JP2004296550A - Photovoltaic element and its fabricating process - Google Patents

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JP2004296550A
JP2004296550A JP2003083804A JP2003083804A JP2004296550A JP 2004296550 A JP2004296550 A JP 2004296550A JP 2003083804 A JP2003083804 A JP 2003083804A JP 2003083804 A JP2003083804 A JP 2003083804A JP 2004296550 A JP2004296550 A JP 2004296550A
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Japan
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film
amorphous silicon
type
type amorphous
silicon substrate
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Takeshi Nakajima
武 中島
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic element in which an area effective for photoelectric conversion can be utilized to the maximum while preventing the characteristics from deteriorating due to leakage of a gas phase material, and to provide its fabricating process. <P>SOLUTION: A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation. An i-type amorphous silicon film 2 is then formed on the major surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition). Subsequently, a p-type amorphous silicon film 3 is formed on the i-type amorphous silicon film 2 by plasma CVD. Finally, the n-type single crystal silicon substrate 1 is immersed into liquid HF thus removing the silicon oxide film 10 formed on the rear surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体接合を用いた光起電力素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ｎ型単結晶シリコン基板にｐ型非晶質シリコン膜を形成した構造を持つ光起電力素子が開発されている。ｎ型単結晶シリコン基板へのｐ型非晶質シリコン膜の形成過程においてはプラズマＣＶＤ（化学蒸着）法等が使用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この場合、プラズマＣＶＤ法が気相反応を利用するものであることから、ｐ型非晶質シリコン膜の形成時にｎ型単結晶シリコン基板の裏面および各端面に気相原料が回り込み、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面にｐｎ接合が形成されることがある。そのため、ｎ型単結晶シリコン基板表面の周辺部分に金属マスクを被せることにより気相原料の回り込みを防止する必要がある。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２７４０２８４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、気相原料がｎ型単結晶シリコン基板の裏面および各端面に回り込まないようにするには、金属マスクを被せる面積を広くする必要がある。その結果、ｎ型単結晶シリコン基板表面に形成されるｐ型非晶質シリコン膜の面積が小さくなり、光電変換に有効な面積が狭くなる。
【０００６】
本発明の目的は、気相原料の回り込みによる特性の劣化を防止することができるとともに、光電変換に有効な面積を最大限活用することができる光起電力素子およびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
なお、本明細書中における結晶系半導体には単結晶半導体および多結晶半導体が含まれるものとし、非晶質系半導体には非晶質半導体および微結晶半導体が含まれるものとする。
【０００８】
第１の発明に係る光起電力素子の製造方法は、一導電型の結晶系半導体の一面および各端面をマスク膜で被覆し、結晶系半導体の他面に他導電型の第１の非晶質系半導体膜を形成した後、マスク膜を除去するものである。
【０００９】
第１の発明に係る光起電力素子の製造方法においては、一導電型の結晶系半導体の一面および各端面がマスク膜で被覆された状態で結晶系半導体の他面に第１の非晶質系半導体膜が形成されるので、気相原料の回り込みにより結晶系半導体の一面および各端面に想定外のｐｎ接合が形成されることを防止しつつ結晶系半導体の他面にｐｎ接合を形成することができる。したがって、気相原料の回り込みによる特性の劣化を防止することができるとともに、光電変換に有効な面積を最大限活用することができる。
【００１０】
結晶系半導体の一面および各端面とともに結晶系半導体の他面のうち第１の非晶質系半導体膜を形成すべき領域を除く領域にマスク膜を形成してもよい。この場合、第１の非晶質系半導体膜の形成時に第１の非晶質系半導体膜を形成すべき領域以外に想定外のｐｎ接合が形成されることを防止することができる。
【００１１】
第１の非晶質系半導体膜の端面が結晶系半導体の端面に揃うように第１の非晶質系半導体膜を形成してもよい。この場合、結晶系半導体および第１の非晶質系半導体膜の面積が等しくなるため、光電変換に有効な面積を最大限活用することができる。
【００１２】
結晶系半導体の他面にノンドープの第２の非晶質系半導体膜を形成した後、第２の非晶質系半導体膜上に他導電型の第１の非晶質系半導体膜を形成してもよい。
【００１３】
この場合、結晶系半導体の一面および各端面がマスク膜で被覆された状態で結晶系半導体の他面に第２の非晶質系半導体膜および第１の非晶質半導体膜が形成される。したがって、結晶系半導体の一面および各端面に想定外のｐｎ接合部が形成されることを防止しつつ結晶系半導体の他面に光電変換部として働くｐｉｎ接合を形成することができる。
【００１４】
マスク膜を除去した後、結晶系半導体の一面に一導電型の第３の非晶質系半導体膜を形成してもよい。この場合、結晶系半導体の一面および各端面に想定外のｐｎ接合が形成されることなく結晶系半導体の一面側にＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）構造を形成することができる。
【００１５】
プラズマ化学蒸着法により第１の非晶質半導体膜を形成してもよい。この場合、マスク膜により気相原料の回り込みによる特性の劣化を防止しつつ、気相原料から第１の非晶質半導体膜を容易に形成することができる。
【００１６】
マスク膜は、結晶系半導体の表面を酸化して形成してもよい。この場合、被覆材料を別に用意する必要がないため、製造コストが低減される。
【００１７】
第２の発明に係る光起電力素子は、第１の発明に係る製造方法により製造されたものである。
【００１８】
第２の発明に係る光起電力素子においては、一導電型の結晶系半導体の一面および各端面がマスク膜で被覆され、結晶系半導体の他面に他導電型の第１の非晶質系半導体膜が形成された後、マスク膜が除去されて製造される。それにより、気相原料の回り込みにより結晶系半導体の一面および各端面に想定外のｐｎ接合が形成されることを防止しつつ結晶系半導体の他面に光電変換部として働くｐｎ接合を形成することができる。したがって、気相原料の回り込みによる特性の劣化が防止され、光電変換に有効な面積が最大限活用される。その結果、第２の発明に係る光起電力素子は、高い光電変化効率を有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。図１に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。ｐ型非晶質シリコン膜３上に表面電極４が形成され、表面電極４上にくし型状の集電極５が形成されている。ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。ｎ型非晶質シリコン膜７上に裏面電極８が形成され、裏面電極８上にくし型状の集電極９が形成されている。図１の光起電力素子では、ｎ型単結晶シリコン基板１が主たる発電層となる。
【００２１】
ｉ型非晶質シリコン膜２は、膜厚が５０〜２００Åであることが好ましく、例えば、１００Åである。
【００２２】
表面電極４および裏面電極８は、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等からなる透明電極である。集電極５、９は、Ａｇ（銀）等からなる。
【００２３】
本実施の形態の光起電力素子は、ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン膜３との間にｉ型非晶質シリコン膜２を設けたＨＩＴ（真性薄膜を有するヘテロ接合：Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｔｈｉｎ−Ｌａｙｅｒ）構造を有するとともに、裏面でのキャリア再結合を防止するためにｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７を設けたＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）構造を有する。
【００２４】
次に、図１の光起電力素子の製造方法を説明する。
まず、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜を形成する。
【００２５】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を真空チャンバ内で加熱する。それにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に付着した水分が除去される。その後、真空チャンバ内にＨ２（水素）ガスを導入して、プラズマ放電によりｎ型単結晶シリコン基板１表面のクリーニングを行う。
【００２６】
次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４（シラン）ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢ２Ｈ６ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜２上にプラズマＣＶＤ法によりｐ型非晶質シリコン膜３を形成する。
【００２７】
次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を液体ＨＦ（フッ酸）に浸すことにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に形成された酸化シリコン膜を除去する。この場合、酸化シリコン膜上に形成されたｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３も酸化シリコン膜とともに除去される。
【００２８】
次いで、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜６を形成する。続いて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＰＨ３（ホスフィン）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜６下にプラズマＣＶＤ法によりｎ型非晶質シリコン膜７を形成する。
【００２９】
次に、スパッタリング法により、ｐ型非晶質シリコン膜３上に表面電極４を形成し、ｎ型非晶質シリコン膜７上に裏面電極８を形成する。さらに、スクリーン印刷法により、表面電極４上に集電極５を形成し、裏面電極８７上に集電極９を形成する。
【００３０】
本実施の形態の光起電力素子においては、ｐ型非晶質シリコン膜３を形成する間、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面は酸化シリコン膜で被覆されている。それにより、ｐ型非晶質シリコン膜３の形成時に、気相原料の回り込みによりｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン膜３との間に想定外のｐｎ接合が形成されることが防止される。また、必要以上に金属マスクを被せる必要がないため、ｉ型非晶質シリコン膜２の面積を最大限に大きくすることができる。それにより、光電変換有効面積を大きくすることができる。
【００３１】
したがって、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘが向上する。その結果、光電変換効率が向上する。
【００３２】
なお、ｎ型単結晶シリコン基板１の代わりにｎ型多結晶シリコン基板を用いてもよい。また、ｉ型非晶質シリコン膜２、ｐ型非晶質シリコン膜３、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が微結晶シリコンを含んでもよい。
【００３３】
また、ｎ型単結晶シリコン基板１、ｉ型非晶質シリコン膜２、ｐ型非晶質シリコン膜３、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７の代わりに、例えば、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）等のような他のＩＶ族元素を用いてもよい。
【００３４】
なお、本実施の形態に係る光起電力素子の製造方法においては、マスク膜として酸化シリコン膜１０を用いているが、これに限定されない。例えば、マスク膜としてｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面にポリイミド樹脂等の樹脂膜を塗布してもよい。
【００３５】
また、本実施の形態の光起電力素子においては、ｎ型単結晶シリコン基板１の表裏面に膜を形成しているがそれに限られない。例えば、ｐ型単結晶シリコン基板の主面にｉ型非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜を形成し、裏面にはｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜を形成してもよい。
【００３６】
さらに、本発明は、図１に示す光起電力素子の構造に限定されず、他の種々の構造を有する光起電力素子に適用することができる。例えば、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面のｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７を設けなくてもよい。
【００３７】
本実施の形態では、ｎ型単結晶シリコン基板１が結晶系半導体に相当し、ｐ型非晶質シリコン膜３が第１の非晶質半導体膜に相当し、ｉ型非晶質シリコン膜２が第２の非晶質半導体膜に相当し、金属マスク１０がマスク膜に相当し、ｎ型非晶質シリコン膜７が第３の非晶質半導体膜に相当する。
【００３８】
【実施例】
以下の実施例１，２では、上記実施の形態の方法で図１の構造を有する光起電力素子を作製し、出力特性を測定した。実施例１，２および比較例１，２の光起電力素子の作製条件を表１に示す。
【００３９】
【表１】

Figure 2004296550
【００４０】
（実施例１）
図２および図３は、実施例１の光起電力素子の製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【００４１】
まず、図２に示すように、図１のｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成する前にｎ型単結晶シリコン基板１の主面の周辺部、裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成した。
【００４２】
次に、図３に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面の周辺部に形成された酸化シリコン膜１０上に金属マスク２０を被せ、表１の条件でｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成した。
【００４３】
その後、上記実施の形態の方法および表１の条件で図１のｉ型非晶質シリコン膜６、ｎ型非晶質シリコン膜７、表面電極４、裏面電極８および集電極５，９を形成した。
【００４４】
（比較例１）
比較例１では、ｎ型単結晶シリコン基板１に酸化シリコン膜１０を形成することなく、実施例１と同様に図３の金属マスク２０を被せ、表１の条件でｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成した。
【００４５】
（評価１）
実施例１および比較例１の光起電力素子の出力特性を測定した。表２に実施例１および比較例１の光起電力素子の出力特性の測定結果を示す。表２においては、実施例１および比較例１の光起電力素子における開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘの測定結果を比較例１の光起電力素子における測定結果を１．０００として規格化し、規格化した開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘを示している。
【００４６】
【表２】
Figure 2004296550
【００４７】
表２に示すように、実施例１の光起電力素子は、比較例１の光起電力素子に比較して、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘのいずれもが向上した。したがって、比較例１の光起電力素子に比較して実施例１の光起電力素子の光電変換効率が優れていることがわかった。
【００４８】
これは、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面の酸化シリコン膜１０により、ｐ型非晶質シリコン膜３を形成する際に気相原料の回り込みによりｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｐｎ接合が形成されることが防止されたためであると考えられる。また、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面の周辺部および各端面が酸化シリコン膜１０で被覆されているために、ｐ型非晶質シリコン膜３を形成する際にｎ型単結晶シリコン基板１の端面および主面の外周部にｐ型非晶質シリコン膜３とのｐｎ接合が形成されることが防止されることも影響していると考えられる。
【００４９】
以上のことから、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘを向上させるには、ｐ型非晶質シリコン膜３の形成時にｎ型単結晶シリコン基板１の主面の周辺部、裏面および各端面を酸化シリコン膜１０で被覆することが望ましいことがわかる。
【００５０】
（実施例２）
図４および図５は、実施例２の光起電力素子の製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【００５１】
まず、図４に示すように、図１のｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成する前にｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成した。
【００５２】
次に、図５に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面の各角部に金属マスク２０ａを被せ、表１の条件でｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成した。なお、金属マスク２０ａを被せる位置は、ｎ型単結晶シリコン基板１の周縁部であればよく、角部に限定されるものではない。
【００５３】
その後、上記実施の形態の方法および表１の条件で図１のｉ型非晶質シリコン膜６、ｎ型非晶質シリコン膜７、表面電極４、裏面電極８および集電極５，９を形成した。
【００５４】
（比較例２）
図６は、比較例２の光起電力素子の製造方法を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【００５５】
図６に示すように、比較例２では、ｎ型単結晶シリコン基板１に酸化シリコン膜１０を形成することなく、実施例２と同様に図５の金属マスク２０ａを被せ、表１の条件でｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３を形成した。
【００５６】
（評価２）
実施例１，２および比較例２の光起電力素子の出力特性を測定した。表３に実施例１，２および比較例２の光起電力素子の出力特性の測定結果を示す。表３においては、実施例１，２および比較例２の光起電力素子における開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘの測定結果を実施例１の光起電力素子における測定結果を１．０００として規格化し、規格化した開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘを示している。
【００５７】
【表３】
Figure 2004296550
【００５８】
表３に示すように、比較例２の光起電力素子では、実施例１の光起電力素子に比較して、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘのいずれも大幅に低下している。これは、ｐ型非晶質シリコン膜３を形成する際にｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に気相原料が回り込んで想定外のｐｎ接合が広く形成されたことと、ｎ型単結晶シリコン基板１の端面にｐ型非晶質シリコン膜３とのｐｎ接合が形成されたためであると考えられる。
【００５９】
実施例２の光起電力素子では、実施例１の光起電力素子に比較して、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘのいずれもが向上した。これは、ｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３の面積が大きくなり、光電変換に有効な面積が大きくなったことと、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面における周辺部もｉ型非晶質シリコン膜２に覆われているため、シリコン基板１表面に存在する再結合準位の影響が低減されたこととによるものと考えられる。
【００６０】
評価１および評価２より、図１の光起電力素子を作製する際に、ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する前にｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０形成することにより、開放電圧Ｖｏｃ、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．および最大出力Ｐｍａｘの向上に伴う光電変換効率の向上が見られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
【図２】実施例１のｎ型単結晶シリコン基板を示す図である。
【図３】実施例１のｎ型単結晶シリコン基板、ｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜を示す図である。
【図４】実施例２のｎ型単結晶シリコン基板を示す図である。
【図５】実施例２のｎ型単結晶シリコン基板、ｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜を示す図である。
【図６】比較例２のｎ型単結晶シリコン基板、ｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜を示す図である。
【符号の説明】
１ ｎ型単結晶シリコン基板
２，６ ｉ型非晶質シリコン膜
３ ｐ型非晶質シリコン膜
７ ｎ型非晶質シリコン膜
１０ 酸化シリコン膜
２０，２０ａ 金属マスク[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a photovoltaic device using a semiconductor junction and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In recent years, photovoltaic elements having a structure in which a p-type amorphous silicon film is formed on an n-type single crystal silicon substrate have been developed. In a process of forming a p-type amorphous silicon film on an n-type single crystal silicon substrate, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method or the like is used (for example, see Patent Document 1).
[0003]
In this case, since the plasma CVD method utilizes a gas phase reaction, the gas phase raw material wraps around the back surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate when forming the p-type amorphous silicon film, and A pn junction may be formed on the back surface of the crystalline silicon substrate. Therefore, it is necessary to prevent the gaseous raw material from sneaking around by covering the peripheral portion of the surface of the n-type single crystal silicon substrate with a metal mask.
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 2,740,284
[Problems to be solved by the invention]
However, in order to prevent the vapor-phase raw material from wrapping around the back surface and each end surface of the n-type single-crystal silicon substrate, it is necessary to increase the area covered with the metal mask. As a result, the area of the p-type amorphous silicon film formed on the surface of the n-type single crystal silicon substrate is reduced, and the area effective for photoelectric conversion is reduced.
[0006]
An object of the present invention is to provide a photovoltaic element and a method for manufacturing the same, which can prevent deterioration of characteristics due to wraparound of a gas-phase raw material and can maximize the area effective for photoelectric conversion. is there.
[0007]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
Note that a crystalline semiconductor in this specification includes a single crystal semiconductor and a polycrystalline semiconductor, and an amorphous semiconductor includes an amorphous semiconductor and a microcrystalline semiconductor.
[0008]
A method for manufacturing a photovoltaic element according to a first aspect of the present invention is directed to a method of manufacturing a photovoltaic device, wherein one surface and one end face of a crystalline semiconductor of one conductivity type are covered with a mask film, and a first amorphous semiconductor of another conductivity type is coated on the other surface of the crystalline semiconductor. After forming the high quality semiconductor film, the mask film is removed.
[0009]
In the method for manufacturing a photovoltaic device according to the first invention, the first amorphous semiconductor is formed on the other surface of the crystalline semiconductor in a state where one surface and each end surface of the crystalline semiconductor are covered with a mask film. Since a system-based semiconductor film is formed, a pn junction is formed on the other surface of the crystal-based semiconductor while preventing an unexpected pn junction from being formed on one surface and each end surface of the crystal-based semiconductor due to the flow of the vapor-phase raw material. be able to. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the characteristics due to the wraparound of the gas-phase raw material, and it is possible to maximize the area effective for the photoelectric conversion.
[0010]
A mask film may be formed in one surface and each end surface of the crystalline semiconductor and in the other surface of the crystalline semiconductor except for a region where the first amorphous semiconductor film is to be formed. In this case, it is possible to prevent an unexpected pn junction from being formed in a region other than a region where the first amorphous semiconductor film is to be formed when the first amorphous semiconductor film is formed.
[0011]
The first amorphous semiconductor film may be formed so that an end face of the first amorphous semiconductor film is aligned with an end face of the crystalline semiconductor. In this case, since the area of the crystalline semiconductor and the area of the first amorphous semiconductor film are equal, the area effective for photoelectric conversion can be maximized.
[0012]
After forming a non-doped second amorphous semiconductor film on the other surface of the crystalline semiconductor, a first amorphous semiconductor film of another conductivity type is formed on the second amorphous semiconductor film. You may.
[0013]
In this case, the second amorphous semiconductor film and the first amorphous semiconductor film are formed on the other surface of the crystalline semiconductor while one surface and each end surface of the crystalline semiconductor are covered with the mask film. Therefore, it is possible to form a pin junction serving as a photoelectric conversion unit on the other surface of the crystalline semiconductor while preventing an unexpected pn junction from being formed on one surface and each end surface of the crystalline semiconductor.
[0014]
After removing the mask film, a third amorphous semiconductor film of one conductivity type may be formed on one surface of the crystalline semiconductor. In this case, a BSF (Back Surface Field) structure can be formed on one side of the crystalline semiconductor without forming an unexpected pn junction on one side and each end face of the crystalline semiconductor.
[0015]
The first amorphous semiconductor film may be formed by a plasma chemical vapor deposition method. In this case, the first amorphous semiconductor film can be easily formed from the vapor-phase source while preventing deterioration of characteristics due to the wraparound of the vapor-phase source by the mask film.
[0016]
The mask film may be formed by oxidizing the surface of the crystalline semiconductor. In this case, since there is no need to prepare a coating material separately, the manufacturing cost is reduced.
[0017]
The photovoltaic element according to the second invention is manufactured by the manufacturing method according to the first invention.
[0018]
In the photovoltaic device according to the second invention, one surface and each end surface of the one-conductivity-type crystalline semiconductor are covered with a mask film, and the other amorphous-type first amorphous-based semiconductor is formed on the other surface of the crystalline semiconductor. After the semiconductor film is formed, the mask film is removed to manufacture the semiconductor device. Accordingly, it is possible to prevent an unexpected pn junction from being formed on one face and each end face of the crystalline semiconductor due to the flow of the vapor-phase raw material, and to form a pn junction serving as a photoelectric conversion unit on the other face of the crystalline semiconductor. Can be. Therefore, deterioration of the characteristics due to the wraparound of the gas-phase raw material is prevented, and the area effective for photoelectric conversion is maximally utilized. As a result, the photovoltaic device according to the second invention has high photoelectric change efficiency.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(First Embodiment)
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
[0020]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of the photovoltaic device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, an i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are sequentially formed on a main surface (front surface) of an n-type single crystal silicon substrate 1. A surface electrode 4 is formed on the p-type amorphous silicon film 3, and a comb-shaped collector electrode 5 is formed on the surface electrode 4. On the back surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are sequentially formed. A back electrode 8 is formed on the n-type amorphous silicon film 7, and a comb-shaped collector electrode 9 is formed on the back electrode 8. In the photovoltaic element of FIG. 1, the n-type single crystal silicon substrate 1 is the main power generation layer.
[0021]
The i-type amorphous silicon film 2 preferably has a thickness of 50 to 200 °, for example, 100 °.
[0022]
The front surface electrode 4 and the back surface electrode 8 are transparent electrodes made of ITO (indium tin oxide), SnO 2 (tin oxide), ZnO (zinc oxide), or the like. The collector electrodes 5 and 9 are made of Ag (silver) or the like.
[0023]
In the photovoltaic element of the present embodiment, an i-type amorphous silicon film 2 is provided between an n-type single-crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon film 3 in order to improve pn junction characteristics. It has a HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) structure and an i-type amorphous silicon film 6 on the back surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 to prevent carrier recombination on the back surface. And a BSF (Back Surface Field) structure provided with an n-type amorphous silicon film 7.
[0024]
Next, a method for manufacturing the photovoltaic element of FIG. 1 will be described.
First, a silicon oxide film is formed on the back surface and each end surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the back surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.
[0025]
Next, the n-type single crystal silicon substrate 1 is heated in a vacuum chamber. Thereby, moisture attached to the surface of n-type single crystal silicon substrate 1 is removed. Thereafter, H 2 (hydrogen) gas is introduced into the vacuum chamber, and the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 is cleaned by plasma discharge.
[0026]
Next, SiH 4 (silane) gas and H 2 gas are introduced into the vacuum chamber, and the i-type amorphous silicon film 2 is formed on the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method. Form. Subsequently, SiH 4 gas, H 2 gas and B 2 H 6 gas are introduced into the vacuum chamber, and a p-type amorphous silicon film 3 is formed on the i-type amorphous silicon film 2 by a plasma CVD method. .
[0027]
Next, the silicon oxide film formed on the back surface and each end surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 is removed by immersing the n-type single-crystal silicon substrate 1 in liquid HF (hydrofluoric acid). In this case, the i-type amorphous silicon film 2 and the p-type amorphous silicon film 3 formed on the silicon oxide film are also removed together with the silicon oxide film.
[0028]
Next, SiH 4 gas and H 2 gas are introduced into the vacuum chamber, and an i-type amorphous silicon film 6 is formed on the back surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by a plasma CVD method. Subsequently, an n-type amorphous silicon film 7 is formed below the i-type amorphous silicon film 6 by a plasma CVD method by introducing SiH 4 gas, H 2 gas, and PH 3 (phosphine) gas.
[0029]
Next, the front surface electrode 4 is formed on the p-type amorphous silicon film 3 by sputtering, and the back surface electrode 8 is formed on the n-type amorphous silicon film 7. Further, the collector electrode 5 is formed on the front surface electrode 4 and the collector electrode 9 is formed on the back surface electrode 87 by a screen printing method.
[0030]
In the photovoltaic element of the present embodiment, while the p-type amorphous silicon film 3 is formed, the back surface and each end surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 are covered with the silicon oxide film. Thereby, when the p-type amorphous silicon film 3 is formed, an unexpected pn junction is formed between the n-type single-crystal silicon substrate 1 and the p-type amorphous silicon film 3 due to the flow of the vapor-phase raw material. Is prevented. Further, since it is not necessary to cover the metal mask more than necessary, the area of the i-type amorphous silicon film 2 can be maximized. Thereby, the photoelectric conversion effective area can be increased.
[0031]
Therefore, the open circuit voltage Voc, the short circuit current Isc, the fill factor F. F. And the maximum output Pmax is improved. As a result, the photoelectric conversion efficiency is improved.
[0032]
Note that an n-type polycrystalline silicon substrate may be used instead of the n-type single crystal silicon substrate 1. Further, the i-type amorphous silicon film 2, the p-type amorphous silicon film 3, the i-type amorphous silicon film 6, and the n-type amorphous silicon film 7 may include microcrystalline silicon.
[0033]
Further, instead of the n-type single crystal silicon substrate 1, the i-type amorphous silicon film 2, the p-type amorphous silicon film 3, the i-type amorphous silicon film 6, and the n-type amorphous silicon film 7, for example, Other group IV elements such as SiC (silicon carbide), SiGe (silicon germanium), Ge (germanium) and the like may be used.
[0034]
In the method of manufacturing a photovoltaic device according to the present embodiment, the silicon oxide film 10 is used as the mask film, but the present invention is not limited to this. For example, a resin film such as a polyimide resin may be applied to the back surface and each end surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 as a mask film.
[0035]
Further, in the photovoltaic element of the present embodiment, films are formed on the front and back surfaces of n-type single-crystal silicon substrate 1, but the present invention is not limited to this. For example, an i-type amorphous silicon film and an n-type amorphous silicon film are formed on a main surface of a p-type single crystal silicon substrate, and an i-type amorphous silicon film and a p-type amorphous silicon film are formed on a back surface. It may be formed.
[0036]
Further, the present invention is not limited to the structure of the photovoltaic element shown in FIG. 1, but can be applied to photovoltaic elements having various other structures. For example, the i-type amorphous silicon film 6 and the n-type amorphous silicon film 7 on the back surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 may not be provided.
[0037]
In this embodiment, the n-type single-crystal silicon substrate 1 corresponds to a crystalline semiconductor, the p-type amorphous silicon film 3 corresponds to a first amorphous semiconductor film, and the i-type amorphous silicon film 2 Corresponds to a second amorphous semiconductor film, the metal mask 10 corresponds to a mask film, and the n-type amorphous silicon film 7 corresponds to a third amorphous semiconductor film.
[0038]
【Example】
In the following Examples 1 and 2, a photovoltaic element having the structure shown in FIG. 1 was manufactured by the method of the above embodiment, and the output characteristics were measured. Table 1 shows the manufacturing conditions of the photovoltaic elements of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.
[0039]
[Table 1]
Figure 2004296550
[0040]
(Example 1)
2 and 3 are diagrams illustrating a method for manufacturing the photovoltaic element of Example 1, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view.
[0041]
First, as shown in FIG. 2, before forming the i-type amorphous silicon film 2 and the p-type amorphous silicon film 3 in FIG. A silicon oxide film 10 was formed on each end face.
[0042]
Next, as shown in FIG. 3, a metal mask 20 is put on the silicon oxide film 10 formed on the periphery of the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, and the i-type amorphous silicon A film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 were formed.
[0043]
Thereafter, the i-type amorphous silicon film 6, the n-type amorphous silicon film 7, the front electrode 4, the back electrode 8, and the collecting electrodes 5 and 9 of FIG. did.
[0044]
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, without forming the silicon oxide film 10 on the n-type single-crystal silicon substrate 1, the metal mask 20 of FIG. 2 and a p-type amorphous silicon film 3 were formed.
[0045]
(Evaluation 1)
The output characteristics of the photovoltaic elements of Example 1 and Comparative Example 1 were measured. Table 2 shows the measurement results of the output characteristics of the photovoltaic elements of Example 1 and Comparative Example 1. In Table 2, the open-circuit voltage Voc, the short-circuit current Isc, and the fill factor F.F in the photovoltaic devices of Example 1 and Comparative Example 1 are shown. F. The measurement result of the maximum output Pmax and the measurement result of the photovoltaic device of Comparative Example 1 were normalized to 1.000, and the normalized open-circuit voltage Voc, short-circuit current Isc, and fill factor F. F. And the maximum output Pmax.
[0046]
[Table 2]
Figure 2004296550
[0047]
As shown in Table 2, the photovoltaic element of Example 1 had an open-circuit voltage Voc, a short-circuit current Isc, and a fill factor of F.I. compared to the photovoltaic element of Comparative Example 1. F. And the maximum output Pmax improved. Therefore, it was found that the photoelectric conversion efficiency of the photovoltaic device of Example 1 was superior to that of Comparative Example 1.
[0048]
This is because the silicon oxide film 10 on the back surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 causes a pn junction to be formed on the back surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 by wraparound of the vapor phase material when forming the p-type amorphous silicon film 3. This is considered to be because formation of was prevented. Further, since the peripheral portion and each end face of the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 are covered with the silicon oxide film 10, the n-type single-crystal silicon substrate 3 is formed when the p-type amorphous silicon film 3 is formed. It is considered that the prevention of the formation of the pn junction with the p-type amorphous silicon film 3 at the end face and the outer peripheral portion of the main face also has an effect.
[0049]
From the above, the open circuit voltage Voc, the short circuit current Isc, the fill factor F. F. In order to improve the maximum output Pmax, it is desirable to cover the peripheral portion, the back surface, and each end surface of the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1 with the silicon oxide film 10 when the p-type amorphous silicon film 3 is formed. You can see that.
[0050]
(Example 2)
4 and 5 are diagrams illustrating a method for manufacturing the photovoltaic element of Example 2, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view.
[0051]
First, as shown in FIG. 4, before forming the i-type amorphous silicon film 2 and the p-type amorphous silicon film 3 of FIG. 1, a silicon oxide film is formed on the back surface and each end surface of the n-type single crystal silicon substrate 1. 10 was formed.
[0052]
Next, as shown in FIG. 5, a metal mask 20a is placed on each corner of the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, and the i-type amorphous silicon film 2 and the p-type amorphous A silicon film 3 was formed. Note that the position where the metal mask 20a is covered may be a peripheral portion of the n-type single crystal silicon substrate 1, and is not limited to a corner.
[0053]
Thereafter, the i-type amorphous silicon film 6, the n-type amorphous silicon film 7, the front electrode 4, the back electrode 8, and the collecting electrodes 5 and 9 of FIG. did.
[0054]
(Comparative Example 2)
6A and 6B are diagrams illustrating a method for manufacturing the photovoltaic element of Comparative Example 2, wherein FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a cross-sectional view.
[0055]
As shown in FIG. 6, in Comparative Example 2, without forming the silicon oxide film 10 on the n-type single-crystal silicon substrate 1, the metal mask 20a of FIG. An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 were formed.
[0056]
(Evaluation 2)
Output characteristics of the photovoltaic elements of Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 were measured. Table 3 shows the measurement results of the output characteristics of the photovoltaic elements of Examples 1 and 2 and Comparative Example 2. In Table 3, the open-circuit voltage Voc, the short-circuit current Isc, and the fill factor F.F in the photovoltaic devices of Examples 1 and 2 and Comparative Example 2 are shown. F. The measurement result of the maximum output Pmax and the measurement result of the photovoltaic device of Example 1 were normalized to 1.000, and the normalized open-circuit voltage Voc, short-circuit current Isc, and fill factor F. F. And the maximum output Pmax.
[0057]
[Table 3]
Figure 2004296550
[0058]
As shown in Table 3, in the photovoltaic element of Comparative Example 2, the open-circuit voltage Voc, the short-circuit current Isc, and the fill factor F.F. F. And the maximum output Pmax are significantly reduced. This is because, when the p-type amorphous silicon film 3 is formed, an unexpected pn junction is widely formed due to the gas-phase raw material wrapping around the back surface of the n-type single crystal silicon substrate 1; This is considered to be because a pn junction with the p-type amorphous silicon film 3 was formed on the end face of the silicon substrate 1.
[0059]
The photovoltaic element of the second embodiment has an open voltage Voc, a short-circuit current Isc, a fill factor F.C. F. And the maximum output Pmax improved. This is because the area of the i-type amorphous silicon film 2 and the area of the p-type amorphous silicon film 3 are increased, and the effective area for photoelectric conversion is increased. It is considered that the influence of the recombination level existing on the surface of the silicon substrate 1 was reduced because the portion was also covered with the i-type amorphous silicon film 2.
[0060]
From the evaluations 1 and 2, when manufacturing the photovoltaic device of FIG. 1, before forming the i-type amorphous silicon film 2 on the main surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, the n-type single-crystal silicon By forming the silicon oxide film 10 on the back surface and each end surface of the substrate 1, the open voltage Voc, the short-circuit current Isc, the fill factor F. F. Also, the improvement of the photoelectric conversion efficiency with the increase of the maximum output Pmax was observed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the structure of a photovoltaic device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing an n-type single-crystal silicon substrate of Example 1.
FIG. 3 is a diagram showing an n-type single-crystal silicon substrate, an i-type amorphous silicon film, and a p-type amorphous silicon film of Example 1.
FIG. 4 is a diagram showing an n-type single-crystal silicon substrate of Example 2.
FIG. 5 is a diagram showing an n-type single-crystal silicon substrate, an i-type amorphous silicon film, and a p-type amorphous silicon film of Example 2.
FIG. 6 is a diagram showing an n-type single-crystal silicon substrate, an i-type amorphous silicon film, and a p-type amorphous silicon film of Comparative Example 2.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 n-type single-crystal silicon substrate 2, 6 i-type amorphous silicon film 3 p-type amorphous silicon film 7 n-type amorphous silicon film 10 silicon oxide film 20, 20a metal mask

Claims (8)

一導電型の結晶系半導体の一面および各端面をマスク膜で被覆し、前記結晶系半導体の他面に他導電型の第１の非晶質系半導体膜を形成した後、前記マスク膜を除去することを特徴とする光起電力素子の製造方法。After covering one surface and each end surface of the crystalline semiconductor of one conductivity type with a mask film and forming a first amorphous semiconductor film of another conductivity type on the other surface of the crystalline semiconductor, the mask film is removed. A method for manufacturing a photovoltaic element. 前記結晶系半導体の一面および各端面とともに前記結晶系半導体の前記他面のうち第１の非晶質系半導体膜を形成すべき領域を除く領域にマスク膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光起電力素子の製造方法。A mask film is formed in a region of the other surface of the crystalline semiconductor together with one surface and each end surface of the crystalline semiconductor except a region where a first amorphous semiconductor film is to be formed. 2. A method for manufacturing the photovoltaic element according to 1. 前記第１の非晶質系半導体膜の端面が前記結晶系半導体の端面に揃うように前記第１の非晶質系半導体膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光起電力素子の製造方法。2. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the first amorphous semiconductor film is formed such that an end face of the first amorphous semiconductor film is aligned with an end face of the crystalline semiconductor. Manufacturing method. 前記結晶系半導体の他面にノンドープの第２の非晶質系半導体膜を形成した後、前記第２の非晶質系半導体膜上に前記他導電型の第１の非晶質系半導体膜を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。After forming a non-doped second amorphous semiconductor film on the other surface of the crystalline semiconductor, the first amorphous semiconductor film of the other conductivity type is formed on the second amorphous semiconductor film. The method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein: 前記マスク膜を除去した後、前記結晶系半導体の前記一面に前記一導電型の第３の非晶質系半導体膜を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。5. The light according to claim 1, wherein after removing the mask film, the third amorphous semiconductor film of one conductivity type is formed on the one surface of the crystalline semiconductor. 6. Manufacturing method of electromotive force element. プラズマ化学蒸着法により前記第１の非晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。The method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the first amorphous semiconductor film is formed by a plasma chemical vapor deposition method. 前記マスク膜は、前記結晶系半導体の表面を酸化して形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光起電力素子の製造方法。The method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the mask film is formed by oxidizing a surface of the crystalline semiconductor. 請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする光起電力素子。A photovoltaic device manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012105155A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 三洋電機株式会社 Photoelectric converter and method for producing same
JP2014232821A (en) * 2013-05-29 2014-12-11 株式会社カネカ Solar cell and manufacturing method therefor, and solar cell module
WO2020202840A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社カネカ Method for manufacturing solar cell and solar cell
EP2682990B1 (en) 2012-07-02 2021-03-24 Meyer Burger (Germany) GmbH Hetero-junction solar cells with edge isolation and methods of manufacturing same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012105155A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 三洋電機株式会社 Photoelectric converter and method for producing same
JPWO2012105155A1 (en) * 2011-01-31 2014-07-03 三洋電機株式会社 Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
EP2682990B1 (en) 2012-07-02 2021-03-24 Meyer Burger (Germany) GmbH Hetero-junction solar cells with edge isolation and methods of manufacturing same
JP2014232821A (en) * 2013-05-29 2014-12-11 株式会社カネカ Solar cell and manufacturing method therefor, and solar cell module
WO2020202840A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社カネカ Method for manufacturing solar cell and solar cell
JPWO2020202840A1 (en) * 2019-03-29 2021-11-25 株式会社カネカ Manufacturing method of solar cells and solar cells

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