【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｉウエハ−あるいはＧａＡｓなどの化合物半導体ウエハ−の研磨工程で使用されるセラミックス製ポリッシングプレ−ト等の焼成前に貫通孔を形成するための切削加工装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７の焼成前製品９は半導体製造装置用治具であり、Ｓｉウエーハの真空チャックとして吸着面を均一にすることを目的とし、図７の座ぐり孔１１ａ側より吸引し、孔１１側で吸着固定するものである。
【０００３】
以下は、従来の半導体製造装置用治具の焼成前製品９におけるセラミックス体の孔加工で、図６（Ａ）の外径Ｒ３が１．２ｍｍの超硬切刃４ｃを備えたドリル２ａ、図６（Ｂ）の外径Ｒ４が０．６ｍｍの超硬切刃４ｄを備えたドリル２ｂをそれぞれ、図５（Ａ）のチャッキング装置１８に順次取り付け、マシニングセンタ−にて、セラミックス焼成前加工を行っていた。
【０００４】
また、図７に示すセラミックスの焼成前製品９を、マシニングセンター（不図示）にて加工する際、焼成前製品９の表面より外径Ｔ２、深さＤ１の座ぐり孔１１ａを加工し、次に焼成前製品９の裏面より同一箇所に外径Ｔ１、深さＤ２の孔１１を座グリ孔１１ａまで貫通させる工程で孔加工を行っていた（特許文献１参照）。
【特許文献１】
特開平１１―２１６７２０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の特許文献１によると、図７に示すように焼成前製品９が肉厚の為、一方向からの孔加工では、切粉１０が上がって来ず、焼成前製品９のクラック、ドリル２ａ，２ｂの折れ等が発生することから一方向からの加工はできなかった。
【０００６】
例えば、孔数５０００個の表面加工を行い、次に孔位置に印を付け、焼成前製品９を反転させて反対面の加工を行う為、加工時間にかなりの時間が必要とし、またセットに時間を取られていた。また、焼成前製品９を反転させて反対面の加工を行う際、同軸度のズレが多発していた。
【０００７】
従ってズレの確認が必要となり、５０００個の孔１１、１１ａを１つ１つずつピンゲ−ジにて確認する必要があり、上記加工時間に加え、検査工程に非常に多くの時間を必要とする問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記に鑑みて本発明は、焼成前のセラミックス体に切削により孔加工を施す装置であって、主軸の回転により複数の平行な軸を回転させる多軸ツ−ルと、各軸に取り付けられた２段形状ドリルからなり、該２段形状ドリルの大径部と小径部の同軸度が０．０２ｍｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、上記２段形状ドリルはダイヤモンド切刃を有し、小径部の外径が０．５〜０．８ｍｍ、大径部の外径が１．２〜２ｍｍであることを特徴とするものである。
【００１０】
これにより、各ドリルを回転させながら、焼成前のセラミックス体に押し当てることによって、段形状の孔を形成することを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態を図を用いて説明する。
【００１２】
図１（Ａ）に示すチャッキング装置８に、図２に示すような大径部２０ｂと小径部２０ａを備えた２段形状ドリル１をチャッキングする。
【００１３】
図４に示すように、主軸６により軸７ａを回転させ、平行な軸７ｂを特徴とする多軸ツ−ル５により各２段形状ドリル１を回転させながら焼成前製品９に押し当てることにより、焼成前製品９を反転せずに、片側より内径の異なる２種類の孔を連続して加工することができる。
【００１４】
このとき、２段形状ドリル１の同軸度Ｋ１が０．０２ｍｍ以下であることにより、孔加工された半導体製造装置用冶具、例えば真空チャックはＳｉウエ−ハの吸着面を均一に吸着して、強固に固定をすることができる。
【００１５】
また、上記２段形状ドリル１の各先端が、外径Ｒ２が０．５〜０．８ｍｍの小径部２０ａのダイヤモンド切刃３ａ、外径Ｒ１が１．２〜２ｍｍの大径部２０ｂのダイヤモンド切刃３ｂとすることにより、製品の肉厚に対応して加工することができ、上記２種類の孔の外径の同軸度Ｋ２のズレが全く起こらず、また加工時間、検査時間を短縮することができる。
【００１６】
以下に本発明の実施形態の詳細を図を用いて示す。
【００１７】
図２は本発明の、ダイヤモンド切刃３ａ、３ｂを持つ２段形状ドリル１の形状図を示している。図２は２種類の外径Ｒ１、Ｒ２の超硬切刃４ａ、４ｂをもつ大径部２０ｂと小径部２０ａ同軸上に備えた２段形状ドリル１であり、超硬切刃４ａ、４ｂの各先端部にダイヤモンド切刃３ａ、３ｂをロ−付けし、小径部２０ａの外径Ｒ２が０．５〜０．８ｍｍ、大径部２０ｂの外径Ｒ１が１．２〜２ｍｍとし、この同軸度Ｋ１を０．０２ｍｍ以下とする。
【００１８】
ここで、ダイヤモンド切刃３ａ、３ｂとはダイヤモンド微粉の焼結体で耐摩耗性に富み、しかもダイヤモンド本来の耐摩耗性を兼ね備え焼結層全部が安定した均一なものを指す。
【００１９】
超硬切刃は非常に優れた耐衝撃性を持っているが、ダイヤモンド切刃に比較して軟らかく耐摩耗係数が小さいため、この超硬切刃４ａ、４ｂの各先端に上記ダイヤモンド切刃３ａ、３ｂが備えられている。
【００２０】
図３は、本発明の半導体製造装置用治具の焼成前製品９における孔加工の実施形態を示し、８はチャッキング装置、１は２段形状ドリルを示している。
【００２１】
まず２段形状ドリル１を、多軸ツ−ル５に取り付け、焼成前製品９を反転させずに、孔１１まで貫通させる孔加工を行う。
【００２２】
図４に示すように、多軸ツール５の駆動原理は、主軸６により軸７ａ、７ｂを回転させるものである。この際、軸間のピッチ１２の公差は、０．０３ｍｍ以下とする。
【００２３】
このような多軸ツ−ル５を使用することにより、焼成前製品９を反転せず片側より外径Ｔ１、外径Ｔ２の異なる２種類の孔１１、及び座グリ孔１１ａを連続して加工し、その同軸度Ｋ２が０．１ｍｍ以下であることにより、Ｓｉウエ−ハの吸着面を均一に吸着して、しっかりとした固定することができる半導体製造装置用治具を提供ができる。
【００２４】
ここで、同軸度Ｋ２が０．１ｍｍを超えてしまうと、外径Ｔ１と外径Ｔ２がズレている為、Ｓｉウエ−ハの吸着力が弱まり、吸着が均一でなく、ウエ−ハ面（不図示）への平行、平坦が出ない等その機能を果たさないので、２段形状ドリル１の同軸度Ｋ１は０．０２ｍｍ以下とする必要がある。
【００２５】
また、従来の図６（Ｂ）外径Ｒ４が０．６ｍｍのドリル２ｂでは、焼成前製品９の肉厚に対しては、このドリル２ｂが細い為加工出来なかったのに対し、図２の一体形状ドリル１外径Ｒ１が１．２〜２ｍｍ、外径Ｒ２が０．５〜０．８ｍｍ２段形状ドリル１とすることにより、切粉１０が除去されやすくなるため、焼成前製品９の肉厚に対応して片方から加工することができ、同軸度Ｋ２のズレが全く起こらない。
【００２６】
また加工時間、検査時間を短縮することができる。
【００２７】
ここで、外径Ｒ２が０．５ｍｍ未満では、軸が弱いため軸が振れて焼成前製品９にクラックが発生する可能性がある。
【００２８】
外径Ｒ２が０．８ｍｍを超えると、バキューム用の孔としては大きすぎて適用できない。
【００２９】
また、外径Ｒ２が０．５〜０．８ｍｍと、外径Ｒ１が１．２ｍｍ未満の場合、肉厚の焼成前製品９には、軸が弱い為軸のふれで焼成前製品９にクラックがはいる恐れがある。
【００３０】
また、外径Ｒ２が０．５〜０．８ｍｍ、外径Ｒ１が２ｍｍを超える場合は、切れ性に問題はないが、バキューム用孔としては大きすぎて適用出来ない。
【００３１】
【実施例】
次に、ドリルをマシニングセンター（不図示）にセットし、セット回数、同軸度、回転数を変化させて、加工時間、ドリルの摩耗、被加工物の検査の要、不要について調査を行った。
【００３２】
従来法として、焼成前製品９の表面より図６（Ａ）の外径Ｒ３が１．２ｍｍの超硬切刃４ｃを備えたドリル２ａで焼成前製品９の図７の座グリ孔１１ａを深さ３０ｍｍまで加工終了後、焼成前製品９を反転して、外径Ｒ４が０．６ｍｍの超硬切刃４ｄを備えたドリル２ｂで裏面より孔１１を貫通させる。
【００３３】
次に本発明による方法として、図２（Ｂ）の２段形状ドリル１を４本同時に図１の真空チャック８に使用し、一方向より図３の座グリ孔１１ａ及び孔１１の連続して加工を行った結果を表１に示す。
【００３４】
ここで、２段形状ドリルは実施例として同軸度Ｋ１を０．０２ｍｍとしたものと比較例として同軸度Ｋ１を０．０３ｍｍとしたものを用意した。
【００３５】
表１より、２段形状ドリル１は、ドリル２ａ、２ｂより、加工時間の大幅な短縮が可能となり、同軸度Ｋ２の精度も高い。
【００３６】
又、検査時間も不要となり経費、時間共に大幅な改善となる。
【００３７】
【表１】
【００３８】
また、従来の加工方法と本発明の加工方法により、各種条件で試験を行い、同軸度のテストを１０回行った。
【００３９】
従来の加工方法としては、図６（Ａ）外径Ｒ３が１．２ｍｍの超硬切刃４ｃを備えたドリル２ａで深さ３０ｍｍまで加工、製品反転後、図６（Ｂ）の外径Ｒ４が０．６ｍｍの超硬切刃４ｄを備えたドリル２ｂで貫通させた。
【００４０】
一方、本発明の加工方法では、２段形状ドリル１を４本同時に図１のチャッキング装置８に使用して加工する。
【００４１】
上記加工を行った後、ピンゲ−ジを挿入し、チェックを行い、投影機にて同軸度Ｋ２の測定をおこなった測定結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】
表２より、本発明の２段形状ドリル１で加工したものは、同軸度Ｋ２が０．１ｍｍ以下となったが、従来のドリル２ａ、２ｂのものは殆どの同軸度Ｋ２が０．１ｍｍ以上となってしまった。
【００４４】
【発明の効果】
本発明により、主軸の回転により平行な軸を回転させる多軸ツ−ルにより、焼成前製品を反転せず片側より内径の異なる２種類の孔を連続して加工し、該２種類の孔の同軸度を０．１ｍｍ以下とすることを可能にして、半導体製造装置用冶具として、例えば真空チャックがＳｉウエ−ハの吸着面を均一に吸着して、しっかり固定できる孔加工をすることができる。
【００４５】
また、上記多軸ツールに搭載される２種類の外径の超硬切刃を同軸上に備えた２段形状ドリルの各先端が、外径０．５〜０．８ｍｍの小径部のダイヤモンド切刃、外径１．２〜２ｍｍの大径部のダイヤモンド切刃であることにより、製品の肉厚に対応して加工することができ、孔の同軸度のズレが全く起こさず、また加工時間、検査時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の多軸ツールを内臓したチャッキング装置の正面図、（Ｂ）はその側面図である。
【図２】本発明の２段形状ドリルを示す概略図である。
【図３】本発明による焼成前のセラミック体の孔加工を示す断面図である。
【図４】本発明の、多軸ツールを示す断面図である。
【図５】（Ａ）は従来のチャッキング装置の側面図、（Ｂ）はその正面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は超硬ドリルを示す概略図である。
【図７】従来の焼成前のセラミック体の孔加工を示す断面図である。
【符号の説明】
１：２段形状ドリル
２ａ、２ｂ：ドリル
３ａ、３ｂ：ダイヤモンド切刃
４ａ〜４ｄ：超硬切刃
５：多軸ツ−ル
６：主軸
７ａ，７ｂ：軸
８：チャッキング装置
９：焼成前製品
１０：切粉
１１ｂ：孔
１１ａ：座グリ孔
１２：ピッチ
１８：チャッキング装置
２０ａ：小径部
２０ｂ：大径部
Ｄ１、Ｄ２：深さ
Ｔ１、Ｔ２：外径
Ｋ１、Ｋ２：同軸度
Ｒ１〜Ｒ４：外径[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a cutting apparatus and a manufacturing method for forming a through hole before firing a ceramic polishing plate or the like used in a polishing process of a Si wafer or a compound semiconductor wafer such as GaAs.
[0002]
[Prior art]
The pre-fired product 9 in FIG. 7 is a jig for a semiconductor manufacturing apparatus, and is intended to make the suction surface uniform as a vacuum chuck for a Si wafer, and is sucked from the counterbore hole 11a side in FIG. It is to be fixed by suction.
[0003]
The following is a drilling of a ceramic body in a pre-fired product 9 of a conventional jig for a semiconductor manufacturing apparatus, a drill 2a having a carbide cutting edge 4c having an outer diameter R3 of 1.2 mm in FIG. Drills 2b each having a carbide cutting edge 4d having an outer diameter R4 of 0.6 mm of FIG. 6 (B) are sequentially attached to the chucking device 18 of FIG. 5 (A), and a pre-ceramic firing process is performed by a machining center. I was going.
[0004]
Further, when the ceramic pre-fired product 9 shown in FIG. 7 is processed by a machining center (not shown), a counterbore hole 11a having an outer diameter T2 and a depth D1 is processed from the surface of the pre-fired product 9, and then Hole processing was performed in a step of penetrating a hole 11 having an outer diameter T1 and a depth D2 at the same location from the back surface of the pre-fired product 9 up to the counterbore hole 11a (see Patent Document 1).
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-216720
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the conventional patent document 1, as shown in FIG. 7, since the product 9 before firing is thick, the chips 10 do not come up in the hole drilling from one direction, and cracks of the product 9 before firing occur. Since the drills 2a and 2b were broken, processing from one direction was not possible.
[0006]
For example, to process the surface of 5000 holes, then mark the position of the holes, turn over the product 9 before firing, and process the opposite surface. I was taking time. Further, when the pre-fired product 9 is turned over and the opposite surface is processed, misalignment of the coaxiality frequently occurs.
[0007]
Therefore, it is necessary to confirm the displacement, and it is necessary to confirm each of the 5,000 holes 11, 11a one by one with a pin gauge, and in addition to the processing time described above, an extremely long time is required for the inspection process. There was a problem.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In view of the above, the present invention is an apparatus for forming a hole in a ceramic body before firing by cutting, and is attached to each axis with a multi-axis tool for rotating a plurality of parallel axes by rotation of a main axis. The drill comprises a two-stage drill, and the large-diameter portion and the small-diameter portion of the two-stage drill have a coaxiality of 0.02 mm or less.
[0009]
Further, the two-stage drill has a diamond cutting edge, the outer diameter of the small diameter portion is 0.5 to 0.8 mm, and the outer diameter of the large diameter portion is 1.2 to 2 mm. is there.
[0010]
Thus, a step-shaped hole is formed by pressing each of the drills against the ceramic body before firing while rotating.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0012]
A two-stage drill 1 having a large diameter portion 20b and a small diameter portion 20a as shown in FIG. 2 is chucked in a chucking device 8 shown in FIG.
[0013]
As shown in FIG. 4, the shaft 7a is rotated by the main shaft 6, and the two-stage drills 1 are rotated by the multi-axis tool 5 characterized by the parallel shaft 7b and pressed against the product 9 before firing. In addition, two types of holes having different inner diameters from one side can be continuously processed without inverting the pre-fired product 9.
[0014]
At this time, when the coaxiality K1 of the two-stage drill 1 is 0.02 mm or less, the jig for the semiconductor manufacturing apparatus having the hole drilled, for example, the vacuum chuck uniformly sucks the suction surface of the Si wafer. Can be firmly fixed.
[0015]
Further, each tip of the two-stage drill 1 has a diamond cutting blade 3a having a small diameter portion 20a having an outer diameter R2 of 0.5 to 0.8 mm and a diamond having a large diameter portion 20b having an outer diameter R1 of 1.2 to 2 mm. By using the cutting edge 3b, it is possible to perform processing in accordance with the thickness of the product, there is no deviation of the coaxiality K2 between the outer diameters of the two types of holes, and the processing time and the inspection time are reduced. be able to.
[0016]
Hereinafter, details of the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0017]
FIG. 2 shows a shape diagram of a two-stage drill 1 having diamond cutting edges 3a and 3b according to the present invention. FIG. 2 shows a two-stage drill 1 provided coaxially with a large diameter portion 20b and a small diameter portion 20a having two types of carbide cutting edges 4a and 4b having outer diameters R1 and R2. Diamond cutting blades 3a and 3b are soldered to the respective tip portions, and the outer diameter R2 of the small diameter portion 20a is 0.5 to 0.8 mm and the outer diameter R1 of the large diameter portion 20b is 1.2 to 2 mm. The degree K1 is set to 0.02 mm or less.
[0018]
Here, the diamond cutting blades 3a and 3b are diamond fine powder sintered bodies that are rich in wear resistance, have the inherent wear resistance of diamond, and have a stable and uniform sintered layer.
[0019]
The cemented carbide cutting edge has a very high impact resistance, but is softer and has a lower wear resistance than the diamond cutting blade. Therefore, the diamond cutting edge 3a is attached to each end of the cemented carbide cutting edges 4a and 4b. , 3b.
[0020]
FIG. 3 shows an embodiment of drilling a pre-fired product 9 of a jig for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, wherein 8 is a chucking device, and 1 is a two-stage drill.
[0021]
First, the two-stage drill 1 is attached to the multi-axis tool 5, and a hole processing is performed to penetrate the unfired product 9 to the hole 11 without inverting the product 9.
[0022]
As shown in FIG. 4, the driving principle of the multi-axis tool 5 is to rotate the shafts 7a and 7b by the main shaft 6. At this time, the tolerance of the pitch 12 between the shafts is set to 0.03 mm or less.
[0023]
By using such a multi-axis tool 5, the two types of holes 11 having different outer diameters T1 and T2 and counterbored holes 11a are continuously processed from one side without reversing the product 9 before firing. When the coaxiality K2 is 0.1 mm or less, it is possible to provide a jig for a semiconductor manufacturing apparatus capable of uniformly adsorbing the adsorption surface of the Si wafer and firmly fixing the same.
[0024]
Here, if the coaxiality K2 exceeds 0.1 mm, since the outer diameter T1 and the outer diameter T2 are shifted, the suction force of the Si wafer is weakened, the suction is not uniform, and the wafer surface ( (Not shown), the coaxiality K1 of the two-stage drill 1 needs to be 0.02 mm or less.
[0025]
Further, in the conventional drill 2b having an outer diameter R4 of 0.6 mm as shown in FIG. 6B, the drill 2b was too thin for the thickness of the product 9 before firing. Since the integrated drill 1 has a two-stage drill 1 having an outer diameter R1 of 1.2 to 2 mm and an outer diameter R2 of 0.5 to 0.8 mm, the chips 10 are easily removed. It can be processed from one side corresponding to the thickness, and no deviation of the coaxiality K2 occurs at all.
[0026]
Further, processing time and inspection time can be reduced.
[0027]
Here, when the outer diameter R2 is less than 0.5 mm, the shaft is weak because the shaft is weak, and there is a possibility that cracks may occur in the product 9 before firing.
[0028]
When the outer diameter R2 exceeds 0.8 mm, it is too large for a vacuum hole and cannot be applied.
[0029]
When the outer diameter R2 is 0.5 to 0.8 mm and the outer diameter R1 is less than 1.2 mm, the thick pre-fired product 9 has a weak shaft, so that the shaft 9 runs out and cracks. There is a risk of entering.
[0030]
When the outer diameter R2 exceeds 0.5 to 0.8 mm and the outer diameter R1 exceeds 2 mm, there is no problem in cutting performance, but it is too large for a vacuum hole and cannot be applied.
[0031]
【Example】
Next, the drill was set on a machining center (not shown), and the number of times of setting, the coaxiality, and the number of revolutions were changed to investigate the processing time, the wear of the drill, and the necessity and unnecessary of the inspection of the workpiece.
[0032]
As a conventional method, the counterbored hole 11a in FIG. 7 of the product 9 before firing is deepened from the surface of the product 9 before firing with a drill 2a having a carbide cutting edge 4c having an outer diameter R3 of 1.2 mm in FIG. After finishing the processing to a thickness of 30 mm, the pre-fired product 9 is inverted, and the hole 11 is penetrated from the back surface with a drill 2 b having a carbide cutting edge 4 d having an outer diameter R4 of 0.6 mm.
[0033]
Next, as a method according to the present invention, four two-stage drills 1 shown in FIG. 2 (B) are simultaneously used for the vacuum chuck 8 shown in FIG. 1, and the counterbored holes 11a and holes 11 shown in FIG. Table 1 shows the results of the processing.
[0034]
Here, two-stage drills were prepared in which the coaxiality K1 was 0.02 mm as an example and the coaxiality K1 was 0.03 mm as a comparative example.
[0035]
As shown in Table 1, the two-stage drill 1 can significantly reduce the processing time compared to the drills 2a and 2b, and the accuracy of the coaxiality K2 is high.
[0036]
In addition, no inspection time is required, and the cost and time are greatly improved.
[0037]
[Table 1]
[0038]
In addition, tests were performed under various conditions by the conventional processing method and the processing method of the present invention, and the coaxiality test was performed 10 times.
[0039]
As a conventional processing method, an outer diameter R3 shown in FIG. 6B is machined to a depth of 30 mm with a drill 2a having a carbide cutting edge 4c having an outer diameter R3 of 1.2 mm, and after turning over the product, an outer diameter R4 shown in FIG. Pierced with a drill 2b having a carbide cutting edge 4d of 0.6 mm.
[0040]
On the other hand, in the processing method of the present invention, four two-stage drills 1 are simultaneously processed by using the chucking device 8 in FIG.
[0041]
After the above processing, a pin gauge is inserted, a check is performed, and the measurement result of the coaxiality K2 measured by the projector is shown in Table 2.
[0042]
[Table 2]
[0043]
As shown in Table 2, the coaxiality K2 of the drill drilled with the two-stage drill 1 of the present invention was 0.1 mm or less, but the coaxiality K2 of the conventional drills 2a and 2b was 0.1 mm or more. It has become.
[0044]
【The invention's effect】
According to the present invention, a multi-axis tool that rotates a parallel axis by rotation of a main shaft continuously processes two types of holes having different inner diameters from one side without reversing the product before firing, and The coaxiality can be reduced to 0.1 mm or less, and as a jig for a semiconductor manufacturing apparatus, for example, a vacuum chuck can uniformly perform suction on a suction surface of a Si wafer and perform hole processing for firmly fixing the suction surface. .
[0045]
In addition, each tip of a two-stage drill having two types of outer diameter carbide cutting blades coaxially mounted on the above-mentioned multi-axis tool has a small-diameter portion having an outer diameter of 0.5 to 0.8 mm. Since the cutting edge is a diamond cutting blade with a large diameter portion with an outer diameter of 1.2 to 2 mm, it can be processed according to the wall thickness of the product, no deviation in the coaxiality of the hole occurs, and the processing time In addition, the inspection time can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a front view of a chucking device incorporating a multi-axis tool of the present invention, and FIG. 1B is a side view thereof.
FIG. 2 is a schematic view showing a two-stage drill of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a drilling of a ceramic body before firing according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a multi-axis tool of the present invention.
5A is a side view of a conventional chucking device, and FIG. 5B is a front view thereof.
FIGS. 6A and 6B are schematic diagrams showing a carbide drill.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional drilling of a ceramic body before firing.
[Explanation of symbols]
1: Two-stage drills 2a, 2b: Drills 3a, 3b: Diamond cutting edges 4a to 4d: Carbide cutting edges 5: Multi-axis tools 6: Spindles 7a, 7b: Axis 8: Chucking device 9: Before firing Product 10: Chip 11b: Hole 11a: Counterbore Hole 12: Pitch 18: Chucking device 20a: Small diameter portion 20b: Large diameter portion D1, D2: Depth T1, T2: Outer diameter K1, K2: Coaxiality R1 R4: Outer diameter
