JP2004311405A - Organic electroluminescent element, display device, and lighting system - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element (hereafter called an organic EL) displaying high emission luminance, having excellent quantum efficiency, and having a long half life, and a display device. <P>SOLUTION: In this organic EL having an electrode and organic matter contained layers, at least one of the organic matter contained layers is a luminescent layer, and the luminescent layer has at least luminescent dopants and luminescent hosts. At least one kind of the luminescent dopants is a rhodium complex, and the 0 - 0 band of the phosphorescence of at least one kind of the luminescent hosts is 450 nm or less. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬとも略記する）素子に関するものである。詳しく言えば、発光効率が高く、なおかつ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as organic EL) element. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and a long luminous life.

発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   As a light emitting type electronic display device, there is an electroluminescence display (ELD). ELD components include an inorganic electroluminescent element and an organic electroluminescent element. Inorganic electroluminescent devices have been used as flat light sources, but require a high AC voltage to drive the light emitting devices. An organic electroluminescence element has a configuration in which a light-emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode. Electrons and holes are injected into the light-emitting layer and recombined to generate excitons (excitons). An element that emits light by utilizing the light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is generated and deactivated, and can emit light at a voltage of about several V to several tens of volts. Because of this, it is rich in viewing angle, has high visibility, and is a thin-film type completely solid-state device, which has attracted attention from the viewpoint of space saving and portability.

しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。   However, with regard to organic EL elements for practical use in the future, development of an organic EL element that emits light with high efficiency and low power consumption is desired.

その解決方法として、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成した技術がある（例えば、特許文献１参照。）。   As a solution, there is a technique in which a small amount of a phosphor is doped into a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative, or a tristyrylarylene derivative to improve emission luminance and extend the life of the device (for example, see Patent Document 1). .).

また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献２参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献３参照。）が知られている。   Further, an element having an organic light-emitting layer in which an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound and a small amount of a phosphor is added thereto (see Patent Document 2, for example), and an 8-hydroxyquinoline aluminum complex is used as a host compound (See, for example, Patent Document 3) having an organic light emitting layer doped with a quinacridone dye.

以上の例はドープした蛍光体から発光を得る方式であるが、このように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界は５％とされている。ところが、プリンストン大学のグループにより、励起三重項からの燐光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（例えば、非特許文献１参照。）がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。例えば、リン光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子の研究成果（例えば、非特許文献２、特許文献４参照。）が開示されている。   The above example is a method of obtaining light emission from a doped phosphor. As described above, when light emission from an excited singlet is used, the generation ratio between a singlet exciton and a triplet exciton is 1: 3. Since the generation probability of the luminescent excited species is 25% and the light extraction efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency (ηext) is 5%. However, since the group of Princeton University reported an organic EL device using phosphorescence from excited triplet (for example, see Non-Patent Document 1), research on materials exhibiting phosphorescence at room temperature has been active. ing. For example, research results on organic electroluminescent elements that emit phosphorescence (for example, see Non-Patent Document 2 and Patent Document 4) are disclosed.

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となることから、有機エレクトロルミネッセンスディスプレーの低消費電力化が可能となるし、また、この効率が高輝度領域においても再現れれば冷陰極管に近い発光効率になるため照明用途としても興味深い。   When the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%, and the luminous efficiency is quadrupled in principle compared to the case of the excited singlet. Therefore, the power consumption of the organic electroluminescence display can be reduced. It becomes possible, and if this efficiency is reproduced even in a high-luminance region, the luminous efficiency becomes close to that of a cold-cathode tube.

例えば、イリジウム錯体などの重金属錯体が幅広く合成検討されている（例えば、非特許文献３参照。）。又、ドーパントとして、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている（例えば、非特許文献２参照。）。   For example, heavy metal complexes such as iridium complexes have been widely studied for synthesis (for example, see Non-Patent Document 3). Also, studies using tris (2-phenylpyridine) iridium as a dopant have been made (for example, see Non-Patent Document 2).

その他、ドーパントとしてＬ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｌは配位子、ａｃａｃはアセチルアセトナートを表す）、例えば（ｐｐｙ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｐｐｙは２−フェニルピリジンを表す）、（例えば、非特許文献４参照。）を、又、ドーパントとして、トリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）₃），トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）₃），Ｉｒ（ｂｚｑ）₂ＣｌＰ（Ｂｕ）₃等を用いた検討（例えば、非特許文献５参照。）が行われている。又、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている（例えば、非特許文献３参照。）。 In addition, L ₂ Ir (acac) (L represents a ligand, acac represents acetylacetonate) as a dopant, for example, (ppy) ₂ Ir (acac) (ppy represents 2-phenylpyridine), (for example, Patent Document 4) and tris (2- (p-tolyl) pyridine) iridium (Ir (ptpy) ₃ ), tris (benzo [h] quinoline) iridium (Ir (bzq) ₃ ) as dopants. A study using Ir (bzq) ₂ ClP (Bu) ₃ or the like (for example, see Non-Patent Document 5) has been conducted. Attempts have been made to make devices using various iridium complexes (for example, see Non-Patent Document 3).

又、高い発光効率を得るために、ホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホストとして用いている例（例えば、非特許文献６参照。）、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている例（例えば、非特許文献４参照。）がある。   Further, in order to obtain high luminous efficiency, a hole transporting compound is used as a host of a phosphorescent compound (for example, see Non-Patent Document 6), and various electron transporting materials are used as a host of the phosphorescent compound. There is an example in which these are doped with a novel iridium complex (for example, see Non-Patent Document 4).

更に、ホールブロック層の導入により高い発光効率を得ている例がある（例えば、非特許文献５参照。）。   Furthermore, there is an example in which high luminous efficiency is obtained by introducing a hole blocking layer (for example, see Non-Patent Document 5).

しかし、前記Ｉｒ錯体と前記ホストとの組み合わせでは、色純度の高い青色発光を効率良く出すことには至っておらず、赤色発光についても青色ほどではないが十分な効率が得られていない。   However, in the combination of the Ir complex and the host, blue light with high color purity has not been efficiently emitted, and red light has not obtained sufficient efficiency, though not as high as blue.

一方で、リン光を発光する発光ドーパントとしてＩｒ錯体以外の化合物も検討されている。例えば、オルトメタル化パラジウム錯体を発光ドーパントとして使用することが開示されている（例えば、特許文献５参照。）が、この場合前記Ｉｒ錯体に比べて発光輝度や発光効率の点で劣る。また、オルトメタル化白金錯体を同様に発光ドーパントとして利用する方法が開示されている（例えば、特許文献６参照。）が、この場合、白金錯体が、平面構造を取ることに由来する分子間相互作用に伴う発光効率の低下と発光色の長波化が起こってしまうという問題点があった。   On the other hand, compounds other than the Ir complex have been studied as light emitting dopants that emit phosphorescence. For example, it is disclosed that an ortho-metallated palladium complex is used as a light emitting dopant (see, for example, Patent Document 5), but in this case, the light emission luminance and the light emission efficiency are inferior to the Ir complex. Also, a method is disclosed in which an orthometalated platinum complex is similarly used as a light emitting dopant (see, for example, Patent Document 6). There has been a problem that the luminous efficiency is reduced due to the action and the emission color becomes longer.

さらに、イソニトリル配位子を有する金属錯体化合物の一部として、ルテニウム及びロジウム錯体の発光ドーパントが開示されている（例えば、特許文献７参照。）が、それらの具体的性能は記載されておらず、効果は定かではない。   Further, as a part of a metal complex compound having an isonitrile ligand, light emitting dopants of ruthenium and rhodium complexes are disclosed (for example, see Patent Document 7), but their specific performance is not described. The effect is uncertain.

また、配位子の構造に特徴があるオルトメタル化ロジウム錯体が有機エレクトロルミネッセンス素子のリン光性発光ドーパントとして開示されているが、何れも構造の記載はあるものの、具体的な性能の言及はなされていない（例えば、特許文献８〜１５参照。）。   In addition, an orthometallated rhodium complex characterized by a ligand structure is disclosed as a phosphorescent light emitting dopant of an organic electroluminescence device, but although there is a description of the structure of each, mention of specific performance is not made. Nothing has been done (for example, see Patent Documents 8 to 15).

さらに、リン光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子における材料の組み合わせが記載（例えば、特許文献１６〜１８参照。）されており、その中にもオルトメタル化錯体の一例としてロジウム錯体の記載があるが、この場合も具体的な性能の記述はない。
特許第３０９３７９６号明細書 特開昭６３−２６４６９２号公報 特開平３−２５５１９０号公報 米国特許第６，０９７，１４７号明細書 特開２００１−１８１６１６号公報 特開２００１−１８１６１７号公報 特開２００２−２３５０７６号公報 欧州特許出願公開第１１９１６１３号明細書 国際公開第０２／４４１８９号パンフレット 国際公開第０２／０８１４８８号パンフレット 特開２００２−３３２２９１号公報 特開２００２−３３２２９２号公報 特開２００２−３３８５８８号公報 特開２００２−２２６４９５号公報 特開２００２−２３４８９４号公報 特開２００１−３１３１７９号公報 特開２００１−８８６０号公報 特開２００２−３０５０８３号公報 Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１５４ページ（１９９８年） Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００年） Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ（２００１年） Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松） Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ Ｙｏｕｎ．０ｇ，Ｔｅｔｓｕｏ Ｔｓｕｔｓｕｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松） Ｉｋａｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松） Further, a combination of materials in an organic electroluminescent device that emits phosphorescence is described (for example, see Patent Documents 16 to 18). Among them, a rhodium complex is described as an example of an ortho-metalated complex. In this case, too, no specific performance is described.
Patent No. 3093796 JP-A-63-264692 JP-A-3-255190 U.S. Pat. No. 6,097,147 JP 2001-181616 A JP 2001-181617 A JP 2002-235076 A European Patent Application No. 11916113 WO 02/44189 pamphlet WO 02/081488 pamphlet JP-A-2002-332291 JP-A-2002-332292 JP-A-2002-338588 JP-A-2002-226495 JP-A-2002-234894 JP 2001-313179 A JP 2001-8860 A JP-A-2002-305083 M. A. Baldo et al. , Nature, 395, 151-154 (1998) M. A. Baldo et al. , Nature, Vol. 403, No. 17, pp. 750-753 (2000) S. See Lamansky et al. , J. et al. Am. Chem. Soc. 123, 4304 pages (2001) M. E. FIG. Thompson et al. , The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) Moon-Jae Youn. 0g, Tetsuo Tsutsui et al. , The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) Ikai et al. , The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu)

本発明の目的は、特定の構造を有する金属錯体と特定のリン光波長（０−０バンド）を有する発光ホストを含有する高効率、長寿命な素子、または、前記金属錯体を発光層に隣接する隣接層に含有する高効率、長寿命な素子を提供することであり、且つ、本発明の素子を用いた表示装置（画像表示ともいう）及び照明装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a high-efficiency, long-life element containing a metal complex having a specific structure and a light-emitting host having a specific phosphorescence wavelength (0-0 band), or the metal complex adjacent to a light-emitting layer. It is an object of the present invention to provide a high-efficiency, long-life element contained in an adjacent layer, and to provide a display device (also referred to as an image display) and a lighting device using the element of the present invention.

本発明の上記目的は、下記の構成１〜９により達成された。   The above object of the present invention has been achieved by the following constitutions 1 to 9.

（請求項１）
電極と有機物含有層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機物含有層の少なくとも１層が発光層であり、該発光層が、少なくとも発光ドーパントと発光ホストを有し、該発光ドーパントの少なくとも１種がロジウム錯体であり、且つ、該発光ホストの少なくとも１種のリン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 1)
In an organic electroluminescence device having an electrode and an organic-containing layer,
At least one of the organic substance-containing layers is a light-emitting layer, the light-emitting layer has at least a light-emitting dopant and a light-emitting host, at least one of the light-emitting dopants is a rhodium complex, and at least one of the light-emitting hosts is a light-emitting host. An organic electroluminescent device, wherein the 0-0 band of the kind of phosphorescence is 450 nm or less.

（請求項２）
電極と有機物含有層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機物含有層が、少なくとも発光層と該発光層に隣接する隣接層の各々に含まれ、該隣接層にロジウム錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 2)
In an organic electroluminescence device having an electrode and an organic-containing layer,
An organic electroluminescent device, wherein the organic-containing layer is included in at least each of a light-emitting layer and an adjacent layer adjacent to the light-emitting layer, and the adjacent layer contains a rhodium complex.

（請求項３）
前記隣接層が正孔阻止層であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 3)
The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the adjacent layer is a hole blocking layer.

（請求項４）
前記ロジウム錯体が、下記一般式（１）で表される部分構造またはその互変異性体を有するオルトメタル化ロジウム錯体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 4)
4. The rhodium complex according to claim 1, wherein the rhodium complex is an orthometallated rhodium complex having a partial structure represented by the following general formula (1) or a tautomer thereof. 5. Organic electroluminescent element.

〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ₁₁は、Ｘ₁及び窒素原子と共に芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は、Ｘ₂及び炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｌ₁は単結合または２価の連結基を表す。尚、ＮとＸ₁及びＣとＸ₂は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕
（請求項５）
前記発光ホストのリン光の０−０バンドが４３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [In the formula, C represents a carbon atom, N represents a nitrogen atom, Rh represents a rhodium atom, and Z ₁₁ represents an atom group necessary for forming an aromatic ring or a non-aromatic ring together with X ₁ and a nitrogen atom. , Z ₁₂ represent an atomic group necessary for forming an aromatic ring or a non-aromatic ring together with X ₂ and a carbon atom. X ₁ and X ₂ each represent a carbon atom or a nitrogen atom, and L ₁ represents a single bond or a divalent linking group. Note that N and X ₁ and C and X ₂ are each bonded by a single bond or a double bond. ]
(Claim 5)
The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 4, wherein the 0-0 band of phosphorescence of the light emitting host is 430 nm or less.

（請求項６）
前記発光層が、発光波長の異なる少なくとも２種の発光ドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 6)
The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains at least two kinds of light emitting dopants having different light emission wavelengths.

（請求項７）
発光色が白色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 (Claim 7)
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a light emission color is white.

（請求項８）
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。 (Claim 8)
A display device comprising the organic electroluminescence device according to claim 1.

（請求項９）
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。 (Claim 9)
A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to claim 1.

本発明により、高い発光効率を示し、且つ、半減寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬとも略記する）及び表示装置並びに照明装置を提供することが出来た。   According to the present invention, an organic electroluminescence element (hereinafter, also abbreviated as an organic EL), a display device, and a lighting device which exhibit high luminous efficiency and have a long half-life can be provided.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、請求項１〜７のいずれか１項で規定する構成とすることにより、高い発光効率を示し、且つ、半減寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが出来る。更に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を用いることにより、高輝度で、且つ、高耐久性を示す、請求項８に記載の表示装置、請求項９に記載の照明装置を各々得ることが出来た。   In the organic electroluminescent device according to the present invention, by adopting the configuration defined in any one of claims 1 to 7, an organic electroluminescent device exhibiting high luminous efficiency and having a long half-life can be obtained. Further, by using the organic electroluminescence element, a display device according to claim 8 and a lighting device according to claim 9 exhibiting high luminance and high durability can be obtained.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。   Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

本発明者等は、上記の問題点を種々検討した結果、オルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いる際に、ある特定の発光ホストと組み合わせることで良好な発光効率と長い発光寿命が達成されることを見いだした。   The present inventors have conducted various studies on the above problems, and as a result, when using an orthometallated rhodium complex as a luminescent dopant, good luminous efficiency and a long luminescent lifetime are achieved by combining with a specific luminescent host. I found something.

更に具体的に説明すると、本発明者等は、オルトメタル化ロジウム錯体と、短波なリン光波長（０−０バンド）を有する発光ホストとの組み合わせ、その両者を共に発光層に含有する有機ＥＬ素子を設計したところ、高い外部取り出し効率と良好な発光寿命を示すことを見出した。また、本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、高効率な画像表示装置及び照明装置が得られることを併せてを見いだすことが出来た。   More specifically, the present inventors have proposed a combination of an orthometallated rhodium complex and a light-emitting host having a short-wavelength phosphorescent wavelength (0-0 band), and an organic EL containing both of them in a light-emitting layer. When the device was designed, it was found that the device exhibited high external extraction efficiency and good emission life. In addition, it has been found that a highly efficient image display device and a lighting device can be obtained by using the organic EL element of the present invention.

上記のように、有機ＥＬ素子でオルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントとして用いることは知られていたが、その性能については従来全く報告がなく、発光効率や寿命については未知であった。   As described above, the use of an orthometallated rhodium complex as a luminescent dopant in an organic EL device has been known, but its performance has not been reported at all, and its luminous efficiency and lifetime have not been known.

本発明者等は、オルトメタル化ロジウム錯体について検討したところ、従来リン光を発光する高効率な有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして注目されているオルトメタル化イリジウム錯体に比べ、同じ配位子を持つロジウム錯体が数十ｎｍ短波長なリン光波長であることを見いだした。   The present inventors have examined ortho-metallated rhodium complexes, and found that they have the same ligand as the ortho-metallated iridium complex, which has been attracting attention as a luminescent dopant of a highly efficient organic EL device that emits phosphorescence. It has been found that the rhodium complex has a phosphorescence wavelength shorter by several tens of nm.

しかしながら、前記ロジウム錯体は通常イリジウム錯体の発光ホストとして用いられている発光ホストと組み合わせ有機ＥＬ素子を作製してみても良好な発光効率が得られないことも判明した。   However, it has also been found that a good luminous efficiency cannot be obtained even when an organic EL device is manufactured by combining the rhodium complex with a luminescent host usually used as a luminescent host of an iridium complex.

この現象は、オルトメタル化ロジウム錯体の三重項のＭＬＣＴ＊（Ｍｅｔａｌ−ｔｏ−Ｌｉｇａｎｄ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）励起状態及びπ−π＊励起状態が、対応するオルトメタル化イリジウム錯体のそれに比べ高エネルギー側にシフトしていることから、従来の発光ホストでは三重項エネルギーが低すぎ十分なエネルギー移動が行えないことが原因ではないかと考えられる。   This phenomenon occurs because the MLCT * (Metal-to-Ligand charge transfer) excited state and the π-π * excited state of the triplet of the orthometallated rhodium complex are shifted to the higher energy side as compared with the corresponding orthometallated iridium complex. Therefore, it is considered that the triplet energy is too low in the conventional light-emitting host and sufficient energy transfer cannot be performed.

そこで、発光ホストに三重項エネルギーの高い、つまり、リン光波長の０−０バンドの波長が短い材料を使うことでその問題が解決されるのではないかと考えた。   Therefore, it was conceived that the problem could be solved by using a material having a high triplet energy, that is, a material having a short phosphorescent wavelength of 0-0 band as the light emitting host.

三重項エネルギーの高い発光ホストはあまり広くは知られておらず、上記仮説を検証するには新たな発光ホストの創出も必要になるが、鋭意検討した結果、発光ホスト材料の構造によらず、ある一定以下の０−０バンド波長を有するものであれば、オルトメタル化ロジウム錯体を効率よく発光させることができることがわかり、本発明に至った。   A light-emitting host having a high triplet energy is not widely known, and it is necessary to create a new light-emitting host in order to verify the above hypothesis.As a result of intensive studies, regardless of the structure of the light-emitting host material, It has been found that an orthometallated rhodium complex can emit light efficiently if it has a 0-0 band wavelength equal to or less than a certain value, and the present invention has been achieved.

《発光ホスト、発光ドーパント》
本発明に係る発光ホスト、発光ドーパントについて説明する。 << Light-emitting host, light-emitting dopant >>
The luminescent host and the luminescent dopant according to the present invention will be described.

「発光ホスト（単にホストともいう）」とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については、発光ドーパント「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。   The term “light-emitting host (also simply referred to as a host)” means a compound having the largest mixing ratio (mass) in a light-emitting layer composed of two or more compounds, and other compounds emit light. The dopant is referred to as “dopant compound (also simply referred to as dopant)”.

例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。更に、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂが、発光ドーパント（ドーパント化合物）であり、化合物Ｃが発光ホスト（ホスト化合物）である。   For example, the light-emitting layer is composed of two kinds of compound A and compound B, and if the mixing ratio is A: B = 10: 90, compound A is a dopant compound and compound B is a host compound. Further, the light-emitting layer is composed of three kinds of compound A, compound B and compound C, and if the mixture ratio is A: B: C = 5: 10: 85, the compound A and compound B are used as the light-emitting dopant (dopant). Compound C), and Compound C is a light-emitting host (host compound).

本発明に係る発光ホストは、後述する、リン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることが必須要件であり、更に、該０−０バンドが４３０ｎｍ以下であることが好ましい。   It is essential that the light emitting host according to the present invention has a phosphorescent 0-0 band of 450 nm or less, which is described later, and more preferably the 0-0 band is 430 nm or less.

発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有し、且つ、前記０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物が好ましい化合物として挙げられる。０−０バンドとしては、また、発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよい。   The light-emitting host is not particularly limited in structure, but is typically a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligoarylene compound, or the like. A compound having a skeleton and having the 0-0 band of 450 nm or less is preferred. As the 0-0 band, the light emitting host may be a low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit.

発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。   As the luminescent host, a compound which has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents a long wavelength of light emission, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

以下に、発光ホストとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, specific examples of the compound used as the light-emitting host are shown, but the present invention is not limited thereto.

発光ホストとして用いられる、上記の化合物は、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であるが、リン光の０−０バンドは下記のようにして求められる。   The above compound used as a light emitting host has a phosphorescent 0-0 band of 450 nm or less, and the phosphorescent 0-0 band is determined as follows.

《リン光の０−０バンドの測定方法》
まず、リン光スペクトルの測定方法について説明する。 << Method of measuring 0-0 band of phosphorescence >>
First, a method for measuring a phosphorescence spectrum will be described.

測定する発光ホスト化合物を、よく脱酸素されたエタノール／メタノール＝４／１（ｖｏｌ／ｖｏｌ）の混合溶媒に溶かし、リン光測定用セルに入れた後液体窒素温度７７Ｋで励起光を照射し、励起光照射後１００ｍｓでの発光スペクトルを測定する。リン光は蛍光に比べ発光寿命が長いため、１００ｍｓ後に残存する光はほぼリン光であると考えることができる。なお、リン光寿命が１００ｍｓより短い化合物に対しては遅延時間を短くして測定しても構わないが、蛍光と区別できなくなるほど遅延時間を短くしてしまうとリン光と蛍光が分離できないので問題となるため、その分離が可能な遅延時間を選択する必要がある。   The luminescent host compound to be measured is dissolved in a well-deoxygenated mixed solvent of ethanol / methanol = 4/1 (vol / vol), placed in a cell for phosphorescence measurement, and then irradiated with excitation light at a liquid nitrogen temperature of 77 K, The emission spectrum at 100 ms after the excitation light irradiation is measured. Since the phosphorescent light has a longer emission lifetime than the fluorescence, the light remaining after 100 ms can be considered to be almost phosphorescent light. The measurement may be performed with a shorter delay time for a compound having a phosphorescence life shorter than 100 ms. However, if the delay time is so shortened that it cannot be distinguished from fluorescence, phosphorescence and fluorescence cannot be separated. Since it causes a problem, it is necessary to select a delay time capable of separating the delay time.

また、上記溶剤系で溶解できない化合物については、その化合物を溶解しうる任意の溶剤を使用してもよい（実質上、上記測定法ではリン光波長の溶媒効果はごくわずかなので問題ない）。   For a compound that cannot be dissolved in the above-mentioned solvent system, any solvent that can dissolve the compound may be used (substantially, there is no problem because the solvent effect of the phosphorescence wavelength is very small in the above-mentioned measurement method).

次に０−０バンドの求め方であるが、本発明においては、上記測定法で得られたリン光スペクトルチャートのなかで最も短波長側に現れる発光極大波長をもって０−０バンドと定義する。   Next, regarding the method of obtaining the 0-0 band, in the present invention, the 0-0 band is defined as the emission maximum wavelength that appears on the shortest wavelength side in the phosphorescence spectrum chart obtained by the above measurement method.

リン光スペクトルは通常強度が弱いことが多いため、拡大するとノイズとピークの判別が難しくなるケースがある。このような場合には励起光照射中の発光スペクトル（便宜上これを定常光スペクトルと言う）を拡大し、励起光照射後１００ｍｓ後の発光スペクトル（便宜上これをリン光スペクトルと言う）と重ねあわせリン光スペクトルに由来する定常光スペクトル部分からリン光スペクトルのピーク波長を読みとることで決定することができる。   Since the intensity of a phosphorescent spectrum is usually low, it is sometimes difficult to distinguish between a noise and a peak when the spectrum is enlarged. In such a case, the emission spectrum during excitation light irradiation (this is referred to as a stationary light spectrum for convenience) is expanded, and the emission spectrum 100 ms after excitation light irradiation (this is referred to as a phosphorescence spectrum for convenience) is superimposed. It can be determined by reading the peak wavelength of the phosphorescence spectrum from the portion of the steady light spectrum derived from the light spectrum.

また、リン光スペクトルをスムージング処理することでノイズとピークを分離しピーク波長を読みとることもできる。なお、スムージング処理としては、Ｓａｖｉｔｚｋｙ＆Ｇｏｌａｙの平滑化法等を適用することができる。   Further, by performing a smoothing process on the phosphorescence spectrum, noise and a peak can be separated and the peak wavelength can be read. As the smoothing process, a Savitzky & Golay smoothing method or the like can be applied.

ここで、図面によりリン光のスペクトルチャート及び０−０バンドの波長決定のプロセスを説明する。   Here, the spectrum chart of phosphorescence and the process of determining the wavelength of the 0-0 band will be described with reference to the drawings.

図８は、本発明に係る発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。図８において、実線ａで表されるスペクトルチャートが、励起光照射直後に測定される定常光スペクトルであり、実線ｂで表されるスペクトルチャートが、励起光照射後１００ｍｓにおいて測定されるリン光スペクトルである。測定されたリン光スペクトルの中で最も短波長側に現れている、４１０ｎｍのピークが０−０バンドである。   FIG. 8 is a measurement chart of a steady light spectrum and a phosphorescent spectrum of Exemplified Compound H-1, which is one of the light emitting hosts according to the present invention. In FIG. 8, a spectrum chart represented by a solid line a is a stationary light spectrum measured immediately after the excitation light irradiation, and a spectrum chart represented by a solid line b is a phosphorescence spectrum measured at 100 ms after the excitation light irradiation. It is. The peak at 410 nm, which appears on the shortest wavelength side in the measured phosphorescence spectrum, is the 0-0 band.

図９〜図２３も、本発明に係る発光ホストの定常光スペクトルチャートとリン光スペクトルチャートを各々示す。   9 to 23 also show a steady light spectrum chart and a phosphorescence spectrum chart of the light emitting host according to the present invention, respectively.

以下、上記に示した発光ホストの具体例について、各リン光０−０バンドの測定結果を示す。   Hereinafter, the measurement results of each of the phosphorescent 0-0 bands are shown for the specific examples of the light emitting host described above.

発光ホスト（化合物） リン光の０−０バンド（ｎｍ）
Ｈ−１ ４２３ｎｍ
Ｈ−２ ４１５ｎｍ
Ｈ−３ ４１０ｎｍ
Ｈ−４ ４１０ｎｍ
Ｈ−５ ４１６ｎｍ
Ｈ−６ ４１３ｎｍ
Ｈ−７ ４１１ｎｍ
Ｈ−８ ４１２ｎｍ
Ｈ−９ ４１７ｎｍ
Ｈ−１０ ４１４ｎｍ
Ｈ−１１ ４１３ｎｍ
Ｈ−１２ ４１７ｎｍ
Ｈ−１３ ４２９ｎｍ
Ｈ−１４ ４０３ｎｍ
Ｈ−１５ ４４０ｎｍ
Ｈ−１６ ４４１ｎｍ
Ｈ−１７ ４２６ｎｍ
Ｈ−１８ ４２６ｎｍ
Ｈ−１９ ４１０ｎｍ
Ｈ−２０ ４１１ｎｍ
Ｈ−２１ ４３２ｎｍ
以上の本発明に係る発光ホストである、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物は、発光層中に後述するロジウム錯体の発光ドーパントと共に用いられることが必須要件であるが、発光ホスト以外の用途、例えば、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔阻止材料、電子阻止材料として使用しても良く、その場合は発光ホストとして用いた化合物と同一の化合物を発光層以外の層に用いても、発光ホストとして用いた化合物と異なる化合物を発光層以外の層に用いてもよい。 Emitting host (compound) Phosphorescence 0-0 band (nm)
H-1 423 nm
H-2 415 nm
H-3 410 nm
H-4 410 nm
H-5 416 nm
H-6 413 nm
H-7 411 nm
H-8 412 nm
H-9 417 nm
H-10 414 nm
H-11 413 nm
H-12 417 nm
H-13 429 nm
H-14 403nm
H-15 440 nm
H-16 441 nm
H-17 426 nm
H-18 426 nm
H-19 410 nm
H-20 411 nm
H-21 432 nm
The compound having a phosphorescent 0-0 band of 450 nm or less, which is a light emitting host according to the present invention, is required to be used together with a light emitting dopant of a rhodium complex described later in a light emitting layer. Applications, for example, a hole transporting material, an electron transporting material, a hole injecting material, an electron injecting material, a hole blocking material, may be used as an electron blocking material, in which case the same as the compound used as the light emitting host The compound may be used for layers other than the light-emitting layer, or a compound different from the compound used as the light-emitting host may be used for layers other than the light-emitting layer.

《ロジウム錯体：発光ドーパント》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子としては、発光層に用いられる発光ドーパントとして少なくとも１種のロジウム錯体が用いられること、または、前記発光層に隣接する隣接層に含有されることが必須要件であるが、前記ロジウム錯体としては、前記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体が好ましく用いられる。 << Rhodium complex: luminescent dopant >>
In the organic electroluminescence device of the present invention, it is essential that at least one rhodium complex is used as a light emitting dopant used in the light emitting layer, or that it is contained in an adjacent layer adjacent to the light emitting layer. As the rhodium complex, an orthometallated rhodium complex represented by the general formula (1) is preferably used.

前記一般式（１）において、Ｚ₁₁は炭素原子及び窒素原子とともに複素芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、本発明ではＺ₁₁が芳香族環を形成することが好ましい。Ｚ₁₂は炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、本発明ではＺ₁₂は芳香族環を形成することが好ましい。 In the general formula (1), Z ₁₁ represents an atomic group necessary for forming a heteroaromatic ring or a non-aromatic ring together with a carbon atom and a nitrogen atom, and in the present invention, Z ₁₁ forms an aromatic ring. Is preferred. Z ₁₂ represents a group of atoms necessary to form an aromatic ring or a non-aromatic ring together with carbon atoms, and in the present invention, Z ₁₂ preferably forms an aromatic ring.

一般式（１）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、ベンズチアゾール環、ベンズオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。 In the general formula (1), examples of the aromatic ring formed by Z ₁₁ include a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, and a quinazoline ring. And a phthalazine ring.

一般式（１）において、Ｚ₁₁で形成される非芳香族環としては、例えば、ピロリジン環、イミダゾリジン環、モルホリン環、オキサゾリジン環等が挙げられるが、好ましくは芳香族環である。 In the general formula (1), examples of the non-aromatic ring formed by Z ₁₁ include a pyrrolidine ring, an imidazolidine ring, a morpholine ring, and an oxazolidine ring, and an aromatic ring is preferable.

一般式（１）において、Ｚ₁₂で形成される芳香族環としては、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、フラン環、チオフェン環等が挙げられる。 In the general formula (1), examples of the aromatic ring formed by Z ₁₂ include a benzene ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a furan ring, and a thiophene ring.

一般式（１）において、Ｚ₁₂で形成される非芳香族環としては、例えば、以下に挙げる環が挙げられる。 In the general formula (1), examples of the non-aromatic ring formed by Z ₁₂ include the following rings.

一般式（１）において、Ｌ₁は、単結合または２価の連結器を表すが、好ましくは、単結合または、原子数が１〜２の２価の連結基であり、最も好ましいのは、単結合である。 In the general formula (1), L ₁ represents a single bond or a divalent linking unit, preferably a single bond or a divalent linking group having 1 or 2 atoms, and most preferably It is a single bond.

Ｌ₁が原子数１の連結基を表す場合の具体例としては、−ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｒ₁）−、−Ｃ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−等が挙げられる。尚、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立にアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等）を表す。 When L ₁ represents a linking group having 1 atom, specific examples include —CH ₂ —, —CH (R ₁ ) —, —C (R ₁ ) (R ₂ ) —, —O—, and —S—. , -Si (R ₁ ) (R ₂ )-and the like. R ₁ and R ₂ each independently represent an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a (t) butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, Tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), halogen atom (eg, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, fluorine) Atom).

Ｌ₁が原子数２の連結基を表す場合の具体例としては、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、１，２−シクロヘキシレン基、１，２−フェニレン基や３，４−チエニレン基のような隣接する２箇所が連結位となったアリーレン基等が挙げられる。 When L ₁ represents a linking group having 2 atoms, specific examples include an adjacent group such as —CH ₂ CH ₂ —, 1,2-cyclohexylene, 1,2-phenylene or 3,4-thienylene. And an arylene group having two linked positions.

Ｚ₁₁及びＺ₁₂で表される環構造はさらに任意の置換基を有していても良く、さらに縮合可能な部位同士で縮合環を形成してもよい。 The ring structure represented by Z ₁₁ and Z ₁₂ may further have an optional substituent, and a condensed ring may be formed between condensable sites.

上記の任意の置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。   Examples of the above optional substituent include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a (t) butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group) Group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, propargyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group) Group, naphthyl group, etc.), heterocyclic group (for example, pyridyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, imidazolyl group, furyl group, pyrrolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, selenazolyl group, sulfolanyl group, piperidinyl group, pyrazolyl Group, tetrazolyl group, etc.), halogen atom (for example, Chlorine atom, bromine atom, iodine atom, fluorine atom, etc., alkoxyl group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxyl group (Eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group) , Dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group) Ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, Methylaminosulfonyl, dimethylaminosulfonyl, butylaminosulfonyl, hexylaminosulfonyl, cyclohexylaminosulfonyl, octylaminosulfonyl, dodecylaminosulfonyl, phenylaminosulfonyl, naphthylaminosulfonyl, 2-pyridylaminosulfonyl And the like, a ureido group (for example, a methylureido group, an ethylureido group, a pentylureido group, a cyclohexylureido group, an octylureido group, Dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc., acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2- Ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc., acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group) Phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (eg, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino Pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methyl Aminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group , 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, Sulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc., alkylsulfonyl group or arylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group) Butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc., amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group) Butylamino, cyclopentylamino, 2-ethylhexylamino, dodecylamino, anilino, naphthylamino, 2-pyridylamino), nitro Group, cyano group, hydroxyl group and the like.

上記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の中でも、特に好ましいものは下記一般式（２）で表される化合物である。   Among the orthometallated rhodium complexes represented by the general formula (1), particularly preferred are compounds represented by the following general formula (2).

一般式（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体について説明する。   The orthometallated rhodium complex represented by the general formula (2) will be described.

式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ₁₁、Ｚ₁₂、Ｘ₁、Ｘ₂は、各々前記一般式（１）における記載と同義である。 In the formula, C represents a carbon atom, N represents a nitrogen atom, and Rh represents a rhodium atom, and Z ₁₁ , Z ₁₂ , X ₁ , and X ₂ have the same meanings as described in the general formula (1).

一般式（２）において、Ｙ₁−Ｌ₂−Ｙ₂は２座の配位子を表し、Ｙ₁、Ｙ₂は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ₂はＹ₁、Ｙ₂と共に２座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。また、Ｙ₁−Ｌ₂−Ｙ₂で表される２座の配位子の具体例としては、特に制限はないが、酢酸、アセチルアセトン、チオカルバミン酸誘導体、２−アシルフェノール、ピコリン酸等の誘導体であることが好ましい。 In the general formula (2), Y ₁ -L ₂ -Y ₂ represents a bidentate ligand, Y ₁ and Y ₂ each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom or a nitrogen atom; ₂ represents an atomic group necessary for forming a bidentate ligand together with Y ₁ and Y ₂ . Specific examples of the bidentate ligand represented by Y ₁ -L ₂ -Y ₂ are not particularly limited, but include acetic acid, acetylacetone, thiocarbamic acid derivatives, 2-acylphenol, picolinic acid and the like. Preferably, it is a derivative.

以下に、一般式（１）または（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, specific examples of the orthometallated rhodium complex represented by the general formula (1) or (2) will be given, but the present invention is not limited thereto.

前記一般式（１）及び（２）で表される各々のオルトメタル化錯体（オルトメタル化ロジウム錯体ともいう）は、中心金属Ｒｈと配位子とからなる、いわゆる金属錯体であるが、前記金属錯体の配位子の部分は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、ｐ２５７９〜２５８１（２００１）等を参考にして合成することが出来、また、前記配位子と中心金属Ｒｈ（原子でも金属イオンでもよい）との金属錯体は、前記の参考文献に記載の方法を適用することにより合成できる。   Each of the orthometallated complexes (also referred to as orthometallated rhodium complexes) represented by the general formulas (1) and (2) is a so-called metal complex comprising a central metal Rh and a ligand. The ligand portion of the metal complex is described in, for example, Organic Letter Magazine, vol. 16, p2579-2581 (2001), etc., and the metal complex of the ligand and the central metal Rh (which may be an atom or a metal ion) is described in the above-mentioned reference. It can be synthesized by applying the method.

（発光ホストと発光ドーパントとの混合比）
発光層中の主成分であるホスト化合物である発光ホストに対する発光ドーパントとの混合比は好ましくは質量で０．１質量％〜３０質量％未満の範囲に調整することである。 (Mixing ratio of luminescent host and luminescent dopant)
The mixing ratio with the luminescent dopant to the luminescent host, which is the host compound as the main component in the luminescent layer, is preferably adjusted to a range of 0.1% by mass to less than 30% by mass.

ただし、発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いても良く、混合する相手は構造を異にするロジウム錯体でも、その他の構造を有するリン光性ドーパントや蛍光性ドーパントでもよい。   However, the light emitting dopant may be a mixture of plural kinds of compounds, and the mixture partner may be a rhodium complex having a different structure or a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant having another structure.

ここで、本発明に係る発光ドーパントであるロジウム錯体と併用しても良いドーパント（リン光性ドーパント、蛍光性ドーパント等）について述べる。   Here, dopants (phosphorescent dopants, fluorescent dopants, and the like) that may be used in combination with the rhodium complex as the luminescent dopant according to the present invention will be described.

発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの２種類がある。   Light-emitting dopants are broadly classified into two types: fluorescent dopants that emit fluorescence and phosphorescent dopants that emit phosphorescence.

前者（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。   Representative examples of the former (fluorescent dopant) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squarium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, Examples include perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex fluorescent materials.

後者（リン光性ドーパント）の代表例としては、好ましくは元素の周期表で８属、９属、１０属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   As a typical example of the latter (phosphorescent dopant), a complex compound containing a metal of Groups 8, 9, and 10 in the periodic table of the elements is preferable, and an iridium compound, an osmium compound, or Platinum compounds (platinum complex-based compounds) are the most preferable, and iridium compounds are the most preferable.

次に、代表的な有機ＥＬ素子の構成について述べる。   Next, the configuration of a typical organic EL element will be described.

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。 << Constituent Layer of Organic EL Element >>
The constituent layers of the organic EL device of the present invention will be described.

本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（v）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（vi）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（vii）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
《阻止層（電子阻止層、正孔阻止層）》
本発明に係る阻止層（例えば、電子阻止層、正孔阻止層）について説明する。 In the present invention, preferred specific examples of the layer constitution of the organic EL element are shown below, but the present invention is not limited to these.
(I) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (ii) anode / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (iii) anode / Hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode ( v) anode / hole transport layer / electron blocking layer / emission layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vi) anode / anode buffer layer / hole transport layer / electron blocking layer / emission layer / Hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vii) anode / anode buffer layer / hole transport layer / electron blocking layer / emission layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode << Blocking layer (electron blocking layer, hole blocking layer) >>
The blocking layer (for example, an electron blocking layer and a hole blocking layer) according to the present invention will be described.

本発明においては、発光層に隣接する隣接層、例えば、正孔阻止層、電子阻止層等に、上記のロジウム錯体（例えば、前記一般式（１）で表される部分構造またはその互変異生体を有するオルトメタル化ロジウム錯体等）を用いることが好ましく、特に好ましくは正孔阻止層に用いることである。   In the present invention, the above-mentioned rhodium complex (for example, the partial structure represented by the general formula (1) or a tautomer thereof) is provided on an adjacent layer adjacent to the light emitting layer, for example, a hole blocking layer, an electron blocking layer, or the like. It is preferable to use an ortho-metallated rhodium complex having the above formula, and it is particularly preferable to use it for the hole blocking layer.

上記ロジウム錯体を正孔阻止層、電子阻止層に含有させる場合、前記ロジウム錯体を層として１００質量％の状態で含有させてもよいし、他の有機化合物（例えば、本発明に係る有機化合物含有層に用いられる化合物等）と混合してもよい。   When the rhodium complex is contained in the hole blocking layer and the electron blocking layer, the rhodium complex may be contained in a state of 100% by mass as a layer, or may be contained in another organic compound (for example, the organic compound according to the present invention). And the like used for the layer).

本発明に係る阻止層の膜厚としては好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。また、ロジウム錯体としては前記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体が好ましく用いられる。   The thickness of the blocking layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm. Further, as the rhodium complex, an orthometallated rhodium complex represented by the general formula (1) is preferably used.

《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 《Hole blocking layer》
The hole blocking layer has a function of an electron transporting layer in a broad sense, and is made of a material having an extremely small ability to transport holes while having a function of transporting electrons, and blocks holes while transporting electrons. This can improve the probability of recombination between electrons and holes.

正孔阻止層としては、例えば特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック）層等を本発明に係る正孔阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることが出来る。   Examples of the hole blocking layer include JP-A-11-204258 and JP-A-11-204359, and "Organic EL Devices and Their Forefront of Industrialization (NTS, November 30, 1998)". A hole blocking (hole block) layer described on page 237 or the like can be applied as the hole blocking layer according to the present invention. In addition, the configuration of the electron transport layer described later can be used as a hole blocking layer according to the present invention, if necessary.

《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。 《Electron blocking layer》
On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material having a function of transporting holes and having an extremely small ability to transport electrons. Blocking can improve the probability of recombination of electrons and holes. In addition, the configuration of a hole transport layer described later can be used as an electron blocking layer as needed.

また、本発明においては、発光層に隣接する隣接層、即ち、正孔阻止層、電子阻止層に、上記の本発明に係るロジウム錯体を用いることが好ましく、特に正孔阻止層に用いることが好ましい。   In the present invention, the rhodium complex according to the present invention is preferably used for an adjacent layer adjacent to the light emitting layer, that is, for the hole blocking layer and the electron blocking layer, and is particularly preferably used for the hole blocking layer. preferable.

《発光層》
本発明においては、前記ロジウム錯体を発光ドーパントに、前記リン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物を発光ホストに用いることが好ましいが、これら以外にも公知の発光ホストや発光ドーパントを併用してもよい。 << Light-emitting layer >>
In the present invention, the rhodium complex is used as a light emitting dopant, and the compound having the phosphorescence 0-0 band of 450 nm or less is preferably used as a light emitting host. Is also good.

併用してもよい公知の発光ホストとしては、後述の電子輸送材料及び正孔輸送材料もその相応しい一例として挙げられ、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。   As a known luminescent host that may be used in combination, an electron transporting material and a hole transporting material described below are also exemplified as suitable examples thereof. The fluorescent maximum wavelength is preferably 415 nm or less, and the 0-0 band of phosphorescence is preferably used. More preferably, it is 450 nm or less.

この発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   This light emitting layer can be formed by forming the above compound into a thin film by a known thinning method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. The thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually selected in the range of 5 nm to 5 μm. This light-emitting layer may have a single-layer structure composed of one or two or more of these light-emitting materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

また、この発光層は、特開昭５７−５１７８１号公報に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。   Further, as described in JP-A-57-51781, this light-emitting layer is prepared by dissolving the light-emitting material together with a binder such as a resin in a solvent to form a solution, and then spin-coating the solution. It can be formed as a thin film. The thickness of the light emitting layer thus formed is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the situation, but is usually in the range of 5 nm to 5 μm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。 《Hole transport layer》
The hole transport layer includes a material having a function of transporting holes. In a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。   There is no particular limitation on the hole transporting material. Conventionally, in photoconductive materials, those commonly used as hole charge injecting and transporting materials and known materials used in hole injecting layers and hole transporting layers of EL devices are known. Any of these can be selected and used.

正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be an organic substance or an inorganic substance. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbenes Derivatives, silazane derivatives, aniline-based copolymers, conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers, and the like can be given.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   As the hole transporting material, those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。   Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, N ′ − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two of those described in U.S. Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule thereof, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 No. 88,4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units are linked in a starburst form (MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or a polymer material in which these materials are used as a polymer main chain, can also be used.

また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Further, inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は４１５ｎｍ以下に蛍光極大波長を有することが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、正孔輸送材料は、高Ｔｇであることが好ましい。   In the present invention, the hole transporting material of the hole transporting layer preferably has a fluorescence maximum wavelength of 415 nm or less, and more preferably the 0-0 band of phosphorescence is 450 nm or less. Further, the hole transport material preferably has a high Tg.

この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, and an LB method. The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5000 nm. The hole transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。 《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons. In a broad sense, the electron transport layer includes an electron injection layer and a hole blocking layer. The electron transport layer can be provided with a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、下記の材料が知られている。   Conventionally, the following materials are used as an electron transporting material (also serving as a hole blocking material) used for a single layer of an electron transporting layer and an electron transporting layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side with respect to the light emitting layer. Are known.

さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。   Further, the electron transporting layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the material thereof, any one of conventionally known compounds can be selected and used. .

この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of materials used for the electron transport layer (hereinafter, referred to as electron transport materials) include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene perylene, carbodiimide, Examples include fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Further, in the oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which an oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as the electron transport material.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or a polymer material in which these materials are used as a polymer main chain, can also be used.

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, for example, tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal free or metal phthalocyanine, or those whose terminals are substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like, can also be preferably used as the electron transport material. Further, the distyrylpyrazine derivative exemplified as a material for the light emitting layer can be used as an electron transporting material, and like the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic materials such as n-type Si and n-type SiC can be used. Semiconductors can also be used as electron transport materials.

電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
電子輸送層に用いられる化合物は、高Ｔｇである化合物が好ましい。 The preferred compound used in the electron transport layer preferably has a maximum fluorescence wavelength of 415 nm or less, and more preferably has a 0-0 band of phosphorescence of 450 nm or less.
The compound used for the electron transport layer is preferably a compound having a high Tg.

この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an inkjet method, and an LB method. The thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm. The electron transport layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.

次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層について説明する。   Next, an injection layer used as a constituent layer of the organic EL device of the present invention will be described.

《注入層》：電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。 << Injection Layer >>: Electron Injection Layer, Hole Injection Layer The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and It may be present between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。   The injection layer is a layer provided between the electrode and the organic layer for lowering the driving voltage and improving the light emission luminance. “The organic EL element and the forefront of its industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998) )), Vol. 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166), which includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, and JP-A-8-288069, and specific examples thereof include copper phthalocyanine. Typical examples include a phthalocyanine buffer layer, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586 and the like. Specifically, strontium and aluminum And the like, a metal buffer layer represented by lithium fluoride, an alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride, an oxide buffer layer represented by aluminum oxide, and the like. Can be

上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好ましい。   The buffer layer (injection layer) is desirably a very thin film, and the thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm, depending on the material.

この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この注入層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。   The injection layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, and an LB method. The thickness of the injection layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm. The injection layer may have a single-layer structure made of one or more of the above materials.

《陽極》
本発明の有機ＥＬ素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。 "anode"
As the anode according to the organic EL device of the present invention, a material having a large work function (4 eV or more), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO ₂ , and ZnO. Alternatively, a material such as IDIXO (In ₂ O ₃ —ZnO) that can form an amorphous and transparent conductive film may be used. The anode may form a thin film by depositing these electrode materials by a method such as evaporation or sputtering, and form a pattern of a desired shape by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not so required (100 μm or more). Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material. When light is extracted from the anode, the transmittance is desirably greater than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, the thickness depends on the material, but is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 "cathode"
On the other hand, as the cathode according to the present invention, a metal having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O) ₃ ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among them, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a large work function, such as a magnesium / silver mixture, magnesium / Aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixture, lithium / aluminum mixture, aluminum and the like are preferred. The cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering. Further, the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode and the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is advantageously improved.

《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》
本発明の有機ＥＬ素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 << Substrate (also referred to as substrate, substrate, support, etc.) >>
The substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, and the like, and is not particularly limited as long as it is transparent. A light-transmitting resin film can be used. A particularly preferred substrate is a resin film that can provide flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。   Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyether imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose triacetate. (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) and the like.

樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 An inorganic or organic coating or a hybrid coating of both may be formed on the surface of the resin film, and a high barrier film having a water vapor transmission rate of 0.01 g / m ² · day · atm or less may be used. preferable.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは２％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic electroluminescent device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 2% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons flowing to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。   Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination.

照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム（アンチグレアフィルム等）を併用することもできる。   When used for lighting purposes, a film having a roughened surface (such as an anti-glare film) may be used in combination to reduce light emission unevenness.

多色表示装置として用いる場合は少なくとも２種類の異なる発光極大波長を有する有機ＥＬ素子からなるが、有機ＥＬ素子を作製する好適な例を説明する。   When used as a multicolor display device, it is composed of at least two types of organic EL elements having different emission maximum wavelengths. A preferred example of manufacturing an organic EL element will be described.

《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。 << Method of manufacturing organic EL element >>
As an example of a method for producing an organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a cathode will be described.

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode. I do. Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, which are element materials, is formed thereon.

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０^-6Ｐａ〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As a method of thinning the organic compound thin film, there are spin coating method, casting method, ink jet method, vapor deposition method, printing method and the like as described above, but a uniform film is easily obtained and pinholes are hardly generated. In view of the above, the vacuum evaporation method or the spin coating method is particularly preferable. Further, a different film forming method may be applied to each layer. When employing the vapor deposition film, the deposition conditions may vary due to kinds of materials used, generally boat temperature 50 ° C. to 450 ° C., vacuum of 10 ^-6 Pa to 10 ^-2 Pa, deposition rate 0 It is preferable to appropriately select from the range of 0.01 nm to 50 nm / sec, the substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and the thickness of 0.1 nm to 5 μm.

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After forming these layers, a thin film made of a material for a cathode is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in a range of 50 nm to 200 nm, and a cathode is provided. As a result, a desired organic EL device is obtained. In the production of this organic EL element, it is preferable to produce from the hole injection layer to the cathode consistently by one evacuation, but it is also possible to take it out in the middle and apply a different film forming method. At that time, it is necessary to consider that the operation is performed in a dry inert gas atmosphere.

《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。 《Display device》
The display device of the present invention will be described.

本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。   Although the display device of the present invention may be a single color or a multicolor, here, a multicolor display device will be described. In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only when a light emitting layer is formed, and a film can be formed on one surface by an evaporation method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like.

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。   When patterning is performed only on the light emitting layer, the method is not particularly limited, but is preferably an evaporation method, an inkjet method, or a printing method. When using an evaporation method, patterning using a shadow mask is preferable.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。   In addition, it is also possible to reverse the manufacturing order and manufacture the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.

このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Also, even if a voltage is applied in the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The waveform of the applied AC may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。   The multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emission light sources. In a display device and a display, full-color display can be performed by using three types of organic EL elements emitting blue, red, and green light.

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。   Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a teletext display, and information display in a car. In particular, it may be used as a display device for reproducing a still image or a moving image, and when used as a display device for reproducing a moving image, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.

発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。   Lighting sources include home lighting, interior lighting, backlights for watches and LCDs, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copiers, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. But not limited thereto.

《照明装置》
本発明の照明装置につ居て説明する。 《Lighting device》
The lighting device of the present invention will be described.

本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。   The organic EL device of the present invention may be used as an organic EL device having a resonator structure. The organic EL device having such a resonator structure may be used as a light source for an optical storage medium, an electrophotographic copying machine. , A light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, and the like, but are not limited thereto. In addition, laser oscillation may be used for the above purpose.

また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。   Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination light source or an exposure light source, a projection device of a type for projecting an image, or a type of a type for directly recognizing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display). When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of the organic EL elements of the present invention having different emission colors.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including an organic EL element. FIG. 3 is a schematic diagram of a display such as a mobile phone for displaying image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。   The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line are converted into an image data signal by the scanning signal. In response, the light is sequentially emitted, the image is scanned, and the image information is displayed on the display unit A.

図２は、表示部Ａの模式図である。   FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。   The display section A has a wiring section including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.

図においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。   The figure shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。   The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions (for details, FIG. Not shown).

画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data. By appropriately arranging pixels in a red region, pixels in a green region, and pixels in a blue region on the same substrate, full-color display becomes possible.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, a light emitting process of the pixel will be described.

図３は、画素の模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.

画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。   Each pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full-color display can be performed by using red, green, and blue light-emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels and juxtaposing them on the same substrate.

図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。   In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6. When a scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11 from the control unit B via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is transferred to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the driving of the drive transistor 12 is turned on. The driving transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7, a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and from the power supply line 7 to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。   When the scanning signal is transferred to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even when the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. The light emission of the organic EL element 10 continues until this. When the next scanning signal is applied by the sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.

すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the organic EL element 10 emits light by providing a switching transistor 11 and a driving transistor 12 as active elements to the organic EL elements 10 of each of the plurality of pixels, and emitting light of the organic EL elements 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations based on a multi-valued image data signal having a plurality of gradation potentials, or ON / OFF of a predetermined light emission amount based on a binary image data signal. May be.

また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   Further, the holding of the potential of the capacitor 13 may be continued until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   The present invention is not limited to the active matrix method described above, but may be a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light in accordance with a data signal only when a scanning signal is scanned.

図４は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。   FIG. 4 is a schematic view of a display device using a passive matrix system. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape facing each other with the pixel 3 interposed therebetween.

順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。   When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by the sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.

パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。   In the passive matrix system, there is no active element in the pixel 3, and the manufacturing cost can be reduced.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例１
《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製》：比較例
陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極（陽極）を設けた透明支持基板をｉｓｏ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。 Example 1
<< Preparation of Organic EL Element OLED1-1 >>: Comparative Example After patterning a substrate (manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd .: NA-45) on which 150 nm of ITO was formed on glass as an anode, this ITO transparent electrode (anode) was used. The transparent support substrate provided with was subjected to ultrasonic cleaning with iso-propyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、５つのモリブデン製抵抗加熱ボートに、α−ＮＰＤ、ＣＢＰ（比較化合物１）、Ｉｒ−１、ＢＣＰ、Ａｌｑ₃をそれぞれ入れ真空蒸着装置に取付けた。 The transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while α-NPD, CBP (Comparative Compound 1), Ir-1, BCP, and Alq ₃ were respectively placed in five molybdenum resistance heating boats. It was attached to a vacuum evaporation apparatus.

次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板に膜厚５０ｎｍの厚さになるように蒸着し、正孔輸送層を設けた。 Next, after the pressure in the vacuum chamber was reduced to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec to 0.2 nm / sec. The hole transporting layer was provided by vapor deposition so as to have a thickness of 50 nm.

さらに、ＣＢＰ（比較化合物１）の入った前記加熱ボートとＩｒ−１の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるＣＢＰ（比較化合物１）と発光ドーパントであるＩｒ−１の蒸着速度が１００：７になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。   Further, the heating boat containing CBP (Comparative Compound 1) and the boat containing Ir-1 were independently energized to deposit CBP (Comparative Compound 1) as a light emitting host and Ir-1 as a light emitting dopant. Was adjusted so as to be 100: 7, and vapor deposition was performed so as to have a thickness of 30 nm to provide a light emitting layer.

ついで、ＢＣＰ（比較化合物６）の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。更に、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。 Then, the heating boat containing BCP (Comparative Compound 6) was energized and heated to provide a hole blocking layer having a thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.1 nm / sec to 0.2 nm / sec. Further, the heating boat containing Alq ₃ was heated by energizing, and an electron transporting layer having a thickness of 40 nm was provided at a deposition rate of 0.1 nm / sec to 0.2 nm / sec.

次に、真空槽をあけ、電子輸送層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクを設置し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウム３ｇを入れ、タングステン製の蒸着用バスケットに銀を０．５ｇ入れ、再び真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧した後、マグネシウム入りのボートに通電して蒸着速度１．５ｎｍ／秒〜２．０ｎｍ／秒でマグネシウムを蒸着し、この際、同時に銀のバスケットを加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で銀を蒸着し、前記マグネシウムと銀との混合物から成る陰極（２００ｎｍ）を作製した。 Next, a vacuum chamber was opened, and a stainless steel rectangular perforated mask was set on the electron transport layer. Meanwhile, 3 g of magnesium was placed in a molybdenum resistance heating boat, and silver was placed in a tungsten deposition basket in a volume of 0.1 g. 5 g, and the pressure in the vacuum chamber was again reduced to 2 × 10 ⁻⁴ Pa. Then, electricity was supplied to a boat containing magnesium to deposit magnesium at a deposition rate of 1.5 nm / sec to 2.0 nm / sec. Was heated and silver was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / sec to produce a cathode (200 nm) composed of the mixture of magnesium and silver.

更に、この有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス）へ移し、図５に示す概略模式図のような封止構造にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を作製した。   Further, the organic EL element was transferred to a glove box under a nitrogen atmosphere (a glove box replaced with a high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) without being brought into contact with the atmosphere, as shown in the schematic diagram of FIG. The organic EL element OLED1-1 was manufactured with a sealing structure.

尚、図５中、補水剤である酸化バリウム２５は、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜（ミクロテックス：Ｓ−ＮＴＦ８０３１Ｑ（日東電工製））でガラス製封止缶２４に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１との接着には紫外線硬化型の接着剤２７を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止素子とした。   In FIG. 5, barium oxide 25 as a water replenishing agent is obtained by coating a high-purity barium oxide powder manufactured by Aldrich Co. with a fluororesin semipermeable membrane with an adhesive (Microtex: S-NTF8031Q (manufactured by Nitto Denko)). What was pasted on the glass sealing can 24 was prepared and used in advance. The sealing can was bonded to the organic EL element OLED1-1 using an ultraviolet curable adhesive 27, and the two were bonded by irradiating an ultraviolet lamp to form a sealing element.

《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２１の作製》
上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製において、発光層の作製に用いた発光ホストであるＣＢＰ（比較化合物１）と発光ドーパントであるＩｒ−１を表１に記載の化合物に替えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２１を各々作製した。 << Preparation of Organic EL Element OLED1-2 ~ 1-21 >>
In the above-mentioned production of the organic EL device OLED1-1, the same as above except that the light-emitting host CBP (Comparative Compound 1) and the light-emitting dopant Ir-1 used in the production of the light-emitting layer were replaced with the compounds shown in Table 1. Thus, organic EL elements OLED1-2 to 1-21 were respectively manufactured.

得られた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−２１の各々について下記のような評価を行った。   The following evaluation was performed about each of the obtained organic EL elements OLED1-1 to 1-21.

《発光効率（発光輝度、外部取り出し量子効率ともいう）》
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２１の各々の素子を温度２３度、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による連続点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ²］及び外部取り出し量子効率（η）を測定した。ここで、発光輝度の測定などは、ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。 << Emission efficiency (also referred to as emission brightness and external extraction quantum efficiency) >>
Each element of the organic EL elements OLED1-2 to 1-21 was continuously lit under a constant current condition of ^2.5 mA / cm ^{2 in} a dry nitrogen gas atmosphere at a temperature of 23 ° C., and the light emission luminance (L ) [Cd / m ² ] and external extraction quantum efficiency (η) were measured. Here, CS-1000 (manufactured by Minolta) was used for measurement of light emission luminance and the like.

また、外部取り出し量子効率は、各々有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００とした時の相対値で表した。得られた結果を表１に示す。   Further, the external extraction quantum efficiency was represented by a relative value when the organic EL element OLED1-1 was set to 100. Table 1 shows the obtained results.

表１から、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１１〜ＯＬＥＤ１−２１で示されるように、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍよりも短波長である本発明に係る発光ホストと本発明に係るオルトメタル化ロジウム錯体との組み合わせでは、いずれも著しく発光効率が向上していることが判る。特に、リン光０−０バンドが４３０ｎｍよりも短波長な発光ホストを用いた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１３〜１−２１ではその改善効果が著しいことがわかる。   From Table 1, as shown in the organic EL elements OLED1-1-1 to OLED1-21, the light-emitting host according to the present invention and the ortho-metallated rhodium according to the present invention in which the 0-0 band of phosphorescence has a shorter wavelength than 450 nm. It can be seen that the luminous efficiency was remarkably improved in each case of the combination with the complex. In particular, it can be seen that the improvement effect is remarkable in the organic EL elements OLED1-13 to 1-21 using a light emitting host having a phosphorescent 0-0 band having a wavelength shorter than 430 nm.

表１において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−５及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２２〜１−２５で示されるように、発光ドーパントとして、中心金属がＲｈ（ロジウム）ではなＩｒ（くイリジウム）に変更しただけの従来公知のオルトメタル化イリジウム錯体を発光ドーパントに用いた素子では、発光ホストのリン光０−０バンドが４５０ｎｍよりも長波長であっても、短波であっても、それほど大きな発光効率の変動はなく、上記の本発明の有機ＥＬ素子のような著しい発光効率の改善効果は全く認められない。   In Table 1, as shown in the organic EL elements OLED1-1 to 1-5 and the organic EL elements OLED1-2 to 1-25, as a light-emitting dopant, the central metal was Ir (rhodium) instead of Rh (rhodium). In a device using a conventionally known modified ortho-metallated iridium complex as a light-emitting dopant, the phosphorescent 0-0 band of the light-emitting host may have a longer or shorter wavelength than 450 nm or a short wavelength. There is no change in efficiency, and no remarkable effect of improving luminous efficiency as in the organic EL device of the present invention described above is observed.

それどころか、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−６〜１−９で示されるような、本発明に係るオルトメタル化ロジウム錯体（因みに、Ｉｒ−１とＤ−９は中心金属違いの同一配位子を持つ錯体）を発光ドーパントに用い、リン光０−０バンドが４５０ｎｍよりも長波長である従来公知の発光ホストを用いた素子では、発光効率が上昇するどころか、逆に著しく発光効率が低下するという結果しか得られないことが判る。   On the contrary, the ortho-metallated rhodium complex according to the present invention as shown in the organic EL elements OLED1-6 to 1-9 (by the way, Ir-1 and D-9 are complexes having the same ligand having a different central metal). In a device using a conventionally known light-emitting host in which the phosphorescent 0-0 band has a wavelength longer than 450 nm using phosphor as a light-emitting dopant, not only the light-emitting efficiency is increased but, conversely, the light-emitting efficiency is significantly reduced. It turns out that it cannot be done.

なお、このことは図７に示した発光ホストのリン光０−０バンドと発光効率を示すプロット図からも読みとることができる。つまり、発光ホストの性能は化合物の骨格によらずリン光の０−０バンドが短波長であることが重要であることがわかった。   Note that this can also be read from a plot showing the phosphorescent 0-0 band and the luminous efficiency of the luminescent host shown in FIG. That is, it was found that the performance of the light emitting host is important that the 0-0 band of the phosphorescence has a short wavelength regardless of the skeleton of the compound.

実施例２
《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１の作製》
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の正孔輸送層を構成するα−ＮＰＤの代わりに、Ｈ−１５を用いて電子阻止層を形成し、次いで、正孔阻止層をＢＣＰ（比較化合物６）からＨ−１６に換え、発光層の作製に用いたＣＢＰ（比較化合物１）はそのままにして、発光ドーパントをオルトメタル化イリジウム錯体（Ｉｒ−１）をオルトメタル化ロジウム錯体Ｄ−１に変更した以外は全く同様にして、封止構造を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１を作製した。 Example 2
<< Preparation of organic EL element OLED2-1 >>
An electron blocking layer was formed using H-15 instead of α-NPD constituting the hole transporting layer of the organic EL element OLED1-1 of Example 1, and then the hole blocking layer was replaced with BCP (Comparative Compound 6). ) Was replaced with H-16, and the CBP (Comparative Compound 1) used in the production of the light-emitting layer was left as it was, and the light-emitting dopant was changed from the ortho-metallated iridium complex (Ir-1) to the ortho-metallated rhodium complex D-1. An organic EL element OLED2-1 having a sealing structure was produced in exactly the same manner as described above.

《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−２〜２−２０の作製》
上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１の発光層の作製に用いたＣＢＰ（比較化合物１）と発光ドーパント（Ｄ−１）を表２に記載の化合物に替えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−２〜２−２０を各々作製した。 << Preparation of organic EL element OLED2-2 to 2-20 >>
The organic EL element OLED2 was prepared in the same manner except that the CBP (Comparative Compound 1) and the luminescent dopant (D-1) used for producing the light emitting layer of the organic EL element OLED2-1 were changed to the compounds shown in Table 2. 2-2 to 2-20 were each produced.

得られた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−２０の各々について下記のような評価を行った。   The following evaluation was performed about each of the obtained organic EL elements OLED2-1 to 2-20.

《発光寿命》
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−２０の各素子を２３℃、２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（τ₁／₂）を測定した。 《Emission life》
The time required for each element of the organic EL elements OLED2-1 to 2-20 to be continuously lit under a constant current condition of 23 ° C. and 2.5 mA / cm ² to reach half the initial luminance (τ ₁ / ₂ ) was measured.

また、発光寿命は、各々有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１を１００とした時の相対値で表した。得られた結果を表２に示す。   In addition, the light emission life was represented by a relative value when the organic EL element OLED2-1 was 100. Table 2 shows the obtained results.

表２から、発光ホストにリン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下である化合物を用いた有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２−６〜２−１２及び２−１４〜２−２０）は、前記０−０バンドが４５０ｎｍよりも長波長である発光ホストを用いた有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ２−１〜２−５及び２−１３）よりも発光寿命が長くなることがわかった。   From Table 2, it can be seen that the organic EL devices (OLEDs 2-6 to 2-12 and 2-14 to 2-20) using a compound in which the 0-0 band of phosphorescence is 450 nm or less as the light-emitting host show the 0-0 band. It was found that the emission lifetime was longer than that of the organic EL devices (OLEDs 2-1 to 2-5 and 2-13) using a light emitting host having a wavelength longer than 450 nm.

また、同じオルトメタル化ロジウム錯体でも、対象形の錯体（Ｄ−１）よりも非対称形の錯体（Ｄ−９）の方が相対的に寿命が長いことがわかった。   In addition, even with the same orthometallated rhodium complex, it was found that the asymmetric complex (D-9) has a longer life than the target complex (D-1).

なお、このことは、Ｄ−２とＤ−１０、Ｄ−２８、Ｄ−３０、Ｄ−３２でも、Ｄ−３とＤ−１１、Ｄ−１９でも、Ｄ−４とＤ−１２、Ｄ−２０でも同様の傾向があることがわかった。   This means that D-2 and D-10, D-28, D-30 and D-32, D-3 and D-11, D-19, D-4 and D-12, D- 20 also showed the same tendency.

表２に示した有機ＥＬ素子は全て、正孔輸送層及び電子輸送層にもリン光の０−０バンドが４５０ｎｍよりも短波長な化合物を用いているが、これらを実施例１の有機ＥＬ素子で用いたようなリン光の０−０バンドが長波長な化合物（α−ＮＰＤ及びＢＣＰ）に置き換えると発光効率が約５％〜１５％低下し、発光寿命も５％〜２５％程度低くなってしまうことがわかった。   In all of the organic EL devices shown in Table 2, compounds having a 0-0 band of phosphorescence having a shorter wavelength than 450 nm were used for the hole transport layer and the electron transport layer. When the phosphorescent 0-0 band used in the device is replaced with a compound having a long wavelength (α-NPD and BCP), the luminous efficiency is reduced by about 5% to 15%, and the luminescent life is also reduced by about 5% to 25%. It turned out to be.

従って、オルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いる有機ＥＬ素子においては、発光ホストにリン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物を用いることが非常に効果的であるが、さらに電子輸送層や正孔輸送層にもリン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下の短波長な化合物を用いることが好ましいことがわかった。   Therefore, in an organic EL device using an orthometallated rhodium complex as a light emitting dopant, it is very effective to use a compound having a phosphorescent 0-0 band of 450 nm or less as a light emitting host. It was found that it is preferable to use a compound having a short wavelength of 0 to 0 nm of phosphorescence of 450 nm or less for the hole transport layer.

実施例３
《有機ＥＬ素子３−１〜３−１５の作製》
実施例１の有機ＥＬ素子１−１の作製において、正孔阻止層の作製に用いたＢＣＰを表３に記載の化合物構成に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−１〜３−１５を各々作製した。また、有機ＥＬ素子１−１は実施例１と同様にして作製し、比較例とした。 Example 3
<< Preparation of Organic EL Elements 3-1 to 3-15 >>
In the preparation of the organic EL device 1-1 of Example 1, the organic EL devices 3-1 to 3- were prepared in the same manner except that the BCP used for preparing the hole blocking layer was changed to the compound configuration shown in Table 3. 15 were each produced. Further, the organic EL element 1-1 was produced in the same manner as in Example 1, and was used as a comparative example.

得られた有機ＥＬ素子１−１、３−１〜３−１５について、実施例１と同様にして発光効率を、実施例２と同様にして発光寿命を各々評価し、得られた結果を表３に示す。   With respect to the obtained organic EL devices 1-1 and 3-1 to 3-15, the luminous efficiency was evaluated in the same manner as in Example 1, and the luminous life was evaluated in the same manner as in Example 2. 3 is shown.

尚、表３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１２〜３−１５のように、正孔阻止層を構成する化合物が２種類の場合の比率は、質量比を表す。   In addition, as in the organic EL elements OLEDs 3-12 to 3-15 in Table 3, the ratio when two kinds of compounds are included in the hole blocking layer represents a mass ratio.

表３から、比較に比べて本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率、発光寿命共に飛躍的に向上することがわかる。また、本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１２〜３−１５の評価結果から、本発明に係るロジウム錯体を正孔阻止層に微量ドープするだけでも本発明に記載の効果が得られることが明らかである。   From Table 3, it can be seen that the organic EL device of the present invention dramatically improves both the luminous efficiency and the luminous life as compared with the comparison. In addition, from the evaluation results of the organic EL elements OLEDs 3-12 to 3-15 of the present invention, it is clear that the effect described in the present invention can be obtained only by doping a small amount of the rhodium complex according to the present invention into the hole blocking layer. is there.

実施例４
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光素子の作製）
実施例２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−６の発光層に用いた発光ドーパントをＤ−１からＤ−２１に変更し、電子輸送層のＡｌｑ₃を製膜した後にフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して、陰極バッファー層、陰極を各々形成した以外は同様にして、青色発光素子を作製した。 Example 4
<< Production of full-color display device >>
(Production of blue light emitting element)
The luminescent dopant used in the light emitting layer of the organic EL element OLED2-6 of Example 2 was changed from D-1 to D-21, lithium fluoride 0.5nm and aluminum 110nm after film formation of the Alq ₃ electron transporting layer Was deposited to form a cathode buffer layer and a cathode, respectively, to produce a blue light-emitting device.

（緑色発光素子の作製）
上記の青色発光素子の発光層に用いた発光ドーパントをＤ−２１からＤ−９に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製した。 (Production of green light emitting element)
A green light-emitting device was manufactured in the same manner except that the light-emitting dopant used in the light-emitting layer of the blue light-emitting device was changed from D-21 to D-9.

（赤色発光素子の作製）
上記の青色発光素子の作製において、発光ドーパントをＤ−２１からＩｒ−２に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製した。 (Production of red light emitting element)
A red light-emitting element was produced in the same manner as in the production of the blue light-emitting element except that the light-emitting dopant was changed from D-21 to Ir-2.

上記で作製した、各々赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。   The red, green, and blue light-emitting organic EL elements produced above were arranged side by side on the same substrate, and an active matrix type full-color display device having the form shown in FIG. 1 was produced. Only a schematic diagram of the display unit A of the display device is shown. That is, on the same substrate, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of juxtaposed pixels 3 (e.g., pixels in a red region, pixels in a green region, pixels in a blue region, etc.). The scanning line 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning line 5 and the data line 6 are orthogonal to each other in a grid and are connected to the pixel 3 at orthogonal positions ( Details are not shown). The plurality of pixels 3 are driven by an active matrix method provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor and an driving element as active elements, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Receives an image data signal from the data line 6 and emits light in accordance with the received image data. Thus, a full-color display device was manufactured by appropriately juxtaposing the red, green, and blue pixels.

該フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが判った。   It was found that by driving the full-color display device, a high-luminance, high-durability, and clear full-color moving image display can be obtained.

実施例５
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例１の透明電極基板の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔輸送層としてα−ＮＰＤを５０ｎｍの厚さで製膜し、さらに、Ｈ−３の入った前記加熱ボートとＤ−２１の入ったボート及びＩｒ−２の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるＨ−３と発光ドーパントであるＤ−２１及びＩｒ−２の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。 Example 5
<< Production of white light emitting element and white lighting device >>
The electrode of the transparent electrode substrate of Example 1 was patterned into 20 mm × 20 mm, and α-NPD was formed thereon as a hole transport layer with a thickness of 50 nm in the same manner as in Example 1; The heating boat, the boat containing D-21, and the boat containing Ir-2 are energized independently, and the deposition rates of H-3, which is a light-emitting host, and D-21, Ir-2, which are light-emitting dopants, are separately supplied. Was adjusted to 100: 5: 0.6, and vapor deposition was performed to a thickness of 30 nm to provide a light emitting layer.

ついで、ＢＣＰを１０ｎｍ製膜して正孔阻止層を設けた。更に、Ａｌｑ₃を４０ｎｍで製膜し電子輸送層を設けた。 Next, a hole blocking layer was provided by forming a film of BCP to a thickness of 10 nm. Further, a film of Alq ₃ was formed at a thickness of 40 nm to provide an electron transport layer.

次に、真空槽をあけ、電子輸送層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着製膜した。   Next, a vacuum chamber was opened, a square perforated mask having almost the same shape as the transparent electrode made of stainless steel was installed on the electron transport layer, and 0.5 nm of lithium fluoride was deposited as a cathode buffer layer and 110 nm of aluminum was deposited as a cathode. A film was formed.

この素子を実施例２と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ平面ランプを作製した。この平面ランプの通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることがわかった。   This element was provided with a sealing can having the same method and the same structure as in Example 2 to produce a flat lamp. When this flat lamp was energized, almost white light was obtained, indicating that the lamp could be used as a lighting device.

得られた平面ランプの平面図を図６（ａ）に、側面図を図６（ｂ）で示す。   FIG. 6A shows a plan view of the obtained flat lamp, and FIG. 6B shows a side view thereof.

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including an organic EL element. 表示部Ａの模式図である。It is a schematic diagram of a display unit A. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel. パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a display device based on a passive matrix system. 有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の概略模式図である。It is a schematic diagram of an organic EL element OLED1-1. 有機ＥＬ素子を具備してなる照明装置の平面模式図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a lighting device including an organic EL element. 発光ホストのリン光０−０バンドと発光効率を示すプロット図である。FIG. 3 is a plot diagram showing a phosphorescent 0-0 band of a light emitting host and luminous efficiency. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。4 is a measurement chart of a steady light spectrum and a phosphorescent spectrum of Exemplified Compound H-1, which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−２の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-2 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−３の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-3 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−４の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-4 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−６の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a steady light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-6 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−７の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-7 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−８の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-8 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−９の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-9 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１０の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-10 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１１の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。4 is a measurement chart of a steady light spectrum and a phosphorescent spectrum of Exemplified Compound H-11, which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１２の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-12 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１３の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-13 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１５の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-15 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−１６の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of the stationary light spectrum and the phosphorescence spectrum of the exemplary compound H-16 which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−２０の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。4 is a measurement chart of a steady light spectrum and a phosphorescent spectrum of Exemplified Compound H-20, which is one of the light emitting hosts. 発光ホストの一つである例示化合物Ｈ−２１の定常光スペクトルとリン光スペクトルの測定チャートである。It is a measurement chart of a stationary light spectrum and a phosphorescence spectrum of exemplary compound H-21 which is one of the light emitting hosts.

符号の説明Explanation of reference numerals

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサ
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
２１ 透明電極付きガラス基板
２２ 有機ＥＬ層
２３ 陰極
２４ ガラス製封止缶
２５ 酸化バリウム（捕水剤）
２６ 窒素ガス
２７ 紫外線硬化型接着剤 Reference Signs List 1 display 3 pixel 5 scanning line 6 data line 7 power supply line 10 organic EL element 11 switching transistor 12 drive transistor 13 capacitor A display unit B control unit 21 glass substrate with transparent electrode 22 organic EL layer 23 cathode 24 glass sealing can 25 Barium oxide (water trapping agent)
26 Nitrogen gas 27 UV curable adhesive

Claims (9)

電極と有機物含有層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機物含有層の少なくとも１層が発光層であり、該発光層が、少なくとも発光ドーパントと発光ホストを有し、該発光ドーパントの少なくとも１種がロジウム錯体であり、且つ、該発光ホストの少なくとも１種のリン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In an organic electroluminescence device having an electrode and an organic-containing layer,
At least one of the organic substance-containing layers is a light-emitting layer, the light-emitting layer has at least a light-emitting dopant and a light-emitting host, at least one of the light-emitting dopants is a rhodium complex, and at least one of the light-emitting hosts is a light-emitting host. An organic electroluminescent device, wherein the 0-0 band of the kind of phosphorescence is 450 nm or less. 電極と有機物含有層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機物含有層が、少なくとも発光層と該発光層に隣接する隣接層の各々に含まれ、該隣接層にロジウム錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 In an organic electroluminescence device having an electrode and an organic-containing layer,
An organic electroluminescent device, wherein the organic-containing layer is included in at least each of a light-emitting layer and an adjacent layer adjacent to the light-emitting layer, and the adjacent layer contains a rhodium complex. 前記隣接層が正孔阻止層であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the adjacent layer is a hole blocking layer. 前記ロジウム錯体が、下記一般式（１）で表される部分構造またはその互変異性体を有するオルトメタル化ロジウム錯体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ₁₁は、Ｘ₁及び窒素原子と共に芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ₁₂は、Ｘ₂及び炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｌ₁は単結合または２価の連結基を表す。尚、ＮとＸ₁及びＣとＸ₂は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕 4. The rhodium complex according to claim 1, wherein the rhodium complex is an orthometallated rhodium complex having a partial structure represented by the following general formula (1) or a tautomer thereof. 5. Organic electroluminescent element.

[In the formula, C represents a carbon atom, N represents a nitrogen atom, Rh represents a rhodium atom, and Z ₁₁ represents an atom group necessary for forming an aromatic ring or a non-aromatic ring together with X ₁ and a nitrogen atom. , Z ₁₂ represent an atomic group necessary for forming an aromatic ring or a non-aromatic ring together with X ₂ and a carbon atom. X ₁ and X ₂ each represent a carbon atom or a nitrogen atom, and L ₁ represents a single bond or a divalent linking group. Note that N and X ₁ and C and X ₂ are each bonded by a single bond or a double bond. ] 前記発光ホストのリン光の０−０バンドが４３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 4, wherein the 0-0 band of phosphorescence of the light emitting host is 430 nm or less. 前記発光層が、発光波長の異なる少なくとも２種の発光ドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains at least two kinds of light emitting dopants having different light emission wavelengths. 発光色が白色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a light emission color is white. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence device according to claim 1. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。 A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to claim 1.

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