JP2004304615A

JP2004304615A - High frequency composite part

Info

Publication number: JP2004304615A
Application number: JP2003096441A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Fukumitsu; 由章福光
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2004-10-28

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency composite part which has a laminated structure with a balun transformer and two matching circuits, and in which the two matching circuit parts can hold the same characteristics. SOLUTION: An insulating substrate 7 has function layers 71 to 83. A balun transformer part 31 includes a first to fourth line conductors 311 to 314 and is disposed between the function layers 72 to 74. A first matching circuit 32 is connected to one end of a third line conductor 313, and a second matching circuit 33 is connected to one end of a fourth line conductor 314. The first and the second matching circuits 32 and 33 are mounted between the same function layers 75 and 76. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波複合部品に関し、更に詳しくは、バルントランス及びマッチング回路を内蔵する積層型の高周波複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
バルントランスは、平衡伝送線路との平衡信号と、不平衡伝送線路の不平衡信号を相互に変換するものであり、近年、携帯電話等の無線通信機器に不可欠なものである。バルントランスのうち、基板内に線路導体を配置して積層した積層型のものは、不平衡線路での信号の漏れが少なく、挿入損失が小さいという利点がある。このような積層型のバルントランスは、特許文献１、２に記載されている。
【０００３】
バルントランスへの入出力信号となる平衡信号は、インピーダンスマッチング回路（以下整合回路部と称する）を通して、送信部、受信部などの外部回路に伝送される。バルントランスの平衡側は、通常、２つの線路導体によって構成されるので、整合回路部は、線路導体のそれぞれ毎に備えられる必要があり、合計２つとなる。
【０００４】
従来、積層型バルントランスでは、整合回路部は、積層型バルントランスの外部に設けられていた。特許文献１、２に記載されたバルントランスも、そのような構成を前提とした積層構造を開示している。その理由の１つは、積層型の場合、２つの整合回路部を、同一特性を持つように形成することが困難であることにある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２１７０３６号公報
【特許文献２】
特開平９−２６０１４５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、バルントランスと２つの整合回路部とを含む積層構造において、２つの整合回路部が同一の特性を保持できるようにした高周波複合部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る高周波複合部品は、絶縁基体と、バルントランス部と、第１の整合回路部と、第２の整合回路部とを含む。前記絶縁基体は、複数の機能層を有する。前記バルントランス部は、第１乃至第４の線路導体を含み、前記機能層の層間に配置され、前記第１の線路導体と前記第３の線路導体とが結合し、前記第２の線路導体と前記第４の線路導体とが結合している。
【０００８】
前記第１の整合回路部は、前記第３の線路導体の一端に接続されており、前記第２の整合回路部は、前記第４の線路導体の一端に接続されている。前記第１の整合回路部及び前記第２の整合回路部は、同一の機能層間に併設されている。
【０００９】
上記構成の高周波複合部品において、バルントランス部、第１及び第２の整合回路部は機能層間に設けられているから、バルントランス部と整合回路部とを、絶縁基体の内部に備える使い勝手に優れた積層型の高周波複合部品が得られる。
【００１０】
バルントランス部は、第１の線路導体及び第２の線路導体が不平衡線路を構成し、第３の線路導体及び第４の線路導体が平衡線路を構成する。
【００１１】
第１の整合回路部は、第３の線路導体の一端に接続されており、第３の線路導体への入出力信号に関して、外部回路とのインピーダンス整合をとる。第２の整合回路部は、第４の線路導体の一端に接続されており、第４の線路導体への入出力信号に関して、外部回路とのインピーダンス整合をとる。
【００１２】
第１の整合回路部を通して第３の線路導体に入力され、またはこれから出力される信号、及び、第２の整合回路部を通して第４の線路導体に入力され、またはこれから出力される信号は、平衡信号でなければならないから、第１の整合回路部及び第２の整合回路部は、特性が平衡していなければならない。本発明では、第１の整合回路部及び第２の整合回路部は、同一の機能層間に併設されているから、異なる機能層間に設ける場合と異なって、第１の整合回路部及び第２の整合回路部に、同一の特性を附与できる。
【００１３】
本発明に係る高周波複合部品は、ローパスフィルタ部を含むことができる。ローパスフィルタ部は、機能層の層間に形成され、一端が第３及び第４の線路導体の他端に接続されている。このようなローパスフィルタを有することにより、このローパスフィルタに電源を供給し、第３及び第４の線路導体、並びに、第１及び第２の整合回路部を通して、外部回路を構成する送信部または受信部に対し、高周波ノイズを除去した動作電源を供給し得る高周波複合部品を実現できる。
【００１４】
更に、積層基板の内部にローパスフィルタを内蔵することにより、ローパスフィルタを個別部品として構成する場合よりも、小型化が可能になる。
【００１５】
本発明の他の目的、構成、及び、利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る高周波複合部品を用いた通信機器の構成を示している。図示された通信機器は、アンテナ１、バンドパスフィルタ（以下ＢＰＦと称する）２、本発明に係る高周波複合部品３、外部回路４及び直流電源５等を含んでいる。高周波複合部品３は、端子Ｔ１〜Ｔ６を含んでおり、端子Ｔ１はＢＰＦ２に接続され、ＢＰＦ２はアンテナ１に接続される。端子Ｔ２は接地され、端子Ｔ３、Ｔ４は、送信／受信回路などの外部回路４に接続され、端子Ｔ５は直流電源５に接続され、端子Ｔ６は接地されている。
【００１７】
高周波複合部品３は、バルントランス部３１と、第１の整合回路部３２と、第２の整合回路部３３とを含む。図示実施例の高周波複合部品３は、更に、ローパスフィルタ部（以下ＬＰＦ部と称する）３４を含んでいる。
【００１８】
バルントランス部３１は、第１乃至第４の線路導体３１１〜３１４を含む。第１乃至第４の線路導体３１１〜３１４は、例えば、（λ／４）のストリップラインまたはマイクロストリップラインとして構成される。第１乃至第４の線路導体３１１〜３１４のうち、第１の線路導体３１１及び第２の線路導体３１２は直列接続の不平衡線路を構成し、一端が端子Ｔ１に接続される。
【００１９】
第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４は、平衡線路を構成するものであって、第３の線路導体３１３が第１の線路導体３１１と電磁誘導によって結合し、第４の線路導体３１４が第２の線路導体３１２と電磁誘導によって結合する。
【００２０】
第１の整合回路部３２は、第３の線路導体３１３の一端に接続されている。第１の整合回路部３２は、第３の線路導体３１３と外部回路４との間のインピーダンス整合をとる。図示された第１の整合回路部３２は、キャパシタＣ１とインダクタＬ１とを含み、キャパシタＣ１及びインダクタＬ１は、一端が第３の線路導体３１３の一端に共通に接続されている。キャパシタＣ１の他端は、接地される端子Ｔ２に接続され、インダクタＬ１の他端は、外部回路４に導かれる端子Ｔ３に接続されている。
【００２１】
第２の整合回路部３３は、第４の線路導体３１４の一端に接続されている。第２の整合回路部３３は、第４の線路導体３１４と外部回路４との間のインピーダンス整合をとる。図示の第４の整合回路部３３は、キャパシタＣ２とインダクタＬ２とを含み、キャパシタＣ２及びインダクタＬ２は、一端が第４の線路導体３１４の一端に共通に接続されている。キャパシタＣ２の他端は、接地される端子Ｔ２に接続され、インダクタＬ２の他端は外部回路４に導かれる端子Ｔ４に接続されている。
【００２２】
ＬＰＦ部３４は、一端が、第３及び第４の線路導体３１３、３１４の他端に接続されている。図示されたＬＰＦ部３４は、キャパシタＣ３、Ｃ４と、インダクタＬ３とを含んでいる。キャパシタＣ３及びインダクタＬ３は、一端が共通に接続され、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４の他端に接続されている。キャパシタＣ３の他端は、接地される端子Ｔ６に接続される。インダクタＬ３の他端は直流電源５が接続される端子Ｔ５に導かれている。キャパシタＣ４の一端は、インダクタＬ３の他端に接続されると共に、直流電源５に接続される端子Ｔ５に導かれている。キャパシタＣ４の他端は、キャパシタＣ３の他端の接続された端子Ｔ６に導かれる。
【００２３】
上記構成の通信装置において、バルントランス部３１は、第１の線路導体３１１及び第２の線路導体３１２が不平衡線路を構成し、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４が平衡線路を構成する。この構造の下で、第１の整合回路部３２が、第３の線路導体３１３の一端に接続されているから、第３の線路導体３１３と、外部回路４とのインピーダンス整合をとることができる。また、第２の整合回路部３３が、第４の線路導体３１４の一端に接続されているから、第４の線路導体３１４と、外部回路４とのインピーダンス整合をとることができる。
【００２４】
図示実施例では、ＬＰＦ部３４を含んでいる。ＬＰＦ部３４を有することにより、ＬＰＦ部３４、第３及び第４の線路導体３１３、３１４、並びに、第１及び第２の整合回路部３２、３３を通して、高周波ノイズを除去した動作電源を、外部回路４に供給し得る。
【００２５】
図２は図１に示された高周波複合部品３の外観斜視図、図３は図２に示した高周波複合部品３の内部構造を示す分解斜視図である。なお、図３の目的は各機能層間に備えられている線路導体またはキャパシタ電極のパターン等を示すことにある。
【００２６】
高周波複合部品３は、絶縁基体７を含む。絶縁基体７は、複数の機能層７１〜８３を積層したものである。図示実施例の絶縁基体７は１３層の機能層７１〜８３を積層した構造となっている。機能層７１〜８３は、有機材料、セラミック材料又は両者を混合した複合材料の何れを用いることもできる。機能層７１〜８３は、各層の役割、機能に応じて、その厚み、並びに、比誘電率、及び、Ｑなどの材料特性が選定される。
【００２７】
第１の機能層７１の表面には、接地電極ＧＮＤ１が形成されている。接地電極ＧＮＤ１は、第１の機能層７１の外縁から若干のギャップを残して、第１の機能層７１の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ１の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ１は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続されている。図３には図示されていないが、図２を見ると明らかなように、第１の機能層７１の表面には、接地電極ＧＮＤ１を完全に覆う機能層が設けられる場合もある。
【００２８】
第１の機能層７１と第２の機能層７２との間には、リード導体パターン７２１が設けられている。リード導体パターン７２１は、一端が端子Ｔ１（図１、図２参照）に接続され、他端がスルーホール（ビアホール）導体７２２に接続される。スルーホール導体７２２は第２の機能層７２を貫通する。
【００２９】
第２の機能層７２と第３の機能層７３との間には、バルントランス部３を構成する第１の線路導体３１１と、第２の線路導体３１２とが備えられている。第１の線路導体３１１及び第２の線路導体３１２は、例えば、（λ／４）のストリップラインまたはマイクロストリップラインとなるように、渦巻き状に形成されていて、その外周で互いに連続している。第１の線路導体３１１の内端には、第２の機能層７２を貫通したスルーホール導体７２２が接続される。
【００３０】
第３の機能層７３と第４の機能層７４との間には、バルントランス部３を構成する第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４が形成されている。第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４は、例えば、（λ／４）のストリップラインまたはマイクロストリップラインとなるように、渦巻き状に形成されていて、その外周で互いに連続している。第３の線路導体３１３は第３の機能層７３を介して、第１の線路導体３１１と電磁結合し、第４の線路導体３１４は第３の機能層７３を介して、第２の線路導体３１２と電磁結合する。
【００３１】
第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４は、内端がスルーホール導体７４１、７４２に接続されている。また、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４の外周部に連なる線路導体の略中間部に、スルーホール導体７４３が設けられている。スルーホール導体７４１〜７４３は第４の機能層７４を貫通する。
【００３２】
第４の機能層７４と第５の機能層７５との間には、接地電極ＧＮＤ２が形成されている。接地電極ＧＮＤ２は、第５の機能層７５の外縁から若干のギャップを残して、第５の機能層７５の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ２の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ２は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続される。接地電極ＧＮＤ２の面内には、スルーホール導体７４１〜７４３と重なるスルーホール導体７５１、７５２、７５３が設けられている。スルーホール導体７５１〜７５３の周りにはリング状の絶縁ギャップが設けられており、スルーホール導体７５１〜７５３は、この絶縁ギャップによって、接地電極ＧＮＤ２から電気的に絶縁されている。第４の機能層７４と第５の機能層７５とを重ねあわせた状態では、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４に設けられたスルーホール導体７４１〜７４３がスルーホール導体７５１〜７５３と接続される。
【００３３】
第５の機能層７５と第６の機能層７６との間には、第１の整合回路部３２及び第２の整合回路部３３が形成されている。第１の整合回路部３２は、キャパシタＣ１のためのキャパシタ電極Ｃ１１とインダクタＬ１を構成する線路導体とを含んでいる。キャパシタ電極Ｃ１１は第５の機能層７５を貫通するスルーホール導体７５１と重なる位置に、平面状に形成されている。従って、第５の機能層７５と第６の機能層７６とを重ねた場合、キャパシタ電極Ｃ１１は第５の機能層７５を貫通するスルーホール導体７５１、及び、第４の機能層７４を貫通するスルーホール導体７４１により、第３の線路導体３１３の内端と接続される。
【００３４】
第１の整合回路部３２のインダクタＬ１を構成する線路導体は、一端がキャパシタ電極Ｃ１１に接続され、他端が端子Ｔ３（図１、図２参照）のある位置に導かれ、端子Ｔ３と接続されている。
【００３５】
第２の整合回路部３３は、キャパシタＣ２のためのキャパシタ電極Ｃ２１と、インダクタＬ２を構成する線路導体とを含んでいる。キャパシタ電極Ｃ２１は、第５の機能層７５を貫通するスルーホール導体７５２と重なる位置に平面状に形成されている。従って、第５の機能層７５と第６の機能層７６とを重ねた場合、キャパシタ電極Ｃ２１は、第５の機能層７５を貫通するスルーホール導体７５２、及び、第４の機能層７４を貫通するスルーホール導体７４２により、第４の線路導体３１４の内端と接続される。
【００３６】
第１の整合回路部３２のインダクタＬ２を構成する線路導体は、一端がキャパシタ電極Ｃ２１に接続され、他端が端子Ｔ４（図１、図２参照）のある位置に導かれ、端子Ｔ４と接続されている。
【００３７】
更に、第６の機能層７６には、第５の機能層７５に設けられたスルーホール導体７５３と重なり合う位置に、スルーホール導体７６３が設けられている。
【００３８】
第６の機能層７６と第７の機能層７７との間には、接地電極ＧＮＤ３が設けられている。接地電極ＧＮＤ３は、第７の機能層７７の外縁から若干のギャップを残して、第７の機能層７７の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ３の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ３は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続される。接地電極ＧＮＤ３の面内には、第６の機能層７６に設けられたスルーホール導体７６３と重なるスルーホール導体７７３が設けられている。スルーホール導体７７３の周りにはリング状の絶縁ギャップが設けられており、スルーホール導体７７３はこの絶縁ギャップによって、接地電極ＧＮＤ３から電気的に絶縁されている。第６の機能層７６と第７の機能層７７とを重ねあわせた状態では、スルーホール導体７６３がスルーホール導体７７３と接続される。
【００３９】
第７の機能層７７と第８の機能層７８との間には、ＬＰＦ回路部３４に含まれるキャパシタＣ３のためのキャパシタ電極Ｃ３１が設けられている。キャパシタ電極Ｃ３１は、第８の機能層７８の外縁から若干のギャップを残して、第８の機能層７８の一面に広く形成されている。キャパシタ電極Ｃ３１は、機能層７４〜７７を重ねた状態で見て、スルーホール導体７７３、７６３、７５３、７４３を介して、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４に接続される。
【００４０】
第８の機能層７８と第９の機能層７９との間には、接地電極ＧＮＤ４が設けられている。接地電極ＧＮＤ４は、第９の機能層７９の外縁から若干のギャップを残して、第９の機能層７９の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ４の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ４は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続される。接地電極ＧＮＤ４の面内には、第８の機能層７８に設けられたスルーホール導体７８３と重なるスルーホール導体７９３が設けられている。スルーホール導体７９３の周りにはリング状の絶縁ギャップが設けられており、スルーホール導体７９３はこの絶縁ギャップによって、接地電極ＧＮＤ４から電気的に絶縁されている。第８の機能層７８と第９の機能層７９とを重ねあわせた状態では、スルーホール導体７８３がスルーホール導体７９３３と接続される。
【００４１】
第９の機能層７９と第１０の機能層８０との間には、ＬＰＦ回路部３４に含まれるインダクタＬ３を構成する線路導体が設けられている。インダクタＬ３を構成する線路導体は、一端が、第９の機能層７９に設けられたスルーホール導体７９３と重なる位置にある。従って、インダクタＬ３を構成する線路導体は、機能層７８、７９、８０を重ねた状態では、スルーホール導体７９３、７８３を介して、キャパシタ電極Ｃ３１に導通する。インダクタＬ３を構成する線路導体は、他端にスルーホール導体８０１が設けられている。スルーホール導体８０１は、第１０の機能層８０を貫通する。
【００４２】
第１０の機能層８０と第１１の機能層８１との間には、接地電極ＧＮＤ５が設けられている。接地電極ＧＮＤ５は、第１１の機能層８１の外縁から若干のギャップを残して、第１１の機能層８１の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ５の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ５は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続される。接地電極ＧＮＤ５の面内には、第１０の機能層８０に設けられたスルーホール導体８０１と重なるスルーホール導体８１１が設けられている。スルーホール導体８１１の周りにはリング状の絶縁ギャップが設けられており、スルーホール導体８１１はこの絶縁ギャップによって、接地電極ＧＮＤ５から電気的に絶縁されている。第１０の機能層８０と第１１の機能層８１とを重ねあわせた状態では、スルーホール導体８１１がスルーホール導体８０１と接続される。
【００４３】
第１１の機能層８１と第１２の機能層８２との間には、ＬＰＦ回路部３４に含まれるキャパシタＣ４のためのキャパシタ電極Ｃ４１が設けられている。キャパシタ電極Ｃ４１は、第１２の機能層８２の外縁から若干のギャップを残して、第１２の機能層８２の一面に広く形成されている。キャパシタ電極Ｃ４１は、機能層８２、８１、８０を重ねた状態では、スルーホール導体８１１、８０１を介して、インダクタＬ３を構成する線路導体の端部に接続される。
【００４４】
第１２の機能層８２と第１３の機能層８３との間には、接地電極ＧＮＤ６が設けられている。接地電極ＧＮＤ６は、第１３の機能層８３の外縁から若干のギャップを残して、第１３の機能層８３の一面に広く形成されている。接地電極ＧＮＤ６の相対する両辺には端子接続部が設けられ、接地電極ＧＮＤ６は、この端子接続部を介して、接地される端子Ｔ２、Ｔ６（図１、図２参照）に接続される。
【００４５】
上記構成の高周波複合部品３において、バルントランス部３１、第１及び第２の整合回路部３２、３３は機能層間に設けられているから、バルントランス部３１と、第１及び第２の整合回路部３２、３３とを、絶縁基体７の内部に備える使い勝手に優れた積層型の高周波複合部品３が得られる。
【００４６】
バルントランス部３１は、第１の線路導体３１１及び第２の線路導体３１２が不平衡線路を構成し、第３の線路導体３１３及び第４の線路導体３１４が平衡線路を構成する。
【００４７】
第１の整合回路部３２は、第３の線路導体３１３の一端に接続されており、第３の線路導体３１３への入出力信号に関して、外部回路４とのインピーダンス整合をとり、第２の整合回路部３３は、第４の線路導体３１４の一端に接続されており、第４の線路導体３１４への入出力信号に関して、外部回路とのインピーダンス整合をとる。
【００４８】
第１の整合回路部３２を通して第３の線路導体３１３に入力され、またはこれから出力される信号、及び、第２の整合回路部３３を通して第４の線路導体３１４に入力され、またはこれから出力される信号は、平衡信号でなければならないから、第１の整合回路部３２及び第２の整合回路部３３は、特性が平衡していなければならない。本発明では、第１の整合回路部３２及び第２の整合回路部３３は、同一の機能層間、即ち、機能層７５−７６間に併設されているから、異なる機能層間に設ける場合と異なって、第１の整合回路部３２及び第２の整合回路部３３に、同一の特性を附与できる。
【００４９】
しかも、実施例に示す高周波複合部品３は、ＬＰＦ部３４を含んでおり。ＬＰＦ部３４は、機能層７７−機能層８３の間に形成され、一端が第３及び第４の線路導体３１３、３１４の他端に接続されている。このようなＬＰＦ部３４を有することにより、端子Ｔ５を通して、ＬＰＦ部３４に供給される直流電源５の高周波ノイズを除去し、第３及び第４の線路導体３１３、３１４、並びに、第１及び第２の整合回路部３２、３３を通して、送信／受信回路などの外部回路４に対し、高周波ノイズを除去した動作電源を供給し得る。
【００５０】
次にこの点について、実験データを参照して説明する。図４〜図７は実験において採用された回路構成を示している。図４〜図６は、何れも、バルントランス３１の平衡線路を構成する第３及び第４の線路導体３１３，３１４を通して、直流電源５を供給する構成をとる場合を想定した実験回路である。
【００５１】
図４において、バルントランス３１の第３及び第４の線路導体３１３，３１４の一端を共通に接続するとともに、共通接続点とアースとの間にキャパシタＣ１０を接続し、更に、共通接続点に直流電源５を接続してある。
【００５２】
図５は図１に示したＬＰＦ部３４を有する場合の実験回路である。ＬＰＦ部３４の詳細については既に説明したので、重複説明は省略する。
【００５３】
図６はＬＰＦ部３４に加えてノッチ用のキャパシタＣ１１を追加した場合の実験回路である。
【００５４】
図７〜図１０は図４〜図６に示した実験回路によって得られた実験データを示している。図７は図４の、図８は図５の、図９は図６の実験回路によって得られたデータをそれぞれ示している。図７〜図９には不平衡反射減衰量特性ＲＬ、バラン通過特性ＩＬ及びＤＣ−平衡信号間アイソレーション特性ＩＳＯがそれぞれ示されている。図１０は図４〜図６の実験回路によって得られたＤＣ−平衡信号間アイソレーション特性を抽出して示す図である。
【００５５】
まず、図７と図８との比較から明らかなように、ＬＰＦ部３４を有する図５の構成によれば、単に、キャパシタＣ１０を入れた図４の場合よりも、不平衡反射減衰量特性ＲＬ、バラン通過特性ＩＬ及びＤＣ−平衡信号間アイソレーション特性ＩＳＯの何れも、著しく改善される。
【００５６】
上記特性改善効果のうち、ＤＣ−平衡信号間アイソレーション特性ＩＳＯの改善効果については、図１０に明確に現れている。図１０において、曲線Ｐ１が図４に示した回路構成の場合の特性、曲線Ｐ２が図５に示した回路構成の場合の特性、曲線Ｐ３が図６に示した回路構成の場合の特性をそれぞれ示している。
【００５７】
ＬＰＦ部３４を有することの効果は、図６に示すように、インダクタＬ３と並列に、ノッチ用キャパシタＣ１１を付加する回路構成を採用することにより、更に促進される。この点は、図８と図９の対比、及び、図１０における特性Ｐ２と特性Ｐ３との対比から明らかである。
【００５８】
以上、実施の形態を参照して説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内において、種々の変形、変更が可能であることは言うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、バルントランスと２つの整合回路部とを含む積層構造において、２つの整合回路部が同一の機能層間に併設されているので、異なる機能層間に設ける場合と異なり、同一の特性を保持できるようにした高周波複合部品を提供することができる。
更に、積層基板の内部にローパスフィルタを内蔵した実施の形態によれば、ローパスフィルタを個別部品として構成する場合よりも、小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波複合部品を用いた通信機器の構成を示す図である。
【図２】図１に示した高周波複合部品の外観斜視図である。
【図３】図２に示した高周波複合部品の内部構造を示す分解斜視図である。
【図４】バルントランスの平衡線路にキャパシタを接続した構成の実験回路を示す図である。
【図５】バルントランスの平衡線路に、図１に示したＬＰＦ部を接続した実験回路である。
【図６】バルントランスの平衡線路に、図１に示したＬＰＦ部を接続したうえで、更に、ノッチ用のキャパシタを追加した実験回路である。
【図７】図４に示した実験回路によって得られた実験データを示す図である。
【図８】図５に示した実験回路によって得られた実験データを示す図である。
【図９】図６に示した実験回路によって得られた実験データを示す図である。
【図１０】図４〜図６に示した実験回路によって得られたＤＣ−平衡信号間アイソレーション特性を抽出して示す図である。
【符号の説明】
７絶縁基体
３１バルントランス部
３２第１の整合回路部
３３第２の整合回路部
７１〜８３機能層
３１１第１の線路導体
３１２第２の線路導体
３１３第３の線路導体
３１４第４の線路導体[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency composite component, and more particularly, to a laminated high-frequency composite component including a balun transformer and a matching circuit.
[0002]
[Prior art]
A balun transformer converts a balanced signal with a balanced transmission line into an unbalanced signal with an unbalanced transmission line, and is indispensable to a wireless communication device such as a mobile phone in recent years. Of the balun transformers, a stacked type in which line conductors are arranged and laminated in a substrate has the advantage that signal leakage on an unbalanced line is small and insertion loss is small. Such stacked balun transformers are described in Patent Documents 1 and 2.
[0003]
A balanced signal, which is an input / output signal to the balun transformer, is transmitted to an external circuit such as a transmission unit and a reception unit through an impedance matching circuit (hereinafter, referred to as a matching circuit unit). Since the balanced side of the balun transformer is usually constituted by two line conductors, it is necessary to provide a matching circuit section for each of the line conductors, for a total of two.
[0004]
Conventionally, in a multilayer balun transformer, the matching circuit section is provided outside the multilayer balun transformer. The balun transformers described in Patent Literatures 1 and 2 also disclose a laminated structure based on such a configuration. One of the reasons is that it is difficult to form two matching circuit sections with the same characteristics in the case of a stacked type.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2002-217036 A
[Patent Document 2]
JP-A-9-260145
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a high-frequency composite component in which two matching circuit sections can maintain the same characteristics in a laminated structure including a balun transformer and two matching circuit sections.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, a high-frequency composite component according to the present invention includes an insulating base, a balun transformer, a first matching circuit, and a second matching circuit. The insulating base has a plurality of functional layers. The balun transformer section includes first to fourth line conductors, and is disposed between the functional layers. The first line conductor and the third line conductor are coupled to each other, and the second line conductor is provided. And the fourth line conductor are coupled.
[0008]
The first matching circuit section is connected to one end of the third line conductor, and the second matching circuit section is connected to one end of the fourth line conductor. The first matching circuit unit and the second matching circuit unit are provided between the same functional layers.
[0009]
In the high-frequency composite component having the above-described configuration, the balun transformer, the first and second matching circuit units are provided between the functional layers, so that the balun transformer unit and the matching circuit unit are provided inside the insulating base, so that the usability is excellent. Thus, a laminated high-frequency composite component is obtained.
[0010]
In the balun transformer section, the first line conductor and the second line conductor constitute an unbalanced line, and the third line conductor and the fourth line conductor constitute a balanced line.
[0011]
The first matching circuit section is connected to one end of the third line conductor, and performs impedance matching with an external circuit with respect to input / output signals to / from the third line conductor. The second matching circuit section is connected to one end of the fourth line conductor, and performs impedance matching with an external circuit with respect to an input / output signal to / from the fourth line conductor.
[0012]
The signal input to or output from the third line conductor through the first matching circuit unit and the signal input to or output from the fourth line conductor through the second matching circuit unit are balanced. Since the signal must be a signal, the characteristics of the first matching circuit unit and the second matching circuit unit must be balanced. In the present invention, the first matching circuit unit and the second matching circuit unit are provided in the same functional layer, so that the first matching circuit unit and the second matching circuit unit are different from the case where the first matching circuit unit and the second matching circuit unit are provided in different functional layers. The same characteristics can be given to the matching circuit unit.
[0013]
The high-frequency composite component according to the present invention can include a low-pass filter unit. The low-pass filter section is formed between the functional layers, and has one end connected to the other ends of the third and fourth line conductors. By having such a low-pass filter, power is supplied to the low-pass filter, and a transmitting unit or a receiving unit constituting an external circuit is formed through the third and fourth line conductors and the first and second matching circuit units. It is possible to realize a high-frequency composite component that can supply an operation power supply from which high-frequency noise has been removed.
[0014]
Further, by incorporating the low-pass filter inside the laminated substrate, the size can be reduced as compared with the case where the low-pass filter is configured as an individual component.
[0015]
Other objects, configurations, and advantages of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The accompanying drawings are merely examples.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows the configuration of a communication device using the high-frequency composite component according to the present invention. The illustrated communication device includes an antenna 1, a band-pass filter (hereinafter, referred to as BPF) 2, a high-frequency composite component 3, an external circuit 4, and a DC power supply 5 according to the present invention. The high-frequency composite component 3 includes terminals T1 to T6, and the terminal T1 is connected to the BPF2, and the BPF2 is connected to the antenna 1. The terminal T2 is grounded, the terminals T3 and T4 are connected to an external circuit 4 such as a transmission / reception circuit, the terminal T5 is connected to the DC power supply 5, and the terminal T6 is grounded.
[0017]
The high-frequency composite component 3 includes a balun transformer section 31, a first matching circuit section 32, and a second matching circuit section 33. The high-frequency composite component 3 of the illustrated embodiment further includes a low-pass filter (hereinafter, referred to as an LPF) 34.
[0018]
The balun transformer section 31 includes first to fourth line conductors 311 to 314. The first to fourth line conductors 311 to 314 are configured as, for example, (λ / 4) strip lines or microstrip lines. Among the first to fourth line conductors 311 to 314, the first line conductor 311 and the second line conductor 312 constitute an unbalanced line connected in series, and one end is connected to the terminal T1.
[0019]
The third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 constitute a balanced line, and the third line conductor 313 is coupled to the first line conductor 311 by electromagnetic induction, and the fourth line conductor 314 is coupled to the second line conductor 312 by electromagnetic induction.
[0020]
The first matching circuit section 32 is connected to one end of the third line conductor 313. The first matching circuit unit 32 performs impedance matching between the third line conductor 313 and the external circuit 4. The illustrated first matching circuit unit 32 includes a capacitor C1 and an inductor L1, and one end of the capacitor C1 and the inductor L1 is commonly connected to one end of the third line conductor 313. The other end of the capacitor C1 is connected to a terminal T2 to be grounded, and the other end of the inductor L1 is connected to a terminal T3 guided to the external circuit 4.
[0021]
The second matching circuit section 33 is connected to one end of the fourth line conductor 314. The second matching circuit unit 33 performs impedance matching between the fourth line conductor 314 and the external circuit 4. The illustrated fourth matching circuit section 33 includes a capacitor C2 and an inductor L2, and one end of the capacitor C2 and the inductor L2 is commonly connected to one end of the fourth line conductor 314. The other end of the capacitor C2 is connected to a grounded terminal T2, and the other end of the inductor L2 is connected to a terminal T4 guided to the external circuit 4.
[0022]
The LPF section 34 has one end connected to the other ends of the third and fourth line conductors 313 and 314. The illustrated LPF unit 34 includes capacitors C3 and C4 and an inductor L3. One end of the capacitor C3 and the inductor L3 are commonly connected, and are connected to the other ends of the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314. The other end of the capacitor C3 is connected to a grounded terminal T6. The other end of the inductor L3 is led to a terminal T5 to which the DC power supply 5 is connected. One end of the capacitor C4 is connected to the other end of the inductor L3 and is guided to a terminal T5 connected to the DC power supply 5. The other end of the capacitor C4 is guided to a terminal T6 connected to the other end of the capacitor C3.
[0023]
In the communication device having the above configuration, the balun transformer section 31 is configured such that the first line conductor 311 and the second line conductor 312 constitute an unbalanced line, and the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 constitute a balanced line. Is composed. Under this structure, since the first matching circuit section 32 is connected to one end of the third line conductor 313, impedance matching between the third line conductor 313 and the external circuit 4 can be achieved. . Further, since the second matching circuit section 33 is connected to one end of the fourth line conductor 314, impedance matching between the fourth line conductor 314 and the external circuit 4 can be achieved.
[0024]
In the illustrated embodiment, an LPF unit 34 is included. By having the LPF section 34, an operating power supply from which high-frequency noise has been removed can be externally passed through the LPF section 34, the third and fourth line conductors 313 and 314, and the first and second matching circuit sections 32 and 33. Circuit 4.
[0025]
2 is an external perspective view of the high-frequency composite component 3 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing the internal structure of the high-frequency composite component 3 shown in FIG. The purpose of FIG. 3 is to show a pattern of a line conductor or a capacitor electrode provided between the respective functional layers.
[0026]
The high-frequency composite component 3 includes an insulating base 7. The insulating base 7 is formed by laminating a plurality of functional layers 71 to 83. The insulating base 7 of the illustrated embodiment has a structure in which 13 functional layers 71 to 83 are laminated. For the functional layers 71 to 83, any of an organic material, a ceramic material, or a composite material in which both are mixed can be used. For the functional layers 71 to 83, the material properties such as the thickness, relative dielectric constant, and Q are selected according to the role and function of each layer.
[0027]
On the surface of the first functional layer 71, a ground electrode GND1 is formed. The ground electrode GND 1 is formed widely on one surface of the first functional layer 71 except for a slight gap from the outer edge of the first functional layer 71. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND1, and the ground electrode GND1 is connected to grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via this terminal connection portion. Although not shown in FIG. 3, as apparent from FIG. 2, a functional layer that completely covers the ground electrode GND1 may be provided on the surface of the first functional layer 71 in some cases.
[0028]
A lead conductor pattern 721 is provided between the first functional layer 71 and the second functional layer 72. One end of the lead conductor pattern 721 is connected to the terminal T1 (see FIGS. 1 and 2), and the other end is connected to a through-hole (via-hole) conductor 722. The through-hole conductor 722 penetrates the second functional layer 72.
[0029]
Between the second functional layer 72 and the third functional layer 73, a first line conductor 311 and a second line conductor 312 constituting the balun transformer 3 are provided. The first line conductor 311 and the second line conductor 312 are formed in a spiral shape so as to form, for example, a (λ / 4) strip line or a microstrip line, and are continuous with each other on the outer periphery thereof. . A through-hole conductor 722 that penetrates through the second functional layer 72 is connected to the inner end of the first line conductor 311.
[0030]
Between the third functional layer 73 and the fourth functional layer 74, a third line conductor 313 and a fourth line conductor 314 constituting the balun transformer 3 are formed. The third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 are formed in a spiral shape so as to form, for example, a (λ / 4) strip line or a microstrip line, and are continuous with each other on the outer periphery. . The third line conductor 313 is electromagnetically coupled to the first line conductor 311 via the third functional layer 73, and the fourth line conductor 314 is electrically connected to the second line conductor via the third functional layer 73. 312 is electromagnetically coupled.
[0031]
The inner ends of the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 are connected to the through-hole conductors 741 and 742. Further, a through-hole conductor 743 is provided at a substantially intermediate portion of the line conductors connected to the outer peripheral portions of the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314. The through-hole conductors 741 to 743 penetrate the fourth functional layer 74.
[0032]
A ground electrode GND2 is formed between the fourth functional layer 74 and the fifth functional layer 75. The ground electrode GND 2 is formed widely on one surface of the fifth functional layer 75 except for a slight gap from the outer edge of the fifth functional layer 75. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND2, and the ground electrode GND2 is connected to grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via this terminal connection portion. In the plane of the ground electrode GND2, through-hole conductors 751, 752, 753 overlapping the through-hole conductors 741 to 743 are provided. A ring-shaped insulating gap is provided around the through-hole conductors 751 to 753, and the through-hole conductors 751 to 753 are electrically insulated from the ground electrode GND2 by the insulating gap. In a state where the fourth functional layer 74 and the fifth functional layer 75 are overlapped, the through-hole conductors 741 to 743 provided in the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 are replaced by the through-hole conductors 751 to 743. 753.
[0033]
Between the fifth functional layer 75 and the sixth functional layer 76, a first matching circuit section 32 and a second matching circuit section 33 are formed. The first matching circuit section 32 includes a capacitor electrode C11 for the capacitor C1 and a line conductor forming the inductor L1. The capacitor electrode C11 is formed in a planar shape at a position overlapping with the through-hole conductor 751 penetrating the fifth functional layer 75. Therefore, when the fifth functional layer 75 and the sixth functional layer 76 are overlapped, the capacitor electrode C11 penetrates the through-hole conductor 751 penetrating the fifth functional layer 75 and the fourth functional layer 74. Through-hole conductor 741 is connected to the inner end of third line conductor 313.
[0034]
One end of the line conductor forming the inductor L1 of the first matching circuit unit 32 is connected to the capacitor electrode C11, and the other end is guided to a position having the terminal T3 (see FIGS. 1 and 2), and is connected to the terminal T3. Have been.
[0035]
The second matching circuit section 33 includes a capacitor electrode C21 for the capacitor C2, and a line conductor forming the inductor L2. The capacitor electrode C21 is formed in a planar shape at a position overlapping with the through-hole conductor 752 penetrating the fifth functional layer 75. Therefore, when the fifth functional layer 75 and the sixth functional layer 76 are overlapped, the capacitor electrode C21 passes through the through-hole conductor 752 penetrating the fifth functional layer 75 and the fourth functional layer 74. The through-hole conductor 742 is connected to the inner end of the fourth line conductor 314.
[0036]
The line conductor forming the inductor L2 of the first matching circuit unit 32 has one end connected to the capacitor electrode C21, the other end guided to a position where the terminal T4 (see FIGS. 1 and 2) is located, and connected to the terminal T4. Have been.
[0037]
Further, a through-hole conductor 763 is provided in the sixth functional layer 76 at a position overlapping with the through-hole conductor 753 provided in the fifth functional layer 75.
[0038]
A ground electrode GND3 is provided between the sixth functional layer 76 and the seventh functional layer 77. The ground electrode GND 3 is widely formed on one surface of the seventh functional layer 77 except for a slight gap from the outer edge of the seventh functional layer 77. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND3, and the ground electrode GND3 is connected to grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via this terminal connection portion. In the plane of the ground electrode GND3, a through-hole conductor 773 overlapping with the through-hole conductor 763 provided in the sixth functional layer 76 is provided. A ring-shaped insulating gap is provided around the through-hole conductor 773, and the through-hole conductor 773 is electrically insulated from the ground electrode GND3 by the insulating gap. In a state where the sixth functional layer 76 and the seventh functional layer 77 are overlapped, the through-hole conductor 763 is connected to the through-hole conductor 773.
[0039]
Between the seventh functional layer 77 and the eighth functional layer 78, a capacitor electrode C31 for the capacitor C3 included in the LPF circuit unit 34 is provided. The capacitor electrode C31 is formed widely on one surface of the eighth functional layer 78, leaving a slight gap from the outer edge of the eighth functional layer 78. The capacitor electrode C31 is connected to the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 via through-hole conductors 773, 763, 753, and 743 when the functional layers 74 to 77 are viewed in an overlapping state.
[0040]
A ground electrode GND4 is provided between the eighth functional layer 78 and the ninth functional layer 79. The ground electrode GND 4 is formed widely on one surface of the ninth functional layer 79 except for a slight gap from the outer edge of the ninth functional layer 79. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND4, and the ground electrode GND4 is connected to the grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via this terminal connection portion. In the plane of the ground electrode GND 4, a through-hole conductor 793 overlapping with the through-hole conductor 783 provided in the eighth functional layer 78 is provided. A ring-shaped insulating gap is provided around the through-hole conductor 793, and the through-hole conductor 793 is electrically insulated from the ground electrode GND4 by the insulating gap. In a state where the eighth functional layer 78 and the ninth functional layer 79 are overlapped, the through-hole conductor 783 is connected to the through-hole conductor 7933.
[0041]
Between the ninth functional layer 79 and the tenth functional layer 80, a line conductor forming the inductor L3 included in the LPF circuit unit 34 is provided. One end of the line conductor forming the inductor L3 is located at a position overlapping the through-hole conductor 793 provided in the ninth functional layer 79. Accordingly, the line conductor forming the inductor L3 is electrically connected to the capacitor electrode C31 via the through-hole conductors 793 and 783 when the functional layers 78, 79 and 80 are stacked. The other end of the line conductor forming the inductor L3 is provided with a through-hole conductor 801. The through-hole conductor 801 penetrates the tenth functional layer 80.
[0042]
A ground electrode GND5 is provided between the tenth functional layer 80 and the eleventh functional layer 81. The ground electrode GND5 is formed widely on one surface of the eleventh functional layer 81 except for a slight gap from the outer edge of the eleventh functional layer 81. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND5, and the ground electrode GND5 is connected to grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via the terminal connection portions. A through-hole conductor 811 that overlaps with the through-hole conductor 801 provided in the tenth functional layer 80 is provided in the plane of the ground electrode GND5. A ring-shaped insulating gap is provided around the through-hole conductor 811. The through-hole conductor 811 is electrically insulated from the ground electrode GND5 by the insulating gap. In a state where the tenth functional layer 80 and the eleventh functional layer 81 are overlapped, the through-hole conductor 811 is connected to the through-hole conductor 801.
[0043]
A capacitor electrode C41 for a capacitor C4 included in the LPF circuit unit 34 is provided between the eleventh functional layer 81 and the twelfth functional layer 82. The capacitor electrode C41 is formed widely on one surface of the twelfth functional layer 82, leaving a slight gap from the outer edge of the twelfth functional layer 82. The capacitor electrode C41 is connected to the end of the line conductor forming the inductor L3 via the through-hole conductors 811 and 801 when the functional layers 82, 81 and 80 are overlapped.
[0044]
A ground electrode GND6 is provided between the twelfth functional layer 82 and the thirteenth functional layer 83. The ground electrode GND6 is formed widely on one surface of the thirteenth functional layer 83, leaving a slight gap from the outer edge of the thirteenth functional layer 83. Terminal connection portions are provided on opposite sides of the ground electrode GND6, and the ground electrode GND6 is connected to grounded terminals T2 and T6 (see FIGS. 1 and 2) via this terminal connection portion.
[0045]
In the high-frequency composite component 3 having the above-described configuration, the balun transformer section 31 and the first and second matching circuit sections 32 and 33 are provided between the functional layers, so that the balun transformer section 31 and the first and second matching circuit sections are provided. The laminated high-frequency composite component 3 having the parts 32 and 33 inside the insulating base 7 and excellent in usability is obtained.
[0046]
In the balun transformer section 31, the first line conductor 311 and the second line conductor 312 constitute an unbalanced line, and the third line conductor 313 and the fourth line conductor 314 constitute a balanced line.
[0047]
The first matching circuit section 32 is connected to one end of the third line conductor 313, and performs impedance matching with respect to the input / output signal to the third line conductor 313 with the external circuit 4, and performs second matching. The circuit section 33 is connected to one end of the fourth line conductor 314, and performs impedance matching with an external circuit for input / output signals to / from the fourth line conductor 314.
[0048]
A signal input to or output from the third line conductor 313 through the first matching circuit unit 32, and a signal input to or output from the fourth line conductor 314 through the second matching circuit unit 33. Since the signal must be a balanced signal, the characteristics of the first matching circuit unit 32 and the second matching circuit unit 33 must be balanced. In the present invention, since the first matching circuit section 32 and the second matching circuit section 33 are provided in the same functional layer, that is, between the functional layers 75 and 76, the first matching circuit section 32 and the second matching circuit section 33 are different from those provided in different functional layers. , The first matching circuit section 32 and the second matching circuit section 33 can have the same characteristics.
[0049]
In addition, the high-frequency composite component 3 shown in the embodiment includes the LPF unit 34. The LPF portion 34 is formed between the functional layer 77 and the functional layer 83, and has one end connected to the other ends of the third and fourth line conductors 313 and 314. By having such an LPF unit 34, high-frequency noise of the DC power supply 5 supplied to the LPF unit 34 is removed through the terminal T5, and the third and fourth line conductors 313 and 314, and the first and fourth line conductors 313 and 314 are removed. Through the two matching circuit sections 32 and 33, an operation power supply from which high-frequency noise has been removed can be supplied to an external circuit 4 such as a transmission / reception circuit.
[0050]
Next, this point will be described with reference to experimental data. 4 to 7 show circuit configurations adopted in the experiments. 4 to 6 are experimental circuits assuming a configuration in which the DC power supply 5 is supplied through the third and fourth line conductors 313 and 314 constituting the balanced line of the balun transformer 31.
[0051]
In FIG. 4, one ends of the third and fourth line conductors 313 and 314 of the balun transformer 31 are commonly connected, a capacitor C10 is connected between the common connection point and the ground, and a direct current is connected to the common connection point. Power supply 5 is connected.
[0052]
FIG. 5 shows an experimental circuit having the LPF section 34 shown in FIG. Since the details of the LPF unit 34 have already been described, a duplicate description will be omitted.
[0053]
FIG. 6 shows an experimental circuit in which a notch capacitor C11 is added in addition to the LPF section 34.
[0054]
7 to 10 show experimental data obtained by the experimental circuits shown in FIGS. 7 shows data obtained by the experimental circuit of FIG. 4, FIG. 8 shows data obtained by the experimental circuit of FIG. 5, and FIG. 9 shows data obtained by the experimental circuit of FIG. 7 to 9 show an unbalanced return loss characteristic RL, a balun passage characteristic IL, and a DC-balanced signal isolation characteristic ISO, respectively. FIG. 10 is a diagram extracting and showing the DC-balanced signal isolation characteristics obtained by the experimental circuits of FIGS. 4 to 6.
[0055]
First, as is clear from the comparison between FIG. 7 and FIG. 8, according to the configuration of FIG. 5 including the LPF section 34, the unbalanced return loss characteristic RL is simply higher than in the case of FIG. , The balun pass characteristic IL and the DC-balanced signal isolation characteristic ISO are all significantly improved.
[0056]
FIG. 10 clearly shows the effect of improving the isolation characteristic ISO between the DC and the balanced signal among the characteristic improving effects. In FIG. 10, a curve P1 represents the characteristic in the case of the circuit configuration shown in FIG. 4, a curve P2 represents a characteristic in the case of the circuit configuration shown in FIG. Is shown.
[0057]
The effect of having the LPF section 34 is further promoted by employing a circuit configuration in which a notch capacitor C11 is added in parallel with the inductor L3, as shown in FIG. This point is clear from the comparison between FIG. 8 and FIG. 9 and the comparison between the characteristic P2 and the characteristic P3 in FIG.
[0058]
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the embodiments, and it goes without saying that various modifications and changes are possible within the scope of the claims.
[0059]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, in a laminated structure including a balun transformer and two matching circuit sections, since two matching circuit sections are provided side by side in the same functional layer, the two matching circuit sections are provided between different functional layers. Unlike this, it is possible to provide a high-frequency composite component capable of maintaining the same characteristics.
Further, according to the embodiment in which the low-pass filter is built in the laminated substrate, the size can be reduced as compared with the case where the low-pass filter is configured as an individual component.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a communication device using a high-frequency composite component according to the present invention.
FIG. 2 is an external perspective view of the high-frequency composite component shown in FIG.
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an internal structure of the high-frequency composite component shown in FIG.
FIG. 4 is a diagram showing an experimental circuit having a configuration in which a capacitor is connected to a balanced line of a balun transformer.
FIG. 5 is an experimental circuit in which the LPF section shown in FIG. 1 is connected to a balanced line of a balun transformer.
FIG. 6 is an experimental circuit in which the LPF section shown in FIG. 1 is connected to a balanced line of a balun transformer, and further a notch capacitor is added.
FIG. 7 is a diagram showing experimental data obtained by the experimental circuit shown in FIG.
8 is a diagram showing experimental data obtained by the experimental circuit shown in FIG.
FIG. 9 is a diagram showing experimental data obtained by the experimental circuit shown in FIG. 6;
FIG. 10 is a diagram extracting and showing isolation characteristics between DC and balanced signals obtained by the experimental circuits shown in FIGS. 4 to 6;
[Explanation of symbols]
7 Insulating substrate
31 Balun transformer
32. First matching circuit section
33. Second Matching Circuit Unit
71-83 Functional layer
311 First line conductor
312 Second line conductor
313 Third Line Conductor
314 Fourth Line Conductor

Claims

絶縁基体と、バルントランス部と、第１の整合回路部と、第２の整合回路部とを含む高周波複合部品であって、
前記絶縁基体は、複数の機能層を有しており、
前記バルントランス部は、第１乃至第４の線路導体を含み、前記機能層の層間に配置され、前記第１の線路導体と前記第３の線路導体とが結合し、前記第２の線路導体と前記第４の線路導体とが結合しており、
前記第１の整合回路部は、前記第３の線路導体の一端に接続されており、
前記第２の整合回路部は、前記第４の線路導体の一端に接続されており、
前記第１の整合回路部及び前記第２の整合回路部は、同一の機能層間に併設されている
高周波複合部品。A high-frequency composite component including an insulating base, a balun transformer, a first matching circuit, and a second matching circuit,
The insulating base has a plurality of functional layers,
The balun transformer section includes first to fourth line conductors, and is disposed between the functional layers. The first line conductor and the third line conductor are coupled to each other, and the second line conductor is provided. And the fourth line conductor are coupled,
The first matching circuit section is connected to one end of the third line conductor,
The second matching circuit unit is connected to one end of the fourth line conductor,
A high-frequency composite component in which the first matching circuit section and the second matching circuit section are provided side by side in the same functional layer.

請求項１に記載された高周波複合部品であって、
更に、ローパスフィルタ部を含み、前記ローパスフィルタ部は、前記機能層の層間に形成され、一端が前記第３及び第４の線路導体の他端に接続されている高周波複合部品。The high-frequency composite component according to claim 1,
The high-frequency composite component further includes a low-pass filter portion, wherein the low-pass filter portion is formed between the functional layers and has one end connected to the other ends of the third and fourth line conductors.