電子ビーム発生源として、長時間稼動に優れるピアス式電子銃が効果的に用いられ得る。それの長時間運転は、電子ビームの集束性の悪化を招く。電子ビームの集束性の悪化は、保護層の膜質の品質安定性を損なう恐れがある。保護膜の膜質として、今後には、駆動電圧の一層の低電圧化と放電の一層の高速応答性が求められる。   The protective film is deposited on the dielectric layer by vacuum deposition. An electron beam is effectively used for depositing MgO as an evaporation source. An electron beam generator is known from Patent Document 2 listed below. As an electron beam source, a pierce-type electron gun excellent in long-term operation can be effectively used. Its prolonged operation causes deterioration of the convergence of the electron beam. Deterioration of the convergence of the electron beam may impair the quality stability of the film quality of the protective layer. As the film quality of the protective film, further lowering of the driving voltage and higher responsiveness of discharge will be required in the future.

長時間稼動により膜質の均質性を損なわないことが求められる。その均質性を保持し、且つ、量産性が優れていることが更に望まれる。高速応答性のための膜質制御を実現する技術の確立が求められる。更には、装置の長時間稼動に影響されない膜質の制御が望まれる。更には、膜質調整が容易であることが望まれる。   It is required that long-term operation does not impair the uniformity of film quality. It is further desired to maintain the homogeneity and to be excellent in mass productivity. It is required to establish a technology for controlling film quality for high-speed response. Further, it is desired to control the film quality without being affected by the long-time operation of the apparatus. Further, it is desired that the film quality can be easily adjusted.

特開２００２−１２９３１１号JP-A-2002-129311 特開平１０−３０１７１号JP-A-10-30171

本発明の課題は、高速応答性のための膜質制御を実現する技術を確立する蒸着システム、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の課題は、更に、装置の長時間稼動に影響されない膜質制御を実現する蒸着システム、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の更に他の課題は、更に、膜質調整が容易である蒸着システム、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a vapor deposition system, a method for manufacturing a plasma display panel, and a method for manufacturing a plasma display device, which establish a technique for controlling film quality for high-speed response.
Another object of the present invention is to provide a vapor deposition system, a method for manufacturing a plasma display panel, and a method for manufacturing a plasma display device, which realize film thickness control that is not affected by long-time operation of the apparatus.
Still another object of the present invention is to provide a vapor deposition system, a method for manufacturing a plasma display panel, and a method for manufacturing a plasma display device, in which film quality can be easily adjusted.

本発明による蒸着システムは、蒸着室（４）に設置される蒸着材料（９）の上面（１１）に電子ビーム（１７）を照射する電子線照射装置（２）と、上面（１１）に照射される照射面積を制御し、又は、照射面積に対応する物理量を制御することにより上面（１１）に照射される照射面積を制御する照射面積制御装置とから構成されている。   The vapor deposition system according to the present invention comprises: an electron beam irradiation device (2) for irradiating an electron beam (17) to an upper surface (11) of a vapor deposition material (9) installed in a vapor deposition chamber (4); And an irradiation area control device for controlling the irradiation area irradiated on the upper surface (11) by controlling the irradiation area to be irradiated or controlling the physical quantity corresponding to the irradiation area.

機械の静的個性、その機械の動的個性に対応してその個性に対応するパラメータの実測に基づいて、直接的に照射面積が制御され、又は、間接的に照射面積が制御される。照射面積の制御は、動的に変動する可能性を持つ品質変動を積極的に解消することができる。   The irradiation area is controlled directly or indirectly based on the actual measurement of the parameters corresponding to the static personality of the machine and the dynamic personality of the machine. Controlling the irradiation area can positively eliminate quality fluctuations that may dynamically fluctuate.

その照射面積制御装置は、電子ビーム（１７）を上面（１１）に対して集束させる集束コイル（１３）と、集束コイル（１３）の励磁電流を制御する電流制御装置（１５）とから構成されている。集束コイル（１３）の電流制御により電子ビーム（１７）の集束度が制御される。また、その照射面積制御装置は、電子ビーム（１７）を上面（１１）に対して揺動させる揺動コイル（１４）と、揺動コイル（１４）の励磁電流を制御する電流制御装置（１６）とから形成されている。揺動コイル（１４）の電流制御により電子ビーム（１７）の揺動が制御される。照射面積制御装置は、電子ビーム（１７）の電流値を制御する電子ビーム発生電源（１２）を更に形成している。この場合に、公知のピアス式電子銃の利点がそのままに利用される。電流制御装置は励磁電流を照射面積に対応する電流値に制御する。照射面積制御装置は、照射面積を計測するカメラ（２５）が有効に利用される。カメラ（２５）は、照射面積を直接に計測する。   The irradiation area control device includes a focusing coil (13) for focusing the electron beam (17) on the upper surface (11), and a current control device (15) for controlling an exciting current of the focusing coil (13). ing. The degree of convergence of the electron beam (17) is controlled by controlling the current of the focusing coil (13). The irradiation area control device includes a swing coil (14) for swinging the electron beam (17) with respect to the upper surface (11), and a current control device (16) for controlling an exciting current of the swing coil (14). ). The swing of the electron beam (17) is controlled by controlling the current of the swing coil (14). The irradiation area control device further includes an electron beam generation power supply (12) for controlling a current value of the electron beam (17). In this case, the advantages of the known piercing type electron gun are used as they are. The current control device controls the exciting current to a current value corresponding to the irradiation area. As the irradiation area control device, a camera (25) for measuring an irradiation area is effectively used. The camera (25) directly measures the irradiation area.

多様な物理量は、ＰＤＰ基板（５）に蒸着される蒸着膜（１０６）の膜厚と、ＰＤＰ基板の温度と、電子線照射装置の累積稼動時間と、積算投入パワーとを要素とする集合から選択される１又は複数の要素であり得る。このようなパラメータの制御は、結果的に照射面積の制御に一致し、特には、照射面積一定の制御が実現される。   The various physical quantities are obtained from a set including the film thickness of the deposited film (106) deposited on the PDP substrate (5), the temperature of the PDP substrate, the cumulative operation time of the electron beam irradiation device, and the integrated input power. It can be one or more elements selected. The control of such parameters consequently corresponds to the control of the irradiation area, and in particular, control of keeping the irradiation area constant is realized.

本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、蒸着室（４）の中で蒸着材料（９）に電子ビーム（１７）を照射することと、蒸着材料（９）が電子ビーム（１７）により照射される照射面積を一定に制御することとから構成されている。照射面積の制御は、装置系のダイナミックな特性に対応して品質を長時間的に均質化することができる。その制御は、電子ビーム（１７）の電流値の制御に対応する照射面積一定制御に帰結する。   In the method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, the deposition material (9) is irradiated with the electron beam (17) in the deposition chamber (4), and the deposition material (9) is irradiated with the electron beam (17). And controlling the irradiation area to be constant. By controlling the irradiation area, the quality can be homogenized for a long time in accordance with the dynamic characteristics of the apparatus system. The control results in constant irradiation area control corresponding to control of the current value of the electron beam (17).

その制御は、照射面積を計測することと、計測される照射面積に対応して電子ビーム（１７）を集束させる励磁コイル（１３）の励磁電流を制御することとから形成され得る。照射面積の計測は、照射部位を撮影して画像を形成することと、画像を処理して照射面積を計算することとから形成され、面積の直接的計測により長時間的にリアルタイムの制御を可能にする。又は、その制御は、蒸着材料で蒸着される基板の温度を計測することと、その温度に対応して電子ビーム（１７）を集束させる励磁コイルの励磁電流を制御することとにより容易に実行され得る。この場合に、温度は面積に対応する。又は、制御のためには、蒸着材料で蒸着される基板の膜厚のような既述の多様なパラメータが有効な制御変数であり得る。   The control can be formed by measuring the irradiation area and controlling the excitation current of the excitation coil (13) that focuses the electron beam (17) according to the measured irradiation area. The measurement of the irradiation area consists of taking an image of the irradiation area to form an image, and processing the image to calculate the irradiation area. Direct measurement of the area enables long-term real-time control To Alternatively, the control is easily performed by measuring the temperature of the substrate to be deposited with the deposition material and controlling the exciting current of the exciting coil that focuses the electron beam (17) in accordance with the temperature. obtain. In this case, the temperature corresponds to the area. Alternatively, for control, various parameters described above, such as the thickness of a substrate deposited with a deposition material, may be effective control variables.

この場合には、膜厚に対応して電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流が制御される。更には、制御のためには、電子ビームを生成する電子ビーム生成器の累積稼動時間が有効な制御変数であり得る。この場合には、累積稼動時間に対応して電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流が制御される。面積一定に関係するこのような対応関係は、テーブル化されて制御装置に内蔵されていることが好ましい。制御のためには、更には、電子ビームを生成する電子ビーム生成器の積算投入パワーが有効な制御変数であり得る。この場合には、積算投入パワーに対応して電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流が制御される。更には、制御するためには、蒸着材料で蒸着される基板の温度、蒸着材料で蒸着される基板の膜厚、電子ビームを生成する電子ビーム生成器の累積稼動時間、電子ビームを生成する電子ビーム生成器の積算投入パワーとを要素とする集合の複数の要素の組合せが有効な複合制御変数であり得る。   In this case, the exciting current of the exciting coil that focuses the electron beam is controlled according to the film thickness. Furthermore, for control, the cumulative operating time of the electron beam generator that generates the electron beam can be a valid control variable. In this case, the exciting current of the exciting coil that focuses the electron beam is controlled according to the accumulated operating time. It is preferable that such correspondences relating to the constant area are tabulated and incorporated in the control device. For control purposes, furthermore, the integrated input power of the electron beam generator for generating the electron beam can be a valid control variable. In this case, the exciting current of the exciting coil that focuses the electron beam is controlled in accordance with the integrated input power. Further, in order to control, the temperature of the substrate to be deposited with the deposition material, the film thickness of the substrate to be deposited with the deposition material, the cumulative operation time of the electron beam generator for generating the electron beam, and the electron for generating the electron beam. A combination of a plurality of elements of a set whose elements are the integrated input power of the beam generator may be an effective composite control variable.

このように多様に実行される照射面積一定制御は、成膜レート一定制御のもとで実行されることが特に有意義である。   It is particularly significant that the irradiation area constant control that is variously performed as described above is performed under the film formation rate constant control.

本発明によるプラズマ表示装置の製造方法は、既述のプラズマディスプレイパネルの製造方法を用いて、プラズマ表示装置を効率的に製造することができる。その製造は、既述のプラズマディスプレイパネルの製造方法によりプラズマディスプレイパネル（１０９）を製造する第１工程と、プラズマディスプレイパネル（１０９）を駆動する回路とともにプラズマディスプレイパネル（１０９）を１つのモジュール（５５２）として製造する第２工程と、画像信号のフォーマット変換を実行し、モジュール（５５２）に送信するインターフェース（５５１）をモジュール（５５２）に電気的に接続する第３工程とから構成される。   The method for manufacturing a plasma display device according to the present invention can efficiently manufacture a plasma display device using the above-described method for manufacturing a plasma display panel. The plasma display panel (109) is manufactured by a first step of manufacturing the plasma display panel (109) by the above-described method of manufacturing a plasma display panel, and the circuit for driving the plasma display panel (109) is combined with the plasma display panel (109) in one module ( 552) and a third step of executing an image signal format conversion and electrically connecting the interface (551) to the module (552) to the module (552).

高速応答性と長時間稼動に影響されない膜質の品質を持つプラズマディスプレイパネル（１０９）は、プラズマ表示装置の部分としてモジュール化され、インターフェース（５５１）をそのモジュール（５５２）に電気的に接続する簡素な工程により、高品質の表示装置が簡素に組み立てられる。   A plasma display panel (109) having a high-speed response and a film quality that is not affected by long-term operation is modularized as a part of the plasma display device, and a simple interface for electrically connecting an interface (551) to the module (552). With a simple process, a high-quality display device can be simply assembled.

本発明による蒸着システム、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び、プラズマ表示装置の製造方法は、照射面積一定制御により、高速応答性のための膜質制御を実現することができる。更には、装置の長時間稼動に影響されない膜質制御を実現することができる。更には、膜質調整が容易である。   ADVANTAGE OF THE INVENTION The vapor deposition system, the manufacturing method of a plasma display panel, and the manufacturing method of a plasma display device by this invention can implement | achieve the film quality control for high-speed response by controlling irradiation area constant. Furthermore, it is possible to realize film quality control that is not affected by long-time operation of the apparatus. Further, the film quality can be easily adjusted.

本発明による蒸着システムの実施の好ましい形態は、図に対応して詳細に記述される。その蒸着システムは、真空蒸着装置が電子ビーム発生装置とともに設けられている。その真空蒸着装置１は、図１に示されるように、インライン式連続蒸着システムとして示されている。真空蒸着装置１は、電子ビーム発生装置２に並置されて配置されている。真空蒸着装置１は、基板搬送路３と真空蒸着室４とから形成されている。基板搬送路３は、真空蒸着室４の一部分に対して開放されている。複数のＰＤＰ基板５は、基板搬送路３の中で連続流れを形成して一方方向６に移送される。真空蒸着室４には、真空化排気口７が開けられている。真空蒸着室４の中には、基板搬送路３に対向するＭｇＯ供給装置８が配置されている。ＭｇＯ材料９は、図示されない供給機構によりＭｇＯ供給装置８に連続的に供給され得る。ＭｇＯ材料９の表面は、蒸発面１１として平面状に形成されている。   Preferred embodiments of the deposition system according to the invention are described in detail with reference to the figures. In the vapor deposition system, a vacuum vapor deposition device is provided together with an electron beam generator. The vacuum evaporation apparatus 1 is shown as an in-line continuous evaporation system as shown in FIG. The vacuum vapor deposition device 1 is arranged side by side with the electron beam generator 2. The vacuum deposition apparatus 1 includes a substrate transfer path 3 and a vacuum deposition chamber 4. The substrate transfer path 3 is open to a part of the vacuum evaporation chamber 4. The plurality of PDP substrates 5 form a continuous flow in the substrate transport path 3 and are transferred in one direction 6. The vacuum evaporation chamber 4 is provided with a vacuum exhaust port 7. In the vacuum evaporation chamber 4, an MgO supply device 8 facing the substrate transfer path 3 is arranged. The MgO material 9 can be continuously supplied to the MgO supply device 8 by a supply mechanism (not shown). The surface of the MgO material 9 is formed as an evaporation surface 11 in a planar shape.

電子ビーム発生装置２は、電子線生成装置１２と、集束コイル１３と、揺動コイル１４とから形成されている。集束コイル１３には、集束コイル電源１５から集束用制御電流が供給される。その供給電圧は一定である。揺動コイル１４には、揺動コイル電源１６から揺動用制御電流が供給される。その供給電圧は一定である。電子線生成装置１２で生成され集束的に揺動して電子ビーム発生装置２から出射する電子ビーム１７は、真空蒸着室４の中に配置されている偏向コイル１８により曲げられて概ね垂直に蒸発面１１に入射する。その偏向は、偏向コイル電源１９から偏向コイル１８に供給される偏向制御電流により制御される。電子ビーム発生装置２の外壁には、内部気体を排気系に排気するための排気口２１が開けられている。   The electron beam generator 2 includes an electron beam generator 12, a focusing coil 13, and a swing coil 14. A focusing control current is supplied to the focusing coil 13 from a focusing coil power supply 15. Its supply voltage is constant. A swing control current is supplied to the swing coil 14 from a swing coil power supply 16. Its supply voltage is constant. The electron beam 17 generated by the electron beam generator 12 and oscillating in a convergent manner and emitted from the electron beam generator 2 is bent by a deflection coil 18 disposed in the vacuum evaporation chamber 4 to evaporate substantially vertically. Light is incident on the surface 11. The deflection is controlled by a deflection control current supplied from the deflection coil power supply 19 to the deflection coil 18. The outer wall of the electron beam generator 2 has an exhaust port 21 for exhausting the internal gas to an exhaust system.

照射面積測定装置２２は、真空蒸着室４の外側に配置され、且つ、基板搬送路３の外側に配置されている。照射面積測定装置２２は、基板搬送路３の壁に埋め込まれる覗き窓２３と、覗き窓２３の後方側に配置される光学フィルタ２４と、光学フィルタ２４の後方に配置されるカメラ２５とから構成されている。蒸発面１１に照射される電子ビームの照射部位は、カメラ２５の画像形成面（光電気変換面）に撮影される。   The irradiation area measuring device 22 is arranged outside the vacuum evaporation chamber 4 and outside the substrate transfer path 3. The irradiation area measuring device 22 includes a viewing window 23 embedded in a wall of the substrate transport path 3, an optical filter 24 disposed behind the viewing window 23, and a camera 25 disposed behind the optical filter 24. Have been. The irradiation area of the electron beam irradiated on the evaporation surface 11 is photographed on the image forming surface (photoelectric conversion surface) of the camera 25.

照射面積測定装置２２とともに、電子ビーム照射面積制御装置２７が設けられている。電子ビーム照射面積制御装置２７には、電子ビーム電源５１が接続している。カメラ２５は、電子ビーム照射部位の照射面積に対応する照射面積対応電気信号２６を出力する。照射面積対応電気信号２６は、カメラ２５から出力されて電子ビーム照射面積制御装置２７に入力される。電子ビーム照射面積制御装置２７は、集束コイル電源１５と揺動コイル電源１６に並列に接続している。電子ビーム照射面積制御装置２７は、照射面積対応電気信号２６に数値的に対応する第１電流制御信号２８と、照射面積対応電気信号２６に数値的に対応する第２電流制御信号２９を生成する。第１電流制御信号２８は、電子ビーム照射面積制御装置２７から出力されて集束コイル電源１５に入力する。第２電流制御信号２９は、電子ビーム照射面積制御装置２７から出力されて揺動コイル電源１６に入力する。   An electron beam irradiation area control device 27 is provided together with the irradiation area measurement device 22. An electron beam power supply 51 is connected to the electron beam irradiation area control device 27. The camera 25 outputs an irradiation area corresponding electric signal 26 corresponding to the irradiation area of the electron beam irradiation part. The irradiation area corresponding electric signal 26 is output from the camera 25 and input to the electron beam irradiation area control device 27. The electron beam irradiation area control device 27 is connected to the focusing coil power supply 15 and the swing coil power supply 16 in parallel. The electron beam irradiation area control device 27 generates a first current control signal 28 numerically corresponding to the irradiation area corresponding electric signal 26 and a second current control signal 29 numerically corresponding to the irradiation area corresponding electric signal 26. . The first current control signal 28 is output from the electron beam irradiation area control device 27 and input to the focusing coil power supply 15. The second current control signal 29 is output from the electron beam irradiation area control device 27 and input to the oscillating coil power supply 16.

図２は、ＰＤＰ基板５を含む公知のプラズマディスプレイパネル１０９の主要構造を示している。プラズマディスプレイパネル１０９の主要構造は、後方側ガラス基板構造１０１と、前方側ガラス基板構造１０２とから構成されている。後方側ガラス基板構造１０１の詳細な記述は、省略される。前方側ガラス基板構造１０２は、前面ガラス基板１０３と、前面ガラス基板１０３の後方側ガラス基板構造１０１との対向側に形成される表示電極１０４と、表示電極１０４の上に形成される誘電体層１０５と、誘電体層１０５の上に形成される保護層１０６とから構成されている。前方側ガラス基板構造１０２は、図１のＰＤＰ基板５に対応する。図１に示されるように、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法により保護層１０６が形成される。   FIG. 2 shows a main structure of a known plasma display panel 109 including the PDP substrate 5. The main structure of the plasma display panel 109 includes a rear glass substrate structure 101 and a front glass substrate structure 102. A detailed description of the rear glass substrate structure 101 is omitted. The front glass substrate structure 102 includes a front glass substrate 103, a display electrode 104 formed on a side of the front glass substrate 103 opposite to the rear glass substrate structure 101, and a dielectric layer formed on the display electrode 104. 105 and a protective layer 106 formed on the dielectric layer 105. The front glass substrate structure 102 corresponds to the PDP substrate 5 in FIG. As shown in FIG. 1, a protective layer 106 is formed by a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention.

複数のＰＤＰ基板５は、連続的にＭｇＯ材料９の蒸発面１１に対向する領域に搬送されて供給される。真空蒸着室４の内部は排気され酸素ガスが注入される。酸素ガスは、ＭｇＯの結晶配向性を整える。成膜圧力は、１×（１０のマイナス３乗）Ｐａ〜１×（１０のマイナス１乗）Ｐａに制御的に維持される。集束コイル電源１５と揺動コイル電源１６とからそれぞれに集束コイル１３と揺動コイル１４に制御電流が供給され、適正に制御される電子ビーム１７が生成され、電子ビーム１７は偏向コイル１８により偏向されて、ＭｇＯ材料９の蒸発面１１に概ね直角に入射する。   The plurality of PDP substrates 5 are continuously conveyed and supplied to a region facing the evaporation surface 11 of the MgO material 9. The inside of the vacuum deposition chamber 4 is exhausted and oxygen gas is injected. The oxygen gas adjusts the crystal orientation of MgO. The film forming pressure is controllably maintained at 1 × (10 minus the third power) Pa to 1 × (10 minus the first power) Pa. A control current is supplied from the focusing coil power supply 15 and the oscillating coil power supply 16 to the focusing coil 13 and the oscillating coil 14, respectively, and an electron beam 17 that is appropriately controlled is generated. The electron beam 17 is deflected by the deflection coil 18. Then, the light enters the evaporation surface 11 of the MgO material 9 at a substantially right angle.

電子ビーム１７の照射を受けるＭｇＯ材料９は蒸発してＰＤＰ基板５の下面に向かって飛翔してＰＤＰ基板５に蒸着する。蒸着レートは、１０００〜３０００Ａ・ｍ／ｍｉｎ（Ａは本明細書でオングストロームを表す）であり、保護層１０６の膜厚は５０００〜１００００Ａに調整される。   The MgO material 9 which is irradiated with the electron beam 17 evaporates, flies toward the lower surface of the PDP substrate 5, and is deposited on the PDP substrate 5. The deposition rate is 1000 to 3000 Am / min (A represents angstrom in the present specification), and the thickness of the protective layer 106 is adjusted to 5000 to 10000 A.

電子線生成装置１２として、長時間稼動が可能である差動排気機構を持つピアス式電子銃が用いられる。ピアス式電子銃の長時間稼動は、電子ビームの集束性の悪化を招く。集束性の悪化は、電子ビームの蒸発面１１の上の有効照射断面積の増大を招く。有効断面積の増大は、単位面積当たりの電子衝突の減少を招き、電子衝突の減少は蒸発源のＭｇＯ材料９の温度の低下を招いて結果的に蒸着レートの低下を招く。電子ビームの集束性の悪化の原因は、イオンの戻りによるスパッタリングにある。そのスパッタリングはカソードの摩耗を招き、カソードの摩耗はカソードとアノードの間の位置関係の変化を招き、このような位置関係の変化が電子ビームの集束性を悪化させる。照射有効断面積は、電子銃の構成部品の精度、組立誤差によっても変化する。集束コイル１３と揺動コイル１４に供給する制御電流の調整だけでそのような照射有効断面積を高精度に一定に制御することは不可能である。   As the electron beam generating device 12, a pierced electron gun having a differential pumping mechanism capable of operating for a long time is used. Prolonged operation of the pierce type electron gun causes deterioration of the convergence of the electron beam. The deterioration of the convergence causes an increase in the effective irradiation cross-sectional area on the evaporation surface 11 of the electron beam. An increase in the effective area causes a decrease in electron collisions per unit area, and a decrease in the electron collisions causes a decrease in the temperature of the MgO material 9 as an evaporation source, resulting in a decrease in the deposition rate. The cause of the deterioration of the convergence of the electron beam is sputtering due to the return of ions. The sputtering causes cathode wear, and the cathode wear causes a change in the positional relationship between the cathode and the anode, and such a change in the positional relationship deteriorates the convergence of the electron beam. The effective irradiation area also changes depending on the accuracy of components of the electron gun and assembly errors. It is impossible to control the irradiation effective cross-sectional area to be constant with high accuracy only by adjusting the control current supplied to the focusing coil 13 and the oscillating coil 14.

長時間稼働中の照射有効断面積の一定化のためのダイナミック成膜レート１０００〜５０００Ａ・ｍ／ｍｉｎで膜厚を５０００〜１５０００Ａにダイナミックに制御するために、照射面積測定装置２２はリアルタイムで照射有効断面積を計測する。その計測のための光学系は、（イ）蒸発面１１で反射する撮影光をＰＤＰ基板５の透明ガラスと覗き窓２３と光学フィルタ２４とに透過させてカメラ２５の受光面で連続的にリアルタイムに受光する受光系を形成し、（ロ）撮影時に素ガラスを投入しその素ガラスに反射光を透過させる受光系を形成し、（ハ）撮影時に搬送方向に前後する２体のＰＤＰ基板５の間隔をあけ２体のＰＤＰ基板５の間に反射光を通過させる受光系を形成し、又は、（ニ）真空蒸着室４の内部に照射面積測定装置２２を配置して反射光をＰＤＰ基板５に干渉させないで受光する受光系を形成する。受光系には、更に、膜付着防止付きシャッタが追加されることが好ましい。   In order to dynamically control the film thickness to 5,000 to 15,000 A at a dynamic film formation rate of 1,000 to 5,000 A · m / min for stabilizing the effective irradiation area during a long operation, the irradiation area measuring device 22 irradiates in real time. Measure the effective area. The optical system for the measurement is as follows: (a) The photographing light reflected by the evaporation surface 11 is transmitted through the transparent glass of the PDP substrate 5, the viewing window 23, and the optical filter 24, and is continuously real-time transmitted by the light-receiving surface of the camera 25. A light receiving system is formed to receive light at (b) a light receiving system for feeding the raw glass at the time of photographing and transmitting the reflected light to the raw glass, and (c) two PDP substrates 5 moving back and forth in the transport direction at the time of photographing. A light receiving system for transmitting the reflected light is formed between the two PDP substrates 5 at intervals of (3) or (d) the irradiation area measuring device 22 is arranged inside the vacuum evaporation chamber 4 to transmit the reflected light to the PDP substrate. A light receiving system for receiving light without causing interference with the light receiving system 5 is formed. It is preferable that a shutter with a film adhesion prevention is further added to the light receiving system.

集束コイル電源１５と揺動コイル電源１６に、撮影により計測される有効照射断面積に対応する第１電流制御信号２８と第２電流制御信号２９が入力される。制御方法は、以下の通りである。
（１）照射面積が広くなれば、第１電流制御信号２８が増大し、第１電流制御信号２８の増大に対応する集束コイル１３の制御電流が増大し、制御電流の増大により集束コイル１３の磁場が強くなり電子ビーム１７の集束度が大きくなり、照射面積は小さくなる方向に制御される。この場合に、第２電流制御信号２９が減少し、第２電流制御信号２９の減少に対応する揺動コイル１４の制御電流が減少し、制御電流の減少により揺動コイル１４の磁場が弱くなり電子ビーム１７の横方向の揺動幅が小さくなり、照射面積は小さくなる方向に制御される。
（２）照射面積が狭くなれば、第１電流制御信号２８が減少し、第１電流制御信号２８の減少に対応する集束コイル１３の制御電流が減少し、制御電流の減少により集束コイル１３の磁場が弱くなり電子ビーム１７の集束度が小さくなり、照射面積は大きくなる方向に制御される。この場合に、第２電流制御信号２９が増大し、第２電流制御信号２９の増大に対応する揺動コイル１４の制御電流が増大し、制御電流の増大により揺動コイル１４の磁場が強くなり電子ビーム１７の横方向の揺動幅が大きくなり、照射面積は大きくなる方向に制御される。 A first current control signal 28 and a second current control signal 29 corresponding to the effective irradiation sectional area measured by imaging are input to the focusing coil power supply 15 and the swing coil power supply 16. The control method is as follows.
(1) If the irradiation area increases, the first current control signal 28 increases, and the control current of the focusing coil 13 corresponding to the increase of the first current control signal 28 increases. The magnetic field is strengthened, the degree of convergence of the electron beam 17 is increased, and the irradiation area is controlled to be reduced. In this case, the second current control signal 29 decreases, the control current of the oscillating coil 14 corresponding to the decrease of the second current control signal 29 decreases, and the magnetic field of the oscillating coil 14 weakens due to the decrease in the control current. The swing width of the electron beam 17 in the horizontal direction is reduced, and the irradiation area is controlled to be reduced.
(2) When the irradiation area becomes smaller, the first current control signal 28 decreases, and the control current of the focusing coil 13 corresponding to the decrease of the first current control signal 28 decreases. The magnetic field weakens, the degree of convergence of the electron beam 17 decreases, and the irradiation area is controlled to increase. In this case, the second current control signal 29 increases, the control current of the oscillating coil 14 corresponding to the increase of the second current control signal 29 increases, and the magnetic field of the oscillating coil 14 increases due to the increase of the control current. The lateral swing width of the electron beam 17 is increased, and the irradiation area is controlled to increase.

このように長時間稼動により電子線生成装置１２又は電子ビーム発生装置２の機械的個性に基づく制御性に変化が生じて照射面積が変動する場合に、照射面積対応電気信号２６と第１電流制御信号２８と第２電流制御信号２９とにより永続的に、好ましくは、リアルタイムに、照射面積を一定に制御することができる。電子線生成装置１２が生成する電子線の総エネルギーは一定に又は可変的に制御され得る。   As described above, when the controllability based on the mechanical characteristics of the electron beam generator 12 or the electron beam generator 2 changes due to the long-time operation and the irradiation area fluctuates, the irradiation area-corresponding electric signal 26 and the first current control By the signal 28 and the second current control signal 29, the irradiation area can be controlled to be constant, preferably in real time. The total energy of the electron beam generated by the electron beam generator 12 can be controlled to be constant or variably.

図３は、電子ビームの照射面積と集束コイル１３の制御電流値との対応関係を示している。照射面積は、集束コイル１３の制御電流値の増大に比例的に対応して増大する。図４は、電子ビームの照射面積と揺動コイル１４の制御電流値との対応関係を示している。照射面積は、揺動コイル１４の制御電流値の増大に反比例的に対応して減少する。   FIG. 3 shows the correspondence between the irradiation area of the electron beam and the control current value of the focusing coil 13. The irradiation area increases in proportion to an increase in the control current value of the focusing coil 13. FIG. 4 shows the correspondence between the irradiation area of the electron beam and the control current value of the oscillating coil 14. The irradiation area decreases in inverse proportion to the increase in the control current value of the oscillating coil 14.

図５は、電子ビーム発生装置２の時間変動特性を示している。縦軸は電子ビーム１７の電流値を示し、横軸は電子ビーム発生装置２の稼動時間を示している。電子ビーム発生装置２として、ピアス式電子銃が用いられている。実線は公知の制御を示し、１点鎖線は本発明による制御を示している。その加速電圧は１８ｋＶであり、ダイナミックレートは２０００Ａ・ｍ／ｍｉｎに調整されている。公知制御では、ダイナミックレートを一定に維持するためには、１００時間後に電子ビーム電流値の増大が必要であり、その増大量として９０ｍＡが必要であるが、本発明による制御（照射面積一定制御）では、ダイナミックレートを一定に維持するために電子ビーム電流値の増減制御が必要ではない。このように、本発明は、パワーとレートの両方を一定に保持することができる。   FIG. 5 shows a time variation characteristic of the electron beam generator 2. The vertical axis indicates the current value of the electron beam 17, and the horizontal axis indicates the operation time of the electron beam generator 2. As the electron beam generator 2, a pierce-type electron gun is used. The solid line indicates the known control, and the one-dot chain line indicates the control according to the present invention. The acceleration voltage is 18 kV, and the dynamic rate is adjusted to 2000 Am / min. In the known control, in order to keep the dynamic rate constant, the electron beam current value needs to be increased after 100 hours, and the amount of increase is required to be 90 mA. However, the control according to the present invention (irradiation area constant control) Thus, it is not necessary to control the increase or decrease of the electron beam current value in order to keep the dynamic rate constant. Thus, the present invention can keep both power and rate constant.

図６は、電子ビーム照射面積と電子ビーム電流値の関係を示している。ダイナミックレートが２０００Ａ・ｍ／ｍｉｎに制御される場合に、電子ビーム電流値は電子ビーム照射面積に対して概ね比例的な関係を有している。図６は、照射面積一定制御の条件下では、電子ビーム電流値の制御によりダイナミックレートを一定に制御することができることを示している。   FIG. 6 shows the relationship between the electron beam irradiation area and the electron beam current value. When the dynamic rate is controlled to 2000 Am / min, the electron beam current value has a roughly proportional relationship with the electron beam irradiation area. FIG. 6 shows that under the condition of the irradiation area constant control, the dynamic rate can be controlled to be constant by controlling the electron beam current value.

図７（ａ），（ｂ）は、ピアス式電子銃が用いられ、加速電圧が１８ｋＶであり、ダイナミックレートが２０００Ａ・ｍ／ｍｉｎに制御される場合の照射部の画像を示している。それらの画像の撮影には、光学フィルタが用いられている。図７（ａ）は電子ビーム電流値が３５０ｍＡである場合の照射部の画像を示し、図７（ｂ）は電子ビーム電流値が５２５ｍＡである場合の照射部の画像を示している。図７は、照射面積一定制御により、電子ビーム電流値の増大の制御により照射面積の増大を高精度に制御することができることを示している。   FIGS. 7A and 7B show images of the irradiation unit when a piercing electron gun is used, the acceleration voltage is 18 kV, and the dynamic rate is controlled to 2000 Am / min. An optical filter is used to capture those images. FIG. 7A shows an image of the irradiation unit when the electron beam current value is 350 mA, and FIG. 7B shows an image of the irradiation unit when the electron beam current value is 525 mA. FIG. 7 shows that the irradiation area can be controlled with high accuracy by controlling the increase of the electron beam current value by the irradiation area constant control.

図８は、電子ビーム電流値と蒸着時基板温度の関係を示している。図８は、同一レートの電子ビーム電流値の制御は、蒸着時基板温度の比例的制御を可能にすることを示している。電子ビーム電流値の変化に基づいて蒸発源から輻射される輻射熱の影響により基板温度が上昇している。図８は、照射面積一定制御が基板温度の高精度の制御を可能にすることを示している。   FIG. 8 shows the relationship between the electron beam current value and the substrate temperature during vapor deposition. FIG. 8 shows that controlling the electron beam current value at the same rate allows for proportional control of the substrate temperature during deposition. The substrate temperature rises due to the influence of radiant heat radiated from the evaporation source based on the change in the electron beam current value. FIG. 8 shows that constant irradiation area control enables highly accurate control of the substrate temperature.

図９は、電子ビーム電流値と蒸着中水素発生量の関係を示している。図９は、同一レートの電子ビーム電流値の制御は、蒸着中水素発生量の比例的制御を可能にすることを示し、照射面積一定制御が蒸着中水素発生量の高精度の制御を可能にすることを示している。真空蒸着室４の中のＭｇＯに残留している水分が電子線により水素と酸素に解離し、電子ビーム電流値の増加は、蒸着雰囲気の励起状態の変化と高エネルギー化とを招いている。照射面積一定制御の下では、電子ビーム電流値の計測は蒸発粒子のエネルギーの高精度の推定を可能にする。   FIG. 9 shows the relationship between the electron beam current value and the amount of hydrogen generated during vapor deposition. FIG. 9 shows that control of the electron beam current value at the same rate enables proportional control of the amount of hydrogen generated during deposition, and that constant irradiation area control enables highly accurate control of the amount of hydrogen generated during deposition. It indicates that you want to. The moisture remaining in MgO in the vacuum deposition chamber 4 is dissociated into hydrogen and oxygen by the electron beam, and an increase in the electron beam current value causes a change in the excited state of the deposition atmosphere and an increase in energy. Under the constant irradiation area control, the measurement of the electron beam current value enables a highly accurate estimation of the energy of the evaporated particles.

図１０は、電子ビーム電流値と放電応答性の関係を示している。図１０は、同一レートの電子ビーム電流値の制御は、保護層の膜質と密接に関係があるＰＤＰ放電特性（放電応答性）の反比例的制御を可能にすることを示し、照射面積一定制御が蒸着中水素発生量の高精度の制御を可能にすることを示している。放電特性は、放電誘起パルスの励起時と放電発生時の間の時間的間隔を意味する。放電特性は、電子ビーム電流値に対応する蒸着時基板温度、蒸着雰囲気、蒸発粒子のエネルギーの複合的因子に複合的に関係する膜質生成に強く影響される。照射面積の一定制御の監視は、そのような影響を受ける膜質を定量的に均質に制御することができ、結果的に、放電特性を有効に改善することを可能にし、低電圧駆動による放電特性を高精度に制御することを可能にする。   FIG. 10 shows the relationship between the electron beam current value and the discharge responsiveness. FIG. 10 shows that the control of the electron beam current value at the same rate enables the inversely proportional control of the PDP discharge characteristics (discharge responsiveness) closely related to the film quality of the protective layer. It shows that highly accurate control of the amount of hydrogen generated during vapor deposition is enabled. The discharge characteristic means a time interval between the time when the discharge induction pulse is excited and the time when the discharge occurs. The discharge characteristics are strongly affected by the film quality generation that is complexly related to the complex factors of the substrate temperature during deposition, the deposition atmosphere, and the energy of the evaporated particles corresponding to the electron beam current value. The monitoring of the constant control of the irradiation area enables the quality of the film affected by such a control to be quantitatively and homogeneously controlled, and as a result, the discharge characteristics can be effectively improved, and the discharge characteristics by low-voltage driving can be improved. Can be controlled with high precision.

保護層膜質と密接に関係するＰＤＰ駆動のために、照射面積一定制御の技術の確立のもとで、最適な印加電圧と最適なパルス幅が決定され得る。ＰＤＰ駆動と保護層膜質のマッチングの不整合は、誤灯、又は、書込み不良のような不具合の発生を許し、表示品質悪化と歩留まりの悪化を招くが、電子ビーム照射面積一定制御は、そのような不具合の発生を回避して、量産時の保護層の膜質の安定化のための膜質の制御を可能にし、高歩留まり、放電特性の高品質化を実現することができる。   For the PDP driving closely related to the protective layer film quality, the optimum applied voltage and the optimum pulse width can be determined based on the establishment of the technique of controlling the irradiation area constant. The mismatch between the PDP drive and the matching of the protective layer film quality allows the occurrence of a malfunction such as an erroneous light or a writing error, and leads to a deterioration in display quality and a decrease in yield. It is possible to control the film quality for stabilizing the film quality of the protective layer at the time of mass production by avoiding the occurrence of an inconvenience, and to realize a high yield and a high quality discharge characteristic.

（実施の第２の形態）
図１において、真空蒸着室４に設置された蒸着材料９の上面に電子ビーム１７を照射する電子ビーム発生装置２は、その照射面積が一定になるように制御される。しかし、制御されるパラメータは電子ビーム１７により照射される蒸着材料９の面積に限られない。蒸着材料９の照射面積に対応する物理量を制御することによっても同様の効果を得ることができる。照射面積に対応する物理量としては、蒸着時の基板温度、蒸着膜の成膜レート（膜厚の時間変化）、電子銃の累積稼動時間があり、これらの物理量を制御することによっても照射面積が一定になるように制御することができる。 (Second embodiment)
In FIG. 1, an electron beam generator 2 that irradiates an electron beam 17 to the upper surface of a deposition material 9 installed in a vacuum deposition chamber 4 is controlled so that the irradiation area is constant. However, the controlled parameter is not limited to the area of the vapor deposition material 9 irradiated by the electron beam 17. The same effect can be obtained by controlling the physical quantity corresponding to the irradiation area of the evaporation material 9. Physical quantities corresponding to the irradiation area include the substrate temperature at the time of vapor deposition, the deposition rate of the deposited film (time change of the film thickness), and the cumulative operating time of the electron gun. The irradiation area can also be controlled by controlling these physical quantities. It can be controlled to be constant.

照射面積に対応する物理量として基板温度が一定になるように制御する場合の実施の第２の形態は、図１１により説明される。図１１に示されるように、図１の照射面積測定装置２２に替えられて、基板温度は基板温度測定装置１２２により測定される。基板温度測定装置１２２は、真空蒸着装置１に設けられている覗き窓１２３と放射温度計１２５から構成される。基板温度測定装置１２２により測定される基板温度は、基板温度対応信号１２６として蒸着基板温度制御装置１２７に入力される。蒸着基板温度制御装置１２７は、基板温度対応信号１２６と別途に入力される設定基板温度対応信号３２との差が小さくなるように動作する。蒸着基板温度制御装置１２７は、具体的には図１において、電子ビーム照射面積制御装置２７が第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより照射面積を制御するように、第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより基板温度を制御する。図３と図４の横軸の電子照射面積は基板温度に置き換えて考えることができる。すなわち、実施の本形態では、基板温度の増大に比例的に対応して集束コイル１３の制御電流値を増大させ、一方、基板温度の増大に反比例的に対応して揺動コイル１４の制御電流値を減少させる。   A second embodiment in the case of controlling the substrate temperature to be constant as a physical quantity corresponding to the irradiation area will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 11, the substrate temperature is measured by a substrate temperature measuring device 122 instead of the irradiation area measuring device 22 of FIG. The substrate temperature measuring device 122 includes a viewing window 123 provided in the vacuum vapor deposition device 1 and a radiation thermometer 125. The substrate temperature measured by the substrate temperature measuring device 122 is input to the vapor deposition substrate temperature control device 127 as a substrate temperature corresponding signal 126. The vapor deposition substrate temperature control device 127 operates so that the difference between the substrate temperature corresponding signal 126 and the separately set substrate temperature corresponding signal 32 is reduced. In FIG. 1, the electron beam irradiation area controller 27 specifically controls the magnetic field of the focusing coil 13 and the oscillation coil 14 by using the first current control signal 28 and the second current control signal 29. The substrate temperature is controlled by controlling the magnetic field of the focusing coil 13 and the magnetic field of the oscillating coil 14 by the first current control signal 28 and the second current control signal 29, respectively, such that the irradiation area is controlled by controlling the magnetic field. I do. The electron irradiation area on the horizontal axis in FIGS. 3 and 4 can be considered by substituting for the substrate temperature. That is, in the present embodiment, the control current value of the focusing coil 13 is increased in proportion to the increase in the substrate temperature, while the control current value of the swing coil 14 is increased in inverse proportion to the increase in the substrate temperature. Decrease the value.

（実施の第３形態）
照射面積に対応する物理量として蒸着時の基板の成膜レートが一定になるように制御する場合の実施の第３の形態は、図１２に対応して記述される。図１２に示されるように、図１の照射面積測定装置２２に替えられて、基板の膜厚が膜厚モニタ２２２により測定され、膜厚の時間変化である成膜レートが算出される。膜厚モニタ２２２により算出される成膜レートは成膜レート対応信号２２６として成膜レート制御装置２２７に入力される。成膜レート制御装置２２７は、成膜レート対応信号２２６と別途に入力される設定成膜レート対応信号３１との差が小さくなるように動作する。成膜レート制御装置２２７は、具体的には図１において、電子ビーム照射面積制御装置２７が第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより照射面積を制御するように、第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより成膜レートを制御する。図３と図４の横軸の電子照射面積は成膜レートに置き換えて考えることができる。すなわち、実施の本形態では、成膜レートの増大に比例的に対応して集束コイル１３の制御電流値を増大させ、一方、成膜レートの増大に反比例的に対応して揺動コイル１４の制御電流値を減少させる。 (Third embodiment)
A third embodiment in the case of controlling the deposition rate of the substrate at the time of vapor deposition as a physical quantity corresponding to the irradiation area to be constant will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 12, the film thickness of the substrate is measured by a film thickness monitor 222 instead of the irradiation area measuring device 22 of FIG. 1, and a film formation rate, which is a time change of the film thickness, is calculated. The film formation rate calculated by the film thickness monitor 222 is input to the film formation rate control device 227 as a film formation rate corresponding signal 226. The film forming rate control device 227 operates so that the difference between the film forming rate corresponding signal 226 and the separately set film forming rate corresponding signal 31 is reduced. Specifically, in FIG. 1, the electron beam irradiation area controller 27 controls the magnetic field of the focusing coil 13 and the oscillation of the oscillating coil 14 by the first current control signal 28 and the second current control signal 29, respectively. The film forming rate is controlled by controlling the magnetic field of the focusing coil 13 and the magnetic field of the oscillating coil 14 by the first current control signal 28 and the second current control signal 29 so that the irradiation area is controlled by controlling the magnetic field. Control. The electron irradiation area on the horizontal axis in FIGS. 3 and 4 can be considered by replacing the film formation rate. That is, in the present embodiment, the control current value of the focusing coil 13 is increased in proportion to the increase in the film formation rate, while the swing coil 14 is in inverse proportion to the increase in the film formation rate. Decrease the control current value.

（実施の第４形態）
照射面積に対応する物理量として電子線照射装置の累積稼働時間に対応して制御する場合の実施の第４の形態は、図１３に対応して記述される。実施の第１乃至第３の形態ではそれぞれの物理量、すなわち照射面積、基板温度、成膜レートが一定になるように制御されているが、実施の本形態では、累積稼働時間に対応して制御することにより結果的に照射面積、基板温度、成膜レートが一定になるように制御される点で異なる。図１３に示されるように、図１の照射面積測定装置２２に替えられて、電子ビーム電源５１の中に設けられている累積稼働時間メモリ（図示されず）から電子ビーム電源５１の累積稼働時間対応信号３２６が出力され、電子ビーム照射面積制御装置３２７に入力される。電子ビーム照射面積制御装置３２７は、図１において、電子ビーム照射面積制御装置２７が第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより照射面積を制御するように、第１電流制御信号２８、第２電流制御信号２９によりそれぞれ集束コイル１３の磁場、揺動コイル１４の磁場を制御することにより累積稼働時間対応信号３２６に対応して照射面積が制御される。図３と図４の横軸の電子照射面積は累積稼働時間に置き換えて考えることができる。すなわち、実施の本形態では、累積稼働時間の増大に比例的に対応して集束コイル１３の制御電流値を増大させ、一方、累積稼働時間の増大に反比例的に対応して揺動コイル１４の制御電流値を減少させる。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment in the case where control is performed in accordance with the cumulative operation time of the electron beam irradiation apparatus as a physical quantity corresponding to the irradiation area will be described with reference to FIG. In the first to third embodiments, the respective physical quantities, that is, the irradiation area, the substrate temperature, and the film formation rate are controlled to be constant. In the present embodiment, the control is performed in accordance with the accumulated operation time. In this case, the irradiation area, the substrate temperature, and the film formation rate are controlled so as to be constant. As shown in FIG. 13, the cumulative operating time of the electron beam power supply 51 is obtained from a cumulative operating time memory (not shown) provided in the electron beam power supply 51 instead of the irradiation area measuring device 22 of FIG. The corresponding signal 326 is output and input to the electron beam irradiation area control device 327. In FIG. 1, the electron beam irradiation area controller 327 controls the magnetic field of the focusing coil 13 and the magnetic field of the oscillating coil 14 by the first current control signal 28 and the second current control signal 29, respectively. By controlling the magnetic field of the focusing coil 13 and the magnetic field of the oscillating coil 14 by the first current control signal 28 and the second current control signal 29, respectively, so that the irradiation area is controlled, The irradiation area is controlled correspondingly. The electron irradiation area on the horizontal axis in FIGS. 3 and 4 can be replaced with the cumulative operation time. That is, in the present embodiment, the control current value of the focusing coil 13 is increased in proportion to the increase in the cumulative operation time, while the swing coil 14 is increased in inverse proportion to the increase in the cumulative operation time. Decrease the control current value.

累積稼働時間の替わりに積算投入パワーに応じて電子照射面積を制御することができる。図１３の電子ビーム電源５１の中には、累積稼働時間メモリの替わりに積算投入パワーメモリが設置され、電子ビーム電源５１の積算投入パワー対応信号が出力され、電子ビーム照射面積制御装置３２７に入力される。稼働時の投入パワーがその時々で異なる場合には、累積稼働時間より積算投入パワーに対応して電子ビーム照射面積制御装置３２７により集束コイル１３の制御電流値、揺動コイル１４の制御電流値を制御する方が照射面積を一定にするためには有効である。   The electron irradiation area can be controlled according to the accumulated input power instead of the cumulative operation time. In the electron beam power supply 51 of FIG. 13, an integrated input power memory is provided instead of the cumulative operation time memory, and a signal corresponding to the integrated input power of the electron beam power supply 51 is output and input to the electron beam irradiation area control device 327. Is done. If the input power at the time of operation is different from time to time, the control current value of the focusing coil 13 and the control current value of the oscillating coil 14 are changed by the electron beam irradiation area control device 327 according to the integrated input power from the cumulative operation time. Controlling is more effective for keeping the irradiation area constant.

（実施の第５形態）
電子線照射装置２の累積稼働時間又は積算投入パワーに対応して制御する場合は、実施の第４形態として記述されているが、実施の第１乃至第３の形態を示す図１、図１１、図１２のそれぞれの電子ビーム照射面積制御装置２７、蒸着基板温度制御装置１２７、成膜レート制御装置２２７にはそれぞれ照射面積対応電気信号２６、基板温度対応信号１２６、成膜レート対応信号２２６とともに電子ビーム電源５１の累積稼働時間対応信号３２６又は積算投入パワー対応信号が入力される。すなわち、このような２種類の信号に対応して集束コイル１３の制御電流値、揺動コイル１４の制御電流値を制御することが望ましい。このようにすることにより、照射面積を一定に制御することができる。 (Fifth embodiment)
In the case where the control is performed in accordance with the cumulative operation time or the cumulative input power of the electron beam irradiation device 2, the description is given as the fourth embodiment, but FIGS. 1 and 11 show the first to third embodiments. Each of the electron beam irradiation area control device 27, the deposition substrate temperature control device 127, and the film formation rate control device 227 shown in FIG. 12 has an irradiation area corresponding electric signal 26, a substrate temperature corresponding signal 126, and a film formation rate corresponding signal 226, respectively. The signal 326 corresponding to the cumulative operating time of the electron beam power supply 51 or the signal corresponding to the accumulated power is input. That is, it is desirable to control the control current value of the focusing coil 13 and the control current value of the oscillating coil 14 in accordance with such two types of signals. By doing so, the irradiation area can be controlled to be constant.

（実施の第６形態）
実施の第６形態では、本発明により製造したプラズマディスプレイパネル１０９がプラズマ表示装置として組み立てられる。図１４は、図２に示されるプラズマディスプレイパネル１０９を含むプラズマ表示装置５００を示している。プラズマ表示装置５００は、アナログインタフェース５５１と、プラズマディスプレイパネルモジュール５５２とから構成される。 (Sixth embodiment)
In the sixth embodiment, a plasma display panel 109 manufactured according to the present invention is assembled as a plasma display device. FIG. 14 shows a plasma display device 500 including the plasma display panel 109 shown in FIG. The plasma display device 500 includes an analog interface 551 and a plasma display panel module 552.

アナログインタフェース５５１は、クロマ・デコーダを備えるＹ／Ｃ分離回路５５３と、Ａ／Ｄ変換回路５５４と、画像フォーマット変換回路５５５と、ＰＬＬ回路５５６を備える同期信号制御回路５５７と、逆γ変換回路５５８と、システムコントロール回路５５９と、ＰＬＥ制御回路５６１とから形成されている。アナログインタフェース５５１は、受信したアナログ映像信号（アナログＲＧＢ信号５６２とアナログ映像信号５６３）をディジタル映像信号５６４に変換した後に、そのディジタル映像信号５６４をプラズマディスプレイパネルモジュール５５２に対して出力する。より詳しくは、ＴＶチューナーから発信されたアナログ映像信号５６３は、Ｙ／Ｃ分離回路５５３でＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後に、Ａ／Ｄ変換回路５５４でディジタル映像信号５６４に変換される。ディジタル映像信号５６４は、プラズマディスプレイパネルモジュール５５２の画素構成とアナログ映像信号５６３の画素構成が異なる場合には、画像フォーマット変換回路５５５で適正な画像フォーマットに変換される。   The analog interface 551 includes a Y / C separation circuit 553 including a chroma decoder, an A / D conversion circuit 554, an image format conversion circuit 555, a synchronization signal control circuit 557 including a PLL circuit 556, and an inverse γ conversion circuit 558. , A system control circuit 559, and a PLE control circuit 561. The analog interface 551 converts the received analog video signal (the analog RGB signal 562 and the analog video signal 563) into a digital video signal 564, and outputs the digital video signal 564 to the plasma display panel module 552. More specifically, the analog video signal 563 transmitted from the TV tuner is decomposed into a luminance signal of each color of RGB by the Y / C separation circuit 553, and then converted into a digital video signal 564 by the A / D conversion circuit 554. . When the pixel configuration of the plasma display panel module 552 is different from the pixel configuration of the analog video signal 563, the digital video signal 564 is converted into an appropriate image format by the image format conversion circuit 555.

アナログ映像信号５６３には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロックとデータクロック信号は含まれていない。同期信号制御回路５５７に含まれているＰＬＬ回路５５６は、アナログ映像信号５６３と同時に供給される水平同期信号が基準にされて、サンプリングクロック５６５とデータクロック信号５６６を生成する。サンプリングクロック５６５とデータクロック信号５６６は、アナログインタフェース５５１から出力されてプラズマディスプレイパネルモジュール５５２に入力される。ＰＬＥ制御回路５６１は、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値以上である場合には表示輝度を低下させる。システムコントロール回路５５９は、各種の制御信号５６７を生成する。制御信号５６７は、アナログインタフェース５５１から出力されてプラズマディスプレイパネルモジュール５５２に入力される。   The analog video signal 563 does not include a sampling clock for A / D conversion and a data clock signal. The PLL circuit 556 included in the synchronization signal control circuit 557 generates a sampling clock 565 and a data clock signal 566 based on a horizontal synchronization signal supplied simultaneously with the analog video signal 563. The sampling clock 565 and the data clock signal 566 are output from the analog interface 551 and input to the plasma display panel module 552. The PLE control circuit 561 increases the display luminance when the average luminance level is equal to or lower than a predetermined value, and decreases the display luminance when the average luminance level is equal to or higher than the predetermined value. The system control circuit 559 generates various control signals 567. The control signal 567 is output from the analog interface 551 and input to the plasma display panel module 552.

プラズマディスプレイパネルモジュール５５２は、ディジタル信号処理・制御回路５６８と、パネル部位５６９と、DＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール内電源回路５７１とから形成されている。パネル部位５６９は、既述のプラズマディスプレイパネル１０９を含んでいる。ディジタル信号処理・制御回路５６８は、入力インタフェース信号処理回路５７２と、フレームメモリ５７３と、メモリ制御回路５７４と、ドライバ制御回路５７５とから形成されている。入力インタフェース信号処理回路５７２にアナログインタフェース５５１から入力されるディジタル映像信号５６４の平均輝度レベルは、入力インタフェース信号処理回路５７２の中の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示されず）により計算されて、適正ビット（例示：５ビット）のデータとして出力される。アナログインタフェース５５１により平均輝度レベルに対応して設定されるＰＬＥ制御データ５７６は、入力インタフェース信号処理回路５７２中の輝度レベル制御回路（図示されず）に入力される。   The plasma display panel module 552 includes a digital signal processing / control circuit 568, a panel section 569, and a module power supply circuit 571 including a DC / DC converter. Panel portion 569 includes plasma display panel 109 described above. The digital signal processing / control circuit 568 includes an input interface signal processing circuit 572, a frame memory 573, a memory control circuit 574, and a driver control circuit 575. The average luminance level of the digital video signal 564 input from the analog interface 551 to the input interface signal processing circuit 572 is calculated by an input signal average luminance level calculation circuit (not shown) in the input interface signal processing circuit 572. It is output as data of an appropriate bit (for example, 5 bits). The PLE control data 576 set by the analog interface 551 corresponding to the average luminance level is input to a luminance level control circuit (not shown) in the input interface signal processing circuit 572.

ディジタル信号処理・制御回路５６８は、入力インタフェース信号処理回路５７２で既述の信号を処理してその処理後制御信号５７７をパネル部位５６９に対して送信する。メモリ制御回路５７４とドライバ制御回路５７５とは、処理後制御信号５７７の送信と同時に、それぞれにメモリ制御信号５７８とドライバ制御信号５７９とを生成してパネル部位５６９に送信する。   The digital signal processing / control circuit 568 processes the above-described signal in the input interface signal processing circuit 572, and transmits the processed control signal 577 to the panel part 569. The memory control circuit 574 and the driver control circuit 575 respectively generate a memory control signal 578 and a driver control signal 579 and transmit them to the panel part 569 simultaneously with the transmission of the post-processing control signal 577.

パネル部位５６９は、プラズマディスプレイパネル１０９と、走査電極５３６を駆動する走査ドライバ（パネル部位５６９に同体に実装されている）５８１と、データ電極を駆動するデータドライバ５８２（パネル部位５６９に同体に実装されている）とから形成されている。パネル部位５６９は、更に、プラズマディスプレイパネル１０９と走査ドライバ５８１とデータドライバ５８２とにパルス電圧を供給する高圧パルス回路５８３を備えている。高圧パルス回路５８３は、パネル部位５６９の一部分としてパネル部位５６９の複数部位に配置されて実装されている。   The panel portion 569 includes a plasma display panel 109, a scan driver (which is mounted integrally on the panel portion 569) 581 for driving the scan electrodes 536, and a data driver 582 (which is mounted on the panel portion 569) which drives the data electrodes. Are formed). The panel portion 569 further includes a high-voltage pulse circuit 583 that supplies a pulse voltage to the plasma display panel 109, the scan driver 581, and the data driver 582. The high-voltage pulse circuit 583 is mounted as a part of the panel part 569 at a plurality of parts of the panel part 569.

プラズマディスプレイパネル１０９は、１３６５（個）×７６８（個）に配列される１３６５×７６８個の画素を有している。プラズマディスプレイパネル１０９では、走査ドライバ５８１が走査電極を制御しデータドライバ５８２がデータ電極５４２を制御することにより、その個数の画素のうちの所定の画素の点灯又は非点灯の制御を実行して規定の表示を実行する。   The plasma display panel 109 has 1365 × 768 pixels arranged in 1365 (pieces) × 768 (pieces). In the plasma display panel 109, the scanning driver 581 controls the scanning electrodes, and the data driver 582 controls the data electrodes 542, thereby controlling the lighting or non-lighting of a predetermined pixel out of the number of pixels. Execute the display.

ロジック電源（図示されず）は、電力入力端子５８４を介して、ディジタル信号処理・制御回路５６８とパネル部位５６９にロジック電力を供給する。モジュール内電源回路５７１は、表示用電源（図示されず）から他の電力入力端子５８５を介して直流電源を供給され、その直流電力の電圧を所定の電圧に変換して、パネル部位５６９に供給している。   A logic power supply (not shown) supplies logic power to the digital signal processing / control circuit 568 and the panel unit 569 via a power input terminal 584. The in-module power supply circuit 571 is supplied with DC power from a display power supply (not shown) via another power input terminal 585, converts the DC power voltage into a predetermined voltage, and supplies it to the panel portion 569. are doing.

プラズマディスプレイパネル１０９と走査ドライバ５８１とデータドライバ５８２と高圧パルス回路５８３とは、電力回収回路５８６とともに、パネル部位５６９の本体を構成する１枚の基板に配置されて実装されている。パネル部位５６９は、その本体とプラズマディスプレイパネル１０９と走査ドライバ５８１とデータドライバ５８２と高圧パルス回路５８３と電力回収回路５８６とを一体的に構成している。ディジタル信号処理・制御回路５６８は、パネル部位５６９から分離され機械的には独立して形成されている。   The plasma display panel 109, the scan driver 581, the data driver 582, and the high-voltage pulse circuit 583, together with the power recovery circuit 586, are arranged and mounted on one substrate constituting the main body of the panel portion 569. The panel portion 569 integrally forms the main body, the plasma display panel 109, the scan driver 581, the data driver 582, the high voltage pulse circuit 583, and the power recovery circuit 586. The digital signal processing / control circuit 568 is separated from the panel part 569 and is formed mechanically independently.

モジュール内電源回路５７１は、ディジタル信号処理・制御回路５６８とパネル部位５６９とから分離され機械的には独立して形成されている。ディジタル信号処理・制御回路５６８とパネル部位５６９とモジュール内電源回路５７１とは、１つのモジュールとして組み立てられている。プラズマディスプレイパネルモジュール５５２は、このように組み立てられる１つのモジュールを形成している。アナログインタフェース５５１は、プラズマディスプレイパネルモジュール５５２から分離され機械的には独立して形成されている。プラズマディスプレイパネルモジュール５５２は、制御信号５６７とディジタル映像信号５６４とサンプリングクロック５６５とデータクロック信号５６６とＰＬＥ制御データ５７６とその他の信号を送信する電気配線により電気的にアナログインタフェース５５１に接続されている。   The power supply circuit 571 in the module is separated from the digital signal processing / control circuit 568 and the panel part 569 and is formed mechanically independently. The digital signal processing / control circuit 568, the panel section 569, and the module power supply circuit 571 are assembled as one module. The plasma display panel module 552 forms one module assembled in this way. The analog interface 551 is separated from the plasma display panel module 552 and formed mechanically independently. The plasma display panel module 552 is electrically connected to the analog interface 551 by electric wiring for transmitting a control signal 567, a digital video signal 564, a sampling clock 565, a data clock signal 566, PLE control data 576, and other signals. .

アナログインタフェース５５１とプラズマディスプレイパネルモジュール５５２とが別個に形成された後に、アナログインタフェース５５１とプラズマディスプレイパネルモジュール５５２とがプラズマディスプレイ装置の筐体の中に組み込まれて固定的に支持されてプラズマ表示装置５００が組み立てられる。このようにモジュール化されるプラズマ表示装置５００は、アナログインタフェース５５１とプラズマディスプレイパネルモジュール５５２をその他の機器部分とは別個に製造することができる。このため、プラズマ表示装置５００が故障した場合には、故障しているプラズマ表示装置５００のプラズマディスプレイパネルモジュール５５２をそっくりそのままに新しい他のプラズマ表示装置５００と取り換えることにより、プラズマ表示装置５００の補修を簡素化して、その補修時間を短縮することができる。   After the analog interface 551 and the plasma display panel module 552 are separately formed, the analog interface 551 and the plasma display panel module 552 are incorporated in a housing of the plasma display device and fixedly supported, so that the plasma display device is formed. 500 are assembled. In the plasma display device 500 thus modularized, the analog interface 551 and the plasma display panel module 552 can be manufactured separately from other device parts. Therefore, when the plasma display device 500 has failed, the plasma display device 500 is repaired by replacing the plasma display panel module 552 of the failed plasma display device 500 with another new plasma display device 500 as it is. Can be simplified and the repair time can be shortened.

本明細書で記述される蒸着方法により製造されるプラズマディスプレイパネル１０９は駆動回路を加え、図１４に示されるプラズマディスプレイモジュール５５２に組み立てられる。さらに、インターフェース５５１とともにプラズマ表示装置５００に組み立てられる。   The plasma display panel 109 manufactured by the vapor deposition method described in this specification includes a driving circuit and is assembled into the plasma display module 552 shown in FIG. Further, it is assembled with the plasma display device 500 together with the interface 551.

図１は、本発明によるプラズマディスプレイの製造装置の実施の形態を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a plasma display manufacturing apparatus according to the present invention. 図２は、本発明に適用される公知のＰＤＰ基板を示す斜軸投影図である。FIG. 2 is a perspective projection view showing a known PDP substrate applied to the present invention. 図３は、面積と電流値の関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the area and the current value. 図４は、面積と電流値の他の関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing another relationship between the area and the current value. 図５は、稼動時間と電流値の関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the operating time and the current value. 図６は、面積と電流値の他の関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing another relationship between the area and the current value. 図７（ａ），（ｂ）は、異なる照射面積をそれぞれに示す写真である。FIGS. 7A and 7B are photographs showing different irradiation areas. 図８は、電流値と温度の関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the current value and the temperature. 図９は、電流値と水素発生量の関係を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between the current value and the amount of generated hydrogen. 図１０は、電流値と放電応答性の関係を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the current value and the discharge responsiveness. 図１１は、本発明によるプラズマディスプレイの製造装置の実施の他の形態を示す正面断面図である。FIG. 11 is a front sectional view showing another embodiment of the plasma display manufacturing apparatus according to the present invention. 図１２は、本発明によるプラズマディスプレイの製造装置の実施の更に他の形態を示す正面断面図である。FIG. 12 is a front sectional view showing still another embodiment of the plasma display manufacturing apparatus according to the present invention. 図１３は、本発明によるプラズマディスプレイの製造装置の実施の更に他の形態を示す正面断面図である。FIG. 13 is a front sectional view showing still another embodiment of the plasma display manufacturing apparatus according to the present invention. 図１４は、プラズマディスプレイの表示装置の詳細とその組立の形態を示す回路ブロック図である。FIG. 14 is a circuit block diagram showing the details of the display device of the plasma display and the form of its assembly.

符号の説明Explanation of reference numerals

２…電子線照射装置
４…蒸着室
９…蒸着材料
１１…上面
１２…電子ビーム発生電源
１３…集束コイル
１４…揺動コイル
１５…電流制御装置
１７…電子ビーム
２５…カメラ
２７…電流制御装置
１０９…プラズマディスプレイパネル
５５１…インターフェース
５５２…モジュール 2 ... Electron beam irradiation device 4 ... Evaporation chamber 9 ... Evaporation material 11 ... Top surface 12 ... Electron beam generation power supply 13 ... Converging coil 14 ... Swing coil 15 ... Current control device 17 ... Electron beam 25 ... Camera 27 ... ... Plasma display panel 551 ... Interface 552 ... Module

Claims (17)

蒸着室に設置される蒸着材料の上面に電子ビームを照射する電子線照射装置と、
前記上面に照射される照射面積を制御し、又は、前記照射面積に対応する物理量を制御することにより前記上面に照射される照射面積を制御する照射面積制御装置
とを具える蒸着システム。 An electron beam irradiation device that irradiates an electron beam on the upper surface of a deposition material installed in a deposition chamber,
An irradiation area control device for controlling an irradiation area irradiated on the upper surface by controlling an irradiation area irradiated on the upper surface or controlling a physical quantity corresponding to the irradiation area. 前記照射面積制御装置は、
前記電子ビームを前記上面に対して集束させる集束コイルと、
前記集束コイルの励磁電流を制御する電流制御装置とを備える
請求項１の蒸着システム。 The irradiation area control device,
A focusing coil for focusing the electron beam on the upper surface,
The vapor deposition system according to claim 1, further comprising a current controller that controls an exciting current of the focusing coil. 前記照射面積制御装置は、
前記電子ビームを揺動させる揺動コイルと、
前記揺動コイルの励磁電流を制御する電流制御装置を備える
請求項１の蒸着システム。 The irradiation area control device,
A swing coil for swinging the electron beam,
The vapor deposition system according to claim 1, further comprising a current control device that controls an exciting current of the swing coil. 前記照射面積制御装置は、前記電子ビームの電流値を制御する電子ビーム発生電源を備える
請求項１の蒸着システム。 The vapor deposition system according to claim 1, wherein the irradiation area control device includes an electron beam generation power supply that controls a current value of the electron beam. 前記照射面積制御装置は、前記照射面積を計測するカメラを更に備える
請求項１〜４から選択される１請求項の蒸着システム。 The vapor deposition system according to claim 1, wherein the irradiation area control device further includes a camera that measures the irradiation area. 前記照射面積制御装置は、蒸着される基板の温度を計測する温度計測装置と、前記蒸着材料により形成される膜の膜厚を計測する膜厚計測装置と、前記電子線照射装置の累積稼働時間を計測する累積時間計測装置と、前記電子線照射装置の積算投入パワ−を計測する積算投入パワー計測装置を要素とする集合から選択される１又は複数の装置を備える
請求項１〜５から選択される１請求項の蒸着システム。 The irradiation area control device includes a temperature measurement device that measures a temperature of a substrate to be deposited, a film thickness measurement device that measures a film thickness of a film formed by the deposition material, and a cumulative operation time of the electron beam irradiation device. A cumulative time measuring device for measuring the cumulative input power of the electron beam irradiation device, and one or more devices selected from a set including a cumulative input power measuring device for measuring the cumulative input power of the electron beam irradiation device. The vapor deposition system of claim 1 wherein: 前記照射面積制御装置は、前記照射面積が一定になるように制御される
請求項１〜６から選択される１請求項の蒸着システム。 The vapor deposition system according to claim 1, wherein the irradiation area control device is controlled so that the irradiation area is constant. 蒸着室の中で蒸着材料に電子ビームを照射するステップと、
前記蒸着材料が前記電子ビームにより照射される照射面積を一定に制御するステップ
とを具えるプラズマディスプレイパネルの製造方法。 Irradiating the deposition material with an electron beam in a deposition chamber;
Controlling the irradiation area irradiated with the electron beam by the electron beam to be constant. 前記制御するステップは、前記電子ビームの電流値を制御することにより前記照射面積を一定に制御するステップを備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The method according to claim 8, wherein the controlling includes controlling the irradiation area to be constant by controlling a current value of the electron beam. 前記制御するステップは、
前記照射面積を計測するステップと、
前記照射面積に対応して前記電子ビームを集束させる集束コイルの励磁電流又は前記電子ビームを揺動させる揺動コイルの励磁電流を制御するステップとを更に備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of controlling comprises:
Measuring the irradiation area;
Controlling the exciting current of a focusing coil for focusing the electron beam or the exciting current of a swing coil for swinging the electron beam in accordance with the irradiation area. . 前記照射面積を計測するステップは、
照射部位を撮影して画像を形成するステップと、
前記画像を処理して前記照射面積を計算するステップとを具える
請求項１０のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of measuring the irradiation area,
Imaging an irradiation site to form an image;
Processing the image to calculate the irradiation area. 前記制御するステップは、
前記蒸着材料で蒸着される基板の温度を計測するステップと、
前記温度に対応して前記電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流又は前記電子ビームを動揺させる揺動コイルの励磁電流を制御するステップとを備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of controlling comprises:
Measuring the temperature of the substrate deposited with the deposition material,
Controlling the exciting current of an exciting coil that focuses the electron beam or the exciting current of an oscillating coil that oscillates the electron beam in accordance with the temperature. 前記制御するステップは、
前記蒸着材料で蒸着される基板の膜厚を計測するステップと、
前記膜厚の時間的変化に対応して前記電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流又は前記電子ビームを揺動させる揺動コイルの励磁電流を制御するステップを備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of controlling comprises:
Measuring the thickness of the substrate deposited with the deposition material,
9. The plasma display panel according to claim 8, further comprising: controlling an exciting current of an exciting coil that focuses the electron beam or an exciting current of a swing coil that swings the electron beam in accordance with the temporal change in the film thickness. Production method. 前記制御するステップは、
前記電子ビームを生成する電子ビーム生成装置の累積稼動時間を計測するステップと、
前記累積稼動時間に対応して前記電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流又は前記電子ビームを揺動させる揺動コイルの励磁電流を制御するステップとを備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of controlling comprises:
Measuring the cumulative operating time of the electron beam generation device that generates the electron beam,
Controlling the exciting current of an exciting coil that focuses the electron beam or the exciting current of a swing coil that swings the electron beam in accordance with the cumulative operating time. . 前記制御するステップは、
前記電子ビームを生成する電子ビーム生成装置の積算投入パワーを計測するステップと、
前記積算投入パワーに対応して前記電子ビームを集束させる励磁コイルの励磁電流又は前記電子ビームを揺動させる揺動コイルの励磁電流を制御するステップとを備える
請求項８のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The step of controlling comprises:
Measuring the integrated input power of the electron beam generator for generating the electron beam,
Controlling the exciting current of the exciting coil for converging the electron beam or the exciting current of the oscillating coil for oscillating the electron beam in accordance with the integrated input power. . 前記制御するステップは、前記蒸着材料で蒸着される膜の成膜レートが一定になるように制御される
請求項８〜１５から選択される１請求項のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the controlling is performed such that a deposition rate of a film deposited with the deposition material is constant. 請求項８〜１６から選択される１請求項のプラズマディスプレイパネルの製造方法を用いてプラズマ表示装置を製造するプラズマ表示装置の製造方法であり、
前記製造方法によりプラズマディスプレイパネルを製造する第１工程と、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに前記プラズマディスプレイパネルを１つのモジュールとして製造する第２工程と、
画像信号のフォーマット変換を実行し、前記モジュールに送信するインターフェースを前記モジュールに電気的に接続する第３工程
とを具えるプラズマ表示装置の製造方法。 A plasma display device manufacturing method for manufacturing a plasma display device using the plasma display panel manufacturing method according to claim 1 selected from claims 8 to 16,
A first step of manufacturing a plasma display panel by the manufacturing method,
A second step of manufacturing the plasma display panel as one module together with a circuit for driving the plasma display panel;
Performing a format conversion of an image signal and electrically connecting an interface for transmitting to the module to the module.

Images