JP2004282004A - Substrate for mounting light emitting element and fabrication method thereof - Google Patents

Substrate for mounting light emitting element and fabrication method thereof Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for mounting a light emitting element which has less problems of peeling the reflection means and which is advantageous in fabricating cost, and to provide the fabricating method thereof. <P>SOLUTION: In the substrate for mounting a light emitting element including a first electrode 13 formed on the substrate, a second electrode 14 formed apart from the first electrode 13, a light emitting element 15a of which one electrode is electrically connected to the first electrode 13 and the other electrode is electrically connected to the second electrode 14 and a reflector 5 for reflecting the light of the light emitting element 15a, the reflector 5 is characterized by being an metal plate formed by stacking to the substrate side while having a reflection surface 5a formed by etching around the position on which the light emitting element 15a is mounted. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板及びその製造方法に関し、当該発光素子搭載用基板は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光板等として有用である。   The present invention relates to a light-emitting element mounting substrate for mounting a light-emitting element such as a light-emitting diode chip on a surface of a substrate, and a method for manufacturing the same. It is useful as such.

従来、照明装置の発光体としては、蛍光灯などの電灯等が一般には用いられていた。一方、軽薄化および省電力化が可能な発光素子として発光ダイオードが知られており、これを配線基板に複数個実装した照明装置も知られている。具体的には、発光ダイオードの２本のリードを貫通孔に挿入して半田接合して実装する方法が知られていた（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, as a luminous body of a lighting device, an electric lamp such as a fluorescent lamp has been generally used. On the other hand, a light emitting diode is known as a light emitting element that can be reduced in weight and power consumption, and a lighting device in which a plurality of light emitting diodes are mounted on a wiring board is also known. Specifically, there has been known a method in which two leads of a light emitting diode are inserted into a through hole and soldered and mounted (for example, see Patent Document 1).

また、図１８〜図１９のように、電極を含む配線パターンを形成した配線基板の表面に発光ダイオードチップを搭載した発光素子搭載基板も知られている。ここで、図１８（ａ）は発光素子搭載基板の平面図を、図１８（ｂ）は矢視断面図を示し、図１９（ａ）〜（ｄ）は、発光素子搭載基板の要部部を示す。   Further, as shown in FIGS. 18 and 19, a light emitting element mounting board having a light emitting diode chip mounted on a surface of a wiring board on which a wiring pattern including electrodes is formed is also known. Here, FIG. 18A is a plan view of a light emitting element mounting board, FIG. 18B is a cross-sectional view taken along an arrow, and FIGS. 19A to 19D are main portions of the light emitting element mounting board. Is shown.

図１８の基板は、金属基板１１を採用することにより、実装される発光ダイオード１５の温度上昇を防止している。電極３０、電極３１との間には、１０枚の電極が形成され、電極３２に発光ダイオードチップ１５ａのカソード電極（またはアノード電極）と成るチップ裏面を固着し、アノード電極（またはカソード電極）と電極３０を金属細線１７で接続している。また、銅箔から成る電極を反射板とするため、表面にはＮｉが被覆され、更には基板全域を実質反射板とするために、右の電極３０から左の電極３１までの１２個の電極で実質完全に覆われるようにパターニングされている。この構造では、より薄型化が可能であり、発光ダイオード１５からの放熱も良好になる（例えば、特許文献２参照）。   The substrate of FIG. 18 employs the metal substrate 11 to prevent a rise in the temperature of the mounted light emitting diode 15. Ten electrodes are formed between the electrode 30 and the electrode 31, and the back surface of the light emitting diode chip 15a serving as the cathode electrode (or the anode electrode) is fixed to the electrode 32. The electrodes 30 are connected by thin metal wires 17. In addition, in order to use the electrode made of copper foil as a reflector, the surface is coated with Ni. Further, in order to make the entire substrate substantially a reflector, 12 electrodes from the right electrode 30 to the left electrode 31 are used. And is patterned so as to be substantially completely covered with. With this structure, the thickness can be further reduced, and the heat radiation from the light emitting diode 15 is also improved (for example, see Patent Document 2).

また、図１９の基板は、上記の発光素子搭載基板の反射効率を改善すべく、更に、発光素子の周囲を囲み基板に固定された反射手段（カップ）ＲＦを設けたものである。この反射手段により、発光素子の側面から発射される光を上方に反射させることで、上方に発射される光の発光強度を高めることができる。図１９（ａ）〜（ｂ）の基板は、電極１３，１４のうち一方の電極１４を反射手段ＲＦの外側に設けて金属細線１７で接続したものであり、図１９（ｃ）〜（ｄ）の基板は、反射手段ＲＦを分割して電極３０，３１とし、その一方の電極３１に金属細線１７で接続したものである。また、図１９（ａ），（ｃ）の基板では、流れ防止手段２０を形成して透明樹脂を塗布してレンズ２１を形成している（例えば、特許文献２参照）。
特開平９−２５２６５１号公報（第１頁、図３） 特開２００１−２０３３９５号公報（第１〜２頁、図８、図１〜２） The substrate in FIG. 19 further includes a reflecting means (cup) RF fixed to the substrate so as to surround the light emitting element and improve the reflection efficiency of the light emitting element mounting substrate. By reflecting the light emitted from the side surface of the light emitting element upward by the reflecting means, the emission intensity of the light emitted upward can be increased. The substrates shown in FIGS. 19A and 19B have one of the electrodes 13 and 14 provided outside the reflecting means RF and connected by a thin metal wire 17. In the substrate of (1), the reflection means RF is divided into electrodes 30 and 31, which are connected to one of the electrodes 31 by the thin metal wires 17. In the substrates shown in FIGS. 19A and 19C, a lens 21 is formed by forming a flow preventing means 20 and applying a transparent resin (for example, see Patent Document 2).
JP-A-9-252651 (page 1, FIG. 3) Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-203395 (pages 1 and 2, FIGS. 8 and 1 and 2)

しかしながら、図１９に示すようにカップ状の反射手段を基板に個別に固定する方法では、個々の反射手段の作製や固定といった製造工程が必要となり、製造コスト的に不利となる。また、金属細線によるボンディング工程を適切な条件で精度よく行わないと、反射手段の離脱などの問題が生じ易く、構造的にも耐久性の面で問題となる。   However, the method of individually fixing the cup-shaped reflecting means to the substrate as shown in FIG. 19 requires a manufacturing process such as production and fixing of each reflecting means, which is disadvantageous in manufacturing cost. Further, unless the bonding step using a thin metal wire is performed accurately under appropriate conditions, problems such as detachment of the reflection means are likely to occur, and there is a structural problem in terms of durability.

そこで、本発明の目的は、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板、及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, it is an object of the present invention to provide a light emitting element mounting substrate which is less likely to cause a problem such as detachment of the reflection means, and which is advantageous in manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.

一方、ワイヤボンディングを行わずにリフローや導電性ペーストで発光素子を基板の電極に接続する場合や、ワンワイヤボンディングを行う場合など、発光素子を導電接続するための電極より下層に配線層を有する発光素子搭載用基板が、配線を行う上で有利な場合が多い。しかし、下層に配線層を設ける場合、一般的に層間に絶縁層を介在させる必要があり、最下層の金属基板に発光素子の発熱を伝熱（放熱）するのに、絶縁層が妨げとなっていた。   On the other hand, when a light emitting element is connected to an electrode of a substrate with a reflow or a conductive paste without performing wire bonding, or when one-wire bonding is performed, a wiring layer is provided below an electrode for conductively connecting the light emitting element. In many cases, the light emitting element mounting substrate is advantageous for wiring. However, when a wiring layer is provided as a lower layer, it is generally necessary to interpose an insulating layer between the layers, and the insulating layer hinders heat generation (radiation) of the light emitting element to the lowermost metal substrate. I was

そこで、本発明の別の目的は、反射手段やその下層の金属を介して発光素子の発熱を良好に伝熱することができる発光素子搭載用基板、及びその製造方法を提供することにある。   Therefore, another object of the present invention is to provide a light emitting element mounting substrate capable of satisfactorily transferring the heat generated by the light emitting element via the reflecting means and the metal under the reflecting means, and a method for manufacturing the same.

上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。   The above object can be achieved by the present invention as described below.

即ち、本発明の発光素子搭載用基板は、基板上に形成された第１の電極と、その第１の電極と離間されて形成された第２の電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有し、前記第１の電極及び第２の電極に搭載する発光素子の電極を導電接続して使用する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ基板側に金属同士の接合により積層一体化されていることを特徴とする。   That is, the light-emitting element mounting substrate of the present invention includes a first electrode formed on the substrate, a second electrode formed to be spaced apart from the first electrode, and a light-emitting element reflecting light. A light-emitting element mounting substrate having a body and electrically connecting the electrodes of the light-emitting element mounted on the first electrode and the second electrode, wherein the reflector is located at a position where the light-emitting element is mounted. Is characterized in that it has a curved surface formed by etching around it and is laminated and integrated on the substrate side by joining metals.

本発明の発光素子搭載基板は、この発光素子搭載用基板の前記第１の電極に一方の電極が導電接続され、前記第２の電極に他方の電極が導電接続された発光素子と、前記反射体の反射面の上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズとを備えることを特徴とする。   The light-emitting element mounting substrate of the present invention includes a light-emitting element in which one electrode is conductively connected to the first electrode of the light-emitting element mounting substrate and the other electrode is conductively connected to the second electrode. A transparent resin lens in which the outer peripheral edge of the convex surface is located on the upper edge of the reflection surface of the body.

一方、本発明の別の発光素子搭載用基板は、搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることを特徴とする。   On the other hand, another light-emitting element mounting substrate of the present invention is a light-emitting element mounting substrate having an electrode for conductively connecting an electrode of the light-emitting element to be mounted, and a reflector for reflecting light of the light-emitting element. The body has a curved surface formed by etching around the position where the light emitting element is mounted, and is laminated and integrated with the substrate side by joining metals.

上記において、前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることが好ましい。   In the above, it is preferable that the reflector is laminated and integrated with the substrate side by bonding metals to each other via a protective metal layer made of another metal having resistance during etching of the metal constituting the reflector.

また、前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されていることが好ましい。本発明において、発光素子が搭載される側を上層側として表現している。   Further, it has a metal laminated body which has an insulating layer and a wiring layer on the lower layer side from the layer on which the electrodes are formed, and is laminated by joining metals from the lower layer of the reflector to the position of the lowermost wiring layer. It is preferable that the reflector is laminated and integrated on the metal laminate by joining metals. In the present invention, the side on which the light emitting element is mounted is expressed as the upper layer side.

他方、本発明の発光素子搭載用基板の製造方法は、基板上に第１の電極と第２の電極とを含む配線パターンを形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、この金属層の前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする。 On the other hand, in the method of manufacturing a light emitting element mounting substrate according to the present invention, a step of forming a wiring pattern including a first electrode and a second electrode on the substrate and a reflector for reflecting light of the light emitting element are formed. And a method for manufacturing a light-emitting element mounting substrate comprising the steps of:
In the step of forming the reflector, a metal layer is formed by plating at least on the surface of the substrate on which the wiring pattern is formed, and at least a position of the metal layer on which the light emitting element is mounted is etched to form a curved surface around the position. A step of performing

上記において、前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記反射面を形成する工程とを含むことが好ましい。   In the above, the step of forming the reflector includes a step of forming a protective metal layer that covers at least the wiring pattern, a step of forming another metal layer that covers the protective metal layer, and at least the light emitting element is mounted. Preferably, the method includes a step of forming a mask layer having an opening at a position to be formed on the metal layer, and a step of selectively etching the metal layer to form the reflection surface.

その際、前記反射体の形成工程は、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含むことが好ましい。   In this case, it is preferable that the step of forming the reflector further includes a step of selectively etching the protective metal layer.

一方、本発明の別の製造方法は、搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極を形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、前記反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする。   On the other hand, another manufacturing method of the present invention is a method for mounting a light emitting element, which includes a step of forming an electrode for conductively connecting an electrode of the light emitting element to be mounted, and a step of forming a reflector that reflects light of the light emitting element. In the method for manufacturing a substrate, the step of forming the reflector is performed with respect to a metal layer laminated and integrated by joining the protective metal layer and another metal made of another metal having resistance during etching of the metal constituting the reflector. A step of etching at least a position where the light emitting element is mounted to form a curved surface around the position.

上記において、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含むことが好ましい。あるいは、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含むことが好ましい。   In the above, it is preferable that the method further includes a step of forming a conductor pattern below the protective metal layer prior to the step of forming the reflector. Alternatively, it is preferable to include a step of forming an interlayer connection pattern below the protective metal layer before the step of forming the reflector.

他方、本発明の別の発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備えることを特徴とする。   On the other hand, another light-emitting element mounting substrate of the present invention is a light-emitting element mounting substrate for mounting a light-emitting element and supplying power to the light-emitting element. A metal projection formed by etching at a mounting position of the element, an insulating layer around the metal projection, and an electrode formed near the metal projection are provided.

［作用効果］
本発明の発光素子搭載用基板によると、前記反射体が基板側に積層一体化されてエッチングで反射面となる曲面が形成されているため、多数の反射体を個々に接合する必要がなく、また十分な接合強度が得られ易いので反射体の脱落の問題も生じにくい。また、この反射体の発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで反射面となる曲面が形成されているため、多数の反射面を一括形成することができ、製造工程を簡易化、低コスト化することができる。また、エッチングの程度を変えるだけで、反射面の形状・角度をコントロールすることができ、適当な傾斜の凹面状にすることも可能となる。その結果、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を提供することができる。 [Effects]
According to the light emitting element mounting substrate of the present invention, since the reflector is laminated and integrated on the substrate side and a curved surface serving as a reflection surface is formed by etching, it is not necessary to individually join a large number of reflectors, In addition, since sufficient bonding strength can be easily obtained, the problem of the reflector falling off hardly occurs. Further, since a curved surface serving as a reflecting surface is formed by etching around the position where the light emitting element of the reflector is mounted, a large number of reflecting surfaces can be formed at a time, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the cost. Can be Further, the shape and angle of the reflection surface can be controlled only by changing the degree of etching, and it is possible to form a concave surface having an appropriate inclination. As a result, it is possible to provide a light-emitting element mounting substrate which is less likely to cause a problem such as detachment of the reflection means, and which is advantageous in manufacturing cost.

また、本発明の発光素子搭載基板によると、エッチングで形成された反射面の上端縁が、反射体の上面と約９０℃以下の角度となるため、ポッティング等で透明樹脂レンズを形成する際に、流れ防止壁として機能する。このため、透明樹脂レンズを設ける際に、その凸面の外周縁を反射面の上端縁に位置させることで、所望の凸面を形成するのが容易になる。   Further, according to the light emitting element mounting substrate of the present invention, the upper edge of the reflection surface formed by etching has an angle of about 90 ° C. or less with the upper surface of the reflector, so that when forming a transparent resin lens by potting or the like, It functions as a flow prevention wall. For this reason, when the transparent resin lens is provided, it is easy to form a desired convex surface by positioning the outer peripheral edge of the convex surface at the upper end edge of the reflective surface.

前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が基板側とメッキで接合されている場合、エッチングで反射体の反射面を形成する際に、保護金属層を設けてあると、エッチング時に下層の配線パターンが保護されるため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。   When the reflector is bonded to the substrate side by plating via a protective metal layer made of another metal that is resistant during etching of the metal constituting the reflector, a reflective surface of the reflector is formed by etching. In this case, if the protective metal layer is provided, the underlying wiring pattern is protected during etching, so that it is easier to control the shape of the reflection surface.

一方、本発明の別の発光素子搭載用基板によると、反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有するため、上記の作用効果の如く、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を提供することができる。更に、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する（金属の熱伝導係数は、一般に絶縁層樹脂の１００倍以上である）。   On the other hand, according to another light-emitting element mounting substrate of the present invention, the reflector has a curved surface formed by etching around the position where the light-emitting element is mounted. Thus, it is possible to provide a light emitting element mounting substrate which is less likely to cause problems and is advantageous in terms of manufacturing cost. Furthermore, since the reflector is laminated and integrated with the substrate side by joining metals, there is an effect that heat transfer from the reflector to the substrate side and heat transfer from the substrate side to the reflector can be favorably performed ( The thermal conductivity coefficient of the metal is generally 100 times or more that of the insulating layer resin.)

また、前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されている場合、エッチングで反射体の曲面を形成する際に、保護金属層を設けてあるため、エッチング時に下層の導体パターン等が保護されるため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。また、保護金属層を含めて、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する。   Further, when the reflector is laminated and integrated with the substrate side by joining metals, via a protective metal layer made of another metal which is resistant during etching of the metal constituting the reflector, the reflection by etching is performed. Since the protective metal layer is provided when the curved surface of the body is formed, the underlying conductor pattern and the like are protected during etching, so that it is easier to control the shape of the reflective surface. In addition, since the reflector, including the protective metal layer, is laminated and integrated with the substrate side by joining metals, heat transfer from the reflector to the substrate side and heat transfer from the substrate side to the reflector are good. This has the effect of being able to be performed.

前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されている場合、最下層の配線層から裏側の金属基板などに伝熱させることが可能なため、金属積層体を介して反射体から裏側の金属基板等まで良好に伝熱を行うことができる。   Having an insulating layer and a wiring layer on the lower layer side from the layer on which the electrode is formed, and having a metal laminate stacked by joining metals from the lower layer of the reflector to the position of the lowermost wiring layer, When the reflector is laminated and integrated with the metal laminate by joining metals, heat can be transferred from the lowermost wiring layer to a metal substrate or the like on the back side. From the back to the metal substrate on the back side.

一方、本発明の製造方法によると、発光素子の光を反射させる反射体の形成工程が、パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、エッチングして反射面となる曲面を形成するものであるため、多数の反射体を個々に接合する必要がなく、十分な接合強度が得られ易いので反射体の脱落の問題も生じにくい。また、多数の反射面をエッチングで一括形成することができ、製造工程を簡易化、低コスト化することができる。更に、エッチングの程度を変えるだけで、反射面の形状をコントロールすることができ、適当な傾斜の凹面状にすることも可能となる。その結果、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を製造することができる。   On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, the step of forming a reflector for reflecting light of the light emitting element includes forming a metal layer by plating on the surface of the substrate on which the pattern is formed, and then etching the curved surface to be a reflection surface. Since it is formed, it is not necessary to join a large number of reflectors individually, and a sufficient joining strength is easily obtained, so that the problem of falling off of the reflectors hardly occurs. Further, a large number of reflecting surfaces can be formed collectively by etching, so that the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced. Further, the shape of the reflecting surface can be controlled by merely changing the degree of etching, so that a concave surface having an appropriate inclination can be formed. As a result, it is possible to manufacture a light emitting element mounting substrate which is less likely to cause a problem such as detachment of the reflection means, and which is advantageous in manufacturing cost.

前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記反射面を形成する工程とを含む場合、反射面をエッチングで形成する際に、保護金属層が配線パターンを保護するため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。   The step of forming the reflector includes a step of forming a protective metal layer that covers at least the wiring pattern, a step of forming another metal layer that covers the protective metal layer, and at least a position where the light emitting element is mounted. Forming a mask layer having an opening in the metal layer, and a step of selectively etching the metal layer to form the reflective surface, when forming the reflective surface by etching, the protective metal layer Protects the wiring pattern, which makes it easier to control the shape of the reflection surface.

特に、前記反射体の形成工程が、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含む場合、保護金属層を予め全面に形成した場合でも配線パターンの短絡を防止することができる。   In particular, when the step of forming the reflector further includes a step of selectively etching the protective metal layer, it is possible to prevent a short circuit of the wiring pattern even when the protective metal layer is formed on the entire surface in advance.

また、本発明の別の製造方法によると、反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むため、上記の作用効果の如く、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を製造することができる。更に、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する（金属の熱伝導係数は、一般に絶縁層樹脂の１００倍以上である）。その最、保護金属層を設けてあるため、エッチング時に下層の導体パターン等が保護されるので、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。   Further, according to another manufacturing method of the present invention, in the step of forming the reflector, the protective metal layer made of another metal exhibiting resistance during etching of the metal constituting the reflector is laminated and integrated by joining the metals. Since the method includes a step of forming a curved surface around at least a position where the light emitting element is mounted on the metal layer by etching at a position where the light emitting element is mounted, a problem such as detachment of the reflection means is unlikely to occur as in the above operation and effect, and A light-emitting element mounting substrate which is advantageous in cost can be manufactured. Furthermore, since the reflector is laminated and integrated with the substrate side by joining metals, there is an effect that heat transfer from the reflector to the substrate side and heat transfer from the substrate side to the reflector can be favorably performed ( The thermal conductivity coefficient of the metal is generally 100 times or more that of the insulating layer resin.) In the first place, since the protective metal layer is provided, the lower conductive pattern and the like are protected at the time of etching, so that it is easier to control the shape of the reflection surface.

また、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含む場合、この導体パターンを介して基板裏側へ良好な伝熱を行うことができる。特に、この導体パターンが、発光素子が搭載される位置の下方まで連続する場合、当該部分を介して発光素子の発熱を反射体や基板裏側へより良好に伝熱することができる。   Further, in the case where a step of forming a conductor pattern under the protective metal layer before the step of forming the reflector is included, good heat transfer can be performed to the back side of the substrate via the conductor pattern. In particular, when the conductor pattern is continuous below the position where the light emitting element is mounted, the heat generated by the light emitting element can be better transmitted to the reflector and the back side of the substrate via the portion.

あるいは、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含む場合、この層間接続パターンを介して基板裏側へ良好な伝熱を行うことができる。特に、この層間接続パターンが、発光素子が搭載される位置の下方まで連続する場合、当該部分を介して発光素子の発熱を反射体や基板裏側へより良好に伝熱することができる。   Alternatively, if the method includes a step of forming an interlayer connection pattern below the protective metal layer prior to the step of forming the reflector, good heat transfer to the backside of the substrate can be performed via the interlayer connection pattern. In particular, when the interlayer connection pattern is continuous below the position where the light emitting element is mounted, the heat generated by the light emitting element can be better transmitted to the reflector and the back side of the substrate via the portion.

他方、本発明の別の発光素子搭載用基板によると、金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置に金属凸部を形成しているため、発光素子から基板側への伝熱を良好に行うことができる。特に、金属基板に金属のみを介して金属凸部が形成されている場合、最も伝熱性が高いものとなる。また、金属凸部がエッチングで形成されているため、金属凸部の一括形成や均一な高さ制御が可能となり、更に、放熱に適した平面視形状にすることも可能になる。   On the other hand, according to another light emitting element mounting substrate of the present invention, since the metal convex portion is formed at the mounting position of the light emitting element so that heat can be transferred to the metal substrate, heat transfer from the light emitting element to the substrate side is performed. Can be performed well. In particular, when a metal projection is formed on a metal substrate via only a metal, the metal substrate has the highest heat conductivity. In addition, since the metal protrusions are formed by etching, batch formation of metal protrusions and uniform height control become possible, and further, it becomes possible to make the shape in plan view suitable for heat radiation.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図面であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視断面図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B are drawings showing an example of a light emitting element mounting substrate of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line II.

本発明の発光素子搭載用基板は、図１に示すように、基板上に形成された第１の電極１３と、その第１の電極１３と離間されて形成された第２の電極１４と、その発光素子１５ａの光を反射させる反射体５とを有する。本発明の発光素子搭載用基板は、前記第１の電極１３及び第２の電極１４に、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続して使用することができる。具体的には、前記第１の電極１３に発光素子１５ａの一方の電極が導電接続され、前記第２の電極１４に他方の電極が導電接続される。   As shown in FIG. 1, the light emitting element mounting substrate of the present invention includes a first electrode 13 formed on the substrate, a second electrode 14 formed separately from the first electrode 13, A reflector 5 for reflecting the light of the light emitting element 15a. The light emitting element mounting substrate of the present invention can be used by electrically connecting the electrodes of the light emitting element 15a to be mounted to the first electrode 13 and the second electrode. Specifically, one electrode of the light emitting element 15 a is conductively connected to the first electrode 13, and the other electrode is conductively connected to the second electrode 14.

上記の基板としては、発光素子１５ａなどからの放熱が良好な金属基板１１を備え、その表面に絶縁層１２が形成されているものが好ましい。絶縁層１２はセラミックスなどで形成したり、セラミックス粒子を含有する樹脂などで形成するのが好ましい。この絶縁層１２はできるだけ薄く形成するのが好ましく、例えば１〜１０μｍ程度にするのが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板１１を備える構造により、発光素子１５ａの温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。   As the above-mentioned substrate, a substrate provided with a metal substrate 11 having good heat radiation from the light emitting element 15a and the like, and having an insulating layer 12 formed on the surface thereof is preferable. The insulating layer 12 is preferably formed of ceramics or the like, or formed of a resin containing ceramic particles. The insulating layer 12 is preferably formed as thin as possible, for example, preferably about 1 to 10 μm. With the structure including the metal substrate 11 having good heat dissipation as described above, a rise in the temperature of the light emitting element 15a can be prevented, so that a larger drive current can be passed and the amount of light emission can be increased.

本発明では、第１の電極１３と第２の電極１４との形成位置、及び発光素子１５ａの搭載位置は、何れでもよいが、発光素子１５ａが規則的に配列されているものが、ワイヤボンディング等の結線を行う上で好ましい。本実施形態では、第１の電極１３と第２の電極１４とが交互に平行に配置され、第１の電極１３の略中央に等間隔で発光素子１５ａが配列されている例を示す。また、本実施形態では、発光素子１５ａへの電流供給が並列に回路形成されているが、第１の電極１３と第２の電極１４とを個々に分割することによって、直列に回路形成することも可能である。   In the present invention, the position where the first electrode 13 and the second electrode 14 are formed and the position where the light emitting element 15a is mounted may be any position. It is preferable for performing such connection. In the present embodiment, an example is shown in which first electrodes 13 and second electrodes 14 are alternately arranged in parallel, and light emitting elements 15a are arranged at substantially the center of the first electrodes 13 at equal intervals. In the present embodiment, the current supply to the light emitting element 15a is formed in a circuit in parallel. However, the circuit is formed in series by dividing the first electrode 13 and the second electrode 14 individually. Is also possible.

発光素子１５ａを電極１３，１４と導電接続する方法は何れでもよいが、本実施形態では、導電性ペースストや半田による接合などで、下部電極が電極１３に導電接続されるとともに、上部電極が第２の電極１４とワイヤボンディング等で導電接続されている。   The light-emitting element 15a may be conductively connected to the electrodes 13 and 14 by any method. In this embodiment, the lower electrode is conductively connected to the electrode 13 and the upper electrode is connected to the electrode 13 by bonding with a conductive paste or solder. The second electrode 14 is conductively connected to the second electrode 14 by wire bonding or the like.

本発明における反射体５は、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した反射面５ａを有しつつ、基板側に積層一体化されている。積層形成の方法としては、基板側とメッキで接合する方法、接着性シートや接着剤を介して接着する方法など何れでもよいが、メッキで接合する方法や、冷間圧延又は熱間圧延などで接合する方法など、金属同士の接合により積層一体化されているのが好ましい。   The reflector 5 according to the present invention has a reflection surface 5a formed by etching around a position where the light emitting element 15a is mounted, and is integrally laminated on the substrate side. As a method of forming the laminate, a method of bonding with the substrate side by plating, a method of bonding via an adhesive sheet or an adhesive may be used, but a method of bonding by plating, cold rolling or hot rolling, or the like. It is preferable that they are laminated and integrated by joining metals, such as a joining method.

反射面５ａの形状と傾斜角度は、エッチングの程度で調整することができるが、側面からの反射効率を高める上で、反射面５ａの上端縁より下端縁が広がった形状が好ましい。特に、発光素子１５ａの上面より高い位置の反射面５ａが上方へ拡径するように傾斜していることが好ましい。   The shape and inclination angle of the reflecting surface 5a can be adjusted by the degree of etching, but a shape in which the lower edge is wider than the upper edge of the reflecting surface 5a is preferable from the viewpoint of increasing the reflection efficiency from the side surface. In particular, it is preferable that the reflection surface 5a at a position higher than the upper surface of the light emitting element 15a is inclined so as to increase its diameter.

反射体５は、金属基板１１、絶縁層１２、電極１３，１４などに直接メッキで接合されていてもよいが、反射体５を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層２などを介して、反射体５が基板側と接合されていてもよい。   The reflector 5 may be directly bonded to the metal substrate 11, the insulating layer 12, the electrodes 13, 14 and the like by plating. However, a protective metal made of another metal having resistance when etching the metal constituting the reflector 5 is used. The reflector 5 may be joined to the substrate via the layer 2 or the like.

本発明では、発光素子１５ａの搭載面を透明樹脂等で表面を被覆するのが好ましく、反射体５の反射面５ａの上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズ２１を備えることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the surface on which the light emitting element 15a is mounted is coated with a transparent resin or the like, and the transparent resin lens 21 having a convex outer peripheral edge located on the upper end edge of the reflective surface 5a of the reflector 5 is provided. preferable.

本発明の発光素子搭載用基板は、本発明の製造方法によって好適に製造することができる。以下、本発明の製造方法について、図１に示す発光素子搭載用基板を製造する場合を例にとり説明する。図２〜図４は、本発明の製造方法の一例を示す工程図である。   The light emitting element mounting substrate of the present invention can be suitably manufactured by the manufacturing method of the present invention. Hereinafter, the manufacturing method of the present invention will be described with reference to an example of manufacturing the light emitting element mounting substrate shown in FIG. 2 to 4 are process diagrams showing an example of the production method of the present invention.

本発明の製造方法は、図２（１）〜（２）に示すように、基板上に第１の電極１３と第２の電極１４とを含む配線パターンを形成する工程を含む。配線パターンの形成は、エッチングでパターン形成する方法やメッキでパターン形成する方法など何れでもよく、従来公知の方法が何れも利用できる。図示した例では、エッチングでパターン形成している。   The manufacturing method of the present invention includes a step of forming a wiring pattern including a first electrode 13 and a second electrode 14 on a substrate, as shown in FIGS. The wiring pattern may be formed by any of a method of forming a pattern by etching and a method of forming a pattern by plating, and any conventionally known method can be used. In the illustrated example, the pattern is formed by etching.

その場合、図２（１）に示すように配線パターンとなる金属箔１が基板上に積層一体化したものを使用する。金属箔１の形成は、絶縁層１２となる接着剤又は接着シートを用いて、金属箔１を積層一体化したり、接着性樹脂層を予め形成した金属箔１を使用する方法などが挙げられる。   In that case, as shown in FIG. 2A, a metal foil 1 serving as a wiring pattern is used by being laminated and integrated on a substrate. The metal foil 1 can be formed by laminating and integrating the metal foil 1 using an adhesive or an adhesive sheet to be the insulating layer 12, or by using the metal foil 1 on which an adhesive resin layer is formed in advance.

基板を構成する金属基板１１としては、アルミニウム、銅、ステンレスなどを使用することができる。金属基板１１のの表面には、絶縁性向上のために酸化物を形成してもよい。また、絶縁層１２を無機物で形成してもよく、その表面にメッキ等で金属箔１を形成してもよい。   As the metal substrate 11 constituting the substrate, aluminum, copper, stainless steel, or the like can be used. An oxide may be formed on the surface of the metal substrate 11 to improve insulation. Further, the insulating layer 12 may be formed of an inorganic material, and the metal foil 1 may be formed on the surface thereof by plating or the like.

金属箔１を構成する金属としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属箔１の厚みは、例えば１０〜３００μｍのものが使用できる。   As a metal constituting the metal foil 1, copper, silver, nickel, tin, a copper alloy or the like can be used, but copper or a copper alloy is preferable. The thickness of the metal foil 1 is, for example, 10 to 300 μm.

エッチングの方法としては、金属箔１を構成する金属のエッチング液を使用すれば良く、その際、配線パターンの形状に応じたドライフィルムレジストを使用すればよい。配線パターンの形状は、少なくとも電極１３，１４を含むものであればよい。   As an etching method, an etching solution of a metal constituting the metal foil 1 may be used, and in that case, a dry film resist according to the shape of the wiring pattern may be used. The shape of the wiring pattern only needs to include at least the electrodes 13 and 14.

次に、図２（３）に示すように、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層２を形成する。保護金属層２を形成する場合、配線パターンのみを被覆するように形成してもよいが、非パターン部を含む全面に保護金属層２を形成するのが好ましい。保護金属層２の形成方法は、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、電解メッキが好ましい。保護金属層２の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2C, a protective metal layer 2 covering at least the wiring pattern is formed. When the protective metal layer 2 is formed, it may be formed so as to cover only the wiring pattern, but it is preferable to form the protective metal layer 2 on the entire surface including the non-pattern portion. The method of forming the protective metal layer 2 may be any of electroless plating, a combination of electroless plating and electrolytic plating, and a combination of sputtering, vapor deposition and electrolytic plating, but electrolytic plating is preferred. The thickness of the protective metal layer 2 is preferably 0.5 to 10 μm.

保護金属層２を構成する金属としては、銅のエッチング時に耐性を示す金属として、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が好ましい。。   The metal forming the protective metal layer 2 is preferably a metal exhibiting resistance during etching of copper, such as gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, nickel, rhodium, a lead-tin solder alloy, or a nickel-gold alloy. . .

上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる基板をメッキ浴内に浸漬しながら、それを陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。   The above-described electrolytic plating can be performed by a known method.In general, while immersing a target substrate in a plating bath, it is used as a cathode, and a metal ion supply source of a metal to be plated is used as an anode. This is performed by depositing a metal on the cathode side by an electrolysis reaction.

一方、無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用できる。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。   On the other hand, a plating solution such as copper, nickel, and tin can be used for electroless plating. Plating solutions for electroless plating are well known for various metals, and various plating solutions are commercially available. Generally, the liquid composition contains a metal ion source, an alkali source, a reducing agent, a chelating agent, a stabilizer and the like. Prior to the electroless plating, a plating catalyst such as palladium may be deposited.

次に、図２（４）に示すように、保護金属層２を被覆する別の金属層３を形成する。金属層３の形成は、電解メッキにより行うのが好ましい。金属層３を構成する金属（即ち反射体５を構成する金属）としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属層３の厚みは、例えば１００μｍ〜３ｍｍであり、好ましくは、２００〜１０００μｍである。この厚みによって、得られる反射体５の厚みや反射面５ａの幅を調整することができる。   Next, as shown in FIG. 2D, another metal layer 3 covering the protective metal layer 2 is formed. The formation of the metal layer 3 is preferably performed by electrolytic plating. As a metal forming the metal layer 3 (that is, a metal forming the reflector 5), copper, silver, nickel, tin, a copper alloy, or the like can be used, but copper or a copper alloy is preferable. The thickness of the metal layer 3 is, for example, 100 μm to 3 mm, and preferably 200 to 1000 μm. With this thickness, the thickness of the obtained reflector 5 and the width of the reflection surface 5a can be adjusted.

次に、図３（５）に示すように、少なくとも発光素子１５ａが搭載される位置が開口したマスク層４を金属層３に形成する。本実施形態では、細長い長方形の中央線に沿って略等間隔で円形の開口４ａを複数有するマスク層４を使用する例を示す。マスク層４の形成方法としては、各種の印刷法により成形する方法、フォトレジスト用のドライフィルムや感光性樹脂を露光・現像して成形する方法、転写により形成する方法、金属系レジストを用いた方法など何れでもよい。   Next, as shown in FIG. 3 (5), a mask layer 4 having an opening at least at a position where the light emitting element 15a is mounted is formed on the metal layer 3. In the present embodiment, an example is shown in which a mask layer 4 having a plurality of circular openings 4a at substantially equal intervals along an elongated rectangular center line is used. As a method of forming the mask layer 4, a method of molding by various printing methods, a method of exposing and developing a dry film or a photosensitive resin for a photoresist, a method of molding, a method of forming by transfer, and a metal-based resist were used. Any method may be used.

次に、図３（６）に示すように、金属層３を選択的にエッチングして反射面５ａを形成する。また、同時に電極１４を被覆する金属層３を除去する。金属層３のエッチングには、例えば、金属層３が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。   Next, as shown in FIG. 3 (6), the metal layer 3 is selectively etched to form the reflection surface 5a. At the same time, the metal layer 3 covering the electrode 14 is removed. For example, in the case where the metal layer 3 is made of copper and the protective metal layer 2 is made of the above-mentioned metal (including a metal-based resist), a commercially available alkali etching solution, ammonium persulfate, hydrogen peroxide / sulfuric acid is used for etching the metal layer 3. Etc. can be used.

以上のようにして、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層３を形成した後、この金属層３の発光素子１５ａが搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に反射面５ａを形成する工程によって、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５を形成することができる。   As described above, after the metal layer 3 is formed by plating at least on the surface of the substrate on which the wiring pattern is formed, at least the position of the metal layer 3 where the light emitting element 15a is mounted is etched to surround the reflective surface 5a. Is formed, the reflector 5 that reflects the light of the light emitting element 15a can be formed.

次に、図３（７）に示すように、マスク層４を除去する工程と、保護金属層２を選択的にエッチングする工程とを行う。両工程は何れの順で行ってもよく、同時に行っても良い。一方、保護金属層２が配線パターンのみを被覆するように形成れさている場合、保護金属層２のエッチングは不要となる。その場合、保護金属層２が製品に残存し、ニッケル等が電極１４を被覆した状態となり酸化による反射劣化が生じにくいため、底面からの反射効率が向上する。   Next, as shown in FIG. 3 (7), a step of removing the mask layer 4 and a step of selectively etching the protective metal layer 2 are performed. Both steps may be performed in any order or may be performed simultaneously. On the other hand, when the protective metal layer 2 is formed so as to cover only the wiring pattern, the etching of the protective metal layer 2 becomes unnecessary. In this case, the protection metal layer 2 remains on the product, and the electrode 14 is covered with nickel or the like, so that reflection deterioration due to oxidation hardly occurs, and the reflection efficiency from the bottom surface is improved.

マスク層４の除去は、薬剤除去、剥離除去など、マスク層４の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。また、ドライフィルムレジストの場合、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。   The removal of the mask layer 4 may be appropriately selected depending on the type of the mask layer 4, such as removal of a chemical agent and removal of a mask. For example, in the case of a photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with a chemical such as alkali. In the case of a dry film resist, methylene chloride, sodium hydroxide, or the like is used.

保護金属層２のエッチングには、例えば前記の金属の組合せの場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。   For the etching of the protective metal layer 2, for example, in the case of a combination of the above-mentioned metals, it is preferable to use a nitric acid-based, sulfuric acid-based, cyanic-based, or other acid-based etchant that is commercially available for solder stripping.

次に、図３（８）に示すように、第１の電極１３に発光素子１５ａの一方の電極（下部電極）を導電接続する。この導電接続は、発光素子１５ａの下部電極を、導電性ペーススト６や半田によって接合する方法などで行うことができる。また、抵抗体を介して両者を接合してもよい。   Next, as shown in FIG. 3 (8), one electrode (lower electrode) of the light emitting element 15a is conductively connected to the first electrode 13. This conductive connection can be performed by a method of joining the lower electrode of the light emitting element 15a with the conductive paste 6 or solder. Alternatively, both may be joined via a resistor.

発光素子１５ａとしては、発光ダイオードチップ（ベアチップ）、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード（チップＬＥＤ）、半導体レーザチップ等が挙げられる。発光ダイオードチップを用いる場合、その裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類がある。本実施形態では、カソードタイプの例を示すが、直流電源の向きを変えるだけで、アノードタイプも実現できる。また、本発明では、ベアチップタイプの発光素子１５ａの方が、放熱性、実装面積の点から優れている。   Examples of the light emitting element 15a include a light emitting diode chip (bare chip), a packaged surface mount type light emitting diode (chip LED), and a semiconductor laser chip. When a light emitting diode chip is used, there are two types of back surfaces, a cathode type and an anode type. In the present embodiment, an example of a cathode type is shown, but an anode type can be realized only by changing the direction of the DC power supply. Further, in the present invention, the light emitting element 15a of the bare chip type is superior in terms of heat dissipation and mounting area.

次に、図４（９）に示すように、第２の電極１４に発光素子１５ａの他方の電極（上部電極）を導電接続する。この導電接続は、上部電極と第２の電極１４とを、金属細線１７によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。なお、結線される第２の電極１４の表面には、必要に応じて抵抗体を設けることも可能である。   Next, as shown in FIG. 4 (9), the other electrode (upper electrode) of the light emitting element 15a is conductively connected to the second electrode 14. This conductive connection can be performed by connecting the upper electrode and the second electrode 14 by wire bonding or the like using the thin metal wires 17. As the wire bonding, it is possible to use an ultrasonic wave or a combination of this and heating. Note that a resistor may be provided on the surface of the second electrode 14 to be connected, if necessary.

次に、図４（１０）に示すように、反射体５の反射面５ａの上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズ２１を形成する。これが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる。透明樹脂レンズ２１は着色されたものでもよい。   Next, as shown in FIG. 4 (10), a transparent resin lens 21 in which the outer peripheral edge of the convex surface is located is formed on the upper edge of the reflection surface 5a of the reflector 5. Since this has a convex surface, light can be efficiently emitted upward from the substrate. The transparent resin lens 21 may be colored.

レンズ２１の材料は、透明樹脂であれば良く、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用できる。どちらも加熱硬化型であるが、加熱硬化時の粘度が小さいため、反射面５ａの上端縁が流れ防止機能を有することで、レンズとして好ましい半球形状に安定して形成できるようになる。レンズ２１の形成は、シリコーン樹脂を凸状に塗布し、レンズ形状を維持しながら、約１００〜１５０℃程度で硬化させればよい。   The material of the lens 21 may be a transparent resin, such as a silicone resin or an epoxy resin. Both are heat-curable types, but since the viscosity at the time of heat-curing is low, the upper edge of the reflective surface 5a has a flow preventing function, so that it can be stably formed into a hemispherical shape preferable as a lens. The lens 21 may be formed by applying a silicone resin in a convex shape and curing it at about 100 to 150 ° C. while maintaining the lens shape.

［他の実施形態］
（１）前述の実施形態では、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、反射体が基板側と接合されている例を示したが、本発明では、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、保護金属層を省略することも可能である。 [Other embodiments]
(1) In the above-described embodiment, an example is shown in which the reflector is joined to the substrate side via a protective metal layer made of another metal that is resistant during etching of the metal constituting the reflector. In the present invention, as shown in FIGS. 5A and 5B, the protective metal layer can be omitted.

図５（ａ）に示す発光素子搭載用基板は、ハーフエッチングによって反射面５ａを形成する例である。まず、絶縁層１２の表面に反射体の厚みに対応する厚みの金属層を形成した後、エッチングによって電極１３と電極１４とを分割する。このとき、後にハーフエッチングを行う反射面５ａの形成部分はマスクしておく。次に、反射面５ａの形成部分だけを開口したマスク層を用いて、ハーフエッチングを行って、反射面５ａの形成と発光素子１５ａを接合するための電極面を形成する。その他の工程は前述の実施形態と同様にして行うことができる。   The light emitting element mounting substrate shown in FIG. 5A is an example in which the reflection surface 5a is formed by half etching. First, after a metal layer having a thickness corresponding to the thickness of the reflector is formed on the surface of the insulating layer 12, the electrodes 13 and 14 are divided by etching. At this time, a portion where the reflection surface 5a to be subjected to the half etching later is masked. Next, half-etching is performed using a mask layer having an opening only at the portion where the reflection surface 5a is formed, to form an electrode surface for forming the reflection surface 5a and bonding the light emitting element 15a. Other steps can be performed in the same manner as in the above-described embodiment.

このように、電極１４の高さが高いと、金属細線１７による結線が行い易いという利点があるが、前述の実施形態でも、金属層３を選択的にエッチングする際のマスク層４として、電極１４の上部の金属層３を被覆するものを使用すれば、反射体５と同じ高さの電極を形成することができる。   As described above, when the height of the electrode 14 is high, there is an advantage that connection by the thin metal wire 17 is easily performed. However, in the above-described embodiment, the electrode is used as the mask layer 4 when the metal layer 3 is selectively etched. By using a material that covers the metal layer 3 on the top of the electrode 14, an electrode having the same height as the reflector 5 can be formed.

（２）前述の実施形態では、発光素子の上部電極と第２の電極とを、金属細線で結線する例を示したが、図５（ｃ）に示すように、金属細線を用いずに発光素子１５ａの電極と第２の電極１４とを導電接続してもよい。その場合、反射体５を分割して各々が電極１３と１４と導通するようにしてもよいが、反射効率を維持する上では、反射体５を分割しない構造が有利となる。例えば、図５（ｃ）に示すように、絶縁層１２を貫通して金属基板１１と導電接続する電極１４を反射体５の内側に配置し、発光素子１５ａの底面の電極の一方をこれに導電接続すればよい。また、発光素子１５ａの上部電極を反射体５の内側に配置した電極１４とワイヤボンディング等で結線してもよい。   (2) In the above-described embodiment, an example was shown in which the upper electrode and the second electrode of the light emitting element were connected by a thin metal wire. However, as shown in FIG. 5C, light was emitted without using a thin metal wire. The electrode of the element 15a and the second electrode 14 may be conductively connected. In this case, the reflector 5 may be divided so as to be electrically connected to the electrodes 13 and 14. However, in order to maintain the reflection efficiency, a structure in which the reflector 5 is not divided is advantageous. For example, as shown in FIG. 5C, an electrode 14 that penetrates through the insulating layer 12 and is conductively connected to the metal substrate 11 is disposed inside the reflector 5, and one of the electrodes on the bottom surface of the light emitting element 15a is disposed on this. What is necessary is just to make a conductive connection. Further, the upper electrode of the light emitting element 15a may be connected to the electrode 14 arranged inside the reflector 5 by wire bonding or the like.

（３）本発明では、電極１３からの反射効率を高めるために、電極１３の表面にはＮｉ等を被着してもよい。これはＣｕの酸化防止、およびＣｕの酸化により光反射効率が低下するのを防止するためであり、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉが好ましい。   (3) In the present invention, Ni or the like may be applied to the surface of the electrode 13 in order to increase the reflection efficiency from the electrode 13. This is to prevent oxidation of Cu and to prevent the light reflection efficiency from being lowered by the oxidation of Cu, and it is comparatively hard to be oxidized, has excellent light reflectivity, and takes into consideration the bonding property with a thin metal wire, and has a luster. Ni having a property is preferable.

（４）前述の実施形態では、発光素子搭載用基板が発光素子搭載と電極とで構成されている例を示したが、本発明では、その他の電子回路を同じ基板上に形成してもよい。例えば、発光ダイオードの駆動回路などを形成するのが好ましい。   (4) In the above-described embodiment, an example is described in which the light emitting element mounting substrate is configured by the light emitting element mounting and the electrodes. However, in the present invention, other electronic circuits may be formed on the same substrate. . For example, it is preferable to form a light-emitting diode driving circuit and the like.

この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等を設ければよい。   In this case, wirings, lands, bonding pads, external electrical connection pads, and the like are patterned around the substrate, particularly at the corners and in the vicinity thereof, and between the wirings, components such as chip capacitors, chip resistors, and printed resistors, A transistor, a diode, an IC, or the like may be provided.

（５）前述の実施形態では、配線層が単層である配線基板に対して発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、配線層が２層以上の多層配線基板に対して発光素子を搭載してもよい。その場合、図５（ｃ）の電極１４に相当するような配線層間の導電接続構造を図２（２）〜図３（７）に示す反射体５の形成工程と同様の工程で形成することも可能である。このような導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報ＷＯ００／５２９７７号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。このような製造方法により得られる発光素子搭載用基板の例を図６〜図７に示す。   (5) In the above-described embodiment, an example in which the light emitting element is mounted on the wiring board having a single wiring layer has been described. However, in the present invention, light emission is performed on a multilayer wiring board having two or more wiring layers. An element may be mounted. In this case, a conductive connection structure between the wiring layers corresponding to the electrode 14 in FIG. 5C is formed in the same step as the step of forming the reflector 5 shown in FIGS. 2 (2) to 3 (7). Is also possible. The details of the method for forming such a conductive connection structure are described in International Publication WO00 / 52977, and any of them can be applied. 6 and 7 show examples of the light emitting element mounting substrate obtained by such a manufacturing method.

図６（ａ）〜（ｂ）に示す発光素子搭載用基板は、電極１３，１４が形成された層より下層側に絶縁層４４と配線層４３を有する。ここで図６（ｂ）は図６（ａ）のＩ−Ｉ断面図を示す。配線層４３は層間接続体によって電極１３，１４と導電接続されている。この例では、配線層４３を少なくとも被覆する保護金属層４２を形成する工程と、この保護金属層４２を被覆する別の金属層４１を形成する工程と、その金属層４１の少なくとも層間接続体を形成する表面にマスク層を形成する工程と、前記金属層４１を選択的にエッチングして層間接続体を形成する工程とを含む製造方法により、層間接続体が形成されている。保護金属層４２を全面に形成する場合には、更に前記保護金属層４２を選択的にエッチングする工程を含む。   The light emitting element mounting substrate shown in FIGS. 6A and 6B has an insulating layer 44 and a wiring layer 43 below the layer on which the electrodes 13 and 14 are formed. Here, FIG. 6B is a sectional view taken along the line II of FIG. 6A. The wiring layer 43 is conductively connected to the electrodes 13 and 14 by an interlayer connector. In this example, a step of forming a protective metal layer 42 that covers at least the wiring layer 43, a step of forming another metal layer 41 that covers the protective metal layer 42, and forming at least an interlayer connector of the metal layer 41 An interlayer connector is formed by a manufacturing method including a step of forming a mask layer on a surface to be formed and a step of selectively etching the metal layer 41 to form an interlayer connector. When the protective metal layer 42 is formed on the entire surface, the method further includes a step of selectively etching the protective metal layer 42.

また、反射体５は保護金属層２を介して金属同士の接合により基板側の導体パターン４６と積層一体化されている。導体パターン４６の下層にと層間接続パターン４７、保護金属層４２、導体パターン４８を有している。その結果、反射体５の下層から最下層の配線層４３の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５が金属同士の接合により積層一体化された構造となる。なお、２つの配線層４３および導体パターン４８は、離間して形成されており、複数の発光素子を直列接続できるようになっている。   Further, the reflector 5 is laminated and integrated with the conductor pattern 46 on the substrate side by joining metals through the protective metal layer 2. Under the conductor pattern 46, an interlayer connection pattern 47, a protective metal layer 42, and a conductor pattern 48 are provided. As a result, a metal laminate is formed by joining the metals from the lower layer of the reflector 5 to the position of the lowermost wiring layer 43, and the reflector 5 is integrated with the metal laminate by joining the metals. Structure. The two wiring layers 43 and the conductor pattern 48 are formed apart from each other so that a plurality of light emitting elements can be connected in series.

図７（ａ）〜（ｂ）に示す発光素子搭載用基板は、図６に示すものと殆ど同じ構造であるが、最下層の配線層４３の一方が導体パターン４８と連続している例である。ここで図７（ｂ）は図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図を示す。この例では、電極１３、層間接続パターン４７、保護金属層４２、及び導体パターン４８が、反射体５の下方から発光素子が搭載される位置の下方まで連続している。このため、反射体５の発熱が、電極１３、層間接続パターン４７、保護金属層４２、及び導体パターン４８で構成され、金属同士の接合により積層された金属積層体を介して、最下層の配線層４３の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５の発熱を基板裏側の金属基板１１まで効率よく伝熱することができる。この実施形態では、図７（ｂ）に示すような導体パターン４８の形状を、反射体５の配列に応じて正方形や正三角形にすることで、より伝熱面積を拡大することができる。   The light emitting element mounting substrate shown in FIGS. 7A and 7B has almost the same structure as that shown in FIG. 6 except that one of the lowermost wiring layers 43 is continuous with the conductor pattern 48. is there. Here, FIG. 7B is a sectional view taken along the line II of FIG. 7A. In this example, the electrode 13, the interlayer connection pattern 47, the protective metal layer 42, and the conductor pattern 48 are continuous from below the reflector 5 to below the position where the light emitting element is mounted. For this reason, the heat generated by the reflector 5 is generated by the electrodes 13, the interlayer connection patterns 47, the protective metal layers 42, and the conductor patterns 48, and the wiring of the lowermost layer is formed via the metal laminate laminated by joining metals. Since heat can be transferred to the position of the layer 43 and the heat transfer area can be increased, the heat generated by the reflector 5 can be efficiently transferred to the metal substrate 11 on the back side of the substrate. In this embodiment, the shape of the conductor pattern 48 as shown in FIG. 7B is made to be a square or a regular triangle according to the arrangement of the reflectors 5, so that the heat transfer area can be further increased.

（６）前述の実施形態では、反射体が１段構造の例を示したが、本発明における反射体は２段構造又はそれ以上の多段構造であってもよい。それによって、厚みのより大きい発光素子に好適に対応することができる。   (6) In the above-described embodiment, the example in which the reflector has a single-stage structure has been described. However, the reflector in the present invention may have a two-stage structure or a multi-stage structure of more. Thereby, it is possible to suitably cope with a light emitting element having a larger thickness.

反射体を２段以上の構造にする場合、まず、図３（７）に示すような１段構造の反射体５を形成し、これを少なくとも被覆する保護金属層を形成した後、この保護金属層を被覆する別の金属層を更に形成し、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成してから、前記金属層を選択的にエッチングして、２段目の反射面を形成すればよい。
〔積層板を使用する実施形態〕
以下、積層板を使用する実施形態について、図面を参照しながら説明する。 When the reflector has a two- or more-stage structure, first, a reflector 5 having a one-stage structure as shown in FIG. 3 (7) is formed, and a protective metal layer covering at least the reflector 5 is formed. Further forming another metal layer covering the layer, forming a mask layer in the metal layer at least at a position where the light emitting element is mounted on the metal layer, and selectively etching the metal layer to form two steps. What is necessary is just to form the reflection surface of an eye.
[Embodiment using laminated board]
Hereinafter, an embodiment using a laminate will be described with reference to the drawings.

（１）図８〜図１１は、本発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。本発明の別の製造方法は、反射体５１ａの形成工程として、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２と金属同士の接合により積層一体化された金属層５１に対して、発光素子１５ａが搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含む。また、反射体５１ａの形成工程に先立って、保護金属層５２の下層に導体パターン５３ａを形成する工程を含む。   (1) FIGS. 8 to 11 are process diagrams showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention. In another manufacturing method of the present invention, as a step of forming the reflector 51a, the protection metal layer 52 made of another metal exhibiting resistance during etching of the metal forming the reflector 51a is laminated and integrated by joining the metals. The method includes a step of etching at least a position where the light emitting element 15a is mounted on the metal layer 51 to form a curved surface around the position. Further, prior to the step of forming the reflector 51a, a step of forming a conductor pattern 53a under the protective metal layer 52 is included.

本発明の別の製造方法は、例えば以下の（ａ）〜（ｉ）工程を含むものである。本実施形態では、第１保護金属層及び第２保護金属層をエッチングして除去する（ｉ）工程を第２絶縁層６６の形成に先立って行う例を示すが、（ｉ）工程を第２絶縁層６６の形成の後に行ってもよい。   Another manufacturing method of the present invention includes, for example, the following steps (a) to (i). In this embodiment, an example is shown in which the step (i) of removing the first protective metal layer and the second protective metal layer by etching prior to the formation of the second insulating layer 66 is performed. It may be performed after the formation of the insulating layer 66.

本発明の（ａ）工程は、図８（１）〜（２）に示すように、反射体５１ａを形成するための第１金属層５１と、これと別の金属からなる第１保護金属層５２とを有する積層体の当該第１保護金属層５２側に、これと別の金属からなる導体パターン５３ａを形成するものである。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルメッキ法や、パターンメッキ用レジストを使用してメッキで形成するパターンメッキ法等が挙げられる。   In the step (a) of the present invention, as shown in FIGS. 8A and 8B, a first metal layer 51 for forming a reflector 51a and a first protective metal layer made of another metal are used. A conductor pattern 53a made of another metal is formed on the first protective metal layer 52 side of the stacked body having the metal layer 52. At this time, any method may be used for pattern formation, and examples include a panel plating method in which a pattern is formed using an etching resist, and a pattern plating method in which plating is performed using a resist for pattern plating.

まず、図８（１）に示すような、第１金属層５１と第１保護金属層５２と、導体パターン５３ａを形成するための金属層５３とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えばメッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、冷間圧延又は熱間圧延などで得られたクラッド材などが何れも使用可能である。積層板ＳＰの各層の厚みについては、例えば、第１金属層５１の厚みは、３０〜１０００μｍ、第１保護金属層５２の厚みは、１〜２０μｍ、金属層５３の厚みは１〜１００μｍである。   First, as shown in FIG. 8A, a laminated plate SP in which a first metal layer 51, a first protective metal layer 52, and a metal layer 53 for forming a conductor pattern 53a are laminated is prepared. The laminated plate SP may be manufactured by any method. For example, any one manufactured by using plating, sputtering, vapor deposition, or the like, or any clad material obtained by cold rolling or hot rolling is used. It is possible. Regarding the thickness of each layer of the laminated plate SP, for example, the thickness of the first metal layer 51 is 30 to 1000 μm, the thickness of the first protective metal layer 52 is 1 to 20 μm, and the thickness of the metal layer 53 is 1 to 100 μm. .

導体パターン５３ａを構成する金属としては、通常、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。第１保護金属層５２を構成する金属としては、第１金属層５１及び導体パターン５３ａとは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。   Usually, copper, a copper alloy, nickel, tin or the like can be used as a metal constituting the conductor pattern 53a. As a metal constituting the first protective metal layer 52, a metal different from the first metal layer 51 and the conductor pattern 53a is used, and another metal having resistance during etching of these metals can be used.

また、第１金属層５１を構成する金属としては、第１保護金属層５２とは別の金属が使用され、例えば銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。本発明では、導体パターン５３ａを構成する金属と第１金属層５１を構成する金属とが同じであることが好ましく、特に銅を使用することが好ましい。   Further, as a metal forming the first metal layer 51, a metal different from the first protective metal layer 52 is used, and for example, copper, a copper alloy, nickel, tin, or the like can be used. In the present invention, the metal forming the conductor pattern 53a and the metal forming the first metal layer 51 are preferably the same, and it is particularly preferable to use copper.

次に、図８（２）に示すように、エッチングレジスト５４を用いてパターン形成を行う。エッチングレジスト５４は、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）などが使用できる。なお、第１金属層５１が金属層５３と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材５５を設けるのが好ましい。エッチングの方法としては、第１保護金属層５２及び金属層５３を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。エッチング後には、エッチングレジスト５４が除去される。   Next, as shown in FIG. 8B, a pattern is formed using the etching resist 54. As the etching resist 54, a photosensitive resin, a dry film resist (photoresist), or the like can be used. When the first metal layer 51 is etched simultaneously with the metal layer 53, it is preferable to provide a mask material 55 for preventing this. As an etching method, an etching method using various kinds of etching liquids according to the type of each metal forming the first protective metal layer 52 and the metal layer 53 may be used. After the etching, the etching resist 54 is removed.

本発明の（ｂ）工程は、図８（３）に示すように、少なくともその導体パターン５３ａを被覆する第２保護金属層６１を形成するものである。本実施形態では、導体パターン５３ａの非パターン部を含めた略全面を第２保護金属層６１で被覆する例を示す。   In the step (b) of the present invention, as shown in FIG. 8C, the second protective metal layer 61 covering at least the conductor pattern 53a is formed. In the present embodiment, an example is shown in which substantially the entire surface including the non-pattern portion of the conductor pattern 53a is covered with the second protective metal layer 61.

第２保護金属層６１を構成する金属としては、第２層間接続体６４ａをエッチングで形成する際に、耐性を示す別の金属が使用できる。第２保護金属層６１の厚みは、例えば１〜２０μｍであり、１〜１０μｍが好ましい。   As a metal constituting the second protective metal layer 61, another metal exhibiting resistance when the second interlayer connection body 64a is formed by etching can be used. The thickness of the second protective metal layer 61 is, for example, 1 to 20 μm, and preferably 1 to 10 μm.

本発明の（ｃ）工程は、図８（４）に示すように、その第２保護金属層６１とは別の金属からなる第２金属層６４を更に形成するものである。第２金属層６４の形成は、電解メッキ、無電解メッキなどが利用できるが、電解メッキにより行うのが好ましい。第２金属層６４の厚みは、例えば３０〜１０００μｍである。   In the step (c) of the present invention, as shown in FIG. 8D, a second metal layer 64 made of a metal different from the second protective metal layer 61 is further formed. The second metal layer 64 can be formed by electrolytic plating, electroless plating, or the like, but is preferably formed by electrolytic plating. The thickness of the second metal layer 64 is, for example, 30 to 1000 μm.

第２金属層６４を構成する金属としては、例えば銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。本発明では、導体パターン５３ａを構成する金属と第２金属層６４を構成する金属とが同じであることが好ましい。   As a metal constituting the second metal layer 64, for example, copper, a copper alloy, nickel, tin or the like can be used. In the present invention, it is preferable that the metal forming the conductor pattern 53a and the metal forming the second metal layer 64 be the same.

本発明の（ｄ）工程は、図９（５）に示すように、その第２金属層６４の第２層間接続体６４ａを形成する表面部分に第２マスク層６５を形成するものである。第２マスク層６５の形成は、感光性樹脂の塗布後またはドライフィルムレジストのラミネート後に、露光・現像する方法、あるいはスクリーン印刷などにより行うことができる。   In the step (d) of the present invention, as shown in FIG. 9 (5), the second mask layer 65 is formed on the surface of the second metal layer 64 where the second interlayer connector 64a is formed. The formation of the second mask layer 65 can be performed by a method of exposing and developing after application of a photosensitive resin or lamination of a dry film resist, or screen printing.

第２マスク層１５の個々の大きさ（面積又は外径等）は、第２層間接続体６４ａの大きさに対応して決定され、配線層間の導電接続（ビア）のための第２層間接続体６４ａの外径としては、例えば５０〜１０００μｍ、また、放熱構造のための第２層間接続体６４ａの外径としては、１０００μｍ以上の外径を有するものも可能である。第２マスク層６５の形状は何れでもよく、円形、楕円形、四角形、多角形、パターン形状等が挙げられ、当該形状に応じた第２層間接続体６４ａを形成することができる。   The size (area, outer diameter, etc.) of the second mask layer 15 is determined in accordance with the size of the second interlayer connector 64a, and the second interlayer connection for conductive connection (via) between wiring layers. The outer diameter of the body 64a may be, for example, 50 to 1000 μm, and the outer diameter of the second interlayer connector 64a for the heat dissipation structure may be 1000 μm or more. The shape of the second mask layer 65 may be any shape, such as a circle, an ellipse, a square, a polygon, and a pattern. The second interlayer connector 64a according to the shape can be formed.

本発明の（ｅ）工程は、図９（６）に示すように、第２マスク層６５を形成した第２金属層６４を選択的にエッチングして第２層間接続体６４ａを形成するものである。その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される第２層間接続体６４ａが小径化（アンダーカットの増大）して、後の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部に第２金属層６４が残存して、短絡の原因となる場合が生じる。エッチングの方法としては、第２金属層６４及び第２保護金属層６１を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。   In the step (e) of the present invention, as shown in FIG. 9 (6), the second metal layer 64 on which the second mask layer 65 is formed is selectively etched to form a second interlayer connector 64a. is there. At this time, if the amount of erosion due to etching is too large, the diameter of the second interlayer connector 64a to be formed is reduced (increase in undercut), which may hinder the subsequent steps. If the amount is too small, the second metal layer 64 may remain in the non-pattern portion, causing a short circuit. As an etching method, an etching method using various kinds of etching solutions according to the types of the respective metals constituting the second metal layer 64 and the second protective metal layer 61 can be used.

本発明の（ｉ）工程は、図９（７）に示すように、第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１の少なくとも非パターン部を、同時に又は別々に、選択的にエッチングして除去するものである。本実施形態では、第１保護金属層５２と第２保護金属層６１とを同じ金属で形成しておき、前記（ｉ）工程で第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１を同時に選択的にエッチングして除去する例を示す。両者が異なる金属の場合には、順次エッチングして除去することができる。   In the step (i) of the present invention, as shown in FIG. 9 (7), at least the non-pattern portions of the first protective metal layer 52 and the second protective metal layer 61 are selectively etched simultaneously or separately. It is to be removed. In the present embodiment, the first protection metal layer 52 and the second protection metal layer 61 are formed of the same metal, and the first protection metal layer 52 and the second protection metal layer 61 are simultaneously selected in the step (i). An example of removing by etching is shown below. If the two are different metals, they can be sequentially etched and removed.

エッチングの方法としては、（ｅ）工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。エッチングで露出したパターン部に対しては、黒化処理などの表面処理を行って、絶縁層との密着性を高めておくのが好ましい。これは、他の導体パターンについても同様である。   As an etching method, an etching method using an etching solution different from the step (e) can be used. It is preferable that the pattern portion exposed by the etching is subjected to a surface treatment such as a blackening treatment so as to enhance the adhesion to the insulating layer. This is the same for other conductor patterns.

次に、図９（８）に示すように、第２マスク層６５の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、第２マスク層６５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。このとき同時に、マスク材５５を除去してもよい。   Next, as shown in FIG. 9 (8), the removal of the second mask layer 65 is performed. The removal may be appropriately selected according to the type of the second mask layer 65, such as removal of a chemical agent and removal of the second mask layer. For example, in the case of a photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with a chemical such as alkali. At this time, the mask material 55 may be removed at the same time.

本発明の（ｆ）工程は、図１０（９）に示すように、第２層間接続体６４ａの形成面に第２絶縁層６６を形成するものである。その際、第２層間接続体６４ａは第２絶縁層６６から露出させることが好ましい。本実施形態では、絶縁層形成材を積層後に層間接続体６４ａを露出させる例を示す。   In the step (f) of the present invention, as shown in FIG. 10 (9), the second insulating layer 66 is formed on the formation surface of the second interlayer connector 64a. At this time, it is preferable that the second interlayer connector 64a is exposed from the second insulating layer 66. In the present embodiment, an example in which the interlayer connector 64a is exposed after the insulating layer forming material is laminated.

まず、絶縁材の塗布を行うが、絶縁材としては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができる。これを各種方法で、第２層間接続体６４ａの高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布方法としては、カーテンコーターなどの各種コーターを使用できる。また、反応硬化性樹脂等を含有する接着性シート、プリプレグ等を用いて、ホットプレスや真空ラミネート等する方法でもよい。   First, an insulating material is applied. As the insulating material, for example, a reactive curable resin such as a liquid polyimide resin or an epoxy resin having good insulating properties and being inexpensive can be used. This may be applied by various methods so as to be slightly thicker than the height of the second interlayer connector 64a, and then cured by heating or light irradiation. As a coating method, various coaters such as a curtain coater can be used. Alternatively, a method such as hot pressing or vacuum lamination using an adhesive sheet or prepreg containing a reaction curable resin or the like may be used.

次に、硬化した絶縁材を研削・研磨等することにより、第２層間接続体６４ａの高さと略同じ厚さを有する絶縁層６６を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。   Next, the cured insulating material is ground or polished to form an insulating layer 66 having substantially the same thickness as the height of the second interlayer connector 64a. Examples of the grinding method include a method using a grinding device having a hard rotary blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotary plate. The hard rotary blade is fixedly supported while rotating the hard rotary blade. By moving along the upper surface of the wiring board, the upper surface can be flattened. Examples of the polishing method include a method of lightly polishing by a belt sander, buffing, or the like.

次に、図１０（１０）に示すように、両面に金属層６８をメッキ等で形成する。   Next, as shown in FIG. 10 (10), metal layers 68 are formed on both surfaces by plating or the like.

本発明の（ｇ）工程は、図１０（１１）に示すように、第１金属層５１の反射体５１ａを形成する表面部分に第１マスク層５７を形成するものである。第１マスク層５７の形成については、第２マスク層６５の形成（（ｄ）工程）と同様に行うことができる。また、第１マスク層５７の裏面にも同様にマスク層５７を形成することで、配線パターン６８ａを形成することができる。   In the step (g) of the present invention, as shown in FIG. 10 (11), the first mask layer 57 is formed on the surface of the first metal layer 51 where the reflector 51a is formed. The formation of the first mask layer 57 can be performed in the same manner as the formation of the second mask layer 65 ((d) step). Also, by forming the mask layer 57 on the back surface of the first mask layer 57 in the same manner, the wiring pattern 68a can be formed.

本発明の（ｈ）工程は、図１０（１２）に示すように、第１マスク層５７を形成した第１金属層５１を選択的にエッチングして反射体５１ａを形成するものである。第１金属層５１のエッチングは、第２金属層６４のエッチング（（ｅ）工程）と同様に行うことができる。   In the step (h) of the present invention, as shown in FIG. 10 (12), the first metal layer 51 on which the first mask layer 57 is formed is selectively etched to form a reflector 51a. The etching of the first metal layer 51 can be performed in the same manner as the etching of the second metal layer 64 ((e) step).

次いで、図１１（１３）〜（１４）に示すように、熱伝導性の絶縁層７０と金属基板７１を順次形成する。これに代えて、予め金属基板７１に絶縁層７０を形成しておき、これを絶縁層６６に接着してもよい。   Next, as shown in FIGS. 11 (13) and (14), a thermally conductive insulating layer 70 and a metal substrate 71 are sequentially formed. Alternatively, the insulating layer 70 may be formed on the metal substrate 71 in advance, and may be bonded to the insulating layer 66.

以上のような本発明の製造方法によって、図１１（１４）に示すように、導体パターン５３ａの上下両面に、これとは別の金属からなる第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１が形成され、更に第１保護金属層５２の上面にはこれとは別の金属からなる反射体５１ａが、第２保護金属層６１の上面にはこれとは別の金属からなる第２層間接続体６４ａが各々形成された発光素子搭載用基板を製造することができる。この構造では、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続するための電極と、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５１ａとを有し、この反射体５１ａは、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。   According to the manufacturing method of the present invention as described above, as shown in FIG. 11 (14), the first protective metal layer 52 and the second protective metal layer 61 made of another metal are formed on the upper and lower surfaces of the conductor pattern 53a. Are formed on the upper surface of the first protective metal layer 52, and a reflector 51a made of another metal is formed on the upper surface of the first protective metal layer 52, and the second interlayer connection made of another metal is formed on the upper surface of the second protective metal layer 61. The light emitting element mounting substrate on which the bodies 64a are formed can be manufactured. This structure has an electrode for conductively connecting an electrode of the light emitting element 15a to be mounted, and a reflector 51a for reflecting light of the light emitting element 15a. The reflector 51a is located at a position where the light emitting element 15a is mounted. The substrate is laminated and integrated with the substrate side by joining metals while having a curved surface formed by etching around the substrate.

そして、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２を介して、反射体５１ａが金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。   The reflector 51a is laminated and integrated with the substrate side by bonding the metals via a protective metal layer 52 made of another metal that is resistant during etching of the metal constituting the reflector 51a.

図１２は、この発光素子搭載用基板の平面図であるが、リング状の反射体５１ａがジグザグに配列され、電極に相当する第１保護金属層５２同士が隣り合う反射体５１ａ間で配線パターン６８ａを介して導電接続されている。これは、発光素子１５ａを直列に導電接続する場合の例であるが、並列に導電接続する場合は、配線パターンを変えればよい。   FIG. 12 is a plan view of the light-emitting element mounting substrate, in which ring-shaped reflectors 51a are arranged in a zigzag pattern, and a first protective metal layer 52 corresponding to an electrode has a wiring pattern between adjacent reflectors 51a. It is conductively connected through the connection 68a. This is an example of the case where the light emitting elements 15a are conductively connected in series. However, when the light emitting elements 15a are conductively connected in parallel, the wiring pattern may be changed.

一方、図６に示す実施形態のように、反射体５１ａの下層に、第１保護金属層５２、導体パターン５３ａ、第２保護金属層６１、第２層間接続体６４ａ、及び配線パターン６８ａを形成して、反射体５１ａの下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５１ａが金属同士の接合により積層一体化された構造としてもよい。   On the other hand, as in the embodiment shown in FIG. 6, a first protective metal layer 52, a conductor pattern 53a, a second protective metal layer 61, a second interlayer connector 64a, and a wiring pattern 68a are formed below the reflector 51a. Then, a metal laminate is formed by joining metals from the lower layer of the reflector 51a to the position of the lowermost wiring layer, and the reflector 51a is integrated with the metal laminate by joining metals. It is good also as a done structure.

また、図７に示す実施形態のように、最下層の配線層の一方を反射体５１ａの下層の金属積層体と連続させてもよい。この構造によると、反射体５１ａの発熱が、電極となる第１保護金属層５２を含む金属積層体を介して、最下層の配線層の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５１ａの発熱を基板裏側の金属基板７１まで効率よく伝熱することができる。   Further, as in the embodiment shown in FIG. 7, one of the lowermost wiring layers may be continuous with the metal laminate below the reflector 51a. According to this structure, the heat generated by the reflector 51a is transferred to the position of the lowermost wiring layer via the metal laminate including the first protective metal layer 52 serving as an electrode, and the heat transfer area is increased. Therefore, the heat generated by the reflector 51a can be efficiently transmitted to the metal substrate 71 on the back side of the substrate.

（２）図８〜図１１に示す実施形態では、反射体５１ａの下層に第１保護金属層５２を介して導体パターン５３ａが形成されているが、図１３〜図１５に示すように、反射体５１ａの下層に第１保護金属層５２を介して第２層間接続体６４ａを形成してもよい。   (2) In the embodiment shown in FIGS. 8 to 11, the conductor pattern 53a is formed below the reflector 51a via the first protective metal layer 52. However, as shown in FIGS. A second interlayer connector 64a may be formed below the body 51a with the first protective metal layer 52 interposed therebetween.

まず、図１３（１）に示すような、第１金属層５１と第１保護金属層５２と、第２層間接続体６４ａを形成するための金属層６４とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えばメッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、冷間圧延又は熱間圧延などで得られたクラッド材などが何れも使用可能である。金属層６４の厚みは、例えば３０〜１０００μｍである。金属層６４、第１金属層５１、第１保護金属層５２については、前述の通りである。   First, as shown in FIG. 13A, a laminated plate SP in which a first metal layer 51, a first protection metal layer 52, and a metal layer 64 for forming a second interlayer connector 64a are prepared. I do. The laminated plate SP may be manufactured by any method. For example, a plate manufactured by using plating, sputtering, vapor deposition, or the like, or a clad material obtained by cold rolling or hot rolling is used. It is possible. The thickness of the metal layer 64 is, for example, 30 to 1000 μm. The metal layer 64, the first metal layer 51, and the first protective metal layer 52 are as described above.

次に、図１３（２）に示すように、第２金属層６４の第２層間接続体６４ａを形成する表面部分に第２マスク層６５を形成する。なお、第１金属層５１が金属層６４と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材５５を設けるのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 13B, a second mask layer 65 is formed on the surface of the second metal layer 64 where the second interlayer connector 64a is to be formed. When the first metal layer 51 is etched simultaneously with the metal layer 64, it is preferable to provide a mask material 55 for preventing the etching.

次に、図１３（３）に示すように、第２マスク層６５を形成した第２金属層６４を選択的にエッチングして第２層間接続体６４ａを形成する。これにより、反射体５１ａを形成するための第１金属層５１と、これと別の金属からなる第１保護金属層５２とを有する積層体の当該第１保護金属層５２側に、これと別の金属からなる第２層間接続体６４ａが形成される。   Next, as shown in FIG. 13C, the second metal layer 64 on which the second mask layer 65 is formed is selectively etched to form a second interlayer connector 64a. Thus, a laminate including the first metal layer 51 for forming the reflector 51a and the first protective metal layer 52 made of another metal is provided on the first protective metal layer 52 side. A second interlayer connection body 64a made of the above-described metal is formed.

次に、図１３（４）に示すように、第１保護金属層５２を選択的にエッチングして除去するものである。この前後の工程において、第２マスク層６５を除去することができる。   Next, as shown in FIG. 13D, the first protective metal layer 52 is selectively etched and removed. In the steps before and after this, the second mask layer 65 can be removed.

次に、図１４（５）に示すように、エッチングで露出した第１金属層５１及び第２層間接続体６４ａに対して、黒化処理８０などの表面処理を行うのが好ましい。これによって、後に形成する絶縁層６６との密着性を高めることができる。   Next, as shown in FIG. 14 (5), it is preferable to perform a surface treatment such as a blackening treatment 80 on the first metal layer 51 and the second interlayer connector 64a exposed by the etching. Thus, adhesion to the insulating layer 66 to be formed later can be improved.

次に、図１４（６）に示すように、第２層間接続体６４ａの形成面に第２絶縁層６６を形成するが、樹脂付き銅箔を使用して絶縁層と金属層とを同時に形成してもよい。   Next, as shown in FIG. 14 (6), a second insulating layer 66 is formed on the surface on which the second interlayer connection body 64a is formed, and the insulating layer and the metal layer are simultaneously formed using a copper foil with resin. May be.

まず、図１４（６）に示すように、樹脂付き銅箔をプレス面により加熱プレスして、第２層間接続体６４ａに対応する位置に凸部を有し表面に金属層６８が形成された積層体を得る。このとき、プレス面と第２層間接続体６４ａが形成された被積層体との間に、少なくとも、凹状変形を許容するシート材を配置しておくのが好ましい。また、第２層間接続体６４ａに対応する位置に凹部を有するプレス面を使用してもよい。   First, as shown in FIG. 14 (6), the resin-coated copper foil was hot-pressed with a press surface to form a metal layer 68 on the surface having a convex portion at a position corresponding to the second interlayer connector 64a. Obtain a laminate. At this time, it is preferable to arrange at least a sheet material that allows the concave deformation between the pressed surface and the laminated body on which the second interlayer connector 64a is formed. Alternatively, a press surface having a concave portion at a position corresponding to the second interlayer connector 64a may be used.

上記の樹脂付き銅箔は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、金属層形成材と絶縁層形成材とは各々を別々に配置してもよい。この工程では、シート材が、第２層間接続体６４ａの存在によって加熱プレス時に凹状変形するため、それに対応する凸部が積層体に形成される。   Various types of the above-described copper foil with resin are commercially available, and any of them can be used. Further, the metal layer forming material and the insulating layer forming material may be separately arranged. In this step, the sheet material is concavely deformed during the hot pressing due to the presence of the second interlayer connector 64a, so that a corresponding convex portion is formed in the laminate.

加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、０．５〜３０ＭＰａが好ましい。   As a method of the heating press, a heating and pressurizing device (a heat laminator, a heating press) or the like may be used, and at that time, the atmosphere may be vacuum (a vacuum laminator or the like) in order to avoid mixing of air. Conditions such as heating temperature and pressure may be appropriately set according to the material and thickness of the insulating layer forming material and the metal layer forming material, and the pressure is preferably 0.5 to 30 MPa.

絶縁層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体（プリプレグ）などが挙げられる。   As the insulating layer forming material, any material may be used as long as it is deformed at the time of lamination and solidified by heating or the like and has heat resistance required for the wiring board. Specific examples include various reaction curable resins such as polyimide resin, phenol resin and epoxy resin, and composites (prepregs) thereof with glass fibers, ceramic fibers, aramid fibers, and the like.

シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。   The sheet material may be any material that allows concave deformation at the time of hot pressing, such as cushion paper, rubber sheet, elastomer sheet, nonwoven fabric, woven fabric, porous sheet, foam sheet, metal foil, a composite of these, and the like. No. In particular, elastically deformable materials such as cushion paper, rubber sheets, elastomer sheets, foam sheets, and composites thereof are preferable.

なお、シート材と共に離型シートを追加配置してもよい。離型シートとしては、フッ素樹脂フィルム、シリコーン樹脂フィルム、各種の離型紙、繊維補強フッ素樹脂フィルム、繊維補強シリコーン樹脂フィルムなどが挙げられる。   Note that a release sheet may be additionally arranged together with the sheet material. Examples of the release sheet include a fluororesin film, a silicone resin film, various release papers, a fiber-reinforced fluororesin film, and a fiber-reinforced silicone resin film.

シート材の厚みは、第１層間接続体１ａの高さの半分より厚いのが好ましく、第１層間接続体１ａの高さより厚いのが好ましい。シート材の厚みや硬さを調整することによって、加熱プレスによって形成される積層体の凸部の高さや形状を制御することができる。一般に、シート材の厚みを小さく、また硬さを硬くすると、形成される積層体の凸部の高さや体積は小さくなる。   The thickness of the sheet material is preferably greater than half the height of the first interlayer connector 1a, and is preferably greater than the height of the first interlayer connector 1a. By adjusting the thickness and hardness of the sheet material, it is possible to control the height and shape of the protrusions of the laminate formed by the hot press. In general, when the thickness of the sheet material is reduced and the hardness is increased, the height and volume of the protrusions of the formed laminate are reduced.

次いで、図１４（７）に示すように、この積層体の凸部を除去して、第２層間接続体６４ａを露出させる。その際、積層体の金属層６８の上面より第２層間接続体６４ａの上面が高くなる分を、同時に除去して平坦化してもよい。   Next, as shown in FIG. 14 (7), the protruding portion of the laminate is removed to expose the second interlayer connector 64a. At this time, the upper surface of the second interlayer connection body 64a may be removed at the same time as the upper surface of the metal layer 68 of the stacked body and flattened.

凸部の除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部が形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。   As a method of removing the convex portion, a method by grinding or polishing is preferable, a method using a grinding device having a hard rotary blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotary plate, a sander, a belt sander, Examples include a method using a grinder, a surface grinder, a hard abrasive molded product, and the like. When the grinding device is used, the upper surface can be flattened by moving the hard rotary blade along the upper surface of the fixedly supported wiring substrate while rotating. Examples of the polishing method include a method of lightly polishing by a belt sander, buffing, or the like. When the protrusion is formed on the laminate as in the present invention, it is easy to grind only that portion, and the entire surface can be more reliably flattened.

次いで、図１４（８）に示すように、露出した第２層間接続体６４ａと、絶縁層６６を隔てて近接する金属層６８とを導電接続するが、例えば第２層間接続体６４ａの上面を含む金属層６８の略全面に対し、メッキにより導電体層６９を形成すればよい。   Next, as shown in FIG. 14 (8), the exposed second interlayer connector 64a and the metal layer 68 adjacent to each other with the insulating layer 66 interposed therebetween are conductively connected. The conductor layer 69 may be formed by plating on substantially the entire surface of the metal layer 68 including the metal layer.

メッキによる導電体層６９の形成は、無電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの組合せ、スパッタリングや蒸着と電解メッキの組合せなどにより行うことができる。但し、導電接続の信頼性を高める上で無電解メッキと電解メッキの組合せで形成するのが好ましい。導電体層６９の厚みは１〜３０μｍが好ましい。なお、導電体層６９を形成する際に、裏面側にも導電体層を形成してもよい。 次いで、図１５（９）に示すように、第１金属層５１の反射体５１ａを形成する表面部分にマスク層５７を形成するが、同時に導電体層６９にマスク層５７を形成して、パターン形成してもよい。   The formation of the conductor layer 69 by plating can be performed by electroless plating, a combination of electroless plating and electrolytic plating, or a combination of sputtering, vapor deposition, and electrolytic plating. However, in order to enhance the reliability of the conductive connection, it is preferable to form them by a combination of electroless plating and electrolytic plating. The thickness of the conductor layer 69 is preferably 1 to 30 μm. When forming the conductor layer 69, a conductor layer may also be formed on the back surface side. Next, as shown in FIG. 15 (9), a mask layer 57 is formed on the surface of the first metal layer 51 where the reflector 51a is to be formed. At the same time, the mask layer 57 is formed on the conductor layer 69 to form a pattern. It may be formed.

次いで、図１５（１０）に示すように、マスク層５７を形成した第１金属層５１を選択的にエッチングして反射体５１ａを形成することができる。その際、金属層６８及び導電体層６９をエッチングして、導体パターン層６９ａを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 15 (10), the first metal layer 51 on which the mask layer 57 is formed can be selectively etched to form the reflector 51a. At that time, the metal layer 68 and the conductor layer 69 can be etched to form the conductor pattern layer 69a.

次いで、図１５（１１）に示すように、第１保護金属層５２をエッチング等で除去するが、第１保護金属層５２がニッケルのように、酸化され易い金属の場合、これを除去した後に、貴金属等のメッキ層を形成するのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 15 (11), the first protective metal layer 52 is removed by etching or the like. If the first protective metal layer 52 is a metal that is easily oxidized such as nickel, the first protective metal layer 52 is removed. It is preferable to form a plating layer of a noble metal or the like.

貴金属等のメッキ層を形成する際、図１５（１２）に示すように、第１保護金属層５２を除去して凹状になった部分が平坦になるように、メッキ層８１を形成するのが好ましい。このとき、反射効率を高める上で、反射体５１ａに対しても貴金属等のメッキ層８２を形成するのが好ましい。   When forming a plating layer of a noble metal or the like, as shown in FIG. 15 (12), it is necessary to form the plating layer 81 such that the first protective metal layer 52 is removed and the concave portion becomes flat. preferable. At this time, in order to enhance the reflection efficiency, it is preferable to form a plating layer 82 of a noble metal or the like also on the reflector 51a.

次いで、前述の実施形態と同様に、熱伝導性の絶縁層と金属基板を形成してもよい。これによって放熱効果をより高めることができる。   Next, similarly to the above-described embodiment, a heat conductive insulating layer and a metal substrate may be formed. Thereby, the heat radiation effect can be further enhanced.

以上のような本発明の製造方法によって、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続するための電極と、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５１ａとを有し、この反射体５１ａは、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されている発光素子搭載用基板を製造することができる。この構造では、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２を介して、反射体５１ａが金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。   According to the manufacturing method of the present invention as described above, an electrode for electrically connecting the electrode of the mounted light emitting element 15a and the reflector 51a for reflecting the light of the light emitting element 15a are provided. A light emitting element mounting substrate that has a curved surface formed by etching around the position where the element 15a is mounted and that is laminated and integrated with the substrate side by joining metals can be manufactured. In this structure, the reflector 51a is laminated and integrated with the substrate side by joining the metals via a protective metal layer 52 made of another metal that is resistant during etching of the metal constituting the reflector 51a.

（３）一方、図６に示す実施形態のように、反射体５１ａの下層に、第１保護金属層５２、第２層間接続体６４ａ、及び配線パターン６８ａを形成して、反射体５１ａの下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５１ａが金属同士の接合により積層一体化された構造としてもよい。   (3) On the other hand, as in the embodiment shown in FIG. 6, the first protective metal layer 52, the second interlayer connector 64a, and the wiring pattern 68a are formed below the reflector 51a to form a layer below the reflector 51a. To a lowermost wiring layer, a metal laminate may be laminated by joining metals, and the reflector 51a may be laminated and integrated with the metal laminate by joining metals.

また、図７に示す実施形態のように、最下層の配線層の一方を反射体５１ａの下層の金属積層体と連続させてもよい。この構造によると、反射体５１ａの発熱が、電極となる第１保護金属層５２を含む金属積層体を介して、最下層の配線層の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５１ａの発熱を基板裏側の金属基板まで効率よく伝熱することができる。   Further, as in the embodiment shown in FIG. 7, one of the lowermost wiring layers may be continuous with the metal laminate below the reflector 51a. According to this structure, the heat generated by the reflector 51a is transferred to the position of the lowermost wiring layer via the metal laminate including the first protective metal layer 52 serving as an electrode, and the heat transfer area is increased. Therefore, heat generated by the reflector 51a can be efficiently transmitted to the metal substrate on the back side of the substrate.

（４）更に、本発明では、発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備える発光素子搭載用基板とすることも可能である。このような発光素子搭載用基板には、図６（ａ）、図７（ａ）、図１１（１４）、図１５（１２）に示すものも例示される。   (4) Further, according to the present invention, a light emitting element mounting board for mounting a light emitting element and supplying power to the light emitting element is provided at a metal substrate and at a mounting position of the light emitting element so that heat can be transferred to the metal substrate. It is also possible to provide a light emitting element mounting substrate including a metal convex portion formed by etching, an insulating layer around the metal convex portion, and an electrode formed near the metal convex portion. Examples of such a light emitting element mounting substrate include those shown in FIGS. 6A, 7A, 11 (14), and 15 (12).

この発光素子搭載用基板によると、金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置に金属凸部を形成しているため、発光素子から基板側への伝熱を良好に行うことができる。特に、金属基板に金属のみを介して金属凸部が形成されている場合、最も伝熱性が高いものとなる。また、金属凸部がエッチングで形成されているため、金属凸部の一括形成や均一な高さ制御が可能となり、更に、金属凸部を放熱に適した平面視形状にすることも可能になる。   According to this light emitting element mounting substrate, since the metal projection is formed at the mounting position of the light emitting element so that heat can be transferred to the metal substrate, heat can be transferred from the light emitting element to the substrate satisfactorily. . In particular, when a metal projection is formed on a metal substrate via only a metal, the metal substrate has the highest heat conductivity. In addition, since the metal protrusions are formed by etching, batch formation and uniform height control of the metal protrusions are possible, and further, the metal protrusions can be formed in a plan view shape suitable for heat radiation. .

具体的な例を追加して述べると、図１６に例示する発光素子搭載用基板では、金属基板１１と、その金属基板１１に別の金属層８２（保護金属層と同様）を介して伝熱可能なように、発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部８０と、その金属凸部８０の周囲の絶縁層４４と、その金属凸部８０の近傍に形成された電極１３，１４とを備えている。金属凸部８０は、金属基板１１と別の金属層８２と表面金属層８１との積層体を用いて、表面金属層８１を選択的にエッチングすることで形成できる。このとき、別の金属層８２は、表面金属層８１のエッチング時に耐性を示す別の金属からなり、金属基板１１を保護することができる。   To further describe a specific example, in the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. 16, heat transfer is performed via a metal substrate 11 and another metal layer 82 (similar to a protective metal layer). As much as possible, the metal projection 80 formed by etching at the mounting position of the light emitting element, the insulating layer 44 around the metal projection 80, and the electrodes 13 and 14 formed near the metal projection 80 And The metal protrusions 80 can be formed by selectively etching the surface metal layer 81 using a laminate of the metal substrate 11, another metal layer 82, and the surface metal layer 81. At this time, the other metal layer 82 is made of another metal having resistance when the surface metal layer 81 is etched, and can protect the metal substrate 11.

また、反射体５を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層２などを介して、反射体５が電極１３，１４と接合されていてもよい。金属凸部８０の上面には、ボンディング材８３によって発光素子１５ａが搭載され、金属細線１７による結線が行われている。   Further, the reflector 5 may be joined to the electrodes 13 and 14 via the protective metal layer 2 made of another metal having resistance during etching of the metal forming the reflector 5. The light emitting element 15a is mounted on the upper surface of the metal protrusion 80 by the bonding material 83, and the connection is made by the thin metal wire 17.

一方、図１７に例示する発光素子搭載用基板では、金属基板１１と、その金属基板１１に別の金属層８２を介して伝熱可能なように、発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部８０と、その金属凸部８０の周囲の絶縁層４４と、その金属凸部８０の近傍に形成された電極１３，１４と、前記金属凸部８０の上面に形成され電極１３，１４と略同じ高さの放熱パターン８４とを備えている。この実施形態では、図示したように、金属細線１７による結線を行ってもよいが、電極１３，１４と略同じ高さの放熱パターン８４を備えるため、表面実装タイプの発光ダイオードであって、電極とボンデイング部とを下面に備えるものを用いて、電極同士の接合と、放熱パターン８４と発光素子の下面との接合を行うことも可能である。   On the other hand, in the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. 17, the metal substrate 11 is formed by etching at the light emitting element mounting position so that heat can be transferred to the metal substrate 11 via another metal layer 82. The metal protrusion 80, the insulating layer 44 around the metal protrusion 80, the electrodes 13 and 14 formed near the metal protrusion 80, and the electrodes 13 and 14 formed on the upper surface of the metal protrusion 80 And a heat radiation pattern 84 having substantially the same height as the heat radiation pattern 84. In this embodiment, as shown in the figure, the connection may be performed by the thin metal wires 17. However, since the heat radiation pattern 84 having substantially the same height as the electrodes 13 and 14 is provided, the surface mounting type light emitting diode is used. It is also possible to join the electrodes and to join the heat radiation pattern 84 and the lower surface of the light emitting element by using an element having a lower surface and a bonding portion.

本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視断面図BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows an example of the light emitting element mounting substrate of this invention, (a) is a top view, (b) is II sectional drawing. 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図Process chart showing an example of a method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図Process chart showing an example of a method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図Process chart showing an example of a method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図Main part sectional view showing another example of the light emitting element mounting substrate of the present invention. 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視平面図It is a figure which shows the other example of the board | substrate for mounting a light emitting element of this invention, (a) is sectional drawing, (b) is an II arrow plan view. 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視平面図It is a figure which shows the other example of the board | substrate for mounting a light emitting element of this invention, (a) is sectional drawing, (b) is an II arrow plan view. 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す平面図Plan view showing another example of the light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図Process chart showing another example of the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate of the present invention 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図Main part sectional view showing another example of the light emitting element mounting substrate of the present invention. 本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図Main part sectional view showing another example of the light emitting element mounting substrate of the present invention. 従来の発光素子搭載用基板の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は矢視断面図It is a figure which shows an example of the conventional light emitting element mounting substrate, (a) is a top view, (b) is arrow sectional drawing. 従来の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図Main part sectional view showing another example of a conventional light emitting element mounting substrate

符号の説明Explanation of reference numerals

２ 保護金属層
３ 金属層
４ マスク層
４ａ 開口
５ 反射体
５ａ 反射面
１１ 金属基板
１３ 第１の電極
１４ 第２の電極
１５ 発光ダイオード
１５ａ 発光素子
２１ 透明樹脂レンズ
５１ａ 反射体
５２ 第１保護金属層
５７ マスク層
６６ 絶縁層 2 Protective metal layer 3 Metal layer 4 Mask layer 4a Opening 5 Reflector 5a Reflecting surface 11 Metal substrate 13 First electrode 14 Second electrode 15 Light emitting diode
15a Light emitting element 21 Transparent resin lens 51a Reflector 52 First protective metal layer 57 Mask layer 66 Insulating layer

Claims (12)

基板上に形成された第１の電極と、その第１の電極と離間されて形成された第２の電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有し、前記第１の電極及び第２の電極に搭載する発光素子の電極を導電接続して使用する発光素子搭載用基板において、
前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ基板側に積層一体化されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。 A first electrode formed over the substrate, a second electrode formed to be separated from the first electrode, and a reflector that reflects light of the light-emitting element; In a light emitting element mounting substrate used by electrically connecting electrodes of the light emitting element mounted on the second electrode,
The light emitting element mounting substrate, wherein the reflector has a curved surface formed by etching around a position where the light emitting element is mounted, and is laminated and integrated on the substrate side. 請求項１記載の発光素子搭載用基板の前記第１の電極に一方の電極が導電接続され、前記第２の電極に他方の電極が導電接続された発光素子と、前記反射体の反射面の上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズとを備える発光素子搭載基板。 2. A light emitting element in which one electrode is conductively connected to the first electrode of the light emitting element mounting substrate according to claim 1 and the other electrode is conductively connected to the second electrode, and a reflection surface of the reflector is provided. A light emitting element mounting substrate, comprising: a transparent resin lens having an upper edge on which a convex outer peripheral edge is located. 搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。 An electrode for conductively connecting an electrode of a light emitting element to be mounted, and a light emitting element mounting substrate having a reflector that reflects light of the light emitting element, wherein the reflector is provided around a position where the light emitting element is mounted. A light-emitting element mounting substrate, which has a curved surface formed by etching and is laminated and integrated with a substrate side by joining metals. 前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されている請求項３記載の発光素子搭載用基板。 4. The light emitting device according to claim 3, wherein the reflector is laminated and integrated with the substrate side by bonding between the metals via a protective metal layer made of another metal having resistance during etching of the metal constituting the reflector. Mounting substrate. 前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されている請求項３又は４に記載の発光素子搭載用基板。 Having an insulating layer and a wiring layer on the lower layer side from the layer on which the electrode is formed, and having a metal laminate stacked by joining metals from the lower layer of the reflector to the position of the lowermost wiring layer, The substrate for mounting a light emitting element according to claim 3 or 4, wherein the reflector is laminated and integrated with the metal laminate by joining metals. 基板上に第１の電極と第２の電極とを含む配線パターンを形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、この金属層の前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする発光素子搭載用基板の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting element mounting substrate, comprising: a step of forming a wiring pattern including a first electrode and a second electrode on a substrate; and a step of forming a reflector that reflects light of the light emitting element.
In the step of forming the reflector, a metal layer is formed by plating at least on the surface of the substrate on which the wiring pattern is formed, and at least a position of the metal layer on which the light emitting element is mounted is etched to form a curved surface around the position. A method for manufacturing a substrate for mounting a light-emitting element, comprising: 前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記曲面を形成する工程とを含む請求項６記載の発光素子搭載用基板の製造方法。 The step of forming the reflector includes a step of forming a protective metal layer that covers at least the wiring pattern, a step of forming another metal layer that covers the protective metal layer, and at least a position where the light emitting element is mounted. 7. The method for manufacturing a light-emitting element mounting substrate according to claim 6, further comprising: forming a mask layer having an opening on the metal layer; and selectively etching the metal layer to form the curved surface. 前記反射体の形成工程は、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含む請求項７記載の発光素子搭載用基板の製造方法。 8. The method according to claim 7, wherein the step of forming the reflector further includes a step of selectively etching the protective metal layer. 搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極を形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする発光素子搭載用基板の製造方法。 In the method for manufacturing a light emitting element mounting substrate including a step of forming an electrode for conductively connecting an electrode of the light emitting element to be mounted, and a step of forming a reflector that reflects light of the light emitting element,
In the step of forming the reflector, the light emitting element is mounted on a protective metal layer made of another metal having resistance during etching of the metal constituting the reflector and a metal layer laminated and integrated by joining the metals. A step of etching at least a position to be formed to form a curved surface therearound. 前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含む請求項９記載の発光素子搭載用基板の製造方法。 10. The method for manufacturing a light emitting element mounting substrate according to claim 9, further comprising a step of forming a conductor pattern under the protective metal layer before the step of forming the reflector. 前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含む請求項９記載の発光素子搭載用基板の製造方法。 The method for manufacturing a light emitting element mounting substrate according to claim 9, further comprising a step of forming an interlayer connection pattern below the protective metal layer before the step of forming the reflector. 発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備える発光素子搭載用基板。 A light emitting element mounting substrate for mounting and supplying power to the light emitting element, a metal substrate, and a metal convex portion formed by etching at a mounting position of the light emitting element so that heat can be transferred to the metal substrate. A light-emitting element mounting substrate comprising: an insulating layer around the metal protrusion; and an electrode formed near the metal protrusion.
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