JP2004311897A - Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask - Google Patents

Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask Download PDF

Info

Publication number
JP2004311897A
JP2004311897A JP2003106700A JP2003106700A JP2004311897A JP 2004311897 A JP2004311897 A JP 2004311897A JP 2003106700 A JP2003106700 A JP 2003106700A JP 2003106700 A JP2003106700 A JP 2003106700A JP 2004311897 A JP2004311897 A JP 2004311897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
reticle
pattern
mask
density filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003106700A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Irie
信行 入江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2003106700A priority Critical patent/JP2004311897A/en
Publication of JP2004311897A publication Critical patent/JP2004311897A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce unevenness in light exposure when a plurality of patterns are exposed to overlap partially using a dimmer filter produced to have a specified transmissivity distribution. <P>SOLUTION: Exposure light IL from an exposure light source 1 passes through an oscillation mirror 6 and impinges on a micro fly eye integrator 2A. Light from the integrator 2A passes through a reticle blind 4, a density filter 55, a condenser lens system 8, and the like, and illuminates a reticle R. Pattern of the reticle R is then projected onto a photosensitive substrate G through a projection optical system PL. The exposure light IL is oscillated, as required, by means of the oscillation mirror 6. Since the light source image on the exit surface of the micro fly eye integrator 2A is a fine pitch lattice-like image, unevenness in light exposure by the light source image is reduced even when the light source image is transferred onto the photosensitive substrate G according to the principle of a kind of pinhole camera by a pattern in the density filter 55. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光技術に関し、更に詳しくは複数個のパターンを画面継ぎを行いながら転写（つなぎ露光）してより大きなパターンを露光する露光技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路は、一般にマスクとしての一枚のレチクルのパターンを基板としてのウエハ上の各ショット領域に転写する工程を繰り返すことによって製造されていた。これに対して最近、大型化した半導体デバイスの製造を行うために、転写すべき一つの回路パターンの原版パターンを複数枚のレチクルのパターンに分割し、この複数枚のレチクルのパターンをウエハ上の一つのショット領域に画面継ぎを行いながら転写する露光方法、即ちつなぎ露光する露光方法も用いられている。つなぎ露光は、「画角合成」とも呼ばれている。
【０００３】
また、従来の実際に露光工程で使用されるレチクル（ワーキングレチクル）は、一般にガラス基板上に金属膜を形成し、この上のレジスト層に電子線描画装置によってデバイスパターンを直接描画した後、現像及びエッチング等の処理を施すことによって製造されていた。しかしながら、デバイスの大型化に対応してレチクルを大型化した場合に、その１枚のレチクルの全パターンを電子線描画装置で描画するのは、長い描画時間を要するために製造コストが上昇する。そこで、特に大型のワーキングレチクルについては、電子線描画装置を用いて製造した複数枚のマスクーレチクルのパターンを、１枚のガラス基板上に画面継ぎを行いながら縮小して露光することによって製造する方法も用いられている。
【０００４】
このように複数枚のレチクルのパターンのつなぎ露光を行って、１つのデバイス又は１枚のレチクルを製造する場合には、隣接するパターンの継ぎ部（境界部）でのパターンの切断を防止する必要がある。そこで、ステッパー等の投影露光装置を用いてつなぎ露光を行う際には、隣接するパターンの像の所定幅の周辺部を外側に向かって次第に透過率が減少する減光フィルタを介して重ね合わせて露光する方法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
国際公開（ＷＯ）第００／０５９０１２号パンフレット（図４、図７）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如く画面継ぎを行いながら露光を行う際には、従来より継ぎ部で減光フィルタを介して二重露光を行っていた。また、従来の減光フィルタの外側に向かって次第に透過率が減少する部分は、例えばガラス基板上に電子線描画装置を用いて多数の微細なドットパターンを局所的にはランダムで、かつ全体として所定の傾向で透過率が変化するような配置で描画することによって形成されていた。また、その減光フィルタは、例えばレチクルのパターン面との共役面に対して或る程度デフォーカスした面に配置されるため、個々のドットパターンの像がデバイス又はレチクル用の基板上にそのまま転写されることはない。
【０００７】
しかしながら、その減光フィルタの多数のドットパターン中には、光透過部中に形成された孤立パターンのようなパターン、又は光透過部中に形成されたラインパターンのようなパターンが存在することがある。この場合に照明系中にフライアイ・インテグレータが配置されていると、その孤立パターン又はラインパターンのようなパターンが一種のピンホールカメラの開口の作用をして、ウエハ（又はガラス基板）上にそのフライアイ・インテグレータの射出面のデフォーカスした像である２次元又は１次元の格子状パターンの像が転写される恐れがあった。このような減光フィルタを用いて画面継ぎを行うと、隣接するパターンの継ぎ部付近において露光量むらが生じて、最終的に形成される回路パターンの線幅のばらつきが大きくなる恐れがあり、ひいてはデバイス又はマスクの歩留まり低下を招く恐れもある。
【０００８】
本発明は斯かる点に鑑み、例えば複数のパターンを画面継ぎを行いながら露光する場合のように、所定の透過率分布を持つ減光フィルタを用いて複数のパターンを一部が重なるように露光する場合、露光対象の基板上での露光量むらを低減できる露光技術を提供することを目的とする。
更に本発明は、そのような露光技術を用いて複数のパターンを一部が重なるように露光することによって、大型のデバイス又はマスクを高精度に製造できる製造技術を提供することをも目的とする。
【０００９】
更に本発明は、そのような露光技術を用いて製造できる大型のマスクを提供することをも目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の露光装置は、露光ビームでマスクを照明する照明系（１０）を備え、基板（Ｇ）上で周辺部（３０ＡＢ）が部分的に重なる複数の領域（３０Ａ，３０Ｂ）にそれぞれマスクのパターンを転写するために、その周辺部でその露光ビームの強度を変化させてその各領域を露光する露光装置において、その照明系は、その露光ビームの複数の光源像を形成するマイクロフライアイ・インテグレータ（２Ａ）と、そのマスク上の照明領域を規定する視野絞り（４）と、そのマイクロフライアイ・インテグレータの射出側に配置されて、その複数の領域のその周辺部でのその露光ビームの強度を少なくとも一方向に関して徐々に変化させるために、その少なくとも一方向に対応してその露光ビームに対する透過率が変化する透過率分布を持つ減衰部（５５ａ〜５５ｄ）が一部に形成される減光フィルタ（５５）とを備えるものである。
【００１１】
斯かる本発明によれば、マイクロフライアイ・インテグレータは通常のフライアイ・インテグレータに比べて各レンズエレメントの形状が例えば１／１００程度に小さいため、仮にその減光フィルタの減衰部のパターンによってピンホールカメラと同様の作用によって、そのマイクロフライアイ・インテグレータの射出面の像がその基板上の複数の領域の周辺部（継ぎ部）の近くに形成されても、その射出面の像はピッチの小さい格子状である。従って、その周辺部での露光量むらは小さくなる。
【００１２】
この場合、その照明系は、露光中にそのマイクロフライアイ・インテグレータに対するその露光ビームの入射角を変化させるために、その露光ビームを振動させる振動部材（６）を更に有することが望ましい。
その振動部材によって、露光中にそのマイクロ・フライアイ・インテグレータの射出面の多数の光源像の位置が変位するため、平均化効果によって露光量むらは更に低減される。
【００１３】
また、１回の露光中のその振動部材によるその露光ビームの振動量は、そのマイクロフライアイ・インテグレータの射出面において、そのマイクロフライアイ・インテグレータによって形成される複数の光源像の明暗のピッチの１／２以上の振幅でその複数の光源像が振動する程度であることが望ましい。これによって、露光量むらが殆どなくなる。
【００１４】
次に、本発明による第２の露光装置は、露光ビームでマスクを照明する照明系を備え、基板（Ｇ）上で周辺部（３０ＡＢ）が部分的に重なる複数の領域（３０Ａ，３０Ｂ）にそれぞれマスクのパターンを転写するために、その周辺部でその露光ビームの強度を変化させてその各領域を露光する露光装置において、その照明系は、その露光ビームの複数の光源像を形成するオプティカル・インテグレータ（２Ｂ）と、そのマスク上の照明領域を規定する視野絞り（４）と、そのオプティカル・インテグレータの射出側に配置されて、その複数の領域のその周辺部でのその露光ビームの強度を少なくとも一方向に関して徐々に変化させるために、その少なくとも一方向に対応してその露光ビームに対する透過率が変化する透過率分布を持つ減衰部（５５ａ〜５５ｄ）が一部に形成される減光フィルタ（５５）と、そのオプティカル・インテグレータに入射するその露光ビームを拡散させる拡散部材（６４）とを有するものである。
【００１５】
斯かる本発明によれば、拡散部材によって露光ビームが拡散されるため、そのオプティカル・インテグレータによって形成される複数の光源像の明部が大きくなる。従って、仮にその減光フィルタの減衰部のパターンによってピンホールカメラと同様の作用によって、そのフライアイ・インテグレータの射出面の像がその基板上の複数の領域の周辺部（継ぎ部）の近くに形成されても、その射出面の像は全体としてほぼ均一な明るさとなるため、その周辺部での露光量むらは小さくなる。
【００１６】
この場合、そのオプティカル・インテグレータが、複数のレンズエレメントを束ねて形成されるフライアイ・インテグレータであるとき、その拡散部材は、そのフライアイ・インテグレータを構成する各レンズエレメントに入射するその露光ビームをそれぞれ拡散する程度の粗さを持つことが望ましい。これによって、各レンズエレメント毎に形成される光源像の明部が大きくなるため、露光量むらが大きく低減される。
【００１７】
また、その照明系は、露光中にそのオプティカル・インテグレータに対するその露光ビームの位置が変化するようにその露光ビームを振動させる振動部材（６）を更に有することが望ましい。その露光ビームが振動することで、露光中にそのフライアイ・インテグレータによって形成される複数の光源像が変位するため、平均化効果によって露光量むらは更に低減される。
【００１８】
この場合、そのオプティカル・インテグレータは、複数のレンズエレメントを束ねて形成されるフライアイ・インテグレータであり、１回の露光中のその振動部材によるその露光ビームの振動量は、そのフライアイ・インテグレータの入射面におけるその露光ビームの変位の振幅が、その各レンズエレメントの幅の１／２以上となる程度であることが望ましい。これによって、露光量むらが殆どなくなる。
【００１９】
また、本発明による露光方法は、本発明の何れかの露光装置を用いて、マスクのパターンを画面継ぎを行いながら基板（Ｇ；Ｗ）上に露光する露光方法であって、第１のマスク（ＲＡ）のパターンの継ぎ部をその減光フィルタを介してその基板上に露光する第１工程と、第２のマスク（ＲＢ）のパターンの継ぎ部をその減光フィルタを介してその基板上のその第１のマスクのパターンのその継ぎ部の像の上に露光する第２工程とを有するものである。
【００２０】
この露光方法によれば、複数のパターンの画面継ぎによって大きいパターンを露光することができると共に、露光量むらが低減されてる。
また、本発明のデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含みマスク又はデバイスを製造するためのデバイス製造方法であって、本発明の何れかの露光方法又は露光装置によって複数のパターン（ＲＡ〜ＲＤ）を画面継ぎを行いながら露光する工程を含むものである。この際に複数のマスクパターンをつなぎ露光することによって、その基板上に直接電子線描画装置等を用いてマスクパターンを描画する方式に比べて、高精度かつ高スループットにマスク又はデバイスを量産できる。
【００２１】
また、本発明のマスクは、本発明のデバイス製造方法を用いて製造されたものである。本発明の適用によって、大型マスクを高精度に製造することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施形態につき図１〜図８を参照して説明する。本例は、投影露光装置を用いて複数のマスクパターンの像を画面継ぎを行いながら１つの基板上に転写する場合に本発明を適用したものである。
図１は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図１において、露光光源１としてはＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４８ｎｍ）が使用されている。なお、露光光源としては、ＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２ レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２ レーザ（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２ レーザ光源（波長１２６ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、半導体レーザの高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）なども使用することができる。
【００２３】
露光時に露光光源１からパルス発光された露光ビームとしての露光光（露光用の照明光）ＩＬは、シリンドリカルレンズを含むビーム整形光学系ＢＥ１を通過して断面形状がほぼ正方形に整形された後、ミラーＭ１及びＭ２で反射されて、ビームエキスパンダＢＥ２によって断面形状が所定の大きさまで拡大される。ビームエクスパンダＢＥ２から射出されたほぼ平行な露光光ＩＬは、ミラーＭ３で反射された後、振動部材としての振動ミラー６によって光路が折り曲げられて、オプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ又はホモジナイザ）としてのマイクロフライアイ・インテグレータ２Ａに入射して、照度分布が均一化される。
【００２４】
振動ミラー６には、回転軸６ａの周りにこの振動ミラー６を所定の角度範囲で振動させる駆動モータ６１が設けられており、装置全体の動作を統轄制御する主制御系２４が駆動モータ６１の動作を制御する。なお、更に回転軸６ａに直交する回転軸６ｂの周りに振動ミラー６を振動させる機構を設け、振動ミラー６を直交する２軸の周りに振動できるようにしてもよい。また、マイクロフライアイ・インテグレータ２Ａは、断面形状が幅数１０μｍ程度の角型又は直径が数１０μｍ程度の円形の多数の微小レンズを束ねたものである。
【００２５】
また、マイクロフライアイ・インテグレータ２Ａの射出面（照明光学系の瞳面）には、露光光ＩＬの開口数、ひいてはコヒーレンスファクタ（σ値）を設定すると共に、露光光の光量分布を円形、輪帯状、複数の偏心した領域などに設定して照明条件を決定するための照明系開口絞り（σ絞り）７が配置されている。照明系開口絞り７を通過した露光光ＩＬは、リレーレンズ３を経て可変視野絞りとしてのレチクルブラインド４に入射する。レチクルブラインド４は、一例として図２に示すように、２枚の移動自在のＬ字型の遮光板４１，４２の４箇所のエッジ４１Ａ，４１Ｂ，４２Ａ，４２Ｂで囲まれる可変開口（斜線を施した領域）Ｓによって、転写対象のレチクルＲ上の照明領域（露光画角）を決定する。遮光板４１，４２は、不図示の駆動機構によってそれぞれ照明光学系の光軸に垂直な平面内の直交するＸ方向、Ｙ方向に駆動される。図１の主制御系２４が、その駆動機構を介してレチクルブラインド４の開口の位置及び大きさを制御する。
【００２６】
図１において、レチクルブラインド４を通過した露光光ＩＬは、濃度フィルタ５５を通過して、後述のように画面継ぎを行いながら露光する（つなぎ露光する）際に適した強度分布（照度分布）を与えられる。即ち、減光フィルタとしての濃度フィルタ５５は、つなぎ露光する際の継ぎ部の積算露光量を他の部分の積算露光量と同一にするための透過率分布を有している（詳細後述）。濃度フィルタ５５を通過した露光光は、リレーレンズ８Ａ、光路折り曲げ用のミラーＭ４及びコンデンサレンズ８Ｂを経て、転写用の原版パターンの形成されたマスクとしてのレチクルＲのパターン面（下面）を照明する。リレーレンズ８Ａ及びコンデンサレンズ８Ｂに関してレチクルＲのパターン面（レチクル面）に共役な面を面Ｐ１（図８参照）とすると、レチクルブラインド４は面Ｐ１又は面Ｐ１に近接した面上に配置されており、濃度フィルタ５５のフィルタ形成面は面Ｐ１からΔＦだけ僅かにレチクルＲ側（露光光源１側でもよい）にデフォーカスした位置に設定されている。濃度フィルタ５５の作用によって、露光光ＩＬはレチクルＲのパターン領域の周辺部で外側に向けて次第に小さくなる強度分布（照度分布）を有する。
【００２７】
露光光源１、ビーム整形光学系ＢＥ１、ビームエクスパンダＢＥ２、ミラーＭ１〜Ｍ３、マイクロフライアイ・インテグレータ２Ａ、照明系開口絞り７、リレーレンズ３、レチクルブラインド４、濃度フィルタ５５、リレーレンズ８Ａ、ミラーＭ４、及びコンデンサレンズ８Ｂを含んで照明光学系１０が構成されている。露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域内のパターンは、両側テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは１／４，１／５等）で感光基板Ｇ上の一つのショット領域に投影される。基板としての感光基板Ｇは、ワーキングレチクル用の四角形のガラス基板にクロム等の金属膜を被着した後、フォトレジストを塗布したものである。更に、感光基板Ｇの周辺部には複数のアライメントマーク（不図示）が形成されている。なお、露光対象の基板としては、例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）等の直径が２００〜３００ｍｍ程度の円板状の基板であるウエハＷも使用することができる。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、感光基板Ｇ上のＺ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にＸ軸及びＹ軸を取って説明する。なお、図２のＸ方向、Ｙ方向は、それぞれ図１のＸ方向、Ｙ方向に対応する方向である。
【００２８】
図１において、濃度フィルタ５５は、可動テーブル５３及び可動テーブル５２を介して不図示のベース上で、駆動モータ５２ｘ，５２ｙ等によって照明光学系１０の光軸に垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向に対応する方向に移動可能で、且つその光軸の周りに回転可能に支持されている。可動テーブル５２，５３には濃度フィルタ５５の位置及び回転角を検出するセンサが組み込まれており、そのセンサの検出結果が駆動系２９に供給されている。そして、主制御系２４が駆動系２９を介して可動テーブル５２，５３を駆動することによって、濃度フィルタ５５の位置及び回転角を制御できるように構成されている。可動テーブル５２，５３等から濃度フィルタ５５の位置決め装置５が構成されている。通常は、濃度フィルタ５５の回転角はレチクルブラインド４によって規定される四角形の照明領域（図２の可変開口Ｓの投影像）に合わせて固定されており、画面継ぎの位置に応じて濃度フィルタ５５のレチクルブラインド４に対する相対位置が制御される。また、本例では、濃度フィルタ５５は、照明光学系１０の光軸に垂直に配置されているが、例えば国際公開（ＷＯ）第００／０５９０１２号パンフレットに開示されているように、濃度フィルタ５５の照明光学系１０の光軸に垂直な面に対する傾斜角、及びその光軸に沿った位置を制御するための機構を設けてもよい。
【００２９】
また、レチクルＲはレチクルステージ２１上に保持され、レチクルステージ２１はレチクルベース２２上をＸ方向、Ｙ方向、回転方向に微動して、レチクルＲの位置決めを行う。レチクルステージ２１の位置（回転量を含む）は、この上に設けられた移動鏡２０Ｘｍ，２０Ｙｍ及び外部に配置されたレーザ干渉計２０Ｘ，２０Ｙによって計測され、この計測値及び主制御系２４からの制御情報に基づいて、レチクルステージ駆動系２３はレチクルステージ２１の位置を制御する。レチクルＲの周辺部の上方には、レチクルＲ上のアライメントマークとレチクルアライメント用の基準マークとを検出するためのレチクルアライメント顕微鏡（不図示）が配置されており、この検出結果に基づいて主制御系２４はレチクルＲのアライメントを行う。
【００３０】
また、レチクルステージ２１の近傍には、不図示であるがレチクルステージ２１上のレチクルを交換するレチクルローダ、及び画面継ぎに使用される複数のレチクルが収納されたレチクルライブラリが設置されている。これによって、レチクルステージ２１上のレチクルＲは別のレチクルと高速に交換される。
一方、感光基板Ｇ（又はウエハＷ）は、不図示のウエハホルダを介してウエハステージ２５上に保持され、ウエハステージ２５はウエハベース２６上でＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する。ウエハステージ２５のＸＹ平面内での位置（回転量を含む）はレーザ干渉計２７Ｘ，２７Ｙによって計測され、この計測値及び主制御系２４からの制御情報に基づいて、ウエハステージ駆動系２８はウエハステージ２５の動作を制御する。更に、ウエハステージ２５は、オートフォーカス方式で感光基板Ｇの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込む。ウエハステージ２５上の感光基板Ｇの近傍には、ピンホールを通過した光を集光して光電変換する照度センサ６３が固定され、マーク検出系としても機能する照度センサ６３の検出信号が主制御系２４に供給されている。照度センサ６３の検出信号より、濃度フィルタ５５を通過した露光光ＩＬのウエハステージ２５上での強度分布を計測することができる。
【００３１】
更に、ウエハステージ２５上の感光基板Ｇの近傍には、例えばレチクルアライメント用の２つの２次元の基準マークと、ウエハアライメント用の１つの２次元の基準マークとが形成された基準マーク部材（不図示）が設置されている。また、ウエハステージ２５の上方には、ウエハアライメント用の基準マーク及び感光基板Ｇ上のアライメントマークの位置を検出するためのアライメントセンサ（不図示）が配置されており、この検出結果に基づいて主制御系２４は、感光基板Ｇのアライメントを行う。
【００３２】
さて、本例の投影露光装置では、感光基板Ｇ上の各ショット領域への露光に際して、複数のレチクルのパターンの縮小像を画面継ぎを行いながら露光（つなぎ露光）する。この際に、隣接する２つのパターンの縮小像の境界部では所定幅の継ぎ部（つなぎ部）を重ね合わせて露光すると共に、４個のパターンの縮小像が隣接する領域では、その４個の縮小像のそれぞれの隅の継ぎ部としての角部を重ね合わせて露光する。これによって、最終的にその継ぎ部に形成される回路パターンの切断を防止している。
【００３３】
ところが、単に複数の縮小像を重ね合わせて露光すると、積算露光量が他の部分よりも増加してしまうため、本例では濃度フィルタ５５を用いて各レチクルのパターンの縮小像を露光する際に、その周辺部の照度（ひいては露光量）を外側に向かって次第に減少するように設定している。なお、そのようにつなぎ露光する際に、レチクルパターンによってはその継ぎ部（例えば、第１パターンの転写時に露光光ＩＬで露光される１つのショット領域内の第１部分と、第２パターンの転写時に露光光ＩＬで露光されるその１つのショット領域内の第２部分との重畳部）に必ずしもデバイス用の回路パターンが存在しない、或いは回路パターンが存在してもその接続部が存在しないこともあり得る。この場合でも積算露光量をその他の領域に合わせるために、濃度フィルタ５５が有効である。以下、濃度フィルタ５５の構成及び使用方法につき説明する。
【００３４】
先ず、図１において、本例では濃度フィルタ５５のフィルタ面の透過率分布によってレチクル面での照度分布を設定するため、理論的にはそのフィルタ面はレチクル面と共役な面上にあるのが望ましい。しかしながら、その配置でそのフィルタ面に欠陥部や塵等の異物が存在すると、その欠陥部や異物もレチクルＲのパターンと共に感光基板Ｇ上に転写される恐れがある。そこで、濃度フィルタ５５のフィルタ面は、その共役な面から僅かにレチクル側（又は露光光源側でもよい）にデフォーカスした位置に配置されている。
【００３５】
図８は、図１の投影露光装置の光学系を簡略化して示し、この図８において、図１のビーム整形光学系ＢＥ１からミラーＭ３までの光学系が一つのビーム整形光学系ＢＥで表され、図１のリレーレンズ８Ａからコンデンサレンズ８Ｂまでの光学系が一つのコンデンサレンズ系８で表されている。この図８において、レチクルブラインド４は、レチクル面Ｐ２と共役な面Ｐ１又はこれに近接した面上に配置され、濃度フィルタ５５のフィルタ面Ｐ５は、面Ｐ１からΔＦだけレチクルＲ側にデフォーカスして配置されている。また、レチクル面Ｐ２に対して感光基板Ｇの露光面Ｐ３は共役であり、フィルタ面Ｐ５に対してコンデンサレンズ系８に関して共役な面Ｐ６、及びコンデンサレンズ系８及び投影光学系ＰＬに関して共役な面Ｐ７はそれぞれレチクル面Ｐ２及び露光面Ｐ３からデフォーカスしている。
【００３６】
但し、濃度フィルタ５５のフィルタ面Ｐ５の異物を少なくできる環境下では、そのフィルタ面Ｐ５をほぼ面Ｐ１上に設置してもよい。なお、本例のように濃度フィルタ５５に多数の微細パターンを局所的にランダムに、且つ全体として所定の分布となるように描画する場合にも、各微細パターンの像が感光基板Ｇ上に転写されないように、フィルタ面Ｐ５は面Ｐ１から僅かにデフォーカスしておくことが望ましい。
【００３７】
また、つなぎ露光後のデバイスの線幅精度等を向上させようとすると、継ぎ部での露光光ＩＬの照度分布（強度分布）を高精度に制御する必要があると共に、レチクルＲと濃度フィルタ５５との相対的な位置決め精度を高める必要がある。例えば、図５において、感光基板Ｇ上にＸ方向に隣接するショット領域３０Ａとショット領域３０Ｂとを継ぎ部３０ＡＢで重ね合わせて露光する場合、継ぎ部３０ＡＢのＸ方向の幅は一定値に維持する必要がある。そこで、レチクルＲと濃度フィルタ５５との相対的な位置関係を所定の状態に設定するために、図１の可動テーブル５２，５３を含む位置決め装置５が使用される。更に、照明領域の周辺部の少なくとも一部で強度が徐々に変化する照度分布を正確に形成するために、図１の面Ｐ１に対する濃度フィルタ５５のフィルタ面のデフォーカス量は、周辺の複数点でほぼ等しくなるように設定されている。更に、濃度フィルタ５５のデフォーカス量が大きくなり過ぎると、照明光学系１０の収差によってレチクル面上での強度分布が濃度フィルタ５５の透過率分布から許容範囲を超えてずれる恐れがある。そこで、濃度フィルタ５５のデフォーカス量は、所定の許容範囲内に収まるように設定されている。
【００３８】
また、濃度フィルタ５５のレチクルＲに対する位置関係を検出する際に、照度センサ６３を使用することができる。そのためには、一例として図１において主制御系２４が、ウエハステージ２５を駆動して投影光学系ＰＬの露光領域（投影光学系ＰＬに関して前述の照明領域と共役な照明光ＩＬの照射領域）に照度センサ６３を移動させて、露光光ＩＬの照射を開始させる。その後、主制御系２４が、ウエハステージ２５を駆動して照度センサ６３でその露光領域を横切らせて、ウエハステージ２５の座標に対応させて照度センサ６３の検出信号を取り込むことによって、濃度フィルタ５５の位置及び回転角をモニタする。この際に、例えば濃度フィルタ５５及びレチクルＲの双方に対応するようにアライメントマークを設けておき、これらのアライメントマークの像の位置も検出することによって、濃度フィルタ５５のレチクルＲ上での投影像と、レチクルＲとの位置関係（Ｘ方向の位置関係、Ｙ方向の位置関係、及びＺ軸回りの相対回転の少なくとも１つ）を高精度に検出することができる。主制御系２４は、このように検出される位置関係が所定の関係になるように、駆動系２９を介して位置決め装置５の動作を制御する。これによって、濃度フィルタ５５の位置決めが行われる。
【００３９】
また、そのレチクルＲとして、レチクルステージ２１上にアライメントマークのみが形成されたガラス基板を設置して、ウエハステージ２５のＸ方向、Ｙ方向の座標に対応させて照度センサ６３の検出信号を検出することによって、濃度フィルタ５５の照明光学系１０及び投影光学系ＰＬを介した投影像の照度分布（強度分布）、ひいては濃度フィルタ５５の透過率分布を計測することもできる。また、濃度フィルタ５５中の所定のパターンによって一種のピンホールカメラの原理によってオプティカル・インテグレータの射出面の像がウエハステージ２５上に投影される場合にも、その射出面の２次元又は１次元の像は照度センサ６３の検出信号によってモニタすることができる。
【００４０】
なお、濃度フィルタ５５を他の透過率分布を有する濃度フィルタと交換できるようにしてもよい。このように濃度フィルタを交換する際には、可動テーブル５３を複数の濃度フィルタを保持できるような大きさに形成しておくか、又は濃度フィルタを保持するホルダ（不図示）を可動テーブル５３に対して着脱できるようにしておけばよい。また、濃度フィルタが保管される収納部と可動テーブル５３との間で濃度フィルタを移送する交換機構を設けてもよい。
【００４１】
次に、濃度フィルタ５５のフィルタの透過率分布につき説明する。
図３（Ａ）は、濃度フィルタ５５のフィルタ部の透過率分布を示す図であり、図３（Ａ）において、図１のＸ方向、Ｙ方向に対応する方向をそれぞれｘ方向、ｙ方向としてある。また、濃度フィルタ５５のフィルタ部に形成されている格子パターンは、座標を示すために仮想的に描いたパターンであり、実際にはそのフィルタ部内の透過率は１（１００％）と０（０％）との間で実質的に連続的に変化している。即ち、そのフィルタ部内には、その一部の拡大図である図４に示すように、極めて微細な多数の角形（円形でもよい）のドットパターン５６が、局所的にはランダムに、且つ平均的には位置に応じて所望の透過率分布が得られるような密度で形成されている。なお、位置に応じて各ドットパターン５６の密度の他にその大きさを変えることも可能である。また、透過率が１であるとは、濃度フィルタ５５用の透過性の基板自体の透過率をいう。また、ドットパターンから発生する回折光及び照明光学系の光学特性（ディストーションなど）をも考慮して、レチクル又は感光基板（ウエハ）上で所望の照明光量分布が得られるようにドットパターンの密度（又は更にその大きさ）を調整してその透過率分布を設定することが望ましい。
【００４２】
そのような濃度フィルタ５５は、透過性の基板上にクロム等の遮光膜を形成し、その上に電子線レジストを塗布し、その上に電子線描画装置によって対応するパターンを描画した後、現像、エッチング及びレジスト剥離等の工程を経ることによって製造することができる。この製造工程で一部の領域に欠陥又は連続するエッジ等が形成された場合でも、そのフィルタ面はレチクルＲとの共役面からデフォーカスしているため、その欠陥等がウエハ上に転写されることはない。そこで、その濃度フィルタ５５のデフォーカス量は、濃度フィルタ５５の製造時の電子線描画装置の描画精度、各ドットパターンの大きさ、及びウエハ上での露光量（ドーズ）の誤差に対する許容度等をも考慮して設定される。
【００４３】
図３（Ａ）の濃度フィルタ５５の矩形のフィルタ部において、つなぎ露光する際に重ね合わせて露光するｘ方向の両端の継ぎ部（重ね合わせ部）５５ａ，５５ｂの幅をａ、ｙ方向の両端の継ぎ部（重ね合わせ部）５５ｃ，５５ｄの幅をｂとして、継ぎ部５５ａ〜５５ｄで囲まれた内部の領域のｘ方向の幅をａ０ 、ｙ方向の幅をｂ０ とする。また、その矩形のフィルタ部の左下の頂点を位置ｘ及び位置ｙの原点とすると、そのフィルタ部のｘ方向及びｙ方向の範囲は次のようになる。
【００４４】
０≦ｘ≦２ａ＋ａ０ ，０≦ｙ≦２ｂ＋ｂ０
通常は、幅ａと幅ｂとは等しく設定される。そして、フィルタ部内の座標（ｘ，ｙ）の点Ｐでの透過率をＴ（ｘ，ｙ） とすると、透過率Ｔ（ｘ，ｙ） は次のように領域（Ａｉ）（ｉ＝１〜９）別にＴＡｉ に設定されている。なお、透過率ＴＡｉ に比例してウエハ上での露光量Ｑｉ が決定されるため、透過率ＴＡｉ を露光量Ｑｉ （又は透過する露光光ＩＬの強度）で置き換えることも可能である。この場合には、１００％とは最大露光量（又は最大強度）を意味することになる。
【００４５】
領域（Ａ１）：０≦ｘ＜ａ，０≦ｙ＜ｂ
ＴＡ１ ＝１００（ｘ／ａ）・（ｙ／ｂ）［％］ （１）
領域（Ａ２）：ａ≦ｘ≦ａ＋ａ０ ，０≦ｙ＜ｂ
ＴＡ２ ＝１００（ｙ／ｂ）［％］ （２）
領域（Ａ３）：ａ＋ａ０ ＜ｘ≦２ａ＋ａ０ ，０≦ｙ＜ｂ
ＴＡ３ ＝１００［１−｛ｘ−（ａ＋ａ０ ）｝／ａ］・（ｙ／ｂ）［％］（３）
領域（Ａ４）：０≦ｘ＜ａ，ｂ≦ｙ≦ｂ＋ｂ０
ＴＡ４ ＝１００（ｘ／ａ）［％］ （４）
領域（Ａ５）：ａ≦ｘ≦ａ＋ａ０ ，ｂ≦ｙ≦ｂ＋ｂ０
ＴＡ５ ＝１００［％］ （５）
領域（Ａ６）：ａ＋ａ０ ＜ｘ≦２ａ＋ａ０ ，ｂ≦ｙ≦ｂ＋ｂ０
ＴＡ６ ＝１００［１−｛ｘ−（ａ＋ａ０ ）｝／ａ］［％］ （６）
領域（Ａ７）：０≦ｘ＜ａ，ｂ＋ｂ０ ＜ｙ≦２ｂ＋ｂ０
ＴＡ７ ＝１００（ｘ／ａ）・［１−｛ｙ−（ｂ＋ｂ０ ）｝／ｂ］［％］（７）
領域（Ａ８）：ａ≦ｘ≦ａ＋ａ０ ，ｂ＋ｂ０ ＜ｙ≦２ｂ＋ｂ０
ＴＡ８ ＝１００［１−｛ｙ−（ｂ＋ｂ０ ）｝／ｂ］［％］ （８）
領域（Ａ９）：ａ＋ａ０＜ｘ≦２ａ＋ａ０，ｂ＋ｂ０＜ｙ≦２ｂ＋ｂ０
ＴＡ９ ＝１００［１−｛ｘ−（ａ＋ａ０ ）｝／ａ］・［１−｛ｙ−（ｂ＋ｂ０ ）｝／ｂ］［％］ （９）
そのフィルタ部の外部の領域では、以下のように透過率は０である。
【００４６】
Ｔ（ｘ，ｙ） ＝０［％］ （１０）
この場合、領域（Ａ１）〜（Ａ４）及び領域（Ａ６）〜（Ａ９）が減光フィルタの減衰部に対応している。そして、フィルタ領域の左下の矩形の角部である領域（Ａ１）の透過率ＴＡ１ は、ｘ方向に外側に一次元的に低下する分布（ｘ／ａ）と、ｙ方向に外側に一次元的に低下する分布（ｙ／ａ）とを掛け合わせた分布である。また、フィルタ領域の右下、左上、及び右上の矩形の角部の領域の透過率ＴＡ３ ，ＴＡ７ 及びＴＡ９ も、それぞれｘ方向に外側に一次元的に低下する分布と、ｙ方向に外側に一次元的に低下する分布とを掛け合わせた分布である。また、図３（Ａ）のＢＢ線に沿う領域での透過率Ｔは、図３（Ｂ）に示すように位置ｘが０からａに変化するのに応じて、位置ｘに関して線形に０から１（１００％）まで変化しており、同様に図３（Ａ）のＣＣ線に沿う領域での透過率Ｔは、図３（Ｃ）に示すように位置ｙが０からｂに変化するのに応じて、位置ｙに関して線形に０から１（１００％）まで変化している。
【００４７】
このような濃度フィルタ５５では、その中に孤立的な点状パターン、又は孤立的なラインパターンが存在する場合がある。
即ち、図４は、濃度フィルタ５５中の継ぎ部５５ｂの多数のドットパターンの分布の一例を示し、この図４において、例えばドットパターン６２は、光透過部中の点状パターンとみなし得る。また、例えば所定個数以上のドットパターンがＸ方向又はＹ方向に連なったパターンなどは、光透過部中のラインパターンとみなし得る。このように孤立的な点状パターン又はラインパターンが存在すると、オプティカル・インテグレータの射出面の像が僅かに感光基板Ｇ上に転写される恐れがある。
【００４８】
即ち、図８において、フィルタ面Ｐ５上に点状パターン又はラインパターンが存在すると、上記のように一種のピンホールカメラの原理によって、オプティカル・インテグレータの射出面の像がフィルタ面Ｐ５と共役な面Ｐ６及びＰ７上に形成される。この場合、面Ｐ７は露光面Ｐ３からデフォーカスしているため、露光面Ｐ３には、その射出面のデフォーカスした淡い像が投影されることになる。但し、本例ではオプティカル・インテグレータとして、多数の微細なレンズエレメントがほぼ密着して配置されたマイクロフライアイ・インテグレータ２Ａが使用されているため、その射出面の露光面Ｐ３に投影される像は、ピッチの極めて小さいデフォーカスした２次元の格子状パターンとなっており、ほぼ露光量むらは発生しない。
【００４９】
なお、より露光量むらを小さくするため、本例ではレチクルＲのパターンを感光基板Ｇ（又はウエハＷ）上に露光しているときに、振動ミラー６を回転軸６ａの周りに所定の角度範囲で往復回転（振動）させている。マイクロフライアイ・インテグレータ２Ａの射出面における光源像の所定方向（例えばＸ方向に対応する方向）のピッチをＰＭとすると、その振動ミラー６の振動の角度範囲は、その光源像がそのピッチＰＭの１／２倍以上変位する程度で、望ましくは１／２倍から数倍変位する程度でよい。これによって、感光基板Ｇ上での露光量むらは更に低減される。また、マイクロフライアイ・インテグレータ２Ａの使用によって露光量むらが十分に小さくなっている場合には、振動ミラー６による露光光ＩＬの振動は必ずしも行う必要はない。
【００５０】
なお、本例の露光光ＩＬはレーザ光であるため、その露光光ＩＬによって発生する干渉パターン（スペックルパターン）を低減するために、振動ミラー６によって露光光ＩＬを振る場合がある。この場合には、その干渉パターン低減用の振動ミラー６によって、オプティカル・インテグレータの射出面の像の転写を防止するための振動ミラーを兼用することもできる。
【００５１】
次に、本例の濃度フィルタ５５を用いてつなぎ露光を行う場合の露光シーケンスの一例につき、図５及び図７を参照して説明する。
図５は、本例の画面継ぎを行う露光によって図１の感光基板Ｇ上に露光される大きい投影像を示し、この図５において、互いに異なるマスターレチクル（ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ，ＲＤとする）のパターンの縮小像がそれぞれ隣接する矩形のショット領域３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄに露光される。この際に、ショット領域３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０ＤのＸ方向の境界部の継ぎ部３０ＡＢ，３０ＣＤ、及びＹ方向の境界部の継ぎ部３０ＡＣ，３０ＢＤが二重に重ね合わせて露光される。更に、４個のショット領域３０Ａ〜３０Ｄが隣接する矩形の継ぎ部３１では、それら４個のショット領域３０Ａ〜３０Ｄの矩形の角部が４重に重ね合わせて露光される。この際に、仮に図３（Ａ）の濃度フィルタ５５と図１のレチクルステージ２１上のレチクルとの回転誤差が位置決め装置５によっては取りきれないときには、その回転誤差を相殺するようにレチクルステージ２１を回転し、かつウエハステージ２５の座標系をその回転誤差分だけ補正し、補正後の座標系に基づいて感光基板Ｇを斜めにステップ移動させるようにすればよい。これによって、継ぎ部の露光量の誤差（ドーズ誤差）を低減できる。
【００５２】
また、本例ではマスターレチクルのパターンを２行×２列で感光基板Ｇ上に露光するため、図５の枠状の周辺部１１は、パターンのない領域、即ち露光されない領域であるとする。また、例えばマスターレチクルのパターンを３行×３列以上で露光する場合には、最外周の枠状の周辺部が露光されない領域となる。
先ず、図１の主制御系２４の制御のもとで、ウエハステージ２５上にワーキングレチクル用の感光基板Ｇをロードし、レチクルステージ２１上に第１のマスターレチクルＲＡ（図７（Ａ）参照）をロードして、投影光学系ＰＬの露光領域内にウエハステージ２５上の基準マーク部材（不図示）を移動する。そして、不図示のレチクルアライメント顕微鏡を用いてそのマスターレチクルＲＡ上の所定のアライメントマークと、対応する基準マークとの位置ずれ量を検出することによって、マスターレチクルＲＡのアライメントを行う。続いて、不図示のアライメントセンサによって対応する基準マーク及び感光基板Ｇ上の所定のアライメントマークの位置を順次検出し、この検出結果に基づいて図５の感光基板Ｇ上の第１のショット領域３０Ａに相当する領域を投影光学系ＰＬの露光領域に位置決めする。
【００５３】
次に図１のレチクルブラインド４及び濃度フィルタ５５の位置決めを行う。
図７（Ａ）は、図１のリレーレンズ３側からレチクルブラインド４、濃度フィルタ５５、及びマスターレチクルＲＡの共役像を見た図を示し、説明の便宜上、その共役像をマスターレチクルＲＡ、照明光学系１０の光軸を光軸ＡＸとして、感光基板Ｇ上のＸ方向、Ｙ方向に対応する方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向としている。更に、説明の便宜上、レチクル面から感光基板Ｇ上への投影像も正立像としている。この場合、レチクルブラインド４はマスターレチクルＲＡ上の転写すべき領域を正確に囲み、濃度フィルタ５５の＋Ｘ方向、−Ｙ方向の継ぎ部５５ｂ，５５ｃがマスターレチクルＲＡの継ぎ部を正確に覆う位置に位置決めされる。この状態で、マスターレチクルＲＡのパターン像を感光基板Ｇ上の第１のショット領域３０Ａに適正露光量Ｅ０ で露光する。この際に、図１の振動ミラー６を振動させる。なお、図１の照度センサ６３を用いて計測によって露光量むらが十分に小さくなっているときには、振動ミラー６の振動は省略することができる（以下同様）。
【００５４】
次に、図１のレチクルステージ２１上のレチクルを第２のマスターレチクルＲＢに交換する。そして、マスターレチクルＲＢのアライメントを行った後、感光基板Ｇ上の第２のショット領域３０Ｂを投影光学系ＰＬの露光領域に移動する。そして、図７（Ｂ）に示すように、レチクルブラインド４はマスターレチクルＲＢ上の転写すべき領域を正確に囲み、濃度フィルタ５５の−Ｘ方向、−Ｙ方向の継ぎ部５５ａ，５５ｃがマスターレチクルＲＢの継ぎ部を正確に覆うように位置決めされる。その後、マスターレチクルＲＢのパターン像を感光基板Ｇ上の第２のショット領域３０Ｂに露光する。
【００５５】
続いて、図１のレチクルステージ２１上のレチクルを第３のマスターレチクルＲＣに交換し、感光基板Ｇ上の第３のショット領域３０Ｃを投影光学系ＰＬの露光領域に移動する。そして、図７（Ｃ）に示すように、レチクルブラインド４がマスターレチクルＲＣ上の転写すべき領域を正確に囲んだ状態で、且つ濃度フィルタ５５の＋Ｘ方向、＋Ｙ方向の継ぎ部５５ｂ，５５ｄがマスターレチクルＲＣの継ぎ部を正確に覆う状態で、マスターレチクルＲＣのパターン像を感光基板Ｇ上の第３のショット領域３０Ｃに露光する。
【００５６】
次に、図１のレチクルステージ２１上のレチクルを第４のマスターレチクルＲＤに交換し、感光基板Ｇ上の第４のショット領域３０Ｄを投影光学系ＰＬの露光領域に移動する。そして、図７（Ｄ）に示すように、レチクルブラインド４がマスターレチクルＲＤ上の転写すべき領域を正確に囲んだ状態で、且つ濃度フィルタ５５の−Ｘ方向、＋Ｙ方向の継ぎ部５５ａ，５５ｄがマスターレチクルＲＤの継ぎ部を正確に覆う状態で、マスターレチクルＲＤのパターン像を感光基板Ｇ上の第４のショット領域３０Ｄに露光する。これで全てのマスターレチクルの露光が終了したため、ウエハステージ２５から感光基板Ｇがアンロードされ、続いてその感光基板Ｇの現像、エッチング、レジスト剥離等を行うことによって、感光基板Ｇからワーキングレチクルが得られる。
【００５７】
この場合、図７（Ｅ）に示すように、感光基板Ｇ上の継ぎ部３２での露光量ＥのＸ方向への分布は、図７（Ｅ）の折れ線３３Ａの露光量と折れ線３３Ｂの露光量との合成となる。この際に、折れ線３３Ａの傾斜部と折れ線３３Ｂの傾斜部との和は一定であるため、継ぎ部３２での露光量は、直線３３Ｃで示すように、その他の部分と同じく適正露光量Ｅ０ になる。
【００５８】
これに対して、本例のような対策を施さない場合には、その継ぎ部３２の近傍の露光量Ｅに曲線３３Ｄで示すようにオプティカル・インテグレータの射出面の像に起因する露光量むらが残存する恐れがある。
なお、ウエハステージ２５上にウエハＷがロードされている場合にも、同様にして複数枚のレチクルのパターンの縮小像を画面継ぎを行いながら転写することによって、ウエハＷ上に大面積のデバイスパターンを転写することができる。この際に、ウエハＷ上の複数の領域にその大面積のデバイスパターンを転写してもよい。また、１つの大面積のパターンを構成する複数のショット領域を全体として１つの大きいショット領域とみなし、個々のショット領域をその大きいショット領域内の部分領域とみなすことも可能である。また、複数枚のレチクルを使用する代わりに、レチクルＲとして大型のレチクルを使用し、このレチクルのパターン面からレチクルブラインド４によって順次選択された複数のパターンを画面継ぎを行いながら感光基板Ｇ（又はウエハＷ）上の各領域に転写するようにしてもよい。
【００５９】
また、図５では、ショット領域３０Ａ〜３０Ｄは同じ大きさであるが、これらの大きさは異なっていてもよい。
図６は、隣接するショット領域の大きさが異なる場合を示し、この図６において、４個のマスターレチクルのパターンの投影像をつなぎ合わせて感光基板Ｇが露光されると共に、最外周の領域１１の内側の枠状の領域９Ａ〜９Ｄが遮光帯とされている。この場合、各マスターレチクルのパターンを露光する際に、図１のレチクルブラインド４の遮光板４１，４２のエッジ４１Ａ，４１Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ（図２参照）の像がその遮光帯９Ａ〜９Ｄの範囲内に収まるように、主制御系２４が不図示の駆動部を介してレチクルブラインド４を駆動する。これによって、感光基板Ｇ上の４個のショット領域の大きさが異なる場合にも、感光基板Ｇ上の不要な部分への露光を防止することができる。
【００６０】
また、図１において、レチクルＲのパターン面と共役な面Ｐ１の近傍には濃度フィルタ５５のフィルタ面が存在するため、レチクルブラインド４は濃度フィルタ５５と機械的に干渉しないように、面Ｐ１から照明光学系の光軸方向に僅かにずれた位置に退避している。しかしながら、このようにレチクルブラインド４がパターン面と共役な面Ｐ１から外れるのを防止するために、更に面Ｐ１を別の共役面にリレーするリレー光学系を配置し、その共役面にレチクルブラインド４を配置するようにしてもよい。
【００６１】
これらの場合、図１のレチクルＲに設ける遮光帯の幅は、レチクルブラインド４をデフォーカスさせたときには、このデフォーカスによるレチクルブラインド４の遮光板のエッジのぼけ量と、その遮光板の制御誤差と、その遮光板の機械的な精度と、レチクルブラインド４からレチクルＲまでの光学系の収差と、その光学系のディストーション量とを総合的に考慮して設定する必要がある。
【００６２】
それ以外に、レチクルブラインド４を例えばレチクルＲのパターン面（下面）の底面に近接して配置するようにしてもよい。逆に、濃度フィルタ５５をレチクルＲのパターン面の底面に配置して、そのパターン面と共役な面Ｐ１上にレチクルブラインド４を配置するようにしてもよい。また、投影光学系ＰＬがレチクルパターンの中間像をウエハ上に再結像する場合は、投影光学系ＰＬ内でその中間像が形成される所定面からレチクルブラインド４又は濃度フィルタ５５をずらして配置してもよく、要は感光基板Ｇ（又はウエハＷ）上で外側に向けて次第に減少する光量分布が得られればよい。
【００６３】
また、濃度フィルタ５５のフィルタ面を上記のように面Ｐ１に対して適正量だけデフォーカスさせて配置した場合でも、その周囲環境のクリーン度が低い場合には、そのフィルタ面に許容範囲を超える大きさの塵等の異物が付着して、その異物がレチクルＲを通して感光基板Ｇ上に転写される恐れがある。これを防止するためには、そのフィルタ面を保護するように例えばセルロース等の光学的に影響を与えない薄膜（防塵膜としてのぺリクル）、又は透過性のガラス基板を張設することが望ましい。
【００６４】
また、濃度フィルタ５５の減衰部の透過率分布は、図３の分布には限定されず、例えば国際公開（ＷＯ）第００／０５９０１２号パンフレットに開示されているように、外側に向けて次第に減少する分布で、且つ画面継ぎ露光後の露光量が均一になる分布であれば、任意の分布を使用することができる。
次に、本発明の第２の実施形態につき図９を参照して説明する。本例はオプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ又はホモジナイザ）として、通常のフライアイ・インテグレータを用いるものであり、図９において、図１及び図８に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【００６５】
図９は、本例の投影露光装置の照明光学系１０及び投影光学系ＰＬを含む光学系を簡略化して示し、この図９において、オプティカル・インテグレータとして、通常の幅数ｍｍ程度の断面形状のレンズエレメントを束ねて形成されるフライアイ・インテグレータ２Ｂが配置されている。また、フライアイ・インテグレータ２Ｂの入射面の近傍に拡散板６４が配置されている。拡散板６４は、露光光ＩＬを透過するガラス基板の表面を粗くしたものであり、フライアイ・インテグレータ２Ｂを構成する各レンズエレメントの幅をｄとすると、拡散板６４の粗さは幅ｄの範囲内の光を十分に拡散する程度に細かく設定されている。これによって、露光光源１から射出されて振動ミラー６及び拡散板６４を介してフライアイ・インテグレータ２Ｂの各レンズエレメントに入射する露光光ＩＬは、それぞれ十分に進行方向が拡散されている。
【００６６】
これ以外の構成は第１の実施形態と同様であり、フライアイ・インテグレータ２Ｂから射出された露光光ＩＬは、リレーレンズ３、レチクルブラインド４、濃度フィルタ５５、コンデンサレンズ系８を介してレチクルＲを照明し、レチクルＲのパターン像は投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｇ上に投影される。そして、本例においても、図７に示した方法で画面継ぎ方式で複数のレチクルのパターンの像を感光基板Ｇ（又はウエハ）上に露光することができる。
【００６７】
本例によれば、図９において、フライアイ・インテグレータ２Ｂの入射面に拡散板６４が配置されているため、フライアイ・インテグレータ２Ｂの射出面に形成される多数の光源像はそれぞれ各レンズエレメントの断面形状程度まで拡がっている。従って、濃度フィルタ５５中のパターンによって一種のピンホールカメラの原理によってフライアイ・インテグレータ２Ｂの射出面のデフォーカスした像が感光基板Ｇ上に投影されたとしても、その像はほぼ均一な明るさの像であり露光量むらは殆ど発生しない。
【００６８】
また、より露光量むらを小さくするためには、本例でもレチクルＲのパターンを感光基板Ｇ（又はウエハＷ）上に露光しているときに、振動ミラー６を回転軸６ａの周りに所定の角度範囲で往復回転（振動）させることが望ましい。この場合、フライアイ・インテグレータ２Ｂを構成するレンズエレメントの幅ｄに対して、その振動ミラー６の振動の角度範囲は、その露光光ＩＬがその幅ｄの１／２倍以上変位する程度で、望ましくは１／２倍から数倍変位する程度でよい。本例においても、露光光ＩＬによって発生する干渉パターン（スペックルパターン）を低減するために、振動ミラー６によって露光光ＩＬを振る場合には、その干渉パターン低減用の振動ミラー６によって、オプティカル・インテグレータの射出面の像による露光量むらを更に低減するための振動ミラーを兼用することができる。
【００６９】
なお、上記各実施形態では感光基板上でつなぎ露光（スティッチング露光）が行われる複数のショット領域にそれぞれ異なるパターンを転写するものとしたが、その複数のショット領域の少なくとも２つに同一のパターンを転写してもよい。また、上記各実施形態では照度センサ６３を用いて露光領域内の照度分布を計測するものとしたが、例えばラインセンサなどを用いて照度分布の計測を行ってもよい。
【００７０】
なお、上記の実施の形態は、つなぎ露光方式でワーキングレチクルを製造する場合に本発明を適用したものであるが、本発明はつなぎ露光方式で撮像デバイス（ＣＣＤ等）を含む半導体デバイス、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の表示素子、薄膜磁気ヘッド、又はＤＮＡチップ等を製造する場合にも適用することができる。なお、電子線露光装置やＥＵＶ露光装置ではワーキングレチクルのマスク基板としてシリコンウエハなどが用いられる。特にＥＵＶ露光装置では反射型のワーキングレチクルが使用される。
【００７１】
なお、上記の実施の形態の投影露光装置において、露光光としてＡｒＦエキシマレーザ光等の真空紫外域の短波長の紫外光を使用する場合には、露光光の光路上には窒素ガス（Ｎ２ ）やヘリウムガス（Ｈｅ）等の透過率の高い気体がパージされる。
また、濃度フィルタ５５の位置合わせ用マークを検出する装置は照度センサ６３に限られるものではなく、例えば照度センサ６３とは別にウエハステージ２５に少なくとも受光部を有する光学系を設置して用いてもよいし、あるいは照明光学系内に専用の光学系を組み込んでもよい。また、その位置合わせ用マークの検出光として前述の露光光ＩＬを用いてもよいし、露光光源１とは別の光源を用意して露光光ＩＬと波長が実質的に同一の光を用いるようにしてもよい。
【００７２】
また、上記の実施の形態は本発明を一括露光型の投影露光装置に適用したものであるが、本発明はプロキシミティ方式の露光装置でつなぎ露光を行う場合にも同様に適用することができる。更に本発明は、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光装置でつなぎ露光を行う場合にも適用することができる。そして、本発明は、例えば波長５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の軟Ｘ線やＸ線等の極端紫外光（ＥＵＶ光）を露光ビームとするＥＵＶ露光装置でつなぎ露光を行う場合にも適用することができる。ＥＵＶ光を用いる場合には、透過性の材料が殆ど無いため、濃度フィルタ（減光フィルタ）としては反射型の基板上に所定の反射率分布で反射膜（例えばモリブデンとシリコンとの多層膜、又はモリブデンとベリリウムとの多層膜）を形成した反射型のフィルタを使用してもよい。
【００７３】
さらに、例えば国際公開（ＷＯ）９９／４９５０４号パンフレットなどに開示される、投影光学系ＰＬとウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置でつなぎ露光を行う場合にも本発明を適用することができる。また、例えば国際公開（ＷＯ）９８／２４１１５号、９８／４０７９１号パンフレットに開示されるように、露光動作とアライメント動作（マーク検出動作）とをほぼ平行して行うために、２つのウエハステージを備える露光装置でつなぎ露光を行う場合にも本発明を適用することができる。
【００７４】
また、露光光源や照度均一化光学系等から構成される照明光学系、及び投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をすると共に、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、上述の実施の形態の濃度フィルタ５５を取り付け、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより上述の実施の形態の投影露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７５】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、所定の透過率分布を持つ減光フィルタを用いて複数のパターンを一部が重なるように露光する場合、露光対象の基板上での露光量むらを低減することができる。
また、本発明のデバイス製造方法によれば、画面継ぎ方式で複数のパターンを露光することによって、大型のデバイス又はマスクを高精度に且つ高スループットで製造することができ、本発明のマスクによれば、大型のマスクを高精度に且つ高スループットで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態で使用される投影露光装置を示す概略構成図である。
【図２】図１中のレチクルブラインド４の構成例を示す拡大図である。
である。
【図３】図１中の濃度フィルタ５５の透過率分布を示す図である。
【図４】濃度フィルタ５５のドットパターンの分布の一部を示す拡大図である。
【図５】図３の濃度フィルタ５５を用いて画面継ぎを行いながら転写を行って得られる投影像を示す図である。
【図６】画面継ぎを行いながら転写を行って得られる別の投影像を示す図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）は画面継ぎを行う場合のレチクルブラインド４、濃度フィルタ５５、及びレチクルの位置関係を示す図、（Ｅ）は画面継ぎを行って得られる継ぎ部の露光量を示す図である。
【図８】図１の投影露光装置の光学系を簡略化して示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の投影露光装置の光学系を簡略化して示す図である。
【符号の説明】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｇ…感光基板、Ｗ…ウエハ、ＲＡ〜ＲＤ…マスターレチクル、１…露光光源、２Ａ…マイクロフライアイ・インテグレータ、２Ｂ…フライアイ・インテグレータ、４…レチクルブラインド、５…位置決め装置、２９…駆動系、３０Ａ〜３０Ｄ…ショット領域、３０ＡＢ〜３０ＡＣ，３１…継ぎ部、５５…濃度フィルタ、５５ａ〜５５ｄ…継ぎ部、６４…拡散板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure technique used in a lithography process for manufacturing various devices such as a mask, a semiconductor device, an imaging device (such as a CCD), a liquid crystal display device, or a thin-film magnetic head. And an exposure technique for exposing a larger pattern by transferring (connecting exposure) while performing screen splicing.
[0002]
[Prior art]
A conventional semiconductor integrated circuit is generally manufactured by repeating a process of transferring a pattern of one reticle as a mask to each shot area on a wafer as a substrate. On the other hand, recently, in order to manufacture a large-sized semiconductor device, an original pattern of one circuit pattern to be transferred is divided into a plurality of reticle patterns, and the plurality of reticle patterns are formed on a wafer. An exposure method in which image transfer is performed while performing screen splicing on one shot area, that is, an exposure method in which joint exposure is performed is also used. The joint exposure is also called “view angle synthesis”.
[0003]
A conventional reticle (working reticle) used in an actual exposure process is generally formed by forming a metal film on a glass substrate, and directly drawing a device pattern on the resist layer thereon by an electron beam lithography apparatus, and then developing the reticle. And by performing a process such as etching. However, when the size of the reticle is increased in response to the increase in the size of the device, writing all the patterns of one reticle by the electron beam lithography apparatus requires a long writing time, which increases the manufacturing cost. Therefore, particularly for a large working reticle, the pattern of a plurality of mask-reticles manufactured using an electron beam lithography apparatus is manufactured by reducing and exposing a single glass substrate while screen joining is performed. Methods have also been used.
[0004]
In the case where one device or one reticle is manufactured by performing the joint exposure of the patterns of a plurality of reticles in this manner, it is necessary to prevent the pattern from being cut at the joint (boundary portion) of the adjacent pattern. There is. Therefore, when performing a bridge exposure using a projection exposure apparatus such as a stepper, a peripheral portion of an image of an adjacent pattern having a predetermined width is superimposed through a neutral density filter whose transmittance gradually decreases outward. An exposure method has been developed (for example, see Patent Document 1).
[0005]
[Patent Document 1]
International Publication (WO) No. 00/059092 Pamphlet (FIGS. 4 and 7)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
When performing exposure while performing screen splicing as described above, conventionally, double exposure has been performed through a neutral density filter at a spliced portion. In addition, the portion where the transmittance gradually decreases toward the outside of the conventional neutral density filter is, for example, a large number of fine dot patterns locally random using an electron beam lithography apparatus on a glass substrate, and as a whole It is formed by drawing in such an arrangement that the transmittance changes with a predetermined tendency. In addition, since the neutral density filter is arranged on a surface defocused to some extent with respect to a conjugate plane with the pattern surface of the reticle, for example, an image of each dot pattern is directly transferred onto a device or a substrate for the reticle. It will not be done.
[0007]
However, among many dot patterns of the neutral density filter, there may be a pattern such as an isolated pattern formed in the light transmitting portion or a pattern such as a line pattern formed in the light transmitting portion. is there. In this case, if a fly-eye integrator is arranged in the illumination system, the pattern such as the isolated pattern or the line pattern acts as an opening of a kind of pinhole camera, and is placed on the wafer (or glass substrate). There is a possibility that an image of a two-dimensional or one-dimensional lattice pattern, which is a defocused image of the exit surface of the fly-eye integrator, may be transferred. When screen splicing is performed using such a neutral density filter, exposure dose unevenness occurs near a joint portion of an adjacent pattern, and there is a possibility that a variation in a line width of a finally formed circuit pattern increases. As a result, the yield of the device or the mask may be reduced.
[0008]
In view of the above, the present invention provides a method of exposing a plurality of patterns to partially overlap each other using a neutral density filter having a predetermined transmittance distribution, for example, when exposing a plurality of patterns while performing screen splicing. In this case, an object of the present invention is to provide an exposure technique capable of reducing unevenness in exposure amount on a substrate to be exposed.
Still another object of the present invention is to provide a manufacturing technique capable of manufacturing a large device or a mask with high accuracy by exposing a plurality of patterns so as to partially overlap each other using such an exposure technique. .
[0009]
Another object of the present invention is to provide a large mask that can be manufactured using such an exposure technique.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
A first exposure apparatus according to the present invention includes an illumination system (10) for illuminating a mask with an exposure beam, and covers a plurality of regions (30A, 30B) on a substrate (G) where peripheral portions (30AB) partially overlap. In an exposure apparatus that exposes each area by changing the intensity of the exposure beam at the periphery thereof to transfer the pattern of the mask, the illumination system uses a micro-beam that forms a plurality of light source images of the exposure beam. A fly-eye integrator (2A), a field stop (4) defining an illumination area on the mask, and a plurality of areas arranged on the exit side of the micro-fly-eye integrator at the periphery of the plurality of areas. In order to gradually change the intensity of the exposure beam in at least one direction, a transmittance component in which the transmittance for the exposure beam changes corresponding to at least one direction. Damping unit with (55a to 55d) are those having a neutral density filter which is formed on a part (55).
[0011]
According to the present invention, since the shape of each lens element of the micro fly's eye integrator is smaller than that of a normal fly's eye integrator, for example, about 1/100, the pin shape is temporarily determined by the pattern of the attenuation portion of the neutral density filter. By the same operation as the hole camera, even if the image of the exit surface of the micro fly's eye integrator is formed near the peripheral portion (joint portion) of a plurality of regions on the substrate, the image of the exit surface is at the pitch. It is a small grid. Therefore, the exposure unevenness in the peripheral portion is reduced.
[0012]
In this case, the illumination system desirably further includes a vibrating member (6) that vibrates the exposure beam so as to change the angle of incidence of the exposure beam on the micro fly's eye integrator during exposure.
The vibrating member displaces the positions of a large number of light source images on the exit surface of the micro fly's eye integrator during the exposure, so that the exposure unevenness is further reduced by the averaging effect.
[0013]
Also, the amount of vibration of the exposure beam by the vibrating member during one exposure is determined by the light-dark pitch of a plurality of light source images formed by the micro fly-eye integrator on the exit surface of the micro fly-eye integrator. It is desirable that the plurality of light source images vibrate at an amplitude of 1/2 or more. As a result, unevenness of the exposure amount is almost eliminated.
[0014]
Next, the second exposure apparatus according to the present invention includes an illumination system for illuminating the mask with an exposure beam, and covers a plurality of areas (30A, 30B) where the peripheral portion (30AB) partially overlaps on the substrate (G). In an exposure apparatus that exposes each area by changing the intensity of the exposure beam at the peripheral portion to transfer the pattern of the mask, the illumination system uses an optical system that forms a plurality of light source images of the exposure beam. An integrator (2B), a field stop (4) defining an illumination area on the mask, and the intensity of the exposure beam at the periphery of the plurality of areas, located on the exit side of the optical integrator. Attenuator having a transmittance distribution in which the transmittance for the exposure beam changes corresponding to at least one direction in order to gradually change A neutral density filter (55) which 55a to 55d) is formed in a part, and has the diffusion member for diffusing the exposure beam (64) incident to the optical integrator.
[0015]
According to the present invention, since the exposure beam is diffused by the diffusion member, the bright portions of the plurality of light source images formed by the optical integrator become large. Therefore, if the pattern of the attenuation portion of the neutral density filter causes the image of the exit surface of the fly-eye integrator to be close to the peripheral portion (joint portion) of the plurality of regions on the substrate by the same operation as the pinhole camera. Even if it is formed, the image on the exit surface has substantially uniform brightness as a whole, so that the unevenness of the exposure amount in the peripheral portion is reduced.
[0016]
In this case, when the optical integrator is a fly-eye integrator formed by bundling a plurality of lens elements, the diffusing member transmits the exposure beam incident on each lens element constituting the fly-eye integrator. It is desirable that each of them has such a roughness as to diffuse. As a result, the bright portion of the light source image formed for each lens element becomes large, so that the unevenness in the exposure amount is greatly reduced.
[0017]
Preferably, the illumination system further includes a vibrating member (6) for vibrating the exposure beam such that a position of the exposure beam with respect to the optical integrator changes during exposure. Oscillation of the exposure beam displaces a plurality of light source images formed by the fly-eye integrator during exposure, so that exposure unevenness is further reduced by the averaging effect.
[0018]
In this case, the optical integrator is a fly-eye integrator formed by bundling a plurality of lens elements, and the amount of vibration of the exposure beam by the vibrating member during one exposure is determined by the fly-eye integrator. It is desirable that the amplitude of the displacement of the exposure beam on the incident surface is about half or more of the width of each lens element. As a result, unevenness of the exposure amount is almost eliminated.
[0019]
Further, an exposure method according to the present invention is an exposure method for exposing a pattern of a mask onto a substrate (G; W) while performing screen splicing using any one of the exposure apparatuses according to the present invention. A first step of exposing a joint portion of the pattern of (RA) onto the substrate through the neutral density filter, and forming a joint portion of the pattern of the second mask (RB) on the substrate through the neutral density filter; Exposing the pattern of the first mask on the image of the joint portion.
[0020]
According to this exposure method, a large pattern can be exposed by screen joining of a plurality of patterns, and unevenness in exposure amount is reduced.
Further, the device manufacturing method of the present invention is a device manufacturing method for manufacturing a mask or a device including a lithography step, wherein a plurality of patterns (RA to RD) are formed by any of the exposure methods or exposure apparatuses of the present invention. This includes a step of exposing while performing screen splicing. At this time, by connecting and exposing a plurality of mask patterns, mass production of masks or devices can be performed with higher accuracy and higher throughput than in a method of directly drawing a mask pattern on the substrate using an electron beam drawing apparatus or the like.
[0021]
Further, the mask of the present invention is manufactured using the device manufacturing method of the present invention. By applying the present invention, a large mask can be manufactured with high accuracy.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this example, the present invention is applied to a case where images of a plurality of mask patterns are transferred onto one substrate while performing screen joining using a projection exposure apparatus.
FIG. 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, a KrF excimer laser light source (wavelength: 248 nm) is used as an exposure light source 1. As an exposure light source, an ArF excimer laser light source (wavelength 193 nm), F2Laser light source (wavelength 157nm), Kr2Laser (wavelength 146 nm), Ar2An ultraviolet pulse laser light source such as a laser light source (wavelength 126 nm), a harmonic generation light source of a YAG laser, a harmonic generation device of a semiconductor laser, a mercury lamp (i-line or the like), or the like can also be used.
[0023]
Exposure light (exposure illumination light) IL as an exposure beam pulsed from the exposure light source 1 at the time of exposure passes through a beam shaping optical system BE1 including a cylindrical lens, and is shaped into a substantially square cross section. The light is reflected by the mirrors M1 and M2, and the cross-sectional shape is enlarged to a predetermined size by the beam expander BE2. The substantially parallel exposure light IL emitted from the beam expander BE2 is reflected by the mirror M3, and then its optical path is bent by the vibrating mirror 6 as a vibrating member. The light enters the fly-eye integrator 2A, and the illuminance distribution is made uniform.
[0024]
The vibration mirror 6 is provided with a drive motor 61 for vibrating the vibration mirror 6 around a rotation axis 6a within a predetermined angle range, and a main control system 24 for controlling the operation of the entire apparatus is provided by the drive motor 61. Control behavior. In addition, a mechanism for oscillating the vibration mirror 6 around a rotation axis 6b orthogonal to the rotation axis 6a may be further provided so that the vibration mirror 6 can oscillate around two axes orthogonal to each other. The micro fly's eye integrator 2A is formed by bundling a large number of minute lenses having a square cross section with a width of about several tens of micrometers or a circular shape having a diameter of about several tens of micrometers.
[0025]
In addition, the numerical aperture of the exposure light IL and thus the coherence factor (σ value) are set on the exit surface (pupil surface of the illumination optical system) of the micro fly's eye integrator 2A, and the light amount distribution of the exposure light is circular and circular. An illumination system aperture stop ([sigma] stop) 7 for determining illumination conditions by setting a strip shape, a plurality of eccentric regions, and the like is arranged. The exposure light IL that has passed through the illumination system aperture stop 7 enters the reticle blind 4 as a variable field stop via the relay lens 3. As shown in FIG. 2 as an example, the reticle blind 4 has a variable opening (shaded with four hatched lines) surrounded by four edges 41A, 41B, 42A, 42B of two movable L-shaped light shielding plates 41, 42. The illuminated area (exposure angle of view) on the reticle R to be transferred is determined by the determined area S. The light shielding plates 41 and 42 are respectively driven by a drive mechanism (not shown) in the X and Y directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical system. The main control system 24 of FIG. 1 controls the position and size of the opening of the reticle blind 4 via the drive mechanism.
[0026]
In FIG. 1, the exposure light IL that has passed through the reticle blind 4 passes through a density filter 55, and has an intensity distribution (illuminance distribution) suitable for exposing while performing screen splicing (joint exposure) as described later. Given. That is, the density filter 55 as a neutral density filter has a transmittance distribution for making the integrated exposure amount of the joint portion at the time of the joint exposure equal to the integrated exposure amount of the other portions (details will be described later). The exposure light that has passed through the density filter 55 passes through a relay lens 8A, a mirror M4 for bending the optical path, and a condenser lens 8B, and illuminates the pattern surface (lower surface) of the reticle R as a mask on which an original pattern for transfer is formed. . Assuming that a plane conjugate to the pattern surface (reticle surface) of reticle R with respect to relay lens 8A and condenser lens 8B is plane P1 (see FIG. 8), reticle blind 4 is disposed on plane P1 or on a plane close to plane P1. The filter forming surface of the density filter 55 is set at a position slightly defocused on the reticle R side (or the exposure light source 1 side) by ΔF from the surface P1. Due to the action of the density filter 55, the exposure light IL has an intensity distribution (illuminance distribution) that becomes gradually smaller toward the outside at the periphery of the pattern region of the reticle R.
[0027]
Exposure light source 1, beam shaping optical system BE1, beam expander BE2, mirrors M1 to M3, micro fly's eye integrator 2A, illumination system aperture stop 7, relay lens 3, reticle blind 4, density filter 55, relay lens 8A, mirror The illumination optical system 10 includes the M4 and the condenser lens 8B. Under the exposure light IL, the pattern in the illumination area of the reticle R is projected onto the photosensitive substrate G at a projection magnification β (β is 1/4, 1/5, etc.) via a double-sided telecentric projection optical system PL. Projected onto one shot area. The photosensitive substrate G as a substrate is formed by applying a metal film such as chromium to a square glass substrate for a working reticle and then applying a photoresist. Further, a plurality of alignment marks (not shown) are formed around the photosensitive substrate G. In addition, as the substrate to be exposed, for example, a wafer W which is a disk-shaped substrate such as a semiconductor (silicon or the like) or an SOI (silicon on insulator) having a diameter of about 200 to 300 mm can be used. Hereinafter, a description will be given by taking the Z axis parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, and the X axis and the Y axis in directions orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z axis on the photosensitive substrate G. Note that the X direction and the Y direction in FIG. 2 are directions corresponding to the X direction and the Y direction in FIG. 1, respectively.
[0028]
In FIG. 1, a density filter 55 is driven by drive motors 52x and 52y on a base (not shown) via a movable table 53 and a movable table 52, in an X direction and a Y direction in a plane perpendicular to the optical axis of the illumination optical system 10. It is movable in a direction corresponding to the direction and rotatably supported around its optical axis. Sensors for detecting the position and rotation angle of the density filter 55 are incorporated in the movable tables 52 and 53, and the detection results of the sensors are supplied to the drive system 29. Then, the main control system 24 drives the movable tables 52 and 53 via the drive system 29 so that the position and the rotation angle of the density filter 55 can be controlled. The movable table 52, 53 and the like constitute a positioning device 5 for the density filter 55. Normally, the rotation angle of the density filter 55 is fixed in accordance with the rectangular illumination area (projected image of the variable aperture S in FIG. 2) defined by the reticle blind 4, and the density filter 55 is adjusted according to the position of the screen joint. Of the reticle blind 4 is controlled. Further, in this example, the density filter 55 is arranged perpendicular to the optical axis of the illumination optical system 10, but as disclosed in, for example, International Publication (WO) 00/059012 pamphlet, the density filter 55 is used. A mechanism for controlling the inclination angle of the illumination optical system 10 with respect to a plane perpendicular to the optical axis and the position along the optical axis may be provided.
[0029]
The reticle R is held on the reticle stage 21, and the reticle stage 21 finely moves on the reticle base 22 in the X direction, the Y direction, and the rotation direction to position the reticle R. The position (including the rotation amount) of the reticle stage 21 is measured by moving mirrors 20Xm and 20Ym provided thereon and laser interferometers 20X and 20Y disposed outside. The reticle stage drive system 23 controls the position of the reticle stage 21 based on the control information. A reticle alignment microscope (not shown) for detecting an alignment mark on the reticle R and a reticle alignment reference mark is disposed above a peripheral portion of the reticle R, and a main control is performed based on the detection result. The system 24 performs alignment of the reticle R.
[0030]
In addition, a reticle loader (not shown) for exchanging reticles on the reticle stage 21 and a reticle library storing a plurality of reticles used for screen splicing are installed near the reticle stage 21. Thus, reticle R on reticle stage 21 is exchanged with another reticle at high speed.
On the other hand, the photosensitive substrate G (or wafer W) is held on a wafer stage 25 via a wafer holder (not shown), and the wafer stage 25 moves stepwise on the wafer base 26 in the X and Y directions. The position (including the rotation amount) of the wafer stage 25 in the XY plane is measured by the laser interferometers 27X and 27Y, and based on the measured values and the control information from the main control system 24, the wafer stage drive system 28 The operation of the stage 25 is controlled. Further, the wafer stage 25 adjusts the surface of the photosensitive substrate G to the image plane of the projection optical system PL by an autofocus method. In the vicinity of the photosensitive substrate G on the wafer stage 25, an illuminance sensor 63 for condensing light passing through the pinhole and performing photoelectric conversion is fixed, and a detection signal of the illuminance sensor 63 which also functions as a mark detection system is mainly controlled. System 24. From the detection signal of the illuminance sensor 63, the intensity distribution of the exposure light IL, which has passed through the density filter 55, on the wafer stage 25 can be measured.
[0031]
Further, in the vicinity of the photosensitive substrate G on the wafer stage 25, for example, a reference mark member (not shown) on which two two-dimensional reference marks for reticle alignment and one two-dimensional reference mark for wafer alignment are formed. (Shown). Above the wafer stage 25, an alignment sensor (not shown) for detecting the positions of the reference mark for wafer alignment and the alignment mark on the photosensitive substrate G is arranged. The control system 24 performs alignment of the photosensitive substrate G.
[0032]
In the projection exposure apparatus of the present embodiment, when exposing each shot area on the photosensitive substrate G, a reduced image of a pattern of a plurality of reticles is exposed while performing screen joining (joint exposure). At this time, at the boundary between the reduced images of the two adjacent patterns, a joint portion (connecting portion) having a predetermined width is overlapped and exposed, and in the region where the reduced images of the four patterns are adjacent to each other, the four images are used. The exposure is performed by overlapping the corners as joints at the corners of the reduced image. This prevents the circuit pattern finally formed at the joint from being cut.
[0033]
However, when a plurality of reduced images are simply superimposed and exposed, the integrated exposure amount becomes larger than that of other portions. Therefore, in this example, when exposing a reduced image of the pattern of each reticle using the density filter 55, The illuminance (and, consequently, the exposure amount) of the peripheral portion is set to gradually decrease toward the outside. Note that, at the time of such a joint exposure, depending on the reticle pattern, depending on the reticle pattern (for example, the first portion in one shot area exposed by the exposure light IL at the time of transfer of the first pattern, and the transfer of the second pattern) Sometimes a circuit pattern for the device does not always exist in the one shot area that is exposed to the exposure light IL, and the connection part does not exist even if the circuit pattern exists. possible. Even in this case, the density filter 55 is effective for adjusting the integrated exposure amount to other areas. Hereinafter, the configuration and usage of the density filter 55 will be described.
[0034]
First, in FIG. 1, in this example, the illuminance distribution on the reticle surface is set by the transmittance distribution on the filter surface of the density filter 55. Therefore, theoretically, the filter surface is on a surface conjugate with the reticle surface. desirable. However, if a defect or foreign matter such as dust is present on the filter surface in the arrangement, the defect or foreign matter may be transferred onto the photosensitive substrate G together with the pattern of the reticle R. Therefore, the filter surface of the density filter 55 is arranged at a position slightly defocused on the reticle side (or on the exposure light source side) from the conjugate plane.
[0035]
FIG. 8 shows a simplified optical system of the projection exposure apparatus of FIG. 1. In FIG. 8, the optical system from the beam shaping optical system BE1 to the mirror M3 of FIG. 1 is represented by one beam shaping optical system BE. The optical system from the relay lens 8A to the condenser lens 8B in FIG. 1 is represented by one condenser lens system 8. In FIG. 8, reticle blind 4 is arranged on plane P1 conjugate to reticle plane P2 or on a plane close to reticle plane P2, and filter plane P5 of density filter 55 is defocused on reticle R side by ΔF from plane P1. Is arranged. Further, the exposure surface P3 of the photosensitive substrate G is conjugate with respect to the reticle surface P2, the surface P6 conjugate with respect to the condenser lens system 8 with respect to the filter surface P5, and the conjugate surface with respect to the condenser lens system 8 and the projection optical system PL. P7 is defocused from the reticle plane P2 and the exposure plane P3, respectively.
[0036]
However, in an environment where the amount of foreign matter on the filter surface P5 of the density filter 55 can be reduced, the filter surface P5 may be installed substantially on the surface P1. Even when a large number of fine patterns are locally and randomly drawn on the density filter 55 so as to have a predetermined distribution as in this example, the image of each fine pattern is transferred onto the photosensitive substrate G. It is desirable that the filter plane P5 be slightly defocused from the plane P1 so as not to be performed.
[0037]
In order to improve the line width accuracy and the like of the device after the splicing exposure, it is necessary to control the illuminance distribution (intensity distribution) of the exposure light IL at the joint portion with high accuracy, and the reticle R and the density filter 55. It is necessary to increase the relative positioning accuracy with respect to. For example, in FIG. 5, when the shot area 30A and the shot area 30B adjacent to each other in the X direction on the photosensitive substrate G are overlapped and exposed at the joint 30AB, the width of the joint 30AB in the X direction is maintained at a constant value. There is a need. Therefore, in order to set the relative positional relationship between the reticle R and the density filter 55 to a predetermined state, the positioning device 5 including the movable tables 52 and 53 in FIG. 1 is used. Further, in order to accurately form an illuminance distribution in which the intensity gradually changes in at least a part of the periphery of the illumination area, the defocus amount of the filter surface of the density filter 55 with respect to the plane P1 in FIG. Are set to be almost equal. Furthermore, if the defocus amount of the density filter 55 becomes too large, the intensity distribution on the reticle surface may be shifted from the transmittance distribution of the density filter 55 beyond an allowable range due to the aberration of the illumination optical system 10. Therefore, the defocus amount of the density filter 55 is set so as to fall within a predetermined allowable range.
[0038]
When detecting the positional relationship of the density filter 55 with respect to the reticle R, the illuminance sensor 63 can be used. For this purpose, as an example, in FIG. 1, the main control system 24 drives the wafer stage 25 to move the wafer stage 25 to an exposure area of the projection optical system PL (an illumination area of the illumination light IL conjugate to the illumination area described above with respect to the projection optical system PL). The illuminance sensor 63 is moved to start the irradiation of the exposure light IL. Thereafter, the main control system 24 drives the wafer stage 25 to cause the illuminance sensor 63 to traverse the exposure area, and captures the detection signal of the illuminance sensor 63 in accordance with the coordinates of the wafer stage 25, thereby forming the density filter 55. Monitor the position and the rotation angle of. At this time, for example, alignment marks are provided so as to correspond to both the density filter 55 and the reticle R, and the positions of the images of these alignment marks are also detected, whereby the projected image of the density filter 55 on the reticle R is obtained. , And the positional relationship (at least one of the positional relationship in the X direction, the positional relationship in the Y direction, and the relative rotation around the Z axis) with the reticle R can be detected with high accuracy. The main control system 24 controls the operation of the positioning device 5 via the drive system 29 so that the detected positional relationship becomes a predetermined relationship. Thereby, the positioning of the density filter 55 is performed.
[0039]
In addition, a glass substrate on which only alignment marks are formed is mounted on reticle stage 21 as reticle R, and a detection signal of illuminance sensor 63 is detected in accordance with the coordinates of wafer stage 25 in the X and Y directions. This makes it possible to measure the illuminance distribution (intensity distribution) of the projected image via the illumination optical system 10 and the projection optical system PL of the density filter 55, and furthermore, the transmittance distribution of the density filter 55. Further, even when an image of the exit surface of the optical integrator is projected onto the wafer stage 25 by a predetermined pattern in the density filter 55 based on a kind of pinhole camera principle, a two-dimensional or one-dimensional image of the exit surface is obtained. The image can be monitored by the detection signal of the illuminance sensor 63.
[0040]
Note that the density filter 55 may be replaced with a density filter having another transmittance distribution. When replacing the density filter in this way, the movable table 53 is formed in a size that can hold a plurality of density filters, or a holder (not shown) that holds the density filter is attached to the movable table 53. What is necessary is just to make it attachable and detachable. Further, an exchange mechanism for transferring the density filter between the storage section in which the density filter is stored and the movable table 53 may be provided.
[0041]
Next, the transmittance distribution of the density filter 55 will be described.
FIG. 3A is a diagram showing the transmittance distribution of the filter portion of the density filter 55. In FIG. 3A, directions corresponding to the X direction and the Y direction in FIG. is there. The lattice pattern formed in the filter section of the density filter 55 is a pattern drawn virtually to indicate coordinates, and the transmittance in the filter section is actually 1 (100%) and 0 (0). %). That is, as shown in FIG. 4 which is an enlarged view of a part of the filter portion, a large number of extremely fine square (or circular) dot patterns 56 are locally and randomly averaged in the filter portion. Are formed at such a density that a desired transmittance distribution can be obtained depending on the position. The size of each dot pattern 56 can be changed in addition to the density according to the position. In addition, that the transmittance is 1 means the transmittance of the transparent substrate for the density filter 55 itself. Also, taking into account the diffracted light generated from the dot pattern and the optical characteristics (distortion etc.) of the illumination optical system, the density of the dot pattern (density) is adjusted so that a desired illumination light amount distribution can be obtained on a reticle or a photosensitive substrate (wafer). It is desirable to set the transmittance distribution by adjusting the size.
[0042]
Such a density filter 55 is formed by forming a light-shielding film of chromium or the like on a transparent substrate, applying an electron beam resist thereon, drawing a corresponding pattern thereon by an electron beam drawing apparatus, and then developing. , Etching, and resist stripping. Even if a defect or a continuous edge is formed in a part of the area in this manufacturing process, the defect or the like is transferred onto the wafer because the filter surface is defocused from the conjugate plane with the reticle R. Never. Therefore, the defocus amount of the density filter 55 is determined based on the drawing accuracy of the electron beam lithography apparatus at the time of manufacturing the density filter 55, the size of each dot pattern, the tolerance for the exposure amount (dose) error on the wafer, and the like. Is also taken into account.
[0043]
In the rectangular filter portion of the density filter 55 shown in FIG. 3A, the widths of joints (overlapping portions) 55a and 55b at both ends in the x direction, which are overlapped and exposed at the time of connecting exposure, are a and both ends in the y direction. The width of the x-direction of the inner region surrounded by the joints 55a to 55d is represented by a, where b is the width of the joints (overlapping parts) 55c and 55d.0, The width in the y direction is b0And Further, assuming that the lower left vertex of the rectangular filter unit is the origin of the position x and the position y, the range of the filter unit in the x direction and the y direction is as follows.
[0044]
0 ≦ x ≦ 2a + a0, 0 ≦ y ≦ 2b + b0
Usually, the width a and the width b are set equal. Then, assuming that the transmittance at the point P of the coordinates (x, y) in the filter unit is T (x, y), the transmittance T (x, y) is as follows in the region (Ai) (i = 1 to 9) TA separatelyiIs set to The transmittance TAiExposure Q on wafer in proportion toiIs determined, the transmittance TAiThe exposure amount Qi(Or the intensity of the transmitted exposure light IL). In this case, 100% means the maximum exposure amount (or the maximum intensity).
[0045]
Area (A1): 0 ≦ x <a, 0 ≦ y <b
TA1= 100 (x / a) · (y / b) [%] (1)
Area (A2): a ≦ x ≦ a + a0, 0 ≦ y <b
TA2= 100 (y / b) [%] (2)
Area (A3): a + a0<X ≦ 2a + a0, 0 ≦ y <b
TA3= 100 [1- ｛x- (a + a)0)｝ / A] · (y / b) [%] (3)
Area (A4): 0 ≦ x <a, b ≦ y ≦ b + b0
TA4= 100 (x / a) [%] (4)
Area (A5): a ≦ x ≦ a + a0, B ≦ y ≦ b + b0
TA5= 100 [%] (5)
Area (A6): a + a0<X ≦ 2a + a0, B ≦ y ≦ b + b0
TA6= 100 [1- ｛x- (a + a)0)｝ / A] [%] (6)
Area (A7): 0 ≦ x <a, b + b0<Y ≦ 2b + b0
TA7= 100 (x / a) · [1- ｛y- (b + b)0)｝ / B] [%] (7)
Area (A8): a ≦ x ≦ a + a0, B + b0<Y ≦ 2b + b0
TA8= 100 [1-Δy- (b + b)0)｝ / B] [%] (8)
Area (A9): a + a0<X ≦ 2a + a0, B + b0<Y ≦ 2b + b0
TA9= 100 [1- ｛x- (a + a)0  )｝ / A] · [1- ｛y- (b + b)0  )｝ / B] [%] (9)
In the area outside the filter section, the transmittance is 0 as described below.
[0046]
T (x, y) = 0 [%] (10)
In this case, the areas (A1) to (A4) and the areas (A6) to (A9) correspond to the attenuation portions of the neutral density filter. Then, the transmittance TA of the area (A1) which is the lower left rectangular corner of the filter area1Is a distribution obtained by multiplying a distribution (x / a) that decreases one-dimensionally outward in the x direction and a distribution (y / a) that decreases one-dimensionally outward in the y direction. The transmittance TA of the lower right, upper left, and upper right corners of the filter area3, TA7And TA9Is a distribution obtained by multiplying a distribution that decreases one-dimensionally outward in the x direction and a distribution that decreases one-dimensionally outward in the y direction. In addition, the transmittance T in the region along the line BB in FIG. 3A linearly changes from 0 with respect to the position x as the position x changes from 0 to a as shown in FIG. 1 (100%), and similarly, the transmittance T in the region along the CC line in FIG. 3A shows that the position y changes from 0 to b as shown in FIG. 3C. Varies linearly from 0 to 1 (100%) with respect to the position y.
[0047]
In such a density filter 55, an isolated dot-like pattern or an isolated line pattern may exist.
That is, FIG. 4 shows an example of the distribution of a large number of dot patterns in the joint portion 55b in the density filter 55. In FIG. 4, for example, the dot pattern 62 can be regarded as a dot pattern in the light transmitting portion. For example, a pattern in which a predetermined number or more of dot patterns are continuous in the X direction or the Y direction can be regarded as a line pattern in the light transmitting portion. If such an isolated point-like pattern or line pattern exists, there is a possibility that an image on the exit surface of the optical integrator is slightly transferred onto the photosensitive substrate G.
[0048]
That is, in FIG. 8, when a point-like pattern or a line pattern exists on the filter surface P5, the image of the exit surface of the optical integrator is conjugate with the filter surface P5 according to the principle of a kind of pinhole camera as described above. It is formed on P6 and P7. In this case, since the plane P7 is defocused from the exposure plane P3, a defocused light image of the exit plane is projected on the exposure plane P3. However, in this example, since the micro fly's eye integrator 2A in which many fine lens elements are arranged almost in close contact is used as the optical integrator, the image projected on the exposure surface P3 of the exit surface is In this case, a two-dimensional lattice pattern having a very small pitch and defocus is formed, and unevenness of the exposure amount is not substantially generated.
[0049]
In order to further reduce the exposure unevenness, in this example, when the pattern of the reticle R is exposed on the photosensitive substrate G (or the wafer W), the vibration mirror 6 is moved around the rotation axis 6a within a predetermined angle range. To reciprocate (vibrate). Assuming that the pitch of the light source image on the exit surface of the micro fly's eye integrator 2A in a predetermined direction (for example, the direction corresponding to the X direction) is PM, the angular range of vibration of the vibrating mirror 6 is such that the light source image has the pitch PM. The displacement is about 1/2 times or more, preferably about 1/2 times to several times. Thereby, the unevenness of the exposure amount on the photosensitive substrate G is further reduced. In addition, when the unevenness of the exposure amount is sufficiently reduced by using the micro fly's eye integrator 2A, it is not always necessary to vibrate the exposure light IL by the vibrating mirror 6.
[0050]
Since the exposure light IL in this example is a laser beam, the exposure light IL may be shaken by the vibrating mirror 6 in order to reduce an interference pattern (speckle pattern) generated by the exposure light IL. In this case, the vibration mirror 6 for preventing the transfer of an image on the exit surface of the optical integrator can also be used by the vibration mirror 6 for reducing the interference pattern.
[0051]
Next, an example of an exposure sequence in the case of performing the bridge exposure using the density filter 55 of the present example will be described with reference to FIGS.
FIG. 5 shows a large projected image exposed on the photosensitive substrate G of FIG. 1 by the exposure for performing the screen splicing of this example. In FIG. 5, different master reticles (RA, RB, RC, RD) are used. Are exposed in the adjacent rectangular shot areas 30A, 30B, 30C, and 30D, respectively. At this time, the joints 30AB, 30CD at the boundaries in the X direction of the shot areas 30A, 30B, 30C, 30D and the joints 30AC, 30BD at the boundaries in the Y direction are exposed in a double overlapping manner. Further, in the rectangular joint portion 31 in which the four shot regions 30A to 30D are adjacent to each other, the rectangular corner portions of the four shot regions 30A to 30D are exposed in a quadruplicate manner. At this time, if the rotation error between the density filter 55 in FIG. 3A and the reticle on the reticle stage 21 in FIG. 1 cannot be completely removed by the positioning device 5, the reticle stage 21 is set to cancel the rotation error. Is rotated, and the coordinate system of the wafer stage 25 is corrected by the rotation error, and the photosensitive substrate G is obliquely moved stepwise based on the corrected coordinate system. As a result, an error (dose error) in the exposure amount at the joint portion can be reduced.
[0052]
Further, in this example, since the pattern of the master reticle is exposed on the photosensitive substrate G in 2 rows × 2 columns, the frame-shaped peripheral portion 11 in FIG. 5 is assumed to be a region without a pattern, that is, a region not exposed. Further, for example, when exposing the pattern of the master reticle in 3 rows × 3 columns or more, the outermost frame-shaped peripheral portion is an unexposed area.
First, under the control of the main control system 24 shown in FIG. 1, a photosensitive substrate G for a working reticle is loaded on the wafer stage 25, and a first master reticle RA is placed on the reticle stage 21 (see FIG. 7A). ) To move a reference mark member (not shown) on the wafer stage 25 into the exposure area of the projection optical system PL. Then, the alignment of the master reticle RA is performed by detecting the amount of displacement between a predetermined alignment mark on the master reticle RA and a corresponding reference mark using a reticle alignment microscope (not shown). Subsequently, the positions of the corresponding reference mark and the predetermined alignment mark on the photosensitive substrate G are sequentially detected by an alignment sensor (not shown), and the first shot area 30A on the photosensitive substrate G of FIG. Is positioned in the exposure area of the projection optical system PL.
[0053]
Next, the reticle blind 4 and the density filter 55 shown in FIG. 1 are positioned.
FIG. 7A shows a view of the reticle blind 4, the density filter 55, and the conjugate image of the master reticle RA from the side of the relay lens 3 in FIG. 1, and for convenience of explanation, the conjugate image is used as the master reticle RA and the illumination. The optical axis of the optical system 10 is the optical axis AX, and directions corresponding to the X direction and the Y direction on the photosensitive substrate G are the X direction and the Y direction, respectively. Further, for convenience of explanation, the projected image from the reticle surface onto the photosensitive substrate G is also an erect image. In this case, the reticle blind 4 accurately surrounds the area to be transferred on the master reticle RA, and the joints 55b and 55c of the density filter 55 in the + X and -Y directions exactly cover the joints of the master reticle RA. Positioned. In this state, the pattern image of the master reticle RA is applied to the first shot area 30A on the photosensitive substrate G by the appropriate exposure E0  Exposure. At this time, the vibrating mirror 6 shown in FIG. 1 is vibrated. When the exposure unevenness is sufficiently reduced by the measurement using the illuminance sensor 63 in FIG. 1, the vibration of the vibration mirror 6 can be omitted (the same applies hereinafter).
[0054]
Next, the reticle on the reticle stage 21 in FIG. 1 is replaced with a second master reticle RB. Then, after the alignment of the master reticle RB, the second shot area 30B on the photosensitive substrate G is moved to the exposure area of the projection optical system PL. Then, as shown in FIG. 7B, the reticle blind 4 accurately surrounds the area to be transferred on the master reticle RB, and the joints 55a and 55c of the density filter 55 in the -X direction and -Y direction are the master reticle. It is positioned so as to exactly cover the joint of the RB. Thereafter, the pattern image of the master reticle RB is exposed on the second shot area 30B on the photosensitive substrate G.
[0055]
Subsequently, the reticle on the reticle stage 21 in FIG. 1 is replaced with a third master reticle RC, and the third shot area 30C on the photosensitive substrate G is moved to the exposure area of the projection optical system PL. Then, as shown in FIG. 7C, in the state where the reticle blind 4 accurately surrounds the area to be transferred on the master reticle RC, the joints 55b and 55d in the + X direction and + Y direction of the density filter 55 The third shot area 30C on the photosensitive substrate G is exposed to the pattern image of the master reticle RC while accurately covering the joint of the master reticle RC.
[0056]
Next, the reticle on the reticle stage 21 in FIG. 1 is replaced with a fourth master reticle RD, and the fourth shot area 30D on the photosensitive substrate G is moved to the exposure area of the projection optical system PL. Then, as shown in FIG. 7D, in a state where the reticle blind 4 accurately surrounds the area to be transferred on the master reticle RD, the joints 55a and 55d of the density filter 55 in the -X direction and the + Y direction. Exposes the pattern image of the master reticle RD to the fourth shot area 30D on the photosensitive substrate G in a state where the reticle accurately covers the joint portion of the master reticle RD. Since the exposure of all the master reticles has now been completed, the photosensitive substrate G is unloaded from the wafer stage 25, and then the photosensitive substrate G is subjected to development, etching, resist stripping, and the like. can get.
[0057]
In this case, as shown in FIG. 7E, the distribution of the exposure amount E at the joint portion 32 on the photosensitive substrate G in the X direction depends on the exposure amount of the broken line 33A and the exposure of the broken line 33B in FIG. Combined with quantity. At this time, since the sum of the inclined portion of the broken line 33A and the inclined portion of the broken line 33B is constant, the exposure amount at the joint portion 32 is equal to the appropriate exposure amount0  become.
[0058]
On the other hand, when the countermeasure as in the present example is not performed, the exposure amount E near the joint portion 32 has the exposure amount unevenness due to the image on the exit surface of the optical integrator as shown by the curve 33D. May remain.
Even when the wafer W is loaded on the wafer stage 25, similarly, a reduced image of the pattern of a plurality of reticles is transferred while screen joining is performed, so that a large area device pattern is transferred onto the wafer W. Can be transcribed. At this time, the large-area device pattern may be transferred to a plurality of regions on the wafer W. Further, it is also possible to regard a plurality of shot areas constituting one large area pattern as a whole as one large shot area, and to regard each shot area as a partial area within the large shot area. Instead of using a plurality of reticles, a large reticle is used as a reticle R, and a plurality of patterns sequentially selected by a reticle blind 4 from a pattern surface of the reticle are screen-connected while a plurality of patterns are screen-connected. The image may be transferred to each area on the wafer W).
[0059]
Further, in FIG. 5, the shot areas 30A to 30D have the same size, but these sizes may be different.
FIG. 6 shows a case where adjacent shot areas have different sizes. In FIG. 6, the projected images of the patterns of the four master reticles are joined to expose the photosensitive substrate G, and the outermost peripheral area 11 is exposed. Are frame-shaped regions 9A to 9D inside are light-shielding bands. In this case, when exposing the pattern of each master reticle, the images of the edges 41A, 41B, 42A, 42B (see FIG. 2) of the light shielding plates 41, 42 of the reticle blind 4 of FIG. The main control system 24 drives the reticle blind 4 via a drive unit (not shown) so as to fall within the range. Thus, even when the size of the four shot areas on the photosensitive substrate G is different, it is possible to prevent exposure to unnecessary portions on the photosensitive substrate G.
[0060]
Also, in FIG. 1, since the filter surface of the density filter 55 exists near the plane P1 conjugate with the pattern plane of the reticle R, the reticle blind 4 is moved from the plane P1 so as not to mechanically interfere with the density filter 55. It is retracted to a position slightly shifted in the optical axis direction of the illumination optical system. However, in order to prevent the reticle blind 4 from deviating from the plane P1 conjugate with the pattern plane, a relay optical system for relaying the plane P1 to another conjugate plane is arranged, and the reticle blind 4 is disposed on the conjugate plane. May be arranged.
[0061]
In these cases, when the reticle blind 4 is defocused, the width of the light-shielding band provided on the reticle R in FIG. It is necessary to comprehensively consider the mechanical accuracy of the light shielding plate, the aberration of the optical system from the reticle blind 4 to the reticle R, and the distortion amount of the optical system.
[0062]
In addition, the reticle blind 4 may be arranged close to the bottom surface of the pattern surface (lower surface) of the reticle R, for example. Conversely, the density filter 55 may be arranged on the bottom of the pattern surface of the reticle R, and the reticle blind 4 may be arranged on a plane P1 conjugate to the pattern surface. When the projection optical system PL re-images an intermediate image of the reticle pattern on the wafer, the reticle blind 4 or the density filter 55 is displaced from a predetermined surface on which the intermediate image is formed in the projection optical system PL. In other words, it is only necessary that a light quantity distribution that gradually decreases outward on the photosensitive substrate G (or the wafer W) can be obtained.
[0063]
Even when the filter surface of the density filter 55 is defocused by an appropriate amount with respect to the surface P1 as described above, if the cleanness of the surrounding environment is low, the filter surface exceeds the allowable range. There is a possibility that foreign matter such as dust having a size adheres and is transferred onto the photosensitive substrate G through the reticle R. In order to prevent this, it is preferable to stretch a thin film (pellicle as a dust-proof film), such as cellulose, which does not optically affect, or a transparent glass substrate so as to protect the filter surface. .
[0064]
Further, the transmittance distribution of the attenuation portion of the density filter 55 is not limited to the distribution shown in FIG. 3 and gradually decreases outward as disclosed in, for example, WO 00/059092 pamphlet. Any distribution can be used as long as the distribution is such that the exposure amount after the screen joint exposure is uniform.
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, a normal fly-eye integrator is used as an optical integrator (uniformizer or homogenizer). In FIG. 9, portions corresponding to FIGS. Is omitted.
[0065]
FIG. 9 shows a simplified optical system including the illumination optical system 10 and the projection optical system PL of the projection exposure apparatus of the present embodiment. In FIG. 9, an optical integrator having a normal cross-sectional shape with a width of about several mm is used. A fly-eye integrator 2B formed by bundling lens elements is arranged. Further, a diffusion plate 64 is arranged near the incident surface of the fly-eye integrator 2B. The diffusion plate 64 is formed by roughening the surface of a glass substrate that transmits the exposure light IL. Assuming that the width of each lens element forming the fly-eye integrator 2B is d, the roughness of the diffusion plate 64 is the width d. It is set so fine that the light within the range is sufficiently diffused. Thus, the traveling direction of the exposure light IL emitted from the exposure light source 1 and incident on each lens element of the fly-eye integrator 2B via the vibration mirror 6 and the diffusion plate 64 is sufficiently diffused.
[0066]
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the exposure light IL emitted from the fly-eye integrator 2B passes through the reticle R via the relay lens 3, the reticle blind 4, the density filter 55, and the condenser lens system 8. And the pattern image of the reticle R is projected onto the photosensitive substrate G via the projection optical system PL. Also in this example, the image of the pattern of the plurality of reticles can be exposed on the photosensitive substrate G (or wafer) by the screen joining method by the method shown in FIG.
[0067]
According to this example, in FIG. 9, since the diffusion plate 64 is disposed on the incident surface of the fly-eye integrator 2B, a large number of light source images formed on the exit surface of the fly-eye integrator 2B are each formed of a lens element. It expands to the cross-sectional shape of about. Therefore, even if a defocused image of the exit surface of the fly-eye integrator 2B is projected on the photosensitive substrate G by the pattern of the pinhole camera by a pattern in the density filter 55, the image has substantially uniform brightness. And uneven exposure is hardly generated.
[0068]
In order to further reduce the exposure unevenness, in this example, when the pattern of the reticle R is exposed on the photosensitive substrate G (or the wafer W), the vibration mirror 6 is moved around the rotation axis 6a by a predetermined amount. It is desirable to reciprocate (vibrate) in the angle range. In this case, with respect to the width d of the lens element constituting the fly-eye integrator 2B, the angular range of the vibration of the vibrating mirror 6 is such that the exposure light IL is displaced by half or more of the width d. Desirably, the displacement is about 1/2 to several times. Also in this example, when the exposure light IL is shaken by the vibrating mirror 6 in order to reduce the interference pattern (speckle pattern) generated by the exposure light IL, the optical mirror is reduced by the vibration mirror 6 for reducing the interference pattern. A vibrating mirror for further reducing uneven exposure due to an image on the exit surface of the integrator can also be used.
[0069]
In each of the above embodiments, a different pattern is transferred to each of a plurality of shot areas where a stitching exposure (stitching exposure) is performed on the photosensitive substrate. However, the same pattern is transferred to at least two of the plurality of shot areas. May be transferred. In the above embodiments, the illuminance distribution in the exposure area is measured using the illuminance sensor 63. However, the illuminance distribution may be measured using, for example, a line sensor.
[0070]
In the above embodiment, the present invention is applied to the case where a working reticle is manufactured by a bridge exposure method. However, the present invention is applied to a semiconductor device including an imaging device (such as a CCD) and a liquid crystal display in a bridge exposure method. Also, the present invention can be applied to the case of manufacturing a display element such as a plasma display, a thin film magnetic head, a DNA chip, or the like. In an electron beam exposure apparatus or an EUV exposure apparatus, a silicon wafer or the like is used as a mask substrate for a working reticle. Particularly, in an EUV exposure apparatus, a reflection type working reticle is used.
[0071]
In the projection exposure apparatus according to the above embodiment, when short-wavelength ultraviolet light in the vacuum ultraviolet region such as ArF excimer laser light is used as the exposure light, nitrogen gas (N2  ) And helium gas (He) are purged.
The device for detecting the alignment mark of the density filter 55 is not limited to the illuminance sensor 63. For example, an optical system having at least a light receiving unit may be installed on the wafer stage 25 separately from the illuminance sensor 63 and used. Alternatively, a dedicated optical system may be incorporated in the illumination optical system. Further, the above-described exposure light IL may be used as the detection light of the alignment mark, or a light source different from the exposure light source 1 may be used to use light having substantially the same wavelength as the exposure light IL. It may be.
[0072]
In the above-described embodiment, the present invention is applied to a batch exposure type projection exposure apparatus. However, the present invention can be similarly applied to a case where a joint exposure is performed by a proximity type exposure apparatus. . Further, the present invention can be applied to a case where a connecting exposure is performed by a scanning exposure type projection exposure apparatus such as a step-and-scan method. The present invention can also be applied to a case in which connection exposure is performed by an EUV exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light (EUV light) such as soft X-ray or X-ray having a wavelength of about 5 nm to 15 nm as an exposure beam. When EUV light is used, since there is almost no transmissive material, a reflection film (for example, a multilayer film of molybdenum and silicon; Alternatively, a reflective filter formed with a multilayer film of molybdenum and beryllium) may be used.
[0073]
Further, the present invention is also applied to a case where a connection exposure is performed by an immersion type exposure apparatus in which a liquid is filled between a projection optical system PL and a wafer, which is disclosed in, for example, International Publication (WO) 99/49504 pamphlet. can do. Further, as disclosed in, for example, International Publications (WO) Nos. 98/24115 and 98/40791, two wafer stages are required to perform an exposure operation and an alignment operation (mark detection operation) substantially in parallel. The present invention can also be applied to a case where the connecting exposure is performed by the provided exposure apparatus.
[0074]
In addition, an illumination optical system including an exposure light source and an illuminance equalizing optical system, and a projection optical system are incorporated into the exposure apparatus main body to perform optical adjustment, and a reticle stage or a wafer stage including a number of mechanical parts is mounted on the exposure apparatus main body. The projection exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by attaching the density filter 55 of the above-described embodiment, connecting the wiring and piping, and performing overall adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, etc.). Can be. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.
[0075]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
[0076]
【The invention's effect】
According to the present invention, when a plurality of patterns are exposed so as to partially overlap each other using a neutral density filter having a predetermined transmittance distribution, it is possible to reduce unevenness in exposure amount on a substrate to be exposed.
Further, according to the device manufacturing method of the present invention, a large device or mask can be manufactured with high accuracy and high throughput by exposing a plurality of patterns by the screen splicing method. Thus, a large mask can be manufactured with high accuracy and high throughput.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a projection exposure apparatus used in a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view showing a configuration example of a reticle blind 4 in FIG.
It is.
FIG. 3 is a diagram showing a transmittance distribution of a density filter 55 in FIG. 1;
FIG. 4 is an enlarged view showing a part of a dot pattern distribution of a density filter 55.
FIG. 5 is a diagram showing a projected image obtained by performing transfer while performing screen splicing using the density filter 55 of FIG. 3;
FIG. 6 is a diagram illustrating another projected image obtained by performing transfer while performing screen splicing.
FIGS. 7A, 7B, 7C, and 7D are diagrams showing the positional relationship between the reticle blind 4, the density filter 55, and the reticle when screen splicing is performed, and FIG. It is a figure which shows the exposure amount of the joint obtained by performing.
FIG. 8 is a simplified view showing an optical system of the projection exposure apparatus of FIG.
FIG. 9 is a diagram schematically illustrating an optical system of a projection exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
R: reticle, PL: projection optical system, G: photosensitive substrate, W: wafer, RA to RD: master reticle, 1: exposure light source, 2A: micro fly-eye integrator, 2B: fly-eye integrator, 4: reticle blind 5, positioning device, 29, drive system, 30A-30D, shot area, 30AB-30AC, 31, joint, 55 density filter, 55a-55d, joint, 64 diffusion plate

Claims (10)

露光ビームでマスクを照明する照明系を備え、基板上で周辺部が部分的に重なる複数の領域にそれぞれマスクのパターンを転写するために、前記周辺部で前記露光ビームの強度を変化させて前記各領域を露光する露光装置において、
前記照明系は、
前記露光ビームの複数の光源像を形成するマイクロフライアイ・インテグレータと、
前記マスク上の照明領域を規定する視野絞りと、
前記マイクロフライアイ・インテグレータの射出側に配置されて、前記複数の領域の前記周辺部での前記露光ビームの強度を少なくとも一方向に関して徐々に変化させるために、前記少なくとも一方向に対応して前記露光ビームに対する透過率が変化する透過率分布を持つ減衰部が一部に形成される減光フィルタとを備えることを特徴とする露光装置。An illumination system for illuminating the mask with the exposure beam, in order to transfer the pattern of the mask to a plurality of areas where the peripheral portion partially overlaps on the substrate, by changing the intensity of the exposure beam in the peripheral portion, In an exposure apparatus that exposes each area,
The illumination system includes:
A micro fly's eye integrator for forming a plurality of light source images of the exposure beam,
A field stop defining an illumination area on the mask,
The micro fly's eye integrator is disposed on an emission side, and in order to gradually change the intensity of the exposure beam in the peripheral portion of the plurality of regions with respect to at least one direction, corresponding to the at least one direction, An exposure apparatus, comprising: a neutral density filter in which an attenuator having a transmittance distribution in which transmittance for an exposure beam changes is formed in a part thereof. 前記照明系は、露光中に前記マイクロフライアイ・インテグレータに対する前記露光ビームの入射角を変化させるために、前記露光ビームを振動させる振動部材を更に有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。The exposure system according to claim 1, wherein the illumination system further includes a vibrating member for vibrating the exposure beam to change an incident angle of the exposure beam with respect to the micro fly's eye integrator during exposure. apparatus. １回の露光中の前記振動部材による前記露光ビームの振動量は、前記マイクロフライアイ・インテグレータの射出面において、前記マイクロフライアイ・インテグレータによって形成される複数の光源像の明暗のピッチの１／２以上の振幅で前記複数の光源像が振動する程度であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。The amount of vibration of the exposure beam by the vibrating member during one exposure is 1/1 / the pitch of light and dark of a plurality of light source images formed by the micro fly-eye integrator on the exit surface of the micro fly-eye integrator. 3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the plurality of light source images vibrate at two or more amplitudes. 露光ビームでマスクを照明する照明系を備え、基板上で周辺部が部分的に重なる複数の領域にそれぞれマスクのパターンを転写するために、前記周辺部で前記露光ビームの強度を変化させて前記各領域を露光する露光装置において、
前記照明系は、
前記露光ビームの複数の光源像を形成するオプティカル・インテグレータと、
前記マスク上の照明領域を規定する視野絞りと、
前記オプティカル・インテグレータの射出側に配置されて、前記複数の領域の前記周辺部での前記露光ビームの強度を少なくとも一方向に関して徐々に変化させるために、前記少なくとも一方向に対応して前記露光ビームに対する透過率が変化する透過率分布を持つ減衰部が一部に形成される減光フィルタと、
前記オプティカル・インテグレータに入射する前記露光ビームを拡散させる拡散部材とを有することを特徴とする露光装置。An illumination system for illuminating the mask with the exposure beam, in order to transfer the pattern of the mask to a plurality of areas where the peripheral portion partially overlaps on the substrate, by changing the intensity of the exposure beam in the peripheral portion, In an exposure apparatus that exposes each area,
The illumination system includes:
An optical integrator for forming a plurality of light source images of the exposure beam,
A field stop defining an illumination area on the mask,
The exposure beam corresponding to the at least one direction is disposed on an emission side of the optical integrator and gradually changes the intensity of the exposure beam in the peripheral portion of the plurality of regions in at least one direction. A light-attenuating filter in which an attenuator having a transmittance distribution in which the transmittance with respect to changes is formed in part;
A light diffusing member for diffusing the exposure beam incident on the optical integrator. 前記オプティカル・インテグレータは、複数のレンズエレメントを束ねて形成されるフライアイ・インテグレータであり、
前記拡散部材は、前記フライアイ・インテグレータを構成する各レンズエレメントに入射する前記露光ビームをそれぞれ拡散する程度の粗さを持つことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。The optical integrator is a fly-eye integrator formed by bundling a plurality of lens elements,
5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the diffusion member has a roughness enough to diffuse the exposure beam incident on each lens element constituting the fly-eye integrator. 6. 前記照明系は、露光中に前記オプティカル・インテグレータに対する前記露光ビームの位置が変化するように前記露光ビームを振動させる振動部材を更に有することを特徴とする請求項４又は５に記載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the illumination system further includes a vibrating member that vibrates the exposure beam such that a position of the exposure beam with respect to the optical integrator changes during exposure. 前記オプティカル・インテグレータは、複数のレンズエレメントを束ねて形成されるフライアイ・インテグレータであり、
１回の露光中の前記振動部材による前記露光ビームの振動量は、前記フライアイ・インテグレータの入射面における前記露光ビームの変位の振幅が、前記各レンズエレメントの幅の１／２以上となる程度であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。The optical integrator is a fly-eye integrator formed by bundling a plurality of lens elements,
The amount of vibration of the exposure beam by the vibration member during one exposure is such that the amplitude of the displacement of the exposure beam on the incident surface of the fly-eye integrator is equal to or more than の of the width of each lens element. The exposure apparatus according to claim 6, wherein: 請求項１〜７の何れか一項に記載の露光装置を用いて、マスクのパターンを画面継ぎを行いながら基板上に露光する露光方法であって、
第１のマスクのパターンの継ぎ部を前記減光フィルタを介して前記基板上に露光する第１工程と、
第２のマスクのパターンの継ぎ部を前記減光フィルタを介して前記基板上の前記第１のマスクのパターンの前記継ぎ部の像の上に露光する第２工程とを有することを特徴とする露光方法。An exposure method for exposing a pattern of a mask onto a substrate while performing screen joining, using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7,
A first step of exposing a joint portion of a pattern of a first mask onto the substrate through the neutral density filter;
Exposing a joint portion of the pattern of the second mask onto the image of the joint portion of the pattern of the first mask on the substrate via the neutral density filter. Exposure method. リソグラフィ工程を含みマスク又はデバイスを製造するためのデバイス製造方法であって、
請求項１〜７の何れか一項に記載の露光装置によって複数のパターンを画面継ぎを行いながら露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。A device manufacturing method for manufacturing a mask or a device including a lithography step,
A device manufacturing method, comprising a step of exposing a plurality of patterns by screen exposure using the exposure apparatus according to claim 1. 請求項９に記載のデバイス製造方法を用いて、複数のマスクパターンの画面継ぎによって形成されたマスク。A mask formed by screen joining of a plurality of mask patterns using the device manufacturing method according to claim 9.
JP2003106700A 2003-04-10 2003-04-10 Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask Withdrawn JP2004311897A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003106700A JP2004311897A (en) 2003-04-10 2003-04-10 Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003106700A JP2004311897A (en) 2003-04-10 2003-04-10 Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004311897A true JP2004311897A (en) 2004-11-04

Family

ID=33468814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003106700A Withdrawn JP2004311897A (en) 2003-04-10 2003-04-10 Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004311897A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165548A (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2006098281A1 (en) * 2005-03-16 2008-08-21 松下電器産業株式会社 Image projection device
JP2008292944A (en) * 2007-05-28 2008-12-04 Fujitsu Microelectronics Ltd Method of manifacturing light-shielding band of photomask, and device for generating light-shielding band data
JP2016024257A (en) * 2014-07-17 2016-02-08 株式会社ニコン Exposure method and apparatus, and method of producing device
JP2016075955A (en) * 2004-11-18 2016-05-12 株式会社ニコン Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2023127499A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社ニコン Exposure device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016075955A (en) * 2004-11-18 2016-05-12 株式会社ニコン Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2016173607A (en) * 2004-11-18 2016-09-29 株式会社ニコン Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device
JP2018067014A (en) * 2004-11-18 2018-04-26 株式会社ニコン Exposure device, exposure method and semiconductor device manufacturing method
JP2006165548A (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2006098281A1 (en) * 2005-03-16 2008-08-21 松下電器産業株式会社 Image projection device
US7866831B2 (en) 2005-03-16 2011-01-11 Panasonic Corporation Image projector
JP4612043B2 (en) * 2005-03-16 2011-01-12 パナソニック株式会社 Image projection device
JP2008292944A (en) * 2007-05-28 2008-12-04 Fujitsu Microelectronics Ltd Method of manifacturing light-shielding band of photomask, and device for generating light-shielding band data
JP2016024257A (en) * 2014-07-17 2016-02-08 株式会社ニコン Exposure method and apparatus, and method of producing device
WO2023127499A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社ニコン Exposure device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6677088B2 (en) Photomask producing method and apparatus and device manufacturing method
US6842225B1 (en) Exposure apparatus, microdevice, photomask, method of exposure, and method of production of device
KR100824572B1 (en) Exposure method and exposure apparatus
WO1999066370A1 (en) Method for producing mask
JP2001319871A (en) Exposing method, method of manufacturing gray filter and aligner
JP2001318470A (en) Exposure system, micro-device, photomask and exposure method
WO2000028380A1 (en) Exposure method and exposure apparatus
WO2003065427A1 (en) Exposure device and exposure method
JP2006278820A (en) Exposure method and exposure device
JP2004200701A (en) Lithography projection mask, method for manufacturing device by lithography projection mask, and device manufactured by this method
JPH11194479A (en) Production of photomask and apparatus therefor
JP2002353108A (en) Exposing method, aligner, photomask, device- manufacturing method and photomask manufacturing method
JP2005108934A (en) Aligner and exposure method
JP2004039697A (en) Scanning aligner, scanning exposure method, method for manufacturing device, and device
JP2004311897A (en) Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask
JP2004311896A (en) Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask
KR101205262B1 (en) Exposure device
JP2003224055A (en) Exposure method and aligner
JP5397596B2 (en) Flare measurement method and exposure method
US20040032576A1 (en) Exposure method and apparatus
JP2009162851A (en) Mask, method for manufacturing the same, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2002139406A (en) Mask for measuring optical characteristic, method of measuring optical characteristic and production method of exposer
JP4465644B2 (en) Transfer method and device manufacturing method
WO2000025351A1 (en) Method and device for producing mask
JP2004266125A (en) Projection aligner, projection exposure method, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060704